KR20070011105A - 자발광 패널의 제조 방법 및 자발광 패널 - Google Patents

자발광 패널의 제조 방법 및 자발광 패널 Download PDF

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KR20070011105A
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Abstract

본 발명은 각종 요인의 발광 불량을 미연에 방지하는 것, 발광 불량이 없는 자발광 패널을 얻는 것 등이 실현되도록 자발광 패널의 제조 방법 및 자발광 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판(2) 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 제1 도전층(3)을 형성하고, 제1 도전층(3) 상에 발광층을 포함하는 성막층(6)을 적층하여, 성막층(6) 상에 제2 도전층(7)을 형성하여 자발광 패널을 제조하는 경우에, 제1 도전층(3a)의 형성 후, 제1 도전층(3a) 상의 발광 영역(A1)이 되는 개구부(3b)를 구획하는 구획층(4)을 형성하는 제1 공정과, 적어도 제1 도전층의 개구부 내의 표면에 표면 처리를 행하는 제2 공정과, 적어도 제2 공정에 의해 표면 처리가 행해진 제1 도전층(3d) 상에 성막층(6)을 성막하는 제3 공정을 행한다.

Description

자발광 패널의 제조 방법 및 자발광 패널{SELF-EMISSION PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 일반적인 자발광 패널의 문제점을 설명하기 위한 도면으로서, (a)는 일반적인 액티브 구동형 자발광 패널의 단면도이고, (b)는 일반적인 패시브 구동형 자발광 패널의 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자발광 소자 패널에 있어서의 단수 또는 복수로 이루어지는 자발광 소자를 구비하는 자발광 소자부 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자발광 패널에 있어서의 자발광 소자부의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 4는 본 발명에 따른 표면 처리를 설명하기 위한 도면으로서, 자발광 소자부의 단면을 확대한 도면.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 자발광 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 자발광 소자부의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 자발광 소자부의 제조 방법을 설명하 기 위한 흐름도.
도 8은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 자발광 패널과 일반적인 자발광 패널의 발광 휘도 특성 및 구동 전압 특성을 설명하기 위한 도면.
도 9는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 자발광 패널을 설명하기 위한 단면도.
도 10은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 자발광 패널을 설명하기 위한 단면도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 자발광 소자부
2 : 기판
3 : 제1 도전층(제1 전극 : 하부 전극)
4 : 구획층(절연층 : 절연 재료)
5 : 격벽부(절연 재료)
6 : 성막층(자발광층을 포함함)
7 : 제2 도전층(제2 전극 : 상부 전극)
A1 : 발광 영역
본 발명은 자발광 패널의 제조 방법 및 자발광 패널에 관한 것이다.
유기 EL(Electro Luminescence) 패널로 대표되는 자발광 패널은 휴대 전화나 박형 텔레비젼, 정보 단말 등의 디스플레이는 물론이며, 차량용 기능 표시, 예를 들면 속도계 등의 계기 패널이나 전화 제품의 기능 표시부, 필름형 디스플레이에의 응용, 옥외 안내 표시 또는 조명에의 응용이 기대되며, 왕성하게 개발·연구가 진행되고 있다. 이러한 자발광 패널은 기판 상에 자발광 소자를 복수 또는 단수 배치하여 형성된 것으로서, 자발광 소자로서는 유기 EL 소자 이외에 LED(Light Emitting Diode), FED(Field Emission Display)등의 발광 소자를 들 수 있다.
이러한 자발광 소자는 기판 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 제1 도전층을 형성하며, 제1 도전층 상에 발광층을 포함하는 성막층을 적층하고, 성막층 상에 제2 도전층을 형성하는 구조를 갖고 있으며, 제1 도전층과 제2 도전층과의 사이에 전압을 인가함으로써, 제1 및 제2 도전층의 한쪽에 형성되는 음극측으로부터 전자가 주입되고 제1 및 제2 도전층의 다른 한쪽에 형성되는 양극측으로부터 정공이 주입되어 이들이 발광층 등에서 재결합함으로써 발광을 얻을 수 있는 것이다.
이러한 자발광 소자에서는, 제1 도전층 상에 적어도 발광층을 갖는 성막층을 형성하는 관계상, 제1 도전층에 있어서의 표면의 평탄성이 소자 성능, 나아가서는 자발광 패널에 크게 영향을 준다. 하기 특허문헌 1에 기재된 것에서는, 양극, 유기 발광층을 포함하여 적어도 한 층으로 이루어지는 유기층 및 음극을 구비하는 유기 EL에 있어서, 양극의 적어도 유기층과 접합하는 면을 표면 거칠기의 최대 높이 (Rmax:JISB0601)가 50 옹스트롱 이하가 되도록 연마하는 것이 제안되어 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제9-245965호 공보
종래 기술에 기재되어 있는 바와 같이, 자발광 패널의 성능 저하의 하나로서 발광 불량이 있으며, 그 원인의 하나로서 제1 도전층과 제2 도전층 사이에 단락이 생기는 것을 생각할 수 있다. 이것은 기판 상에 제1 도전층(예컨대, 양극)을 형성한 표면에 먼지 등의 이물질이 부착되는 것을 들 수 있다. 이것을 막기 위해서, 종래 기술에 기재되어 있는 바와 같이 제1 도전층(양극)을 형성한 후에 표면 연마를 행함으로써 표면을 평탄화하고 있다. 그러나, 제1 도전층(양극)을 연마 처리 하더라도, 절연막 등을 이용하여 개구부를 형성하고, UV, 오존, 플라즈마 등을 조사, 또는 가열하는 등의 성막 전(前)처리 공정을 거쳐, 성막층의 성막 공정에 이르기까지의 공정의 과정에서 먼지 등의 이물질이 제1 도전층(양극) 상에 부착된다. 그 일례를 하기에 나타낸다.
도 1(a)에 도시한 바와 같이, 기판(2j) 상에 형성된 제1 도전층(3j)(양극) 상에 발광 영역(A1)을 구획하는 구획층(4j)이 형성되고, 이 구획층(4j)에 의해 구획된 개구부(S) 상에 성막층이 적층되지만, 이 구획층(4j)의 패턴 형성시에, 노출된 제1 도전층(3j)의 표면에 먼지(21, 22)나 예컨대 레지스트, 산화된 막 등의 피막(23) 등의 이물질이 부착되는 경우가 있다. 또한, 도 1(b)에 도시한 바와 같이, 구획층(4j) 상에 격벽부(5j) 등의 구조물을 형성하는 경우도 있다. 이러한 구획층(4j)이나 격벽부(5j) 등의 구조물이 형성된 후에는, 전술한 바와 같이 연마 처리를 행할 수 없기 때문에, 전술한 이물질을 제거할 수 없어 발광 불량을 피할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 문제에 대처하는 것을 과제의 일례로 하는 것이다. 즉, 제1 도전층 상의 표면 처리를 효과적으로 행함으로써, 각종 요인의 발광 불량을 미연에 방지하는 것, 제1 도전층 상의 표면 처리 후에 다른 공정을 거치지 않고 성막 공정을 행함으로써 성막 불량을 효과적으로 회피하는 것, 제1 도전층에 대하여 구획층 등의 구조물을 형성한 후에 효과적으로 제1 도전층에 대하여 표면 처리를 행하여, 발광 불량이 없는 자발광 패널을 얻을 수 있는 것, 등이 본 발명의 목적이다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 이하의 각 독립 청구항에 따른 구성을 적어도 구비하는 것이다.
청구항 1에 따른 발명의 자발광 소자의 제조 방법은 기판 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 제1 도전층을 형성하고, 이 제1 도전층 상에 발광층을 포함하는 성막층을 적층하여, 이 성막층 상에 제2 도전층을 형성하는 자발광 소자를 발광 영역이 되는 개구부 내에 형성하는 자발광 패널의 제조 방법으로서, 상기 제1 도전층의 형성 후, 이 제1 도전층 상의 발광 영역이 되는 개구부를 구획하는 구획층을 형성하는 제1 공정과, 상기 제1 공정 후, 적어도 상기 제1 도전층의 상기 개구부 내의 표면에 표면 처리를 행하는 제2 공정과, 적어도 상기 표면 처리가 행해진 상기 제1 도전층 상에 상기 성막층을 성막하는 제3 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 따른 발명의 자발광 패널은 기판 상에 직접 또는 다른 층을 사이 에 두고 형성된 제1 도전층과, 이 제1 도전층 상에 적층된 발광층을 포함하는 성막층과, 이 성막층 상에 형성된 제2 도전층을 갖는 자발광 소자를 발광 영역이 되는 개구부 내에 형성하는 자발광 패널로서, 상기 제1 도전층 상의 발광 영역이 되는 개구부를 구획하는 구획층을 포함하며, 상기 제1 도전층은 상기 개구부 내에 두께가 얇은 부분을 구비하여, 이 두께가 얇은 부분의 표면이 상기 성막층과의 접촉면이 되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시형태가 되는 자발광 패널의 제조 방법은 기판 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 제1 도전층을 형성하고, 이 제1 도전층 상에 발광층을 포함하는 성막층을 적층하여, 이 성막층 상에 제2 도전층을 형성하는 경우에, 제1 도전층의 형성 후, 이 제1 도전층 상에 발광 영역이 되는 개구부를 구획하는 구획층을 형성하는 제1 공정과, 그 제1 공정 후, 적어도 제1 도전층의 개구부 내의 표면에 표면 처리를 행하는 제2 공정과, 적어도 제2 공정에 의해 표면 처리가 행해진 제1 도전층 상에 성막층을 형성하는 제3 공정을 포함한다.
전술한 제조 방법에 의해 제조된 자발광 패널은 기판 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 형성된 제1 도전층과, 이 제1 도전층 상에 적층된 발광층을 포함하는 성막층과, 이 성막층 상에 형성된 제2 도전층과, 제1 도전층 상의 발광 영역이 되는 개구부를 구획하는 구획부를 포함하며, 제1 도전층은 두께가 얇은 부분을 구비하며 두께가 얇은 부분의 표면이 성막층과의 접촉면이 된다.
또한, 전술한 제조 방법에 따르면, 구획층 형성 후에, 성막층 형성 전에 적어도 제1 도전층의 개구 내부의 표면에 표면 처리를 행함으로써 각종 요인의 발광 불량을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 제1 도전층 상의 표면 처리 후에 성막층을 형성하는 공정을 행함으로써, 성막 불량을 효과적으로 회피할 수 있다. 또한, 제1 도전층에 대하여 구획층 등의 구조물을 형성한 후에 효과적으로 제1 도전층에 대하여 표면 처리를 행함으로써 발광 불량이 없는 자발광 패널을 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하면서 설명한다.
[제1 실시형태]
도 2 내지 도 5는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자발광 패널 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
특히, 도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자발광 패널에 있어서의 단수 또는 복수로 이루어지는 자발광 소자를 구비하는 자발광 소자부 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자발광 패널에 있어서의 자발광 소자부의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 2, 도 3을 참조하면서 본 실시형태에 따른 자발광 패널의 자발광 소자부 및 그 제조 방법을 설명한다. 이하, 예컨대 액티브 구동형 유기 EL 패널을 설명한다.
단계 ST1에 있어서, 도 2(a)에 도시한 바와 같이, 기판(2) 상에 제1 도전층(3)을 형성한다. 기판(2)은 예컨대 유기 EL 소자를 지지하는 지지기판으로서의 기능을 가지며, 예컨대 유리, 플라스틱, 석영, 금속 등의 재료로 형성되어 있다. 제1 도전층(3)은 도전성 재료에 의해 형성되어 있고, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전성 재료, 크롬, 알루미늄 등의 금속 재료, 마그네슘과 은, 알루미늄과 리튬 등의 합금 재료 등에 의해 형성되어 있 다. 예컨대 제1 도전층(3)을 ITO에 의해 형성하는 경우에는, 스퍼터링 등으로 성막한다.
단계 ST2에 있어서, 도 2(b)에 도시한 바와 같이, 기판(2) 상에 형성된 제1 도전층(3)을 패터닝한다. 상세하게는, 예컨대 포토리소그래피(포토리소) 공정 등에 의해 기판(2) 상에 미리 규정된 패턴 형상의 제1 도전층(3a)을 형성한다.
단계 ST3에 있어서, 구획층(4)을 형성한다. 상세하게는, 예컨대 도 2(c)에 도시한 바와 같이, 제1 도전층(3a) 및 그 하지면(下地面)(2a)에 절연막(4a)을 형성하고, 그 제1 도전층(3a) 및 그 하지면(2a)에 형성된 절연막(4a)을 포트리소 공정에 의해 예컨대 발광 영역(A1)에 대응하는 영역에 개구부가 형성된 포토마스크(41)를 이용하여 패터닝한다. 도 2(d)에 도시한 바와 같이 제1 도전층(3a) 상의 발광 영역(A1)이 되는 개구부(3b)를 구획하는 구획층(4)을 형성한다. 구획층(4)은 도 2(d)에 도시한 바와 같이, 제1 도전층(3a)의 에지부(3c) 및 하지면(2a)을 덮도록 형성되어 있다. 이 구획층(4)은 예컨대 각 제1 도전층(3) 사이에서나, 제1 도전층(3)과 제2 도전층(7)과의 사이에서 단락을 방지하는 기능을 갖는다. 구획층(4)은 예컨대 폴리이미드 등의 감광성 수지로 대표되는 폴리머계의 절연 재료에 의해 형성된다. 또한, 본 실시형태에서는 도 2에 도시한 바와 같이 비발광 영역(A1)에 대응하는 영역에 절연층(구획층)이 형성되어 있다.
단계 ST4에 있어서, 예컨대 전술한 바와 같이 기판(2) 상에 형성된 제1 도전층(3)이나 구획층(4) 상에 부착되어 있는 먼지(21, 22) 등의 이물질을 제거한다. 구체적으로는, 도 2(e)에 도시한 바와 같이, 적어도 제1 도전층(3a)의 개구부(3b) 내의 표면에 표면 처리를 행한다. 이 표면 처리는 예컨대 구획층(4)에 대하여 제1 도전층(3a)이 선택적으로 처리되는 화학적 표면 처리(웨트 에칭 처리)나, 구획층(4)에 대하여 제1 도전층(3a)이 선택적으로 처리되는 물리적 표면 처리(드라이 에칭 처리) 등에 의해 행한다. 본 실시형태에 따른 화학적 표면 처리로서, 예컨대 구획층(4)에 대하여 제1 도전층(3a)을 선택적으로 용해하는 에칭 처리에 의해 행한다. 본 실시형태에서는 표면 처리시에, 구획층(4)이 마스크로서 기능하여 구획층(4)에 대한 제1 도전층(3a)의 표면이 선택적으로 표면 처리되어 있다.
도 4는 본 발명에 따른 표면 처리를 설명하기 위한 도면으로서, 자발광 소자부(1)의 유기 EL 소자의 단면을 확대한 도면이다. 본 실시형태에 따른 표면 처리에 의해 예컨대 도 2(e), 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 도전층(3d)의 개구부(3b)내의 표면에 표면 처리에 의해 두께가 얇은 부분(3f)이 형성된다. 이 두께가 얇은 부분(3f)의 표면(3e)이 성막층(6)과의 접촉면이 된다. 이 제1 도전층(3d)은 개구부(3b)내의 표면(3e)과 구획층(4)으로 덮인 표면(3g)과의 사이에 단차가 형성되어 있다. 즉, 제1 도전층(3d)의 에지부(3c) 두께(L31)보다 두께가 얇은 부분(3f)의 두께(L32)가 얇다.
전술한 화학적 표면 처리로서는, 예컨대 제1 도전층(3)의 재료를 용해하는 용제를 이용하여 제1 도전층(3a)을 에칭한다. 에칭 처리용의 용제로는 제1 도전층(3)의 재료에 따라, 예컨대 상기 패터닝시에 사용한 에칭용 용제나 레지스트 박리용 용제 등의 유기 용제, 수산화나트륨 수용액, 염산, 불화수소산, 브롬화수소산, 요오드화수소산, 황산, 질산, 과염소산, 붕산, 염화제2철 수용액 등을 함유하 는 수용액을 이용한다. 한편, 물리적 표면 처리로서는, 예컨대 드라이 에칭이나 역 스퍼터법 등의 공지의 방법이 있다. 필요에 따라 화학적 표면 처리와 조합하여 처리를 행하더라도 상관없다.
두께가 얇은 부분(3f)의 표면(3e)에 대한 표면 처리는 구체적으로 예컨대 희석 에칭액에 의해 실현되는 저에칭율로 행하고, 그 설정 막 두께(L32)는 예컨대 제1 도전층 상의 이물질에 의한 오염의 정도 등에 따라 적절히 설정된다. 여기서 말하는 저에칭율을 실현하기 위해서는, 예컨대 (1) 희석 에칭액을 이용하는 방법, (2) 에칭 공정의 시간을 단축하는 방법, (3) 에칭 공정을 행하는 장치의 에칭 분출량을 적게 하는 방법, (4) 에칭 공정에 있어서의 작업 온도를 낮추는 방법, (5) (1) 내지 (4)에 기재된 방법을 조합하여 행하는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 상기 에칭 처리 후, 예컨대 용제를 순수(純水)에 의해 기판으로부터 씻어 낸다. 본 실시형태에 따른 표면 처리에 의해 제1 도전층(3d)의 개구부(3b) 내의 표면(3e)과, 구획층(4)으로 덮인 표면(3g)에 의해 형성된 단차의 길이(L33)는 예컨대 약 50 옹스트롱이다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 표면 처리에 의해 예컨대 일반적인 UV, 오존 처리법이나 가열 처리법 등의 세정 처리에 비하여, 구획층(4) 등의 구조물이 형성되어 있더라도, 제1 도전층 상의 먼지(21, 22)나 피막(23) 등의 이물질을 효과적으로 제거하는 것이 가능하다.
단계 ST5에 있어서, 상기 표면 처리 후, 처리액을 건조시키는 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다. 가열 처리는 예컨대 규정 실내 온도 약 300℃의 크린 오 븐 속에 소정 시간, 도 2(e)나 도 4에 도시한 제1 도전층(3d)이나 구획층(4)이 형성된 기판(2)을 유지함으로써, 기판(2) 상의 수분이나 처리액 등을 제거한다. 나아가 UV 처리 등에 의해 세정 처리를 행하여도 좋다.
단계 ST6에 있어서, 상기 에칭 처리가 행해진 제1 도전층(3a) 상에, 예컨대 도 2(f)에 도시한 바와 같이, 발광층을 포함하는 성막층(6)을 형성한다. 성막층(6)에는, 예컨대 유기 EL 재료에 의한 발광층이나, 예컨대 층간의 접합성 향상이나 정공(전자) 수송성 향상을 위해, 필요에 따라 정공 주입층(전자 주입층)이나 정공 수송층(전자 주입층) 등이 형성된다. 이 성막층(6)은 예컨대 진공 증착법, 스핀 코팅법, 잉크젯법, 스크린 인쇄법, 이온화 증착법, MBE(Molecular Beam Epitaxy)법, 전자빔법, 스퍼터법, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등의 성막 방법을 이용하여 형성한다. 전술한 바와 같이 에칭 처리한 후, 제1 도전층(3d) 상에 성막층(6)을 형성함으로써, 제1 도전층(3d)과 성막층(6)의 밀착성이 향상되고, 계면의 평활도가 향상되며, 양호한 성막층(6)을 형성할 수 있어, 성막 불량을 효과적으로 회피할 수 있다.
단계 ST7에 있어서, 예컨대 도 2(g)에 도시한 바와 같이, 성막층(6) 상에 제2 도전층(7)을 형성한다. 제2 도전층(7)은 예컨대 도전 재료에 의해 형성된다. 필요에 따라 성막층과 제2 도전층 사이에 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류나, 이들의 합금 등으로 이루어지는 버퍼층을 형성하더라도 상관없다.
도 5는 자발광 패널의 제조 방법에 있어서의 밀봉 공정의 설명 흐름도이다. 도 5를 참조하면서, 자발광 패널의 밀봉 공정을 설명한다. 우선, 자발광 소자부 형성 공정(ST101A)로서, 예컨대 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 실시형태에 따른 제조 방법에 의해 기판(2) 상에 제1 도전층(3), 구획층(4), 성막층(6) 및 제2 도전층(7)을 형성한다. 자발광 소자부(1)는 전술한 바와 같이 유기 EL 소자가 도트 매트릭스형으로 배열된 것이어도 좋고, 원하는 패턴을 갖는 유기 EL 소자가 단수 또는 복수 배열된 것이어도 좋다. 한편, 밀봉 부재 형성 공정(ST101B)으로서, 오목부를 구비하는 밀봉 부재(도시하지 않음)를 형성한다. 다음으로, 밀봉 부재 형성 공정(ST101B)에 있어서, 상기 오목부의 내측면에 대하여 예컨대 노치 등에 의해 원하는 패턴으로 형성되는 시트형 건조 부재를 마련한다.
다음으로, 밀봉 공정(ST102)으로서, 자발광 소자부의 주위, 또는 밀봉 부재의 지지부의 접착면에 접착제가 도포되고, 기판(2) 상에 밀봉 부재가 접착되어 성막층(6) 등의 밀봉이 이루어진다. 상세하게는, 질소, 아르곤 등의 불활성 가스의 환경 하, 또는 진공의 환경 하, 기판(2) 상에 형성된 성막층(6)을 둘러싸도록 기판(2)과 밀봉 부재 형성 공정(ST101B)에 의해 형성된 밀봉 부재를 지지부를 사이에 두고 접합시켜 상기 밀봉을 행한다. 그 후, 필요에 따라 적절한 검사 공정(ST103)을 행하여, 자발광 패널을 제조한다.
이상 설명한 바와 같이, 기판(2) 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 제1 도전층(3)을 형성하고, 제1 도전층(3) 상에 발광층을 포함하는 성막층(6)을 적층하며, 이 성막층(6) 상에 제2 도전층(7)을 형성하여 자발광 소자부(1)를 제조하는 경우에, 제1 도전층(3a)의 형성 후, 이 제1 도전층(3a) 상의 발광 영역(A1)이 되는 개구부(3b)를 구획하는 구획층(4)을 형성하는 제1 공정과, 그 제1 공정 후, 적어도 제1 도전층의 개구부 내의 표면에 표면 처리를 행하는 제2 공정과, 적어도 제2 공정에 의해 표면 처리가 행해진 제1 도전층(3d) 상에 성막층(6)을 성막하는 제3 공정을 행하기 때문에, 제1 도전층 상의 표면 처리를 효과적으로 행함으로써, 각종 요인의 제1, 제2 도전층 사이에서의 단락 등에 의한 발광 불량을 미연에 방지할 수 있다.
또한, 제1 도전층(3)에 대하여 구획층(4) 등의 구조물을 형성한 후에 효과적으로 제1 도전층(3)에 대하여 표면 처리를 행함으로써 발광 불량이 없는 자발광 패널을 얻을 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 표면 처리로서, 예컨대 구획층(4)이 마스크로서 기능하고, 구획층(4)에 대하여 제1 도전층(3)을 선택적으로 용해하는 에칭 처리에 의해 화학적 표면 처리를 행함으로써 제1 도전층(3)의 개구부(3b) 내표면에 효과적으로 표면 처리를 행할 수 있다.
또한, 예컨대 성막층 형성 전에, 기판의 표면 연마에 의해 제1 도전층(3) 상의 이물질을 제거한 경우에는, 구획층(4) 등의 구조물을 파손해버리는 발광 불량을 일으킬 우려가 있지만, 본 발명에 따른 제조 방법에서는, 전술한 바와 같이 구획층(4)에 대하여 제1 도전층(3)이 선택적으로 처리되는 화학적 표면 처리나 물리적 표면 처리에 의해 표면 처리를 행함으로써, 구획층(4)을 파손하지 않고, 효과적으로 제1 도전층의 개구부(3b) 내의 먼지나 피막 등의 이물질을 제거할 수 있다. 또한, 표면 처리 후, 처리액을 건조시키는 가열 처리를 행함으로써 양호하게 성막층(6)을 형성할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 단계 ST4에서 표면 처리를 행함으로써 예컨대 상기 구획층 형성 공정(제1 공정에 해당)전의 제1 도전층(3)에 대한 표면 처리를 생략할 수 있어, 제조 공정의 간단화나 제조 시간의 단축화를 실현할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 제조 방법에서는, 제1 도전층(3) 및 그 하지면(2a)에 형성된 절연막을 포토리소 공정으로 패터닝함으로써 구획층(4)을 형성하여, 그 때에 제1 도전층(3) 상에 먼지, 피막 등의 이물질이 부착된 경우라도, 상기 표면 처리를 함으로써 이들 제1 도전층(3) 상의 먼지, 피막 등의 이물질을 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 구획층(4)은 제1 도전층(3)의 개구부(3b) 이외의 에지부(3c)를 덮도록 형성되기 때문에, 표면 처리시 에지부(3c)에 대하여 표면 처리하는 것을 억제할 수 있다.
[제2 실시형태]
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 자발광 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 7은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 자발광 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 6, 도 7을 참조하면서 본 실시형태에 따른 자발광 소자를 채용한 패시브 구동형 자발광 패널의 제조 방법을 설명한다. 제1 및 제1 실시형태와의 공통되는 부분에 대해서는 일부 설명을 생략한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 단계 ST1∼ST3에 관해서는, 도 2에 도시한 단계 ST1∼ST3과 대략 동일한 공정이므로 설명을 생략한다.
단계 ST31에 있어서, 도 6(c)에 도시한 바와 같이, 구획층(4) 상에 격벽 부(5)를 형성한다. 예컨대 격벽부(5)는 감광성 수지 등의 재료를 구획층(4) 상에 도포하여, 포토마스크를 통하여 현상하며, 현상 할 때의 두께 방향의 노광량의 차이에 의한 현상 속도의 차를 이용하여 역테이퍼 형상의 격벽부(5)를 형성한다. 그 공정 후, 단계 ST4에 있어서 제1 실시형태와 거의 동일하게 표면 처리를 실시함으로써, 도 6(d)에 도시한 바와 같이 제1 도전층(3)에 두께가 얇은 부분(3f)을 형성한다. 단계 ST5에 의해 필요에 따라 가열 처리를 행한다. 그 후, 단계 ST6, ST7에 있어서, 도 6(e), 도 6(f)에 도시한 바와 같이, 표면 처리가 행해진 제1 도전층(3) 상에 성막층(6) 및 제2 도전층(7)을 형성한다. 이 때, 예컨대 성막층(6) 및 제2 도전층(7)은 격벽부(5)에 의해 분단되어, 마스크를 이용하지 않고 원하는 패턴의 성막층(6) 및 제2 도전층(7)을 형성할 수 있다. 전술한 격벽부(5)의 형상은 역테이퍼에 한정되지 않고, 예컨대 ST31의 공정을 두 번 행함으로써 우산 형상을 갖는 격벽부(5)를 작성하더라도 상관없이, 공지의 방법을 사용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 패시브 구동용 자발광 패널을 제조하는 경우에도, 구획층(4) 상에 격벽부(5)를 형성한 후, 성막층(6) 형성 전에, 기판에 표면 처리를 행함으로써, 구획층(4)이나 격벽부(5)를 파손하지 않고 제1 도전층(3) 상에 부착되어 있는 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고, 각종 요인의 발광 불량을 미연에 방지할 수 있다.
[제3 실시형태]
본원 발명자는 본 발명에 따른 자발광 패널의 표시 특성을 확인하기 위해서, 본 발명에 따른 표면 처리를 행하지 않는 자발광 패널을 제작하여 표시 특성의 비 교를 행하였다. 이하, 본 실시형태에 따른 자발광 패널의 제조 방법을 보다 상세하게 설명한다.
우선, 유리제의 기판(2) 상에 약 110 nm의 ITO(제1 도전층)를 예컨대 스퍼터 제조 방법 등에 의해 성막한다. 포토 레지스트를 이용하여 포토리소그래피 제조 방법에 의해 격자 형상으로 ITO 전극(제1 도전층(3))을 패턴 형성한다. 다음에 ITO 전극을 형성한 기판(2)에 절연 재료에 의해 격벽부(5)를 형성한다.
구획층(4)형성의 공정은, 예컨대 상세하게는 기판(2) 상에 전기 절연 기능이 비교적 높은 포지티브형 레지스트 재료를 도포하고, 예컨대 스핀 코트법으로 성막한다. 제1 도전층(3) 및 구획층(4)이 형성된 기판(2)을 약 100℃에서 약 80초 간 가열하여 용매를 휘발시키고, 노광 장치에서 포토마스크를 통하여 약 50 mJ/cm2의 조사 조건에서 노광을 행한다. 다음에 알칼리 수용액으로 현상을 행하여, 항온항습조에서 300℃에서 가열 처리함으로써, 패턴화된 구획층(4)을 형성한다.
다음에, 구획층(4)이 형성된 지지 기판(2)을 ITO 에칭액으로서 예컨대 염화제2철 수용액으로 채워진 조(槽) 내에 소정 시간, 예컨대 50초간 경과하면 순수로 채운 조내로 침지시켜, 지지 기판(2) 상의 에칭액을 희석한다. 본 실시형태에서는 순수로 채워진 다른 조 내에 재차 그 지지 기판(2)을 더 침지시켜, 지지 기판(2)을 조내에서 진동시킴으로써 에칭액을 씻어 낸다. 그리고, 조 내에서 지지 기판(2)을 꺼내어, 스핀 건조로 스핀 건조를 행한다. 건조를 끝낸 지지 기판(2)을 예컨대 UV·오존 조사에 의해 핫 플레이트로 약 300℃에서 가열 처리를 행한다.
가열 처리 후 지지 기판을 진공조에 투입하고, 저항 가열 증착으로 홀주입층으로서 예컨대 구리프탈로시아닌(CuPc)을 두께 약 25 nm, 홀수송층으로서 예컨대 나프틸디아민(α-NPD)을 두께 약 45 nm, 발광층으로서 예컨대 Alq3(tris(8-hydroxy
quinoline)aluminum)을 두께 약 60 nm, 전자 주입층으로서 예컨대 불화리튬(LiF)을 두께 약 0.5 nm로 저항 가열 진공 성막법에 의해 각각을 형성한다.
다음에, 진공실 속에서 상부 전극[제2 도전층(7)]으로서 예컨대 알루미늄을 매초 1 nm의 속도로써 두께 약 100 nm가 될 때까지, 저항 가열 진공 성막법에 의해 형성한다. 상기 제조 방법에 의해 유기 EL 소자가 되는 자발광 소자부를 제조한다.
다음에, 자발광 소자부가 형성된 기판(2)을 질소 기체(N2)로 채워진 챔버로 이송하여, 밀봉용 UV 경화형 접착제가 도포되어 있는 밀봉용 유리와, 자발광 소자부가 형성된 기판(2)을 접합시켜 UV 조사에 의해 접착제를 경화함으로써 자발광 소자부를 밀봉하고 구동 회로 등을 마련함으로써 자발광 패널을 제조한다.
전술한 공정에 의해 ITO 에칭 용제로써 제1 도전층(3)을 용해시킨 후, 에칭 처리가 행해진 제1 도전층(3)의 면(오목부)과 에칭 처리가 행해지지 않은 면과의 고저차는 약 50 옹스트롱이었다. 즉, 기판(2) 표면으로부터 제1 접촉면[제1 도전층(3)과 구획층(4)과의 접촉면]까지의 제1 거리와, 상부 전극측의 기판 표면으로부터 제2 접촉면[제1 도전층(3)과 성막층(6)과의 접촉면]까지의 제2 거리와의 차 (L33)는 약 50 옹스트롱이었다.
다음으로, 비교 대상인 일반적인 자발광 패널을 본 발명에 따른 기판에의 표면 처리를 행하지 않고 제1 도전층 상에 성막층 및 제2 도전층을 형성하여 제작하였다.
전술한 본 실시형태에 따른 자발광 패널과 일반적인 자발광 패널의 표시 성능을 비교한다. 일반적인 자발광 패널에서는 표시 패널 내에 착색, 얼룩 등의 표시 불량이 확인되었으나, 본 실시형태에 따른 자발광 패널에서는, 착색, 얼룩 등의 표시 불량이 확인되지 않고, 양호한 발광 상태를 보였다.
도 8은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 자발광 패널과 일반적인 자발광 패널의 발광 휘도 특성 및 구동 전압 특성을 설명하기 위한 도면이다. 도 8에 도시하는 횡축은 시간(t)을 나타낸다. 상부 실선(L1)은 본 실시형태에 따른 자발광 패널의 발광 휘도(Lu)의 시간 경과에 따른 변화를 나타내고, 상부 파선(L1a)은 일반적인 자발광 패널의 발광 휘도(Lu)의 시간 경과에 따른 변화를 나타낸다. 하부 실선(L2)은 본 발명에 따른 자발광 패널의 구동 전압(기준 구동 전압과의 전압차 △V)의 시간 경과에 따른 변화를 나타내고, 상부 파선(L1a)은 일반적인 자발광 패널의 구동 전압(기준 구동 전압과의 전압차 △V)의 시간 경과에 따른 변화를 나타낸다.
도 8에 도시한 바와 같이, 일반적인 자발광 패널에서는 발광 휘도(Lu)가 시간의 경과에 따라 크게 저하되었다. 한편, 본 발명의 일실시형태에 따른 자발광 패널에서는, 발광 휘도(Lu)가 비교적 완만하게 저하되었다. 또한, 도 8에 도시한 바와 같이, 일반적인 자발광 패널에 있어서 구동 전압(△V)이 장시간 경과하면 시 간에 거의 비례하여 구동 전압이 증가하는 것에 비해서, 본 발명의 일실시형태에 따른 자발광 패널에서는, 구동 전압(△V)의 증가율이 매우 작다. 전술한 바와 같이 본 발명에 따른 자발광 패널은 일반적인 자발광 패널에 비하여 전기적인 특성이 양호하다는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 본 발명은 전술한 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 전술한 실시형태 각각을 조합하여도 좋다. 예컨대 도 2, 도 6에 도시한 자발광 소자부(1)의 형태에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 하부 전극[제1 도전층(3)]에 전자 주입 전극, 상부 전극[제2 도전층(7)]에 정공 주입 전극이 형성된 자발광 소자라도 좋다. 또한, 하부 전극에 반사 전극, 상부 전극에 투명성을 갖는 전극이 형성된 자발광 소자라도 좋다. 또한, 하부 전극, 상부 전극이 모두 투명성을 갖는 전극이 형성된 자발광 소자라도 좋다.
이하, 도 9에 의해 전술한 자발광 패널의 구체예로서 유기 EL 패널을 들어 구체 구성을 설명한다.
유기 EL 패널(100)의 기본 구성은 제1 전극(하부 전극) (131)과 제2 전극(상부 전극)(132)과의 사이에 발광층을 포함하는 성막층(133)을 협지하여 지지 기판(110) 상에 복수의 유기 EL 소자(130)를 형성한 것이다. 도시한 예에서는, 지지 기판(110) 상에 SiO2 피복층(120a)을 형성하고 있으며, 그 위에 형성된 제1 전극(131)을 ITO 등의 투명 전극으로 이루어지는 양극(제1 도전층)으로 설정하고, 제2 전극(132)(제2 도전층)을 (Al)등의 금속 재료로 이루어지는 음극으로 설정하며, 지지 기판(110)측에서 광을 취출하는 Bottom Emission 방식을 구성하고 있다. 또한, 성막층(133)으로서는, 정공 수송층(133A), 발광층(133B), 전자 수송층(133C)의 3층 구조의 예를 나타내고 있다. 그리고, 지지 기판(110)과 밀봉 부재(111)를 접착층(112)을 사이에 두고 접합시킴으로써 밀봉 영역(S)을 형성하고, 이 밀봉 영역(S)내에 유기 EL 소자(130)로 이루어지는 자발광 소자부를 형성하고 있다.
유기 EL 소자(130)로 이루어지는 자발광 소자부는 도시한 예에서는, 제1 전극(131)을 절연층(134)으로 구획하고 있고, 구획된 제1 전극(131) 아래에 각 유기 EL 소자(130)에 의한 단위 표시 영역(130R, 130G, 130B)을 형성하고 있다. 또한, 밀봉영역(S)을 형성하는 밀봉 부재(111)의 내면에는 건조 수단(140)이 부착되어 습기에 의한 유기 EL 소자(130)의 열화를 방지하고 있다.
또한, 지지 기판(110)의 단부에 형성되는 인출 영역(110A) 상에는 제1 전극(131)과 같은 재료, 같은 공정으로 형성되는 제1 전극층(121A)이 제1 전극(131)과 절연층(134)으로 절연되는 형태로 패턴 형성되어 있다. 제1 전극층(121A)의 인출 배선 부분에는 은 합금 등을 함유하는 저저항 배선 부분을 형성하는 제2 전극층(121B)이 형성되어 있고, 그 위에 필요에 따라 IZO 등의 보호피막(121C)이 더 형성되어, 제1 전극층(121A), 제2 전극층(121B), 보호피막(121C)으로 이루어지는 인출 배선부(121)가 형성되어 있다. 그리고, 밀봉 영역(S) 내단부에서 제2 전극(132)의 단부(132a)가 인출 배선(121)에 접속되어 있다.
제1 전극(131)의 인출 배선은 도시 생략하고 있지만, 제1 전극(131)을 연장하여 밀봉 영역(S) 밖으로 인출함으로써 형성할 수 있다. 이 인출 배선에 있어서 도 전술한 제2 전극(132)의 경우와 마찬가지로 Ag 합금 등을 함유하는 저저항 배선 부분을 형성하는 전극층을 형성할 수도 있다.
그리고, 밀봉 부재(111)의 인출 배선부(121)에 면하는 단 가장자리(111E0)는 지지 기판(110)과 밀봉 부재(111)의 접합전에 가공된 구멍 가공 가장자리에 의해 형성되어 있다.
이하, 유기 EL 패널(100)의 세부에 관해서 더욱 구체적으로 설명한다.
a. 전극
제1 전극(131), 제2 전극(132)은 한쪽이 음극측, 다른쪽이 양극측으로 설정된다. 양극측은 음극측보다 일함수가 높은 재료로 구성되며, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 백금(Pt) 등의 금속 재료나 ITO, IZO 등의 투명 도전 재료가 이용된다. 반대로 음극측은 양극측보다 일함수가 낮은 재료로 구성되며, 알칼리 금속(Li, Na, K, Rb, Cs), 알칼리 토류 금속(Be, Mg, Ca, Sr, Ba), 희토류 금속 등과 같은 일함수가 낮은 금속, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 합금 등을 사용할 수 있다. 또한, 제1 전극(131), 제2 전극(132) 모두 투명한 재료에 의해 구성한 경우에는, 광의 방출측과 반대의 전극측에 반사막을 마련한 구성할 수도 있다.
인출 배선부[도시한 인출 배선부(121) 및 제1 전극(131)의 인출 배선]에는 유기 EL 패널(100)을 구동하는 구동 회로 부품이나 플렉시블 배선 기판이 접속되지만, 가능한 한 저저항으로 형성하는 것이 바람직하고, 전술한 바와 같이, Ag 합금 혹은 APC, Cr, Al 등의 저저항 금속 전극층을 적층하거나, 또는 이들의 저저항 금속 전극 단독으로 형성할 수 있다.
b. 성막층
성막층(133)은 적어도 유기 EL 성막층을 포함하는 단층 또는 다층의 유기 화합물 재료층으로 이루어지지만, 층 구성은 어떻게 형성되어 있더라도 좋다. 일반적으로는, 도 9에 도시한 바와 같이, 양극측에서 음극측을 향해, 정공 수송층(133A), 발광층(l33B), 전자 수송층(133C)을 적층시킨 것을 이용할 수 있지만, 발광층(133B), 정공 수송층(133A), 전자 수송층(133C)은 각각 1층만이 아니라 복수층 적층하여 마련하더라도 좋고, 정공 수송층(133A), 전자 수송층(133C)에 대해서는 어느 한쪽 층을 생략하더라도, 양쪽 층을 생략하더라도 상관없다. 또한, 정공 주입층, 전자 주입층 등을 용도에 따라 삽입하는 것도 가능하다. 정공 수송층(133A), 발광층(133B), 전자 수송층(133C)은 종래에 사용되고 있는 재료(고분자 재료, 저분자 재료를 문제삼지 않음)를 적절하게 선택하여 채용할 수 있다.
또한, 발광층(133B)을 형성하는 발광 재료에 있어서는, 형광 재료, 인광 재료중 어느 쪽을 채용하더라도 좋다.
c. 밀봉 부재
유기 EL 패널(100)에 있어서, 유기 EL 소자(130)를 기밀하게 밀봉하기 위한 밀봉 부재(111)로서는, 유리제, 플라스틱제, 금속제 등에 의한 판형 부재를 이용할 수 있다. 유리제의 밀봉 기판에 프레스 성형, 에칭, 블러스트 처리 등의 가공에 의해 밀봉용 오목부(1단으로 패였는지 2단으로 패였는지를 묻지 않음)를 형성한 것을 이용할 수도 있고, 혹은 평판 유리를 사용하여 유리(플라스틱이라도 좋다) 제의 스페이서에 의해 지지 기판(110)과의 사이에 밀봉 영역(S)을 형성할 수도 있다. 또한, 상기와 같은 밀봉 부재에 의해 밀봉 영역(S)을 형성하는 기밀 밀봉법을 이용하여도 좋고, 예컨대 밀봉 영역(S) 내에 수지나 실리콘 오일 등의 충전제를 봉입한 밀봉 형태나, 수지 필름과 높은 배리어성을 갖는 금속박을 적층시킨 필름으로 밀봉한 형태 등과 같은 고체 밀봉법, 배리어막 등으로 유기 EL 소자(130)를 밀봉하는 막밀봉법이라도 좋다.
d. 접착제
접착층(112)을 형성하는 접착제는 열경화형, 화학 경화형(2액 혼합), 광(자외선)경화형 등을 사용할 수 있으며, 재료로서 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에스테르, 폴리올레핀 등을 이용할 수 있다. 특히, 가열 처리가 필요하지 않고 즉 경화성이 높은 자외선 경화형의 에폭시 수지제 접착제의 사용이 바람직하다.
e. 건조 수단
건조 수단(140)은 제올라이트, 실리카 겔, 카본, 카본나노튜브 등의 물리적 건조제, 알칼리 금속 산화물, 금속 할로겐화물, 과산화염소 등의 화학적 건조제, 유기 금속 착체를 톨루엔, 크실렌, 지방족 유기 용제 등의 석유계 용매에 용해한 건조제, 건조제 입자를 투명성을 갖는 폴리에틸렌, 폴리이소프렌, 폴리비닐신나에이트 등의 바인더에 분산시킨 건조제에 의해 형성할 수 있다.
f. 유기 EL 패널의 각종 방식 등
본 발명의 실시예인 유기 EL 패널(100)로서는, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 설계 변경이 가능하다. 예컨대, 유기 EL 소자(130)로부터 발생하는 광을 취출하는 수단은 전술한 바와 같이 지지 기판(110)측에서 광을 취출하 는 Bottom Emission 방식이더라도, 밀봉 부재(111) 측에서 광을 취출하는 Top Emission 방식이라도 상관없으며 [이 경우 밀봉 부재(111)를 투명재로 하여, 건조 수단(140)의 배치를 고려할 필요가 있음], 멀티 포튼 구조이더라도 상관없다. 또한, 유기 EL 패널(100)은 단색 표시이더라도 복수색 표시이더라도 좋고, 복수색 표시를 실현하기 위해서는 분할 도포 방식을 포함하는 것은 물론이며, 백색이나 청색 등의 단색의 성막층에 컬러 필터나 형광 재료에 의한 색 변환층을 조합한 방식(CF방식, CCM 방식), 단색의 성막층의 발광 영역에 전자파를 조사하는 등의 복수 발광을 실현하는 방식(포토 브리칭 방식), 2색 이상의 단위 표시 영역을 세로로 적층하여 하나의 단위 표시 영역을 형성한 방식[S0LED(transparent Stacked OLED)방식], 다른 발광색의 저분자 유기 재료를 미리 다른 필름 상에 성막하여 레이저에 의한 열전사로 하나의 기판 상에 전사하는 레이저 전사 방식 등을 채용할 수 있다. 또한, 도시한 예에서는 패시브 구동 방식을 나타내고 있지만 지지 기판(110)으로서 TFT 기판 상에 제1 전극(131)을 형성하도록 하여 액티브 구동 방식을 채용한 것이라도 좋다.
도 10은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 자발광 패널을 설명하기 위한 도면이다. 본 발명에 따른 액티브 구동형 자발광 패널을 도 10을 참조하면서 설명한다. 상기 실시형태와 공통되는 부분에 대해서는 일부 설명을 생략한다. 본 실시형태에 따른 액티브 구동형 자발광 패널은 도 10에 도시한 바와 같이 기판(2) 상에 구동용 트랜지스터로서 TFT(8)(Thin Film Transistor)이 형성된 TFT 기판 상에 평탄화막(9)이 형성되고, 그 평탄화막(9) 상에 제1 도전층(3)이 형성되며, 구획 층(4), 성막층(6), 제2 도전층(7) 및 보호층(200) 등이 형성되어 있다. 상기 구성의 액티브 구동형 자발광 패널에 있어서도, 본 발명에 따른 표면 처리를 제1 도전층(3)에 행함으로써 각종 요인의 발광 불량을 미연에 방지할 수 있어, 발광 불량이 없는 자발광 패널을 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 기판(2) 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 제1 도전층(3)을 형성하고, 제1 도전층(3) 상에 발광층을 포함하는 성막층(6)을 적층하여, 이 성막층(6) 상에 제2 도전층(7)을 형성하는 자발광 소자를 발광 영역이 되는 개구부에 형성하는 자발광 패널을 제조하는 경우에, 제1 도전층(3a)을 형성한 후, 이 제1 도전층(3a) 상의 발광 영역(A1)이 되는 개구부(3b)를 구획하는 구획층(4)을 형성하는 제1 공정과, 적어도 제1 도전층의 개구부 내의 표면에 표면 처리를 행하는 제2 공정과, 적어도 제2 공정에 의해 표면 처리가 행해진 제1 도전층(3d) 상에 성막층(6)을 성막하는 제3 공정을 행함으로써, 제1 도전층 상의 표면 처리를 효과적으로 행함으로써 각종 요인의 단락 등에 의한 발광 불량을 미연에 방지할 수 있다.
구체적으로는, 본 발명에 따른 표면 처리를 제1 도전층(3)에 행함으로써 성막 불량을 해소할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 표면 처리를 행함으로써, 제1 도전층과 성막층과의 사이의 피막이나 먼지 등의 이물질을 제거함으로써 전자(정공) 주입 장해를 저감할 수 있다. 또한, 구획층(4)이나 격벽부(5) 등의 구조물이 형성되어 있는 경우에도, 구획층(4)이나 격벽부(5) 등의 구조물을 파손하지 않고 제1 도전층(3) 상의 개구부 내의 표면에 표면 처리를 행할 수 있다. 또한, 제1 도 전층(3) 상에 표면 처리를 행한 후에 성막층(6)을 성막함으로써 전술한 바와 같이 양호하게 성막층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제조 방법에 의해 형성된 자발광 소자를 자발광 패널에 채용하면 예컨대 착색, 얼룩 등의 표시 불량이 없고, 양호한 발광 특성의 자발광 패널을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 자발광 소자 패널은 기판(2) 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 형성된 제1 도전층(3)과 이 제1 도전층(3) 상에 적층된 발광층을 포함하는 성막층(6)과 성막층(6) 상에 형성된 제2 도전층(7)과 제1 도전층(3) 상의 발광 영역(A1)이 되는 개구부(3b)를 구획하는 구획층(4)을 포함하며, 제1 도전층(3)은 개구부(3b) 내의 표면 처리에 의해 형성된 두께가 얇은 부분(3f)을 구비하며, 두께가 얇은 부분(3f)의 표면이 성막층(6)과의 접촉면으로 되어 있기 때문에 발광 불량을 미연에 방지할 수 있다.
즉, 구획층(4)은 제1 도전층(3) 및 그 하지층(2a)에 형성된 절연막을 패터닝하여 적어도 제1 도전층(3)의 에지부(3c)를 덮도록 형성되고, 제1 도전층(3)은 개구부(3b) 내의 표면(3e)과 구획층으로 덮인 표면(3g)과의 사이에 단차가 형성되어 있기 때문에, 두께가 얇은 부분(3f) 상에 이물질이 없는 상태에서 성막층(6)이 형성됨으로써 발광 불량을 미연에 방지할 수 있다. 즉, 화학적 표면 처리나 물리적 표면 처리에 의해 두께가 얇은 부분(3f)의 표면(3e)이 표면 처리되고 있기 때문에, 두께가 얇은 부분(3f) 상에 이물질이 없는 상태에서 성막층(6)을 형성함으로써 양호한 발광 특성을 얻을 수 있다. 이밖에 제1 도전층에 두께가 얇은 부분(f)을 마련함으로써 광을 취출하는 효율을 향상시킬 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 구획층 형성 후에, 성막층 형성 전에 도전층의 개구 내부의 표면에 표면 처리를 행함으로써 각종 요인의 발광 불량을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 도전층 상의 표면 처리 후에 성막층을 형성하는 공정을 행함으로써, 성막 불량을 효과적으로 회피할 수 있다. 또한, 도전층에 대하여 구획층 등의 구조물을 형성한 후에 효과적으로 도전층에 대하여 표면 처리를 행함으로써 발광 불량이 없는 자발광 패널을 얻을 수 있다.

Claims (11)

  1. 기판 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 제 1 도전층을 형성하고, 이 제 1 도전층 상에 발광층을 포함하는 성막층을 형성하여, 이 성막층 상에 제2 도전층을 형성하는 자발광 소자를 발광 영역이 되는 개구부 내에 형성하는 자발광 패널의 제조 방법으로서,
    상기 제1 전도층의 형성 후, 이 제1 전도층 상의 발광 영역이 되는 개구부를 구획하는 구획층을 형성하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정 후, 적어도 상기 제1 도전층의 상기 개구부내의 표면에 표면 처리를 행하는 제2 공정과,
    적어도 상기 표면 처리가 행해진 상기 제1 도전층 상에 상기 성막층을 형성하는 제3 공정을
    포함하는 것을 특징으로 하는 자발광 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 표면 처리는 상기 구획층에 대하여 상기 제1 도전층이 선택적으로 처리되는 화학적 표면 처리에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 자발광 패널의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 화학적 표면 처리는 상기 구획층에 대하여 상기 제1 도전층을 선택적으로 용해하는 에칭 처리에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 자발광 패널의 제조 방법
  4. 제1항에 있어서, 상기 표면 처리는 상기 구획층에 대하여 상기 제1 도전층이 선택적으로 처리되는 물리적 표면 처리에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 자발광 패널의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구획층은 적어도 상기 제1 도전층의 에지부를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 자발광 패널의 제조 방법.
  6. 기판 상에 직접 또는 다른 층을 사이에 두고 형성된 제1 도전층과, 이 제1 도전층 상에 적층된 발광층을 포함하는 성막층과, 이 성막층 상에 형성된 제2 도전층을 갖는 자발광 소자를 발광 영역이 되는 개구부 내에 형성하는 자발광 패널로서,
    상기 제1 도전층 상의 발광 영역이 되는 개구부를 구획하는 구획층을 포함하며,
    상기 제1 도전층은 상기 개구부 내에 두께가 얇은 부분을 구비하여, 이 두께가 얇은 부분의 표면이 상기 성막층과의 접촉면이 되는 것을 특징으로 하는 자발광 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 도전층은 상기 개구부내의 표면과 상기 구획층으 로 덮인 표면에 의해 단차가 형성되는 것을 특징으로 하는 자발광 패널.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 두께가 얇은 부분의 표면은 화학적 표면 처리에 의한 처리면인 것을 특징으로 하는 자발광 패널.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 두께가 얇은 부분의 표면은 물리적 표면 처리에 의한 처리면인 것을 특징으로 하는 자발광 패널.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구획층 상에 형성된 격벽부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자발광 패널
  11. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도전층은 TFT을 구비하는 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 자발광 패널.
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