CN104681588B - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极管显示装置包括：反射电极和辅助电极；在反射电极和辅助电极上的堤坝层，堤坝层包括分别露出反射电极的一部分和辅助电极的一部分的第一开口部和第二开口部；在辅助电极上的隔离部，隔离部设置在第二开口部中；接触反射电极的通过堤坝层的第一开口部露出的部分的像素电极，像素电极设置为与隔离部分离开；在像素电极上的有机发光层，有机发光层被隔离部划分，有机发光层设置为与隔离部分离开；以及在有机发光层上的公共电极，公共电极连接至辅助电极。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年11月28日提交的韩国专利申请第10-2013-0146277号的优先权的权益，其通过引用并入本文中用于所有目的，如在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开涉及一种有机发光二极管显示装置。本公开还涉及一种有源矩阵有机发光二极管显示装置。
背景技术
近来，已开发了平板显示(FPD)技术以制造重量轻并且薄的平板显示器。在各种平板显示器中，有机发光二极管(OLED)显示装置被认为是继液晶显示器(LCD)之后的下一代显示装置。
由于OLED显示装置不需要背光(与LCD装置不同)，所以与LCD装置相比，OLED显示装置具有更多的应用的优势。具体地，对于透明显示器或柔性显示器而言，OLED显示装置更好。
OLED显示装置根据发光方向可以分成两种类型：光穿过其上具有驱动电路的基板向下部发射的底部发光型；以及光朝向基板的与其上具有驱动电路的相反的上部发射的顶部发光型。出于获得一种包括柔性显示器的高分辨率OLED显示装置的目的，以及出于提高透明显示器的开口率和透光度的目的，驱动电路对开口率不具有影响的顶部发光型OLED显示装置已成为近来的焦点。
在OLED显示装置中，下电极的阳极用作像素区中的像素电极，上电极的阴极用作基板的整个表面上方的公共电极。因此，在底部发光型的OLED显示装置中，从有机材料层发射的光穿过阳极，而在顶部发光型OLED显示装置中，从有机材料层发射的光穿过阴极。
由于阳极一般由透明导电氧化物形成并且阴极一般由金属形成，所以在顶部发光型OLED显示装置中，用于阴极的金属形成为薄膜以提高透射率。
然而，随着用于阴极的薄膜的厚度减小，阴极的电阻增加并且在图像的中心部分处的亮度降低。此外，随着用于阴极的薄膜的厚度增加，阴极的透射率降低并且发光效率降低。
发明内容
一种有机发光二极管显示装置包括：反射电极和辅助电极；在反射电极和辅助电极上的堤坝层，堤坝层包括分别露出反射电极的一部分和辅助电极的一部分的第一开口部和第二开口部；在辅助电极上的隔离部，隔离部设置在第二开口部中；与反射电极的通过堤坝层的第一开口部露出的部分接触的像素电极，像素电极设置为与隔离部分离开；在像素电极上的有机发光层，有机发光层被隔离部划分，有机发光层设置为与隔离部分离开；以及在有机发光层上的公共电极，公共电极连接至辅助电极。
在另一方面中，一种有机发光二极管显示装置包括：像素电极和辅助电极；在像素电极和辅助电极上的堤坝层，堤坝层包括分别露出像素电极的一部分和辅助电极的一部分的第一开口部和第二开口部；与辅助电极接触的隔离部，隔离部设置在第二开口部中；在第一开口部处接触像素电极的有机发光层，有机发光层设置为与隔离部分离开；以及在有机发光层上的公共电极，公共电极连接至辅助电极。
在另一方面中，一种有机发光二极管显示装置包括：像素电极；辅助电极；在像素电极和辅助电极两者上方的堤坝层，堤坝层限定：露出像素电极的一部分的第一开口；露出辅助电极的一部分的第二开口；接触第一开口中的像素电极的有机发光层；以及在有机发光层上方并且接触第二开口中的辅助电极的公共电极，辅助电极减小公共电极的电阻。
应该理解前述一般描述和下面的详细描述两者是示例性的和说明性的，并且旨在提供如所要求保护的本实施方案的进一步说明。
附图说明
本申请包括附图以提供对本公开的进一步理解，附图被并入本文中且构成本说明书的一部分，附图示出实施方案并且与描述一起用于说明本公开的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开第一实施方案的顶部发光型有机发光二极管显示装置的截面图。
图2是示出根据本公开第二实施方案的有机发光二极管显示装置的俯视图。
图3A至图3D是示出制造根据本公开第一实施方案的发光二极管显示装置的方法的截面图。
图4是示出根据本公开第二实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
图5是示出根据本公开第三实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
图6是示出根据本公开第四实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
图7是示出根据本公开第五实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
图8是示出根据本公开第六实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
图9A和图9B是示出根据本公开第二实施方案至第六实施方案中的每一个的有机发光二极管显示装置的俯视图。
具体实施方式
现在将详细参照在附图中示出其实例的优选实施方案。
图1是示出根据本公开第一实施方案的顶部发光型有机发光二极管显示装置的截面图。
在图1中，顶部发光型有机发光二极管(OLED)显示装置包括：基板110、开关晶体管STR、驱动晶体管DTR、平坦化层120、反射电极131、辅助电极132、隔离部150、像素电极160、有机发光层170以及公共电极180。
基板110可以包括玻璃、金属以及塑料中之一。此外，基板110可以包括柔性材料，例如聚醚枫(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)以及乙酸丙酸纤维素(CAP)。
在基板110上形成有开关晶体管STR和驱动晶体管DTR。开关晶体管STR包括：连接至栅极线(未示出)的栅电极(未示出)、连接至数据线(未示出)的源电极(未示出)、以及漏电极。将栅极线的栅极信号施加至开关晶体管STR的栅电极以使开关晶体管STR导通。当通过栅极信号使开关晶体管STR导通时，数据线的数据信号从开关晶体管STR的源电极传输至漏电极。此外，开关晶体管STR的漏电极的数据信号传输至驱动晶体管DTR的栅电极(未示出)。驱动晶体管DTR根据数据信号通过驱动晶体管DTR的漏电极(未示出)将电源电压的高电位电压Vdd和电源电压的低电位电压Vss中之一传输至反射电极131。
高电位电压Vdd可称为漏极电压，低电位电压Vss可称为源极电压。由于漏极和源极的名称根据晶体管的种类和驱动方法而变，所以可以将具有相对较高的电压的漏极电压称为高电位电压Vdd，将具有相对较低的电压的源极电压称为低电位电压Vss。
在开关晶体管STR和驱动晶体管DTR上形成有平坦化层120。平坦化层120使开关晶体管STR和驱动晶体管DTR的不平坦性平坦化，以提高平坦化层120上的有机发光二极管的结构稳定性。
此外，平坦化层120可以包括有机材料：例如，丙烯酸类树脂(例如聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、光亚克力以及苯并环丁烯(BCB)。
可以在开关晶体管STR、驱动晶体管DTR与平坦化层120之间形成无机材料(例如硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx))的钝化层(未示出)。
反射电极131和辅助电极132在平坦化层120上形成并且彼此间隔开。反射电极131连接至驱动晶体管DTR，并且电源电压的低电位电压Vss根据数据信号通过驱动晶体管DTR供给至反射电极131。反射电极131将低电位电压Vss传输至像素电极160。
反射电极131可以将从有机发光层170发射的光朝向公共电极180反射以由于光量增加而使亮度提高。此外，反射电极131可以与公共电极180形成为具有微腔结构以由于反射电极131与公共电极180之间的光的放大而使亮度进一步提高。
反射电极131可以包括具有相对高的反射率的材料例如金属材料用于将从有机发光层170发射的光反射。例如，反射电极131可以包括钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)以及铜(Cu)、以及具有上述至少之一的合金的至少之一。此外，反射电极131可以具有单个层或多个层。
辅助电极132与反射电极131可以是共面的。此外，辅助电极132可以与反射电极131一起形成以具有与用于反射电极131的材料至少之一相同的材料。辅助电极132连接至公共电极180以减小公共电极180的电阻。
由于辅助电极132连接至公共电极180，所以辅助电极132具有与公共电极180相同的电压。当公共电极180为阴极时，可以将低电位电压Vss供给至辅助电极132。此外，当公共电极180为阳极时，可以将高电位电压Vdd供给至辅助电极132。在图1的第一实施方案中，由于公共电极180用作阳极，所以高电位电压Vdd供给至辅助电极132，并且辅助电极132连接至公共电极180以减小公共电极180的电阻。
在反射电极131和辅助电极132上形成有堤坝层140。堤坝层140与反射电极131和辅助电极132的每一个的边缘部交叠并且覆盖反射电极131和辅助电极132的每一个的边缘部，以具有露出反射电极131和辅助电极132的开口部。在通过开口部露出的反射电极131上和在堤坝层140上依次形成有像素电极160和有机发光层170。此外，在通过开口部露出的辅助电极132上形成有隔离部150。
堤坝层140可以包括有机材料和无机材料中之一。例如，堤坝层140可以包括有机材料(例如苯并环丁烯(BCB)树脂、丙烯酸类树脂以及聚酰亚胺树脂)或者无机材料(例如二氧化硅)。
隔离部150与堤坝层140间隔开以提供用于公共电极180和辅助电极132的连接的空间。此外，隔离部150可以具有其中顶部宽度大于底部宽度的倒置的截头锥体形状或倒置的锥形形状，以防止用于像素电极131和有机发光层170的具有差的台阶覆盖特性的材料沉积在隔离部150与堤坝层140之间露出的辅助电极132上。因此，公共电极180直接连接至辅助电极132。
隔离部150可以包括与堤坝层140相同的材料以提高工艺效率。或者，隔离部150可以包括负性光致抗蚀剂，使得可以容易地获得倒置的截头锥体形状。
隔离部150可以根据像素区来划分像素电极160和有机发光层170的每一个，使得像素电极160和有机发光层170的每一个在隔离部150与堤坝层140之间的间隙中被划分。像素电极160和有机发光层170可以形成在隔离部150上。由于像素电极160和有机发光层170的每一个因差的台阶覆盖特性所以通过沉积步骤而无需附加图案化步骤来由隔离部150划分，所以提高了OLED显示装置的工艺效率。
像素电极160形成在反射电极131和堤坝层140上，并且与辅助电极132分离开。像素电极160的边缘部被有机发光层170完全覆盖，使得像素电极160没有电连接至公共电极180。
像素电极160可以为阳极或阴极。在图1的第一实施方案中，由于像素电极160用作阴极，所以像素电极160供给电子至有机发光层170。因此，像素电极160可以包括具有相对低的功函数的材料。
像素电极160可以具有包括银(Ag)、镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、锂(Li)以及钕(Nd)中至少之一的单个层或多个层。或者，像素电极160可以具有单个层或多个层例如氟化锂/铝(LiF/Al)、氟化铯/铝(CsF/Al)、镁银(Mg：Ag)、钙/银(Ca/Ag)、钙银(Ca：Ag)、氟化锂/镁银(LiF/Mg：Ag)、氟化锂/钙/银(LiF/Ca/Ag)以及氟化锂/钙银(LiF/Ca：Ag)。由于金属的功函数低于导电氧化物的功函数，所以多个层的像素电极160可以包括接触有机发光层170的金属层以容易地将电子供给至有机发光层170。此外，由于有机发光层170的光发射通过公共电极180，所以可以形成像素电极160而不管其光透射率如何。因此，对材料的选择和对厚度的确定的自由度增加，并且电子的注入效率最大化，从而提高了光效率。
由于像素电极160用作阴极，所以低电位电压Vss供给至像素电极160，并且像素电极160将电子供给至有机发光层170。由于像素电极160因差的台阶覆盖特性所以通过沉积步骤而无需附加图案化步骤来由隔离部150划分，所以防止了电流流过相邻的像素区的电流泄漏现象。因此，提高了驱动可靠性并且显示了准确的灰度等级。
在图1的第一实施方案中，由于像素电极160形成在堤坝层140上，所以可以通过像素电极160、有机发光层170以及公共电极180来限定发光区。因此，与根据相关技术的其中发光区通过堤坝层的开口部限定的OLED显示装置的发光区相比，根据图1的第一实施方案的OLED显示装置的发光区得到扩大。
在像素电极160上形成有有机发光层170。由于有机发光层170包含具有差的台阶覆盖特性的材料，所以隔离部150通过沉积步骤而无需附加图案化步骤来由像素区划分有机发光层170。
有机发光层170包括有机材料的薄膜，并且利用来自像素电极160的电子和来自公共电极180的空穴生成光。虽然未示出，但是有机发光层170可以包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、发光材料层(EML)、空穴传输层(HTL)以及空穴注入层(HIL)。电子注入层(EIL)降低像素电极160与发光材料层(EML)之间的能量势垒，以提高来自像素电极160的电子的注入效率。电子传输层(ETL)限制从像素电极160传输至发光材料层(EML)的电子以提高电子和空穴的复合效率。发光材料层(EML)包括大分子或小分子的有机材料的薄膜。空穴传输层(HTL)限制从公共电极180传输至发光材料层(EML)的空穴以提高电子和空穴的复合效率。空穴注入层(HIL)降低公共电极180与发光材料层(EML)之间的能量势垒，以提高来自公共电极180的空穴的注入效率。
从像素电极160注入的电子和从公共电极180注入的空穴在发光材料层(EML)中彼此复合以产生激子。激子在从激发态至基态的跃迁期间发光。光的颜色根据用于发光材料层(EML)的有机材料的种类或者激发态与基态之间的能量差(即，带隙能量)确定。
在有机发光层170上形成有公共电极180。公共电极180可以包含具有相对高的功函数的材料以供给空穴给有机发光层170。例如，公共电极180可以包含透明导电氧化物(TCO)(例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)以及铟锡锌氧化物(ITZO))。或者，公共电极180可以具有包括铟(In)、银(Ag)、锡(Sn)、银锡氧化物(AZO)、镓锌氧化物(GZO)、锌氧化物(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)以及铟锡锌氧化物(ITZO)中至少之一的单个层或多个层。
公共电极180还可以包括不引起透射率减少的量内的金属以用于提高导电率和用于减小电阻。此外，公共电极180可以包括接触有机发光层170的导电氧化物层。由于导电氧化物层的功函数高于金属的功函数，所以公共电极180可以通过导电氧化物层将空穴容易地供给至有机发光层170。
公共电极180电连接至辅助电极132。由于公共电极180包含具有优异的台阶覆盖特性的材料，所以公共电极180甚至沉积在隔离部150与堤坝层140之间的辅助电极132上。因此，透明导电氧化物的公共电极180形成在基板110的包括隔离部150的侧表面的整个顶表面上。由于公共电极180的电阻因公共电极180和辅助电极132的连接而减小，所以在整个OLED显示装置中提高了亮度的一致性。
图2是示出根据本公开第二实施方案的有机发光二极管显示装置的俯视图。
在图2中，发光区EA与堤坝层140交叠，并且隔离部150根据像素区来划分有机发光层170。因此，可以通过隔离部150来限定依次形成有像素电极160、有机发光层170以及公共电极180的发光区EA。由于从像素电极160注入的电子和从公共电极180注入的空穴在有机发光层170中垂直移动，所以光从像素电极160、有机发光层170以及公共电极180彼此交叠的区域发射。
由于像素电极160形成在堤坝层140上，所以甚至在堤坝层140上像素电极160、有机发光层170以及公共电极180也彼此交叠。因此，如图2所示，发光区EA与堤坝层140交叠。
图3A至图3D是示出制造根据本公开第一实施方案的发光二极管显示装置的方法的截面图。
在图3A中，在基板110上形成包括开关晶体管STR和驱动晶体管DTR的驱动电路。用于驱动有机发光层170的驱动电路还可以包括单个层或多个层的导电线。例如，单个层的导电线可以包含钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)以及铜(Cu)或者其合金中至少之一，。此外，多个层的导电线可以具有各包含钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)以及铜(Cu)或者其合金中至少之一的至少两层。例如，多个层的导电线可以为双层(例如，钼/铝(Mo/Al)和钼/铝钕(Mo/AlNd))或者是三层(例如，钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)和钼/铝钕/钼(Mo/AlNd/Mo))。
在开关晶体管STR和驱动晶体管DTR上形成平坦化层120以将开关晶体管STR和驱动晶体管DTR的不平坦的顶表面平坦化。平坦化层120具有露出驱动晶体管DTR的接触孔CH。在平坦化层120上形成反射电极131和辅助电极132。将反射电极131通过接触孔CH连接至驱动晶体管DTR。
在图3B中，在反射电极131和辅助电极132上形成堤坝层140和隔离部150。可以同时形成堤坝层140和隔离部150。或者，可以通过不同的制造步骤由不同的材料形成堤坝层140和隔离部150，以使堤坝层140和隔离部150可以分别具有通常的截头锥体形状和倒置的截头锥体形状。
堤坝层140可以包括有机材料(例如苯并环丁烯(BCB)树脂、丙烯酸类树脂以及聚酰亚胺树脂)或者无机材料(例如二氧化硅)。此外，隔离部150可以包括负性光致抗蚀剂，使得可以容易地获得倒置的截头锥体形状。
堤坝层140具有露出反射电极131和辅助电极132的开口部。在通过开口部露出的辅助电极132上形成隔离部150。
在图3C中，在通过开口部露出的反射电极131上依次形成像素电极160和有机发光层170。像素电极160和有机发光层170根据像素区在隔离部150与堤坝层140之间的间隙中被划分。
像素电极160和有机发光层170可以通过真空沉积法或热蒸镀法形成。由于用于像素电极160和有机发光层170的材料具有差的台阶覆盖特性，所以用于像素电极160和有机发光层170的材料可以不形成在隔离部150的侧表面上以及不形成在隔离部150与堤坝层140之间露出的辅助电极132上。因此，甚至在形成像素电极160和有机发光层170的步骤之后，隔离部150与堤坝层140之间的辅助电极132也没有被用于像素电极160和有机发光层170的材料覆盖。
在图3D中，在有机发光层170上形成公共电极180。公共电极180可以通过溅射法形成，并且可以包含透明导电氧化物(TCO)。由于透明导电氧化物(TCO)具有优异的台阶覆盖性，所以公共电极180可以形成在基板110的包括隔离部150的侧表面和在隔离部150与堤坝层140之间露出的辅助电极132的整个顶表面上。因此，在整个基板110中，公共电极180连接至辅助电极132，因此公共电极180的电阻减小。
图4至图8是示出分别根据本公开第二实施方案至第六实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
在图4中，像素电极260形成在堤坝层240下方，反射电极231和辅助电极232形成在平坦化层220上。例如，可以在平坦化层220上同时形成反射电极231和辅助电极232之后，在反射电极231上形成像素电极260。反射电极231和辅助电极232可以具有彼此相同的层和相同的材料。此外，反射电极231连接至驱动晶体管DTR。
由于像素电极260在形成堤坝层240之前形成，所以通过堤坝层240的开口部限定发光区。此外，由于像素电极260分离地形成在像素区中，所以防止了电流泄漏现象，并且提高了驱动的可靠性。
反射电极231、辅助电极232以及像素电极260可以使用第一掩模和第二掩模来形成。在平坦化层220上形成用于反射电极231和辅助电极232的第一材料之后，在第一材料上形成第一光致抗蚀剂(PR)层。在将第一掩模对准地设置在第一PR层上方之后，使光通过第一掩模照射在第一PR层上。在对第一PR层进行显影以形成第一PR图案之后，使用第一PR图案作为蚀刻掩模通过干蚀刻法或湿蚀刻法对第一材料进行蚀刻以形成反射电极231和辅助电极232。接下来，通过剥离去除第一PR图案。
类似地，在反射电极231和辅助电极232上形成用于像素电极260的第二材料之后，在第二材料上形成第二光致抗蚀剂(PR)层。在将第二掩模对准地设置在第二PR层上方之后，使光通过第二掩模照射在第二PR层上。在对第二PR层进行显影以形成第二PR图案之后，使用第二PR图案作为蚀刻掩模对第二材料进行蚀刻以形成像素电极260。接下来，通过剥离去除第二PR图案。
在图5中，像素电极360形成在堤坝层340下方，反射电极331和辅助电极332形成在平坦化层320上。例如，可以在平坦化层320上形成反射电极331之后，分别在平坦化层320和反射电极331上同时形成辅助电极332和像素电极360。辅助电极332和像素电极360可以具有彼此相同的层和相同的材料。此外，反射电极331连接至驱动晶体管DTR。
由于像素电极360在形成堤坝层340之前形成，所以通过堤坝层340的开口部限定发光区。此外，由于像素电极360分离地形成在像素区中，所以防止了电流泄漏现象，并且提高了驱动的可靠性。
可以使用第一掩模和第二掩模来形成反射电极331、辅助电极332以及像素电极360。在平坦化层320上形成用于反射电极331的第一材料之后，在第一材料上形成第一光致抗蚀剂(PR)层。在将第一掩模对准地设置在第一PR层上方之后，使光通过第一掩模照射在第一PR层上。在对第一PR层进行显影以形成第一PR图案之后，使用第一PR图案作为蚀刻掩模通过干蚀刻法或湿蚀刻法对第一材料进行蚀刻以形成反射电极331。接下来，通过剥离去除第一PR图案。
类似地，在平坦化层320和反射电极331上形成用于辅助电极332和像素电极360的第二材料之后，在第二材料上形成第二光致抗蚀剂(PR)层。在将第二掩模对准地设置在第二PR层上方之后，使光通过第二掩模照射在第二PR层上。在对第二PR层进行显影以形成第二PR图案之后，使用第二PR图案作为蚀刻掩模对第二材料进行蚀刻以形成辅助电极332和像素电极360。接下来，通过剥离去除第二PR图案。
在图6中，像素电极460形成在堤坝层440下方，反射电极431和辅助电极432形成在平坦化层420上。例如，可以在平坦化层420上形成反射电极431之后，对平坦化层420进行图案化以具有露出驱动晶体管DTR的接触孔。接下来，可以分别在平坦化层420和反射电极431上同时形成辅助电极432和像素电极460。辅助电极432和像素电极460可以具有彼此相同的层和相同的材料。此外，像素电极460通过接触孔连接至驱动晶体管DTR。
由于像素电极460在形成堤坝层440之前形成，所以通过堤坝层440的开口部限定发光区。此外，由于像素电极460分离地形成在像素区中，所以防止了电流泄漏现象，并且提高了驱动的可靠性。
可以使用第一掩模和第二掩模形成反射电极431、辅助电极432以及像素电极460。在平坦化层420上形成用于反射电极431的第一材料之后，在第一材料上形成第一光致抗蚀剂(PR)层。在将第一掩模对准地设置在第一PR层上方之后，使光通过第一掩模照射在第一PR层上。在对第一PR层进行显影以形成第一PR图案之后，使用第一PR图案作为蚀刻掩模通过干蚀刻法或湿蚀刻法对第一材料进行蚀刻以形成反射电极431。接下来，通过剥离去除第一PR图案。
类似地，在平坦化层420和反射电极431上形成用于辅助电极432和像素电极460的第二材料之后，在第二材料上形成第二光致抗蚀剂(PR)层。在将第二掩模对准地设置在第二PR层上方之后，使光通过第二掩模照射在第二PR层上。在对第二PR层进行显影以形成第二PR图案之后，使用第二PR图案作为蚀刻掩模对第二材料进行蚀刻以形成辅助电极432和像素电极460。接下来，通过剥离去除第二PR图案。
在另一实施方案中，可以省略反射电极431。像素电极460用作供给电子的阴极而不需要传输光。因此，像素电极460可以包含具有相对高的反射率的材料，并且反射电极431可以省略。
在图7中，像素电极560形成在堤坝层540下方，反射电极531和辅助电极532形成在平坦化层520上。例如，可以在平坦化层520上同时形成反射电极531和辅助电极532之后，对平坦化层520进行图案化以具有露出驱动晶体管DTR的接触孔。接下来，可以在反射电极531上形成像素电极560。反射电极531和辅助电极532可以具有彼此相同的层和相同的材料。此外，像素电极560通过接触孔连接至驱动晶体管DTR。
由于像素电极560在形成堤坝层540之前形成，所以通过堤坝层540的开口部限定发光区。此外，由于像素电极560分离地形成在像素区中，所以防止了电流泄漏现象，并且提高了驱动的可靠性。
可以使用第一掩模和第二掩模来形成反射电极531、辅助电极532以及像素电极560。在平坦化层520上形成用于反射电极531和辅助电极532的第一材料之后，在第一材料上形成第一光致抗蚀剂(PR)层。在将第一掩模对准地设置在第一PR层上方之后，使光通过第一掩模照射在第一PR层上。在对第一PR层进行显影以形成第一PR图案之后，使用第一PR图案作为蚀刻掩模通过干蚀刻法或湿蚀刻法对第一材料进行蚀刻以形成反射电极531。接下来，通过剥离去除第一PR图案。
类似地，在反射电极531和辅助电极532上形成用于像素电极560的第二材料，在第二材料上形成第二光致抗蚀剂(PR)层。在将第二掩模对准地设置在第二PR层上方之后，使光通过第二掩模照射在第二PR层上。在对第二PR层进行显影以形成第二PR图案之后，使用第二PR图案作为蚀刻掩模对第二材料进行蚀刻以形成像素电极560。接下来，通过剥离去除第二PR图案。
在图8中，像素电极660形成在堤坝层640下方，反射电极631和辅助电极632形成在平坦化层620上。辅助电极632包括下层632a和上层632b。例如，可以在平坦化层620上同时形成反射电极631和辅助电极632的下层632a之后，分别在下层632a和反射电极631上同时形成辅助电极632的上层632b和像素电极660。反射电极631和辅助电极632的下层632a可以具有彼此相同的层和相同的材料，并且像素电极660和辅助电极632的上层632b可以具有彼此相同的层和相同的材料。此外，反射电极631连接至驱动晶体管DTR。或者，在另一实施方案中，像素电极660可以连接至驱动晶体管DTR。
由于像素电极660在形成堤坝层640之前形成，所以通过堤坝层640的开口部限定发光区。此外，由于像素电极660分离地形成在像素区中，所以防止了电流泄漏现象，并且提高了驱动的可靠性。
可以使用单掩模形成反射电极631、辅助电极632以及像素电极660。在平坦化层620上形成用于反射电极631和辅助电极632的下层632a的第一材料以及用于像素电极660和辅助电极632的上层632b的第二材料之后，在第二材料上依次形成光致抗蚀剂(PR)层。在将单掩模对准地设置在PR层上方之后，使光通过单掩模照射在PR层上。在对PR层进行显影以形成PR图案之后，使用PR图案作为蚀刻掩模通过干蚀刻法或湿蚀刻法对第二材料进行蚀刻以形成像素电极660和辅助电极632的上层632b。接下来，使用PR图案作为蚀刻掩模通过干蚀刻法或湿蚀刻法对第一材料进行蚀刻以形成反射电极631和辅助电极632的下层632a。接下来，通过剥离去除PR图案。
用于反射电极631的第一材料和用于像素电极660的第二材料可以彼此相同，并且可以通过使用相同蚀刻气体的干蚀刻法或使用相同蚀刻溶液(蚀刻剂)的湿蚀刻法对第一材料和第二材料进行蚀刻。或者，用于反射电极631的第一材料和用于像素电极660的第二材料可以彼此不同，并且可以通过使用不同的蚀刻气体的干蚀刻法或使用不同的蚀刻溶液的湿蚀刻法对第一材料和第二材料进行蚀刻。
图9A和图9B是示出根据本公开第二实施方案至第六实施方案的每一个的有机发光二极管显示装置的俯视图。
在图9A和图9B中，像素电极260、360、460、560以及660形成在堤坝层240、340、440、540以及640下方。因此，可以通过堤坝层240、340、440、540以及640的开口部限定发射光的发光区EA。
此外，像素电极260、360、460、560以及660不需要根据像素区被划分，并且用于划分像素电极260、360、460、560以及660的隔离部250、350、450、550以及650不需要形成在所有的像素区的边界处。虽然在图9A中，隔离部250、350、450、550以及650形成在像素区的所有两个水平边界处和所有三个垂直边界处，但是在图9B中，隔离部250、350、450、550以及650形成在两个水平边界中的一个边界和三个垂直边界中的两个边界处。在另一实施方案中，隔离部250、350、450、550以及650可以形成在仅水平边界处或仅垂直边界处。此外，隔离部250、350、450、550以及650可以形成在交替的水平边界和交替的垂直边界处。此外，隔离部250、350、450、550以及650可以任意形成在水平边界和垂直边界处。
由于隔离部250、350、450、550以及650的位置与公共电极280、380、480、580以及680和辅助电极232、332、432、532以及632连接的位置相同，所以可以基于针对公共电极280、380、480、580以及680的电阻降低效果来确定隔离部250、350、450、550以及650的位置。由于电阻降低效果根据公共电极280、380、480、580以及680和辅助电极232、332、432、532以及632连接的接触区的增大而增加，所以可以最小化用于隔离部250、350、450、550以及650的区域以获得充分的电阻降低效果。
因此，在本公开的顶部发光型OLED显示装置中，由于阳极设置在上部处作为公共电极，并且阴极设置在下部处作为像素电极，所以从有机发光层发射的光被传输通过透明的阳极。因此，提高了OLED显示装置的亮度。
此外，由于阴极根据像素区划分，所以防止了电流流过相邻的像素区的电流泄漏现象。
此外，阴极被隔离部在像素区的边界处划分，阴极被隔离部在没有附加的图案化步骤的情况下划分。
此外，由于阴极设置在像素区中，所以对材料的选择和对厚度的确定的自由度增加，并且电子的注入效率最大化。因此，提高了光效率。
对于本领域技术人员将明显的是，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本公开的有机发光二极管显示装置进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同内容的范围内的本发明的修改和变化。
Claims (26)
1.一种有机发光二极管显示装置，包括：
反射电极；
辅助电极；
在所述反射电极和所述辅助电极上的堤坝层，所述堤坝层包括分别露出所述反射电极的一部分和所述辅助电极的一部分的第一开口部和第二开口部；
在所述辅助电极上的隔离部，所述隔离部设置在所述第二开口部内；
像素电极，所述像素电极接触所述反射电极的通过所述堤坝层的所述第一开口部露出的部分，所述像素电极设置为与所述隔离部分离开；
在所述像素电极上的有机发光层，所述有机发光层被所述隔离部所划分，所述有机发光层设置为与所述隔离部分离开；以及
在所述有机发光层上的公共电极，所述公共电极连接至所述辅助电极，
其中所述有机发光层和所述像素电极交叠所述堤坝层，以及
其中所述有机发光层设置在所述堤坝层的面对所述隔离部的侧表面上。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，还包括在基板上的薄膜晶体管，其中所述反射电极连接至所述薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述反射电极和所述辅助电极在所述显示装置内是共面的，所述反射电极和所述辅助电极由相同的材料制造。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述辅助电极由与所述像素电极相同的材料制造。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述辅助电极由与所述反射电极相同的材料制造。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述反射电极接触驱动晶体管。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述像素电极接触驱动晶体管。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述隔离部具有底部处比顶部处窄的倒置的截头锥体形状。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述公共电极的功函数大于所述像素电极的功函数。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中低电位电压被供给至所述像素电极，高电位电压被供给至所述公共电极。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述公共电极连接至所述辅助电极的通过所述第二开口露出的在所述隔离部与所述堤坝层之间的部分。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述像素电极包括金属层，所述金属层接触所述有机发光层。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述公共电极包括导电氧化物层，所述导电氧化物层接触所述有机发光层。
14.一种有机发光二极管显示装置，包括：
像素电极；
辅助电极；
在所述像素电极和所述辅助电极上的堤坝层，所述堤坝层包括分别露出所述像素电极的一部分和所述辅助电极的一部分的第一开口部和第二开口部；
接触所述辅助电极的隔离部，所述隔离部设置在所述第二开口部内；
在所述第一开口部处接触所述像素电极的有机发光层，所述有机发光层被所述隔离部所划分，所述有机发光层设置为与所述隔离部分离开；以及
在所述有机发光层上的公共电极，所述公共电极连接至所述辅助电极，
其中所述有机发光层和所述像素电极交叠所述堤坝层，以及
其中所述有机发光层设置在所述堤坝层的面对所述隔离部的侧表面上。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，还包括在所述像素电极下方的反射电极。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示装置，还包括在基板上的薄膜晶体管，其中所述像素电极和所述反射电极中之一连接至所述薄膜晶体管。
17.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示装置，其中所述像素电极和所述反射电极中之一与所述辅助电极在所述显示装置内是共面的。
18.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示装置，其中所述像素电极和所述反射电极中之一由与所述辅助电极相同的材料制造。
19.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示装置，其中所述辅助电极包括下层和在所述下层上的上层，其中所述反射电极和所述下层位于所述显示装置内的第一相同层处并且由彼此相同的第一材料制造，其中所述像素电极和所述上层位于所述显示装置内的第二相同层处并且由彼此相同的第二材料制造。
20.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，其中所述隔离部具有倒置的截头锥体形状。
21.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，其中所述公共电极的功函数大于所述像素电极的功函数。
22.一种有机发光二极管显示装置，包括：
像素电极；
辅助电极；
在所述像素电极和所述辅助电极两者上方的堤坝层，所述堤坝层限定：
露出所述像素电极的一部分的第一开口；
露出所述辅助电极的一部分的第二开口；
接触所述第一开口中的所述像素电极的有机发光层，所述有机发光层被隔离部所划分，所述有机发光层设置为与所述隔离部分离开；以及
在所述有机发光层上方并且接触所述第二开口中的所述辅助电极的公共电极，所述辅助电极减小所述公共电极的电阻，
其中所述有机发光层和所述像素电极交叠所述堤坝层，以及
其中所述有机发光层设置在所述堤坝层的面对所述隔离部的侧表面上。
23.根据权利要求22所述的有机发光二极管显示装置，还包括设置在所述第二开口中的在所述辅助电极与所述公共电极之间的隔离部，所述公共电极连接至所述隔离部与所述堤坝层之间的所述辅助电极。
24.根据权利要求22所述的有机发光二极管显示装置，其中所述有机发光层设置为接触所述第二开口中的所述辅助电极。
25.根据权利要求22所述的有机发光二极管显示装置，还包括在与所述有机发光层相反的一侧上接触所述像素电极的反射电极。
26.根据权利要求25所述的有机发光二极管显示装置，其中所述辅助电极和所述反射电极是共面的。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |