CN100421268C - Led及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种LED及其制造方法。LED(10)包括：硅基板(11)；形成在通过在该硅基板上进行各向异性蚀刻而形成的喇叭筒形凹部(11a)内的一对电极(14、15)；安装在上述喇叭筒形凹部(11a)内并且与双方的电极电连接的LED芯片(12)；由填充在上述喇叭筒形凹部内的树脂材料构成的树脂模块(13)。由此，可以有效地抑制因发热造成的温度上升，容易实现多芯片化并且可以实现简单小型结构。

Description

LED及其制造方法
技术领域
本发明涉及LED及其制造方法。
背景技术
以往，如白色大功率LED的LED，具有如图7所示的结构。
即，在图7中，LED1的结构是，在由热传导率高的铜等构成的导电性基板2上形成喇叭筒形凹部2a，在该喇叭筒形凹部2a的底面直接安装LED芯片3，然后在喇叭筒形凹部2a内配置荧光体(未图示)，并且在导电性基板2的周围及表面覆盖树脂、陶瓷等绝缘体4。
根据这样构成的LED1，LED芯片3通过从外部供电被驱动发光，从LED芯片3射出的光直接或经由喇叭筒形凹部2a的内壁反射后，照射到荧光体上，激励该荧光体发光，通过该激励光和来自LED芯片3的光的混色，成为白色光射出到外部。
另外，还有一种公知的LED1’，其结构如图8所示，在上述喇叭筒形凹部2a的底面配置由通过刻图而形成了电极的陶瓷、硅等构成的副安装基板5，在该副安装基板5上安装LED芯片3。
对此，还公知有如图9所示构成的LED6。
在图9中，LED6构成为在陶瓷、树脂等绝缘体基板7上形成凹陷部的喇叭筒形凹部7a，在该喇叭筒形凹部7a内通过采用印刷、电镀、蒸镀等方法进行制图，形成电极7b，然后，在该电极7b上安装LED芯片3，并且在喇叭筒形凹部7a内配置荧光体(未图示)。
另外，如图10所示，上述喇叭筒形凹部7a也可以通过叠层薄绝缘体基板而构成。
根据这样构成的LED6，同样LED芯片3通过从外部供电被驱动发光，从LED芯片3射出的光直接或经由喇叭筒形凹部7a的内壁反射后，照射到荧光体上，激励该荧光体发光，通过该激励光及来自LED芯片3的光的混色，成为白色光射出到外部。
但是，在上述LED1中，由于LED芯片3的安装部分使用热传导率高的铜等金属，所以在多芯片化的情况下，需要将各LED芯片3彼此并列连接。因此，电流集中在因偏差形成的Vf低的LED芯片3上，有时会导致寿命缩短。
对此，在上述LED1’中，由于使用副安装基板5，所以在多芯片化的情况下，虽然可以将各LED芯片3彼此串联连接，但部件数目增加，导致部件成本和组装成本提高，并且增加接合部位，所以存在着动作时的热阻抗增大的问题。
另外，在上述LED6中，在通过进行制图在绝缘体基板7上形成电极而构成多芯片化的情况下，虽然可以将各LED芯片3彼此串联连接，但由于构成绝缘体基板7的绝缘体一般具有低热传导率，所以因发热使得发光效率降低，射出光束减少，导致寿命降低。
对此，作为热传导率高的绝缘体，也开发了例如AIN陶瓷等的陶瓷材料，但存在着材料自身价格昂贵及加工性差的问题。
并且，在上述的各LED1、1’及6中，均需要形成喇叭筒形凹部2a、7a，所以限制了小型化的程度，并且在现实中难于在封装体内装配其他元件、电路等。
发明内容
鉴于以上情况，本发明的目的在于，提供一种可以良好地抑制因发热造成的温度上升，容易实现多芯片化并且可以形成简单而小型结构的LED及其制造方法。
上述目的是通过本发明的第一构成的LED达到的，其特征在于，包括：硅基板；形成在通过在该硅基板上由TMAH进行各向异性蚀刻而形成的喇叭筒形凹部内的一对电极；安装在上述喇叭筒形凹部内并且与双方的电极电连接的LED芯片；由填充在上述喇叭筒形凹部内的树脂材料构成的树脂模块，以及与喇叭筒形凹部相邻形成的驱动器。
本发明的LED优选上述喇叭筒形凹部形成为从上述硅基板的上面蚀刻到中间高度位置，上述各电极形成为从上述喇叭筒形凹部的底面通过侧面沿着硅基板表面延伸。
本发明的LED优选上述硅基板由在表面形成有电极的平坦的第一基板和叠层在第一基板上的第二基板构成，上述第二基板具有上下贯通的喇叭筒形凹部。
本发明的LED优选上述LED芯片在上述喇叭筒形凹部内管芯焊接在一方的电极上，并且引线焊接在另一方的电极上。
本发明的LED优选上述LED芯片在上述喇叭筒形凹部内被安装成跨越在双方的电极上，形成于其下方的两侧缘的电极分别与喇叭筒形凹部内的双方的电极电连接。
本发明的LED优选使上述硅基板形成为以面(100)为表面，使上述喇叭筒形凹部的侧面形成为面(111)。
本发明的LED优选在上述驱动器上设置有电极，对电极通电时，驱动器发生变位，覆盖上述喇叭筒形凹部的一部分，从而使射出光的配光图形被改变。
本发明的LED优选上述驱动器是热电双压电晶片驱动器。
本发明的LED优选上述驱动器是垂直梳状静电驱动器。
上述目的是利用本发明的第二构成的LED的制造方法达到的，其特征在于，通过对硅基板的表面由TMAH进行各向异性蚀刻而形成喇叭筒形凹部，并且在该喇叭筒形凹部内形成一对电极的硅基板上，在喇叭筒形凹部内安装LED芯片并使其与双方的电极电连接，并且通过向上述喇叭筒形凹部内填充树脂材料而形成树脂模块。
根据上述第一构成，从外部通过电极向LED芯片供电，并且驱动LED芯片。然后，从LED芯片射出的光直接或经由硅基板的喇叭筒形凹部底面或侧面被反射，通过树脂模块射出到上方。
在该情况下，安装有LED芯片的基板由热传导率高的硅基板(约150W/m·k)构成，并且可以将厚度变薄，所以热阻抗可以根据下述公式而减少，在进行驱动时，从LED产生的热量通过基板有效散热。
公式1：
热阻抗(℃/W)＝基板的厚度(m)/[热传导率(W/m·K)×电热截面面积(m2)]
因此，LED芯片的温度上升被抑制，LED芯片的发光效率不会因受热而降低。由此，射出光束不会因LED芯片的发热而减少，寿命不会降低。
并且，用于电连接LED芯片的电极通过图形加工形成，所以在多芯片化的情况下，可以将各LED芯片彼此串联连接。
另外，在上述硅基板上利用半导体制造技术精细加工喇叭筒形凹部11a，可以使上述LED芯片和其他IC等半导体器件构成为一体，所以能够装配LED芯片的驱动电路，包括驱动电路，可以构成小型结构。
上述喇叭筒形凹部形成为从上述硅基板的上面蚀刻到中间高度位置，上述各电极形成为从上述喇叭筒形凹部的底面通过侧面沿着硅基板的表面延伸，具有喇叭筒形凹部的硅基板可以构成为一体结构，能够通过简单的工序进行制造。
在该情况下，利用喇叭筒形凹部的蚀刻加工时的时间管理可以抑制喇叭筒形凹部内的硅基板的厚度，所以能够降低相对LED芯片的硅基板的热阻抗。
另外，该情况时的具体厚度由于兼顾热阻抗和刚性，所以优选0.1～0.5μm。
上述硅基板由在表面形成有电极的平坦的第一基板和叠层在第一基板上的第二基板构成，上述第二基板具有上下贯通的喇叭筒形凹部时，可以在第一基板上形成形状复杂的电极和布线图形，所以能够容易装配LED芯片用驱动电路等。
上述LED芯片在上述喇叭筒形凹部内管芯焊接在一方的电极上，并且引线接合在另一方的电极上，可以容易把上下具有电极部的LED芯片安装在上述喇叭筒形凹部内。
上述LED芯片在上述喇叭筒形凹部内被安装成跨越在双方的电极上，形成于其下方的两侧缘的电极分别电连接喇叭筒形凹部内的双方的电极时，可以容易把在下面的两侧缘具有电极部的所谓倒装片型LED芯片安装在上述喇叭筒形凹部内。
上述硅基板形成为把(100)面作为表面，上述喇叭筒形凹部的侧面形成为(111)面时，通过各向异性蚀刻容易形成规定的倾斜角度的侧面。此时，上述(111)面被加工为54.7°。
在上述喇叭筒形凹部的侧面表面具有镜面的情况下，从LED芯片射出的光入射到喇叭筒形凹部侧面时，通过设在其表面的镜面被反射，所以喇叭筒形凹部侧面的反射率变高，反射效率提高。因此，提高从本LED射出的光的射出效率。在该情况下，作为反射镜的材料，红色LED优选Au、Al，蓝色LED优选Ag、Al。
在上述硅基板上形成与上述喇叭筒形凹部邻接的驱动器时，由于该驱动器的动作，从本LED射出的光的光轴摇动，或者发光部的一部分被遮光，从而能够改变发光特性和发光部形状。因此，在把本LED用作例如汽车的前照灯的光源时，可以利用上述摇动实现行驶光束模式和会车光束模式的切换及所谓的AFS功能。
在形成上述树脂模块的树脂材料中混入颗粒状荧光体时，从LED芯片射出的光接触这些荧光体并激励该荧光体，从来自该荧光体的激励光和来自LED芯片的光形成混色，向外部射出混色光。由此，可以获得例如白色光。
根据上述第二构成，在所完成的LED中，从外部通过电极向LED芯片供电，由此来驱动LED芯片。然后，从LED芯片射出的光直接或经由硅基板的喇叭筒形凹部底面或侧面被反射，通过树脂模块射出到上方。
并且，安装有LED芯片的基板由热传导率高的硅基板构成，所以在进行驱动时从LED产生的热量通过基板有效散热。因此，LED芯片的温度上升被抑制，LED芯片的发光效率不会降低。由此，射出光束不会因LED芯片的发热而减少，寿命不会降低。
在该情况下，具有这种喇叭筒形凹部的硅基板可以利用已有的半导体制造装置容易制造，所以本LED能够比较容易并且以较低成本进行制造。
这样，根据本发明，可提供一种有效地抑制因发热造成的温度上升，容易实现多芯片化并且可以实现简单小型结构的LED及其制造方法。
附图说明
图1是表示本发明的LED的第一实施例的构成的概略剖面图。
图2是表示本发明的LED的第二实施例的构成的概略剖面图。
图3是表示本发明的LED的第三实施例的构成的概略剖面图。
图4是表示本发明的LED的第四实施例的构成的概略俯视图。
图5是表示图4的LED的热电驱动器动作时的状态的概略俯视图。
图6是表示本发明的LED的第五实施例的构成的概略立体图。
图7是表示以往的LED的一例构成的概略剖面图。
图8是表示以往的LED的其他示例构成的概略剖面图。
图9是表示以往的LED的另外其他示例构成的概略剖面图。
图10是表示图9所示以往的LED的变形例构成的概略剖面图。
图中：10LED；11硅基板；11a喇叭筒形凹部12LED芯片；12a焊接引线；13树脂模块；13a荧光体；14、15电极；14a、14b、15b芯片安装部；15a连接部；20LED；21硅基板；21a喇叭筒形凹部；22第一基板；23第二基板；30LED；31LED芯片(倒装片)；40LED；41热电双压电晶片驱动器；50LED；51垂直梳状静电驱动器。
具体实施例
以下，参照图1～图6详细说明本发明的优选实施例。
另外，以下所述的实施例是本发明的优选具体示例，所以虽然在技术上进行了各种优选限定，但在以下说明中只要没有特别限定本发明的记述，本发明的范围就不限于这些实施例。
(实施例1)
图1表示本发明的LED的第一实施例的构成。
在图1中，LED10由硅基板11、在作为该硅基板11的凹陷部而形成的喇叭筒形凹部11a内安装的LED芯片12、由填充在喇叭筒形凹部11a内的树脂材料构成的树脂模块13构成
上述硅基板11的表面形成为平坦的(100)面。
并且，上述硅基板11具有由从表面下陷到中间高度位置的凹陷部形成的喇叭筒形凹部11a。
该喇叭筒形凹部11a例如通过使用TMAH的各向异性蚀刻，使其侧面形成为(111)面。
另外，上述喇叭筒形凹部11a的侧面是(111)面，所以相对底面的倾斜角度被选定为54.7度。
在该情况下，喇叭筒形凹部11a根据蚀刻工序的时间管理被加工成合适的深度，可以使喇叭筒形凹部11a的底面尽量接近硅基板11的底面、即可以尽可能地使位于喇叭筒形凹部11a底面的硅基板11的厚度变薄，由此可以降低热阻抗。
并且，如图1所示，上述硅基板11具有从该喇叭筒形凹部11a的底面通过左右侧面延伸到表面的一对电极14和15。
这些电极14、15例如在形成喇叭筒形凹部11a的硅基板11的表面上形成金属薄膜后，通过对该金属薄膜进行图形蚀刻而形成。
此处，一方的电极14具有配置在上述喇叭筒形凹部11a的底面的中央区域的安装部14a，并且该安装部14a的图形可以进行自校准，使其形状包括与所安装的LED芯片12的端子部相同的形状或与外形线的一部分相同的形状，并且通过使浮动的LED芯片12在熔融的焊锡的表面张力作用下移动，以使图形与端子部一致，另一方的电极15在上述喇叭筒形凹部11a的底面具有与该芯片安装部14a相邻的连接部15a。
另外，在该情况下，双方的电极14至少在侧面区域使其表面形成为镜面。另外，双方的电极14也可以至少在侧面区域的表面上配置分立的镜面。
上述LED芯片12是公知结构的例如发出蓝色光的LED芯片，在其上面和下面具有未图示的电极部，被安装在上述硅基板11的喇叭筒形凹部11a内的底面，并通过管芯焊接把其焊接在上述一方的电极14的芯片安装部14a上，使下面的电极部与芯片安装部14a构成电连接，同时其上面的电极部通过金线等焊接引线12a与另一方的电极15的连接部15a构成电连接。
上述树脂模块13由环氧树脂等的透光性树脂材料构成，在该透光性树脂材料中混入颗粒状荧光体13a。
因此，把树脂模块13填充到上述硅基板11的喇叭筒形凹部11a内，在固化后，形成在内部分散有颗粒状荧光体13a的状态。
此处，上述颗粒状的荧光体13a是对应LED芯片13的发光色产生例如黄色激励光的荧光体。由此，被来自LED芯片13的蓝色光激励，荧光体13a产生黄色激励光，该黄色激励光和来自LED芯片13的蓝色光混色，向外部射出白色光。
本发明实施例的LED10具有如上所述的结构，在制造时，根据本发明的制造方法按以下步骤制造。
即，首先在成为平坦的硅基板11的(100)面的表面通过各向异性蚀刻形成喇叭筒形凹部11a。此时，作为蚀刻剂例如使用TMAH(四甲基氢化氨)。
使用该TMAH的蚀刻虽然会形成比较大的过度蚀刻，并且尺寸控制比较困难，但具有对掩模的损伤小，可以使用氧化膜掩模，并且与CMOS的一致性良好的优点。与此相对，例如把KOH用作蚀刻剂时，虽然过度蚀刻小，但与CMOS的一致性差。
另外，通过这样蚀刻形成的喇叭筒形凹部11a，其侧面为(111)面，并且是倾斜角为54.7度的斜面。
而且，通过适当管理蚀刻时间，可以形成所期望深度的喇叭筒形凹部11a。
在形成电极的下一个工序之前，利用溅射法的热氧化法，在硅(Si)表面上形成薄的SiO2层，使其绝缘。
然后，跨越形成有喇叭筒形凹部11a的硅基板11的整个表面，形成用于成为电极的金属薄膜，之后对该金属薄膜进行图形蚀刻，形成电极14、15。此时，电极14、15的表面通过利用溅射、蒸镀等方法形成由例如铝、银等反射率高的材料构成的薄膜，并形成镜面。
然后，向一方的电极14的芯片安装部14a安装LED芯片13并进行管芯焊接，同时利用焊接引线12a把LED芯片13的表面电极部引线接合在另一方的电极15的连接部15a上。
之后，向喇叭筒形凹部11a内填充混入了颗粒状荧光体13a的树脂材料，并使其固化。由此，在喇叭筒形凹部11a内形成树脂模块13。至此，完成了本LED10的制造。
这样制造的LED10，从外部通过电极14、15向LED芯片12供电，由此驱动LED芯片12。
并且，从LED芯片12射出的光L直接或在硅基板11的喇叭筒形凹部11a底面或侧面经由形成为电极14、15的镜面的表面以高反射率被反射，照射到树脂模块13内的荧光体13a上，激励荧光体13a。由此，从荧光体13a产生激励光，并与来自LED芯片12的蓝色光混色，作为白色光通过树脂模块13射出到上方。
在该情况下，LED芯片12被安装在例如由具有150W/m·k的高热传导率的硅基板11上，所以在进行驱动时，从LED芯片12产生的热量可通过硅基板11进行有效散热。
因此，LED芯片12的温度上升被抑制，LED芯片12的发光效率不会因受热而降低。由此，射出光束不会因LED芯片12的发热而减少，寿命不会降低。
并且，用于电连接LED芯片12的电极14、15通过图形加工形成，所以在多芯片化的情况下，可以将各LED芯片12彼此串联连接，电流不会集中在Vf低的LED芯片12上。
另外，上述喇叭筒形凹部11a的侧面由(111)面构成，从而该喇叭筒形凹部11a的侧面形成为普通加工例如金属材料的切削加工、冲压加工或树脂成形所得不到的良好镜面。
并且，在可以廉价购入的硅基板11上，可以通过已有的半导体制造工序一体地构成其他IC等的半导体器件。因此，可以将例如用于驱动LED芯片12的发光和闪光的驱动电路一同组装在内部，可实现包括驱动电路的小型结构。
这样，根据上述LED10，通过使用硅基板11，LED芯片12的发热能够有效散热，并且利用通过图形加工形成的电极14、15容易做到多芯片化，可以将各LED芯片12彼此串联连接，所以可以避免在因偏差形成的Vf低的LED芯片12上的电流集中。
并且，上述LED10可以利用已有的半导体制造装置容易制造，所以不需要进行特别的设备投资，能够以较低成本进行制造。
(实施例2)
图2表示本发明的LED的第二实施例的结构。
在图2中，LED20的结构和图1所示LED10基本相同，所以对相同的构成要素赋予相同符号，并省略其说明。
即，LED20由以下部分构成：硅基板21；安装在作为该硅基板21的凹陷部而形成的喇叭筒形凹部21a内的LED芯片12；由填充在喇叭筒形凹部21a内的树脂材料构成的树脂模块13。
此处，上述硅基板21通过叠层两层而构成。
即，上述硅基板21由下方的第一基板22和上方的第二基板23构成。
上述第一基板22由平坦的硅基板构成，在其表面上通过在金属薄膜上制图而形成电极14、15。在该情况下，电极14、15沿着第一基板22的表面、即通过硅基板21的内部延伸到侧方。
对此，第二基板23的表面形成平坦的(100)面，具有上下贯通形成的喇叭筒形凹部21a。
该喇叭筒形凹部21a和前述LED10的喇叭筒形凹部11a相同，例如通过使用TMAH的各向异性蚀刻，使其侧面形成为(111)面，该侧面整体上具有镜面。该镜面如同公知技术那样，通过采用蒸镀、电镀等方法在喇叭筒形凹部11a的表面形成高反射率的材料的薄膜而得到。
这样构成的LED20在制造时，根据本发明的制造方法按照以下步骤制造。
即，首先在成为第一基板22的硅基板的表面通过金属薄膜的图形蚀刻形成电极14、15。
与此并行，在成为第二基板23的硅基板的(100)面的表面上通过各向异性蚀刻形成喇叭筒形凹部21a。在该情况下，喇叭筒形凹部21a上下贯通第二基板23，所以没必要高精度地设定喇叭筒形凹部21a的深度，容易进行蚀刻工序的时间管理。
然后，对第二基板23的喇叭筒形凹部21a的侧面，通过蒸镀、电镀等形成镜面，然后，把第二基板23粘贴在第一基板22上。
然后，把LED芯片13安装在露出于上述喇叭筒形凹部21a底面的一方的电极14的芯片安装部14a上并进行管芯焊接，同时利用焊接引线12a把LED芯片13的表面的电极部引线接合在另一方的电极15的连接部15a上。
之后，向喇叭筒形凹部21a内填充混入了颗粒状荧光体13a的树脂材料，并使其固化。由此，在喇叭筒形凹部21a内形成树脂模块13。另外，在形成电极之前，利用溅射热氧化法，在硅(Si)表面覆盖薄的SiO2层使其绝缘。
至此，完成了本LED20的制造。
根据这样制造的LED20，在发挥和图1所示LED10相同的作用的同时，通过使硅基板21构成为两层，可以在第一基板22的表面形成复杂的布线图形，并且跨越第二基板23的喇叭筒形凹部21a的整个内面形成镜面，所以可提高向外部导出光的效率。
(实施例3)
图3表示本发明的LED的第三实施例的结构。
在图3中，LED30的结构和图2所示LED20基本相同，所以对相同的构成要素赋予相同符号，并省略其说明。
上述LED30形成为在第一基板22的上面中央附近，电极14、15具有彼此隔开间隔对接的芯片安装部14b、15b。
并且，通过使所谓倒装片型LED芯片31以设置在其下面两侧缘的电极部载置在这些芯片安装部14b、15b上，进行安装，并构成电连接。
根据这样构成的LED30，可以发挥和图2所示LED20相同的作用。
(实施例4)
图4表示本发明的LED的第四实施例的结构。
在图4中，LED40相对例如图1所示的LED10，在硅基板11上构成邻接喇叭筒形凹部11a的作为驱动器的热电双压电晶片驱动器41。
该热电双压电晶片驱动器41其自身是公知结构，在半导体制造工序利用所谓MEMS技术通过蚀刻在硅基板11上而构成。
并且，上述热电双压电晶片驱动器41通过未图示的电极被通电，从而如图5所示，在半导体基板11上发生变位，覆盖喇叭筒形凹部11a的上面一部分。
根据这样构成的LED40和前述LED10相同，从硅基板11的喇叭筒形凹部11a向外部射出光，同时在上述热电双压电晶片驱动器41不动作时，从通过喇叭筒形凹部11a的上端开口部形成的发光部整体向外部射出光，在上述热电双压电晶片驱动器41动作时，上述发光部的一部分被上述热电双压电晶片驱动器41遮光，可以改变发光部的形状。因此，例如把上述LED40用作汽车的前照灯光源时，可以进行行驶光束模式和会车光束模式的切换。
另外，利用这种喇叭筒形凹部11a的上端开口部进行的发光部的形状改变，也可以通过在硅基板11上可能构成的其他型式的驱动器来实现。
图6表示本发明的LED的第五实施例的结构。
在图6中，LED50相对例如图1的LED10，在硅基板11上构成邻接喇叭筒形凹部11a的作为驱动器的垂直梳状静电驱动器51。
该垂直梳状静电驱动器51其自身(垂直梳齿Vertical Comb)是公知结构，在半导体制造工序中利用所谓MEMS技术，并通过蚀刻在硅基板11上构成的。
并且，上述垂直梳状静电驱动器51通过未图示的电极被通电时，如图6的箭头A所示，在半导体基板11上发生摆动，能够遮挡从喇叭筒形凹部11a上面射出的光束的一部分。
根据这样构成的LED50，和前述LED10相同从硅基板11的喇叭筒形凹部11a向外部射出光，同时利用上述垂直梳状静电驱动器51的摆动，选择性地遮挡从利用喇叭筒形凹部11a的上端开口部形成的发光部整体射出的光的一部分，由此改变发光模式。因此，例如把上述LED40用作汽车的前照灯光源时，可以实现所谓AFS功能。
另外，利用这种喇叭筒形凹部11a的上端开口部形成的发光部的形状改变，也可以通过在硅基板11上可能构成的其他型式的驱动器来实现。
在上述实施例中，利用来自LED芯片的蓝色光激励混入树脂模块中的荧光体，通过激励光和来自LED芯片的蓝色光的混色来射出白色光，但当然也可以形成为利用未混入荧光体的树脂模块将来自LED芯片的光直接射出到外部的LED。
并且，在上述实施例中，在硅基板上仅安装LED芯片12，但不限于此，当然也可以在硅基板上通过半导体制造工序一体形成其他半导体器件。
另外，在上述实施例中，在硅基板上的喇叭筒形凹部侧壁具有镜面，但不限于此，当然也可以不具有镜面。
本发明的LED通过把LED芯片安装在形成于硅基板上的喇叭筒形凹部内，从而能够以较低成本形成小型结构，容易对应多芯片化，所以可以用作各种机器的光源。

Claims (9)

1. 一种LED，其特征在于，包括：硅基板；形成在通过在该硅基板上由TMAH进行各向异性蚀刻而形成的喇叭筒形凹部内的一对电极；安装在上述喇叭筒形凹部内并且与双方的电极电连接的LED芯片；由填充在上述喇叭筒形凹部内的树脂材料构成的树脂模块，以及与喇叭筒形凹部相邻形成的驱动器。
2. 根据权利要求1所述的LED，其特征在于，通过从上述硅基板的上面蚀刻到中间高度位置而形成上述喇叭筒形凹部，
上述各电极从上述喇叭筒形凹部的底面通过侧面沿着硅基板表面延伸。
3. 根据权利要求1所述的LED，其特征在于，上述硅基板由在表面形成有电极的平坦的第一基板和叠层在第一基板上的第二基板构成，上述第二基板具有上下贯通的喇叭筒形凹部。
4. 根据权利要求1～3中任一项所述的LED，其特征在于，上述LED芯片在上述喇叭筒形凹部内管芯焊接在一方的电极上，并且引线焊接在另一方的电极上。
5. 根据权利要求1～3中任一项所述的LED，其特征在于，上述LED芯片在上述喇叭筒形凹部内被安装成跨越在双方的电极上，形成于其下方的两侧缘的电极分别与喇叭筒形凹部内的双方的电极电连接。
6. 根据权利要求1～3中任一项所述的LED，其特征在于，使上述硅基板形成为以面(100)为表面，使上述喇叭筒形凹部的侧面形成为面(111)。
7. 根据权利要求1～3中任一项所述的LED，其特征在于，在上述驱动器上设置有电极，对电极通电时，驱动器发生变位，覆盖上述喇叭筒形凹部的一部分，从而使射出光的配光图形被改变。
8. 根据权利要求7所述的LED，其特征在于，上述驱动器是热电双压电晶片驱动器。
9. 根据权利要求7所述的LED，其特征在于，上述驱动器是垂直梳状静电驱动器。
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