JP2022544198A - 補助電極および仕切りを含む光電子デバイス - Google Patents

補助電極および仕切りを含む光電子デバイス Download PDF

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Abstract

横方向面の第１の部分における第１の層表面上に配設された核形成抑制コーティング（ＮＩＣ）を備える、複数の層を有する光電子デバイス。第１の部分において、デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、それらの間に半導体層と、を備える。第２の電極は、ＮＩＣと第１の部分における半導体層との間にある。第２の部分では、導電性コーティングが第２の層表面に配設されている。第１の部分は、導電性コーティングを実質的に欠いている。導電性コーティングは、デバイス内の仕切りの保護された領域において、第２の電極および第３の電極に電気的に結合されている。【選択図】図１

Description

関連出願
本出願は、２０１９年８月９日に出願された米国仮特許出願第６２／８８５，１７１号、２０１９年８月１３日に出願された米国仮特許出願第６２／８８６，２８９号、米国仮特許出願第６２／２０１９年１１月１１日に出願された９９３，９２４および２０２０年４月２１日に出願された米国仮特許出願第６３／０１３，５０１号の各々の優先権の利益を主張するものであり、これらの各々の内容は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本開示は、光電子デバイス、特に、半導電性層によって分離された第１および第２の電極を有し、核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）として機能し得る、および／または核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）であり得る、パターニングコーティングを使用してパターン化された、その上に堆積された導電性コーティングおよび／または電極コーティングを有する光電子デバイスに関する。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導電性層が、アノードおよびカソードなどの一対の電極間に配設されている。アノードおよびカソードは、電源に電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導電性層を通って互いに向かって移動する正孔および電子を生じさせる。正孔および電子の対が組み合わされるとき、光子が放出される場合がある。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含み得、その各々は、関連付けられた対の電極を有する。そのようなパネルの様々な層およびコーティングは、通常、真空ベースの堆積技法によって形成されている。
いくつかの用途では、ＯＬＥＤ製造プロセス中に、電極および／またはそれに電気的に結合された導電性要素などであるが、それに限定されない、デバイス特徴部を形成するための導電性コーティングの選択的堆積によって、パネルの横方向面および断面のいずれかまたは両方にわたって、パネルの各（サブ）ピクセルに対して、あるパターンで、導電性コーティングを提供することが望ましい場合がある。
そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な用途では、電極材料および／またはそれに電気的に結合された導電性要素の堆積中のファインメタルマスク（ＦＭＭ）の挿入を伴う。しかしながら、電極として典型的に使用される材料は、比較的高い蒸発温度を有し、これは、ＦＭＭを再利用する能力、および／または達成され得るパターンの精度に影響を及ぼし、それに付随して、コスト、労力、および複雑さが増加する。
そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な例では、電極材料を堆積させることと、その後、レーザー穿孔プロセスによることを含む、その不要な領域を除去して、パターンを形成することと、を伴う。しかしながら、除去プロセスは、多くの場合、破片の作成および／または存在を伴い、製造プロセスの収率に影響する場合がある。
さらに、そのような方法は、いくつかの用途における、および／または特定の形態的特徴部を有するいくつかのデバイスとの使用に好適ではない場合がある。
導電性コーティングの選択的堆積を提供するための改善されたメカニズムを提供することは有益であろう。
本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの欠点を取り除くまたは軽減することである。
本開示は、横方向面の第１の部分の第１の層表面上に配置された核形成抑制コーティング（ＮＩＣ）を備える、複数の層を有する光電子デバイスを開示する。第１の部分において、デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、それらの間に半導体層と、を備える。第２の電極は、ＮＩＣと第１の部分における半導体層との間にある。第２の部分では、導電性コーティングが第２の層表面に配設されている。第１の部分は、導電性コーティングを実質的に欠いている。導電性コーティングは、デバイス内の仕切りの保護された領域において、第２の電極および第３の電極に電気的に結合されている。
本開示の広い態様によれば、複数の層を有する光電子デバイスであって、その横方向面の第１の部分における第１の層表面上に配設された核形成抑制コーティング（ＮＩＣ）であって、第１の部分は、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間の半導体層とを含み、第２の電極は、ＮＩＣと第１の部分における半導体層との間にある、ＮＩＣと、その横方向面の第２の部分における第２の層表面上に配設された導電性コーティングと、を備え、第１の部分は、導電性コーティングを実質的に欠いており、導電性コーティングは、デバイス内の仕切りの保護された領域において、第２の電極および第３の電極に電気的に結合されている、光電子デバイスが開示されている。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、少なくとも１つの放出領域を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、非放出領域の少なくとも一部を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、保護された領域は、ＮＩＣを実質的に欠いている可能性がある。いくつかの非限定的な例では、保護された領域は、仕切りによって画定された陥凹部を備え得る。いくつかの非限定的な例では、陥凹部は、仕切り内で実質的に横方向に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、陥凹部は、天井と、側部と、床と、を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の電極は、天井、側部、床、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせの少なくとも１つ上に提供することができる。いくつかの非限定的な例では、天井および側部の少なくとも１つを仕切りによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティングを陥凹部内に配設することができる。
いくつかの非限定的な例では、仕切りは、下部セクションと、上部セクションと、を備え得る。いくつかの非限定的な例では、下部セクションは、上部セクションに対して横方向に凹んで、陥凹部を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、下部セクションは、第３の電極を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の電極は、仕切り内に一体的に形成することができる。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティングは、第３の電極と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティングは、結合領域（ＣＲ）において、第２の電極に電気的に結合することができる。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣは、導電性コーティングとＣＲ内の第２の電極との間に配設することができる。
いくつかの非限定的な例では、保護された領域は、仕切りによって画定された開口部を備え得る。いくつかの非限定的な例では、開口部は、仕切りによって画定された陥凹部に開き得る。いくつかの非限定的な例では、開口部は、デバイスの表面から離れる方向に垂直に延在する軸に対して角度を付けることができる。いくつかの非限定的な例では、開口部は、環状円錐プロファイルを有し得る。いくつかの非限定的な例では、開口部は、第３の電極の表面を露出させることができる。いくつかの非限定的な例では、第３の電極をデバイスの表面上に設けることができる。いくつかの非限定的な例では、第３の電極は、デバイスの基板内に一体的に形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、断面において、第３の電極の層表面と重なるアンダーカット部分をさらに備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の電極は、バスバーに電気的に結合された補助電極であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、その横方向面の第３の部分におけるデバイスの第３の層の表面上に配設されたさらなるＮＩＣと、デバイスの横方向面の第４の部分におけるデバイスの第４の層の表面上に配設されたさらなる導電性コーティングと、をさらに備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分は、少なくとも１つの放出領域を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第４の部分は、非放出領域の少なくとも一部を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第４の部分は、少なくとも１つの放出領域を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分は、非放出領域の少なくとも一部を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分は、それを通して実質的に光透過性であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、第４の電極と、第５の電極と、第４の電極と第５の電極との間にさらなる半導体層と、をさらに備え得、第５の電極は、第３の部分におけるさらなるＮＩＣとさらなる半導体層との間に延在する。
実施例は、それらを実施可能な本開示の態様と併せて上述している。当業者は、実施例が、それらが説明されている態様と併せて実施され得るが、その態様または別の態様の他の実施例と共に実施されてもよいことを理解するであろう。実施例が相互に排他的である、または他の点で互いに不適合であるとき、それは、当業者には明らかであろう。いくつかの実施例は、１つの態様に関係して説明され得るが、当業者には明らかであるように、他の態様にも適用可能であり得る。
本開示のいくつかの態様または実施例は、横方向面の第１の部分における第１の層の表面上に配設されたＮＩＣを有する光電子デバイスを提供し得、ＮＩＣは、第１および第２の電極と、それらの間の半導体層と、を有し、第２の電極は、ＮＩＣと第１の部分における半導体層との間にあり、導電性コーティングは、第２の部分における第２の層表面上に配設されており、導電性コーティングは、デバイス内の仕切りの保護された領域において、第２の電極および第３の電極に電気的に結合され、その結果、第１の部分には、実質的に導電性コーティングがない。
ここで、本開示の例を、以下の図を参照することによって説明し、異なる図中の同一の参照番号は、同一の要素、ならびに／またはいくつかの非限定的な例では、類似するおよび／もしくは対応する要素を示している。
本開示の例による、エレクトロルミネセントデバイスの例の断面からのブロック図である。 図１のデバイスの断面図である。 本開示の例による、表面上に吸収された吸着原子の相対的なエネルギー状態を示すエネルギープロファイルの例である。 本開示の例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１のデバイスのバージョンの例である。 本開示の例による、デバイスの非放出領域内に、仕切りと、陥凹部などの保護された領域とを有する図１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の例による、デバイス上への半導電性層の堆積の前に非放出領域内に、仕切りと、陥凹部などの保護された領域とを有する図１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、半導電性層の堆積後の図６Ａの仕切りと、第２の電極およびその上に導電性コーティングが堆積されたＮＩＣとの間の相互作用の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図６Ａのデバイス内の補助電極の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図６Ａのデバイス内の補助電極の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図６Ａのデバイス内の補助電極の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図６Ａのデバイス内の補助電極の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図６Ａのデバイス内の補助電極の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図６Ａのデバイス内の補助電極の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図６Ａのデバイス内の補助電極の様々な例を示す概略図である。 本開示の様々な例による、非放出領域内に、仕切りと、開口部などの保護された領域とを有する図１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の様々な例による、非放出領域内に、仕切りと、開口部などの保護された領域とを有する図１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の様々な例によって作製された例示的なデバイスの走査型電子顕微鏡によって撮影された顕微鏡写真である。 本開示の様々な例によって作製された例示的なデバイスの走査型電子顕微鏡によって撮影された顕微鏡写真である。 本開示の様々な例によって作製された例示的なデバイスの走査型電子顕微鏡によって撮影された顕微鏡写真である。 本開示の様々な例によって作製された例示的なデバイスの走査型電子顕微鏡によって撮影された顕微鏡写真である。 本開示の様々な例によって作製された例示的なデバイスの走査型電子顕微鏡によって撮影された顕微鏡写真である。 本開示の様々な例によって作製された例示的なデバイスの走査型電子顕微鏡によって撮影された顕微鏡写真である。 本開示の様々な例によって作製された例示的なデバイスの走査型電子顕微鏡によって撮影された顕微鏡写真である。 本開示の例による、図１のデバイスの例示的なバージョンにおける、放出領域および周囲の非放出領域に沿って走るバスバーの例示的な配置を平面図で示す概略図である。 本開示の例による、図１のデバイスの例示的なバージョンにおいて、デバイススタック内の第２の電極にバスバーを電気的に結合することができる、少なくとも１つの仕切りと、開口部などの保護された領域との対応する断面図を伴う、図１４Ａの一部のセグメントを示す概略図である。
本開示では、限定ではなく解説の目的で、特定のアーキテクチャ、インターフェース、および／または技法を含むがこれらに限定されない、本開示の完全な理解を提供するために特定の詳細が記述されている。場合によっては、本開示の説明を不必要な詳細で曖昧にしないように、よく知られているシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、および用途の詳細な説明が省略されている。
さらに、本明細書で再現されたブロック図は、技術の原理を具体化する例示的な構成要素の概念図を表し得ることが理解されよう。
したがって、システムおよび方法の構成要素は、図面中の従来の記号によって適切に表されており、本明細書における説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細で本開示を曖昧にしないように、本開示の例を理解することに関連するこれらの特定の詳細のみを示している。
本明細書で提供されるいかなる図面も、縮尺どおりに描かれているものではなく、いかなる方法でも本開示を制限すると見なされるものではない。
破線のアウトラインで示す任意の特徴または作用は、いくつかの例では任意選択として見なされる場合がある。
光電子デバイス
本開示は概して、電子デバイス、およびより具体的には光電子デバイスに関する。光電子デバイスは概して、電気信号を光子に、およびその逆に変換する任意のデバイスを包含する。
本開示では、「光子」および「光」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。本開示では、光子は、その赤外線（ＩＲ）および／または紫外線（ＵＶ）領域において、可視光スペクトルに位置する波長を有し得る。
本開示において、本明細書で使用される「可視光スペクトル」という用語は、一般に、電磁スペクトルの可視部分における少なくとも１つの波長を指す。当業者によって理解されるように、そのような可視部分は、約３８０ｎｍ～約７４０ｎｍまでの任意の波長に対応し得る。一般に、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５ｎｍ～約７２５ｎｍの範囲における波長を有する光、より具体的には、いくつかの非限定的な例では、それぞれＢ（青）、Ｇ（緑）、およびＲ（赤）サブピクセルに対応する４５６ｎｍ、５２８ｎｍ、および６２４ｎｍのピーク発光波長を有する光を放出および／または透過するように構成されている。よって、そのようなエレクトロルミネセントデバイスの文脈において、可視部分は、約４２５ｎｍ～約７２５ｎｍ、または約４５６ｎｍ～約６２４ｎｍの任意の波長を指し得る。
有機光電子デバイスは、デバイスの１つ以上の活性層および／または層状部が主に有機（炭素含有）材料、およびより具体的には有機導電性材料で形成される任意の光電子デバイスを包含することができる。
本開示では、有機材料は、多種多様な有機分子および／または有機ポリマーを含み得るがこれらに限定されないことが当業者に理解されよう。さらに、元素および／または無機化合物を含むがこれらに限定されない、様々な無機物質でドープされた有機材料は、依然として有機材料と見なされ得ることが当業者に理解されよう。依然として、様々な有機材料が使用されてもよく、本明細書で説明するプロセスは、概して、そのような有機材料の全範囲に適用可能であることが当業者にさらに理解されよう。
本開示では、無機物質は、主に無機材料を含む物質を指し得る。本開示では、無機材料は、金属、ガラス、および／または鉱物を含むがこれらに限定されない、有機材料とはみなされない任意の材料を含み得る。
光電子デバイスがルミネセントプロセスを通して光子を放出する場合、デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスと見なすことができる。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であり得る。非限定的な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネルまたはモジュール、かつ／あるいはスマートフォン、タブレット、ラップトップ、電子書籍リーダーなどのコンピューティングデバイス、ならびに／もしくはモニターおよび／またはテレビなどのいくつかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイまたはモジュールであり得る。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機薄膜太陽電池（ＯＰＶ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、エレクトロルミネセント量子ドットデバイスであり得る。本開示では、具体的には、特に異議を唱えない限り、いくつかの例では、そのような開示が、当業者に明らかな様態で、ＯＰＶおよび／または量子ドットデバイスを含むがこれらに限定されない、他の光電子デバイスに等しく適用可能にされ得ることを理解して、ＯＬＥＤデバイスを参照する。
そのようなデバイスの構造は、２つの側面の各々から、すなわち、断面から、および／または横方向（平面図）面から説明する。
本開示では、「層」および「層状部」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。
下記の断面を紹介する文脈では、そのようなデバイスの構成要素は、実質的に平面の横層状部で示す。当業者は、そのような実質的に平面の表現は例示のみを目的とするものであり、そのようなデバイスの横範囲にわたるものであり、いくつかの非限定的な例では層の実質的に完全な欠如、および／または非平面遷移領域（横ギャップおよび不連続部も含む）によって分離された層を含む、異なる厚さおよび寸法の局所化された実質的に平坦な層状部があってもよいことを理解するであろう。したがって、例示目的で、デバイスは、実質的に層状の構造としてその断面において下記に示されているが、下記で考察される平面図の態様では、そのようなデバイスは、特徴部を画定するための多様な形態（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）を示し得、これらの各特徴部は、断面において述べる層状プロファイルを実質的に示し得る。
断面
図１は、本開示による、エレクトロルミネセントデバイスの例の断面からの簡略化されたブロック図である。概して、１００で示すエレクトロルミネセントデバイスは、基板１１０を備え、この上に、複数の層、それぞれ第１の電極１２０、少なくとも１つの半導電性層１３０、および第２の電極１４０を備えるフロントプレーン１０が配設されている。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１０は、光子放出および／または放出された光子の操作のためのメカニズムを提供し得る。
例示する目的で、基部材料の露出層表面は１１１と称される。図１では、露出層表面１１１は、第２の電極１４０のものであるとして示されている。当業者は、非限定的な例として、第１の電極１２０の堆積時に、露出層表面１１１が基板１１０の１１１ａとして示されていることを理解するであろう。
当業者は、構成要素、層、領域および／またはその部分が、別の基部材料、構成要素、層、領域および／または部分上に「形成」、「配設」および／または「堆積」されると称されるとき、そのような形成、配設および／または堆積は、そのような基部材料、構成要素、層、領域および／または部分の（そのような形成、配設、および／または堆積時の）露出層表面１１１上に直接的、および／またはそれらの間に材料、構成要素、層、領域、および／または部分が介在する可能性を有して間接的であり得ることを理解するであろう。
本開示では、方向の慣習に従い、基板１１０がデバイス１００の「下面」であると見なされ、層１２０、１３０、１４０が基板１１の「上面」上に配設される、上述の横方向面に対して実質的に垂直に延在している。そのような慣習に従って、たとえ（１つ以上の層１２０、１３０、１４０が蒸着プロセスによって導入され得る、製造プロセス中を含むがこれに限定されない、いくつかの例での場合であり得るとして）、堆積材料（図示せず）が上方に移り、その上面に薄膜として堆積することを可能にするために、基板１１０が、第１の電極１２０などであるがこれに限定されない、層１２０、１３０、１４０のうちの１つが配設されるべき上面が、基板１１０の物理的に下方にあるように、物理的に反転されても、第２の電極１４０は、示すデバイス１００の上面にある。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、電源１５と電気的に結合され得る。そのように結合されるとき、デバイス１００は、本明細書で説明するように光子を放出することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、そこから生じた光子の放出方向に従って分類することができる。いくつかの非限定的な例では、生じた光子が、デバイス１００の下面にある基板１００に向かうおよびそれを通り、基板１１０の上面に配設された層１２０、１３０、１４０から離れる方向に放出される場合、デバイス１００は、下面放出デバイスであると見なされ得る。いくつかの非限定的な例では、光子が、デバイス１００の下面にある基板１１０から離れ、基板１１０の上面に中間層１２０、１３０と共に配設された上層１４０に向かうおよび／またはそれを通る方向に放出される場合、デバイス１００は上面放出デバイスであると見なされ得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、それが下面（基板１１０に向かう、およびそれを通る）および上面（上層１４０に向かう、およびそれを通る）の両方で光子を放出するように構成されている場合、両面放出デバイスであり得る。
薄膜の形成
フロントプレーン１０層１２０、１３０、１４０は、基部材料のターゲット露出層表面１１１（および／またはいくつかの非限定的な例では、本明細書に開示する選択的堆積の場合に、そのような表面の少なくとも１つのターゲット領域および／または部分を含むがこれに限定されない）に順次配設することができ、この基部材料は、いくつかの非限定的な例では、時々、基板１１０および薄膜として、介在する下層１２０、１３０、１４０であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０、１７５０（図５）、４１５０（図１４Ａ）は、導電性コーティング８３０の少なくとも１つの薄膜導電性層から形成され得る。
図１におよび図全体を通して示す、層１２０、１３０、１４０を含むがこれらに限定されない各層、および基板１１０の厚さは、例示のみであり、必ずしも別の層１２０、１３０、１４０（および／または基板１１０）に対する厚さを表すものではない。
基部材料の露出層表面１１１への蒸着中の薄膜の形成は、核生成および成長のプロセスを伴う。膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー（いくつかの非限定的な例では、分子および／または原子であり得る）は、通常、気相から凝縮して、基板１１０（または介在する下層１２０、１３０、１４０）のいずれであっても、提示された表面１１１上に初期核を形成する。蒸気モノマーがそのような表面上に衝突し続けると、これらの初期核のサイズと密度が増加して、小さいクラスタまたは島が形成される。島の密度に飽和した後、概して、隣接する島が合体し始め、島の密度を減らしながら島の平均サイズが増加する。隣接する島の合体は、実質的に閉じた膜が形成されるまで続き得る。
本開示は、蒸着に関して、少なくとも１つの層またはコーティングを参照して、薄膜形成について述べているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイス１００の様々な構成要素が、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、物理蒸着（ＰＶＤ）（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、化学蒸着（ＣＶＤ）（プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）および／または有機気相成長（ＯＶＰＤ）を含むがこれに限定されない）、レーザーアニーリング、レーザー誘起熱イメージング（ＬＩＴＩ）パターニング、原子層堆積（ＡＬＤ）、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれに限定されない）、ならびに／もしくはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、多種多様な技法を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。いくつかのプロセスは、いくつかの非限定的な例では、様々な層および／またはコーティングのいずれかの堆積中に、オープンマスクおよび／またはファインメタルマスク（ＦＭＭ）であり得るシャドウマスクと組み合わせて使用して、それに露出された基部材料の表面のある特定の部分上への堆積された材料の堆積を覆うおよび／または排除することによる様々なパターンを達成することができる。
本開示では、「蒸発」および／または「昇華」という用語は、概して、加熱によるものを含むがこれに限定されない源材料が蒸気に変換されて、固体状態であるがこれに限定されないターゲット表面に堆積される堆積プロセスを指すように互換的に使用され得る。理解されるように、蒸発処理はＰＶＤ処理の一種であり、１つ以上の源材料を低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発および／あるいは昇華させ、１つ以上の蒸発した源材料の逆昇華により対象面に堆積させる。様々な異なる蒸発源が源材料を加熱するために使用され、したがって、源材料を様々な形で加熱してもよいことが当業者に理解されよう。非限定的な例として、源材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、および／または抵抗加熱によって加熱してもよい。いくつかの非限定的な例では、源材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発源であり得る）、および／または他の任意のタイプの蒸発源に充填されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積源材料は、混合物であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積源材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積されない（または、いくつかの非限定的な例では、そのような混合物の他の成分と比較して比較的少量で堆積される）場合がある。
本開示では、材料の層厚さへの言及は、その堆積のメカニズムに関係なく、言及された層厚さを有する材料の均一に厚い層でターゲット表面を被覆する材料の量に対応するターゲット露出層表面１１１上に堆積された材料の量を指す。非限定的な例として、１０ナノメートル（ｎｍ）の材料の層厚さを堆積させることは、表面上に堆積された材料の量が、１０ｎｍ厚である材料の均一に厚い層を形成するための材料の量に対応することを示す。上記で考察した薄膜が形成されるメカニズムに関して、非限定的な例として、モノマーの起こり得るスタッキングまたはクラスタリングのために、堆積材料の実際の厚さが不均一である場合があることが理解されよう。非限定的な例として、１０ｎｍの層厚さを堆積させることにより、１０ｎｍを超える実際の厚さを有する堆積材料のいくつかの一部、または１０ｎｍ未満の実際の厚さを有する堆積材料の他の一部が得られる場合がある。したがって、表面上に堆積された材料のある特定の層厚さは、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面にわたる堆積材料の平均厚さに対応し得る。
本開示では、基準層厚さへの言及は、高い初期付着確率または初期付着係数Ｓ０を示す基準表面（つまり、約１、および／または１に近い初期付着確率Ｓ０を有する表面）上に堆積された導電性コーティング８３０（図４）を形成するための材料の層厚さを指す。基準層厚さは、ターゲット表面（核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）８１０（図４）の表面などであるがこれに限定されない）上に堆積された導電性コーティング８３０を形成するための材料の実際の厚さを示すものではない。むしろ、基準層厚さは、基準表面上、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面および基準表面を同じ堆積期間で、導電性コーティング８３０を形成するための材料の同一の蒸気フラックスに曝したときに、堆積速度および基準層厚さを監視するために堆積チャンバ内に位置付けられた水晶の表面上に堆積される導電性コーティング８３０を形成するための材料の層厚さを指す。当業者は、ターゲット表面および基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスに曝されない場合、基準層厚さを判定および／または監視するために適切なツーリングファクタが使用され得ることを理解するであろう。
本開示では、材料の数Ｘの単分子層を堆積させることへの言及は、ある量の材料を堆積させて、材料の構成モノマーのＸ個の単層で露出層表面１１１の所望の面積を被覆することを指す。本開示では、材料の画分０．Ｘの単分子層を堆積させることへの言及は、ある量の材料を堆積させて、材料の構成モノマーの単層で表面の所望の面積の画分０．Ｘを被覆することを指す。当業者は、非限定的な例として、モノマーの起こり得るスタッキングおよび／またはクラスタリングのために、表面の所望の面積にわたる堆積材料の実際の局所的な厚さが不均一である場合があることを理解するであろう。非限定的な例として、材料の１つの単分子層を堆積させると、表面の所望の面積のいくつかの局所的な領域が材料によって被覆されなくなる場合があり、一方、表面の所望の面積の他の局所的な領域は、その上に堆積した多数の原子層および／または分子層を有し得る。
本開示では、ターゲット表面（および／またはそのターゲット領域）は、任意の好適な決定メカニズムによって決定されるようなターゲット表面上の材料が実質的に欠如している場合、材料「が実質的にない」、「を実質的に含まない」、および／または「によって実質的に被覆されていない」と見なされ得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、そのような材料による表面の被覆率である。いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）、および／または走査型電子顕微鏡法（ＳＥＭ）を含むがこれらに限定されない、様々な撮像技法を使用して判断され得る。
いくつかの非限定的な例では、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、および／またはイッテルビウム（Ｙｂ）を含むがこれに限定されない、導電性材料は、光子を減衰および／または吸着するため、いくつかの非限定的な例では、表面上の導電性材料の量の１つの尺度は（光）透過率である。
本開示では、説明を簡単にする目的で、本明細書で使用される「コーティングフィルム」または「閉じたフィルム」という用語は、導電性コーティング８３０のために使用される材料の薄膜構造および／またはコーティングを指し、表面の関連部分は、それによって実質的にコーティングされ、その結果、そのような表面は、その上に堆積されたコーティングフィルムによって、またはコーティングフィルムを通して実質的に露出されない。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０のコーティングフィルムは、基礎となる表面の一部を覆うように配設され得、その結果、その内部の基礎となる表面の約４０％未満、約３０％未満、約２５％未満、約２０％未満、約１５％未満、約１０％未満、約５％未満、約３％未満、または約１％未満となるように、コーティングフィルムによって、またはコーティングフィルムを通して露出されている。
本開示では、説明を簡単にする目的で、本明細書で使用される「不連続コーティング」という用語は、導電性コーティング８３０のために使用される材料の薄膜構造および／またはコーティングを指し、それによってコーティングされる表面の関連部分は、そのような材料を実質的に欠くこともなく、そのコーティングフィルムを形成することもない。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の不連続コーティングは、そのような表面上に堆積された複数の別個の島として現れ得る。
本開示では、例示を簡単にするために、層の厚さプロファイルおよび／または縁部プロファイルを含むがこれらに限定されない、堆積材料の詳細は省略されている。
基板
いくつかの例では、基板１１０、およびいくつかの非限定的な例では、そのベース基板１１２は、シリコン（Ｓｉ）、ガラス、金属（金属箔を含むがこれに限定されない）、サファイア、および／もしくは他の好適な無機材料を含むがこれらに限定されない無機材料、ならびに／またはポリイミドおよび／もしくはシリコン系ポリマーを含むがこれらに限定されないポリマーを含むがこれに限定されない有機材料を含むがこれらに限定されない、その使用に好適な材料から形成することができる。いくつかの非限定的な例では、基板１１０は、ベース基板１１２上に形成された有機および／または無機材料の１つ以上の層を含み得る。そのような材料の非限定的な例には、電子注入層（ＥＩＬ）１３９および／または輸送層（ＥＴＬ）１３７を形成するために使用されるものが含まれるが、それらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、追加の層が提供され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、バックプレーン層２０を備える、ならびに／もしくはそれからおよび／またはそれとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、バックプレーン層２０は、いくつかの非限定的な例では、フォトリソグラフィプロセスによって形成され得る、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、抵抗器、および／またはコンデンサ（集合的にＴＦＴ構造２００（図２））を含むがこれに限定されない１つ以上の電子および／または光電子部品を含むがこれらに限定されない、デバイス１００を駆動するための電力回路および／またはスイッチング要素を含む。いくつかの非限定的な例では、そのようなＴＦＴ構造２００は、バッファ層２１０（図２）の一部上に形成された半導体活性領域２２０（図２）を備え得、ゲート絶縁層２３０（図２）が上に堆積され、半導体活性領域２２０を実質的に覆う。いくつかの非限定的な例では、ゲート電極２４０（図２）は、ゲート絶縁層２３０の上部に形成され、層間絶縁層２５０（図２）がその上に堆積されている。ＴＦＴソース電極２６０（図２）およびＴＦＴドレイン電極２７０（図２）は、それらが半導体活性領域２２０に電気的に結合されるように、それらが層間絶縁層２５０およびゲート絶縁層２３０の両方を通して形成された開口部を通って延在するように形成されている。いくつかの非限定的な例では、次いで、ＴＦＴ絶縁層２８０（図２）が、ＴＦＴ構造２００上に形成されている。
第１の電極
第１の電極１２０は、基板１１０上に堆積されている。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、電源１５の端子および／または接地に電気的に結合されている。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合されている。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、アノードおよび／またはカソードを備え得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、アノードである。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、基板１１０（の一部）上に少なくとも１つの導電性薄膜を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、基板１１０の横方向面上に空間配置で配設された複数の第１の電極１２０があってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの第１の電極１２０のうちの１つ以上は、バックプレーン２０内のＴＦＴ構造２００の電極に電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１の電極１２０および／もしくはその少なくとも１つの薄膜は、Ｍｇ、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、Ｚｎ、Ａｇ、カドミウム（Ｃｄ）、バリウム（Ｂａ）および／もしくはＹｂ、および／もしくはそのような材料のいずれかを含有する合金を含むがこれらに限定されない組み合わせを含むがこれらに限定されない１つ以上の金属材料、フッ素スズ酸化物（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、および／もしくはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの三元組成物、および／もしくはこれらの組み合わせ、および／もしくは様々な比率のものなどの透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）を含むがこれに限定されない１つ以上の酸化物、ならびに／または１つの層内のこれらの組み合わせ、薄膜であり得るがそれに限定されないもののいずれか１つ以上を含み得るが、これらに限定されない様々な材料を備え得る。
第２の電極
第２の電極１４０は、少なくとも１つの半導電性層１３０上に堆積されている。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、電源１５の端子および／または接地に電気的に結合されている。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合されている。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、アノードおよび／またはカソードを備え得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１３０は、カソードである。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの半導電性層１３０（の一部）上に少なくとも１つの薄膜として、導電性コーティング８３０を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０の横方向面上に空間配置で配設された複数の第２の電極１４０があってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の電極１４０は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、および／もしくはＹｂ、および／もしくはそのような材料のいずれかを含有する合金を含むがこれらに限定されないこれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない１つ以上の金属材料、ＦＴＯ、ＩＺＯ、および／もしくはＩＴＯおよび／もしくはそれらの組み合わせおよび／もしくは様々な比率でのもの、および／もしくは酸化亜鉛（ＺｎＯ）および／もしくはインジウム（Ｉｎ）および／またはＺｎを含有する他の酸化物などであるがこれらに限定されない三元組成物を含むがこれらに限定されないＴＣＯを含むがこれに限定されない１つ以上の酸化物、および／もしくは少なくとも１つの層内でのこれらの組み合わせ、ならびに／または、そのうちの任意の１つ以上が導電性薄膜であり得るがこれに限定されない１つ以上の非金属材料を含むがこれらに限定されない様々な材料を備え得る。
説明を簡単にする目的で、本開示では、単一層内の複数の要素の組み合わせは、コロン「：」によって２つのそのような要素を分離することによって示され、一方、多層コーティング内の複数の層を備える複数の要素（の組み合わせ）は、そのような２つの層をスラッシュ「／」で区切ることによって示される。いくつかの非限定的な例では、スラッシュの後の層は、スラッシュの前の層上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金について、そのような合金の組成は、体積で約１：１０～約１０：１の範囲であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、複数のそのような層および／またはコーティングを含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような層および／またはコーティングは、互いの上部に配設された別個の層および／またはコーティングであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、Ｙｂ／Ａｇ二層コーティングを備え得る。非限定的な例として、そのような二層コーティングは、Ｙｂコーティング、続いてＡｇコーティングを堆積させることによって形成され得る。そのようなＡｇコーティングの厚さは、Ｙｂコーティングの厚さよりも大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、少なくとも１つの金属層および／または少なくとも１つの酸化物層を含む多層電極１４０であり得る。
半導電性層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、複数の層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９を備え得、これらのいずれも、いくつかの非限定的な例では、正孔注入層（ＨＩＬ）１３１、正孔輸送層（ＨＴＬ）１３３、放出層（ＥＭＬ）１３５、電子輸送層（ＥＴＬ）１３７、および／または電子注入層（ＥＩＬ）１３９のうちのいずれか１つ以上を含み得るがこれらに限定されない積層構成で、薄膜内に配設することができる。本開示では、「半導電性層」という用語は、ＯＬＥＤデバイス１００内の層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９が、いくつかの非限定的な例では有機半導電性材料を含み得ることができるため、「有機層」と互換的に使用することができる。
当業者は、デバイス１００の構造が半導体層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９のうちの１つ以上を省略および／もしくは組み合わせることによって、ならびに／または１つ以上の追加の層（図示せず）を半導電性層１３０内の適切な位置で導入することによって、変更し得ることを容易に理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭＬ１３５は、非限定的な例として、ホスト材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）エミッタ、および／またはこれらの複数の任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、少なくとも１つの半導電性層１３０が、導電性薄膜電極１２０、１４０の間に挟入された少なくともＥＭＬ１３５を備えるＯＬＥＤであり得、それにより、それらの全体に電位差が印加されると、正孔は、アノードを通して少なくとも１つの半導電性層１３０に注入され、電子は、カソードを通して少なくとも１つの半導電性層１３０に注入され、最終的にそれらは組み合わさって、励起子と称される束縛状態電子正孔対を形成する。特に励起子がＥＭＬ１３５内で形成される場合、励起子は、光子が放出される輻射再結合プロセスを通して減衰し得る。
いくつかの非限定的な例では、励起子は、特に励起子がＥＭＬ１３５内で形成されない場合、光子が解放されない非輻射プロセスを通して減衰し得る。
横方向面
ＯＬＥＤデバイス１００が照明パネルを含む場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１００の横方向面全体が単一の照明要素に対応し得る。したがって、図１に示す実質的に平面の断面プロファイルは、光子が実質的にその横範囲の全体に沿ってデバイス１００から放出されるように、実質的にデバイス１００の横方向面全体に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような単一の照明要素は、デバイス１００の単一の駆動回路によって駆動することができる。
ＯＬＥＤデバイス１００がディスプレイモジュールを備える場合を含む、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の横方向面は、デバイス１００の複数の放出領域１９１０（図５）に細分することができ、ここで、図１に示すがこれに限定されない、放出領域１９１０の各々内のデバイス構造１００の断面は、通電されると、そこから光子を放出させる。
放出領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の個々の放出領域１９１０は、横パターンで並べられてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の横方向に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の横方向に沿って延在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、第１の横方向に実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の各放出領域１９１０は、単一のディスプレイピクセルに対応する。いくつかの非限定的な例では、各ピクセルは、所与の波長スペクトルで光を放出する。いくつかの非限定的な例では、波長スペクトルは、可視光スペクトルの色に対応するがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の各放出領域１９１０は、ディスプレイピクセルのサブピクセルに対応する。いくつかの非限定的な例では、複数のサブピクセルが組み合わされて、単一のディスプレイピクセルを形成するか、または表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセルは、３つのサブピクセルによって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、３つのサブピクセルは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル、Ｇ（緑）サブピクセル、および／またはＢ（青）サブピクセルとして表示され得る。
本開示では、ピクセルの概念は、その少なくとも１つのサブピクセルの概念と併せて考察され得る。説明を簡潔にするためだけに、そのような複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル」として参照され、そのような用語は、文脈上別段の指示がない限り、ピクセルおよび／またはその少なくとも１つのサブピクセルのいずれかまたは両方を示唆すると理解される。
いくつかの非限定的な例では、所与のサブピクセルによって放出される光の発光スペクトルは、サブピクセルが表示される色に対応する。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルは、第１のディスプレイピクセルを表すために他のサブピクセルの第１の組に関連付けられ、また、第２のディスプレイピクセルを表すために他のサブピクセルの第２の組に関連付けられるため、第１および第２のディスプレイピクセルは、同じサブピクセルをそれらに関連付けることができる。
サブピクセルのディスプレイピクセルへのパターンおよび／または組織は進化し続けている。現在および将来のすべてのパターンおよび／または組織は、本開示の範囲内に収まっていると見なされる。
非放出領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の様々な放出領域１９１０は、少なくとも１つの横方向において、１つ以上の非放出領域１９２０（図５）によって実質的に取り囲まれ、かつ分離され、ここで、図１に示すがこれに限定されない、デバイス構造１００の断面に沿った構造および／または構成は、そこから放出される光子を実質的に抑制するように変化する。いくつかの非限定的な例では、非放出領域１９２０は、放出領域１９１０が実質的にない横方向面内のこれらの領域を含む。
したがって、図２の断面図に示すように、少なくとも１つの半導電性層１３０の様々な層の横形状を変えて、少なくとも１つの非放出領域１９２０によって（少なくとも、１つの横方向に）取り囲まれた少なくとも１つの放出領域１９１０を画定することができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイ（サブ）ピクセルに対応する放出領域１９１０は、横方向面４２０を有する少なくとも１つの非放出領域１９２０によって少なくとも１つの横方向に取り囲まれた横方向面４１０を有すると理解され得る。
ＯＬＥＤディスプレイ１００の単一のディスプレイ（サブ）ピクセルに対応する放出領域１９１０に適用されるようなデバイス１００の断面の実装の非限定的な例について、ここで説明する。そのような実装の特徴部は、放出領域１９１０に特有であることが示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２つ以上の放出領域１９１０が共通の特徴部を包含し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、いくつかの非限定的な例では放出領域１９１０の横方向面４１０の少なくとも一部内で、デバイス１００の露出層表面１１１上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセルの放出領域１９１０の横方向面４１０内で、露出された層表面１１１は、第１の電極１２０の堆積時に、単一のディスプレイ（サブ）ピクセルに対応する放出領域１９１０用の駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造２００のＴＦＴ絶縁層２８０を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層２８０は、それを通って延在する開口部４３０を伴って形成されて、第１の電極１２０が、図２に示す非限定的な例として、ＴＦＴドレイン電極２７０を含むがこれに限定されない、ＴＦＴ電極２４０、２６０、２７０のうちの１つに電気的に結合されることを可能にすることができる。
図２では、例示を簡潔にする目的で、１つのＴＦＴ構造２００のみが示されているが、そのようなＴＦＴ構造２００が、駆動回路を備える複数のそのようなＴＦＴ構造を表すものであることが当業者に理解されよう。
断面では、各放出領域１９１０の構成は、いくつかの非限定的な例では、取り囲む非放出領域１９２０の横方向面４２０全体に実質的に少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）４４０を導入することによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、絶縁有機材料および／または絶縁無機材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、実質的にＴＦＴ絶縁層２８０上に堆積されるが、示すように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０はまた、堆積された第１の電極１２０および／またはその外縁部の少なくとも一部にわたって延在していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図２に示すように、ＰＤＬ４４０の断面厚さおよび／またはプロファイルは、（サブ）ピクセルに対応する、取り囲む非放出領域１９２０の横方向面４２０と取り囲まれた放出領域１９１０の横方向面４１０との境界に沿って、増加した厚さの領域によって、各（サブ）ピクセルの放出領域１９１０に対して、実質的に谷形状の構成を付与することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０のプロファイルは、いくつかの非限定的な例では、そのような非放出領域１９２０の横方向面４２０内で実質的に良好な、取り囲む非放出領域１９２０の横方向面４２０と取り囲まれた放出領域１９１０の横方向面４１０との間の境界から離れることを含むがこれに限定されない、そのような谷形状の構成を越える低減した厚さを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０は、（サブ）ピクセルのそのような放出領域１９１０の横方向面４１０の少なくとも一部を含む、デバイス１００の露出層表面１１１上に堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセルの放出領域１９１０の横方向面４１０内で、そのような露出層表面１１１は、少なくとも１つの半導電性層１３０（および／またはその層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９）の堆積時に、第１の電極１２０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、（サブ）ピクセルの放出領域１９１０の横方向面４１０の少なくとも一部を含む、デバイス１００の露出層表面１１１上に配設することができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも、（サブ）ピクセルの放出領域１９１０の横方向面４１０内で、そのような露出層表面１１１は、第２の電極１３０の堆積時に、少なくとも１つの半導電性層１３０を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０はまた、（サブ）ピクセルの放出領域１９１０の横方向面４１０を越えて、および少なくとも部分的に、取り囲む非放出領域１９２０の横方向面４２０内に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような取り囲む非放出領域１９２０のそのような露出層表面１１１は、第２の電極１４０の堆積時に、ＰＤＬ４４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、取り囲む非放出領域１９２０の横方向面４２０の実質的にすべてまたは実質的な一部全体に延在することができる。
透過性
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０のいずれかまたは両方を、少なくとも、デバイス１００の放出領域１９１０の横方向面４１０の実質的な部分にわたって、実質的に光子（または光）透過性（「透過性」）にすることが望ましい場合がある。本開示では、電極１２０、１４０、そのような要素を形成する材料、および／またはその特性を含むがこれらに限定されない、そのような透過性要素は、少なくとも１つの波長帯において、いくつかの非限定的な例では実質的に透過性（「透明」）、および／またはいくつかの非限定的な例では部分的に透過性（「半透明」）である要素、材料、および／またはその特性を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、および／または第２の電極１４０を透過性にするメカニズムは、透過性薄膜のそのような電極１２０、１４０を形成することである。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂを含むがこれらに限定されない金属の導電性薄膜層を堆積させことによって、ならびに／またはＭｇ：Ａｇ合金および／もしくはＹｂ：Ａｇ合金を含むがこれらに限定されない金属合金の薄層を堆積させことによって形成されるものを含むがこれらに限定されない薄層における導電性コーティング８３０は、光透過特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、体積で約１：１０～約１０：１の範囲の組成物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０は、導電性コーティング８３０の任意の組み合わせの複数の導電性薄膜層から形成することができ、これらのうちのいずれか１つ以上は、ＴＣＯ、金属薄膜、金属合金薄膜、および／またはこれらのうちのいずれかの任意の組み合わせから成り得る。
いくつかの非限定的な例では、特にそのような導電性薄膜の場合に、比較的薄い層厚さは、ＯＬＥＤデバイス１００で使用するための強化された透過性品質であるが、好ましい光学特性（低減したマイクロキャビティ効果を含むがこれに限定されない）にも寄与するように、最大で実質的に数十ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、透過性品質を促進するための電極１２０、１４０の厚さを低減すると、電極１２０、１４０のシート抵抗の増加を伴う場合がある。
いくつかの非限定的な例では、高いシート抵抗を有する少なくとも１つの電極１２０、１４０を有するデバイス１００は、動作時に電源１５に結合されたときに大きい電流抵抗（ＩＲ）降下を生み出す。いくつかの非限定的な例では、そのようなＩＲ降下は、電源１５のレベル（ＶＤＤ）を上昇させることによって、ある程度補償され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセルについて、電源１５のレベルを増加させて、高いシート抵抗によるＩＲ降下を補償することにより、他の構成要素に供給される電圧のレベルを上昇させて、デバイス１００の効果的な動作を維持することが求められる場合がある。
いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０を実質的に透過性にする能力に大きい影響を及ぼすことなく、デバイス１００の電気供給需要を低減するために（ＴＣＯ、金属薄膜、および／または金属合金薄膜の任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）、補助電極１７５０および／またはバスバー構造４１５０をデバイス１００上に形成して、デバイス１００の様々な放出領域に電流をより効果的に運搬することを可能にすることができ、同時に、透過性電極１２０、１４０のシート抵抗およびその関連するＩＲ降下を低減する。
非限定的な例として、第２の電極１４０を透過性にすることができる。他方では、いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１７５０および／またはバスバー４１５０は、実質的に透過性ではない場合があるが、それらの間に導電性コーティング８３０を堆積させることによることを含むがこれに限定されない、第２の電極１４０に電気的に結合されて、第２の電極１４０の実効シート抵抗を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１７５０は、（サブ）ピクセルの放出領域１９１０の横方向面４１０からの光子の放出に干渉しないように、横方向面および／または断面のいずれかまたは両方に位置決めおよび／または成形され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０を作製するためのメカニズムは、その放出領域１９１０の横方向面４１０の少なくとも一部にわたる、および／またはいくつかの非限定的な例では、それらを取り囲む非放出領域１９２０の横方向面４２０の少なくとも一部にわたるパターンで、そのような電極１２０、１４０を形成することである。いくつかの非限定的な例では、そのようなメカニズムを採用して、上記で考察したように、（サブ）ピクセルの放出領域１９１０の横方向面４１０からの光子の放出に干渉しないように、横方向面および／または断面のいずれかまたは両方の位置および／または形状で、補助電極１７５０および／またはバスバー４１５０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、デバイス１００によって放出される光子の光路において導電性酸化物材料が実質的にないように構成され得る。非限定的な例として、（サブ）ピクセルに対応する少なくとも１つの放出領域１９１０の横方向面４１０において、第２の電極１３０、ＮＩＣ８１０、および／またはその上に堆積された任意の他の層および／またはコーティングを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの半導電性層１３０の後に堆積された層および／またはコーティングの少なくとも１つに、導電性酸化物材料が実質的にない場合がある。いくつかの非限定的な例では、導電性酸化物材料が実質的にないことは、デバイス１００によって放出される光の吸収および／または反射を低減し得る。非限定的な例として、ＩＴＯおよび／またはＩＺＯを含むがこれらに限定されない導電性酸化物材料は、可視スペクトルの少なくともＢ（青）領域の光を吸収することができ、これは、一般に、デバイス１００の効率および／または性能を低下させ得る。
いくつかの非限定的な例では、これらおよび／または他のメカニズムの組み合わせを採用することができる。
追加的に、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０のうちの１つ以上を、少なくとも、デバイス１００の（サブ）ピクセルに対応する放出領域１９１０の横方向面４１０の実質的な一部にわたって、実質的に透過性にすることに加えて、光子がその横方向面４１０にわたって実質的に放出されることを可能にするために、本明細書で開示するように、デバイス１００内で内部的に生じた光子の放出（上面放出、下面放出、および／または両面放出で）に加えて、そのような外部入射光の実質的な一部がデバイス１００を透過することができるように、デバイス１００を、その外部表面に入射する光に対して実質的に透過性にするために、デバイス１００の非放出領域１９２０の横方向面４２０の少なくとも１つを、下面方向および上面方向の両方に実質的に透過性にすることが望ましい場合がある。
導電性コーティング
本開示において、「導電性コーティング」および「電極コーティング」という用語は、ＮＩＣ８１０の選択的堆積によってパターン化されるという文脈において、本明細書における導電性コーティング８３０の同様の概念および言及を指すために交換可能に使用され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニングコーティングの選択的堆積によってパターン化されるという文脈において、電極コーティングに適用可能である。いくつかの非限定的な例において、電極コーティングの言及は、本明細書に記載されるような特定の組成を有するコーティングを意味し得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）、Ｂａ、マンガン（Ｍｎ）、Ａｇ、Ａｌ、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、プラチナ（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、および／またはランタン（Ｌａ）を含む。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄのうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉのうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ａｌを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティングは、Ｌｉ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｍｎ、Ｙ、およびＬａのうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、およびＺｎのうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ａｇ、Ｍｇ、および／またはＹｂを含む。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を露出層表面１１１上に堆積させるために使用される導電性コーティング材料８３１は、実質的に純元素であり得る。いくつかのさらなる非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、実質的に純元素を含む。いくつかの他の非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、２つ以上の元素を含み、これらは、例えば、合金または混合物として提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、上記の元素に１つ以上の追加の元素を含む。そのような追加の元素の非限定的な例には、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、および炭素（Ｃ）が含まれる。そのような１つ以上の追加の元素が、意図的に、または原料、堆積のために使用される機器、および／または真空チャンバ環境中にそのような追加の元素が存在することによる汚染物質として、導電性コーティング８３０に組み込まれ得ることは、当業者によって理解されるであろう。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、導電性コーティング８３０の元素と共に化合物を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、様々な例による光電子デバイス内の導電性コーティング８３０は、Ａｇを含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、実質的に純粋なＡｇを備える。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ａｇの代用としておよび／またはそれと組み合わせた他の金属を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、１つ以上の他の金属とのＡｇの合金を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、ＡｇとＭｇ、Ｙｂ、および／またはＺｎとの合金を含む。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５体積％のＡｇ～約９５体積％のＡｇの組成を有し、残りは他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ａｇと、Ｍｇと、を含む。そのような導電性コーティング８３０の非限定的な例には、体積で約１：１０～約１０：１の組成を有するＭｇ：Ａｇ合金が含まれる。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、Ａｇと、Ｙｂと、を含む。そのような導電性コーティング８３０の非限定的な例には、体積で約１：２０～約１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金が含まれる。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、例えば、Ｍｇ：Ｙｂ合金として、Ｍｇと、Ｙｂと、を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、例えば、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金として、Ａｇと、Ｍｇと、Ｙｂと、を含む。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、互いに異なる組成を有する２つ以上の層を含む。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の２つ以上の層は、互いに異なる元素を含む。そのような導電性コーティング８３０の非限定的な例には、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、および／またはＹｂ／Ｍｇ／Ａｇによって形成される多層コーティングが含まれる。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を露出層表面１１１上に堆積させるために使用される、Ｍｇを含むがそれに限定されない材料は、実質的に純粋であり得る。
パターニング
前述の結果として、（サブ）ピクセルの放出領域１９１０の横方向面４１０、および／または放出領域１９１０を取り囲む非放出領域１９２０の横方向面４２０にわたって、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を、デバイス１００のフロントプレーン１０層の露出層表面１１１上にパターンで選択的に堆積させることが望ましい場合がある。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０は、複数の導電性コーティング８３０のうちの少なくとも１つに堆積され得る。
しかしながら、導電性コーティング８３０のそのようなパターニングを達成するために、数十ミクロン程度以下の特徴部のサイズを有する比較的小さな特徴部を形成するためにいくつかの非限定的な例で使用され得るファインメタルマスク（ＦＭＭ）などのシャドウマスクを採用することは、いくつかの非限定的な例では、以下の理由から実行可能ではない場合がある。
・ＦＭＭは、導電性薄膜の堆積のために採用され得るような、特に高温での堆積プロセス中に変形する場合がある。
・特に高温堆積プロセスにおける、ＦＭＭの機械的強度（引張強度を含むがこれに限定されない）および／またはシャドウイング効果の制限は、そのようなＦＭＭを使用して達成可能であり得る特徴部のアスペクト比に制約を付与する場合がある。
・非限定的な例として、ＦＭＭの各一部が、いくつかの非限定的な例では、パターンが孤立した特徴部を指定する場合を非限定的な例として含む単一の処理段階でいくつかのパターンが達成可能ではないように物理的に支持されるため、そのようなＦＭＭを使用して達成可能であり得るパターンのタイプおよび数が制約され得る。
・ＦＭＭは、高温堆積プロセス中に反る傾向を示し得、これにより、いくつかの非限定的な例では、ＦＭＭの中の開口部の形状および位置が歪む場合があり、これにより、選択的堆積パターンが変化し、性能および／または収率が低下する場合がある。
・デバイス１００の表面全体にわたって広がる繰り返し構造を生成するために使用することができるＦＭＭは、ＦＭＭに多数の開口部が形成されることを必要とする場合があり、これにより、ＦＭＭの構造的完全性が損なわれる場合がある。
・特に金属堆積プロセスにおいて、連続堆積でＦＭＭを繰り返し使用すると、堆積材料がＦＭＭに接着する場合があり、これにより、ＦＭＭの特徴部が不明瞭になり得、選択的堆積パターンが変化し、性能および／または収率が低下する場合がある。
・ＦＭＭは、接着した非金属材料を除去するために定期的に洗浄され得るが、そのような洗浄手順は、接着した金属での使用に好適ではない場合があり、そうであっても、いくつかの非限定的な例では、時間および／または費用がかかる場合がある。
・任意のそのような洗浄プロセスに関係なく、特に高温堆積プロセスにおいて、そのようなＦＭＭを継続して使用すると、所望のパターニングを生成する際に無駄になる場合があり、複雑かつ費用がかかるプロセスにおいて、それらが廃棄および／または交換される場合がある。
核生成抑制および／または核生成促進材料特性
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第１の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはバスバー４１５０、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成するために、導電性薄膜の複数の層の少なくとも１つとして、または少なくとも１つとして採用され得る導電性コーティング８３０は、基部材料の露出層表面１１１上に堆積されることに関して比較的低い親和性を示し得るため、導電性コーティング８３０の堆積が抑制される。
その上に堆積された導電性コーティング８３０を有することに対する材料および／またはその特性の相対的な親和性またはその欠如は、それぞれ「核生成促進」または「核生成抑制」であると称され得る。
本開示では、「核生成抑制」は、表面上への導電性コーティング８３０（の堆積）に関して比較的低い親和性を示す表面を有し、その結果そのような表面への導電性コーティング８３０の堆積が抑制されるコーティング、材料、および／またはその層を指す。
本開示では、「核生成促進」は、表面上への導電性コーティング８３０の堆積に関して比較的高い親和性を示す表面を有し、その結果そのような表面への導電性コーティング８３０の堆積を容易にするコーティング、材料、および／またはその層を指す。
これらの用語における「核生成」という用語は、気相中のモニマーが表面上で凝縮して核を形成する、薄膜形成プロセスの核生成段階について言及する。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、そのような核の形状およびサイズ、ならびにそのような核の島へのおよびその後の薄膜へのその後の成長は、蒸気、表面、および／または凝縮した膜核の間の界面張力を含むがこれらに限定されない、多くの要因に依存し得ると想定される。
本開示では、そのような親和性は、多くの様式で測定することができる。
表面の核生成抑制および／または核生成促進特性の１つの尺度は、Ｍｇを含むがこれに限定されない、所与の導電性材料についての表面の初期付着確率Ｓ０である。本開示では、「付着確率」および「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、付着確率Ｓは、以下によって与えられ得る。
Figure 2022544198000002
 式中、Ｎａｄｓは、露出層表面１１１上に留まる（つまり、膜に組み込まれる）多くの吸着されたモノマー（「吸着原子」）の数であり、Ｎｔｏｔａｌは、表面上に衝突するモノマーの総数である。付着確率Ｓが１に等しいとは、表面上に衝突するすべてのモノマーが吸着され、その後成長する膜に組み込まれることを示す。付着確率Ｓが０に等しいとは、表面上に衝突するすべてのモノマーが吸着され、その後膜が表面上に形成されることを示す。Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ ２００７，１１１，７６５（２００６）で説明されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技法を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技法を使用して、様々な表面上の金属の付着確率Ｓを評価することができる。
島の密度が増加する（例えば、平均膜厚さが増加する）につれて、付着確率Ｓが変化する場合がある。非限定的な例として、低い初期付着確率Ｓ０は、平均膜厚さが増加するにつれて増加する場合がある。これは、島のない表面の面積、非限定的な例としてベア基板１１０と島の密度が高い面積との間の付着確率Ｓの違いに基づいて理解することができる。非限定的な例として、島の表面上に衝突するモノマーは、１に近い付着確率Ｓを有し得る。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、任意の有意な数の臨界核が形成される前の表面の付着確率Ｓとして指定され得る。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、表面全体の堆積材料の平均厚さが閾値にあるか、またはそれを下回る、材料の堆積の初期段階中の材料についての表面の付着確率Ｓを伴うことができる。いくつかの非限定的な例の説明では、初期付着確率Ｓ０についての閾値は、非限定的な例として、１ｎｍとして指定することができる。次いで、平均付着確率
Figure 2022544198000003
 は、以下のように与えられ得る。
Figure 2022544198000004
 式中、Ｓｎｕｃは島で被覆された面積の付着確率Ｓであり、Ａｎｕｃは島で被覆された基板表面の面積の割合である。
基部材料（図では、基板１１０）の露出層表面１１１に吸着された吸着原子のエネルギープロファイルの例を図３に示す。具体的には、図３は、局所的低エネルギー部位から脱出する吸着原子（６１０）、露出層表面１１１上の吸着原子の拡散（６２０）、および吸着原子の脱着（６３０）に対応する定性的エネルギープロファイルの例を示している。
６１０では、局所的低エネルギー部位は、吸着原子がより低いエネルギーになる基部材料の露出層表面１１１上の任意の部位であり得る。通常、核生成部位は、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、および／またはキンクを含むがこれらに限定されない、露出層表面１１１上の欠陥および／または異常を含み得る。吸着原子が局所的低エネルギー部位でトラップされると、通常、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在する場合がある。そのようなエネルギー障壁は、図３においてΔＥ６１１として表されている。いくつかの非限定的な例では、局所的低エネルギー部位から脱出するためのエネルギー障壁ΔＥ６１１が十分に大きい場合、その部位は核生成部位として作用する場合がある。
６２０では、吸着原子は、露出層表面１１１上に拡散し得る。非限定的な例として、局在化した吸収物の場合に、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、吸着原子が脱離するならびに／もしくは吸着原子のクラスタによって形成される成長している膜および／または成長している島に組み込まれるまで、様々な近接部位に移動する傾向がある。図３の図では、吸着原子の表面拡散に関連付けられた活性化エネルギーは、Ｅｓ６２１として表されている。
６３０では、吸着原子の表面からの脱離に関連した活性化エネルギーは、Ｅｄｅｓ６３１として表される。当業者は、脱着されていない任意の吸着原子が露出層表面１１１に残っている場合があることを理解するであろう。非限定的な例として、そのような吸着原子は、成長膜および／またはコーティングの一部として組み込まれた露出層表面１１１上に拡散する、ならびに／もしくは露出層表面１１１上に島を形成する吸着原子のクラスタの一部になり得る。
図３に示すエネルギープロファイル６１０、６２０、６３０に基づいて、脱着のための比較的低い活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ６３１）、および／または表面拡散のための比較的高い活性化エネルギー（Ｅｓ６３１）を示すＮＩＣ８１０材料が、様々な用途での使用に特に有利であり得ると想定することができる。
表面の核生成抑制特性または核生成促進特性の１つの尺度は、基準表面上の同じ導電性材料の初期堆積速度に対する、表面上の所与の導電性材料の初期堆積速度であり、両方の表面は、導電性材料の蒸発フラックスに供され、および／または曝露される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０を形成するための使用に好適な材料には、約０．３（または３０％）以下および／またはそれ未満、約０．２以下および／またはそれ未満、約０．１５以下および／またはそれ未満、約０．１以下および／またはそれ未満、約０．０８以下および／またはそれ未満、約０．０５以下および／またはそれ未満、０．０３以下および／またはそれ未満、０．０２以下および／またはそれ未満、０．０１以下および／またはそれ未満、約０．００８以下および／またはそれ未満、約０．００５以下および／またはそれ未満、約０．００３以下および／またはより小さいその未満、約０．００１以下および／または約それ未満、約０．０００８以下および／またはそれ未満、約０．０００５以下および／またはそれ未満、ならびに／もしくは約０．０００１以下および／またはそれ未満の導電性コーティング８３０の材料についての初期付着確率Ｓ０を示す、かつ／あるいはそれを有するように特徴付けられるものが含まれ得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０を形成するための使用に好適な材料には、約０．１５～約０．０００１、約０．１～約０．０００３、約０．０８～約０．０００５、約０．０８～約０．０００８、約０．０５～約０．００１、約０．０３～約０．００５、約０．０３～約０．００８、約０．０３～約０．０１、約０．０２～約０．０００１、約０．０２～約０．０００３、約０．０２～約０．０００５、約０．０２～約０．０００８、約０．０２～約０．００１、約０．０２～約０．００５、約０．０２～約０．００８、約０．０２～約０．０１、約０．０１～約０．０００１、約０．０１～約０．０００３、約０．０１～約０．０００５、約０．０１～約０．０００８、約０．０１～約０．００１、約０．０１～約０．００５、約０．０１～約０．００８、約０．００８～約０．０００１、約０．００８～約０．０００３、約０．００８～約０．０００５、約０．００８～約０．０００８、約０．００８～約０．００１、約０．００８～約０．００５、約０．００５～約０．０００１、約０．００５～約０．０００３、約０．００５～約０．０００５、約０．００５～約０．０００８、および／または約０．００５～約０．００１の導電性コーティング８３０の材料についての初期付着確率Ｓ０を示す、かつ／あるいはそれを有するように特徴付けられるものが含まれ得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０を形成するための使用に適した材料には、２つ以上の異なる元素のための閾値以下の初期付着確率Ｓ０を示すおよび／またはそれを有するように特徴付けられたものが含まれる。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｃｄ、およびＺｎから選択される２つ以上の元素のための閾値Ｓ０以下を示す。いくつかのさらなる非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、Ａｇ、Ｍｇ、およびＹｂから選択される２つ以上の元素のための閾値Ｓ０以下を示す。いくつかの非限定的な例では、閾値は、約０．３、約０．２、約０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．０８、約０．００５、約０．００３、または約０．００１であり得る。
核生成抑制および／または核生成促進材料特性に影響を及ぼすための選択的コーティング
いくつかの非限定的な例では、１つ以上の選択的コーティングを、その上に薄膜導電性コーティング８３０を堆積させるために提示される基部材料の露出層表面１１１の少なくとも第１の部分１００１（図４）上に選択的に堆積させ得る。そのような選択的コーティングは、基部材料の露出層表面１１１のそれとは異なる導電性コーティング８３０に対して、核生成抑制特性（および／または逆に核生成促進特性）を有する。いくつかの非限定的な例では、そのような選択的コーティングが堆積されていない基部材料の露出層表面１１１の第２の部分１００２（図４）が存在する場合がある。
そのような選択的コーティングは、ＮＩＣ８１０および／または核形成促進コーティング（ＮＰＣ）であり得る。
本開示において、「ＮＩＣ」および「パターニングコーティング」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用され得、導電性コーティング８３０をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において、本明細書におけるＮＩＣ８１０への言及は、非限定的な例では、電極コーティングをパターン化するためのその選択的堆積の文脈におけるパターニングコーティングに適用可能である。いくつかの非限定的な例では、パターニングコーティングへの言及は、本明細書に記載されるような特定の組成を有するコーティングを意味し得る。
そのような選択的コーティングの使用は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を堆積する段階においてＦＭＭを採用することなく、導電性コーティング８３０の選択的堆積を容易にするおよび／または許容することができることが当業者に理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０のそのような選択的堆積は、パターンであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターンは、（サブ）ピクセルの１つ以上の放出領域、１９１０の横方向面４１０内で、および／またはいくつかの非限定的な例では、そのような放出領域１９１０を取り囲み得る１つ以上の非放出領域１９２０の横方向面４２０内で、デバイス１００の上面および／もしくは下面のうちの少なくとも１つの透過性を提供ならびに／または増大させることを容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を導電性構造上に堆積させて、および／またはいくつかの非限定的な例では、デバイス１００の、その層を形成することができ、これは、いくつかの非限定的な例では、アノードおよび／またはカソードのうちの１つとして作用する第１の電極１２０ならびに／もしくは第２の電極１４０、かつ／あるいはその導電性を支持するためのならびに／もしくはいくつかの非限定的な例では、それらに電気的に結合される補助電極１７５０および／またはバスバー４１５０であり得る。
いくつかの非限定的な例では、所与の導電性コーティング８３０のためのＮＩＣ８１０は、露出層表面１１１への導電性コーティング８３０の堆積が抑制されるように、蒸気形態の導電性コーティング８３０に対して比較的低い初期付着確率Ｓ０を示す表面を有するコーティングを指す場合がある。したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の選択的堆積により、露出層表面１１１の上に導電性コーティング８３０を堆積するために提示される（ＮＩＣ８１０の）露出層表面１１１の初期付着確率Ｓ０が低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、所与の導電性コーティング８３０のためのＮＰＣは、露出層表面１１１への導電性コーティング８３０の堆積を容易にするように、蒸気形態の導電性コーティング８３０に対する比較的高い初期付着確率Ｓ０を示す露出層表面１１１を有するコーティングを指す場合がある。したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣの選択的堆積により、露出層表面１１１の上に導電性コーティング８３０を堆積するために提示される（ＮＰＣの）露出層表面１１１の初期付着確率Ｓ０を増加することができる。
選択的コーティングがＮＩＣ８１０であるとき、ＮＩＣ８１０が堆積される基部材料の露出層表面１１１の第１の部分１００１は、その後、ＮＩＣ８１０が堆積された基部材料の露出層表面１１１の親和性に対して、その上への導電性コーティング８３０の堆積について低減した親和性を有するように、核生成抑制特性が増加した、または代替的に核生成促進特性が低減した（ＮＩＣ８１０の）処理表面（いずれの場合にも、第１の部分１００１上に堆積されたＮＩＣ８１０の表面）を提示するであろう。対照的に、そのようなＮＩＣ８１０が堆積されていない第２の部分１００２は、核生成抑制特性、または代替的に核生成促進特性が、実質的に変更されていないその上の導電性コーティング８３０の堆積について親和性を有する（基部基板１１０の）露出層表面１１１（いずれの場合にも、選択的コーティングが実質的にない基部基板１１０の露出層表面１１１）を提示し続けるであろう。
選択的コーティングがＮＰＣであるとき、ＮＰＣが堆積される基部材料の露出層表面１１１の第１の部分１００１は、その後、ＮＰＣが堆積された基部材料の露出層表面１１１の親和性に対して、その上への導電性コーティング８３０の堆積について増加した親和性を有するように、核生成抑制特性が低減した、または代替的に核生成促進特性が増加した（ＮＰＣの）処理表面（いずれの場合にも、第１の部分１００１上に堆積されたＮＰＣの表面）を提示するであろう。対照的に、そのようなＮＰＣが堆積されていない第２の部分１００２は、核生成抑制特性、または代替的に核生成促進特性が、実質的に変更されていないその上の導電性コーティング８３０の堆積についての親和性を有する（基部基板１１０の）露出層表面１１１（いずれの場合にも、ＮＰＣが実質的にない基部基板１１０の露出層表面１１１）を提示し続けるであろう。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０およびＮＰＣの両方を、基部材料の露出層表面１１１のそれぞれの第１の部分１００１およびＮＰＣ部分上に選択的に堆積させて、その上に導電性コーティング８３０を堆積させるために提示されるように露出層表面１１１の核生成抑制特性（および／または逆に、核生成促進特性）をそれぞれ変更することができる。いくつかの非限定的な例では、選択的コーティングが堆積されていない基部材料の露出層表面１１１の第２の部分１００２が存在する場合があり、その結果、その上に導電性コーティング８３０を堆積させるために提示されるように核生成抑制特性（および／または逆に、その核生成促進特性）が実質的に変更されない。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１００１およびＮＰＣ部分は重なっていてもよく、その結果、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣの第１のコーティングを、そのような重なる領域において基部材料の露出層表面１１１上に選択的に堆積させることができ、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣの第２のコーティングを、第１のコーティングの処理された露出層表面１１１上に選択的に堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第１のコーティングは、ＮＩＣ８１０である。いくつかの非限定的な例では、第１のコーティングは、ＮＰＣである。
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティングがあった第１の部分１００１（および／またはＮＰＣ部分）は、堆積された選択的コーティング７１０が除去された除去領域を備え、その上に導電性コーティング８３０を堆積させるために提示されるように核生成抑制特性（および／または逆に、その核生成促進特性）が実質的に変更されないように、その上に導電性コーティング８３０を堆積させるための基部材料の被覆されていない表面を提示することができる。
いくつかの非限定的な例では、基部材料は、基板１１０から選択される少なくとも１つの層、ならびに／もしくは第１の電極１２０、第２の電極１４０、少なくとも１つの半導電性層１３０（および／またはその層のうちの少なくとも１つ）を含むがこれらに限定されない、フロントプレーン１０層のうちの少なくとも１つ、かつ／あるいはこれらのいずれかの任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、特定の材料特性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、単独であっても化合物および／または合金中であっても、Ｍｇを含み得る。
非限定的な例として、純粋および／または実質的に純粋なＭｇは、いくつかの有機表面上のＭｇの低付着確率Ｓにより、いくつかの有機表面上に容易に堆積されない場合がある。
選択的コーティングの堆積
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティングを備える薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤおよび／またはＯＶＰＤを含むがこれに限定されない）、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に堆積および／または加工することができる。
ＦＭＭのサイズとは反対に、オープンマスクの特徴部のサイズは、概して、製造されているデバイス１００のサイズと同等であることが、当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのようなオープンマスクは、概してデバイス１００のサイズに対応し得る開口部を有し得、これは、いくつかの非限定的な例では、製造中にそのようなデバイス１００の縁部をマスクするために、マイクロディスプレイについては約１インチ、モバイルディスプレイについては約４～６インチ、および／またはラップトップおよび／またはタブレットディスプレイについては約８～１７インチに対応し得るがこれらに限定されない。いくつかの非限定的な例では、オープンマスクの特徴部のサイズは、約１ｃｍ程度以上であってもよい。いくつかの非限定的な例では、オープンマスク内に形成された開口部は、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセルに各々対応する複数の放出領域１９１０の横方向面４１０、かつ／あるいは取り囲むおよび／または介在する非放出領域１９２０の取り囲む横方向面ならびに／もしくは横方向面４２０を包含するようにサイズ決定することができる。
いくつかの非限定的な例では、所望する場合、オープンマスクの使用を省略してもよいことが当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明するオープンマスク堆積プロセスは、代替的に、オープンマスクを使用せずに実施することができ、その結果、ターゲット露出層表面１１１全体が露出され得る。
少なくとも１つの導電性コーティング８３０の選択的堆積を様々な組み合わせで採用することで、導電性コーティング８３０堆積プロセス内でＦＭＭを採用することなく、パターン化された電極１２０、１４０、１７５０、４１５０、および／またはそれらに電気的に結合された導電性要素を含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニングは、デバイス１００の透過性を許容および／または強化することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０および／またはＮＰＣであり得る選択的コーティングは、複数の電極１２０、１４０、１７５０、４１５０、および／またはそれらの様々な層、ならびに／もしくはそれに電気的に結合された導電性コーティング８３０を備えるデバイス特徴部をパターン化するために、デバイス１００の製造プロセス中に複数回塗布することが。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０などの選択的コーティングの厚さおよびその後に堆積される導電性コーティング８３０の厚さは、所望の用途および所望の性能特徴を含むがこれらに限定されない、様々なパラメータに従って変化させることができる。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の厚さは、その後に堆積される導電性コーティング８３０の厚さと同等、および／または実質的にそれよりも小さくてもよい。その後に堆積される導電性コーティングの選択的パターニングを達成するための比較的薄いＮＩＣ８１０の使用は、ＰＭＯＬＥＤデバイスを含むがこれに限定されない、可撓性デバイス１００を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いＮＩＣ８１０は、バリアコーティングまたは他の薄膜カプセル化（ＴＦＥ）層を堆積させることができる比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティングの塗布のためにそのような比較的平坦な表面を提供することは、そのような表面へのバリアコーティングの接着性を高めることができる。
ここで、図４を参照すると、図１に示すデバイス１００のバージョン１０００の例を示しているが、本明細書で説明する多くの追加の堆積ステップを伴う。
デバイス１０００は、基部材料の露出層表面１１１の横方向面を示している。横方向面は、第１の部分１００１および第２の部分１００２を含む。第１の部分１００１では、ＮＩＣ８１０が露出層表面１１１上に配設されている。しかしながら、第２の部分１００２では、露出層表面１１１にはＮＩＣ８１０が実質的にない。
第１の部分１００１にわたるＮＩＣ８１０の選択的堆積後、導電性コーティング８３０が、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用してデバイス１０００上に堆積されるが、ＮＩＣ８１０が実質的にない第２の部分１００２内にのみ実質的に留まる。
ＮＩＣ８１０の表面は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を形成するための材料が実質的にないと説明されているが、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の表面は、導電性コーティング８３０を形成するための材料が実質的にないが、それにもかかわらず、導電性コーティング８３０の閉じたフィルムまたはコーティングフィルムにはならない。
むしろ、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の表面上に衝突する導電性コーティング８３０を形成するための材料のいくつかの蒸気モノマーは、凝縮して、その上に小さなクラスタまたは島を形成し得る。しかしながら、そのようなクラスタまたは島の実質的な成長は、妨げられないままにされると、ＮＩＣ８１０の表面上に導電性コーティングを形成するための材料の実質的に閉じたコーティングフィルムの形成の可能性につながる可能性があり、ＮＩＣ８１０の１つ以上の特性および／または特徴に起因して阻害されている。
したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の表面は、その上に堆積された導電性コーティング８３０の材料の不連続コーティング（図示せず）を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続コーティングは、複数の別個の島を備える薄膜コーティングである。いくつかの非限定的な例では、島の少なくともいくつかは、互いに切り離されている。言い換えれば、不連続コーティングは、いくつかの非限定的な例では、不連続コーティングが閉じたフィルムまたはコーティングフィルムを備える連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴部を備え得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の表面は、導電性コーティングの閉じたフィルムを実質的に欠いている。
ＮＩＣ８１０は、第１の部分１００１内に、第２の部分１００２内のデバイス１０００の下部材料の露出層表面１１１の導電性コーティング８３０についての初期付着確率Ｓ０よりも実質的に低い、導電性コーティング８３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０を有する表面を提供する。
したがって、第１の部分１００１には、導電性コーティング８３０が実質的にない。
このようにして、ＮＩＣ８１０は、シャドウマスクを使用することを含めて選択的に堆積され得、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、バスバー４１５０、および／またはそのうちの少なくとも１つの層、ならびに／もしくはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれらに限定されない、導電性コーティング８３０が堆積されることを可能にする。
補助電極
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、共通電極を備え得、補助電極１７５０は、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の上方、またはいくつかの非限定的な例では、その下方にパターンで堆積されて、第２の電極１４０に電気的に結合することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１７５０用のパターンは、離間領域が（サブ）ピクセルに対応する放出領域１９１０の横方向面４１０を取り囲む非放出領域１９２０の横方向面４２０内に実質的に位置するようにすることができる。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１７５０用のパターンは、パターンの細長い離間領域が（サブ）ピクセルに対応する放出領域１９１０の横方向面４１０内、および／またはそれらを取り囲む非放出領域１９２０の横方向面４２０内に実質的に位置するようにすることができる。
補助電極１７５０は導電性である。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、少なくとも１つの金属および／または金属酸化物によって形成され得る。そのような金属の非限定的な例には、Ｃｕ、Ａｌ、モリブデン（Ｍｏ）および／またはＡｇが含まれる。非限定的な例として、補助電極１７５０は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏによって形成されたものを含むがこれに限定されない多層金属構造を含み得る。そのような金属酸化物の非限定的な例には、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、ならびに／またはＩｎおよび／もしくはＺｎを含有する他の酸化物が含まれる。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯおよび／またはＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの金属および少なくとも１つの金属酸化物の組み合わせによって形成される多層構造を含み得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、複数のそのような導電性材料を含む。
選択的コーティングの除去
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、ＮＩＣ８１０によって被覆された基部材料の予め露出された層表面１１１の少なくとも一部が再び露出され得るように、導電性コーティング８３０の堆積の後に除去され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、ＮＩＣ８１０をエッチングならびに／または溶解することによって、かつ／あるいは導電性コーティング８３０に実質的に影響しないか、もしくは損耗しないプラズマならびに／または溶媒加工技法を採用することによって選択的に除去され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０が、基板１１０を含むがこれに限定されない、基部材料の露出層表面１１１の第１の部分上に選択的に堆積されると、導電性コーティング８３０を、基部材料の露出層表面１１１上、すなわち、ＮＩＣ８１０が以前に堆積されたＮＩＣ８１０の露出層表面１１１上と、ＮＩＣ８１０が以前に堆積されなかった基板１１０の露出層表面１１１上との両方に堆積させることができる。
ＮＩＣ８１０が配設された第１の部分の核生成抑制特性のために、その上に配設された導電性コーティング８３０は残らない傾向があり、導電性コーティングが実質的にない第１の部分を残しつつ、第２の部分に対応する導電性コーティング８３０の選択的堆積のパターンが得られる。
その後、ＮＩＣ８１０は、基板１１０の露出層表面１１１の第１の部分から除去され、その結果、以前に堆積された導電性コーティング８３０は、基板１１０上、およびＮＩＣ８１０が以前に堆積された基板１１０の領域上に残り、今は露出しているか、または被覆されていない。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の除去は、導電性コーティング８３０に実質的に影響を及ぼすことなく、ＮＩＣ８１０と反応する、および／またはＮＩＣ８１０をエッチング除去する溶媒および／またはプラズマにデバイスを曝露することによって実現することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００および第１の電極１２０は、断面において、それに対応する（サブ）ピクセルの下に位置付けることができ、補助電極１７５０と共に、透過性領域を超えて位置し得る。結果として、これらの構成要素は、光が透過性領域を透過することを減衰または妨害しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置により、いくつかの非限定的な例では（サブ）ピクセルのすべてが放出しておらず、よって透明なＡＭＯＬＥＤデバイスを作成しているとき、通常の視距離からデバイスを見る者がデバイスを通して見ることが可能になる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、いくつかの非限定的な例では、放出領域１９１０のために画定されたウェルとそれほど異ならないウェルをその中に形成して、透過性領域を通る光透過をさらに容易にすることを含むがこれに限定されない、低減した厚さを有し得る。
仕切りおよび陥凹部
図５を参照すると、デバイス１００の例示的なバージョン３２００の断面図を示している。デバイス３２００は、層表面１１１を有する基板１１０を備える。基板１１０は、少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を含む。非限定的な例として、少なくとも１つのＴＦＴ構造２００は、いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明するように、基板１１０を製造するときに一連の薄膜を堆積およびパターン化することによって形成され得る。
デバイス３２００は、横方向面において、関連する横方向面４１０を有する放出領域１９１０と、各々が関連する横方向面４２０を有する少なくとも１つの隣接する非放出領域１９２０とを含む。放出領域１９１０内の基板１１０の層表面１１１は、少なくとも１つのＴＦＴ構造２００に電気的に結合された第１の電極１２０を備えている。ＰＤＬ４４０は、ＰＤＬ４４０が層表面１１１ならびに第１の電極１２０の少なくとも１つの縁部および／または周囲を被覆するように、層表面１１１上に提供されている。ＰＤＬ４４０は、いくつかの非限定的な例では、非放出領域１９２０の横方向面４２０に提供され得る。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の層表面が露出され得る、放出領域１９１０の横方向面４１０に概して対応する開口部を提供する谷形状の構成を画定する。いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００は、ＰＤＬ４００によって画定される複数のそのような開口部を備え得、それらの各々は、デバイス３２００の（サブ）ピクセル領域に対応し得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１は、非放出領域１９２０の横方向面４２０の層表面１１１上に提供され、本明細書で説明されるように、陥凹部３２２２などの保護された領域３０６５を画定する。いくつかの非限定的な例では、陥凹部３２２２は、仕切り３２２１の下部セクション３３２３（図６Ａ）の縁部を、陥凹部３２２２を越えて重なるおよび／または突出する仕切り３２２１の上部セクション３３２４（図６Ａ）の縁部に対して凹状にする、互い違いにする、および／またはオフセットすることによって形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、放出領域１９１０の横方向面４１０は、第１の電極１２０上に配設された少なくとも１つの半導電性層１３０、少なくとも１つの半導電性層１３０上に配設された第２の電極１４０、および第２の電極１４０上に配設されたＮＩＣ８１０を含む。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０、第２の電極１４０、およびＮＩＣ８１０は、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９２０の一部の少なくとも横方向面４２０を被覆するように横方向に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、示すように、少なくとも１つの半導電性層１３０、第２の電極１４０、およびＮＩＣ８１０は、少なくとも１つのＰＤＬ４４０の少なくとも一部および仕切り３２２１の少なくとも一部上に配設され得る。したがって、示すように、放出領域１９１０の横方向面４１０、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９２０の一部および少なくとも１つのＰＤＬ４４０の一部および仕切り３２２１の少なくとも一部の横方向面４２０は、第２の電極１４０が、ＮＩＣ８１０と少なくとも１つの半導電性層１３０との間に位置する第１の部分を一緒に構成することができる。
補助電極１７５０は、陥凹部３２２１に近接しておよび／または陥凹部３２２１内に配設され、導電性コーティング８３０は、補助電極１６５０を第２の電極１４０に電気的に結合するように配置されている。したがって、示すように、陥凹部３２２１は、導電性コーティング８３０が層表面１１１上に配設される第２の部分を含み得る。
次に、デバイス３２００を製造するための方法の非限定的な例を説明する。
ある段階において、この方法は、基板１１０および少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を提供する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０を形成するための材料の少なくともいくつかは、材料が放出領域１９１０の両方の横方向面４１０および／または少なくとも１つの非放出領域１９２０の少なくとも一部の横方向面４２０の両方の中および／または全体に堆積されるように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。当業者は、いくつかの非限定的な例では、パターン化された堆積への依存を減らすような方法（いくつかの非限定的な例では、ＦＭＭを使用して実行される）で少なくとも１つの半導電性層１３０を堆積させることが適切であり得ることを理解するであろう。
ある段階において、この方法は、少なくとも１つの半導電性層１３０上に第２の電極１４０を堆積させる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、放出領域１９１０の横方向面４１０および／または非放出領域１９２０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部の横方向面４２０に配設された少なくとも１つの半導電性層１３０の露出層表面１１１を、第２の電極１３０を形成するための材料の蒸発フラックスに曝すことにより堆積され得る。
ある段階で、この方法は、第２の電極１４０上にＮＩＣ８１０を堆積させる。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、放出領域１９１０の横方向面４１０および／または非放出領域１９２０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部の横方向面４２０に配設された第２の電極１４０の露出層表面１１１を、ＮＩＣ８１０を形成するための材料の蒸発フラックスに曝すことにより堆積され得る。
示すように、陥凹部３２２２は、ＮＩＣ８１０を実質的に含まないか、またはＮＩＣ８１０によって被覆されていない。いくつかの非限定的な例では、これは、ＮＩＣ８１０を形成するための材料の蒸発フラックスが層表面１１１のそのような陥凹部３２２２に入射することが実質的に妨げられるように、仕切り３２２１によって、陥凹部３２２２をその横方向面においてマスキングすることによって実現され得る。したがって、そのような例では、層表面１１１の陥凹部３２２２には、ＮＩＣ８１０が実質的にない。非限定的な例として、仕切り３２２１の横方向に突出する一部は、仕切り３２２１のベースに陥凹部３２２２を画定し得る。そのような例では、陥凹部３２２２を画定する仕切り３２２１の少なくとも１つの表面にはまた、ＮＩＣ８１０が実質的にない可能性がある。
ある段階では、この方法は、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０を提供した後、デバイス３２００上に導電性コーティング８３０を堆積させる。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積させ得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、デバイス３２００を導電性コーティング８３０を形成するための材料の蒸発フラックスに曝すことにより堆積され得る。非限定的な例として、導電性コーティング８３０材料の供給源（図示せず）を使用して、導電性コーティング８３０を形成するための材料の蒸発フラックスをデバイス３２００に向けて、蒸発フラックスがそのような表面に入射するように方向付けることができる。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、放出領域１９１０の横方向面４１０内および／または非放出領域１９２０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部の横方向面４２０内に配設されたＮＩＣ８１０の表面は、導電性コーティング８３０に対して比較的低い初期付着確率Ｓ０を示し、導電性コーティング８３０は、ＮＩＣ８１０が存在しないデバイス３２００の陥凹した部分を含むがこれに限定されない第２の部分上に選択的に堆積し得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を形成するための材料の蒸発フラックスの少なくとも一部は、層表面１１１の横平面に対して非垂直角度に方向付けられ得る。非限定的な例として、蒸発フラックスの少なくとも一部は、入射角、つまり、層表面１１１のそのような横平面に対して、９０°未満、約８５°未満、約８０°未満、約７５°未満、約７０°未満、約６０°未満、および／または約５０°未満でデバイス３２００に入射することができる。導電性コーティング８３０を形成するための材料の蒸発フラックスを方向付けること（非垂直角度で入射するその少なくとも一部を含む）により、陥凹部３２２２の少なくとも１つの表面および／またはその中の少なくとも１つの表面は、そのような蒸発フラックスに曝され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような蒸発フラックスが、仕切り３２２１の存在のために、陥凹部３２２２の少なくとも１つの表面および／またはその中の少なくとも１つの表面に入射することを妨げられる可能性は、そのような蒸発フラックスの少なくとも一部が非垂直な入射角で流れる可能性があるため低減され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような蒸発フラックスの少なくとも一部は、コリメートされていない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そのような蒸発フラックスの少なくとも一部は、点源、線形源、および／または表面源である蒸発源によって生成され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００は、導電性コーティング８３０の堆積中に変位され得る。非限定的な例として、デバイス３２００および／またはその基板１１０および／またはその上に堆積された任意の層は、横方向面において、および／または断面に実質的に平行な側面において、角変位を受けることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００は、蒸発フラックスに曝されている間、層表面１１１の横平面に実質的に垂直である軸の周りで回転され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような蒸発フラックスの少なくとも一部は、表面の横平面に実質的に垂直な方向で、デバイス３２００の層表面１１１に向かって方向付けられ得る。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、導電性コーティング８３０を形成するための材料は、それにもかかわらず、ＮＩＣ８１０の表面に吸着された吸着原子の横方向の移動および／または脱着のために、陥凹部３２２２内に堆積され得ると想定されている。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の表面に吸着された吸着原子は、安定した核を形成するための表面の好ましくない熱力学的特性に起因して、そのような表面から移動および／または脱着する傾向があり得ると想定されている。いくつかの非限定的な例では、そのような表面から移動および／または脱着する吸着原子の少なくともいくつかは、陥凹部３２２２内の表面上に再堆積されて、導電性コーティング８３０を形成し得ると想定されている。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、導電性コーティング８３０が補助電極１７５０および第２の電極１４０の両方に電気的に結合されるように形成され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、補助電極１７５０および／または第２の電極１４０のうちの少なくとも１つと物理的に接触している。いくつかの非限定的な例では、中間層は、導電性コーティング８３０と、補助電極１７５０および／または第２の電極１４０のうちの少なくとも１つとの間に存在し得る。しかしながら、そのような例では、そのような中間層は、導電性コーティング８３０が補助電極１７５０および／または第２の電極１４０のうちの少なくとも１つに電気的に結合されることを実質的に妨げることはない。いくつかの非限定的な例では、そのような中間層は比較的薄く、それを介した電気的結合を可能にするようなものであり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０のシート抵抗は、第２の電極１４０のシート抵抗に等しいか、および／またはそれ未満でもよい。
図５に示すように、陥凹部３２２２には、第２の電極１４０が実質的にない。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の堆積中に、第２の電極１４０を形成するための材料の蒸発フラックスが陥凹部３２２２の少なくとも１つの表面および／またはその中の少なくとも１つの表面に入射することを実質的に妨げるように、陥凹部３２２２は仕切り３２２１によってマスクされている。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０を形成するための材料の蒸発フラックスの少なくとも一部は、第２の電極１４０が陥凹部３２２２の少なくとも一部を被覆するために延在するように陥凹部３２２２の少なくとも１つの表面および／またはその中の少なくとも１つの表面に入射する。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０、導電性コーティング８３０、および／または仕切り３２２１は、ディスプレイパネルの特定の領域に選択的に提供され得る。いくつかの非限定的な例では、これらの特徴のいずれかは、第２の電極１４０を含むがこれに限定されないフロントプレーン１０の少なくとも１つの要素をバックプレーン２０の少なくとも１つの要素に電気的に結合するために、そのようなディスプレイパネルの１つ以上の縁部におよび／または近接して提供され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような縁部におよび／または近接してそのような特徴を提供することは、そのような縁部におよび／または近接して位置付けられた補助電極１７５０から第２の電極１４０に電流を供給および分配することを容易にし得る。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、ディスプレイパネルのベゼルサイズを縮小することを容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０、導電性コーティング８３０、および／または仕切り３２２１は、そのようなディスプレイパネルの特定の領域から省略されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような特徴は、比較的高いピクセル密度が提供される場合は、ディスプレイパネルの少なくとも１つの縁部および／またはその近接以外を含むがこれらに限定されないディスプレイパネルの一部から省略されてもよい。
図６Ａは、仕切り３２２１に近位の領域内にあり、かつ少なくとも１つの半導電性層１３０の堆積前の段階にあるデバイス３２００のフラグメントを示す。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１は、下部セクション３３２３と上部セクション３３２４と、を備え、上部セクション３３２４は、下部セクション３３２３が上部セクション３３２４に対して横方向に陥凹している陥凹部３２２２を形成するように、下部セクション３３２３上を突出している。非限定的な例として、陥凹部３２２２は、それが仕切り３２２１の中へ実質的に横方向に延在するように形成され得る。いくつかの非限定的な例では、陥凹部３２２１は、上部セクション３３２４によって画定される天井３３２５、下部セクション３３２３の側部３３２６、および基板１１０の層表面１１１に対応する床３３２７の間に画定される空間に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、上部セクション３３２４は、角度付けられたセクション３３２８を含む。非限定的な例として、角度付けられたセクション３３２８は、層表面１１１の横平面に実質的に平行ではない表面によって提供され得る。非限定的な例として、角度付けられたセクションは、角度θｐで層表面１１１に実質的に垂直な軸から傾斜され得るおよび／またはオフセットされ得る。リップ３３２９はまた、上部セクション３３２４によって提供されている。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９は、陥凹部３２２２の開口部またはその近くに提供され得る。非限定的な例として、リップ３３２９は、角度付けられたセクション３３２８と天井３３２５との接合部に提供され得る。いくつかの非限定的な例では、上部セクション３３２４、側部３３２６、および床３３２７のうちの少なくとも１つは、補助電極１７５０の少なくとも一部を形成するように導電性であり得る。
いくつかの非限定的な実施例では、上部セクション３３２４の角度付けられたセクション３３２８が軸から傾斜および／またはオフセットされる角度を表す角度θｐは、約６０°以下であり得る。非限定的な例として、角度は、約５０°以下、約４５°以下、約４０°以下、約３０°以下、約２５°以下、約２０°以下、約１５°以下、および／または約１０°以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、角度は、約６０°～約２５°、約６０°～約３０°、および／または約５０°～約３０°であり得る。特定の理論に拘束されることを望まずに、角度付けられたセクション３３２８を提供することは、リップ３２２９またはその近くの導電性コーティング８３０を形成するための材料の堆積を容易にするように、リップ３３２９またはその近くのＮＩＣ８１０を形成するための材料の堆積を抑制し得ると想定することができる。
図６Ｂ～６Ｐは、導電性コーティング８３０を堆積する段階の後の、図６Ａに示すデバイス３２００のフラグメントの様々な非限定的な例を示す。図６Ｂ～６Ｐでは、例示を簡単にする目的で、図６Ａに説明されているような仕切り３２２１および／または陥凹部３２２２のすべての特徴が常に示されているとは限らず、補助電極１７５０が省略されているが、そのような特徴部および／または補助電極１７５０は、いくつかの非限定的な例では、それにもかかわらず存在し得ることが当業者に理解されよう。補助電極１７５０が、図６Ｂ～６Ｐの例のいずれかにおいて、本明細書で説明する図７Ａ～７Ｇの例のいずれかに示すものを含むがこれらに限定されない、任意の形態および／または位置で存在し得ることが当業者に理解されよう。
これらの図では、上部セクション３３２４上に堆積された少なくとも１つの半導電性層１３０と、第２の電極１４０と、ＮＩＣ８１０と、を備えるデバイススタック３３１０が示されている。
これらの図では、仕切り３２２１および陥凹部３２２２を越えて基板１００上に堆積された少なくとも１つの半導電性層１３０と、第２の電極１４０と、ＮＩＣ８１０と、を備えるデバイススタック３３１１が示されている。図５との比較から、デバイススタック３３１１は、いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９における、および／またはそれに近接する陥凹部３２２１に近づくにつれて、半導電性層１３０、第２の電極１４０、およびＮＩＣ８１０に対応し得ることが分かるであろう。いくつかの非限定的な例では、仕切りデバイススタック３３１０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスがデバイススタック３３１１の様々な材料を堆積させるために使用されるときに形成することができる。
図６Ｂに示す非限定的な例３３００ｂでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２のすべてに実質的に留まる、および／または実質的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、側部３３２６、および床３３２７と物理的に接触して、したがって、補助電極１７５０に電気的に結合され得る。
特定の理論に拘束されることを望まないが、陥凹部３２２２に実質的に充填することは、デバイス３２００の製造中に、不要な物質（ガスを含むがこれに限定されない）が陥凹部３２２２内に閉じ込められる可能性を低減し得ると想定することができる。
いくつかの非限定的な例では、結合および／または接触領域（ＣＲ）は、第２の電極１４０を導電性コーティング８３０と電気的に結合するために、導電性コーティング８３０がデバイススタック３３１１と物理的に接触しているデバイス３２００の領域に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、ＣＲは、仕切り３２２１に近接するデバイススタック３３１１の縁部から約５０ｎｍ～約１５００ｎｍに延在する。非限定的な例として、ＣＲは、約５０ｎｍ～約１０００ｎｍ、約１００ｎｍ～約５００ｎｍ、約１００ｎｍ～約３５０ｎｍ、約１００ｎｍ～約３００ｎｍ、約１５０ｎｍ～約３００ｎｍ、および／または約１００ｎｍ～約２００ｎｍに延在し得る。いくつかの非限定的な例では、ＣＲは、そのような距離だけデバイススタック３３１１の縁部から実質的に横方向に離れてデバイススタック３３１１に侵入し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイススタック３３１１の縁部は、少なくとも１つの半導電性層１３０、第２の電極１４０、およびＮＩＣ８１０によって形成され得、第２の電極１４０の縁部は、ＮＩＣ８１０によってコーティングおよび／または被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイススタック３３１１の縁部は、他の構成および／または配置で形成することができる。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の縁部は、第２の電極１４０が導電性コーティング８３０と物理的に接触してそれらを電気的に結合することができるようにするために、ＣＲが第２の電極１４０の露出した縁部を含み得るように第２の電極１４０の縁部が露出され得るように、第２の電極１４０の縁部に対して陥凹することができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導電性層１３０、第２の電極１４０、およびＮＩＣ８１０の縁部は、各層の縁部が露出されるように、互いに位置合わせすることができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０およびＮＩＣ８１０の縁部は、デバイススタック３３１１の縁部が、半導電性層１３０によって実質的に提供されるように、少なくとも１つの半導電性層１３０の縁部に対して陥凹させることができる。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、小さなＣＲ内で、仕切り３２２１のリップ３３２９でおよび／またはその近くに配置されて、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の最も近くに配置されたデバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも縁部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、半導電性材料および／または絶縁材料を含み得る。
ＮＩＣ８１０の表面上への導電性コーティング８３０を形成するための材料の直接堆積が一般に抑制されることが本明細書で説明されているが、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０の一部がそれにもかかわらずＮＩＣ８１０の少なくとも一部と重なる可能性があることが発見されている。非限定的な例として、導電性コーティング８３０の堆積中に、導電性コーティング８３０を形成するための材料は、陥凹部３２２１内に初期堆積させることができる。その後、導電性コーティング８３０を形成するための材料を堆積し続けると、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０が陥凹部３１２１を越えて横方向に延在し、デバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部と重なる。
当業者は、導電性コーティング８３０がＮＩＣ８１０の一部と重なるように示されているが、放出領域１９１０の横範囲４１０には、導電性コーティング８３０を形成するための材料が実質的にないままであることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００の放出領域１９１０からの光子の放出に実質的に干渉することなく、デバイス３２００の少なくとも１つの非放出領域１９２０の少なくとも一部の横範囲４２０内に配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、第２の電極１４０の実効シート抵抗を低減するために、その間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、導電性材料を使用して形成され得、および／またはそうでなければ、電流がＮＩＣ８１０をトンネルするおよび／または通過することを可能にするレベルの電荷移動度を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０は、電流がＮＩＣ８１０を通過することを可能にする厚さを有し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の厚さは、約３ｎｍ～約６５ｎｍ、約３ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約３０ｎｍ、および／または約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約５ｎｍ～約１０ｎｍであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の存在によってそのような電流の経路内で生じる可能性のある接触抵抗を低減するために、ＮＩＣ８１０に比較的薄い厚さ（いくつかの非限定的な例では薄いコーティングの厚さ）を提供することができる。
特定の理論に拘束されることを望まないが、陥凹部３２２１に実質的に充填することは、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０と第２の電極１４０および補助電極１７５０のうちの少なくとも１つとの間の電気的結合の信頼性を高めることができると想定することができる。
さらに、示すように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設されたＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｃに示す非限定的な例３３００ｃでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に実質的に留まる、および／または部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、側部３３２６、床３３２７、および、いくつかの非限定的な例では、天井３３２５の少なくとも一部と物理的に接触して、したがって、補助電極１７５０に電気的に結合され得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、天井３３２５の少なくとも一部には、導電性コーティング８３０が実質的にない。いくつかの非限定的な例では、そのような部分はリップ３３２９に近接している。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、小さなＣＲ内で、かつ仕切り３２２１のリップ３３２９でおよび／またはその近くに配置されて、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の最も近くに配置されたデバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも縁部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｄに示す非限定的な例３３００ｄでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に実質的に留まる、および／または部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、床３３２７、および、いくつかの非限定的な例では、側部３３２６の少なくとも一部と物理的に接触して、したがって、補助電極１７５０に電気的に結合され得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、天井３３２５には、導電性コーティング８３０が実質的にない。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、小さなＣＲ内で、かつ仕切り３２２１のリップ３３２９でおよび／またはその近くに配置されて、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の最も近くに配置されたデバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも縁部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｅに示される非限定的な例３３００ｅでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２１に実質的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、側部３３２６、および床３３２７と物理的に接触して、したがって、補助電極１７５０に電気的に結合され得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、ＣＲ内で、導電性コーティング８３０は、第２の電極１４０を導電性コーティング８３０と電気的に結合するために、デバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。
さらに、示されているように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設された仕切りデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｆに示す非限定的な例３３００ｆでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に実質的に留まる、および／または部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、側部３３２６、および、いくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部と物理的に接触して、したがって、補助電極１７５０に電気的に結合され得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０と床３３２７との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０が床３３２７の少なくとも一部に沿って物理的に接触しないように、床３３２７の少なくとも一部から導電性コーティング８３０を分離するギャップに対応し得る。
示されているように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、床３３２７の一部およびデバイススタック３３１１の一部と係合し、かつ比較的薄いプロファイルを有する。
いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２の体積の約１％～約３０％、約５％～約２５％、約５％～約２０％、および／または約５％～約１０％の体積に対応し得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、ＣＲ内で、導電性コーティング８３０は、第２の電極１４０を導電性コーティング８３０と電気的に結合するために、デバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。
図６Ｇに示す非限定的な例３３００ｇでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、側部３３２６、および、いくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部と物理的に接触して、したがって、補助電極１７５０に電気的に結合され得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０と床３３２７との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０が床３３２７の少なくとも一部に沿って物理的に接触しないように、床３３２７の少なくとも一部から導電性コーティング８３０を分離するギャップに対応し得る。
示されているように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、床３３２７の一部およびデバイススタック３３１１の一部と係合し、かつ比較的薄いプロファイルを有する。
いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２の体積の約１％～約３０％、約５％～約２５％、約５％～約２０％、および／または約５％～約１０％の体積に対応し得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、ＣＲ内で、導電性コーティング８３０は、第２の電極１４０を導電性コーティング８３０と電気的に結合するために、デバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。
図６Ｈに示す非限定的な例３３００ｈでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、側部３３２６、および、いくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部と物理的に接触し得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０と床３３２７との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０が床３３２７の少なくとも一部に沿って物理的に接触しないように、床３３２７の少なくとも一部から導電性コーティング８３０を分離するギャップに対応し得る。
示されているように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、床３３２７の一部およびデバイススタック３３１１の一部と係合し、かつ比較的薄いプロファイルを有する。
いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２の体積の約１％～約３０％、約５％～約２５％、約５％～約２０％、および／または約５％～約１０％の体積に対応し得る。
追加的に、示すように、いくつかの非限定的な例では、ＣＲ内で、導電性コーティング８３０は、残りのデバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
さらに、示すように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設されたデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｉに示す非限定的な例３３００ｉでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、側部３３２６、および、いくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部と物理的に接触し得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０と床３３２７との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０が床３３２７の少なくとも一部に沿って物理的に接触しないように、床３３２７の少なくとも一部から導電性コーティング８３０を分離するギャップに対応し得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、床３３２７の一部と係合し、例３３００ｆ～３３００ｈに示す空洞３３２０よりも比較的厚いプロファイルを有する。
いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２の体積の約１０％～約８０％、約１０％～約７０％、約２０％～約６０％、約１０％～約３０％、約２５％～約５０％、約５０％～約８０％、および／または約７０％～約９５％の体積に対応し得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、ＣＲ内で、導電性コーティング８３０は、デバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
さらに、示されているように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設された仕切りデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｊに示す非限定的な例３３００ｊでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、側部３３２６、および、いくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部と物理的に接触し得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０と床３３２７との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０が床３３２７の少なくとも一部に沿って物理的に接触しないように、床３３２７の少なくとも一部から導電性コーティング８３０を分離するギャップに対応し得る。
示されているように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、床３３２７の一部およびデバイススタック３３１１の一部と係合し、かつ例３３００ｆ～３３００ｈに示されている空洞３３２０よりも比較的厚いプロファイルを有する。
いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２の体積の約１０％～約８０％、約１０％～約７０％、約２０％～約６０％、約１０％～約３０％、約２５％～約５０％、約５０％～約８０％、および／または約７０％～約９５％の体積に対応し得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、ＣＲ内で、導電性コーティング８３０は、デバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
さらに、示されているように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設された仕切りデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｋに示す非限定的な例３３００ｋでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、いくつかの非限定的な例では、天井３３２５の少なくとも一部、および、いくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部と物理的に接触し得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０と、側部３３２６、いくつかの非限定的な例では、天井３３２５の少なくとも一部、およびいくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０が側部３３２６、いくつかの非限定的な例では、天井３３２５の少なくとも一部、およびいくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部に沿って物理的に接触しないように、側部３３２６、天井３３２５の少なくとも一部、および床３３２７の少なくとも一部から導電性コーティング８３０を分離するギャップに対応し得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２の実質的にすべてを占有する。
いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２の体積の約１０％～約８０％、約１０％～約７０％、約２０％～約６０％、約１０％～約３０％、約２５％～約５０％、約５０％～約８０％、および／または約７０％～約９５％の体積に対応し得る。
追加的に、示すように、いくつかの非限定的な例では、ＣＲ内で、導電性コーティング８３０は、残りのデバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
さらに、示されているように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設された仕切りデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｌに示す非限定的な例３３００ｌでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に部分的に充填されている。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０と、側部３３２６、床３３２７および天井３３２５との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０が側部３３２６、床３３２７、および天井３３２５に沿って物理的に接触しないように、導電性コーティング８３０を側部３３２６、床３３２７、および天井３３２５から分離するギャップに対応し得る。
示されているように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２を実質的に占有する。
いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２の体積の約８０％よりも大きい体積に対応し得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、ＣＲ内で、導電性コーティング８３０は、デバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
さらに、示されているように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設された仕切りデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｍに示す非限定的な例３３００ｍでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に実質的に留まる、および／または部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、いくつかの非限定的な例では、天井３３２５の少なくとも一部、および、いくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部と物理的に接触し得る。
示すように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０と、側部３３２６、いくつかの非限定的な例では、天井３３２５の少なくとも一部、およびいくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、導電性コーティング８３０が側部、いくつかの非限定的な例では、天井３３２５の少なくとも一部、およびいくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部に沿って物理的に接触しないように、側部、天井３３２５の少なくとも一部、および床３３２７の少なくとも一部から導電性コーティング８３０を分離するギャップに対応し得る。
示されているように、いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２を実質的に占有する。
いくつかの非限定的な例では、空洞３３２０は、陥凹部３２２２の体積の約１０％～約８０％、約１０％～約７０％、約２０％～約６０％、約１０％～約３０％、約２５％～約５０％、約５０％～約８０％、および／または約７０％～約９５％の体積に対応し得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、ＣＲ内で、導電性コーティング８３０は、デバイススタック３３１１内のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
さらに、示されているように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設された仕切りデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｎに示す非限定的な例３３００ｎでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、側部３３２６、および、いくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部と物理的に接触し得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設された仕切りデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図６Ｏに示す非限定的な例３３００ｏでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、側部３３２６、および、いくつかの非限定的な例では、床３３２７の少なくとも一部と物理的に接触し得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設された仕切りデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図３３Ｐに示す非限定的な例３３００ｐでは、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２に部分的に充填されている。したがって、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、天井３３２５、および、いくつかの非限定的な例では、側部３３２６の少なくとも一部と物理的に接触し得る。
加えて、示されているように、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４上に配設された仕切りデバイススタック３３１０のＮＩＣ８１０の少なくとも一部を被覆するように延在する。いくつかの非限定的な例では、リップ３３２９でおよび／またはそこに近接するＮＩＣ８１０の一部は、導電性コーティング８３０によって被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、それにもかかわらず、間にＮＩＣ８１０が挿入されているにもかかわらず、第２の電極１４０に電気的に結合され得る。
図７Ａ～７Ｇは、先と同様に少なくとも１つの半導電性層１３０の堆積前の段階である、図６Ａに示すデバイス３２００のフラグメント全体にわたる補助電極１７５０の異なる位置の様々な非限定的な例を示す。よって、図７Ａ～７Ｇでは、少なくとも１つの半導電性層１３０、第２の電極１４０、およびＮＩＣ８１０（残留デバイススタック３３１１の一部であるかどうかにかかわらず）、ならびに導電性コーティング８３０は示されていない。それにもかかわらず、そのような特徴および／または層が、堆積後、図７Ａ～７Ｇの例のいずれかにおいて、図６Ｂ～６Ｐの例のいずれかに示すものを含むがこれらに限定されない、任意の形態および／または位置に存在し得ることが当業者に理解されよう。
図７Ａに示す非限定的な例３４００ａでは、補助電極１７５０は、補助電極１７５０の表面が陥凹部３２２２内で露出するように、基板１１０に隣接しておよび／または基板１１０内に配置されている。示すように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０のそのような表面は、床３３２７の少なくとも一部内に提供され、ならびに／もしくは床３３２７の少なくとも一部を形成および／または提供し得る。非限定的な例として、補助電極１７５０は、仕切り３２２１に隣接して配設されるように配置され得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、少なくとも１つの導電性材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１は、フォトレジストを含むがこれに限定されない、少なくとも１つの実質的に絶縁性の材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１および／または補助電極１７５０を含むがこれらに限定されないデバイス３２００の様々な特徴は、フォトリソグラフィを含むがこれに限定されない技法を使用して形成され得る。
図７Ｂに示す非限定的な例３４００ｂでは、補助電極１７５０は、補助電極１７５０の表面が陥凹部３２２２内で露出するように、仕切り３２２１と一体的に、および／またはその一部として形成されている。示すように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０のそのような表面は、側部３３２６の少なくとも一部内に提供され、ならびに／もしくは側部３３２６の少なくとも一部を形成および／または提供し得る。非限定的な例として、補助電極１７５０は、下部セクション３３２３に対応するように配置され得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、少なくとも１つの導電性材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、上部セクション３３２４は、フォトレジストを含むがこれに限定されない、少なくとも１つの実質的に絶縁性の材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、上部セクション３３２４および／または補助電極１７５０を含むがこれらに限定されないデバイス３２００の様々な特徴は、フォトリソグラフィを含むがこれに限定されない技法を使用して形成され得る。
図７Ｃに示す非限定的な例３４００ｃでは、補助電極１７５０は、補助電極１７５０の表面が陥凹部３２２２内で露出するように、基板１１０に隣接しておよび／または基板１１０内に、かつ仕切り３２２１と一体的におよび／またはその一部として配置されている。示すように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０のそのような表面は、側部３３２６の少なくとも一部および／または床３３２７の少なくとも一部内に提供され、ならびに／もしくは側部３３２６の少なくとも一部および／または床３３２７の少なくとも一部を形成および／または提供し得る。非限定的な例として、補助電極１７５０は、仕切り３２２１に隣接して配設されるように、および／または下部セクション３３２３に対応するように配置され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１に隣接して配設された補助電極１７５０の一部は、下部セクション３３２３に対応する仕切り３２２１の一部に電気的に結合され、および／またはそれと物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような一部は、互いに連続的におよび／または一体的に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、少なくとも１つの導電性材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、その一部は、異なる材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１および／またはその上部セクション３３２４は、フォトレジストを含むがこれに限定されない少なくとも１つの実質的に絶縁性の材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１、上部セクション３３２４、および／または補助電極１７５０を含むがこれらに限定されないデバイス３２００の様々な特徴は、フォトリソグラフィを含むがこれに限定されない技法を使用して形成され得る。
図７Ｄに示す非限定的な例３４００ｄでは、補助電極１７５０は、補助電極１７５０の表面が陥凹部３２２２内で露出するように、上部セクション３３２４に隣接しておよび／または上部セクション３３２４内に配置される。示すように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０のそのような表面は、天井３３２５の少なくとも一部内に提供され、ならびに／もしくは天井３３２５の少なくとも一部を形成および／または提供し得る。非限定的な例として、補助電極１７５０は、上部セクション３３２４に隣接して配設されるように配置され得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、少なくとも１つの導電性材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１は、フォトレジストを含むがこれに限定されない、少なくとも１つの実質的に絶縁性の材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１および／または補助電極１６７０を含むがこれらに限定されないデバイス３２００の様々な特徴部は、フォトリソグラフィを含むがこれに限定されない技法を使用して形成することができる。
図７Ｅに示す非限定的な例３４００ｅでは、補助電極１７５０は、補助電極１７５０の表面が陥凹部３２２２内で露出するように、上部セクション３３２４に隣接しておよび／または上部セクション３３２４内に、かつ仕切り３２２１と一体的におよび／またはその一部として配置される。示すように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０のそのような表面は、天井３３２５の少なくとも一部および／または側部３３２６の少なくとも一部内に提供され、ならびに／もしくは天井３３２５の少なくとも一部および／または側部３３２６の少なくとも一部を形成および／または提供し得る。非限定的な例として、補助電極１７５０は、上部セクション３３２４に隣接して配設されるように、および／または下部セクション３３２３に対応するように配置され得る。いくつかの非限定的な例では、上部セクション３３２４に隣接して配設された補助電極１７５０の一部は、下部セクション３３２３に対応するその一部に電気的に結合され、および／またはそれと物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような一部は、互いに連続的におよび／または一体的に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、少なくとも１つの導電性材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、その一部は、異なる材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、上部セクション３３２４は、フォトレジストを含むがこれに限定されない、少なくとも１つの実質的に絶縁性の材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、上部セクション３３２４および／または補助電極１７５０を含むがこれらに限定されないデバイス３２００の様々な特徴は、フォトリソグラフィを含むがこれに限定されない技法を使用して形成され得る。
図７Ｆに示す非限定的な例３４００ｆでは、補助電極１７５０は、補助電極１７５０の表面が陥凹部３２２２内で露出するように、基板１１０に隣接しておよび／または基板１１０内に、かつ上部セクション３３２４に隣接しておよび／または上部セクション３３２４内に配置されている。示すように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０のそのような表面は、天井３３２５の少なくとも一部および／または床３３２７の少なくとも一部内に提供され、ならびに／もしくは天井３３２５の少なくとも一部および／または床３３２７の少なくとも一部を形成および／または提供し得る。非限定的な例として、補助電極１７５０は、仕切り３２２１に隣接して、および／またはその上部セクション３３２４に隣接して配設されるように配置され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切りに隣接して配設された補助電極１７５０の一部は、天井３３２５に対応する仕切りの一部に電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、少なくとも１つの導電性材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、その一部は、異なる材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１および／またはその上部セクション３３２４は、フォトレジストを含むがこれに限定されない少なくとも１つの実質的に絶縁性の材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１、上部セクション３３２４、および／または補助電極１７５０を含むがこれらに限定されないデバイス３２００の様々な特徴は、フォトリソグラフィを含むがこれに限定されない技法を使用して形成され得る。
図７Ｇに示す非限定的な例３４００ｇでは、補助電極１７５０は、補助電極１７５０の表面が陥凹部３２２２内で露出するように、基板１１０に隣接しておよび／もしくは基板１１０内に、仕切り３２２１と一体的におよび／もしくはその一部として、かつ／または上部セクション３３２４に隣接しておよび／もしくは上部セクション３３２４内に配置されている。示すように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０のそのような表面は、天井３３２５の少なくとも一部、側部３３２６の少なくとも一部、および／または床３３２７の少なくとも一部内に提供され、ならびに／もしくは天井３３２５の少なくとも一部、側部３３２６の少なくとも一部、および／または床３３２７の少なくとも一部を形成および／または提供し得る。非限定的な例として、補助電極１７５０は、下部セクション３３２３に対応するように仕切り３２２１に隣接して、および／またはその上部セクション３３２４に隣接して配設されるように配置され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１に隣接して配設された補助電極１７５０の一部は、下部セクション３３２３および／または天井３３２５に対応する仕切り３２２１の一部のうちの少なくとも１つに電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、下部セクション３３２３に対応する補助電極１７５０の一部は、仕切り３２２１および／または天井３３２５に隣接して配設されたその一部のうちの少なくとも１つに電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、天井３３２５に対応する補助電極１７５０の一部は、仕切りおよび／または下部セクション３３２３に隣接して配設されたその一部のうちの少なくとも１つに電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、下部セクション３３２３に対応する補助電極１７５０の一部は、仕切り３２２１に隣接して配設された、および／または上部セクション３３２４に対応するその一部のうちの少なくとも１つと物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、少なくとも１つの導電性材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、その一部は、異なる材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１、その下部セクション３３２３および／または上部セクション３３２４は、フォトレジストを含むがこれに限定されない少なくとも１つの実質的に絶縁性の材料で形成され得る。いくつかの非限定的な例では、仕切り３２２１、その下部セクション３３２３および／または上部セクション３３２４、ならびに／もしくは補助電極１７５０を含むがこれらに限定されないデバイス３２００の様々な特徴は、フォトリソグラフィを含むがこれに限定されない技法を使用して形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、図６Ｂ～６Ｐに関連して説明した様々な特徴は、図７Ａ～７ＧＨに関連して説明した様々な特徴と組み合わせることができる。いくつかの非限定的な例では、図６Ｂ、６Ｃ、６Ｅ、６Ｆ、６Ｇ、６Ｈ、６Ｉおよび／または６Ｊのいずれか１つによるデバイススタック３３１１および導電性コーティング８３０は、図７Ａ～７Ｇのいずれか１つによる仕切り３２２１および補助電極１７５０と組み合わせることができる。いくつかの非限定的な例では、図６Ｋ～６Ｍのいずれか１つは、図７Ｄ～７Ｇのいずれか１つと独立して組み合わせることができる。いくつかの非限定的な例では、図６Ｃ～６Ｄのいずれか１つを、図７Ａ、７Ｃ、７Ｆおよび／または７Ｇのいずれか１つと組み合わせることができる。
非放出領域における開口部
ここで、図８Ａを参照すると、デバイス１００の例示的なバージョン３５００の断面図を示している。デバイス３５００は、非放出領域１９２０内の少なくとも１つの仕切り３２２１が、それらの間に開口部３５２２などの保護された領域３０６５を画定するという点でデバイス３２００とは異なる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの仕切り３２２１は、向かい合った配置で一対の仕切り３２２１を備えるように見える場合がある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの仕切り３２２１は、その中に開口部を伴う実質的に環状の形状を有するように見える場合がある。示すように、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの仕切り３２２１は、第１の電極１２０の少なくとも縁部を被覆し、かつ少なくとも１つの放出領域１９１０を画定するＰＤＬ４４０として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの仕切り３２２１は、ＰＤＬ４４０とは別に提供され得る。
陥凹部３２２２などの保護された領域３０６５は、少なくとも１つの仕切り３２２１によって画定されている。いくつかの非限定的な例では、陥凹部３２２２は、基板１１０の近位の開口部３５２２の一部に提供され得る。いくつかの非限定的な例では、開口部３５２２は、平面図で見たときに実質的に楕円形であり得る。いくつかの非限定的な例では、陥凹部３２２２は、平面図で見たときに実質的に環状であり、開口部３５２２を取り囲み得る。
いくつかの非限定的な例では、陥凹部３２２２には、デバイススタック３３１１および／または仕切りデバイススタック３３１０の層の各々を形成するための材料が実質的になくてもよい。図に見られるように、いくつかの例では、デバイススタック３３１１は、仕切りデバイススタック３３１０と同じ構造の一部を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、開口部デバイススタック３５１０は、開口部３５２２内に配設することができる。いくつかの非限定的な例では、デバイススタック３３１１（および／または仕切りデバイススタック３３１０）の層の各々を形成するための蒸発した材料を、開口部３５２２内に堆積させて、その中に開口部デバイススタック３５１０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、その少なくとも一部が陥凹部３２２２内に配設されるように配置されている。非限定的な例として、補助電極１７５０は、図３７Ａ～３７Ｇに示す例のいずれか１つによって、陥凹部３２２２に対して配設することができる。示すように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１７５０は、開口部デバイススタック３５１０が補助電極１７５０の表面上に堆積されるように、開口部３５２２内に配置されている。
導電性コーティング８３０は、電極１４０を補助電極１７５０に電気的に結合するために、開口部３５２２内に配設される。非限定的な例として、導電性コーティング８３０の少なくとも一部は、陥凹部３２２２内に配設されている。非限定的な例として、導電性コーティング８３０は、図６Ａ～６Ｐに示す例のいずれか１つによって、陥凹部３２２２に対して配設することができる。非限定的な例として、図８Ａに示す配置は、図７Ｃに示す例と組み合わせた、図６Ｐに示す例の組み合わせであると見ることができる。
ここで、図８Ｂを参照すると、デバイス３５００のさらなる例の断面図を示している。示すように、補助電極１７５０は、側部３３２６の少なくとも一部を形成するように配置されている。したがって、補助電極１７５０は、平面図で見たときに実質的に環状であり、開口部３５２２を取り囲み得る。示すように、いくつかの非限定的な例では、開口部デバイススタック３５１０は、基板１１０の露出層表面１１１上に堆積されている。
非限定的な例として、図８Ｂに示す配置は、図７Ｂに示す例と組み合わせた、図６Ｏに示す例の組み合わせであると見ることができる。
以下の例は、例示のみを目的としており、いかなる様式においても本開示の普遍性を制限することを意図するものではない。
実施例１
パターン化されたガラスサンプルを、ガラス基板１１０上にＩＴＯの層を堆積させ、続いてＭｏの層およびフォトレジストの層を堆積させることによって製造した。これらの層の堆積に続いて、フォトレジストおよびＭｏ層の選択的除去およびエッチングを行って仕切り構造を形成し、各仕切り３２２１は、Ｍｏによって形成された下部セクション３３２３およびフォトレジストによって形成された上部セクション３３２４を含むように形成した。具体的には、Ｍｏによって形成された仕切り３２２１の下部セクション３３２３は、約３５０ｎｍの厚さであり、陥凹部３２２２は、約１３００ｎｍだけ横方向に延在させた。次いで、パターン化されたガラスサンプルを処理して、約２００ｎｍの厚さの半導体層１３０を堆積させ、続いて、約２０ｎｍの厚さのＭｇ：Ａｇの層を堆積させて、第２の電極１４０を形成した。約５ｎｍの厚さのＮＩＣ８１０の層を、第２の電極１４０上に堆積させた。次いで、１０００ｎｍの基準厚さが達成されるまで、サンプル全体をＭｇ蒸気フラックスに曝した。
図９は、実施例１によるサンプルのＳＥＭによって撮影された断面画像である。示されているように、ＩＴＯ層３６２０は、基板１１０上に提供され、仕切り３２２１の下部セクション３３２３および上部セクション３３２４が提供されている。少なくとも１つの半導体層１３０と、第２の電極１４０と、ＮＩＣ８１０と、を含むデバイススタック３３１１は、ＩＴＯ層３６２０上に提供されている。導電性コーティング８３０は、Ｍｇの堆積によって形成されている。具体的には、導電性コーティング８３０は、陥凹部３２２２の外側に延在して、仕切り３２２１の近位に配置されたデバイススタック３３１１のサブセットと重なる。このようにして、導電性コーティング８３０は、デバイススタック３３１１の第２の電極１４０、ならびに仕切り３２２１の下部セクション３３２３および／またはＩＴＯ層３６２０と電気的に結合されている。
実施例２
Ｍｏおよびフォトレジスト層を、ＩＴＯ層３６２０の代わりに別のフォトレジスト層３７２０上に堆積させたことを除いて、実施例１に記載されたものと同様の構造を伴うパターン化ガラスサンプルを調製した。このように形成された仕切り３２２１は、約４００ｎｍの厚さのＭｏによって形成された下部セクション３３２３と、横方向に約１３００ｎｍ延在する陥凹部３２２２と、を有していた。次いで、パターン化されたガラスサンプルを処理して、約２００ｎｍの厚さの半導体層１３０を堆積させ、続いて、約１５ｎｍの厚さのＭｇ：Ａｇの層を堆積させて、第２の電極１４０を形成した。約５ｎｍの厚さのＮＩＣ８１０の層を、第２の電極１４０上に堆積させた。３００ｎｍの基準厚さが達成されるまで、サンプル全体をＭｇ蒸気フラックスに曝した。
図１０は、実施例２によるサンプルのＳＥＭによって撮影された断面画像である。示されているように、フォトレジスト層３７２０は、ガラス基板１１０上に提供され、仕切り３２２１の下部セクション３３２３および上部セクション３３２４は、その上に提供されている。少なくとも１つの半導体層１３０と、第２の電極１４０と、ＮＩＣ８１０と、を含むデバイススタック３３１１は、フォトレジスト層３７２０上に提供されている。導電性コーティング８３０は、Ｍｇの堆積によって形成されている。具体的には、導電性コーティング８３０は、リップ３３２９上および仕切り３２２１のリップ３３２９の近傍および／または周囲の領域上に堆積されている。導電性コーティング８３０のサブセットは、陥凹部３２２２を超えて延在し、仕切り３２２１の近位に配置されたデバイススタック３３１１と重なる。導電性コーティング８３０の別のサブセットは、天井３３２５を覆うように陥凹部３２２２内に配設され、仕切り３２２１の下部セクション３３２３に向かって横方向に延在する。このようにして、導電性コーティング８３０は、デバイススタック３３１１の第２の電極１４０、ならびに仕切り３２２１の下部セクション３３２３に電気的に結合されている。
実施例３
ＩＴＯ層３８２４をＭｏ層上に提供して、Ｍｏによって形成された下部セクション３３２３と、ＩＴＯによって形成された上部セクション３３２４と、を有する仕切り３２２１を形成したことを覗いて、実施例２に記載されたものと同様の構造を伴うパターン化ガラスサンプルを調製した。仕切り３２２１の下部セクション３３２３は、約４００ｎｍの厚さを有し、約３００ｎｍだけ横方向に延在する陥凹を有していた。次いで、パターン化されたガラスサンプルを処理して、約２００ｎｍの厚さの半導体層１３０を堆積させ、続いて、約２０ｎｍの厚さのＭｇ：Ａｇの層を堆積させて、第２の電極１４０を形成した。約２ｎｍの厚さのＮＩＣ８１０の層を、第２の電極１４０上に堆積させた。４００ｎｍの基準厚さが達成されるまで、サンプル全体をＭｇ蒸気フラックスに曝した。
図１１は、実施例３によるサンプルのＳＥＭによって撮影された断面画像である。示されているように、フォトレジスト層３７２０は、ガラス基板１１０上に提供され、仕切り３２２１の下部セクション３３２３および上部セクション３３２４は、その上に提供されている。少なくとも１つの半導体層１３０と、第２の電極１４０と、ＮＩＣ８１０と、を含むデバイススタック３３１１は、フォトレジスト層３７２０上に提供されている。導電性コーティング８３０は、Ｍｇの堆積によって形成されている。具体的には、導電性コーティング８３０は、リップ３３２９上および仕切り３２２１のリップ３３２９の近傍および／または周囲の領域上に堆積されている。導電性コーティング８３０のサブセットは、陥凹部３２２２を超えて延在し、仕切り３２２１の近位に配置されたデバイススタック３３１１と重なる。導電性コーティング８３０の別のサブセットは、天井３３２５を覆うように陥凹部３２２２内に配設され、仕切り３２２１の下部セクション３３２３に向かって横方向に延在する。このようにして、導電性コーティング８３０は、デバイススタック３３１１の第２の電極１４０、ならびに導電性である仕切り３２２１の少なくとも上部３３２４に電気的に結合される。
実施例４
図８Ｂに記載されたものと同様の構造を伴うパターン化されたガラスサンプルを調製した。具体的には、仕切り３２２１は、約３６０ｎｍの厚さのＭｏの層によって形成された下部セクション３３２３と、フォトレジストによって形成された上部セクション３３２４と、を含む。陥凹部３２２２は、上部セクション３３２４によって形成されたリップ３３２９に対して下部セクション３３２３の側部３３２６を約２００～３００ｎｍオフセットすることによって提供された。次いで、パターン化されたガラスサンプルを処理して、約２４０ｎｍの厚さの半導体層１３０を堆積させ、続いて、約２ｎｍの厚さのＹｂの層および約１４ｎｍの厚さのＭｇ：Ａｇの層を堆積させて、第２の電極１４０を形成した。ＮＩＣ８１０の約３ｎｍの厚さの層を、第２の電極１４０の後に堆積させた。２００ｎｍの基準厚さが達成されるまで、サンプル全体をＭｇ蒸気フラックスに曝した。
図１２Ａおよび１２Ｂは、実施例４によるサンプルのＳＥＭによって撮影された断面画像である。示されているように、フォトレジスト層３７２０は、ガラス基板１１０上に提供され、仕切り３２２１の下部セクション３３２３および上部セクション３３２４は、その上に提供されている。少なくとも１つの半導体層１３０と、第２の電極１４０と、ＮＩＣ８１０と、を含む仕切りデバイススタック３３１０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４の上部に堆積されている。導電性コーティング８３０は、Ｍｇの堆積によって形成されている。具体的には、導電性コーティング８３０は、リップ３３２９上および／またはリップ３３２９の上方、ならびに仕切り３２２１のリップ３３２９の近傍および／または周囲の領域上に堆積されている。導電性コーティング８３０のサブセットは、陥凹部３２２２を超えて延在し、仕切り３２２１の近位に配置されたデバイススタック３３１０と重なる。導電性コーティング８３０の別のサブセットは、天井３３２５を覆うように陥凹部３２２２内に配設され、仕切り３２２１の下部セクション３３２３に向かって横方向に延在する。導電性コーティング８３０は、側部３３２６をさらに覆う。このようにして、導電性コーティング８３０は、デバイススタック３３１１（図では識別されていない）の第２の電極１４０、ならびに導電性であり、かつ補助電極１７５０として機能し得る仕切り３２２１の下部セクション３３２３に電気的に結合されている。
実施例５
実施例４と同様のサンプルを作製し、分析した。図１３Ａおよび１３Ｂは、実施例５によるサンプルのＳＥＭによって撮影された断面画像である。示されているように、導電性コーティング８３０は、仕切り３２２１の上部セクション３３２４と下部セクション３３２３との間の横方向オフセットによって形成された陥凹部３２２２に実質的に充填される。より具体的には、上部セクション３３２４の表面によって提供された天井３３２５（図では識別されていない）は、導電性コーティング８３０によって実質的にコーティングされている。さらに、下部セクション３３２３によって形成された側部３３２６もまた、導電性コーティング８３０によって実質的にコーティングされている。このようにして、導電性コーティング８３０は、仕切りデバイススタック３３１０の第２の電極１４０、ならびに導電性であり、かつ補助電極１７５０として機能し得る仕切り３２２１の下部セクション３３２３に電気的に結合されている。
図１３Ｂでは、デバイススタック３３１１も見ることができる。
バスバー
いくつかの非限定的な例では、追加の補助電極１７５０として機能し得るバスバー４１５０を提供して、第２の電極１４０の実効シート抵抗をさらに低下させることができる。いくつかの非限定的な例では、バスバー４１５０は、補助電極１７５０に電気的に結合させることができ、これは、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０によって第２の電極１４０に電気的に結合させることができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなバスバー４１５０は、基板１１０内および／または基板１１０に隣接して提供することができる。
図１４Ａは、平面視で、デバイス１００の例示的なバージョン４１００において、各々が（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する複数の放出領域１９１０を示している。いくつかの非限定的な例では、示されているように、各放出領域１９１０は、実質的に長方形の構成を有する。いくつかの非限定的な例では、示されているように、放出領域１９１０は、規則的に離間させたパターンで位置合わせされている。当業者は、構成およびパターンの少なくとも１つが示されているものとは異なる可能性があることを理解するであろう。各放出領域１９１０は、少なくとも１つの非放出領域１９２０によって囲まれている。
非放出領域１９２０の横方向面４２０内に示されているように、いくつかの非限定的な例では、基板１１０内および／または基板１１０に隣接して配設された少なくとも１つのバスバー４１５０。いくつかの非限定的な例では、示されているように、バスバー４１５０は、隣接する放出領域１９１０の間で第１の横方向に延在する。いくつかの非限定的な例では、示されているように、バスバー４１５０はまた、隣接する放出領域１９１０の間で第２の横方向に延在し、第２の横方向は、第１の横方向に実質的に垂直である。
開口部４１２２などの少なくとも１つの保護された領域３０６５は、少なくとも１つのバスバー４１５０の少なくとも一部を露出させるために、少なくとも１つの非放出領域１９２０内に形成されている。いくつかの非限定的な例では、示されているように、少なくとも１つの開口部４１２２は、第１の横方向に延在する少なくとも１つのバスバー４１５０と第２の横方向に延在する少なくとも１つのバスバー４１５０との交差点に位置する。
ここで図１４Ｂに目を向けると、平面図および断面図の両方において、第１および第２の横方向の各々に延在するバスバー４１５０の交差点にある開口部４１２２を包含する領域４１０１に対応するデバイス４１００の断片が示されている。
示されているように、開口４１２２は、仕切り３２２１の角度付きセクション３３２４と同様の２つの対向する角度付きセクション４１２４によって形成されている。いくつかの非限定的な例では、示されているように、角度付きセクション４１２４は、仕切り３２２１の下部セクション３３２３に類似した下部セクションを有さない。したがって、いくつかの非限定的な例では、示されているように、開口部４１２２は、陥凹部３２２２を有さない。むしろ、角度付きセクション４１２４は、基板１１０上に直接配設されている。
角度付きセクション４１２４の各々は、その上に配設されたデバイススタック３３１０を有する。加えて、開口部４１２２は、角度付きセクション４１２４の間に配設された仕切りデバイススタック３３１０を有する。いくつかの非限定的な例では、示されているように、仕切りデバイススタック３３１０は、基板１１０上に配設され、かつ角度付きセクション４１２４から離間したアンダーカット部分４１１１上に配設されている。いくつかの非限定的な例では、示されているように、アンダーカット部分４１１１は、仕切りデバイススタック３３１０を、角度付きセクション４１２４の各々の仕切りデバイススタック３３１１の高度に実質的に匹敵する高度まで上昇させる。当業者は、いくつかの非限定的な例では、角度付きセクション４１２４に示される仕切りデバイススタック３３１０の少なくとも１つが、デバイススタック３３１１と同じ構造の一部（図示せず）を形成し得ることを理解するであろう。
よって、いくつかの非限定的な例では、示されているように、対向する角度付きセクション４１２４およびそれらの間のアンダーカット部分４１１１のプロファイルは、規則的な切頭環状円錐セクションとして説明され得る形状を有する開口部４１２２を画定する。
バスバー４１５０は、基板１１０内に埋設され、基板１１０上に配設され、および／または基板１１０に隣接して配設されている。
当業者は、対向する角度付きセクション４１２４および／またはアンダーカット部分４１１１によって画定される少なくとも１つの開口部４１２２が、ＰＤＬ４４０を形成している間に、フォトレジストを含むがこれに限定されない材料の選択的堆積によって形成され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、フォトレジストなしを含む堆積された材料は、堆積後に、および／またはエッチング、アブレーション、および／または堆積された材料を除去することによって選択的に除去することができる。
少なくとも１つの開口部４１２２ならびにその構成要素の対向する角度付きセクション４１２４および／またはアンダーカット部分４１１１の形成後、仕切りデバイススタック３３１０は、少なくとも１つの半導体層１３０、第２の電極１４０、およびＮＩＣ８１０の堆積によって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、示されているように、仕切りデバイススタック３３１０は、バスバー４１５０の露出層表面１１１に近接するそのリップ４１２９まで、角度付きセクション４１２４に沿って実質的に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１３０、第２の電極１４０、および／またはＮＩＣ８１０は、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積させることができる。それにもかかわらず、少なくとも１つの半導体層１３０、第２の電極１４０、および／またはＮＩＣ８１０の堆積中、開口部４１２２の角度付き構成は、いくつかの非限定的な例では、開口部４１２２にこれらの層が実質的に欠けたままであるようなものであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口部４１２２の角度付き構成がこれらの層の少なくとも１つの堆積を可能にする故であるかどうかにかかわらず、半導体層１３０、第２の電極１４０、および／またはＮＩＣ８１０のうちの少なくとも１つの堆積は、いくつかの非限定的な例では、シャドウマスクを使用して、少なくとも開口部４１２２がこれらの層を実質的に欠いたままであることを保証することができる。
ＮＩＣ８１０の堆積後、導電性コーティング８３０がデバイス４１００上に堆積される。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積させ得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０は、デバイス４１００を導電性コーティング８３０を形成するための材料の蒸発フラックスに曝すことにより堆積させることができる。非限定的な例として、導電性コーティング８３０材料の供給源（図示せず）を使用して、導電性コーティング８３０を形成するための材料の蒸発フラックスをデバイス４１００に向けて、蒸発フラックスがそのような表面に入射するように方向付けることができる。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、放出領域１９１０の横方向面４１０および／または非放出領域１９２０の少なくとも１つの少なくとも一部の横方向面４２０内に配設されたＮＩＣ８１０の表面は、比較的低い初期付着確率Ｓ０を示し、導電性コーティング８３０は、ＮＩＣ８１０が存在しないデバイス４１００の開口部４１２２を含むがこれに限定されない部分上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング８３０を形成するための材料の蒸発フラックスの少なくとも一部は、層表面１１１の横平面に対して非垂直角度に方向付けられ得る。非限定的な例として、蒸発フラックスの少なくとも一部は、表面４１１１のそのような横平面に対する９０°未満、約８５°未満、約８０°未満、約７５°未満、約７０°未満、約６０°未満、および／または約５０°未満の入射角でデバイス４１００に入射することができる。導電性コーティング８３０を形成するための材料の蒸発フラックスを方向付けること（非垂直角度で入射するその少なくとも一部を含む）により、陥凹部４１２２の少なくとも１つの表面および／または陥凹部４１２２中の少なくとも１つの表面は、そのような蒸発フラックスに曝され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような蒸発フラックスが、仕切り４１２４の存在のために、陥凹部４１２２の少なくとも１つの表面および／または陥凹部４１２２中の少なくとも１つの表面に入射することを妨げられる可能性は、そのような蒸発フラックスの少なくともサブセットが非垂直な入射角で流れる可能性があるために低減され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような蒸発フラックスの少なくともサブセットは、コリメートされていない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そのような蒸発フラックスの少なくともサブセットは、点源、線形源、および／または表面源である蒸発源によって生成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス４１００は、導電性コーティング８３０の堆積中に変位し得る。非限定的な例として、デバイス４１００および／またはその基板１１０および／またはその上に堆積された任意の層は、横側面において、および／または断面側面に実質的に平行な側面において、角変位を受け得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス４１００は、蒸発フラックスに曝されている間、表面の横平面に実質的に垂直である軸の周りで回転し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような蒸発フラックスの少なくとも一部は、表面の横平面に実質的に垂直な方向で、デバイス４１００の層表面１１１に向かって方向付けることができる。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、導電性コーティング８３０を形成するための材料は、それにもかかわらず、ＮＩＣ８１０の表面に吸着された吸着原子の横方向の移動および／または脱着のために、陥凹部４１２２内に堆積され得ると想定されている。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０の表面に吸着された吸着原子は、安定した核を形成するための表面の好ましくない熱力学的特性に起因して、そのような表面から移動および／または脱着する傾向があり得ると想定されている。いくつかの非限定的な例では、そのような表面から移動および／または脱着する吸着原子の少なくともいくつかは、陥凹部４１２２内の表面上に再堆積されて、導電性コーティング８３０を形成し得ると想定されている。
前述の結果として、導電性コーティング８３０は、開口部４１２２内に露出され、かつそれに電気的に結合されるバスバー４１５０の表面上に堆積される傾向がある。加えて、導電性コーティング８３０は、リップ４１２９において、および／またはリップ４１２９に近接して、デバイススタック３３１０内の第２の電極１４０に電気的に結合されている。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、一方または両方の角度付きセクション４１２４中に陥凹部３２２２を画定するために、一方または両方の角度付きセクション４１２４の下に下部セクション３３２３があり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、存在する場合、補助電極１７５０は、図７Ａ～７Ｇのいずれか１つに記載されるような様式で、陥凹部４１２２と係合し、その結果、導電性コーティング８３０は、そのような陥凹部４１２２内に堆積させることによって、補助電極１７５０に電気的に結合させることもできる。
当業者は、角度付きセクション４１２４を有するデバイス４１００を参照して様々な例が図示および説明されているが、本明細書に記載の様々な特徴は、他のデバイスおよび／または構造と組み合わせることができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、本明細書に記載のプロセス、材料、および／または特徴は、限定されないが、米国特許第９，０２４，３０７号、米国特許出願公開第２０１５／０１４４９０２号、米国特許第１０，０９０，３７０号、米国特許第９，８５９，５２０号、米国特許第９，９５４，０３９号、米国特許出願公開第２０１７／０１２５４９５号、米国特許出願第９，５７０，４７１号、米国特許出願公開第２０１８／０１２３０７８号、米国特許第９，４７８，５９１号および／または欧州特許出願公開第３２４００３６号のうちの少なくとも１つに記載されているような「アンダーカット」特徴を有するものを含む、デバイスと組み合わせて使用することができる。
本開示では、「重なる」および／または「重なり」という用語は、一般に、２つ以上の層および／または構造が配設され得る表面から離れる方向に実質的に垂直に延在する断面軸と交差するように配置された２つ以上の層および／または構造を指すことができる。
本開示の特徴または態様がマーカッシュグループに関して説明する場合、本開示がまた、それにより、そのようなマーカッシュグループの要素のサブグループの任意の個々の要素に関して説明していることが当業者に理解されよう。
専門用語
特に明記されていない限り、単数形の参照には複数形が含まれ、その逆も同様である。
本明細書で使用される場合、「第１の」および「第２の」などの関係用語、および「ａ」、「ｂ」などのような、番号を付したデバイスは、そのような対象物または要素間の物理的または論理的関係もしくは順序を必ずしも必要あるいは暗示することなく、１つの対象物または要素を別の対象物または要素と区別するためにのみ使用され得る。
「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、広範かつオープンエンド様式で使用され、したがって、「含むが、～に限定されない」を意味すると解釈されるべきである。「例」および「例示的な」という用語は、単に例示の目的で事例を識別するために使用され、本発明の範囲を記述された事例に限定するものとして解釈されるべきではない。特に、「例示的な」という用語は、デザイン、性能、またはその他の観点から、それが使用される表現に賞賛、有益、または他の品質を示すまたは授けると解釈されるべきではない。
任意の形態の「結合する」および「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、または別の方法であるかに関わらず、いくつかのインターフェース、デバイス、中間構成要素、または接続を通した直接接続もしくは間接接続のいずれかを意味することを意図する。
別の構成要素に対する最初の構成要素に関して使用されるときの「上（ｏｎ）」または「上（ｏｖｅｒ）」、もしくは「被覆する（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）」および／または別の構成要素を「被覆する（ｃｏｖｅｒｓ）」という用語は、最初の構成要素が他の構成要素上に直接ある（それと物理的に接触している）場面、ならびに１つ以上の介在する構成要素が最初の構成要素と他の構成要素との間に位置決めされている場面を包含し得る。
「上向き」、「下向き」、「左」および「右」などの方向用語は、特記しない限り、参照される図面内の方向を指すために使用される。同様に、「内向き」および「外向き」などの単語は、それぞれ、デバイスの幾何中心、面積または体積、もしくはそれらの指示された一部に向かう方向、かつ離れる方向を指すために使用される。さらに、本明細書で説明するすべての寸法は、ある特定の実施形態を示す目的の例としてのみ意図されており、本開示の範囲を、指定され得るようなそのような寸法から逸脱し得る任意の実施形態に限定することを意図しない。
本明細書で使用する場合、「実質的に」、「実質的な」、「約（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」、および／または「約（ａｂｏｕｔ）」という用語は、小さい変動を示し、考慮するために使用される。事象または状況と組み合わせて使用する場合、そのような用語は、事象または状況が正確に発生する場合だけでなく、事象または状況が近似的に発生する場合も指す場合がある。非限定的な例として、数値と併せて使用されるとき、そのような用語は、±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下、および／または±０．０５％以下などの、そのような数値の±１０％以下の変動の範囲を指すことができる。
本明細書で使用される場合、「から実質的になる」という語句は、具体的に列挙されたこれらの要素、および説明する技術の基本的かつ新規の特徴に著しく影響を与えない任意の追加の要素を含むと理解されるが、任意の修飾語句を使用していない「からなる」という句は、具体的に説明していない任意の要素を除外する。
当業者によって理解されるように、特に書面による説明を提供するという観点から、ありとあらゆる目的のために、本明細書に開示されるすべての範囲は、ありとあらゆる可能な部分範囲およびその部分範囲の組み合わせも包含する。任意に列挙された範囲は、２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを含むがこれらに限定されない、同じ範囲を少なくともその等しい分数に分割することを十分に説明し、可能にするものとして簡単に認識することができる。非限定的な例として、本明細書で考察される各範囲は、下３分の１、中３分の１、および／または上３分の１などに容易に分割することができる。
また、当業者によって理解されるように、「最大」、「少なくとも」、「より大きい」、「未満」などのすべての言語および／または専門用語は、列挙された範囲を含む、および／またはそれ（それら）を指す場合があり、本明細書で考察されるように、その後部分範囲に分割することができる範囲も指す場合がある。
当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々の要素を含む。
概要
要約書の目的は、関連する特許庁または一般利用者、かつ具体的には特許または法的な用語もしくは言い回しに精通していない当業者が、大まかな検査、技術開示の性質から迅速に決定することを可能にするためである。要約は、本開示の範囲を画定することを意図するものでも、決して本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
現在開示されている実施例の構造、製造、および使用は、上記で考察されている。考察された特定の実施例は、本明細書に開示された概念を作製および使用するための特定の方法の単なる例示であり、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記述された一般原則は、本開示の範囲の単なる例示であると見なされる。
提供される実装形態の詳細ではなく特許請求の範囲によって説明し、変更、省略、追加、または置換することによって、かつ／あるいは代替物および／または均等物の機能的要素を有する任意の要素および／または限定の欠如によって修正することができる本開示は、本明細書に具体的に開示されているかどうかにかかわらず、当業者には明らかであり、本明細書に開示された実施例に対して行われ得、本開示から外れることなく、多種多様な具体的な文脈で具体化され得る多くの適用可能な発明の概念を提供し得ることを理解されたい。
特に、上記の実施例のうちの１つ以上に説明および例示する特徴、技法、システム、サブシステム、および方法は、個別または別個のものとして説明しており、例示されているかどうかにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく、別のシステムと組み合わせる、またはそれと一体化して、明示的に上述されていない場合がある特徴部の組み合わせまたは部分組み合わせ、もしくは特定の機能が省略されている、または実装されていないある特定の特徴部から成る代替実施例を作成することができる。そのような組み合わせおよび部分組み合わせに好適な特徴部は、本出願全体を見直すと、当業者には容易に明らかになるであろう。変化、置換、および変更の他の例は、簡単に確認可能であり、本明細書に開示された精神および範囲から逸脱することなく行うことができる。
本開示の原理、態様、および実施例、ならびにそれらの具体例を列挙する本明細書のすべての記述は、それらの構造的均等物および機能的均等物の両方を包含し、技術におけるすべての好適な変化を網羅および包含することを意図している。追加的に、そのような均等物には、現在知られている均等物および将来開発される均等物の両方、すなわち、構造に関係なく同じ機能を実行する開発された任意の要素が含まれることが意図されている。
したがって、本明細書およびそこに開示された実施例は、例示のみであると見なされるべきであり、本開示の真の範囲は、以下の番号が付された特許請求の範囲によって開示されている。

Claims (33)

  1. 複数の層を有する光電子デバイスであって、
    前記デバイスの横方向面の第１の部分における第１の層表面上に配設された核形成抑制コーティング（ＮＩＣ）であって、前記第１の部分は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導体層とを含み、前記第２の電極は、前記第１の部分における前記ＮＩＣと前記半導体層との間にある、ＮＩＣと、
    前記デバイスの前記横方向面の第２の部分における第２の層表面上に配設された導電性コーティングと、を備え、
    前記第１の部分における前記ＮＩＣの表面上に前記導電性コーティングを形成するための初期付着確率が、前記第２の部分における前記第２の層表面上に前記導電性コーティングを形成するための前記初期付着確率よりも実質的に低く、その結果、前記第１の部分には、前記導電性コーティングの閉じたフィルムが実質的になく、
    前記導電性コーティングは、前記デバイスにおける仕切りの保護された領域において、前記第２の電極および第３の電極に電気的に結合されている、光電子デバイス。
  2. 前記第１の部分が、少なくとも１つの放出領域を備える、請求項１に記載の光電子デバイス。
  3. 前記第２の部分が、非放出領域の少なくとも一部を備える、請求項１または２に記載の光電子デバイス。
  4. 前記保護された領域には、前記ＮＩＣが実質的にない、請求項１～３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  5. 前記保護された領域が、前記仕切りによって画定される陥凹部を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  6. 前記陥凹部が、前記仕切り内で実質的に横方向に延在する、請求項５に記載の光電子デバイス。
  7. 前記陥凹部が、天井と、側部と、床と、を有する、請求項５または６に記載の光電子デバイス。
  8. 前記第３の電極が、前記天井、前記側部、前記床、およびこれらのいずれかの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つに提供されている、請求項７に記載の光電子デバイス。
  9. 前記天井および前記側部のうちの少なくとも１つが、前記仕切りによって画定されている、請求項７または８に記載の光電子デバイス。
  10. 前記導電性コーティングが、前記陥凹部内に配設されている、請求項５～９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  11. 前記仕切りが、下部セクションと、上部セクションと、を備える、請求項５～１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  12. 前記下部セクションが、前記上部セクションに対して横方向に凹んで、前記陥凹部を形成している、請求項１１に記載の光電子デバイス。
  13. 前記下部セクションが、前記第３の電極を備える、請求項１１または１２に記載の光電子デバイス。
  14. 前記第３の電極が、前記仕切り内に一体的に形成されている、請求項１～１３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  15. 前記導電性コーティングが、前記第３の電極と物理的に接触している、請求項１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  16. 前記導電性コーティングが、結合領域（ＣＲ）において前記第２の電極に電気的に結合されている、請求項１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  17. 前記ＮＩＣが、前記ＣＲにおいて前記導電性コーティングと前記第２の電極との間に配設されている、請求項１６に記載の光電子デバイス。
  18. 前記保護された領域が、前記仕切りによって画定される開口部を備える、請求項１～１７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  19. 前記開口部が、前記仕切りによって画定される陥凹部に開いている、請求項１８に記載の光電子デバイス。
  20. 前記開口部が、前記デバイスの表面から離れる方向に垂直に延在する軸に対して角度を付けられている、請求項１８または１９に記載の光電子デバイス。
  21. 前記開口部が、環状円錐プロファイルを有する、請求項１８～２０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  22. 前記開口部が、前記第３の電極の表面を露出する、請求項１８～２１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  23. 前記第３の電極が、前記デバイスの基板上に提供されている、請求項２２に記載の光電子デバイス。
  24. 前記第３の電極が、前記デバイスの基板内に一体的に形成されている、請求項２２に記載の光電子デバイス。
  25. 断面における前記第３の電極の第３の層表面と重なるアンダーカット部分をさらに備える、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  26. 前記第３の電極が、バスバーに電気的に結合される補助電極である、請求項１～１７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  27. 前記デバイスの横方向面の第３の部分における前記デバイスの第３の層表面上に配設されたさらなるＮＩＣと、
    前記デバイスの前記横方向面の第４の部分における前記デバイスの第４の層表面上に配設された導電性コーティングと、をさらに備える、請求項１～２６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
  28. 前記第３の部分が、少なくとも１つの放出領域を備える、請求項２７に記載の光電子デバイス。
  29. 前記第４の部分が、非放出領域の少なくとも一部を備える、請求項２８に記載の光電子デバイス。
  30. 前記第４の部分が、少なくとも１つの放出領域を備える、請求項２７に記載の光電子デバイス。
  31. 前記第３の部分が、非放出領域の少なくとも一部を備える、請求項３０に記載の光電子デバイス。
  32. 前記第３の部分が、前記第３の部分を通して実質的に光透過性である、請求項３１または３２に記載の光電子デバイス。
  33. 第４の電極と、第５の電極と、前記第４の電極と前記第５の電極との間にさらなる半導体層と、をさらに備え、第５の電極が前記第３の部分における前記さらなるＮＩＣと前記さらなる半導体層との間に延在する、請求項２７～３１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
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