CN109300945A - 阵列基板及制作方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及显示器技术领域，提出一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，至少一个所述子像素还包括反射阳极层。反射阳极层与所述至少一个金属层中的一个同层成型；且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。本公开通过将反射阳极层与子像素上的金属层同层成型，从而在不增加工艺步骤的情况下实现在不同子像素反射阳极层上设置不同厚度的透明导电层。

Description

阵列基板及制作方法、显示面板
技术领域
本公开涉及显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制作方法、显示面板。
背景技术
在大尺寸AMOLED(Active-matrix Organic Light-emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示面板开发过程中，采用顶发光技术方案能够提高显示面板的分辨率，因此该技术方案逐渐被深入研究，在顶发射技术方案中，通过调节子像素微腔结构的长度可以获得不同波长光波的通过率，调节不同子像素的微腔结构的长度可以提高显示面板的色域。
相关技术中，通常通过调节子像素中反射阳极层面向发光层一侧的透明导电层的厚度调节子像素微腔结构的长度。
然而，相关技术中，通过调节透明导电层的厚度调节微腔结构长度时，需要通过多次沉积透明导电层以及多个图形化工艺才能实现调节微腔结构的长度，这样增添了工艺步骤，增加了成本，并且容易造成良率的降低。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板及制作方法、显示面板，进而至少在一定程度上克服相关技术中，在不同子像素的反射阳极层上形成不同厚度透明导电层的工艺复杂的技术问题。
根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，至少一个所述子像素还包括反射阳极层，该反射阳极层与所述金属层中的一个同层成型；且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。
在本公开的一种示例性实施例中，至少一个所述金属层包括：遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元包括第一子像素；所述第一子像素包括与所述遮光金属层同层成型的第一反射阳极层，所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元包括第二子像素；所述第二子像素包括与所述栅极金属层同层成型的第二反射阳极层，所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元包括第三子像素；所述第三子像素包括与所述源漏金属层同层成型的第三反射阳极层，所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述透明导电层的厚度为120埃到820埃。
根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，该方法包括：将至少一个所述子像素的反射阳极层与所述金属层同层成型，且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。
在本公开的一种示例性实施例中，至少一个所述金属层包括遮光金属层，所述像素单元包括第一子像素，所述方法包括：将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层。
在本公开的一种示例性实施例中，至少一个所述金属层包括栅极金属层，所述像素单元包括第二子像素，所述方法包括：将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层。
在本公开的一种示例性实施例中，至少一个所述金属层包括源漏金属层，所述像素单元包括第三子像素，所述方法包括：将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元包括第一子像素、第二子像素、第三子像素，至少一个所述金属层包括遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层，所述方法包括：将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层；将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层；将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。
在本公开的一种示例性实施例中，将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型包括：在衬底基板上形成第一阳极材料层，所述第一阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第一厚度的透明导电层；将部分所述第一阳极材料层形成所述遮光金属层；将部分所述第一阳极材料层形成所述第一反射阳极层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：在所述遮光金属层、所述第一反射阳极层以及部分所述衬底基板上形成缓冲层；在部分所述缓冲层上形成有源层。
在本公开的一种示例性实施例中，将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型包括：在部分所述有源层以及部分所述缓冲层上形成栅极绝缘材料层；在所述栅极绝缘材料层上形成第二阳极材料层，所述第二阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第二厚度的透明导电层；将部分所述第二阳极材料层形成所述栅极金属层；将部分所述第二阳极材料层形成所述第二反射阳极层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：在所述第二阳极材料层上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成连接源漏极和有源层的第一过孔；在所述层间介质层上形成连接所述遮光金属层和所述源漏极中一个的第二过孔；在所述层间介质层上形成连接所述第一反射阳极层和所述源漏极中一个的第三过孔；在所述层间介质层上形成连接所述第二反射阳极层和所述源漏极中一个的第四过孔。
在本公开的一种示例性实施例中，将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型包括：在所述层间介质层上形成第三阳极材料层，所述第三阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第三厚度的透明导电层；将部分所述第三阳极材料层形成所述源漏金属层；将部分所述第三阳极材料层形成所述第三反射阳极层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：在所述第三阳极材料层上形成钝化层；在所述钝化层上形成像素定义层，所述像素定义层包括用于设置电致发光器的开口，所述开口位于所述第一反射阳极层、第二反射阳极层、第三反射阳极层上；在所述开口上形成用于露出所述第一反射阳极层、第二反射阳极层、第三反射阳极层的第五过孔。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
本公开提供一种阵列基板及制作方法、显示面板。阵列基板将反射阳极层与子像素上的金属层同层成型。一方面，本公开提供的阵列基板可以在不增加工艺步骤的情况下实现在不同子像素反射阳极层上设置不同厚度的透明导电层；另一方面，本公开中阵列基板的透明导电层一次成型，从而降低了不良率发生的概率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中子像素的电致发光器的结构示意图；
图2为相关技术中阵列基板的结构示意图；
图3为本公开阵列基板一种示例性实施例的结构示意图；
图4为本公开阵列基板一种示例性实施例中反射阳极层的结构示意图；
图5为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例的流程图；
图6-12为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例中阵列基板的阶段性结构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
如图1所述，为相关技术中子像素的电致发光器的结构示意图。相关技术中，电致发光器主要包括反射阳极层101、功能层102(包括空穴注入层、发光层、电子注入层等)，半反射阴极层103，其中，反射阳极层101可以包括面向发光层一侧的透明导电层1011和反射金属层1012，反射金属层1012和半反射阴极层103之间可以形成微腔结构，该微腔结构可以使得只有特定波长的光在符合该微腔结构的谐振模式后，得以从特定的角度射出。例如，R子像素中电致发光器发出的光会在其微腔结构的谐振模式下，将红光对应波长的光从特定的角度射出；G子像素中电致发光器发出的光会在其微腔结构的谐振模式下，将绿光对应波长的光从特定的角度射出；B子像素中电致发光器发出的光会在其微腔结构的谐振模式下，将蓝光对应波长的光从特定的角度射出。通过调节每一子像素微腔结构的长度S可以提高该子像素指定波长光的透过率，从而提高整个显示面板的色域。其中，微腔结构的长度可以通过调节功能层102和透明电极层1011的厚度实现，然而功能层102的改变会带来电致发光器寿命和效率的降低。因而，相关技术中一般通过改变透明导电层1011的厚度调节微腔长度。如图2所示，为相关技术中阵列基板的结构示意图。相关技术中，阵列基板主要包括衬底基板201、遮光金属层202、缓冲层203、有源层204、栅极绝缘层205、栅极206、层间介质层207、源漏极208、钝化层209、平坦层2010以及反射阳极层2011。在相关技术中，每个子像素的反射阳极层同层成型于平坦层2010上，如果需要在不同的子像素的反射阳极层上形成不同厚度的透明导电层，则需要通过多次沉积透明导电层以及图形化工艺实现。然而多次沉积透明导电层以及图形化工艺的工艺复杂且容易造成良率的降低。
基于此，本示例性实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，至少一个所述子像素还包括反射阳极层，该反射阳极层与所述金属层中的一个同层成型；且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。其中，同层成型是指由同一次构图工艺形成。
本示例性实施例提供一种阵列基板，该阵列基板将反射阳极层与子像素上的金属层同层成型。一方面，本公开提供的阵列基板可以在不增加工艺步骤的情况下实现在不同子像素反射阳极层上设置不同厚度的透明导电层；另一方面，本公开中阵列基板的透明导电层一次成型，从而降低了不良率发生的概率。
如图3所示，为本公开阵列基板一种示例性实施例的结构示意图，其中该结构示意图不代表实际结构。本示例性实施例中，至少一个所述金属层可以包括遮光金属层1、栅极金属层2、源漏金属层3。所述像素单元可以包括第一子像素、第二子像素、第三子像素；所述第一子像素包括与所述遮光金属层1同层成型的第一反射阳极层41，该第一反射阳极层41上设置有功能层42，功能层42内包括有发光层421，所述第一反射阳极层41靠近发光层421一侧具有第一厚度的第一透明导电层。所述第二子像素包括与所述栅极金属层2同层成型的第二反射阳极层51，该第二反射阳极层51上设置有功能层52，功能层52内包括有发光层521，所述第二反射阳极层51靠近发光层521一侧具有第二厚度的第二透明导电层。所述第三子像素包括与所述源漏金属层3同层成型的第三反射阳极层61，该第三反射阳极层61上设置有功能层62，功能层62内包括有发光层621，所述第三反射阳极层61靠近发光层621一侧具有第三厚度的第三透明导电层。其中，第一厚度、第二厚度、第三厚度可以设置为不同值。从而，本示例性实施例在不增加工艺步骤的前提下可以实现了三个子像素中透明导电层的不同厚度。应该理解的是，在其他示例性实施例中，金属层还可以为其他的金属结构层；像素单元还可以包括四个子像素，多个子像素中也可以只有部分子像素的反射阳极层与金属层同层成型；第一厚度、第二厚度、第三厚度中也可以只有部分与其他厚度不同，例如第一厚度与第二厚度不相同，但是第一厚度可以与第三厚度相同，或者第二厚度可以与第三厚度相同；再例如，第一厚度可以与第三厚度不相同，但是第一厚度可以与第二厚度相同，或者第三厚度可以与第二厚度相同，这些都属于本公开的保护范围。
本示例性实施例中，如图4所示，为本公开阵列基板一种示例性实施例中反射阳极层的结构示意图。上述的反射阳极层41、51、61均可以包括透明导电层401和反射金属层402。其中，透明导电层可以采用氧化铟锡(ITO)，反射金属层可以采用铝钕合金。其中，与上述的反射阳极层41、51、61同层成型的遮光金属层1、栅极金属层2、源漏金属层3可以与反射阳极层具有相同的结构，该反射阳极层均可以实现遮光金属层1、栅极金属层2、源漏金属层3本身的功能。应该理解的是，在其他示例性实施例中，反射阳极层还可以有更多的结构，例如，反射阳极层可以包括反射金属层以及位于反射金属层两侧的透明导电层。
本示例性实施例中，所述透明导电层的厚度为120埃到820埃。所述第一子像素可以为绿色子像素，所述第一厚度可以为120埃；所述第二子像素可以为蓝色子像素，所述第二厚度可以为520埃；所述第三子像素可以为红色子像素，所述第三厚度可以为820埃。该设置可以实现不同子像素对应光波的最大透过率。
本示例性实施例还提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，该方法包括：将至少一个所述子像素的反射阳极层与所述金属层同层成型，且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。
在示例性实施例中，至少一个所述金属层可以包括遮光金属层，所述像素单元可以包括第一子像素，所述方法可以包括：将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层。
在示例性实施例中，至少一个所述金属层可以包括栅极金属层，所述像素单元可以包括第二子像素，所述方法可以包括：将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层。
在示例性实施例中，至少一个所述金属层可以包括源漏金属层，所述像素单元可以包括第三子像素，所述方法可以包括：将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。
该阵列基板制作方法将反射阳极层与子像素上的金属层同层成型。一方面，本公开提供的阵列基板可以在不增加工艺步骤的情况下实现在不同子像素反射阳极层上设置不同厚度的透明导电层；另一方面，本公开中阵列基板的透明导电层一次成型，从而降低了不良率发生的概率。
需要说明的是，虽然在下面图5-12的实施例中，以一个像素单元包括三个子像素即第一至第三子像素，且其中的第一子像素的第一反射阳极层与所述第一子像素中的遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层；其中的第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层；其中的第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层，但本公开并不限定于此，只要像素单元中存在至少一个子像素的反射阳极层与相应子像素中的至少一个金属层同层成型，即属于本公开的保护范围。
本示例性实施例中，所述像素单元可以包括第一子像素、第二子像素、第三子像素，至少一个所述金属层可以包括遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层，如图5-12所示，图5为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例的流程图，图6-12为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例中阵列基板的阶段性结构示意图。所述阵列基板的制作方法可以包括：
步骤S1：将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层；
步骤S2：将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层；
步骤S3：将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。
应该理解的是，在其他示例性实施例中，金属层还可以为其他的金属结构层；像素单元还可以包括四个子像素，多个子像素中也可以只有部分子像素与金属层同层成型；第一厚度、第二厚度、第三厚度中也可以只有部分与其他厚度不同，这些都属于本公开的保护范围。
以下对每一步骤进行详细的说明：
本示例性实施例中，如图6所示，将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型可以包括：
在衬底基板601上形成第一阳极材料层，所述第一阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第一厚度的透明导电层；
将部分所述第一阳极材料层形成所述遮光金属层602；将部分所述第一阳极材料层形成所述第一反射阳极层603。
其中，第一阳极材料层的结构可以与上述的反射阳极层结构相同，可以包括反射金属层和透明导电层。本示例性实施例可以通过沉积、溅射等工艺先后在衬底基板601上形成反射金属层和透明导电层。本示例性实施例可以通过构图工艺将整面的第一阳极材料层部分形成遮光金属层602，部分形成第一反射阳极层603。
如图7所示，本示例性实施例中，所述方法还可以包括：
在所述遮光金属层602、所述第一反射阳极层603以及部分所述衬底基板601上形成缓冲层604；
在所述缓冲层604上形成有源层605。
其中，缓冲层可以通过沉积工艺实现，缓冲层材料可以选择SiOx等无机材料。有源层605可以设置于遮光金属层602的上方，有源层605可以通过构图工艺实现，有源层可以选择铟镓锌氧化物(IGZO)材料。
本示例性实施例中，如图8所示，所述将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型可以包括：
在所述有源层605以及部分所述缓冲层604上形成栅极绝材料缘层；
在所述栅极绝缘材料层上形成第二阳极材料层，所述第二阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第二厚度的透明导电层；
将部分所述第二阳极材料层形成所述栅极金属层606；将部分所述第二阳极材料层形成所述第二反射阳极层607。
其中，第二阳极材料层的结构与上述的反射阳极层结构相同，可以包括反射金属层和透明导电层。本示例性实施例可以通过沉积、溅射等工艺先后在栅极绝材料缘层上形成反射金属层和透明导电层，栅极绝材料缘层可以选择SiOx等无机材料。本示例性实施例可以通过构图工艺将整面的第二阳极材料层形成第二反射阳极层607和栅极金属层606，同时通过该构图工艺可以形成栅极绝缘层608，其中，形成第二反射阳极层607和栅极金属层606可以采用湿刻技术，形成栅极绝缘层608可以通过干刻技术。
本示例性实施例中，如图9所示，所述方法还可以包括：
在所述第二阳极材料层上形成层间介质层609；
在所述层间介质层上形成连接源漏极和有源层的第一过孔6091；
在所述层间介质层上形成连接所述遮光金属层和所述源漏极中一个的第二过孔6092；
在所述层间介质层上形成连接所述第一反射阳极层和所述源漏极中一个的第三过孔6093；
在所述层间介质层上形成连接所述第二反射阳极层和所述源漏极中一个的第四过孔6094。
其中，本示例性实施例可以沉积工艺在第二阳极材料层上形成层间介质层609，可以通过一次构图工艺在层间介质层609形成第一过孔6091、第二过孔6092、第三过孔6093以及第四过孔6094。
本示例性实施例中，如图10所示，将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型可以包括：
在所述层间介质层609上形成第三阳极材料层，所述第三阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第三厚度的透明导电层；
将部分所述第三阳极材料层形成所述源漏金属层6010；将部分所述第三阳极材料层形成所述第三反射阳极层6011。
其中，第三阳极材料层的结构与上述的反射阳极层结构相同，可以包括反射金属层和透明导电层。本示例性实施例可以通过沉积、溅射等工艺先后层间介质层609上形成反射金属层和透明导电层。本示例性实施例可以通过构图工艺将整面的第三阳极材料层形成第三反射阳极层6011和源漏金属层6010，该源漏金属层6010中的一个(源极或漏极)与第三反射阳极层6011连接。
本示例性实施例中，如图11所示，所述方法还可以包括：
在所述第三阳极材料层上形成钝化层6012；
在所述钝化层6012上形成像素定义层6013，所述像素定义层6013包括用于设置电致发光器的开口，所述开口位于所述第一反射阳极层、第二反射阳极层、第三反射阳极层上；
在所述开口上形成用于露出所述第一反射阳极层、第二反射阳极层、第三反射阳极层的第五过孔6014。
本示例性实施例中，如图12所示，该方法还包括在在第五过孔内形成电致发光器6015。
本示例性实施例还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
本示例性实施例提供的显示面板与上述的阵列基板具有相同的技术特征和工作原理，上述内容已经做出详细说明，此处不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里发明的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未发明的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
上述所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中，如有可能，各实施例中所讨论的特征是可互换的。在上面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。

Claims (18)

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，其特征在于，至少一个所述子像素还包括：
反射阳极层，与所述至少一个金属层中的一个同层成型；且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一个金属层包括：遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第一子像素；
所述第一子像素包括与所述遮光金属层同层成型的第一反射阳极层，所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第二子像素；
所述第二子像素包括与所述栅极金属层同层成型的第二反射阳极层，所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第三子像素；
所述第三子像素包括与所述源漏金属层同层成型的第三反射阳极层，所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的厚度为120埃到820埃。
7.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，其特征在于，所述方法包括：
将至少一个所述子像素的反射阳极层与所述金属层同层成型，且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，至少一个所述金属层包括遮光金属层，所述像素单元包括第一子像素，所述方法包括：
将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，至少一个所述金属层包括栅极金属层，所述像素单元包括第二子像素，所述方法包括：
将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层。
10.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，至少一个所述金属层包括源漏金属层，所述像素单元包括第三子像素，所述方法包括：
将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。
11.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素单元包括第一子像素、第二子像素、第三子像素，至少一个所述金属层包括遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层，所述方法包括：
将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层；
将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层；
将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型包括：
在衬底基板上形成第一阳极材料层，所述第一阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第一厚度的透明导电层；
将部分所述第一阳极材料层形成所述遮光金属层；
将部分所述第一阳极材料层形成所述第一反射阳极层。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述遮光金属层、所述第一反射阳极层以及部分所述衬底基板上形成缓冲层；
在部分所述缓冲层上形成有源层。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型包括：
在部分所述有源层以及部分所述缓冲层上形成栅极绝缘材料层；
在所述栅极绝缘材料层上形成第二阳极材料层，所述第二阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第二厚度的透明导电层；
将部分所述第二阳极材料层形成所述栅极金属层；
将部分所述第二阳极材料层形成所述第二反射阳极层。
15.根据权利要求14所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第二阳极材料层上形成层间介质层；
在所述层间介质层上形成连接源漏极和有源层的第一过孔；
在所述层间介质层上形成连接所述遮光金属层和所述源漏极中一个的第二过孔；
在所述层间介质层上形成连接所述第一反射阳极层和所述源漏极中一个的第三过孔；
在所述层间介质层上形成连接所述第二反射阳极层和所述源漏极中一个的第四过孔。
16.根据权利要求15所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型包括：
在所述层间介质层上形成第三阳极材料层，所述第三阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第三厚度的透明导电层；
将部分所述第三阳极材料层形成所述源漏金属层；
将部分所述第三阳极材料层形成所述第三反射阳极层。
17.根据权利要求16所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第三阳极材料层上形成钝化层；
在所述钝化层上形成像素定义层，所述像素定义层包括用于设置电致发光器的开口，所述开口位于所述第一反射阳极层、第二反射阳极层、第三反射阳极层上；
在所述开口上形成用于露出所述第一反射阳极层、第二反射阳极层、第三反射阳极层的第五过孔。
18.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
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