CN111029347B - Oled背板的制作方法及oled背板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OLED背板的制作方法，包含：顶栅型TFT前制程图形化；对未覆盖有所述光阻层的栅极绝缘层进行蚀刻；对所述光阻层进行灰化处理，以暴露所述栅极绝缘层；将所述经暴露的栅极绝缘层进行蚀刻以暴露所述氧化铟镓锌层；去除所述光阻层以及导体化所述氧化铟镓锌层；在所述栅极绝缘层上形成一栅极、一源极、一漏极、一反射电极及一电容电极；在所述栅极、所述源极及所述漏极上形成一钝化层；对未覆盖有所述光阻层的钝化层进行蚀刻；对所述光阻层进行灰化处理，以暴露所述钝化层；将对应于通过灰化处理的光阻层的所述经暴露的部分的钝化层进行蚀刻；去除所述光阻层以及于所述钝化层上形成一阳极；以及在所述阳极上形成像素限定层。

Description

OLED背板的制作方法及OLED背板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种OLED背板。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板采用自发光器件，具有外观轻薄、功耗低、视角宽等优点，已成为显示领域极具发展潜力的技术。当前，业界一般采用黄光制程来制备OLED显示面板的薄膜电晶体(Thin-Film Transistor，TFT)基板上具有预定图案的各层结构。黄光制程的原理及过程主要为：将光刻胶均匀地涂布在将要在其上形成图案的衬底上，再利用曝光设备使光刻胶曝光，并对已曝光的光刻胶进行显影处理，以去除已被显影的光刻胶，然后蚀刻去除未被剩余光刻胶遮盖的衬底，最后去除剩余的光刻胶，从而得到预定图案。
在目前主动矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emittingdiode,AMOLED)顶栅型OLED背板制程中，由于结构复杂层数较多，因而所需要黄光制程的道数较多。每增加一道阵列制程，不仅增加了时间成本、物料成本，同时伴随着制程良率带来的损失。
顶栅型OLED器件的发光效率及发光波长准确控制，一直是OLED器件研发的难题。影响它的主要因素之一是：OLED器件腔长的控制(一般指阳极底部反射电极至阴极直接的距离)。当有机材料的(蒸镀或打印OLED背板)厚度确定时,如喷墨印刷背板，打印的红光R器件厚度与G器件及B器件各不相同，不同光色器件腔长不同，由于微腔效应的影响，各子像素的发光效率及波普位置均不是最佳化，尤其对出光波普的位置精度影响较大。
故，有必要提供一种OLED背板制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED背板的制作方法，减少制程中光罩的使用，以减少TFT制程以及满足不同OLED发光像素的器件腔长控制。
为达成本发明的前述目的，本发明提供一种OLED背板的制作方法，所述制作方法包含：
提供一基板，在所述基板上依序形成一遮光层、一缓冲层、一氧化铟镓锌层及一栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成一光阻层；
以所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层的栅极绝缘层及所述缓冲层进行蚀刻，以暴露所述遮光层；
对一特定部分的所述光阻层进行灰化处理，以暴露部分的所述栅极绝缘层；
将对应于通过灰化处理的所述光阻层的所述经暴露的部分的栅极绝缘层进行蚀刻，以暴露部分的所述氧化铟镓锌层；
将剩余的所述光阻层去除以及使所述氧化铟镓锌层导体化；
在所述栅极绝缘层上形成一栅极、一源极、一漏极、一反射电极及一电容电极；
在所述栅极、所述源极及所述漏极上形成一钝化层，
在所述钝化层上形成一光阻层；
以所述钝化层上的所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层的所述钝化层进行蚀刻，以暴露所述源极；
对一特定部分的所述钝化层上的所述光阻层进行灰化处理，以暴露部分的所述钝化层；
将对应于通过灰化处理的光阻层的所述经暴露的部分的钝化层进行蚀刻；
将剩余的所述光阻层去除以及于所述钝化层上形成一阳极；以及在所述阳极上形成一图形化的像素限定层。
根据本发明的一实施例，形成一阳极的方式包括：
通过在所述钝化层上沉积氧化铟锡材料，以形成所述透明阳极。
根据本发明的一实施例，在所述栅极绝缘层上形成一光阻层包括：在所述栅极绝缘层上涂覆一光阻，并对所述光阻进行曝光及显影，以得到所述图形化的光阻层。
根据本发明的一实施例，在所述钝化层上形成一光阻层包括：在所述钝化层上涂覆一光阻，并对所述光阻进行曝光及显影，以得到所述图形化的光阻层。
根据本发明的一实施例，所述图形化的光阻层为通过具有多个不同透光率的半色调光罩对所述光阻进行曝光及显影，而形成具有不同厚度的所述光阻层。
根据本发明的一实施例，所述不同厚度的光阻层包括一第一区域及一第二区域，所述第一区域的厚度为大于所述第二区域的厚度，在以所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层的所述钝化层进行蚀刻中，对应所述第二区域的所述钝化层的部分的所述钝化层同时被蚀刻。
根据本发明的一实施例，所述栅极、所述源极及所述漏极为一高反射型金属。
根据本发明的一实施例，将对应于通过灰化处理的光阻层的所述经暴露的部分的栅极绝缘层进行蚀刻中包括暴露部分的所述缓冲层。
根据本发明的一实施例，所述反射电极为形成并接触于所述缓冲层上。
本发明还提供一种OLED背板，所述OLED背板包括：
一基板；
一遮光层，设置于所述基板上；
一缓冲层，设置于所述遮光层上；
一氧化铟镓锌层，设置于所述缓冲层上；
一栅极绝缘层，设置于所述氧化铟镓锌层上；
一栅极、一源极及一漏极，设置于所述栅极绝缘层上而位于同层；
一反射电极，设置于所述缓冲层上；
一钝化层，设置于所述栅极、源极、漏极及所述反射电极上；
一阳极，设置于所述钝化层上；以及
一像素限定层，设置于所述阳极上。
本发明的有益效果为：栅极绝缘层及缓冲层使一张光罩完成，栅极、源极及漏极用一张光罩完成，并为高反射型金属，所述层金属除制作栅极、源极及漏极外，也做顶发光的反射电极(光反射层)，也作为电容一极(电容由所述层金属及遮光层组成)，而大幅减少制程。此外，钝化层可利用半色调光罩制作，调控在阳极下方的钝化层厚度，以满足不同OLED发光像素的器件腔长控制。
附图说明
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
图1是本发明的OLED背板的制作方法的一流程图。
图2是本发明的OLED背板的制作方法的步骤1的示意图。
图3是本发明的OLED背板的制作方法的步骤2的示意图。
图4是本发明的OLED背板的制作方法的步骤3的示意图。
图5是本发明的OLED背板的制作方法的步骤4的示意图。
图6是本发明的OLED背板的制作方法的步骤5的示意图。
图7是本发明的OLED背板的制作方法的步骤6的示意图。
图8是本发明的OLED背板的制作方法的步骤7的示意图。
图9是本发明的OLED背板的制作方法的步骤8的示意图。
图10是本发明的OLED背板的制作方法的步骤9的示意图。
图11是本发明的OLED背板的制作方法的步骤10的示意图。
图12A是本发明的OLED背板的制作方法的利用半色调光罩制作调控钝化层厚度的步骤的示意图。
图12B是本发明的OLED背板的制作方法的利用半色调光罩制作调控钝化层厚度的步骤的示意图。
图13是本发明的OLED背板的制作方法的利用半色调光罩制作调控钝化层厚度的步骤的示意图。
图14是本发明的OLED背板的制作方法的利用半色调光罩制作调控钝化层厚度的步骤的示意图。
图15是本发明的OLED背板的制作方法的利用半色调光罩制作调控钝化层厚度的步骤的示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。再者，本发明所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
请参照图1-11，其为本发明的OLED背板的制作方法的流程图及各个步骤的结构示意图。
参照图1-11所示，本发明的一种OLED背板制作方法包含以下步骤：
步骤1(S1)，如图2所示：提供一基板10，所述基板10上依序形成一遮光层20、一缓冲层30、一氧化铟镓锌层40及一栅极绝缘层50。详细而言，所述基板10可为玻璃基材、透明塑料基材等透光基材。所述缓冲层30可为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层及氮化硅层所构成的多层复合结构。
步骤2(S2)，如图3所示：在所述栅极绝缘层50上形成一光阻层60。详细而言，在所述栅极绝缘层50上形成一光阻层60包括：在所述栅极绝缘层50上涂覆一光阻，并对所述光阻进行曝光及显影，以得到所述图形化的光阻层60。
步骤3(S3)，如图4所示：以所述光阻层60为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层60的栅极绝缘层50及所述缓冲层30进行蚀刻，以暴露所述遮光层20；以及对一特定部分的所述光阻层60进行灰化处理，以暴露部分的所述栅极绝缘层50。将对应于通过灰化处理的所述光阻层60的所述经暴露的部分的栅极绝缘层50进行蚀刻，以暴露部分的所述氧化铟镓锌层40及部分的所述缓冲层30。
步骤4(S4)，如图5所示：将剩余的所述光阻层60去除以及使所述氧化铟镓锌层40导体化。
步骤5(S5)，如图6所示：在所述栅极绝缘层50上形成一栅极72、一源极73、一漏极71及一反射电极74。详细而言，所述栅极72、所述源极73及所述漏极71为一高反射型金属。所述反射电极74为形成并接触于所述缓冲层30上。
步骤6(S6)，如图7所示：在所述栅极72、所述源极73及所述漏极71上形成一钝化层80；并在所述钝化层80上形成一光阻层90。详细而言，在所述钝化层80上形成一光阻层90包括：在所述钝化层80上涂覆一光阻，并对所述光阻进行曝光及显影，以得到所述图形化的光阻层90。优选地，所述图形化的光阻层90为通过具有多个不同透光率的半色调光罩对所述光阻进行曝光及显影，而可形成具有不同厚度的光阻层。
步骤7(S7)，如图8所示：以所述光阻层90为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层90的所述钝化层80进行蚀刻，以暴露所述源极73。
步骤8(S8)，如图9所示：对一特定部分的所述光阻层90进行灰化处理，以暴露部分的所述钝化层80；并将对应于通过灰化处理的光阻层90的所述经暴露的部分的钝化层80进行蚀刻。
步骤9(S9)，如图10所示：将剩余的所述光阻层90去除以及于所述钝化层80上形成一阳极100。详细而言，形成一阳极的方式包括：通过在所述钝化层80上沉积氧化铟锡材料，以形成所述透明阳极。
步骤10(S10)，如图11所示：在所述阳极100上形成一图形化的像素限定层110。后续蒸镀或喷墨OLED材料。另外，图11显示一电容电极120形成在所述遮光层20与所述反射电极74之间。
值得一提的是，蚀刻深度根据蚀刻速率控制，图9中剩余的所述钝化层80厚度h调控OLED期间腔长大小，由于所述反射电极74同时也做电容一极，h>0A，氧化铟锡与反射电极之间无法导通。
如图12A所示，当子像素需要对应多个腔长时，则在制程上半色调光罩对应的PR半透率T1及T2不同，以形成所述不同厚度的光阻层90，包括半透率T1对应的一第一区域901及半透率T2对应的一第二区域902，所述第一区域901的厚度为大于所述第二区域902的厚度。如图12B所示，在以所述光阻层90为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层90的所述钝化层80进行蚀刻中，所述钝化层80会减薄，使得对应所述第二区域902的所述钝化层80的部分的所述钝化层80有过刻现象。之后经灰化步骤(图13)、第二次蚀刻(图14)及所述光阻层90去除、阳极100及像素限定层110等形成步骤，使得不同子像素区钝化层80剩余厚度不同，如图15所示的各个厚度h1、h2、h3。
如图11所示，本发明还提供一种OLED背板，包括：一基板10；一遮光层20，设置于所述基板10上；一缓冲层30，设置于所述遮光层20上；一氧化铟镓锌层40，设置于所述缓冲层30上；一栅极绝缘层50，设置于所述氧化铟镓锌层40上；一栅极72、一源极73及一漏极71，设置于所述栅极绝缘层50上而位于同层；一反射电极74，设置于所述缓冲层30上；一钝化层80，设置于所述栅极72、源极73、漏极71及所述反射电极74上；一阳极100，设置于所述钝化层80上；以及一像素限定层110，设置于所述阳极100上。
本发明通过使栅极绝缘层及缓冲层使一张光罩完成，栅极、源极及漏极用一张光罩完成，并为高反射型金属，例如银或铜及其合金，所述层金属除制作栅极、源极及漏极外，也做顶发光的反射电极(光反射层)，也作为电容一极(电容由所述层金属及遮光层组成)而大幅减少制程。此外，钝化层可利用半色调光罩制作，调控在阳极下方的钝化层厚度，以满足不同OLED发光像素的器件腔长控制。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例幷非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种OLED背板的制作方法，其特征在于：所述制作方法包含：
提供一基板，在所述基板上依序形成一遮光层、一缓冲层、一氧化铟镓锌层及一栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成一光阻层；
以所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层的所述栅极绝缘层及所述缓冲层进行蚀刻，以暴露所述遮光层；
对一特定部分的所述光阻层进行灰化处理，以暴露部分的所述栅极绝缘层；
将对应于通过灰化处理的所述光阻层的经暴露部分的所述栅极绝缘层进行蚀刻，以暴露部分的所述氧化铟镓锌层；
将剩余的所述光阻层去除以及使所述氧化铟镓锌层导体化；
在所述栅极绝缘层上形成一栅极、一源极、一漏极、一反射电极及一电容电极；
在所述栅极、所述源极及所述漏极上形成一钝化层，
在所述钝化层上形成一光阻层；
以所述钝化层上的所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层的所述钝化层进行蚀刻，以暴露所述源极；
对一特定部分的所述钝化层上的所述光阻层进行灰化处理，以暴露部分的所述钝化层；
将对应于通过灰化处理的所述光阻层的所述经暴露的部分的钝化层进行蚀刻；
将剩余的所述光阻层去除以及于所述钝化层上形成一阳极；以及
在所述阳极上形成一图形化的像素限定层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：形成一阳极的方式包括：通过在所述钝化层上沉积氧化铟锡材料，以形成所述阳极。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在所述栅极绝缘层上形成所述光阻层包括：在所述栅极绝缘层上涂覆一光阻，并对所述光阻进行曝光及显影，以得到所述图形化的光阻层。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在所述钝化层上形成所述光阻层包括：在所述钝化层上涂覆一光阻，并对所述光阻进行曝光及显影，以得到所述图形化的光阻层。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述图形化的光阻层为通过具有多个不同透光率的半色调光罩对所述光阻进行曝光及显影，而形成具有不同厚度的所述光阻层。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述不同厚度的光阻层包括一第一区域及一第二区域，所述第一区域的厚度为大于所述第二区域的厚度，在以所述光阻层为一遮蔽层，对未覆盖有所述光阻层的所述钝化层进行蚀刻中，对应所述第二区域的所述钝化层的部分的所述钝化层同时被蚀刻。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述栅极、所述源极及所述漏极为一高反射型金属。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：将对应于通过灰化处理的所述光阻层的所述经暴露的部分的栅极绝缘层进行蚀刻中包括暴露部分的所述缓冲层。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述反射电极为形成并接触于所述缓冲层上。
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