CN103943663A - 一种oled显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种OLED显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有OLED子像素发光亮度不均匀的问题。一种OLED显示装置，包括：封装在一起的阵列基板和封装基板，所述阵列基板包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光功能层，其中，所述第一电极层包括多个互不接触的像素电极，其特征在于，所述第二电极层包括多个互不接触的第二电极，每一所述第二电极对应至少一个像素电极；所述显示装置还包括传输引线，每条所述传输引线对应一个所述第二电极，向所述第二电极输入电信号。

Description

一种OLED显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置。 

背景技术

OLED（Organic Light)βmittingαiode，有机发光二极管）显示面板的发光原理是：在两个电极之间沉积有机材料，通过两个电极对该有机材料通以直流电而使其发光。OLED显示面板因其可自发光显示，并由有机材料制备，而可以被卷曲、折叠，有非常广泛的应用。 

如图1所示，OLED显示装置包括封装在一起的阵列基板10和封装基板20，在阵列基板10的第一显示基板11上设置有驱动薄膜晶体管100以及第一电极（像素电极）12、发光功能层（有机材料）13、像素墙14以及第二电极15。其中，驱动薄膜晶体管100包括栅极（G）101、源极（S）102以及漏极（α）103，驱动薄膜晶体管100的源极102与像素电极12连接，向像素电极12提供电信号。第二电极15和像素电极12之间形成有发光功能层13，当驱动薄膜晶体管100向像素电极12提供电信号，且同时柔性线路板通过传输引线向第二电极15提供电信号，在像素电极12和第二电极15之间有电流通过，激发发光功能层发光实现显示。 

如图1所示，由于第二电极15为大面积一体成型，理想情况下，OLED显示器的第二电极15通过一个端口提供电信号，第二电极15的电位应该相等，但是，实际上，第二电极整体存在电压降，这样，在对每个子像素的像素电极12加载相同的电压时，流经每个子像素OLED器件的电流会不相同，由此使得每个子像素的发光亮度不均匀。 

发明内容

本发明的实施例提供一种OLED显示装置，解决了OLED显示器子像素发光亮度不均匀的问题。 

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案： 

本发明实施例提供了一种OLED显示装置，包括：封装在一起的阵列基板和封装基板，所述阵列基板包括第一电极层、第二电极层 以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光功能层，其中，所述第一电极层包括多个互不接触的像素电极，所述第二电极层包括多个互不接触的第二电极，每一所述第二电极对应至少一个像素电极； 

所述显示装置还包括传输引线，每条所述传输引线对应一个所述第二电极，向所述第二电极输入电信号。 

可选的，还包括：分隔层，所述分隔层位于所述第二电极层的下面，包括至少一个绝缘的分隔墙，所述分隔墙设置在两个相邻的所述第二电极的分界处，以使得相邻的两个第二电极不接触。 

可选的，所述第二电极的厚度小于所述分隔墙的厚度。 

可选的，所述分隔墙具有相对的第一侧面和第二侧面，以及相对的底面和顶面；所述第一侧面与所述分隔墙的底面呈锐角，所述第二侧面与所述分隔墙的底面呈钝角；相邻的两个第二电极，其中一个第二电极覆盖所述分隔墙的第一侧面及顶面，在第二侧面与另一个第二电极隔断。 

可选的，还包括位于封装基板的辅助电极层，所述辅助电极层包括多个互不接触的辅助电极，每一所述辅助电极对应一个第二电极，且与所述第二电极覆盖所述分隔墙顶面的部分直接接触，并与传输引线电连接，向所述第二电极传输电信号。 

可选的，所述分隔墙的底部面积大于顶部面积。 

可选的，所述分隔墙的厚度为1-5微米。 

可选的，还包括：像素界定层，所述像素界定层位于所述分隔层的下面，包括位于各像素电极之间的像素墙；所述分隔层在对应像素墙的位置处包括至少一个绝缘的分隔墙。 

可选的，所述第二电极层包括四个互不接触的第二电极。 

本发明的实施例提供一种OLED显示装置，所述第一电极层包括多个互不接触的像素电极，所述第二电极层包括多个互不接触的第二电极，每一所述第二电极对应至少一个像素电极；所述第二电极可以通过对应的传输引线提供电信号，由于将第二电极层分成了多个互不接触的第二电极，因此减小了各第二电极的面积，各第二电极的电 压降减小，通过每根传输引线对各第二电极加载电信号，同时，在对每个子像素的像素电极加载相同的电压时，各第二电极与像素电极之间的电压差趋于相同，即流经每个子像素OLED器件的电流基本相同，由此每个子像素的发光亮度趋于一致，提高发光均匀度。 

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为现有的OLED显示装置的一个子像素的简化电路示意图； 

图2为本发明实施例提供的一种OLED显示装置示意图； 

图3为图2所示的分隔墙在第二电极的分隔处示意图； 

图4为本发明实施例提供的第二电极俯视结构示意图； 

图5为本发明实施例提供的形成分隔墙的曝光示意图。 

附图标记： 

10-阵列基板；11-第一显示基板；12-像素电极；13-发光功能层；14-像素墙；15-第二电极；151-与第一分隔墙对应的第二电极；152-与第二分隔墙对应的第二电极；153-与第三分隔墙对应的第二电极；154-与第四分隔墙对应的第二电极；16-分隔墙；161-第一侧面；162-第二侧面；163-底面；164-顶面；165-第一分隔墙；166-第二分隔墙；167-第三分隔墙；168-第四分隔墙；100-驱动薄膜晶体管；101-栅极；102-源极；103-漏极；20-封装基板；21-第二显示基板；22-辅助电极层；200-开关薄膜晶体管；30-掩膜板；31-遮光图案。 

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。 

需要说明的是，在本发明所有实施例中，需要阐明“薄膜”、“层”以及“图案”的定义，以及之间的关系。其中，“薄膜”是指利用某一种材料在基板上利用沉积或其他工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”；若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个薄膜“图案”。示例的，上述第一电极层包括多个绝缘的像素电极，即第一电极层通过构图工艺形成多个绝缘的像素电极图案。 

OLED显示装置，第二电极和第一电极之间形成有发光功能层，其中所述第一电极即像素电极，所述像素电极通过薄膜晶体管提供电压信号，当像素电极和第二电极同时加载电压信号，在像素电极和第二电极之间有电流通过，激发发光功能层发光实现显示。其中，所述发光功能层具体可以包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。 

本发明实施例提供了一种OLED显示装置，如图2所示，包括：封装在一起的阵列基板10和封装基板20，所述阵列基板10设置有第一电极层（图2中对应像素电极12的层结构）、第二电极层（图2中对应第二电极15的层结构）以及位于所述第一电极层（即图2中的像素电极12）和所述第二电极层（图2中的第二电极15）之间的发光功能层13，其中，所述第一电极层包括多个互不接触的像素电极12，所述第二电极层包括多个互不接触的第二电极15（图2中两个第二电极15断开互不接触），每一所述第二电极15对应至少一个像素电极12； 

所述显示装置还包括传输引线，每条所述传输引线对应一个所述第二电极，向所述第二电极输入电信号。 

所述第二电极层包括多个互不接触的第二电极，即所述第二电极层包括至少两个互不接触的第二电极。所述每一所述第二电极对应至少一个像素电极，即第二电极层可以包括多个第二电极，且所述第二电极与像素电极一一对应。所述第二电极层包括至少两个互不接触的 第二电极，这样，减小了各第二电极的面积，且每一所述第二电极通过对应的传输引线提供电信号，在对每个子像素的像素电极加载相同的电压时，各第二电极的电压降减小，各第二电极与像素电极之间的电压差趋于相同，即流经每个子像素OLED器件的电流基本相同，由此每个子像素的发光亮度趋于一致，提高发光均匀度。 

所述显示装置还包括传输引线，每条所述传输引线对应一个所述第二电极，所述传输引线与其对应的第二电极电连接，向所述第二电极输入电信号。即第二电极层包括的各第二电极，分别通过对应的一个传输引线输入电信号。需要说明的是，所述传输引线可以为线路板的连接引线，通过传输引线向对应的一个第二电极输入电信号可以是传输引线的一端与第二电极相连，另一端设置在线路板上，向对应的所述第二电极提供电信号。当然，也可以通过其他连接方式只要实现第二电极与传输引线的电连接，就可以通过所述传输引线向对应的第二电极提供电信号。 

本发明实施例提供的一种显示装置，所述第一电极层包括多个互不接触的像素电极，所述第二电极层包括多个互不接触的第二电极，每一所述第二电极对应至少一个像素电极；所述第二电极通过对应的传输引线提供电信号，由于减小了各第二电极的面积，各第二电极的电压降减小，在对每个子像素的像素电极加载相同的电压时，流经每个子像素OLED器件的电流基本相同，由此每个子像素的发光亮度趋于一致，提高发光均匀度。 

需要说明的是，现有的OLED显示装置，根据第一电极和第二电极的透光性可以分为底发光显示装置、顶发光显示装置以及双面发光显示装置。具体的，当像素电极（即第一电极）为透明电极，第二电极为不透明电极时，所述显示装置为底发光显示装置；当像素电极（即第一电极）为不透明电极，第二电极为透明电极时，所述显示装置为顶发光显示装置；当像素电极（即第一电极）为透明电极，第二电极为透明电极时，所述显示装置为双面发光显示装置。本发明实施例提供的显示装置其可以根据需要设置所述像素电极和所述第二电极为透明或者不透明，即本发明实施例提供的OLED显示装置可以是任意一种发光型显示装置。 

可选的，如图2所示，所述显示装置还包括：分隔层（即对应图3中分隔墙的层结构），所述分隔层位于所述第二电极层（即图2中第二电极15）的下面，包括至少一个绝缘的分隔墙16，所述分隔墙16设置在两个相邻的所述第二电极（即图2中的两个第二电极15）的分界处，以使得相邻的两个第二电极不接触（如图2中的两个第二电极15断开）。本发明实施例提供的通过分隔墙使得相邻的两个第二电极不接触，分隔墙可以通过构图工艺形成，制作简单。 

另外，所述第二电极层包括多个互不接触的第二电极，还可以是通过构图工艺形成。具体的，所谓“构图工艺”是将薄膜形成包含至少一个图案的层的工艺；而构图工艺通常包含：在薄膜上涂胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，再利用显影液将需去除的光刻胶冲蚀掉，再刻蚀掉未覆盖光刻胶的薄膜部分，最后将剩下的光刻胶剥离。 

所述采用构图工艺形成所述第二电极层，即可以是在衬底基板上通过涂布等工艺形成金属薄膜，在所述金属薄膜上涂布光刻胶，通过掩膜板进行曝光，再对曝光后的光刻胶进行显影和刻蚀等，通过将第二金属薄膜在对应像素电极之间的区域的薄膜刻蚀掉，形成包括多个互不接触的第二电极。 

可选的，如图2所示，所述第二电极15的厚度小于所述分隔墙16的厚度。 

需要说明的是，若所述第二电极的厚度大于所述分隔墙的厚度，则容易导致分隔墙两侧的第二电极直接接触，不能直接断开。本发明实施例提供的技术方案，如图2所示，所述第二电极15的厚度小于所述分隔墙16的厚度，则可以通过涂布的方法涂布一层金属薄膜，则所述金属薄膜在分隔墙处直接断开，形成相邻的两个第二电极，而无需其他工艺，简化了制作方法。 

其中，优选的，如图3所示，所述分隔墙16具有相对的第一侧面161和第二侧面162，以及相对的底面163和顶面164；所述第一侧面161与所述分隔墙16的底面163呈锐角（即图3中的α角），所述第二侧面162与所述分隔墙16的底面163呈钝角（即图3中的β角）；相邻的两个第二电极15，其中一个第二电极15（即图3中靠近α角的第二电极）覆盖所述分隔墙16的第一侧面161及顶面164， 在第二侧面162与另一个第二电极15（即图3中靠近β角的第二电极）隔断。 

需要说明的是，由于分隔墙16的第一侧面161与所述分隔墙16的底面163呈锐角（即图3中的α角），则有利于在形成第二电极时使得第二电极15（即图3中靠近α角的第二电极）覆盖所述分隔墙16的第一侧面161及顶面164。同时分隔墙16的第二侧面162与所述分隔墙16的底面163呈钝角（即图3中的β角），则在第二侧面162直接形成两个断开的第二电极15。且第一侧面与底面呈的锐角越小越有利于第二电极覆盖分隔墙的顶面，第二侧面与底面成的钝角越大越有利于分隔墙将第二电极断开。 

需要说明的是，本发明实施例中所述底面和顶面，以靠近阵列基板的衬底基板的一侧为底面，以远离阵列基板的衬底基板的一侧为顶面。在第二电极的厚度小于分隔墙的厚度的基础上，所述分隔墙也可以是第一侧面和第二侧面均与底面呈直角，或者第一侧面与底面呈锐角，第二侧面与底面呈钝角。 

具体的，可以通过构图工艺，控制曝光时对应第一侧面和第二侧面的透光率形成上述分隔墙。 

如图5所示，掩膜板30上设置有遮光图案31，采用负性光刻胶则在分隔层在对应掩膜板有遮光图案31区域的部分被刻蚀，在对应透光的区域形成分隔墙。其中，为了形成第一侧面与所述分隔墙的底面呈锐角，所述第二侧面与所述分隔墙的底面呈钝角的分隔墙，可以仅以控制第一侧面和第二侧面处对应的掩膜板的透光率。具体的在利用负性光刻胶形成所述分隔层时，坚膜温度（即固化光刻胶的温度）和时间（一般优选温度为120°和时间150秒）、显影强度（一般优选显影液浓度为0.36％和走速为1.2米/分钟），通过灰度掩膜板的光透过率调节第一侧面和第二侧面的曝光剂量，第一侧面优选为40mj/cm2，第二侧面优选为20mj/cm2，优选的制成厚度为3.5微米。 

可选的，所述分隔墙的底部面积大于顶部面积。即如图3所示，分隔墙16的底面163的面积大于顶面164的面积。这样有利于分隔墙稳固的形成在阵列基板上，不容易发生脱落。另外，需要说明的是，分隔墙的底面可以是长方形等任意方便形成的图案。 

可选的，所述分隔墙的厚度为1)5微米。且进一步优选的分隔墙的厚度为3.5微米。其中，一般设置第二电极的厚度为30纳米)100纳米。且优选的，设置第二电极的厚度为50纳米。这样更有利于利用分隔墙将所述第二电极断开。 

可选的，如图2所示，所述显示装置还包括位于封装基板20的辅助电极层（即图2中对应辅助电极22的层结构），所述辅助电极层包括多个互不接触的辅助电极22，每一所述辅助电极22对应一第二电极15，且与所述第二电极15覆盖所述分隔墙16顶面的部分直接接触，并与传输引线电连接，向所述第二电极15传输电信号。 

需要说明的是，所述辅助电极层位于封装基板，可以是如图2所示，辅助电极22直接形成在封装基板20的第二显示基板21上。且若封装基板还设置有其他薄膜或层结构，例如封装基板上还可以设置有彩色膜层，则还可以将所述辅助电极层设置在所述彩色膜层上。 

所述第二电极可以是通过辅助电极与传输引线电连接进行电输入，当然也可以通过其他方式与传输电极电连接实现电输入。本发明实施例仅以附图所示的为例进行详细说明。 

所述每一所述辅助电极对应一个第二电极，且与所述第二电极覆盖所述分隔墙顶面的部分直接接触，并与传输引线电连接可以是通过传输引线与驱动芯片电连接，以实现编程控制向所述第二电极传输电信号。即阵列基板和封装基板对合后，使得所述辅助电极与对应的第二电极覆盖分隔墙的顶面的部分接触，通过辅助电极与传输引线电连接，可以使得传输引线与驱动芯片电连接，从而通过驱动芯片控制向第二电极输入电信号。将辅助电极形成在封装基板上，通过辅助电极向对应的第二电极输入电信号，显示装置的集成度高，避免了通过导线将传输引线和第二电极电连接，基板上导线走线较多，造成线路容易故障，且故障不容易检测的问题。 

可选的，如图2所示，所述显示装置还包括：像素界定层（即图2中包括像素墙的层结构），所述像素界定层位于所述分隔层（图2中的分隔墙16）的下面，包括位于各像素电极12之间的像素墙14；所述分隔层在对应像素墙14的位置处包括至少一个绝缘的分隔墙16。 

即所述像素墙形成在各像素电极之间的位置处，即形成在非透光区，则所述分隔墙在对应像素墙的位置处形成分隔墙，即所述分隔墙形成在像素之间的非透光区或者非显示区，则可以避免分隔墙形成在显示区影响显示效果的问题。 

可选的，所述第二电极层包括四个互不接触的第二电极。 

具体的，如图4所示，第一分隔墙165、第二分隔墙166、第三分隔墙167、第四分隔墙168将第二电极层分隔形成对应的四个第二电极。具体的，图4中，对应第一分隔墙165的第二电极151对应覆盖第一分隔墙165的第一侧面和上面，和对应第四分隔墙168的第二电极154断开不接触；对应第二分隔墙166的第二电极152对应覆盖第二分隔墙166的第一侧面和上面，和对应第一分隔墙167的第二电极151断开不接触；对应第三分隔墙167的第二电极153对应覆盖第三分隔墙167的第一侧面和上面，和对应第二分隔墙166的第二电极152断开不接触；对应第四分隔墙168的第二电极154对应覆盖第四分隔墙168的第一侧面和上面，和对应第三分隔墙167的第二电极153断开不接触。 

需要说明的是，分隔墙可以是多个条形结构，如图4中的第一分隔墙165、第二分隔墙166、第三分隔墙167以及第四分隔墙168，其可以将第二电极层分隔成多个第二电极。其也可以是其他不规则的形状或排布等，本发明实施例不作具体限定。 

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。 

Claims (9)

1.一种OLED显示装置，包括：封装在一起的阵列基板和封装基板，所述阵列基板包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光功能层，其中，所述第一电极层包括多个互不接触的像素电极，其特征在于，所述第二电极层包括多个互不接触的第二电极，每一所述第二电极对应至少一个像素电极；

所述显示装置还包括传输引线，每条所述传输引线对应一个所述第二电极，向所述第二电极输入电信号。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：分隔层，所述分隔层位于所述第二电极层的下面，包括至少一个绝缘的分隔墙，所述分隔墙设置在两个相邻的所述第二电极的分界处，以使得相邻的两个第二电极不接触。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第二电极的厚度小于所述分隔墙的厚度。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述分隔墙具有相对的第一侧面和第二侧面，以及相对的底面和顶面；所述第一侧面与所述分隔墙的底面呈锐角，所述第二侧面与所述分隔墙的底面呈钝角；相邻的两个第二电极，其中一个第二电极覆盖所述分隔墙的第一侧面及顶面，在第二侧面与另一个第二电极隔断。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，还包括位于封装基板的辅助电极层，所述辅助电极层包括多个互不接触的辅助电极，每一所述辅助电极对应一第二电极，且与所述第二电极覆盖所述分隔墙顶面的部分直接接触，并与传输引线电连接，向所述第二电极传输电信号。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述分隔墙的底部面积大于顶部面积。

7.根据权要求4所述的显示装置，其特征在于，所述分隔墙的厚度为1-5微米。

8.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括：像素界定层，所述像素界定层位于所述分隔层的下面，包括位于各像素电极之间的像素墙；所述分隔层在对应像素墙的位置处包括至少一个绝缘的分隔墙。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二电极层包括四个互不接触的第二电极。