CN109599502A - 显示基板及其制备方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示基板，包括：衬底基板，衬底基板的一侧设置有第一电极、第一辅助电极和凸台，凸台背向衬底基板一侧的表面在衬底基板上的正投影与凸台在衬底基板上的正投影完全重叠，第一辅助电极包括附着于凸台的侧面上预定区域的第一导电连接部；第一电极背向衬底基板的一侧设置有像素界定层，像素界定层中设置有像素容纳孔和开槽，像素容纳孔连通至第一电极，开槽连通至第一导电连接部；像素界定层背向衬底基板的一侧设置有有机功能层，有机功能层通过像素容纳孔与第一电极电连接，有机功能层在预定区域为镂空结构；有机功能层背向衬底基板的一侧设置有第二电极，第二电极通过镂空结构与第一导电连接部电连接，第二电极与第一辅助电极并联。

Description

显示基板及其制备方法和显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。
背景技术
在采用顶发射结构的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)中，顶透射电极的光透过率直接决定了有机发光二极管的出光效率。为保证顶透射电极的光透过率，往往将顶透射电极作的很薄，但此时顶透射电极的电阻会很大。
对于有机发光二极管显示面板而言，由于顶透射电极的电阻较大，则顶透射电极上会存在明显的压降(IR Drop)，有机发光二极管显示面板亮度均一性较差。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法和显示面板。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板，所述衬底基板的一侧设置有第一电极、第一辅助电极和凸台，所述凸台背向所述衬底基板一侧的表面在所述衬底基板上的正投影与所述凸台在所述衬底基板上的正投影完全重叠，所述第一辅助电极包括附着于所述凸台的侧面上预定区域的第一导电连接部；
所述第一电极背向所述衬底基板的一侧设置有像素界定层，所述像素界定层中设置有像素容纳孔和开槽，所述像素容纳孔连通至所述第一电极，所述开槽连通至所述第一导电连接部；
所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧设置有有机功能层，所述有机功能层通过所述像素容纳孔与所述第一电极电连接，所述有机功能层在所述预定区域为镂空结构；
所述有机功能层背向所述衬底基板的一侧设置有第二电极，所述第二电极通过所述镂空结构与所述第一导电连接部电连接，所述第二电极与所述第一辅助电极并联。
在一些实施例中，所述第一辅助电极的材料包括能够采用溅射工艺或原子层沉积工艺成膜的导电材料。
在一些实施例中，所述第二电极的材料包括能够采用溅射工艺或原子层沉积工艺成膜的导电材料。
在一些实施例中，所述凸台的材料包括：负性光刻胶。
在一些实施例中，所述第一电极和所述衬底基板之间设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述源极或所述漏极电连接。
在一些实施例中，还包括：与所述第一辅助电极并联的第二辅助电极；
所述第二辅助电极与所述栅极和所述漏极中的至少一者同层设置。
在一些实施例中，所述第一辅助电极还包括与所述第一导电连接部同层设置且电连接的第二导电连接部；
所述第二导电连接部与所述第二辅助电极电连接。
在一些实施例中，还包括：设置在所述第一辅助电极和所述第二辅助电极之间的绝缘结构；
其中，所述绝缘结构中设置有过孔结构，所述第一辅助电极通过所述过孔结构与所述第二辅助电极电连接。
在一些实施例中，所述第一辅助电极与所述第一电极同层设置。
在一些实施例中，所述凸台的侧面与所述凸台背向所述衬底基板一侧的表面所构成的二面角的范围包括：[60°，90°]。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板的一侧形成第一电极、第一辅助电极和凸台，其中，所述凸台背向所述衬底基板一侧的表面在所述衬底基板上的正投影与所述凸台在所述衬底基板上的正投影完全重叠，所述第一辅助电极包括附着于所述凸台的侧面上预定区域的第一导电连接部；
在所述第一电极背向所述衬底基板的一侧形成像素界定层，所述像素界定层中设置有像素容纳孔和开槽，所述像素容纳孔连通至所述第一电极，所述开槽连通至所述第一导电连接部；
在所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧形成有机功能层，所述有机功能层通过所述像素容纳孔与所述第一电极电连接，所述有机功能层在所述预定区域为镂空结构；
在所述有机功能层背向所述衬底基板的一侧形成第二电极，所述第二电极通过所述镂空结构与所述第一导电连接部电连接，所述第二电极与所述第一辅助电极并联。
在一些实施例中，在衬底基板的一侧形成凸台的步骤包括：
在所述衬底基板的一侧涂布负性光刻胶；
对所述负性光刻胶位于待形成凸台的区域进行曝光；
对所述负性光刻胶进行显影，以得到所述凸台。
在一些实施例中，在衬底基板的一侧形成第一辅助电极的步骤包括：
通过溅射工艺或原子层沉积工艺形成第一导电材料薄膜，所述第一导电材料薄膜附着于衬底基板的表面、所述凸台背向所述衬底基板一侧表面和所述凸台的侧面；
对所述第一导电材料薄膜进行构图工艺，以得到所述第一辅助电极的图形，所述第一辅助电极包括附着于所述凸台的侧面上预定区域的第一导电连接部。
在一些实施例中，所述第一辅助电极和所述第一电极在同一次构图工艺中形成。
在一些实施例中，所述在所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧形成有机功能层的步骤包括：
通过至少一次蒸镀工艺在所述像素界定层背向所述衬底基板一侧表面、所述像素容纳孔内、所述开槽内形成有机功能层，所述有机功能层在所述预定区域为镂空结构，所述第一导电连接部露出。
在一些实施例中，所述在所述有机功能层背向所述衬底基板的一侧形成第二电极的步骤包括：
通过溅射工艺或原子层沉积工艺形成第二导电材料薄膜，所述第二导电材料薄膜附着于所述有机功能层背向所述衬底基板一侧表面和所述镂空结构，所述第二导电材料薄膜通过所述镂空结构与所述第一导电连接部电连接，所述第二导电材料薄膜作为所述第二电极。
在一些实施例中，所述在衬底基板的一侧形成第一电极、第一辅助电极和凸台的步骤之前，还包括：
在所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、源极和漏极，后续形成的第一电极与所述源极或所述漏极电连接。
在一些实施例中，还包括：形成第二辅助电极，所述第二辅助电极与所述第一辅助电极并联，所述第二辅助电极与所述栅极和所述漏极中的至少一者在同一次构图工艺中形成。
在一些实施例中，还包括：在所述第一辅助结构和所述第二辅助结构之间形成绝缘结构，所述绝缘结构中设置有过孔结构，所述第一辅助电极通过所述过孔结构与所述第二辅助电极电连接。
第三方面，本公开实施例提供了一种显示面板，包括：上述显示基板。
附图说明
图1a为本公开实施例一提供的一种显示基板的截面示意图；
图1b为图1a中区域A的放大示意图；
图1c为有机功能层在预定区域A处形成镂空结构的示意图，
图2为本公开实施例一提供的又一种显示基板的截面示意图；
图3为本公开实施例二提供的一种显示基板的截面示意图；
图4为本公开实施例二提供的另一种显示基板的截面示意图；
图5为本公开实施例二提供的又一种显示基板的截面示意图；
图6为本公开实施例三提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
图7a为形成第一电极、第一辅助电极和凸台时的截面示意图；
图7b为形成像素界定层时的截面示意图；
图7c为形成有机功能层时的截面示意图；
图8为本公开实施例四提供的一种显示基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的显示基板及其制备方法和显示面板进行详细描述。
在本公开中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层构图形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与衬底基板间的距离相等，也不代表它们与衬底基板间的其它层结构完全相同。
图1a为本公开实施例一提供的一种显示基板的截面示意图，图1b为图1a中预定区域A处的放大示意图，图1c为有机功能层在凸台的侧面形成镂空结构的示意图，如图1a～图1c所示，该显示基板包括：衬底基板1、第一电极2、第一辅助电极3、凸台4、像素界定层5、有机功能层6和第二电极7。
其中，凸台4背向衬底基板1一侧的表面在衬底基板1上的正投影与凸台4在衬底基板1上的正投影完全重叠，第一辅助电极3包括附着于凸台4的侧面上预定区域A的第一导电连接部3a。
像素界定层5位于第一电极2背向衬底基板1的一侧，像素界定层5中设置有像素容纳孔和开槽，像素容纳孔连通至第一电极2，开槽连通至第一导电连接部3a。
有机功能层6位于像素界定层5背向衬底基板1的一侧，有机功能层6通过像素容纳孔与第一电极2电连接，有机功能层6在预定区域A处为镂空结构8。
第二电极7位于有机功能层6背向衬底基板1的一侧，第二电极7通过镂空结构8与第一导电连接部3a电连接，以使得第二电极7与第一辅助电极3并联。
在上述显示基板中，第一电极2、有机功能层6和第二电极7构成有机发光二极管；其中，第一电极2和第二电极7中之一为阴极，另一为阳极，有机功能层6至少包括有机发光层，当然为提高载流子的注入至有机发光层的效率，有机功能层6还可以选择性的包括空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层等功能膜层。
在本公开中，显示基板包括显示区域和位于显示区域之外的外围区域，其中显示区域用于实现显示，外围区域可用于设置驱动电路、进行显示基板的封装等。
在本公开中，第二电极7和第一辅助电极3实现并联的具体方式包括但不限于如下几种情况。
作为一种可选方案，参见图1a所示，在显示区域中，第二电极7在预定区域A处于与第一导电连接部3a相接触，且具有一定的接触面积，此时第二电极7上与第一导电部相接触的部分与第一导电连接部3a构成并联，即第二电极7与第一辅助电极3实现并联。
作为另一种可选方案，继续参见图1a所示，第一辅助电极3不但具备第一导电连接部3a，还具备与第一导电连接部3a电连接且延伸至外围区域的引出部(未示意出)，此时在显示区域中，第二电极7在预定区域A处于与第一导电连接部3a接触，在外围区域中，第二电极7与引出部接触，这样第二电极7和第一辅助电极3在两端分别连接以形成并联电路。
图2为本公开实施例一提供的又一种显示基板的截面示意图，如图2所示，作为又一种可选方案，第二电极7和第一辅助电极3彼此连接的两端都位于显示区域中。具体地，第一辅助电极3包括电连接的两个第一导电连接部3a，该两个第一导电连接部3a分别位于两个凸台4的侧面，此时第二电极7在预定区域A和预定区域B分别与两个第一辅助电极3接触，这样第二电极7和第一辅助电极3在两端分别连接以形成并联电路。
在第二电极7和第一辅助电极3形成并联之后，当第二电极7接受电压信号并将电压信号进行传递，且当电压信号到达和第二电极7电连接的第一辅助电极3时，第一辅助电极3作为电压信号传递的支路与第二电极7同时传递电压信号，这样相当于第二电极7和第一辅助电极3形成并联电路，降低了电信号传递过程中的电阻；或者，也可以是第一辅助电极3先接受电压信号，当电压信号到达和第一辅助电极3电连接的第二电极7时，第二电极7作为电压信号传递的支路与第一辅助电极3同时传递电压信号；再或者，第二电极7和第一辅助电极3同时接受电压信号，第二电极7和第一辅助电极3作为两条支路同时传递电压信号。
需要说明的是，本公开的技术方案对于第二电极7和第一辅助电极3实现并联的具体方式不作限定，仅需保证第一辅助电极3中至少存在一个附着于凸台4侧面且能够与第二电极7电连接的第一导电连接部3a即可。另外，本公开中第一辅助电极3的数量可以为1个或多个。
在本公开中，通过设置第一辅助电极3，且第一辅助电极3与第二电极7并联，此时第二电极7处的等效电阻可减小，因此可有效降低第二电极7所产生的IR Drop。
与此同时，在本公开中，凸台4背向衬底基板1一侧的表面(为方面描述，称为凸台4的上表面)在衬底基板1上的正投影与凸台4在衬底基板1上的正投影完全重叠(凸台4的上表面可以覆盖整个凸台4)，即凸台4的侧面必定与其上表面垂直，或者凸台4的侧面整体内凹；此时，预先在凸台4的侧面的预定区域A附着第一导电连接部3a(第一辅助电极3的部分)，后续通过蒸镀工艺来形成有机功能层6时，有机功能层6必定会在凸台4的侧面处断开(有机功能层6不会顺着凸台4的侧面沉积)而形成镂空结构8，此时附着于凸台4的侧面的第一导电连接部3a必定通过镂空结构8漏出，后续再形成第二电极7时，该第二电极7可直接与第一导电连接部3a连接，以实现第二电极7与第一辅助电极3并联。
通过上述内容可见，在本公开中，通过设置凸台4，可在不改变现有的有机功能层6制备工艺的情况下，使得有机功能层6上能自动形成镂空结构8(无需额外采用图案化工艺来对有机功能层6进行处理，减少工序步骤)，以使得第一辅助电极3中的第一导电连接部3a通过镂空结构8露出，便于后续形成的第二电极7与第一导电连接，以与第一辅助电极3之间形成并联。
需要说明的是，本公开的技术方案对第一辅助电极3的具体结构和形状不作限定，仅需保证第一辅助电极3至少包括附着于凸台4的侧面的第一导电连接部3a即可。
本实施例中，可选地，第一辅助电极3的材料包括能够采用溅射工艺或原子层沉积工艺成膜的导电材料。由于溅射工艺和原子层沉积工艺中的工艺材料渗透性好，因此在采用溅射工艺或原子层沉积工艺形成导电材料薄膜时，导电材料薄膜不仅会附着于凸台4的上表面，还会附着于凸台4的侧面，通过对该导电材料薄膜进行构图工艺，即可得到至少包括有第一导电连接部3a的第一辅助电极3的图形。
需要说明的是，本公开中的构图工艺是指包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。
另外，附图中所示，在对导电材料薄膜完成构图工艺后，凸台4的上表面也覆盖有与第一导电连接部3a同层设置的导电材料的情况，仅起到示意性作用，其不会对本公开的技术方案产生限制。在本公开中，无论凸台4的上表面是否覆盖有导电材料，均不会对本公开的技术方案产生实质影响。
作为一种可选实施方案，第一辅助电极3具有氧化铟锡/银/氧化铟锡三层导电材料层叠结构。此时，第一辅助电极3的制备工艺过程大致如下：首先，采用溅射工艺或原子层沉积工艺形成第一层氧化铟锡材料薄膜，并对其进行构图，得到第一层氧化铟锡图形；接着，再次采用溅射工艺或原子层沉积工艺形成银材料薄膜，并对其进行构图，得到银图形；再接着，采用溅射工艺或原子层沉积工艺形成第二层氧化铟锡材料薄膜，并对其进行构图，得到第二层氧化铟锡图形；第一层氧化铟锡图形、银图形和第二层氧化铟锡图形构成第一辅助电极3。
需要说明的是，当第一辅助电极3包括至少两层导电结构时，仅需保证至少一层导电结构位于凸台4的侧面以构成第一导电连接部3a即可。
可选地，第二电极7的材料包括能够采用溅射工艺或原子层沉积工艺成膜的导电材料。此时在采用溅射工艺或原子层沉积工艺形成用于制备第二电极7的导电材料薄膜时，该导电材料薄膜可通过有机功能层6中的镂空结构8(凸台4的侧面)与第一导电连接部3a连接。
当然，上述第一辅助电极3/第二电极7的材料包括能够采用溅射工艺或原子层沉积工艺成膜的导电材料的情况，为本公开中的一种可选方案，其不会对本公开的技术方案产生限制。本领域技术人员应该知晓的是，本公开中仅需保证第一辅助电极3/第二电极7的材料为导电材料即可。
在本公开中，为便于第一导电连接部3a附着于凸台4的侧面以及避免有机功能层6附于凸台4的侧面。优选地，凸台4的侧面与凸台4背向衬底基板1一侧的表面所构成的二面角的范围包括：[60°，90°]。
作为一种可选方案，凸台4的材料包括负性光刻胶。此时，凸台4的制备工艺过程大致如下：首先，涂布负性光刻胶；然后，从负性光刻胶背向衬底基板1的一侧，利用曝光设备和掩膜板对待形成凸台4的区域的负性光刻胶进行曝光，被曝光区域的负性光刻胶中的有机分析发生光交联反应，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用；在被曝光区域内，由于被曝光区域的边缘位置光强相对较弱，边缘位置的光线的穿透能力较弱，因此被曝光区域的边缘位置且靠近衬底基板1的部分未被光照，即被曝光区域内实际被光照部分的纵向截面(垂直于衬底基板1的截面)形状为倒梯形；接着，使用显影液对负性光刻胶进行显影，负性光刻胶中未被光照的部分溶于显影液，被光照的部分保留以形成凸台4，凸台4的横向截面(平行于衬底基板1的截面)面积在沿靠近衬底基板1的方向上逐渐减小。
作为又一种可选方案，凸台4的材料包括无机绝缘材料，例如氧化硅；此时可以先形成具有一定厚度的无机绝缘材料薄膜，然后对无机绝缘材料薄膜进行干法刻蚀(各向异性干法刻蚀，只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀)，以得到凸台4，凸台4的侧面与凸台4的上表面垂直。
在本公开中，优选地，第一辅助电极3与第一电极2同层设置。此时，可采用一次构图工艺以同时制备出第一辅助电极3和第一电极2，从而能够减少生产工序步骤。
图3为本公开实施例二提供的一种显示基板的截面示意图，如图3所示，与上述实施例一中不同是，本实施例中在第一电极2和衬底基板1之间设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：有源层、栅极9、源极10和漏极11，第一电极2与源极10或漏极11电连接(附图中仅示例性画出了第一电极与源极10连接的情况)。
需要说明的是，图3中仅示例性画出了薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管的情况,其不会对本公开的技术方案产生限制。在本公开中，薄膜晶体管既可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。
以图3所示顶栅型薄膜晶体管为例，有源层与栅极9之间设置有栅绝缘层12(GateInsulator Layer)，栅极9与源极10/漏极11之间形成有层间介质层13(Inter LevelDielectric Layer)，源极10/漏极11与第一电极2之间形成有平坦化层14(Inter LevelDielectric Layer)。当然，在顶栅型薄膜晶体管和衬底基板1之间还可以设置缓冲层(Buffer Layer)。
优选地，该显示基板还包括：与第一辅助电极3并联的第二辅助电极15；第二辅助电极15与栅极9和漏极11中的至少一者同层设置。此时，第二电极7、第一辅助电极3、第二辅助电极15三者并联，可进一步减小第二电极7处的等效电阻。此外，由于第二辅助电极15与栅极9和/或漏极11同层设置，因此可在通过构图工艺制备栅极9和/或漏极11的过程中以同步制备出第二辅助电极15，从而能减少生产工序步骤。
需要说明的是，本公开中第二辅助电极15与第一辅助电极3实现并联的具体方式，可与前述实施例一中第二电极7与第一辅助电极3实现并联的具体方式类似，此处不再赘述。本公开的技术方案对第二辅助电极15与第一辅助电极3实现并联具体方式不作限定。
进一步地，为便于第一辅助电极3与第二辅助电极15连接，第一辅助电极3还包括与第一导电连接部3a同层设置且电连接的第二导电连接部3b，第二导电连接部3b与第二辅助电极15连接。此时，第二电极7通过第一导电连接部3a、第二导电连接部3b与第二辅助电极15电连接。
可选地，该显示基板设置在第一辅助电极3和第二辅助电极15之间的绝缘结构；其中，绝缘结构中设置有过孔结构，第一辅助电极3通过过孔结构与第二辅助电极15电连接。
以图3中所示情况为例，第二辅助电极15与漏极11同层设置，此时上述绝缘层结构具体是指平坦化层14，平坦化层14上形成有过孔结构，第一辅助电极3通过平坦化层14上的过孔结构与第二辅助电极15电连接。
图4为本公开实施例二提供的另一种显示基板的截面示意图，如图4所示，与图3所示显示基板不同的是，图4所示第二辅助电极15与栅极9同层设置，此时绝缘层结构具体是指层间介质层13和平坦化层14，层间介质层13和平坦化层14上形成有连通至第二辅助电极15的过孔结构，第一辅助电极3通过过孔结构与第二辅助电极15电连接。
图5为本公开实施例二提供的又一种显示基板的截面示意图，如图5所示，与图3和图4所示显示基板不同的是，图5所示第二辅助电极15为双层结构，其包括与栅极9同层设置的第一部分15a和与漏极11同层设置的第二部分15b，第一部分15a和第二部分15b通过层间介质层13上的过孔进行电连接，此时第一辅助电极3通过平坦化层14上的过孔结构与第二辅助电极15的第二部分15b电连接，以实现第一辅助电极3与第二辅助电极15的并联。
图6为本公开实施例三提供的一种显示基板的制备方法的流程图，如图6所示，该制备方法用于制备前述实施例所提供的显示基板，该制备方法包括：
步骤S1、在衬底基板的一侧形成第一电极、第一辅助电极和凸台。
以形成图1a所示显示基板为例。图7a为形成第一电极、第一辅助电极和凸台时的截面示意图，如图7a所示，凸台4背向衬底基板1一侧的表面在衬底基板1上的正投影与凸台4在衬底基板1上的正投影完全重叠，第一辅助电极3包括附着于凸台4的侧面上预定区域A的第一导电连接部3a。
可选地，步骤S1包括：步骤S101和步骤S102。
步骤S101、在衬底基板的一侧形成凸台。
作为步骤S101的一种可选方案：首先，在衬底基板1的一侧涂布负性光刻胶；然后，对负性光刻胶位于待形成凸台4的区域进行曝光；接着，对负性光刻胶进行显影，以得到凸台4。通过上述步骤所制备出的凸台4，其横向截面面积在沿靠近衬底基板1的方向上逐渐减小。
作为步骤S101的另一种可选方案：首先，在衬底基板1的一侧形成具有一定厚度的无机绝缘材料薄膜(例如，氧化硅)；然后，对无机绝缘材料薄膜进行干法刻蚀，以得到凸台4；通过上述步骤所制备出的凸台4，其侧面与上表面垂直。
步骤S102、在衬底基板的一侧形成第一辅助电极和第一电极。
步骤102具体包括：首先，通过溅射工艺或原子层沉积工艺形成第一导电材料薄膜，由于溅射工艺和原子层沉积工艺中的工艺材料渗透性好，因此在采用溅射工艺或原子层沉积工艺形成第一导电材料薄膜时，第一导电材料薄膜不仅会附着于衬底基板1的表面和凸台4的上表面，还会附着于凸台4的侧面；然后，对第一导电材料薄膜进行构图工艺，以得到第一辅助电极3和第一电极2的图形，第一辅助电极3包括附着于凸台4的侧面上预定区域A的第一导电连接部3a。
需要说明的是，在本公开中，形成第一导电材料薄膜时的工艺不限于溅射工艺和原子层沉积工艺，但凡是能够将导电材料附着于凸台4侧面以形成相应薄膜的工艺，均属于本公开的保护范围。
上述第一导电材料薄膜可以为一种导电材料构成的薄膜，也可以为不同导电材料层叠构成的导电材料薄膜(例如氧化铟锡/银/氧化铟锡)。本公开的技术方案对第一导电材料薄膜的结构不作限定。
此外，上述第一辅助电极3和第一电极2在同一次构图工艺中形成的情况，为本公开中的优选实施方案，其可有效减少生产工序步骤。在本公开中，第一辅助电极3和第一电极2也可以在不同构图工艺中形成，例如，先通过构图工艺形成第一电极2的图形，然后再形成凸台4，最后再形成第一辅助电极3；或者，先形成凸台4，然后再通过不同构图工艺以分别形成第一辅助电极3和第一电极2。在公开中，仅需保证第一辅助电极3的制备工序位于凸台4的制备工序之后即可。
需要说明的是，本公开的技术方案对第一辅助电极3的具体结构不作限定，仅需保证第一辅助电极3至少包括附着于凸台4的侧面上的第一导电连接部3a即可。
步骤S2、在第一电极背向衬底基板的一侧形成像素界定层。
图7b为形成像素界定层时的截面示意图，如图7b所示，像素界定层5中设置有像素容纳孔和开槽，像素容纳孔连通至第一电极2，开槽连通至第一导电连接部3a，像素界定层5用于隔离相邻的有机发光二极管。像素界定层5通常采用有机绝缘材料(例如，丙烯酸类树脂)或者无机绝缘材料(例如，氮化硅或者氧化硅)形成，像素界定层5具有绝缘的性质。
步骤S3、在像素界定层背向衬底基板的一侧形成有机功能层。
图7c为形成有机功能层时的截面示意图，如图7c所示，有机功能层6至少包括有机发光层，当然为提高载流子的注入至有机发光层的效率，有机功能层6还可以选择性的包括空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层等功能膜层。
在制备有机功能层6的过程中，通过一次或多次蒸镀工艺在像素界定层5背向衬底基板1一侧表面、像素容纳孔内、开槽内形成各功能膜层。在像素容纳孔内，有机功能层6与所述第一电极2电连接；在开槽内，各功能膜层在凸台4的侧面处产生段差，即有机功能层6在凸台4的侧面(包括预定区域)为镂空结构，此时第一辅助电极3中的第一导电连接部3a露出。
步骤S4、在有机功能层背向衬底基板的一侧形成第二电极。
继续参见图1a所示，第二电极7通过镂空结构与第一导电连接部3a电连接，以使得第二电极7与第一辅助电极3并联。
可选地，步骤S104包括：通过溅射工艺或原子层沉积工艺形成第二导电材料薄膜，第二导电材料薄膜附着于有机功能层6背向衬底基板1一侧表面和镂空结构，第二导电材料薄膜通过镂空结构与第一导电连接部3a电连接，第二导电材料薄膜作为第二电极7。
需要说明的是，在本公开中，形成第二导电材料薄膜时的工艺不限于溅射工艺和原子层沉积工艺，但凡是能够将导电材料附着于凸台4侧面以形成与第一导电连接部3a相连的薄膜的工艺，均属于本公开的保护范围。
另外，上述第二导电材料薄膜可以为一种导电材料构成的薄膜，也可以为不同导电材料层叠构成的导电材料薄膜(例如镁银合金/氧化铟锌)。本公开的技术方案对第二导电材料薄膜的结构不作限定。
上述第一电极2、有机功能层6、第二电极7构成有机发光二极管。在本公开中，第一电极2和第二电极7的结构、材料可根据实际需要进行设计。例如，当有机发光二极管为顶发射型有机发光二极管时，则第一电极2为反射电极，第二电极7为透射电极；当有机发光二极管为底发射型有机发光二极管时，则第一电极2为透射电极，第二电极7为反射电极；当有机发光二极管为双向发射有机发光二极管时，则第一电极2和第二电极7均为透射电极。
其中，反射电极可以为由厚度较厚(40nm～120nm)金属材料层(厚度相对较厚，表面可进行光反射)构成的电极，也可以为由厚度较厚的金属材料层和透明导电材料层层叠构成的电极。其中，当透明导电材料层位于金属材料层朝向有机功能层6的一侧时，可提高金属材料层的功函，以使得第一电极2与有机功能层6能更好的匹配；当透明导电材料层位于金属材料背向有机功能层6的一侧时，其可以与金属材料层之间构成并联，以减小反射电极的等效电阻。
透射电极可以为由透明导电材料层构成的电极，或者由厚度较薄(3nm～30nm)金属材料层(厚度相对较薄，光透过率较大)构成的电极，或者由厚度较薄金属材料层和位于金属材料层背向有机功能层6一侧的透明导电材料层(作为光取出层，以提升透射电极的出光率，同时与金属材料层并联，减小透射电极的等效电阻)构成的电极。
需要说明的是，上述金属材料层的材料可以为包括铜、铬、钼、金、银以及铂等单金属或者由金属形成的合金材料。上述透明导电材料层的材料可以为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓、氧化镓锌、氧化锌、氧化铟、氧化铝锌和碳纳米管等。
图8为本公开实施例四提供的一种显示基板的制备方法的流程图，如图8所示，该制备方法用于制备上述实施例二所提供的显示基板，该制备方法不但包括上述实施例三中的步骤S1～步骤S4，在步骤S1之前还包括步骤S01～步骤S02,下面仅对步骤S01和步骤S02进行详细描述。
步骤S01、在衬底基板的一侧形成薄膜晶体管和第二辅助电极。
可采用现有的薄膜晶体管制备工艺来制备薄膜晶体管和第二辅助电极；其中，薄膜晶体管包括：有源层、栅极、源极和漏极，第二辅助电极与栅极和漏极中的至少一者在同一次构图工艺中形成。
在本公开中，薄膜晶体管既可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。下面以薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例进行示例性描述。
在形成顶栅型薄膜晶体管的过程中，还会形成起到绝缘作用的栅绝缘层和层间介质层。
在步骤S01中，当第二辅助电极为双层结构，其包括与栅极同层设置的第一部分和与漏极同层设置的第二部分时(图5中所示)，则需要在层间介质层上形成过孔，以保证第一部分和第二部分能够通过过孔电连接。
步骤S02、形成平坦化层。
在步骤S02中，在薄膜晶体管背向衬底基板的一侧形成平坦化层，并通过构图工艺在平坦化层上形成过孔结构和连接孔。其中，过孔结构用于供后续形成的第一辅助电极与第二辅助电极进行连接，连接孔用于供后续形成的第一电极与源极或漏极进行连接。
其中，当第二辅助电极为图3或图5中所示情况时，则该过孔结构仅贯穿平坦化层；当第二辅助电极为图4所述结构时，则该过孔结构不仅贯穿平坦化层，还贯穿层间介质层。
在步骤S02结束后，继续执行上述实施例三中的步骤S1～S4，以制备出有机发光二级管和第一辅助电极。其中，在步骤S1中，有机发光二极管的第一电极通过连接孔与薄膜晶体管的源极或漏极连接，第一辅助电极通过过孔结构与第二辅助电极连接。
本公开实施例五提供了一种显示面板，该显示面板包括：显示基板，该显示基板为上述实施例一或实施例二中所提供的显示基板，具体内容可参见实施例一和实施例二中的描述，此处不再赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (20)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板的一侧设置有第一电极、第一辅助电极和凸台，所述凸台背向所述衬底基板一侧的表面在所述衬底基板上的正投影与所述凸台在所述衬底基板上的正投影完全重叠，所述第一辅助电极包括附着于所述凸台的侧面上预定区域的第一导电连接部；
所述第一电极背向所述衬底基板的一侧设置有像素界定层，所述像素界定层中设置有像素容纳孔和开槽，所述像素容纳孔连通至所述第一电极，所述开槽连通至所述第一导电连接部；
所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧设置有有机功能层，所述有机功能层通过所述像素容纳孔与所述第一电极电连接，所述有机功能层在所述预定区域为镂空结构；
所述有机功能层背向所述衬底基板的一侧设置有第二电极，所述第二电极通过所述镂空结构与所述第一导电连接部电连接，所述第二电极与所述第一辅助电极并联。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一辅助电极的材料包括能够采用溅射工艺或原子层沉积工艺成膜的导电材料。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极的材料包括能够采用溅射工艺或原子层沉积工艺成膜的导电材料。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凸台的材料包括：负性光刻胶。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极和所述衬底基板之间设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述源极或所述漏极电连接。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括：与所述第一辅助电极并联的第二辅助电极；
所述第二辅助电极与所述栅极和所述漏极中的至少一者同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一辅助电极还包括与所述第一导电连接部同层设置且电连接的第二导电连接部；
所述第二导电连接部与所述第二辅助电极电连接。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，还包括：设置在所述第一辅助电极和所述第二辅助电极之间的绝缘结构；
其中，所述绝缘结构中设置有过孔结构，所述第一辅助电极通过所述过孔结构与所述第二辅助电极电连接。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一辅助电极与所述第一电极同层设置。
10.根据权利要求1-9中任一所述的显示基板，其特征在于，所述凸台的侧面与所述凸台背向所述衬底基板一侧的表面所构成的二面角的范围包括：[60°，90°]。
11.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的一侧形成第一电极、第一辅助电极和凸台，其中，所述凸台背向所述衬底基板一侧的表面在所述衬底基板上的正投影与所述凸台在所述衬底基板上的正投影完全重叠，所述第一辅助电极包括附着于所述凸台的侧面上预定区域的第一导电连接部；
在所述第一电极背向所述衬底基板的一侧形成像素界定层，所述像素界定层中设置有像素容纳孔和开槽，所述像素容纳孔连通至所述第一电极，所述开槽连通至所述第一导电连接部；
在所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧形成有机功能层，所述有机功能层通过所述像素容纳孔与所述第一电极电连接，所述有机功能层在所述预定区域为镂空结构；
在所述有机功能层背向所述衬底基板的一侧形成第二电极，所述第二电极通过所述镂空结构与所述第一导电连接部电连接，所述第二电极与所述第一辅助电极并联。
12.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板的一侧形成凸台的步骤包括：
在所述衬底基板的一侧涂布负性光刻胶；
对所述负性光刻胶位于待形成凸台的区域进行曝光；
对所述负性光刻胶进行显影，以得到所述凸台。
13.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板的一侧形成第一辅助电极的步骤包括：
通过溅射工艺或原子层沉积工艺形成第一导电材料薄膜，所述第一导电材料薄膜附着于衬底基板的表面、所述凸台背向所述衬底基板一侧表面和所述凸台的侧面；
对所述第一导电材料薄膜进行构图工艺，以得到所述第一辅助电极的图形，所述第一辅助电极包括附着于所述凸台的侧面上预定区域的第一导电连接部。
14.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一辅助电极和所述第一电极在同一次构图工艺中形成。
15.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧形成有机功能层的步骤包括：
通过至少一次蒸镀工艺在所述像素界定层背向所述衬底基板一侧表面、所述像素容纳孔内、所述开槽内形成有机功能层，所述有机功能层在所述预定区域为镂空结构，所述第一导电连接部露出。
16.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述有机功能层背向所述衬底基板的一侧形成第二电极的步骤包括：
通过溅射工艺或原子层沉积工艺形成第二导电材料薄膜，所述第二导电材料薄膜附着于所述有机功能层背向所述衬底基板一侧表面和所述镂空结构，所述第二导电材料薄膜通过所述镂空结构与所述第一导电连接部电连接，所述第二导电材料薄膜作为所述第二电极。
17.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板的一侧形成第一电极、第一辅助电极和凸台的步骤之前，还包括：
在所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、源极和漏极，后续形成的第一电极与所述源极或所述漏极电连接。
18.根据权利要求17所述的显示基板的制备方法，其特征在于，还包括：
形成第二辅助电极，所述第二辅助电极与所述第一辅助电极并联，所述第二辅助电极与所述栅极和所述漏极中的至少一者在同一次构图工艺中形成。
19.根据权利要求18所述的显示基板的制备方法，其特征在于，还包括：在所述第一辅助结构和所述第二辅助结构之间形成绝缘结构，所述绝缘结构中设置有过孔结构，所述第一辅助电极通过所述过孔结构与所述第二辅助电极电连接。
20.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1-10中任一所述显示基板。
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