CN110144551B - 一种蒸镀设备及蒸镀方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种蒸镀设备及蒸镀方法。所述蒸镀设备包括：传送机构、第一蒸镀腔室和第二蒸镀腔室；其中，所述传送机构，被配置为将待蒸镀基板在所述第一蒸镀腔室和所述第二蒸镀腔室间传送；所述第一蒸镀腔室，被配置为在待蒸镀基板上形成第一蒸镀膜层；以及所述第二蒸镀腔室，被配置为在所述第一蒸镀膜层上形成第二蒸镀膜层。所述蒸镀设备及蒸镀方法能够降低蒸镀腔室温度，降低白点不良的概率。

Description

一种蒸镀设备及蒸镀方法

技术领域

本发明涉及蒸镀技术领域，特别是指一种蒸镀设备及蒸镀方法。

背景技术

蒸镀是指在一定的真空条件下加热蒸镀材料，使蒸镀材料熔化(或升华)成原子、分子或原子团组成的蒸汽，然后凝结在基板表面成膜，从而在基板上形成OLED器件的功能层。

目前在进行阴极蒸镀时采用三种不同的材料分两层蒸镀，第一层使用一种材料镱(YB)，第二层使用两种材料镁(Mg)、银(Ag)掺杂，两层使用的三种材料均在一个腔室中蒸镀。

本发明的发明人在实现本发明的过程中，发现上述方式至少存在如下缺陷：由于三种材料均放置在一个腔室中蒸镀，需要同时升温的坩埚至少有三个，而金属蒸发源温度普遍较高，造成腔室温度较高，温度过高会引发相关不良，如白点不良。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种蒸镀设备及蒸镀方法，能够降低蒸镀腔室温度，降低白点不良的概率。

基于上述目的本发明实施例的第一个方面提供一种蒸镀设备，包括：传送机构、第一蒸镀腔室和第二蒸镀腔室；其中，

所述传送机构，被配置为将待蒸镀基板在所述第一蒸镀腔室和所述第二蒸镀腔室间传送；

所述第一蒸镀腔室，被配置为在待蒸镀基板上形成第一蒸镀膜层；以及

所述第二蒸镀腔室，被配置为在所述第一蒸镀膜层上形成第二蒸镀膜层。

可选的，还包括：

冷却板，设置于所述传送机构上，被配置与待蒸镀基板的非蒸镀面连接，以固定和冷却待蒸镀基板。

可选的，所述冷却板上设置有多个用于支承待蒸镀基板的凸点。

可选的，还包括：

基板遮挡板，对应于待蒸镀基板的蒸镀面设置，被配置为在不蒸镀时遮挡待蒸镀基板的蒸镀面。

可选的，还包括：

镱蒸发源，设置于所述第一蒸镀腔室中，被配置为在待蒸镀基板上形成所述第一蒸镀膜层；

镱蒸发源遮挡板，对应于所述镱蒸发源设置，被配置为在不形成所述第一蒸镀膜层时遮挡所述镱蒸发源；

镁蒸发源和银蒸发源，设置于所述第二蒸镀腔室中，被配置为在所述第一蒸镀膜层上形成所述第二蒸镀膜层；

镁蒸发源遮挡板，对应于所述镁蒸发源设置，被配置为在不形成所述第二蒸镀膜层时遮挡所述镁蒸发源；以及

银蒸发源遮挡板，对应于所述银蒸发源设置，被配置为在不形成所述第二蒸镀膜层时遮挡所述镱蒸发源。

可选的，所述镱蒸发源的数量为四个，所述镁蒸发源的数量为一个，所述银蒸发源的数量为三个。

可选的，还包括：

传送腔室，被构造为连接所述第一蒸镀腔室和所述第二蒸镀腔室，且容置所述传送机构并为所述传送机构提供一真空的传送空间。

本发明实施例的第二个方面提供一种应用于上述任意一项实施例所述的蒸镀设备的蒸镀方法，包括：

通过所述第一蒸镀腔室在待蒸镀基板上形成第一蒸镀膜层；

通过所述传送机构将待蒸镀基板由所述第一蒸镀腔室传送至所述第二蒸镀腔室；

通过第二蒸镀腔室在所述第一蒸镀膜层上形成第二蒸镀膜层。

可选的，所述蒸镀设备还包括冷却板以及基板遮挡板，所述方法还包括：

将待蒸镀基板固定在所述冷却板上，使用基板遮挡板遮挡住所述待蒸镀基板的蒸镀面；

通过所述传送机构将待蒸镀基板移动到所述第一蒸发源腔室。

可选的，所述蒸镀设备还包括镱蒸发源以及镱蒸发源遮挡板，所述方法包括：

在所述第一蒸发源腔室中打开所述基板遮挡板以及所述镱蒸发源遮挡板；

蒸发镱蒸发源至待蒸镀基板上形成所述第一蒸镀膜层；

关闭所述基板遮挡板并通过所述传送机构将所述待蒸镀基板移出所述第一蒸发源腔室。

可选的，所述蒸镀设备还包括镁蒸发源、镁蒸发源遮挡板、银蒸发源以及银蒸发源遮挡板，所述方法还包括：

在所述第二蒸发源腔室中所述打开基板遮挡板、所述镁蒸发源遮挡板以及所述银蒸发源遮挡板；

蒸发所述镁蒸发源、银蒸发源至所述第一蒸镀膜层上形成所述第二蒸镀膜层；

关闭所述基板遮挡板并通过所述传送机构将所述待蒸镀基板移出所述第二蒸发源腔室。

可选的，还包括：同时蒸发一个镁蒸发源以及至少两个银蒸发源。

可选的，所述银蒸发源的蒸发温度为1330℃。

从上面所述可以看出，本发明提供的蒸镀设备及蒸镀方法，通过将形成第一蒸镀膜层、第二蒸镀膜层的蒸镀材料分别放置在两个不同的蒸镀腔室中进行蒸镀，在满足产能需求的情况下可以减少同一个腔室中的需要升温的坩埚的数量，从而降低蒸镀腔室内的温度，进而降低待蒸镀基板的温度，温度降低可以极大地降低白点不良的概率，从而提升产能。

附图说明

图1为本发明实施例所述蒸镀设备的结构示意图；

图2a为冷却板凸点处的材料沉积示意图；

图2b为本发明实施例所述冷却板结构示意图；

图3a为本发明实施例所述第一蒸镀腔室结构示意图；

图3b为本发明实施例所述第二蒸镀腔室结构示意图；

图3c为现有技术蒸镀腔室结构示意图；

图4为本发明实施例待蒸镀基板蒸镀完成后的结构示意图；

图5a为本发明实施例所述蒸镀设备的一个具体实施例的结构示意图；

图5b为现有技术蒸镀设备的一个具体实施例的结构示意图；

图6为本发明实施例所述蒸镀方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。图1为本发明实施例所述蒸镀设备的结构示意图。

本发明实施例的第一个方面提出一种蒸镀设备，如图1所示，包括：传送机构1、第一蒸镀腔室2和第二蒸镀腔室3；其中，所述传送机构1，被配置为将待蒸镀基板4在所述第一蒸镀腔室2和所述第二蒸镀腔室3间传送；所述第一蒸镀腔室2，被配置为在待蒸镀基板4上形成第一蒸镀膜层；以及所述第二蒸镀腔室3，被配置为在所述第一蒸镀膜层上形成第二蒸镀膜层。

在上述实施例中，通过将形成第一蒸镀膜层、第二蒸镀膜层的蒸镀材料分别放置在两个不同的蒸镀腔室中进行蒸镀，在满足产能需求的情况下可以减少同一个腔室中的需要升温的坩埚的数量，从而降低蒸镀腔室内的温度，进而降低待蒸镀基板4的温度，温度降低可以极大地降低白点不良的概率，从而提升产能。

可选的，待蒸镀基板4可以为玻璃基板。

在一些可选的实施例中，如图2a所示，所述蒸镀设备还包括：冷却板5，设置于所述传送机构1上，被配置与待蒸镀基板4的非蒸镀面连接，以固定和冷却待蒸镀基板4。在本实施例中，在磁力的作用下，待蒸镀基板4可以固定在冷却板5上；同时冷却板5的温度低于待蒸镀基板4，使得蒸镀材料可以在待蒸镀基板4的蒸镀面上凝结。可选的，所述冷却板5上设置有多个用于支承待蒸镀基板4凸点51。如图2a所示，待蒸镀基板4的非蒸镀面与凸点51接触，由于凸点51的温度较低而待蒸镀基板4的温度较高，因此待蒸镀基板4的凸点51位置的温度会低于其他位置，在待蒸镀基板4上蒸镀材料7时，材料沉积速率大于其他地方导致凸点51处的膜厚高于其他位置，即出现凸起71，膜厚高电阻下，此处电阻小于待蒸镀基板4的其他地方，最终在点亮时呈现白色亮点。在本申请中，由于将蒸镀材料分别放置在两个不同的蒸镀腔室中进行蒸镀，因此可以降低蒸镀腔室内的温度，从而降低待蒸镀基板4的温度，使得冷却板5与待蒸镀基板4之间的温差减小，在一定程度上降低凸点51处材料的沉积速率，减小白点出现的概率。

可选的，如图2b所示，所述蒸镀设备还包括基板遮挡板7，该基板遮挡板7对应于待蒸镀基板4的蒸镀面设置，被配置为在不蒸镀时遮挡待蒸镀基板4的蒸镀面，在蒸镀时露出待蒸镀基板4的蒸镀面以进行蒸镀。

在另一些可选的实施例中，如图3a、图3b所示，所述蒸镀设备还包括：镱蒸发源11，设置于所述第一蒸镀腔室2，被配置为在待蒸镀基板4的蒸镀面上形成所述第一蒸镀膜层；镱蒸发源遮挡板12，对应于所述镱蒸发源设置11，被配置为在不形成所述第一蒸镀膜层时遮挡所述镱蒸发源11；镁蒸发源21和银蒸发源22，设置于所述第二蒸镀腔室3，被配置为在所述第一蒸镀膜层上形成所述第二蒸镀膜层；镁蒸发源遮挡板23，对应于所述镁蒸发源21设置，被配置为在不形成所述第二蒸镀膜层时遮挡所述镁蒸发源21；以及银蒸发源遮挡板24，对应于所述银蒸发源22设置，被配置为在不形成所述第二蒸镀膜层时遮挡所述镱蒸发源22。在本实施例中，第一蒸镀腔室2设置至少一个镱蒸发源11，第二蒸镀腔室3中设置至少一个镁蒸发源21、至少一个银蒸发源22，通过第一蒸镀腔室2、第二蒸镀腔室3的蒸镀，在待蒸镀基板4上依次形成第一蒸镀膜层即镱层、第二蒸镀膜层即镁银掺杂层。在一个具体的实施例中，如图3a、图3b所示，所述镱蒸发源11的数量为四个，所述镁蒸发源21的数量为一个，所述银蒸发源22的数量为三个。

在现有技术中，如图3c、图5b所示，三种材料均放置在一个蒸镀腔室进行蒸镀，只使用一个坩埚对一个银蒸发源22进行蒸镀，这种蒸镀方式的蒸镀速率高、温度高、材料消耗快，一个坩埚只能使用30个小时左右，坩埚切换频繁，每次坩埚切换时都需要0.5个小时的等待时间，造成产能浪费，而一旦采用多个坩埚同时对多个银蒸发源22进行蒸镀，则又会导致温度升高，加重白点不良的概率。因此采用本发明实施例所述蒸镀设备，将蒸发源放置在两个不同腔室中进行蒸镀，可以采用2-3个银蒸发源22同时蒸镀，使得银蒸发源22的蒸镀时间变长，速率降低，温度降低，材料消耗大幅度降低，坩埚使用时间预计增长到120个小时，从而减少产能浪费。

在本发明实施例的一些实施例中，如图5a所示，所述蒸镀设备还包括传送腔室8，该传送腔室8被构造为连接所述第一蒸镀腔室2和所述第二蒸镀腔室3，且容置所述传送机构1并为所述传送机构1提供一真空的传送空间。

如图5a所示，所述传送腔室8为正多边形结构，上游通道81、下游通道82、第一蒸镀腔室2、第二蒸镀腔室3以及掩膜版室83等分别设置在正多边形结构的每一条边上。其中，传送腔室8的入口连接上游通道81，传送腔室8的出口连接下游通道82，第一蒸镀腔室2设置在传送腔室8的入口与传送腔室8的出口之间，第二蒸镀腔室3设置在第一蒸镀腔室2与传送腔室8的出口之间，第一蒸镀腔室2、第二蒸镀腔室3与传送腔室8的连接处设置密封组件。传送机构1带动待蒸镀基板4从上游通道81进入传送腔室8，之后依次进入第一蒸镀腔室2、第二蒸镀腔室3进行蒸镀，蒸镀完成后离开传送腔室8进入下游通道82。

可选的，传送腔室8也可以为圆形、环形、条形等其他可容纳传送机构1在内移动的真空结构，且传送腔室8上可以设置多个第一蒸镀腔室2、第二蒸镀腔室3。如图5a所示，该传送腔室8上设置有两个镱蒸镀腔室211、212，以及三个镁银蒸镀腔室311、312、313，当待蒸镀基板4由上游通道进入传送腔室8中时，可以进入镱蒸镀腔室211进行形成第一蒸镀膜层的蒸镀，之后进入镁银蒸镀腔室311或镁银蒸镀腔室313进行形成第二蒸镀膜层的蒸镀，蒸镀完成后由下游通道82离开传送腔室8；或者进入镱蒸镀腔室212进行形成第一蒸镀膜层的蒸镀，之后进入镁银蒸镀腔室313进行形成第二蒸镀膜层的蒸镀，蒸镀完成后由下游通道82离开传送腔室8。

本发明实施例的第二个方面提供一种应用如上述任意一项实施例所述的蒸镀设备的蒸镀方法，如图6所示，所述方法包括：

步骤101，通过所述第一蒸镀腔室2在待蒸镀基板4上形成第一蒸镀膜层；

步骤102，通过所述传送机构1将待蒸镀基板4由所述第一蒸镀腔室2传送至所述第二蒸镀腔室3；

步骤103，通过第二蒸镀腔室3在所述第一蒸镀膜层上形成第二蒸镀膜层。

可选的，所述蒸镀设备还包括冷却板5以及基板遮挡板7，所述方法还包括：

步骤201，将待蒸镀基板4固定在所述冷却板5上，使用基板遮挡板7遮挡住所述待蒸镀基板4的蒸镀面；

步骤202，通过传送腔室8将待蒸镀基板4从上游通道81取出，通过所述传送机构1将待蒸镀基板4移动到所述第一蒸发源腔室2中。

可选的，所述蒸镀设备还包括镱蒸发源11以及镱蒸发源遮挡板12，所述方法包括：

步骤301，在所述第一蒸发源腔,2中打开所述基板遮挡板7以及所述镱蒸发源遮挡板12；

步骤302，蒸发镱蒸发,11至待蒸镀基板4上形成所述第一蒸镀膜层；

步骤303，关闭所述基板遮挡板7并通过所述传送机构1将所述待蒸镀基板4移出所述第一蒸发源腔室2。

可选的，所述蒸镀设备还包括镁蒸发源21、镁蒸发源遮挡板23、银蒸发源22以及银蒸发源遮挡板24，所述方法还包括：

步骤401，在所述第二蒸发源腔室3中所述打开基板遮挡板7、所述镁蒸发源遮挡板23以及所述银蒸发源遮挡板24；

步骤402，蒸发所述镁蒸发源21、银蒸发源22至所述第一蒸镀膜层上形成所述第二蒸镀膜层；

步骤403，关闭所述基板遮挡板7并通过所述传送机构1将所述待蒸镀基板4移出所述第二蒸发源腔室3。蒸镀完成后，通过传送机构1将所述待蒸镀基板4移出传送腔室8，送入下游通道82。

可选的，步骤402还包括：同时蒸发一个镁蒸发源21以及至少两个银蒸发源22。

可选的，步骤402中所述银蒸发源22的蒸发温度为1330℃。

为了更好说明本发明实施例所述蒸镀设备以及基于该蒸镀设备的蒸镀方法所产生的技术效果，本发明提供一个对比例。现有技术中采用一个蒸镀腔室并同一时刻只开启一个银蒸发源22进行蒸镀，银蒸发源22的温度为1380℃，此时待蒸镀基板4的温度为35℃，蒸镀时间为54s；采用本发明实施例所提供的蒸镀设备，同时开启两个银蒸发源22进行蒸镀，银蒸发源22的温度可以只设备为1330℃，此时待蒸镀基板4的温度为32℃，蒸镀时间只需45s即可达到与现有技术相同的要求。通过对比可以看出，采用本发明实施例所述蒸镀设备进行蒸镀，可以降低待蒸镀基板4温度以降低白点不良率，同时延长银蒸发源22的蒸镀时间，减小产能浪费。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种蒸镀设备，其特征在于，包括：传送机构、第一蒸镀腔室和第二蒸镀腔室；其中，

所述传送机构，被配置为将待蒸镀基板在所述第一蒸镀腔室和所述第二蒸镀腔室间传送；

所述第一蒸镀腔室，被配置为在待蒸镀基板上形成第一蒸镀膜层；以及

所述第二蒸镀腔室，被配置为在所述第一蒸镀膜层上形成第二蒸镀膜层；

冷却板，设置于所述传送机构上，被配置与待蒸镀基板的非蒸镀面连接，以固定和冷却待蒸镀基板；所述冷却板上设置有多个用于支承待蒸镀基板的凸点；

镱蒸发源，设置于所述第一蒸镀腔室中，被配置为在待蒸镀基板上形成所述第一蒸镀膜层；

镁蒸发源和银蒸发源，设置于所述第二蒸镀腔室中，被配置为在所述第一蒸镀膜层上形成所述第二蒸镀膜层；

所述镱蒸发源、所述镁蒸发源和所述银蒸发源共同形成OLED器件的阴极，所述镱蒸发源用于形成阴极层的镱层，所述镁蒸发源和所述银蒸发源共同形成阴极的镁银掺杂层；

所述镱蒸发源的数量为四个，所述镁蒸发源的数量为一个，所述银蒸发源的数量为三个，且同时蒸发一个镁蒸发源以及至少两个银蒸发源，所述银蒸发源的蒸发温度为1330℃。

2.根据权利要求1所述的蒸镀设备，其特征在于，还包括：

基板遮挡板，对应于待蒸镀基板的蒸镀面设置，被配置为在不蒸镀时遮挡待蒸镀基板的蒸镀面。

3.根据权利要求1所述的蒸镀设备，其特征在于，还包括：

镱蒸发源遮挡板，对应于所述镱蒸发源设置，被配置为在不形成所述第一蒸镀膜层时遮挡所述镱蒸发源；

镁蒸发源遮挡板，对应于所述镁蒸发源设置，被配置为在不形成所述第二蒸镀膜层时遮挡所述镁蒸发源；以及

银蒸发源遮挡板，对应于所述银蒸发源设置，被配置为在不形成所述第二蒸镀膜层时遮挡所述镱蒸发源。

4.根据权利要求1-3任一项所述的蒸镀设备，其特征在于，还包括：

传送腔室，被构造为连接所述第一蒸镀腔室和所述第二蒸镀腔室，且容置所述传送机构并为所述传送机构提供一真空的传送空间。

5.一种应用如权利要求1-4任意一项所述的蒸镀设备的蒸镀方法，其特征在于，包括：

通过所述第一蒸镀腔室在待蒸镀基板上形成第一蒸镀膜层；所述所述第一蒸镀腔室中设置有四个镱蒸发源；

通过所述传送机构将待蒸镀基板由所述第一蒸镀腔室传送至所述第二蒸镀腔室；所述第二蒸镀腔室中设置有一个镁蒸发源和三个银蒸发源；

通过第二蒸镀腔室在所述第一蒸镀膜层上形成第二蒸镀膜层；其中，同时蒸发一个镁蒸发源以及至少两个银蒸发源，所述银蒸发源的蒸发温度为1330℃；

其中，所述镱蒸发源、所述镁蒸发源和所述银蒸发源共同形成OLED器件的阴极，所述镱蒸发源用于形成阴极的镱层，所述镁蒸发源和所述银蒸发源共同形成阴极的镁银掺杂层；所述待蒸镀基板的非蒸镀面与冷却板连接，所述冷却板设置于传送机构上，且所述冷却板上设置有多个用于支承待蒸镀基板的凸点。

6.根据权利要求5所述的蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀设备还包括冷却板以及基板遮挡板，所述方法还包括：

将待蒸镀基板固定在所述冷却板上，使用基板遮挡板遮挡住所述待蒸镀基板的蒸镀面；

通过所述传送机构将待蒸镀基板移动到所述第一蒸发源腔室。

7.根据权利要求6所述的蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀设备还包括镱蒸发源以及镱蒸发源遮挡板，所述方法包括：

在所述第一蒸发源腔室中打开所述基板遮挡板以及所述镱蒸发源遮挡板；

蒸发镱蒸发源至待蒸镀基板上形成所述第一蒸镀膜层；

关闭所述基板遮挡板并通过所述传送机构将所述待蒸镀基板移出所述第一蒸发源腔室。

8.根据权利要求6所述的蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀设备还包括镁蒸发源、镁蒸发源遮挡板、银蒸发源以及银蒸发源遮挡板，所述方法还包括：

在所述第二蒸发源腔室中所述打开基板遮挡板、所述镁蒸发源遮挡板以及所述银蒸发源遮挡板；

蒸发所述镁蒸发源、银蒸发源至所述第一蒸镀膜层上形成所述第二蒸镀膜层；

关闭所述基板遮挡板并通过所述传送机构将所述待蒸镀基板移出所述第二蒸发源腔室。

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