KR20180065162A - 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법 - Google Patents

디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180065162A
KR20180065162A KR1020160165631A KR20160165631A KR20180065162A KR 20180065162 A KR20180065162 A KR 20180065162A KR 1020160165631 A KR1020160165631 A KR 1020160165631A KR 20160165631 A KR20160165631 A KR 20160165631A KR 20180065162 A KR20180065162 A KR 20180065162A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrodes
emitting diodes
electrode
substrate
Prior art date
Application number
KR1020160165631A
Other languages
English (en)
Inventor
채종현
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울바이오시스 주식회사 filed Critical 서울바이오시스 주식회사
Priority to KR1020160165631A priority Critical patent/KR20180065162A/ko
Priority to US15/835,362 priority patent/US20180166470A1/en
Publication of KR20180065162A publication Critical patent/KR20180065162A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133612—Electrical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 규칙적으로 배열된 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광부; 및 상기 복수의 발광 다이오드를 구동시키는 복수의 TFT를 포함하는 TFT 패널부를 포함하고, 상기 발광부는, 기판; 상기 기판 상에 규칙적으로 배열된 복수의 전극; 상기 기판 상에 규칙적으로 배열되고, 상기 복수의 전극과 이격 배치된 복수의 발광 다이오드; 및 상기 복수의 전극과 상기 복수의 발광 다이오드 각각을 전기적으로 연결하는 복수의 인쇄연결전극을 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 질화물 반도체를 이용한 마이크로 발광 다이오드를 사용하여 디스플레이 장치를 구성하여, 높은 해상도와 낮은 소비전력 그리고 효율이 높은 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 그에 따라 웨어러블 장치나 다양한 장치에 이용할 수 있다.

Description

디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법{DISPLAY APPARATUS AND CONNECTING METHOD OF LIGHT EMITTING PART THEREOF}
본 발명은 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마이크로 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합으로 발생되는 광을 외부로 방출하는 무기 반도체 소자이다. 최근, 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명과 같은 다양한 분야에 사용되며, 그 범위가 점차 넓어지고 있다.
발광 다이오드는 수명이 길고, 소비전력이 낮으며, 응답속도가 빠른 장점이 있다. 그에 따라 발광 다이오드를 이용한 발광 장치는 다양한 분야에서 광원으로 이용할 수 있다.
특히, 최근 스마트 텔레비전이나 모니터에 이용되는 디스플레이 장치는 TFT-LCD 패널을 이용하여 색을 재현하고, 재현된 색을 방출하기 위한 백라이트 광원으로 발광 다이오드를 이용한다. 또는, OLED를 이용하여 디스플레이 장치를 제조하는 경우도 있다.
TFT-LCD 패널에 백라이트 광원으로 발광 다이오드가 이용되는 경우, 한 개의 발광 다이오드는 TFT-LCD 패널의 수많은 픽셀에 광을 조사하는 광원으로 이용된다. 이 경우, TFT-LCD 패널의 화면에 어떤 색이 표시되더라도 백라이트 광원은 항상 켜진 상태를 유지해야되므로, 그로 인해 디스플레이되는 화면이 밝거나 어두운 것에 상관없이 일정한 소비전력이 소비되는 문제가 있다.
또한, OLED를 이용한 디스플레이 장치의 경우, 기술발전을 통해 지속적으로 소비전력이 낮아지고 있지만, 아직까지도 무기반도체 소자인 발광 다이오드에 비해 상당히 큰 소비전력이 소비되고 있어, 효율성이 떨어지는 문제가 있다.
더욱이, TFT를 구동하기 위한 방식 중 PM 구동방식을 이용한 OLED 디스플레이 장치는 큰 용량을 가진 유기 EL을 PAM(pulse amplifier modulation) 방식으로 제어함에 따라 응답속도가 낮아지는 문제가 발생할 수 있다. 그리고 낮은 듀티(duty)를 구현하기 위해 PWM(pulse width modulation) 방식으로 제어를 하는 경우, 고전류 구동이 요구되어 수명저하가 발생하는 문제가 있다.
또한, TFT를 구동하기 위한 방식 중 AM 구동방식을 이용한 OLED 디스플레이 장치는 각 픽셀마다 TFT를 연결하는데, 그에 따라 생산비용이 증가될 수 있고, TFT 특성에 따라 휘도가 불균일해질 수 있는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 웨어러블 장치나 스마트폰 또는 텔레비전 등에 적용할 수 있으며, 소비전력이 낮은 마이크로 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 디스플레이 장치의 발광 다이오드에 전원을 공급하기 위한 전극을 연결하는 전극 연결 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 규칙적으로 배열된 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광부; 및 상기 복수의 발광 다이오드를 구동시키는 복수의 TFT를 포함하는 TFT 패널부를 포함하고, 상기 발광부는, 기판; 상기 기판 상에 규칙적으로 배열된 복수의 전극; 상기 기판 상에 규칙적으로 배열되고, 상기 복수의 전극과 이격 배치된 복수의 발광 다이오드; 및 상기 복수의 전극과 상기 복수의 발광 다이오드 각각을 전기적으로 연결하는 복수의 인쇄연결전극을 포함할 수 있다.
그리고 상기 복수의 전극과 복수의 발광 다이오드 사이에 배치된 인쇄절연부를 더 포함하고, 상기 복수의 인쇄연결전극은 상기 인쇄절연부 상에 배치될 수 있다.
이때, 상기 인쇄절연부의 두께는 상기 복수의 발광 다이오드 두께보다 두껍거나 동일한 두께를 가질 수 있으며, 상기 인쇄절연부는 컨포멀 코팅(conformal coating)될 수 있다.
그리고 상기 인쇄절연부는 투명한 소재일 수 있다.
또한, 상기 복수의 인쇄연결전극은 상기 복수의 전극 및 복수의 발광 다이오드 중 인접한 전극과 발광 다이오드를 전기적으로 연결할 수 있으며, 상기 복수의 인쇄연결전극은 투명한 소재일 수 있다.
그리고 상기 인쇄절연부 또는 인쇄연결전극은 마이크로 잉크젯 프린터에 의해 인쇄될 수 있다.
여기서, 상기 전극은 제2 전극이고, 상기 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 전극 연결 방법은, 기판 상에 규칙적으로 배열된 복수의 발광 다이오드 및 복수의 전극 사이에 인쇄절연부를 마이크로 잉크젯 프린터를 이용하여 인쇄하는 단계; 및 상기 복수의 발광 다이오드와 복수의 전극 각각을 전기적으로 연결하기 위해 상기 인쇄절연부 상에 복수의 인쇄연결전극을 마이크로 잉크젯 프린터를 이용하여 인쇄하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 인쇄절연부는 투명 절연성 에폭시일 수 있으며, 상기 인쇄연결전극은 투명 도전성 에폭시일 수 있고, 또는, 상기 인쇄연결전극은 ITO, ZnO 및 Ag 나노와이어 중 어느 하나일 수 있다.
그리고 상기 인쇄절연부를 인쇄하는 단계는, 복수의 발광 다이오드 및 복수의 전극 사이 각각에 복수의 인쇄절연부를 인쇄하는 단계이며, 상기 복수의 인쇄절연부는 서로 이격될 수 있다.
또한, 상기 복수의 인쇄연결전극은 서로 이격될 수 있다.
본 발명에 의하면, 질화물 반도체를 이용한 마이크로 발광 다이오드를 사용하여 디스플레이 장치를 구성하여, 높은 해상도와 낮은 소비전력 그리고 효율이 높은 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 그에 따라 웨어러블 장치나 다양한 장치에 이용할 수 있다.
더욱이, 디스플레이 장치의 마이크로 발광 다이오드에 전원을 공급하기 위한 전극을 연결하기 위해 마이크로 잉크젯 프린터를 이용하여 투명 전도성 에폭시를 전극들 사이에 프린팅하여 연결함으로써, 마이크로 발광 다이오드의 전극을 간편하게 전기적으로 연결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광부의 전극 연결을 위한 과정을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는, 발광부(110) 및 TFT 패널부(140)를 포함한다.
발광부(110)는 발광 다이오드(112), 전극(114), 기판 전극(116), 절연부(118), 연결전극(120) 및 기판(122)을 포함한다.
발광 다이오드(112)는 복수 개가 구비되고, 규칙적으로 기판(122) 상에 배열된다. 일례로, 복수의 발광 다이오드(112)는 행과 열을 따라 일정한 간격으로 이격된 상태를 유지하며 배열될 수 있다. 이렇게 복수의 발광 다이오드(112)가 배열됨에 따라 복수의 발광 다이오드(112)들은 디스플레이 장치(100)의 복수의 픽셀로 형성될 수 있다. 본 실시예에서 하나의 픽셀(pixel)은 세 개 또는 네 개의 서브픽셀(subpixel)을 가질 수 있고, 각 서브픽셀에 하나의 발광 다이오드(112)가 배치된 것에 대해 설명한다. 이때, 본 실시예는 각 서브픽셀에 하나의 발광 다이오드(112)가 배치된 것에 대해 설명하지만, 필요에 따라 하나의 서브픽셀에 둘 이상의 발광 다이오드(112)가 배치될 수 있다.
그리고 하나의 서브픽셀의 크기는 각 서브픽셀 내에 배치된 발광 다이오드(112)의 크기보다 상대적으로 클 수 있고, 각 서브픽셀의 크기는 서로 같을 수 있다.
발광부(110)는 외부에서 각 발광 다이오드(112)에 전원이 인가되면, 인가된 전원에 의해 각 발광 다이오드(112)가 점멸될 수 있으며, 그 자체로 디스플레이 장치(100)로 구동될 수 있다. 즉, 발광부(110)에 포함된 발광 다이오드(112)가, 청색 발광 다이오드, 녹색 발광 다이오드 및 적색 발광 다이오드가 이용되면, 별도의 LCD가 없더라도 그 자체로 디스플레이 장치(100)로 구동될 수 있다. 이때, 청색 발광 다이오드는 청색광을 방출하는 다이오드이고, 녹색 발광 다이오드는 녹색광을 방출하는 다이오드일 수 있다. 또한, 적색 발광 다이오드는 GaAs 기반의 적색 발광 다이오드가 이용되거나, 청색 발광 다이오드와 적색 형광체의 조합으로 구성될 수 있다. 적색 형광체는 청색 발광 다이오드에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출시킬 수 있다.
본 실시예에서 발광 다이오드(112)는 각각, n형 반도체층(23), 활성층(25) 및 p형 반도체층(27)을 포함할 수 있다. 이때, n형 반도체층(23), 활성층(25) 및 p형 반도체층(27)은 각각 III-V족 계열의 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 일례로, (Al, Ga, In)N이나 (Al, Ga, In)As 또는 (Al, Ga, In)P 등과 같은 질화물 반도체를 포함할 수 있다. 여기서, n형 반도체층(23)과 p형 반도체층(27)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.
n형 반도체층(23)은 n형 불순물(예컨대, Si)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있고, p형 반도체층(27)은 p형 불순물(예컨대, Mg)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있다. 활설층은 n형 반도체층(23)과 p형 반도체층(27) 사이에 개재되고, 다중 양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있으며, 원하는 피크 파장의 광을 방출할 수 있게 조성비가 결정될 수 있다.
또한, 본 실시예에서 발광 다이오드(112)는 수직형 발광 다이오드(112)의 형상을 가질 수 있다. 그에 따라 n형 반도체층(23)의 외면에 n형 전극이 배치될 수 있고, p형 반도체층(27)의 외면에 p형 전극이 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 p형 전극이 생략되고, n형 전극만 n형 반도체층(27)의 상부에 전극(114)으로 배치된 것에 대해 설명한다. 전극(114)은 n형 반도체층(27) 상부에 배치되며, n형 반도체층(27)의 너비에 비해 상대적으로 작은 너비를 가질 수 있다.
기판 전극(116)은 하나의 서브픽셀에 대한 영역을 설정할 수 있게 배치되며, 전기적으로 도전성을 가질 수 있다. 기판 전극(116)은 복수개가 기판(122) 상에 규칙적으로 배열될 수 있고, 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 규칙적으로 배열된 복수의 기판 전극(116)에 의해 형성된 영역 각각이 하나의 서브픽셀일 수 있으며, 복수의 발광 다이오드(112)는 규칙적으로 배열된 복수의 기판 전극(116) 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에서 기판 전극(116)의 높이가 발광 다이오드(112)보다 작은 것으로 도시하였지만, 필요에 따라 기판 전극(116)의 높이는 발광 다이오드(112)의 높이보다 클 수 있다. 이렇게 기판 전극(116)의 높이가 발광 다이오드(112)보다 큰 경우, 발광 다이오드(112)에서 방출된 광이 기판 전극(116)에서 반사되어 인접한 발광 다이오드(112)에서 방출된 광과 혼합되지 않고, 각각 상부로 방출될 수 있다. 이때, 기판 전극(116)의 측면은 경사면일 수 있다.
절연부(118)는 발광 다이오드(112)와 기판 전극(116) 사이에 배치되며, 발광 다이오드(112)와 기판 전극(116)이 직접 전기적으로 접촉되는 것을 방지할 수 있다. 절연부(118)는 발광 다이오드(112)의 상면 일부와 측면을 덮고, 기판 전극(116)의 상면 일부와 측면을 덮도록 배치될 수 있다. 발광 다이오드(112)의 상면에 절연부(118)가 덮도록 배치될 때, 절연부(118)와 전극(114)은 서로 접촉되지 않을 수 있다.
그리고 본 실시예에서 절연부(118)는 마이크로 잉크젯 프린터에 의해 스크린 인쇄 방식으로 인쇄될 수 있다. 이때, 절연부(118)는 투명 절연 에폭시를 포함할 수 있다. 마이크로 잉크젯 프린터를 이용하여 발광 다이오드(112)와 기판 전극(116) 사이에 절연부(118)가 배치되도록 국소적으로 프린팅하여 형성할 수 있고, 필요에따라 발광 다이오드(112)와 기판 전극(116)을 따라 연속적으로 프린팅하여 절연부(118)를 형성할 수도 있다.
기판(122)은 발광부(110)를 지지하는 역할을 하는 기판으로, 다양한 종류의 기판이 이용될 수 있다. 기판은 TFT 패널부의 상에 절연층 및 메탈이 교차로 적층된 구조를 가질 수 있다. 그에 따라 기판은 발광부와 TFT 패널부를 전기적으로 연결할 수 있다.
또는, 기판(122)은 전체적으로 절연성을 가지며, 일부가 도전성을 가지는 도전부재를 포함할 수 있다. 이때, 도전부재는 기판(122)의 상면에서 하면까지 관통하여 상부와 하부가 통전되도록 배치된다. 이러한 기판(122)의 제조는 전기적으로 절연성을 가지는 절연성 기판에 상하로 관통하는 다수의 홀을 형성하고, 다수의 홀에 도전성 재료(예컨대, Cu, Au 및 Ag 중 하나 이상)를 채워 제조할 수 있다. 그에 따라 기판(122)은 다수의 도전부재를 포함하고, 각 도전부재들은 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
상기와 같이, 기판(122)이 도전부재를 포함하는 경우, 복수의 발광 다이오드(112)는 기판(122)의 도전부재 상에 배치될 수 있다. 복수의 발광 다이오드(112)의 p형 반도체층(27)이 기판(122)의 도전부재에 접착부 등에 의해 고정될 수 있다. 그리고 기판 전극(116)은 기판(122)의 복수의 발광 다이오드(112)가 배치되지 않은 도전부재와 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고 기판(122)은 가요성(flexible)일 수 있으며, 기판(122)의 절연성을 가지는 부분은 PDMS(poly dimethylpolysiloxane), 폴리이미드(polyimide) 또는 세라믹(ceramic) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이렇게 기판(122)이 가요성임에 따라 디스플레이 장치(100)는 평면 형상 또는 곡면 형상을 가질 수 있다.
연결전극(120)은 발광 다이오드(112)의 전극(114)과 전기적으로 접촉될 수 있고, 또한, 기판 전극(116)과 전기적으로 접촉될 수 있다. 본 실시예에서 연결전극(120)은 절연부(118) 상에 배치되며, 전극(114)을 덮고 기판 전극(116)의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 그에 따라 연결전극(120)에 의해 전극(114)과 기판 전극(116)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
연결전극(120)은 절연부(118)와 마찬가지로, 마이크로 잉크젯 프린터에 의해 스크린 인쇄방식으로 인쇄되어 형성될 수 있다. 이때, 연결전극(120)은 투명 도전성 에폭시를 포함할 수 있고, 필요에 따라 ITO, ZnO 및 Ag 나노와이어 등의 투명한 전도체를 포함할 수도 있다. 전극(114)과 기판 전극(116)을 전기적으로 연결하기 위해 연결전극(120)을 스크린 인쇄 방식으로 인쇄하더라도 하부에 배치된 절연부(118)에 의해 발광 다이오드(112)의 측면과 기판 전극(116)이 전기적으로 절연될 수 있다.
또한, 도면에서 절연부(118) 및 연결전극(120)이 소정의 두께를 가지는 것으로 도시하였지만, 스크린 인쇄방식으로 인쇄함에 따라 절연부(118) 및 연결전극(120)의 두께는 필요에 따라 조절할 수 있다. 또는, CVD(chemical vapor deposition)나 PCD(physical vapor deposition) 등의 박막필름 공정을 하는 경우, 절연부(118)는 컨포멀 코팅(conformal coating)될 수 있다.
절연부(118)는 발광 다이오드(112)의 측면을 완전히 덮을 수 있는 두께로 인쇄될 수 있다. 또한, 본 실시예에서 상부에 연결전극(120)이 배치되는 위치에만 절연부(118)가 배치된 것에 대해 설명하지만, 필요에 따라 연결전극(120)이 배치되지 않는 발광 다이오드(112)와 기판 전극(116) 사이에도 절연부(118)가 배치될 수 있다.
TFT 패널부(140)는 발광부(110)와 결합되고, 발광부(110)에 전원을 공급하기 위해 구비된다. TFT 패널부(140)는 발광부(110)에 공급되는 전원을 제어하여 발광부(110)에 포함된 복수의 발광 다이오드(112) 중 일부를 발광시킬 수 있으며, 발광된 발광 다이오드(112)의 광량을 조절할 수 있다.
TFT 패널부(140)는 내부에 TFT 구동회로를 포함할 수 있다. TFT 구동회로는 액티브 매트릭스(AM, active matrix) 구동을 위한 회로일 수 있고, 또는 패시브 매트릭스(PM, passive matrix) 구동을 위한 회로일 수 있다.
상기와 같은 TFT 구동회로는 발광부(110)의 발광 다이오드(112) 및 기판 전극(116)과 전기적으로 연결될 수 있다. TFT 구동회로는 기판(122)을 통해 발광 다이오드(112) 및 기판 전극(116)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 본 실시예에서 발광부(110)와 TFT 패널부(140)는 이방성 전도필름(anisotropic conductive film)을 통해 전기적으로 결합될 수 있다. 이방성 전도필름은 절연성을 갖는 접착성 유기재료를 포함할 수 있고, 전기적 연결을 위해 내부에 균일하게 분산 배치된 도전성 입자를 포함할 수 있다. 그에 따라 이방성 전도필름은 두께 방향으로 도전성을 가질 수 있으며, 면 방향으로 절연성을 가지는 성질을 가질 수 있다. 또한, 접착성이 있어, 발광부(110)와 TFT 패널부(140)를 서로 결합시킬 수 있다. 이러한 이방성 전도필름은 고온으로 솔더링하기 어려운 전극을 결합시키는데, 유용할 수 있다.
본 실시예에서 상기와 같이, 발광부(110)와 TFT 패널부(140)를 포함하여 디스플레이 장치(100)를 구성할 수 있으며, 또한, 발광부(110) 상에 보호기판(130)을 더 포함할 수 있다. 보호기판(130)은 발광부(110)와 직접 접촉하여 발광부(110)를 외부로부터 보호할 수 있다.
또한, 발광부(110)와 보호기판(130) 사이에 광변환부를 더 포함할 수 있다. 광변환부는 발광부(110)에서 방출된 광을 그대로 방출하거나 소정의 광으로 변환할 수 있고, 일부 파장의 광을 차단할 수도 있다. 이를 위해, 광변환부는 형광체층 및 컬러필터 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 발광부(110)에 포함된 발광 다이오드(112)가 청색광을 방출하는 청색 발광 다이오드이며, 광변환부는 청색광을 녹색광으로 파장변환하여 방출하기 위한 녹색 형광체층 및 청색광을 적색광으로 파장변환하여 방출하기 위한 적색 형광체층을 포함할 수 있다. 그에 따라 외부로 청색광, 녹색광 및 적색광을 방출시킬 수 있다.
그리고 컬러필터는 투과하는 광에서 청색광을 제외한 나머지 파장의 광을 차단할 수 있는 청색광부, 투과하는 광에서 녹색광을 제외한 나머지 파장의 광을 차단할 수 있는 녹색광부 및 투과하는 광에서 적색광을 제외한 넘지 파장의 광을 차단할 수 있는 적색광부 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
도 2 내지 도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광부의 전극 연결을 위한 과정을 설명하기 위한 도면이다. 도 2는 디스플레이 장치의 발광부를 도시한 단면도 및 평면도이고, 도 3은 발광부에 절연부(118)를 형성한 것을 도시한 단면도 및 평면도이며, 도 4는 절연부(118) 상에 연결전극(120)을 형성한 것을 도시한 단면도 및 평면도이다.
도 2의 (a) 및 도 2의 (b)를 참조하면, 기판(122) 상에 복수의 발광 다이오드(112) 및 기판 전극(116)이 규칙적으로 배치된다. 복수의 발광 다이오드(112)는 복수의 기판 전극(116)들 사이에 각각 배치될 수 있다. 그리고 발광 다이오드(112)와 기판 전극(116)은 서로 일정 간격이 이격된 상태로 배치될 수 있다.
도 3의 (a)를 참조하면, 발광 다이오드(112)와 기판 전극(116) 사이에 절연부(118)가 형성될 수 있다. 절연부(118)는 마이크로 잉크젯 프린터를 이용하여 인쇄될 수 있다. 마이크로 잉크젯 프린터를 이용하여 투명 절연성 에폭시가 발광 다이오드(112)와 기판 전극(116) 사이에 발광 다이오드(112) 및 기판 전극(116)의 일부와 기판(122)을 덮도록 인쇄될 수 있다.
이때, 절연부(118)는 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 하나의 발광 다이오드(112)를 기준으로 해당 발광 다이오드(112)가 배치된 위치에만 인쇄되어 형성될 수 있다. 또는, 필요에 따라 복수의 발광 다이오드(112)의 일부를 연속하여 덮도록 인쇄되어 형성될 수도 있다.
그리고 절연부(118)는 발광 다이오드(112)에서 방출된 광이 투과할 수 있게 투명한 소재가 이용되며, 마이크로 잉크젯 프린터에 의해 인쇄됨에 따라 에폭시 소재가 이용될 수 있다. 그 외에도 마이크로 잉크젯 프린터로 인쇄할 수 있는 소재이면 어떤 소재라도 이용될 수 있다. 이때, 절연부(118)의 두께는 발광 다이오드(112)의 두께보다 두껍거나 같은 두께로 형성될 수 있다.
절연부(118)는 상기에서 설명한 방법 외에도 다양한 방법으로 증착할 수 있다. 상기와 같이, 마이크로 잉크젯 프린터를 이용하여 인쇄할 수 있고, CVD(chemical vapor deposition) 또는 PVD(physical vapor deposition) 등의 기상증착법(vapor deposition)를 이용하여 절연부를 증착하고, 패터닝하여 형성할 수도 있다. 또한, 열 기화 증착을 이용하여 절연물질인 폴리머(polymer)를 증착하고 패턴팅하여 형성할 수 있으며, 감광성 폴리이미드(polyimide), SU8 및 BCB와 같은 감광성 유기 절연물질을 이용하여 인쇄 절연부를 형성할 수도 있다.
도 4의 (a)를 참조하면, 절연부(118)가 형성된 상부에 연결전극(120)이 형성될 수 있다. 연결전극(120)은 절연부(118)를 덮고, 발광 다이오드(112)의 상부에 배치된 전극(114)과 발광 다이오드(112)의 측 방향에 배치된 기판 전극(116)을 전기적으로 연결하도록 배치된다. 연결전극(120) 전극(114) 전체를 덮도록 형성될 수 있으며, 기판 전극(116)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다.
도 4의 (b)를 참조하면, 연결전극(120)은 절연부(118) 상부에 가로질러 배치되며, 전극(114)과 기판 전극(116)을 전기적으로 연결할 수 있게 형성된다. 이때, 연결전극(120)은 일 측이 발광 다이오드(112)의 상부에 배치된 전극(114)을 덮되, 발광 다이오드(112) 상부를 넘어가지 않는 위치까지 형성된다. 즉, 연결전극(120)의 길이 방향 일단은 발광 다이오드(112) 상부에 위치할 수 있다. 그리고 연결전극(120)의 타 측이 기판 전극(116)의 상부에 배치되되, 기판 전극(116)을 넘어가지 않는 위치까지 형성된다. 즉, 연결전극(120)의 길이 방향 타단은 기판 전극(116) 상부에 위치할 수 있다. 다시 말해, 연결전극(120)은 인접한 발광 다이오드(112)와 기판 전극(116)을 전기적으로 연결하기 위해 형성된다.
그에 따라 연결전극(120)은 각 발광 다이오드(112)에 각각 형성될 수 있어, 발광 다이오드(112)의 수에 대응되는 복수 개가 형성될 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
100: 디스플레이 장치
110: 발광부
112: 발광 다이오드 23: n형 반도체층
25: 활성층 27: p형 반도체층
114: 전극 116: 기판 전극
118: 절연부 120: 연결전극
122: 기판
130: 보호기판 140: TFT 패널부

Claims (15)

  1. 규칙적으로 배열된 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광부; 및
    상기 복수의 발광 다이오드를 구동시키는 복수의 TFT를 포함하는 TFT 패널부를 포함하고,
    상기 발광부는,
    기판;
    상기 기판 상에 규칙적으로 배열된 복수의 전극;
    상기 기판 상에 규칙적으로 배열되고, 상기 복수의 전극과 이격 배치된 복수의 발광 다이오드; 및
    상기 복수의 전극과 상기 복수의 발광 다이오드 각각을 전기적으로 연결하는 복수의 인쇄연결전극을 포함하는 디스플레이 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 전극과 복수의 발광 다이오드 사이에 배치된 인쇄절연부를 더 포함하고,
    상기 복수의 인쇄연결전극은 상기 인쇄절연부 상에 배치된 디스플레이 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 인쇄절연부의 두께는 상기 복수의 발광 다이오드 두께보다 두껍거나 동일한 두께를 가지는 디스플레이 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 인쇄절연부는 컨포멀 코팅(conformal coating)된 디스플레이 장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 인쇄절연부는 투명한 소재인 디스플레이 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 인쇄연결전극은 상기 복수의 전극 및 복수의 발광 다이오드 중 인접한 전극과 발광 다이오드를 전기적으로 연결하는 디스플레이 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 인쇄연결전극은 투명한 소재인 디스플레이 장치.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 인쇄절연부 또는 인쇄연결전극은 마이크로 잉크젯 프린터에 의해 인쇄된 디스플레이 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 전극은 제2 전극이고, 상기 발광 다이오드는,
    제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층; 및
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극을 포함하는 디스플레이 장치.
  10. 기판 상에 규칙적으로 배열된 복수의 발광 다이오드 및 복수의 전극 사이에 인쇄절연부를 마이크로 잉크젯 프린터를 이용하여 인쇄하는 단계; 및
    상기 복수의 발광 다이오드와 복수의 전극 각각을 전기적으로 연결하기 위해 상기 인쇄절연부 상에 복수의 인쇄연결전극을 마이크로 잉크젯 프린터를 이용하여 인쇄하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 전극 연결 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 인쇄절연부는 투명 절연성 에폭시인 디스플레이 장치의 전극 연결 방법.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 인쇄연결전극은 투명 도전성 에폭시인 디스플레이 장치의 전극 연결 방법.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 인쇄연결전극은 ITO, ZnO 및 Ag 나노와이어 중 어느 하나인 디스플레이 장치의 전극 연결 방법.
  14. 청구항 10에 있어서,
    상기 인쇄절연부를 인쇄하는 단계는, 복수의 발광 다이오드 및 복수의 전극 사이 각각에 복수의 인쇄절연부를 인쇄하는 단계이며,
    상기 복수의 인쇄절연부는 서로 이격된 디스플레이 장치의 전극 연결 방법.
  15. 청구항 10에 있어서,
    상기 복수의 인쇄연결전극은 서로 이격된 디스플레이 장치의 전극 연결 방법.
KR1020160165631A 2016-12-07 2016-12-07 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법 KR20180065162A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160165631A KR20180065162A (ko) 2016-12-07 2016-12-07 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법
US15/835,362 US20180166470A1 (en) 2016-12-07 2017-12-07 Display apparatus and connecting method of light emitting part thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160165631A KR20180065162A (ko) 2016-12-07 2016-12-07 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180065162A true KR20180065162A (ko) 2018-06-18

Family

ID=62489712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160165631A KR20180065162A (ko) 2016-12-07 2016-12-07 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20180166470A1 (ko)
KR (1) KR20180065162A (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
US10811460B2 (en) 2018-09-27 2020-10-20 Lumileds Holding B.V. Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11271033B2 (en) 2018-09-27 2022-03-08 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10964845B2 (en) 2018-09-27 2021-03-30 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10923628B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Lumileds Llc Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11561431B2 (en) 2019-07-29 2023-01-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Binding backplane and manufacturing method thereof, backlight module and display device
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
US11935987B2 (en) 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3826605B2 (ja) * 1999-03-08 2006-09-27 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の実装構造の製造方法、液晶装置、および電子機器
TW574739B (en) * 2001-02-14 2004-02-01 Nitto Denko Corp Thermosetting resin composition and semiconductor device using the same
TWM243783U (en) * 2003-06-30 2004-09-11 Innolux Display Corp Structure of chip on glass
CN100543803C (zh) * 2003-11-28 2009-09-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置的制造方法
US20070090387A1 (en) * 2004-03-29 2007-04-26 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits
JP2005340765A (ja) * 2004-04-30 2005-12-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子
WO2006067955A1 (ja) * 2004-12-21 2006-06-29 Hitachi Chemical Co., Ltd. 酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤の製造方法、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び光半導体装置
US20060207720A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-21 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method of inkjet head, and adhesive agent composition
KR101991006B1 (ko) * 2009-10-08 2019-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI414088B (zh) * 2009-12-16 2013-11-01 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
US8198109B2 (en) * 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
EP2741341B1 (en) * 2011-08-01 2022-11-23 Shikoku Instrumentation Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
TWI467528B (zh) * 2013-10-30 2015-01-01 Au Optronics Corp 發光二極體顯示面板及其製作方法
CN103992728A (zh) * 2014-04-17 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 导电材料及配制方法、彩色滤光片及制备方法、显示装置
KR101614370B1 (ko) * 2015-04-07 2016-04-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 이송 헤드, 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20180166470A1 (en) 2018-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180065162A (ko) 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법
CN109923673B (zh) 显示装置
US11024786B2 (en) Display apparatus and manufacturing method thereof
CN109219886B (zh) 显示装置及其制造方法
US11985856B2 (en) Display apparatus
US11764253B2 (en) Light-emitting diode unit for display comprising plurality of pixels and display device having same
EP2893773B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
US10236280B2 (en) Light emitting device package and display device using the same
KR102039838B1 (ko) 마이크로 ｌｅｄ 디스플레이 화소 조립체 및 이의 제조방법
JP6521610B2 (ja) 画像表示装置
KR20180053864A (ko) 마이크로 ｌｅｄ 디스플레이 화소 조립체 및 이의 제조방법
KR20220051195A (ko) 평면 패널 디바이스 전극 구조
KR20220040101A (ko) 마이크로 led 및 이를 구비한 디스플레이 모듈
KR100934261B1 (ko) 유기전계발광표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal