JP2013161520A - 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることが可能な有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１色の光を共振させる第１画素と、第２色の光を共振させる第２画素と、第３色の光を共振させる第３画素と、を備える有機ＥＬ装置１１の製造方法であって、第１反射膜４１Ｒの表面と第２反射膜４１Ｇの表面と第３反射膜４１Ｂの表面との断面位置が異なるように反射膜４１を形成する工程と、これら反射膜４１上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層の上面を平坦化する工程と、平坦化絶縁層４２上に第１画素電極２４Ｒ、第２画素電極２４Ｇ、第３画素電極２４Ｂを形成する工程と、を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、共振構造を有する有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、及び電子機器に関する。

上記有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極（画素電極）と陰極（対向電極）との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。また、例えば、特許文献１に記載のように、陽極における発光層とは反対側に反射膜を設け、発光層において発光した光を反射膜と陰極との間で往復させ、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出す構造が知られている。このような、光共振構造を設けることにより、発光の色再現性を向上させることができる。

有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、反射膜上に陽極を形成し、その上に各色に応じて光路長を変えるために透明導電膜を積層する。そして、その上に発光層、陰極を順次形成する。これにより、各色ごとに最適な光路長となるように構成することが可能となり、色再現性を向上させることができる。

特開２００７−１８８６５３号公報

しかしながら、発光領域において透明導電膜などの積層膜に起因して画素領域の周囲などに段差が生じる場合、陰極と反射膜との間の光路長が変わる。これにより、最適な光路長（共振）の値がずれてしまい、段差部において異なる色が発光するという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１反射膜、第１画素電極、第１発光層、及び対向電極とを有し、前記第１反射膜と前記対向電極との間で第１色の光を共振させる第１画素と、第２反射膜、第２画素電極、第２発光層、及び前記対向電極とを有し、前記第２反射膜と前記対向電極との間で第２色の光を共振させる第２画素と、を備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１反射膜の表面と前記第２反射膜の表面との断面位置が異なるように前記第１反射膜及び前記第２反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記第１反射膜及び前記第２反射膜上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の上面を平坦化する平坦化工程と、前記絶縁層上に前記第１画素電極及び前記第２画素電極を形成する画素電極形成工程と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、第１反射膜の表面位置と第２反射膜の表面位置とを断面的に異なるように形成し、その上に絶縁層を形成し、そのあと絶縁層の上面を平坦化するので、絶縁層上に第１画素電極及び第２画素電極を形成した際に、第１画素電極の表面と第２画素電極の表面との高さを等しくすることができる。つまり、各色の波長を共振させる共振構造において、画素電極の表面の高さを等しくすることができる。よって、画素電極の周辺部に発生する段差を緩和することが可能となり、所望の光路長を得ることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記平坦化工程は、前記絶縁層の上面を研磨することによって平坦化することが好ましい。

本適用例によれば、研磨によって絶縁層の上面を平坦化するので、絶縁層の膜厚が比較的厚い場合でも、容易に短時間で所定の厚みに形成することができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記絶縁層は、有機樹脂であることが好ましい。

本適用例によれば、有機樹脂によって絶縁層を構成しているので、無機材料で絶縁層を構成する場合と比較して、容易に平坦化させやすくすることができる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記反射膜形成工程は、前記第１反射膜の厚みを前記第２反射膜とは異なる厚みで形成することが好ましい。

本適用例によれば、反射膜の厚みを異ならせ、第１反射膜と第２反射膜との表面の断面位置を異ならせているので、反射膜の周囲にある絶縁層の上面を平坦化することにより、絶縁層上に形成する画素電極上に段差ができることを抑えることが可能となり、陰極と反射膜との間で各色の波長に応じた共振構造を得ることができる。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記反射膜形成工程及び前記絶縁層形成工程は、前記第１反射膜及び前記第２反射膜の表面の断面位置が異なるようにするべく、前記第１反射膜を形成する工程と、第１絶縁層を形成する工程と、前記第２反射膜を形成する工程と、第２絶縁層を形成する工程と、を有することが好ましい。

本適用例によれば、各発光領域に形成した反射膜と絶縁層とを繰り返しに形成することにより、各色ごとに陰極と反射膜との距離を変えることが可能となり、各色ごと所定の共振構造を得ることができる。

［適用例６］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、第１反射膜、第１画素電極、第１発光層、及び対向電極とを有し、前記第１反射膜と前記対向電極との間で第１色の光を共振させる第１画素と、第２反射膜、第２画素電極、第２発光層、及び前記対向電極とを有し、前記第２反射膜と前記対向電極との間で第２色の光を共振させる第２画素と、を備える有機ＥＬ装置であって、前記第１反射膜の表面は、前記第２反射膜の表面の断面位置とは異なるように配置されており、前記第１画素電極と前記第１反射膜との間、及び前記第２画素電極と前記第２反射膜との間に介在する、表面が平坦化された平坦化絶縁層を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、第１反射膜の表面位置と第２反射膜の表面位置とが断面的に異なって配置され、更に、第１反射膜及び第２反射膜が平坦化絶縁層で覆われているので、平坦化絶縁層上に第１画素電極及び第２画素電極を配置した際に、第１画素電極の表面と第２画素電極の表面との高さを等しくすることができる。つまり、各色の波長を共振させる共振構造において、画素電極の表面の高さを等しくすることができる。よって、画素電極の周辺部に発生する段差を緩和することが可能となり、所望の光路長を得ることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。

［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、各色を最適な色で表示させることができ、表示品位を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてスマートフォンを示す模式図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造で説明する。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数のデータ線１３と、データ線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１２とデータ線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。データ線１３は、データ線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。

各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介してデータ線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む画素電極２４と、対向電極２５と、この画素電極２４と対向電極２５との間に挟持された発光機能層２６（第１発光層、第２発光層を含む）とが設けられている。

有機ＥＬ装置１１は、画素電極２４と対向電極２５と発光機能層２６とにより構成される発光素子２７（画素）を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。

この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときのデータ線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から画素電極２４に電流が流れ、更に、発光機能層２６を介して対向電極２５に電流が流れる。発光機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。

図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板としての第１基材３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。

実表示領域３２ａ内には、光が出射されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤：第１色）、Ｇ（緑：第２色）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。

ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。

第１基材３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。

図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）（第１画素、第２画素を含む）が第１基材３１の面上に配列された構成となっている。なお、第１基材３１上に設けられた配線や回路、それらが形成されている層などの図示は省略する。各発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）は、複数の色彩（赤色、緑色、青色）のいずれかに対応した波長の光を発生する要素である。本実施形態では、発光素子２７Ｒは赤色光を出射し、発光素子２７Ｇは緑色光を出射し、発光素子２７Ｂは青色光を出射するような構造でもよいし、各発光素子２７が白色光を出射するような構造でもよい。

本実施形態の有機ＥＬ装置１１は、上記したように、各発光素子２７にて発生した光が第１基材３１とは反対側に向かって進行するトップエミッション構造である。従って、ガラスなどの光透過性を有する板材の他、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を第１基材３１として採用することができる。

図３に示すように、第１基材３１上には、高さの異なる反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）が各発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）に対応して配置されている。そして、これらの反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）を覆うように、上面が平坦化された平坦化絶縁層４２が設けられている。反射膜４１は、光反射性を有する材料によって形成される。材料としては、例えば、アルミニウムや銀、又はアルミニウムや銀を主成分とする合金などが挙げられる。

平坦化絶縁層４２としては、誘電体であり、例えば、酸化珪素、酸窒化珪素などの無機絶縁膜によって形成される。平坦化絶縁層４２の上面は、例えば、研磨によって平坦化されている。このような構造において、反射膜４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの厚みを変えることにより、反射膜４１の上面（表面）の位置（断面位置）を各色ごとに相違させることができる。つまり、各発光領域１０１，１０２，１０３で要求される発光波長に最適な共振を生じるように光路長が最適化された、光共振構造が採用されている。

平坦化絶縁層４２上には、発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂが設けられている。発光素子２７の各々は、画素電極２４と、発光機能層２６と、対向電極２５とを有する。画素電極２４は、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）、またはＺｎＯ₂のような透明酸化物導電材料から形成される。本実施形態では、画素電極２４はＩＴＯで形成される。

発光機能層２６は、画素電極２４を覆うようにして形成される。詳述すると、発光機能層２６は、複数の発光素子２７に亘って連続して形成されている。発光機能層２６の特性は、複数の発光素子２７について共通である。なお、発光機能層２６は、例えば、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層（第１発光層、第２発光層）と、電子輸送層と、電子注入層とを含むものとする。

発光層は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極２４と対向電極２５との間に電圧を印加することによって、発光機能層２６（発光層）には、正孔輸送層から正孔が、また、電子輸送層から電子が注入され、発光層においてこれらが再結合したときに発光が行われる。本実施形態では、例えば、白色光を発する。

対向電極２５は、発光機能層２６を覆うように形成される。言い換えれば、対向電極２５は、複数の発光素子２７に亘って連続して形成されている。対向電極２５は、その表面に達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を持った半透過反射層として機能する。

また、対向電極２５は、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、又はこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）で形成される。本実施形態においては、マグネシウム及び銀を発光機能層２６上に共蒸着させて対向電極２５を形成する。

本実施形態における有機ＥＬ装置１１では、反射膜４１と対向電極２５との間で発光機能層２６が発する光を共振させる共振器構造が形成される。すなわち、発光機能層２６が発する光は反射膜４１と対向電極２５との間で往復し、共振によって特定の波長の光が強められて対向電極２５を透過して観察側（図３における上方）に進行する（トップエミッション方式）。

発光素子２７Ｒでは発光機能層２６で発した白色光のうち赤色が強められ、発光素子２７Ｇでは緑色が強められ、発光素子２７Ｂでは青色が強められるように、各発光領域における反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）の膜厚が調整される。

対向電極２５上には、無機材料からなるパッシベーション層（図示せず）が形成される。パッシベーション層は、発光素子２７に対する水や外気の浸入を防ぐための保護膜である。また、パッシベーション層は、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料から形成される。

複数の発光素子２７が形成された素子基板５１（図６参照）上には、カラーフィルター基板６１が対向配置される。カラーフィルター基板６１は、ガラスなどの光透過性を有する材料で形成される。カラーフィルター基板６１のうち第１基材３１との対向面には、カラーフィルター６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）及び遮光膜６３が形成される。

遮光膜６３は、各発光素子２７に対応して開口６４が形成された遮光性の膜体である。開口６４内には、カラーフィルター６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）が形成される。

発光素子２７Ｒに対応する開口６４内には、赤色光を選択的に透過させる赤色用カラーフィルター６２Ｒが形成されている。発光素子２７Ｇに対応する開口６４内には、緑色光を選択的に透過させる緑色用カラーフィルター６２Ｇが形成されている。発光素子２７Ｂに対応する開口６４内には、青色光を選択的に透過させる青色用カラーフィルター６２Ｂが形成されている。

カラーフィルター６２及び遮光膜６３が形成されたカラーフィルター基板６１は、封止層６５を介して第１基材３１と貼り合わされる。封止層６５は、透明の樹脂材料、例えば、エポキシ樹脂などの硬化性樹脂から形成される。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図４〜図６は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図４〜図６を参照しながら説明する。

図４（ａ）に示す工程（反射膜形成工程）では、アレイ基板５２上に反射膜４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂを形成する。具体的には、例えば、蒸着法によってアレイ基板５２上にアルミニウムを全面成膜する。次に、フォトグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、この膜をパターニングして、第１発光領域１０１に第１反射膜４１Ｒ、第２発光領域１０２に第２反射膜４１Ｇ、第３発光領域１０３に第３反射膜４１Ｂを形成する。

第１発光領域１０１は、赤色（Ｒ）を透過させる領域であり、第１反射膜４１Ｒの膜厚が他と比較して一番薄い。第２発光領域１０２は、緑色（Ｇ）を透過させる領域であり、第２反射膜４１Ｇの膜厚が２番目に厚い。第３発光領域１０３は、青色（Ｂ）を透過させる領域であり、第３反射膜４１Ｂの膜厚が一番厚い。これら反射膜４１の厚みは、各色の発光波長に最適な光路長となるように設定されている。

各反射膜４１の製造方法の一つとして、最初は厚い反射膜前駆体膜を形成する。次に、ドライエッチング法を用いて、正規の厚みになるように形成する。なお、エッチング処理を行うことによって、反射膜４１の上面の反射性が低下する恐れがある。

また、他の製造方法の一つとして、各反射膜４１の高さに膜を積層させる方法がある。なお、積層させる場合、フォトマスクのずれに起因して材料を真上に積層させることが難しい。よって、反射膜４１の下側から上側にいくに従って面積が小さくなるように積層することが好ましい。最上層の面積が正規の面積になるように形成することにより、上に積層した膜が端部で垂れ下がるような不具合を防ぐことができる。その後、例えば、反射膜４１の全体が同じ面積になるように側壁をエッチングする。

このように形成することにより、反射膜４１の上面をエッチングして形成する方法と比較して、反射膜４１の反射性を維持することができる。なお、反射膜４１の端部に段差が生じるようであれば、平面的に画素電極２４の領域より反射膜４１の領域を大きく形成することにより、光路長に影響を与えることを防ぐことができる。

図４（ｂ）に示す工程（絶縁層形成工程）では、これら反射膜４１の全体を覆うように、絶縁層４２ａを成膜する。具体的には、例えば、絶縁層４２ａとして無機絶縁膜を用いたものが設けられている。また、第１反射膜４１Ｒから第３反射膜４１Ｂの厚みが異なっているので、絶縁層４２ａの上面が凸凹になっている。

図４（ｃ）に示す工程（平坦化工程）では、絶縁層４２ａの上面の凸凹を平坦化処理して平坦化絶縁層４２を形成する。具体的には、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などの研磨法を利用して絶縁層４２ａの上面を平坦化する。これにより、反射膜４１の厚みの差に起因する絶縁層４２ａ上の凸凹を平坦にすることができる。

図５（ａ）に示す工程（画素電極形成工程）では、平坦化された平坦化絶縁層４２上に画素電極２４を形成する。具体的には、例えば、蒸着法によって平坦化絶縁層４２上に、例えばインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を全面成膜する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により、この膜をパターンニングし、画素電極２４を形成する。

次に、図５（ｂ）に示す工程では、画素電極２４を含む平坦化絶縁層４２上に発光機能層２６を成膜する。まず、画素電極２４を含む平坦化絶縁層４２上に発光機能層２６を構成する正孔輸送層（正孔注入層を含む）を形成する。具体的には、例えば、α−ＮＰＤ等の材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することにより形成する。次に、正孔輸送層の上面に発光層及び電子輸送層（電子注入層を含む）を形成する。具体的には、周知の蒸着法に基づいて蒸着することにより形成する。

図５（ｃ）に示す工程では、発光機能層２６（電子輸送層）上に対向電極２５を形成する。具体的には、発光機能層２６上に、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、又はこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）を、例えば、共蒸着させて対向電極２５を形成する。

図６に示す工程では、有機ＥＬ装置１１を完成させる。まず、対向電極２５上に、酸素や水分の影響による発光素子２７の劣化を防止するためのパッシベーション層（図示せず）を形成する。具体的には、例えば、酸窒化珪素等の材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することにより形成する。

次に、パッシベーション層上の全体に亘って封止層６５を形成する。封止層６５は、例えば、エポキシ樹脂などの硬化性樹脂であり、ＣＶＤ法で成膜する。封止層６５は、水分の侵入を防ぎ、発光素子２７を劣化させないよう、積層構造とすることが好ましい。

次に、カラーフィルター基板６１側を形成する。まず、公知の成膜技術を用いて、カラーフィルター６２及び遮光膜６３を形成する。これにより、各発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）に対応して各カラーフィルター６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）が形成される。

次に、素子基板５１側とカラーフィルター基板６１側とを貼り合わせて、有機ＥＬ装置１１を完成させる。具体的には、大気を遮断した窒素雰囲気内において、封止層６５を介して貼り合わせる。以上により、有機ＥＬ装置１１が完成する。

＜電子機器の構成＞
図７は、上記した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてスマートフォンを示す模式図である。以下、有機ＥＬ装置を備えたスマートフォンの構成を、図７を参照しながら説明する。

図７に示すように、スマートフォン７１は、表示部７２及びアイコン７３を有している。表示部７２は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１１によって、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１１は、上記スマートフォン７１の他、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイ、小型プロジェクター、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法によれば、第１反射膜４１Ｒの表面位置と、第２反射膜４１Ｇの表面位置と、第３反射膜４１Ｂの表面位置とを断面的に異なるように形成し（膜厚を変えて形成）、その上に平坦化絶縁層４２を形成し、そのあと平坦化絶縁層４２の上面をＣＭＰ法を用いて平坦化するので、平坦化絶縁層４２の上に第１画素電極２４Ｒ、第２画素電極２４Ｇ、及び第３画素電極２４Ｂを形成した際に、第１画素電極２４Ｒの表面と、第２画素電極２４Ｇの表面と、第３画素電極２４Ｂの表面との高さを等しくすることができる。つまり、各色の波長を共振させる共振構造において、画素電極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの表面の高さを等しくすることができる。よって、画素電極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの周辺部に発生する段差を緩和することが可能となり、所望の光路長を得ることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。

（２）第１実施形態の有機ＥＬ装置１１によれば、平坦化絶縁層４２上に第１画素電極２４Ｒ、第２画素電極２４Ｇ、及び第３画素電極２４Ｂを設けるので、第１画素電極２４Ｒの表面と第２画素電極２４Ｇの表面と、第３画素電極２４Ｂの表面との高さを等しくすることができる。つまり、各色の波長を共振させる共振構造においても、画素電極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの表面の高さを等しくすることができる。よって、画素電極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの周辺部に発生する段差を緩和することが可能となり、所望の光路長を得ることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。

（３）第１実施形態の電子機器によれば、各色を最適な色で表示させることができ、表示品位を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

（第２実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図８は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成について、図８を参照しながら説明する。

第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、上述の第１実施形態の有機ＥＬ装置１１と比べて、平坦化絶縁層１４２中に配置された反射膜１４１（１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ）の構造が異なっており、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図８に示すように、第２実施形態に係る有機ＥＬ装置１１１は、第１実施形態で説明したように、ＴＦＴなどを含むアレイ基板５２上に、反射膜１４１を有する平坦化絶縁層１４２が配置されている。

平坦化絶縁層１４２には、アレイ基板５２側から順に第１反射膜１４１Ｒ、第２反射膜１４１Ｇ、第３反射膜１４１Ｂが、第１発光領域１０１〜第３発光領域１０３に亘って、対向電極２５と所定の間隔をあけて配置されている。具体的には、第１反射膜１４１Ｒ、第２反射膜１４１Ｇ、及び第３反射膜１４１Ｂの厚みは略同じである。

平坦化絶縁層１４２の第１発光領域１０１において、第１反射膜１４１Ｒは、対向電極２５と第１距離Ｈ１をおいて配置されている。平坦化絶縁層１４２の第２発光領域１０２において、第２反射膜１４１Ｇは、対向電極２５と第２距離Ｈ２をおいて配置されている。平坦化絶縁層１４２の第３発光領域１０３において、第３反射膜１４１Ｂは、対向電極２５と第３距離Ｈ３をおいて配置されている。

平坦化絶縁層１４２上には、第１実施形態と同様に、発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂが設けられている。発光素子２７の各々は、画素電極２４と、発光機能層２６と、対向電極２５とを有する。

対向電極２５上には、無機材料からなるパッシベーション層が形成される。素子基板５１上には、カラーフィルター６２及び遮光膜６３が形成されたカラーフィルター基板６１が対向配置される。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図９及び図１０は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を、図９及び図１０を参照しながら説明する。

図９（ａ）に示す工程では、アレイ基板５２上の第１発光領域１０１に第１反射膜１４１Ｒを形成する。具体的には、例えば、蒸着法によってアレイ基板５２上にアルミニウムを成膜する。次に、フォトグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、この膜をパターニングして、第１発光領域１０１に第１反射膜１４１Ｒを形成する。

次に、第１反射膜１４１Ｒを含むアレイ基板５２上の全面に第１絶縁層１４２ａを成膜する。具体的には、例えば、第１絶縁層１４２ａとして有機樹脂を用いたものが設けられている。なお、第１反射膜１４１Ｒを形成したので、第１絶縁層１４２ａにおける第１反射膜１４１Ｒの上方の上面が盛り上がっている。

図９（ｂ）に示す工程では、第１絶縁層１４２ａ上に第２反射膜１４１Ｇ及び第２絶縁層１４２ｂを形成する。具体的には、まず、蒸着法によって第１絶縁層１４２ａ上における第２発光領域１０２にアルミニウムを成膜する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、この膜をパターニングして、第２発光領域１０２に第２反射膜１４１Ｇを形成する。その後、第２反射膜１４１Ｇを含む第１絶縁層１４２ａ上に第２絶縁層１４２ｂを成膜する。これにより、第２絶縁層１４２ｂにおける第１反射膜１４１Ｒ及び第２反射膜１４１Ｇの上方の上面が盛り上がっている。

図９（ｃ）に示す工程では、第２絶縁層１４２ｂ上に第３反射膜１４１Ｂ及び第３絶縁層１４２ｃを形成する。具体的には、まず、蒸着法によって第２絶縁層１４２ｂ上における第３発光領域１０３にアルミニウムを成膜する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、この膜をパターニングして、第３発光領域１０３に第３反射膜１４１Ｂを形成する。その後、第３反射膜１４１Ｂを含む第２絶縁層１４２ｂ上に第３絶縁層１４２ｃを成膜する。これにより、第３絶縁層１４２ｃにおける反射膜１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂの上方の上面が盛り上がっている。

図１０（ａ）に示す工程では、第３絶縁層１４２ｃの上面の凸凹を平坦化処理して平坦化絶縁層１４２を形成する。具体的には、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などの研磨法を利用して第３絶縁層１４２ｃの上面を平坦化する。

図１０（ｂ）に示す工程では、有機ＥＬ装置１１１を完成させる。具体的には、第１実施形態と同様に、各発光領域１０１，１０２，１０３ごと、画素電極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ、発光機能層２６、対向電極２５を形成し、パッシベーション層及び封止層６５を介して、カラーフィルター基板６１を貼り合わせる。以上により、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１が完成する。

第１発光領域１０１は赤色（Ｒ）を透過させる領域であり、第２発光領域１０２は緑色（Ｇ）を透過させる領域であり、第３発光領域１０３は青色（Ｂ）を透過させる領域である。各反射膜１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂの上面から対向電極２５までの距離Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３（図８参照）は、各色の発光波長に最適な光路長となるように設定されている。

以上詳述したように、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。

（４）第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１の製造方法によれば、各発光領域１０１，１０２，１０３に形成した反射膜１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂと絶縁層１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃとを繰り返しに形成することにより、各色ごとに対向電極２５と反射膜１４１Ｒ，１４１Ｇとの距離を変えることが可能となり、各色ごと所定の共振構造を得ることができる。また、第３絶縁層１４２ｃの上面を平坦化処理することにより、画素電極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの周辺部に発生する段差を緩和することが可能となり、所望の光路長を得ることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。加えて、光路長を調整しやすい。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記した第２実施形態のように、有機ＥＬ装置１１１の製造方法は、第１絶縁層１４２ａ、第２絶縁層１４２ｂ、第３絶縁層１４２ｃの順に絶縁層を積層していく方法に限定されず、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって絶縁層に段差を形成し、次に各段差部分に反射膜を形成し、その後、絶縁層で埋めて平坦化処理を行うようにしてもよい。また、ハーフトーンマスクを用いる方法によって制御性が確保できるようであれば、そのような方法で形成するようにしてもよい。

（変形例２）
上記したように、平坦化絶縁層４２の上面全体が平坦化されていることに限定されず、光が共振する際の光路長に影響を与えなければよく、例えば、平坦化絶縁層４２の表面における、平面的に画素電極２４Ｒ、画素電極２４Ｇ、画素電極２４Ｂの間（画素間）には凸凹が生じていてもよい。

（変形例３）
上記したように、各反射膜４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂが配置された平坦化絶縁層４２は、無機絶縁膜で構成されることに限定されず、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの有機樹脂によって形成されてもよい。

（変形例４）
上記したように、カラーフィルター６２を有する構成としたが、これに限定されず、発光素子２７Ｒは赤色光を出射し、発光素子２７Ｇは緑色光を出射し、発光素子２７Ｂは青色光を出射するような構造である場合には、カラーフィルター６２を設けなくてもよい。

１１，１１１…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４…画素電極、２５…対向電極、２６…発光機能層、２７，２７Ｂ，２７Ｇ，２７Ｒ…発光素子、３１…第１基材、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４１，１４１…反射膜、４１Ｂ，１４１Ｂ…第３反射膜、４１Ｇ，１４１Ｇ…第２反射膜、４１Ｒ，１４１Ｒ…第１反射膜、４２，１４２…平坦化絶縁層、４２ａ…絶縁層、５１…素子基板、５２…アレイ基板、６１…カラーフィルター基板、６２…カラーフィルター、６２Ｂ…青色用カラーフィルター、６２Ｇ…緑色用カラーフィルター、６２Ｒ…赤色用カラーフィルター、６３…遮光膜、６４…開口、６５…封止層、７１…スマートフォン、７２…表示部、７３…アイコン、１０１…第１発光領域、１０２…第２発光領域、１０３…第３発光領域、１４２ａ…第１絶縁層、１４２ｂ…第２絶縁層、１４２ｃ…第３絶縁層。

Claims (7)

1. 第１反射膜、第１画素電極、第１発光層、及び対向電極とを有し、前記第１反射膜と前記対向電極との間で第１色の光を共振させる第１画素と、
   第２反射膜、第２画素電極、第２発光層、及び前記対向電極とを有し、前記第２反射膜と前記対向電極との間で第２色の光を共振させる第２画素と、
   を備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記第１反射膜の表面と前記第２反射膜の表面との断面位置が異なるように前記第１反射膜及び前記第２反射膜を形成する反射膜形成工程と、
   前記第１反射膜及び前記第２反射膜上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記絶縁層の上面を平坦化する平坦化工程と、
   前記絶縁層上に前記第１画素電極及び前記第２画素電極を形成する画素電極形成工程と、
   を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記平坦化工程は、前記絶縁層の上面を研磨することによって平坦化することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
3. 請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記絶縁層は、有機樹脂であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記反射膜形成工程は、前記第１反射膜の厚みを前記第２反射膜とは異なる厚みで形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記反射膜形成工程及び前記絶縁層形成工程は、前記第１反射膜及び前記第２反射膜の表面の断面位置が異なるようにするべく、前記第１反射膜を形成する工程と、第１絶縁層を形成する工程と、前記第２反射膜を形成する工程と、第２絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
6. 第１反射膜、第１画素電極、第１発光層、及び対向電極とを有し、前記第１反射膜と前記対向電極との間で第１色の光を共振させる第１画素と、
   第２反射膜、第２画素電極、第２発光層、及び前記対向電極とを有し、前記第２反射膜と前記対向電極との間で第２色の光を共振させる第２画素と、
   を備える有機ＥＬ装置であって、
   前記第１反射膜の表面は、前記第２反射膜の表面の断面位置とは異なるように配置されており、
   前記第１画素電極と前記第１反射膜との間、及び前記第２画素電極と前記第２反射膜との間に介在する、表面が平坦化された平坦化絶縁層を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置。
7. 請求項６に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。

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