CN102655220A

CN102655220A - 发光装置及照明装置

Info

Publication number: CN102655220A
Application number: CN201210051611XA
Authority: CN
Inventors: 棚田好文; 森英典
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2011-03-02
Filing date: 2012-03-02
Publication date: 2012-09-05
Anticipated expiration: 2032-03-02
Also published as: TW201244205A; JP5823890B2; US8928011B2; KR101974082B1; JP2012195288A; TWI562423B; KR20120100779A; US20120223342A1; CN102655220B

Abstract

本发明的目的在于提供一种可靠性高的发光装置或照明装置。另外，本发明的目的在于提供一种制造成品率高的发光装置或照明装置。本发明提供一种具有以下结构的发光装置：通过使用以倒锥形为代表的底部轮廓位于上部轮廓内侧的形状的分离层，并具有利用发光层材料成膜时的覆盖量与上部电极材料成膜时的覆盖量的差的接触结构。另外，通过将形成该接触部的分离层的轮廓设置为凹凸形状，可以增加该接触部的长度，从而降低接触电阻。

Description

发光装置及照明装置

技术领域

本发明涉及一种使用在一对电极之间具有包括有机化合物的发光层的EL元件的发光装置或照明装置。

背景技术

近年来，对在一对电极之间具有包括有机化合物的发光层(以下也称为EL层)的发光元件(电致发光元件：也称为EL元件)进行积极的研究开发。照明领域作为其用途之一而备受瞩目。这是由于使用EL元件的照明装置具有其他照明设备不具有的特征，诸如可以制造为薄型且轻量或可以进行面发光等。

另外，由于EL元件将电力转换为光的效率高且具有较高的节能可能性而备受瞩目。另外，通过选择不同的衬底可以提供具有柔性的照明装置、耐物理性破坏强的具有耐冲击性强的照明装置或非常轻的照明装置。

专利文献1公开一种使用有机EL元件的照明设备。

[专利文献1]

日本特开2009-130132号公报

在一个衬底上形成具有多个发光区域的EL元件或形成多个EL元件时，至少需要将一方的电极构图成所希望的形状。当对一对电极中的衬底一侧的电极进行构图时可以利用光刻技术，而当对另一方的电极进行构图时，由于需要在形成包含有机化合物的发光层之后再进行构图，所以利用使用溶剂的光刻技术极为困难。

为此，在该情况下，通常使用金属掩模(遮蔽掩膜)进行构图。该方法是在衬底与材料源之间设置金属掩模，并通过该金属掩模的开口部在衬底上进行成膜以此进行构图的方法。

但是，与光刻工序中所使用的光掩模相比，该金属掩模的对准精度及图案加工精度都差很多，所以在进行部分选择性的成膜时，成膜区域周边需要充分的富裕。也就是说，与经过光刻工序而进行的构图相比，使用金属掩模的构图的面积损失相当大。所以，使用金属掩模制造的照明装置的发光区域变小该面积损失量。为了在发光区域小的照明装置中获得所希望的亮度，需要使其流过比发光区域大的照明装置更大的电流，但是由于使其流过大电流而使劣化加快，而有可能影响其寿命。

另外，虽然金属掩模与衬底的距离越短越能够形成精密的图案，但是，当将金属掩模与衬底靠得过近时，金属掩模与衬底表面接触而有可能损伤已经形成的发光层等。此外，有时附着在金属掩模上的尘屑等会附着到衬底上。由于发光层受损或尘屑附着等引起短路或非发光区域的形成等，由此导致可靠性或制造成品率的降低。

发明内容

于是，本发明的目的在于提供一种可靠性高的发光装置或照明装置。另外，本发明的目的在于提供一种制造成品率高的发光装置或照明装置。

另外，当作为照明装置而使用时，耗电量小可成为较大的优点。于是，本发明的目的在于提供一种解决上述课题中的至少一个并能够降低接触电阻的耗电量更小的发光装置或照明装置。

本发明解决上述课题中的至少一个即可。

鉴于上述问题，本发明人发现一种具有接触结构的发光装置，该发光装置包括以倒锥形为代表的与上部轮廓相比底部轮廓位于内侧的形状的分离层，并利用延伸至分离层的上部轮廓内侧的发光层的量与延伸至分离层的上部轮廓内侧的上部电极的量的差。另外，本发明人还发现通过在将形成该接触结构的分离层的轮廓设置为凹凸形状，可以增加该接触可能部分的长度，从而可以降低接触电阻。

也就是说，本发明的一个方式是一种发光装置，其包括：形成在绝缘表面上的发光元件，该发光元件包括：离绝缘表面近的第一电极；与第一电极对置的第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层，在第一电极与有机化合物层与第二电极互相接触且重叠的部分中形成有发光区域，所述发光装置还包括沿着发光区域的一边具有与底部相比上部更突出于外侧的突出部的分离层，在分离层下方具有与第一电极电隔离的导电层，其中，发光区域的有机化合物层与第二电极延伸至分离层的突出部的檐下部分，并且第二电极比有机化合物层更为延伸至突出部的轮廓的内侧，由此第二电极与导电层电连接，分离层的突出部的面向发光区域的轮廓的长度和比发光区域的面向分离层的边的长度和长。

另外，本发明的另一方式是一种发光装置，其包括：形成在绝缘表面上的发光元件，该发光元件包括：离绝缘表面近的第一电极；与第一电极对置的第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层，在第一电极与有机化合物层与第二电极互相接触且重叠的部分中形成有发光区域，所述发光装置还包括沿着发光区域的一边具有与底部相比上部更突出于外侧的突出部的多个分离层，在分离层下方具有与第一电极电隔离的导电层，其中，发光区域的有机化合物层与第二电极延伸至分离层的突出部的檐下部分，并且第二电极比有机化合物层更为延伸至突出部的轮廓的内侧，由此第二电极与导电层电连接，多个分离层的突出部的轮廓的长度和比发光区域的面向分离层的边的长度和长。

由于具有上述结构的本发明的发光装置无需使用金属掩模也可以对第二电极进行构图，因此其为可靠性高的发光装置。另外，由于同样的理由，可以以高成品率制造该发光装置。另外，由于与第一电极电隔离的导电层接触于第二电极，所以该导电层用作第二电极的辅助布线。由此，可以抑制第二电极的电压下降，从而可以提供高质量的发光装置。另外，由于第二电极与导电层的接触部分的长度长，所以可以制造接触电阻更小的耗电量小的发光装置。另外，由于接触部根据分离层的轮廓的长度而形成，所以当该分离层被分割为多个岛状时，当该多个分离层的轮廓的长度和比该发光区域的面向分离层的边的长度和长时，能够相应地降低接触电阻。

另外，本发明的另一方式是一种发光装置，其包括：形成在绝缘表面上的EL元件，该EL元件包括：离绝缘表面近的第一电极；与第一电极对置的第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层，其中在第一电极与有机化合物层与第二电极互相接触并重叠的部分中形成有发光区域，在被发光区域夹着的区域中具有分离层，分离层在从垂直于绝缘表面的方向看到的轮廓的内侧形成有脚部，在分离层的下方具有与第一电极电隔离的导电层，第二电极与导电层在分离层的从垂直于绝缘表面的方向看到的轮廓的内侧接触，当从垂直于绝缘表面的方向看时，分离层的轮廓的长度比能够覆盖分离层的最小的四边形的边的长度和长。

另外，本发明的另一方式是一种发光装置，其包括：形成在绝缘表面上的EL元件，该EL元件包括：离绝缘表面近的第一电极；与第一电极对置的第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层，其中在第一电极与有机化合物层与第二电极互相接触并重叠的部分中形成有发光区域，在被发光区域夹着的区域中具有多个分离层，多个分离层在从垂直于绝缘表面的方向看到的轮廓的内侧形成有脚部，在分离层的下方具有与第一电极电隔离的导电层，第二电极与导电层在分离层的从垂直于绝缘表面的方向看到的轮廓的内侧接触，当从垂直于绝缘表面的方向看时，多个分离层的轮廓的长度和比能够覆盖多个分离层的最小的四边形的边的长度和长。

由于具有上述结构的本发明的发光装置无需使用金属掩模也可以对第二电极进行构图，因此其为可靠性高的发光装置。另外，由于同样的理由，可以形成制造成品率高的发光装置。另外，由于与第一电极电隔离的导电层接触于第二电极，所以该导电层用作第二电极的辅助布线。由此，可以抑制第二电极的电压下降，从而可以提供高质量的发光装置。另外，由于第二电极与导电层的接触部分的长度长，所以可以制造接触电阻更小的耗电量小的发光装置。另外，由于接触部根据分离层的轮廓的长度而形成，所以当该分离层被分割为多个岛状的分离层时，当该多个分离层的轮廓的长度和比能够覆盖该多个分离层的最小四边形的边的长度和长时，能够相应地降低接触电阻。

另外，本发明的另一方式是一种具有上述结构的发光装置，其中第二电极由具有透光性的材料形成。

具有上述结构的本发明的发光装置可以采用顶部发射型的发光装置。通过采用顶部发光型的发光装置，与采用底部发射型的发光装置相比，可以容易地进行散热，所以可以制造可靠性高的发光装置。另外，由于通常具有透光性的材料的电导率较低，根据电极的厚度、形状的电压下降有可能导致发光区域内出现亮度不均匀，但是通过将导电层用作辅助电极，可以抑制发生该亮度不均匀。

另外，本发明的另一方式是一种具有上述结构的发光装置，其中导电层与第一电极由相同的材料形成。

在具有上述结构的本发明的发光装置中，可以同时形成第一电极和导电层，所以可以容易地实现上述结构。

另外，本发明的另一方式是一种发光装置，其包括：形成在绝缘表面上的第一发光元件及第二发光元件，其中第一发光元件包括：位于绝缘表面一侧的第一电极；与第一电极对置的第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层，第二发光元件包括：位于绝缘表面一侧的第三电极；与第三电极对置的第四电极；以及设置在第三电极与第四电极之间的含有发光物质的有机化合物层，其中在被第一发光元件与第二发光元件夹着的区域中具有分离层，在分离层的下方形成有与第三电极电连接的布线，分离层具有与底部相比上部更向外侧突出的突出部，第一发光元件的有机化合物层与第二电极延伸至分离层的突出部的檐下部分，并且第二电极比有机化合物层更为延伸至突出部的轮廓的内侧，由此第二电极与布线接触，第二电极与布线的接触的长度比第一发光元件的面向分离层的边的长度长。

在具有上述结构的发光装置中，第一发光元件与第二发光元件串联连接。并且，由于用于进行该串联连接的接触部可以无须通过形成发光层之后的光刻工序或利用金属掩模来形成，所以可以制造可靠性高的发光装置。此外，还可以形成制造成品率高的发光装置。另外，用于进行串联连接的接触部的长度长于第一发光元件的朝向分离层的边的长度，由此可以降低接触电阻，从而可以制造耗电量小的发光装置。

另外，本发明的另一个方式是一种发光装置，其包括：形成在绝缘表面上的第一发光元件及第二发光元件，其中第一发光元件包括：位于绝缘表面一侧的第一电极；与第一电极对置的第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层，第二发光元件包括：位于绝缘表面一侧的第三电极；与第三电极对置的第四电极；以及设置在第三电极与第四电极之间的含有发光物质的有机化合物层，其中在被第一发光元件与第二发光元件夹着的区域中具有多个分离层，在多个分离层的下方形成有与第三电极电连接的布线，多个分离层具有与底部相比上部更向外侧突出的突出部，第一发光元件的有机化合物层与第二电极延伸至多个分离层的突出部的檐下部分，第二电极比有机化合物层更为延伸至突出部的轮廓的内侧，第二电极与布线接触，第二电极与布线的接触部分的长度比第一发光元件的面向多个分离层的边的长度长。

具有上述结构的发光装置具有第一发光元件与第二发光元件串联连接的结构。并且，由于用于进行该串联连接的接触部可以无须通过形成发光层之后的光刻工序或利用金属掩模来形成，所以可以制造可靠性高的发光装置。此外，可以形成制造成品率高的发光装置。另外，用于进行串联连接的接触部的长度长于能够覆盖分离层最小四角形的边的长度，由此可以降低接触电阻，从而可以制造耗电量小的发光装置。由于接触部根据分离层的轮廓的长度而形成，所以当该分离层被分割为多个岛状的分离层时，当该多个分离层的轮廓的长度和比第一发光元件的朝向分离层的边的长度长时，能够相应地降低接触电阻。

另外，本发明的另一个方式是一种发光装置，其包括：形成在绝缘表面上的第一发光元件及第二发光元件，其中第一发光元件包括：位于绝缘表面一侧的第一电极；与第一电极对置的第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层，第二发光元件包括：位于绝缘表面一侧的第三电极；与第三电极对置的第四电极；以及设置在第三电极与第四电极之间的含有发光物质的有机化合物层，在被第一发光元件与第二发光元件夹着的区域中具有分离层，分离层在从垂直于绝缘表面的方向看到的轮廓的内侧形成有脚部，在分离层的下方形成有与第三电极电连接的布线，在布线上形成有与轮廓的面向第二发光元件的部分及其内侧的一部分重叠的绝缘层，第二电极与布线在轮廓的内侧的不存在绝缘层的部分互相接触，当从垂直于绝缘表面的方向看时，轮廓与绝缘层不重叠的部分的长度比能够覆盖分离层的最小四边形的边中的边与绝缘层不重叠的部分的长度长。

具有上述结构的发光装置具有第一发光元件与第二发光元件串联连接的结构。并且，由于用于进行该串联连接的接触部可以无须利用形成发光层之后的光刻工序和金属掩模来形成，所以可以制造可靠性高的发光装置。此外，可以形成制造成品率高的发光装置。另外，用于进行串联连接的接触部的长度比能够覆盖分离层的最小的四角形的对应于接触部的边的长度长，由此可以降低接触电阻，从而可以制造耗电量小的发光装置。

另外，本发明的另一个方式是一种发光装置，其包括：形成在绝缘表面上的第一发光元件及第二发光元件，其中第一发光元件包括：位于绝缘表面一侧的第一电极；与第一电极对置的第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层，第二发光元件包括：位于绝缘表面一侧的第三电极；与第三电极对置的第四电极；以及设置在第三电极与第四电极之间的含有发光物质的有机化合物层，在被第一发光元件与第二发光元件夹着的区域中具有多个分离层，多个分离层在从垂直于绝缘表面的方向看到的轮廓的内侧形成有脚部，在多个分离层的下方形成有与第三电极电连接的布线，在布线上形成有与多个分离层的轮廓的面向第二发光元件的部分及其内侧的一部分重叠的绝缘层，第二电极与布线在多个分离层的轮廓的内侧的不存在绝缘层的部分互相接触，当从垂直于绝缘表面的方向看时，多个分离层的轮廓中的不与绝缘层重叠的部分的长度的和比能够多个覆盖分离层的最小四边形的边中的边与绝缘层不重叠的部分的长度长。

具有上述结构的发光装置具有第一发光元件与第二发光元件串联连接的结构。并且，由于用于进行该串联连接的接触部可以无须通过形成发光层之后的光刻工序或利用金属掩模来形成，所以可以制造可靠性高的发光装置。此外，可以形成制造成品率高的发光装置。另外，用于进行串联连接的接触部的长度长于能够覆盖分离层最小四角形的边的长度，由此可以降低接触电阻，从而可以制造耗电量小的发光装置。由于接触部根据分离层的轮廓的长度而形成，所以当该分离层被分割为多个岛状的分离层时，当该多个分离层的轮廓的长度和比能够覆盖该多个分离层的最小四边形的边的长度和长时，能够相应地降低接触电阻。

另外，本发明的另一方式是一种具有上述结构的发光装置，其中第二电极及第四电极由具有透光性的材料形成。

另外，本发明的另一方式是一种具有上述结构的发光装置，其中布线与第三电极连续地形成。

另外，本发明的另一方式是中具有上述结构的发光装置，其中轮廓具有凹凸形状。

另外，本发明的另一方式是一种具有上述结构的发光装置，其中多个分离层中的至少一个分离层的轮廓具有凹凸形状。

另外，本发明的另一方式是一种具有上述结构的发光装置，其中凹凸的形状为四角、三角、半圆及波形中的任意一种或多种组合的形状。另外，本发明的另一方式是具有上述结构的发光装置，其中多个分离层中的至少一个分离层的轮廓为圆形、椭圆形、四角形、三角形及六角形中的任一种形状。

另外，本发明的另一方式是一种使用具有上述结构的发光装置的照明装置。

本发明的发光装置为可靠性高的发光装置。另外，是制造成品率高的发光装置。另外，本发明的发光装置是可靠性高且耗电量小的发光装置。另外，本发明的发光装置是制造成品率高且耗电量小的发光装置。另外，本发明的发光装置是可靠性及制造成品率高且耗电量小的发光装置。

本发明的照明装置为可靠性高的照明装置。另外，是制造成品率高的照明装置。另外，本发明的照明装置是可靠性高且耗电量小的照明装置。另外，本发明的照明装置是制造成品率高且耗电量小的照明装置。另外，本发明的照明装置是可靠性及制造成品率高且耗电量小的照明装置。

附图说明

图1A和1B是示出本发明的一个方式的发光装置的结构的图；

图2A至2E是示出本发明的一个方式的发光装置的结构的图；

图3是示出本发明的一个方式的发光装置的结构的图；

图4是示出本发明的一个方式的发光装置的结构的图；

图5A至5F是示出本发明的一个方式的发光装置的结构的图；

图6是示出本发明的一个方式的发光装置的结构的图；

图7A和7B是示出本发明的一个方式的发光装置的结构的图；

图8A和8B是说明EL元件的结构的图；

图9A和9B是示出本发明的一个方式的发光装置的图；

图10是示出本发明的一个方式的照明装置的图；

图11是示出本发明的一个方式的照明装置的图。

符号说明

101 衬底

103 EL层

200 发光装置

203 第一电极

203a 第一电极

203b 第一电极

205 EL层

205a EL层

205b EL层

207 第二电极

207a 第二电极

207b 第二电极

209 绝缘层

209a 绝缘层

209b 绝缘层

211 分离层

211a 脚部

211b 台部

213 布线

220 发光区域

220a 发光区域

220b 发光区域

300 发光装置

303 第一电极

303a 第一电极

303b 第一电极

305 EL层

307 第二电极

307a 第二电极

307b 第二电极

309 绝缘层

309a 绝缘层

309b 绝缘层

311 分离层

311a 脚部

311b 台部

313 导电层

315a 布线

315b 布线

317a 接触区域

317b 接触区域

319 连接布线

320 发光区域

320a 发光区域

320b 发光区域

350a 串联连接部

350b 串联连接部

350c 串联连接部

350d 串联连接部

370 辅助布线

400 照明装置

401a 第一衬底

401b 第二衬底

403 发光装置

405a 密封材料

405b 密封材料

407a 第一玻璃层

407b 第二玻璃层

409 转换器

420 照明装置

702 阳极

704 阴极

711 空穴注入层

712 空穴传输层

713 发光层

714 电子传输层

715 电子注入层

800 发光单元

801 发光单元

803 电荷产生层

3000 照明装置

3001 天花板固定式照明装置

3002 壁挂式照明装置

7501 照明部

7502 灯罩

7503 可调支架

7504 支柱

7505 台

7506 电源开关

具体实施方式

下面，将参照附图说明本发明的实施方式。但是，本发明可以通过多种不同的方式来实施，该技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在实施方式所记载的内容中。

另外，用于说明的附图重视易懂性，所以各要素的放大率及缩小率不恒定。因此，需要注意的是：附图中的各要素的厚度、长度、尺寸的比率不表示本发明的一个方式的发光装置的厚度、长度、尺寸的比率。另外，有时将数值相同而仅字母符号不同的符号看为同一组，而当针对上述符号只示出数值时，上述符号是指包括所有字母的不同符号的组。

另外，在本说明书中，在没有特殊说明(特定位置)的情况下，“轮廓”是指从垂直于绝缘表面的方向看到物体时的最外侧的轮廓。即，最突出的突出部的轮廓。

另外，在本说明书中，在设置有多个该发光区域的情况下，针对以电极电位成为相同电位的方式形成的发光区域，即使该发光区域被分断也将其看作同一EL元件。

实施方式1

图1A和1B示出本发明的一个方式的发光装置的截面的示意图。另外，这里选出本发明的发光装置的一部分进行图示。图1A是具有EL元件的发光装置200的截面示意图。发光装置200具有EL元件，该EL元件在具有绝缘表面的衬底101上按离该衬底较近的顺序设置有第一电极203、EL层205及第二电极207，其中第一电极203、EL层205及第二电极207互相接触而形成的部分成为发光区域220。

另外，在本说明书中，已说明了在设置有多个该发光区域的情况下，对于以电极的电位成为相同电位的方式形成的发光区域，即使发光区域被分断也将其看作同一EL元件，但相反地，当对多个发光区域比较了第一电极203彼此、第二电极207彼此的时候，如果具有明显的不同时，将这些发光区域看作不同的EL元件。所以，图1A的截面图所示的发光区域220a与发光区域220b成为如下结构：发光区域220a的第一电极203a与发光区域220b的第二电极207b串联连接，当进行发光时，第一电极203a与第一电极203b、第二电极207a与第二电极207b的电位分别不同，所以将图1A的截面图所示的发光区域220a与发光区域220b看作不同EL元件的发光区域。下面，在本实施方式中，将具有发光区域220a的EL元件记作EL元件a，并将具有发光区域220b的EL元件记作EL元件b。

发光装置200包括与第二电极207电连接的布线213、分别设置在布线213上的分离层211及形成在布线213上的绝缘层209。另外，EL元件通过对第一电极203及第二电极207施加电压而使电流流过被它们夹持的EL层205以获得发光。

这里在EL元件中，使用对来自EL元件的发光具有透过性的材料设置取出发光侧的电极层。例如，当采用顶部发射型时对第二电极207使用具有透光性的导电材料，当采用底部发射型时对第一电极203使用具有透光性的导电材料，而当采用双面发射型时对双方的电极层使用具有透光性的导电材料。

分离层211设置在布线213上，其底部轮廓具有位于分离层211的轮廓的内侧的形状，即具有上部比底部更突出于外侧的突出部的形状。例如，可以采用所谓的倒锥形或图1A中的分离层211那样的由窄的脚部211a与宽的台部211b构成的形状等。虽然对分离层211的轮廓至底部轮廓之间的形状没有特别的限定，但是与直线相比具有台阶或曲率的形状更能确保使第二电极207分离，所以优选采用具有台阶或曲率的形状。另外，由于同样的理由，分离层211的轮廓与底部轮廓的差越大越好。

由于分离层211的存在，EL层205在形成时被分断而被分割为EL元件a的EL层205a与EL元件b的EL层205b。同样地第二电极207也在形成时被分断而被分割为EL元件a的第二电极207a与EL元件b的第二电极207b，但是通过采用各向同性高的成膜方法进行成膜，可以比EL层205更向分离层211的轮廓的内侧(分离层211的突出部的檐下部分)延伸地形成。由此，EL元件b的第二电极207b与形成在分离层211的下部的布线213接触，该布线213与EL元件a的第一电极203a电连接，所以可以连接EL元件b的第二电极207b与EL元件a的第一电极203a，从而可以使EL元件a与EL元件b串联连接。换言之，通过使EL元件b的第二电极207b与布线213在分离层211的轮廓的内侧接触，EL元件b与EL元件a串联连接。

在衬底101上形成第一电极203、布线213、绝缘层209、分离层211之后，通过进行成膜而形成EL层205及第二电极207。例如，可以使用真空蒸镀法等成膜方法形成EL层205，并且可以使用真空蒸镀法、溅射法等成膜方法形成第二电极207。

当进行第二电极207的成膜时，为了提高膜的覆盖性，例如可以举出缩短溅射靶材或蒸镀源与衬底101之间的距离来进行成膜的方法等。另外，还可以举出相对衬底101从衬底101的斜上方进行成膜的方法或以在衬底101在面方向上移动的方式进行成膜的方法等。

像这样，本实施方式的发光装置具有如下结构：即使不使用金属掩模，也能够使EL层205及第二电极207分断，并形成串联连接结构。所以，本实施方式的发光装置具有良好的可靠性。另外，可以形成制造成品率高的发光装置。

另外，由于在进行EL层205的成膜之前先形成分离层211，因此可以采用光刻技术。所以与使用金属掩模制造的发光装置相比，可以减小面积损失，从而可以增大发光装置中的发光区域的比率。

在图1A中，虽然通过使EL元件b的第二电极207b与连接于EL元件a的第一电极203a的布线213接触而实现了EL元件a与EL元件b的串联连接结构，但是由于在分离层211的轮廓的面向EL元件a的部分与其下方的布线213之间形成有绝缘层209a而防止了EL元件a的第二电极207a与布线213的接触。也就是说，绝缘层209a形成在分离层211的轮廓的面向具有与布线213同电位的第一电极的EL元件的部分的下部。

以至少能够防止第二电极207a与布线213接触的方式形成绝缘层209a即可，当以其分离层211侧的端部与分离层211底部轮廓接触的方式形成绝缘层209a时能够更可靠地抑制EL元件a的第二电极207a与布线213的接触。

以分别覆盖第一电极203的端部及布线213的端部的方式形成的绝缘层209b用来防止EL层205b及第二电极207b由于第一电极203b的台阶而分断。所以，作为绝缘层209b，为了使形成在其上面的膜不会断开，优选其具有正锥形形状。正锥形形状是指在截面中某个层从其端部平缓地变厚并接触于成为基底的层的结构。

这里，图1B示出对布线213与第二电极207的连接区域进行了扩大的截面示意图。

图1B中的以虚线表示的区域表示布线213与第二电极207的接触部。布线213与第二电极207在分离层211的轮廓的内侧、即位于分离层211的轮廓与分离层211的底部轮廓之间的布线213的表面接触，由此第二电极207与布线213电连接。这里，第二电极207的与布线213接触的部分的厚度比发光区域220(第一电极203、EL层205及第二电极207以互相接触的方式层叠的区域)中的第二电极207的厚度薄。另外，该接触部分的厚度越接近分离层211的底部轮廓越薄，可以具有所谓的正锥形形状。通过像这样将接触部分形成得较薄，即便在分离层211的侧面与布线213之间的间隙较小的情况下也可以将接触面形成得较大从而可以降低接触电阻。

作为发光装置的制造方法，通常使用具有与EL元件重叠的开口部的金属掩模形成EL层205及第二电极207。但是，通过像上述那样设置分离层211，不使用该金属掩模也能制造发光装置200。所以，可以抑制由于使用金属掩模的情况的成本增加以及由于该金属掩模与衬底的接触而导致的不良。

另外，在图1A中，分离层211用来在分离具有发光区域220a的EL元件与具有发光区域220b的EL元件的同时，使一方的阴极与另一方的阳极串联连接，但是当分离层211仅用于分离相邻的EL元件时，可以不将分离层211设置在布线213上而将其设置在绝缘层209a上。

图2A至2E示出本实施方式的发光装置的俯视示意图(从垂直于衬底的方向看到的示意图)的一部分。如图1A和1B中所示，布线213是与EL元件a的第一电极203a电连接的布线，图2A至2E中以点划线表示其端部。在布线213上形成有分离层211，分离层211的轮廓以实线表示。另外，绝缘层209a至少连续地形成于分离层211的面向EL元件a的轮廓及其内侧，以虚线表示其端部。另外，绝缘层209b以覆盖布线213的端部及EL元件b的第一电极203b(未图示)的端部的方式形成。为了方便起见省略EL层205及第二电极207。

EL层205及第二电极207被分离层211分断。并且，利用延伸至轮廓内侧的EL层205的量与延伸至轮廓内侧的第二电极207的量的差，沿着分离层211的轮廓，第二电极207与布线213在该轮廓的内侧接触。当该接触电阻较高时会消耗过多的电力而导致耗电量增大，但是由于延伸至轮廓内侧的第二电极207的量根据成膜方法而为一定的量，所以需要加长分离层211的长度来增大第二电极207与布线213的接触面积。

用来形成EL元件的串联连接部的分离层211沿着EL元件的发光区域的一边设置。所以，要加长分离层211的长度，必然要扩大发光区域的该边的长度及对边的长度。在这种情况下，当将发光区域的其他的边及其对边以与形成该串联连接的边相同的比率进行扩大时，发光时所需要的电流值也随之增大。因此，需要对应于该电流值而降低存在于该电流通路中的串联连接区域的电阻，但是发光区域在纵横两个方向扩大而串联连接部只能纵向(长度方向)延伸。也就是说，在该情况下，起因于串联连接部的接触电阻的问题恶化。

接下来，对仅扩大形成串联连接部的边及其对边而不加长发光区域的其他边及其对边的长度的情况进行分析。在这种情况下，由于串联连接部及发光区域都只在一个方向上扩大，所以虽然由串联连接部的接触电阻引起的问题不发生恶化，但是也不会得到改善。

最后，当扩大形成有串联连接部的边及其对边而缩小其他边及其对边时，由串联连接部的接触电阻引起的问题得到改善，但是针对发光区域的串联连接部(非发光区域)的形成区域大幅度增加，而导致开口率降低。另外，由于串联连接的EL元件的级数增加，而存在驱动电压变高等问题。

这里，发明人发现：通过不改变分离层211本身的长度而对分离层211的轮廓的长度进行加长，可以加长接触部长度，由此接触面积增加而能够降低接触电阻。

也就是说，本发明人发现：通过使分离层211的轮廓具有凹凸或者由多个岛形成分离层211，可以在不增大分离层211的形成区域的情况下加长沿着该轮廓分断的第二电极207与布线213的接触部分的长度。

图2A示出分离层211的轮廓具有梳状凹凸的例子，图2B示出具有山型凹凸的例子，图2C示出具有梳角带弧度的形状的凹凸的例子，图2D示出具有波状的凹凸的例子。由于在本实施方式中示出用于形成串联连接结构的结构，所以至少在具有与布线213同电位的第一电极203的EL元件侧的分离层211的轮廓的下部及其内侧形成绝缘层209a，以防止在分离层211的绝缘层209a侧的端部分断的第二电极207与布线213接触。所以，具有降低串联连接部的接触电阻效果的轮廓长度为至少在与布线213之间没有形成绝缘层的轮廓部分的长度。另外，与第二电极207同样地EL层205也被分离层分断，因此有时根据EL层205的形成方法EL层205存在于分离层211与布线213之间。虽然EL层205基本上具有绝缘性，但是由于本发明利用第二电极207延伸至分离层轮廓内侧的量与EL层205延伸至轮廓内侧的量的差来实现接触，即使在分离层211与布线213之间存在EL层205也能够形成串联连接部，所以EL层205不属于上述绝缘层。图2E示出该分离层以多个岛状形成的例子。在该情况下，被形成为多个岛状的分离层211的轮廓长度和相当于图2A至2D中的轮廓的长度。如此，通过将其轮廓形成为在分离层211的短方向(宽度方向)上具有深度的凹凸，可以在不改变分离层211本身的形成区域的情况下增加第二电极207与布线213的接触长度乃至接触面积。由此，串联连接部的接触电阻降低从而可以降低耗电量。

注意，本实施方式的发光装置中的分离层211的轮廓的形状不局限于上述形状。

另外，优选设置于分离层211的轮廓中的凹部尽量在宽度方向上较深，由此可以使轮廓的长度形成得较长。另外，同样地，优选较密地形成该凹部。

另外，不具备上述概念的发光元件中的分离层的面向发光区域的轮廓不具有凹凸形状。由于通常发光区域的边的长度不具有凹凸，所以当本实施方式中的分离层的轮廓的长度比发光区域中的面向分离层的边的长度长时，能够降低接触电阻。

另外，不具有本发明的概念的分离层的轮廓形状可以为一个四角形。由此，至少假设其为形成在与本实施方式中的分离层相同的形成区域的四角形轮廓的分离层，当本实施方式的分离层的轮廓的长度比该四角形的分离层的轮廓的长度长时，能够获得降低接触电阻的效果。这里，实际上，形成接触的是绝缘层互不重叠的部分的轮廓的下部，所以上述轮廓的长度都是对不与绝缘层(除了EL层)重叠的部分的轮廓的长度进行的比较。另外，也可以将“与本实施方式中的分离层形成在相同形成区域的四角形”更具体地说成“能够覆盖本实施方式中的分离层的最小的四角形”。

图3示出对显示区域进行了扩大的串联连接部的俯视图。如上所述，本实施方式中的发光装置具有EL元件串联连接的结构。EL元件a与EL元件b的串联连接结构设置在被EL元件a的发光区域220a与EL元件b的发光区域220b夹着的区域中。

实施方式2

图4示出与实施方式1不同的本发明的一个方式的发光装置的截面图。注意，这里对本发明的发光装置的一部分进行图示。图4的发光装置与图1A和1B的发光装置相同，包括EL元件，该EL元件在具有绝缘表面的衬底101上按离该衬底较近的顺序设置有第一电极303、EL层305及第二电极307，其中第一电极303、EL层305及第二电极307互相接触而形成的部分成为发光区域320。在EL元件中，使用对来自EL元件的发光具有透过性的材料形成取出发光侧的电极层。例如，当采用顶部发射型EL元件时使用具有透光性的导电材料形成第二电极307，当采用底部发射型EL元件时使用具有透光性的导电材料形成第一电极303，而当采用双面发射型EL元件时使用具有透光性的导电材料形成双方的电极层。

在本说明书中，已说明了在设置有多个该发光区域的情况下，作为以电极电位一直成为相同电位的方式形成的发光区域，即使该发光区域被分断也将其看作同一EL元件。虽然在图4中未图示，第一电极303a与第一电极303b具有相同的电位。即，可以认为发光区域320a与发光区域320b是在同一EL元件内的不同的发光区域。另外，发光区域320a与发光区域320b也可以在图4所述的截面以外的部分中接触。

图4的发光装置具有与第一电极303a及第一电极303b电隔离的导电层313，在导电层313上设置有分离层311。分离层311的底部轮廓位于其轮廓的内侧，即其具有上部比底部更突出于外侧的突出部。例如，可以采用所谓的倒锥形或由窄的脚部311a与宽的台部311b构成的形状等。虽然对分离层311的轮廓至其底部轮廓之间的形状没有特别的限定，但是与直线相比具有台阶或曲率的形状更能可靠地使第二电极307分离，所以优选采用具有台阶或曲率的形状。另外，由于同样的理由，分离层311的轮廓与其底部轮廓的差越大越好。

由于分离层311的存在，EL层305在形成时被分断。同样地第二电极307也在形成时被分断，但是通过采用各向同性高的成膜方法进行成膜，可以比EL层305更向分离层311的轮廓的内侧(分离层211的突出部的檐下部分)延伸地形成第二电极307。由此，第二电极307a、第二电极307b与形成在分离层311的下部的导电层313接触，并电连接。此时，通过将导电层313设为比第二电极307a及307b电阻低的结构体，可以将导电层313用作第二电极307a、307b的辅助电极。该结构，在第二电极307a及307b为导电率较小的具有透光性的电极时，即从第2电极307取出光的结构的情况下，尤为有效。

导电层313与第二电极307在分离层311的轮廓的内侧、即位于分离层311的轮廓与分离层311的底部轮廓之间的导电层313的表面接触，由此第二电极307与导电层313电连接。这里，第二电极307的与导电层313接触的部分的厚度比发光区域320中的第二电极307的厚度薄。另外，其接触部分的厚度越接近分离层311的底部轮廓越薄，可以具有所谓的正锥形形状。通过像这样将接触部分的厚度形成得较薄，即便在分离层311的侧面与导电层313之间的间隙较小的情况下也可以将接触面形成得较大从而可以降低接触电阻。

在衬底101上形成第一电极303、导电层313、绝缘层309、分离层311之后进行成膜而形成EL层305及第二电极307。例如，可以使用真空蒸镀法等成膜方法形成EL层305，并且可以使用真空蒸镀法、溅射法等成膜方法形成第二电极307。

当进行第二电极307的成膜时，为了提高膜的覆盖性，例如可以举出缩短溅射靶材或蒸镀源与衬底101之间的距离来进行成膜的方法等。另外，还可以举出针对衬底101从衬底101的斜上方进行成膜的方法或在衬底101在面方向上移动的方式进行成膜的方法等。

像这样，本实施方式的发光装置具有如下结构：在不使用金属掩模的情况下，能够使EL层305及第二电极307分断，并形成辅助布线。所以，本实施方式的发光装置具有良好的可靠性。另外，可以形成制造成品率高的发光装置。

另外，由于在进行EL层305的成膜之前先形成分离层311，因此可以采用光刻技术。所以与使用金属掩模制造的发光装置相比，可以减小在设计上为了掩模对准而设置的布局面积，从而可以增大发光装置中的发光区域的比率。

以分别覆盖第一电极303的端部及导电层313的端部的方式形成的绝缘层309a、绝缘层309b用来防止EL层305及第二电极307因为第一电极303及导电层313的台阶而分断。所以，作为绝缘层309a、309b，为了使形成在其上面的膜不会断开，优选其具有正锥形形状。正锥形形状是指在截面中某个层从其端部平缓地变厚并接触于成为基底的层的结构。

图5A至5F示出本实施方式的发光装置的俯视示意图(从垂直于衬底的方向看到的示意图)的一部分。如图4中所说明的，导电层313是与EL元件的第一电极303a、303b电隔离的层，图5A至5F中以点划线表示其端部。在导电层313上形成有分离层311，以粗实线表示其轮廓。另外，绝缘层309a、309b以覆盖第一电极303的端部及导电层313的端部的方式形成。为了方便起见省略EL层305及第二电极307。通过形成EL层305及第二电极307而形成发光区域320a、320b，构成辅助布线的分离层311及导电层313形成在该发光区域320a及320b之间。另外，如上所述，在本实施方式中发光区域320a与320b是同一EL元件中的发光区域。

EL层305及第二电极307被分离层311分断，并且利用EL层305的延伸至轮廓内侧的量与第二电极307延伸至轮廓内侧的量的差，沿着分离层311的轮廓在该轮廓的内侧第二电极307与导电层313接触。当该接触电阻较高时会消耗过多的电力而导致耗电量增大，但是如本实施方式所示，通过加长分离层311的轮廓的长度，接触面积增大而可以降低接触电阻。

也就是说，本发明人发现：通过使分离层311的轮廓具有凹凸或者由多个岛形成分离层311，可以在不增大分离层311的形成区域的情况下加长沿着该轮廓分断的第二电极307与导电层313的接触部分的长度。另外，由于已在实施方式1中对加长分离层311本身的长度等的优越性进行了说明，所以其具体说明参照实施方式1即可。

图5A示出分离层311的轮廓具有梳状凹凸的例子，图5B示出分离层311被形成为弯曲形状的例子，图5C示出被形成为多个四角岛形形状的例子，图5D示出被形成为多个圆岛形形状的例子，图5E示出具有山形凹凸的例子，图5F示出组合波形的分离层与圆岛形的分离层的例子。注意，本发明的分离层的形状不局限于此。如此，通过将其轮廓形成为在分离层311的短方向(宽度方向)上具有深度的凹凸，或者通过将分离层311分割为多个岛状，可以在不改变分离层311本身的形成区域的情况下增加第二电极307与导电层313的接触长度乃至接触面积。由此，成为辅助布线的导电层313与第二电极307的接触电阻降低，由此能够有效地抑制第二电极307的电压下降。

另外，优选设置于分离层311的轮廓中的凹凸尽量在宽度方向(短轴方向)上较深，由此可以使轮廓的长度形成得较长。另外，同样地，优选较密地形成该凹凸。

另外，不具有本发明的概念的分离层的轮廓形状可以为一个四角形。由此可知，至少假设其为形成在与本实施方式中的分离层相同的形成区域的四角形轮廓的分离层，当本实施方式的分离层的轮廓的长度比该四角形的分离层的轮廓的长度长时，能够获得降低接触电阻的效果。另外，也可以将“与本实施方式中的分离层形成在相同形成区域的四角形”更具体地说成“能够覆盖本实施方式中的分离层的最小的四角形”。

本实施方式的结构可以与实施方式1组合使用。

实施方式3

图6示出组合了实施方式1的结构与实施方式2的结构的本发明的一个方式的发光装置300的俯视示意图。

发光装置300包括被分离层311围绕的四个EL元件(第一EL元件a、第二EL元件b、第三EL元件c及第四EL元件d)，该四个EL元件通过串联连接部350a、串联连接部350b、串联连接部350c及串联连接部350d而被串联连接。由于该串联连接部的结构在实施方式1中已有记载，所以对其记载进行省略。请参照实施方式1。另外，图6中的沿着A-A′截断的截面图相当于实施方式1中的图1A的截面图。

另外，为了方便起见在图6中不明确示出EL层305、第二电极307等。

第一EL元件a的第一电极303通过接触区域317a与布线315a电连接。另外，第四EL元件d的第二电极307(未图示)通过连接布线319及接触区域317b与布线315b电连接。由此，通过对布线315a与布线315b之间施加电压，可以使电流流过串联连接的各个发光区域，从而可以取出发光。

另外，在各个发光区域中，沿着电流的流动方向设置多个用来辅助第二电极307(未图示)的导电性的成为辅助布线的导电层313，该成为辅助布线的导电层313上设置有分离层311。如实施方式2所说明的，在分离层311的轮廓的内侧第二电极307(未图示)与导电层313电连接。至于导电层313、形成在其上的分离层311以及使用导电层313和分离层311的辅助布线的结构可以参照实施方式2。另外，图6中的沿着C-C′截断的截面图相当于图4的截面图。

图7A示出发光装置300的右下部分的扩大图，图7B示出等效电路。如图7A所示，由导电层313及分离层311构成的辅助布线370形成在一个EL元件中的被发光区域夹着的部分中。例如，可以在图7A的EL元件d的发光区域320a与发光区域320b之间形成辅助布线370。

另外，当采用图6所示的结构，即该导电层313构成辅助布线的EL元件与其他的EL元件串联连接时，也可以使导电层313与其他的EL元件的第一电极电连接。例如，为了使将导电层313用作辅助电极的EL元件x的第二电极x与其他的EL元件y的第一电极y串联连接，可以使导电层313与EL元件y的第一电极y连接而成为同电位。

图7B是图6中的发光装置300的等效电路。EL元件a至EL元件d通过串联连接部350a至350d互相连接，并且布线315a通过接触区域317a与EL元件a的阳极侧连接，布线315b通过接触区域317b与EL元件d的阴极侧连接。另外，阳极、阴极的关系也可以与上述方案相逆。

实施方式4

在本实施方式中，作为能够用于实施方式3所说明的发光装置300内的各结构的材料的一个例子，对其形成方法进行说明。

[衬底]

当发光装置300为底部发射型、双面发射型时，作为衬底101的材料，可以使用玻璃、石英、有机树脂等具有透光性的材料。另外，当采用顶部发光型时，也可以不具有透光性，除了上述材料还可以使用金属、半导体、陶瓷、有色有机树脂等的材料。当使用导电衬底时，优选通过使其表面氧化或者将绝缘膜形成在表面上，使该表面具有绝缘性。

当作为衬底101使用有机树脂时，作为有机树脂，例如可以使用：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的聚酯树脂；聚丙烯腈树脂；聚酰亚胺树脂；聚甲基丙烯酸甲酯树脂；聚碳酸酯(PC)树脂；聚醚砜(PES)树脂；聚酰胺树脂；环烯烃树脂；聚苯乙烯树脂；聚酰胺酰亚胺树脂；或聚氯乙烯树脂等。此外，也可以使用在玻璃纤维中浸渗有机树脂的衬底和在有机树脂中混合无机填料的衬底。

尤其是，当采用顶部发光型发光装置300时，作为衬底优选使用金属衬底等高热导率的衬底。在使用EL元件的大型发光装置的情况下，有时来自EL元件的发热成为问题，因此通过使用这种高热导率的衬底，散热性得到提高。例如，通过除了不锈钢衬底之外还使用氧化铝、硬铝等，可以实现轻量化且提高散热性。另外，通过使用铝和氧化铝的叠层、硬铝和氧化铝的叠层、以及硬铝和氧化镁的叠层，可以使衬底表面具有绝缘性，所以是优选的。

[密封膜·基底膜]

当采用底部发光型、双面发光型发光装置时，使用具有透光性和阻挡性的材料来形成密封膜·基底膜。在顶部发光型发光装置中，不一定必须要具有透光性。

作为密封膜·基底膜，例如可以利用溅射法来形成无机绝缘膜。例如，可以形成氮化硅膜、氧化铝膜或氧化硅膜等。另外，也可以作为设置在与光射出的方向相反一侧的密封膜或基底膜，使用金属膜和上述无机绝缘膜的叠层。

作为密封膜，例如优选使用具有水分的透过率为10^-6g/m²·day(天)以下左右的气体阻隔性的膜。另外，作为密封膜的结构，例如可以使用将至少一层的包含无机物的层夹在包含有机物的层之间的叠层。作为包含有机物的层的一个例子，例如可以举出环氧类等的粘合剂层，作为包含无机物的层的一个例子，可以举出氧化硅、氮化硅等具有阻挡性的膜。

另外，在作为衬底使用有机树脂时，也可以作为基底膜使用25μm以上且100μm以下的厚度的玻璃层。典型地，玻璃层的厚度为45μm以上且80μm以下。通过组合有机树脂衬底与玻璃层，可以抑制水分或杂质等从发光装置的外部侵入而使包含在发光单元中的有机化合物或金属材料产生不良反应，并且可以实现发光装置的轻量化。

[分离层]

分离层通过使用无机绝缘材料、有机绝缘材料来形成。例如，可以使用具有负型或正型的感光性的树脂材料、非感光性的树脂材料等。

在此，对使用具有负型感光性的有机树脂来形成分离层的例子进行说明。

首先，形成由具有负型感光性的有机树脂构成的有机树脂膜。有机树脂膜可以使用旋涂法等的涂敷法、液滴吐出法(喷墨法等)和印刷法(丝网印刷、胶版印刷等)来形成。

接着，通过掩模对后面形成分离层的区域的有机树脂膜照射曝光光。在此，将曝光光调整为在有机树脂膜的厚度方向上越近于衬底101，曝光强度越小。因为具有负型感光性的有机树脂具有在后面的显影处理中所感光的区域的溶解性降低的性质，所以通过以对于膜表面的曝光强度最大且越近于衬底101曝光强度越小的方式照射光，利用显影处理形成的分离层的形状越接近衬底101的部分其轮廓越小。

另外，当进行曝光时，也可以改变曝光的焦点而降低与衬底101接近的区域的曝光强度。

接着，进行显影处理，通过去除未照射曝光光的区域的有机树脂膜，来形成分离层。另外，也可以进行加热处理而使分离层固化。

作为分离层，可以如上所述地由单层形成，也可以由两层以上的多层形成，还可以组合具有绝缘性的有机材料和无机材料来形成。

[布线]

作为布线的材料，使用选自铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、钕(Nd)、钪(Sc)、镍(Ni)中的材料或以这些材料为主要成分的合金材料的单层或叠层来形成。另外，也可以作为布线的材料使用铝，但是在此情况下有当以与ITO等直接接触的方式设置时发生腐蚀的忧虑。因此，可以作为布线采用叠层结构，且将铝用于不与ITO等接触的层。另外，因为铜的电阻低，所以可以适当地使用。优选将布线的厚度设定为100nm以上且35μm以下。

这里，作为用于发光元件或布线的导电膜的形成方法，可以适当地采用溅射法或真空蒸镀法等沉积方法。另外，在可能的情况下，也可以适当地采用丝网印刷法、喷墨法等液滴吐出法、镀敷法等形成方法。

[隔壁]

作为隔壁的材料，例如可以使用聚酰亚胺、丙烯酸类树脂、聚酰胺、环氧树脂等有机树脂、或者无机绝缘材料。

作为隔壁的侧壁面的角度例如为10度以上且85度以下，优选为60度以上且80度以下。

尤其是，优选使用感光性的树脂材料来形成开口部，并且将该开口部的侧壁形成为具有连续曲率的倾斜面。具体地，隔壁的截面所表示的曲线的曲率半径优选为0.2至2μm左右。

对隔壁的形成方法没有特别的限制，但是可以利用溅射法、蒸镀法、涂敷法、液滴吐出法(喷墨法等)、印刷法(丝网印刷、胶版印刷等)等。

例如，可以将隔壁的厚度设定为20nm以上且20μm以下。优选将其设定为50nm以上且3μm以下。

[平坦化膜]

当使用平坦化膜时，可以使用无机绝缘材料或者有机绝缘材料形成平坦化膜。另外，当使用丙烯酸类树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯类树脂、聚酰胺、环氧树脂等的具有耐热性的有机绝缘材料时，适于用作平坦化绝缘膜。此外，除了上述有机绝缘材料以外，还可以使用低介电常数材料(low-k材料)、硅氧烷类树脂、PSG(磷硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等。另外，可以通过层叠多个由这些材料形成的绝缘膜，来形成平坦化膜。

对平坦化膜的形成方法没有特别的限制，可以根据其材料而利用溅射法、旋涂法、浸渍法、印刷法、喷墨法等。

本实施方式可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。

接着，使用图8A和8B对EL元件进行说明。EL元件的由第一电极及第二电极构成的一对电极中，一方用作阳极702，另一方用作阴极704。本实施方式中的EL元件既可以为与衬底101相反方向射出光的顶部发射型，也可以采用向衬底101的方向射出光的底部发射型，但是该结构尤其适合顶部发射型的发光装置。射出光的一方的电极由至少在可见光区域具有透光性的材料形成。另外，另一方的电极优选由反射率高的材料形成，以能够高效地取出朝向该电极方向射出的光。

作为用作阳极的电极的材料，优选使用功函数(work function)大(具体地说，4.0eV以上)的材料。作为这种材料，还可以举出金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、钛(Ti)、或金属氮化物材料(如氮化钛)等。此外，还可以使用氧化铟(In₂O₃)、铟锡氧化物(In₂O₃-SnO₂：也称为ITO)、铟锌氧化物(In₂O₃-ZnO)、氧化锌(ZnO)或添加有镓的氧化锌等的具有透光性的导电金属氧化物。这些导电金属氧化物膜通常可通过溅射法形成，但是也可通过应用溶胶-凝胶法等形成。

当从阳极侧取出光时，可以使用所述具有透光性的导电金属氧化物。另外，当使用其他材料时，可以通过将其形成为能够透光的薄度而使其具有透光性。另外，还可以采用由多个材料构成的叠层结构。

另外，通过将下述的复合材料用于EL层103的与阳极接触的面，可以与功函数的大小无关地选择电极材料。

作为用于阴极的电极，优选使用功函数小(具体而言，3.8eV以下)的材料。作为这种材料，可以使用：锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)等属于元素周期表中的第一族或第二族的金属及包含上述金属的合金(MgAg、AlLi等)；铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属及包含上述金属的合金；铝(Al)及其合金等。

当从阴极侧取出光时，通过以具有充分的透光性的方式将这些材料形成得薄以使其具有充分的透光性，而可以将其用作透明导电膜。此外，还可以在将上述材料形成为具有透光性的程度的薄度之后，形成与上述具有透光性的导电金属氧化物的叠层。

另外，通过将碱金属、碱土金属、它们的化合物或在电子传输物质中添加有对该电子传输物质呈现电子给予性的物质的材料(以下称为具有施体能级(donor level)的材料)用于EL层103的阴极，可以与功函数的大小无关地选择电极材料。就是说，可以将以ITO为代表的氧化物透明导电膜用作阴极的材料。另外，通过使用具有由复合材料构成的层和由具有施体能级的材料构成的层的叠层体的电荷产生层，也可以得到同样的效果(但是在此情况下，由复合材料构成的层与阴极接触)。

另外，也可以将具有透光性的导电高分子用于阳极。作为导电高分子，例如，可以使用聚苯胺及/或其衍生物、聚吡咯及/或其衍生物、聚噻吩及/或其衍生物、它们中的两种以上的共聚物等π电子共轭类导电高分子。

根据这些所使用的材料，可以使用溅射法、真空蒸镀法、离子电镀法、MBE(molecular beam epitaxy，分子束外延)法、CVD法(MOCVD(metal organic CVD，金属有机化学气相沉积)法或ALD(atomic layer deposition，原子层沉积)法、溶胶-凝胶法、旋涂法、浸渍法、喷涂法、涂敷法、印刷法等公知方法制造阳极702及阴极704。

对于EL层103的叠层结构没有特别的限制，可以适当地组合各种功能层诸如发光层、包含高电子传输性物质的电子传输层、或包含高空穴传输性物质的空穴传输层、包含高电子注入性物质的电子注入层、包含高空穴注入性物质的空穴注入层、包含双极性(电子及空穴的传输性高的物质)的物质的双极层等而构成。这些功能层中的发光层之外的层是不必须的，且也可以具备上述之外的其他功能层。另外，有时也将这种叠层结构称为发光单元。

在本实施方式中，对EL层103的叠层结构进行说明。EL层103具有从阳极702一侧层叠有空穴注入层711、空穴传输层712、发光层713、电子传输层714、电子注入层715的结构(参照图8A)。下面对各层的结构及材料进行具体说明。

空穴注入层711是与阳极702接触地设置的包含高空穴注入性物质的层。可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。另外，也可以使用如下材料形成空穴注入层711，即：酞菁类化合物诸如酞菁(简称：H₂Pc)或酞菁铜(简称：CuPc)等；芳香族胺化合物诸如4，4′-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N，N′-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N，N′-二苯基-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺(简称：DNTPD)等；或高分子等诸如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等。

另外，作为空穴注入层711，也可以使用使高空穴传输性物质包含对该高空穴传输性物质呈现受体性的物质的复合材料。另外，通过接触阳极地形成使高空穴传输性物质包含受体物质的复合材料，可以与功函数无关地选择用来形成阳极的材料。就是说，作为构成阳极的材料，不仅可以使用功函数大的材料，而且还可以使用功函数小的材料。作为受体物质，可举出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称；F4-TCNQ)、氯醌等。另外，可以举出过渡金属氧化物。另外，可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体地说，氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼的电子接受性高，所以是优选的。尤其，优选采用氧化钼，因为其在大气中也稳定，吸湿性也低，并且容易处理。

作为用于复合材料的高空穴传输性物质，可以使用芳香族胺化合物、咔唑衍生物、芳香族烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等各种化合物。另外，用于复合材料的有机化合物优选是高空穴传输性有机化合物。具体地说，优选为具有10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率的物质。但是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就还可以使用除上述以外的物质。以下，具体地举出可以用于复合材料的有机化合物。

例如，作为芳香族胺化合物，可以举出N，N′-二(对-甲苯基)-N，N’-二苯基-对-苯二胺(简称：DTDPPA)、4，4′-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N，N′-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N，N′-二苯基-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺(简称：DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)等。

作为可用于复合材料的咔唑衍生物，具体而言，可以举出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)等。

另外，作为可以用于复合材料的咔唑衍生物，还可以使用：4，4′-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、1，4-双[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。

另外，作为可以用于复合材料的芳香族烃，例如可以举出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称：t-BuAnth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：DMNA)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9′-联蒽(bianthryl)、10，10′-二苯基-9，9′-联蒽、10，10′-双(2-苯基苯基)-9，9′-联蒽、10，10′-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9′-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。除了上述之外，还可以使用并五苯、六苯并苯等。像这样，更优选使用具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率且碳数为14至42的芳香族烃。

可用于复合材料的芳香族烃也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳香族烃，例如可举出4，4′-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称：DPVBi)、9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：DPVPA)等。

另外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N′-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N′-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N，N′-双(4-丁基苯基)-N，N′-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等的高分子化合物。

即使将由这种复合材料构成的层无论形成得厚还是形成得薄，其驱动电压都几乎不变。由此，当进行用来控制从发光层发射的光的取出效率及指向性等的光学设计时，可以非常适当地使用由这种复合材料构成的层。

空穴传输层712是包含高空穴传输性物质的层。作为高空穴传输性物质，例如可以使用：芳族胺化合物诸如4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺(简称：TPD)、4，4′，4″-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(简称：TDATA)、4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(简称：MTDATA)、4，4′-双[N-(螺-9，9′-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)等。上述物质主要是各自具有10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率的物质。然而，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以使用上述材料之外的物质。包含高空穴传输性物质的层不局限于单层，而可以是由上述物质构成的两层以上的叠层。

另外，作为空穴传输层712，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)等高分子化合物。

发光层713是包含发光物质的层。作为发光层713的种类，可以采用以发光中心物质为主要成分的单膜的发光层或在主体材料中分散有发光中心材料的所谓的主体-客体型的发光层。

对于使用的发光中心材料没有限制，可以使用公知的发射荧光或发射磷光的材料。作为荧光发光材料，例如，除了N，N′-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N′-二苯基茋-4，4′-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4′-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)等以外，还可以举出发光波长为450nm以上的4-(9H-咔唑-9-基)-4′-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四-叔丁基二萘嵌苯(简称：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4′-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)、N，N″-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基)双[N，N′，N′-三苯基-1，4-苯二胺](简称：DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N′，N′-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPPA)、N，N，N′，N′，N″，N″，N′″，N′″-八苯基二苯并[g，p]屈-2，7，10，15-四胺(简称：DBC1)、香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、N-[9，10-双(1，1′-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N′，N′-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPA)、N-[9，10-双(1，1′-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，N′，N′-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPABPhA)、9，10-双(1，1′-联苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(简称：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(简称：DPhAPhA)、香豆素545T、N，N′-二苯基喹吖啶酮(简称：DPQd)、红荧烯、5，12-双(1，1′-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(简称：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基(ylidene))丙二腈(简称：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCM2)、N，N，N′，N′-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N′，N′-四(4-甲基苯基)苊并(acenaphtho)[1，2-a]荧蒽-3，10-二胺(简称：p-mPhAFD)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTB)、2-(2，6-双{2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：BisDCM)、2-{2，6-双[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：BisDCJTM)等。作为磷光发光材料，例如，除了双[2-(4′，6′-二氟苯基)吡啶-N，C²′]铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)以外，还可以举出：发光波长在470nm至500nm的范围内的双[2-(4′，6′-二氟苯基)吡啶-N，C²′]铱(III)吡啶甲酸盐(简称：FIrpic)、双[2-(3′，5′-双三氟甲基苯基)吡啶-N，C²′]铱(III)吡啶甲酸盐(简称：Ir(CF₃ppy)₂(pic))、双[2-(4′，6′-二氟苯基)]吡啶-N，C²′]铱(III)乙酰丙酮(简称：FIracac)；发光波长为500nm(绿色发光)以上的三(2-苯基吡啶)铱(III)(简称：Ir(ppy)₃)、双(2-苯基吡啶)铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(ppy)₂(acac))、三(乙酰丙酮)(单菲咯啉)铽(III)(简称：Tb(acac)₃(Phen))、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(bzq)₂(acac))、双(2，4-二苯基-1，3-噁唑-N，C²′)铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(dpo)₂(acac))、双[2-(4′-全氟苯基苯基)吡啶]铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(p-PF-ph)₂(acac))、双(2-苯基苯并噻唑-N，C²′)铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(bt)₂(acac))、双[2-(2′-苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶-N，C³′]铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(btp)₂(acac))、双(1-苯基异喹啉-N，C²′)铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(piq)₂(acac))、(乙酰丙酮)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉]铱(III)(简称：Ir(Fdpq)₂(acac))、(乙酰丙酮)双(2，3，5-三苯基吡嗪)铱(III)(简称：Ir(tppr)₂(acac))、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉铂(II)(简称：PtOEP)、三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮)(单菲咯啉)铕(III)(简称：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](单菲咯啉)铕(III)(简称：Eu(TTA)₃(Phen))等。从上述材料或其他公知材料中考虑各EL元件中的发光颜色而选择即可。

在使用主体材料的情况下，例如可以举出：金属配合物诸如三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Almq₃)、双(10-羟基苯[h]喹啉)铍(II)(简称：BeBq₂)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等；杂环化合物诸如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、1，3-双[5-(对-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、2，2′，2″-(1，3，5-苯三基)-三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、红菲绕啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)等；芳香族胺化合物诸如NPB(或α-NPD)、TPD、BSPB等。另外，可以举出蒽衍生物、菲衍生物、嵌二萘衍生物、屈衍生物、二苯并[g，p]屈衍生物等的缩合多环芳香族化合物，具体而言，可以举出9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、N，N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(简称：DPhPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4′-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(简称：YGAPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、N，9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPBA)、N，9-二苯基-N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、6，12-二甲氧基-5，11-二苯基屈、N，N，N′，N′，N″，N″，N′″，N′″-八苯基二苯并[g，p]屈-2，7，10，15-四胺(简称：DBC1)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、3，6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：DPCzPA)、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、9，9′-联蒽(简称：BANT)、9，9′-(茋-3，3′-二基)二菲(简称：DPNS)、9，9′-(茋-4，4′-二基)二菲(简称：DPNS2)、3，3′，3″-(苯-1，3，5-三基)三嵌二萘(简称：TPB3)等。从这些材料及公知的物质中可以选择如下物质：包含具有比分别分散的发光中心物质的能隙(在磷光发光时是三重态能量)大的能隙(三重态能量)的物质，并呈现符合每个层应该具有的传输性的传输性的物质。

电子传输层714是包含具有高电子传输性的物质的层。例如，可以使用包含具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物等的层，例如三(8-羟基喹啉)铝(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(简称：Almq₃)、双(10-羟基苯并[h]-喹啉)铍(简称：BeBq₂)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(简称：BAlq)等。或者，可以使用具有噁唑类或噻唑类配体的金属配合物等诸如双[2-(2-羟基苯基)苯并噁唑]锌(简称：Zn(BOX)₂)、双[2-(2-羟基苯基)苯并噻唑]锌(简称：Zn(BTZ)₂)等。而且，除金属配合物之外，还可以使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、1，3-双[5-(对-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、红菲绕啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)等。在此提及的物质主要是具有10^-6cm²/Vs以上的电子迁移率的物质。注意，只要是电子传输性高于空穴传输性的物质，就可以将上述材料之外的物质用于电子传输层714。

电子传输层714并不只限于单层，而可以是包含上述物质的层的两层以上的叠层。

另外，也可以在电子传输层714和发光层713之间设置控制电子的迁移的层。这是对上述那样的电子传输性高的材料添加少量的电子捕捉性高的物质而成的层，并且通过抑制电子的迁移，可以调节载流子平衡。这种结构对由于电子穿过发光层713而发生的问题(例如，元件的使用寿命降低)的抑制发挥很大的效果。

作为电子注入层715，可以使用碱金属、碱土金属或它们的化合物诸如氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)和氟化钙(CaF₂)等。或者，作为电子注入层715，可以使用在由电子传输性物质构成的层中含有对该电子传输性物质呈现电子给予性的物质(典型的是碱金属、碱土金属或它们的化合物)的材料(具有施体能级的材料)，例如，在Alq中含有镁(Mg)的材料等。另外，更优选的是，作为电子注入层715，使用具有施体能级的材料。这是因为从阴极704高效地注入电子的缘故。

另外，上述EL层103也可以如图8B所示那样具有在阳极702与阴极704之间层叠有多个发光单元的结构。在此情况下，在层叠的第一发光单元800和第二发光单元801之间优选设置电荷产生层803。电荷产生层803可以由上述复合材料形成。另外，电荷产生层803也可以采用由复合材料构成的层和由其他材料构成的层的叠层结构。在此情况下，作为由其他材料构成的层，可以使用包含电子给予性物质和高电子传输性物质的层、由透明导电膜构成的层等。在具有这种结构的EL元件中，不容易发生EL单元之间的能量迁移和猝灭等的问题，并且通过从更多的材料中选择材料，可以容易实现具有高发光效率和长使用寿命的发光元件。另外，也容易从一方的发光单元得到磷光发光，而从另一方的发光单元得到荧光发光。

虽然在图8B中示出层叠有两个发光单元(第一发光单元800和第二发光单元801)的结构，但是也可以层叠三层以上的发光单元。此时，优选在各发光单元之间设置有电荷产生层。

各发光单元分别具有与图8A中的EL层103同样的结构，可以适当地组合在图8A中作为EL层的结构说明的各种功能层诸如发光层、包含高电子传输性物质的电子传输层、或包含高空穴传输性物质的空穴传输层、包含高电子注入性物质的电子注入层、包含高空穴注入性物质的空穴注入层、包含双极性(电子及空穴的传输性高的物质)物质的双极层等而构成。这些功能层中的发光层之外的层不是必需的，且也可以具备上述之外的其他功能层。

作为这些层的详细说明是如上所述的，所以省略反复说明。参照图8A中的EL层103的说明。

尤其是，图8B的结构优选应用于得到白色发光的情况，特别有效于照明用途。由此可以获得高品质的发光装置。

实施方式5

在本实施方式中，参照图9A和图9B对应用上述实施方式所例示的发光装置的顶部发光型照明装置的例子进行说明。

在图9A所示的照明装置400中，在第一衬底401a上形成有多个发光装置403。另外，第一衬底401a及与此对置的具有透光性的第二衬底401b由覆盖发光装置403的密封材料405a和设置在端部的密封材料405b粘合在一起。

在发光装置403中，可以适当地使用上述实施方式所例示的发光装置。

作为第一衬底401a，优选使用金属衬底等高热导率的衬底。在使用EL元件的大型照明装置的情况下，有时来自EL元件的发热成为问题，因此通过使用这种高热导率的衬底，散热性得到提高。例如，通过除了不锈钢衬底之外还使用氧化铝、硬铝等，可以实现轻量化且提高散热性。另外，通过使用铝和氧化铝的叠层、硬铝和氧化铝的叠层、以及硬铝和氧化镁的叠层等，可以使衬底表面具有绝缘性，所以是优选的。

作为第二衬底401b，使用透光性的衬底。另外，也可以采用在发光装置403的表面或第二衬底401b的正面和背面等与来自发光装置403的发光交叉的面上设置凹凸形状而抑制全反射的结构。例如，既可以贴合半球形透镜、微透镜阵列、具有凹凸结构的膜或光扩散膜等，也可以直接形成凹凸形状。

作为密封材料405a和405b，可以使用能够将对置的面彼此粘合的材料。例如，可以使用包含热固化型材料或紫外线固化型材料等公知的密封材料。尤其是，作为密封材料405a优选使用具有透光性的材料。这些材料优选是尽量不透过水分和氧等杂质的材料。另外，也可以使用包含干燥剂的密封材料。

图9B所示的照明装置420具有如下结构：由第一衬底401a及第二衬底401b围绕被第二玻璃层407b密封的形成在第一玻璃层407a上的多个发光装置403。

第一玻璃层407a和第二玻璃层407b由密封材料405a粘合在一起，第一衬底401a和第二衬底401b由密封材料405b粘合在一起。

另外，第一玻璃层407a和第二玻璃层407b之间的空间既可以填充有惰性气体(氮、氩等)作为填充剂，也可以填充有具有透光性的密封材料。

照明装置420具有发光装置403由两个薄玻璃层密封的结构，因此可以抑制从外部侵入水分、氧等杂质，可以实现可靠性高的照明装置。

另外，在照明装置400及420中，在第一衬底401a上设置有与发光装置403连接的转换器409。转换器409例如将家庭用电源的电源电压转换为照明驱动用电源电压。此外，转换器409也可以形成在密封材料405b的内侧。

另外，通过作为用于照明装置400及420的衬底的材料，使用塑料、有机树脂薄膜、薄玻璃衬底或金属薄膜等具有柔性的衬底，可以实现轻量且具有柔性的照明装置。

另外，在本实施方式中对顶部发光型照明装置进行说明，但是，例如当采用底部发光型时，将透光性的衬底用于设置发光装置一侧的衬底即可。

实施方式6

在本实施方式中，参照图10及图11说明使用根据本发明的一个方式形成的发光装置的照明装置。

图10是照明装置(台式照明装置)，其包括照明部7501、灯罩7502、可调支架(adjustable arm)7503、支柱7504、台7505以及电源开关7506。另外，照明装置是通过将根据本发明的一个方式制造的发光装置用于照明部7501来制造的。另外，除了图10所示的台式照明装置以外，照明装置还包括固定在天花板上的照明装置(天花板固定式照明装置)或挂在墙上的照明装置(壁挂式照明装置)等。

另外，由于应用本发明的一个方式形成的照明装置为可靠性及制造成品率高的照明装置，通过将其用于照明装置(台式照明装置3000)的照明部7501，可以提供可靠性高、价格竞争力强的照明装置(台式照明装置)。另外，应用本发明的一个方式形成的照明装置可以形成为耗电量低的照明装置。

图11示出将应用本发明的一个方式而形成的发光装置用作室内照明装置的例子。由于本发明的一个方式的发光装置为可靠性及制造成品率高的照明装置，如天花板固定式照明装置3001所示，其非常适用于大面积的照明装置。此外，还可以用作壁挂式照明装置3002。另外，应用本发明的一个方式而形成的照明装置可以形成耗电量低的照明装置。

Claims

1.一种发光装置，包括：

形成在绝缘表面上的发光元件，该发光元件包括：

所述绝缘表面上的第一电极；

与所述第一电极对置的第二电极；以及

所述第一电极与所述第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层，

其中在所述第一电极与所述有机化合物层接触的部分中形成有发光区域；

所述绝缘表面上的与所述第一电极电隔离的导电层；以及

具有沿着所述发光区域的一边与其底部相比更向外侧突出的突出部的分离层，其中所述分离层设置在所述导电层上，

其中，所述发光区域中的所述有机化合物层和所述第二电极延伸至所述分离层的所述突出部之下的区域，并且所述第二电极比所述有机化合物层延伸至所述突出部的轮廓的更内侧，由此所述第二电极与所述导电层电连接，

并且，所述突出部的面向所述发光区域的所述轮廓的长度和大于所述发光区域的面向所述分离层的边的长度和。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二电极使用透光材料形成。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述导电层使用与所述第一电极相同的材料形成。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，当从上面看时所述突出部的所述轮廓具有凹部。

5.一种照明装置，其特征在于，包括根据权利要求1所述的发光装置。

6.一种发光装置，包括：

形成在绝缘表面上的发光元件，该发光元件包括：

所述绝缘表面上的第一电极；

与所述第一电极对置的第二电极；以及

所述绝缘表面上的与所述第一电极电隔离的导电层；以及

具有沿着所述发光区域的一边与其底部相比更向外侧突出的突出部的多个分离层，其中所述多个分离层设置在所述导电层上，

其中，所述发光区域中的所述有机化合物层和所述第二电极延伸至所述多个分离层中的每一个的所述突出部之下的区域，并且所述第二电极比所述有机化合物层延伸至所述突出部的轮廓的更内侧，由此所述第二电极与所述导电层电连接，

并且，所述多个分离层的所述突出部的轮廓的长度和大于所述发光区域的面向所述多个分离层的边的长度和。

7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述第二电极使用透光材料形成。

8.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述导电层使用与所述第一电极相同的材料形成。

9.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，当从上面看时至少所述多个分离层的所述轮廓之一具有凹部。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述凹部的形状为四角、三角、半圆及波形中的一种或多种。

11.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，至少所述多个分离层的所述轮廓中的一个为圆形、椭圆形、四角形、三角形及六角形中的任一种形状。

12.一种照明装置，其特征在于，包括根据权利要求6所述的发光装置。

13.一种发光装置，包括：

绝缘表面上的第一发光元件，该第一发光元件包括：

所述绝缘表面上的第一电极；

与所述第一电极对置的第二电极；以及

所述第一电极与所述第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层；

所述绝缘表面上的第二发光元件，该第二发光元件包括：

所述绝缘表面上的第三电极；

与所述第三电极对置的第四电极；以及

所述第三电极与所述第四电极之间的含有发光物质的有机化合物层；

与所述第三电极电连接的布线；以及

所述第一发光元件与所述第二发光元件之间的区域中的分离层，其中所述分离层设置在所述布线上，

其中所述分离层具有与所述分离层的底部相比更向外侧突出的突出部，

所述第一发光元件的所述有机化合物层和所述第二电极延伸至所述分离层的所述突出部之下的区域，并且所述第二电极比所述有机化合物层延伸至所述突出部的轮廓的更内侧，由此所述第二电极与所述布线接触，

其中，所述第二电极与所述布线的接触区域的长度大于所述第一发光元件的面向所述分离层的边的长度。

14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，还包括设置在所述布线上的绝缘层，其中所述绝缘层与所述突出部的所述轮廓重叠并且设置在所述分离层与所述第二发光元件之间。

15.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述第二电极及所述第四电极分别使用透光材料形成。

16.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述布线与所述第三电极连接。

17.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，当从上面看时所述突出部的所述轮廓具有凹部。

18.一种照明装置，其特征在于，包括根据权利要求13所述的发光装置。

19.一种发光装置，包括：

绝缘表面上的第一发光元件，该第一发光元件包括：

所述绝缘表面上的第一电极；

与所述第一电极对置的第二电极；以及

所述绝缘表面上的第二发光元件，该第二发光元件包括：

所述绝缘表面上的第三电极；

与所述第三电极对置的第四电极；以及

与所述第三电极电连接的布线；以及

所述第一发光元件与所述第二发光元件之间的区域中的多个分离层，其中所述分离层设置在所述布线上，

其中所述多个分离层的每一个具有与其底部相比更向外侧突出的突出部，

所述第一发光元件的所述有机化合物层和所述第二电极延伸至所述多个分离层中的每一个的所述突出部之下的区域，并且所述第二电极比所述有机化合物层延伸至所述突出部的轮廓的更内侧，由此所述第二电极与所述布线接触，

其中，所述第二电极与所述布线的接触区域的长度大于所述第一发光元件的面向所述多个分离层的边的长度。

20.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于，还包括设置在所述布线上的绝缘层，其中所述绝缘层与所述突出部的所述轮廓重叠并且设置在所述多个分离层与所述第二发光元件之间。

21.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于，所述第二电极及所述第四电极分别使用透光材料形成。

22.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于，所述布线与所述第三电极连接。

23.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于，当从上面看时至少所述多个分离层的所述轮廓之一具有凹部。

24.根据权利要求23所述的发光装置，其特征在于，所述凹部的形状为四角、三角、半圆及波形中的一种或多种。

25.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于，至少所述多个分离层的所述轮廓中的一个为圆形、椭圆形、四角形、三角形及六角形中的任一种形状。

26.一种照明装置，其特征在于，包括根据权利要求19所述的发光装置。