CN108574054B - 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法。其中，显示面板包括：显示区，以及位于该显示区内部和周边非显示区；显示面板的基板上设置有隔离柱，且该隔离柱将显示区与非显示区之间的发光层隔离开；该隔离柱的上方和侧壁被原子层沉积(ALD)层包裹。本发明实施例解决了现有技术中的显示装置在进行开口设置时，会将EL层直接暴露在空气中，从而造成由于水汽进入EL层而导致封装失效的问题。

Description

一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法
技术领域
本申请涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法。
背景技术
随着显示器技术发展和更新换代，有机电致发光显示器件(OrganicElectroluminance Display，简称为：OLED)由于具有自发光、高亮度、高对比度、低工作电压、可制作柔性显示器等特点，已经逐渐成为显示领域的主流产品。
目前，柔性显示装置主要向全面屏及更窄的边框方向发展，因此，如何实现显示屏本身的开口成为发展的技术难点。对于现有技术中显示装置的结构，柔性OLED屏幕的背板部分可以通过掩膜(Mask)图案化的方案来实现开口的设计，然而，发光层(其中包括EL层)在显示装置中为一连续的整体，如果直接采用激光切割的方式来进行开口处理，会造成EL层直接暴露在空气中，EL层的材料会由于水汽的进入导致封装失效。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法，以解决现有技术中的显示装置在进行开口设置时，会将EL层直接暴露在空气中，从而造成由于水汽进入EL层而导致封装失效的问题。
本发明实施例提供一种显示面板，包括：显示区，以及位于所述显示区内部和周边非显示区；
所述显示面板的基板上设置有隔离柱，且所述隔离柱将所述显示区与所述非显示区之间的发光层隔离开；
所述隔离柱的上方和侧壁被原子层沉积ALD层包裹。
可选地，如上所述的显示面板中，所述隔离柱为倒梯形结构。
可选地，如上所述的显示面板中，所述ALD层包括氧化硅材质或氧化铝材质。
可选地，如上所述的显示面板中，所述显示区与所述隔离柱相邻的像素中，薄膜晶体管TFT阵列层的上方设置有所述ALD层。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括：如上述任一项所述的显示面板，以及设置于所述显示面板的发光层上的封装层。
可选地，如上所述的显示装置中，所述封装层包括第一无机阻水层、有机缓冲层和第二无机阻水层。
可选地，如上所述的显示装置中，所述第一无机阻水层设置于所述发光层上，所述有机缓冲层设置于所述显示区的发光层上，所述第二无机阻水层将所述第一无机阻水层和所述有机缓冲层包裹。
可选地，如上所述的显示装置中，所述显示面板的非显示区包括以下一项或多项：所述显示装置的摄像头、传感器、实体按键和显示屏的边框。
本发明实施例还提供一种显示装置的制作方法，包括：
在显示装置的基板上形成隔离柱，所述隔离柱用于将所述显示装置的显示区与非显示区分隔开；
在所述隔离柱的上方和侧壁形成原子层沉积ALD层；
形成所述显示区和所述非显示区的发光层，其中，所述显示区与所述非显示区之间的发光层被所述隔离柱隔离开。
可选地，如上所述的显示装置的制作方法中，所述在显示装置的基板上形成隔离柱之前，所述方法还包括：
在所述基板位于所述显示区的位置形成薄膜晶体管TFT阵列层；
所述在显示装置的基板上形成隔离柱，包括：
通过掩膜工艺在所述基板位于所述显示区和所述非显示区交界的位置形成倒梯形结构的隔离柱。
可选地，如上所述的显示装置的制作方法中，所述ALD层为氧化硅材质或氧化铝材质。
可选地，如上所述的显示装置的制作方法中，还包括：
在所述发光层上形成封装层，所述封装层包括第一无机阻水层、有机缓冲层和第二无机阻水层。
可选地，如上所述的显示装置的制作方法中，所述在所述发光层上形成封装层，包括：
在所述发光层上形成所述第一无机阻水层；
在所述第一无机阻水层位于所述显示区的上方形成所述有机缓冲层；
在所述第一无机阻水层和所述有机缓冲层上形成所述第二无机阻水层，其中，所述第二无机阻水层将所述第一无机阻水层和所述有机缓冲层包裹。
可选地，如上所述的显示装置的制作方法中，所述在所述隔离柱的上方和侧壁形成原子层沉积ALD层时，所述ALD层还形成于所述显示区中与所述隔离柱相邻像素的薄膜晶体管TFT阵列层的上表面。
可选地，如上所述的显示装置的制作方法中，所述非显示区包括以下一项或多项：所述显示装置的摄像头、传感器、实体按键和显示屏的边框。
本发明实施例提供的显示面板、显示装置和显示装置的制作方法，通过在显示面板的基板上设置隔离柱，将显示区与非显示区的发光层(其中包括EL层)隔离开，并且隔离柱的上方和侧壁被ALD层包裹，这样，使得发光层与隔离柱相邻的侧壁被ALD层包裹。本发明实施例提供的显示面板中，隔离柱的设置可以将现有显示装置中连续设置的发光层分隔开，另外，ALD层具有良好的包裹特性，会沿隔离柱紧密覆盖，从而使得显示区中的发光层被ALD层和后续封装结构紧密包裹，形成良好的封装效果，从而避免显示区因封装失效而造成产品良率下降。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为现有技术中一种柔性显示装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示面板中一种显示屏的开口区域的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种显示装置的制作方法的流程图；
图8为本发明实施例提供的另一种显示装置的制作方法的流程图；
图9为本发明实施例提供的又一种显示装置的制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
本发明提供以下几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
显示装置主要向全面屏及更窄的边框方向发展，如何实现显示屏本身的开口设置成为显示装置的技术关键。以OLED显示装置为例予以说明，OLED屏幕的背板部分可以通过Mask图案化的方案来实现开口设置，发光层(其中包括EL层)在显示装置中作为连续的整体，需要封装结构做有效地覆盖才能保证显示屏的正常显示。如图1所示，为现有技术中一种柔性显示装置的结构示意图，图1中示出一种柔性OLED显示装置的截面图。
可以看出，现有柔性OLED显示装置20中，硬性基板210上设置有柔性基板220，该柔性基板220上具有显示区200a和非显示区200b，在显示区200a中设置有薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，简称为：TFT)阵列(Array)层230，非显示区200b没有上述TFT Array层230，在显示区200a的TFT Array层230和非显示区200b的柔性基板220上依次设置有发光层240(其中包括EL层)和封装层250。针对图1所示的现有柔性OLED显示装置200，如果直接采用激光切割的方式来进行开口设置，即切割去除非显示区200b的部分，虽然仅切割非显示区200b，由于发光层240在显示区200a和非显示区200b之间是连续的整体，因此切割会造成发光层240中的EL层直接暴露在空气中，EL层的材料会由于水汽的进入导致封装失效。由于显示装置需要封装结构做有效地覆盖才能保证显示屏的正常显示，因此，如何在保证有效封装的基础上实现显示装置的开口设置，成为目前显示装置在开口处理方案中亟需解决的问题。
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。本实施例提供的显示面板100例如为OLED显示装置的面板，该显示面板100可以包括：显示区100a，以及位于该显示区100a内部和周边的非显示区100b。
其中，显示面板100的基板110上设置有隔离柱(Photo Space，简称为：PS)120，且这些隔离柱120将显示区100a与非显示区100b之间的发光层130隔离开；
另外，隔离柱120的上方和侧壁被原子层沉积(Atomic layer deposition，简称为：ALD)层140包裹。
在本发明实施例中，显示面板100的非显示区100b即是要进行开口设置的区域，这些区域应用于显示面板100所属显示装置中的功能例如包括以下一项或多项：显示装置的摄像头、传感器、实体按键和显示面板100的边框等。可以理解的是，显示装置的显示面板100在制作过程中为一整体结构，显示面板100内部的开口可以是在制作完成显示装置后通过激光切割工艺切割的，以形成显示面板100的内部开口，这些内部开口即为显示区100a内部的非显示区100b；另外，在显示装置的制作过程中，通常为多个显示装置制作在一个大的基板上，完成制作后对每个显示装置进行切割，此时切割的为显示屏的边框，即为显示区100a周边的非显示区100b。
如图3所示，为本发明实施例提供的显示面板中一种显示屏的开口区域的结构示意图。图3所示的内部开口区域，具体为显示区100a内部的非显示区100b，并且显示面板100的开口区域主要集中在显示区100a的内部。图3所示显示面板100的周边为显示屏的边框，即显示区100a外部的非显示区100b。参考图2所示结构，图2具体为图3所示显示面板100以I-I为切割线的剖面图。
需要说明的是，图3所示开口区域仅是对本发明实施例提供的显示面板100中开口设置的一种示意性表示，显示面板100内部的开口(非显示区100b)并非仅包括图3所示的非显示区100b，该非显示区100b的位置和数量以实际显示面板100所属显示装置的产品需求具有不同的设置方式。
对比图1所示现有技术中的显示装置，本发明实施例提供的显示面板100中，增设有隔离柱120，并且这些隔离柱120将显示区100a与非显示区100b之间的发光层130隔离开，当显示面板100应用于OLED显示装置的面板时，其发光层130为多层结构，该发光层130可以包括阳极层、EL层和阴极层。本发明实施例通过设置隔离柱120将现有显示装置中连续设置的发光层130分隔开来，具体地，显示区100a与非显示区100b交界位置的发光层130被隔离柱120隔离开，也就是说，开口区域周边的发光层130被隔离柱120隔离开，用于后续进行开口处理，参考图2和图3所示结构。
在本发明实施例中，显示区100a的发光层130与基板110之间还设置有TFT阵列层160，该TFT阵列层160用于对显示区100a的发光层130中的发光像素进行开关控制。另外，对用于隔离不同区域(即显示区100a与非显示区100b)发光层130的隔离柱120，其上方和侧壁被ALD层140包裹，该ALD层140具有良好的包覆特征，可以沿着隔离柱120紧密覆盖，在后续进行开口处理时，例如通过激光切割工艺对非显示区100b进行切割时，非显示区100b的发光层130可能会有部分暴露在空气中，但是显示区100a中的发光层130会被ALD层140和后续封装结构紧密包裹，从而避免显示区100a因封装失效而造成产品良率下降。
本发明实施例提供的显示面板100，通过在显示面板100的基板110上设置隔离柱120，将显示区100a与非显示区100b的发光层130(其中包括EL层)隔离开，并且隔离柱120的上方和侧壁被ALD层140包裹，这样，使得发光层130与隔离柱120相邻的侧壁被ALD层140包裹。本发明实施例提供的显示面板100中，隔离柱120的设置可以将现有显示装置中连续设置的发光层分隔开，另外，ALD层140具有良好的包裹特性，会沿隔离柱120紧密覆盖，从而使得显示区100a中的发光层130被ALD层140和后续封装结构紧密包裹，形成良好的封装效果，从而避免显示区100a因封装失效而造成产品良率下降的问题。
可选地，在本发明实施中，隔离柱120为倒梯形结构，并且该隔离柱120可以选用聚酰亚胺纤维(Polymide Film，简称为：PI)材料。本发明实施例中的隔离柱120实际设置于显示区100a的发光像素与非显示区100b之间，该倒梯形的结构有利于工艺生产，并且在后续形成ALD层140和封装层时，可以对隔离柱120产生良好的包裹效果，从而保证有效封装的目的。
需要说明的是，本发明实施例中的显示面板100可以应用于柔性显示装置中，在柔性显示装置的应用中，基板110可以包括硬性基板111和柔性基板112，该柔性基板112也可以选用PI材料。如图4所示，为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。
可选地，在本发明实施中，ALD层140可以选用氧化硅材质或氧化铝材质，当ALD层140选用氧化硅材质时，例如可以为SiOx，当ALD层140选用氧化铝材质时，例如可以为三氧化二铝(Al2O3)；ALD层140通常选用上述具有阻水效果的材质，以保证对开口位置(非显示区100b)进行切割后，可以防止水汽进入显示面板100的显示区100a内部。可选地，该ALD层140的厚度例如可以为30纳米(nm)左右。
基于本发明上述各实施例提供的显示面板100，本发明实施例还提供一种显示装置，如图5所示，为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，该显示装置10包括：如图2到图4所示任一实施例中的显示面板100，以及设置于该显示面板100的发光层130上的封装层150，该封装层150用于对显示装置10中的显示器件起保护作用，该显示器件可以包括TFT阵列层160和发光层130。图5以显示装置10中包括图4所示显示面板100为例予以示出。
可选地，图6为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图，在图5所示显示装置10的结构基础上，本发明实施例提供的显示装置10中，封装层150可以包括第一无机阻水层151，有机缓冲层152和第二无机阻水层153；上述无机阻水层也即化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition，简称为：CVD)层，有机缓冲层152也称为(Inkjet Printing，简称为：IJP)层152。
本发明实施例在实际应用中，第一无机阻水层151设置于整个显示装置10的发光层130上，有机缓冲层152设置于显示区100a的发光层130上，第二无机阻水层153将第一无机阻水层151和有机缓冲层152包裹，如图5所示，可以看出，本发明实施例提供的显示装置10中，封装层150采用CVD+IJP+CVD堆叠的封装方式，并且封装层150的结构中，具有阻水效果的是CVD层，即第一无机阻水层151和第二无机阻水层153，IJP层(即有机缓冲层152)并没有阻水作用，因此，为了保证封装层150的侧边具有优良的阻水效果，IJP层(即有机缓冲层152)可以内缩，即仅覆盖在显示区100a的发光层130上，并且完全被第二无机阻水层153包裹。
可选地，在本发明实施例中，显示区100a与隔离柱120相邻的像素中，TFT阵列层160的上方设置有ALD层140。参考图2和图4所示显示面板100，以及图5和图6所示显示装置10，在与非显示区100b接近的显示区100a的位置，即隔离柱120贴近显示区100a的位置，TFT阵列层160中的小片区域(即靠近隔离柱120的区域)的上方会被ALD层140覆盖，也就是TFT阵列层160中靠近隔离柱120的发光像素被ALD层140覆盖。由于ALD层140会在TFT阵列层160的上述几个发光像素上形成原子级沉积，具有良好的包裹性能，进一步保证对隔离柱120的包裹效果。
可选地，本发明实施例提供的显示装置10中，非显示区100b可以包括以下一项或多项：该显示装置10的摄像头、传感器、实体按键和显示屏的边框等。通常地，显示装置在制作过程中，可以为其内部的硬件结构预留开口区，即非显示区100b，例如包括上述摄像头、传感器和实体按键等；另外，显示装置在制作过程中，通常为多个显示装置制作在一个大的基板上，完成制作后对每个显示装置进行切割，此时切割的为显示屏的边框，即为显示区100a周边的非显示区100b。
基于本发明上述各实施例提供的显示装置，本发明实施例还提供一种显示装置的制作方法，该显示装置的制作方法用于制作本发明上述任一实施例提供的显示装置。
如图7所示，为本发明实施例提供的一种显示装置的制作方法的流程图。本实施例提供的方法可以应用于制作显示装置的工艺中，本发明实施例提供的方法，可以包括如下步骤，即S310～S330：
S310，在显示装置的基板上形成隔离柱，该隔离柱用于将显示装置的显示区与非显示区分隔开。
在本发明实施例中，显示装置的非显示区即是要进行开口设置的区域，例如包括以下一项或多项：显示装置的摄像头、传感器、实体按键和显示屏的边框等。可以理解的是，显示装置的显示屏在制作过程中为一整体结构，显示装置内部的开口可以是在制作完成后通过激光切割工艺切割的，以形成显示装置的内部开口，这些内部开口即为显示区内部的非显示区；另外，在显示装置的制作过程中，通常为多个显示装置制作在一个大的基板上，完成制作后对每个显示装置进行切割，此时切割的为显示屏的边框，即为显示区周边的非显示区。
参见图3所示开口区域的结构，其中的内部开口区域，具体为显示区内部的非显示区，图3所示显示面板的周边为显示屏的边框，即显示区外部的非显示区。可以结合图2所示的剖面图。
S320，在隔离柱的上方和侧壁形成ALD层；
S330，形成显示区和非显示区的发光层，其中，显示区与非显示区之间的发光层被隔离柱隔离开。
对比图1所示现有技术中的显示装置，本发明实施例提供的显示装置的制作方法，在形成发光层之前，先形成用于分隔显示区与非显示区的隔离柱，并且在后续形成发光层后，之前形成的隔离柱将显示区与非显示区之间的发光层隔离开，OLED显示装置的发光层为多层结构，该发光层的多层结构的形成方式可以为：采用蒸镀方式依次淀积阳极层、EL层和阴极层。本发明实施例通过提前形成的隔离柱将现有显示装置中连续设置的发光层分隔开来，具体地，显示区与非显示区交界位置的发光层被隔离柱隔离开，也就是说，开口区域周边的发光层被隔离柱隔离开，用于后续进行开口处理，可以参考图2和图3所示结构。
在本发明实施例中，通过在隔离柱的上方和侧壁形成ALD层，该ALD层可以是采用沉积方式在隔离柱表面形成的，对用于隔离不同区域(即显示区与非显示区)发光层的隔离柱，其上方和侧壁被ALD层包裹，该ALD层具有良好的包覆特征，可以沿着隔离柱紧密覆盖，在后续进行开口处理时，例如通过激光切割工艺对非显示区进行切割时，非显示区的发光层可能会有部分暴露在空气中，但是显示区中的发光层会被ALD层和封装层紧密包裹，从而避免显示区因封装失效而造成产品良率下降。
本发明提供的显示装置的制作方法，通过在显示装置的基板上形成隔离柱，将显示装置的显示区与非显示区分隔开，并在隔离柱的上方和侧壁形成ALD层，随后形成显示区和非显示区的发光层。通过本发明提供的显示装置的制作方法，制得的显示装置中显示区与非显示区之间的发光层被隔离柱隔离开，不再是现有显示装置中连续设置的发光层，另外，形成的ALD层具有良好的包裹特性，会沿隔离柱紧密覆盖，从而使得显示区的发光层被ALD层和后续的封装层紧密包裹，形成良好的封装效果，从而避免显示区因封装失效而造成产品良率下降的问题。
可选地，图8为本发明实施例提供的另一种显示装置的制作方法的流程图。在图7所示实施例的基础上，本发明实施例提供的方法，在S310之前还可以包括如下步骤：
S300，在基板位于显示区的位置形成TFT阵列层。
本发明实施例中的显示装置也可以为柔性显示装置，在柔性显示装置中，基板可以包括硬性基板和柔性基板，该柔性基板可以选用PI材料。形成该TFT阵列层的方式可以为：在柔性基板表面，通过掩膜(Mask)图案化的方式，即采用涂胶、曝光、显影的方式柔性基板进行图案化处理，以形成方孔(或圆孔)，并且对开口区域(非显示区)的电路做绕开设计。本发明实施例中的TFT阵列层用于对显示区的发光层中的发光像素进行开关控制。
本发明实施例提供的制作方法中，S310的实现方式可以包括：
通过掩膜工艺在基板位于显示区和非显示区交界的位置形成倒梯形结构的隔离柱。
本发明实施例中的隔离柱为倒梯形结构，并且该隔离柱可以选用PI材料。本发明实施例中的隔离柱实际设置于显示区的发光像素与非显示区100b之间，形成倒梯形的结构有利于工艺生产，并且在后续形成ALD层和封装层时，可以对隔离柱产生良好的包裹效果，从而保证有效封装的目的。
可选地，在本发明实施中，ALD层可以选用氧化硅材质或氧化铝材质，当ALD层选用氧化硅材质时，例如可以为SiOx，当ALD层选用氧化铝材质时，例如可以为三氧化二铝(Al2O3)；ALD层通常选用上述具有阻水效果的材质，以保证对开口位置(非显示区)进行切割后，可以防止水汽进入显示装置的显示区内部。可选地，该ALD层可以为采用沉积工艺形成的，其厚度例如可以为30纳米(nm)左右。
可选地，图9为本发明实施例提供的又一种显示装置的制作方法的流程图。在图8所示实施例的基础上，本发明实施例提供的方法，在S330之后还可以包括如下步骤：
S340，在发光层上形成封装层，该封装层包括第一无机阻水层、有机缓冲层和第二无机阻水层。
本发明实施例在具体实现中，形成封装层的实现方式，可以包括：
步骤1，在发光层上形成第一无机阻水层；
步骤2，在第一无机阻水层位于显示区的上方形成有机缓冲层；
步骤3，在第一无机阻水层和有机缓冲层上形成第二无机阻水层，其中，第二无机阻水层将第一无机阻水层和有机缓冲层包裹。
通过本发明实施例提供的制作方法制得的显示装置，第一无机阻水层位于整个显示装置的发光层上，有机缓冲层位于显示区的发光层上，第二无机阻水层将第一无机阻水层和有机缓冲层包裹。参考图5所示显示装置的结构，可以看出，本发明实施例中的显示装置，封装层为CVD+IJP+CVD堆叠的封装方式，并且封装层的结构中，具有阻水效果的是CVD层，即第一无机阻水层和第二无机阻水层，IJP层(即有机缓冲层)并没有阻水作用，因此，为了保证封装层的侧边具有优良的阻水效果，IJP层(即有机缓冲层)可以内缩，即仅覆盖在显示区的发光层上，并且完全被第二无机阻水层包裹。
可选地，在本发明实施例中，在隔离柱的上方和侧壁形成原子层沉积ALD层时，该ALD层还形成于显示区中与隔离柱相邻像素的TFT阵列层的上表面，该ALD层可以是沿着TFT阵列层靠近隔离柱的小片区域的表面沉积的一层SiOx(或Al2O3)。参考图2和图4所示显示面板，以及图5和图6所示显示装置，在与非显示区接近的显示区的位置，即隔离柱贴近显示区的位置，TFT阵列层中的小片区域(即靠近隔离柱的区域)的上方会被ALD层覆盖，也就是TFT阵列层中靠近隔离柱的发光像素被ALD层覆盖。由于ALD层会在TFT阵列层的上述几个发光像素上形成原子级沉积，具有良好的包裹性能，进一步保证对隔离柱的包裹效果。
可选地，本发明实施例提供的方法还可以包括：
S350，采用激光切割工艺，对显示装置的非显示区进行开口设置。
基于本发明上述实施例的制作方法形成的显示装置，由于显示区与非显示区之间的发光层被隔离柱分隔开，并且发光层和隔离柱均被具有阻水性能的ALD层和封装层紧密包裹，因此，在进行开口设置，即切割非显示区后，显示区的发光层仍然会被ALD层和封装层紧密包裹，从而可以达到良好的封装效果，并且有利于保证产品的良率。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：显示区，以及位于所述显示区内部和周边的非显示区；
所述显示面板的基板上设置有隔离柱，且所述隔离柱将所述显示区与所述非显示区之间的发光层隔离开；
所述隔离柱的上方和侧壁被原子层沉积ALD层包裹，所述显示区与所述隔离柱相邻的像素中，薄膜晶体管阵列层的上方设置有所述ALD层，所述ALD层上的发光层与所述显示区的发光层被所述隔离柱隔离开；
所述发光层上设置有封装层，使所述显示区的发光层被所述ALD层和封装层紧密包裹；所述封装层包括第一无机阻水层、有机缓冲层和第二无机阻水层，所述第一无机阻水层设置于所述发光层上，所述有机缓冲层设置于所述显示区的发光层上，所述第二无机阻水层将所述第一无机阻水层和所述有机缓冲层包裹。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔离柱为倒梯形结构。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述ALD层包括氧化硅材质或氧化铝材质。
4.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～3中任一项所述的显示面板，所述显示面板的非显示区包括以下一项或多项：所述显示装置的摄像头、传感器、实体按键和显示屏的边框。
5.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
在显示装置的基板上形成隔离柱，所述隔离柱用于将所述显示装置的显示区与非显示区分隔开；
在所述隔离柱的上方和侧壁形成原子层沉积ALD层，所述ALD层还形成于所述显示区中与所述隔离柱相邻像素的薄膜晶体管阵列层的上表面；
形成所述显示区和所述非显示区的发光层，其中，所述显示区的发光层与所述非显示区中所述ALD层上的发光层被所述隔离柱隔离开；
在所述发光层上形成封装层，所述封装层包括第一无机阻水层、有机缓冲层和第二无机阻水层，使所述显示区的发光层被所述ALD层和封装层紧密包裹；
所述在所述发光层上形成封装层，包括：
在所述发光层上形成所述第一无机阻水层；
在所述第一无机阻水层位于所述显示区的上方形成所述有机缓冲层；
在所述第一无机阻水层和所述有机缓冲层上形成所述第二无机阻水层，其中，所述第二无机阻水层将所述第一无机阻水层和所述有机缓冲层包裹。
6.根据权利要求5所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述在显示装置的基板上形成隔离柱之前，所述方法还包括：
在所述基板位于所述显示区的位置形成薄膜晶体管阵列层；
所述在显示装置的基板上形成隔离柱，包括：
通过掩膜工艺在所述基板位于所述显示区和所述非显示区交界的位置形成倒梯形结构的隔离柱。
7.根据权利要求5所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述ALD层为氧化硅材质或氧化铝材质。
8.根据权利要求5～7中任一项显示装置的制作方法，其特征在于，所述非显示区包括以下一项或多项：所述显示装置的摄像头、传感器、实体按键和显示屏的边框。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7016535B2 (ja) 2015-10-26 2022-02-07 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法
KR102563713B1 (ko) 2017-04-26 2023-08-07 오티아이 루미오닉스 인크. 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 장치
CN110832660B (zh) 2017-05-17 2023-07-28 Oti照明公司 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
CN108574054B (zh) 2018-04-17 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法
CN110767688B (zh) * 2018-10-31 2022-04-15 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、及其制备方法和显示终端
CN109671864B (zh) * 2018-12-20 2020-06-30 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板
US10833292B2 (en) 2018-12-20 2020-11-10 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode display panel
CN109755408B (zh) * 2018-12-26 2021-01-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN109742111B (zh) * 2019-01-07 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109742264B (zh) * 2019-01-08 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 显示区开孔封装方法、显示区开孔封装结构及显示面板
KR20200108145A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
WO2020178804A1 (en) 2019-03-07 2020-09-10 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
CN110021642A (zh) * 2019-03-22 2019-07-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN109935730B (zh) * 2019-03-28 2021-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2020202576A1 (ja) * 2019-04-05 2020-10-08 シャープ株式会社 表示装置
CN110246984A (zh) * 2019-06-21 2019-09-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
KR20220046551A (ko) 2019-06-26 2022-04-14 오티아이 루미오닉스 인크. 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
CN114342068A (zh) 2019-08-09 2022-04-12 Oti照明公司 包含辅助电极和分区的光电子装置
CN110416435B (zh) * 2019-08-28 2022-01-14 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN110518147B (zh) * 2019-08-30 2023-07-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN111276415B (zh) * 2020-02-18 2023-11-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112802981A (zh) * 2021-01-14 2021-05-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009037221A (ja) * 2007-07-06 2009-02-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、電子機器および発光装置の駆動方法
TWI667782B (zh) * 2013-09-27 2019-08-01 群創光電股份有限公司 有機發光二極體顯示面板及包含其之有機發光二極體顯示裝置
CN103676337A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 北京京东方光电科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN103943663A (zh) * 2014-04-25 2014-07-23 青岛海信电器股份有限公司 一种oled显示装置
JP2016143606A (ja) * 2015-02-04 2016-08-08 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、及び電子機器
KR102326069B1 (ko) * 2015-07-29 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
CN106406590A (zh) * 2015-07-31 2017-02-15 昆山国显光电有限公司 触控显示装置及其制备方法
TWI613492B (zh) * 2017-05-05 2018-02-01 友達光電股份有限公司 彩色濾光片基板及顯示面板
CN113281930B (zh) * 2017-06-30 2022-08-12 厦门天马微电子有限公司 显示屏及显示装置
CN107452894B (zh) * 2017-07-31 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN108574054B (zh) 2018-04-17 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法

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