KR20180121304A - 소자 기판을 이용한 소자의 공정처리 수행방법 - Google Patents

소자 기판을 이용한 소자의 공정처리 수행방법 Download PDF

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KR20180121304A
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김승용
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(주)에스엔텍
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Abstract

본 발명은 소자의 공정처리 수행방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전극의 크기가 큰 소자의 측면 및 상면에 공정처리를 용이하게 수행할 수 있고, 액상의 수지층을 이용하더라도 소자의 공정처리 불량 발생을 방지할 수 있는 공정처리 수행방법에 관한 것이다.

Description

소자 기판을 이용한 소자의 공정처리 수행방법{Processing method of package using package substrate}
본 발명은 소자의 공정처리 수행방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전극의 크기가 큰 소자의 측면 및 상면에 공정처리를 용이하게 수행할 수 있고, 액상의 수지층을 이용하더라도 소자의 공정처리 불량 발생을 방지할 수 있는 공정처리 수행방법에 관한 것이다.
반도체 패키지와 같은 소자는 컴퓨터, 디스플레이, 스마트기기, 전자기기 등, 다양한 산업분야에 이용되고 있다.
반도체 패키지는 크게 납볼(solder ball)로 전극이 형성된 BGA(Ball Grid Array), 돌출된 핀으로 전극이 형성된 PGA(Pin Grid Array) 및 어레이 상에 랜드(Land)를 배열한 것으로 BGA에서 납볼이 없이 랜드(Land)만 있는 LGA(Land Grid Array)로 구분된다.
최근 소자의 집적도가 증대되면서 전극의 크기 및 길이가 커지고 있는 실정이다.
한편, 소자의 전자파(EMI) 차폐를 위해서는 소자의 수분 등을 제거하기 위한 열처리 공정, 유기물등을 제거하기 위한 플라즈마 처리 공정 또는 식각처리 공정, 전자파 차폐막의 증착을 위한 전자파 차폐막 증착 공정이 순차적 또는 선별적으로 이루어져야 하며, 각 공정은 서로 다른 공정 챔버 또는 하나의 공정 챔버에서 수행될 수 있다.
또한, 상기 열처리 공정, 상기 플라즈마 처리 공정, 상기 식각처리 공정 및 상기 증착 공정을 모두 공정 처리로 통칭한다.
도 1은 일반적인 전자파 차폐막 증착 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 일반적으로 소자에 전자파 차폐막 증착을 위해서는 공정 챔버(30) 내부로 출입할 수 있는 캐리어(20)에 점착성이 있는 필름(21)를 붙이고 상기 필름 상에 소자(10)들을 이격하여 부착한 뒤, 공정 챔버(30) 내부로 투입하여 소자(10)의 측면과 상면에 전자파 차폐막(40)을 증착한다.
또한, 상기 공정 챔버(30) 내부에는 캐리어(20)를 이송하기 위한 이송수단(32) 및 전자파 차폐막(40)의 증착을 위한 타겟(31)이 구비된다.
또한, 도 1에서는 상기 전자파 차폐막(40)이 상기 타겟(31)을 이용하여 물리 증착되는 것을 도시하였으나 화학 기상 증착 방법으로 증착이 가능하다.
다음, 도 2는 도 1의 증착 공정 이후에 소자를 수득하는 과정을 설명하기 위한 것으로, 상기 전자파 차폐막(40)의 증착 후에 상기 캐리어(20)를 상기 공정 챔버(30) 외부로 배출하여 전자파 차폐막(40)이 증착된 소자(10)를 필름(21)에서 떼어 내어 수득한다.
한편, 상기 소자(10)의 하면에 납볼이나 핀, 랜드와 같은 전극이 돌출된 경우에는 도 3과 같이 필름(21)에 홀(21a)을 형성한 후, 상기 홀(21a)에 전극(11)을 안착시켜 전자파 차폐막(40)을 형성한다.
