CN101711405B - 制造可寻址及静态电子显示器、发电或其它电子装置的方法 - Google Patents

制造可寻址及静态电子显示器、发电或其它电子装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101711405B
CN101711405B CN2008800180327A CN200880018032A CN101711405B CN 101711405 B CN101711405 B CN 101711405B CN 2008800180327 A CN2008800180327 A CN 2008800180327A CN 200880018032 A CN200880018032 A CN 200880018032A CN 101711405 B CN101711405 B CN 101711405B
Authority
CN
China
Prior art keywords
diodes
conductor
conductors
diode
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008800180327A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101711405A (zh
Inventor
威廉·约翰斯顿·雷
马克·D·洛文索
大卫·R·包登
尼尔·O·莎顿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NthDegree Technologies Worldwide Inc
Original Assignee
NthDegree Technologies Worldwide Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/756,619 external-priority patent/US7972031B2/en
Priority claimed from US11/756,616 external-priority patent/US8889216B2/en
Application filed by NthDegree Technologies Worldwide Inc filed Critical NthDegree Technologies Worldwide Inc
Publication of CN101711405A publication Critical patent/CN101711405A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101711405B publication Critical patent/CN101711405B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/142—Energy conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了制造一种电子显示器、发电或其它电子装置的方法。该示范性的方法包括在基板的多个孔洞之内沉积第一导电媒介以形成多个第一导体。在一种悬浮的媒介中的多个电子组件是接着沉积在该多个孔洞之内，而该多个电子组件是使用一种外加场来定向，接下来是将该多个电子组件黏合至该多个第一导体。一种第二、光学穿透式导电媒介是接着沉积并黏合至该多个电子组件。

Description

制造可寻址及静态电子显示器、发电或其它电子装置的方法
技术领域
本发明大致上是关于电子显示技术，且更特别地是关于可印刷或是涂布在许多种类的基板上的电子显示或发电技术，而该电子显示技术进一步可用许多的形式来进行电子化寻址以作为实时的信息显示。
背景技术
显示技术包括了电视阴极射线管、等离子体显示器以及许多形式的平面显示器。典型的电视阴极射线管显示器是利用一种发光涂布层，而该发光涂布层典型地称为一种在内层、前表面上的磷光层，并且可由扫描式电子束来提供能量，且通常是以一种称为光栅扫描来作为典型。上述的电视显示器具有大而且很深的外观尺寸，因而使得它们在许多用途上并不适合。
其它经常用来作为电视的显示器，例如等离子体显示器，虽然具有相对较平坦的外观尺寸，但却需要复杂的等离子体放电格数组，其中该等离子体放电格内部包含了一种特定的气体或是气体混合物。使用列及行来寻址用以选择画面元素(或像素)时，当将这些放电格激发，而放电格内所包含的气体会被离子化并发射出紫外光，因而导致包含了相对应的彩色磷光层的像素或是次像素而可发射出光。由于需要大量的内含气体以及线状磷光层的放电格，此类显示器因为在制造上过于复杂且昂贵因而也使得它们在许多用途上并不适合。
其它较新的显示技术，例如主动以及被动矩阵式液晶显示器(“LCD“)，也包括了上述的像素寻址能力，亦即具有可个别地对一个特定的画面元素进行寻址的能力。像这样的显示器包括了复杂的晶体管层数组、LCD、垂直偏极滤光片以及水平偏极滤光片。在上述的显示器中，通常会有电源是常开的且可发射出光的发光源，而所发射的光可藉由在LCD矩阵中对特定的LCD进行寻址来实际上控制光的穿透。然而，上述的寻址过程是通过额外的晶体管层来完成，而该额外的晶体管层可对特定的像素控制成开与关的状态。
目前，除了别的以外，上述显示器或发电机的制造需要半导体的制造技术来制造出控制用的晶体管。为了制造出该液晶层以及许多偏光层需要很多种类的技术。同样地，LCD显示器在制造上也是很复杂且昂贵的，因而在许多用途上并不适合。
由此可知，对于可提供实质上较大的外观尺寸并且适合作为例如室外招牌的应用的大型电子显示器，仍然持续会有需求。此外，对于各种应用而言，上述的电子显示器应该可提供一层可印刷的表面，而该可印刷的表面可用在照亮影像的直接涂布。上述的电子显示器也应该提供具有可承受典型的环境条件的能力的显著耐久性，特别是对于户外的应用或是其它具有在可变条件的环境下的应用。另一版本的电子装置应该提供发电能力，举例来说，使用光生伏打二极管。
对于具备了像素寻址的能力、动态改变信息显示的动态电子显示器仍然持续会有进一步的需求。上述的显示器进一步应该可以使用印刷或是镀膜的技术来制造，而不是使用复杂而且昂贵的半导体制造技术来制造。上述的显示器应该能够以一系列的尺寸来制造，从相对于行动电话用的显示器的尺寸到广告看板用的显示器(或是更大)的尺寸。上述的显示器也应该是坚固耐用的而且能够在许多条件下运作。
发明内容
本发明的示范性具体实例提供了一种新式的电子显示器以及使用印刷与涂布技术来制造此显示器的新方法。该新发明的电子显示器可为局部或是静态的显示，例如可用在招牌，或者该电子显示器可为可寻址式，例如用在不断变换的信息的显示上。该新发明的显示器可用各种尺寸来制造，从相对于行动电话用的显示器的尺寸到广告看板用的显示器(或是更大)的尺寸。该示范性的发明型显示器也是坚固耐用的而且能够在各种条件下运作，包括户外或是其它压力较大的环境的条件下。另一版本的电子装置应该提供发电能力，举例来说，使用光生伏打二极管。而另一版本的电子装置应该提供发光装置，举例来说，使用发光二极管。
在一个示范性的具体实例中，提供了制造一种电子装置的方法。该示范性的方法包含：在基板上沉积一层第一导电媒介以形成第一导体；沉积多个电子组件；使用一种外加场来将该多个电子组件定向；以及沉积一层第二、光学穿透式的导电媒介。
对于所选择的示范性具体实例而言，该基板具有多个孔洞，而该多个孔洞可与该基板一体成形。在各种应用上，该基板可为凸起化的。而在这些具体实例中，沉积该第一导电媒介的步骤进一步包含了将该第一导电媒介沉积在该多个孔洞中以形成多个第一导体。该多个孔洞可为至少是以下型式的孔洞当中的其中之一：信道式、沟槽式或者实质上是半球形状的凹处或钻孔。沉积该第二导电媒介的步骤也可进一步包含沉积该第二导电媒介以形成多个第二导体。该示范性的方法也可进一步包含将第三导电媒介沉积在该多个第二导体之上或是之内。
同样对于所选择的示范性具体实例而言，沉积该第一导电媒介的步骤进一步包含了以该第一导电媒介来涂布该多个孔洞并藉由使用刮刀来将该基板表面的一部份刮除以移除多余的第一导电媒介。同样地，沉积该多个电子组件的步骤进一步包含了以该多个电子组件来涂布该多个孔洞并藉由使用刮刀来将该基板表面的一部份刮除以移除多余的多个电子组件。
在一个示范性的具体实例中，该多个电子组件是悬浮在一种可黏合的媒介当中，而该可黏合的媒介在当该多个电子组件藉由外加场而被定向时可进行固化反应。典型地，该已固化的可黏合的媒介具有约大于一的介电常数，因此可在特定的应用当中提供至少某种程度的电绝缘。示范性的固化步骤包括(1)使用一种实质上均匀以及实质上固定的外加电磁场来将该可黏合的媒介固化；(2)使用一种外加的紫外线电磁场来将该可黏合的媒介固化；及/或(3)使用一种外加的可见光光谱的电磁场来将该可黏合的媒介固化。
在另外一个示范性的具体实例中，该多个电子组件是悬浮在一种溶剂当中。对于此具体实例而言，该示范性的方法进一步包含了将该溶剂蒸发；以及当该多个电子组件藉由外加场而被定向时，将该多个电子组件黏合至该多个第一导体。
对于特定的具体实例而言，该示范性的方法可进一步包含将该多个电子组件黏合至该第一导体，例如藉由桥接的方式来与该第一导体黏合或是在该第一导体之内进行黏合，或是藉由将该多个电子组件退火至该第一导体。
在一个示范性的具体实例中，该第一导电媒介是一种导电的墨水，而该导电墨水可藉由对其施加紫外线照射或是施加热量而进行固化。同样在一个示范性的具体实例中，该第二导电媒介是一种光学穿透式的高分子。
该所施加的外加场可为例如电场、磁场或是电磁场。此外，该示范性的方法可进一步包含在沉积该多个电子组件之后或是在该过程当中施加一种音场，或是在沉积该多个电子组件之后或是在该过程当中对该基板进行震动。
在一个示范性的具体实例中，该沉积的步骤进一步包含了至少是以下沉积型式中的其中一种：印刷、涂布、滚动、喷洒、分层、溅镀、层压、网板印刷、喷墨印刷、光电印刷、电子墨水印刷、光阻印刷、热印刷、激光印刷、磁性印刷、移印法、快干印刷、复合式平版印刷术、凹版印刷及/或印刷。
在另一个示范性的具体实例中，该光学穿透式的第二导电媒介形成了第二导体且该示范性的方法进一步包含了在该第二导体之上或是之内沉积第三导电媒介。
该多个电子组件举例来说可为任何形式或类型的二极管，举例来说，发光二极管(LED)、光生伏打二极管或晶体管。该电子装置举例来说可为一种可寻址式发光二极管显示器、一种静态或区域性可寻址式发光二极管显示器或是一种发光装置。亦例如电子装置也可以是电力发电机，举例来说，使用光生伏打二极管。多个电子组件可以包含任何适合的材料，举例来说，硅基(silicon-based)的光生伏打二极管或是砷化镓基(galliumarsenide-based)的LED，举例而无限制。
也可以提供不同形状或大小的多个电子组件，使其更适合用于在外加场中的调整，举例来说，高与瘦长(例如：100微米x 18-20微米x 20-40微米)；或是“蘑菇”形，其具有在塔形、较低部分之上的较宽、圆形的顶部；或是反转蘑菇形，其具有意欲滚动或旋转至直立部分的圆形底部部分，等等。那些擅长此技术的人将会了解，对于多个电子组件来说，广泛的形状、尺寸及组合皆为可得，且都在本发明范畴中，举例来说，对于任何特定应用所具有的尺寸、形状或组合。
在另一个示范性的具体实例中，制造一种电子装置的方法包含：在基板的多个孔洞内沉积第一导电媒介以形成多个第一导体；在该多个孔洞内沉积多个电子组件；使用一种外加场来将该多个电子组件定向；以及沉积一种光学穿透式的第二导电媒介以形成多个第二导体。
在另外一个示范性的具体实例中，制造一种可寻址式发光显示器的方法包含：在基板的多个孔洞内沉积第一导电媒介以形成多个第一导体；使用紫外线照射或是热量来施加在该第一导电媒介上以进行固化；在该多个孔洞内沉积多个发光电子组件，该多个发光电子组件是悬浮在一种黏合的媒介当中；使用一种外加场来将该多个发光电子组件定向；将该多个发光电子组件黏合至该多个第一导体；当该多个发光电子组件藉由外加场而被定向时将该黏合的媒介进行固化；沉积一种光学穿透式的第二导电媒介以形成可连接至该多个发光电子组件的多个第二导体；以及在该多个第二导体之上或之内沉积第三导电媒介。
在另外一个示范性的具体实例中，一种可寻址式的发光装置包含：具有多个孔洞的基板；连接至该基板且至少部份是在该孔洞之内的多个第一导体，该多个第一导体具有第一且实质上平行的方向；连接至该多个第一导体且具有实质上垂直于该第一方向的第二方向的多个发光二极管；以及连接至该多个发光二极管且具有实质上垂直于该第二方向且实质上垂直于该第一方向的第三方向的多个实质上光学穿透的第二导体。此外，多个第三导体可连接至该多个第二导体且具有该第三方向。一种已进行固化、光学穿透式以及电绝缘的材料可连接至该多个发光二极管的每一者。
在另外一个示范性的具体实例中，一种发光装置包含：基板；连接至该基板以形成一层单一的、第一导电层的第一导体，该第一导体具有第一且实质上平坦的方向；连接至该第一导体且具有实质上垂直于该第一方向的第二方向的多个光生伏打二极管；以及连接至该多个发光二极管以形成一层单一的、第二导电层的一种实质上光学穿透式的第二导体，该第二导体具有该第一且实质上平坦的方向。
该基板可实质上平坦的且具有少于两毫米的厚度。举例来说，该基板可包含至少是以下型式的基板的其中之一：纸、已涂布过的纸、塑料所涂布的纸、有凸点的纸、纤维纸、硬纸板、广告纸、广告看板、木头、塑料、橡胶、织布、玻璃、陶瓷、混凝土或是石头。
该多个孔洞可实质上是瘦长的且具有该第一方向。可选择地，该多个孔洞可实质上以及部份地半球形的且配置成数组。对于这个稍后的具体实例而言，该多个第一导体可进一步包含实质上配置在该多个孔洞之内的第一部份；以及实质上是瘦长的且配置成第一方向的第二部份。
在一个示范性的具体实例中，该多个第一导体可包含一种已固化的导电墨水或是已固化的导电高分子。举例来说，该多个第一导体可包含至少是以下型式的导体的其中一种，且这些导体均是已固化的形式：银导电墨水、铜导电墨水、金导电墨水、铝导电墨水、锡导电墨水、碳导电墨水或是导电高分子。同样地，该多个第一导体可包含一种光学穿透式高分子。举例来说，该多个第二导体可包含至少是以下型式的光学穿透式高分子中的其中之一：氧化锑锡、氧化铟锡或是聚伸乙基二氧噻吩。
在各种示范性的具体实例中，该多个发光或其它形式的二极管可藉由桥接的方式而连接至该多个第一导体或是包含在该多个第一导体之内，或者该多个发光二极管可退火至该多个第一导体或是在该多个第一导体之内进行退火。此外，该多个第一导体、该多个发光或其它形式的二极管以及该多个第二导体可通过印刷的过程来沉积。此外，举例来说，可以不对称地塑形各种二极管，以具有蘑菇结构或反转蘑菇结构或塔形结构。
在另外一个示范性的具体实例中，一种可寻址式的装置包含：具有多个孔洞的基板；连接至该基板且至少部份是在该孔洞之内的多个第一导体，而该多个第一导体具有第一且实质上平行的方向；连接至该多个第一导体且具有实质上垂直于该第一方向的第二方向的多个电子组件；以及连接至该多个电子组件且具有实质上垂直于该第二方向且实质上垂直于该第一方向的第三方向的多个第二导体。
在另外一个示范性的具体实例中，一种发光装置包含：基板；连接至该基板以形成一层单一的、第一导电层的第一导体，该第一导体具有第一且实质上平坦的方向；连接至该第一导体且具有实质上垂直于该第一方向的第二方向的多个发光二极管；以及连接至该多个发光二极管以形成一层单一的、第二导电层的一种实质上光学穿透式的第二导体，该第二导体具有该第一且实质上平坦的方向。
在另外一个示范性的具体实例中，提供一种装置，其包含：具有多个孔洞的基板；连接至该基板且至少部份是在该孔洞之内的多个第一导体，该多个第一导体具有第一且实质上平行的方向；连接至该多个第一导体且具有实质上垂直于该第一方向的第二方向的多个二极管；以及连接至该多个二极管且具有实质上垂直于该第二方向且实质上垂直于该第一方向的第三方向的多个实质上光学穿透的第二导体。
在上述的示范性具体实例中，该基板可具有实质上是瘦长的且实质上平行于该第一方向的多个孔洞，或者该基板可具有实质上且部分地半球形状并且配置成数组的多个孔洞。该第一导体也可进一步包含多个第一导体，而该第一导体的每一个具有实质上配置在该多个孔洞之内的第一部份；以及实质上是瘦长的且实质上平行于该第一方向的第二部份。在另外一个具体实例中，该第一导体可进一步包含多个实质上是平行的第一导体，而该第二导体可进一步包含多个第二导体，该第二导体的每一个实质上是平行的且实质上垂直于该多个的第一导体。
由以下对本发明及其具体实例详尽的说明、由权利要求以及由所伴随的图将可让本发明的许多其它的优点以及特色立即变得显而易见。
附图说明
本发明的目的、特色以及优点在参照以上的揭露以及所伴随的图之后将更为容易理解，其中在各种图中相似的参考数字是用来表示相同的组件，且其中在各种图中具有字母符号的相似的参考数字是用来表示一个特定组件的具体实例的额外的型式、范例或是变化，其中：
图1是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第一示范性基板100的透视图。
图2是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第一示范性基板100的横截面图。
图3是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第一示范性基板的透视图，该第一示范性基板具有已沉积其上的多个第一导体。
图4是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第一示范性基板的横截面图，该第一示范性基板具有多个第一导体。
图5是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第一示范性基板100的透视图，该第一示范性基板具有已沉积其上的多个第一导体以及多个电子组件。
图6是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第一示范性基板的横截面图，该第一示范性基板具有已沉积其上的多个第一导体以及多个电子组件。
图7是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的示范性电子组件的电子等效电路组件的横截面图，该示范性电子组件是在一种外加场来定向。
图8是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第二示范性基板的透视图。
图9是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第二示范性基板的横截面图。
图10是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第二示范性基板200的透视图，该第二示范性基板200具有已沉积其上的多个第一导体。
图11是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第二示范性基板的横截面图，该第二示范性基板具有多个第一导体。
图12是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第二示范性基板的透视图，该第二示范性基板具有已沉积其上的多个第一导体。
图13是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第二示范性基板的横截面图，该第二示范性基板具有已沉积其上的多个第一导体。
图14是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第二示范性基板的透视图，该第二示范性基板具有已沉积其上的多个第一导体以及多个电子组件。
图15是根据本发明的指导来用在一个装置的具体实例的第二示范性基板的横截面图，该第二示范性基板具有已沉积其上的多个第一导体以及多个电子组件。
图16是根据本发明的指导的第二示范性装置的具体实例的第一横截面图。
图17是根据本发明的指导的第一示范性装置的具体实例的透视图。
图18是根据本发明的指导的第二示范性装置的具体实例的透视图。
图19是根据本发明的指导的第三示范性装置的具体实例的透视图。
图20是根据本发明的指导的第一示范性装置的具体实例的第一横截面图。
图21是根据本发明的指导的第一示范性装置的具体实例的第二横截面图。
图22是根据本发明的指导的第二示范性装置的具体实例的第二横截面图。
图23是根据本发明的指导的第四示范性装置的具体实例的横截面图。
图24是根据本发明的指导的第五示范性装置的具体实例的横截面图。
图25是根据本发明的指导的第六示范性装置的具体实例的横截面图。
图26是根据本发明的指导的第七示范性装置的具体实例的横截面图。
图27是根据本发明的指导的第三示范性装置的具体实例的横截面图。
图28是根据本发明的指导的第三示范性装置的具体实例的横截面图。
图29是根据本发明的指导来说明一个是统的具体实例的方块图。
图30是根据本发明的指导来说明一个方法的具体实例的流程图。
具体实施方式
尽管本发明可以有许多不同形式的具体实例，而这些不同形式的具体实例均显示在图中且在此将以其详尽的特定的示范性具体实例来描述，要了解到本揭示可视为本发明的理论的范例且并不意图将本发明限制在所说明的该特定的具体实例中。在此方面，在详尽地解释至少一个与本发明一致的具体实例之前，须理解到本发明并不将其应用限制在结构的细节中以及限制在以上及以下所述，图中所说明、或者在范例中所描述的组件的安排上。与本发明一致的方法与装置可为其它具体实例且可用各种方式来实现与完成。此外，须理解到在此所用的语法以及专业术语，以及以上所包括的摘要，是作为描述的目的且不应该被视为限制。
对于特定的具体实例而言，在此所揭露的发明是与美国专利申请案第11/023,064号相关，该申请案的提申日期是2004年12月27日，发明人为威廉约翰斯顿雷(William Johnstone Ray)等人，标题是“可寻址式与可印刷式的发光显示器”、在此所揭露的发明是与美国专利申请案第11/181,488号相关，该申请案的提申日期是2005年7月13日，发明人为威廉约翰斯顿雷(William Johnstone Ray)等人，标题是“可寻址式与可印刷式的发光显示器”、以及与美国专利申请案第11/485,031号相关，该申请案的提申日期是2006年7月12日，发明人为威廉约翰斯顿雷(William Johnstone Ray)等人，标题是“静态与可寻址式的发光显示器”(「相关的申请案」)，而以上申请案在本文中是广泛地引用，这些申请案所有的内容是藉由参照而整体并于此，且基于对所有广泛揭露的主题内容主张优先权。
图1是根据本发明的指导的一种装置的具体实例175、185中的第一示范性基板100的透视图。图2是根据本发明的指导的一种装置的具体实例175、185中的第一示范性基板100的横截面图(通过该25-25’平面)。应注意任何提及装置175的部份应当被理解为意指或是包含其变异，且反之亦然，包括以下所讨论的装置175A、175B、175C以及175D。如图1以及图2中所示，该基板100包含了多个孔洞(或空洞)105，而这些孔洞对于该特定的具体实例而言，是形成为瘦长形状的孔洞，实际上也可形成为信道、沟槽或是狭缝(或同样地可为凹地、山谷状、钻孔、开口、裂口、孔、洼地、狭缝或是信道)。以下所讨论的另外一种孔洞105的具体实例是参照图8，图中说明了多个形状为实质上圆形或是椭圆形的凹地或钻孔的孔洞205，这些孔洞形成了基板200(与基板100不同之处只在该孔洞205的形状)。因此，任何在此所提及的孔洞105或是205应该被理解为意指或是包含另外一个，或是任何其它形状或尺寸的孔洞。该多个孔洞105、205是分隔开的且可用来形成并定义多个第一导体，如以下所讨论。此外，该多个孔洞105、205也可用来定义一种用作色彩选择(例如对红色、绿色、蓝色LED 120A，也将在以下讨论)的“保持井”。虽然图1中所示的孔洞或是信道105是实质上平行并定向成相同的方向，在该领域中熟练的人将可体认到可以有无数的变化，包括该信道的深度与宽度、信道的定向(例如圆形、椭圆形、曲线形、波浪形、正弦曲线形、三角形、奇异形、艺术形等)、间隔的变化、空洞或是孔洞(例如信道、凹地或是钻孔)的型式等，而上述所有的变异将被认为是相同的并包含在本发明的范围之内。具有额外形式的基板100、200将参照图8-16、18、19、22-25以及28在以下来说明与讨论。
该基板100、200可由任何合适的材料来形成或是包含着任何合适的材料，例如塑料、纸、硬纸板或是已涂布过的纸或硬纸板，且不受限在这些范例中。在一个示范性的具体实例中，该基板100、200包含一种凸起化及已涂布过的纸或塑料，而这些纸或塑料具有多个与其一体成型的孔洞105、205，例如通过塑造的过程，举例来说包括一种可由萨佩公司(Sappi，Ltd.)进行商业化生产的凸起化纸或是凸起化纸板。举例来说，该基板100、200也可包含以下材料的任何一种或是更多种：纸、已涂布过的纸、塑料所涂布的纸、纤维纸、硬纸板、广告纸、广告看板、书、杂志、报纸、木板、夹层板以及其它以任何特定形式的纸类或是木料的产品；以任何特定形式的塑料材料(薄板、薄膜、板子等)；以任何特定形式的天然以及合成橡胶材料与产品；以任何特定形式的天然以及合成布料；玻璃、陶瓷以及其它以任何特定形式的硅或硅土所衍生的材料或是产品；混凝土(已固化的)、石头以及其它建筑用的材料与产品；或是任何其它现存的或是未来才有的产品。在第一示范性的具体实例中，可选择能够提供一定程度的电绝缘的基板100、200(亦即具有可提供该多个第一导体110足够的电绝缘的介电常数或是绝缘性质，而该多个第一导体110是沉积或是涂布在该装置175及其变化型的175A、175B、175C、175D、275的那(第一)面上。)。举例来说，虽然像是硅晶圆的相对上较昂贵的选择也可用来作为基板100、200。然而在其它的示范性具体实例中，一种塑料涂布的纸的产品是用来形成该基板100，例如由萨佩公司(Sappi，Ltd.)生产的专利原料及100磅覆盖原料，或是由其它纸制造商例如三菱制纸(Mitsubishi Paper Mills)、米德(Mead)所制造的相似的涂布纸，以及其它纸类产品。在额外的示范性具体实例中，可使用任何型式的基板100、200，而这些基板是以额外的密封或是封装层(例如油漆以及乙烯基类)来涂布至该基板100、200的表面上，并且揭露在以上所引用的相关的申请案中。
