CN103794617B - 发光二极管显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光二极管显示面板及其制作方法。发光二极管显示面板的介电图案是于发光二极管元件形成于基板之后再形于基板上。介电图案包覆对应的发光二极管元件的侧壁，并暴露出对应的发光二极管元件的一电极。介电图案的上表面与发光二极管元件的电极约略位于同一平面，且设置于介电图案上的连接电极电性连接发光二极管元件的电极与信号线。
Description
技术领域
本发明是关于一种显示面板及其制作方法，尤指一种发光二极管显示面板及其制作方法。
背景技术
发光二极管显示面板是一种使用发光二极管元件组成显示阵列的显示面板。发光二极管元件具有高亮度与低耗电等优点，已广泛地应用在照明产品上，然而在显示产品中，由于发光二极管显示面板的出光的均匀性、良率与可靠度等方面的表现不够理想，目前仍仅应用在低阶的显示产品，例如户外广告看板。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种发光二极管显示面板及其制作方法，以提升出光均匀性、良率及可靠度。
本发明的一实施例提供一种发光二极管显示面板，包括一基板、多个驱动元件、一绝缘层、多个第一连接电极、多个发光二极管元件、多个介电图案、多条信号线以及多个第二连接电极。基板包括多个次像素区。驱动元件设置于基板上，其中各次像素区内设置有至少一个驱动元件。绝缘层设置于基板上并覆盖驱动元件，其中绝缘层具有多个开口，分别部分暴露出驱动元件。第一连接电极设置于绝缘层上，其中各第一连接电极经由对应的开口与对应的驱动元件电性连接。发光二极管元件设置于基板上，其中各次像素区内设置有至少一个的发光二极管元件，各发光二极管元件包括一第一电极、一第二电极以及一发光层位于第一电极与第二电极之间，各第一电极设置于对应的第一连接电极上并与对应的第一连接电极电性连接。介电图案分别设置于对应的第一连接电极上，其中各介电图案包覆对应的发光二极管元件的侧壁，并暴露出对应的发光二极管元件的第二电极。信号线设置于基板上，其中各信号线位于对应的次像素区的一侧。第二连接电极分别设置于对应的介电图案上，其中各第二连接电极设置于对应的次像素区，且各第二连接电极分别将对应的介电图案所暴露出的该发光二极管元件的第二电极以及对应的信号线电性连接。
本发明的另一实施例提供一种制作发光二极管显示面板的方法，包括下列步骤。提供一基板，其中基板包括多个次像素区。于基板上形成多个驱动元件，其中各次像素区内形成有至少一个驱动元件。于基板与驱动元件上形成一绝缘层，其中绝缘层具有多个开口，分别部分暴露出驱动元件。于绝缘层上形成多个第一连接电极，分别位于次像素区内，其中各第一连接电极经由对应的开口与对应的驱动元件电性连接。于各第一连接电极上分别形成至少一个发光二极管元件以及一介电图案，其中各发光二极管元件包括一第一电极、一第二电极以及一发光层位于第一电极与第二电极之间，各第一电极设置于对应的第一连接电极上并与对应的第一连接电极电性连接，且各介电图案包覆对应的发光二极管元件的侧壁并暴露出对应的发光二极管元件的第二电极。于基板上形成多条信号线，其中各信号线位于对应的次像素区的一侧。于介电图案上分别形成一第二连接电极，其中各第二连接电极分别将对应的介电图案所暴露出的发光二极管元件的第二电极以及对应的信号线电性连接。
本发明的发光二极管显示面板的制作方法是先于基板上形成发光二极管元件，再利用介电图案包覆发光二极管元件的侧壁，可以有效保护发光二极管元件，且介电图案的上表面与发光二极管元件的第二电极位于同一平面或具有较小的段差，可以有效降低第二桥接电极的断线风险，且介电图案具有扩散效果，可以有效增加出光均匀性。
附图说明
图1至图7绘示了本发明的第一实施例的发光二极管显示面板的制作方法示意图；
图8绘示了本发明的第一实施例的变化实施例的发光二极管显示面板的示意图；
图9与图10绘示了本发明的第二实施例的发光二极管显示面板的示意图；
图11绘示了本发明的第二实施例的变化实施例的发光二极管显示面板的示意图；
图12至图16绘示了本发明的第三实施例的发光二极管显示面板的制作方法示意图；
图17绘示了本发明的第三实施例的变化实施例的发光二极管显示面板的示意图。
其中，附图标记：
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
请参考图1至图7。图1至图7绘示了本发明的第一实施例的发光二极管显示面板的制作方法示意图，其中图1至图6是以剖面形式绘示，而图7是以俯视形式绘示。如图1所示，首先提供一基板10。基板10可为硬式基板或可挠式基板，例如玻璃基板、石英基板、塑胶基板或其它适合的基板。基板10包括多个次像素区10P，其中次像素区10P可呈阵列排列。接着，于基板10上形成一驱动元件阵列12M，其包括多个驱动元件12，其中各次像素区10P内形成有至少一个驱动元件12，并可形成有其它用以实现驱动功能的元件例如电容元件(图未示)。在本实施例中，各次像素区10P内的驱动元件12、电容元件或其它元件的数目可以视发光二极管显示面板的驱动架构不同而加以变更。举例而言，发光二极管显示面板的驱动架构可为2T1C架构(使用两个晶体管元件以及一个电容元件)、3T1C架构、4T2C架构、2T2C架构、5T1C架构、6T1C架构或其它可驱动发光二极管显示面板的驱动架构。另外，各次像素区10P更进一步形成驱动元件12所需的其它导线例如栅极线、数据线与电源线等。上述导线的功能与配置为所属技术领域具通常知识者所熟悉，在此不再赘述。随后，于基板10与驱动元件12上形成一绝缘层14，其中绝缘层14具有多个开口14A，分别部分暴露出驱动元件12。绝缘层14可为单层结构或多层堆叠结构，且绝缘层14的材料可为无机材料、有机材料或有机/无机混成材料。
如图2所示，接着于绝缘层14上形成一图案化导电层16，其中图案化导电层16包括多个第一连接电极16C，分别位于次像素区10P内，且各第一连接电极16C经由对应的开口14A与对应的驱动元件12电性连接。第一连接电极16C可为单层电极结构，例如不透明连接电极(例如金属电极)或透明连接电极(例如氧化铟锡(ITO)电极)。或者，第一连接电极16C可为多层堆叠电极结构，例如不透明连接电极(例如金属电极)与透明连接电极(例如氧化铟锡电极)的堆叠结构。此外，可选择性地于第一连接电极16C的表面形成一焊接层(图未示)，用以焊接发光二极管元件。焊接层可完整覆盖第一连接电极16C的上表面，或仅部分覆盖第一连接电极16C的上表面并对应后续形成的发光二极管元件。焊接层的材料可为低温焊接材料例如铟或其它具有良好导电性的材料例如金属、非金属、合金或其氧化物。另外，本实施例的图案化导电层16可另包括多条信号线16S，设置于绝缘层14上，且各信号线16S位于对应的多个次像素区10P的一侧，例如各信号线16S可位于对应的一行次像素区10P的一侧，但不以此为限。
如图3所示，随后于各第一连接电极16C上分别形成至少一个发光二极管元件18。例如在本实施例中，各次像素区10P内形成有两个发光二极管元件18，但不以此为限。发光二极管元件18的数目与配置密度可视亮度需求、次像素区10P的尺寸规格与发光二极管元件18的尺寸作适当的调整。举例而言，各次像素区10P可仅设置单一个发光二极管元件18或两个以上的发光二极管元件18。各发光二极管元件18包括一第一电极(下电极)181、一第二电极(上电极)182以及一发光层183位于第一电极181与第二电极182之间，且各第一电极181设置于对应的第一连接电极16C上并与对应的第一连接电极16C电性连接。在本实施例中，第一电极181例如为阳极，且第二电极182例如为阴极，但不以此为限。发光层183例如为无机发光层，可受第一电极181与第二电极182之间的电位差的驱动而发光。在本实施例中，发光二极管元件18是先制作完成，再固定并电性连接于第一连接电极16C上。也就是说，发光二极管元件18的第一电极181、发光层183以及第二电极182不是直接利用薄膜制程依序制作于第一连接电极16C上。举例而言，可利用微机械装置将各发光二极管元件18置放在对应的第一连接电极16C，并可利用一导电粘着材料180例如铟(In)将发光二极管元件18焊接在第一连接电极16C上，而第一电极181可藉由导电粘着材料180与第一连接电极16C电性连接。在其它变化实施例中，发光二极管元件18可利用其它方式直接地或间接地固定在第一连接电极16C上。例如，在第一连接电极16C的表面形成有焊接层的状况下，导电粘着材料180将发光二极管元件18焊接在焊接层上。
如图4所示，接着形成一介电材料层20，覆盖第一连接电极16C以及发光二极管元件18，其中介电材料层20包覆各发光二极管元件18的侧壁以及各发光二极管元件18的第二电极182。介电材料层20的材料可为具有高透光特性的无机材料、有机材料或有机/无机混成材料，且在本实施例中介电材料层20的材料较佳可选用具有感光特性的材料例如光阻材料，但不以此为限。
如图5所示，接着图案化介电材料层20，以于各第一连接电极16C上形成一介电图案20P，其中介电图案20P包覆发光二极管元件18的侧壁，且介电图案20P暴露出各发光二极管元件18的第二电极182以及信号线16S，以提供后续电性连接之用。在本实施例中，介电材料层20的材料选用具有感光特性的材料，因此可使用光罩并搭配曝光暨显影制程对介电材料层20进行图案化，以形成介电图案20P，其中光罩较佳可选用灰阶光罩，以使得介电图案20P可暴露出第二电极182以及信号线16S，并使得介电图案20P可具有一倾斜侧壁20S，以避免第二连接电极断线并增加出光效率。另外，介电图案20P的上表面与第二电极182较佳是位于同一平面上或使两者尽量具有较小的段差。在其它变化实施例中，介电图案20P亦可使用其它适合的图案化制程例如蚀刻制程形成。由于介电图案20P包覆发光二极管元件18的侧壁，因此可以保护发光二极管元件18。此外，介电图案20P更具有扩散(diffuse)效果，可以增加出光均匀性。特别是在各次像素区10P仅设置单一个发光二极管元件18时，介电图案20P的扩散效果可以确保出光均匀性。
如图6与图7所示，随后于各介电图案20P上形成一第二连接电极22C，其中各第二连接电极22C分别将对应的介电图案20P所暴露出的发光二极管元件18的第二电极182以及对应的信号线16S电性连接，以形成本实施例的发光二极管显示面板1。第二连接电极22C可为单层电极结构，例如不透明连接电极(例如金属电极)或透明连接电极(例如氧化铟锡电极)。或者，第二连接电极22C可为多层堆叠电极结构，例如不透明连接电极例(如金属电极)与透明连接电极(例如氧化铟锡电极的)堆叠结构。第二连接电极22C可利用薄膜沉积制程、喷墨制程、网印制程或其它适合的制程形成于介电图案20P上。由于介电图案20P的上表面与第二电极182是位于同一平面上或具有较小的段差，藉此可大幅降低第二连接电极22C因为段差过大而发生断线的机率，进而提升发光二极管显示面板1的良率与可靠度。
本发明的发光二极管显示面板及其制作方法并不以上述实施例为限。下文将依序介绍本发明的其它较佳实施例的发光二极管显示面板及其制作方法，且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明，在下文的各实施例中使用相同的符号标注相同的元件，且主要针对各实施例的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。
请参考图8。图8绘示了本发明的第一实施例的变化实施例的发光二极管显示面板的示意图。如图8所示，不同于第一实施例，本变化实施例的发光二极管显示面板的制作方法另包括于各介电图案20P的倾斜侧壁20S上形成一反射图案24。反射图案24的材料可为金属或其它具有反射特性的材料。本变化实施例的发光二极管显示面板1’具有反射图案24，可以增加反射及集光效果，进而提升出光量及出光均匀性。
请参考图9与图10。图9与图10绘示了本发明的第二实施例的发光二极管显示面板的示意图，其中图9是以剖面形式绘示，而图10是以俯视形式绘示。如图9与图10所示，不同于第一实施例，在第二实施例的发光二极管显示面板2中，信号线22S不是由图案化导电层16所构成；本实施例的信号线22S与第二连接电极22C是由另一层图案化导电层22所形成，也就是说，本实施例的信号线22S与第二连接电极22C是由同一图案化导电层22所形成。因此信号线22S会位在介电图案20P上，且信号线22S与第二连接电极22C会位于同一平面上。
请参考图11。图11绘示了本发明的第二实施例的变化实施例的发光二极管显示面板的示意图。如图11所示，不同于第二实施例，本变化实施例的发光二极管显示面板的制作方法另包括于各介电图案20P的倾斜侧壁20S上形成一反射图案24。反射图案24的材料可为金属或其它具有反射特性的材料。本变化实施例的发光二极管显示面板2’具有反射图案24，可以增加反射及集光效果，进而提升出光量及出光均匀性。
请参考图12至图16。图12至图16绘示了本发明的第三实施例的发光二极管显示面板的制作方法示意图。如图12所示，首先提供一基板10，且基板10包括多个次像素区10P。接着，于基板10上形成一驱动元件阵列12M，其包括多个驱动元件12，其中各次像素区10P内形成有至少一个驱动元件12。随后，于基板10与驱动元件12上形成一绝缘层14，其中绝缘层14具有多个开口14A，分别部分暴露出驱动元件12。绝缘层14可为单层结构或多层堆叠结构，且绝缘层14的材料可为无机材料、有机材料或有机/无机混成材料。
如图13所示，接着于绝缘层14上形成一图案化堤坝(bank)15，其中图案化堤坝15具有多个凹穴(cavity)15A，定义出次像素区10P。图案化堤坝15的材料可选用具有感光特性的材料例如光阻材料，因此可使用光罩并搭配曝光暨显影制程加以形成。此外，图案化堤坝15的凹穴15A较佳可具有倾斜侧壁15S。接着，于绝缘层14上形成一图案化导电层16，其中图案化导电层16包括多个第一连接电极16C，分别位于次像素区10P的凹穴15A内，且各第一连接电极16C经由对应的开口14A与对应的驱动元件12电性连接。在本实施例中，第一连接电极16C可为单层电极结构，例如不透明连接电极(例如金属电极)或透明连接电极(例如氧化铟锡电极)。或者，第一连接电极16C可为多层堆叠电极结构，例如不透明连接电极(例如金属电极)与透明连接电极(例如氧化铟锡电极)的堆叠结构。另外，可选择性地于第一连接电极16C的表面形成一焊接层19，用以焊接发光二极管元件。焊接层19的材料较佳选用低温焊接材料例如铟，但不以此为限。焊接层19的材料亦可为其它具有良好导电性的材料例如金属、非金属、合金或其氧化物。另外，本实施例的焊接层19的尺寸与后续形成的发光二极管元件的尺寸实质上相同并彼此对应，但不以此为限。例如焊接层19亦可与第一连接电极16C的图案对应，且焊接层19与第一连接电极16C可利用同一道图案化制程定义。此外，第一连接电极16C可以选择性地覆盖图案化堤坝15的凹穴15A的倾斜侧壁15S以作为反射图案，藉此可增加反射及集光效果，进而提升出光量及出光均匀性。或者，反射图案亦可由其它额外的膜层形成。另外，本实施例的图案化导电层16可另包括多条信号线16S，设置于图案化堤坝15上，且各信号线16S是位于对应的多个次像素区10P的一侧，例如各信号线16S可位于对应的一行次像素区10P的一侧，但不以此为限。此外，可选择性地于图案化堤坝15的上表面15T及倾斜侧壁15S上形成一钝化层17，其中钝化层17部分覆盖第一连接电极16C并暴露出信号线16S。钝化层17可以避免第一连接电极16C与后续形成的第二连接导线产生短路。
如图14所示，随后于各第一连接电极16C上分别形成至少一个发光二极管元件18。例如在本实施例中，各次像素区10P内形成有两个发光二极管元件18，但不以此为限。发光二极管元件18的数目与配置密度可视亮度需求、次像素区10P的尺寸规格与发光二极管元件18的尺寸作适当的调整。举例而言，各次像素区10P可仅设置单一个发光二极管元件18或两个以上的发光二极管元件18。各发光二极管元件18包括一第一电极181、一第二电极182以及一发光层183位于第一电极181与第二电极182之间，且各第一电极181设置于对应的第一连接电极16C上并与对应的第一连接电极16C电性连接。在本实施例中，发光二极管元件18是先制作完成，再固定并电性连接于第一连接电极16C上。举例而言，可利用微机械装置将各发光二极管元件18置放在对应的第一连接电极16C，并可利用导电粘着材料180例如铟将发光二极管元件18焊接在对应的焊接层19上，而第一电极181可藉由导电粘着材料180及焊接层19与第一连接电极16C电性连接。导电粘着材料180与焊接层19可选择相同或不同的材料。在其它变化实施例中，发光二极管元件18可利用其它方式直接地或间接地固定在第一连接电极16C上。
如图15所示，接着于各凹穴15A内分别形成一介电图案20P，其中介电图案20P包覆发光二极管元件18的侧壁并暴露出各发光二极管元件18的第二电极182，且介电图案20P亦未覆盖信号线16S。介电图案20P的材料可为无机材料、有机材料或有机/无机混成材料，且在本实施例中介电图案20P可利用喷墨制程形成，但不以此为限。另外，介电图案20P的上表面与第二电极182较佳是位于同一平面上或使两者尽量具有较小的段差。由于介电图案20P包覆发光二极管元件18的侧壁，因此可以保护发光二极管元件18，此外介电图案20P更具有扩散效果，可以增加出光均匀性。
如图16所示，随后于各介电图案20P上分别形成一第二连接电极22C，其中各第二连接电极22C延伸至图案化堤坝15上并将对应的介电图案20P所暴露出的发光二极管元件18的第二电极182以及对应的信号线16S电性连接，以制作出本实施例的发光二极管显示面板3。第二连接电极22C可为单层电极结构，例如不透明连接电极(例如金属电极)或透明连接电极(例如氧化铟锡电极)。或者，第二连接电极22C可为多层堆叠电极结构，例如不透明连接电极(例如金属电极)与透明连接电极(例如氧化铟锡电极)的堆叠结构。第二连接电极22C可利用薄膜沉积制程、喷墨制程、网印制程或其它适合的制程形成于介电图案20P上。由于介电图案20P的上表面与第二电极182是位于同一平面上或具有较小的段差，藉此可大幅降低第二连接电极22C因为段差过大而发生断线的机率，进而提升发光二极管显示面板3的良率与可靠度。
请参考图17。图17绘示了本发明的第三实施例的变化实施例的发光二极管显示面板的示意图。如图17所示，不同于第三实施例，本变化实施例的发光二极管显示面板3’的各次像素区10P内仅设置有单一个发光二极管元件18。藉由介电图案20P提供的扩散效果，发光二极管显示面板3’仍可以具有良好的出光均匀性。
综上所述，本发明的发光二极管显示面板的制作方法是先于基板上形成发光二极管元件，再利用介电图案包覆发光二极管元件的侧壁，可以有效保护发光二极管元件，且介电图案的上表面与发光二极管元件的第二电极位于同一平面或具有较小的段差，可以有效降低第二桥接电极的断线风险。此外，由于介电图案包覆发光二极管元件的侧壁，因此可以保护发光二极管元件，且介电图案更具有扩散效果，可以有效增加出光均匀性。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (15)
1.一种发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
一基板，包括多个次像素区；
多个驱动元件，设置于该基板上，其中各该次像素区内设置有至少一个所述驱动元件；
一绝缘层，设置于该基板上并覆盖所述驱动元件，其中该绝缘层具有多个开口，分别部分未覆盖所述驱动元件；
多个第一连接电极，设置于该绝缘层上，其中各该第一连接电极经由对应的该开口与对应的该驱动元件电性连接；
多个发光二极管元件，设置于该基板上，其中各该次像素区内设置有至少一个的所述发光二极管元件，各该发光二极管元件包括一第一电极、一第二电极以及一发光层位于该第一电极与该第二电极之间，各该第一电极设置于对应的该第一连接电极上并与对应的该第一连接电极电性连接；
多个介电图案，分别设置于对应的所述第一连接电极上，其中各该介电图案包覆对应的该发光二极管元件的侧壁，并未覆盖对应的该发光二极管元件的该第二电极；
多条信号线，设置于该基板上，其中各该信号线位于对应的所述次像素区的一侧；
多个第二连接电极，分别设置于对应的所述介电图案上，其中各该第二连接电极设置于对应的该次像素区，且各该第二连接电极分别将对应的该发光二极管元件的该第二电极以及对应的该信号线电性连接；以及
多个反射图案，其中各该介电图案具有一倾斜侧壁，且各该反射图案设置于对应的该介电图案的该倾斜侧壁上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，另包括多个导电粘着材料，其中各该导电粘着材料分别位于对应的该发光二极管元件的该第一电极与该第一连接电极之间，用以电性连接该发光二极管元件的该第一电极与该第一连接电极。
3.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述信号线设置于该绝缘层上，且所述介电图案未覆盖所述信号线。
4.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述信号线设置于所述介电图案上。
5.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，各该次像素区内设置多个所述发光二极管元件，各该介电图案包覆对应的该等发光二极管元件的侧壁，且各该第二连接电极于对应的所述介电图案上将该等发光二极管元件的该等第二电极与对应的该信号线电性连接。
6.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，另包括一图案化堤坝，设置于该绝缘层上，其中该图案化堤坝具有多个凹穴定义出所述次像素区，而各该次像素区内设置的该介电图案、该第一连接电极以及该至少一个发光二极管元件位于对应的该图案化堤坝的该凹穴内。
7.根据权利要求6所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述信号线设置于该图案化堤坝上，且各该第二连接电极延伸至该图案化堤坝上并电性连接对应的该信号线。
8.一种制作发光二极管显示面板的方法，其特征在于，包括：
提供一基板，该基板包括多个次像素区；
于该基板上形成多个驱动元件，其中各该次像素区内形成有至少一个的所述驱动元件；
于该基板与所述驱动元件上形成一绝缘层，其中该绝缘层具有多个开口，分别部分未覆盖所述驱动元件；
于该绝缘层上形成多个第一连接电极，分别位于所述次像素区内，其中各该第一连接电极经由对应的该开口与对应的该驱动元件电性连接；
于各该第一连接电极上分别形成至少一个发光二极管元件以及一介电图案，其中各该发光二极管元件包括一第一电极、一第二电极以及一发光层位于该第一电极与该第二电极之间，各该第一电极设置于对应的该第一连接电极上并与对应的该第一连接电极电性连接，并且其中各该介电图案具有一倾斜侧壁以及各该介电图案包覆对应的该发光二极管元件的侧壁并未覆盖对应的该发光二极管元件的该第二电极；
于该基板上形成多条信号线，其中各该信号线位于对应的所述次像素区的一侧；以及
于所述介电图案上分别形成一第二连接电极，其中各该第二连接电极分别将对应的该介电图案所暴露出的该发光二极管元件的该第二电极以及对应的该信号线电性连接；
形成一反射图案于各该介电图案的该倾斜侧壁上。
9.根据权利要求8所述的制作发光二极管显示面板的方法，其特征在于，于各该第一连接电极上分别形成该至少一个发光二极管元件以及该介电图案的步骤包括：
于各该第一连接电极上形成该至少一个发光二极管元件；
形成一介电材料层，覆盖所述第一连接电极以及所述发光二极管元件，其中该介电材料层包覆各该发光二极管元件的侧壁以及各该发光二极管元件的该第二电极；以及
图案化该介电材料层，以于各该第一连接电极上形成该介电图案，并暴露出各该发光二极管元件的该第二电极。
10.根据权利要求8所述的制作发光二极管显示面板的方法，其特征在于，所述信号线设置于该绝缘层上，且所述介电图案未覆盖所述信号线。
11.根据权利要求8所述的制作发光二极管显示面板的方法，其特征在于，所述信号线设置于对应的所述介电图案上。
12.根据权利要求8所述的制作发光二极管显示面板的方法，其特征在于，于各该第一连接电极上分别形成多个的所述发光二极管元件，各该介电图案包覆对应的该等发光二极管元件的侧壁，且各该第二连接电极于对应的所述介电图案上将该等发光二极管元件的该等第二电极與对应的该信号线电性连接。
13.根据权利要求8所述的制作发光二极管显示面板的方法，其特征在于，另包括于形成所述第一连接电极之前，先于该绝缘层上形成一图案化堤坝，其中该图案化堤坝环绕各该次像素区，且该图案化堤坝具有多个凹穴分别部分暴露出对应的该次像素区。
14.根据权利要求13所述的制作发光二极管显示面板的方法，其特征在于，于该绝缘层上形成所述第一连接电极，以及于各该第一连接电极上分别形成该至少一个发光二极管元件以及该介电图案的步骤包括：
于形成该图案化堤坝之后，于所述凹穴内形成所述第一连接电极；
于各该第一连接电极上形成该至少一个发光二极管元件；以及
于各该第一连接电极上形成该介电图案，以包覆该至少一个发光二极管元件的侧壁并暴露出该第二电极。
15.根据权利要求13所述的制作发光二极管显示面板的方法，其特征在于，所述信号线形成于该图案化堤坝上，且各该第二连接电极延伸至该图案化堤坝上并电性连接对应的该信号线。
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|---|---|---|---|---|
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| US9312248B1 (en) * | 2014-10-30 | 2016-04-12 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light-emitting diode lighting device |
| US9343633B1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-17 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light-emitting diode lighting device |
| JP6156402B2 (ja) | 2015-02-13 | 2017-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US20160351548A1 (en) * | 2015-05-28 | 2016-12-01 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light emitting diode display device and manufacturing method thereof |
| TWI557702B (zh) * | 2015-06-01 | 2016-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其修補方法 |
| TW201703248A (zh) * | 2015-07-06 | 2017-01-16 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構及其製造方法 |
| KR102668526B1 (ko) * | 2015-10-07 | 2024-05-24 | 에이엠에스-오스람 아시아 퍼시픽 피티이. 리미티드 | 몰드 회로 기판 |
| US10497682B2 (en) * | 2016-01-12 | 2019-12-03 | Apple Inc. | Backplane LED integration and functionalization structures |
| TWI590215B (zh) | 2016-07-11 | 2017-07-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| US9680077B1 (en) * | 2016-07-20 | 2017-06-13 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light-emitting diode lighting device |
| US10304375B2 (en) * | 2016-09-23 | 2019-05-28 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Micro display panels with integrated micro-reflectors |
| FR3057995B1 (fr) * | 2016-10-21 | 2019-03-29 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif d'affichage et procede de fabrication d'un tel dispositif |
| KR20180065162A (ko) * | 2016-12-07 | 2018-06-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법 |
| KR102587215B1 (ko) * | 2016-12-21 | 2023-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치 |
| KR20180086003A (ko) * | 2017-01-20 | 2018-07-30 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| TWI621279B (zh) * | 2017-02-08 | 2018-04-11 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 發光元件與顯示裝置 |
| US10141290B2 (en) * | 2017-03-12 | 2018-11-27 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| CN108573991B (zh) * | 2017-03-12 | 2021-10-08 | 美科米尚技术有限公司 | 显示装置的制造方法 |
| US10026757B1 (en) * | 2017-03-12 | 2018-07-17 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro-light emitting display device |
| CN107170773B (zh) * | 2017-05-23 | 2019-09-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制作方法 |
| CN108110038B (zh) * | 2018-01-02 | 2021-06-25 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| TWI663744B (zh) * | 2018-03-23 | 2019-06-21 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體顯示器 |
| KR102600602B1 (ko) * | 2018-07-09 | 2023-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 포함한 표시 장치 |
| CN109148505B (zh) * | 2018-08-23 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种顶发射MircroLED显示面板及其制造方法 |
| TWI711352B (zh) * | 2019-01-15 | 2020-11-21 | 新宸科技股份有限公司 | 顯示裝置用的導電板 |
| TWI699903B (zh) * | 2019-05-17 | 2020-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製造方法 |
| US10861381B1 (en) * | 2019-06-06 | 2020-12-08 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro light-emitting diode display having two or more types of data lines |
| CN110853531B (zh) * | 2019-11-21 | 2021-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示用驱动背板及其制备方法、显示面板 |
| CN111211143A (zh) * | 2020-01-13 | 2020-05-29 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管显示背板及其制造方法 |
| US11476301B2 (en) * | 2020-01-14 | 2022-10-18 | Au Optronics Corporation | Display apparatus and manufacturing method thereof |
| US11804582B2 (en) * | 2020-04-21 | 2023-10-31 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Light-emitting diode chip structures with reflective elements |
| AU2021259592A1 (en) | 2020-04-21 | 2022-12-08 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Light-emitting diode chip structures with reflective elements |
| WO2021247894A1 (en) | 2020-06-03 | 2021-12-09 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Systems and methods for multi-color led pixel unit with horizontal light emission |
| WO2021247887A1 (en) | 2020-06-03 | 2021-12-09 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Systems and methods for multi-color led pixel unit with vertical light emission |
| CN112117357B (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| US11811000B2 (en) * | 2020-12-30 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming light emitting diodes |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101067698A (zh) * | 2006-02-23 | 2007-11-07 | 三星电子株式会社 | 发光二极管基板及其制造方法以及液晶显示器装置 |
| CN101447495A (zh) * | 2007-11-28 | 2009-06-03 | 东部高科股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| CN101689559A (zh) * | 2008-06-06 | 2010-03-31 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示屏及其制造方法 |
| KR20120049512A (ko) * | 2010-11-09 | 2012-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 소자의 제조 방법 |
| CN102956627A (zh) * | 2011-08-30 | 2013-03-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装结构 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4000704B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2007-10-31 | オムロン株式会社 | 導光板 |
| TW595030B (en) * | 2003-07-07 | 2004-06-21 | Au Optronics Corp | OLED display panel and its manufacturing method |
| JP4555727B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2010-10-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
| TWI323513B (en) * | 2007-01-24 | 2010-04-11 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Display panel and method for manufacturing thin film transistor substrate thereof |
| TWI462634B (zh) * | 2009-04-24 | 2014-11-21 | Chi Mei El Corp | 有機發光二極體之封蓋基板及顯示面板與製造方法 |
| US8692742B2 (en) * | 2009-09-01 | 2014-04-08 | Au Optronics Corporation | Pixel driving circuit with multiple current paths in a light emitting display panel |
| JP2012174939A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 発光装置 |
| CN103208241B (zh) * | 2013-04-02 | 2015-04-15 | 长春希达电子技术有限公司 | 双面复合式led显示单元板及其封装方法 |
| US8987765B2 (en) * | 2013-06-17 | 2015-03-24 | LuxVue Technology Corporation | Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device |
-
2013
- 2013-10-30 TW TW102139389A patent/TWI467528B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-12-19 CN CN201310702844.6A patent/CN103794617B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-12 US US14/302,430 patent/US20150115293A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101067698A (zh) * | 2006-02-23 | 2007-11-07 | 三星电子株式会社 | 发光二极管基板及其制造方法以及液晶显示器装置 |
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