TWI431804B - 製造可定址及靜態電子顯示器、發電或其它電子裝置之方法 - Google Patents

製造可定址及靜態電子顯示器、發電或其它電子裝置之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI431804B
TWI431804B TW097145855A TW97145855A TWI431804B TW I431804 B TWI431804 B TW I431804B TW 097145855 A TW097145855 A TW 097145855A TW 97145855 A TW97145855 A TW 97145855A TW I431804 B TWI431804 B TW I431804B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electronic components
conductors
medium
printing
depositing
Prior art date
Application number
TW097145855A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200950147A (en
Inventor
Mark D Lowenthal
William Johnstone Ray
Original Assignee
Nthdegree Tech Worldwide Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/756,619 external-priority patent/US7972031B2/en
Priority claimed from US11/756,616 external-priority patent/US8889216B2/en
Application filed by Nthdegree Tech Worldwide Inc filed Critical Nthdegree Tech Worldwide Inc
Publication of TW200950147A publication Critical patent/TW200950147A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI431804B publication Critical patent/TWI431804B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/142—Energy conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Description

製造可定址及靜態電子顯示器、發電或其它電子裝置之方法
本發明大致上係關於電子顯示技術，且更特別地係關於可印刷或是塗佈在許多種類之基板上的電子顯示或發電技術，而該電子顯示技術進一步可用許多的形式來進行電子化定址以作為即時的資訊顯示。
顯示技術包括了電視陰極射線管、電漿顯示器以及許多形式的平面顯示器。典型的電視陰極射線管顯示器係利用一種發光塗佈層，而該發光塗佈層典型地稱為一種在內層、前表面上的磷光層，並且可由掃描式電子束來提供能量，且通常是以一種稱為光柵掃描來作為典型。上述的電視顯示器具有大而且很深的外觀尺寸，因而使得它們在許多用途上並不適合。
其它經常用來作為電視的顯示器，例如電漿顯示器，雖然具有相對較平坦的外觀尺寸，但卻需要複雜的電漿放電格陣列，其中該電漿放電格內部包含了一種特定的氣體或是氣體混合物。使用列及行來定址用以選擇畫面元素(或畫素)時，當將這些放電格激發，而放電格內所包含的氣體會被離子化並發射出紫外光，因而導致包含了相對應的彩色磷光層之畫素或是次畫素而可發射出光。由於需要大量的內含氣體以及線狀磷光層的放電格，此類顯示器因為在製造上過於複雜且昂貴因而也使得它們在許多用途上並不適合。
其它較新的顯示技術，例如主動以及被動矩陣式液晶顯示器(”LCD”)，也包括了上述的畫素定址能力，亦即具有可個別地對一個特定的畫面元素進行定址的能力。像這樣的顯示器包括了複雜的電晶體層陣列、LCD、垂直偏極濾光片以及水平偏極濾光片。在上述的顯示器中，通常會有電源是常開的且可發射出光的發光源，而所發射的光可藉由在LCD矩陣中對特定的LCD進行定址來實際上控制光的穿透。然而，上述的定址過程是透過額外的電晶體層來完成，而該額外的電晶體層可對特定的畫素控制成開與關的狀態。
目前，除了別的以外，上述顯示器或發電機的製造需要半導體的製造技術來製造出控制用的電晶體。為了製造出該液晶層以及許多偏光層需要很多種類的技術。同樣地，LCD顯示器在製造上也是很複雜且昂貴的，因而在許多用途上並不適合。
由此可知，對於可提供實質上較大的外觀尺寸並且適合作為例如室外招牌之應用的大型電子顯示器，仍然持續會有需求。此外，對於各種應用而言，上述的電子顯示器應該可提供一層可印刷的表面，而該可印刷的表面可用在照亮影像的直接塗佈。上述的電子顯示器也應該提供具有可承受典型的環境條件之能力的顯著耐久性，特別是對於戶外的應用或是其它具有在可變條件之環境下的應用。另一版本的電子裝置應該提供發電能力，舉例來說，使用光生伏打二極體。
對於具備了畫素定址的能力、動態改變資訊顯示的動態電子顯示器仍然持續會有進一步的需求。上述的顯示器進一步應該可以使用印刷或是鍍膜的技術來製造，而不是使用複雜而且昂貴的半導體製造技術來製造。上述的顯示器應該能夠以一系列的尺寸來製造，從相對於行動電話用之顯示器的尺寸到廣告看板用之顯示器(或是更大)的尺寸。上述的顯示器也應該是堅固耐用的而且能夠在許多條件下運作。
本發明的示範性具體實例提供了一種新式的電子顯示器以及使用印刷與塗佈技術來製造此顯示器的新方法。該新發明的電子顯示器可為局部或是靜態的顯示，例如可用在招牌，或者該電子顯示器可為可定址式，例如用在不斷變換之資訊的顯示上。該新發明的顯示器可用各種尺寸來製造，從相對於行動電話用之顯示器的尺寸到廣告看板用的顯示器(或是更大)的尺寸。該示範性的發明型顯示器也是堅固耐用的而且能夠在各種條件下運作，包括戶外或是其它壓力較大之環境的條件下。另一版本的電子裝置應該提供發電能力，舉例來說，使用光生伏打二極體。而另一版本的電子裝置應該提供發光裝置，舉例來說，使用發光二極體。
在一個示範性的具體實例中，提供了製造一種電子裝置的方法。該示範性的方法包含：在基板上沉積一層第一導電媒介以形成第一導體；沉積複數個電子元件；使用一種外加場來將該複數個電子元件定向；以及沉積一層第二、光學穿透式的導電媒介。
對於所選擇的示範性具體實例而言，該基板具有複數個空穴，而該複數個空穴可與該基板一體成形。在各種應用上，該基板可為凸起化的。而在這些具體實例中，沉積該第一導電媒介的步驟進一步包含了將該第一導電媒介沉積在該複數個空穴之中以形成複數個第一導體。該複數個空穴可為至少是以下型式之空穴當中的其中之一：通道式、溝槽式或者實質上是半球形狀的凹處或鑽孔。沉積該第二導電媒介的步驟也可進一步包含沉積該第二導電媒介以形成複數個第二導體。該示範性的方法也可進一步包含將第三導電媒介沉積在該複數個第二導體之上或是之內。
同樣對於所選擇的示範性具體實例而言，沉積該第一導電媒介的步驟進一步包含了以該第一導電媒介來塗佈該複數個空穴並藉由使用刮刀來將該基板表面的一部份刮除以移除多餘的第一導電媒介。同樣地，沉積該複數個電子元件的步驟進一步包含了以該複數個電子元件來塗佈該複數個空穴並藉由使用刮刀來將該基板表面的一部份刮除以移除多餘的複數個電子元件。
在一個示範性的具體實例中，該複數個電子元件係懸浮在一種可黏合的媒介當中，而該可黏合的媒介在當該複數個電子元件藉由外加場而被定向時可進行固化反應。典型地，該已固化之可黏合的媒介具有約大於一的介電常數，因此可在特定的應用當中提供至少某種程度的電絕緣。示範性的固化步驟包括(1)使用一種實質上均勻以及實質上固定的外加電磁場來將該可黏合的媒介固化；(2)使用一種外加的紫外線電磁場來將該可黏合的媒介固化；及/或(3)使用一種外加之可見光光譜的電磁場來將該可黏合的媒介固化。
在另外一個示範性的具體實例中，該複數個電子元件係懸浮在一種溶劑當中。對於此具體實例而言，該示範性的方法進一步包含了將該溶劑蒸發；以及當該複數個電子元件藉由外加場而被定向時，將該複數個電子元件黏合至該複數個第一導體。
對於特定的具體實例而言，該示範性的方法可進一步包含將該複數個電子元件黏合至該第一導體，例如藉由橋接的方式來與該第一導體黏合或是在該第一導體之內進行黏合，或是藉由將該複數個電子元件退火至該第一導體。
在一個示範性的具體實例中，該第一導電媒介係一種導電的墨水，而該導電墨水可藉由對其施加紫外線照射或是施加熱量而進行固化。同樣在一個示範性的具體實例中，該第二導電媒介係一種光學穿透式的高分子。
該所施加的外加場可為例如電場、磁場或是電磁場。此外，該示範性的方法可進一步包含在沉積該複數個電子元件之後或是在該過程當中施加一種音場，或是在沉積該複數個電子元件之後或是在該過程當中對該基板進行震動。
在一個示範性的具體實例中，該沉積的步驟進一步包含了至少是以下沉積型式中的其中一種：印刷、塗佈、滾動、噴灑、分層、濺鍍、層壓、網板印刷、噴墨印刷、光電印刷、電子墨水印刷、光阻印刷、熱印刷、雷射印刷、磁性印刷、移印法、快乾印刷、複合式平版印刷術、凹版印刷及/或印刷。
在另一個示範性的具體實例中，該光學穿透式的第二導電媒介形成了第二導體且該示範性的方法進一步包含了在該第二導體之上或是之內沉積第三導電媒介。
該複數個電子元件舉例來說可為任何形式或類型的二極體，舉例來說，發光二極體(LED)、光生伏打二極體或電晶體。該電子裝置舉例來說可為一種可定址式發光二極體顯示器、一種靜態或區域性可定址式發光二極體顯示器或是一種發光裝置。亦例如電子裝置也可以是電力發電機，舉例來說，使用光生伏打二極體。複數個電子元件可以包含任何適合的材料，舉例來說，矽基(silicon-based)的光生伏打二極體或是砷化鎵基(gallium arsenide-based)的LED，舉例而無限制。
也可以提供不同形狀或大小的複數個電子元件，使其更適合用於在外加場中的調整，舉例來說，高與瘦長(例如：100微米x 18-20微米x 20-40微米)；或是「蘑菇」形，其具有在塔形、較低部分之上的較寬、圓形的頂部；或是反轉蘑菇形，其具有意欲滾動或旋轉至直立部分的圓形底部部分，等等。那些擅長此技術的人將會了解，對於複數個電子元件來說，廣泛的形狀、尺寸及組合皆為可得，且都在本發明範疇之中，舉例來說，對於任何特定應用所具有的尺寸、形狀或組合。
在另一個示範性的具體實例中，製造一種電子裝置的方法包含：在基板的複數個空穴內沉積第一導電媒介以形成複數個第一導體；在該複數個空穴內沉積複數個電子元件；使用一種外加場來將該複數個電子元件定向；以及沉積一種光學穿透式的第二導電媒介以形成複數個第二導體。
在另外一個示範性的具體實例中，製造一種可定址式發光顯示器的方法包含：在基板的複數個空穴內沉積第一導電媒介以形成複數個第一導體；使用紫外線照射或是熱量來施加在該第一導電媒介上以進行固化；在該複數個空穴內沉積複數個發光電子元件，該複數個發光電子元件係懸浮在一種黏合的媒介當中；使用一種外加場來將該複數個發光電子元件定向；將該複數個發光電子元件黏合至該複數個第一導體；當該複數個發光電子元件藉由外加場而被定向時將該黏合的媒介進行固化；沉積一種光學穿透式的第二導電媒介以形成可連接至該複數個發光電子元件的複數個第二導體；以及在該複數個第二導體之上或之內沉積第三導電媒介。
在另外一個示範性的具體實例中，一種可定址式的發光裝置包含：具有複數個空穴的基板；連接至該基板且至少部份是在該空穴之內的複數個第一導體，該複數個第一導體具有第一且實質上平行的方向；連接至該複數個第一導體且具有實質上垂直於該第一方向的第二方向的複數個發光二極體；以及連接至該複數個發光二極體且具有實質上垂直於該第二方向且實質上垂直於該第一方向的第三方向的複數個實質上光學穿透的第二導體。此外，複數個第三導體可連接至該複數個第二導體且具有該第三方向。一種已進行固化、光學穿透式以及電絕緣的材料可連接至該複數個發光二極體的每一者。
在另外一個示範性的具體實例中，一種發光裝置包含：基板；連接至該基板以形成一層單一的、第一導電層的第一導體，該第一導體具有第一且實質上平坦的方向；連接至該第一導體且具有實質上垂直於該第一方向的第二方向的複數個光生伏打二極體；以及連接至該複數個發光二極體以形成一層單一的、第二導電層的一種實質上光學穿透式的第二導體，該第二導體具有該第一且實質上平坦的方向。
該基板可實質上平坦的且具有少於兩毫米的厚度。舉例來說，該基板可包含至少是以下型式之基板的其中之一：紙、已塗佈過的紙、塑膠所塗佈的紙、有凸點的紙、纖維紙、硬紙板、廣告紙、廣告看板、木頭、塑膠、橡膠、織布、玻璃、陶瓷、混凝土或是石頭。
