CN109801955A - Oled显示装置及其制作方法 - Google Patents
Oled显示装置及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109801955A CN109801955A CN201910147724.1A CN201910147724A CN109801955A CN 109801955 A CN109801955 A CN 109801955A CN 201910147724 A CN201910147724 A CN 201910147724A CN 109801955 A CN109801955 A CN 109801955A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- oled display
- metal layer
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 331
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
本发明提供一种OLED显示装置。本发明的OLED显示装置包括OLED显示面板、设于OLED显示面板上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的第一金属层、设于第一金属层及第一绝缘层上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的第二金属层、设于第二金属层上的黑色矩阵、设于黑色矩阵上的硬掩膜及设于OLED显示面板上的多个色阻，OLED显示面板包括多个子像素，多个开口贯穿第二金属层、黑色矩阵及硬掩膜分别对应多个子像素而设置，所述多个色阻分别位于多个开口内，能够有效消除OLED显示装置在强光下的反光，且制程所需光罩数量少，产品成本低。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
现有的OLED显示装置为了降低在强光下的反射率，会在OLED显示面板的出光侧设置偏光片(POL)，此种减反射方法会损失出光，降低OLED显示装置的寿命，且偏光片厚度一般较大、材质脆，不利于动态弯折显示面板的开发。现有的另一种OLED显示装置采用POL-less(无偏光片)技术来降低反射率，具体是用彩色滤光膜替代偏光片，该彩色滤光膜包括分别与OLED显示面板中的子像素对应的色阻以及位于相邻色阻之间的黑色矩阵(BM)，彩色滤光层的厚度可以小于5μm，相对于偏光片的厚度(一般为100μm)大大减小，利于OLED显示装置弯折，并且彩色滤光层相比于偏光片能够将出光率由42％提高至60％，能够延长OLED显示装置的使用寿命。
请参阅图1，为一种现有的采用POL-less技术的OLED显示装置，该OLED显示装置包括OLED显示面板100、设于OLED显示面板100上的触控层200、设于触控层200上的第一保护(OC)层300、设于第一保护层300上的彩色滤光层400及设于彩色滤光层400上的第二保护层500。所述OLED显示面板100包括多个子像素110。所述触控层200包括第一绝缘层210、设于第一绝缘层210上的第一金属层220、设于第一绝缘层210及第一金属层220上的第二绝缘层230、设于第二绝缘层230上的第二金属层240。第二绝缘层230设有位于第一金属层220上方的过孔231，第二金属层240经过孔231与第一金属层220接触。第二金属层240设有位于多个子像素110上方的开口241。所述彩色滤光层400包括分别位于多个子像素110上方的多个色阻410及位于色阻410之间的黑色矩阵420。制作该OLED显示装置时，第一金属层220、第二绝缘层230、第二金属层240、黑色矩阵420各需要一道光罩进行图案化，制程所需光罩数量较多，产品成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示装置，能够降低光线反射率，且产品成本较低。
本发明的另一目的在于提供一种OLED显示装置的制作方法，制得的OLED显示装置能够降低光线反射率，且产品成本较低。
为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED显示装置，包括OLED显示面板、设于OLED显示面板上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的第一金属层、设于第一金属层及第一绝缘层上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的第二金属层、设于第二金属层上的黑色矩阵、设于黑色矩阵上的硬掩膜及设于OLED显示面板上的多个色阻；
所述OLED显示面板包括多个子像素；多个开口贯穿所述第二金属层、黑色矩阵及硬掩膜分别对应多个子像素而设置，所述多个色阻分别位于多个开口内。
所述多个色阻设于第二绝缘层上；或者，
所述第二绝缘层设有分别位于多个子像素上方的多个第一孔洞，多个开口分别位于多个第一孔洞上方；所述多个色阻设于第一绝缘层上且分别位于多个第一孔洞内；或者，
所述第二绝缘层及第一绝缘层设有分别位于多个子像素上方的多个第二孔洞，多个开口分别位于多个第二孔洞上方；所述多个色阻设于OLED显示面板上且分别位于多个第二孔洞内。
所述OLED显示装置还包括设于硬掩膜及多个色阻上的保护层。
所述硬掩膜的材料为氮化硅；
所述第一金属层透明，所述第一金属层的结构为两层钛层夹一层铝层；
所述第二金属层透明，所述第二金属层的结构为两层钛层夹一层铝层；
所述第一绝缘层及第二绝缘层的材料为氮化硅；
所述第二绝缘层设有位于第一金属层上方的过孔，所述第二金属层经所述过孔与第一金属层接触。
本发明还提供一种OLED显示装置的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供OLED显示面板；
所述OLED显示面板包括多个子像素；
步骤S2、在OLED显示面板上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第一金属层，在第一金属层及第一绝缘层上形成第二绝缘层；
步骤S3、在第二绝缘层上依次形成金属材料层、黑色矩阵材料层、硬掩膜材料层，对金属材料层、黑色矩阵材料层及硬掩膜材料层进行图案化形成由下至上依次设于第二绝缘层上的第二金属层、黑色矩阵及硬掩膜；多个开口贯穿所述第二金属层、黑色矩阵及硬掩膜分别对应多个子像素而设置；
步骤S4、在OLED显示面板上于多个开口内形成多个色阻。
所述步骤S4中，在第二绝缘层上于多个开口内形成多个色阻；或者，
所述步骤S2在形成第二绝缘层之后在第二绝缘层上形成分别位于多个子像素上方的第一孔洞；多个开口分别位于多个第一孔洞上方；所述步骤S4中，在第一绝缘层上于多个第一孔洞内形成多个色阻；或者，
所述步骤S2在形成第二绝缘层之后在第二绝缘层及第一绝缘层上形成分别位于多个子像素上方的第二孔洞；多个开口分别位于多个第二孔洞上方；所述步骤S4中，在OLED显示面板上于多个第二孔洞内形成多个色阻。
所述OLED显示装置的制作方法还包括步骤S5、在硬掩膜及多个色阻上形成保护层。
所述硬掩膜材料层的材料为氮化硅；
所述第一金属层透明，所述第一金属层的结构为两层钛层夹一层铝层；
所述金属材料层透明，所述金属材料层的结构为两层钛层夹一层铝层；
所述第一绝缘层及第二绝缘层的材料为氮化硅；
所述步骤S2在形成第二绝缘层之后还在第二绝缘层上形成位于第一金属层上方的过孔，所述第二金属层经所述过孔与第一金属层接触。
所述步骤S3具体包括：
步骤S31、在第二绝缘层上依次形成金属材料层、黑色矩阵材料层、硬掩膜材料层及光阻层；
步骤S32、对光阻层进行曝光显影制程，形成分别位于多个子像素上方的第三孔洞；
步骤S33、以光阻层为掩膜对金属材料层、黑色矩阵材料层及硬掩膜材料层进行图案化，形成依次设于第二绝缘层上的第二金属层、黑色矩阵及硬掩膜；
步骤S34、对光阻层进行剥离。
所述步骤S4中通过涂布或喷墨打印的方式在OLED显示面板上于多个开口内形成多个色阻。
本发明的有益效果：本发明的OLED显示装置包括OLED显示面板、设于OLED显示面板上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的第一金属层、设于第一金属层及第一绝缘层上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的第二金属层、设于第二金属层上的黑色矩阵、设于黑色矩阵上的硬掩膜及设于OLED显示面板上的多个色阻，OLED显示面板包括多个子像素，多个开口贯穿所述第二金属层、黑色矩阵及硬掩膜分别对应多个子像素而设置，所述多个色阻分别位于多个开口内，能够有效消除OLED显示装置在强光下的反光，且制程所需光罩数量少，产品成本低。本发明的OLED显示装置的制作方法制得的OLED显示装置能够降低光线反射率，且产品成本较低。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的一种OLED显示装置的结构示意图；
图2为本发明的OLED显示装置的第一实施例的结构示意图；
图3为本发明的OLED显示装置的第二实施例的结构示意图；
图4为本发明的OLED显示装置的第三实施例的结构示意图；
图5为本发明的OLED显示装置的制作方法的流程图；
图6为本发明的OLED显示装置的制作方法的步骤S1的示意图；
图7为本发明的OLED显示装置的制作方法的第一实施例的步骤S2的示意图；
图8至图11为本发明的OLED显示装置的制作方法的第一实施例的步骤S3的示意图；
图12为本发明的OLED显示装置的制作方法的第一实施例的步骤S4的示意图；
图13为本发明的OLED显示装置的制作方法的第二实施例的步骤S2的示意图；
图14为本发明的OLED显示装置的制作方法的第三实施例的步骤S2的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明的第一实施例的OLED显示装置包括OLED显示面板10、设于OLED显示面板10上的第一绝缘层20、设于第一绝缘层20上的第一金属层30、设于第一金属层30及第一绝缘层20上的第二绝缘层40、设于第二绝缘层40上的第二金属层50、设于第二金属层50上的黑色矩阵60、设于黑色矩阵60上的硬掩膜70及设于OLED显示面板10上的多个色阻80。OLED显示面板10设有第一绝缘层20的一侧为其出光侧，第一绝缘层20、第一金属层30、第二绝缘层40及第二金属层50组成位于OLED显示面板10上的触控层。所述OLED显示面板10包括多个子像素11。多个开口51贯穿所述第二金属层50、黑色矩阵60及硬掩膜70分别对应多个子像素11而设置，所述多个色阻80分别位于多个开口51内。
具体地，所述多个子像素11包括红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素，位于红色子像素上方的色阻80为红色色阻，位于绿色子像素上方的色阻80为绿色色阻，位于蓝色子像素上方的色阻80为蓝色色阻。
具体地，请参阅图2，在本发明的第一实施例中，所述第一绝缘层20及第二绝缘层40均覆盖多个子像素11，所述多个色阻80设于第二绝缘层40上。
具体地，所述OLED显示装置还包括设于硬掩膜70及多个色阻80上的保护层90。
具体地，所述硬掩膜70的材料为氮化硅(SiNx)。
具体地，所述第一金属层30透明，所述第一金属层30的结构可以为两层钛(Ti)层夹一层铝(Al)层，或者可以为其他具有低阻抗高透明度的材料结构。
具体地，所述第二金属层50透明，所述第二金属层50的结构可以为两层钛层夹一层铝层，或者可以为其他具有低阻抗高透明度的材料结构。
具体地，所述第一绝缘层20及第二绝缘层40的材料为氮化硅。
具体地，所述第二绝缘层40设有位于第一金属层30上方的过孔42，所述第二金属层50经所述过孔42与第一金属层30接触。
需要说明的是，本发明的OLED显示装置通过设置多个开口51贯穿触控层中的第二金属层50、黑色矩阵60及硬掩膜70分别对应多个子像素11而设置，多个色阻80分别位于多个开口51内，能够有效消除OLED显示装置在强光下的反光，黑色矩阵60能够与第二金属层50采用同一道光罩制作，减小OLED显示装置制程所需的光罩数量，有效地降低了产品的成本和制程时间，并且黑色矩阵60能够对第二金属层50进行遮挡，防止光线在第二金属层50上发生反射影响显示品质，硬掩膜70能够在图案化制得第二金属层50、黑色矩阵60后将黑色矩阵60上的光阻层剥离时防止剥离制程对黑色矩阵60产生损伤，保证产品的品质。
请参阅图3，本发明的第二实施例的OLED显示装置与上述第一实施例的区别在于，所述第二绝缘层40设有分别位于多个子像素11上方的多个第一孔洞41，多个开口51分别位于多个第一孔洞41上方。所述多个色阻80设于第一绝缘层20上且分别位于多个第一孔洞41内，其余均与第一实施例相同，在此不再赘述。相比于第一实施例，本发明的第二实施例中色阻80与OLED显示面板10的距离被大大减小，能够提升OLED显示装置的透过率，提升产品的品质。
请参阅图4，本发明的第三实施例的OLED显示装置与上述第一实施例的区别在于，第二绝缘层40及第一绝缘层20设有分别位于多个子像素11上方的多个第二孔洞21，多个开口51分别位于多个第二孔洞21上方。所述多个色阻80设于OLED显示面板10上且分别位于多个第二孔洞21内，其余均与第一实施例相同，在此不再赘述。相比于第一实施例及第二实施例，本发明的第三实施例中色阻80与OLED显示面板10的距离被进一步地减小，能够进一步地提升OLED显示装置的透过率，提升产品的品质。
请参阅图5，基于同一发明构思，本发明的第一实施例的OLED显示装置的制作方法包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图6，提供OLED显示面板10。所述OLED显示面板10包括多个子像素11。
具体地，所述多个子像素11包括红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素。
步骤S2、请参阅图7，在OLED显示面板10上形成第一绝缘层20，在第一绝缘层20上形成第一金属层30，在第一金属层30及第一绝缘层20上形成第二绝缘层40。
具体地，所述第一金属层30透明，所述第一金属层30的结构可以为两层钛层夹一层铝层，或者可以为其他具有低阻抗高透明度的材料结构。
具体地，所述第一绝缘层20及第二绝缘层40的材料为氮化硅。
具体地，所述步骤S2在形成第二绝缘层40之后还在第二绝缘层40上形成位于第一金属层30上方的过孔42。
步骤S3、请参阅图8及图11，在第二绝缘层40上依次形成金属材料层59、黑色矩阵材料层69、硬掩膜材料层79，对金属材料层59、黑色矩阵材料层69及硬掩膜材料层79进行图案化形成由下至上依次设于第二绝缘层40上的第二金属层50、黑色矩阵60及硬掩膜70。多个开口51贯穿第二金属层50、黑色矩阵60及硬掩膜70分别对应多个子像素11而设置。
具体地，所述金属材料层59透明，所述金属材料层59的结构可以为两层钛层夹一层铝层，或者可以为其他具有低阻抗高透明度的材料结构。
具体地，所述硬掩膜材料层79的材料为氮化硅。
具体地，所述第二金属层50经所述过孔42与第一金属层30接触。
具体地，所述步骤S3具体包括：
步骤S31、请参阅图8，在第二绝缘层40上依次形成金属材料层59、黑色矩阵材料层69、硬掩膜材料层79及光阻层901。
步骤S32、请参阅图9，对光阻层901进行曝光显影制程，形成分别位于多个子像素11上方的第三孔洞9011。
步骤S33、请参阅图10，以光阻层901为掩膜对金属材料层59、黑色矩阵材料层69及硬掩膜材料层79进行图案化，形成依次设于第二绝缘层40上的第二金属层50、黑色矩阵60及硬掩膜70。
步骤S34、请参阅图11，对光阻层901进行剥离。
步骤S4、请参阅图12，在OLED显示面板10上于多个开口51内形成多个色阻80。
具体地，请参阅图12，在本发明的第一实施例中，所述步骤S4中，在第二绝缘层40上于多个开口51内形成多个色阻80。
具体地，所述步骤S4中通过涂布或喷墨打印的方式在OLED显示面板10上于多个开口51内形成多个色阻80。
步骤S5、请结合图2，在硬掩膜70及多个色阻80上形成保护层90。
需要说明的是，本发明的第一实施的OLED显示装置的制作方法中，采用同一道光罩对形成在第二绝缘层40上的金属材料层59、黑色矩阵材料层69及硬掩膜材料层79进行图案化形成由下至上依次设于第二绝缘层40上的第二金属层50、黑色矩阵60及硬掩膜70，多个开口51贯穿第二金属层50、黑色矩阵60及硬掩膜70分别对应多个子像素11而设置，并在OLED显示面板10上于多个开口51内形成色阻80，使得制得的OLED显示装置能够降低光线反射率，提升显示品质，并且相比于现有技术减少了光罩数量，有效地降低了产品的成本和制程时间，并且黑色矩阵60能够对第二金属层50进行遮挡，防止光线在第二金属层50上发生反射影响显示品质，硬掩膜70能够在图案化制得第二金属层50、黑色矩阵60后将黑色矩阵60上的光阻层901剥离时防止剥离制程对黑色矩阵60产生损伤，保证产品的品质。
请参阅图13，本发明的第二实施例的OLED显示装置的制作方法与上述第一实施例的区别在于，所述步骤S2在形成第二绝缘层40之后在第二绝缘层40上形成分别位于多个子像素11上方的第一孔洞41。所述步骤S3结束后，多个开口51分别位于多个第一孔洞41上方。请结合图3，所述步骤S4中，在第一绝缘层20上于多个第一孔洞41内形成多个色阻80。其余均与第一实施例相同，在此不再赘述。相比于第一实施例，本发明的第二实施例制得的OLED显示装置中色阻80与OLED显示面板10的距离被大大减小，能够提升OLED显示装置的透过率，提升产品的品质。
请参阅图14，本发明的第三实施例的OLED显示装置的制作方法与上述第一实施例的区别在于，所述步骤S2在形成第二绝缘层40之后在第二绝缘层40及第一绝缘层20上形成分别位于多个子像素11上方的第二孔洞21。所述步骤S3结束后，多个开口51分别位于多个第二孔洞21上方。请结合图4，所述步骤S4中，在OLED显示面板10上于多个第二孔洞21内形成多个色阻80。其余均与第一实施例相同，在此不再赘述。相比于第一实施例及第二实施例，本发明的第三实施例制得的OLED显示装置中色阻80与OLED显示面板10的距离被进一步地减小，能够进一步地提升OLED显示装置的透过率，提升产品的品质。
综上所述，本发明的OLED显示装置包括OLED显示面板、设于OLED显示面板上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的第一金属层、设于第一金属层及第一绝缘层上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的第二金属层、设于第二金属层上的黑色矩阵、设于黑色矩阵上的硬掩膜及设于OLED显示面板上的多个色阻，OLED显示面板包括多个子像素，多个开口贯穿第二金属层、黑色矩阵及硬掩膜分别对应多个子像素而设置，所述多个色阻分别位于多个开口内，能够有效消除OLED显示装置在强光下的反光，且制程所需光罩数量少，产品成本低。本发明的OLED显示装置的制作方法制得的OLED显示装置能够降低光线反射率，且产品成本较低。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括OLED显示面板(10)、设于OLED显示面板(10)上的第一绝缘层(20)、设于第一绝缘层(20)上的第一金属层(30)、设于第一金属层(30)及第一绝缘层(20)上的第二绝缘层(40)、设于第二绝缘层(40)上的第二金属层(50)、设于第二金属层(50)上的黑色矩阵(60)、设于黑色矩阵(60)上的硬掩膜(70)及设于OLED显示面板(10)上的多个色阻(80)；
所述OLED显示面板(10)包括多个子像素(11)；多个开口(51)贯穿所述第二金属层(50)、黑色矩阵(60)及硬掩膜(70)分别对应多个子像素(11)而设置，所述多个色阻(80)分别位于多个开口(51)内。
2.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述多个色阻(80)设于第二绝缘层(40)上；或者，
所述第二绝缘层(40)设有分别位于多个子像素(11)上方的多个第一孔洞(41)，多个开口(51)分别位于多个第一孔洞(41)上方；所述多个色阻(80)设于第一绝缘层(20)上且分别位于多个第一孔洞(41)内；或者，
所述第二绝缘层(40)及第一绝缘层(20)设有分别位于多个子像素(11)上方的多个第二孔洞(21)，多个开口(51)分别位于多个第二孔洞(21)上方；所述多个色阻(80)设于OLED显示面板(10)上且分别位于多个第二孔洞(21)内。
3.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，还包括设于硬掩膜(70)及多个色阻(80)上的保护层(90)。
4.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述硬掩膜(70)的材料为氮化硅；
所述第一金属层(30)透明，所述第一金属层(30)的结构为两层钛层夹一层铝层；
所述第二金属层(50)透明，所述第二金属层(50)的结构为两层钛层夹一层铝层；
所述第一绝缘层(20)及第二绝缘层(40)的材料为氮化硅；
所述第二绝缘层(40)设有位于第一金属层(30)上方的过孔(42)，所述第二金属层(50)经所述过孔(42)与第一金属层(30)接触。
5.一种OLED显示装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供OLED显示面板(10)；
所述OLED显示面板(10)包括多个子像素(11)；
步骤S2、在OLED显示面板(10)上形成第一绝缘层(20)，在第一绝缘层(20)上形成第一金属层(30)，在第一金属层(30)及第一绝缘层(20)上形成第二绝缘层(40)；
步骤S3、在第二绝缘层(40)上依次形成金属材料层(59)、黑色矩阵材料层(69)、硬掩膜材料层(79)，对金属材料层(59)、黑色矩阵材料层(69)及硬掩膜材料层(79)进行图案化形成由下至上依次设于第二绝缘层(40)上的第二金属层(50)、黑色矩阵(60)及硬掩膜(70)；多个开口(51)贯穿所述第二金属层(50)、黑色矩阵(60)及硬掩膜(70)分别对应多个子像素(11)而设置；
步骤S4、在OLED显示面板(10)上于多个开口(51)内形成多个色阻(80)。
6.如权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，在第二绝缘层(40)上于多个开口(51)内形成多个色阻(80)；或者，
所述步骤S2在形成第二绝缘层(40)之后在第二绝缘层(40)上形成分别位于多个子像素(11)上方的第一孔洞(41)；多个开口(51)分别位于多个第一孔洞(41)上方；所述步骤S4中，在第一绝缘层(20)上于多个第一孔洞(41)内形成多个色阻(80)；或者，
所述步骤S2在形成第二绝缘层(40)之后在第二绝缘层(40)及第一绝缘层(20)上形成分别位于多个子像素(11)上方的第二孔洞(21)；多个开口(51)分别位于多个第二孔洞(21)上方；所述步骤S4中，在OLED显示面板(10)上于多个第二孔洞(21)内形成多个色阻(80)。
7.如权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，还包括步骤S5、在硬掩膜(70)及多个色阻(80)上形成保护层(90)。
8.如权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜材料层(79)的材料为氮化硅；
所述第一金属层(30)透明，所述第一金属层(30)的结构为两层钛层夹一层铝层；
所述金属材料层(59)透明，所述金属材料层(59)的结构为两层钛层夹一层铝层；
所述第一绝缘层(20)及第二绝缘层(40)的材料为氮化硅；
所述步骤S2在形成第二绝缘层(40)之后还在第二绝缘层(40)上形成位于第一金属层(30)上方的过孔(42)，所述第二金属层(50)经所述过孔(42)与第一金属层(30)接触。
9.如权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：
步骤S31、在第二绝缘层(40)上依次形成金属材料层(59)、黑色矩阵材料层(69)、硬掩膜材料层(79)及光阻层(901)；
步骤S32、对光阻层(901)进行曝光显影制程，形成分别位于多个子像素(11)上方的第三孔洞(9011)；
步骤S33、以光阻层(901)为掩膜对金属材料层(59)、黑色矩阵材料层(69)及硬掩膜材料层(79)进行图案化，形成依次设于第二绝缘层(40)上的第二金属层(50)、黑色矩阵(60)及硬掩膜(70)；
步骤S34、对光阻层(901)进行剥离。
10.如权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中通过涂布或喷墨打印的方式在OLED显示面板(10)上于多个开口(51)内形成多个色阻(80)。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910147724.1A CN109801955A (zh) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | Oled显示装置及其制作方法 |
| US16/492,162 US10879498B2 (en) | 2019-02-27 | 2019-04-08 | OLED display device and manufacturing method thereof |
| PCT/CN2019/081663 WO2020172953A1 (zh) | 2019-02-27 | 2019-04-08 | Oled显示装置及其制作方法 |
| JP2019540628A JP6987141B2 (ja) | 2019-02-27 | 2019-04-08 | Ｏｌｅｄ表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910147724.1A CN109801955A (zh) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | Oled显示装置及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109801955A true CN109801955A (zh) | 2019-05-24 |
Family
ID=66561392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910147724.1A Pending CN109801955A (zh) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | Oled显示装置及其制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6987141B2 (zh) |
| CN (1) | CN109801955A (zh) |
| WO (1) | WO2020172953A1 (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110429126A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-08 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110707235A (zh) * | 2019-09-19 | 2020-01-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
| CN111769143A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-10-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN111883576A (zh) * | 2020-09-09 | 2020-11-03 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、显示装置及成型方法 |
| CN112015301A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件及其制作方法、显示装置 |
| US20220069017A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and method for manufacturing same, and display apparatus |
| WO2023245899A1 (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150331508A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Apple Inc. | Integrated silicon-oled display and touch sensor panel |
| CN107204355A (zh) * | 2016-03-18 | 2017-09-26 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
| CN108735780A (zh) * | 2017-04-19 | 2018-11-02 | 速博思股份有限公司 | 有机发光二极管触控显示设备 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10168844B2 (en) * | 2015-06-26 | 2019-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device |
| US11189736B2 (en) * | 2015-07-24 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9773919B2 (en) * | 2015-08-26 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR102454824B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2022-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
-
2019
- 2019-02-27 CN CN201910147724.1A patent/CN109801955A/zh active Pending
- 2019-04-08 JP JP2019540628A patent/JP6987141B2/ja active Active
- 2019-04-08 WO PCT/CN2019/081663 patent/WO2020172953A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150331508A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Apple Inc. | Integrated silicon-oled display and touch sensor panel |
| CN107204355A (zh) * | 2016-03-18 | 2017-09-26 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
| CN108735780A (zh) * | 2017-04-19 | 2018-11-02 | 速博思股份有限公司 | 有机发光二极管触控显示设备 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110429126A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-08 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110429126B (zh) * | 2019-08-22 | 2021-09-14 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110707235B (zh) * | 2019-09-19 | 2021-04-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
| CN110707235A (zh) * | 2019-09-19 | 2020-01-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
| US11527741B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-12-13 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel with scattering particles, display device, and manufacturing method of display panel |
| WO2021051687A1 (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
| CN111769143B (zh) * | 2020-06-23 | 2022-09-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN111769143A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-10-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN112015301A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件及其制作方法、显示装置 |
| CN112015301B (zh) * | 2020-08-31 | 2024-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件及其制作方法、显示装置 |
| US20220069017A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and method for manufacturing same, and display apparatus |
| CN111883576A (zh) * | 2020-09-09 | 2020-11-03 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、显示装置及成型方法 |
| WO2023245899A1 (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6987141B2 (ja) | 2021-12-22 |
| WO2020172953A1 (zh) | 2020-09-03 |
| JP2021517333A (ja) | 2021-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109801955A (zh) | Oled显示装置及其制作方法 | |
| US10784471B2 (en) | Organic light emitting display device and method of making the same | |
| US9647042B2 (en) | Organic light-emitting diode display panel having induction lines on a pixel defining layer | |
| US7538485B2 (en) | Organic electroluminescent display panel and production method thereof | |
| JP4804585B2 (ja) | 有機ｅｌ発光装置 | |
| US20210367186A1 (en) | Oled display panel and manufacturing method | |
| TWI227094B (en) | Organic light-emitting display device and fabricating thereof | |
| KR102453921B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20140203245A1 (en) | Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display Having Variable Optical Path Length for Microcavity | |
| CN104009186A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| CN110265441B (zh) | 一种显示面板及其显示装置 | |
| US11362152B2 (en) | Array substrate, electroluminescent panel and display device | |
| KR102185577B1 (ko) | Oled 기판 및 그 제조 방법 | |
| CN110265568B (zh) | 一种显示器件及其制备方法 | |
| CN111029388A (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
| KR20100004221A (ko) | 상부 발광방식 유기전계발광소자 | |
| TWI514916B (zh) | 影像顯示系統 | |
| CN113629206A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| US20070262707A1 (en) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
| CN109037277B (zh) | 一种oled显示面板的制备方法及oled显示面板、显示装置 | |
| US20200075681A1 (en) | Transparent display panel, fabricating method for the same, and display device | |
| US10879498B2 (en) | OLED display device and manufacturing method thereof | |
| CN110718644B (zh) | 一种彩膜基板及其制备方法、oled显示装置 | |
| KR20130030148A (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| JP2011222146A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190524 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |