KR20130053053A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 활성층, 상기 활성층과 절연되며 게이트 하부전극 및 게이트 상부전극을 포함하는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮는 절연막, 상기 절연막 상에 형성되어 상기 활성층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 상기 게이트 하부전극과 동일층에 형성된 화소 전극, 발광층을 포함하는 중간층 및 대향 전극이 순차적으로 적층된 유기발광소자와, 상기 게이트 하부전극과 동일층에 형성된 패드 하부전극과 상기 게이트 상부전극과 동일층에 형성된 패드 상부전극을 포함하는 패드 전극을 구비하며, 상기 절연막은 상기 패드 상부전극의 상면을 덮으며, 상기 패드 상부전극은 상기 패드 하부전극의 일부를 노출시키도록 상기 절연막과 상기 패드 상부전극에 형성된 개구부를 구비하며, 상기 패드 상부전극은 언더컷 형상을 가질 수 있다.
Description
본 발명의 일 실시예는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 중간층, 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 중간층은 유기 발광층을 구비하고, 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 가하면 유기 발광층에서 가시광선을 발생하게 된다.
한편 유기 발광 표시 장치는 전기적 신호를 발생하는 구동 회로부 및 구동 회로부에서 발생한 신호를 전달하는 패드부를 구비한다.
이 때 구동 회로부와 패드부의 접합 공정이 용이하지 않아 구동 회로부와 패드부의 결합 특성 및 구동 회로부와 유기 발광 표시 장치의 기판등과의 결합 특성이 감소하여 유기 발광 표시 장치의 내구성을 향상하는 데 한계가 있다.
본 발명의 주된 목적은 내부식성이 향상된 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 활성층, 상기 활성층과 절연되며 게이트 하부전극 및 게이트 상부전극을 포함하는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮는 절연막, 상기 절연막 상에 형성되어 상기 활성층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 상기 게이트 하부전극과 동일층에 형성된 화소 전극, 발광층을 포함하는 중간층 및 대향 전극이 순차적으로 적층된 유기발광소자와, 상기 게이트 하부전극과 동일층에 형성된 패드 하부전극과 상기 게이트 상부전극과 동일층에 형성된 패드 상부전극을 포함하는 패드 전극을 구비하며, 상기 절연막은 상기 패드 상부전극의 상면을 덮으며, 상기 패드 상부전극은 상기 패드 하부전극의 일부를 노출시키도록 상기 절연막과 상기 패드 상부전극에 형성된 개구부를 구비하며, 상기 패드 상부전극은 언더컷 형상을 가질 수 있다.
상기 언더컷 형상은 상기 패드 상부전극이 상기 절연막보다 중심부에서 외곽부로 더 제거될 수 있다.
상기 개구부를 통해 외부로 노출된 상기 패드 하부전극의 상면 및 상기 패드 상부전극의 측면은 상기 유기 발광 표시 장치의 구동을 위해 전류를 공급하는 드라이버IC와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 개구부를 통해 외부로 노출된 상기 패드 하부전극의 상면 및 상기 패드 상부전극의 측면은 도전볼을 통해 상기 드라이버IC와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 패드 전극은 상기 박막 트랜지스터 또는 상기 유기발광소자와 배선을 통해 전기적으로 커플링될 수 있다.
상기 패드 하부전극은 상기 패드 상부전극에 비해 내부식성(耐腐蝕性)이 좋은 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 하부전극, 상기 화소 전극 및 상기 패드 하부전극은 투명한 도전성 금속산화물을 포함하며, 상기 게이트 상부전극 및 상기 패드 상부전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, MoW, Cu 가운데 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
상기 활성층과 동일층에 형성된 커패시터 하부전극 및 상기 게이트 전극과 동일층에 형성된 커패시터 상부전극을 포함하여, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 커플링된 커패시터; 를 더 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 박막 트랜지스터의 활성층을 형성하는 제1마스크공정단계와, 상기 활성층 상부에, 화소 전극을 형성하기 위한 제1전극유닛, 게이트 전극, 패드 전극을 형성하기 위한 제2전극유닛을 각각 형성하는 제2마스크공정단계와, 상기 활성층의 양쪽 가장자리를 노출하는 컨택홀들, 상기 제1전극유닛의 일부를 노출하는 개구, 상기 제2전극유닛의 일부를 노출하는 개구, 및 상기 제2전극유닛 상면에 상기 제2전극유닛의 일부가 노출되는 층간절연막을 형성하는 제3마스크공정단계와, 상기 컨택홀을 통해 상기 활성층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 제1전극유닛으로부터 상기 화소 전극을 형성하며, 상기 제2전극유닛으로부터 언더컷 형상을 갖는 상기 패드 전극을 형성하는 제4마스크공정단계와, 상기 화소 전극의 적어도 일부를 노출하는 화소정의막을 형성하는 제5마스크공정단계를 포함할 수 있다.
상기 제2마스크공정단계는, 상기 활성층을 덮도록 상기 기판 상에 제1절연층, 제1도전층 및 제2도전층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제1도전층 및 상기 제2도전층을 동시에 패터닝하여, 상기 제1도전층을 게이트 하부전극으로 하고 상기 제2도전층을 게이트 상부전극으로 하는 상기 게이트 전극을 형성하는 동시에, 상기 제1도전층을 패드 하부전극으로 하고 상기 제2도전층을 패드 상부전극으로 하는 상기 제2전극유닛을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제4마스크공정단계는, 상기 층간절연막 상에 제3도전층을 형성하는 단계와, 상기 제3도전층을 패터닝하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1전극유닛을 구성하는 상기 제2도전층을 제거하여 상기 제1도전층으로 이루어진 화소 전극을 형성하고, 상기 제2전극유닛을 구성하는 상기 패드 상부전극을 일부 제거하여 하부의 상기 패드 하부전극을 노출하는 개구부를 포함하는 패드 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 층간절연막이 제거된 면적보다 상기 패드 상부전극이 제거된 면적이 더 크게 되어 상기 언더컷 형상을 형성할 수 있다.
상기 제3마스크공정단계는, 상기 전극유닛, 상기 게이트 전극 및 상기 패드 전극 상에 제2절연층을 형성하는 단계와, 상기 제2절연층을 패터닝하여, 상기 컨택홀들, 상기 제1전극유닛의 일부를 노출하는 개구 및 상기 제2전극유닛의 일부를 노출하는 개구를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제5마스크공정단계는, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 기판 전면에 제4절연층을 형성하는 단계와, 상기 제4절연층을 패터닝하여 상기 화소정의막을 형성하고, 상기 패드 전극 상의 상기 층간절연막 상에서 상기 제4절연층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1마스크공정단계는 기판 상에 상기 활성층과 동일층에 커패시터 하부전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2마스크공정단계는 상기 커패시터 하부전극의 상부에, 커패시터 상부전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제5마스크공정단계 이후에 상기 화소 전극 상부에 발광층을 포함하는 중간층, 및 대향 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치의 내부식성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절개한 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 2의 유기 발광 표시 장치에 포함된 패드전극을 보다 상세하게 나타내는 도면들이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절개한 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 2의 유기 발광 표시 장치에 포함된 패드전극을 보다 상세하게 나타내는 도면들이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1)는 복수개의 발광화소를 포함하는 제1기판(10), 제1기판(10)과 실링을 통해 합착되는 제2기판(70)을 포함한다.
제1기판(10)에는 박막트랜지스터(TFT), 유기발광소자(EL), 커패시터(Cst) 등이 형성될 수 있다. 또한, 제1기판(10)은 LTPS(crystalline silicon) 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판 등일 수 있다.
제2기판(70)은 제1기판(10)에 구비된 TFT 및 발광화소 등을 외부 수분, 공기 등으로부터 차단하도록 제1기판(10) 상에 배치되는 봉지기판일 수 있다. 제2기판(70)은 제1기판(10)과 대향되도록 위치하고, 제1기판(10)과 제2기판(70)은 그 가장자리를 따라 배치되는 실링부재(90)에 의해 서로 접합된다. 제2기판(70)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판 또는 스테인리스 스틸(Stainless Using Steel; SUS) 기판 일 수 있다.
제1기판(10)은 빛이 출사되는 발광영역(DA)과 이 발광영역(DA)의 외곽에 위치한 비발광영역(NDA)을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 발광 영역(DA) 외측의 비발광 영역(NDA)에 실링부재(90)가 배치되어, 제1기판(10)과 제2기판(70)을 접합한다.
상술한 바와 같이, 제1기판(10)의 발광영역(DA)에는 유기발광소자(EL), 이를 구동하는 박막트랜지스터(TFT) 및 이들과 전기적으로 연결된 배선이 형성된다. 그리고, 비발광 영역(NDA)에는 발광영역(DA)의 배선으로부터 연장 형성된 패드전극(PAD)이 위치하는 패드영역(5)이 포함될 수 있다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절개한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 유기 발광 표시 장치(1)는, 트랜지스터영역(2), 저장영역(3), 발광영역(4) 및 패드영역(5)을 포함한다.
트랜지스터영역(2)에는 구동소자로서 박막트랜지스터(TFT)가 구비된다. 박막트랜지스터(TFT)는 활성층(21), 게이트전극(20) 및 소스/드레인 전극(29,27)으로 구성된다. 게이트전극(20)은 게이트 하부전극(23)과 게이트 하부전극(23) 상부에 있는 게이트 상부전극(25)으로 구성되고, 이 때 게이트 하부전극(23)은 투명한 전도성 물질로 형성될 수 있는데, 구체적으로 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium gallium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminum zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 함유할 수 있다. 게이트 상부전극(25)은 Mo, MoW, Al계 합금 등과 같은 금속 또는 금속의 합금의 단일층 또는 2층 이상의 복수층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트전극(20)과 활성층(21) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 게이트 절연막인 제1절연층(12)이 개재되어 있다. 또한, 활성층(21)의 양쪽 가장자리에는 고농도의 불순물이 도핑된 소스/드레인영역(21s/21d)이 형성되어 있으며, 이들은 상기 소스/드레인 전극(29/27)에 각각 연결되어 있다.
저장영역(3)에는 커패시터(Cst)가 구비된다. 커패시터(Cst)는 커패시터 하부전극(31) 및 커패시터 상부전극(33)으로 이루어지며, 이들 사이에 제1절연층(12)이 개재된다. 여기서, 커패시터 하부전극(31)은 박막트랜지스터(TFT)의 활성층(21)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 커패시터 하부전극(31)은 반도체 물질로 이루어지며, 불순물이 도핑되어 있어 전기전도성이 향상된다. 한편, 커패시터 상부전극(33)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 하부전극(23), 및 유기발광소자(EL)의 화소전극(43)과 동일한 층에 형성될 수 있다.
발광영역(4)에는 유기발광소자(EL)가 구비된다. 유기발광소자(EL)는 박막트랜지스터(TFT)의 소스/드레인전극(29/27) 중 하나와 접속된 화소전극(43), 화소전극(43)과 마주보도록 형성된 대향전극(45) 및 그 사이에 개재된 중간층(44)으로 구성된다. 화소전극(43)은 투명한 전도성 물질로 형성되며, 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 하부전극(23) 등과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다.
패드영역(5)은 패드전극(PAD)을 포함한다. 여기서, 도시되지 않았지만, 패드전극(PAD)은 박막트랜지스터(TFT) 또는 유기발광소자(EL)와 배선(미도시)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 패드전극(PAD)은 유기 발광 표시 장치(1)의 구동을 위해 전류를 공급하는 드라이버IC(미도시)와 전기적으로 연결된다. 따라서, 패드전극(PAD)은 드라이버IC(미도시)로부터 전류를 인가 받아 배선(미도시)을 통해 발광영역(도 1의 DA)에 위치한 박막트랜지스터(TFT) 또는 유기발광소자(EL)로 전류를 전달하게 된다. 패드전극(PAD)은 게이트 하부전극(23)과 동일층에 동일한 물질로 형성된 패드 하부전극(53), 및 게이트 상부전극(35)과 동일층에 동일한 물질로 형성된 패드 상부전극(55)을 포함한다. 즉, 패드 하부전극(53)은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium gallium oxide: IGO), 또는 알루미늄징크옥사이드(aluminum zinc oxide: AZO)등과 같은 도전성 금속산화물로 이루어질 수 있으며, 패드 상부전극(55)은 Mo, MoW, Al계 합금 등과 같은 금속 또는 금속의 합금의 단일층 또는 2층 이상의 복수층으로 형성될 수 있다.
패드전극(PAD)은 배선(미도시)을 통해 발광영역(도 1의 DA)과 연결되는 제1접속부(50a)와 드라이버IC(미도시)와 연결되는 제2접속부(50b)를 포함할 수 있다. 제2접속부(50b)는 외부의 드라이버IC(미도시)와 전기적으로 연결되기 위하여 개구부(OP)를 통해 외부로 노출된 것을 특징으로 한다.
개구부(OP)를 통해 패드 하부전극(53)이 외부로 노출되고, 외부로 노출되는 패드 하부전극(53)은 상술한 바와 같이 ITO와 같은 산화된 금속으로 이루어지므로 내부식성이 향상된다.
한편, 제1접속부(50a)는 내부의 소자와 배선(미도시)을 통해 전기적으로 연결되고 타 구성과는 절연되기 위해서 층간절연막(14)으로 덮인 것을 특징으로 한다. 즉, 패드 상부전극(55)의 상면은 층간절연막인 제2절연층(14)으로 덮여 있어, 패드 상부전극(55)의 상면은 외부로 노출되지 않으며, 패드 상부전극(55)은 제2절연층(14)에 비해 언더컷(undercut) 구조를 갖는다. 개구부(OP)를 통해 노출된 패드 하부전극(53)의 상면 및 패드 상부전극(55)의 측면은 외부의 드라이버IC(미도시)와 도전볼(도 12의 80)을 통해 전기적으로 연결된다. 이와 관련해서는 도 12를 참조하여 차후에 상세히 설명하기로 한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 의한 구조의 효과를 알아본다. 예를 들어, 제2접속부(50b)를 패드 하부전극(53)으로만 구성하여 패드 상부전극(55)없이 드라이버IC(미도시)와 패드 하부전극(53)만이 전기적으로 컨택하는 경우, 40인치(inch) 이상의 대형 패널에서 저항 산포가 발생하여 표시 품질이 저하되는 문제가 있다. 실험적으로, 패드 하부전극(53)으로만 이루어진 패드는 평균적으로 저항이 약 621(Ω; ohm)이며, 표준편차가 약 599(Ω; ohm)이다. 한편, 제2접속부(50b)를 패드 상부전극(55)만이 노출되도록 구성하여 드라이버IC(미도시)와 패드 상부전극(55)만 전기적으로 컨택하는 경우, 즉 패드 하부전극(53) 없이 패드전극이 패드 상부전극(55) 만으로 이루어진 경우 이 패드는 평균적으로 저항이 약 144(Ω; ohm)이며, 표준편차가 약 2(Ω; ohm)이다. 즉, 저항 산포는 개선되나, 패드 상부전극(55)을 구성하는 금속물질이 직접 외부로 노출되어 쉽게 부식되고, 이러한 내부식성의 저하로 장치의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다. 그러나, 도 2에 도시된 본 발명의 구조에 의하면, 패드 하부전극(53) 상에 패드 상부전극(55)을 배치하여 저항 산포 및 접촉 저항을 개선할 수 있다. 또한, 개구부(OP)를 통해 ITO와 같은 금속산화물로 이루어진 패드 하부전극(53)이 노출되므로 내부식성이 향상되는 효과도 동시에 가져올 수 있다.
도 3 내지 도 11은 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치(1)의 제조공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 이하에서는 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치(1)의 제조공정을 개략적으로 설명한다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1기판(10) 상부에 보조층(11)을 형성한다. 상세히, 제1기판(10)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명 재질의 글라스재로 형성될 수 있다. 제1기판(10)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재 또는 금속 재 등, 다양한 재질의 기판을 이용할 수 있다.
한편, 제1기판(10) 상면에 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층, 블록킹층, 및/또는 버퍼층과 같은 보조층(11)이 구비될 수 있다. 보조층(11)은 SiO2 및/또는 SiNx 등을 사용하여, PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.
다음으로 도 4에 도시된 바와 같이, 보조층(11) 상부에 박막트랜지스터(TFT)의 활성층(21)과 커패시터 하부전극(31)을 형성한다. 상세히, 보조층(11) 상부에 비정질 실리콘층(미도시)을 먼저 증착한 후 이를 결정화함으로써 다결정 실리콘층(미도시)을 형성한다. 비정질 실리콘은 RTA(rapid thermal annealing)법, SPC(solid phase crystallization)법, ELA(excimer laser annealing)법, MIC(metal induced crystallization)법, MILC(metal induced lateral crystallization)법, SLS(sequential lateral solidification)법 등 다양한 방법에 의해 결정화될 수 있다. 그리고, 이와 같이 다결정 실리콘층은 제1마스크(미도시)를 사용한 마스크 공정에 의해, 박막트랜지스터(TFT)의 활성층(21) 및 커패시터 하부전극(31)으로 패터닝된다.
본 실시예에서는, 활성층(21)과 커패시터 하부전극(31)이 분리 형성되었으나, 활성층(21)과 커패시터 하부전극(31)을 일체로 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 활성층(21)과 커패시터 하부전극(31)이 형성된 제1기판(10)의 전면에 제1절연층(12), 제1도전층(13) 및 제2도전층(15)을 순차로 형성한다.
제1절연층(12)은 SiNx 또는 SiOx 등과 같은 무기 절연막을 PECVD법, APCVD법, LPCVD법 등의 방법으로 증착할 수 있다. 제1절연층(12)은, 박막트랜지스터(TFT)의 활성층(21)과 게이트전극(20) 사이에 개재되어 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 절연막 역할을 하며, 커패시터 상부전극(33)과 커패시터 하부전극(31) 사이에 개재되어 커패시터(Cst)의 유전체층 역할을 하게 된다.
제1도전층(13)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3와 같은 투명 물질 가운데 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 추후 상기 제1도전층(13)은 화소전극(43), 게이트 하부전극(23), 커패시터 상부전극(33), 및 패드 하부전극(53)으로 패터닝 될 수 있다.
한편, 제2도전층(15)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, MoW, Cu 가운데 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게, 제2도전층(15)은 Mo - Al - Mo의 3층 구조로 형성될 수도 있다. 추후 제2도전층(15)은 게이트 상부전극(25), 및 패드 상부전극(55) 으로 패터닝 될 수 있다.
그러나 이에 한정되지 않고, 제1도전층(13)은 제2도전층(15)에 비해 내부식성이 좋은 물질을 포함하며, 제2도전층(15)은 제1도전층(13)에 비해 저항이 작아 전류가 잘 흐르는 물질을 포함한다면 본 발명의 일 실시예들을 만족한다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1기판(10) 상에 게이트전극(20)과, 제1전극유닛(40)과 제3전극유닛(30)과 제2전극유닛(50)을 각각 형성한다.
상세히, 제1기판(10) 전면에 차례로 적층된, 제1도전층(13) 및 제2도전층(15)은 제2마스크(미도시)를 사용한 마스크 공정에 의해 패터닝된다.
이 때, 트랜지스터영역(2)에는 활성층(21) 상부에 게이트전극(20)이 형성되고, 게이트전극(20)은 제1도전층(13)의 일부로 형성된 게이트 하부전극(23)과 제2 도전층(15)의 일부로 형성된 게이트 상부전극(25)을 포함한다.
여기서, 게이트전극(20)은 활성층(21)의 중앙에 대응하도록 형성되며, 게이트전극(20)을 셀프 얼라인(self align) 마스크로 하여 활성층(21)으로 n형 또는 p형의 불순물을 도핑하여 게이트전극(20)의 양측에 대응하는 활성층(21)의 가장자리에 소스/드레인영역(21s/21d)과 이들 사이의 채널영역(21c)을 형성한다. 여기서 불순물은 보론(B) 이온 또는 인(P) 이온일 수 있다.
저장영역(3)에는 추후 커패시터 상부전극(33)을 형성하기 위한 제3전극유닛(30)이 커패시터 하부전극(31) 상부에 형성되고, 발광영역(4)에는 추후 화소전극(43)을 형성하기 위한 제1전극유닛(40)이 형성된다. 그리고, 패드영역(5)에는 추후 패드전극(PAD)을 형성하기 위한 제2전극유닛(50)이 형성된다.
다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 게이트전극(20)이 형성된 제1기판(10)의 전면에 제2절연층(14)을 증착한다.
상기 제2절연층(14)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로 스핀 코팅 등의 방법으로 형성된다. 제2절연층(14)은 충분한 두께로 형성되어, 예컨대 전술한 제1절연층(12)보다 두껍게 형성되어, 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(20)과 소스/드레인전극(29/27) 사이의 층간절연막 역할을 수행한다. 한편, 제2절연층(14)은 상기와 같은 유기 절연 물질뿐만 아니라, 전술한 제1절연층(12)과 같은 무기 절연 물질로 형성될 수 있으며, 유기 절연 물질과 무기절연 물질을 교번하여 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2절연층(14)을 패터닝하여 제1 및 제3전극유닛(30, 40)을 노출하는 개구들(H3, H4, H5)과 활성층(21)의 소스/드레인영역(21s/21d)의 일부를 노출하는 컨택홀들(H1, H2) 및 패드 상부전극(55)을 노출하는 개구부(H6)를 형성한다.
상세히, 상기 제2절연층(14)은 제3마스크(미도시)를 사용한 마스크 공정에 의해 패터닝됨으로써 컨택홀들, 개구들(H1, H2, H3, H4, H5, H6))을 형성한다. 여기서, 컨택홀들(H1, H2)은 소스/드레인영역(21s/21d)의 일부를 각각 노출시키고, 제3개구(H3) 및 제4개구(H4)는 제1전극유닛(40)의 상부를 구성하는 제2도전층(15)의 적어도 일부를 노출시킨다. 상기 제5개구(H5)는 제3전극유닛(30)의 상부를 구성하는 제2도전층(15)의 적어도 일부를 노출시킨다. 그리고, 제6개구(H6)는 제2전극유닛(50)의 상부를 구성하는 제2도전층(15)의 적어도 일부를 노출시킨다.
한편, 도 8에 도시된 바와 같이 제3, 5개구(H3, H5)는 각 전극유닛(30,40) 전체를 노출시키도록 형성될 수도 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 층간절연막(14)을 덮도록 제1기판(10) 전면에 제3도전층(17)을 증착한다.
상기 제3도전층(17)은 전술한 제1 또는 제2도전층(13, 15)과 동일한 도전 물질 가운데 선택할 수 있으며, 이에 한정되지 않고 다양한 도전 물질들로 형성될 수 있다. 또한, 상기 도전 물질은 전술한 컨택홀들, 개구들(H1, H2, H3, H4, H5, H6) 사이를 충진할 수 있을 정도로 충분한 두께로 증착된다.
다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 제3 도전층(도 9의 17 참조)을 패터닝하여, 소스/드레인전극(29/27), 화소전극(43), 커패시터 상부전극(33) 및 패드 상부전극(55)을 각각 형성한다.
상세히, 상기 제3도전층(도 9의 17 참조)을 제4마스크(미도시)를 사용한 마스크 공정에 의해 패터닝하여 소스/드레인전극(29/27)을 형성한다.
여기서, 소스/드레인전극(29/27) 중 하나의 전극(본 실시예의 경우 드레인전극(27))은 화소전극(43)이 형성될 제1전극유닛(도 8의 40 참조)의 상부 제2도전층(15)의 가장자리 영역의 제3개구(H3)를 통하여 화소전극(43)과 접속하도록 형성된다.
한편, 소스/드레인전극(29/27)을 형성함과 동시에 화소전극(43) 및 커패시터 상부전극(33)을 각각 형성한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 소스/드레인전극(29/27)을 형성한 후 추가 식각에 의해 화소전극(43) 및 커패시터 상부전극(33)을 각각 형성할 수도 있다. 상세히, 제1전극유닛(도 8의 40 참조)은 제4개구(H4)에 의해 노출된 상부 제2도전층(15)을 제거하여 화소전극(43)을 형성한다. 그리고, 상기 제3전극유닛(도 8의 30 참조)은 제3개구(H3)에 의해 노출된 상부 제2도전층(15)을 제거하여 커패시터 상부전극(33)을 형성한다.
그리고, 제2전극유닛(도 8의 50 참조)은 패드 하부전극(53)의 일부가 노출되도록 패드 상부전극(55) 일부를 제거되고, 패드 하부전극(53)의 일부를 외부로 노출시키는 제8개구(H&) 를 형성한다. 제8개구(H8)에 의해 패드 상부전극(55)와 층간절연막(14)은 동일한 삭각면을 갖는다.
한편, 상술한 바와 같이 외부로 노출되는 패드 하부전극(53)은 드라이버IC(미도시)와 전기적으로 연결되는 제2접속부(50b)를 이룬다.
따라서 게이트 게이트 하부전극(23), 커패시터 상부전극(33) 및 화소전극(43)은 동일층에서 동일 물질로 형성된다.
여기서, 상기 제5개구(H5)를 통해 n형 또는 p형의 불순물을 주입하여 커패시터 하부전극(31)을 도핑할 수 있다. 상기 도핑 시 주입되는 불순물은 상기 활성층(21)의 도핑 시 사용된 것과 동일 또는 상이할 수 있다.
다음으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1기판(10) 상에 화소정의막(pixel define layer: PDL)(16)을 형성한다.
상세히, 화소전극(43), 소스/드레인전극(29/27), 커패시터 상부전극(33), 및 패드전극(PAD)이 형성된 제1기판(10) 전면에 제3절연층(16)을 증착한다. 이때 상기 제3절연층(16)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 한편, 상기 제3절연층(16)은 상기와 같은 유기 절연 물질뿐만 아니라, SiO2, SiNx, Al2O3, CuOx, Tb4O7, Y2O3, Nb2O5, Pr2O3 등에서 선택된 무기 절연 물질로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한 상기 제3절연층(16)은 유기 절연 물질과 무기 절연 물질이 교번하는 다층 구조로 형성될 수도 있다.
한편, 제3절연층(16)은 선택에 따라 패드영역(5)에 증착될 수도 있고, 증착되지 않을 수도 있다.
제3절연층(16)은 제5마스크(미도시)를 사용한 마스크 공정에 의해 패터닝하여 화소전극(43)의 중앙부가 노출되도록 제7개구(H7)를 형성함으로써, 픽셀을 정의하게 된다. 제3절연층(16)이 패드영역(5) 상에 증착되는 경우에는 제5마스크를 사용하는 마스크 공정에 의해 패드영역(5) 상의 제3절연층(16)은 제거된다.
제3절연층(16)이 제거되면서 층간절연막(14)에는 개구부(OP)가 형성되며, 상부 패드전극(55)에는 언더컷(UC)이 형성된다. 즉, 패드영역(5) 상의 제3절연층(16)이 삭각되면서 상부 패드전극(55)이 그 측면에서 삭각되고 층각절연막(14)은 상부 패드전극(55)보다 덜 식각되거나 식각되지 않아서 상부 패드전극(55)은 언더컷(UC) 형상을 갖게 된다. 결과적으로 층간절연막(14)이 제거된 면적보다 상부 패드전극(55)이 제거된 면적이 크게 되어 상부 패드전극(55)는 언더컷(UC) 형상을 갖는다. 이후 도 2에 도시된 바와 같이, 화소전극(43)을 노출하는 제7개구(H7)에 발광층을 포함하는 중간층(44) 및 대향전극(45)을 형성한다.
중간층(44)은 유기 발광층(emissive layer: EML)과, 그 외에 정공 수송층(hole transport layer: HTL), 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등의 기능층 중 어느 하나 이상의 층이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다.
상기 유기 발광층은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다.
유기 발광층이 저분자 유기물로 형성되는 경우, 중간층(44)은 유기 발광층을 중심으로 화소전극(43)의 방향으로 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 적층되고, 대향전극(45) 방향으로 전자 수송층 및 전자 주입층 등이 적층된다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층될 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다.
한편, 유기 발광층이 고분자 유기물로 형성되는 경우에는, 중간층(44)은 유기 발광층을 중심으로 화소전극(43) 방향으로 정공 수송층만이 포함될 수 있다. 정공 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 화소전극(43) 상부에 형성할 수 있다. 이때 사용 가능한 유기 재료로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 유기물을 사용할 수 있으며, 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅 또는 레이저를 이용한 열전사 방식 등의 통상의 방법으로 컬러 패턴을 형성할 수 있다.
상기 대향전극(45)은 제1기판(10) 전면에 증착되어 공통 전극으로 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 경우, 화소전극(43)은 애노드 전극으로 사용되고, 대향전극(45)은 캐소드 전극으로 사용된다. 물론 전극의 극성은 반대로 적용될 수 있음은 물론이다.
유기 발광 표시 장치(1)가 제1기판(10)의 방향으로 화상이 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)의 경우, 화소전극(43)은 투명전극이 되고 대향전극(45)은 반사 전극이 된다. 이때 반사 전극은 일함수가 적은 금속, 예를 들자면, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, 또는 이들의 화합물을 얇게 증착하여 형성할 수 있다.
도 12는 도 2의 유기 발광 표시 장치에 포함된 패드전극을 보다 상세하게 나타내는 도면들이다.
도 12의 (a)는 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 의한 패드전극(PAD)을 개략적으로 나타낸 평면도이며, 도 12의 (b)는 (a)를 Ⅰ-Ⅰ'에 따라 절단한 단면도이며, 도 12의 (c)는 (b)에 드라이버IC(85)를 접속한 것을 나타내는 단면도이다.
도 12를 참조하면, 개구부(OP)를 통해 패드 하부전극(53)이 노출되며, 패드 상부전극(55)은 제2절연층(14)보다 더 제거되어 제2절연층(14)에 형성된 개구부(OP)보다 안쪽에 위치하는 언더컷(UC) 형상을 갖는다. 언더컷(UC) 내로 도전불(80)이 들어갈 수 있으며, 이를 통해 패드전극(PAD)과 드라이버IC(85)간의 원활한 전기적 연결이 실현될 수 있다.
전술된 유기 발광 표시 장치를 형성하기 위한 각 마스크 공정시 적층막의 제거는 건식 식각 또는 습식 식각으로 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 배면 발광 표시 장치에 의하면, 마스크 수 증감없이 금속층을 기판의 최하부에 화소 전극과 격리시켜 형성함으로써, 화소 전극의 발광 효율을 증가시키고 게이트 전극의 식각 특성이 확보되어, 표시 장치의 표시 품질을 향상시키고 공정 단순화 및 불량 개선이 가능해 진다.
한편, 전술한 실시예에서는 유기 발광 표시 장치를 예로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 액정 표시 장치를 비롯한 다양한 표시 소자를 사용할 수 있음은 물론이다.
또한, 본 발명에 따른 실시예를 설명하기 위한 도면에는 하나의 TFT와 하나의 커패시터만 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명에 따른 마스크 공정을 늘리지 않는 한, 복수 개의 TFT와 복수 개의 커패시터가 포함될 수 있음은 물론이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 유기 발광 표시 장치 29/27: 소스/드레인 전극
2: 트랜지스터영역 3: 저장영역
4: 발광영역 5: 패드영역
10: 제1기판 11: 보조층
12: 제1절연층 13: 제1도전층
14: 제2절연층 15: 제2도전층
16: 제3절연층 17: 제3도전층
20: 게이트 전극 21: 활성층
23: 게이트 하부전극 25: 게이트 상부전극
30: 제3전극유닛 31: 커패시터 하부전극
33: 커패시터 상부전극 40: 제1전극유닛
43: 화소 전극 44: 중간층
45: 대향 전극 50a: 제1접속부
50: 제2전극유닛 50b: 제2접속부
53: 패드 하부전극 54: 절연패턴
55: 패드 상부전극 29,27: 소스/드레인 전극
70: 제2기판 80: 도전볼
85: 드라이버IC 90: 실링부재
2: 트랜지스터영역 3: 저장영역
4: 발광영역 5: 패드영역
10: 제1기판 11: 보조층
12: 제1절연층 13: 제1도전층
14: 제2절연층 15: 제2도전층
16: 제3절연층 17: 제3도전층
20: 게이트 전극 21: 활성층
23: 게이트 하부전극 25: 게이트 상부전극
30: 제3전극유닛 31: 커패시터 하부전극
33: 커패시터 상부전극 40: 제1전극유닛
43: 화소 전극 44: 중간층
45: 대향 전극 50a: 제1접속부
50: 제2전극유닛 50b: 제2접속부
53: 패드 하부전극 54: 절연패턴
55: 패드 상부전극 29,27: 소스/드레인 전극
70: 제2기판 80: 도전볼
85: 드라이버IC 90: 실링부재
Claims (18)
- 활성층, 상기 활성층과 절연되며 게이트 하부전극 및 게이트 상부전극을 포함하는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮는 절연막, 상기 절연막 상에 형성되어 상기 활성층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 상기 게이트 하부전극과 동일층에 형성된 화소 전극, 발광층을 포함하는 중간층 및 대향 전극이 순차적으로 적층된 유기발광소자; 및
상기 게이트 하부전극과 동일층에 형성된 패드 하부전극과 상기 게이트 상부전극과 동일층에 형성된 패드 상부전극을 포함하는 패드 전극; 을 구비하며,
상기 절연막은 상기 패드 상부전극의 상면을 덮으며,
상기 패드 상부전극은 상기 패드 하부전극의 일부를 노출시키도록 상기 절연막과 상기 패드 상부전극에 형성된 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 패드 상부전극은 언더컷 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 언더컷 형상은 상기 패드 상부전극이 상기 절연막보다 중심부에서 외곽부로 더 제거된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 개구부를 통해 외부로 노출된 상기 패드 하부전극의 상면 및 상기 패드 상부전극의 측면은 상기 유기 발광 표시 장치의 구동을 위해 전류를 공급하는 드라이버IC와 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치. - 제4항에 있어서,
상기 개구부를 통해 외부로 노출된 상기 패드 하부전극의 상면 및 상기 패드 상부전극의 측면은 도전볼을 통해 상기 드라이버IC와 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 패드 전극은 상기 박막 트랜지스터 또는 상기 유기발광소자와 배선을 통해 전기적으로 커플링된 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 패드 하부전극은 상기 패드 상부전극에 비해 내부식성(耐腐蝕性)이 좋은 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 게이트 하부전극, 상기 화소 전극 및 상기 패드 하부전극은 투명한 도전성 금속산화물을 포함하며,
상기 게이트 상부전극 및 상기 패드 상부전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, MoW, Cu 가운데 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 활성층과 동일층에 형성된 커패시터 하부전극 및 상기 게이트 전극과 동일층에 형성된 커패시터 상부전극을 포함하여, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 커플링된 커패시터; 를 더 구비하는 유기 발광 표시 장치. - 기판 상에 박막 트랜지스터의 활성층을 형성하는 제1마스크공정단계;
상기 활성층 상부에, 화소 전극을 형성하기 위한 제1전극유닛, 게이트 전극, 패드 전극을 형성하기 위한 제2전극유닛을 각각 형성하는 제2마스크공정단계;
상기 활성층의 양쪽 가장자리를 노출하는 컨택홀들, 상기 제1전극유닛의 일부를 노출하는 개구, 상기 제2전극유닛의 일부를 노출하는 개구, 및 상기 제2전극유닛 상면에 상기 제2전극유닛의 일부가 노출되는 층간절연막을 형성하는 제3마스크공정단계;
상기 컨택홀을 통해 상기 활성층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 제1전극유닛으로부터 상기 화소 전극을 형성하며, 상기 제2전극유닛으로부터 상기 패드 전극을 형성하는 제4마스크공정단계; 및
상기 화소 전극의 적어도 일부를 노출하는 화소정의막을 형성하는 제5마스크공정단계; 를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. - 제10항에 있어서,
상기 제2마스크공정단계는
상기 활성층을 덮도록 상기 기판 상에 제1절연층, 제1도전층 및 제2도전층을 순차적으로 형성하는 단계; 및
상기 제1도전층 및 상기 제2도전층을 동시에 패터닝하여, 상기 제1도전층을 게이트 하부전극으로 하고 상기 제2도전층을 게이트 상부전극으로 하는 상기 게이트 전극을 형성하는 동시에, 상기 제1도전층을 패드 하부전극으로 하고 상기 제2도전층을 패드 상부전극으로 하는 상기 제2전극유닛을 형성하는 단계; 를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 제4마스크공정단계는
상기 층간절연막 상에 제3도전층을 형성하는 단계;
상기 제3도전층을 패터닝하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제1전극유닛을 구성하는 상기 제2도전층을 제거하여 상기 제1도전층으로 이루어진 화소 전극을 형성하고, 상기 제2전극유닛을 구성하는 상기 패드 상부전극을 일부 제거하여 하부의 상기 패드 하부전극을 노출하는 개구부를 포함하는 패드 전극을 형성하는 단계; 를 포함하며,
상기 개구부에 의해 상기 층간절연막과 상기 패드 상부전극은 동일한 식각면을 갖는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. - 제10항에 있어서,
상기 제3마스크공정단계는
상기 제1전극유닛, 상기 게이트 전극 및 상기 패드 전극 상에 제2절연층을 형성하는 단계; 및
상기 제2절연층을 패터닝하여, 상기 컨택홀들, 상기 제1전극유닛의 일부를 노출하는 개구 및 상기 제2전극유닛의 일부를 노출하는 개구를 형성하는 단계; 를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. - 제10항에 있어서,
상기 제5마스크공정단계는
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 기판 전면에 제4절연층을 형성하는 단계; 및
상기 제4절연층을 패터닝하여 상기 화소정의막을 형성하고, 상기 패드 전극 상의 상기 층간절연막 상에서 상기 제4절연층을 제거하는 단계; 를 포함하며,
상기 제4절연층 제거 단계시, 상기 패드 상부전극에는 언더컷이 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. - 제14항에 있어서,
상기 언더컷 형상은 상기 패드 상부전극이 측면 방향에서 식각되어 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. - 제15항에 있어서,
상기 언더컷은 상기 층간절연막이 제거된 면적보다 상기 패드 상부전극이 제거된 면적이 더 크게 됨으로써 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. - 제10항에 있어서,
상기 제1마스크공정단계는 기판 상에 상기 활성층과 동일층에 커패시터 하부전극을 형성하는 단계; 를 더 포함하고,
상기 제2마스크공정단계는 상기 커패시터 하부전극의 상부에, 커패시터 상부전극을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법. - 제10항에 있어서,
상기 제5마스크공정단계 이후에 상기 화소 전극 상부에 발광층을 포함하는 중간층, 및 대향 전극을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
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