該複數個空穴可實質上是瘦長的且具有該第一方向。可選擇地，該複數個空穴可實質上以及部份地半球形的且配置成陣列。對於這個稍後的具體實例而言，該複數個第一導體可進一步包含實質上配置在該複數個空穴之內的第一部份；以及實質上是瘦長的且配置成第一方向的第二部份。
在一個示範性的具體實例中，該複數個第一導體可包含一種已固化的導電墨水或是已固化的導電高分子。舉例來說，該複數個第一導體可包含至少是以下型式之導體的其中一種，且這些導體均是已固化的形式：銀導電墨水、銅導電墨水、金導電墨水、鋁導電墨水、錫導電墨水、碳導電墨水或是導電高分子。同樣地，該複數個第一導體可包含一種光學穿透式高分子。舉例來說，該複數個第二導體可包含至少是以下型式的光學穿透式高分子中的其中之一：氧化銻錫、氧化銦錫或是聚伸乙基二氧噻吩。
在各種示範性的具體實例中，該複數個發光或其他形式的二極體可藉由橋接的方式而連接至該複數個第一導體或是包含在該複數個第一導體之內，或者該複數個發光二極體可退火至該複數個第一導體或是在該複數個第一導體之內進行退火。此外，該複數個第一導體、該複數個發光或其他形式的二極體以及該複數個第二導體可透過印刷的過程來沉積。此外，舉例來說，可以不對稱地塑形各種二極體，以具有蘑菇結構或反轉蘑菇結構或塔形結構。
在另外一個示範性的具體實例中，一種可定址式的裝置包含：具有複數個空穴的基板；連接至該基板且至少部份是在該空穴之內的複數個第一導體，而該複數個第一導體具有第一且實質上平行的方向；連接至該複數個第一導體且具有實質上垂直於該第一方向的第二方向的複數個電子元件；以及連接至該複數個電子元件且具有實質上垂直於該第二方向且實質上垂直於該第一方向的第三方向的複數個第二導體。
在另外一個示範性的具體實例中，一種發光裝置包含：基板；連接至該基板以形成一層單一的、第一導電層的第一導體，該第一導體具有第一且實質上平坦的方向；連接至該第一導體且具有實質上垂直於該第一方向的第二方向的複數個發光二極體；以及連接至該複數個發光二極體以形成一層單一的、第二導電層的一種實質上光學穿透式的第二導體，該第二導體具有該第一且實質上平坦的方向。
在另外一個示範性的具體實例中，提供一種裝置，其包含：具有複數個空穴的基板；連接至該基板且至少部份是在該空穴之內的複數個第一導體，該複數個第一導體具有第一且實質上平行的方向；連接至該複數個第一導體且具有實質上垂直於該第一方向的第二方向的複數個二極體；以及連接至該複數個二極體且具有實質上垂直於該第二方向且實質上垂直於該第一方向的第三方向的複數個實質上光學穿透的第二導體。
在上述的示範性具體實例中，該基板可具有實質上是瘦長的且實質上平行於該第一方向的複數個空穴，或者該基板可具有實質上且部分地半球形狀並且配置成陣列的複數個空穴。該第一導體也可進一步包含複數個第一導體，而該第一導體的每一個具有實質上配置在該複數個空穴之內的第一部份；以及實質上是瘦長的且實質上平行於該第一方向的第二部份。在另外一個具體實例中，該第一導體可進一步包含複數個實質上是平行的第一導體，而該第二導體可進一步包含複數個第二導體，該第二導體的每一個實質上是平行的且實質上垂直於該複數個的第一導體。
由以下對本發明及其具體實例詳盡的說明、由申請專利範圍以及由所伴隨的圖將可讓本發明的許多其它的優點以及特色立即變得顯而易見。
儘管本發明可以有許多不同形式的具體實例，而這些不同形式的具體實例均顯示在圖中且在此將以其詳盡之特定的示範性具體實例來描述，要了解到本揭示可視為本發明之理論的範例且並不意圖將本發明限制在所說明之該特定的具體實例中。在此方面，在詳盡地解釋至少一個與本發明一致的具體實例之前，須理解到本發明並不將其應用限制在結構的細節中以及限制在以上及以下所述，圖中所說明、或者在範例中所描述之元件的安排上。與本發明一致的方法與裝置可為其它具體實例且可用各種方式來實現與完成。此外，須理解到在此所用的語法以及專業術語，以及以上所包括的摘要，係作為描述的目的且不應該被視為限制。
對於特定的具體實例而言，在此所揭露之發明係與美國專利申請案第11/023,064號相關，該申請案的提申日期是2004年12月27日，發明人為William Johnstone Ray等人，標題是「可定址式與可印刷式的發光顯示器」、在此所揭露之發明係與美國專利申請案第11/181,488號相關，該申請案的提申日期是2005年7月13日，發明人為William Johnstone Ray等人，標題是「可定址式與可印刷式的發光顯示器」、以及與美國專利申請案第11/485,031號相關，該申請案的提申日期是2006年7月12日，發明人為William Johnstone Ray等人，標題是「靜態與可定址式的發光顯示器」(「相關的申請案」)，而以上申請案在本文中係廣泛地引用，這些申請案所有的內容係藉由參照而整體併於此，且基於對所有廣泛揭露的主題內容主張優先權。
圖1係根據本發明的指導的一種裝置的具體實例175、185中之第一示範性基板100的透視圖。圖2係根據本發明的指導的一種裝置的具體實例175、185中之第一示範性基板100的橫截面圖(通過該25-25’平面)。應注意任何提及裝置175的部份應當被理解為意指或是包含其變異，且反之亦然，包括以下所討論之裝置175A、175B、175C以及175D。如圖1以及圖2中所示，該基板100包含了複數個空穴(或空洞)105，而這些空穴對於該特定的具體實例而言，係形成為瘦長形狀的空穴，實際上也可形成為通道、溝槽或是狹縫(或同樣地可為凹地、山谷狀、鑽孔、開口、裂口、孔、窪地、狹縫或是通道)。以下所討論的另外一種空穴105的具體實例係參照圖8，圖中說明了複數個形狀為實質上圓形或是橢圓形的凹地或鑽孔的空穴205，這些空穴形成了基板200(與基板100不同之處只在該空穴205的形狀)。因此，任何在此所提及的空穴105或是205應該被理解為意指或是包含另外一個，或是任何其它形狀或尺寸的空穴。該複數個空穴105、205係分隔開的且可用來形成並定義複數個第一導體，如以下所討論。此外，該複數個空穴105、205也可用來定義一種用作色彩選擇(例如對紅色、綠色、藍色LED120A，也將在以下討論)的「保持井」。雖然圖1中所示的空穴或是通道105係實質上平行並定向成相同的方向，在該領域中熟練之人將可體認到可以有無數的變化，包括該通道的深度與寬度、通道的定向(例如圓形、橢圓形、曲線形、波浪形、正弦曲線形、三角形、奇異形、藝術形等)、間隔的變化、空洞或是空穴(例如通道、凹地或是鑽孔)的型式等，而上述所有的變異將被認為是相同的並包含在本發明的範圍之內。具有額外形式的基板100、200將參照圖8-16、18、19、22-25以及28在以下來說明與討論。
該基板100、200可由任何合適的材料來形成或是包含著任何合適的材料，例如塑膠、紙、硬紙板或是已塗佈過的紙或硬紙板，且不受限在這些範例中。在一個示範性的具體實例中，該基板100、200包含一種凸起化及已塗佈過的紙或塑膠，而這些紙或塑膠具有複數個與其一體成型的空穴105、205，例如透過塑造的過程，舉例來說包括一種可由Sappi,Ltd.進行商業化生產的凸起化紙或是凸起化紙板。舉例來說，該基板100、200也可包含以下材料的任何一種或是更多種：紙、已塗佈過的紙、塑膠所塗佈的紙、纖維紙、硬紙板、廣告紙、廣告看板、書、雜誌、報紙、木板、夾層板以及其它以任何特定形式的紙類或是木料的產品；以任何特定形式的塑膠材料(薄板、薄膜、板子等)；以任何特定形式的天然以及合成橡膠材料與產品；以任何特定形式的天然以及合成布料；玻璃、陶瓷以及其它以任何特定形式的矽或矽土所衍生的材料或是產品；混凝土(已固化的)、石頭以及其它建築用的材料與產品；或是任何其它現存的或是未來才有的產品。在第一示範性的具體實例中，可選擇能夠提供一定程度之電絕緣的基板100、200(亦即具有可提供該複數個第一導體110足夠之電絕緣的介電常數或是絕緣性質，而該複數個第一導體110係沉積或是塗佈在該裝置175及其變化型的175A、175B、175C、175D、275的那(第一)面上。)。舉例來說，雖然像是矽晶圓之相對上較昂貴的選擇也可用來作為基板100、200。然而在其它的示範性具體實例中，一種塑膠塗佈的紙之產品係用來形成該基板100，例如由Sappi,Ltd.生產的專利原料及100磅覆蓋原料，或是由其它紙製造商例如Mitsubishi Paper Mills、Mead所製造之相似的塗佈紙，以及其它紙類產品。在額外的示範性具體實例中，可使用任何型式的基板100、200，而這些基板是以額外的密封或是封裝層(例如油漆以及乙烯基類)來塗佈至該基板100、200的表面上，並且揭露在以上所引用之相關的申請案中。
根據本發明，複數個第一導體110係接著塗佈或是沉積在該相對應的複數個空穴105、205之內。以下將做更詳盡的討論，對於該複數個空穴205而言，該複數個第一導體110可在不是一個就是兩個步驟之中沉積完成，如所示之複數個第一導體110A與110B。圖3係一個具有複數個第一導體110之第一示範性基板100的透視圖，而該複數個第一導體110係根據本發明的指導而沉積以用在一種具體實例175、185的裝置。圖4係該第一示範性基板100的橫截面圖(通過該30-30’平面)，而具有複數個第一導體110的該第一示範性基板100係根據本發明的指導而用在具體實例175、185的裝置中。在一個製造該示範性的裝置175、185、275的示範性方法中，一種導電墨水(例如銀(Ag)墨水)係印刷或是塗佈至該基板100(或200)，並接著進行固化或是部份固化(例如透過一種紫外線(uv)固化的過程)，以形成該複數個第一導體110(並且也可用來形成該複數個第三導體145，以及圖29中的該匯流排310、315以及以下所討論的任何電性或是其它導電的終端)。
也可以使用其它導電墨水或材料來形成該第一導體110、第三導體145以及任何其它非穿透式的導體，例如匯流排310、315，例如銅、錫、鋁、金、貴金屬或是碳墨水、凝膠或是其它液體或是半固體材料。此外，任何其它可印刷或是可塗佈的導電物質同樣地可用來形成該第一導體110、第三導體145及/或匯流排310、315，而示範性的導電化合物包括：(1)由Conductive Compounds(Londonberry,NH,USA)所生產的AG-500、AG-800以及AG-510銀導電墨水。而上述的銀導電墨水也可包括一種額外的塗佈層UV-1006S紫外線可固化式介電層(例如第一介電層125的一部份)；(2)由DuPont所生產的7102碳導體(假使套印了5000Ag)、7105碳導體、5000銀導體(也可用在圖29的匯流排310、315以及任何的終端)、7144碳導體(與UV密封劑)、7152碳導體(與7165密封劑)以及9145銀導體(也可用在圖29的匯流排310、315以及任何的終端)；(3)由SunPoly,Inc.所生產的128A銀導電墨水、129A銀和碳導電墨水、140A導電墨水以及150A銀導電墨水；以及(4)由Dow Corning,Inc.所生產的PI-2000系列高導電銀墨水。如以下所討論，這些化合物也可用來形成第三導體145、匯流排310、315以及任何其它導線或是連接器。此外，導電墨水以及化合物可由許多種類的其它來源而獲得。
導電高分子也可用來形成該複數個第一導體110、第三導體145及/或匯流排310、315。舉例來說，可使用聚伸乙基二氧噻吩，例如由位在美國紐澤西州的Agfa Corp. of Ridgefield Park所生產之商標名稱為「Orgacon」的商用聚伸乙基二氧噻吩。其它的導電高分子，在並無限制下同樣地可使用，舉例來說包括聚苯胺以及聚吡咯高分子。
在一個示範性的具體實例中，使用了一種凸起化的基板100，使得該基板100可具有相互交替之一系列的山脊以形成(大致上是平滑的)山峰與山谷，一般來說所有的山脊具有實質上相互平行的方向，分別如所示之凸起(或是非通道)的部份115以及空穴(例如通道)105。可接著塗佈導電墨水或高分子並保留在該凸起化的山峰或是山谷的其中之一上，而較佳地不要同時保留在該山峰以及山谷上來用在可定址式的顯示器，因此可產生複數個第一導體110，該複數個第一導體110不僅是實質上平行的同時也具有由彼此凸起化的過程所決定之物理性的分離。當然，當塗佈該導電墨水或高分子至該凸起化的山谷時，該相對應的複數個第一導體110也可藉由該凸起化的山峰而彼此分離，因而可產生除了間隔一段距離之外的物理性以及隔離性的分離。舉例來說，可塗佈導電墨水或高分子至整體的凸起化的基板，並接著使用「刮刀」，該導電墨水或高分子便從所有的山峰移除，例如藉由將刀片刮過具有一層導電墨水之塗佈層的該基板100、200的表面，而所留下的該導電墨水或高分子可形成具有實質上平行定向的複數個第一導體110。可選擇地，可只塗佈(使用可忽略或是零壓力)導電墨水或高分子至該凸起化的山峰，例如藉由尖端印刷法，也可留下該導電墨水或高分子來形成具有實質上平行定向的複數個第一導體。
舉例來說，導電墨水可被塗佈或是另外以過量塗佈的方式在該基板100、200的整體或是大部份的表面上，並接著使用「刮刀」或是以其它在印刷技術當中所熟知的型式來將該過量的導電墨水移除，接下來是將該複數個通道105之內的導電墨水進行uv固化。當使用例如像是刮刀，可允許將該複數個空穴105之內的導電墨水保留在原位置，而多餘的導電墨水(例如覆蓋在該基板的非通道部份(凸起部份115))可藉由刮除的過程而被移除，像上述這樣是因為刮刀的接觸所致。依照印刷的型式，包括刮刀的硬度以及所施加的壓力，導電墨水可在該複數個空穴105、205的每一個之內形成彎月形或者例如相反地可向上彎曲。熟悉電子或是印刷技術之人將可體認到對於可形成該複數個第一導體110的方法會有無數的變化，而所有的這些變化將被視為與本發明相同或是包含在本發明的範圍之內。
由此可知，在此所使用的「印刷」一詞的意思，可參照及包括任何以及所有印刷、塗佈、滾動、噴灑、分層、濺鍍、沉積、層壓及/或貼附的過程，不管是有影響或是沒有影響、目前已知或是將在未來開發，不受限制包括網板印刷、噴墨印刷、光電印刷、電子墨水印刷、光阻以及其它阻劑的印刷、熱印刷、雷射印刷、磁性印刷、移印法、快乾印刷、複合式平版印刷術、凹版以及其它凹刻印刷。以上所有的過程在此都被視為印刷過程，並且可同樣地來使用，並包含在本發明的範圍之內。同樣值得注意的還有該示範性的印刷過程在製程中並不需要特別的控制或限制。並不需要特定的溫度或是壓力。並不需要超過所熟知的印刷過程之標準的潔淨室或是已過濾的空氣。然而在一致性方面，對於形成各種具體實例之各種連續塗佈層的適當的定向(套準)而言，可能需要相對穩定的溫度(有一個可能的例外將在以下作討論)以及濕度。此外，所用的各種化合物可能包含在許多高分子、黏合劑或是其它的分散劑中，而這些化合物舉例來說可能為熱固化式或乾燥式、周遭條件下的空氣可乾燥式或是uv固化式，而上述所有的變化係包含在本發明的範圍之內。
使用具有複數個空穴105、205之基板100、200的一個特別的優點是對於印刷套準並不需要很精確，而對於以一維或是相對的套印形成該裝置175、185、275之各種材料以及層的連續塗佈可能已足夠。
應該注意到依照該特定的具體實例，該基板100、200可具有平坦、平滑或是平的表面，而沒有複數個空穴105、205。舉例來說，當形成一種靜態的顯示裝置275時，可使用具有實質上平坦、平滑或是平之表面的基板100、200，而且也可沉積一個或是更多個第一導體110來作為一個電極或是作為一個或是更多個分離的電極(也可實質上是平坦的)，而對於用在複數個第一電極110之分離定址的能力或是適應力就不需要。由以下更詳盡的討論可知，該最終的裝置對於例如發光或是靜態顯示的應用上是非常有幫助的。上述裝置275的具體實例在圖19中有說明，而相對應的橫截面圖則是在圖27與圖28中說明。
在沉積該複數個第一導體110之後，該材料(例如導電墨水或高分子)可進行固化或是部份固化以形成一種固體或是半固體。在其它的具體實例中，該複數個第一導體110可用液體的形式保留並接著進行固化。在沉積該複數個第一導體110之後，以任何像是固化、部份固化或是非固化的反應，在該複數個第一導體110之上塗佈一種在絕緣的黏合劑135中懸浮著複數個電子元件120(例如：二極體120A(舉例來說，發光二極體或光生伏打二極體)或是電晶體120B)的懸浮液，並接著使用一種外加場150將該複數個電子元件120定向，例如像是電場或是磁場。在示範性的具體實例中，也可施加一種音場來與施加一種實質上均一的電場至少部份是同時進行。使用該音場可提供一些機械振動至該複數個電子元件120，用以潛在地減少該複數個電子元件120的任何慣性並可能藉由所施加的電場或磁場來幫助這些電子元件進行定向；在其它的具體實例中，可同樣地使用其它振動或是減少慣性的方法或形式。
舉例來說可透過一種印刷或是塗佈的過程來塗佈一種在絕緣的黏合劑135中懸浮著複數個電子元件120的懸浮液，例如可藉由在具有該複數個第一導體110的複數個空穴105、205之內印刷。同樣舉例來說，可在該基板以及複數個第一導體110之上塗佈上述之在絕緣的黏合劑135中懸浮著複數個電子元件120的懸浮液，而過量的部份可使用刮刀或是其它刮除的過程來移除。在一個示範性裝置175、185、275的具體實例中，該複數個電子元件120係定向(經由一種外加場150)成實質上垂直於該基板100、200的平面。圖5以及圖6分別是一個具有複數個第一導體110以及複數個電子元件120的第一示範性基板100的透視圖與橫截面圖，而該複數個電子元件120係根據本發明的指導而已沉積在一種絕緣的黏合劑135中並以一外加場150來定向來作為一個裝置175、185、275的具體實例。
圖7係對於一個示範性的電子元件120之電子的等效電路元件160的簡易橫截面圖，圖中說明了根據本發明的指導電子元件(解釋成一個二極體120A)可在一種外加場150下定向來作為裝置175、185的具體實例。如圖中所示，該二極體120A包含了pn接合155，而該pn接合155會因為雜質的組成而具有本質電壓以及相對應的電磁場。同樣如圖中所述，該二極體120A或是其它示範性的電子元件120可進一步包含第一導體125以及第二導體130，而該第一導體125以及第二導體130可與該示範性的電子元件120一起製造或是有部份是一起製造。本發明有效地利用了本質電壓所產生的效應，而該效應就是懸浮的二極體120A或是其它示範性的電子元件120因為具有上述的本質電壓而可展現出的偶極效應。更特別地，當上述的二極體自由地懸浮並允許其自由移動(例如在該絕緣的黏合劑135中)時，該偶極將可因為回應一外加的電磁場150而移動或旋轉，並且變得與該外加場150平行(或者可依照偏極化程度而變得反平行)。
除了靜態或是動態的電、磁及/或電磁場之外，也可使用其它型式的外加場。舉例來說，可使用一種聲場來對某種型式的電子元件或是微粒進行定向並將這些電子元件或是微粒黏合至該複數個第一導體。也可使用其它型式的輻射，例如uv照射或是雷射光(例如可使用來作為雷射鑷子)，來作為該外加場150。也可依據該特定的具體實例及該特定的電子元件來使用溫度固化及/或黏合。也可改變該外加場150的強度，例如可提供足夠的力道使得在該電子元件與該複數個第一導體之間可產生足夠的電性接觸。此外，可改變該外加場的定向，例如可垂直於該通道105但平行於該基板100的平面，可依據將要被定向之電子元件的型式而定。在一種外加場例如電場中該電子元件例如二極體120A(舉例來說，LED或是光生伏打二極體)被定向的能力，也可用來區分可運作之二極體120A(舉例來說，LED或是光生伏打二極體)與無法運作之LED 120A(像這種無法運作之二極體120A(舉例來說，LED或是光生伏打二極體)可能是有缺陷的而且無法展現出以上所述之偶極效應)。
此外，在示範性的具體實例中，電子元件例如二極體120A可用不同的方式來沉積，例如印刷第一列/空穴的紅色LED 120A、第二個第一列/空穴的綠色LED 120A、第三個第一列/空穴的藍色LED 120A、第四個第一列/空穴的紅色LED 120A等，可讓每一個此類LED 120A能發出相對應顏色(波長)的光而產生一種將在以下討論的彩色動態顯示，，而其中每一個上述的LED 120A可定義出一顆畫素或是次畫素。
該絕緣的黏合劑135也可包括例如反射式、擴散式或是分散式的微粒，有助於光線以一個垂直於該基板100的方向穿透。此外，該電子元件120除了所述之二極體與電晶體之外可為任何型式之微米級或是奈米級的機械或是元件。舉例來說，可使用該外加場150來將電漿管(使用在電漿顯示器中)形成、沉積以及定向。
因此，參照圖5、圖6以及圖7，當在該複數個第一導體110之上塗佈了在一種該絕緣的黏合劑135之中的該複數個電子元件120(例如二極體120A(舉例來說，LED或是光生伏打二極體)或是電晶體120B)時，並接著使用一種如所述(具有垂直於該基板100的平面之外加場)的外加場150(例如電場或是磁場)來將該複數個電子元件120定向時，該複數個電子元件120也將變成以一個垂直於該基板100之平面的方向來定向。一旦該複數個電子元件120被排列或定向時，該絕緣的黏合劑135接著進行固化並將該已定向之複數個電子元件120固定在位置上。藉由上述的定向過程，該複數個電子元件120可與該複數個第一導體110產生相對應的電性接觸；形成為部份之該複數個電子元件120的該第一導體125以及該第二導體130也可促進與該複數個第一導體110之間產生上述的電性接觸。此外，當該複數個第一導體110尚未進行固化或是只有部份進行固化時，可使得該已排列或是定向的複數個電子元件120變得可嵌入該複數個第一導體110之中，接著在該已排列或是定向的複數個電子元件120在適當位置時同時對該絕緣的黏合劑135以及該複數個第一導體110進行固化，如此將可進一步促進上述之電性接觸的產生。
在示範性的具體實例中，可用許多方式來施加該外加場150；舉例來說，可一開始先對該外加場產生脈衝，如此可幫助該複數個電子元件120以相同的定位方向進行排列(例如p側與該複數個第一導體110相鄰或是n側與該複數個第一導體110相鄰)，接著以一種相對穩定的方式維持該外加場150使得當該絕緣的黏合劑135進行固化或是固化時可穩定該複數個電子元件120。在一個示範性的具體實例中，當該絕緣的黏合劑135進行uv固化時該外加場150係實質上均一地且實質上穩定地來施加。也可一開始同時施加聲場與電場，接著在當該絕緣的黏合劑135進行uv固化時中斷該聲場並繼續實質上均一地且穩定地施加該電場150。在另外一個示範性的具體實例中，當該絕緣的黏合劑135進行非uv固化時，像是使用其它波長的電磁輻射例如在可見光的光譜範圍內，可實質上均一地且實質上穩定地來施加一種DC電場150。在另外一個示範性的具體實例中，當(1)該絕緣的黏合劑135進行非uv固化時，像是使用其它波長的電磁輻射例如在可見光的光譜範圍內，接著(2)進行uv固化或著反之亦然時，可實質上均一地且實質上穩定地來施加一種DC電場150。在另外一個示範性的具體實例中，實質上均一地施加一種實質上穩定的DC電場150且該DC電場150可提供該絕緣的黏合劑135進行固化。在另外一個示範性的具體實例中，實質上均一地施加一種實質上穩定的DC電場150且該DC電場150可提供該絕緣的黏合劑135進行固化，接著由一種AC電磁場來進行額外的固化，而該AC電磁場可為uv或者非uv的波長。同樣在一個示範性的具體實例中，具有許多形狀的上電極與下電極(並非分開地說明)可用來產生實質上均一的電場，例如具有平坦的薄片或是長條格的形狀。
該絕緣的(或是介電的)黏合劑135以及任何第二絕緣的(或是介電的)黏合劑170可包含任何具有適度地高介電常數的可固化型的化合物，而適度地高介電常數可提供在該複數個第一導體110與以下所討論之該複數個第二導體140之間足夠的電絕緣。可使用許多種類的介電化合物，且所有的化合物都包含在本發明的範圍內，而且舉例來說可包括熱或是uv可固化型的黏合劑來形成該絕緣的黏合劑135、170。用來形成該絕緣的(或是介電的)黏合劑135的示範性介電化合物包括以下幾種但並不受限於此：(1)由Conductive Compounds所生產的鈦酸鋇介電值；(2)由DuPont所生產的5018A透明UV固化墨水、5018G綠色UV固化墨水、5018藍色UV固化墨水、7153高K介電絕緣體以及8153高K介電絕緣體；(3)由SunPoly,Inc.所生產的305D UV可固化介電的墨水以及308D UV可固化介電的墨水；(4)由許多供應商所生產之填充的二氧化鈦UV可固化型墨水。
在該領域中具有技藝之人也將體認到也可使用許多可移除或是可蝕刻的化合物。舉例來說，一旦該複數個電子元件120已被嵌入該複數個第一導體110或是與該複數個第一導體110產生了足夠的電性接觸時，該複數個電子元件120已被適當地定向，並接著進行固化、可移除所有或是部份之該絕緣的黏合劑135，例如透過一種酸或離子蝕刻的過程。上述的蝕刻或是清洗過程也可幫助來提供與該複數個電子元件120額外的電性接觸，例如隨後在該複數個電子元件120之相對應的第二末端上與該複數個第二導體140形成了電性接觸。在上述的蝕刻或是清洗過程之後，可依據該特定的具體實例，也可塗佈另外或是額外的介電黏合劑並允許其進行固化。
在另一個變化當中，該電子元件120可懸浮在一種溶劑(可代替該黏合劑135)中並使用外加場來定向。接著讓該溶劑蒸發，例如透過施加熱量，而當該電子元件依然被適當地定向時這些電子元件120可黏合至該複數個第一導體，例如透過退火或是其它像是施加熱量。
以下所討論的部份將參照圖26，而該複數個第一導體的沉積以及在一種絕緣的黏合劑中的複數個電子元件的沉積之順序也可相反。
圖8-16係用來說明一種額外裝置的具體實例175C，該裝置使用了與該空穴105不同形狀的空穴205(在基板200中)，而對於該空穴而言在此所討論的範圍只在不同形狀的空穴可能需要額外或是不同的步驟來形成該裝置175C。
圖8係第二示範性基板200的透視圖，而該第二示範性基板200係用在根據本發明所指導的一種裝置的具體實例中。圖9係該第二示範性基板200的橫截面圖(通過45-45’平面)，而該第二示範性基板200係用在根據本發明所指導的一種裝置的具體實例中。如圖所示，該基板200與該基板100的不同處僅在該複數個空穴105、205的形狀不同。該基板200具有實質上圓形或是半球形的凹洞、酒窩或是鑽孔，如圖中所示之空穴205，而不是長形的通道或是溝槽。舉例來說，該空穴205可為部份球形(例如球的四分之一或是八分之一)並安排成笛卡兒式陣列。
圖10係第二示範性基板200的透視圖，而該第二示範性基板200係根據本發明的指導而具有已沉積並用在一種裝置的具體實例的複數個第一導體110A。圖11係該第二示範性基板200的橫截面圖(通過該50-50’平面)，而該第二示範性基板200係根據本發明的指導而具有用在一種裝置的具體實例的複數個第一導體110A。如同以上所討論，該複數個第一導體110A可使用相同或是相似的化合物及方法來形成相似的該複數個第一導體110。然而並不是形成一系列的「導線」，該複數個第一導體110A的每一個形成了一個個別的導電「點」或實質上圓形的導體。
圖12係第二示範性基板200的透視圖，而該第二示範性基板200係根據本發明的指導而具有已沉積並用在一種裝置的具體實例的複數個第一導體110A以及110B。圖13係該第二示範性基板200的橫截面圖(通過該55-55’平面)，而該第二示範性基板200係根據本發明的指導而具有已沉積並用在一種裝置的具體實例的複數個第一導體110A以及110B。如同以上所提，圖10-13說明了該複數個第一導體以兩個步驟來沉積，如同該複數個第一導體110A以及110B。所沉積的該複數個第一導體110B可與該複數個第一導體110A產生電性接觸，例如形成或是提供導線給該複數個第一導體110A，並以瘦長形或是「導線」形狀的導體來形成，以提供管道給該複數個第一導體110A可到達該基板200更多周邊的部份或是由該基板200更多周邊的部份進入。該複數個第一導體110B接著可讓電傳導至該複數個第一導體110A，並接下來傳導至電子元件120。
可選擇地，在此具體實例中該複數個第一導體110可用一個步驟來沉積。舉例來說，該複數個第一導體110可用導電墨水來印刷(如圖所示之複數個第一導體110B)讓一部份流入或是滴入該空穴205之中以形成該複數個第一導體110A。
圖14係第二示範性基板200的透視圖，而該第二示範性基板200係根據本發明的指導而具有已沉積並用在一種裝置的具體實例的複數個第一導體110A及110B以及複數個電子元件120。圖15係該第二示範性基板200的橫截面圖(通過該60-60’平面)，而該第二示範性基板200係根據本發明的指導而具有已沉積並用在一種裝置的具體實例的複數個第一導體110A及110B以及複數個電子元件120。可如同先前所討論般將該複數個電子元件120沉積、定向以及固化在一種絕緣的(或介電的)黏合劑135中。
圖18係根據本發明的指導的第二示範性裝置的具體實例的透視圖。圖16係根據本發明的指導的第二示範性裝置的具體實例的第一橫截面圖(通過該65-65’平面)，而圖22係根據本發明的指導的第二示範性裝置的具體實例的第二橫截面圖(通過該66-66’平面)，且兩者相似於以下所討論的圖20以及圖21的橫截面圖。然而應該要注意的是因為該複數個第一導體110B係揭露在圖14以及圖15中，而非限制在一種通道形狀的空穴105之中，在沉積複數個第二導體140或單一的第二導體140(例如一層第二導電層)之前已在該複數個第一導體110B之上塗佈了第二絕緣層170，例如透過印刷或是塗佈的過程。此外，該第二絕緣層170可包含先前所討論之任何的絕緣或是介電的化合物。
圖17係根據本發明的指導的第一示範性裝置的具體實例175的透視圖。圖20係根據本發明的指導的第一示範性裝置的具體實例的第一橫截面圖(通過該40-40’平面)，而圖21係根據本發明的指導的第一示範性裝置的具體實例的第二橫截面圖(通過該41-41’平面)。圖19係根據本發明的指導的第三示範性裝置的具體實例275的透視圖。圖27係根據本發明的指導的第三示範性裝置的具體實例的第一橫截面圖(通過該70-70’平面)，而圖28係根據本發明的指導的第三示範性裝置的具體實例的第二橫截面圖(通過該71-71’平面)。
參照圖16-28，在該複數個電子元件120進行定向以及該支撐與穩定用的絕緣黏合劑135進行固化之後，以及在沉積了額外的絕緣層(例如以上所討論的170)之後，塗佈一層光學穿透式(或是透明的)第二導體140。可塗佈上述的光學穿透式第二導體140來作為單一電極以形成一種靜態或是區域式的顯示器，或是如圖19中所示用在發光方面的應用，或是作為複數個第二導體140(如圖17與18中所示)以形成一種可定址式顯示器。該穿透式第二導體140可包含具有以下特徵之任何化合物：(1)具有足夠的導電度可在一段已先決定或特定的期間內將該裝置175、185、275之特定的部份激發；以及(2)對於特定波長的電磁輻射，例如對於部分的可見光光譜範圍，具有至少已先決定或是特定程度的透明度或是穿透率。舉例來說，當本發明係用在具有相對較小之外觀尺寸的靜態顯示器時，傳導時間或速度係相對地比用在其它的應用上較不重要，例如用在可隨著時間而改變資訊的動態顯示器(例如電腦用的顯示器)或是用在具有相對較大之外觀尺寸的靜態顯示器時，其中穿透式第二導體140提供能量穿過顯示器以激發該複數個電子元件120的時間或速度。因此，對於用來形成該穿透式第二導體140的材料可做不同的選擇，可依照該裝置175、185、275之特定的應用以及依照可選擇的一個或是更多個第三導體145(將在以下討論)的使用而定。
該一個或是更多個穿透第二導體140係塗佈在該複數個電子元件120(藉由該絕緣的黏合劑135而固定在原位置上)之露出的部分之上，以及任何額外的絕緣層之上，以任何特定的排列或套準所做之適當的控制而可使用在所熟知的印刷或是塗佈過程或是使用在可變得熟知的印刷或是塗佈的技術上。舉例來說，在以下將討論的各種示範性的具體實例中，複數個穿透式第二導體140係用來產生複合的、電絕緣的電極(個別的透明導線)，而該複合的、電絕緣的電極可在一個或是更多個印刷的循環過程中形成，且可適當地與該複數個第一導體110對位而排列，使得在使用相對應的畫素定址時可提供適當的畫素選擇，而以上對於特定的應用上可能是必需或是需要的。接下來特定的畫素係由介於特定的第一導體110與特定的第二導體140之間的重疊區域所形成，而當該特定的畫素受到激發時，可提供電力至相對應的電子元件120，並例如造成由二極體120A發出光，而該電子元件係包含在畫素的重疊區域中。在其它的應用當中，像是用在靜態顯示或廣告招牌上，其中該穿透式第二導體140可為如圖19中所示之單一薄板，而上述的對位問題係相對地較不重要。
在該裝置175、185、275的示範性具體實例中，聚伸乙基二氧噻吩(例如Orgacon)、聚苯胺或是聚吡咯高分子、氧化銦錫(ITO)及/或氧化銻錫(ATO)係用來形成該穿透式第二導體140。雖然ITO或是ATO對於可見光提供了足夠的透明度，但它的阻抗或是電阻係相對較高(例如20kΩ)，因而造成了對於通過該裝置175、185、275的ITO或是ATO層時在電子傳送方面相對應地有相對較高(亦即較慢)的時間常數，例如向下通過相對應的電極時。也可使用其它具有相對較低阻抗的化合物，例如聚伸乙基二氧噻吩。因此，在有些示範性的具體實例中，具有相對較低阻抗或電阻的一個或是更多個第三導體145係包含或者是可包含在相對應的光學穿透式第二導體140中，如此可降低該層整體的阻抗或電阻、減少傳導時間而且也可增加該裝置175、185、275在動態顯示上須隨時改變資訊的反應。如以上所示，對於具有較大外觀尺寸的靜態顯示器而言，可使用上述的一個或是更多個第三導體145來提供更快速的照亮，可針對在要顯示之區域的較中間部分進行激發而照亮，但是由於可選擇用在該光學穿透式第二導體140之許多型式的化合物的導電度不足，使得要顯示之區域仍然保留了一些未激發以及暗的區域。對於要以各種形態來照亮的較大顯示器而言也很重要，例如用在要快速閃爍或是依序照亮的不同顯示區域。舉例來說，為了形成一個或是更多個第三導體145，一個或是更多個導線可用導電墨水或高分子(例如銀墨水或是聚伸乙基二氧噻吩高分子)印刷在相對應的該穿透式第二導體140的長條或是導線之上來形成，或者一個或是更多個細導線(具有格狀圖案)可用導電墨水或高分子印刷在較大顯示器中單一的光學穿透式第二導體140之上來形成，以提供在該透明的第二導體140中更快的傳導速度。
在一個示範性的可定址式顯示器的具體實例中，該一個或是更多個第三導體145使用了導電墨水而成為一系列的細導線，而其中一條或是兩條導線係配置在該複數個第二導體140的每一個第二導體的長軸中央，且具有相對於該複數個第二導體140的每一個第二導體的之間的間隔的寬度。在此具體實例中，一個顯示區域可具有兩個顯示畫素的可視外觀，可依照特定的解析度而定。在另外一個具體實例中，該一個或是更多個第三導體145的每一個可具有「梯狀」外形，而兩條長形的導線可藉由垂直導線而彼此連接。
其它同樣可用來形成該光學穿透式第二導體140的化合物包括如以上所提到的氧化銦錫(ITO)、以及目前所知或者可能在該領域中變得熟知的其它穿透式導體，包括以上所討論的一種或是更多種的導電高分子，例如可用商標名稱「Orgacon」來表示的聚伸乙基二氧噻吩。代表性的穿透式導材料體係可得到的，例如由DuPont所生產的像是7162以及7164 ATO半透明的導體。該穿透式第二導體140也可與各種黏合劑結合，例如在各種條件下(例如暴露在紫外線下)可進行固化的黏合劑(uv可固化式)。
再一次參照圖19，如以上所提，可沉積該第一導電媒介來形成一個第一導體110，而不是複數個第一導體110。舉例來說，可將該第一導體110在該基板100、200之上印刷成一種較大、平坦的電極。同樣地，可沉積該第二導電媒介來形成一個第二導體140，而不是複數個第二導體140。可選擇地，一個或是更多個第三導體145也可包括在此示範性的具體實例中。當接下來激發該第一與第二導體時，將導致可提供電力至該複數個電子元件例如二極體120A，而該二極體120A可發射出在可見光光譜範圍的光。因此，該最終的裝置275對於發光方面的應用以及對於靜態顯示的應用上特別地有用。
圖27係根據本發明的指導的該第三示範性裝置的具體實例的第一橫截面圖(通過該70-70’平面)。圖28係根據本發明的指導的該第三示範性裝置的具體實例的第二橫截面圖(通過該71-71’平面)。如同以上所示，該第三裝置使用了單一的第一導體110以及單一的第二導體140，而且可選擇地也可包括在該第二導體140之上或是之內的一個或是更多個第三導體145。
並沒有分別地在圖16-28中說明，在沉積該穿透式第二導體140以及該可選擇的一個或是更多個第三導體145之後，可塗佈各種保護層，如同藉由參照而併入在此的相關應用當中所示。舉例來說，介於該第二導體140之間的許多空間42可由任何各種的光可穿透或是不透明的材料所填滿。此外，可套印各種顏色(例如紅色、綠色以及藍色(「RGB」))來在該複數個電子元件120的每一個之上定義彩色的畫素。在另一個選擇當中，例如當使用是二極體120A的形式之發光二極體時，可選擇各種LED 120A來提供相對應的顏色，例如相對應的RGB顏色，並將這些LED 120A印刷並對位以形成相對應的畫素。
當一個或是更多個的該複數個第一導體110以及一個或是更多個的該複數個穿透式第二導體140(以及該可選擇的一個或是更多個第三導體145)被激發時，例如透過施加相對應的電壓，能量將供給至在該已被激發的第一導體110與第二導體140之相對應的交會點上(重疊區域)的每一個電子元件120(例如：二極體120A(舉例來說，LED))，而該第一導體110與第二導體140之相對應的交會點可定義出一顆畫素。因此，藉由選擇性地激發該第一導體110與第二導體140，該裝置175、185可提供一種畫素可定址式、動態的顯示器。舉例來說，該複數個第一導體110可包含相對應的複數個列，以及包含了相對應的複數個行的該複數個光學穿透式第二導體140(以及該可選擇的一個或是更多個第三導體145)，其中每一個畫素係由相對應的列以及相對應的行的交會點或是重疊部份來定義。當第二導體140係形成為單一的片狀時，同樣以圖19舉例來說明，該導體110、140的激發將提供電力至實質上全部(或是大部份)的該複數個電子元件120，例如對於靜態的顯示器提供光的發射。
在另一個示範性的具體實例中，當光生伏打二極體當成電子元件120來使用時，當裝置暴露於光源時，電子元件120將會產生能量。所產生的電能(例如，以電壓或是電流的形式)可以在第一導體110和第二導體之間而獲得，且當成電力源在使用。對於此類發電具體實例，在第二導體140上的額外塗佈可以用來在光生伏打二極體120A(舉例來說，藉由擁有或是造成透鏡效應)上集中或聚焦光。此外，也會使用各種遮罩層，舉例來說，在凸起(或無通道)部分115之上。
圖23係根據本發明的指導的該第四示範性裝置的具體實例175A的橫截面圖。圖24係根據本發明的指導的該第五示範性裝置的具體實例175B的橫截面圖。圖23以及圖24分別說明了具有基板100A以及基板100B的裝置，而該基板100A以及基板100B有不同形狀或是形式的空穴105以及山脊/山峰115，例如三角形或是曲線的通道或是溝槽。
圖25係根據本發明的指導的該第六示範性裝置的具體實例185的橫截面圖。該裝置185在此與該裝置175的不同之處在於該相對應的電子元件120B係三電極的元件，例如電晶體(BJTs或是FETs)，而非二電極的元件(例如LED 120A)。對於上述的示範性具體實例而言，使用了額外的導體，例如具有如所示之額外的絕緣層170的第四導體165。這些額外的、個別的導電以及絕緣的元件也可透過如以上所討論之可作為額外步驟的印刷以及塗佈的過程來形成。
圖26係根據本發明的指導的該第七示範性裝置的具體實例175D的橫截面圖。如同先前所討論，該複數個第一導體110的沉積與在一種絕緣的黏合劑135中的該複數個電子元件120的沉積之間的順序也可顛倒。如圖26所示，在一種絕緣的黏合劑135中的該複數個電子元件120可先沉積進該通道105內，接著如以上所討論進行定向與固化。接下來，可形成該複數個第一導體110，例如藉由將導電墨水在該電子元件的附近或是周圍印刷並固化。
圖29係根據本發明的指導來說明一個系統的具體實例的方塊圖。該系統300包括裝置175、185(例如一種可定址式顯示器)，其中各種的複數個第一導體110以及複數個穿透式第二導體140(以及可選擇的一個或是更多個的第三導體145)係透過線或是連接器310(可用匯流排的形式)來連接以控制匯流排315，而該匯流排315可連接至控制器(或者同樣地可為控制邏輯區塊)320以及電源350，該電源350可為DC電源(例如電池或是光電電池)或是AC電源(例如家用或是建築物用的電力)。該控制器320包含了處理器325、記憶體330以及輸入/輸出(I/O)介面335。
「處理器」325可為任何型式的控制器或處理器，且可用一個或是更多個處理器325來具體化，使得該一個或是更多個處理器325可適合來表現出在此所討論的功能。當使用了在此所說的處理器時，處理器325可包括單一個積體電路(「IC」)的使用，或者可包括複數個積體電路的使用或是其它被連接、安排或是聚集在一起的元件，例如控制器、微處理器、數位訊號處理器(「DSP」)、並聯的處理器、多核心處理器、客製型IC、特定功能積體電路(「ASIC」)、現場可程式化閘極陣列(「FPGA」)、自適應運算IC、組合式記憶體(例如RAM、DRAM以及ROM)、以及其它ICs及元件。因此，當使用了在此所說的處理器時，該處理器應該被理解為與組合式記憶體同樣地意指並包括單一顆IC，或是客製型IC、ASIC、處理器、微處理器、控制器、FPGA、自適應運算IC或是一些可表現出以下所討論的功能的其它種類的積體電路的安排，而該組合式記憶體包括了例如微處理器記憶體或是額外的RAM、DRAM、SDRAM、SRAM、MRAM、ROM、FLASH、EPROM或是E2 PROM。可將一種具有組合式記憶體的處理器(例如處理器325)(經由程式設計、FPGA相互連接或是硬連線)適應或是配置來表現出本發明的方法，例如選擇性的畫素定址。舉例來說，當該處理器運作(亦即電源打開並運作)時，該方法可在具有組合式記憶體(及/或記憶體330)的處理器325以及其它相同的元件中對於接下來的執行可設計程式並儲存成一套程式指令或是其它程式碼(或相同的程式結構或是其它程式)。同樣地，當該處理器325可用整個或是部份的FPGA、客製型IC及/或ASIC來執行時，FPGA、客製型IC或是ASIC也可設計、配置及/或硬接線以執行本發明的方法。舉例來說，該處理器325可用共同地稱為「控制器」或是「處理器」的處理器、控制器、微處理器、DSP及/或ASIC的安排來執行，並與記憶體330連接，對這些處理器、控制器、微處理器、DSP及/或ASIC分別地設計程式、設計、適應或是配置來執行本發明的方法。
可將具有組合式記憶體的處理器(例如處理器325)(經由程式設計、FPGA相互連接或是硬接線)配置成可控制(施加電壓至)各種的複數個第一導體110以及該複數個光學穿透式第二導體140(以及該可選擇的一個或是更多個第三導體145)的激發，對於要顯示資訊的部份之上做相對應的控制。舉例來說，靜態或是可隨時間改變的顯示資訊在當該處理器325運作時，對於接下來的處理可在具有組合式記憶體(及/或記憶體330)的處理器325或是其它相同的元件中被設計為程式並儲存、配置及/或硬接線為一套程式指令(或相同的程式結構或是其它程式)。
可包括資料儲存區域(或是資料庫)的該記憶體330可用許多任何的形式來具體化，包括在任何電腦或是其它設備中的可讀式資料儲存媒介、記憶裝置或是其它用在資訊的儲存或溝通的儲存或是溝通裝置、目前熟知或是未來將變得可使用的裝置，包括以下但不限制於此：記憶體積體電路(「IC」)、或是積體電路的記憶體部份(例如在處理器325中的常駐記憶體)，不論是揮發性或是非揮發性的、不論是可移除式或是非可移除式的，包括RAM、FLASH、DRAM、SDRAM、SRAM、MRAM、FeRAM、ROM、EPROM或是E2 PROM，並不受限於此，或是任何其它形式的記憶裝置，例如磁性硬碟機、光碟機、磁碟片或是磁帶機、硬碟機、其它機械可讀式儲存或是記憶媒介，例如軟碟、CDROM、CD-RW、數位多功能碟片(DVD)或是其它光學記憶體，或是任何目前熟知或是未來將變得可使用的其它型式的記憶體、儲存媒介、或是資料儲存裝置或電路，可依據特定的具體實例而定。此外，上述的電腦可讀式媒體包括了任何形式的溝通媒介，該溝通媒介可將電腦可讀的指令、資料結構、程式模組或是其它在資料訊號或模組化的訊號中的資料，例如一種電磁或是光學的載波或是其它傳輸設備(包含任何資訊傳遞媒介)，其可將資料或其它資訊譯成訊號，包括電磁波、光學波、聲波、RF波或是紅外線等信號。可將該記憶體330適合來儲存各種查詢表、參數、係數、或是其它資訊與資料、程式或是指令(在本發明的軟體中)，以及其它型式的表格例如資料庫表格。
如以上所示，該處理器325可使用例如本發明的軟體以及資料結構來設計程式，以表現出本發明的方法。因此，本發明的系統與方法可用軟體來具體化，而該軟體可提供上述程式或其它指令，例如一套指令及/或以上所討論的在電腦可讀式媒體內具體化的元資料。此外，解元資料也可用來定義各種查詢表或是資料庫的資料結構。上述的軟體可經由範例且在沒有受限下而為原始碼或是目標碼的形式。原始碼進一步可編譯成某種指令或是目標碼(包括組合語言的指令或是組態資訊)的形式。本發明的軟體、原始碼或是元資料可用任何形式的程式語言來具體化，例如C、C++、SystemC、LISA、XML、Java、Brew、SQL及其變化，或是其程式語言可表現出在此所討論的功能之任何其它形式的程式語言，包括各種硬體的定義或是硬體模型的語言(例如Verilog、VHDL、RTL)以及最終的資料庫檔案(例如GDSII)。因此，在此所使用的「構想」、「程式構想」、「軟體構想」或是「軟體」意指並參照任何種類的程式語言，而這些程式語言具有任何的語法或是用法可提供或者可解釋為提供該特定之組合的功能或是方法(當舉例說明或是載入處理器或是電腦中執行時，例如包括該處理器325)。
本發明的軟體、元資料或是其它原始碼以及任何最終的位元檔案(目標碼、資料庫、或是查詢表)可在任何實體的儲存媒介內，例如任何的電腦或是其它機械可讀式資料儲存媒體，具體化為電腦可讀式指令、資料結構、程式模組或是其它資料，例如以上所討論與該記憶體330有關的，例如軟碟片、CDROM、CD-RW、DVD、磁性硬碟、光碟、或是以上所示之任何其它型式的資料儲存裝置或是媒介。
該I/O介面335的執行可為熟知或是在該領域中變得熟知，且該I/O介面335可包括阻抗匹配能力、以一種較高的電壓控制匯流排315對於低電壓的處理器至介面的電壓傳送、以及各種開關機制(例如電晶體)來將各種線或是連接器轉變成開或是關以回應由該處理器325所產生的訊號。此外，也可將該I/O介面335適應來接收及/或傳送訊號至外部的系統300，例如透過硬接線或是RF訊號來及時地接收資訊以控制一種動態的顯示器。
除了圖29中所示的該控制器320，在該領域中熟練之人將可體認到有無數相同的在該領域中熟知的控制電路的組態、佈局、種類以及型式，而這些均包含在本發明的範圍中。
圖30係以流程圖來說明一個根據本發明的指導之方法的具體實例，該流程圖可用來說明形成或是製造該裝置175、185的方法，並提供了一個有用的摘要。由開始步驟400開始，在步驟405中，該方法是在基板的相對應的複數個通道內沉積複數個第一導體，例如藉由印刷導電墨水，接下來的步驟410是將該導電墨水進行固化或是部份固化。在步驟415中，典型地懸浮在一種黏合劑當中的複數個電子元件接著沉積在相對應的通道之中的該複數個第一導體之上。在步驟420中，該電子元件接著使用一種外加場來定向。步驟425中，在對該電子元件定向之後，接著對該黏合劑進行固化，因此導致了在第一末端上該電子元件與該複數個第一導體之間形成了穩定或是固定的電性接觸。可選擇地，也可塗佈額外的絕緣層。在步驟430中，接下來，複數個穿透式第二導體係接著沉積並固化，並在第二末端上與該複數個電子元件形成了電性接觸。在示範性的具體實例中，像是對於一種可定址式的顯示器而言，複數個穿透式第二導體係實質上以垂直於該複數個第一導體來定向。在步驟435中，可選擇地，接著在該相對應的複數個穿透式第二導體之上沉積(並固化)複數個第三導體，接下來在步驟440中以任何的沉積方式(例如透過印刷)沉積特定的顏色或是保護層，而本方法可結束並回到步驟445。
雖然本發明已對關於其中的特殊具體實例做了敘述，這些具體實例僅是用來說明而非限制本發明。在此所做的敘述當中，提供了許多特定的細節，例如電子元件、電子以及結構的連接、材料、以及結構的變化的實例，以提供對本發明的具體實例的完整的了解。然而，在相關的領域當中熟練之人將理解到可實現本發明的具體實例而不需要一個或是更多個特定的細節，或者可用其它的裝置、系統、配件、元件、材料、零件等來實現本發明的具體實例。在其它的例子中，並沒有特別詳盡地來顯示或描述熟知的結構、材料、或是操作以避免混淆了本發明的具體實例的觀點。此外，並沒有按比例來繪製各種圖而且不應該將其視為限制。
在此詳述當中所提到的「一個具體實例」、「具體實例」、或是特殊的「具體實例」意指與所描述之該具體實例相關的特徵、結構、或是特性被包括在本發明的至少一個具體實例中而並不需要被包括在所有的具體實例中，且進一步地並不需要提及相同的具體實例。更進一步地，本發明的任何特殊的具體實例的特徵、結構、或是特性可用任何合適的方式以及任何合適的結合來與一個或是更多個其它的具體實例相結合，包括特定特徵的使用而沒有其它特徵之相對應的使用。此外，可做許多修改以將特殊的應用、情況或是材料適應於本發明基本的範圍與精神。需了解到在此所描述及說明之其它本發明的具體實例的變化以及修改可能依照在此的指導並被認為是本發明的範圍與精神的一部份。
也將理解到在圖中所描述的一個或是更多個元件也可用更多分開或是整合的方式來執行，或者甚至在某些可能依照特殊的應用而有幫助的事例中將其移除或是使其成為無法運作。元件其完整地形成結合，也可包含在本發明的範圍之內，特別是針對在具體實例中分離元件的分開或是結合係不清楚或者難識別。此外，在此所用的名詞「連接的」包括以其各種的形式例如「連接」或是「可連接的」意指並包括任何直接或是間接的電性、結構或是磁性的連接、結合或是附著，或是對於上述直接或是間接的電性、結構或是磁性的連接、結合或是附著的適應或是能力，包括完整地形成的元件以及經由或透過另一個元件來連接的元件。
如同在此所使用以作為本發明的目的，該名詞「LED」及其複數形「LED」應該被理解為包括任何的電致發光的二極體或是其它型式的載體注入式或是以接合為基礎的系統，而該系統可回應電子訊號而產生光，且該系統包括了各種以半導體或是碳為基礎的結構但不受限於此，該結構可回應電流或是電壓、可發光的高分子、有機的LED等而發光，所發出的光可包括在可見光的光譜、或是其它光譜內例如任何頻寬或是任何顏色或色溫的紫外光或是紅外光。類似地，如同在此所使用以作為本發明的目的，該名詞「光生伏打二極體」及其複數形「光生伏打二極體」應該被理解為包括任何二極體或是其它型式的載體注入式或是以接合為基礎的系統，而該系統可回應入射光而產生電子信號或其他形式的能量，且該系統包括了各種以半導體、以聚合物、以有機物或是其他碳為基礎的結構但不受限於此，該結構可回應暴露在電磁場的光而發射或產生電流或電壓或其他形式的電力，其光可包括在可見光的光譜、或是其它光譜內例如任何頻寬或是任何顏色或色溫的紫外光或是紅外光。
更進一步地，在圖/圖示中的任何訊號箭頭應該視為只是示範性且不限制，除非特別地註明。步驟之組成的結合也將視為包含在本發明的範圍之內，特別是其中分開或是結合的能力係不清楚或可預見到的。在此所使用並在以下的整個申請專利範圍中之該轉折的名詞「或」通常意指為「及/或」的意思，而該意思同時具有結合的與轉折的意義(且並不局限在「獨有的或」的意義)，除非有表明其意義。如同在此使用在描述中並在以下的整個申請專利範圍中之「一」、「此」以及「該」包括了複數的關聯除非文中清楚地規定。同樣如同在此使用在描述中並在以下的整個申請專利範圍中，「在...之內」的意義包括「在...之內」以及「在...之上」除非文中清楚地規定。
以上對於本發明所說明之具體實例的描述包括已描述在總結或是摘要中的部份，並不意指詳盡的或者將本發明限制在於此所揭露之精確的形式之中。由以上所述，將可觀察到許多改變、修改以及取代在並未偏離本發明之新穎概念的精神與範圍下係意指或者可能是有效的。需理解到關於在此所說明之特定的方法與裝置係意指或者應該意味著沒有限制。當然是意圖要藉由所附加之申請專利範圍來包含所有上述的修改使其落在該申請專利範圍的範圍之中。
42．．．介於第二導體之間的空間
100．．．基板、第一示範性基板
100A．．．具有不同形狀或是形式之空穴的基板
100B．．．具有不同形狀或是形式之空穴的基板
100C．．．具有不同形狀或是形式之空穴的基板
105．．．空穴
110．．．第一導體
110A．．．第一導體
110B．．．第一導體
115．．．凸起部分、山脊/山峰
120．．．電子元件
120A．．．(發光)二極體
120B．．．電晶體
125．．．第一導體
130．．．第二導體
135．．．絕緣的黏合劑
140．．．第二導體
145．．．第三導體
150．．．外加場、電磁場、DC電場
155．．．pn接合
160．．．電子的等效電路元件
165．．．第四導體
170．．．第二絕緣層、絕緣的黏合劑
175．．．第一示範性裝置的具體實例
175A．．．第四示範性裝置的具體實例
175B．．．第五示範性裝置的具體實例
175C．．．第二示範性裝置的具體實例
175D．．．第七示範性裝置的具體實例
185．．．第六示範性裝置的具體實例
200．．．基板、第二示範性基板
205．．．空穴
275．．．第三示範性裝置的具體實例
300．．．系統
310．．．匯流排
315．．．匯流排
320．．．控制器
325．．．處理器
330．．．記憶體
335．．．I/O介面
350．．．電源
25-25’．．．以圖2的橫截面圖來說明
30-30’．．．以圖4的橫截面圖來說明
35-35’．．．以圖6的橫截面圖來說明
40-40’．．．以圖20的橫截面圖來說明
41-41’．．．以圖21的橫截面圖來說明
45-45’．．．以圖9的橫截面圖來說明
50-50’．．．以圖11的橫截面圖來說明
55-55’．．．以圖13的橫截面圖來說明
60-60’．．．以圖15的橫截面圖來說明
65-65’．．．以圖16的橫截面圖來說明
66-66’．．．以圖22的橫截面圖來說明
70-70’．．．以圖27的橫截面圖來說明
71-71’．．．以圖28的橫截面圖來說明
本發明的目的、特色以及優點在參照以上的揭露以及所伴隨的圖之後將更為容易理解，其中在各種圖中相似的參考數字係用來表示相同的元件，且其中在各種圖中具有字母符號之相似的參考數字係用來表示一個特定元件的具體實例之額外的型式、範例或是變化，其中：
圖1係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第一示範性基板100的透視圖。
圖2係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第一示範性基板100的橫截面圖。
圖3係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第一示範性基板的透視圖，該第一示範性基板具有已沉積其上的複數個第一導體。
圖4係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第一示範性基板的橫截面圖，該第一示範性基板具有複數個第一導體。
圖5係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第一示範性基板100的透視圖，該第一示範性基板具有已沉積其上的複數個第一導體以及複數個電子元件。
圖6係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第一示範性基板的橫截面圖，該第一示範性基板具有已沉積其上的複數個第一導體以及複數個電子元件。
圖7係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例之示範性電子元件的電子等效電路元件的橫截面圖，該示範性電子元件係在一種外加場來定向。
圖8係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第二示範性基板的透視圖。
圖9係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第二示範性基板的橫截面圖。
圖10係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第二示範性基板200的透視圖，該第二示範性基板200具有已沉積其上的複數個第一導體。
圖11係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第二示範性基板的橫截面圖，該第二示範性基板具有複數個第一導體。
圖12係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第二示範性基板的透視圖，該第二示範性基板具有已沉積其上的複數個第一導體。
圖13係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第二示範性基板的橫截面圖，該第二示範性基板具有已沉積其上的複數個第一導體。
圖14係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第二示範性基板的透視圖，該第二示範性基板具有已沉積其上的複數個第一導體以及複數個電子元件。
圖15係根據本發明的指導來用在一個裝置的具體實例的第二示範性基板的橫截面圖，該第二示範性基板具有已沉積其上的複數個第一導體以及複數個電子元件。
圖16係根據本發明的指導的第二示範性裝置的具體實例的第一橫截面圖。
圖17係根據本發明的指導的第一示範性裝置的具體實例的透視圖。
圖18係根據本發明的指導的第二示範性裝置的具體實例的透視圖。
圖19係根據本發明的指導的第三示範性裝置的具體實例的透視圖。
圖20係根據本發明的指導的第一示範性裝置的具體實例的第一橫截面圖。
圖21係根據本發明的指導的第一示範性裝置的具體實例的第二橫截面圖。
圖22係根據本發明的指導的第二示範性裝置的具體實例的第二橫截面圖。
圖23係根據本發明的指導的第四示範性裝置的具體實例的橫截面圖。
圖24係根據本發明的指導的第五示範性裝置的具體實例的橫截面圖。
圖25係根據本發明的指導的第六示範性裝置的具體實例的橫截面圖。
圖26係根據本發明的指導的第七示範性裝置的具體實例的橫截面圖。
圖27係根據本發明的指導的第三示範性裝置的具體實例的橫截面圖。
圖28係根據本發明的指導的第三示範性裝置的具體實例的橫截面圖。
圖29係根據本發明的指導來說明一個系統的具體實例的方塊圖。
圖30係根據本發明的指導來說明一個方法的具體實例的流程圖。
40-40’．．．以圖20的橫截面圖來說明
41-41’．．．以圖21的橫截面圖來說明
42．．．介於第二導體之間的空間
100．．．基板、第一示範性基板
110．．．第一導體
120．．．電子元件
135．．．絕緣的黏合劑
140．．．第二導體
145．．．第三導體
175．．．第一示範性裝置的具體實例

Claims (65)

  1. 一種製造一電子裝置的方法，該方法包含：沉積第一導電媒介至基板的複數個空穴之內以形成複數個第一導體；沉積複數個電子元件至該複數個空穴之內；使用一種外加場來將該複數個電子元件定向；以及沉積第二、光學穿透式導電媒介以形成複數個第二導體。
  2. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該複數個電子元件係懸浮在一種黏合的媒介當中。
  3. 根據申請專利範圍第2項中的方法，該方法進一步包含：當該複數個電子元件藉由該外加場來定向時，將該黏合的媒介固化。
  4. 根據申請專利範圍第3項中的方法，其中該已固化之黏合的媒介具有約大於一的介電常數。
  5. 根據申請專利範圍第3項中的方法，該方法進一步包含：固化黏合的媒介，其使用一種實質上均一且實質上固定的外加電磁場來將該黏合的媒介固化。
  6. 根據申請專利範圍第3項中的方法，該方法進一步包含：固化黏合的媒介，其使用一種外加的紫外線電磁場來將該黏合的媒介固化。
  7. 根據申請專利範圍第3項中的方法，該方法進一步包含：固化黏合的媒介，其使用一種外加的可見光光譜的電磁場來將該黏合的媒介固化。
  8. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該複數個電子元件係懸浮在一種溶劑當中。
  9. 根據申請專利範圍第8項中的方法，該方法進一步包含：將該溶劑蒸發；以及當該複數個電子元件藉由該外加場而被定向時，將該複數個電子元件黏合至該複數個第一導體。
  10. 根據申請專利範圍第1項中的方法，該方法進一步包含：將該複數個電子元件黏合至該複數個第一導體。
  11. 根據申請專利範圍第10項中的方法，其中該黏合的步驟進一步包含：藉由橋接的方式將該複數個電子元件黏合至該複數個第一導體或是在該複數個第一導體之內進行黏合。
  12. 根據申請專利範圍第10項中的方法，其中該黏合的步驟進一步包含：將該複數個電子元件退火至該複數個第一導體。
  13. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該第一導電媒介係導電墨水。
  14. 根據申請專利範圍第10項中的方法，該方法進一步包含：固化第一導電媒介，其使用外加的紫外線照射或是外加的熱來將該第一導電媒介固化。
  15. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該第二導電媒介係一種光學穿透式高分子。
  16. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該外加場係電場、磁場、或是電磁場。
  17. 根據申請專利範圍第1項中的方法，該方法進一步包含：接在該複數個電子元件的沉積之後或是在該複數個電子元件的沉積當時而施加一種音場。
  18. 根據申請專利範圍第1項中的方法，該方法進一步包含：接在該複數個電子元件的沉積之後或是在該複數個電子元件的沉積當時而對該基板振動。
  19. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該複數個空穴係與該基板一體成型。
  20. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該基板係凸起化的。
  21. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該沉積的步驟進一步包含印刷。
  22. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該沉積的步驟進一步包含了至少是以下沉積的型式中的其中一種：印刷、塗佈、滾動、噴灑、分層、濺鍍、層壓、網板印刷、噴墨印刷、光電印刷、電子墨水印刷、光阻印刷、熱印刷、雷射印刷、磁性印刷、移印法、快乾印刷、複合式平版印刷術、凹版印刷、及/或印刷。
  23. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中沉積該第一導電媒介的步驟進一步包含以該第一導電媒介塗佈至該複數個空穴並藉由使用刮刀來刮除該基板的表面以移除過量的第一導電媒介。
  24. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中沉積該複數個電子元件的步驟進一步包含以該複數個電子元件塗佈至該複數個空穴並藉由使用刮刀來刮除該基板的表面以移除過量的複數個電子元件。
  25. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該複數個電子元件係二極體、或發光二極體、或光生伏打二極體、或電晶體。
  26. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該複數個空穴至少是以下型式之空穴當中的其中一種：通道、溝槽、或實質上是半球形狀的凹處或鑽孔。
  27. 根據申請專利範圍第1項中的方法，該方法進一步包含：在該複數個第二導體之上或是之內沉積第三導電媒介。
  28. 根據申請專利範圍第1項中的方法，其中該電子裝置係一種可定址式的發光二極體顯示器、或發光裝置、或發電裝置。
  29. 製造一種電子裝置的方法，該方法包含：在基板上沉積第一導電媒介以形成第一導體；沉積複數個電子元件；使用一種外加場來將該複數個電子元件定向；以及沉積第二、光學穿透式的導電媒介。
  30. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該基板具有複數個空穴。
  31. 根據申請專利範圍第30項中的方法，其中該複數個空穴係與該基板一體成型。
  32. 根據申請專利範圍第30項中的方法，其中該基板係凸起化的。
  33. 根據申請專利範圍第30項中的方法，其中沉積該第一導電媒介的步驟進一步包含在該複數個空穴中沉積該第一導電媒介以形成複數個第一導體。
  34. 根據申請專利範圍第30項中的方法，其中沉積該第一導電媒介的步驟進一步包含以該第一導電媒介來塗佈該複數個空穴並藉由使用刮刀來刮除該基板的表面以移除過量的第一導電媒介。
  35. 根據申請專利範圍第30項中的方法，其中沉積該複數個電子元件的步驟進一步包含以該複數個電子元件來塗佈該複數個空穴並藉由使用刮刀來刮除該基板的表面以移除過量的複數個電子元件。
  36. 根據申請專利範圍第30項中的方法，其中該複數個空穴至少是以下型式之空穴當中的其中一種：通道、溝槽、或實質上是半球形狀的凹處或鑽孔。
  37. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中沉積該第二導電媒介的步驟進一步包含沉積該第二導電媒介以形成複數個第二導體。
  38. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該複數個電子元件係懸浮在一種黏合的媒介當中。
  39. 根據申請專利範圍第38項中的方法，該方法進一步包含：固化黏合的媒介，其當該複數個電子元件藉由該外加場而被定向時將該黏合的媒介固化。
  40. 根據申請專利範圍第39項中的方法，其中該已固化之黏合的媒介具有約大於一的介電常數。
  41. 根據申請專利範圍第38項中的方法，該方法進一步包含：固化黏合的媒介，其使用一種實質上均一且實質上固定的外加電磁場來將該黏合的媒介固化。
  42. 根據申請專利範圍第38項中的方法，該方法進一步包含：固化黏合的媒介，其使用一種外加的紫外線電磁場來將該黏合的媒介固化。
  43. 根據申請專利範圍第38項中的方法，該方法進一步包含：固化黏合的媒介，其使用一種外加的可見光光譜電磁場來將該黏合的媒介固化。
  44. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該複數個電子元件係懸浮在一種溶劑中。
  45. 根據申請專利範圍第44項中的方法，該方法進一步包含：將該溶劑蒸發；以及當該複數個電子元件藉由該外加場而被定向時，將該複數個電子元件黏合至該複數個第一導體。
  46. 根據申請專利範圍第29項中的方法，該方法進一步包含：將該複數個電子元件黏合至該第一導體。
  47. 根據申請專利範圍第46項中的方法，其中該黏合的步驟進一步包含：藉由橋接的方式將該複數個電子元件黏合至該第一導體或是在該第一導體之內進行黏合。
  48. 根據申請專利範圍第46項中的方法，其中該黏合的步驟進一步包含：將該複數個電子元件退火至該複數個第一導體。
  49. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該導電媒介係導電墨水。
  50. 根據申請專利範圍第49項中的方法，該方法進一步包含：固化第一導電媒介，其使用外加的紫外線照射或是外加的熱來將該第一導電媒介固化。
  51. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該第二導電媒介係一種光學穿透式高分子。
  52. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該外加場係電場、磁場、或是電磁場。
  53. 根據申請專利範圍第29項中的方法，該方法進一步包含：接在該複數個電子元件的沉積之後或是在該複數個電子元件的沉積當時，施加一種音場。
  54. 根據申請專利範圍第29項中的方法，該方法進一步包含：接在該複數個電子元件的沉積之後或是在該複數個電子元件的沉積當時，對該基板振動。
  55. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該沉積的步驟進一步包含印刷。
  56. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該沉積的步驟進一步包含了至少是以下沉積的型式中的其中一種：印刷、塗佈、滾動、噴灑、分層、濺鍍、層壓、網板印刷、噴墨印刷、光電印刷、電子墨水印刷、光阻印刷、熱印刷、雷射印刷、磁性印刷、移印法、快乾印刷、複合式平版印刷術、凹版印刷、及/或印刷。
  57. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該第二、光學穿透式的導電媒介形成了第二導體且其中該方法進一步包含：在該第二導體之上或是之內沉積第三導電媒介。
  58. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該複數個電子元件係二極體、或發光二極體、或光生伏打二極體、或電晶體。
  59. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該電子裝置係一種可定址式的發光二極體顯示器、或發光裝置、或發電裝置。
  60. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該電子裝置係一種靜態或是區域性可定址式的發光二極體顯示器。
  61. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該電子裝置係一種發光裝置或設備。
  62. 根據申請專利範圍第29項中的方法，其中該基板包含至少是以下型式之基板的其中之一：紙、已塗佈過的紙、塑膠所塗佈的紙、有凸點的紙、纖維紙、硬紙板、廣告紙、廣告看板、木頭、塑膠、橡膠、布料、玻璃、陶瓷、混凝土、或是石頭。
  63. 一種製造一可定址式發光顯示器的方法，該方法包含：在基板的複數個空穴之內沉積第一導電媒介以形成複數個第一導體；固化第一導電媒介，其使用外加的紫外線照射或是外加的熱將該第一導電媒介固化；在該複數個空穴之內沉積複數個發光的電子元件，該複數個發光的電子元件係懸浮在一種黏合的媒介中。使用一種外加場將該複數個發光的電子元件定向；將該複數個發光的電子元件黏合至該複數個第一導體；當該複數個發光的電子元件藉由該外加場而被定向時，將該黏合的媒介固化；沉積第二、光學穿透式導電媒介以形成複數個第二導體，而該複數個第二導體係連接至該複數個發光的電子元件；以及在該複數個第二導體之上或是之內沉積第三導電媒介。
  64. 一種製造一發電裝置的方法，該方法包含：在基板的複數個空穴之內沉積第一導電媒介以形成複數個第一導體；固化第一導電媒介，其使用外加的紫外線照射或是外加的熱將該第一導電媒介固化；在該複數個空穴之內沉積複數個光生伏打電子元件，該複數個光生伏打電子元件係懸浮在一種黏合的媒介中。使用一種外加場將該複數個光生伏打電子元件定向；將該複數個光生伏打電子元件黏合至該複數個第一導體；當該複數個光生伏打電子元件藉由該外加場而被定向時，將該黏合的媒介固化；沉積第二、光學穿透式導電媒介以形成複數個第二導體，而該複數個第二導體係連接至該複數個光生伏打電子元件；以及在該複數個第二導體之上或是之內沉積第三導電媒介。
  65. 一種製造一電子裝置的方法，該方法包含：在基板的複數個空穴之內沉積第一導電媒介以形成複數個第一導體；固化第一導電媒介，其使用外加的紫外線照射或是外加的熱將該第一導電媒介固化；在該複數個空穴之內沉積複數個電子元件，該複數個電子元件係懸浮在一種黏合的媒介中。使用一種外加場將該複數個電子元件定向；將該複數個電子元件黏合至該複數個第一導體；當該複數個電子元件藉由該外加場而被定向時，將該黏合的媒介固化；沉積第二、光學穿透式導電媒介以形成複數個第二導體，而該複數個第二導體係連接至該複數個電子元件；以及在該複數個第二導體之上或是之內沉積第三導電媒介。如次頁。
TW097145855A 2007-05-31 2008-11-27 製造可定址及靜態電子顯示器、發電或其它電子裝置之方法 TWI431804B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/756,619 US7972031B2 (en) 2007-05-31 2007-05-31 Addressable or static light emitting or electronic apparatus
US11/756,616 US8889216B2 (en) 2007-05-31 2007-05-31 Method of manufacturing addressable and static electronic displays
PCT/US2008/065237 WO2008150965A2 (en) 2007-05-31 2008-05-30 Method of manufacturing addressable and static electronic displays, power generating or other electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200950147A TW200950147A (en) 2009-12-01
TWI431804B true TWI431804B (zh) 2014-03-21

Family

ID=40094118

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097145855A TWI431804B (zh) 2007-05-31 2008-11-27 製造可定址及靜態電子顯示器、發電或其它電子裝置之方法
TW097145856A TW200950148A (en) 2007-05-31 2008-11-27 Addressable or static light emitting, power generating or other electronic apparatus

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097145856A TW200950148A (en) 2007-05-31 2008-11-27 Addressable or static light emitting, power generating or other electronic apparatus

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20100244056A1 (zh)
EP (1) EP2160730B1 (zh)
JP (1) JP2010529599A (zh)
KR (1) KR20100023897A (zh)
CN (2) CN101715592B (zh)
AU (1) AU2008259989A1 (zh)
CA (1) CA2688409A1 (zh)
IL (1) IL202380A0 (zh)
MX (1) MX2009012899A (zh)
RU (1) RU2009149510A (zh)
TW (2) TWI431804B (zh)
WO (2) WO2008150965A2 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7806574B2 (en) * 2006-04-16 2010-10-05 Albeo Technologies, Inc. Thermal management of LED-based lighting systems
US20090023235A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 Mackenzie John D Method and Apparatus for Improved Printed Cathodes for Light-Emitting Devices
US8981629B2 (en) 2008-08-26 2015-03-17 Albeo Technologies, Inc. Methods of integrating LED chips with heat sinks, and LED-based lighting assemblies made thereby
US8058659B2 (en) 2008-08-26 2011-11-15 Albeo Technologies, Inc. LED chip-based lighting products and methods of building
US9076951B2 (en) 2008-08-26 2015-07-07 Albeo Technologies, Inc. Methods of integrating LED chips with heat sinks, and LED-based lighting assemblies made thereby
DE102011013052A1 (de) 2011-03-04 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
CN103843149B (zh) 2011-06-23 2017-03-22 大型太阳能有限公司 包括有涂覆步骤的制造结构的方法和对应的结构及装置
EP2810301A1 (en) * 2012-02-02 2014-12-10 The Procter and Gamble Company Light emitting laminate and method of making thereof
US9899339B2 (en) * 2012-11-05 2018-02-20 Texas Instruments Incorporated Discrete device mounted on substrate
GB201301683D0 (en) 2013-01-30 2013-03-13 Big Solar Ltd Method of creating non-conductive delineations with a selective coating technology on a structured surface
US9327649B2 (en) 2013-03-15 2016-05-03 Magna Mirrors Of America, Inc. Rearview mirror assembly
CN104253576A (zh) * 2013-06-28 2014-12-31 瀚宇彩晶股份有限公司 光伏移动装置
US8999742B1 (en) * 2013-12-10 2015-04-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Silicon microsphere fabrication
US20150257278A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-10 Tactotek Oy Method for manufacturing electronic products, related arrangement and product
GB201405662D0 (en) * 2014-03-28 2014-05-14 Big Solar Ltd Apparatus and method
GB2549133B (en) 2016-04-07 2020-02-19 Power Roll Ltd Gap between semiconductors
GB2549134B (en) * 2016-04-07 2020-02-12 Power Roll Ltd Asymmetric groove
GB2549132A (en) 2016-04-07 2017-10-11 Big Solar Ltd Aperture in a semiconductor
GB201617276D0 (en) 2016-10-11 2016-11-23 Big Solar Limited Energy storage
CN107017274B (zh) * 2017-03-28 2019-08-20 厦门市三安光电科技有限公司 一种led显示组件及其制作方法
US10412833B2 (en) * 2017-09-27 2019-09-10 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Method to neutralize incorrectly oriented printed diodes
FR3087936B1 (fr) * 2018-10-24 2022-07-15 Aledia Dispositif electronique

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
JP3503170B2 (ja) * 1993-06-29 2004-03-02 カシオ計算機株式会社 電界発光素子とその製造方法
JPH0722177A (ja) * 1993-06-29 1995-01-24 Casio Comput Co Ltd 発光パネル
US5793455A (en) * 1993-11-22 1998-08-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Elliptically polarizing plate and liquid crystal display in which a compensation sheet direction of non-zero minimum retardation is inclined at 5 to 50 degrees
US6046543A (en) 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
US7075502B1 (en) * 1998-04-10 2006-07-11 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
EP1145072B1 (en) * 1998-06-22 2003-05-07 E-Ink Corporation Method of addressing microencapsulated display media
JP4126851B2 (ja) * 1999-07-21 2008-07-30 富士ゼロックス株式会社 画像表示媒体、画像形成方法、及び画像形成装置
US6780696B1 (en) * 2000-09-12 2004-08-24 Alien Technology Corporation Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs
US6795138B2 (en) * 2001-01-11 2004-09-21 Sipix Imaging, Inc. Transmissive or reflective liquid crystal display and novel process for its manufacture
US20020195928A1 (en) * 2001-06-25 2002-12-26 Grace Anthony J. Electroluminescent display device and method of making
US7535624B2 (en) * 2001-07-09 2009-05-19 E Ink Corporation Electro-optic display and materials for use therein
US7744957B2 (en) * 2003-10-23 2010-06-29 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus for depositing material
KR100957585B1 (ko) * 2003-10-15 2010-05-13 삼성전자주식회사 광 감지부를 갖는 전자 디스플레이 장치
JP4613489B2 (ja) * 2003-12-08 2011-01-19 ソニー株式会社 素子配列方法及び表示装置
JP4572312B2 (ja) * 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
CN100421268C (zh) * 2004-02-23 2008-09-24 斯坦雷电气株式会社 Led及其制造方法
BRPI0519478A2 (pt) * 2004-12-27 2009-02-03 Quantum Paper Inc display emissivo endereÇÁvel e imprimÍvel
US7713053B2 (en) * 2005-06-10 2010-05-11 Protochips, Inc. Reusable template for creation of thin films; method of making and using template; and thin films produced from template
JP2006351264A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Alps Electric Co Ltd 電子機能素子モジュール、および前記電子機能素子モジュールを備えた入力装置、ならびに前記入力装置を備えた電子機器。

Also Published As

Publication number Publication date
IL202380A0 (en) 2010-06-30
TW200950147A (en) 2009-12-01
CN101711405A (zh) 2010-05-19
US20100244056A1 (en) 2010-09-30
KR20100023897A (ko) 2010-03-04
EP2160730A2 (en) 2010-03-10
WO2008150965A3 (en) 2009-01-29
EP2160730B1 (en) 2013-06-12
TW200950148A (en) 2009-12-01
WO2008150960A1 (en) 2008-12-11
RU2009149510A (ru) 2011-07-10
CN101715592A (zh) 2010-05-26
WO2008150965A2 (en) 2008-12-11
JP2010529599A (ja) 2010-08-26
EP2160730A4 (en) 2011-11-23
CN101711405B (zh) 2013-10-30
MX2009012899A (es) 2010-02-24
CN101715592B (zh) 2013-10-30
AU2008259989A1 (en) 2008-12-11
CA2688409A1 (en) 2008-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431804B (zh) 製造可定址及靜態電子顯示器、發電或其它電子裝置之方法
US8889216B2 (en) Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US7972031B2 (en) Addressable or static light emitting or electronic apparatus
US10516073B2 (en) Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
TWI393241B (zh) 發光裝置、顯示器及其製造方法
US8753946B2 (en) Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
JP6774527B2 (ja) 発光ユニット
TWI431826B (zh) 用於有機電子裝置之垂直互連
RU2499331C2 (ru) Светоизлучающее устройство, выполненное с возможностью приведения в действие переменным током
US11369021B2 (en) Customizable animated LED display for product package insert
US20100252173A1 (en) Method of Manufacturing Addressable and Static Electronic Displays, Power Generating Or Other Electronic Apparatus
KR100649172B1 (ko) 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees