JP2001185351A - 有機発光素子およびその製造方法 - Google Patents
有機発光素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001185351A JP2001185351A JP37001299A JP37001299A JP2001185351A JP 2001185351 A JP2001185351 A JP 2001185351A JP 37001299 A JP37001299 A JP 37001299A JP 37001299 A JP37001299 A JP 37001299A JP 2001185351 A JP2001185351 A JP 2001185351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- electrode layer
- substrate
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 17
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 claims description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 3
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 103
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 31
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-phenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC=C1 LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- -1 naphthalene-1-yl Chemical group 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い信頼性を確保しつつ長寿命化が図られた
有機発光素子およびその製造方法を提供することであ
る。 【解決手段】 ガラスからなる基板１上に、透明導電膜
からなるホール注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層
４を形成する。この基板１をドライボックス８内のヘキ
サメチレンジシラザン雰囲気下に所定時間放置し、ホー
ル注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層４の表面をヘ
キサメチレンジシラザン雰囲気に晒す。さらに、絶縁層
３および隔壁分離層４の融点よりも低い温度で短時間ベ
ーキングを行った後、ホール注入電極２上に多層有機薄
膜層５および電子注入電極６を順に形成する。
有機発光素子およびその製造方法を提供することであ
る。 【解決手段】 ガラスからなる基板１上に、透明導電膜
からなるホール注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層
４を形成する。この基板１をドライボックス８内のヘキ
サメチレンジシラザン雰囲気下に所定時間放置し、ホー
ル注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層４の表面をヘ
キサメチレンジシラザン雰囲気に晒す。さらに、絶縁層
３および隔壁分離層４の融点よりも低い温度で短時間ベ
ーキングを行った後、ホール注入電極２上に多層有機薄
膜層５および電子注入電極６を順に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機材料からなる
発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子等の
有機発光素子およびその製造方法に関する。
発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子等の
有機発光素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化に伴い、一般に
使用されているＣＲＴ（陰極線管）に比べて消費電力が
少なく容量の小さい平面表示素子に対する要求が高まっ
ている。このような平面表示素子の１つとして、エレク
トロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と称する）が
注目されている。このようなＥＬ素子は、無機材料から
なる発光層を有する無機ＥＬ素子と、有機材料からなる
発光層を有する有機ＥＬ素子とに大別される。
使用されているＣＲＴ（陰極線管）に比べて消費電力が
少なく容量の小さい平面表示素子に対する要求が高まっ
ている。このような平面表示素子の１つとして、エレク
トロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と称する）が
注目されている。このようなＥＬ素子は、無機材料から
なる発光層を有する無機ＥＬ素子と、有機材料からなる
発光層を有する有機ＥＬ素子とに大別される。
【０００３】無機ＥＬ素子は、一般に発光部に高電界を
作用させ、電界をこの高電界中で加速して発光中心に衝
突させることにより、発光中心を励起させて発光させる
ものである。これに対して、有機ＥＬ素子は、電子注入
電極およびホール注入電極からそれぞれ電子およびホー
ルを発光部内へ注入し、これらの電子およびホールを発
光中心で再結合させて、有機分子を励起状態にし、この
有機分子が励起状態から基底状態に戻る時に蛍光を発生
するものである。このような有機ＥＬ素子は、複数の発
光素子が基板上にマトリクス状に配置された構造を有す
る。
作用させ、電界をこの高電界中で加速して発光中心に衝
突させることにより、発光中心を励起させて発光させる
ものである。これに対して、有機ＥＬ素子は、電子注入
電極およびホール注入電極からそれぞれ電子およびホー
ルを発光部内へ注入し、これらの電子およびホールを発
光中心で再結合させて、有機分子を励起状態にし、この
有機分子が励起状態から基底状態に戻る時に蛍光を発生
するものである。このような有機ＥＬ素子は、複数の発
光素子が基板上にマトリクス状に配置された構造を有す
る。
【０００４】有機ＥＬ素子は、高電界を必要とするた
め、駆動電圧として１００Ｖ〜２００Ｖの高い電圧を必
要とするのに対し、有機ＥＬ素子は、５Ｖ〜２０Ｖ程度
の低い電圧で駆動できるという利点を有する。
め、駆動電圧として１００Ｖ〜２００Ｖの高い電圧を必
要とするのに対し、有機ＥＬ素子は、５Ｖ〜２０Ｖ程度
の低い電圧で駆動できるという利点を有する。
【０００５】また、有機ＥＬ素子では、発光材料である
蛍光物質を選択することにより適当な色彩に発光する発
光素子を得ることができ、マルチカラーまたはフルカラ
ーの表示装置としても利用することが期待される。さら
に、有機ＥＬ素子は、低電圧で面発光できるため、液晶
表示装置等の表示装置用のバックライトとして利用する
ことも可能である。
蛍光物質を選択することにより適当な色彩に発光する発
光素子を得ることができ、マルチカラーまたはフルカラ
ーの表示装置としても利用することが期待される。さら
に、有機ＥＬ素子は、低電圧で面発光できるため、液晶
表示装置等の表示装置用のバックライトとして利用する
ことも可能である。
【０００６】このような有機ＥＬ素子を表示装置として
利用するためには、有機ＥＬ素子の長寿命化が不可欠で
ある。
利用するためには、有機ＥＬ素子の長寿命化が不可欠で
ある。
【０００７】有機ＥＬ素子は、透明電極上に、ホール注
入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層および電子注
入層からなる多層有機薄膜層、ならびに電極層が積層さ
れた構造を有する。各発光素子間はレジスト材料からな
る素子分離用絶縁層により分離されている。
入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層および電子注
入層からなる多層有機薄膜層、ならびに電極層が積層さ
れた構造を有する。各発光素子間はレジスト材料からな
る素子分離用絶縁層により分離されている。
【０００８】このような有機ＥＬ素子では、水分が侵入
すると、多層有機薄膜層中に水分が吸収される。それに
より、発光部の劣化が引き起こされて有機ＥＬ素子の寿
命が短くなる。そのため、透明電極上に、ホール注入
層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層お
よび電極層を連続的に形成した後、これらの層を封止す
ることにより、外気から多層有機薄膜層中に水分が侵入
することを防止している。
すると、多層有機薄膜層中に水分が吸収される。それに
より、発光部の劣化が引き起こされて有機ＥＬ素子の寿
命が短くなる。そのため、透明電極上に、ホール注入
層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層お
よび電極層を連続的に形成した後、これらの層を封止す
ることにより、外気から多層有機薄膜層中に水分が侵入
することを防止している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、外気か
ら有機ＥＬ素子中への水分の侵入を防止しても、有機Ｅ
Ｌ素子の製造工程において僅かな水分が多層有機薄膜層
の周囲に残存すると、時間の経過とともに多層有機薄膜
層中に水分が浸透し、いわゆる膨潤という現象が起こ
り、発光部の劣化が進行する。その結果、有機ＥＬ素子
の長寿命化が図られない。
ら有機ＥＬ素子中への水分の侵入を防止しても、有機Ｅ
Ｌ素子の製造工程において僅かな水分が多層有機薄膜層
の周囲に残存すると、時間の経過とともに多層有機薄膜
層中に水分が浸透し、いわゆる膨潤という現象が起こ
り、発光部の劣化が進行する。その結果、有機ＥＬ素子
の長寿命化が図られない。
【００１０】そこで、有機ＥＬ素子の製造工程において
多層有機薄膜層の形成前に加熱により水分を蒸発させる
ことが考えられる。この場合、水分を完全に蒸発させる
ためには、２００℃以上の高温で２時間以上の長時間の
加熱が必要となる。
多層有機薄膜層の形成前に加熱により水分を蒸発させる
ことが考えられる。この場合、水分を完全に蒸発させる
ためには、２００℃以上の高温で２時間以上の長時間の
加熱が必要となる。
【００１１】しかしながら、上記のように、透明電極上
にはレジスト材料からなる素子分離用絶縁層が形成され
ているため、上記のような高温で長時間の加熱を行う
と、素子分離用絶縁層が熱履歴により溶融して変形す
る。その結果、発光素子間の分離が不十分となり、有機
ＥＬ素子の信頼性の低下につながる。
にはレジスト材料からなる素子分離用絶縁層が形成され
ているため、上記のような高温で長時間の加熱を行う
と、素子分離用絶縁層が熱履歴により溶融して変形す
る。その結果、発光素子間の分離が不十分となり、有機
ＥＬ素子の信頼性の低下につながる。
【００１２】本発明は、高い信頼性を確保しつつ長寿命
化が図られた有機発光素子およびその製造方法を提供す
ることである。
化が図られた有機発光素子およびその製造方法を提供す
ることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
に係る有機発光素子の製造方法は、基板上に第１の電極
層、有機材料層および第２の電極層が積層された有機発
光素子の製造方法であって、基板上に第１の電極層を形
成およびパターンニングし、第１の電極層の表面を水分
と反応可能な揮発性の水分除去剤に晒す水分除去処理を
行った後、第１の電極層上に有機材料層を形成するもの
である。
に係る有機発光素子の製造方法は、基板上に第１の電極
層、有機材料層および第２の電極層が積層された有機発
光素子の製造方法であって、基板上に第１の電極層を形
成およびパターンニングし、第１の電極層の表面を水分
と反応可能な揮発性の水分除去剤に晒す水分除去処理を
行った後、第１の電極層上に有機材料層を形成するもの
である。
【００１４】本発明に係る有機発光素子の製造方法によ
れば、第１の電極層のパターニングの後に第１の電極層
の表面を揮発性の水分除去剤に晒すことにより、水分除
去剤が第１の電極層の表面の水と置換反応を起こし、水
分が除去される。その後、第１の電極層上に有機材料層
を形成することにより第１の電極層と有機材料層との間
に水分が残存しない。したがって、水分の吸収による有
機材料層の劣化が防止され、有機発光素子の長寿命化が
図られる。
れば、第１の電極層のパターニングの後に第１の電極層
の表面を揮発性の水分除去剤に晒すことにより、水分除
去剤が第１の電極層の表面の水と置換反応を起こし、水
分が除去される。その後、第１の電極層上に有機材料層
を形成することにより第１の電極層と有機材料層との間
に水分が残存しない。したがって、水分の吸収による有
機材料層の劣化が防止され、有機発光素子の長寿命化が
図られる。
【００１５】この場合、高温で長時間の加熱を行う必要
がないので、製造時間が短縮されるとともに、信頼性の
低下が生じない。
がないので、製造時間が短縮されるとともに、信頼性の
低下が生じない。
【００１６】また、上記の水分除去剤による水分除去処
理と併せて加熱処理を行う場合でも、比較的低い温度で
短時間の加熱により水分を完全に除去することが可能と
なる。したがって、水分除去処理と加熱処理とを行った
場合においても、製造時間が短縮されるとともに、信頼
性の低下が生じない。
理と併せて加熱処理を行う場合でも、比較的低い温度で
短時間の加熱により水分を完全に除去することが可能と
なる。したがって、水分除去処理と加熱処理とを行った
場合においても、製造時間が短縮されるとともに、信頼
性の低下が生じない。
【００１７】水分除去剤はシラザン化合物であってもよ
い。その場合、シラザン化合物が水と置換反応を起こ
し、水が他の物質に変換される。それにより、水分の完
全な除去が可能になる。
い。その場合、シラザン化合物が水と置換反応を起こ
し、水が他の物質に変換される。それにより、水分の完
全な除去が可能になる。
【００１８】特に、水分除去剤はアルキレンジシラザン
であってもよい。また、水分除去剤がヘキサメチレンジ
シラザンであってもよい。
であってもよい。また、水分除去剤がヘキサメチレンジ
シラザンであってもよい。
【００１９】パターニングされた第１の電極層上に素子
間分離のための絶縁層を形成した後、水分除去処理を行
ってもよい。この場合、絶縁層の熱履歴による溶融およ
び変形を伴うことなく、第１の電極層および絶縁層の表
面に付着する水分が水分除去剤による水分除去処理によ
り除去される。
間分離のための絶縁層を形成した後、水分除去処理を行
ってもよい。この場合、絶縁層の熱履歴による溶融およ
び変形を伴うことなく、第１の電極層および絶縁層の表
面に付着する水分が水分除去剤による水分除去処理によ
り除去される。
【００２０】絶縁層はレジスト材料からなってもよい。
この場合には、レジスト材料からなる絶縁層の熱履歴に
よる溶融および変形を伴うことなく、第１の電極層およ
び絶縁層の表面の水分を完全に除去することが可能とな
る。
この場合には、レジスト材料からなる絶縁層の熱履歴に
よる溶融および変形を伴うことなく、第１の電極層およ
び絶縁層の表面の水分を完全に除去することが可能とな
る。
【００２１】水分除去処理の後、第１の電極層が形成さ
れた基板を絶縁層の融点よりも低い温度で加熱してもよ
い。この場合、水分除去剤による水分除去処理と併せて
加熱処理が行われることにより、第１の電極層および絶
縁層の表面の水分を完全に除去することができるととも
に、第１の電極層および絶縁層の表面の水分除去剤を十
分に揮発させることができる。このとき、加熱処理は絶
縁層の融点よりも低い温度で行われるので、絶縁層の溶
融および変形が生じない。その結果、有機発光素子の信
頼性が確保される。
れた基板を絶縁層の融点よりも低い温度で加熱してもよ
い。この場合、水分除去剤による水分除去処理と併せて
加熱処理が行われることにより、第１の電極層および絶
縁層の表面の水分を完全に除去することができるととも
に、第１の電極層および絶縁層の表面の水分除去剤を十
分に揮発させることができる。このとき、加熱処理は絶
縁層の融点よりも低い温度で行われるので、絶縁層の溶
融および変形が生じない。その結果、有機発光素子の信
頼性が確保される。
【００２２】本発明に係る有機発光素子は、基板上に第
１の電極層、有機材料層および第２の電極層が積層され
た有機発光素子において、第１の電極層の表面を水分と
反応可能な揮発性の水分除去剤に晒す水分除去処理が施
されたものである。
１の電極層、有機材料層および第２の電極層が積層され
た有機発光素子において、第１の電極層の表面を水分と
反応可能な揮発性の水分除去剤に晒す水分除去処理が施
されたものである。
【００２３】本発明に係る有機発光素子においては、第
１の電極層の表面を揮発性の水分除去剤に晒す水分除去
処理が施されているので、第１の電極層と有機材料層と
の間に水分が残存しない。したがって、水分の吸収によ
る有機材料層の劣化が防止され、高い信頼性を確保しつ
つ長寿命化が図られる。
１の電極層の表面を揮発性の水分除去剤に晒す水分除去
処理が施されているので、第１の電極層と有機材料層と
の間に水分が残存しない。したがって、水分の吸収によ
る有機材料層の劣化が防止され、高い信頼性を確保しつ
つ長寿命化が図られる。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１〜図８は本発明の一実施例に
おける有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機
ＥＬ素子と略称する）の製造方法を示す工程断面図であ
り、（ａ）はホール注入電極に平行な方向に沿った断面
を示し、（ｂ）はホール注入電極に垂直な方向に沿った
断面を示す。また、図９は図３の工程における基板の平
面図である。
おける有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機
ＥＬ素子と略称する）の製造方法を示す工程断面図であ
り、（ａ）はホール注入電極に平行な方向に沿った断面
を示し、（ｂ）はホール注入電極に垂直な方向に沿った
断面を示す。また、図９は図３の工程における基板の平
面図である。
【００２５】図１（ａ），（ｂ）において、基板１とし
てガラス基板を用いる。基板１上に、スパッタ法により
ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）からなる透明導電膜を
形成する。その後、透明導電膜上にレジストを塗布し、
プリベーク（露光前ベーク）を行った後、レジストに所
定のパターンを露光し、現像を行う。現像後、ポストベ
ーク（現像後ベーク）を行い、基板１を塩化第２鉄溶液
に浸漬してエッチングを行う。エッチング終了後、レジ
ストを剥離する。このようにして、基板１上に透明導電
膜からなるホール注入電極２が形成される。
てガラス基板を用いる。基板１上に、スパッタ法により
ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）からなる透明導電膜を
形成する。その後、透明導電膜上にレジストを塗布し、
プリベーク（露光前ベーク）を行った後、レジストに所
定のパターンを露光し、現像を行う。現像後、ポストベ
ーク（現像後ベーク）を行い、基板１を塩化第２鉄溶液
に浸漬してエッチングを行う。エッチング終了後、レジ
ストを剥離する。このようにして、基板１上に透明導電
膜からなるホール注入電極２が形成される。
【００２６】次に、基板１を洗浄した後、ホール注入電
極２が形成された基板１上にレジストを塗布し、プリベ
ークを行った後、レジストに所定のパターンを露光し、
現像を行う。現像後、ポストベークを行い、レジストの
硬化変質を行う。このようにして、図２（ａ），（ｂ）
に示すように、各ホール注入電極２上に所定間隔で開口
部を有するレジストからなる絶縁層３がホール注入電極
２上および基板１上のホール注入電極２間に形成され
る。
極２が形成された基板１上にレジストを塗布し、プリベ
ークを行った後、レジストに所定のパターンを露光し、
現像を行う。現像後、ポストベークを行い、レジストの
硬化変質を行う。このようにして、図２（ａ），（ｂ）
に示すように、各ホール注入電極２上に所定間隔で開口
部を有するレジストからなる絶縁層３がホール注入電極
２上および基板１上のホール注入電極２間に形成され
る。
【００２７】次に、絶縁層３およびホール注入電極２の
表面にレジストを塗布し、プリベークを行った後、レジ
ストに所定のパターンを露光し、現像を行う。それによ
り、図３（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁層３上にレ
ジストからなる隔壁分離層４がリブとして形成される。
その後、窒素雰囲気中において基板１に１２０℃で５分
間ポストベークを行う。ポストベーク後、基板１を大気
中で冷却する。
表面にレジストを塗布し、プリベークを行った後、レジ
ストに所定のパターンを露光し、現像を行う。それによ
り、図３（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁層３上にレ
ジストからなる隔壁分離層４がリブとして形成される。
その後、窒素雰囲気中において基板１に１２０℃で５分
間ポストベークを行う。ポストベーク後、基板１を大気
中で冷却する。
【００２８】図９には、図３（ａ），（ｂ）の工程にお
ける基板１の平面図が示されている。図３（ａ）は図９
のＡ−Ａ線断面を示し、図３（ｂ）は図９のＢ−Ｂ線断
面を示している。
ける基板１の平面図が示されている。図３（ａ）は図９
のＡ−Ａ線断面を示し、図３（ｂ）は図９のＢ−Ｂ線断
面を示している。
【００２９】この場合、後の工程で形成される多層有機
薄膜層、電子注入電極および保護膜に段切れを生じさせ
るために、逆テーパ型のレジストを用い、さらにレジス
トの膜厚を多層有機薄膜層、電子注入電極および保護膜
の合計の膜厚に比べて大きくする。それにより、高い段
差が形成される。本実施例では、多層有機薄膜層、電子
注入電極および保護膜の合計の膜厚を約０．６μｍと
し、隔壁分離層４の膜厚を４μｍとする。
薄膜層、電子注入電極および保護膜に段切れを生じさせ
るために、逆テーパ型のレジストを用い、さらにレジス
トの膜厚を多層有機薄膜層、電子注入電極および保護膜
の合計の膜厚に比べて大きくする。それにより、高い段
差が形成される。本実施例では、多層有機薄膜層、電子
注入電極および保護膜の合計の膜厚を約０．６μｍと
し、隔壁分離層４の膜厚を４μｍとする。
【００３０】次に、図４（ａ），（ｂ）に示すように、
基板１をドライボックス８内のヘキサメチレンジシラザ
ン雰囲気下に１５分間放置する。それにより、揮発性の
ヘキサメチレンジシラザンが基板１上のホール注入電極
２、絶縁層３および隔壁分離層４の表面に付着している
水分と置換反応を起こし、水分が除去される。
基板１をドライボックス８内のヘキサメチレンジシラザ
ン雰囲気下に１５分間放置する。それにより、揮発性の
ヘキサメチレンジシラザンが基板１上のホール注入電極
２、絶縁層３および隔壁分離層４の表面に付着している
水分と置換反応を起こし、水分が除去される。
【００３１】その後、図５（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ヘキサメチレンジシラザンに晒された基板１を真空
装置９内に導入し、真空中において１１０℃で１０分間
ベーキングを行う。これにより、基板１上のホール注入
電極２に残存する水分が完全に蒸発して除去される。
に、ヘキサメチレンジシラザンに晒された基板１を真空
装置９内に導入し、真空中において１１０℃で１０分間
ベーキングを行う。これにより、基板１上のホール注入
電極２に残存する水分が完全に蒸発して除去される。
【００３２】さらに、真空装置９内で基板１を１１０℃
に保ったまま酸素ガスを導入し、酸素プラズマによるホ
ール注入電極２の表面のクリーニングを行う。本実施例
では、プラズマ処理における圧力は１０Ｔｏｒｒ、ＲＦ
（高周波）出力は２００Ｗ、時間は３０秒である。それ
により、ホール注入電極２の表面のレジスト材料の残り
が除去される。
に保ったまま酸素ガスを導入し、酸素プラズマによるホ
ール注入電極２の表面のクリーニングを行う。本実施例
では、プラズマ処理における圧力は１０Ｔｏｒｒ、ＲＦ
（高周波）出力は２００Ｗ、時間は３０秒である。それ
により、ホール注入電極２の表面のレジスト材料の残り
が除去される。
【００３３】次に、図６（ａ），（ｂ）に示すように、
ホール注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層４上に、
蒸着法によりホール注入層、ホール輸送層、発光層およ
び電子輸送層からなる多層有機薄膜層５を形成する。
ホール注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層４上に、
蒸着法によりホール注入層、ホール輸送層、発光層およ
び電子輸送層からなる多層有機薄膜層５を形成する。
【００３４】本実施例では、ホール注入層として、膜厚
２００ÅのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン：Copper(II)ph
thalocyanine）を用い、ホール輸送層として、膜厚１２
００ÅのＮＰＢ（N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-Di
(phenyl-benzidine) ）を用いる。また、発光層とし
て、膜厚３００ÅのＡｌｑ3 (Tris(8-quinolinolato)al
uminum) にクマリン−６を２％添加したものを用い、電
子輸送層として、膜厚２００ÅのＡｌｑ3 を用いる。
２００ÅのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン：Copper(II)ph
thalocyanine）を用い、ホール輸送層として、膜厚１２
００ÅのＮＰＢ（N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-Di
(phenyl-benzidine) ）を用いる。また、発光層とし
て、膜厚３００ÅのＡｌｑ3 (Tris(8-quinolinolato)al
uminum) にクマリン−６を２％添加したものを用い、電
子輸送層として、膜厚２００ÅのＡｌｑ3 を用いる。
【００３５】次いで、図７（ａ），（ｂ）に示すよう
に、多層有機薄膜層５上に、蒸着法ににより膜厚２００
０ÅのＭｇ／Ｉｎからなる電子注入電極６を形成する。
このようにして、基板１上に緑色を発光する複数の発光
素子が形成される。
に、多層有機薄膜層５上に、蒸着法ににより膜厚２００
０ÅのＭｇ／Ｉｎからなる電子注入電極６を形成する。
このようにして、基板１上に緑色を発光する複数の発光
素子が形成される。
【００３６】最後に、図８（ａ），（ｂ）に示すよう
に、複数の発光素子上に蒸着法により保護膜（図示せ
ず）を形成した後、封止剤７を用いて基板１上の複数の
発光素子を封止する。この場合、多層有機薄膜層５は、
水分を吸収しやすく、水分を吸収すると、発光強度の劣
化が生じやすいため、乾燥窒素雰囲気中で封止を行う。
に、複数の発光素子上に蒸着法により保護膜（図示せ
ず）を形成した後、封止剤７を用いて基板１上の複数の
発光素子を封止する。この場合、多層有機薄膜層５は、
水分を吸収しやすく、水分を吸収すると、発光強度の劣
化が生じやすいため、乾燥窒素雰囲気中で封止を行う。
【００３７】本実施例の有機ＥＬ素子の製造方法によれ
ば、図４（ａ），（ｂ）の工程で基板１上のホール注入
電極２の表面をヘキサメチレンジシラザン雰囲気に晒す
ことにより、ホール注入電極２、絶縁層３および隔壁分
離層４の表面に付着している水分をヘキサメチレンジシ
ラザンの置換反応により除去することができる。それに
より、発光素子を水分が残存しない状態で封止剤７で封
止することが可能となる。
ば、図４（ａ），（ｂ）の工程で基板１上のホール注入
電極２の表面をヘキサメチレンジシラザン雰囲気に晒す
ことにより、ホール注入電極２、絶縁層３および隔壁分
離層４の表面に付着している水分をヘキサメチレンジシ
ラザンの置換反応により除去することができる。それに
より、発光素子を水分が残存しない状態で封止剤７で封
止することが可能となる。
【００３８】また、ヘキサメチレンジシラザンによる水
分除去処理後に基板１を絶縁層３および隔壁分離層４の
融点よりも低い温度で短時間ベーキングするだけでホー
ル注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層４の表面の水
分を完全に除去することが可能となる。そのため、絶縁
層３および隔壁分離層４の熱履歴による溶融および変形
が生じない。したがって、高い信頼性を確保しつつ有機
ＥＬ素子の長寿命化が図られる。
分除去処理後に基板１を絶縁層３および隔壁分離層４の
融点よりも低い温度で短時間ベーキングするだけでホー
ル注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層４の表面の水
分を完全に除去することが可能となる。そのため、絶縁
層３および隔壁分離層４の熱履歴による溶融および変形
が生じない。したがって、高い信頼性を確保しつつ有機
ＥＬ素子の長寿命化が図られる。
【００３９】ここで、上記実施例の製造方法により製造
された有機ＥＬ素子および比較例の有機ＥＬ素子の耐久
性を比較するために輝度の経時変化を評価した。比較例
の有機ＥＬ素子の製造工程では、実施例の図４の工程に
おけるヘキサメチレンジシラザンによる水分除去処理を
行わずに、真空中において２００℃で２時間ベーキング
を行った。比較例の有機ＥＬ素子の他の製造工程は、実
施例の有機ＥＬ素子の製造工程と同一である。
された有機ＥＬ素子および比較例の有機ＥＬ素子の耐久
性を比較するために輝度の経時変化を評価した。比較例
の有機ＥＬ素子の製造工程では、実施例の図４の工程に
おけるヘキサメチレンジシラザンによる水分除去処理を
行わずに、真空中において２００℃で２時間ベーキング
を行った。比較例の有機ＥＬ素子の他の製造工程は、実
施例の有機ＥＬ素子の製造工程と同一である。
【００４０】図１０は実施例および比較例の有機ＥＬ素
子の輝度の経時変化の評価結果を示す図である。
子の輝度の経時変化の評価結果を示す図である。
【００４１】図１０に示すように、実施例の有機ＥＬ素
子では、比較例の有機ＥＬ素子に比べて、輝度の低下が
抑制されており、１０００時間以上経過後には、輝度の
低下の差異が顕著に現れている。このように、実施例の
有機ＥＬ素子では、高い信頼性が確保されるとともに、
長寿命化が図られていることがわかる。
子では、比較例の有機ＥＬ素子に比べて、輝度の低下が
抑制されており、１０００時間以上経過後には、輝度の
低下の差異が顕著に現れている。このように、実施例の
有機ＥＬ素子では、高い信頼性が確保されるとともに、
長寿命化が図られていることがわかる。
【００４２】なお、上記実施例では、基板１をドライボ
ックス８内のヘキサメチレンジシラザン雰囲気下に放置
することにより、基板１上のホール注入電極２、絶縁層
３および隔壁分離層４の表面をヘキサメチレンジシラザ
ン雰囲気に晒しているが、ヘキサメチレンジシラザンを
スピンコートにより基板１上のホール注入電極２、絶縁
層３および隔壁分離層４の表面に塗布し、ベーキングす
る方法を用いても、ヘキサメチレンジシラザンによる水
分除去処理を行うことが可能である。
ックス８内のヘキサメチレンジシラザン雰囲気下に放置
することにより、基板１上のホール注入電極２、絶縁層
３および隔壁分離層４の表面をヘキサメチレンジシラザ
ン雰囲気に晒しているが、ヘキサメチレンジシラザンを
スピンコートにより基板１上のホール注入電極２、絶縁
層３および隔壁分離層４の表面に塗布し、ベーキングす
る方法を用いても、ヘキサメチレンジシラザンによる水
分除去処理を行うことが可能である。
【００４３】また、上記実施例では、水分除去剤として
ヘキサメチレンジシラザンを用いているが、水分除去剤
としてその他のアルキレンジシラザンを用いてもよく、
あるいはアルキレンジシラザン以外のシラザン化合物を
用いてもよい。
ヘキサメチレンジシラザンを用いているが、水分除去剤
としてその他のアルキレンジシラザンを用いてもよく、
あるいはアルキレンジシラザン以外のシラザン化合物を
用いてもよい。
【００４４】さらに、上記実施例では、本発明の製造方
法をパッシブ型の有機ＥＬ素子に適用した場合を説明し
たが、本発明の製造方法は、アクティブマトリクス型の
有機ＥＬ素子にも同様に適用することができ、同様の効
果が得られる。その場合には、基板上のＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）の形成工程終了後の電極表面に上記実施例
と同様の水分除去処理を行う。
法をパッシブ型の有機ＥＬ素子に適用した場合を説明し
たが、本発明の製造方法は、アクティブマトリクス型の
有機ＥＬ素子にも同様に適用することができ、同様の効
果が得られる。その場合には、基板上のＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）の形成工程終了後の電極表面に上記実施例
と同様の水分除去処理を行う。
【図１】本発明の一実施例における有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図２】本発明の一実施例における有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図３】本発明の一実施例における有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図４】本発明の一実施例における有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明の一実施例における有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の一実施例における有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の一実施例における有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の一実施例における有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図９】図３の工程における基板の平面図である。
【図１０】実施例および比較例の有機ＥＬ素子の輝度の
経時変化の評価結果を示す図である。
経時変化の評価結果を示す図である。
２ ホール注入電極 ３ 絶縁層 ４ 隔壁分離層 ５ 多層有機薄膜層 ６ 電子注入電極 ７ 封止剤
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に第１の電極層、有機材料層およ
び第２の電極層が積層された有機発光素子の製造方法で
あって、前記基板上に前記第１の電極層を形成およびパ
ターンニングし、前記第１の電極層の表面を水分と反応
可能な揮発性の水分除去剤に晒す水分除去処理を行った
後、前記第１の電極層上に前記有機材料層を形成するこ
とを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記水分除去剤はシラザン化合物である
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光素子の製造方
法。 - 【請求項３】 前記水分除去剤はアルキレンジシラザン
であることを特徴とする請求項１または２記載の有機発
光素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記水分除去剤はヘキサメチレンジシラ
ザンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載の有機発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 パターニングされた前記第１の電極層上
に素子間分離のための絶縁層を形成した後、前記水分除
去処理を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか
に記載の有機発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記絶縁層はレジスト材料からなること
を特徴とする請求項５記載の有機発光素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記水分除去処理の後、前記第１の電極
層が形成された前記基板を前記絶縁層の融点よりも低い
温度で加熱することを特徴とする請求項５または６記載
の有機発光素子の製造方法。 - 【請求項８】 基板上に第１の電極層、有機材料層およ
び第２の電極層が積層された有機発光素子において、前
記第１の電極層の表面を水分と反応可能な揮発性の水分
除去剤に晒す水分除去処理が施されたことを特徴とする
有機発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37001299A JP2001185351A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 有機発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37001299A JP2001185351A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 有機発光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185351A true JP2001185351A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18495861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37001299A Withdrawn JP2001185351A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 有機発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001185351A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152563A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Canon Inc | 表示装置 |
| WO2004084590A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| US6882103B2 (en) | 2001-10-18 | 2005-04-19 | Lg Electronics Inc. | Panel of organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
| KR100537611B1 (ko) * | 2002-04-10 | 2005-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| CN102655220A (zh) * | 2011-03-02 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及照明装置 |
| CN106328824A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-01-11 | Tcl集团股份有限公司 | 顶发射qled器件及其制备方法 |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP37001299A patent/JP2001185351A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6882103B2 (en) | 2001-10-18 | 2005-04-19 | Lg Electronics Inc. | Panel of organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
| KR100537611B1 (ko) * | 2002-04-10 | 2005-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2004152563A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Canon Inc | 表示装置 |
| WO2004084590A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| US7095172B2 (en) | 2003-03-17 | 2006-08-22 | Fujitsu Limited | Organic electro luminescence display and its manufacture method |
| CN102655220A (zh) * | 2011-03-02 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及照明装置 |
| CN102655220B (zh) * | 2011-03-02 | 2016-06-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及照明装置 |
| CN106328824A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-01-11 | Tcl集团股份有限公司 | 顶发射qled器件及其制备方法 |
| CN106328824B (zh) * | 2016-11-24 | 2019-05-24 | Tcl集团股份有限公司 | 顶发射qled器件及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4187367B2 (ja) | 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法 | |
| JP3948082B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP3744766B2 (ja) | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置およびその製造方法 | |
| JP2000012220A (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPH11111465A (ja) | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JP2001076869A (ja) | 有機ｅｌデバイスとその製造方法 | |
| KR20070011105A (ko) | 자발광 패널의 제조 방법 및 자발광 패널 | |
| JP2002208484A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP2007073353A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP3540584B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 | |
| JP2845233B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2003007463A (ja) | 有機電界発光表示素子の製造方法 | |
| JP2000150147A (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
| JP2001185351A (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
| JP2001326069A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2003257675A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JPH1055888A (ja) | 多色発光装置およびその製造方法 | |
| JP2004014236A (ja) | 有機ｅｌ素子の作製方法 | |
| JPH09320760A (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法 | |
| JPH11312583A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2008108680A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| KR100768715B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| JP3531597B2 (ja) | 有機電界発光装置 | |
| JP2006019087A (ja) | 有機ｅｌ表示素子の製造方法 | |
| JP2008108515A (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041213 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070730 |