CN113241367B - 显示基板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制备方法，该显示基板包括衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第一电极层、发光材料层、含碳结构层以及第二电极层；第一金属层包括辅助电极图案，第一绝缘层包括暴露辅助电极图案的第一过孔，第一电极层和发光材料层包括暴露辅助电极图案且与第一过孔贯通的第二过孔，含碳结构层至少部分设置在第二过孔中，靠近第二过孔中部的第一金属层的靠近衬底基板的表面与第二电极层的远离衬底基板的表面距离为d1，含碳结构层的平均碳氧比为c1，靠近第二过孔边缘的第一金属层的靠近衬底基板的表面与第二电极层的远离衬底基板的表面距离为d2，含碳结构层的平均碳氧比为c2，则：d1＜d2，c1＞c2。该显示面板具有更好的显示效果。

Description

显示基板及其制备方法

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示基板及其制备方法。

背景技术

OLED（Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管）显示装置具有自发光、对比度高、清晰度高、视角宽、功耗低、响应速度快、以及制造成本低等一系列优势，已经成为新一代显示装置的重点发展方向之一，因此受到越来越多的关注。

OLED显示装置中作为发光器件的有机发光二极管通常包括阳极、阴极以及位于阳极与阴极之间的有机功能层，例如发光层。当对有机发光二极管的阳极与阴极施加适当电压时，从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子会在发光层中结合并激发产生光。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板包括衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第一电极层、发光材料层、含碳结构层以及第二电极层，第一金属层设置在所述衬底基板上，包括至少一个辅助电极图案，第一绝缘层设置在所述第一金属层的远离所述衬底基板的一侧，包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔，第一电极层设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，发光材料层设置在所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一电极层和所述发光材料层包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案且与所述至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔，含碳结构层至少部分设置在所述至少一个第二过孔中，第二电极层设置在所述发光材料层和所述含碳结构层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第二电极层通过所述含碳结构层与所述至少一个辅助电极图案电连接，靠近所述第二过孔中部的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d1，所述含碳结构层的平均碳氧比为c1，靠近所述第二过孔边缘的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d2，所述含碳结构层的平均碳氧比为c2，则：

d1＜d2，c1＞c2。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，c1*d1>c2*d2。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，20*c2*d2>c1*d1>3*c2*d2。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述含碳结构层的平均平均碳氧比大于1.3:1小于10:1。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述含碳结构层在所述衬底基板上的正投影的面积小于所述辅助电极图案在所述衬底基板上的正投影的面积。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述辅助电极图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影内。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述含碳结构层包括与所述辅助电极图案接触的第一部分以及位于所述第二过孔的侧壁的第二部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影内。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二过孔的至少部分边缘呈锯齿形。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓包括n个拐点，所述第二过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓包括m个拐点，则：m>n>0。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述含碳结构层在所述衬底基板上的正投影的面积为S1，平均碳氧比为Cs1，所述第一过孔不包括所述含碳结构层的区域的发光材料层在所述衬底基板上的正投影面积为S2，平均碳氧比为Cs2，则：

碳氧匹配系数k=S2* Cs2/S1*Cs1, 0<k<2/3。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，0<k<0.2。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极图案包括向远离所述衬底基板的方向突出的第一凸起部，所述第一凸起部在所述衬底基板上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影内。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括：第二绝缘层，位于所述第一金属层和第一绝缘层之间，其中，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第一电极层通过所述第一绝缘层的所述第一过孔与所述第二绝缘层接触。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极图案被所述第二过孔暴露的部分为所述第一凸起部。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一凸起部的厚度为d3’, 所述辅助电极图案的除所述第一凸起部外的部分的厚度为d3，则：d3>d3’。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括：层间绝缘层，设置在所述衬底基板与所述第一金属层之间，其中，所述层间绝缘层包括向远离所述衬底基板的方向突出的第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述第二凸起部的远离所述衬底基板的一侧。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述层间绝缘层与所述第一凸起部接触的部分为所述第二凸起部；在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述第二凸起部的厚度为d4’, 所述层间绝缘层的除所述第二凸起部外的部分的厚度为d4，则：d4<d4’。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，

(d3-d3’)/d3> (d4’-d4)/d4；且

(d3+d4- (d3’+d4’))/(d3+d4)<0.02。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述层间绝缘层的靠近所述衬底基板的表面为平坦表面。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极图案在所述第二过孔的边缘包括第一坡部，所述层间绝缘层在所述第二过孔的边缘包括第二坡部，所述第一坡部的长度小于第二坡部的长度。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二坡部的坡度角大于所述第一坡部的坡度角。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二坡部的坡度角大于所述第一绝缘层在所述第一过孔处的坡度角，且大于所述第二绝缘层在所述第二过孔处的坡度角。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括晶体管和存储电容，所述晶体管包括设置在所述衬底基板上的有源层、设置在所述有源层远离所述衬底基板一侧的栅极以及设置在所述栅极的远离所述衬底基板一侧的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层分别与所述有源层电连接，所述存储电容包括第一极板和第二极板，所述源极层和漏极层、所述第二极板的至少部分设置在所述第一金属层中，所述第二绝缘层设置在所述源极层和漏极层的远离所述衬底基板的一侧。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一绝缘层还具有暴露所述第二极板的至少部分的第三过孔，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述辅助电极图案的最大宽度大于第三过孔的最大宽度。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓的周长大于所述第三过孔在所述第二极板上的正投影的周长。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括设置在所述衬底基板与所述有源层之间的遮光金属层以及与所述栅极同层设置的栅金属图案，其中，所述栅金属图案在所述衬底基板上的正投影与所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，且与所述源极层或所述漏极层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，以构成所述存储电容。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括设置在所述遮光金属层与所述有源层之间的缓冲层，所述辅助电极图案的远离所述衬底基板的表面与所述缓冲层的远离所述衬底基板的表面的最大距离，大于所述源极层和所述漏极层的远离所述衬底基板的表面与所述缓冲层的远离所述衬底基板的表面的最大距离。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二绝缘层具有暴露所述辅助电极图案的第一子过孔和暴露所述源极层或者所述漏极层的第二子过孔，所述第二绝缘层在所述第一子过孔处具有第三坡部，在所述第二子过孔处具有第四坡部，所述第三坡部的坡度角大于所述第四坡部的坡度角。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述发光材料层具有与第三坡部重叠的第一发光材料部分以及与所述第四坡部重叠的第二发光材料部分，所述第一发光材料部分的厚度小于所述第二发光材料部分的厚度。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括交替排布的发光像素列和透明像素列，所述发光像素列包括多个发光像素单元，所述多个发光像素单元的每个包括多个发光子像素，所述透明像素列包括多个透明像素单元，所述多个透明像素单元由栅线和所述发光像素列的边界限定，所述多个透明像素单元的每个包括一个透明子像素，所述多个透明像素单元和所述多个发光像素单元沿列方向错位排列。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个发光子像素基本呈方形排列，所述透明子像素向所述发光子像素的方向凹入。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个发光像素单元的每个包括四个子像素，所述四个子像素包括一个红色子像素、一个绿色子像素、一个蓝色子像素和一个白色子像素，所述红色子像素与所述蓝色子像素位于同一行，所述绿色子像素与所述白色子像素位于同一行，所述红色子像素与所述蓝色子像素的发光区域的面积之和大于所述绿色子像素与所述白色子像素的发光区域的面积之和。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述红色子像素与所述白色子像素位于同一列，所述绿色子像素与所述蓝色子像素位于同一列，所述红色子像素与所述白色子像素的发光区域的面积之和大于所述绿色子像素与所述蓝色子像素的发光区域的面积之和。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极图案设置在所述红色子像素与所述蓝色子像素所在的行中。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个发光子像素的每个包括发光器件，所述发光器件包括位于所述第一电极层中的第一电极、位于所述发光材料层中的发光层以及位于所述第二电极层中的第二电极，所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极和所述第二子电极通过导电结构电连接，所述导电结构通过所述第二子过孔与所述源极层或者所述漏极层电连接，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所,第二子过孔位于所述第一子电极和所述第二子电极之间。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一子电极至少包括首尾依次相接的第一边、第二边、第三边、第四边和第五边，所述第一边、第二边、第三边、第四边和第五边中的至少一个为直边。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一边、第二边、第三边、第四边和第五边的边长依次为L1、L2、L3、L4和L5，则：

（L3+L4+L5）²>（L1）²+（L2）²。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第二子电极至少包括首尾依次相接的第六边、第七边、第八边、第九边和第十边，所述第六边、第七边、第八边、第九边和第十边中的至少一个为直边。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第六边、第七边、第八边、第九边和第十边的边长依次为L6、L7、L8、L9和L10，则：

（L8+L9+L10）²>（L6）²+（L7）²。

本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板包括衬底基板、层间绝缘层、第一金属层、第一绝缘层、第一电极层、发光材料层、含碳结构层以及第二电极层，层间绝缘层设置在所述衬底基板上，第一金属层设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，包括至少一个辅助电极图案，第一绝缘层设置在所述第一金属层的远离所述衬底基板的一侧，包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔，第一电极层设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，发光材料层设置在所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一电极层和所述发光材料层包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案且与所述至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔，含碳结构层至少部分设置在所述至少一个第二过孔中，第二电极层设置在所述发光材料层和所述含碳结构层的远离所述衬底基板的一侧，在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述辅助电极层的厚度大于所述第二电极层的厚度；其中，所述第二电极层通过所述含碳结构层与所述至少一个辅助电极图案电连接，所述辅助电极图案在所述第二过孔的边缘包括第一坡部，所述层间绝缘层在所述第二过孔的边缘包括第二坡部，所述第一坡部的长度小于第二坡部的长度。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二坡部的坡度角大于所述第一坡部的坡度角，大于所述第一绝缘层在所述第一过孔处的坡度角，且大于所述第二绝缘层在所述第二过孔处的坡度角。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，靠近所述第二过孔中部的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d1，所述含碳结构层的平均碳氧比为c1，靠近所述第二过孔边缘的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d2，所述含碳结构层的平均碳氧比为c2，则：

c1*d1>c2*d2。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述含碳结构层包括与所述辅助电极图案接触的第一部分以及位于所述第二过孔的侧壁的第二部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影内。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二过孔的至少部分边缘呈锯齿形。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓包括n个拐点，所述第二过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓包括m个拐点，则：m>n>0。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述含碳结构层在所述衬底基板上的正投影的面积为S1，平均碳氧比为Cs1，所述第一过孔不包括所述含碳结构层的区域的发光材料层在所述衬底基板上的正投影面积为S2，平均碳氧比为Cs2，则：

碳氧匹配系数k=S2* Cs2/S1*Cs1, 0<k<2/3。

本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括衬底基板、层间绝缘层、第一金属层、第一绝缘层、第一电极层、发光材料层以及第二电极层；第一金属层设置在所述衬底基板上，包括至少一个辅助电极图案，第一绝缘层设置在所述第一金属层的远离所述衬底基板的一侧，包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔，第一电极层设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，发光材料层设置在所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一电极层和所述发光材料层包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案且与所述至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔，第二电极层设置在所述发光材料层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第二电极层通过所述至少一个第二过孔与所述至少一个辅助电极图案电连接，所述辅助电极图案包括向远离所述衬底基板的方向突出的第一凸起部，所述第一凸起部在所述衬底基板上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影内。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括：第二绝缘层，位于所述第一金属层和第一绝缘层之间，其中，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第一电极层通过所述第一绝缘层的所述第一过孔与所述第二绝缘层接触。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极图案被所述第二过孔暴露的部分为所述第一凸起部。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一凸起部的厚度为d3’, 所述辅助电极图案的除所述第一凸起部外的部分的厚度为d3，则：

d3>d3’。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括：层间绝缘层，设置在所述衬底基板与所述第一金属层之间，其中，所述层间绝缘层包括向远离所述衬底基板的方向突出的第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述第二凸起部的远离所述衬底基板的一侧。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述层间绝缘层与所述第一凸起部接触的部分为所述第二凸起部；在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述第二凸起部的厚度为d4’, 所述层间绝缘层的除所述第二凸起部外的部分的厚度为d4，则：

d4<d4’。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，

(d3-d3’)/d3> (d4’-d4)/d4；且

(d3+d4- (d3’+d4’))/(d3+d4)<0.02。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述层间绝缘层的靠近所述衬底基板的表面为平坦表面。

本公开至少一实施例提供一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板，在所述衬底基板上形成第一金属层，其中，所述第一金属层包括至少一个辅助电极图案，在所述第一金属层的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层中形成暴露部分所述至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔，在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层，在所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧形成发光材料层，并在所述第一电极层和所述发光材料层中形成暴露部分所述至少一个辅助电极图案且与所述至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔，在所述至少一个第二过孔中形成含碳结构层，在所述发光材料层的远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层，其中，所述第二电极层通过所述含碳结构层与所述至少一个辅助电极图案电连接，靠近所述第二过孔中部的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬基板的表面距离为d1，所述含碳结构层的平均碳氧比为c1，靠近所述第二过孔边缘的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬基板的表面距离为d2，所述含碳结构层的平均碳氧比为c2，则：

d1＜d2，c1＞c2。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1A为本公开至少一实施例提供的显示基板的像素驱动电路的电路图；

图1B为图1A中的像素驱动电路的时序图；

图2为本公开至少一实施例提供的显示基板的部分截面示意图；

图3为本公开至少一实施例提供的显示基板的另一部分截面示意图；

图4为本公开至少一实施例提供的显示基板的辅助电极图案、第一过孔以及第二过孔的平面示意图；

图5为本公开至少一实施例提供的显示基板的再一部分截面示意图；

图6为本公开至少一实施例提供的显示基板在显示区的部分截面示意图；

图7为图6中的显示基板在虚线框位置及其周边的放大示意图；

图8为本公开至少一实施例提供的显示基板的平面示意图；

图9为本公开至少一实施例提供的显示基板的发光器件的第一电极的平面示意图；以及

图10A、图10B、图11A和图11B为本公开至少一实施例提供的显示基板在制备过程中的截面示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

对于大尺寸OLED 显示装置，例如可以采用3T1C像素驱动电路来驱动发光器件进行发光，图1A示出了一种3T1C像素驱动电路的示意图，图1B为图1A中的像素驱动电路的时序图。

例如，如图1A和图1B所示，该像素驱动电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3以及存储电容等结构，存储电容包括第一极板ACT以及第二极板SHL和SD，该像素驱动电路连接有数据线DT、感测线SN、高电平电源线VDD和低电平电源线Vss等信号线以及数模转换器DAC以及模数转换器ADC等元件，并具有如图所示的连接关系。

在上述3T1C像素驱动电路的工作过程中，结合图1A和图1B，在t1时段，第一控制信号G1和第二控制信号G2为开启信号并输入至第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅极，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，数据信号dt经第二晶体管T2传输至第一晶体管T1的栅极，第一晶体管T1导通，感测IC通过感测线SN及第二晶体管T2向发光器件的第一电极（例如阳极）写入复位信号Vint。

在t2时段，第一控制信号G1和第二控制信号G2为关闭信号，存储电容两端的电压保持不变，第一晶体管T1工作在饱和状态且电流不变，并驱动发光器件发光。

此时，如果该发光器件所在的像素行需要补偿时，则进入感测阶段S，即t3-t6时段。

在t3时段，第一控制信号G1和第二控制信号G2为开启信号并输入至第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅极，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，数据信号dt经第二晶体管T2传输至第一晶体管T1的栅极，第三晶体管T3导通，感测IC通过感测线SN及第二晶体管T2向发光器件的第一电极（例如阳极）写入复位信号Vint。

在t4时段，第一晶体管T1关闭，第二晶体管T2和第三晶体管T3打开，通过S点向感测线SN的寄生电容放电，直到第三晶体管T3的Vgs=Vth，第三晶体管T3关闭，此时感测IC获取到S的电位即可计算出第三晶体管的Vth，根据感测阶段S点的放电曲线还可以计算出第三晶体管的迁移率等特性参数。

在t5时段，第一晶体管T1打开，数据线DT向第三晶体管T3的栅极写入数据电压，由于感测阶段，该发光器件所在的像素行不发光，会导致显示时出现一条暗线，因此t4阶段结束后，立即写入一个数据电压，让该行像素发光，降低暗线对显示效果的影响。

在t6时段，第一晶体管T1和第二晶体管T2关闭，发光器件发光。

上述t5和t6时段是针对开机补偿增加的时序，关机补偿中不需要这两个阶段。

本公开的发明人发现，在利用上述像素驱动电路驱动发光器件发光时，即使输入同样的数据电压，在距离电源线Vss较近和较远的位置，发光器件两端（即阳极和阴极）的电压差不同，即产生压降（IRdrop）现象，因此使得显示基板中不同子像素的显示颜色存在差异，影响了显示面板显示效果的均一性。

例如，对于顶发射型显示基板来说，其发光器件的阴极通常采用较薄的半透明金属材料形成，使得在距离电源线Vss较远和较近的位置，不同子像素的发光器件的阴极接收到的电源线Vss传输的电源电压的差异较大，进而加重了显示基板中不同子像素的显示颜色存在的差异，影响显示面板显示效果的均一性。

本公开至少一实施例提供一种显示基板及其制备方法，该显示基板包括衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第一电极层、发光材料层、含碳结构层以及第二电极层；第一金属层设置在衬底基板上，包括至少一个辅助电极图案，第一绝缘层设置在第一金属层的远离衬底基板的一侧，包括暴露部分至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔，第一电极层设置在第一绝缘层的远离衬底基板的一侧，发光材料层设置在第一电极层的远离衬底基板的一侧，第一电极层和发光材料层包括暴露部分至少一个辅助电极图案且与至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔，含碳结构层至少部分设置在至少一个第二过孔中，第二电极层设置在发光材料层和含碳结构层的远离衬底基板的一侧，第二电极层通过含碳结构层与至少一个辅助电极图案电连接，靠近第二过孔中部的第一金属层的靠近衬底基板的表面与第二电极层的远离衬底基板的表面距离为d1，含碳结构层的平均碳氧比为c1，靠近第二过孔边缘的第一金属层的靠近衬底基板的表面与第二电极层的远离衬底基板的表面距离为d2，含碳结构层的平均碳氧比为c2，则：d1＜d2，c1＞c2。

本公开实施例提供的显示基板中，通过设置与第二电极层并联的辅助电极图案，可以降低第二电极层的传输电阻，通过设置第二电极层与辅助电极图案之间的含碳结构层，可以降低第二电极层与辅助电极图案的接触电阻，从而进一步降低第二电极层的传输电阻，通过设计在第二过孔不同位置处以及结构的不同厚度处含碳结构层的平均碳氧比，可以进一步保证辅助电极图案与第二电极层的粘附性，降低第二电极层与辅助电极图案的接触电阻，提高显示基板的显示均一性。

下面通过几个具体的实施例对本公开的显示基板及其制备方法进行说明。

本公开至少一实施例提供一种显示基板，图2示出了该显示基板的部分截面示意图，如图2所示，该显示基板包括衬底基板10、第一金属层M1、第一绝缘层11、第一电极层E1、发光材料层EL、含碳结构层C以及第二电极层E2。

如图2所示，第一金属层M1设置在衬底基板10上，包括至少一个辅助电极图案AE，例如包括阵列排布的多个辅助电极图案AE，图2中示出一个辅助电极图案AE作为示例。第一绝缘层11设置在第一金属层M1的远离衬底基板10的一侧，包括暴露上述至少一个辅助电极图案AE的至少一个第一过孔V1。第一电极层E1设置在第一绝缘层11的远离衬底基板10的一侧，发光材料层EL设置在第一电极层E1的远离衬底基板10的一侧，第一电极层E1和发光材料层EL包括暴露至少一个辅助电极图案AE且与至少一个第一过孔V1贯通的至少一个第二过孔V2。

例如，含碳结构层C设置在至少一个第二过孔V2中。含碳结构层C可以为包括碳元素的材料，例如活性炭，石墨烯，碳纳米管等，其方阻可以在0.01Ω/sq到500Ω/sq之间。例如，辅助电极图案AE的方阻小于第二电极层E2的方阻。例如，在垂直于衬底基板10的板面的方向上，辅助电极层AE的厚度大于第二电极层E2的厚度。第二电极层E2设置在发光材料层EL和含碳结构层C的远离衬底基板10的一侧，以使得第二电极层E2通过含碳结构层C与至少一个辅助电极图案AE电连接，由此第二电极层E2与含碳结构层C并联，可以降低第二电极层E2的传输电阻，降低第二电极层E2的压降（IRdrop）现象。

例如，在一些实施例中，如图2所示，含碳结构层C可以设置在第二过孔V2的中间位置；或者，在另一些实施例中，如图3所示，含碳结构层C还可以设置在第二过孔V2的侧壁，此时，含碳结构层C包括与辅助电极图案AE接触的第一部分C1以及位于第二过孔V2的侧壁的第二部分C2，该设置可以增大含碳结构层C与第二电极层E2的接触面积，以进一步降低第二电极层E2的传输电阻。

例如，如图3所示，靠近第二过孔V2中部的第一金属层M1的靠近衬底基板10的表面与第二电极层E2的远离衬底基板10的表面距离为d1，此处的含碳结构层C的平均碳氧比为c1，靠近第二过孔V2边缘的第一金属层M1的靠近衬底基板10的表面与第二电极层E2的远离衬底基板的表面距离为d2，此处的含碳结构层C的平均碳氧比为c2，则：

d1＜d2，c1＞c2。

本公开的实施例中，一个结构的碳氧比指的是该结构的材料中所含的碳元素与氧元素的量的比值；一个结构的平均碳氧比指的是该结构在各个位置处的平均碳氧比的平均值。

例如，在一些实施例中，第一金属层M1的靠近衬底基板10的表面与第二电极层E2的远离衬底基板10的表面的距离越大，该处的含碳结构层C的平均碳氧比越低，由此可以保证辅助电极图案AE与第二电极层E2有较好的搭接效果，并且含碳结构层C靠近第二过孔V2中心的部分比靠近第二过孔V2边缘的部分的导电率高，可有效提高第二电极层E2的导电性，降低第二电极层E2的压降（IRdrop）。

例如，在一些实施例中，c1*d1>c2*d2。由于第一过孔V1的边缘存在较大的段差，此处存在膜层断裂的风险，因此需要对含碳结构层C的碳氧比进行精细调控，通过使c1*d1>c2*d2，可以进一步保证辅助电极图案AE与第二电极层E2的粘附性，降低辅助电极图案AE与第二电极层E2的接触电阻，提高显示基板的显示均一性，例如有效提高大尺寸显示基板的显示均一性。

例如，在一些实施例中，20*c2*d2>c1*d1>3*c2*d2。例如，在一些示例中，10*c2*d2>c1*d1>5*c2*d2, 在一些示例中，5*c2*d2>c1*d1>2*c2*d2。上述参数设计有助于进一步提高大尺寸显示基板的显示均一性。

例如，在一些实施例中，含碳结构层C的平均碳氧比大于1.3:1小于10:1，例如为2:1、3:1、5:1或者8:1等。此时，含碳结构层C具有较高的导电性，并可有效降低辅助电极图案AE与第二电极层E2的接触电阻。例如，在一些示例中，含碳结构层C靠近第二过孔V2中心的部分的平均碳氧比可以为7:1、8:1或者9:1等，含碳结构层C靠近第二过孔V2边缘的部分的平均碳氧比可以为3:1、4:1或者5:1等。

例如，在另一些实施例中，含碳结构层C的平均碳氧比大于3:1小于11:1；或者，含碳结构层C的平均碳氧比大于4:1小于12:1；或者，含碳结构层C的平均碳氧比大于5:1小于13:1；或者，含碳结构层C的平均碳氧比大于6:1小于15:1；或者，含碳结构层C的平均碳氧比大于7:1小于20:1等。这些参数设计均有助于降低辅助电极图案AE与第二电极层E2的接触电阻。

例如，图4示出了辅助电极图案、第一过孔与第二过孔的平面示意图。如图4所示，第一过孔V1在衬底基板10上的正投影位于辅助电极图案AE在衬底基板10上的正投影内，第二过孔V2在衬底基板10上的正投影位于第一过孔V1在衬底基板10上的正投影内。例如，含碳结构层C的第一部分C1在衬底基板10上的正投影位于第二过孔V2在衬底基板10上的正投影内。

例如，如图4所示，含碳结构层C在衬底基板10上的正投影的面积小于辅助电极图案AE在衬底基板10上的正投影的面积。由此可减少含碳结构层在制作过程中产生的颗粒物对显示基板的其他区域产生不良影响。

例如，在一些实施例中，如图4所示，第二过孔V2的至少部分边缘呈锯齿形，例如在图4中示出为第二过孔V2的相对两个边缘（图中的左右边缘）呈锯齿形，在其他实施例中，也可以是第二过孔V2的一个边缘或者全部边缘呈锯齿形，本公开的实施例对此不做具体限定。

本公开的实施例中，第二过孔V2的至少部分边缘呈锯齿形可以增大含碳结构层C的第二部分C2与第二电极层E2的接触面积，从而进一步降低第二电极层E2的传输电阻。

例如，在一些实施例中，如图4所示，第一过孔V1在辅助电极图案AE上的正投影的轮廓包括n个拐点，例如图中虚线圈圈出的部分，第二过孔V2在辅助电极图案AE上的正投影的轮廓包括m个拐点，例如图中虚线圈圈出的部分，则：m>n>0。由此，第二过孔V2相对于第一过孔V1来说更不规则，因此第二过孔V2与含碳结构层C的第二部分C2的接触面积更大。

例如，在一些实施例中，如图4所示，含碳结构层C在衬底基板10上的正投影的面积为S1，平均碳氧比为Cs1，第一过孔V1不包括含碳结构层C的区域的发光材料层EL在衬底基板10上的正投影面积为S2，平均碳氧比为Cs2，则：

碳氧匹配系数k=S2* Cs2/S1*Cs1, 0<k<2/3。

例如，在一些示例中，0<k<0.2。例如，在一些示例中，k 可以为0.05、0.1、0.2、0.3、0.4或者0.5等。由此，可以充分利用第一过孔的空间来设置含碳结构层C，以降低第二电极层E2的传输电阻，降低第二电极层E2的压降，提高显示基板的显示均一性。

例如，图5示出了显示基板的另一部分截面示意图，如图5所示，在一些实施例中，辅助电极图案AE包括向远离衬底基板10的方向突出的第一凸起部AE1，第一凸起部AE1在衬底基板10正的正投影位于第二过孔V2在衬底基板10正的正投影内。例如，在一些实施例中，辅助电极图案AE被第二过孔V2暴露的部分为第一凸起部AE1。

例如，在一些实施例中，如图5所示，在垂直于衬底基板10的板面的方向上，即图中的竖直方向上，第一凸起部AE1的厚度为d3’, 辅助电极图案AE的除第一凸起部AE1外的部分的厚度为d3，则：d3>d3’。

例如，在一些实施例中，如图5所示，显示基板还可以包括层间绝缘层13，层间绝缘层13设置在衬底基板10与第一金属层M1之间，层间绝缘层13包括向远离衬底基板10的方向突出的第二凸起部131，第一凸起部AE1设置在第二凸起部131的远离衬底基板10的一侧。

例如，层间绝缘层13与第一凸起部AE1接触的部分为第二凸起部131；在垂直于衬底基板10的板面的方向上，即图中的竖直方向上，第二凸起部131的厚度为d4’, 层间绝缘层13的除第二凸起部131外的部分的厚度为d4，则：d4<d4’。

由于在显示基板的制备过程中，在形成暴露辅助电极图案AE的第二过孔V2时，辅助电极图案AE容易出现下凹结构，使得辅助电极图案AE容易在第二过孔V2处发生断裂，通过将与辅助电极图案AE接触的层间绝缘层13在第二过孔处V2设置为凸起结构，辅助电极图案AE也相应地具有凸起结构，由此可避免辅助电极图案AE发生断裂等不良现象，并提高辅助电极图案AE与含碳结构层C的接触效果。

例如，在一些实施例中，第一凸起部AE1的厚度d3’、 辅助电极图案AE的除第一凸起部AE1外的部分的厚度d3、第二凸起部131的厚度d4’以及层间绝缘层13的除第二凸起部131外的部分的厚度d4存在如下关系：

(d3-d3’)/d3> (d4’-d4)/d4；且

(d3+d4- (d3’+d4’))/(d3+d4)<0.02。

当辅助电极图案AE和层间绝缘层13的凸起部的设置满足以上关系时，辅助电极图案AE、含碳结构层C以及第二电极层E2之间的搭接效果更佳，以在更大程度上降低第二电极层E2的传输电阻。

例如，在一些实施例中，如图5所示，层间绝缘层13的靠近衬底基板10的表面为平坦表面。

例如，在一些实施例中，如图5所示，辅助电极图案AE在第二过孔V2的边缘包括第一坡部P1，层间绝缘层13在第二过孔V2的边缘包括第二坡部P2，第一坡部P1的长度小于第二坡部P2的长度。

本公开的实施例中，一个结构的坡部的长度指的是该结构从一个平面爬坡到另一个平面时，爬坡部分在截面图中呈现的曲线的长度，例如在图5所示的截面图中，第一坡部P1的长度为P1所指的弧线的长度，第二坡部P2的长度为P2所指的弧线的长度。

例如，在一些实施例中，第二坡部P2的坡度角a1大于第一坡部P1的坡度角a2，此时，第一坡部P1的爬坡更缓，以利于提高辅助电极图案AE与含碳结构层C的搭接效果。

例如，在一些实施例中，如图5所示，显示基板还可以包括第二绝缘层12，第二绝缘层12位于第一金属层M1和第一绝缘层11之间，第二过孔V2贯穿第二绝缘层12，第一电极层E1通过第一绝缘层11的第一过孔V1与第二绝缘层12接触。

例如，在一些实施例中，如图5所示，第二坡部P2的坡度角a1还大于第一绝缘层11在第一过孔V1处的坡度角a3，且大于第二绝缘层12在第二过孔V2处的坡度角a4。此时，第一绝缘层11在第一过孔V1处的坡度角a3和第二绝缘层12在第二过孔V2处的坡度角a4均较缓，以利于含碳结构层C形成在第二过孔V2的侧壁，并进一步提高含碳结构层C与第二电极层E2之间的搭接效果。

例如，显示基板的显示区包括阵列排布的多个发光子像素，每个发光子像素包括发光器件以及驱动发光器件的像素驱动电路，该像素驱动电路例如采用如图1A所示的3T1C像素驱动电路。

例如，图6示出了该显示基板的一个发光子像素的像素驱动电路的部分截面示意图，如图6所示，该像素驱动电路包括晶体管T（例如为薄膜晶体管，实现为图1A所示的3T1C像素驱动电路中的第三晶体管T3）和存储电容，晶体管T包括设置在衬底基板10上的有源层AT、设置在有源层AT远离衬底基板10一侧的栅极GT以及设置在栅极GT的远离衬底基板10一侧的源极层S和漏极层D，源极层S和漏极层D分别与有源层AT电连接。存储电容包括第一极板和第二极板。例如，源极层S和漏极层D、第二极板的至少部分设置在第一金属层M1中，即与辅助电极图案AE同层设置，第二绝缘层12设置在源极层S和漏极层D的远离衬底基板10的一侧。例如，在图6所示的示例中，漏极层D可以复用为第二极板的至少部分。

在本公开的实施例中，“同层设置”为两个功能层或结构层在显示基板的层级结构中同层且同材料形成，即在制备工艺中，该两个功能层或结构层可以由同一个材料层形成，且可以通过同一构图工艺形成所需要的图案和结构。

例如，在一些实施例中，如图6所示，显示基板还可以包括设置在衬底基板10与有源层AT之间的遮光金属层SL以及与栅极GT同层设置的栅金属图案GP，遮光金属层SL可以为有源层AT遮光，避免外界光对晶体管T的正常工作造成不良影响。例如，栅金属图案GP在衬底基板10上的正投影与遮光金属层SL在衬底基板10上的正投影至少部分重叠，且与源极层S或漏极层D（图中示出为与漏极层D）在衬底基板10上的正投影至少部分重叠。由此，漏极层D与栅金属图案GP构成第一子电容Cst1，遮光金属层SL与栅金属图案GP构成第二子电容Cst2。结合图1A，栅金属图案GP构成3T1C像素驱动电路中存储电容的第一极板ACT，遮光金属层SL和漏极层D分别构成存储电容的第二极板SHL和SD。

例如，如图6所示，每个发光子像素包括的发光器件EM包括位于第一电极层E1中的第一电极E11、位于发光材料层EL中的发光层EL0以及位于第二电极层E2中的第二电极E21。第一电极E11与晶体管T的源极层S或者漏极层D（图6中示为与漏极层电连接）电连接。例如，在一些实施例中，每个发光子像素的发光器件EM的第二电极E21为一体连接的结构，例如，第二电极层E2为在衬底基板10上形成的整面结构。例如，第一电极E11可以为发光器件EM的阳极，第二电极E21可以为发光器件EM的阴极。

例如，第一绝缘层11还具有暴露第二极板的至少部分（例如漏极层D部分）的第三过孔V3，在平行于衬底基板10的板面的方向上，辅助电极图案AE的最大宽度大于第三过孔V3的最大宽度。例如，第二过孔V2在辅助电极图案AE上的正投影的轮廓的周长大于第三过孔V3在第二极板上的正投影的周长。

例如，如图4和6所示，显示基板还可以包括设置在遮光金属层SL与有源层AT之间的缓冲层15，辅助电极图案AE的远离衬底基板10的表面与缓冲层15的远离衬底基板10的表面的最大距离d5，大于源极层S和漏极层D的远离衬底基板10的表面与缓冲层15的远离衬底基板10的表面的最大距离d6。

例如，如图6所示，显示基板还可以包括像素界定层14，像素界定层14具有暴露发光器件EM的第一电极E11的子像素开口141，子像素开口141限定了发光器件EM（或者发光子像素）的发光区域。例如，显示基板还可以包括封装层EN，封装层EN可以包括第一封装子层EN1、第二封装子层EN2以及第三封装子层EN3，以构成复合封装层。例如，第一封装子层EN1和第三封装子层EN3为无机封装层，第二封装子层EN2为有机封装层，以实现更好的封装效果。

例如，图7示出了图6中的显示基板在虚线圈及其周边位置的放大示意图，如图7所示，第二绝缘层12具有暴露辅助电极图案的第一子过孔（即第二过孔V2的一部分）和暴露源极层S或者漏极层D（图6中示出的情况）的第二子过孔121，结合图5和图7，第二绝缘层12在第一子过孔处具有第三坡部P3，例如第一子过孔由第三坡部P3围绕形成，第二绝缘层12在第二子过孔121处具有第四坡部P4，例如第二子过孔121由第四坡部P4围绕形成，例如，第三坡部P3的坡度角，即坡度角a4大于第四坡部P4的坡度角a5。

本公开的实施例中，由于第一电极E11通过第四坡部P4形成的第二子过孔121与晶体管T的漏极层D电连接，由于在该第二子过孔121处，没有设置含碳结构层C，通过将第四坡部P4做得较缓，即比第三坡部P3更为平坦，可以保证第一电极E11与漏极层D有更好的电连接效果。

例如，在一些实施例中，结合图5和图7，在垂直于衬底基板10的板面的方向上，即图中的竖直方向上，发光材料层EL具有与第三坡部P3重叠的第一发光材料部分EL1（即发光材料层EL的靠近第二过孔V2的部分）以及与第四坡部P4重叠的第二发光材料部分EL2，第一发光材料部分EL1的厚度小于第二发光材料部分EL2的厚度。由于第四坡部P4处的第二发光材料部分EL2夹置在第一电极E11与第二电极E21之间，用于发光，通过将第二发光材料部分EL2设置的较厚，可以保证发光器件EM在该位置有更高的发光亮度，提高发光器件EM的寿命。

例如，在一些实施例中，显示基板包括交替排布的发光像素列和透明像素列，由此可以实现透明显示效果。例如，辅助电极图案AE可以设置在透明像素列中。例如，图8示出了发光像素列和透明像素列的平面示意图。如图8所示，发光像素列包括多个发光像素单元，每个发光像素单元包括多个发光子像素，图中示出四个发光子像素R/G/B/W作为示例。透明像素列包括多个透明像素单元，多个透明像素单元由栅线GL和发光像素列的边界限定，多个透明像素单元的每个包括一个透明子像素O。

例如，如图8所示，多个透明像素单元和多个发光像素单元沿列方向错位排列。例如，栅线GL在相邻的发光像素列之间具有凹陷部，以使得由栅线GL限定的多个透明像素单元沿列方向与多个发光像素单元错位排列。由此可以有效降低金属线（例如栅线GL）衍射效应对显示效果的影响。

例如，在一些实施例中，每相邻的两列发光像素单元之间具有一列透明像素单元，每相邻的两列透明像素单元之间具有一列发光像素单元。例如，多个发光子像素基本呈方形排列，透明子像素O向发光子像素的方向凹入，即透明子像素O的边缘为非直线形，并向发光子像素的方向凹入。由此可以有效的提高显示基板的光透过率，进而提高显示基板的透明显示效果。

例如，在一些实施例中，如图8所示，每个发光像素单元包括四个子像素，即一个红色子像素R、一个绿色子像素G、一个蓝色子像素B和一个白色子像素W。例如，红色子像素E与蓝色子像素B位于同一行，绿色子像素G与白色子像素W位于同一行。例如，在发光像素单元发出的光达到白平衡时，亮度高的像素行的发光区域的面积小于亮度低的像素行的发光区域的面积。例如，在一些示例中，在发光像素单元发出的光达到白平衡时，亮度满足：绿色子像素G的亮度>红色子像素R的亮度>蓝色子像素B的亮度。

例如，在一些实施例中，红色子像素R的发光区域R1与蓝色子像素B的发光区域B1的面积之和大于绿色子像素G的发光区域G1与白色子像素W的发光区域W1的面积之和。

需要注意的是，上述各发光子像素的发光区域由像素界定层14的子像素开口141限定，图8中示出的各发光子像素的发光区域均为矩形，这只是示意性的，在一些实施例中，发光区域的形状还可以是五边形、六边形等多边形或者一些不规则图形等，各发光子像素的发光区域的形状可以相同也可以不同，本公开的实施例对发光区域的具体形式不做限定。

例如，在一些实施例中，辅助电极图案AE设置在红色子像素R与蓝色子像素B所在的行中。本公开的实施例中，通过将辅助电极图案设置在发光区域的面积更大的像素行中，可以进一步降低该行发光子像素的第二电极的传输电阻，降低压降，提高显示均一性。

例如，在一些实施例中，如图8所示，红色子像素R与白色子像素W位于同一列，绿色子像素G与蓝色子像素B位于同一列，红色子像素R与白色子像素W的发光区域的面积之和大于绿色子像素G与蓝色子像素B的发光区域的面积之和。例如，在一些实施例中，蓝色子像素B的发光区域的面积>红色子像素R的发光区域的面积>绿色子像素G的发光区域的面积，白色子像素W的发光区域的面积可以根据需要进行选择，例如，白色子像素W的发光区域的面积＞蓝色子像素B的发光区域的面积。

例如，图9示出了发光器件的第一电极的平面示意图。如图9所示，至少部分（例如每个）发光器件EM的第一电极E11可以包括第一子电极ES1和第二子电极ES2，第一子电极ES1和第二子电极ES2通过导电结构ES3电连接，导电结构ES3通过第二子过孔121与源极层S或者漏极层D电连接，在平行于衬底基板10的板面的方向上，第二子过孔121位于第一子电极ES1和第二子电极ES2之间。

本公开的实施例中，通过将一个第一电极E11分为电连接的两个子电极可以进一步提高显示基板的透明显示效果。

例如，如图9所示，在平行于衬底基板10的板面的方向上，第一子电极ES1至少包括首尾依次相接的第一边B1、第二边B2、第三边B3、第四边B4和第五边B5，第一边B1、第二边B2、第三边B3、第四边B4和第五边B5中的至少一个为直边，另一部分边可以为折线边或者曲线边等。例如，在一些示例中，至少相邻的第一边B1和第二边B2为直边，另一部分边可以为折线边或者曲线边等。

例如，第一边B1、第二边B2、第三边B3、第四边B4和第五边B5的边长依次为L1、L2、L3、L4和L5，则：

（L3+L4+L5）²>（L1）²+（L2）²。

例如，如图9所示，该示例中，第一边B1、第二边B2、第三边B3和第五边B5为直边，且相邻的两条边之间的夹角为90度，第四边B4为折线边，折线部分的夹角也为90度。

例如，如图9所示，在平行于衬底基板10的板面的方向上，第二子电极ES2至少包括首尾依次相接的第六边B6、第七边B7、第八边B8、第九边B9和第十边B10，第六边B6、第七边B7、第八边B8、第九边B9和第十边B10中的至少一个为直边，另一部分边可以为折线边或者曲线边等。例如，在一些示例中，至少相邻的第六边B6和第七边B7为直边，另一部分边可以为折线边或者曲线边等。

例如，第六边B6、第七边B7、第八边B8、第九边B9和第十边B10的边长依次为L6、L7、L8、L9和L10，则：

（L8+L9+L10）²>（L6）²+（L7）²。

例如，如图9所示，该示例中，第六边B6、第七边B7和第九边B9为直边，第八边B8和第十边B10为折线边，且相邻的两条边之间的夹角为90度，折线边的折线部分的夹角也为90度。

通过上述设置，第一子电极ES1和第二子电极ES2的边缘更无序化，由此可以降低金属结构衍射效应对显示基板的显示效果的影响。

本公开的实施例中，显示基板还可以包括其他结构，具体可以参考相关技术，这里不再赘述。

例如，本公开的实施例中，衬底基板10可以包括聚酰亚胺（PI）等柔性绝缘材料或者玻璃基板等刚性绝缘材料。例如，在一些示例中，衬底基板10可以为多个柔性层和多个阻挡层交替设置的叠层结构。此时，柔性层可以包括聚酰亚胺，阻挡层可以包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。例如，遮光金属层SL可以采用铜、铝或者钼等金属材料或其合金材料。例如，缓冲层15可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。

例如，有源层AT可以采用多晶硅和金属氧化物（例如IGZO）等材料，栅绝缘层GI可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料，栅极GT可以采用铜、铝、钛、钴等金属材料，例如可以形成为单层结构或者多层结构，例如钛/铝/钛、钼/铝/钼等多层结构，第一绝缘层11和像素界定层14可以采用聚酰亚胺、树脂等有机绝缘材料，第二绝缘层12和层间绝缘层13可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料，源极层S和漏极层D以及辅助电极图案AE可以采用铜、铝、钛、钴等金属材料，例如可以形成为单层结构或者多层结构，例如钛/铝/钛、钼/铝/钼等多层结构，第一电极层E1例如包括ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。发光材料层EL的材料可以为有机发光材料，例如，发光材料层EL的材料可根据需求选择可发出某一颜色光（例如红光、蓝光或者绿光等）的发光材料。第二电极层E2例如包括Mg、Ca、Li或Ag等金属或其合金，或者IZO、ZTO等金属氧化物，又或者PEDOT/PSS（聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐）等具有导电性能有机材料。本公开的实施例对各个功能层的材料不做具体限定。

本公开至少一实施例提供一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成第一金属层，第一金属层包括至少一个辅助电极图案；在第一金属层的远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层，并在第一绝缘层中形成暴露至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔；在第一绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一电极层；在第一电极层的远离衬底基板的一侧形成发光材料层，并在第一电极层和发光材料层中形成暴露至少一个辅助电极图案且与至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔；在至少一个第二过孔中形成含碳结构层；在发光材料层的远离衬底基板的一侧形成第二电极层，第二电极层通过含碳结构层与至少一个辅助电极图案电连接。例如，靠近第二过孔中部的第一金属层的靠近衬底基板的表面与第二电极层的远离衬基板的表面距离为d1，含碳结构层的平均碳氧比为c1，靠近第二过孔边缘的第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与第二电极层的远离衬基板的表面距离为d2，含碳结构层的平均碳氧比为c2，则：

d1＜d2，c1＞c2。

例如，在一些实施例中，c1*d1>c2*d2。例如，含碳结构层C的平均碳氧比大于2:1小于10:1，例如为3:1、5:1或者8:1等。对于含碳结构层C以及显示基板的更多结构和设置，可以参见上述实施例，在此不再赘述。

下面，结合图10A-图11B对本公开实施例提供的显示基板的制备方法进行详细说明。

如图10A和图10B所示，首先在衬底基板10上沉积遮光金属材料层，然后对遮光金属材料层进行构图工艺以形成遮光金属层SL。例如，遮光金属材料层可以采用铜、铝或者钼等金属材料或其合金材料，沉积厚度可以为200nm-600nm。

本公开的实施例中，一次构图工艺可以包括光刻胶的形成、曝光、显影以及刻蚀等工艺。

然后，沉积缓冲层15，缓冲层15可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等材料，沉积厚度可以为300nm-500nm。

之后，沉积有源材料层，并对有源材料层进行构图工艺以形成有源层AT。例如，有源材料层可以采用多晶硅和金属氧化物（例如IGZO）等材料，沉积厚度可以为30nm-50nm。

之后，沉积栅绝缘材料层以及栅金属层，并可以采用自对准工艺对栅绝缘材料层以及栅金属层进行图案化以形成栅极、栅金属图案和栅极绝缘层。例如，对栅绝缘材料层以及栅金属层进行同一构图工艺以形成栅极、栅金属图案和栅极绝缘层，从而形成的栅极和栅金属图案与栅极绝缘层具有基本相同的图案。例如，栅绝缘层GI 可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料，沉积厚度可以为100nm-160nm。栅金属层可以采用铜、铝、钛、钴等金属材料或其合金材料，例如可以形成为单层结构或者多层结构，例如钼/铝双层结构，此时，钼的沉积厚度为30nm-60nm，铜的沉积厚度为 300 nm-500 nm。

之后，沉积层间绝缘材料层，并对层间绝缘材料层进行构图工艺以形成层间绝缘层13，层间绝缘层13具有暴露有源层AT的多个过孔。例如，层间绝缘层13可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料，沉积厚度可以为400 nm -600 nm。

之后，沉积第一金属材料层，并对第一金属材料层进行构图以形成第一金属层M1，第一金属层M1包括辅助电极图案AE以及源极层S和漏极层D等，源极层S和漏极层D通过层间绝缘层13中的过孔与有源层AT电连接。例如，第一金属材料层可以采用铜、铝、钛、钴等金属材料或其合金材料，例如可以形成为单层结构或者多层结构，例如形成MoTi/Cu/MoTi三层结构等，此时，MoTi合金的沉积厚度可以为30nm-60nm,，铜的沉积厚度可以为 300nm-600nm，该三层结构可以减少后续激光工艺对辅助电极图案AE的影响，稍后介绍。

之后，如图11A和图11B所示，沉积第二绝缘材料层，并对第二绝缘材料层进行构图工艺以形成第二绝缘层12，第二绝缘层12包括暴露辅助电极图案AE的第一子过孔和暴露漏极层D的第二子过孔。第二绝缘层12可以作为钝化层，其材料可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料，沉积厚度可以为300 nm -5000 nm。

之后，沉积第一绝缘材料层，并对第一绝缘材料层进行构图工艺以形成第一绝缘层11，第一绝缘层11具有暴露辅助电极图案AE的第一过孔V1。第一绝缘层11可以作为平坦层，其材料可以采用聚酰亚胺、树脂等有机绝缘材料，沉积厚度可以为1000nm-3000nm。

之后，沉积第一电极材料层，并对第一电极材料层进行构图工艺以形成第一电极层E1，第一电极层E1包括第一电极E11以及第一电极E11外的其他部分，该其他部分具有暴露辅助电极图案AE的子过孔。例如，第一电极材料层可以采用ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金，沉积厚度可以为80 nm -150 nm。

之后，沉积像素界定材料层，并对像素界定材料层进行构图工艺以形成像素界定层14，像素界定层14具有暴露第一电极E11的多个子像素开口以及暴露辅助电极图案AE的子过孔。例如，像素界定材料层可以采用聚酰亚胺、树脂等有机绝缘材料，沉积厚度可以为500 nm -2000 nm。

之后，蒸镀有机发光材料层，并采用激光烧蚀工艺对有机发光材料层进行处理，以形成有机发光层EL，有机发光层EL包括暴露出辅助电极图案AE的子过孔。

例如，层间绝缘层13的第一子过孔、第一电极层E1的子过孔、像素界定层的子过孔以及有机发光层EL的子过孔相互贯通以形成暴露辅助电极图案AE的第二过孔V2。例如，有机发光材料层可根据需求选择可发出某一颜色光（例如红光、蓝光或者绿光等）的发光材料，蒸镀厚度可以为200 nm -500 nm。

之后，在第二过孔V2中制备含碳结构层C，含碳结构层C具有与辅助电极图案AE接触的第一部分C1以及位于第二过孔V2侧壁的第二部分C2。例如，含碳结构层C的形成厚度可以为200 nm -500 nm。

之后，沉积第二电极层E2，例如，第二电极层E2可以整面沉积在有机发光层EL上。例如，第二电极层E2可以采用Mg、Ca、Li或Ag 等金属材料或其合金材料，沉积厚度为30 nm-150 nm。

之后，可以沉积封装层EN等其他功能层，具体可以参考相关技术，本公开的实施例对此不再赘述。

还有以下几点需要说明：

（1）本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

（2）为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

（3）在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (54)

1.一种显示基板，包括：

衬底基板，

第一金属层，设置在所述衬底基板上，包括至少一个辅助电极图案，

第一绝缘层，设置在所述第一金属层的远离所述衬底基板的一侧，包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔，

第一电极层，设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，

发光材料层，设置在所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一电极层和所述发光材料层包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案且与所述至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔，

含碳结构层，至少部分设置在所述至少一个第二过孔中，

第二电极层，设置在所述发光材料层和所述含碳结构层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第二电极层通过所述含碳结构层与所述至少一个辅助电极图案电连接，

靠近所述第二过孔中部的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d1，所述含碳结构层的平均碳氧比为c1，

靠近所述第二过孔边缘的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d2，所述含碳结构层的平均碳氧比为c2，则：

d1＜d2，c1＞c2。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，

c1*d1>c2*d2。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，

20*c2*d2>c1*d1>3*c2*d2。

4.根据权利要求1-3任一所述的显示基板，其中，所述含碳结构层的平均碳氧比大于1.3:1小于10:1。

5.根据权利要求1-3任一所述的显示基板，其中，所述含碳结构层在所述衬底基板上的正投影的面积小于所述辅助电极图案在所述衬底基板上的正投影的面积。

6.根据权利要求1-3任一所述的显示基板，其中，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述辅助电极图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影内。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述含碳结构层包括与所述辅助电极图案接触的第一部分以及位于所述第二过孔的侧壁的第二部分，

所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影内。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第二过孔的至少部分边缘呈锯齿形。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第一过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓包括n个拐点，所述第二过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓包括m个拐点，则：

m>n>0。

10.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述含碳结构层在所述衬底基板上的正投影的面积为S1，平均碳氧比为Cs1，所述第一过孔不包括所述含碳结构层的区域的发光材料层在所述衬底基板上的正投影面积为S2，平均碳氧比为Cs2，则：

碳氧匹配系数k=S2* Cs2/S1*Cs1, 0<k<2/3。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其中，

0<k<0.2。

12.根据权利要求1-3任一所述的显示基板，其中，所述辅助电极图案包括向远离所述衬底基板的方向突出的第一凸起部，所述第一凸起部在所述衬底基板上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影内。

13.根据权利要求12所述的显示基板，还包括：

第二绝缘层，位于所述第一金属层和第一绝缘层之间，

其中，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第一电极层通过所述第一绝缘层的所述第一过孔与所述第二绝缘层接触。

14.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述辅助电极图案被所述第二过孔暴露的部分为所述第一凸起部。

15.根据权利要求14所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一凸起部的厚度为d3’, 所述辅助电极图案的除所述第一凸起部外的部分的厚度为d3，则：

d3>d3’。

16.根据权利要求14所述的显示基板，还包括：

层间绝缘层，设置在所述衬底基板与所述第一金属层之间，

其中，所述层间绝缘层包括向远离所述衬底基板的方向突出的第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述第二凸起部的远离所述衬底基板的一侧。

17.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述层间绝缘层与所述第一凸起部接触的部分为所述第二凸起部；

在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述第二凸起部的厚度为d4’, 所述层间绝缘层的除所述第二凸起部外的部分的厚度为d4，则：

d4<d4’。

18.根据权利要求17所述的显示基板，其中，

(d3-d3’)/d3> (d4’-d4)/d4；且

(d3+d4- (d3’+d4’))/(d3+d4)<0.02。

19.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述层间绝缘层的靠近所述衬底基板的表面为平坦表面。

20.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述辅助电极图案在所述第二过孔的边缘包括第一坡部，所述层间绝缘层在所述第二过孔的边缘包括第二坡部，

所述第一坡部的长度小于第二坡部的长度。

21.根据权利要求20所述的显示基板，其中，所述第二坡部的坡度角大于所述第一坡部的坡度角。

22.根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述第二坡部的坡度角大于所述第一绝缘层在所述第一过孔处的坡度角，且大于所述第二绝缘层在所述第二过孔处的坡度角。

23.根据权利要求21所述的显示基板，还包括像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括晶体管和存储电容，所述晶体管包括设置在所述衬底基板上的有源层、设置在所述有源层远离所述衬底基板一侧的栅极以及设置在所述栅极的远离所述衬底基板一侧的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层分别与所述有源层电连接，所述存储电容包括第一极板和第二极板，

所述源极层和所述漏极层、所述第二极板的至少部分设置在所述第一金属层中，所述第二绝缘层设置在所述源极层和漏极层的远离所述衬底基板的一侧。

24.根据权利要求23所述的显示基板，所述第一绝缘层还具有暴露所述第二极板的至少部分的第三过孔，

在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述辅助电极图案的最大宽度大于第三过孔的最大宽度。

25.根据权利要求24所述的显示基板，所述第二过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓的周长大于所述第三过孔在所述第二极板上的正投影的周长。

26.根据权利要求23所述的显示基板，还包括设置在所述衬底基板与所述有源层之间的遮光金属层以及与所述栅极同层设置的栅金属图案，

其中，所述栅金属图案在所述衬底基板上的正投影与所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，且与所述源极层或所述漏极层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，以构成所述存储电容。

27.根据权利要求26所述的显示基板，还包括设置在所述遮光金属层与所述有源层之间的缓冲层，

所述辅助电极图案的远离所述衬底基板的表面与所述缓冲层的远离所述衬底基板的表面的最大距离，大于所述源极层和所述漏极层的远离所述衬底基板的表面与所述缓冲层的远离所述衬底基板的表面的最大距离。

28.根据权利要求23所述的显示基板，其中，所述第二绝缘层具有暴露所述辅助电极图案的第一子过孔和暴露所述源极层或者所述漏极层的第二子过孔，

所述第二绝缘层在所述第一子过孔处具有第三坡部，在所述第二子过孔处具有第四坡部，所述第三坡部的坡度角大于所述第四坡部的坡度角。

29.根据权利要求28所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述发光材料层具有与第三坡部重叠的第一发光材料部分以及与所述第四坡部重叠的第二发光材料部分，

所述第一发光材料部分的厚度小于所述第二发光材料部分的厚度。

30.根据权利要求28所述的显示基板，还包括交替排布的发光像素列和透明像素列，

所述发光像素列包括多个发光像素单元，所述多个发光像素单元的每个包括多个发光子像素，

所述透明像素列包括多个透明像素单元，所述多个透明像素单元由栅线和所述发光像素列的边界限定，所述多个透明像素单元的每个包括一个透明子像素，

所述多个透明像素单元和所述多个发光像素单元沿列方向错位排列。

31.根据权利要求30所述的显示基板，其中，所述多个发光子像素基本呈方形排列，所述透明子像素向所述发光子像素的方向凹入。

32.根据权利要求30所述的显示基板，其中，所述多个发光像素单元的每个包括四个子像素，所述四个子像素包括一个红色子像素、一个绿色子像素、一个蓝色子像素和一个白色子像素，所述红色子像素与所述蓝色子像素位于同一行，所述绿色子像素与所述白色子像素位于同一行，

所述红色子像素与所述蓝色子像素的发光区域的面积之和大于所述绿色子像素与所述白色子像素的发光区域的面积之和。

33.根据权利要求32所述的显示基板，其中，所述红色子像素与所述白色子像素位于同一列，所述绿色子像素与所述蓝色子像素位于同一列，

所述红色子像素与所述白色子像素的发光区域的面积之和大于所述绿色子像素与所述蓝色子像素的发光区域的面积之和。

34.根据权利要求32所述的显示基板，其中，所述辅助电极图案设置在所述红色子像素与所述蓝色子像素所在的行中。

35.根据权利要求30所述的显示基板，其中，所述多个发光子像素的每个包括发光器件，所述发光器件包括位于所述第一电极层中的第一电极、位于所述发光材料层中的发光层以及位于所述第二电极层中的第二电极，

所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极和所述第二子电极通过导电结构电连接，

所述导电结构通过所述第二子过孔与所述源极层或者所述漏极层电连接，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第二子过孔位于所述第一子电极和所述第二子电极之间。

36.根据权利要求35所述的显示基板，其中，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一子电极至少包括首尾依次相接的第一边、第二边、第三边、第四边和第五边，所述第一边、第二边、第三边、第四边和第五边中的至少一个为直边。

37.根据权利要求36所述的显示基板，其中，所述第一边、第二边、第三边、第四边和第五边的边长依次为L1、L2、L3、L4和L5，则：

（L3+L4+L5）²>（L1）²+（L2）² _。

38.根据权利要求36所述的显示基板，其中，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第二子电极至少包括首尾依次相接的第六边、第七边、第八边、第九边和第十边，所述第六边、第七边、第八边、第九边和第十边中的至少一个为直边。

39.根据权利要求38所述的显示基板，其中，所述第六边、第七边、第八边、第九边和第十边的边长依次为L6、L7、L8、L9和L10，则：

（L8+L9+L10）²>（L6）²+（L7）² _。

40.一种显示基板，包括：

衬底基板，

层间绝缘层，设置在所述衬底基板上，

第一金属层，设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，包括至少一个辅助电极图案，

第一绝缘层，设置在所述第一金属层的远离所述衬底基板的一侧，包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔，

第一电极层，设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，

发光材料层，设置在所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一电极层和所述发光材料层包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案且与所述至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔，

含碳结构层，至少部分设置在所述至少一个第二过孔中，

第二电极层，设置在所述发光材料层和所述含碳结构层的远离所述衬底基板的一侧，在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述至少一个辅助电极图案的厚度大于所述第二电极层的厚度；

其中，所述第二电极层通过所述含碳结构层与所述至少一个辅助电极图案电连接，所述辅助电极图案在所述第二过孔的边缘包括第一坡部，所述层间绝缘层在所述第二过孔的边缘包括第二坡部，所述第一坡部的长度小于第二坡部的长度。

41.根据权利要求40所述的显示基板，还包括：

第二绝缘层，位于所述第一金属层和第一绝缘层之间，

其中，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第一电极层通过所述第一绝缘层的所述第一过孔与所述第二绝缘层接触；

其中，所述第二坡部的坡度角大于所述第一坡部的坡度角，大于所述第一绝缘层在所述第一过孔处的坡度角，且大于所述第二绝缘层在所述第二过孔处的坡度角。

42.根据权利要求40所述的显示基板，其中，靠近所述第二过孔中部的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d1，所述含碳结构层的平均碳氧比为c1，

靠近所述第二过孔边缘的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d2，所述含碳结构层的平均碳氧比为c2，则：

c1*d1>c2*d2。

43.根据权利要求40所述的显示基板，其中，所述含碳结构层包括与所述辅助电极图案接触的第一部分以及位于所述第二过孔的侧壁的第二部分，

所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影内。

44.根据权利要求43所述的显示基板，其中，所述第二过孔的至少部分边缘呈锯齿形。

45.根据权利要求44所述的显示基板，其中，所述第一过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓包括n个拐点，所述第二过孔在所述辅助电极图案上的正投影的轮廓包括m个拐点，则：m>n>0。

46.根据权利要求40所述的显示基板，其中，所述含碳结构层在所述衬底基板上的正投影的面积为S1，平均碳氧比为Cs1，所述第一过孔不包括所述含碳结构层的区域的发光材料层在所述衬底基板上的正投影面积为S2，平均碳氧比为Cs2，则：

碳氧匹配系数k=S2* Cs2/S1*Cs1, 0<k<2/3。

47.一种显示基板，包括：

衬底基板，

第一金属层，设置在所述衬底基板上，包括至少一个辅助电极图案，

第一绝缘层，设置在所述第一金属层的远离所述衬底基板的一侧，包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔，

第一电极层，设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，

发光材料层，设置在所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一电极层和所述发光材料层包括暴露部分所述至少一个辅助电极图案且与所述至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔，

第二电极层，设置在所述发光材料层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第二电极层通过所述至少一个第二过孔与所述至少一个辅助电极图案电连接，

所述辅助电极图案包括向远离所述衬底基板的方向突出的第一凸起部，所述第一凸起部在所述衬底基板上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影内；

所述显示基板还包括：

层间绝缘层，设置在所述衬底基板与所述第一金属层之间，

其中，所述层间绝缘层包括向远离所述衬底基板的方向突出的第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述第二凸起部的远离所述衬底基板的一侧。

48.根据权利要求47所述的显示基板，还包括：

第二绝缘层，位于所述第一金属层和第一绝缘层之间，

其中，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第一电极层通过所述第一绝缘层的所述第一过孔与所述第二绝缘层接触。

49.根据权利要求48所述的显示基板，其中，所述辅助电极图案被所述第二过孔暴露的部分为所述第一凸起部。

50.根据权利要求48所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一凸起部的厚度为d3’, 所述辅助电极图案的除所述第一凸起部外的部分的厚度为d3，则：

d3>d3’。

51.根据权利要求47所述的显示基板，其中，所述层间绝缘层与所述第一凸起部接触的部分为所述第二凸起部；

在垂直于所述衬底基板的板面的方向上，所述第二凸起部的厚度为d4’, 所述层间绝缘层的除所述第二凸起部外的部分的厚度为d4，则：

d4<d4’。

52.根据权利要求51所述的显示基板，其中，

(d3-d3’)/d3> (d4’-d4)/d4；且

(d3+d4- (d3’+d4’))/(d3+d4)<0.02。

53.根据权利要求47所述的显示基板，其中，所述层间绝缘层的靠近所述衬底基板的表面为平坦表面。

54.一种显示基板的制备方法，包括：

提供衬底基板，

在所述衬底基板上形成第一金属层，其中，所述第一金属层包括至少一个辅助电极图案，

在所述第一金属层的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层中形成暴露部分所述至少一个辅助电极图案的至少一个第一过孔，

在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层，

在所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧形成发光材料层，并在所述第一电极层和所述发光材料层中形成暴露部分所述至少一个辅助电极图案且与所述至少一个第一过孔贯通的至少一个第二过孔，

在所述至少一个第二过孔中形成含碳结构层，

在所述发光材料层的远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层，其中，所述第二电极层通过所述含碳结构层与所述至少一个辅助电极图案电连接，

靠近所述第二过孔中部的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d1，所述含碳结构层的平均碳氧比为c1，

靠近所述第二过孔边缘的所述第一金属层的靠近所述衬底基板的表面与所述第二电极层的远离所述衬底基板的表面距离为d2，所述含碳结构层的平均碳氧比为c2，则：

d1＜d2，c1＞c2。

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