CN111430445B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、发光结构层和反射层，所述发光结构层包括设置有多个子像素开口区域的像素界定层，所述反射层设置有与所述子像素开口区域一一对应的反射开口区域，在平行于所述基底的平面上，所述反射开口区域的正投影包含所述子像素开口区域的正投影。本实施例提供的显示基板，通过反射层实现高反射，且反射层的开口可以让子像素的光全部透出，实现了高亮度。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请实施例涉及显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
由于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术具有自发光原理，可关闭发光机制功能，而LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)无法彻底关闭发光源，所以OLED显示技术应用到镜面显示具有较好优势，而且OLED镜面显示屏较LCD镜面显示具有低能耗、宽视角、响应速度快、清晰度高、超薄、柔性和自发光特性等优点，在镜面显示领域存在巨大的潜力。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，实现高反射、高发光镜面显示。
本申请实施例提供了一种显示基板，包括：基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、发光结构层和反射层，所述发光结构层包括设置有多个子像素开口区域的像素界定层，所述反射层设置有与所述子像素开口区域一一对应的反射开口区域，在平行于所述基底的平面上，所述反射开口区域的正投影包含所述子像素开口区域的正投影。
在一示例性实施例中，所述发光结构层还包括多个由第一电极、有机发光层、第二电极构成的发光器件，其中，所述第一电极设置在所述驱动结构层和所述像素界定层之间，所述有机发光层和所述第二电极依次设置在所述像素界定层和所述反射层之间，所述发光器件的发光效率大于预设值。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述多个子像素开口区域的截面包括如下四边形：两侧平行，另两侧为弧线。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述多个反射开口区域的截面包括如下四边形：两侧平行，另两侧为弧线。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述多个子像素开口区域的截面中包括多组四边形，每组四边形包括两个四边形，所述四边形满足：第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线，且同一组中的两个四边形的第三侧相邻且平行设置，且同一组中的两个四边形的第一侧在第三侧的方向的距离为零，同一组中的两个四边形的第二侧在第三侧的方向的距离为零。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述多个反射开口区域的截面中包括多组四边形，每组四边形包括两个四边形，所述四边形满足：第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线，且同一组中的两个四边形的第三侧相邻且平行设置，且同一组中的两个四边形的第一侧在第三侧的方向的距离为零，同一组中的两个四边形的第二侧在第三侧的方向的距离为零。
本申请实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
形成基底；
在所述基底上依次形成驱动结构层、发光结构层，所述发光结构层包括设置有多个子像素开口区域的像素界定层；
在所述发光结构层形成反射层，所述反射层设置有与所述子像素开口区域一一对应的反射开口区域，在平行于所述基底的平面上，所述反射开口区域的正投影包含所述子像素开口区域的正投影。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述多个子像素开口区域和所述多个反射开口区域至少之一的截面中包括如下四边形：两侧平行，另两侧为弧线。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述多个子像素开口区域和所述多个反射开口区域至少之一的截面中包括多组四边形，每组四边形包括两个四边形，所述四边形满足：第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线，且同一组中的两个四边形的第三侧相邻且平行设置，且同一组中的两个四边形的第一侧在第三侧的方向的距离为零，同一组中的两个四边形的第二侧在第三侧的方向的距离为零。
本申请实施例提供一种显示基板，包括：基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、发光结构层和反射层，所述发光结构层包括设置有多个子像素开口区域的像素界定层，所述反射层设置有与所述子像素开口区域一一对应的反射开口区域，在平行于所述基底的平面上，所述反射开口区域的正投影包含所述子像素开口区域的正投影。本实施例提供的显示基板，反射层的开口区域可以完全覆盖子像素的开口区域，可以将子像素开口区域的光全部发射出去，实现高发光，另外，通过设置反射层实现高反射。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为一实施例提供的显示基板示意图；
图2为另一实施例提供的显示基板示意图；
图3为本申请实施例提供的显示基板示意图；
图4为本申请实施例形成基底图案后的示意图；
图5为本申请实施例形成有源层、栅电极图案后的示意图；
图6为本申请实施例形成第三绝缘层、源电极和漏电极图案后的示意图；
图7为本申请实施例形成阳极图案后的示意图；
图8为本申请实施例形成像素定义层、有机发光层和阴极图案后的示意图；
图9为本申请实施例形成封装层图案后的示意图；
图10为本申请实施例形成反射层图案后的示意图；
图11为本申请实施例提供的开口区域示意图；
图12为本申请实施例提供的开口区域缩小尺寸示意图；
图13为另一实施例提供的开口区域示意图；
图14为另一实施例提供的开口区域示意图；
图15为又一实施例提供的开口区域示意图；
图16为再一实施例提供的开口区域示意图；
图17为本申请实施例提供的显示基板的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一实施例提供的一种显示基板的示意图。该显示基板为顶发射器件。在垂直于显示基板的平面上，显示基板包括设置在基底上的驱动结构层和发光结构层，驱动结构层包括多个薄膜晶体管，图1中仅以一个发光单元和一个薄膜晶体管为例进行示意。具体地，基底包括第一基底10a、设置在第一基底10a上的第二基底10b和设置在第二基底10b上的缓冲层11，驱动结构层包括设置在缓冲层11上的薄膜晶体管。发光结构层主要包括与薄膜晶体管的漏电极连接的阳极31、限定子像素开口区域的像素界定层32、设置在子像素开口区域内及像素界定层32上的有机发光层33、设置在有机发光层33上的阴极34、覆盖整个基底的封装层，所述封装层包括第一封装层35、第二封装层36和第三封装层37，设置在所述封装层上的反射层38。该显示基板还可包括设置在反射层38上的触控层(Touch ScreenPanel，简称TSP，图1中未示出)，触控层和反射层38之间通过光学胶(Optical ClearAdhesive，简称OCA)贴合。另外，还可包括设置在所述基底远离所述发光结构层一侧的底膜(Bottom Film，图1中未示出)和覆盖所述触控层的顶膜(Cover Film，图1中未示出)。
图2为另一实施例提供的显示基板示意图。如图2所示，本实施例中，为达到高反射率将反射层的开口区域缩小，像素界定层的子像素开口区域的大小保持不变，从而反射层可以达到高反射率，但是从反射层开口发出的子像素亮度降低，实现了高反射但未能实现高发光的镜面显示。该实施例中，像素界定层斜坡角度40°左右，爬坡高度1微米(um)；反射层坡度角小于40°且爬坡高度低于1um，从而小于子像素的开口区域，反射层发出的光更少，使得显示发光亮度较正常面板亮度更低。
OLED镜面显示技术，即需要镜面显示也需要镜面成像，所以OLED镜面既可以高效反射成像又可以高发光显示画面，本申请实施例中提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，实现高反射和高发光。
本申请实施例提供一种显示基板，可以包括：基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、发光结构层和反射层，所述发光结构层包括设置有多个子像素开口区域的像素界定层，所述反射层设置有与所述子像素开口区域一一对应的反射开口区域，在平行于所述基底的平面上，所述反射开口区域的正投影包含所述子像素开口区域的正投影。即，所述子像素开口区域的正投影位于所述反射层开口区域的正投影之内，或者，子像素开口区域的正投影等于反射开口区域的正投影。本实施例提供的显示基板，反射层的开口区域可以覆盖子像素的开口区域，可以将子像素开口区域的光全部发射出去，实现高发光，另外，通过设置反射层实现高反射。在一实施例中，相比图1、2中的方案，保持反射层的开口区域不变，可以实现与图1、2中所示方案一样的反射效率。在一实施例中，反射开口区域在平行于基底的平面上的正投影的面积小于等于面积阈值。面积阈值根据反射的要求决定，如果需要提高反射率，可以设置较小的预设值。
图3为本申请实施例提供的显示基板示意图，示意了在垂直于显示基板的平面上显示基板的结构。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板包括设置在基底上的驱动结构层和发光结构层，驱动结构层包括多个薄膜晶体管，图3中仅以一个发光单元和一个薄膜晶体管为例进行示意。本实施例中，基底包括第一基底10a、设置在第一基底10a上的第二基底10b和设置在第二基底10b上的缓冲层11，驱动结构层可以包括设置在缓冲层11上的薄膜晶体管。发光结构层可以包括与薄膜晶体管的漏电极连接的阳极31、限定子像素开口区域的像素界定层32、设置在子像素开口区域内和像素界定层32上的有机发光层33、设置在有机发光层33上的阴极34、覆盖整个基底的封装层，所述封装层包括第一封装层35、第二封装层36和第三封装层37，设置在所述封装层上的反射层38。所示反射层38上包括多个反射开口区域，所述反射开口区域与所述像素界定层32的子像素开口区域一一对应。在平行于基底的平面上，反射开口区域的正投影包含子像素开口区域的正投影，即反射开口区域的正投影完全覆盖子像素开口区域的正投影。所述显示基板可包括设置在所述基底远离所述发光结构层一侧的底膜(图3中未示出)和覆盖所述触控层的顶膜(图3中未示出)。底膜与基底之间设置有压敏胶(Pressure Sensitive Adhesive，PSA)。
下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
图4～10为本实施例显示基板制备过程的示意图。显示基板的制备过程包括：
(1)形成基底图案。形成基底图案包括：先在玻璃载板1上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第一基底10a。随后，在第一基底10a上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第二基底10b。最后，在第二基底10b沉积一层缓冲薄膜，形成覆盖整个第二基底10b的缓冲层11图案。其中，柔性材料可以采用压敏胶(PSA)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，形成柔性基底，如图4所示。缓冲薄膜可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。
(2)在基底上形成有源层、栅电极、电容电极图案。在基底上形成有源层、栅电极、电容电极图案包括：
a、在形成上述结构的基础上，沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，在显示区域形成设置在第二基底10b上的有源层12图案；
b、随后，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层12的第一绝缘层13、设置在第一绝缘层13上的第一栅电极14、第二栅电极15和栅线(未示出)图案。其中，第一栅电极14、第二栅电极15和栅线仅形成在显示区域，此时的非显示区域形成有第一绝缘层13。
c、随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅电极14和第二栅电极15的第二绝缘层16以及设置在第二绝缘层16上的电容电极17图案，电容电极17的位置与第二栅电极15的位置相对应，电容电极17与第二栅电极15构成电容，如图5所示。
(3)形成源电极和漏电极图案。
形成源电极和漏电极图案包括：
在形成上述结构的基础上，沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，在显示区域形成开设有两个第一过孔的第三绝缘层18图案，两个第一过孔中的第三绝缘层18、第二绝缘层16和第一绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层12；
沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在显示区域形成源电极19、漏电极20和数据线(未示出)图案，源电极19和漏电极20分别通过两个第一过孔与有源层12连接，如图6所示。
通过上述过程，在基底上完成了显示区域的驱动结构层的制备。其中，驱动结构层包括有源层12、第一栅电极14、第二栅电极15、电容电极17、源电极19、漏电极20、栅线和数据线，栅线和数据线垂直交叉限定出子像素，由有源层12、第一栅电极14、源电极19和漏电极20构成的薄膜晶体管设置在子像素内。其中，第一绝缘层和第二绝缘层也称之为栅绝缘层(GI)，第三绝缘层也称之为层间绝缘层(ILD)。
(4)形成阳极图案。形成阳极图案包括：在形成上述结构的基础上，先涂覆第四绝缘薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺在显示区域形成覆盖源电极19和漏电极20的第四绝缘层21图案，第四绝缘层21开设有第二过孔，第二过孔暴露出漏电极20。随后沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，在显示区域形成阳极31图案，阳极31通过第二过孔与漏电极20连接，如图7所示。其中，第四绝缘层也称之为平坦化层(PLN)，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO或者ITO/Al(铝)/ITO多层复合材料。
(5)形成像素定义层、有机发光层和阴极图案。
形成像素定义层、有机发光层和阴极图案包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过光刻工艺在显示区域形成像素定义层32图案，像素定义层32在每个子像素限定出暴露阳极31的子像素开口区域，其中，像素定义层32可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
依次蒸镀有机发光材料及阴极金属，形成有机发光层33和阴极34图案，有机发光层33与像素定义层32限定出的子像素开口区域内的阳极31连接，阴极34设置在有机发光层33上，如图8所示。其中，有机发光层33可以包括发光层(EML)。实际实施时，有机发光层33可以包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，提高电子和空穴注入发光层的效率，阴极34可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金。
(6)形成封装层图案。形成封装层图案包括：在形成前述图案的基底上，先沉积第一无机薄膜，形成第一封装层35图案，随后，采用喷墨打印方式在显示区域形成第二封装层36，第二封装层比如为有机材料。最后，沉积第二无机薄膜，第二无机薄膜覆盖显示区域和非显示区域，形成第三封装层37图案，如图9所示。这样，即完成包括无机/有机/无机三层结构的封装层，中间的有机层仅形成在显示区域，上下两层无机层覆盖显示区域和非显示区域。其中，第一无机薄膜比如为氮氧化硅(SiON)，第二无机薄膜比如为氮化硅(SiNx)。所述封装层的结构仅为示例，可以根据需要使用其他类型的封装层。
(7)形成反射层图案
形成反射层图案包括：沉积反射层金属薄膜，通过构图工艺对反射层金属薄膜进行构图，形成开设有反射开口区域的反射层38图案。如图10所示。反射开口区域在平行于基底的平面上的正投影包含子像素开口区域在平行于基底的平面上的正投影。图10中，反射开口区域在平行于基底的平面上的正投影等于子像素开口区域在平行于基底的平面上的正投影，即二者重合，此处重合包括完全重合和大致重合。在其他实施例中，所述子像素开口区域在平行于基底的平面上的正投影可以小于反射开口区域在平行于基底的平面上的正投影。本实施例提供的方案，反射开口区域在平行于基底的平面上的正投影包含子像素开口区域在平行于基底的平面上的正投影，相比子像素开口区域在平行于基底的平面上的正投影超出反射开口区域在平行于基底的平面上的正投影的方案，有机发光层通过反射开口区域的出光率更高，因此，能提高亮度。
在一示例性实施例中，所述反射层38的材料比如为钼(MO)、铝(Al)、钛(Ti)、Ti/Al/Ti多层复合材料等之一或其组合。
在另一实施例中，反射层38和封装层之间可包括保护层，保护层比如使用氮化硅(SiNx)形成。
(8)最后，剥离玻璃载板1，完成显示基板的制备，如图3所示。
本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。本实施例反射层的开口区域的正投影包含子像素开口区域的正投影，提高了出光率，可以实现高反射和高亮度，具有实际应用价值，具有良好的应用前景。
需要说明的是，本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，薄膜晶体管不仅可以是顶栅结构，或者，可以是底栅结构，或者，可以是双栅结构，或者，可以是单栅结构。再如，薄膜晶体管可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或铟镓锌氧化物(Indium GalliumZinc Oxide，IGZO)薄膜晶体管，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层。又比如，第一基底10b和第二基底10b使用玻璃载板替代。
图11为一实施例提供的子像素开口区域和反射开口区域的开口形状示意图。显示基板包括多个像素，每个像素包括4个子像素，其中一个为蓝色子像素B，一个为红色子像素R，两个为绿色子像素G1和G2，每个子像素包含相应的子像素开口区域和反射开口区域。如图11所示，在平行于基底的平面上，蓝色子像素B和红色子像素R的子像素开口区域和反射开口区域的截面形状为六边形，各顶点间直线连接，绿色子像素G1和G2的子像素开口区域和反射开口区域的截面为五边形，各顶点间直线连接。在一实施例中，蓝色子像素B的子像素开口区域平行的两侧的距离为18um，沿平行的两侧的方向的最大距离为32um，红色子像素R的子像素开口区域平行的两侧的距离为18um，沿平行的两侧的方向的最大距离为40um，绿色子像素G1和G2的子像素开口区域平行的两侧的距离为19um，沿平行的两侧的方向的最大距离为19um。本实施例中，为实现高反射高发光的镜面显示，将子像素开口区域相对于图11所示方案缩小1um尺寸(整体缩小1um)，使得子像素开口区域和反射开口区域的正投影重合，如图12所示，此处重合包括完全重合和大致重合。图12仅以一个子像素为例进行说明，其余子像素类似。另外，在其他实施例中，也可以按其他方式缩小子像素开口区域。另外，子像素开口区域的截面形状仅为示例，可以是其他形状。本实施例中，反射层的开口可以刚好将像素界定层的开口覆盖，从而可以将子像素所发出的光全部取出，实现高发光。本实施例中缩小1um仅为示例，可以根据需要缩小其他尺寸。另外，子像素开口区域的截面大小不限于图中所示尺寸，也可以是其他尺寸。另外，可以改变反射开口区域的尺寸和子像素开口区域的尺寸，满足子像素开口区域在平行于基底的平面上的投影落在反射开口区域在平行于基底的平面上的投影内即可。
在一实施例中，为了提高亮度，使用高亮度的发光器件，发光器件位于发光结构层，包括第一电极、有机发光层、第二电极，第一电极比如为阳极，第二电极比如为阴极，为了实现高亮度，使用发光效率高的发光器件，所述发光器件发光效率大于预设值，预设值根据亮度要求确定。其中，可以通过使用高发光效率的发光层材料，或者，通过使用发光效率高的电极材料(作为第一电极、第二电极的材料)，或者，二者结合达到。
为了实现高亮度，第二种方法是加大子像素点亮时需要的电流，使得发光器件的发光强度增加，从而提升出光量，即提高像素的驱动电流。
图13为一实施例提供的子像素开口区域的截面形状示意图。如图13所示，本实施例中，为了提高镜面出光，将开口区域的某些边角设计成圆弧状，从而增加像素出光的面积。其中，可以将像素界定层的子像素开口区域的部分边界设置为圆弧状，也可以将反射层的反射开口区域的部分边界设置为圆弧状，或者，将二者均设置为圆弧状。
如图14所示，虚线组成的区域为子像素开口区域在平行于基底的平面上的截面，实线组成的区域为反射层的反射开口区域在平行于基底的平面上的截面。一个像素包括4个子像素：蓝色子像素B和红色子像素R、两个绿色子像素G1和G2。本实施例中，蓝色子像素B和红色子像素R的子像素开口区域在平行于基底的平面上的截面为四边形，该四边形两侧平行，另两侧为弧线，该截面相对于图11所示的六边形，面积更大，从而出光量更大，有利于提高亮度。两个绿色子像素G1和G2的子像素开口区域在平行于基底的平面上的截面为四边形，第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线，且这两个四边形(属于同一像素的两个绿色子像素的子像素开口区域在平行于基底的平面上的截面)的第三侧相邻且平行设置，且这两个四边形的第一侧在第三侧的方向的距离为零，这两个四边形的第二侧在第三侧的方向的距离为零，即G1的子像素开口区域相互平行的两侧延伸后与G2的子像素开口区域相互平行的两侧重合。该截面相对于图11所示的五边形，面积更大，从而出光量更大，提高了亮度。
如图15所示，虚线组成的区域为子像素开口区域在平行于基底的平面上的截面，实线组成的区域为反射层的反射开口区域在平行于基底的平面上的截面。本实施例中，蓝色子像素B和红色子像素R的反射开口区域在平行于基底的平面上的截面为四边形，该四边形两侧平行，另两侧为弧线，该截面相对于图11所示的六边形，面积更大，从而出光量更大，有利于提高亮度。两个绿色子像素G1和G2的反射开口区域在平行于基底的平面上的截面为四边形，第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线，且这两个四边形(属于同一像素的两个绿色子像素的反射开口区域在平行于基底的平面上的截面)的第三侧相邻且平行设置，且这两个四边形的第一侧在第三侧的方向的距离为零，这两个四边形的第二侧在第三侧的方向的距离为零。即G1的反射开口区域相互平行的两侧延伸后与G2的反射开口区域相互平行的两侧重合。该截面相对于图11所示的五边形，面积更大，从而出光量更大，有利于提高亮度。
如图16所示，虚线组成的区域为子像素开口区域在平行于基底的平面上的截面，实线组成的区域为反射层的反射开口区域在平行于基底的平面上的截面。本实施例中，蓝色子像素B和红色子像素R的子像素开口区域和反射开口区域在平行于基底的平面上的截面均为为四边形，该四边形两侧平行，另两侧为弧线，该截面相对于图11所示的六边形，面积更大，从而出光量更大，有利于提高亮度。两个绿色子像素G1和G2的子像素开口区域和反射开口区域在平行于基底的平面上的截面均为四边形，第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线，且这两个四边形的第三侧相邻且平行设置，且这两个四边形的第一侧在第三侧的方向的距离为零，这两个四边形的第二侧在第三侧的方向的距离为零。该截面相对于图11所示的五边形，面积更大，从而出光量更大，有利于提高亮度。即即G1的子像素开口区域相互平行的两侧延伸后与G2的子像素开口区域相互平行的两侧重合，G1的反射开口区域相互平行的两侧延伸后与G2的反射开口区域相互平行的两侧重合。将子像素开口区域和反射开口区域的边缘都设置为圆弧状，大大增加了镜面的出光面积，提高了亮度。
上述各实施例中每个像素包含的子像素及其布局仅为示例，本申请实施例对此不作限定。子像素布局可以变更，每个像素中包括的子像素数量可以改变，比如，每个像素也可以只包括一个绿色子像素，等等。
基于本申请实施例的技术构思，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法。如图17所示，所述制备方法包括：
步骤1701，形成基底；
步骤1702，在所述基底上依次形成驱动结构层、发光结构层，所述发光结构层包括设置有多个子像素开口区域的像素界定层；
步骤1703，在所述发光结构层形成反射层，所述反射层设置有与所述子像素开口区域一一对应的反射开口区域，在平行于所述基底的平面上，所述反射开口区域的正投影包含所述子像素开口区域的正投影。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述多个子像素开口区域和所述多个反射开口区域至少之一的截面中包括如下四边形：两侧平行，另两侧为弧线。即子像素开口区域的截面包括两侧平行，另两侧为弧线的四边形，或者，反射开口区域的截面包括两侧平行，另两侧为弧线的四边形，或者，子像素开口区域的截面和反射开口区域的截面均包括两侧平行，另两侧为弧线的四边形。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述多个子像素开口区域和所述多个反射开口区域至少之一的截面中包括多组四边形，每组四边形包括两个四边形，所述四边形满足：第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线，且同一组中的两个四边形的第三侧相邻且平行设置，且同一组中的两个四边形的第一侧在第三侧的方向的距离为零，同一组中的两个四边形的第二侧在第三侧的方向的距离为零。即子像素开口区域的截面包括多组第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线的四边形，或者，反射开口区域的截面包括多组第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线的四边形，或者，子像素开口区域的截面和反射开口区域的截面均包括多组第一侧和第二侧平行，第三侧与第一侧垂直且为直线，第四侧为弧线的四边形。
本实施例中，各个膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。
本实施例的制备方法利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。且本实施例提供的方法，提供了高亮度和高反射度的显示基板，具有实际应用价值，具有良好的应用前景。
基于本申请实施例的技术构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上书所界定的范围为准。

Claims (6)

1.一种显示基板，包括：基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、发光结构层和反射层，所述发光结构层包括设置有多个子像素开口区域的像素界定层，所述反射层设置有与所述子像素开口区域一一对应的反射开口区域，在平行于所述基底的平面上，所述反射开口区域的正投影包含所述子像素开口区域的正投影，所述反射开口区域的正投影的面积大于所述子像素开口区域的正投影的面积；所述发光结构层还包括多个由第一电极、有机发光层、第二电极构成的发光器件，所述发光器件的发光效率大于预设值，所述预设值根据亮度要求确定；所述子像素开口区域包括蓝色子像素的子像素开口区域、红色子像素的子像素开口区域和两个绿色子像素的子像素开口区域，所述反射开口区域包括蓝色子像素的反射开口区域、红色子像素的反射开口区域和两个绿色子像素的反射开口区域；
在平行于所述基底的平面上，所述蓝色子像素的子像素开口区域和红色子像素的子像素开口区域的截面形状为两侧平行、另两侧为弧线的四边形，所述蓝色子像素的反射开口区域和红色子像素的反射开口区域的截面形状为六边形，所述子像素开口区域中平行的两侧与所述反射开口区域中的对应侧重合；所述两个绿色子像素的子像素开口区域的截面形状为第一侧和第二侧平行、第三侧与第一侧垂直且为直线、第四侧为弧线的四边形，所述两个绿色子像素的反射开口区域的截面形状为五边形，所述子像素开口区域中第一侧、第二侧和第三侧与所述反射开口区域中的对应侧重合；
或者，
在平行于所述基底的平面上，所述蓝色子像素的子像素开口区域和红色子像素的子像素开口区域的截面形状为六边形，所述蓝色子像素的反射开口区域和红色子像素的反射开口区域的截面形状为两侧平行、另两侧为弧线的四边形，所述反射开口区域中平行的两侧与所述子像素开口区域中的对应侧重合；所述两个绿色子像素的子像素开口区域的截面形状为五边形，所述两个绿色子像素的反射开口区域的截面形状为第一侧和第二侧平行、第三侧与第一侧垂直且为直线、第四侧为弧线的四边形，所述反射开口区域中第一侧、第二侧和第三侧与所述子像素开口区域中的对应侧重合。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极设置在所述驱动结构层和所述像素界定层之间，所述有机发光层和所述第二电极依次设置在所述像素界定层和所述反射层之间。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，两个绿色子像素的子像素开口区域对应的四边形或者两个绿色子像素的反射开口区域对应的四边形的第三侧相邻且平行设置，且两个绿色子像素的子像素开口区域对应的四边形或者两个绿色子像素的反射开口区域对应的四边形的第一侧在第三侧的方向的距离为零，两个绿色子像素的子像素开口区域对应的四边形或者两个绿色子像素的反射开口区域对应的四边形的第二侧在第三侧的方向的距离为零。
4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～3任一所述的显示基板。
5.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
形成基底；
在所述基底上依次形成驱动结构层、发光结构层，所述发光结构层包括设置有多个子像素开口区域的像素界定层；所述发光结构层还包括多个由第一电极、有机发光层、第二电极构成的发光器件，所述发光器件的发光效率大于预设值，所述预设值根据亮度要求确定；
在所述发光结构层形成反射层，所述反射层设置有与所述子像素开口区域一一对应的反射开口区域，在平行于所述基底的平面上，所述反射开口区域的正投影包含所述子像素开口区域的正投影，所述反射开口区域的正投影的面积大于所述子像素开口区域的正投影的面积；所述子像素开口区域包括蓝色子像素的子像素开口区域、红色子像素的子像素开口区域和两个绿色子像素的子像素开口区域，所述反射开口区域包括蓝色子像素的反射开口区域、红色子像素的反射开口区域和两个绿色子像素的反射开口区域；
在平行于所述基底的平面上，所述蓝色子像素的子像素开口区域和红色子像素的子像素开口区域的截面形状为两侧平行、另两侧为弧线的四边形，所述蓝色子像素的反射开口区域和红色子像素的反射开口区域的截面形状为六边形，所述子像素开口区域中平行的两侧与所述反射开口区域中的对应侧重合；所述两个绿色子像素的子像素开口区域的截面形状为第一侧和第二侧平行、第三侧与第一侧垂直且为直线、第四侧为弧线的四边形，所述两个绿色子像素的反射开口区域的截面形状为五边形，所述子像素开口区域中第一侧、第二侧和第三侧与所述反射开口区域中的对应侧重合；
或者，
在平行于所述基底的平面上，所述蓝色子像素的子像素开口区域和红色子像素的子像素开口区域的截面形状为六边形，所述蓝色子像素的反射开口区域和红色子像素的反射开口区域的截面形状为两侧平行、另两侧为弧线的四边形，所述反射开口区域中平行的两侧与所述子像素开口区域中的对应侧重合；所述两个绿色子像素的子像素开口区域的截面形状为五边形，所述两个绿色子像素的反射开口区域的截面形状为第一侧和第二侧平行、第三侧与第一侧垂直且为直线、第四侧为弧线的四边形，所述反射开口区域中第一侧、第二侧和第三侧与所述子像素开口区域中的对应侧重合。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，两个绿色子像素的子像素开口区域对应的四边形或者两个绿色子像素的反射开口区域对应的四边形的第三侧相邻且平行设置，且两个绿色子像素的子像素开口区域对应的四边形或者两个绿色子像素的反射开口区域对应的四边形的第一侧在第三侧的方向的距离为零，两个绿色子像素的子像素开口区域对应的四边形或者两个绿色子像素的反射开口区域对应的四边形的第二侧在第三侧的方向的距离为零。
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