TWI590215B - 顯示面板 - Google Patents
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- TWI590215B TWI590215B TW105121780A TW105121780A TWI590215B TW I590215 B TWI590215 B TW I590215B TW 105121780 A TW105121780 A TW 105121780A TW 105121780 A TW105121780 A TW 105121780A TW I590215 B TWI590215 B TW I590215B
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 437
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 327
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 264
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 34
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 64
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynecerium Chemical compound [Ce]#N BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
- H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
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- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
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- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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Description
本發明是關於一種顯示面板。
在各種平面顯示器中,有機發光顯示器(Organic Light Emitting Display,簡稱OLED)因具有視角廣、色彩對比效果好、響應速度快及成本低等優點,可望成為下一代的平面顯示器之主流。
有機發光顯示器有多種型態,例如頂發光型、底發光型或雙面發光型。為了維持所需要的儲存電容,往往需要保留足夠的面積,其中對底發光型以及雙面發光型顯示器而言,儲存電容的設置將導致的有效發光區(有效顯示區)變的很小,產生開口率較小的問題。此外,若欲設計額外的觸控感應元件於有機發光顯示器內,除了,製程更複雜之外,也會產生開口率變更小的問題。
本發明之多個實施方式提供一種顯示面板的子畫素,透過設計子畫素內部具有電容介電層,藉以增大儲存電容的面積,即儲存電容元件(固態)位於二基板之間,並且提高
開口率。於部份實施方式中,設計自容式或互容式的感應電極,且感應電極與子畫素內部的圖案化導電層一同形成,以使子畫素具有感應(例如:觸控)與顯示的功能,並簡化製程步驟以降低成本。此外,設計感應電極可位於導線附近,避免影響發光區。
本發明之一態樣提供一種顯示面板,具有第一基板與設置於第一基板上之第二基板。顯示面板包含複數個子畫素,其中該些子畫素中至少一者包含資料線、掃描線、電源線、開關元件、驅動元件、保護層、圖案化電極層、電激發光層、對應電極、導電凸塊、上電容電極以及電容介電層。開關元件設置於第一基板上,且其包含第一端、第二端及第一閘極,其中第一端電連接於沿著第一方向延伸之資料線,第一閘極電連接於沿著第二方向延伸之掃描線,且第一方向不平行於第二方向。驅動元件設置於第一基板上,且其包含第一端、第二端及第二閘極,其中第一端電連接於電源線,第二閘極電連接於開關元件的第二端,且電源線電連接於第一電壓源。保護層設置於第一基板上,且其覆蓋掃描線、資料線、電源線、開關元件、驅動元件第一基板,且保護層包含第一接觸洞以及第二接觸洞。圖案化電極層,設置於第一基板之保護層上,其中圖案化電極層包含第一電容電極以及與第一電容電極相分隔之畫素電極,畫素電極經由第一接觸洞而電連接於驅動元件的第二端,第一電容電極經由第二接觸洞而電連接於開關元件的該第二端。電激發光層位於第一基板之畫素電極上。對應電極設置於第一基板之電激發光層上且電連接於第二電壓源,其中第二
電壓源不同於第一電壓源。導電凸塊突出設置於第一基板之第一電容電極上,其中導電凸塊包含導電材料。上電容電極,設置於第二基板之內表面。電容介電層覆蓋第二基板之上電容電極,其中導電凸塊、電容介電層與上電容電極形成儲存電容。
於本發明之部分實施方式中,子畫素更包含第二電容電極,設置第二基板之電容介電層上且位於電容介電層與導電凸塊之間,其中第二電容電極之相對二表面分別接觸該電容介電層與該導電凸塊,且該導電凸塊、該電容介電層、該第二電容電極與該上電容電極形成該儲存電容。
於本發明之部分實施方式中,第二電容電極的下表面具有凹陷的第一部份與位於第一部分至少一側之突出的第二部份,其中導電凸塊之頂部卡合於第二電容電極下表面之第一部份。
於本發明之部分實施方式中,各該子畫素具有發光區與至少設置於發光區之一側的非發光區,第一電容電極位於非發光區,導電凸塊包含凸塊以及第三電容電極。凸塊位於第一電容電極上。第三電容電極至少覆蓋凸塊且延伸連接第一電容電極。
於本發明之部分實施方式中,凸塊具有至少一開口,第三電容電極透過開口電性連接第一電容電極。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含堤壩,設置於保護層之上且具有第一開口以及第二開口,第一開口未遮蔽第一電容電極至少一部份,第二開口未遮蔽畫素電極至少一部份,且電激發光層與對應電極位於第二開口中。
於本發明之部分實施方式中,導電凸塊之厚度大於堤壩的厚度。
於本發明之部分實施方式中,各該子畫素具有對應於該電激發光層之發光區與至少設置於發光區之一側的非發光區,顯示面板具有至少二個第一感應電極區以及至少二個與第一感應電極區相分隔之第二感應電極區,其中顯示面板更包含多個感應電極,分別設置於第二基板上之各該第一感應電極區與各該第二感應電極區上之子畫素中,且各子畫素之感應電極與非發光區部份重疊,其中第一感應電極區的感應電極與第二感應電極區的感應電極相分隔。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含至少一第一連接電極,設置於第二基板上,其中第一連接電極用以連接相鄰之兩個子畫素的上電容電極,且第一連接電極與感應電極相分隔且部份重疊。設置於第二基板上之各該第一感應電極區與各該第二感應電極區上之每一子畫素更包含第二電容電極,設置於第二基板上且位電容介電層與導電凸塊之間,其中第二電容電極與上電容電極至少一部份重疊。
於本發明之部分實施方式中,其中第一感應電極區與第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並且延伸方向彼此交錯,顯示面板具有至少一第一橋接電極區以及至少一與該第一橋接電極區相鄰之第二橋接電極區,第一橋接電極區位於第一感應電極區與第二橋接電極區之間,且第二橋接電極區位於第一感應電極區與第二感應電極區之該些延伸方向之一交錯處,其中該顯示面板更包含第二連接電極以及第三連接電
極。第二連接電極設置第二基板上,且其位於第一橋接電極區與第二橋接電極區之各該子畫素,以連接位於各該第一感應電極區之感應電極。第三連接電極設置第二基板上,且其位於第二橋接電極區之各該子畫素,以連接位於各該第二感應電極區之感應電極,其中第二連接電極與第三連接電極相分隔且交錯。
於本發明之部分實施方式中,第二連接電極包含至少一第一子電極段以及至少一第二子電極段。第一子電極段,位於第一橋接電極區之相鄰的兩個該些子畫素之間,其中第一子電極段與位於第一橋接電極區之感應電極部份重疊並連接。第二子電極段連接第一子電極段。
於本發明之部分實施方式中,各該子畫素具有對應於電激發光層之一發光區與至少設置於發光區之一側的一非發光區,顯示面板具有至少二個第一感應電極區以及至少二個與第一感應電極區相分隔之第二感應電極區,其中顯示面板更包含多個感應電極以及至少一第一連接電極。感應電極分別設置第二基板上之各該第一感應電極區與各該第二感應電極區上之子畫素中,且各該子畫素中感應電極與發光區部份重疊,其中該些第一感應電極區的感應電極與第二感應電極區的感應電極相分隔。第一連接電極設置於第二基板上,其中第一連接電極連接相鄰之兩個子畫素的感應電極。
於本發明之部分實施方式中,其中上電容電極與與非發光區部份重疊,子畫素更包含第二電容電極以及至少一第二連接電極。第二電容電極設置於該第二基板上且位於該電
容介電層與該導電凸塊之間,其中第二電容電極與上電容電極部份重疊。第二連接電極設置於第二基板上,其中第二連接電極連接相鄰之兩個子畫素的上電容電極,且第二連接電極與第一連接電極相分隔且交錯。
於本發明之部分實施方式中,第一感應電極區與第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並且延伸方向彼此交錯,其中顯示面板具有橋接電極區位於第一感應電極區與第二感應電極區之延伸方向之交錯處,其中顯示面板更包含第三連接電極,設置該第二基板上,且其位於該橋接電極區之各該子畫素,以連接位於各第二感應電極區之感應電極,其中第三連接電極與位於橋接電極區之各該子畫素之感應電極相分隔。
於本發明之部分實施方式中,第一感應電極區與第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並且延伸方向彼此交錯,其中該顯示面板具有橋接電極區位於第一感應電極區與第二感應電極區之延伸方向之一交錯處,其中顯示面板更包含多個第二電容電極、至少一第二連接電極以及至少一第三連接電極。第二電容電極,設置於第二基板上,且其分別位於各該子畫素區中電容介電層與導電凸塊之間,其中第二電容電極與上電容電極部份重疊。第二連接電極設置於第二基板上,且位於橋接電極區之各子畫素中,以電性連接位於各第二感應電極區之感應電極,其中第二連接電極與位於該橋接電極區之各該子畫素之一感應電極相分隔。第三連接電極,設置第二基板上,且其位於橋接電極區之子畫素中,以連接位於各該橋接電極區之相鄰兩個子畫素區中之第二連接電極。
於本發明之部分實施方式中,各該子畫素具有對應於該電激發光層之一發光區與至少設置於該發光區之一側的一非發光區,顯示面板具有多個第一感應電極區,其中該圖案化電極層更包含感應電極,設置該第一基板之各該第一感應電極區之各該子畫素中,且之各該子畫素之該感應電極與該非發光區部份重疊,其中各該子畫素之該感應電極至少部分圍繞該畫素電極以及該第一電容電極皆與該感應電極且彼此相分隔。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含堤壩,設置於第一基板之該保護層上且具有第一開口以及第二開口,第一開口未遮蔽第一電容電極至少一部份,第二開口未遮蔽畫素電極至少一部份,且電激發光層與對應電極位於第二開口中,其中堤壩覆蓋感應電極。
於本發明之部分實施方式中,子畫素具有對應於該電激發光層之一發光區與至少設置於該發光區之一側的一非發光區,該顯示面板具有多個感應電極區,其中顯示面板更包含多個感應電極,分別設置於第一基板之各該感應電極區之該些子畫素中,且各該子畫素之感應電極與非發光區部份重疊,其中各該子畫素之感應電極至少部分圍繞對應電極,且畫素電極、對應電極以及第一電容電極皆與感應電極相分隔。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含至少一第一連接電極,分別設置於各該感應電極區中相鄰之二個子畫素間,以連接各該子畫素之對應電極,且各該子畫素之畫素電極、感應電極以及第一電容電極皆與第一連接電極相分
隔。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含堤壩,設置於第一基板之保護層上且具有一第一開口以及一第二開口,第一開口未遮蔽第一電容電極至少一部份,第二開口未遮蔽畫素電極至少一部份,且電激發光層與對應電極位於第二開口中,其中,感應電極設置於堤壩上,且堤壩覆蓋第一連接電極。
於本發明之部分實施方式中,子畫素具有對應於電激發光層之一發光區與至少設置於發光區之一側的非發光區,顯示面板具有至少一個與第一感應電極區相交錯且分隔之第二感應電極區,其中圖案化電極層更包含至少一第一感應電極,設置第一基板之第一感應電極區之各該子畫素上且相互連接,第一感應電極與非發光區部份重疊,其中各子畫素之感應電極至少部分圍繞畫素電極以及第一電容電極且彼此相分隔,其中顯示面板更包含堤壩以及多個第二感應電極。堤壩設置於第一基板之保護層上且具有第一開口以及第二開口,第一開口未遮蔽出第一電容電極至少一部份,第二開口未遮蔽畫素電極至少一部份,且電激發光層與對應電極位於第二開口中,其中,堤壩覆蓋第一感應電極。第二感應電極分別設置於第一基板之第二感應電極區之各該子畫素上且相互連接,第二感應電極與非發光區部份重疊,其中第二感應電極設置於堤壩上且至少部分圍繞對應電極,各該子畫素之對應電極與第二感應電極相分隔,第一感應電極與第二感應電極相分隔。
於本發明之部分實施方式中,第一感應電極區與
第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並彼此交錯而具有至少一交錯區,且第一與第二感應電極在交錯區至少部分重疊,其中顯示面板更包含至少一第一連接電極以及至少一第二連接電極。第一連接電極設置於第一基板之各該子畫素,以連接各該子畫素之第二感應電極。第二連接電極設置於第一基板之各該子畫素,第二連接電極位於該堤壩上且用以連接在交錯區的相鄰兩個子畫素之對應電極,且第一連接電極與第二連接電極彼此交錯。
於本發明之部分實施方式中,堤壩更覆蓋部份第一連接電極。
於本發明之部分實施方式中,各該子畫素具有具有對應於電激發光層之發光區與至少設置於發光區之一側的非發光區,顯示面板至少一個第一感應電極區以及至少一個與第一感應電極區相交錯且分隔之第一感應電極區,其中顯示面板更包含多個第一感應電極以及至少一第二感應電極。第一感應電極分別設置於第二基板之第一感應電極區之各該子畫素且相互連接,第一感應電極與非發光區部份重疊,其中,各該子畫素之電容上電極與該第一感應電極相分隔。多個第二感應電極設置該第一基板之第二感應電極區之各該子畫素且相互連接,第二感應電極與非發光區部份重疊,其中,各該子畫素之第二感應電極至少部分圍繞畫素電極以及第一電容電極皆與第二感應電極相分隔。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含堤壩,設置於第一基板之該保護層上且具有第一開口以及第二開
口,第一開口未遮蔽第一電容電極至少一部份,第二開口未遮蔽畫素電極至少一部份,且電激發光層與對應電極位於第二開口中。
於本發明之部分實施方式中,該第一感應電極區與該第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並彼此交錯而具有至少一交錯區,且該第一與第二感應電極於該交錯區至少部分重疊,其中該顯示面板更包含至少一第一連接電極以及至少一第二連接電極。第一連接電極設置於該第二基板之各該子畫素,以連接各該子畫素之該第一感應電極,其中各該子畫素之第二電容電極與其所在的各該第一連接電極相分隔。第二連接電極設置於第二基板之各該子畫素且連接相鄰兩個子畫素之電容上電極,且第一連接電極與第二連接電極交錯。
於本發明之部分實施方式中,堤壩覆蓋該第二感應電極,該電容介電層覆蓋第一感應電極、第二連接電極與上電容電極,且第一連接電極位於電容介電層之上。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含至少一第三連接電極,設置於第一基板之各該子畫素且連接相鄰兩個子畫素之對應電極,畫素電極與第三連接電極相分隔,且第三連接電極與第二感應電極交錯。
於本發明之部分實施方式中,第二感應電極位於堤壩上,堤壩覆蓋部份第三連接電極,該電容介電層覆蓋第一感應電極、第二連接電極與上電容電極,且第一連接電極位於電容介電層之上。
於本發明之部分實施方式中,第一感應電極區與
第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並彼此交錯而具有至少一交錯區,且第一與第二感應電極於交錯區至少部分重疊,其中第一感應電極位於電容介電層上,堤壩覆蓋部份第二感應電極。
於本發明之部分實施方式中,第一感應電極區與第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並彼此交錯而具有至少一交錯區,且第一與第二感應電極於交錯區至少部分重疊,其中顯示面板更包含至少一第一連接電極以及至少一第二連接電極。第一連接電極設置於第一基板之各該子畫素,以連接各該子畫素之第一感應電極,其中各該子畫素之第一電容電極與其所在的各該第一連接電極相分隔。第二連接電極設置於第一基板之各該子畫素且連接相鄰兩個子畫素之對應電極,且第一連接電極與第二連接電極交錯。
於本發明之部分實施方式中,第一感應電極位於電容介電層上,第二感應電極與第二連接電極位於堤壩上,且堤壩覆蓋第一連接電極。
本發明之一態樣提供一種顯示面板,包含基板、上電容電極、電容介電層、第一感應電極、對應基板、導電凸塊、電激發光層以及對應電極。上電容電極設置於基板之內表面。電容介電層覆蓋上電容電極。第一感應電極設置於基板之內表面上。對應基板相對於基板設置,其中對應基板具有至少一畫素電極以及一與畫素電極相分隔之第一電容電極,畫素電極連接驅動元件之一端點,驅動元件之閘極電性連接開關元件之一端點,第一電容電極連接開關元件之該端點。導電凸塊設
置於對應基板之第一電容電極上且其於垂直投影方向與上電容電極部份重疊。電激發光層夾設於基板與對應基板之間,且位於畫素電極上。對應電極設置於電激發光層上。
於本發明之部分實施方式中,第一感應電極環繞上電容電極。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含第一連接電極以及第二電容電極。第一連接電極設置於基板之內表面上且電性連接上電容電極或第一感應電極。第二電容電極,設置於基板之內表面上且位於電容介電層面對且接近於對應基板之一側。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含第二感應電極,設置於基板或對應基板之內表面上,其中第二感應電極與第一感應電極交錯。
於本發明之部分實施方式中,上電容電極環繞第一感應電極。
本發明之一態樣提供一種顯示面板,包含基板、上電容電極、電容介電層、第一感應電極、圖案化電極層、對應基板、導電凸塊、電激發光層以及對應電極。上電容電極設置於基板之內表面。電容介電層覆蓋上電容電極。圖案化電極層設置於對應基板之內表面上,其中圖案化電極層包含一畫素電極與一與畫素電極相分隔之第一電容電極,畫素電極連接驅動元件之一端點,驅動元件之閘極電性連接開關元件之一端點,第一電容電極連接開關元件之該端點。導電凸塊設置於對應基板之第一電容電極上且其於垂直投影方向與上電容電極
部份重疊。電激發光層位於畫素電極上。對應電極設置於電激發光層上。第一感應電極設置於對應基板之內表面上。
於本發明之部分實施方式中,圖案化電極層更包含一第一連接電極,設置於對應基板上且電性連接對應電極。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含一第二感應電極,設置於對應基板上且與第一感應電極交錯。
於本發明之部分實施方式中,圖案化電極層更包含一第二連接電極,電性連接第二感應電極。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含堤壩,設置於對應基板之圖案化電極層上且具有第一開口以及第二開口,第一開口未遮蔽第一電容電極至少一部份,第二開口未遮蔽畫素電極至少一部份,且電激發光層與對應電極位於第二開口中。
100‧‧‧子畫素
110‧‧‧第一基板
120‧‧‧圖案化電極層
D1、D2‧‧‧端
G1‧‧‧第一閘極
G2‧‧‧第二閘極
122‧‧‧第一電容電極
124‧‧‧畫素電極
130‧‧‧電激發光層
140‧‧‧對應電極
150‧‧‧堤壩
152‧‧‧第一開口
154‧‧‧第二開口
156‧‧‧開口
160‧‧‧保護層
170‧‧‧第二基板
180‧‧‧導電凸塊
182‧‧‧凸塊
182a‧‧‧開口
184‧‧‧第三電容電極
190‧‧‧電容介電層
190a‧‧‧表面
192‧‧‧開口
194‧‧‧突出物
196‧‧‧凹槽
200‧‧‧第二電容電極
202‧‧‧表面
202a‧‧‧第一部份
202b‧‧‧第二部份
204‧‧‧表面
S1、S2‧‧‧端
H1‧‧‧第一接觸洞
H2‧‧‧第二接觸洞
P1‧‧‧空隙
O1‧‧‧開口
O2‧‧‧開口
OC‧‧‧開口
L1‧‧‧緩衝層
L2‧‧‧閘極絕緣層
L3‧‧‧層間介電層
DL‧‧‧資料線
SW‧‧‧開關元件
DI‧‧‧驅動元件
SL‧‧‧掃描線
PL‧‧‧電源線
CA‧‧‧電容元件
CO1‧‧‧第一連接電極
CO3‧‧‧第三連接電極
OLED‧‧‧電激發光元件
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
GR1‧‧‧第一感應電極區
GR2‧‧‧第二感應電極區
GR3‧‧‧第三感應電極區
206‧‧‧突出物
210‧‧‧上電容電極
300‧‧‧子畫素
SE‧‧‧感應電極
SE1‧‧‧第一感應電極
SE2‧‧‧第二感應電極
C1‧‧‧第一連接電極
C2‧‧‧第二連接電極
C3‧‧‧第三連接電極
C4‧‧‧第四連接電極
C21‧‧‧第一子電極段
C22‧‧‧第二子電極段
V1‧‧‧第一電壓源
V2‧‧‧第二電壓源
BR1‧‧‧第一橋接電極區
BR2‧‧‧第二橋接電極區
IT‧‧‧交錯區
NA‧‧‧非發光區
DA‧‧‧發光區
DD‧‧‧顯示面板
CL‧‧‧連接導線
7C‧‧‧局部
第1A圖為根據本發明之部份實施方式之顯示面板的子畫素之等效電路圖。
第1B圖為根據本發明之部份實施方式之顯示面板的子畫素之等效電路圖。
第2A圖為根據本發明之第一實施方式之顯示面板的子畫素之上視圖。
第2B圖為根據第2A圖之線2B-2B之剖面圖。
第3A圖至第3C圖繪示部份實施方式中顯示面板之子畫
素的部分結構之剖面示意圖。
第4圖為根據本發明之第二實施方式之顯示面板的子畫素之剖面圖。
第5A圖至第5C圖繪示部份實施方式中顯示面板之子畫素的部分結構之剖面示意圖。
第6圖為根據本發明之第三實施方式之顯示面板的子畫素之剖面圖。
第7A圖為根據本發明之第四實施方式之顯示面板之上視示意圖。
第7B圖為第7A圖之顯示面板之放大圖。
第7C圖為第7B圖之顯示面板之局部上視示意圖。
第7D圖為沿第7C圖之線7D-7D之剖面示意圖。
第7E圖與第7F圖為根據本發明之部分實施方式之顯示面板之上視示意圖。
第8A圖為根據本發明之第五實施方式之顯示面板的局部上視示意圖。
第8B圖為沿第8A圖之線8B-8B之剖面示意圖。
第8C圖為根據本發明之第六實施方式之顯示面板的局部上視示意圖。
第8D圖為沿第8C圖之線8D-8D之剖面示意圖。
第9A圖為根據本發明之第七實施方式之顯示面板之上視示意圖。
第9B圖為第9A圖之顯示面板之局部放大圖。
第9C圖為第9B圖之顯示面板之部份之放大圖。
第9D圖為沿第9C圖之線9D-9D之剖面示意圖。
第9E圖為沿第9C圖之線9E-9E之剖面示意圖。
第10A圖為根據本發明之第八實施方式之顯示面板之局部上視示意圖。
第10B圖為沿第10A圖之線10B-10B之剖面示意圖。
第10C圖為沿第10A圖之線10C-10C之剖面示意圖。
第10D圖為沿第10A圖之線10D-10D之剖面示意圖。
第10E圖為根據本發明之部分實施方式之顯示面板之局部上視示意圖。
第10F圖為沿第10E圖之線10F-10F之剖面示意圖。
第10G圖為沿第10E圖之線10G-10G之剖面示意圖。
第10H圖為沿第10E圖之線10H-10H之剖面示意圖。
第11A圖為根據本發明之第九實施方式之顯示面板的子畫素之剖面示意圖。
第11B圖為第11A圖之顯示面板的子畫素之第一基板部份元件之上視示意圖。
第11C圖為沿第11B圖之線11C-11C之剖面示意圖。
第12A圖為根據本發明之第十實施方式之顯示面板的子畫素之剖面示意圖。
第12B圖為第12A圖之顯示面板的子畫素之第一基板部份元件之上視示意圖。
第12C圖為沿第12B圖之線12C-12C之剖面示意圖。
第13A圖為根據本發明之第十一實施方式之顯示面板之立體示意圖。
第13B圖為第13A圖之顯示面板於交錯區的子畫素之剖面示意圖。
第13C圖為第13B圖之顯示面板的子畫素之第一基板部份元件之上視示意圖。
第13D圖為沿第13C圖之線13D-13D之剖面示意圖。
第14A圖為根據本發明之第十二實施方式之顯示面板之立體示意圖。
第14B圖為第14A圖之顯示面板於交錯區的子畫素之剖面示意圖。
第14C圖為第14B圖之顯示面板的子畫素之第一基板部份元件與第二基板部份元件之上視示意圖。
第15A圖為根據本發明之第十三實施方式之顯示面板於交錯區的子畫素之剖面示意圖。
第15B圖為第15A圖之顯示面板的子畫素之第一基板部份元件與第二基板部份元件之上視示意圖。
第16A圖為根據本發明之第十四實施方式之顯示面板於交錯區的子畫素之剖面示意圖。
第16B圖為第16A圖之顯示面板的子畫素之第一基板部份元件與第二基板部份元件之上視示意圖。
第17A圖為根據本發明之第十五實施方式之顯示面板於交錯區的子畫素之剖面示意圖。
第17B圖為第17A圖之顯示面板的子畫素之第一基板部份元件與第二基板部份元件之上視示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之部份實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說,在本發明部分實施方式中,這些實務上的細節是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。
本發明之部份實施方式之顯示面板包含複數個子畫素100。第1A圖為根據本發明之部份實施方式之顯示面板的子畫素100之等效電路圖。如第1A圖所示,本發明之部份實施方式的子畫素100至少包含資料線DL、掃描線SL、電源線PL、開關元件SW、驅動元件DI、電容元件CA以及電激發光元件OLED。必需說明的是,本發明之子畫素100依照設計的需要,亦可包含其它薄膜電晶體,且電容元件CA個數亦可數個。
於本發明之多個實施方式中,開關元件SW包含二個端點S1、D1及第一閘極G1,其中端點S1、D1的其中一個電連接於資料線DL,第一閘極G1電連接於掃描線SL。驅動元件DI包含二個端點S2、D2及第二閘極G2,其中端點S2、D2的其中一個電連接於電源線PL,端點S2、D2的另一個電連接於電激發光元件OLED,第二閘極G2電連接於開關元件SW的端點S1、D1的另一個。電容元件CA之一端電連接於第二閘極G2,電容元件CA之另一端電連接於電源線PL。
於本發明之部份實施方式中,電容元件CA是為
儲存電容(固態儲存電容),當電訊號經過開關元件SW傳送至第二閘極G2時,電容元件CA可維持第二閘極G2的電壓穩定。
於此,開關元件SW以及驅動元件DI可以是薄膜電晶體包含底閘型、頂閘型、或其它合適的類型。本發明第1A圖中之開關元件SW以及驅動元件DI係以P型(P-type)薄膜電晶體為範例,但實際配置上,開關元件SW以及驅動元件DI亦可為第1B圖中開關元件SW以及驅動元件DI所示之N型(N-type)薄膜電晶體設計畫素電路,或者是開關元件SW以及驅動元件DI其中一個為P型薄膜電晶體,另一個為N型薄膜電晶體。其中薄膜電晶體之半導體層可為單層或多層結構,且其材料包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、金屬氧化物半導體材料、金屬氮化物半導體材料、金屬氮氧化物半導體材料、有機半導體材料或其它合適的材料。
第2A圖為根據本發明之第一實施方式之顯示面板的子畫素100之上視示意圖。第2B圖為根據第2A圖之線2B-2B之剖面示意圖。顯示面板具有第一基板(或稱為對應基板)110與設置於第一基板110上之第二基板(或稱為基板)170。同時參照第1A圖、第2A圖與第2B圖。於本發明之部份實施方式中,該些子畫素100中至少一部份,其至少包含資料線DL、掃描線SL、電源線PL、開關元件SW、驅動元件DI、圖案化電極層120、電激發光層130、對應電極140、保護層160、導電凸塊180、上電容電極210以及電容介電層190。
開關元件SW、驅動元件DI、資料線DL、掃描線SL以及電源線PL設置於第一基板110上。掃描線SL沿著第一
方向DR1延伸,資料線DL沿著第二方向DR2延伸,其中第二方向DR2不平行於第一方向DR1,即第一方向DR1與第二方向DR2交錯。本發明之多個實施方式以第一方向DR1與第二方向DR2垂直設置為範例,但不限於此。電源線PL電性連接於第一電壓源V1。於本實施方式中,驅動元件DI的第二閘極G2經由連接導線CL電連接於開關元件SW的端點D1。開關元件SW、驅動元件DI的配置大致如前第1A圖或第1B圖所述,在此不再贅述。其中,第2B圖所示之開關元件SW與驅動元件DI係以頂閘型薄膜電晶體為範例,其餘類型如前述所描述。簡單地舉例而言,頂閘型薄膜電晶體包含半導體層(未標示),第一閘極G1/第二閘極G2設置於半導體層(未標示)之上,閘極絕緣層L2夾設於半導體層(未標示)與第一閘極G1/第二閘極G2之間,層間介電層L3覆蓋第一閘極G1/第二閘極G2與閘極絕緣層L2,而薄膜電晶體之二端S1、D1/S2、D2各別連接至半導體層(未標示)。對於底閘型薄膜電晶體而言,其包含第一閘極G1/第二閘極G2,半導體層(未標示)設置於第一閘極G1/第二閘極G2之上,閘極絕緣層L2夾設於半導體層(未標示)與第一閘極G1/第二閘極G2之間,而薄膜電晶體之二端S1、D1/S2、D2各別連接至半導體層(未標示)。其中,緩衝層L1可選擇性的設置於第一基板110內表面上,且其夾設於第一基板110內表面與閘極絕緣層L2之間,而閘極絕緣層L2、層間介電層L3與緩衝層L1可選擇後續之保護層160所述的材料,且前述至少二者可實質上相同或不同。
保護層160設置於第一基板110上,且其覆蓋掃描
線SL、資料線DL、電源線PL、開關元件SW、驅動元件DI、連接導線CL與第一基板110,而保護層160包含第一接觸洞H1以及第二接觸洞H2。其中,保護層160可為單層或多層結構,其材料可為無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其它合適的材料)、有機材料(例如:光阻、聚亞醯胺(polyimide;PI)、苯並環丁烯(benzocyclobutene;BCB)、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。
圖案化電極層120設置於第一基板110之保護層160上,其中圖案化電極層120包含第一電容電極122以及與第一電容電極122相分隔之畫素電極124,畫素電極124經由第二接觸洞H2而電連接於驅動元件DI的端點D2,第一電容電極122經由第一接觸洞H1而電連接於連接導線CL。第一電容電極122與連接導線CL至少部分重疊,以利藉由第一接觸洞H1而電性連接。其中,第一電容電極122不與驅動元件DI以及開關元件SW之半導體層(未標示,如第2A圖或第2B圖所示)重疊(垂直投影於第一基板之方向上),以降低第一電容電極122對驅動元件DI以及開關元件SW之耦合效應,且連接導線CL位於驅動元件DI以及開關元件SW之間,其為導體材料所構成,例如:金屬、合金、歐姆接觸半導體層(例如濃摻雜之半導體層),其電阻小於半導體層本身(例如本徵層或微摻雜之半導體層)的電阻、或其它合適的材料,或前述之組合。
圖案化電極層120可為單層或多層結構,且其材料包含透明導電材料(例如:氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅、或其它合適的材料)、非透明導電材
料(例如:金屬、合金、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。舉例而言,根據顯示面板為底發光型(即光僅從第一基板110外表面離開)與雙面發光型(即光分別從第一基板110與第二基板170外表面離開),則圖案化電極層120係為透明導電材料。根據顯示面板為頂發光型(即光僅從第二基板170外表面離開),則圖案化電極層120係為非透明導電材料。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板可選擇性地更包含堤壩150,堤壩150設置於第一基板110之保護層160之上。堤壩150可覆蓋部分圖案化電極層120。堤壩150具有第一開口152以及第二開口154,第一開口152未遮蔽第一電容電極122至少一部份,即第一開口152顯露(或稱為顯現或暴露)出第一電容電極122至少一部份,第二開口154未遮蔽畫素電極124至少一部份,即第二開口154顯露(或稱為顯現或暴露)出畫素電極124至少一部份。換言之,第一開口152垂直投影於第一電容電極122(第一基板)上,且第一開口152與第一電容電極122至少一部份重疊,可視為第一開口152位於第一電容電極122至少一部份之上;第二開口154垂直投影於畫素電極124(第一基板)上,且第二開口154與畫素電極124至少一部份重疊,可視為第二開口154位於畫素電極124至少一部份之上。電激發光層130與對應電極140位於第二開口154中,因此,堤壩150可使得電激發光層130易於位在第二開口154內。堤壩150可為單層或多層結構,其材料可為無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其它合適的材料)、有機材料(例如:光阻、聚亞醯胺(PI)、苯並環丁烯(BCB)、或其它合適的
材料)、或其它合適的材料。本發明之實施例以有機材料為範例,但不限於此。
於本發明之部分實施方式中,電激發光層130位於第一基板110之畫素電極124上。對應電極140設置於第一基板110之電激發光層130上且電連接於第二電壓源V2(如圖1A或圖1B),其中第二電壓源V2不同於第一電壓源V1。電激發光層130可以由有機發光材料、無機發光材料或前述的組合形成。如此一來,畫素電極124、電激發光層130以及對應電極140共同形成前述之電激發光元件OLED(例如參照第1A圖或第1B圖)。對應電極140可為單層或多層結構,且其材料包含透明導電材料(例如:氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅、或其它合適的材料)、非透明導電材料(例如:金屬、合金、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。舉例而言,根據顯示面板是為底發光型(即光僅從第一基板110外表面離開),則對應電極140係為非透明導電材料。根據顯示面板是為頂發光型(即光僅從第二基板170外表面離開)與雙面發光型(即光分別從第一基板110與第二基板170外表面離開),則圖案化電極層120係為透明導電材料。
於本發明之多個實施方式中,子畫素100具有對應於電激發光層130之發光區DA與至少設置於發光區DA之一側的非發光區NA。於部份實施方式中,資料線DL、掃描線SL、電源線PL、開關元件SW與驅動元件DI設置於非發光區NA中,以免因不透光而影響顯示效果。
於本發明之部分實施方式中,導電凸塊180突出
設置於第一基板110之第一電容電極122上,其中導電凸塊180可包含單層或多層結構,且其材料包含導電性聚合物(例如:分子式中有金屬、本質型導電高分子、奈米或微米粒子混入聚合物中(例如導電膠)、或其它合適的材料)、非透明導電材料(例如:金屬、合金、或其它合適的材料)、透明導電材料(例如:氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。一般而言,為了提高導電凸塊180之導電能力,較佳地,其材料選用非透明導電材料(例如:金屬、合金、或其它合適的材料)。導電凸塊180在垂直投影方向(第一基板)上對應於第一電容電極122設置,即導電凸塊180在第一電容電極122上,且在垂直投影方向上其與第一電容電極122重疊。舉例而言,當顯示面板設置有堤壩150時,至少部份導電凸塊180位於第一開口152中,導電凸塊180之厚度(底面到頂面的距離)大於或實質上等於堤壩150之厚度(底面到頂面的距離),即導電凸塊180之頂部(面)會凸出或實質上齊平於堤壩150之頂部(面),但不限於此。
上電容電極210設置於第二基板170之內表面上,電容介電層190覆蓋上電容電極210。於本實施方式中,電容介電層190表面與導電凸塊180頂部接觸。導電凸塊180、電容介電層190與上電容電極210形成儲存電容,即前述之電容元件CA(例如參照第1A圖或第1B圖)。電容介電層190可為單層或多層結構,且其材料包含非自發光材料(即非電激發光材料),例如:無機材料(例如:氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋡或其它合適的材料)、有機材料(例如:光阻、聚亞醯胺
(PI)、苯並環丁烯(BCB)或其它合適的材料)、光轉換材料(例如:彩色光阻、量子點/桿或其它合適的材料)、或其它合適的材料。
於部份實施方式中,顯示面板為頂發光型或雙面發光型,且上電容電極210為非透明導電材料,上電容電極210可以不設置於發光區DA(即上電容電極210僅設置於非發光區NA)、或者上電容電極210在發光區DA為透明導電材料而在非發光區NA為非透明導電材料。如此一來,光線可以從電激發光層130發出經過電容介電層190與第二基板170外表面,且僅由第二基板170外表面輸出(頂發光型)、或者光線可以從電激發光層130發出分別經過電容介電層190與第二基板170外表面與第一基板110外表面後輸出(雙面發光型),上電容電極210不會影響到發光區DA內的光線。於部份實施方式中,當顯示面板是為頂發光型或雙面發光型時,且上電容電極210為透明導電材料,其可全面地覆蓋第二基板170而設置於發光區DA與非發光區NA。如此一來,光線可以從電激發光層130發出分別由第一基板110外表面與第二基板170外表面輸出(雙面發光型)或者僅由與第二基板170外表面輸出(頂發光型)。
或者,於部份實施方式中,當顯示面板是為底發光型時,且上電容電極210為非透明導電材料,上電容電極210可全面地覆蓋第二基板170而設置於發光區DA與非發光區NA。如此一來,光線可以從電激發光層130發出後,例如:大部份的光經過畫素電極124、保護層160、緩衝層L1、閘極絕
緣層L2、層間介電層L3以及第一基板110外表面,且僅由第一基板110外表面輸出。
透過導電凸塊180、電容介電層190以及上電容電極210,能在維持第二基板170與第一基板110的間距的同時,也構成電容元件CA,以維持子畫素之顯示效果穩定。更甚而,本發明電容元件CA係分別由第一基板110上之導電凸塊180相關設計與第二基板170上之上電容電極210相關設計,可以改善底發光或雙面發光型的顯示面板,因只有在第一基板110上設計較大的電容元件面積所造成之開口率較小的問題,即可視為解析度及/或亮度可提高,例如約可提高至少50%。更甚者,本發明電容元件CA之佈局可較為寬鬆。而且,本實施例之第二基板170上之相關設計較為平緩(例如:不存在如導電凸塊與第二基板170內表面之間的厚度差),相比於若第二基板170上存在有大幅度的厚度變化(例如:存在如導電凸塊與第二基板170內表面之間的厚度差)而言,本實施例可改善顯示面板之良率。於其它實施例中,頂發光型顯示面板亦可適用。
於本發明之多個實施方式中,導電凸塊180可選擇性的包含凸塊182以及第三電容電極184。凸塊182位於非發光區NA。第三電容電極184至少覆蓋凸塊182且延伸連接第一電容電極122。於部份實施方式中,較佳地,第三電容電極184與對應電極140可由同一圖案化層所形成,其材料依照前述的顯示面板類型可以是透明導電材料或不透明導電材料。其中,第三電容電極184與對應電極140相分隔。凸塊182可為單層或多層結構,且其材料包含絕緣材料(例如:可參閱前述之有機
材料、無機材料或其它合適的材料、或前述之組合)、導電材料(例如:可參閱前述之導電性聚合物、非透明導電材料、透明導電材料、或其它合適的材料、或前述之組合)或前述之組合,又或與前述堤壩150具有相同材料並由同一圖案化層所形成。再者,凸塊182為非透明導電材料或非透明材料時,其僅會位於非發光區NA,且凸塊182會對應於前述之第一電容電極122,即凸塊182垂直投影於第一電容電極122(第一基板),凸塊182會與第一電容電極122至少一部份重疊。
於本實施方式中,凸塊182與堤壩150之間設有空隙P1且不直接相連,第三電容電極184可選擇性的與堤壩150接觸,第三電容電極184透過空隙P1而連接第一電容電極122,但本發明不以此為限。
參考第3A圖至第3C圖。第3A圖至第3C圖繪示部份實施方式中顯示面板之子畫素的部分結構之剖面示意圖。參照第3A圖,凸塊182與堤壩150之間可設有空隙P1且不直接相連,且第三電容電極184與堤壩150可不接觸,第三電容電極184透過空隙P1而連接第一電容電極122。或者,參照第3B圖,於部份實施方式中,凸塊182與堤壩150之間可在一端直接相連而在另一端留有空隙P1,第三電容電極184透過空隙P1而連接第一電容電極122,其中,凸塊182與堤壩150之間可在最多三端連接。當凸塊182為絕緣材料所構成時,第三電容電極184必需存在,而凸塊182為導電材料所構成時,可選擇性設置第三電容電極184。更甚者,參照第3C圖,於部份實施方式中,凸塊182具有至少一開口182a垂直投影在第一基板上與
第一電容電極122部份重疊,即露出第一電容電極122,且第三電容電極184透過開口182a電性連接第一電容電極122,其中,凸塊182與堤壩150之間皆連接在一起,則凸塊182與堤壩150皆為絕緣材料,且第三電容電極184必需存在。因此,第3C圖的導電凸塊180穩固性大於第3B圖,而第3B圖的導電凸塊180穩固性大於第3A圖。在第3A圖至第3C圖,堤壩150可選擇性的退縮至第一電容電極122之外,來增加第一電容電極122與第三電容電極184接觸面積,以增加電傳穩定性。此外,前述之開口182a、152與154垂直投影於第一基板110之形狀可為多邊形,本發明以矩形為範例,但不限於此。本發明前述之導電凸塊180或凸塊182之剖面形狀以容易製造之梯形為範例,但不限於此,亦可為其它合適的剖面形狀。例如,於其它實施例中,導電凸塊180或凸塊182之剖面形狀可為階梯形,以便於第三電容電極184爬坡容易且較不易斷裂。
以上實施方式展示了多種配置凸塊182、堤壩150以及第三電容電極184的實施方式,應了解到,這些配置皆可應用至本發明的其他實施方式中,在此不一一說明。
第4圖為根據本發明之第二實施方式之顯示面板的子畫素100之剖面圖。本實施方式與第2B圖的實施方式相似,差別在於:於本實施方式中,顯示面板更包含第二電容電極200,設置於電容介電層190與導電凸塊180之間,即第二電容電極200設置於第二基板170之電容介電層190上。於此,第二電容電極200之相對二表面202、204分別接觸電容介電層190與導電凸塊180,且導電凸塊180、電容介電層190、第二
電容電極200與上電容電極210形成儲存電容(固態),即第二電容電極200、導電凸塊180與第一電容電極122當作儲存電容中一個電極(例如:下電極),上電容電極210當作儲存電容中另一個電極(例如:上電極)。
在部分情況下,例如未經平坦化時,電容介電層190的表面190a可能具有一定的粗糙度,使得導電凸塊180與電容介電層190可能接觸不完整,而影響電容值。
本實施方式透過直接設置第二電容電極200於第二基板170之電容介電層190上,使第二電容電極200與電容介電層190完整地接觸。詳細而言,第二電容電極200是透過沉積、塗佈導電材料於電容介電層190上而形成的。第二電容電極200的材料可為單層或多層結構,且其材料包含導電性聚合物(例如:分子式中有金屬元素、本質型導電高分子、奈米粒子混入聚合物中(即導電膠)、或其它合適的材料)、非透明導電材料(例如:金屬、合金、或其它合適的材料)、透明導電材料(例如:氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。若為了增加第二電容電極200之粘著性,第二電容電極200的材料(例如:導電性聚合物)可以具有適當的黏性,以附著於電容介電層190之表面190a並填入表面190a不平整的凹陷部分。
於本實施方式中,第二電容電極200與導電凸塊180各別的電極表面如有存在多個接觸點,電壓就容易從導電凸塊180傳導至第二電容電極200。因此,藉由第二電容電極200,使電容介電層190與導電凸塊180可以達到良好的電性連
接。如此一來,第二電容電極200(與導電凸塊180)、電容介電層190以及上電容電極210共同形成前述之電容元件CA(例如參照第1A圖或第1B圖),而可避免電容介電層190的表面190a粗糙度對電容值的影響。此外,電容元件CA的下電極由導電凸塊180轉為第二電容電極200來決定電容元件CA的下電極的面積,則第二電容電極200與上電容電極210的垂直投影的重疊面積就會增加,因此本發明之第二實施例相較於第一實施例之電容值可再增加至少50%。
於此,為了幫助第一基板110與第二基板170上的部份元件的對齊與固定,可以在第二基板上的膜層,例如:電容介電層190或第二電容電極200具有對應結構,例如凹槽或突出物,以供導電凸塊180卡入。詳細而言,參照第5A圖至第5C圖,第5A圖至第5C圖繪示部份實施方式中顯示面板之子畫素的部分結構之剖面示意圖。於本發明之部分實施方式中,可以設置第二電容電極200的下表面202具有第一部份202a與位於第一部份202a至少一側之第二部份202b,例如:第二部份202b至少部份環繞且突出於第一部份202a,其中導電凸塊180於第二電容電極200下表面202的垂直投影與第一部份202a重疊,則導電凸塊180頂部(面)會卡合於第二電容電極200下表面202的第一部份202a。
參照第5A圖,第二電容電極200可以具有突出物206,其可透過設置額外的導電層或者提升第二電容電極200局部的厚度而達成。或者,參照第5B圖,電容介電層190可以具有突出物194,其可透過設置額外的絕緣層或者提升電容介
電層190局部的厚度而達成,第二電容電極200順形地覆蓋電容介電層190,而使第二電容電極200的下表面202具有第一部份202a與位於第一部份202a至少一側之第二部份202b,例如:第二部份202b對應於突出物194而至少部份環繞且突出於第一部份202a。再者,參照第5C圖,電容介電層190可以具有凹槽196,第二電容電極200順形地覆蓋電容介電層190,而使第二電容電極200的下表面202具有第一部份202a與位於第一部份202a至少一側之第二部份202b,例如:第一部份202a對應於凹槽196,而第二部份202b至少部份環繞且突出於第一部份202a。於其它實施例中,第二電容電極200可以具有凹槽196,而使第二電容電極200的下表面202具有第一部份202a與位於第一部份202a至少一側之第二部份202b,例如:第一部份202a對應於凹槽196,而第二部份202b至少部份環繞且突出於第一部份202a。當然不應以此限制本發明之範圍,於其他實施方式中,可以省略第二電容電極200的配置,而僅以電容介電層190對導電凸塊180限位。
第6圖為根據本發明之第三實施方式之顯示面板的子畫素100之剖面圖。本實施方式與第2B圖的實施方式相似,差別在於:於本實施方式中,導電凸塊180由導電材料組成,例如金屬材料,而非由絕緣層與導電層組合的複合層。
於此,導電凸塊180可包含單層或多層結構,且其材料包含導電性聚合物(例如:分子式中有金屬元素、本質型導電高分子、奈米粒子混入聚合物中(即導電膠)、或其它合適的材料)、非透明導電材料(例如:金屬、合金、或其它合適
的材料)、透明導電材料(例如:氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅、或其它合適的材料)、或其它合適的材料。一般而言,為了提高導電凸塊180之導電能力,較佳地,其材料選用非透明導電材料(例如:金屬、合金、或其它合適的材料)。此外,如上所述,本實施例可選擇性的設置第三電容電極184,如此一來,導電凸塊180、電容介電層190與上電容電極210或者是導電凸塊180、第三電容電極184、電容介電層190與上電容電極210形成儲存電容,即前述之電容元件CA(參照第1A圖)。另外,本實施例也可選擇性的設置第二電容電極200,第二電容電極200(與導電凸塊180)、電容介電層190以及上電容電極210共同形成前述之電容元件CA。
以上多個實施方式分別介紹多種子畫素的結構。針對上述子畫素的結構,以下提出進一步的應用,例如:內建感應元件於顯示面板中,即感應元件位於第一基板110與第二基板170內表面之間,其中,感應元件可包含電容式觸控(位置)感應元件、電容式觸控(力)感應元件、指紋辨識感應元件、電磁感應元件(例如:近場通訊感應元件、無線充電感應元件或其它合適元件)、或其它合適元件、或前述至少二種之組合。詳細而言,設置感應電極與連接電極於這些子畫素中,感應電極與連接電極可與子畫素100內的任一導電層由同一圖案化層所形成,例如前述的圖案化電極層120、對應電極140、第三電容電極184、上電容電極210與第二電容電極200。感應電極與連接電極之另一可與對應的導電層由同一圖案化層所形成,並整合於顯示面板內的畫素結構陣列,藉以達
成感應與顯示的效果,且可減少額外的膜層與製程步驟之使用,有利於降低製造成本與時間。
以下第7A圖至第12C圖敘述配置有交錯式與非交錯式的感應陣列。
第7A圖為根據本發明之第四實施方式之顯示面板DD之上視示意圖。第7B圖為第7A圖之顯示面板DD之放大圖。本實施方式的顯示面板DD與第4圖之實施方式的顯示面板相似,顯示面板DD包含多個如前所述之子畫素100,差別在於:本實施方式的顯示面板DD更包含感應電極SE,且其設置於第二基板170上。具體而言,顯示面板DD包含具有感應電極SE的子畫素100以及不具有感應電極的子畫素300。為方便說明起見,在此僅繪示顯示面板DD的部份結構,且僅以感應電極SE設置於子畫素100的周圍為例,但實際應用上不應以此限制本發明之範圍。
於本實施方式中,顯示面板DD具有互相分隔的第一感應電極區GR1、第二感應電極區GR2以及可選擇性設置的第三感應電極區GR3。感應電極SE設置於第一感應電極區GR1、第二感應電極區GR2以及可選擇性設置的第三感應電極區GR3上的子畫素100中,其中第一感應電極區GR1的感應電極SE、第二感應電極區GR2的感應電極SE以及可選擇性設置的第三感應電極區GR3的感應電極SE相分隔。第一感應電極區GR1之子畫素100之感應電極SE彼此電性連接,第二感應電極區GR2之子畫素100之感應電極SE彼此電性連接,可選擇性設置的第三感應電極區GR3之子畫素100之感應電極SE彼此
電性連接。可選擇性設置的第三感應電極區GR3的子畫素100的感應電極SE可以連接接地端(未繪示)或浮接(floating)。當使用者觸碰顯示面板DD時,第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2之子畫素100的感應電極SE產生電容量變化,藉以感測手指位置、力、指紋圖案其中至少一種或者前述元件之功能。
詳細而言,同時參照第7B圖至第7C圖。第7C圖為第7B圖之顯示面板DD之局部7C上視示意圖。第7D圖為沿第7C圖之線7D-7D之剖面示意圖。於此,第7C圖繪示第二基板170上的各個元件配置,其以由第一基板110往第二基板170的方向為觀察方向。於此,第一感應電極區GR1之子畫素100之感應電極SE與上電容電極210(參考前述實施方式)可由同一圖案化層所形成。感應電極SE位於上電容電極210之周邊,例如:感應電極SE環繞上電容電極210,且各個相鄰的子畫素100的感應電極SE彼此可直接互相連接。
雖然在此並未繪示,第二感應電極區GR2之子畫素100以及可選擇性設置的第三感應電極區GR3之子畫素100的結構與第一感應電極區GR1之子畫素100的結構可以大致相同。第二感應電極區GR2之子畫素100之感應電極SE以及可選擇性設置的第三感應電極區GR3之子畫素100之感應電極SE與上電容電極210(參考前述實施方式)可由同一圖案化層所形成。
於本發明之部分實施方式中,顯示面板更包含至少一第一連接電極C1與第二電容電極200。第一連接電極C1
設置於第二基板170上,且第一連接電極C1與感應電極SE相分隔且於垂直投影方向上部份重疊。於部份實施方式中,第一連接電極C1可以跨過感應電極SE且透過電容介電層190中的開口192而電性連接相鄰之兩個子畫素100的上電容電極210。第二電容電極200的配置如同前述,其中第二電容電極200與上電容電極210於垂直投影方向上至少一部份重疊。於此,第一連接電極C1與第二電容電極200可由同一圖案化層所形成。或者,於其他實施方式中,感應電極SE位於上電容電極210之周邊,感應電極SE具有至少一個開口,且各個相鄰的子畫素100的上電容電極210通過感應電極SE的開口彼此可直接互相連接。第一連接電極C1與第二電容電極200可由同一圖案化層所形成,且第一連接電極C1跨過開口的上電容電極210而連接子畫素100的感應電極SE,且第一連接電極C1與上電容電極210相分隔且部份重疊。於此,感應電極SE與第一連接電極C1分別與非發光區NA部份重疊。
於此,再回到第7B圖,子畫素300可以是前述實施方式中的任何一個子畫素結構。但是,仍需具有本發明所述的電容元件結構,其餘的結構可參閱本發明其它圖式。
應了解到,不應以第7A圖與第7B圖的第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2的子畫素100排列,即第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2的開口方向是朝著同一方向,限制本發明之範圍。參照第7E圖與第7F圖,第7E圖與第7F圖為根據本發明之部分實施方式之顯示面板DD之上視示意圖。於其他實施方式中,第一感應電極區GR1與第二感
應電極區GR2的子畫素100可以有不同的排列圖案,即第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2的開口方向是朝著不同方向或二者相互交錯,亦能達到如前述之感應的效果。
雖然在此感應電極SE位於上電容電極210周邊,而需透過第一連接電極C1的設置連接相鄰的子畫素100的上電容電極210,但本發明不以此為限。於其他實施方式中,子畫素100可以具有其他結構,例如上電容電極210可位於感應電極SE周邊。以下以第8A圖至第8D圖來說明上電容電極210位於感應電極SE周邊的實施方式。
同時參照第8A圖至第8D圖。第8A圖為根據本發明之第五實施方式之顯示面板DD的局部上視示意圖。第8B圖為沿第8A圖之線8B-8B之剖面示意圖。第8C圖為根據本發明之第六實施方式之顯示面板DD的局部上視示意圖。第8D圖為沿第8C圖之線8D-8D之剖面示意圖。第8A圖至第8D圖的實施方式與第7A圖至第7D圖的實施方式相似,差別在於:於本實施方式之第一連接電極C1連接相鄰之兩個子畫素100的感應電極SE。於本實施方式中,感應電極SE可與發光區DA部份重疊,至少部分上電容電極210可與發光區DA部份重疊,即至少部分上電容電極210可位於感應電極SE周邊,例如:至少部分上電容電極210可環繞感應電極SE。為方便說明起見,第8A圖、第8C圖中僅繪示第二基板170上部份元件的結構,其中以由第一基板110往第二基板170的方向為第8A圖、第8C圖的觀察方向。
參考第8A圖與第8B圖,第一連接電極C1與第二
電容電極200由同一圖案化層所形成,上電容電極210形成容納區,可使得感應電極SE位於容納區中。第一連接電極C1與第二電容電極200由同一圖案化層所形成。第一連接電極C1跨過上電容電極210電性連接相鄰之兩個子畫素100的感應電極SE。
或者,於其他實施方式中,參考第8C圖與第8D圖,於此,第一連接電極C1、感應電極SE與上電容電極210由同一圖案化層所形成,顯示面板DD更包含至少一第二連接電極C2,且第二連接電極C2與第二電容電極200同一圖案化層所形成。第二連接電極C2設置於第二基板170上,例如:第二連接電極C2設置於第二基板170之電容介電層190上,其中第二連接電極C2連接相鄰之兩個子畫素100的上電容電極210,且第二連接電極C2與第一連接電極C1相分隔且部份重疊。於此,第二連接電極C2與上電容電極210部份重疊。第二連接電極C2與第二電容電極200由同一圖案化層所形成。
詳細而言,第8C圖與第8D圖中,上電容電極210具有開口OC,第一連接電極C1延伸過開口OC用以電性連接子畫素100的感應電極SE與另一子畫素100的感應電極SE。第二連接電極C2設置於第二基板170上,第二連接電極C2跨越開口OC而連接第一連接電極C1兩側的上電容電極210,且第二連接電極C2與第一連接電極C1相分隔且部份重疊。應了解到,本發明之多個實施方式中,可以在設置上電容電極210以及第二電容電極200的同時,設置多種感應電極與連接電極,不應以圖中所繪而限制本發明之範圍。
本實施方式的其他細節大致如前述實施方式所述,在此不再贅述。
以上第7A圖至第7D圖與第8A圖至第8D圖分別說明感應電極SE與上電容電極210由同一圖案化層所形成時的非交錯式的多種實施方式,以下將介紹感應電極SE與上電容電極210由同一圖案化層所形成時的交錯式的多種實施方式。
參照第9A圖與第9B圖,第9A圖為根據本發明之第七實施方式之顯示面板DD之上視示意圖。第9B圖為第9A圖之顯示面板之局部放大圖。本實施方式之顯示面板DD與第8A圖之實施方式之顯示面板DD相似,差別在於本實施方式採用交錯式配置。具體而言,本實施方式中,顯示面板DD具有至少二個第一感應電極區GR1、至少二個與第一感應電極區GR1相分隔之第二感應電極區GR2、第一橋接電極區BR1以及與第二橋接電極區BR2,以排列構成互電容形式感應的陣列。顯示面板DD還包含不具有感應電極的子畫素300。
詳細而言,同時參照第9C圖、第9D圖以及第9E圖,第9C圖為第9B圖之顯示面板DD之部份9B之放大圖。第9D圖為沿第9C圖之線9D-9D之剖面示意圖。第9E圖為沿第9C圖之線9E-9E之剖面示意圖。其中,第9C圖、第9D圖與第9E圖忽略第一基板上之相關設計,且第一基板上之相關設計可查閱前述實施例所述。於本實施方式中,顯示面板DD包含第一連接電極C1以及第二連接電極C2,其係與第二電容電極200由同一圖案化層所形成。
第一連接電極C1,設置於第二基板170上,且其位於各該子畫素100,以跨接相鄰的子畫素100的上電容電極210。
第二連接電極C2設置第二基板170上,且其位於第一橋接電極區BR1與第二橋接電極區BR2之各該子畫素100,以跨接位於第一橋接電極區BR1與第二橋接電極區BR2兩側之各該第一感應電極區GR1之感應電極SE,亦即,用來連接橫向傳遞訊號之感應電極SE。於本發明之部分實施方式中,第二連接電極C2包含至少一第一子電極段C21以及至少一第二子電極段C22。第一子電極段C21位於第一橋接電極區BR1與第二橋接電極區BR2之任兩相鄰的子畫素100之間,且第一子電極段C21與位於第一橋接電極區BR1之感應電極SE部份重疊。第二子電極段C22位於第一橋接電極區BR1之各該子畫素100,以連接第一子電極段C21,並與第一橋接電極區BR1之各該子畫素100的上電容電極210部份重疊。
位於第二橋接電極區BR2之各該子畫素100之感應電極SE,用來連接位於第二橋接電極區BR2上下兩端之各該第二感應電極區GR2之感應電極SE,其中第二連接電極C2與第二橋接電極區BR2之感應電極SE相分隔且交錯,例如:第二橋接電極區BR2之感應電極SE與第二連接電極C2之第二子電極段C22交錯。較佳地,第二橋接電極區BR2之感應電極SE可由第二感應電極區GR2之感應電極SE延伸經過第二橋接電極區BR2之各子畫素100後連接另一第二感應電極區GR2之感應電極SE,亦即,作為縱向傳遞訊號之感應電極SE,以
使得製程精簡且良率提昇,但不限於此。
於本實施方式中,第一連接電極C1、第二連接電極C2與第二電容電極200由同一圖案化層所形成,感應電極SE與上電容電極210由同一圖案化層所形成,但不限於此。
在此,第一橋接電極區BR1與第二橋接電極區BR2分隔且交錯是指:位於第一橋接電極區BR1的子畫素100不具有感應電極SE,第二橋接電極區BR2左右各具有一個第一橋接電極區BR1,如此,則橫向感應電極SE在第一橋接電極區BR1與第二橋接電極區BR2斷開,並藉由第二連接電極C2與第二橋接電極區BR2的感應電極SE分隔且交錯,而跨接橫向的各第一感應電極區GR1。此外,第一連接電極C1以及第二連接電極C2的配置並不圖中所繪為限,可以適當配置其他膜層以幫助這些連接線段的設置。
必需說明的是,第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2的子畫素會存在第一連接電極C1。雖然以上實施方式中,感應電極SE位於上電容電極210周邊,例如第7C圖所示之感應電極SE環繞上電容電極210,但本發明不以此為限。於其他實施方式中,子畫素100可以具有其他結構,例如上電容電極210可位於感應電極SE周邊,請參照以下實施方式。
參考第10A圖,第10A圖為根據本發明之第八實施方式之顯示面板DD之第二基板170之局部上視示意圖。於此,上電容電極210可以藉由非封閉形式位於感應電極SE周邊。顯示面板DD包含第一連接電極C1、第二連接電極C2、第
三連接電極C3以及第四電容C4。較佳地,第二連接電極C2、第四連接電極C4與第二電容電極200由同一圖案化層所形成,且第一連接電極C1、第三連接電極C3、感應電極SE與上電容電極210由同一圖案化層所形成,但不限於此。於部份實施例中,第二橋接電極區BR2的子畫素的第四連接電極C4與第二橋接電極區BR2的第三連接電極C3為不同圖案化層所形成,而第二橋接電極區BR2的該些子畫素的第四連接電極C4與第二連接電極C2為同一圖案化層所形成。第二橋接電極區BR2的該些子畫素的第三連接電極C3與其他子畫素的第一連接電極C1為同一圖案化層所形成。
同時參照第10A圖至第10D圖。第10B圖為沿第10A圖之線10B-10B之剖面示意圖。第10C圖為沿第10A圖之線10C-10C之剖面示意圖。第10D圖為沿第10A圖之線10D-10D之剖面示意圖。其中,第10A圖至第10D圖忽略第一基板上之相關設計,且第一基板上之相關設計可查閱前述實施例所述。第四連接電極C4設置該第二基板170上,且其位於第二橋接電極區BR2之各該子畫素100,以連接位於第二橋接電極區BR2之感應電極SE,且電連接於位於各該第一感應電極區GR1之感應電極SE。舉例而言,位於第二橋接電極區BR2之第四連接電極C4包含第一方向DR1以及一與第一方向DR1不同之第二方向DR2,第一方向DR1的第四連接電極C4連接相鄰的兩個子畫素100,以電性連接於各該第一感應電極區GR1之感應電極SE。第二方向DR2的第四連接電極C4僅連接位於第二橋接電極區BR2之感應電極SE。
第二連接電極C2設置第二基板170上,且其位於第一橋接電極區BR1、第二橋接電極區BR2、第一感應電極區GR1以及第二感應電極區GR2之各該子畫素100,以連接相鄰之兩個子畫素100的上電容電極210。至少位於第二橋接電極區BR2之第二連接電極C2可跨越開口OC與第三連接電極C3而連接其兩側的上電容電極210。
第三連接電極C3設置第二基板170上,且其位於第二橋接電極區BR2之各該子畫素100,以連接位於各該第二感應電極區GR2之感應電極SE,亦即,構成縱向傳遞訊號之感應電極SE。詳細而言,上電容電極210具有開口OC,第三連接電極C3穿過(延伸過)開口OC而連接子畫素100的感應電極SE與另一子畫素的感應電極SE。位於該第二橋接電極區BR2之各該子畫素100之第三連接電極C3與該感應電極SE相分隔。較佳地,第三連接電極C3可為第二橋接電極區BR2之感應電極SE一部份,其中第三連接電極C3不與位於第二橋接電極區BR2之感應電極SE連接,即第三連接電極C3與位於第二橋接電極區BR2之感應電極SE相分隔。換言之,位於第二橋接電極區BR2之第三連接電極C3可由第二感應電極區GR2之感應電極SE延伸經過第二橋接電極區BR2之各子畫素100後連接另一第二感應電極區GR2之感應電極SE,構成縱向傳遞訊號之感應電極SE,以使得製程精簡且良率提昇,但不限於此。本實施例之第二基板170上感應電極SE及其相關描述可參閱第8C圖所述。必需說明的是,以第二基板170上的部份元件來說明,第三連接電極C3與第四連接電極C4僅存在於交錯
處(區)的第二橋接電極區BR2的子畫素。再者,第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2的子畫素會存在第一連接電極C1與第二連接電極C2。
或者,參考第10E圖,第10E圖為根據本發明之部分實施方式之顯示面板DD之第二基板170之局部上視示意圖。本實施方式與第10A圖的實施方式相似,差別在於:本實施方式中,上電容電極210位於感應電極SE周邊形成容納區,可使得感應電極SE位於容納區中,例如:可參閱第8A圖所描述。顯示面板DD包含第一連接電極C1與第二連接電極C2。
同時參照第10E圖至第10H圖。第10F圖為沿第10E圖之線10F-10F之剖面示意圖。第10G圖為沿第10E圖之線10G-10G之剖面示意圖。第10H圖為沿第10E圖之線10H-10H之剖面示意圖。其中,第10E圖至第10H圖忽略第一基板上之相關設計,且第一基板上之相關設計可查閱前述實施例所述。於此,第一連接電極C1、第二連接電極C2與第二電容電極200由同一圖案化層所形成,但不限於此。第一連接電極C1跨過上電容電極210而電性連接子畫素100的感應電極SE與另一子畫素100的感應電極SE,以分別使第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2中的感應電極SE彼此電性連接。第三連接電極C3位於第二橋接電極區BR2之各子畫素100中,以使第二感應電極區GR2的感應電極SE電性連接,構成縱向傳遞訊號之感應電極SE。舉例而言,位於各子畫素100間之第一連接電極C1包含沿第一方向DR1以及與第一方向DR1不同之第二方向DR2延伸的連接電極,第一方向DR1的第
一連接電極C1連接橫向相鄰的兩個子畫素100,以電性連接於各子畫素100之感應電極SE。第二方向DR2的第一連接電極C1則用來連接縱向相鄰的兩個子畫素100之感應電極SE。
第二連接電極C2設置第二基板170上,且其延伸跨過位於第二橋接電極區BR2之各該子畫素100的上電容電極210,以電性連接第二橋接電極區BR2中的第三連接電極C3,而進一步連接位於各該第二感應電極區GR2之感應電極SE。第二連接電極C2與第一連接電極C1相分隔,第三連接電極C3與位於第二橋接電極區BR2之感應電極SE相分隔。較佳地,第三連接電極C3可與第二橋接電極區BR2之感應電極SE由同一圖案化層所形成,其中,第三連接電極C3不與位於第二橋接電極區BR2之感應電極SE連接,即第三連接電極C3與位於第二橋接電極區BR2之感應電極SE相分隔。第二連接電極C2可與第一連接電極C1由同一圖案化層所形成,如此一來,位於第二橋接電極區BR2之第二連接電極C2可由第三連接電極C3延伸經過第二橋接電極區BR2之各子畫素100後連接另一第二感應電極區GR2之感應電極SE,以使得製程精簡且良率提昇,但不限於此。必需說明的是,以第二基板170上的部份元件來說明,除了第二橋接電極區BR2的連接電極與感應電極設計不同以外,第一橋接電極區BR1的該些子畫素會存在第一連接電極C1第二基板上,與第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2的子畫素會存在第一連接電極C1相類似。
以上介紹多種感應電極的位置設計,應了解到,感應電極與連接電極的膜層並不限於與上電容電極210以及
第二電容電極200同層。除了上述配置感應電極的方式之外,於本發明之部分實施方式中,還可以配置感應電極與其他膜層一同形成。
第11A圖為根據本發明之第九實施方式之顯示面板的子畫素100之剖面示意圖。第11B圖為第11A圖之顯示面板的子畫素100之第一基板110部份元件之上視示意圖。第11C圖為沿第11B圖之線11C-11C之剖面示意圖。其中,第11C圖忽略第二基板上之相關設計,且第二基板上之相關設計可查閱前述實施例所述。於本實施方式的子畫素100與第4圖之實施方式的子畫素100相似,差別在於:本實施方式中,圖案化電極層120更包含感應電極SE,感應電極SE與非發光區NA部份重疊,其中各該子畫素100之畫素電極124以及第一電容電極122皆與感應電極SE相分隔。
本實施例係以第7A圖、第7E圖或第7F圖所述的配置方式,例如:非交錯式的實施方式,感應電極SE可設置於第一基板110之各該第一感應電極區GR1與各該第二感應電極區GR2上,且第一感應電極區GR1的感應電極SE與第二感應電極區GR2的感應電極SE相分隔。於其它實施例中,顯示面板可選擇性包含至少一第三感應電極區GR3,感應電極SE可設置第一基板110之該第三感應電極區GR3上,且第一感應電極區GR1的感應電極SE、第二感應電極區GR2的感應電極SE與第三感應電極區GR3的感應電極SE相分隔,其餘可參閱前述實施例,於此不再贅言。
如同前述,顯示面板可選擇性的包含堤壩150,
設置於該保護層160上且具有第一開口152以及第二開口154,第一開口152未遮蔽第一電容電極122至少一部份,即第一開口152顯露(或稱為顯現或暴露出)第一電容電極122至少一部份,第二開口154未遮蔽畫素電極124至少一部份,即第二開口154顯露(或稱為顯現或暴露)出畫素電極124至少一部份。換言之,第一開口152垂直投影於第一電容電極122上,且第一開口152與第一電容電極122至少一部份重疊,可視為第一開口152位於第一電容電極122至少一部份之上;第二開口154垂直投影於畫素電極124上,且第二開口154與畫素電極124至少一部份重疊,可視為第二開口154位於畫素電極124至少一部份之上。電激發光層130與對應電極140位於第二開口154中,而導電凸塊180會位於第一開口152中,且導電凸塊180頂部與電容介電層190或第二電容電極200接觸,以構成本實施例的儲存電容(電容元件CA)的結構。於此,堤壩150覆蓋感應電極SE,且導電凸塊180也與感應電極SE相分隔。
因此,感應電極SE位於第一電容電極122以及畫素電極124周邊,例如:感應電極SE環繞第一電容電極122以及畫素電極124。第一電容電極122可以透過保護層160的第一接觸洞H1經由連接導線CL電性連接開關元件SW的端點D1與驅動元件DI的第二閘極G2,畫素電極124可以透過保護層160的第二接觸洞H2電性連接驅動元件DI的端點D2,因此,不需再設計額外的連接線來分別供給第一電容電極122以及畫素電極124的電壓。本實施方式的其他細節大致上如前所述,在此不再贅述。
第12A圖為根據本發明之第十實施方式之顯示面板的子畫素100之剖面示意圖。第12B圖為第12A圖之顯示面板的子畫素100之第一基板110部份元件之上視示意圖。第12C圖為沿第12B圖之線12C-12C之剖面示意圖。其中,第12C圖忽略第二基板上之相關設計,且第二基板上之相關設計可查閱前述實施例所述。於本實施方式的子畫素100與第4圖之實施方式的子畫素100相似,差別在於:於本發明之多個實施方式中,顯示面板更包含感應電極SE,分別設置於第一感應電極區GR1與各該第二感應電極區GR2(參照第7A圖、第7E圖或第7F圖)上,且感應電極SE與非發光區NA部份重疊,其中,各該子畫素100之畫素電極124、對應電極140以及第一電容電極122皆與感應電極SE相分隔,導電凸塊180也與感應電極SE相分隔,且第一感應電極區GR1的感應電極SE與第二感應電極區GR2(參照第7A圖、第7E圖或第7F圖)的感應電極SE相分隔。於其他實施例中,顯示面板可選擇性包含至少一第三感應電極區GR3,感應電極SE可設置第一基板110之該第三感應電極區GR3上,且第一感應電極區GR1的感應電極SE、第二感應電極區GR2的感應電極SE與第三感應電極區GR3的感應電極SE相分隔,其餘可參閱前述實施例,於此不再贅言。
於此,感應電極SE與對應電極140由同一圖案化層所形成。於本發明之多個實施方式中,感應電極SE環繞對應電極140而形成封閉的空間。於本發明之部份實施方式中,顯示面板更包含至少一第一連接電極CO1,分別設置於各該第一感應電極區GR1與各該第二感應電極區GR2(參照第7A
圖、第7E圖或第7F圖)之相鄰之二個子畫素間,以連接各該子畫素100之對應電極140,且各該子畫素100之畫素電極124、感應電極SE以及第一電容電極122皆與第一連接電極CO1相分隔。藉由設置第一連接電極CO1越過感應電極SE,可以使相鄰的子畫素的對應電極140電性連接。較佳地,第一連接電極CO1與畫素電極124由同一圖案化層所形成,但不限於此。
如同前述,顯示面板包含堤壩150,設置於第一基板110之保護層160上且具有第一開口152以及第二開口154,第一開口152未遮蔽第一電容電極122至少一部份,即第一開口152顯露(或稱為顯現或暴露出)第一電容電極122至少一部份,第二開口154未遮蔽畫素電極124至少一部份,即第二開口154顯露(或稱為顯現或暴露出)畫素電極124至少一部份。換言之,第一開口152垂直投影於第一電容電極122上,且第一開口152與第一電容電極122至少一部份重疊,可視為第一開口152位於第一電容電極122至少一部份之上;第二開口154垂直投影於畫素電極124上,且第二開口154與畫素電極124至少一部份重疊,可視為第二開口154位於畫素電極124至少一部份之上。電激發光層130與對應電極140位於第二開口154中,而導電凸塊180會位於第一開口152中,且導電凸塊180頂部與電容介電層190或第二電容電極200接觸,而構成本實施例的儲存電容(電容元件CA)的結構,其中感應電極SE設置於堤壩150上,且堤壩150覆蓋該第一連接電極CO1。本實施方式的其他細節大致上如前所述,在此不再贅述。
應了解到,雖然在此並未詳細繪示,前述的感應
電極SE於第一基板110上的垂直投影可與掃描線SL、電源線PL或資料線DL於第一基板110上的垂直投影部份重疊,以降低對透光區域(例如發光區DA)的影響。於其它實施例中,前述的感應電極SE亦可不與掃描線SL、電源線PL或資料線DL重疊。
第13A圖為根據本發明之第十一實施方式之顯示面板DD之立體示意圖。本實施方式與前述實施方式相似,差別在於:本實施方式中,顯示面板DD具有至少一個第一感應電極區GR1,以及至少一個與第一感應電極區GR1相交錯且分隔之第二感應電極區GR2。於此,第一感應電極區GR1沿第一方向DR1延伸,第二感應電極SE2沿第二方向DR2延伸,其中第二方向DR2不平行於第一方向DR1,即第一方向DR1與第二方向DR2交錯。本發明之多個實施方式以第一方向DR1與第二方向DR2垂直設置為範例,但不限於此。第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2交錯處具有至少一交錯區IT。顯示面板DD更包含至少一第一感應電極SE1以及至少一第二感應電極SE2,分別設置於第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2的子畫素100中,其中第一與第二感應電極SE1、SE2在該交錯區IT交錯,即在交錯區IT會包含第一與第二感應電極SE1、SE2以及相關配合的元件。
第13B圖為第13A圖之顯示面板於交錯區IT的子畫素100之剖面示意圖。同時參照第13A圖與第13B圖。詳細而言,第一感應電極SE1屬於圖案化電極層120,設置於第一基板110之第一感應電極區GR1之各該子畫素100上且相互連
接,第一感應電極SE1與子畫素非發光區NA部份重疊,其中各該子畫素100之畫素電極124以及第一電容電極122皆與第一感應電極SE1相分隔。較佳地,畫素電極124、第一電容電極122與第一感應電極SE1由同一圖案化層所形成,但不限於此。堤壩150覆蓋第一感應電極SE1。第二感應電極SE2分別設置於該第一基板110之第二感應電極區GR2之各該子畫素100上且相互連接,第二感應電極SE2與子畫素非發光區NA部份重疊,其中第二感應電極SE2設置於堤壩150(例如頂面)上,各該子畫素100之對應電極140與第二感應電極SE2相分隔。較佳地,第二感應電極SE2與對應電極140由同一圖案化層所形成。第一感應電極SE1與第二感應電極SE2相分隔,但不限於此。
第13C圖為第13B圖之顯示面板的子畫素100之第一基板部份元件之上視示意圖。第13D圖為沿第13C圖之線13D-13D之剖面示意圖,且省略第二基板170上的元件。同時參照第13B圖至第13D圖。於本實施方式中,第一感應電極SE1設置於第二感應電極SE2下方且位於第一電容電極122以及畫素電極124周邊,例如:第一感應電極SE1環繞第一電容電極122以及畫素電極124。
於本發明之部份實施方式中,顯示面板更包含至少一第一連接電極C1以及至少一第二連接電極140C。第一連接電極C1設置於第一基板110之各該子畫素100,以連接各該子畫素100之第二感應電極SE2,其中各該子畫素100之第二感應電極SE2與其所在的各該對應電極140相分隔。第二連接
電極140C設置於第一基板110之各該子畫素100,第二連接電極140C位於堤壩150(例如頂面)上且連接在交錯區IT(參照第13A圖與第13D圖)的相鄰兩個子畫素100之對應電極140。詳細而言,第二感應電極SE2包含開口O2,第二連接電極140C透過(延伸過)開口O2而與另一子畫素的對應電極(未繪出)電性連接。第一連接電極C1可越過開口O2而電性連接第二連接電極140C兩側的第二感應電極SE2。
同時參照第13A圖至第13D圖。必需說明的是,除了交錯區IT,第一感應電極區(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感應電極SE1及其它相關的元件(以第一基板110上的部份元件為例:薄膜電晶體、畫素電極124、第一電容電極122、導電凸塊180、對應電極140與第二連接電極140C等等),但不包含第一連接電極C1與第二感應電極SE2。除了交錯區IT,第二感應電極區(沿第二方向DR2延伸)GR2包含至少一第二感應電極SE2及其它相關的元件(以第一基板110上的部份元件為例:薄膜電晶體、畫素電極124、第一電容電極122、對應電極140、導電凸塊180、第一連接電極C1與第二連接電極140C等等),但不包含至少一第一感應電極SE1。因此,在交錯區IT的子畫素,除了包含構成本發明前述實施例(例如第1圖至第6圖其一)之外,也包含了第一感應電極SE1、第二感應電極SE2、第一連接電極C1、第二連接電極140C及相關的元件。
於本發明之部份實施方式中,堤壩150更覆蓋第一感應電極SE1、部份第一連接電極C1,且第二連接電極140C
位於堤壩150上。堤壩150除了前述第一開口152與第二開口154之外,可另包含多個開口156,其內填入導電材料以電性連接第一連接電極C1與第二感應電極SE2。
於本發明之多個實施方式中,第一連接電極C1、第一電容電極122、第一感應電極SE1以及畫素電極124由同一圖案化層所形成。第二感應電極SE2以及第二連接電極140C與對應電極140由同一圖案化層所形成。較佳地,在交錯區IT中,可以配置第二感應電極SE2於圖案化電極層120(即第一基板110)上的垂直投影與第一感應電極SE1至少部份重疊,以達到較佳地感測效果,但不限於此。本實施方式的其他細節大致上如前所述,在此不再贅述。
第14A圖為根據本發明之第十二實施方式之顯示面板DD之立體示意圖。第14B圖為第14A圖之顯示面板於交錯區IT的子畫素100之剖面示意圖。第14C圖為第14B圖之顯示面板的子畫素100之第二基板170部份元件(圖的右邊)與第一基板110部份元件(圖的左邊)之上視示意圖。於本實施方式的子畫素100之第二基板170部份元件之上視示意圖所繪出的剖面圖與第7D圖類似,以及本實施方式的子畫素100之第一基板110部份元件之上視示意圖和剖面圖與第11A圖之剖面圖和第11B圖之第一基板110部份元件之上視示意圖類似,主要差別在於:於本實施方式中,顯示面板包含至少一第一感應電極SE1位於第二基板170上以及至少一第二感應電極SE2位於第一基板110上。然而,第7D圖的實施方式,僅為一感應電極於第二基板170上,或者是第11A圖和第11B圖的實施方式,僅
為一感應電極於第一基板110上。
第一感應電極SE1分別設置於第二基板170之第一感應電極區GR1之各該子畫素100。第一感應電極SE1相互連接,第一感應電極SE1與子畫素非發光區NA至少部份重疊,其中各該子畫素100之上電容電極210以及第二電容電極200皆與該第一感應電極SE1相分隔。第二感應電極SE2設置第一基板110之第二感應電極區GR2之各該子畫素100且相互連接,第二感應電極SE2與子畫素非發光區NA至少部份重疊,其中各子畫素100之畫素電極124以及第一電容電極122皆與第二感應電極SE2相分隔。
本實施方式中,顯示面板更包含至少一第一連接電極C1以及至少一第二連接電極C2。第一連接電極C1設置於該第二基板170之各該子畫素100,以連接各該子畫素100之第一感應電極SE1,其中各該子畫素100之第二電容電極200與其所在的各該第一連接電極C1由同一圖案化層所形成,且兩者相分隔。第二連接電極C2設置於該第二基板170之各該子畫素100且連接相鄰兩個子畫素100之上電容電極210,且第一連接電極C1與第二連接電極C2交錯。
同時參照第14A圖至第14C圖。必需說明的是,除了交錯區IT,第一感應電極區(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感應電極SE1及其它相關的元件(以第二基板170上的部份元件為例:上電容電極210與第一連接電極C1與第二連接電極C2等等),但於第一基板110上不包含第二感應電極SE2。除了交錯區IT,第二感應電極區(沿第二方向DR2
延伸)GR2包含至少一第二感應電極SE2及其它相關的元件(以第一基板110上的部份元件為例:薄膜電晶體、畫素電極124、導電凸塊180、第一電容電極122等等),但於第二基板170上不包含至少一第一感應電極SE1與第一連接電極C1。因此,在交錯區IT的子畫素,除了包含構成本發明前述實施例(例如第1圖至第6圖其一)之外,也包含了第一感應電極SE1、第二感應電極SE2、第一連接電極C1、第二連接電極C2及相關的元件。
如第14B圖所示,本實施方式中,堤壩150覆蓋第一基板110之第二感應電極SE2,電容介電層190覆蓋第二基板170之第一感應電極SE1、第二連接電極C2與上電容電極210,且第一連接電極C1位於電容介電層190上。
於本實施方式中,較佳地,第一感應電極SE1與上電容電極210由同一圖案化層所形成,而第二感應電極SE2、畫素電極124與第一電容電極122由同一圖案化層所形成,但不限於此。第一感應電極SE1具有開口O1,第二連接電極C2經由(延伸過)開口O1而電性連接上電容電極210與另一子畫素的上電容電極(未繪出)。第一連接電極C1越過開口O1而電性連接第二連接電極C2兩側的第一感應電極SE1。第二感應電極SE2位於第一電容電極122以及畫素電極124之周邊,例如:第二感應電極SE2環繞第一電容電極122以及畫素電極124。於部份實施方式中,在交錯區IT中,第一感應電極SE1於第一基板110上的垂直投影與第二感應電極SE2部份重疊。本實施方式的其他細節大致上如前所述,在此不再贅述。
第15A圖為根據本發明之第十三實施方式之顯示面板於交錯區IT(參考第14A圖)的子畫素100之剖面示意圖。第15B圖為第15A圖之顯示面板的子畫素100之第二基板170部份元件(圖的右邊)與子畫素之第一基板110部份元件(圖的左邊)之上視示意圖。於本實施方式的子畫素100之第二基板170部份元件之上視示意圖所繪出的剖面圖與第7C圖之實施方式以及本實施方式的子畫素100之第一基板110部份元件之上視示意圖和剖面圖與第12A圖之剖面圖和第12B圖之第一基板110部份元件之上視示意圖類類似,主要差別在於:顯示面板包含至少一第一感應電極SE1位於第二基板170上以及至少一第二感應電極SE位於第一基板110上。然而,第7C圖的實施方式,僅為感應電極於第二基板170上,或者是第12A圖和第12B圖的實施方式,僅為感應電極於第一基板110上。
於本發明之多個實施方式中,第二感應電極SE2位於對應電極140之周邊,例如:第二感應電極SE2環繞對應電極140,而形成容納對應電極140之容納區。顯示面板之圖案化電極層120更包含至少一第三連接電極CO3,設置於第一基板110之各該子畫素100,設置第三連接電極CO3越過第二感應電極SE2以連接相鄰兩個子畫素100之對應電極140,畫素電極124與該第三連接電極CO3相分隔,且第三連接電極CO3與該第二感應電極SE2交錯。較佳地,第二感應電極SE2與對應電極140由同一圖案化層所形成,畫素電極124與第一電容電極122由同一圖案化層所形成,但不限於此。於本發明之部份實施方式中,第二感應電極SE2位於堤壩150(例如:頂
面)上,堤壩150覆蓋部份第三連接電極CO3,如第15A圖所示。
同時參照第14A圖、第15A圖與第15B圖。必需說明的是,除了交錯區IT,第一感應電極區(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感應電極SE1及其它相關的元件(以第二基板170上的部份元件為例:上電容電極210與第一連接電極C1與第二連接電極C2等等),但於第一基板110上不包含第二感應電極SE2。除了交錯區IT,第二感應電極區(沿第二方向DR2延伸)GR2包含至少一第二感應電極SE2及其它相關的元件(以第一基板110上的部份元件為例:薄膜電晶體、畫素電極124、導電凸塊180、第一電容電極122、第三連接電極CO3、對應電極140等等),但於第二基板170上不包含至少一第一感應電極SE1與第一連接電極C1。因此,在交錯區IT的子畫素,除了包含構成本發明前述實施例(例如第1圖至第6圖其一)之外,也包含了第一感應電極SE1、第二感應電極SE2、第一連接電極C1、第二連接電極C2、第三連接電極CO3及相關的元件。
於本發明之部份實施方式中,電容介電層190覆蓋第二基板170之第一感應電極SE1、第二連接電極C2與上電容電極210,且第一連接電極C1位於電容介電層190之上。第一感應電極SE1設置於子畫素之非發光區NA,第一感應電極SE1具有開口O1,第二連接電極C2經由(延伸過)開口O1而電性連接上電容電極210與另一子畫素的上電容電極(未繪示)。第一連接電極C1越過開口O1而電性連接兩側的第一感應電極SE1。較佳地,第一連接電極C1與第二電容電極200由同一圖
案化層所形成,第一感應電極SE1、第二連接電極C2與上電容電極210由同一圖案化層所形成,但不限於此。
於本實施方式中,在交錯區IT中,第一感應電極SE1於圖案化電極層120(即第一基板110)上的垂直投影與第二感應電極SE2部份重疊。本實施方式的其他細節大致上如前所述,在此不再贅述。
第16A圖為根據本發明之第十四實施方式之顯示面板於交錯區IT(參考第14A圖)的子畫素100之剖面示意圖。第16B圖為第16A圖之顯示面板的子畫素100之第二基板170部份元件(圖的右邊)與第一基板110部份元件(圖的左邊)之上視示意圖。於本實施方式的子畫素100與第11A圖之實施方式的子畫素100類似,差別在於:於本發明之多個實施方式中,顯示面板更包含至少一第一感應電極SE1位於第二基板170上以及至少一第二感應電極SE2位於第一基板110上。然而,第11A圖和第11B圖的實施方式,僅為一感應電極於第一基板110上。
同時參考第14A圖與第16A圖,第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2交錯處具有至少一交錯區IT,且第一與第二感應電極SE1、SE2於交錯區IT交錯。第一感應電極SE1分別設置於第二基板170之第一感應電極區GR1(參考第14A圖)之各該子畫素100。第一感應電極SE1相互連接,第一感應電極SE1與子畫素非發光區NA至少部份重疊,其中各該子畫素100之上電容電極210以及第二電容電極200皆與第一感應電極SE1相分隔。第二感應電極SE2設置第一基板110
之第二感應電極區GR2(參考第14A圖)之各該子畫素100且相互連接,第二感應電極SE2與子畫素非發光區NA至少部份重疊,其中各子畫素100之畫素電極124以及第一電容電極122皆與第二感應電極SE2相分隔。
同時參照第14A圖、第16A圖與第16B圖。必需說明的是,除了交錯區IT,第一感應電極區(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感應電極SE1及其它相關的元件(以第二基板170上的部份元件為例:上電容電極210、第二電容電極200等等),但於第一基板110上不包含第二感應電極SE2。除了交錯區IT,第二感應電極區(沿第二方向DR2延伸)GR2包含至少一第二感應電極SE2及其它相關的元件(以第一基板110上的部份元件為例:薄膜電晶體、畫素電極124、第一電容電極122、導電凸塊180、與對應電極140等等),但於第二基板170上不包含至少一第一感應電極SE1。因此,在交錯區IT的子畫素,除了包含構成本發明前述實施例(例如第1圖至第6圖其一)之外,也包含了第一感應電極SE1、第二感應電極SE2及相關的元件。
如第16A圖所示,第一感應電極SE1位於第二基板170之電容介電層190上,堤壩150覆蓋第一基板110之部份第二感應電極SE2,其餘相關細節請參閱前述。於本發明之多個實施方式中,如圖16B圖所示,於第二基板170上之第一感應電極SE1位於第二電容電極200周邊,例如:第一感應電極SE1環繞第二電容電極200,於第一基板110上之第二感應電極SE2位於第一電容電極122以及畫素電極124周邊例如:第
二感應電極SE2環繞第一電容電極122以及畫素電極124,其中在交錯區IT中,第一感應電極SE1於圖案化電極層120(即第一基板110)上的垂直投影與第二感應電極SE2部份重疊。本實施方式的其他細節大致上如前所述,在此不再贅述。
第17A圖為根據本發明之第十五實施方式之顯示面板於交錯區IT(參考第14A圖)的子畫素100之剖面示意圖。第17B圖為第17A圖之顯示面板的子畫素100之第二基板170部份元件(圖的右邊)與第一基板110部份元件(圖的左邊)之上視示意圖。於本實施方式的子畫素100與第12A圖之實施方式的子畫素100類似,主要差別在於:顯示面板包含至少一第一感應電極SE1位於第二基板170上以及至少一第二感應電極SE2位於第一基板110上。然而,第12A圖和第12B圖的實施方式,僅為一感應電極於第一基板110上。
同時參考第14A圖與第17A圖,第一感應電極區GR1與第二感應電極區GR2交錯處具有至少一交錯區IT,且第一與第二感應電極SE1、SE2於交錯區IT交錯。第一感應電極SE1分別設置於第二基板170之第一感應電極區GR1(參考第14A圖)之各該子畫素100。第一感應電極SE1相互連接,第一感應電極SE1與子畫素非發光區NA至少部份重疊,其中各該子畫素100之上電容電極210以及第二電容電極200皆與該第一感應電極SE1相分隔。第二感應電極SE2設置第一基板110之第二感應電極區GR2(參考第14A圖)之各該子畫素100且相互連接,第二感應電極SE2與子畫素非發光區NA至少部份重疊,其中各子畫素100之畫素電極124以及第一電容電極
122皆與第二感應電極SE2相分隔,且第一感應電極SE1與第二感應電極SE2相分隔。
本實施方式中,顯示面板更包含至少一第一連接電極C1以及至少一第二連接電極140C。第一連接電極C1設置於第一基板110之各該子畫素100,以連接各該子畫素100之第二感應電極SE2,其中各該子畫素之第一電容電極122與其所在的各該第一連接電極C1相分隔。第二連接電極140C設置於第一基板110之各該子畫素100且連接相鄰兩個子畫素100之對應電極140,且第一連接電極C1與第二連接電極140C交錯。較佳地,第二感應電極SE2、第二連接電極140C與對應電極140由同一圖案化層所形成,畫素電極124、第一連接電極C1與第一電容電極122由同一圖案化層所形成,但不限於此。於本發明之部份實施方式中,第一感測電極SE1位於第二基板170之電容介電層190上,第二感應電極SE2與第二連接電極140C位於第一基板110之堤壩150(例如:頂面)上,堤壩150覆蓋部份第一連接電極C1,如第17A圖所示。
同時參照第14A圖、第17A圖與第17B圖。必需說明的是,除了交錯區,第一感應電極區(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感應電極SE1及其它相關的元件(以第二基板170上的部份元件為例:上電容電極210與第二電容電極200等等),但於第一基板110上不包含第二感應電極SE2。除了交錯區IT,第二感應電極區(沿第二方向DR2延伸)GR2包含至少一第二感應電極SE2及其它相關的元件(以第一基板110上的部份元件為例:薄膜電晶體、畫素電極124、
第一電容電極122、導電凸塊180、第一連接電極C1、第二連接電極140C、對應電極140等等),但於第二基板170上不包含至少一第一感應電極SE1。因此,在交錯區IT的子畫素,除了包含構成本發明前述實施例(例如第1圖至第6圖其一)之外,也包含了第一感應電極SE1、第二感應電極SE2、第一連接電極C1、第二連接電極140C及相關的元件。於其它實施例中,若為了連接相鄰的兩個子畫素中的上電容電極210可更包含第三連接電極(未繪示)來連接。
於本發明之多個實施方式中,第一感應電極SE1位於第二電容電極200周邊,例如:第一感應電極SE1環繞第二電容電極200,第二感應電極SE2位於對應電極140周邊,例如:第二感應電極SE2環繞對應電極140,其中在交錯區IT中,第一感應電極SE1於第一基板110上的垂直投影與第二感應電極SE2於第一基板110上的垂直投影部份重疊。
於此,圖案化電極層120包含第一連接電極C1。第一感應電極SE1包含開口O1,第二連接電極140C透過(延伸過)開口O1而電性連接對應電極140與另一子畫素的對應電極。第一連接電極C1可越過開口O1而電性連接第二連接電極140C兩側的第一感應電極SE1。本實施方式的其他細節大致上如前所述,在此不再贅述。
應了解到,以上的多個實施方式中,第一感應電極SE1與第二感應電極SE2於第一基板110上的垂直投影可與掃描線SL、電源線PL或資料線DL於第一基板110上的垂直投影部份重疊,以降低對透光區域(例如發光區DA)的影響,但
不限於此。此外,前述感應電極,若需要做成迴圈式的感應電極(例如:電磁感應元件)時,可以在兩相鄰的感應電極之間或尾端額外設置連接電極;或者是,可以在該些第一或第二感應電極之間或尾端額外設置連接電極,使得該些第一或第二感應感應電極形成迴圈式的感應電極;或者是,可以在該些第一與第二感應電極之間或尾端額外設置連接電極,使得該些第一與第二感應感應電極形成迴圈式的感應電極。
本發明之多個實施方式提供一種顯示面板的子畫素,透過設計子畫素內部具有電容介電層,藉以增大儲存電容的面積,即儲存電容元件(固態)位於二基板之間,並且提高開口率。於部份實施方式中,設計自容式或互容的感應電極,且感應電極與子畫素內部的圖案化導電層一同形成,以使子畫素具有感應(例如:觸控)與顯示的功能,並簡化製程步驟以降低成本。此外,設計感應電極位於導線附近,避免影響發光區。
雖然本發明已以多種實施方式揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧子畫素
110‧‧‧第一基板
120‧‧‧圖案化電極層
122‧‧‧第一電容電極
124‧‧‧畫素電極
130‧‧‧電激發光層
140‧‧‧對應電極
150‧‧‧堤壩
152‧‧‧第一開口
154‧‧‧第二開口
160‧‧‧保護層
170‧‧‧第二基板
180‧‧‧導電凸塊
182‧‧‧凸塊
184‧‧‧第三電容電極
190‧‧‧電容介電層
D1‧‧‧端點
D2‧‧‧端點
G1‧‧‧第一閘極
G2‧‧‧第二閘極
S1‧‧‧端點
H1‧‧‧第一接觸洞
H2‧‧‧第二接觸洞
P1‧‧‧空隙
L1‧‧‧緩衝層
L2‧‧‧閘極絕緣層
L3‧‧‧層間介電層
SW‧‧‧開關元件
DI‧‧‧驅動元件
NA‧‧‧非發光區
DA‧‧‧發光區
CL‧‧‧連接導線
210‧‧‧上電容電極
DL‧‧‧資料線
Claims (41)
- 一種顯示面板,具有一第一基板與一設置於該第一基板上之第二基板,且該顯示面板包含複數個子畫素,其中該些子畫素中至少一者包含:一開關元件,設置於該第一基板上,且其包含第一端、第二端及一第一閘極,其中該第一端電連接於沿著一第一方向延伸之一資料線,該第一閘極電連接於沿著一第二方向延伸之一掃描線,且該第一方向不平行於該第二方向;一驅動元件,設置於該第一基板上,且其包含第一端、第二端及一第二閘極,其中該第一端電連接於一電源線,該第二閘極電連接於該開關元件的該第二端,且該電源線電連接於一第一電壓源;一保護層,設置於該第一基板上,且其覆蓋該掃描線、該資料線、該電源線、該開關元件、該驅動元件與該第一基板,且該保護層包含一第一接觸洞以及一第二接觸洞;一圖案化電極層,設置於該第一基板之該保護層上,其中該圖案化電極層包含一第一電容電極以及一與該第一電容電極相分隔之畫素電極,該畫素電極經由該第一接觸洞而電連接於該驅動元件的該第二端,該第一電容電極經由該第二接觸洞而電連接於該開關元件的該第二端;一電激發光層,位於該第一基板之該畫素電極上;一對應電極,設置於該第一基板之該電激發光層上且電連接於一第二電壓源,其中該第二電壓源不同於該第一電壓源; 一導電凸塊,突出設置於該第一基板之該第一電容電極上,其中該導電凸塊包含導電材料;一上電容電極,設置於該第二基板之內表面;一電容介電層,覆蓋該第二基板之該上電容電極;以及一第二電容電極,設置於該第二基板之該電容介電層上且位於該電容介電層與該導電凸塊之間,其中該第二電容電極之相對二表面分別接觸該電容介電層與該導電凸塊,且該導電凸塊、該電容介電層、該第二電容電極與該上電容電極形成一儲存電容。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中該第二電容電極的下表面具有凹陷的一第一部份與位於該第一部分至少一側之突出的一第二部份,且該導電凸塊之頂部卡合於該第二電容電極下表面之該第一部份。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中各該子畫素具有一發光區與至少設置於該發光區之一側的一非發光區,該第一電容電極位於該非發光區,該導電凸塊包含:一凸塊,位於該第一電容電極上;以及一第三電容電極,至少覆蓋該凸塊且延伸連接該第一電容電極。
- 如請求項3所述之顯示面板,其中該凸塊具有至少一開口,該第三電容電極透過該開口電性連接該第一 電容電極。
- 如請求項1所述之顯示面板,該子畫素更包含:一堤壩,設置於該保護層之上且具有一第一開口以及一第二開口,該第一開口未遮蔽該第一電容電極至少一部份,該第二開口未遮蔽該畫素電極至少一部份,且該電激發光層與該對應電極位於該第二開口中。
- 如請求項5所述之顯示面板,其中該導電凸塊之厚度大於該堤壩的厚度。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中各該子畫素具有對應於該電激發光層之一發光區與至少設置於該發光區之一側的一非發光區,該顯示面板具有至少二個第一感應電極區以及至少二個與該些第一感應電極區相分隔之第二感應電極區,其中該顯示面板更包含:複數感應電極,分別設置於該第二基板上之各該第一感應電極區與各該第二感應電極區上之該些子畫素中,且各該子畫素之該感應電極與該非發光區部份重疊,其中該些第一感應電極區的該感應電極與該些第二感應電極區的該感應電極相分隔。
- 如請求項7所述之顯示面板,更包含: 至少一第一連接電極,設置於該第二基板上,其中該第一連接電極用以連接相鄰之兩個子畫素的該些上電容電極,且該第一連接電極與該感應電極相分隔且部份重疊,其中該第二電容電極與該上電容電極至少一部份重疊。
- 如請求項8所述之顯示面板,其中該些第一感應電極區與該些第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並且該些延伸方向彼此交錯,其中該顯示面板更具有至少一第一橋接電極區以及至少一與該第一橋接電極區相鄰之第二橋接電極區,該第一橋接電極區位於該第一感應電極區與該第二橋接電極區之間,且該第二橋接電極區位於該些第一感應電極區與該些第二感應電極區之該些延伸方向之一交錯處,其中該顯示面板更包含:一第二連接電極,設置該第二基板上,且其位於該第一橋接電極區與該第二橋接電極區之各該子畫素,以連接位於各該第一感應電極區之該些感應電極;以及一第三連接電極,設置該第二基板上,且其位於該第二橋接電極區之各該子畫素,以連接位於各該第二感應電極區之該些感應電極,其中該第二連接電極與該第三連接電極相分隔且交錯。
- 如請求項9所述之顯示面板,其中該第二連接電極包含:至少一第一子電極段,位於該第一橋接電極區之相鄰的 兩個該些子畫素之間,其中該第一子電極段與位於該第一橋接電極區之該感應電極部份重疊並連接;以及至少一第二子電極段,以連接該第一子電極段。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中各該子畫素具有對應於該電激發光層之一發光區與至少設置於該發光區之一側的一非發光區,該顯示面板具有至少二個第一感應電極區以及至少二個與該第一感應電極區相分隔之第二感應電極區,其中該顯示面板更包含:複數感應電極,分別設置該第二基板上之各該第一感應電極區與各該第二感應電極區之該些子畫素中,且各該子畫素中該感應電極與該發光區部份重疊,其中該些第一感應電極區的該些感應電極與該些第二感應電極區的該些感應電極相分隔;以及至少一第一連接電極,設置於該第二基板上,其中該第一連接電極連接相鄰之兩個該些子畫素的該些感應電極。
- 如請求項11所述之顯示面板,其中該上電容電極與與該非發光區部份重疊,其中該第二電容電極與該上電容電極部份重疊,該子畫素更包含:至少一第二連接電極,設置於該第二基板上,其中該第二連接電極連接相鄰之兩個該些子畫素的該上電容電極,且該第二連接電極與該第一連接電極相分隔且交錯。
- 如請求項12所述之顯示面板,其中該些第一感應電極區與該些第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並且該些延伸方向彼此交錯,其中該顯示面板更具有一橋接電極區位於該些第一感應電極區與該些第二感應電極區之該些延伸方向之一交錯處,其中該顯示面板更包含:一第三連接電極,設置該第二基板上,且其位於該橋接電極區之各該子畫素,以連接位於各該第二感應電極區之該感應電極,其中該第三連接電極與位於該橋接電極區之各該子畫素之一感應電極相分隔。
- 如請求項11所述之顯示面板,其中該些第一感應電極區與該些第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並且該些延伸方向彼此交錯,其中該顯示面板更具有一第一橋接電極區位於該些第一感應電極區與該些第二感應電極區之該些延伸方向之一交錯處,其中該第二電容電極與該上電容電極部份重疊,其中該顯示面板更包含:至少一第二連接電極,設置於該第二基板上,且位於該橋接電極區之各該子畫素中,以電性連接位於各該第二感應電極區之該些感應電極,其中該第二連接電極與位於該橋接電極區之各該子畫素之一感應電極相分隔;以及至少一第三連接電極,設置該第二基板上,且其位於該橋接電極區之該些子畫素中,以連接位於各該橋接電極區之相鄰兩個子畫素區中之該第二連接電極。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中各該子畫素具有對應於該電激發光層之一發光區與至少設置於該發光區之一側的一非發光區,該顯示面板具有複數感應電極區,其中該圖案化電極層更包含:一感應電極,設置該第一基板之各該感應電極區之各該子畫素中,且各該子畫素之該感應電極與該非發光區部份重疊,其中各該子畫素之該感應電極至少部分圍繞該畫素電極以及該第一電容電極且彼此相分隔。
- 如請求項15所述之顯示面板,更包含:一堤壩,設置於該第一基板之該保護層上且具有一第一開口以及一第二開口,該第一開口未遮蔽該第一電容電極至少一部份,該第二開口未遮蔽該畫素電極至少一部份,且該電激發光層與該對應電極位於該第二開口中,其中該堤壩覆蓋該感應電極。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中各該子畫素具有對應於該電激發光層之一發光區與至少設置於該發光區之一側的一非發光區,該顯示面板具有複數感應電極區,其中該顯示面板更包含:複數感應電極,分別設置於該第一基板之各該感應電極區之該些子畫素中,且各該子畫素之該感應電極與該非發光區部份重疊,其中,各該子畫素之該感應電極至少部分圍繞該對應電極,且該畫素電極、該對應電極以及該第一電容電 極皆與該感應電極相分隔。
- 如請求項17所述之顯示面板,更包含:至少一第一連接電極,分別設置於各該感應電極區中相鄰之二個子畫素間,以連接各該子畫素之該對應電極,且各該子畫素之該畫素電極、該感應電極以及該第一電容電極皆與該第一連接電極相分隔。
- 如請求項18所述之顯示面板,更包含:一堤壩,設置於該第一基板之該保護層上且具有一第一開口以及一第二開口,該第一開口未遮蔽該第一電容電極至少一部份,該第二開口未遮蔽該畫素電極至少一部份,且該電激發光層與該對應電極位於該第二開口中,其中,該感應電極設置於該堤壩上,且該堤壩覆蓋該第一連接電極。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中各該子畫素具有對應於該電激發光層之一發光區與至少設置於該發光區之一側的一非發光區,該顯示面板具有至少一個第一感應電極區以及至少一個與該第一感應電極區相交錯且分隔之第二感應電極區,其中該圖案化電極層更包含:至少一第一感應電極,設置該第一基板之該第一感應電極區之各該子畫素上且相互連接,該第一感應電極與該非發光區部份重疊,其中各該子畫素之該感應電極至少部分圍繞該畫素電極以及該第一電容電極且彼此相分隔, 其中該顯示面板更包含:一堤壩,設置於該第一基板之該保護層上且具有一第一開口以及一第二開口,該第一開口未遮蔽該第一電容電極至少一部份,該第二開口未遮蔽該畫素電極至少一部份,且該電激發光層與該對應電極位於該第二開口中,其中,該堤壩覆蓋該第一感應電極;以及複數第二感應電極,分別設置於該第一基板之該第二感應電極區之各該子畫素上且相互連接,該第二感應電極與該非發光區部份重疊,其中,該第二感應電極設置於該堤壩上且至少部分圍繞該對應電極,各該子畫素之該對應電極與該第二感應電極相分隔,該第一感應電極與該第二感應電極相分隔。
- 如請求項20所述之顯示面板,其中該些第一感應電極區與該些第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並彼此交錯而具有至少一交錯區,且該第一與第二感應電極在該交錯區至少部分重疊,其中顯示面板更包含:至少一第一連接電極,設置於該第一基板之各該子畫素,以連接各該子畫素之該第二感應電極;以及至少一第二連接電極,設置於該第一基板之各該子畫素,該第二連接電極位於該堤壩上且用以連接在該交錯區的相鄰兩個該些子畫素之該些對應電極,且該第一連接電極與該第二連接電極彼此交錯。
- 如請求項21所述之顯示面板,其中該堤壩更覆蓋部份該第一連接電極。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中各該子畫素具有對應於該電激發光層之一發光區與至少設置於該發光區之一側的一非發光區,該顯示面板具有至少一個第一感應電極區以及至少一個與該第一感應電極區相交錯且分隔之第二感應電極區,其中該顯示面板更包含:複數第一感應電極,分別設置於該第二基板之該第一感應電極區之各該子畫素且相互連接,該第一感應電極與該非發光區部份重疊,其中,各該子畫素之該電容上電極與該第一感應電極相分隔;以及複數第二感應電極,設置該第一基板之該第二感應電極區之各該子畫素且相互連接,該第二感應電極與該非發光區部份重疊,其中,各該子畫素之該第二感應電極至少部分圍繞該畫素電極以及該第一電容電極且彼此相分隔。
- 如請求項23所述之顯示面板,更包含:一堤壩,設置於該第一基板之該保護層上且具有一第一開口以及一第二開口,該第一開口未遮蔽該第一電容電極至少一部份,該第二開口未遮蔽該畫素電極至少一部份,且該電激發光層與該對應電極位於該第二開口中。
- 如請求項24所述之顯示面板,其中該些第 一感應電極區與該些第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並彼此交錯而具有至少一交錯區,且該第一與第二感應電極於該交錯區至少部分重疊,其中該顯示面板更包含:至少一第一連接電極,設置於該第二基板之各該子畫素,以連接各該子畫素之該第一感應電極,其中,各該子畫素之該第二電容電極與其所在的各該第一連接電極相分隔;以及至少一第二連接電極,設置於該第二基板之各該子畫素且連接相鄰兩個該些子畫素之該電容上電極,且該第一連接電極與該第二連接電極交錯。
- 如請求項25所述之顯示面板,其中該堤壩覆蓋該第二感應電極,該電容介電層覆蓋該第一感應電極、該第二連接電極與該上電容電極,且該第一連接電極位於該電容介電層之上。
- 如請求項24所述之顯示面板,更包含:至少一第三連接電極,設置於該第一基板之各該子畫素且連接相鄰兩個該些子畫素之該對應電極,該畫素電極與該第三連接電極相分隔,且該第三連接電極與該第二感應電極交錯。
- 如請求項27所述之顯示面板,其中該第二感應電極位於該堤壩上,該堤壩覆蓋部份該第三連接電極, 該電容介電層覆蓋該第一感應電極、該第二連接電極與該上電容電極,且該第一連接電極位於該電容介電層之上。
- 如請求項24所述之顯示面板,其中該些第一感應電極區與該些第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並彼此交錯而具有至少一交錯區,且該第一與第二感應電極於該交錯區至少部分重疊,其中該第一感應電極位於該電容介電層上,該堤壩覆蓋部份該第二感應電極。
- 如請求項24所述之顯示面板,其中該些第一感應電極區與該些第二感應電極區分別沿不同延伸方向排列並彼此交錯而具有至少一交錯區,且該第一與第二感應電極於該交錯區至少部分重疊,其中該顯示面板更包含:至少一第一連接電極,設置於該第一基板之各該子畫素,以連接各該子畫素之該第一感應電極,其中各該子畫素之該第一電容電極與其所在的各該第一連接電極相分隔;以及至少一第二連接電極,設置於該第一基板之各該子畫素且連接相鄰兩個該些子畫素之該對應電極,且該第一連接電極與該第二連接電極交錯。
- 如請求項30所述之顯示面板,其中該第一感應電極位於該電容介電層上,該第二感應電極與該第二連接電極位於該堤壩上,且該堤壩覆蓋該第一連接電極。
- 一種顯示面板,包含:一基板;一上電容電極,設置於該基板之內表面;一電容介電層,覆蓋該上電容電極;一第一感應電極,設置於該基板之該內表面上;一對應基板,相對於該基板設置,其中該對應基板具有至少一畫素電極以及一與該畫素電極相分隔之第一電容電極,該畫素電極連接一驅動元件之一端點,該驅動元件之閘極電性連接一開關元件之一端點,該第一電容電極連接該開關元件之該端點;一導電凸塊,設置於該對應基板之該第一電容電極上且其於垂直投影方向與該上電容電極部份重疊;一電激發光層,夾設於該基板與該對應基板之間,且位於該畫素電極上;以及一對應電極,設置於該電激發光層上。
- 如請求項32所述之顯示面板,其中該第一感應電極環繞該上電容電極。
- 如請求項32所述之顯示面板,更包含:一第一連接電極,設置於該基板之內表面上且電性連接該上電容電極或該第一感應電極;以及一第二電容電極,設置於該基板之內表面上且位於該電 容介電層面對且接近於該對應基板一側。
- 如請求項32所述之顯示面板,更包含一第二感應電極,設置於該基板或該對應基板之內表面上,其中該第二感應電極與該第一感應電極交錯。
- 如請求項32所述之顯示面板,其中該上電容電極環繞該第一感應電極。
- 一種顯示面板,包含:一基板;一上電容電極,設置於該基板之內表面;一電容介電層,覆蓋該上電容電極;一對應基板,相對於該基板設置;一圖案化電極層,設置於該對應基板之內表面上,其中該圖案化電極層包含一第一電容電極以及一與該第一電容電極相分隔之畫素電極,該畫素電極連接一驅動元件之一端點,該驅動元件之閘極電性連接一開關元件之一端點,該第一電容電極連接該開關元件之該端點;一導電凸塊,設置於該對應基板之該第一電容電極上且其於垂直投影方向與該上電容電極部份重疊;一電激發光層,位於該畫素電極上;一對應電極,設置於該電激發光層上;以及一第一感應電極,設置於該對應基板之內表面上。
- 如請求項37所述之顯示面板,其中該圖案化電極層更包含一第一連接電極,設置於該對應基板上且電性連接該對應電極。
- 如請求項38所述之顯示面板,更包含一第二感應電極,設置於該對應基板上且與該第一感應電極交錯。
- 如請求項39所述之顯示面板,其中該圖案化電極層更包含一第二連接電極,電性連接該第二感應電極。
- 如請求項37所述之顯示面板,更包含:一堤壩,設置於該對應基板之該圖案化電極層上且具有一第一開口以及一第二開口,該第一開口未遮蔽該第一電容電極至少一部份,該第二開口未遮蔽出該畫素電極至少一部份,且該電激發光層與該對應電極位於該第二開口中。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105121780A TWI590215B (zh) | 2016-07-11 | 2016-07-11 | 顯示面板 |
CN201610721098.9A CN106206664B (zh) | 2016-07-11 | 2016-08-25 | 显示面板 |
US15/645,213 US10170714B2 (en) | 2016-07-11 | 2017-07-10 | Display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105121780A TWI590215B (zh) | 2016-07-11 | 2016-07-11 | 顯示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI590215B true TWI590215B (zh) | 2017-07-01 |
TW201802785A TW201802785A (zh) | 2018-01-16 |
Family
ID=57523790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105121780A TWI590215B (zh) | 2016-07-11 | 2016-07-11 | 顯示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10170714B2 (zh) |
CN (1) | CN106206664B (zh) |
TW (1) | TWI590215B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6959065B2 (ja) * | 2017-08-14 | 2021-11-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20200031723A (ko) * | 2018-09-14 | 2020-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110767703B (zh) * | 2018-12-28 | 2020-09-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN109840481A (zh) * | 2019-01-09 | 2019-06-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其控制方法以及显示装置 |
BR112020026801A2 (pt) | 2019-07-24 | 2021-03-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrato de tela e método para a fabricação do mesmo |
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CN118076152A (zh) * | 2022-11-22 | 2024-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
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CN101339314B (zh) | 2008-08-13 | 2010-08-18 | 友达光电股份有限公司 | 触控式显示面板、光电装置及其制造方法 |
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CN102375264A (zh) | 2010-08-19 | 2012-03-14 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板及其彩色滤光基板的制造方法 |
JP5789113B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-10-07 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
KR101971164B1 (ko) | 2011-11-08 | 2019-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
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TWI467528B (zh) | 2013-10-30 | 2015-01-01 | Au Optronics Corp | 發光二極體顯示面板及其製作方法 |
CN104252276B (zh) * | 2014-06-30 | 2018-04-27 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种触控显示装置及其制造方法 |
CN104238201A (zh) | 2014-09-30 | 2014-12-24 | 友达光电股份有限公司 | 一种基于coa技术的触控液晶面板 |
CN104915084B (zh) | 2015-07-06 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 内嵌式触摸屏及有机发光二极管显示装置 |
TWI607562B (zh) * | 2016-07-11 | 2017-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
-
2016
- 2016-07-11 TW TW105121780A patent/TWI590215B/zh active
- 2016-08-25 CN CN201610721098.9A patent/CN106206664B/zh active Active
-
2017
- 2017-07-10 US US15/645,213 patent/US10170714B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106206664A (zh) | 2016-12-07 |
US10170714B2 (en) | 2019-01-01 |
US20180013081A1 (en) | 2018-01-11 |
CN106206664B (zh) | 2019-09-06 |
TW201802785A (zh) | 2018-01-16 |
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