CN110780375B - 偏光片及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种偏光片及其制备方法、显示面板、显示装置，该偏光片包括偏光层，所述偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。该偏光片适用于屏下摄像头应用。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种偏光片及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
随着手机等显示电子产品的发展，显示屏的屏占比的提升成为一种产品趋势，前置摄像头等手机必备的功能元件成为制约屏占比提升的一大因素。针对这个问题，业界提出了屏下摄像头的方案。
对于OLED(有机电致光二极管)显示装置来说，偏光片被用于抵抗环境光，减少显示方面的干扰，但同时偏光片会削弱进入屏下摄像头的光线强度，影响屏下摄像头的成像质量。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种偏光片，包括偏光层，所述偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。
在一些示例中，所述第一偏光区和所述第二偏光区是一体的。
在一些示例中，所述第一偏光区的光透过率介于60％至90％之间。
在一些示例中，所述第二偏光区的光透过率介于35％至55％之间。
在一些示例中，所述偏光片还包括：设置在所述偏光层的一侧的第一保护层和/或设置在所述偏光层的另一侧的第二保护层。
在一些示例中，所述第一保护层和所述第二保护层为三醋酸纤维素层，所述偏光层为聚乙烯醇层。
本公开至少一实施例提供一种偏光片的制备方法，所述方法包括提供包括待处理偏光层；处理所述待处理偏光层以得到处理后的偏光层，所述处理后的偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间；使用所述处理后的偏光层以得到所述偏光片。
在一些示例中，所述处理所述待处理偏光层包括对所述第一偏光区进行处理，使得所述第一偏光区的光透过率增大以大于所述第二偏光区的光透过率。
在一些示例中，在处理所述待处理偏光层之前，还包括在所述待处理偏光层的至少一侧表面上还形成附加层，由此使得所述待处理偏光层在形成有所述附加层的状态下被处理。
在一些示例中，所述处理所述待处理偏光层还包括：提供具有对应于所述第一偏光区的开口的掩模板，将所述掩模板设置在所述待处理偏光层的至少一侧的表面上，将所述待处理偏光层置于处理温度下一处理时间，以使得所述第一偏光区的光透过率增大以大于所述第二偏光区的光透过率。
在一些示例中，在将所述待处理偏光层置于所述处理温度的同时，将所述待处理偏光层置于处理湿度。
在一些示例中，所述处理温度的温度范围约为85至150℃，所述处理湿度大于等于70％，所述处理时间大于等于0.5小时。
在一些示例中，所述处理所述待处理偏光层还包括对所述待处理偏光层的第一偏光区施加光照射，以使得所述第一偏光区的光透过率增大以大于所述第二偏光区的光透过率。
在一些示例中，所述光照射所使用的光为蓝光、紫外光或X光。
在一些示例中，所述处理待处理偏光层还包括在处理湿度下对所述待处理偏光层的所述第一偏光区施加试剂一处理时间，所述处理湿度大于等于70％，所述处理时间大于等于0.5小时。
本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括上述偏光片。
在一些示例中，所述显示面板还包括：基底；显示功能层，设置于所述基底上且包括第一显示区和第二显示区；所述偏光片设置在所述显示功能层的出光侧，所述第二显示区在所述基底上的正投影和所述第一偏光区在所述基底上的正投影彼此交叠。
在一些示例中，所述第一显示区包括第一像素阵列，所述第二显示区包括第二像素阵列，所述第一像素阵列的像素密度大于所述第二像素阵列的像素密度。
本公开至少一实施例一种显示装置，所述显示装置包括上述显示面板和图像传感器，所述图像传感器的感光面朝向所述显示面板，所述图像传感器在所述基底的正投影与所述第二显示区在所述基底上的正投影至少部分重叠。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1A示出了一种典型的PVA型偏光片；
图1B示出了另一种典型的PVA型偏光片；
图2A示出了根据本公开至少一实施例的偏光片的示意图；
图2B示出了图2A所示的偏光片的一个示例沿线N-N’的剖面示意图；
图2C示出了图2A所示的偏光片的另一个示例沿线N-N’的剖面示意图；
图3示出了根据本公开至少一实施例的采用高温处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；
图4示出了根据本公开至少一实施例采用光处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；
图5示出了根据本公开另一实施例采用高温处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；
图6示出了根据本公开另一实施例采用光处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；
图7示出了根据本公开至少一实施例采用试剂处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；
图8示出了根据图5至7示出的制备方法得到的偏光片的示意图；
图9示出了根据本公开至少一实施例的显示面板的结构示意图；
图10示出了根据本公开至少一实施例的显示面板沿图9的线A-A’的剖面示意图；
图11示出了根据本公开至少一实施例的显示面板的像素阵列的示意图；
图12示出了根据本公开至少一实施例的显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现所述词前面的元件或者物件涵盖出现在所述词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
偏光片(即Polarizer，缩写为POL)，又称之为偏振光片。它是一种由多层高分子材料复合而成的具有产生偏振光功能的光学薄膜，能够将不具偏光性的自然光转化为偏振光。
偏光片可以为高分子碘类聚乙烯醇(PVA)型、二色性有机染料型等。PVA型偏光片的制造方法包括：将PVA膜浸泡于含多价碘离子(I5-或I3-)混合态的碘化钾溶液中，在将PVA膜在硼酸溶液中以单一轴方向拉伸。PVA分子受到外力拉伸后会在一个方向上排列，促使附着在PVA上的碘分子和PVA分子同方向排列。拉伸后的细长碘分子会吸收平行于碘分子长轴方向振动的光，透过垂直于碘分子长轴振动的光，由此实现偏光作用。例如，偏光片的光透过率可以为38％～48％，且随着碘的吸收量的改变而改变。
图1A示出了一种典型的PVA型偏光片，其包括偏光层和在该偏光层上下表面的保护层。该偏光层为上述经过处理从而具有偏光作用的PVA层51。为了维持PVA层51中碘分子的被拉伸状态，保护碘分子不受外界环境的影响，在PVA层51的上下表面还需要贴覆透明的保护层52、53，该保护层通常为三醋酸纤维素(TAC)膜。
图1B示出了另一种典型的PVA型偏光片，其基于图1A所示的偏光片，并且包括了更多的膜层，以便于存放和例如与显示面板贴合。除了上述PVA层51、保护层52、53之外，该偏光片还包括位于保护层52外侧(图中的上侧)的表面保护膜54、位于保护层53外侧(图中的下侧)的粘结层55、以及位于粘结层55外侧的可剥离保护膜(离型膜)56。该偏光片可以被卷曲存放，当需要使用时，展开并进行必要的裁切，剥离保护膜56，通过粘结层55粘附到显示面板的表面上。该保护膜54和/或离型膜56例如可以为聚对苯二甲酸乙二醇(PET)膜.
作为偏光片的应用的一个示例，由于OLED(有机电致光二极管)显示装置包括金属电极，用于形成发光二极管的电极(例如阳极或阴极)，然而这层金属电极具有反射性，会反射进入到OLED显示装置中的环境光，因此使得使用者在观看OLED显示装置时会受到外界光反射的不利影响，从而导致OLED显示装置的对比度下降。所以，OLED显示装置的观看品质，特别是在强光下或是户外的观看品质受到不利影响，因此，无论是底部发光式或是顶部发光式OLED显示装置，都需要在显示面板的出光侧贴覆偏光片来减弱对于环境光的反射。
随着手机等显示电子产品的发展，显示屏屏占比的提升成为一种产品趋势，前置摄像头等手机必备的功能元件成为制约屏占比提升的一大因素。针对这个问题，业界提出了屏下摄像头的方案，即将图像传感器(或者，将包括图像传感器的摄像头模组)设置在显示面板之下并且位于显示区之中，外界光经过显示面板后进入图像传感器。但是，普通偏光片的透过率通常约为例如45％，因此偏光片在阻挡外界光的反射的但同时也会削弱进入屏下摄像头的光线强度，光线强度减弱将不利地影响屏下摄像头的成像质量。
针对上述OLED显示装置的屏下摄像头方案中所存在的技术问题，发明人注意到需要一种局部光透过率较高，同时具有偏光性的偏光片。
本公开至少一实施例提供一种偏光片，该偏光片的偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，并且第一偏光区的光透过率大于第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。本公开至少一实施例还提供了制备上述偏光片的方法，例如，对提供的整体具有相同光透过性的偏光层的偏光片进行二次处理，或在制备偏光片的过程中，通过高温处理、光催化或试剂处理偏光层，改变偏光层材料的局部物理化学性质，从而改变该偏光层材料的局部光透过性，得到局部光透过率较高同时具有一定偏光性的偏光片。
本公开至少一实施例还提供了具有上述偏光片的显示面板，以及具有该显示面板的显示装置。
需要说明的是，如本领域技术人员可以理解的，这里使用的“光透过率”指的是外界环境光(通常为可见光)经过某一层介质的光强度与入射光强度的比率，当光透过率为100％时，意味着该层介质完全透明，当光透过率为0时，意味着该层介质完全不透光，当光透过率介于0至100％之间时，意味着该层介质部分透光，且光透过率越高，该层介质的透光性能越好。
图2A示出了根据本公开至少一实施例的偏光片的示意图，图2B示出了图2A的偏光片的一个示例沿线N-N’的剖面示意图。如图2A和2B所示，偏光片包括依序层叠设置的第一保护层2、偏光层1和第二保护层3，即第一保护层2层叠设置在偏光层1的一侧，第二保护层3层叠设置在偏光层1的另一侧。换句话说，第一保护层2和第二保护层3分别设置在偏光层1的相反的两侧。偏光层1是偏光片的主要部分，偏光层1决定了偏光片的偏光性能和光透过率，同时也是影响偏光片色调和光学耐久性的主要部分。偏光层1包括第一偏光区11和第二偏光区12，第一偏光区11的光透过率大于第二偏光区12的光透过率，且第一偏光区11的光透过率与第二偏光区12的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。
例如，第一偏光区11和第二偏光区12是一体的。需要说明的是，“一体”指的是由同一片或同一层材料形成且彼此连接没有界面。
第一偏光区11位于两个第二偏光区12之间并与两个第二偏光区12相邻设置，在图2A所示出的实施例中，第一偏光区11被第二偏光区12包围；第一偏光区11例如为圆形。需要指出的是，第一偏光区11与第二偏光区12之间可以没有清晰的边界，而是存在一个过渡区域，因此图2A中以虚线标识出第一偏光区11。本公开的实施例并不限于此，图2A示出的实施例仅为示例性的，实际上，第一偏光区11的形状、位置和面积大小取决于需要局部透光率的实际应用，例如使用该偏光片的显示装置的图像传感器的大小和对应的位置。
例如，第一偏光区11的光透过率介于60％至90％之间，在具有较高的光透过率的同时，还具有偏光性。本实施例中，第一偏光区11的光透过率可以为60％、65％、70％、75％、80％或90％。例如，第一偏光区11的光透过率介于65％～75％之间，由此能更好地平衡光透过率和偏光性。考虑到偏光层1的基底材料的影响，第一偏光区11不会完全透明。
例如，第二偏光区12的光透过率介于35％至55％之间，也即，第二偏光区12的光透过率约等于典型偏光片的偏光层的光透过率。本实施例中，第二偏光区11的光透过率可以为35％、45％或55％。
例如，偏光层1为PVA层，可参见上面的描述，这里不再赘述。由在碘化钾溶液浸泡且随后单向拉伸的PVA层制成的偏光层1易受环境影响而丧失偏光性能，因此需要在其两侧表面各设置一层光学均匀性和透明性能良好的保护层来隔绝水分和空气，保护偏光层1。
例如，第一保护层2和第二保护层3为TAC层，具有优良的物理支撑性、光均匀性和高透明性，同时吸水率高，保护PVA层不受水汽影响。
图2C示出了根据本公开另一实施例的偏光片的示意图，其例如也同样为对应于图2A所示的偏光片的另一个示例沿线N-N’的剖面示意图。在图2B所示的偏光片的基础上，为了增加不同的功能，该偏光片包括依序层叠设置的第一功能层4、第一保护层2、偏光层1、第二保护层3、第二功能层5、粘合层6和离型层9。第一保护层2、偏光层1和第二保护层3的技术内容在先前实施例中已经描述，在此不再赘述。
例如，第一功能层4可以是保护膜，例如由单侧涂布EVA(乙烯醋酸乙烯共聚物)层的PE(聚乙烯)层，具有低粘性，起到保护TAC层表面的作用。
例如，第二功能层5可以是补偿层，具有特定的光学各向异性及补偿量，可以针对可见光区全波长进行补偿，例如1/4λ波片。此外，第二功能层5也可以是与第一功能层4相同的保护膜。
上述第一功能层4和第二功能层5的设置仅是示例性的，本公开的实施例并不限于此，第一功能层4和第二功能层5可以依据实际的用途和需求设置相应的功能层。此外，也可以根据实际需求不设置第一功能层4或第二功能层5。
粘合层6用于将偏光片粘合到显示面板的出光侧表面，例如封装层或盖板。具体地，粘合层6可以采用压敏胶。压敏胶的主要成分为苯乙烯类热塑弹性体，如SIS、SBS、环氧化SBS等，其中，SIS为苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三元嵌段共聚物，SBS为苯乙烯-丁二烯三元嵌段共聚物，都具有橡胶和塑料的双重特性，来源容易、价格适中，非常适宜用作压敏胶粘剂的弹性体组分。SIS的弹性大，耐水、醇、弱酸、弱碱，只有酯类、酮类、烃类化合物能使SIS溶解或溶胀。此外，粘合层6还可以采用光固化胶，例如紫外光固化胶或红外光固化胶。本公开的实施例中，粘合层6并不限于此，只要是具有高透光率和能够实现可靠的粘合的胶材即可。
为了存储、运输等，在粘合层6的表面还可以贴覆离型层9以保护粘合层6，离型层9例如可以为PET膜。待需要将偏光片粘贴到显示面板的表面上时，可以先移除离型层9，然后进行粘附操作。
需要说明的是，本公开的实施例的偏光片的主要堆叠结构和各层的设置是可以根据需求改变的，可以具有多种组合，其排列方式可以根据需求增减膜层。
本公开的至少一实施例还提供了制备上述偏光片的方法，该方法可以针对现有偏光片(例如图1A或图1B所示的偏光片)进行二次处理以得到上述偏光片，或者在制备偏光片的过程中对偏光层进行处理，进而制备得到偏光片。以下将结合图3至图7分别描述本公开的至少一实施例提供的偏光片的制备方法。
偏光片的制备方法主要涉及对偏光层进行处理，更具体而言，对偏光层的部分区域进行处理以得到第一偏光区，使得第一偏光区丧失部分偏光性能，进而使得第一偏光区的光透过率大于偏光层的其他区域，例如第二偏光区的光透过率。例如，由PVA层制成的偏光层1易吸水而丧失偏光性能，提高光透过率。此外，例如，在光催化作用或高温作用下，PVA层可以发生降解，从而丧失偏光性能，提高光透过率。在至少一个实施例中，在对偏光层进行的处理过程中，偏光层中不同于第一偏光区的第二偏光区的偏光性基本上不改变，由此其透光性基本上不改变。
在进行上述处理的过程中，为了界定偏光片的被处理的区域，可以使用掩模板，该掩模板例如贴附被处理的偏光片放置。该掩模板可以采用例如金属、陶瓷、塑料等制备。根据发明人更进一步的发现，由于掩模板由金属制成，导热和散热较好，在高温高湿环境下，在由贴附的掩模板遮挡的偏光片区域中，热量散失较快，且掩模板可以阻挡水汽进入偏光层，因此在该区域中偏光层的偏光性能失效较慢或完全正常。反之，偏光片的对应于掩模板的开口的部分，即无遮挡的区域，热量由于无法散失而集中且水汽通过开口进入，该区域的偏光性能更容易失效。
此外，发明人还进一步发现，采用金属钼(Mo)掩模板的制备效果较好，但也可以采用其他常用的金属掩模板。以下将以钼掩模板为例描述本公开的偏光片制备方法。
以下将介绍针对现有偏光片进行二次处理以得到本公开的实施例的偏光片的制备方法。
图3示出了根据本公开至少一实施例的采用掩模板处理偏光片的偏光片制备方法的示意图。在本实施例中，首先，提供待处理偏光层1，此时待处理偏光层1的同一层中的光透过率相同(包括基本相同)。该待处理偏光层1处于单独的状态下被处理，或者在至少一侧的表面上设置有附加层(例如如下所述的保护层等，由此得到待处理偏光片)的状态下被处理。
作为示例，该待处理偏光片采用类似于图2C所示偏光片的膜层设置，具有分别设置在待处理偏光层1相反的两侧的第一保护层2和第二保护层3。待处理偏光片还可以进一步包括第一功能层4、第二功能层5、粘合层6和离型层9，其设置方式如图2C所示，在此不再赘述。
掩模板7具有对应于待处理偏光层1将要形成的第一偏光区(图中未示出)的开口。将掩模板7与偏光片对准并设置在待处理偏光层1的至少一侧，例如将掩模板7与偏光片对准并贴附在待处理偏光层1的至少一侧上，或位于待处理偏光层1上的至少一侧上的附加层上(即位于待处理偏光片的至少一侧上)。例如如图3所示，将掩模板7分别设置在待处理偏光层1的两侧，即，在本实施例中为第一功能层4的外侧和离型层9的外侧，掩模板7的开口对应于制备后的第一偏光区。此处的“贴附”应理解为紧靠但可以允许有一定空隙，空隙宽度例如大于等于0而小于等于1mm。
然后，施加高温高湿的反应条件，将掩模板7与偏光片的组合处理一定时间。此处的“高温高湿”指的是环境温度范围约在85～150℃，环境湿度大于等于70％，处理时间需要根据温度和湿度的组合来确定，例如不少于0.5小时。在本实施例的一个示例中，采用的反应条件是环境温度125℃，环境湿度85％，处理时间为2小时。
经过上述处理步骤，使得对应于掩模板7的开口的偏光层1的第一偏光区的光透过率增大为大于第二偏光区的光透过率，例如，可以得到光透过率大于70％同时仍具有偏光效果的第一偏光区，和得到具有正常光透过率(例如45％)的第二偏光区，并且，通过控制处理条件，使得第一偏光区的光透过率与第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。因此，实现对现有偏光片进行二次处理以实现本公开实施例提供的局部光透过率较高，同时具有一定偏光性的偏光片(如图2B、图2C等所示的偏光片)。
例如，掩模板7的开口的尺寸和形状可以根据形状可以根据实际需求进行相应的设置，例如，对于图2A所示的圆形的第一偏光区，掩模板7的开口也为圆形。
需要说明的是，在一些示例中，在高温和高湿的反应条件可以同时存在，在另一些示例中，也可以具有其中的某一反应条件，例如仅高温或仅高湿，并且根据温度和湿度适应性地调整处理时间，只要能够实现局部光透过率增加的技术效果即可。
图4示出了根据本公开至少一实施例采用光处理偏光片的偏光片制备方法的示意图。
在本实施例中，提供如前述实施例类似的待处理偏光片。对待处理偏光片的第一偏光区施加光照射，以使得第一偏光区的光透过率增大以大于第二偏光区的光透过率。
例如，可以采用蓝光、紫外光等进行光照射处理，光斑的尺寸、功率和处理时间可以根据实际需求和偏光片的厚度进行调整。所采用的光源可以为荧光灯、激光器等。
例如，在一个示例中，如果希望获得直径为10mm的圆形第一偏光区，光斑尺寸可以选择为8mm，处理时间为0.5～2.5小时。从而可以获得如图2B或图2C所示的偏光片。
例如，在另一个示例中，也可以使用掩模板来界定偏光片的被处理的区域，该掩模板例如贴附被处理的偏光片放置。该掩模板可以采用例如金属、陶瓷等制备。
例如，当光源的光斑本身较小时，还可以通过扫描的方式对第一偏光区进行处理。利用光斑对第一偏光区进行扫描，从而得到比光斑更大的第一偏光区。
本公开的实施例并不限于此，施加光照射所使用的光还可以是X光，并且可以根据X光相应调整反应条件。
以下将介绍在制备偏光片的过程中，通过高温处理、光催化或试剂处理偏光层以得到本公开的实施例的偏光片的制备方法。
对于制备局部透光率增加的偏光层以得到偏光片的制备方法，可以采用与图3和图4分别示出的采用掩模板高温处理或光处理的方法形成光透过率增大的第一偏光区，这些示例相应的示意图分别由图5和图6示出。
首先，提供具有偏光性的待处理的偏光层1，例如，该偏光层为在碘化钾溶液浸泡且随后单向拉伸的PVA层。此时，在该偏光层1上尚未贴覆各种附加层或功能层，然后在该状态下对偏光层进行后续的处理。
图5对应于图3的采用掩模板高温处理的实施例，图6对应于图4的采用光处理的实施例，并且在图6的光处理过程中也可以进一步采用掩模板以界定被处理的区域。不同之处在于，此时掩模板7直接贴附于偏光层1的两侧。技术细节和参数选择已经在前述实施例的描述中公开，在此不再赘述。经过处理后可以获得如图8所示的偏光层1，该偏光层1包括第一偏光区11和第二偏光区12，第一偏光区11的光透过率大于第二偏光区12的光透过率。
在制备了上述偏光层1之后，可以根据实际需要在偏光层的至少一侧设置附加层，例如在偏光层的两侧依次层叠设置各种附加层，例如各种结构或层，例如如前述实施例公开的第一保护层2、第二保护层3、第一功能层4、第二功能层5、粘合层6或离型层9等。
此外，在另一些实施例中，进行上述高温处理以及光处理也可以是在图1A的状态下进行，即提供依次层叠设置有第一保护层2、偏光层1和第二保护层3，处理的偏光层1包括第一偏光区11和第二偏光区12，第一偏光区11的光透过率大于第二偏光区12的光透过率。然后，再在第一保护层2和第二保护层3上贴覆更多的附加层，例如，如前述实施例公开的第一功能层4、第二功能层5、粘合层6或离型层9等，在此不再赘述。
此外，图7还示出了根据本公开至少一实施例采用试剂处理偏光层以制备偏光片方法的示意图，并且可以进一步采用掩模板以界定被处理的区域。在本实施例中，对待处理偏光层1的被处理的区域施加试剂一定时间，例如该时间根据所选择的时间可以大于等于1小时，由此使得该被处理的区域的透过率增加，从而得到第一偏光区。可选地，在该处理过程中，可以控制环境湿度为大于等于70％。本实施例的一个示例中，试剂可以采用蒸馏水，在常温、环境湿度为95％的反应条件下处理1～4小时，从而可以获得如图8所示的偏光层，该偏光层1包括第一偏光区11和第二偏光区12，第一偏光区11的光透过率大于第二偏光区12的光透过率。
本实施例的试剂不限于蒸馏水，还可以采用其他常见的含水液体，例如去离子水或者其他水溶液，只要能起到让偏光层的偏光性能部分失效，提高光透过率的效果即可。
本公开的至少一实施例还提供一种显示面板300。图9示出了显示面板300的平面示意图；图10示出了沿图9的剖线A-A’的剖面示意图。参考图9和图10，该显示面板300例如是OLED面板，该显示面板300包括根据本公开任一实施例的偏光片100，并且还包括基底200、显示功能层和封装层205等。
封装层205覆盖显示功能层，以将显示功能层与外界隔绝，防止外界的水汽等进入到显示功能层中使得显示功能层的性能劣化。偏光片100通过粘合层(未示出)贴覆在封装层205上。
显示功能层用于实现显示功能，包括第一显示区201和第二显示区202，例如与第一显示区相邻的第二显示区202，第一显示区201包括像素阵列2031，第二显示区202包括像素阵列2032，像素阵列2031和像素阵列2032均包括多个阵列排布的像素单元，例如每个像素单元包括像素电路和发光元件(即OLED)。像素电路例如可以采用2T1C型(即包括两个薄膜晶体管和一个存储电容)像素电路，或者在2T1C型像素电路的基础上提供的具有补偿功能的像素电路，具有补偿功能的像素电路例如可以为4T1C或4T2C等，这里不再详述。
图11示出了根据本公开至少一实施例的显示面板的像素阵列的示意图。第一显示区201的像素阵列2031包括阵列排布的多个第一像素单元110，第二显示区202的像素阵列2032包括阵列排布的多个第二像素单元220。如图所示，像素阵列2031的像素密度高于像素阵列2032的像素密度，由于这种像素密度的设置，即第二显示区的像素阵列2032的像素密度较低，因此OLED的显示功能层的金属电极的密度也较低，使得从第二显示区的金属电极的反射光较弱，而且可以进一步增加第二显示区202的透光率。在另一个示例中，像素阵列2031的像素密度等于像素阵列2032的像素密度。
偏光片100设置在第一显示区201和第二显示区202的出光侧，第二显示区202的像素阵列2032在基底200上的正投影和偏光片100的第一偏光区11在基底200上的正投影彼此交叠，如图10中点划线区域所示。
本公开的至少一实施例还提供一种显示装置，并且图12示出了根据本公开至少一实施例的显示装置的示意图。
该显示装置包括上述实施例的显示面板300和图像传感器204，该图像传感器204设置于显示面板300的第二显示区202，并且图像传感器204位于基底200背离像素阵列203的一侧，该图像传感器204的感光面朝向显示面板300。例如，图像传感器204在基底200上的正投影和第二显示区202在基底200上的正投影至少部分重叠，例如，位于第二显示区202在基底200上的正投影内，如图12中点划线区域所示。
图9中示例性地示出第二显示区202为圆形区域。参考图10，第二显示区202的像素阵列2032用于实现第二显示区202的正常显示，偏光片100的第一偏光区11的光透过率大于第二偏光区12，因此第一偏光区11用于透过更多的外界光线，以增加进入图像传感器204的光线强度，提高成像质量。因此，本实施例的显示面板300采用局部光透过率较高，同时具有一定偏光性的偏光片，结合屏下摄像头，可以实现全面屏和屏下摄像头兼容的特性，提高屏下摄像头的成像质量。
图像传感器204可以采用本领域的常用结构，例如可以包括CMOS图像传感器阵列或者CCD图像传感器阵列，传感器阵列电连接到图像处理器(未示出)。除了图像传感器204之外，为了实现更好的成像效果，该显示装置例如还可以包括镜头组件，镜头组件和传感器阵列在垂直于基底200的方向上依次沿着镜头组件的光轴排列设置。
本公开实施例中的显示面板可以用于液晶面板、液晶电视、显示器、OLED面板、OLED电视、电子纸、手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
具体地，本实施例中的显示面板尤其可以用于具有屏下图像传感器的显示装置，该显示装置还可以包括显示面板等其他常规部件，本公开的实施例对此不作限制。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明实施例的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明实施例揭露的技术范围内或者在本发明实施例揭露的发明思想下，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明实施例的保护范围之内。
Claims (14)
1.一种偏光片，包括偏光层，其中，所述偏光层包括：
第一偏光区，其中，所述第一偏光区已通过将具有对应于所述第一偏光区的开口的金属掩模板设置于待处理偏光层的至少一侧的表面上以及将所述待处理偏光层置于处理温度下一处理时间而被处理为具有第一偏光区的光透过率，在将所述待处理偏光层置于所述处理温度的同时，将所述待处理偏光层置于处理湿度，其中，所述金属掩模板中的除去所述开口的部分配置为阻挡水汽进入所述偏光层，所述金属掩模板的所述开口作为无遮挡的区域以使水汽通过所述开口进入所述偏光层；
第二偏光区，其中，所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。
2.根据权利要求1所述的偏光片，其中，所述第一偏光区和所述第二偏光区是一体的。
3.根据权利要求1或2所述的偏光片，其中，所述第一偏光区的光透过率介于60％至90％之间。
4.根据权利要求1或2所述的偏光片，其中，所述第二偏光区的光透过率介于35％至55％之间。
5.根据权利要求1或2所述的偏光片，还包括：
设置在所述偏光层的一侧的第一保护层；
设置在所述偏光层的另一侧的第二保护层。
6.根据权利要求5所述的偏光片，其中，所述第一保护层和所述第二保护层为三醋酸纤维素层，
所述偏光层为聚乙烯醇层。
7.一种偏光片的制备方法，包括：
提供待处理偏光层；以及
处理所述待处理偏光层以得到处理后的偏光层，其中，所述处理后的偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间；
使用所述处理后的偏光层以得到所述偏光片；
其中，所述处理所述待处理偏光层还包括：
提供具有对应于所述第一偏光区的开口的金属掩模板，
将所述金属掩模板设置于所述待处理偏光层的至少一侧的表面上，其中，所述金属掩模板中的除去所述开口的部分配置为阻挡水汽进入所述偏光层，所述金属掩模板的所述开口作为无遮挡的区域以使水汽通过所述开口进入所述偏光层；
将所述待处理偏光层置于处理温度下一处理时间，以使得所述第一偏光区的光透过率增大以大于所述第二偏光区的光透过率；
其中，在将所述待处理偏光层置于所述处理温度的同时，将所述待处理偏光层置于处理湿度。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述处理所述待处理偏光层包括：
对所述第一偏光区进行处理，使得所述第一偏光区的光透过率增大以大于所述第二偏光区的光透过率。
9.根据权利要求7所述的方法，在处理所述待处理偏光层之前，还包括：
在所述待处理偏光层的至少一侧表面上形成附加层，由此使得所述待处理偏光层在形成有所述附加层的状态下被处理。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述处理温度的温度范围为85至150℃，所述处理湿度大于等于70％，所述处理时间大于等于0.5小时。
11.一种显示面板，包括如权利要求1-6任一所述的偏光片。
12.根据权利要求11所述的显示面板，还包括：
基底；
显示功能层，设置于所述基底上且包括第一显示区和第二显示区；
其中，所述偏光片设置在所述显示功能层的出光侧，所述第二显示区在所述基底上的正投影和所述第一偏光区在所述基底上的正投影彼此交叠。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述第一显示区包括第一像素阵列，所述第二显示区包括第二像素阵列，
其中，所述第一像素阵列的像素密度大于所述第二像素阵列的像素密度。
14.一种显示装置，包括：
如权利要求12-13任一所述的显示面板，
图像传感器，其中，所述图像传感器的感光面朝向所述显示面板，所述图像传感器在所述基底的正投影与所述第二显示区在所述基底上的正投影至少部分重叠。
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