根据本发明，多个第一导体110是接着涂布或是沉积在该相对应的多个孔洞105、205之内。以下将做更详尽的讨论，对于该多个孔洞205而言，该多个第一导体110可在不是一个就是两个步骤中沉积完成，如所示的多个第一导体110A与110B。图3是一个具有多个第一导体110的第一示范性基板100的透视图，而该多个第一导体110是根据本发明的指导而沉积以用在一种具体实例175、185的装置。图4是该第一示范性基板100的横截面图(通过该30-30’平面)，而具有多个第一导体110的该第一示范性基板100是根据本发明的指导而用在具体实例175、185的装置中。在一个制造该示范性的装置175、185、275的示范性方法中，一种导电墨水(例如银(Ag)墨水)是印刷或是涂布至该基板100(或200)，并接着进行固化或是部份固化(例如通过一种紫外线(uv)固化的过程)，以形成该多个第一导体110(并且也可用来形成该多个第三导体145，以及图29中的该总线310、315以及以下所讨论的任何电性或是其它导电的终端)。
也可以使用其它导电墨水或材料来形成该第一导体110、第三导体145以及任何其它非穿透式的导体，例如总线310、315，例如铜、·锡、铝、金、贵金属或是碳墨水、凝胶或是其它液体或是半固体材料。此外，任何其它可印刷或是可涂布的导电物质同样地可用来形成该第一导体110、第三导体145及/或总线310、315，而示范性的导电化合物包括：(1)由导电化合物(Conductive Compounds)(美国新罕不什尔的伦敦德里区；Londonberry，NH，USA)所生产的AG-500、AG-800以及AG-510银导电墨水，而上述的银导电墨水也可包括一种额外的涂布层UV-1006S紫外线可固化式介电层(例如第一介电层125的一部份)；(2)由杜邦(DuPont)所生产的7102碳导体(假使套印了5000Ag)、7105碳导体、5000银导体(也可用在图29的总线310、315以及任何的终端)、7144碳导体(与UV密封剂)、7152碳导体(与7165密封剂)以及9145银导体(也可用在图29的总线310、315以及任何的终端)；(3)由日塑公司(SunPoly，Inc.)所生产的128A银导电墨水、129A银和碳导电墨水、140A导电墨水以及150A银导电墨水；以及(4)由Dow Corning，Inc.所生产的PI-2000系列高导电银墨水。如以下所讨论，这些化合物也可用来形成第三导体145、总线310、315以及任何其它导线或是连接器。此外，导电墨水以及化合物可由许多种类的其它来源而获得。
导电高分子也可用来形成该多个第一导体110、第三导体145及/或总线310、315。举例来说，可使用聚伸乙基二氧噻吩，例如由位在美国纽泽西州的Agfa Corp.of Ridgefield Park所生产的商标名称为“Orgacon”的商用聚伸乙基二氧噻吩。其它的导电高分子，在并无限制下同样地可使用，举例来说包括聚苯胺以及聚吡咯高分子。
在一个示范性的具体实例中，使用了一种凸起化的基板100，使得该基板100可具有相互交替的一系列的山脊以形成(大致上是平滑的)山峰与山谷，一般来说所有的山脊具有实质上相互平行的方向，分别如所示的凸起(或是非信道)的部份115以及孔洞(例如信道)105。可接着涂布导电墨水或高分子并保留在该凸起化的山峰或是山谷的其中之一上，而较佳地不要同时保留在该山峰以及山谷上来用在可寻址式的显示器，因此可产生多个第一导体110，该多个第一导体110不仅是实质上平行的同时也具有由彼此凸起化的过程所决定的物理性的分离。当然，当涂布该导电墨水或高分子至该凸起化的山谷时，该相对应的多个第一导体110也可藉由该凸起化的山峰而彼此分离，因而可产生除了间隔一段距离之外的物理性以及隔离性的分离。举例来说，可涂布导电墨水或高分子至整体的凸起化的基板，并接着使用“刮刀”，该导电墨水或高分子便从所有的山峰移除，例如藉由将刀片刮过具有一层导电墨水的涂布层的该基板100、200的表面，而所留下的该导电墨水或高分子可形成具有实质上平行定向的多个第一导体110。可选择地，可只涂布(使用可忽略或是零压力)导电墨水或高分子至该凸起化的山峰，例如藉由尖端印刷法，也可留下该导电墨水或高分子来形成具有实质上平行定向的多个第一导体。
举例来说，导电墨水可被涂布或是另外以过量涂布的方式在该基板100、200的整体或是大部份的表面上，并接着使用“刮刀”或是以其它在印刷技术当中所熟知的型式来将该过量的导电墨水移除，接下来是将该多个信道105之内的导电墨水进行uv固化。当使用例如像是刮刀，可允许将该多个孔洞105之内的导电墨水保留在原位置，而多余的导电墨水(例如覆盖在该基板的非信道部份(凸起部份115))可藉由刮除的过程而被移除，像上述这样是因为刮刀的接触所致。依照印刷的型式，包括刮刀的硬度以及所施加的压力，导电墨水可在该多个孔洞105、205的每一个之内形成弯月形或者例如相反地可向上弯曲。熟悉电子或是印刷技术的人将可体认到对于可形成该多个第一导体110的方法会有无数的变化，而所有的这些变化将被视为与本发明相同或是包含在本发明的范围之内。
由此可知，在此所使用的“印刷”一词的意思，可参照及包括任何以及所有印刷、涂布、滚动、喷洒、分层、溅镀、沉积、层压及/或贴附的过程，不管是有影响或是没有影响、目前已知或是将在未来开发，不受限制包括网板印刷、喷墨印刷、光电印刷、电子墨水印刷、光阻以及其它阻剂的印刷、热印刷、激光印刷、磁性印刷、移印法、快干印刷、复合式平版印刷术、凹版以及其它凹刻印刷。以上所有的过程在此都被视为印刷过程，并且可同样地来使用，并包含在本发明的范围之内。同样值得注意的还有该示范性的印刷过程在制程中并不需要特别的控制或限制。并不需要特定的温度或是压力。并不需要超过所熟知的印刷过程的标准的洁净室或是已过滤的空气。然而在一致性方面，对于形成各种具体实例的各种连续涂布层的适当的定向(套准)而言，可能需要相对稳定的温度(有一个可能的例外将在以下作讨论)以及湿度。此外，所用的各种化合物可能包含在许多高分子、黏合剂或是其它的分散剂中，而这些化合物举例来说可能为热固化式或干燥式、周遭条件下的空气可干燥式或是uv固化式，而上述所有的变化是包含在本发明的范围之内。
使用具有多个孔洞105、205的基板100、200的一个特别的优点是对于印刷套准并不需要很精确，而对于以一维或是相对的套印形成该装置175、185、275的各种材料以及层的连续涂布可能已足够。
应该注意到依照该特定的具体实例，该基板100、200可具有平坦、平滑或是平的表面，而没有多个孔洞105、205。举例来说，当形成一种静态的显示装置275时，可使用具有实质上平坦、平滑或是平的表面的基板100、200，而且也可沉积一个或是更多个第一导体110来作为一个电极或是作为一个或是更多个分离的电极(也可实质上是平坦的)，而对于用在多个第一电极110的分离寻址的能力或是适应力就不需要。由以下更详尽的讨论可知，该最终的装置对于例如发光或是静态显示的应用上是非常有帮助的。上述装置275的具体实例在图19中有说明，而相对应的横截面图则是在图27与图28中说明。
在沉积该多个第一导体110之后，该材料(例如导电墨水或高分子)可进行固化或是部份固化以形成一种固体或是半固体。在其它的具体实例中，该多个第一导体110可用液体的形式保留并接着进行固化。在沉积该多个第一导体110之后，以任何像是固化、部份固化或是非固化的反应，在该多个第一导体110之上涂布一种在绝缘的黏合剂135中悬浮着多个电子组件120(例如：二极管120A(举例来说，发光二极管或光生伏打二极管)或是晶体管120B)的悬浮液，并接着使用一种外加场150将该多个电子组件120定向，例如像是电场或是磁场。在示范性的具体实例中，也可施加一种音场来与施加一种实质上均一的电场至少部份是同时进行。使用该音场可提供一些机械振动至该多个电子组件120，用以潜在地减少该多个电子组件120的任何惯性并可能藉由所施加的电场或磁场来帮助这些电子组件进行定向；在其它的具体实例中，可同样地使用其它振动或是减少惯性的方法或形式。
举例来说可通过一种印刷或是涂布的过程来涂布一种在绝缘的黏合剂135中悬浮着多个电子组件120的悬浮液，例如可藉由在具有该多个第一导体110的多个孔洞105、205之内印刷。同样举例来说，可在该基板以及多个第一导体110之上涂布上述的在绝缘的黏合剂135中悬浮着多个电子组件120的悬浮液，而过量的部份可使用刮刀或是其它刮除的过程来移除。在一个示范性装置175、185、275的具体实例中，该多个电子组件120是定向(经由一种外加场150)成实质上垂直于该基板100、200的平面。图5以及图6分别是一个具有多个第一导体110以及多个电子组件120的第一示范性基板100的透视图与横截面图，而该多个电子组件120是根据本发明的指导而已沉积在一种绝缘的黏合剂135中并以一外加场150来定向来作为一个装置175、185、275的具体实例。
图7是对于一个示范性的电子组件120的电子的等效电路组件160的简易横截面图，图中说明了根据本发明的指导电子组件(解释成一个二极管120A)可在一种外加场150下定向来作为装置175、185的具体实例。如图中所示，该二极管120A包含了pn接合155，而该pn接合155会因为杂质的组成而具有本质电压以及相对应的电磁场。同样如图中所述，该二极管120A或是其它示范性的电子组件120可进一步包含第一导体125以及第二导体130，而该第一导体125以及第二导体130可与该示范性的电子组件120一起制造或是有部份是一起制造。本发明有效地利用了本质电压所产生的效应，而该效应就是悬浮的二极管120A或是其它示范性的电子组件120因为具有上述的本质电压而可展现出的偶极效应。更特别地，当上述的二极管自由地悬浮并允许其自由移动(例如在该绝缘的黏合剂135中)时，该偶极将可因为响应一外加的电磁场150而移动或旋转，并且变得与该外加场150平行(或者可依照偏极化程度而变得反平行)。
除了静态或是动态的电、磁及/或电磁场之外，也可使用其它型式的外加场。举例来说，可使用一种声场来对某种型式的电子组件或是微粒进行定向并将这些电子组件或是微粒黏合至该多个第一导体。也可使用其它型式的辐射，例如uv照射或是激光(例如可使用来作为激光镊子)，来作为该外加场150。也可依据该特定的具体实例及该特定的电子组件来使用温度固化及/或黏合。也可改变该外加场150的强度，例如可提供足够的力道使得在该电子组件与该多个第一导体之间可产生足够的电性接触。此外，可改变该外加场的定向，例如可垂直于该信道105但平行于该基板100的平面，可依据将要被定向的电子组件的型式而定。在一种外加场例如电场中该电子组件例如二极管120A(举例来说，LED或是光生伏打二极管)被定向的能力，也可用来区分可运作的二极管120A(举例来说，LED或是光生伏打二极管)与无法运作的LED 120A(像这种无法运作的二极管120A(举例来说，LED或是光生伏打二极管)可能是有缺陷的而且无法展现出以上所述的偶极效应)。
此外，在示范性的具体实例中，电子组件例如二极管120A可用不同的方式来沉积，例如印刷第一列/孔洞的红色LED 120A、第二个第一列/孔洞的绿色LED 120A、第三个第一列/孔洞的蓝色LED 120A、第四个第一列/孔洞的红色LED 120A等，可让每一个此类LED 120A能发出相对应颜色(波长)的光而产生一种将在以下讨论的彩色动态显示，，而其中每一个上述的LED120A可定义出一颗像素或是次像素。
该绝缘的黏合剂135也可包括例如反射式、扩散式或是分布式的微粒，有助于光线以一个垂直于该基板100的方向穿透。此外，该电子组件120除了所述的二极管与晶体管之外可为任何型式的微米级或是纳米级的机械或是组件。举例来说，可使用该外加场150来将等离子体管(使用在等离子体显示器中)形成、沉积以及定向。
因此，参照图5、图6以及图7，当在该多个第一导体110之上涂布了在一种该绝缘的黏合剂135中的该多个电子组件120(例如二极管120A(举例来说，LED或是光生伏打二极管)或是晶体管120B)时，并接着使用一种如所述(具有垂直于该基板100的平面的外加场)的外加场150(例如电场或是磁场)来将该多个电子组件120定向时，该多个电子组件120也将变成以一个垂直于该基板100的平面的方向来定向。一旦该多个电子组件120被排列或定向时，该绝缘的黏合剂135接着进行固化并将该已定向的多个电子组件120固定在位置上。藉由上述的定向过程，该多个电子组件120可与该多个第一导体110产生相对应的电性接触；形成为部份的该多个电子组件120的该第一导体125以及该第二导体130也可促进与该多个第一导体110之间产生上述的电性接触。此外，当该多个第一导体110尚未进行固化或是只有部份进行固化时，可使得该已排列或是定向的多个电子组件120变得可嵌入该多个第一导体110中，接着在该已排列或是定向的多个电子组件120在适当位置时同时对该绝缘的黏合剂135以及该多个第一导体110进行固化，如此将可进一步促进上述的电性接触的产生。
在示范性的具体实例中，可用许多方式来施加该外加场150；举例来说，可一开始先对该外加场产生脉冲，如此可帮助该多个电子组件120以相同的定位方向进行排列(例如p侧与该多个第一导体110相邻或是n侧与该多个第一导体110相邻)，接着以一种相对稳定的方式维持该外加场150使得当该绝缘的黏合剂135进行固化或是固化时可稳定该多个电子组件120。在一个示范性的具体实例中，当该绝缘的黏合剂135进行uv固化时该外加场150是实质上均一地且实质上稳定地来施加。也可一开始同时施加声场与电场，接着在当该绝缘的黏合剂135进行uv固化时中断该声场并继续实质上均一地且稳定地施加该电场150。在另外一个示范性的具体实例中，当该绝缘的黏合剂135进行非uv固化时，像是使用其它波长的电磁辐射例如在可见光的光谱范围内，可实质上均一地且实质上稳定地来施加一种DC电场150。在另外一个示范性的具体实例中，当(1)该绝缘的黏合剂135进行非uv固化时，像是使用其它波长的电磁辐射例如在可见光的光谱范围内，接着(2)进行uv固化或着反之亦然时，可实质上均一地且实质上稳定地来施加一种DC电场150。在另外一个示范性的具体实例中，实质上均一地施加一种实质上稳定的DC电场150且该DC电场150可提供该绝缘的黏合剂135进行固化。在另外一个示范性的具体实例中，实质上均一地施加一种实质上稳定的DC电场150且该DC电场150可提供该绝缘的黏合剂135进行固化，接着由一种AC电磁场来进行额外的固化，而该AC电磁场可为uv或者非uv的波长。同样在一个示范性的具体实例中，具有许多形状的上电极与下电极(并非分开地说明)可用来产生实质上均一的电场，例如具有平坦的薄片或是长条格的形状。
该绝缘的(或是介电的)黏合剂135以及任何第二绝缘的(或是介电的)黏合剂170可包含任何具有适度地高介电常数的可固化型的化合物，而适度地高介电常数可提供在该多个第一导体110与以下所讨论的该多个第二导体140之间足够的电绝缘。可使用许多种类的介电化合物，且所有的化合物都包含在本发明的范围内，而且举例来说可包括热或是uv可固化型的黏合剂来形成该绝缘的黏合剂135、170。用来形成该绝缘的(或是介电的)黏合剂135的示范性介电化合物包括以下几种但并不受限于此：(1)由导电化合物(Conductive Compounds)所生产的钛酸钡介电值；(2)由杜邦(DuPont)所生产的5018A透明UV固化墨水、5018G绿色UV固化墨水、5018蓝色UV固化墨水、7153高K介电绝缘体以及8153高K介电绝缘体；(3)由日塑公司(SunPoly，Inc.)所生产的305D UV可固化介电的墨水以及308D UV可固化介电的墨水；(4)由许多供货商所生产的填充的二氧化钛UV可固化型墨水。
在该领域中具有技艺的人也将体认到也可使用许多可移除或是可蚀刻的化合物。举例来说，一旦该多个电子组件120已被嵌入该多个第一导体110或是与该多个第一导体110产生了足够的电性接触时，该多个电子组件120已被适当地定向，并接着进行固化、可移除所有或是部份的该绝缘的黏合剂135，例如通过一种酸或离子蚀刻的过程。上述的蚀刻或是清洗过程也可帮助来提供与该多个电子组件120额外的电性接触，例如随后在该多个电子组件120的相对应的第二末端上与该多个第二导体140形成了电性接触。在上述的蚀刻或是清洗过程之后，可依据该特定的具体实例，也可涂布另外或是额外的介电黏合剂并允许其进行固化。
在另一个变化当中，该电子组件120可悬浮在一种溶剂(可代替该黏合剂135)中并使用外加场来定向。接着让该溶剂蒸发，例如通过施加热量，而当该电子组件依然被适当地定向时这些电子组件120可黏合至该多个第一导体，例如通过退火或是其它像是施加热量。
以下所讨论的部份将参照图26，而该多个第一导体的沉积以及在一种绝缘的黏合剂中的多个电子组件的沉积的顺序也可相反。
图8-16是用来说明一种额外装置的具体实例175C，该装置使用了与该孔洞105不同形状的孔洞205(在基板200中)，而对于该孔洞而言在此所讨论的范围只在不同形状的孔洞可能需要额外或是不同的步骤来形成该装置175C。
图8是第二示范性基板200的透视图，而该第二示范性基板200是用在根据本发明所指导的一种装置的具体实例中。图9是该第二示范性基板200的横截面图(通过45-45’平面)，而该第二示范性基板200是用在根据本发明所指导的一种装置的具体实例中。如图所示，该基板200与该基板100的不同处仅在该多个孔洞105、205的形状不同。该基板200具有实质上圆形或是半球形的凹洞、酒窝或是钻孔，如图中所示的孔洞205，而不是长形的信道或是沟槽。举例来说，该孔洞205可为部份球形(例如球的四分之一或是八分之一)并安排成笛卡儿式数组。
图10是第二示范性基板200的透视图，而该第二示范性基板200是根据本发明的指导而具有已沉积并用在一种装置的具体实例的多个第一导体110A。图11是该第二示范性基板200的横截面图(通过该50-50’平面)，而该第二示范性基板200是根据本发明的指导而具有用在一种装置的具体实例的多个第一导体110A。如同以上所讨论，该多个第一导体110A可使用相同或是相似的化合物及方法来形成相似的该多个第一导体110。然而并不是形成一系列的“导线”，该多个第一导体110A的每一个形成了一个个别的导电“点”或实质上圆形的导体。
图12是第二示范性基板200的透视图，而该第二示范性基板200是根据本发明的指导而具有已沉积并用在一种装置的具体实例的多个第一导体110A以及110B。图13是该第二示范性基板200的横截面图(通过该55-55’平面)，而该第二示范性基板200是根据本发明的指导而具有已沉积并用在一种装置的具体实例的多个第一导体110A以及110B。如同以上所提，图10-13说明了该多个第一导体以两个步骤来沉积，如同该多个第一导体110A以及110B。所沉积的该多个第一导体110B可与该多个第一导体110A产生电性接触，例如形成或是提供导线给该多个第一导体110A，并以瘦长形或是“导线”形状的导体来形成，以提供管道给该多个第一导体110A可到达该基板200更多周边的部份或是由该基板200更多周边的部份进入。该多个第一导体110B接着可让电传导至该多个第一导体110A，并接下来传导至电子组件120。
可选择地，在此具体实例中该多个第一导体110可用一个步骤来沉积。举例来说，该多个第一导体110可用导电墨水来印刷(如图所示的多个第一导体110B)让一部份流入或是滴入该孔洞205中以形成该多个第一导体110A。
图14是第二示范性基板200的透视图，而该第二示范性基板200是根据本发明的指导而具有已沉积并用在一种装置的具体实例的多个第一导体110A及110B以及多个电子组件120。图15是该第二示范性基板200的横截面图(通过该60-60’平面)，而该第二示范性基板200是根据本发明的指导而具有已沉积并用在一种装置的具体实例的多个第一导体110A及110B以及多个电子组件120。可如同先前所讨论般将该多个电子组件120沉积、定向以及固化在一种绝缘的(或介电的)黏合剂135中。
图18是根据本发明的指导的第二示范性装置的具体实例的透视图。图16是根据本发明的指导的第二示范性装置的具体实例的第一横截面图(通过该65-65’平面)，而图22是根据本发明的指导的第二示范性装置的具体实例的第二横截面图(通过该66-66’平面)，且两者相似于以下所讨论的图20以及图21的横截面图。然而应该要注意的是因为该多个第一导体110B是揭露在图14以及图15中，而非限制在一种信道形状的孔洞105中，在沉积多个第二导体140或单一的第二导体140(例如一层第二导电层)之前已在该多个第一导体110B之上涂布了第二绝缘层170，例如通过印刷或是涂布的过程。此外，该第二绝缘层170可包含先前所讨论的任何的绝缘或是介电的化合物。
图17是根据本发明的指导的第一示范性装置的具体实例175的透视图。图20是根据本发明的指导的第一示范性装置的具体实例的第一横截面图(通过该40-40’平面)，而图21是根据本发明的指导的第一示范性装置的具体实例的第二横截面图(通过该41-41’平面)。图19是根据本发明的指导的第三示范性装置的具体实例275的透视图。图27是根据本发明的指导的第三示范性装置的具体实例的第一横截面图(通过该70-70’平面)，而图28是根据本发明的指导的第三示范性装置的具体实例的第二横截面图(通过该71-71’平面)。
参照图16-28，在该多个电子组件120进行定向以及该支撑与稳定用的绝缘黏合剂135进行固化之后，以及在沉积了额外的绝缘层(例如以上所讨论的170)之后，涂布一层光学穿透式(或是透明的)第二导体140。可涂布上述的光学穿透式第二导体140来作为单一电极以形成一种静态或是区域式的显示器，或是如图19中所示用在发光方面的应用，或是作为多个第二导体140(如图17与18中所示)以形成一种可寻址式显示器。该穿透式第二导体140可包含具有以下特征的任何化合物：(1)具有足够的导电度可在一段已先决定或特定的期间内将该装置175、185、275的特定的部份激发；以及(2)对于特定波长的电磁辐射，例如对于部分的可见光光谱范围，具有至少已先决定或是特定程度的透明度或是穿透率。举例来说，当本发明是用在具有相对较小的外观尺寸的静态显示器时，传导时间或速度是相对地比用在其它的应用上较不重要，例如用在可随着时间而改变信息的动态显示器(例如计算机用的显示器)或是用在具有相对较大的外观尺寸的静态显示器时，其中穿透式第二导体140提供能量穿过显示器以激发该多个电子组件120的时间或速度。因此，对于用来形成该穿透式第二导体140的材料可做不同的选择，可依照该装置175、185、275的特定的应用以及依照可选择的一个或是更多个第三导体145(将在以下讨论)的使用而定。
该一个或是更多个穿透第二导体140是涂布在该多个电子组件120(藉由该绝缘的黏合剂135而固定在原位置上)的露出的部分之上，以及任何额外的绝缘层之上，以任何特定的排列或套准所做的适当的控制而可使用在所熟知的印刷或是涂布过程或是使用在可变得熟知的印刷或是涂布的技术上。举例来说，在以下将讨论的各种示范性的具体实例中，多个穿透式第二导体140是用来产生复合的、电绝缘的电极(个别的透明导线)，而该复合的、电绝缘的电极可在一个或是更多个印刷的循环过程中形成，且可适当地与该多个第一导体110对位而排列，使得在使用相对应的像素寻址时可提供适当的像素选择，而以上对于特定的应用上可能是必需或是需要的。接下来特定的像素是由介于特定的第一导体110与特定的第二导体140之间的重叠区域所形成，而当该特定的像素受到激发时，可提供电力至相对应的电子组件120，并例如造成由二极管120A发出光，而该电子组件是包含在像素的重叠区域中。在其它的应用当中，像是用在静态显示或广告招牌上，其中该穿透式第二导体140可为如图19中所示的单一薄板，而上述的对位问题是相对地较不重要。
在该装置175、185、275的示范性具体实例中，聚伸乙基二氧噻吩(例如Orgacon)、聚苯胺或是聚吡咯高分子、氧化铟锡(ITO)及/或氧化锑锡(ATO)是用来形成该穿透式第二导体140。虽然ITO或是ATO对于可见光提供了足够的透明度，但它的阻抗或是电阻是相对较高(例如20kΩ)，因而造成了对于通过该装置175、185、275的ITO或是ATO层时在电子传送方面相对应地有相对较高(亦即较慢)的时间常数，例如向下通过相对应的电极时。也可使用其它具有相对较低阻抗的化合物，例如聚伸乙基二氧噻吩。因此，在有些示范性的具体实例中，具有相对较低阻抗或电阻的一个或是更多个第三导体145是包含或者是可包含在相对应的光学穿透式第二导体140中，如此可降低该层整体的阻抗或电阻、减少传导时间而且也可增加该装置175、185、275在动态显示上须随时改变信息的反应。如以上所示，对于具有较大外观尺寸的静态显示器而言，可使用上述的一个或是更多个第三导体145来提供更快速的照亮，可针对在要显示的区域的较中间部分进行激发而照亮，但是由于可选择用在该光学穿透式第二导体140的许多型式的化合物的导电度不足，使得要显示的区域仍然保留了一些未激发以及暗的区域。对于要以各种形态来照亮的较大显示器而言也很重要，例如用在要快速闪烁或是依序照亮的不同显示区域。举例来说，为了形成一个或是更多个第三导体145，一个或是更多个导线可用导电墨水或高分子(例如银墨水或是聚伸乙基二氧噻吩高分子)印刷在相对应的该穿透式第二导体140的长条或是导线之上来形成，或者一个或是更多个细导线(具有格状图案)可用导电墨水或高分子印刷在较大显示器中单一的光学穿透式第二导体140之上来形成，以提供在该透明的第二导体140中更快的传导速度。
在一个示范性的可寻址式显示器的具体实例中，该一个或是更多个第三导体145使用了导电墨水而成为一系列的细导线，而其中一条或是两条导线是配置在该多个第二导体140的每一个第二导体的长轴中央，且具有相对于该多个第二导体140的每一个第二导体的之间的间隔的宽度。在此具体实例中，一个显示区域可具有两个显示像素的可视外观，可依照特定的分辨率而定。在另外一个具体实例中，该一个或是更多个第三导体145的每一个可具有“梯状”外形，而两条长形的导线可藉由垂直导线而彼此连接。
其它同样可用来形成该光学穿透式第二导体140的化合物包括如以上所提到的氧化铟锡(ITO)、以及目前所知或者可能在该领域中变得熟知的其它穿透式导体，包括以上所讨论的一种或是更多种的导电高分子，例如可用商标名称“Orgacon”来表示的聚伸乙基二氧噻吩。代表性的穿透式导材料体是可得到的，例如由杜邦(DuPont)所生产的像是7162以及7164ATO半透明的导体。该穿透式第二导体140也可与各种黏合剂结合，例如在各种条件下(例如暴露在紫外线下)可进行固化的黏合剂(uv可固化式)。
再一次参照图19，如以上所提，可沉积该第一导电媒介来形成一个第一导体110，而不是多个第一导体110。举例来说，可将该第一导体110在该基板100、200之上印刷成一种较大、平坦的电极。同样地，可沉积该第二导电媒介来形成一个第二导体140，而不是多个第二导体140。可选择地，一个或是更多个第三导体145也可包括在此示范性的具体实例中。当接下来激发该第一与第二导体时，将导致可提供电力至该多个电子组件例如二极管120A，而该二极管120A可发射出在可见光光谱范围的光。因此，该最终的装置275对于发光方面的应用以及对于静态显示的应用上特别地有用。
图27是根据本发明的指导的该第三示范性装置的具体实例的第一横截面图(通过该70-70’平面)。图28是根据本发明的指导的该第三示范性装置的具体实例的第二横截面图(通过该71-71’平面)。如同以上所示，该第三装置使用了单一的第一导体110以及单一的第二导体140，而且可选择地也可包括在该第二导体140之上或是之内的一个或是更多个第三导体145。
并没有分别地在图16-28中说明，在沉积该穿透式第二导体140以及该可选择的一个或是更多个第三导体145之后，可涂布各种保护层，如同藉由参照而并入在此的相关应用当中所示。举例来说，介于该第二导体140之间的许多空间42可由任何各种的光可穿透或是不透明的材料所填满。此外，可套印各种颜色(例如红色、绿色以及蓝色(“RGB”))来在该多个电子组件120的每一个上定义彩色的像素。在另一个选择当中，例如当使用是二极管120A的形式的发光二极管时，可选择各种LED 120A来提供相对应的颜色，例如相对应的RGB颜色，并将这些LED 120A印刷并对位以形成相对应的像素。
当一个或是更多个的该多个第一导体110以及一个或是更多个的该多个穿透式第二导体140(以及该可选择的一个或是更多个第三导体145)被激发时，例如通过施加相对应的电压，能量将供给至在该已被激发的第一导体110与第二导体140的相对应的交会点上(重叠区域)的每一个电子组件120(例如：二极管120A(举例来说，LED))，而该第一导体110与第二导体140的相对应的交会点可定义出一颗像素。因此，藉由选择性地激发该第一导体110与第二导体140，该装置175、185可提供一种像素可寻址式、动态的显示器。举例来说，该多个第一导体110可包含相对应的多个列，以及包含了相对应的多个行的该多个光学穿透式第二导体140(以及该可选择的一个或是更多个第三导体145)，其中每一个像素是由相对应的列以及相对应的行的交会点或是重叠部份来定义。当第二导体140是形成为单一的片状时，同样以图19举例来说明，该导体110、140的激发将提供电力至实质上全部(或是大部份)的该多个电子组件120，例如对于静态的显示器提供光的发射。
在另一个示范性的具体实例中，当光生伏打二极管当成电子组件120来使用时，当装置暴露于光源时，电子组件120将会产生能量。所产生的电能(例如，以电压或是电流的形式)可以在第一导体110和第二导体之间而获得，且当成电力源在使用。对于此类发电具体实例，在第二导体140上的额外涂布可以用来在光生伏打二极管120A(举例来说，藉由拥有或是造成透镜效应)上集中或聚焦光。此外，也会使用各种屏蔽层，举例来说，在凸起(或无信道)部分115之上。
图23是根据本发明的指导的该第四示范性装置的具体实例175A的横截面图。图24是根据本发明的指导的该第五示范性装置的具体实例175B的横截面图。图23以及图24分别说明了具有基板100A以及基板100B的装置，而该基板100A以及基板100B有不同形状或是形式的孔洞105以及山脊/山峰115，例如三角形或是曲线的信道或是沟槽。
图25是根据本发明的指导的该第六示范性装置的具体实例185的横截面图。该装置185在此与该装置175的不同的处在于该相对应的电子组件120B是三电极的组件，例如晶体管(BJTs或是FETs)，而非二电极的组件(例如LED 120A)。对于上述的示范性具体实例而言，使用了额外的导体，例如具有如所示的额外的绝缘层170的第四导体165。这些额外的、个别的导电以及绝缘的组件也可通过如以上所讨论的可作为额外步骤的印刷以及涂布的过程来形成。
图26是根据本发明的指导的该第七示范性装置的具体实例175D的横截面图。如同先前所讨论，该多个第一导体110的沉积与在一种绝缘的黏合剂135中的该多个电子组件120的沉积之间的顺序也可颠倒。如图26所示，在一种绝缘的黏合剂135中的该多个电子组件120可先沉积进该信道105内，接着如以上所讨论进行定向与固化。接下来，可形成该多个第一导体110，例如藉由将导电墨水在该电子组件的附近或是周围印刷并固化。
图29是根据本发明的指导来说明一个系统的具体实例的方块图。该系统300包括装置175、185(例如一种可寻址式显示器)，其中各种的多个第一导体110以及多个穿透式第二导体140(以及可选择的一个或是更多个的第三导体145)是通过线或是连接器310(可用总线的形式)来连接以控制总线315，而该总线315可连接至控制器(或者同样地可为控制逻辑区块)320以及电源350，该电源350可为DC电源(例如电池或是光电电池)或是AC电源(例如家用或是建筑物用的电力)。该控制器320包含了处理器325、内存330以及输入/输出(I/O)接口335。
“处理器”325可为任何型式的控制器或处理器，且可用一个或是更多个处理器325来具体化，使得该一个或是更多个处理器325可适合来表现出在此所讨论的功能。当使用了在此所说的处理器时，处理器325可包括单一个集成电路(“IC”)的使用，或者可包括多个集成电路的使用或是其它被连接、安排或是聚集在一起的组件，例如控制器、微处理器、数字信号处理器(“DSP”)、并联的处理器、多核心处理器、客制型IC、特定功能集成电路(“ASIC”)、现场可程序化栅极数组(“FPGA”)、自适应运算IC、组合式内存(例如RAM、DRAM以及ROM)、以及其它ICs及组件。因此，当使用了在此所说的处理器时，该处理器应该被理解为与组合式内存同样地意指并包括单一颗IC，或是客制型IC、ASIC、处理器、微处理器、控制器、FPGA、自适应运算IC或是一些可表现出以下所讨论的功能的其它种类的集成电路的安排，而该组合式内存包括了例如微处理器内存或是额外的RAM、DRAM、SDRAM、SRAM、MRAM、ROM、FLASH、EPROM或是E2PROM。可将一种具有组合式内存的处理器(例如处理器325)(经由程序设计、FPGA相互连接或是硬联机)适应或是配置来表现出本发明的方法，例如选择性的像素寻址。举例来说，当该处理器运作(亦即电源打开并运作)时，该方法可在具有组合式内存(及/或内存330)的处理器325以及其它相同的组件中对于接下来的执行可设计程序并储存成一套程序指令或是其它程序代码(或相同的程序结构或是其它程序)。同样地，当该处理器325可用整个或是部份的FPGA、客制型IC及/或ASIC来执行时，FPGA、客制型IC或是ASIC也可设计、配置及/或硬接线以执行本发明的方法。举例来说，该处理器325可用共同地称为「控制器」或是「处理器」的处理器、控制器、微处理器、DSP及/或ASIC的安排来执行，并与内存330连接，对这些处理器、控制器、微处理器、DSP及/或ASIC分别地设计程序、设计、适应或是配置来执行本发明的方法。
可将具有组合式内存的处理器(例如处理器325)(经由程序设计、FPGA相互连接或是硬接线)配置成可控制(施加电压至)各种的多个第一导体110以及该多个光学穿透式第二导体140(以及该可选择的一个或是更多个第三导体145)的激发，对于要显示信息的部份上做相对应的控制。举例来说，静态或是可随时间改变的显示信息在当该处理器325运作时，对于接下来的处理可在具有组合式内存(及/或内存330)的处理器325或是其它相同的组件中被设计为程序并储存、配置及/或硬接线为一套程序指令(或相同的程序结构或是其它程序)。
可包括数据储存区域(或是数据库)的该内存330可用许多任何的形式来具体化，包括在任何计算机或是其它设备中的可读式数据储存媒介、存储装置或是其它用在信息的储存或沟通的储存或是沟通装置、目前熟知或是未来将变得可使用的装置，包括以下但不限制于此：内存集成电路(“IC”)、或是集成电路的内存部份(例如在处理器325中的常驻内存)，不论是易失性或是非易失性的、不论是可移除式或是非可移除式的，包括RAM、FLASH、DRAM、SDRAM、SRAM、MRAM、FeRAM、ROM、EPROM或是E2PROM，并不受限于此，或是任何其它形式的存储装置，例如磁性硬盘机、光驱、磁盘片或是磁带机、硬盘机、其它机械可读式储存或是存储媒介，例如软盘、CDROM、CD-RW、数字多功能盘片(DVD)或是其它光学内存，或是任何目前熟知或是未来将变得可使用的其它型式的内存、储存媒介、或是数据储存装置或电路，可依据特定的具体实例而定。此外，上述的计算机可读式媒体包括了任何形式的沟通媒介，该沟通媒介可将计算机可读的指令、数据结构、程序模块或是其它在数据信号或模块化的信号中的数据，例如一种电磁或是光学的载波或是其它传输设备(包含任何信息传递媒介)，其可将数据或其它信息译成信号，包括电磁波、光学波、声波、RF波或是红外线等信号。可将该内存330适合来储存各种查询表、参数、系数、或是其它信息与数据、程序或是指令(在本发明的软件中)，以及其它型式的表格例如数据库表格。
如以上所示，该处理器325可使用例如本发明的软件以及数据结构来设计程序，以表现出本发明的方法。因此，本发明的系统与方法可用软件来具体化，而该软件可提供上述程序或其它指令，例如一套指令及/或以上所讨论的在计算机可读式媒体内具体化的元数据。此外，解元数据也可用来定义各种查询表或是数据库的数据结构。上述的软件可经由范例且在没有受限下而为原始码或是目标码的形式。原始码进一步可编译成某种指令或是目标码(包括汇编语言的指令或是组态信息)的形式。本发明的软件、原始码或是元数据可用任何形式的程序语言来具体化，例如C、C++、SystemC、LISA、XML、Java、Brew、SQL及其变化，或是其程序语言可表现出在此所讨论的功能的任何其它形式的程序语言，包括各种硬件的定义或是硬件模型的语言(例如Verilog、VHDL、RTL)以及最终的数据库档案(例如GDSII)。因此，在此所使用的“构想”、“程序构想”、“软件构想”或是“软件”意指并参照任何种类的程序语言，而这些程序语言具有任何的语法或是用法可提供或者可解释为提供该特定的组合的功能或是方法(当举例说明或是加载处理器或是计算机中执行时，例如包括该处理器325)。
本发明的软件、元数据或是其它原始码以及任何最终的位档案(目标码、数据库、或是查询表)可在任何实体的储存媒介内，例如任何的计算机或是其它机械可读式数据储存媒体，具体化为计算机可读式指令、数据结构、程序模块或是其它数据，例如以上所讨论与该内存330有关的，例如软盘片、CDROM、CD-RW、DVD、磁性硬盘、光盘、或是以上所示的任何其它型式的数据储存装置或是媒介。
该I/O接口335的执行可为熟知或是在该领域中变得熟知，且该I/O接口335可包括阻抗匹配能力、以一种较高的电压控制总线315对于低电压的处理器至接口的电压传送、以及各种开关机制(例如晶体管)来将各种线或是连接器转变成开或是关以响应由该处理器325所产生的信号。此外，也可将该I/O接口335适应来接收及/或传送信号至外部的是统300，例如通过硬接线或是RF信号来及时地接收信息以控制一种动态的显示器。
除了图29中所示的该控制器320，在该领域中熟练的人将可体认到有无数相同的在该领域中熟知的控制电路的组态、布局、种类以及型式，而这些均包含在本发明的范围中。
图30是以流程图来说明一个根据本发明的指导的方法的具体实例，该流程图可用来说明形成或是制造该装置175、185的方法，并提供了一个有用的摘要。由开始步骤400开始，在步骤405中，该方法是在基板的相对应的多个信道内沉积多个第一导体，例如藉由印刷导电墨水，接下来的步骤410是将该导电墨水进行固化或是部份固化。在步骤415中，典型地悬浮在一种黏合剂当中的多个电子组件接着沉积在相对应的信道中的该多个第一导体之上。在步骤420中，该电子组件接着使用一种外加场来定向。步骤425中，在对该电子组件定向之后，接着对该黏合剂进行固化，因此导致了在第一末端上该电子组件与该多个第一导体之间形成了稳定或是固定的电性接触。可选择地，也可涂布额外的绝缘层。在步骤430中，接下来，多个穿透式第二导体是接着沉积并固化，并在第二末端上与该多个电子组件形成了电性接触。在示范性的具体实例中，像是对于一种可寻址式的显示器而言，多个穿透式第二导体是实质上以垂直于该多个第一导体来定向。在步骤435中，可选择地，接着在该相对应的多个穿透式第二导体之上沉积(并固化)多个第三导体，接下来在步骤440中以任何的沉积方式(例如通过印刷)沉积特定的颜色或是保护层，而本方法可结束并回到步骤445。
虽然本发明已对关于其中的特殊具体实例做了叙述，这些具体实例仅是用来说明而非限制本发明。在此所做的叙述当中，提供了许多特定的细节，例如电子组件、电子以及结构的连接、材料、以及结构的变化的实例，以提供对本发明的具体实例的完整的了解。然而，在相关的领域当中熟练的人将理解到可实现本发明的具体实例而不需要一个或是更多个特定的细节，或者可用其它的装置、系统、配件、组件、材料、零件等来实现本发明的具体实例。在其它的例子中，并没有特别详尽地来显示或描述熟知的结构、材料、或是操作以避免混淆了本发明的具体实例的观点。此外，并没有按比例来绘制各种图而且不应该将其视为限制。
在此详述当中所提到的“一个具体实例”、“具体实例”、或是特殊的“具体实例”意指与所描述的该具体实例相关的特征、结构、或是特性被包括在本发明的至少一个具体实例中而并不需要被包括在所有的具体实例中，且进一步地并不需要提及相同的具体实例。更进一步地，本发明的任何特殊的具体实例的特征、结构、或是特性可用任何合适的方式以及任何合适的结合来与一个或是更多个其它的具体实例相结合，包括特定特征的使用而没有其它特征的相对应的使用。此外，可做许多修改以将特殊的应用、情况或是材料适应于本发明基本的范围与精神。需了解到在此所描述及说明的其它本发明的具体实例的变化以及修改可能依照在此的指导并被认为是本发明的范围与精神的一部份。
也将理解到在图中所描述的一个或是更多个组件也可用更多分开或是整合的方式来执行，或者甚至在某些可能依照特殊的应用而有帮助的事例中将其移除或是使其成为无法运作。组件其完整地形成结合，也可包含在本发明的范围之内，特别是针对在具体实例中分离组件的分开或是结合是不清楚或者难识别。此外，在此所用的名词「连接的」包括以其各种的形式例如「连接」或是「可连接的」意指并包括任何直接或是间接的电性、结构或是磁性的连接、结合或是附着，或是对于上述直接或是间接的电性、结构或是磁性的连接、结合或是附着的适应或是能力，包括完整地形成的组件以及经由或通过另一个组件来连接的组件。
如同在此所使用以作为本发明的目的，该名词“LED”及其复数形「LED 」应该被理解为包括任何的电致发光的二极管或是其它型式的载体注入式或是以接合为基础的系统，而该系统可响应电子信号而产生光，且该系统包括了各种以半导体或是碳为基础的结构但不受限于此，该结构可响应电流或是电压、可发光的高分子、有机的LED等而发光，所发出的光可包括在可见光的光谱、或是其它光谱内例如任何频宽或是任何颜色或色温的紫外光或是红外光。类似地，如同在此所使用以作为本发明的目的，该名词“光生伏打二极管”及其复数形“光生伏打二极管”应该被理解为包括任何二极管或是其它型式的载体注入式或是以接合为基础的系统，而该系统可响应入射光而产生电子信号或其它形式的能量，且该系统包括了各种以半导体、以聚合物、以有机物或是其它碳为基础的结构但不受限于此，该结构可响应暴露在电磁场的光而发射或产生电流或电压或其它形式的电力，其光可包括在可见光的光谱、或是其它光谱内例如任何频宽或是任何颜色或色温的紫外光或是红外光。
更进一步地，在图/图标中的任何信号箭头应该视为只是示范性且不限制，除非特别地注明。步骤的组成的结合也将视为包含在本发明的范围之内，特别是其中分开或是结合的能力是不清楚或可预见到的。在此所使用并在以下的整个申请专利范围中的该转折的名词“或”通常意指为“及/或”的意思，而该意思同时具有结合的与转折的意义(且并不局限在“独有的或”的意义)，除非有表明其意义。如同在此使用在描述中并在以下的整个申请专利范围中的“一”、“此”以及“该”包括了复数的关联除非文中清楚地规定。同样如同在此使用在描述中并在以下的整个申请专利范围中，“在...之内”的意义包括“在...之内”以及“在...之上”除非文中清楚地规定。
以上对于本发明所说明的具体实例的描述包括已描述在总结或是摘要中的部份，并不意指详尽的或者将本发明限制在于此所揭露的精确的形式中。由以上所述，将可观察到许多改变、修改以及取代在并未偏离本发明的新颖概念的精神与范围下是意指或者可能是有效的。需理解到关于在此所说明的特定的方法与装置是意指或者应该意味着没有限制。当然是意图要藉由所附加的权利要求来包含所有上述的修改使其落在该申请专利范围的范围中。

Claims (52)

1.一种制造一电子装置的方法，其特征在于该方法包含：
沉积第一导电媒介至可挠性、实质上平面的基板的多个孔洞之内以形成多个第一导体；
沉积多个二极管至该多个第一导电媒介上方的该多个孔洞之内，该二极管悬浮在绝缘的黏合的媒介当中，该多个二极管的每个二极管具有第一二极管导体和第二二极管导体；
当该多个二极管是悬浮在该绝缘的黏合的媒介中时，使用一种外加磁场来将该多个二极管的至少一些二极管旋转和定向，该至少一些二极管的旋转和定向是在实质上垂直于可挠性、实质上平面的基板的平面的平面中，并且进一步提供该至少一些二极管的第一二极管导体电接触该多个第一导体的至少一个第一导体；
当该至少一些二极管是藉由该外加磁场来定向时，固化该绝缘的黏合的媒介以形成已固化之绝缘的黏合剂，其具有约大于一的介电常数并且至少部分暴露该至少一些二极管的第二二极管导体；以及
在该至少一些二极管的第二二极管导体上方沉积第二、光学穿透式导电媒介以形成与该多个二极管的至少一些二极管的第二二极管导体电耦合的多个第二导体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该方法进一步包含：
固化绝缘的黏合的媒介，其使用一种实质上均一且实质上固定的外加电磁场来将该绝缘的黏合的媒介固化。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该方法进一步包含：
固化绝缘的黏合的媒介，其使用一种外加的紫外线电磁场来将该绝缘的黏合的媒介固化。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该固化的步骤进一步包含选自以下群组中的外加能量：紫外线照射、红外线照射、热以及其组合。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该固化的步骤进一步包含：
将该多个二极管的该至少一些二极管的第一二极管导体黏合至该多个第一导体。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于其中该黏合的步骤进一步包含：
藉由桥接的方式将该多个二极管的该至少一些二极管的第一二极管导体黏合至该多个第一导体或是在该多个第一导体之内进行黏合。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于其中该黏合的步骤进一步包含：
将该多个二极管的该至少一些二极管的第一二极管导体退火以将该多个二极管的该至少一些二极管接合至该多个第一导体。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该第一导电媒介是导电墨水。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于其中该方法进一步包含：
固化第一导电媒介，其使用外加的紫外线照射、红外线照射、热或其组合来将该第一导电媒介固化。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该第二导电媒介是一种光学穿透式高分子。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中使用该外加磁场的步骤进一步包含使用电磁场。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该方法进一步包含：
接在该多个二极管的沉积之后或是在该多个二极管的沉积当时而施加一种音场。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该方法进一步包含：
接在该多个二极管的沉积之后或是在该多个二极管的沉积当时而对该基板振动。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该多个孔洞是与该基板一体成型。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该基板是凸起化的。
16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该沉积的步骤选自由下列构成的群组：印刷、涂布、滚动、喷洒、分层、溅镀、层压及其组合。
17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该沉积的步骤选自由下列构成的群组：网板印刷、喷墨印刷、光电印刷、电子墨水印刷、光阻印刷、热印刷、激光印刷、磁性印刷、移印法、快干印刷、复合式平版印刷术、凹版印刷及其组合。
18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中沉积该第一导电媒介的步骤进一步包含以该第一导电媒介涂布至该多个孔洞并藉由使用刮刀来刮除该基板的表面以移除过量的第一导电媒介。
19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中沉积该多个二极管的步骤进一步包含以该多个二极管涂布至该多个孔洞并藉由使用刮刀来刮除该基板的表面以移除过量的多个二极管。
20.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该多个二极管是发光二极管或光生伏打二极管。
21.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该多个孔洞是选自由下列构成的群组：通道、沟槽或实质上是半球形状的凹处、钻孔及其组合。
22.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该方法进一步包含：
在该多个第二导体之上或是之内沉积第三导电媒介。
23.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中该电子装置是一种可寻址式的发光二极管显示器、或发光装置或发电装置。
24.制造一种电子装置的方法，其特征在于该方法包含：
在可挠性、实质上平面的基板上沉积第一导电媒介以形成第一导体；
在该第一导体上方沉积多个悬浮在绝缘的黏合的媒介中的二极管，该多个二极管的每个二极管具有第一二极管导体和第二二极管导体；
当该多个二极管是悬浮在该绝缘的黏合的媒介中时，使用一种外加磁场来将该多个二极管的至少一些二极管旋转和定向，该至少一些二极管的旋转和定向是在实质上垂直于可挠性、实质上平面的基板的平面的平面中，并且进一步提供该至少一些二极管的第一二极管导体电接触该第一导体，以及提供该至少一些二极管的第二二极管导体旋转远离该可挠性、实质上平面的基板的平面并且与该可挠性、实质上平面的基板的平面隔离；
当该至少一些二极管是藉由该外加磁场来定向并且与该第一导体接触时，固化该绝缘的黏合的媒介以形成已固化之绝缘的黏合剂，其具有约大于一的介电常数并且至少部分暴露该至少一些二极管的第二二极管导体；以及
在该至少一些二极管的第二二极管导体上方沉积第二、光学穿透式的导电媒介以将该第二、光学穿透式的导电媒介电耦合该多个二极管的至少一些二极管的第二二极管导体。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该基板具有多个孔洞。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于其中该多个孔洞是与该基板一体成型。
27.根据权利要求25所述的方法，其特征在于其中该基板是凸起化的。
28.根据权利要求25所述的方法，其特征在于其中沉积该第一导电媒介的步骤进一步包含在该多个孔洞中沉积该第一导电媒介以形成多个第一导体。
29.根据权利要求25所述的方法，其特征在于其中沉积该第一导电媒介的步骤进一步包含以该第一导电媒介来涂布该多个孔洞并藉由使用刮刀来刮除该基板的表面以移除过量的第一导电媒介。
30.根据权利要求25所述的方法，其特征在于其中沉积该多个二极管的步骤进一步包含以该多个二极管来涂布该多个孔洞并藉由使用刮刀来刮除该基板的表面以移除过量的多个二极管。
31.根据权利要求25所述的方法，其特征在于其中该多个孔洞选自由下列构成的群组：通道、沟槽或实质上是半球形状的凹处、钻孔及其组合。
32.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中沉积该第二导电媒介的步骤进一步包含沉积该第二导电媒介以形成多个第二导体。
33.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该固化的步骤进一步包含选自以下群组中的外加能量：紫外线照射、红外线照射、热以及其组合。
34.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该固化的步骤进一步包含：
将该多个二极管的该至少一些二极管的第一二极管导体黏合至该第一导体。
35.根据权利要求34所述的方法，其特征在于其中该黏合的步骤进一步包含：
藉由桥接的方式将该多个二极管的该至少一些二极管的第一二极管导体黏合至该第一导体或是在该第一导体之内进行黏合。
36.根据权利要求34所述的方法，其特征在于其中该黏合的步骤进一步包含：
将该多个二极管的该至少一些二极管的第一二极管导体退火以将该多个二极管的该至少一些二极管接合至该多个第一导体。
37.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该第一导电媒介是导电墨水。
38.根据权利要求37所述的方法，其特征在于其中该方法进一步包含：
固化第一导电媒介，其使用外加的紫外线照射、红外线照射、热或其组合来将该第一导电媒介固化。
39.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该第二导电媒介是一种光学穿透式高分子。
40.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中使用该外加磁的步骤进一步包含使用电磁场。
41.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该方法进一步包含：
接在该多个二极管的沉积之后或是在该多个二极管的沉积当时，施加一种音场。
42.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该方法进一步包含：
接在该多个二极管的沉积之后或是在该多个二极管的沉积当时，对该基板振动。
43.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该沉积的步骤是选自由下列构成的群组：印刷、涂布、滚动、喷洒、分层、溅镀、层压及其组合。
44.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该沉积的步骤选自由下列构成的群组：网板印刷、喷墨印刷、光电印刷、电子墨水印刷、光阻印刷、热印刷、激光印刷、磁性印刷、移印法、快干印刷、复合式平版印刷术、凹版印刷及其组合。
45.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该第二、光学穿透式的导电媒介形成了第二导体且其中该方法进一步包含：在该第二导体之上或是之内沉积第三导电媒介。
46.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该多个二极管是发光二极管、或光生伏打二极管。
47.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该电子装置是一种可寻址式的发光二极管显示器、或发光装置或发电装置。
48.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该电子装置是一种静态或是区域性可寻址式的发光二极管显示器。
49.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该电子装置是一种发光二极管发光装置或设备。
50.根据权利要求24所述的方法，其特征在于其中该基板是选自由下列构成的群组：已涂布过的纸、塑料所涂布的纸、有凸点的纸、纤维纸、硬纸板、广告纸、广告看板、塑料、橡胶、布料及其组合。
51.一种制造一可寻址式发光显示器的方法，其特征在于该方法包含：
在可挠性、实质上平面的基板的多个孔洞之内沉积第一导电媒介以形成多个第一导体；
固化第一导电媒介，其使用外加的紫外线照射或是外加的热将该第一导电媒介固化；
在该多个孔洞之内沉积多个半导体发光二极管，该多个半导体发光二极管是悬浮在绝缘的黏合的媒介中，该多个半导体发光二极管的每个二极管具有第一二极管导体和第二二极管导体；
使用一种外加磁场将该多个半导体发光二极管的至少一些半导体发光二极管旋转和定向到至少一个所选定的位置，该至少一些二极管的旋转和定向是在实质上垂直于可挠性、实质上平面的基板的平面的平面中，并且进一步提供该至少一些半导体发光二极管的第一二极管导体电接触该多个第一导体的至少一个第一导体，以及提供该至少一些二极管的第二二极管导体旋转远离该可挠性、实质上平面的基板的平面并且与该可挠性、实质上平面的基板的平面隔离；
当该至少一些半导体发光二极管是藉由该外加磁场来定向时，将该多个半导体发光二极管黏合至该多个第一导体；
当该多个半导体发光二极管藉由该外加磁场而被定向时，将该绝缘的黏合的媒介固化以形成已固化之绝缘的黏合剂，其具有约大于一的介电常数并且至少部分暴露该至少一些二极管的第二二极管导体；
在该至少一些半导体发光二极管的第二二极管导体上方沉积第二、光学穿透式导电媒介以形成多个第二导体，而该多个第二导体是连接至该多个半导体发光二极管的第二二极管导体；以及
在该多个第二导体之上或是之内沉积第三导电媒介。
52.一种制造一发电装置的方法，其特征在于该方法包含：
在可挠性、实质上平面的基板的多个孔洞之内沉积第一导电媒介以形成多个第一导体；
固化第一导电媒介，其使用外加的紫外线照射或是外加的热将该第一导电媒介固化；
在该多个孔洞之内沉积多个半导体光生伏打二极管，该多个半导体光生伏打二极管是悬浮在绝缘的黏合的媒介中，该多个半导体光生伏打二极管的每个二极管具有第一二极管导体和第二二极管导体；
当该多个半导体光生伏打二极管是悬浮在该绝缘的黏合的媒介中时，使用一种外加场将该多个半导体光生伏打二极管的至少一些二极管旋转和定向，该至少一些二极管的旋转和定向是在实质上垂直于可挠性、实质上平面的基板的平面的平面中，并且进一步提供该至少一些半导体发光二极管的第一二极管导体电接触该多个第一导体的至少一个第一导体，以及提供该至少一些二极管的第二二极管导体旋转远离该可挠性、实质上平面的基板的平面并且与该可挠性、实质上平面的基板的平面隔离；
当该至少一些半导体光生伏打二极管是藉由该外加磁场来定向时，将该多个半导体光生伏打二极管黏合至该多个第一导体；
当该多个半导体光生伏打二极管藉由该外加磁场而被旋转和定向时，将该液体黏合的媒介固化以形成已固化之绝缘的黏合剂，其具有约大于一的介电常数并且至少部分暴露该至少一些二极管的第二二极管导体；
在该至少一些半导体光生伏打二极管的第二二极管导体上方沉积第二、光学穿透式导电媒介以形成多个第二导体，而该多个第二导体是连接至该多个半导体光生伏打二极管的第二二极管导体；以及
在该多个第二导体上或是之内沉积第三导电媒介。
CN2008800180327A 2007-05-31 2008-05-30 制造可寻址及静态电子显示器、发电或其它电子装置的方法 Expired - Fee Related CN101711405B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/756,619 US7972031B2 (en) 2007-05-31 2007-05-31 Addressable or static light emitting or electronic apparatus
US11/756,616 2007-05-31
US11/756,619 2007-05-31
US11/756,616 US8889216B2 (en) 2007-05-31 2007-05-31 Method of manufacturing addressable and static electronic displays
PCT/US2008/065237 WO2008150965A2 (en) 2007-05-31 2008-05-30 Method of manufacturing addressable and static electronic displays, power generating or other electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101711405A CN101711405A (zh) 2010-05-19
CN101711405B true CN101711405B (zh) 2013-10-30

Family

ID=40094118

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008800183132A Expired - Fee Related CN101715592B (zh) 2007-05-31 2008-05-30 可寻址或静态、发光、发电或其它电子装置
CN2008800180327A Expired - Fee Related CN101711405B (zh) 2007-05-31 2008-05-30 制造可寻址及静态电子显示器、发电或其它电子装置的方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008800183132A Expired - Fee Related CN101715592B (zh) 2007-05-31 2008-05-30 可寻址或静态、发光、发电或其它电子装置

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20100244056A1 (zh)
EP (1) EP2160730B1 (zh)
JP (1) JP2010529599A (zh)
KR (1) KR20100023897A (zh)
CN (2) CN101715592B (zh)
AU (1) AU2008259989A1 (zh)
CA (1) CA2688409A1 (zh)
IL (1) IL202380A0 (zh)
MX (1) MX2009012899A (zh)
RU (1) RU2009149510A (zh)
TW (2) TW200950148A (zh)
WO (2) WO2008150965A2 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7806574B2 (en) * 2006-04-16 2010-10-05 Albeo Technologies, Inc. Thermal management of LED-based lighting systems
US20090023235A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 Mackenzie John D Method and Apparatus for Improved Printed Cathodes for Light-Emitting Devices
US8981629B2 (en) 2008-08-26 2015-03-17 Albeo Technologies, Inc. Methods of integrating LED chips with heat sinks, and LED-based lighting assemblies made thereby
US8058659B2 (en) 2008-08-26 2011-11-15 Albeo Technologies, Inc. LED chip-based lighting products and methods of building
US9076951B2 (en) 2008-08-26 2015-07-07 Albeo Technologies, Inc. Methods of integrating LED chips with heat sinks, and LED-based lighting assemblies made thereby
DE102011013052A1 (de) 2011-03-04 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
EP2724380B1 (en) 2011-06-23 2016-09-28 Big Solar Limited Method of making a structure comprising coating steps and corresponding device
WO2013116631A1 (en) * 2012-02-02 2013-08-08 The Procter & Gamble Company Light emitting laminate and method of making thereof
US9899339B2 (en) 2012-11-05 2018-02-20 Texas Instruments Incorporated Discrete device mounted on substrate
GB201301683D0 (en) * 2013-01-30 2013-03-13 Big Solar Ltd Method of creating non-conductive delineations with a selective coating technology on a structured surface
US9327649B2 (en) 2013-03-15 2016-05-03 Magna Mirrors Of America, Inc. Rearview mirror assembly
CN104253576A (zh) * 2013-06-28 2014-12-31 瀚宇彩晶股份有限公司 光伏移动装置
US8999742B1 (en) * 2013-12-10 2015-04-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Silicon microsphere fabrication
US20150257278A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-10 Tactotek Oy Method for manufacturing electronic products, related arrangement and product
GB201405662D0 (en) * 2014-03-28 2014-05-14 Big Solar Ltd Apparatus and method
GB2549133B (en) 2016-04-07 2020-02-19 Power Roll Ltd Gap between semiconductors
GB2549134B (en) 2016-04-07 2020-02-12 Power Roll Ltd Asymmetric groove
GB2549132A (en) * 2016-04-07 2017-10-11 Big Solar Ltd Aperture in a semiconductor
GB201617276D0 (en) 2016-10-11 2016-11-23 Big Solar Limited Energy storage
CN107017274B (zh) * 2017-03-28 2019-08-20 厦门市三安光电科技有限公司 一种led显示组件及其制作方法
US10412833B2 (en) * 2017-09-27 2019-09-10 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Method to neutralize incorrectly oriented printed diodes
FR3087936B1 (fr) * 2018-10-24 2022-07-15 Aledia Dispositif electronique

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5793455A (en) * 1993-11-22 1998-08-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Elliptically polarizing plate and liquid crystal display in which a compensation sheet direction of non-zero minimum retardation is inclined at 5 to 50 degrees
US6407763B1 (en) * 1999-07-21 2002-06-18 Fuji Xerox Co., Ltd. Image display medium, image-forming method and image-forming apparatus capable of repetitive writing on the image display medium
US6864875B2 (en) * 1998-04-10 2005-03-08 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
US7095477B2 (en) * 2001-01-11 2006-08-22 Sipix Imaging, Inc. Transmissive or reflective liquid crystal display and process for its manufacture
US7218048B2 (en) * 2003-10-15 2007-05-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus having photo sensor

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
JP3503170B2 (ja) * 1993-06-29 2004-03-02 カシオ計算機株式会社 電界発光素子とその製造方法
JPH0722177A (ja) * 1993-06-29 1995-01-24 Casio Comput Co Ltd 発光パネル
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
AU4703999A (en) 1998-06-22 2000-01-10 E-Ink Corporation Means of addressing microencapsulated display media
US6780696B1 (en) 2000-09-12 2004-08-24 Alien Technology Corporation Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs
US20020195928A1 (en) 2001-06-25 2002-12-26 Grace Anthony J. Electroluminescent display device and method of making
US7535624B2 (en) * 2001-07-09 2009-05-19 E Ink Corporation Electro-optic display and materials for use therein
US7744957B2 (en) * 2003-10-23 2010-06-29 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus for depositing material
JP4613489B2 (ja) * 2003-12-08 2011-01-19 ソニー株式会社 素子配列方法及び表示装置
JP4572312B2 (ja) * 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
CN100421268C (zh) * 2004-02-23 2008-09-24 斯坦雷电气株式会社 Led及其制造方法
WO2006071806A2 (en) * 2004-12-27 2006-07-06 Quantum Paper, Inc. Addressable and printable emissive display
US7713053B2 (en) * 2005-06-10 2010-05-11 Protochips, Inc. Reusable template for creation of thin films; method of making and using template; and thin films produced from template
JP2006351264A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Alps Electric Co Ltd 電子機能素子モジュール、および前記電子機能素子モジュールを備えた入力装置、ならびに前記入力装置を備えた電子機器。

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5793455A (en) * 1993-11-22 1998-08-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Elliptically polarizing plate and liquid crystal display in which a compensation sheet direction of non-zero minimum retardation is inclined at 5 to 50 degrees
US6864875B2 (en) * 1998-04-10 2005-03-08 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
US6407763B1 (en) * 1999-07-21 2002-06-18 Fuji Xerox Co., Ltd. Image display medium, image-forming method and image-forming apparatus capable of repetitive writing on the image display medium
US7095477B2 (en) * 2001-01-11 2006-08-22 Sipix Imaging, Inc. Transmissive or reflective liquid crystal display and process for its manufacture
US7218048B2 (en) * 2003-10-15 2007-05-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus having photo sensor

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008150960A1 (en) 2008-12-11
EP2160730A4 (en) 2011-11-23
CN101715592A (zh) 2010-05-26
TWI431804B (zh) 2014-03-21
WO2008150965A2 (en) 2008-12-11
EP2160730A2 (en) 2010-03-10
AU2008259989A1 (en) 2008-12-11
EP2160730B1 (en) 2013-06-12
RU2009149510A (ru) 2011-07-10
IL202380A0 (en) 2010-06-30
JP2010529599A (ja) 2010-08-26
MX2009012899A (es) 2010-02-24
WO2008150965A3 (en) 2009-01-29
TW200950148A (en) 2009-12-01
US20100244056A1 (en) 2010-09-30
CN101715592B (zh) 2013-10-30
CA2688409A1 (en) 2008-12-11
CN101711405A (zh) 2010-05-19
KR20100023897A (ko) 2010-03-04
TW200950147A (en) 2009-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101711405B (zh) 制造可寻址及静态电子显示器、发电或其它电子装置的方法
CN103794617B (zh) 发光二极管显示面板及其制作方法
US8889216B2 (en) Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US7972031B2 (en) Addressable or static light emitting or electronic apparatus
CN1700823B (zh) 电致发光装置及电子设备
US7952107B2 (en) Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits with electrical insulator
US8182303B2 (en) Method of fabricating static and addressable emissive displays
CN109300951A (zh) 显示面板及其制作方法以及电子设备
AU2006268323B2 (en) Static and addressable emissive displays
JP2008529204A (ja) アドレス指定可能および印刷可能な放出ディスプレイ
US20100252173A1 (en) Method of Manufacturing Addressable and Static Electronic Displays, Power Generating Or Other Electronic Apparatus
WO2011041889A1 (en) Digital video poster
US20060261343A1 (en) Solid-state light emitting display and fabrication method thereof
TW586098B (en) Full color display panel and color-separating substrate thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131030

Termination date: 20160530