또한, 상기 홀(21a)의 넓이는 상기 소자(10)의 하면 넓이보다 작다.
즉, 상기 홀(21a)의 상면 가장자리는 상기 소자(10)의 하면 가장자리에 부착되고, 상기 홀(21a)은 상기 캐리어(20)의 상면과 상기 소자(10)의 하면에 의해 밀폐되어 증착 물질이 상기 홀(21a)로는 유입되지 않고 상기 소자(10)의 측면 및 상면에만 부착되어 증착이 이루어진다.
최근 상기 전극(11) 크기 및 길이가 커지고 있는데, 상기 필름(21)은 기성품으로서 두께는 제한되어 있으므로, 상기 전극(11)의 높이가 상기 필름(21)의 두께보다 커질 경우, 상기 소자(10)의 하면을 상기 필름(21) 상에 부착할 수 없는 문제가 발생하고 있다.
또한, 상기 전극(11)의 크기가 커질수록 상기 필름(21)에 부착될 수 있는 소자(10)의 부착면(c)이 줄어들므로 상기 소자(10)를 상기 필름(21) 상에 부착할 수 없는 문제점이 있다.
도 4는 이러한 문제점을 해결하기 위한 종래의 전자파 차폐막 증착방법을 보여주는 것으로 도 4를 참조하면, 상기 필름(21) 대신 액상의 점착층인 수지층(22)을 상기 전극(11)의 높이보다 높게 상기 캐리어(20) 상면에 형성하고, 상기 전극(11)을 상기 수지층(22) 내부로 압입하여 상기 소자(10)의 하면이 상기 수지층(22)의 상면에 밀착되게 한 후, 전자파 차폐막(40)의 증착을 수행한다.
이러한 방법은 전극(11)의 높이에 관계없이 상기 소자(10)를 상기 수지층(22)의 상면에 밀착시킬 수 있는 장점이 있으나 상기 소자(10)를 상기 수지층(22)상에 부착하는 과정에서 상기 소자(10)의 측면 하단(12)에 상기 수지층(22)이 올라와 묻는 현상이 발생하고 이렇게 상기 소자(10)의 측면 하단(12)에 수지층(22)이 묻을 경우 상기 수지층이 묻는 부분에(12)에 전자파 차폐막(40)이 형성되지 않아 전자파 차폐막 증착에 불량이 발생한다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로 본 발명의 목적은 전극의 길이가 필름의 두께보다 커 수지층을 이용하여 소자들을 필름 상에 부착할 때, 수지가 소자의 측면에 묻지 않아 불량 현상을 방지할 수 있는 공정처리 수행방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 소자 기판을 준비하는 단계; 상기 소자 기판의 하면에 수지층을 형성하는 단계; 상기 소자 기판을 잘라 수지층이 각각 형성된 단위 소자들로 분리하는 단계; 필름 상에 상기 단위 소자들을 서로 이격하여 부착하되, 상기 수지층이 상기 필름 상에 접촉되도록 부착하는 단계; 상기 필름을 공정챔버 내부로 투입하여 상기 소자들의 상면 및 측면에 공정처리를 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법을 제공한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 소자 기판의 하면에는 상기 각 단위 소자들에 대응하여 전극들이 돌출되어 있고, 상기 수지층은 상기 전극들이 잠기도록 형성된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 공정처리의 수행 후에, 상기 소자들을 상기 수지층에서 떼어내어 수득하는 단계를 더 포함한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 수지층과 상기 단위 소자의 접착력은 상기 수지층과 상기 필름의 접착력보다 작다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 수지층의 형성 후에, 상기 수지층을 경화시키는 단계를 더 포함한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 소자 기판을 상기 단위 소자들로 분리한 후에, 상기 단위 소자들을 열처리하여 상기 단위 소자들 표면에 수분이나 유기물을 제거하는 단계를 더 포함한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 공정처리는 전자파 차폐막(EMI shielding)의 증착이다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 전자파 차폐막은 전자파 차단용 금속재층이고, 상기 공정처리의 수행은 상기 필름을 상기 공정챔버 내부에 구비되는 정전척(Electrostatic Chuck) 상에 밀착시켜 수행되며, 상기 필름 상에 상기 전자파 차폐막이 적층될수록 상기 전자파 차폐막과 상기 정전척 간에 인력이 증가하여 상기 필름과 상기 정전척 간의 밀착력이 증대된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 정전척은 온도조절이 가능한 온도조절척 상에 놓이고, 상기 온도조절척은 상기 정전척과 열교환을 수행한다.
또한, 본 발명은 소자 기판을 준비하는 단계; 상기 소자 기판의 하면에 수지층을 형성하는 단계; 상기 소자 기판을 잘라 수지층이 각각 형성된 단위 소자들로 분리하는 단계; 필름 상에 상기 단위 소자들을 서로 이격하여 부착하되, 상기 수지층이 상기 필름 상에 접촉되도록 부착하는 단계; 상기 필름을 공정챔버 내부로 투입하여 상기 소자들의 상면 및 측면에 전자파 차폐막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 형성방법을 통해 전자파 차폐막이 형성된 소자를 더 제공한다.
본 발명은 다음과 같은 우수한 효과를 가진다.
먼저, 본 발명의 공정처리 수행방법에 의하면, 전극의 길이가 필름의 두께보다 큰 소자의 공정처리 시, 소자 분리 전의 소자 기판 상에 수지층을 형성한 후, 절단하여 전자파 차폐막을 형성함으로써 소자의 측면하단에 수지가 묻어 증착 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 공정처리 수행방법에 의하면, 소자를 접착층에서 쉽게 분리하여 수득할 수 있어, 공정의 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 공정처리 수행방법에 의하면, 공정처리가 전자파 차폐막의 증착일 경우 공정처리가 진행될수록 필름이 정전척에 밀착되므로 소자에서 발생하는 열을 외부로 효과적으로 배출하여 증착품질을 매우 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1은 일반적인 소자의 전자파 차폐막 증착 공정을 설명하기 위한 도면,
도 2는 일반적인 소자의 전자파 차폐막 증착 공정 이후에 소자를 수득하는 과정을 보여주는 도면,
도 3은 전극이 형성된 일반적인 소자의 전자파 차폐막 증착 공정을 설명하기 위한 도면,
도 4는 도 3의 공정에서 문제점을 해결하기 위한 종래의 전자파 차폐막 증착 공정을 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 공정처리 수행방법을 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 공정처리 수행방법에서 정전척을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명의 상세한 설명 부분에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.
이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.
그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 공정처리 수행방법(이하, '공정처리 수행방법'이라 함)을 보여주는 것으로, 본 발명의 공정처리 수행방법은 납볼이나 핀, 랜드 등의 전극이 하면에 돌출된 소자(110)의 측면 및 상면에 공정처리를 수행하는 방법이다.
여기서, 공정처리란 열처리 공정, 플라즈마 처리 공정, 식각처리 공정 또한 증착 공정일 수 있으며, 특히, 상기 증착 공정은 전자파 차폐막(EMI shielding)의 증착 공정일 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 공정처리 수행방법은 먼저, 단위 소자(110)로 분리되기 전의 소자 기판(100)을 준비한다(S1000).
또한, 상기 소자 기판(100)은 공정처리의 대상이 되는 단위 소자(110)들이 서로 분리되지 않고 평면상에서 하나로 결합된 상태의 기판으로써, 단위 소자(110)들로 분리되기 전 단계의 기판이다.
또한, 상기 소자 기판(100)은 스트립 패키지(strip package)라고도 한다.
또한, 상기 소자 기판(100)의 하면에는 각 단위 소자(110)에 대응하여 전극(111)이 돌출되어 있다.
다음, 상기 소자 기판(100)을 뒤집어 상기 소자 기판(100)의 하면이 상방을 향하게 한 뒤, 상기 전극(111)이 잠길 정도의 높이로 수지층(200)을 형성한다(S2000).
또한, 상기 수지층(200)은 액상의 점착층이다.
즉, 본 발명의 공정처리 수행방법은 접착 필름을 이용하지 않고 수지층을 이용하므로 상기 전극(111)의 크기나 길이에 관계없이 접착층을 형성할 수 있는 장점이 있다.
다음, 상기 수지층(200)이 소정의 강도를 갖도록 경화시킨 후, 상기 소자 기판(100)을 절단하여 단위 소자들(110)로 분리한다.
또한, 상기 수지층(200)의 경화는 자외선 경화방식(UV cure)을 이용할 수 있다.
또한, 상기 수지층(200) 역시 상기 단위 소자들(100)과 대응하여 함께 절단된다.
즉, 상기 단위 소자들(110)은 각각 하면에 전극(111)이 잠긴 수지층(200)이 형성되도록 절단되는 것이다.
다음, 도시하지는 않았으나 절단된 단위 소자들(110)을 열처리하여 상기 단위 소자들(110) 외부의 수분이나 유분등을 제거한다.
또한, 상기 수분이나 유분 등은 상기 단위 소자들(110)의 절단 시 뿌려지는 냉각유체의 잔존물이다.
다음, 상기 단위 소자들(110)을 필름(300) 상에 서로 이격하여 부착한다(S4000).
또한, 상기 단위 소자들(110)은 상기 수지층(200)이 상기 필름(300) 상면에 접촉되도록 부착된다.
또한, 상기 필름(300)은 상면에 점착성을 갖는 필름이며, 예를 들면, 폴리이미드 필름(polyimide film, PI film)일 수 있다.
또한, 상기 필름(300)의 모서리에는 상기 필름(300)을 지지할 수 있는 지지 프레임(400)이 부착될 수 있다.
즉, 상기 필름(300)과 상기 지지 프레임(400)은 상기 단위 소자들(110)을 부착하여 이송하기 위한 캐리어(carrier)로 기능한다.
다만, 상기 필름(300)은 패널 또는 프레임 형태의 별도의 캐리어에 올려져 이송될 수 있다.
또한, 상기 별도의 캐리어는 아래에서 설명할 정전척(도 6의 도면부호 '600'참조)에 의해 대전될 수 있는 금속재 캐리어인 것이 바람직하다.
또한, 상기 필름(300)과 상기 수지층(200) 간의 접착력은 상기 단위 소자들(100)과 상기 수지층(200) 간의 접착력보다 크다.
이는 공정 처리 완료 후에 상기 단위 소자(110)를 상기 수지층(200)에서 떼어낼 때, 상기 수지층(200)이 상기 필름(300)에서 떼어지지 않고, 상기 단위 소자(110)가 상기 수지층(200)에서 쉽게 떼어지게 하기 위함이다.
다음, 상기 필름(300)을 공정 챔버(도 1의 도면부호 '30'참조)로 투입하고, 상기 단위 소자들(110)의 외면에 공정처리를 수행한다(S5000).
또한, 상기 공정 챔버(30)의 내부에는 상기 필름(300)이 놓일 수 있는 쿨링 블럭(cooling block, 도 6의 도면부호 '700'참조)이 구비될 수 있고, 상기 쿨링 블럭(700)은 상기 단위 소자들(110)에서 발생하는 열을 전달받아 외부로 배출한다.
다만, 상기 쿨링 블럭(700)은 히팅 블럭(heating block)으로 기능하여 공정 수행 초기에 상기 단위 소자들(110)로 열을 공급하는 기능을 수행할 수 있다.
또한, 상기 공정처리는 열처리 공정, 플라즈마 처리 공정, 식각처리 공정 또한 증착 공정일 수 있으며, 특히, 상기 증착 공정은 전자파 차폐막(500)의 증착 공정일 수 있다.
다음, 상기 필름(300)을 상기 공정 챔버(30) 외부로 배출하고, 상기 단위 소자(110)를 상기 수지층(200)에서 때어내어 수득한다(S6000).
또한, 상기 단위 소자(110)의 하면과 전극(111)은 상기 수지층(200)에 의해 감싸여 있으므로, 상기 단위 소자(110)의 측면(110a) 및 상면(110b)에만 상기 전자파 차폐막(500)이 형성된다.
즉, 본 발명의 공정처리 수행방법에 의하면, 액상의 수지층이 단위 소자(110)의 측면 하단에 묻지 않으므로 공정 불량을 최소화할 수 있다.
한편, 상기 공정 처리가 전자파 차폐막의 증착공정일 경우 상기 단위 소자(100)에서 발생하는 열을 외부로 빠르게 배출하여 저온 공정으로 수행하여야 증착의 품질을 향상시킬 수 있는데, 이를 위해 본 발명의 공정처리 수행방법은 상기 공정챔버(30) 내에 쿨링 블럭(700)과 정전척(600,Electrostatic Chuck)을 구비하여, 상기 정전척(600) 상에 상기 필름(300)을 위치시킴으로써 저온 공정으로 상기 전자파 차폐막(600)을 증착할 수 있게 하였다.
도 6은 상기 정전척(600)을 통해 저온 공정을 수행하는 것을 설명하기 위한 것으로 도 6을 참조하면, 상기 공정챔버(30) 내에는 쿨링 블럭(700)이 구비되고 상기 쿨링 블럭(700) 상면에는 정전척(600)이 올려진다.
또한, 상기 쿨링 블럭(700)은 상기 정전척(600)과 직간접적으로 접촉해 있으며, 상기 정전척(600)과 열교환을 수행한다.
일반적으로 상기 쿨링 블럭(700)은 상기 정전척(600)의 열을 외부로 배출하는 역할을 하지만 증착 공정 초기에 상기 정전척(600)으로 열을 전달하여 상기 정전척(600) 상에 놓이는 단위 소자(110)로 열을 공급할 수도 있다.
또한, 상기 정전척(600)은 전원이 공급되면 '+' 또는 '-'의 전위로 대전되고 상기 정전척(600) 상에 놓이는 대상물은 반대의 전위가 대전되며 대상물은 인력에 의해 상기 정전척(600)으로 밀착된다.
또한, 도 5에 도시한 공정 처리 수행 공정(S5000)에서 상기 필름(300)은 상기 공정 챔버(30) 내부의 정전척(600) 상에 올려져 공정 처리가 수행된다.
또한, 상기 정전척(600)의 면적은 상기 필름(300)의 면적보다 작고 상기 필름(300)은 상기 정전척(600)의 상면 전체를 덮는다.
이때, 상기 필름(300)의 가장자리 하단은 상기 정전척(600)의 상단에 접촉하지 않는다.
즉, 상기 지지 프레임(400)은 상기 정전척(600)과 이격되고, 상기 필름(300)의 가장자리를 자중에 의해 하방으로 가압하여 상기 필름(300)이 상기 정전척(600)의 상면에 밀착되는 것이다.
다만, 상기 지지 프레임(400)은 상기 필름(300)의 하면 가장자리에 부착될 수 있으며, 이 경우 상기 필름(300)의 가장자리를 자중에 의해 하방으로 끌어당겨 상기 필름(300)이 상기 정전척(600)의 상면에 밀착되게 할 수 있다.
또한, 상기 지지 프레임(400)의 상면에는 추가적인 하중을 부여할 프레임 형태의 무게추가 올려질 수 있다.
다만, 상기 무게추는 상기 필름(300)을 사이에 두고 상기 지지 프레임(400)에 체결될 수도 있다.
이렇게 상기 필름(300)의 거치가 완료되면, 상기 정전척(600)에 전원을 공급하고 상기 전자파 차폐막(500)의 증착을 수행한다.
한편, 상기 전자파 차폐막(500)은 전자파 차단용 금속재층이고 상기 정전척(600)의 전위와 반대의 전위가 대전되며 이때, 상기 전자파 차폐막(500)과 상기 정전척(600) 사이에는 인력이 발생한다.
또한, 상기 전자파 차폐막(500)과 상기 정전척(600) 간의 인력은 증착 시간이 흐름에 따라 상기 전자파 차폐막(500)의 두께가 두꺼워질수록 커진다.
즉, 상기 전자파 차폐막(500)이 적층될수록 상기 정전척(600)과 상기 전자파 차폐막(500)간의 인력이 증가하고 상기 필름(300)과 상기 정전척(600) 간의 밀착력이 증대된다.
또한, 상기 단위 소자(110) 역시 상기 정전척(600)에 밀착력이 커져 상기 단위 소자(110)에서 발생하는 열이 상기 정전척(600)으로 더 잘 전도되며, 이는 상기 단위 소자(110)를 저온 공정으로 증착할 수 있는 것을 의미한다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정처리 수행방법에 의하면, 저온 공정을 통해 상기 단위 소자(110)에 증착되는 전자파 차폐막(500)의 품질을 매우 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
100:소자 기판 110:단위 소자
111:전극 200:수지층
300:필름 400:지지 프레임
500:전자파 차폐막 600:정전척
700:쿨링 블럭

Claims (10)

  1. 소자 기판을 준비하는 단계;
    상기 소자 기판의 하면에 수지층을 형성하는 단계;
    상기 소자 기판을 잘라 수지층이 각각 형성된 단위 소자들로 분리하는 단계;
    필름 상에 상기 단위 소자들을 서로 이격하여 부착하되, 상기 수지층이 상기 필름 상에 접촉되도록 부착하는 단계;
    상기 필름을 공정챔버 내부로 투입하여 상기 단위 소자들의 상면 및 측면에 공정처리를 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 소자 기판의 하면에는 상기 각 단위 소자들에 대응하여 전극들이 돌출되어 있고, 상기 수지층은 상기 전극들이 잠기도록 형성되는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 공정처리의 수행 후에, 상기 단위 소자들을 상기 수지층에서 떼어내어 수득하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 수지층과 상기 단위 소자의 접착력은 상기 수지층과 상기 필름의 접착력보다 작은 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층의 형성 후에, 상기 수지층을 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소자 기판을 상기 단위 소자들로 분리한 후에, 상기 단위 소자들을 열처리하여 상기 단위 소자들 표면에 수분이나 유기물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공정처리는 전자파 차폐막(EMI shielding)의 증착인 것을 특징으로 소자의 공정처리 수행방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전자파 차폐막은 전자파 차단용 금속재층이고,
    상기 공정처리의 수행은 상기 필름을 상기 공정챔버 내부에 구비되는 정전척(Electrostatic Chuck) 상에 밀착시켜 수행되며,
    상기 필름 상에 상기 전자파 차폐막이 적층될수록 상기 전자파 차폐막과 상기 정전척 간에 인력이 증가하여 상기 필름과 상기 정전척 간의 밀착력이 증대되는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 정전척은 온도조절이 가능한 쿨링 블럭 상에 놓이고, 상기 쿨링 블럭은 상기 정전척과 열교환을 수행하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
  10. 소자 기판을 준비하는 단계;
    상기 소자 기판의 하면에 수지층을 형성하는 단계;
    상기 소자 기판을 잘라 수지층이 각각 형성된 단위 소자들로 분리하는 단계;
    필름 상에 상기 단위 소자들을 서로 이격하여 부착하되, 상기 수지층이 상기 필름 상에 접촉되도록 부착하는 단계;
    상기 필름을 공정챔버 내부로 투입하여 상기 단위 소자들의 상면 및 측면에 전자파 차폐막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 형성방법을 통해 전자파 차폐막이 형성된 소자.
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