JP4935599B2

JP4935599B2 - 表示装置の製造方法

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Publication number: JP4935599B2
Application number: JP2007249142A
Authority: JP
Inventors: 稔熊谷
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2007-09-26
Filing date: 2007-09-26
Publication date: 2012-05-23
Anticipated expiration: 2027-09-26
Also published as: JP2009081035A

Description

本発明は、発光素子を有する表示装置の製造方法に関し、特に有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を有する表示装置の製造方法に関する。

有機ＥＬ表示装置の発光層を形成する方法として、基板上に配置された表示画素に各色の発光材料を含有する含有液を塗布する湿式法が知られている。湿式法は、隔壁により表示画素を仕切り、各表示画素を隔壁で囲むことにより、囲まれた領域に発光材料を含有する含有液を滴下して各種有機ＥＬ層を堆積させている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００２−７５６４０号公報

しかし、このような構成では、滴下する発光材料を含有する含有液の液面の高さに対して十分な高さに隔壁を形成しないと、含有液が隔壁を越えて隣の表示画素にこぼれてしまい、表示画素ごとに形成される電荷輸送層の膜厚に不均一さが生じてしまう虞があった。特に発光材料を含有する含有液は基板上の滴下位置より高い所から落とされるため、隔壁で囲まれた領域から外にはじかれてしまいやすいといった問題を生じていた。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電荷輸送層の膜厚が均一な表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る表示装置の製造方法は、
電極が設けられた基板の面上に形成された絶縁膜上に撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記撥液層上に形成されたレジストをマスクとして前記撥液層及び前記絶縁膜をエッチングして前記電極の少なくとも一部を露出するとともに前記絶縁膜の側壁を露出させる絶縁膜側壁形成工程と、
前記絶縁膜側壁形成工程後に、露出された前記電極及び前記絶縁膜の側壁に親液化処理を施す親液化処理工程と、
前記親液化処理工程後に、前記レジストを除去して、前記撥液層を露出させる撥液層露出工程と、
前記絶縁膜の側壁に囲まれた領域に電荷輸送層となる材料を含有する電荷輸送材料含有液を滴下する電荷輸送材料含有液滴下工程と、
を備える。

前記レジストは、ドライフィルムレジストである、ことも可能である。

前記皮膜は、少なくとも１つのフッ素を含む官能基を有する化合物を含む、ことも可能である。

前記親液化処理工程は、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとする酸素プラズマ処理、又は、紫外線を照射する紫外線照射処理を施す、ことも可能である。

前記撥液層露出工程は、前記基板を有機アルカリ系の剥離剤に浸漬することにより、前記レジストを剥離する、ことも可能である。

本発明によれば、表示画素の電荷輸送層の膜厚を均一にすることができる。

以下、本発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法と該製造方法により製造される表示装置について図面を参照して説明する。

（表示装置）
まず、本実施の形態に係る表示装置の製造方法により製造される表示装置１００について説明する。表示装置１００の発光方式は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称す。）層を備えたアクティブマトリクス駆動によるボトムエミッション型である。有機ＥＬ層は、発光素子として有機材料を塗布して形成される発光層やキャリアを輸送する性質を持った材料を塗布して形成される正孔輸送層・電子輸送層等から構成される。本実施の形態に係る表示装置１００の有機ＥＬ層は、一例として正孔輸送層と発光層との二層構造からなる。

表示装置１００は、図１に平面で及び図２に図１のＡ−Ａ線断面で示すように、パネル基板１１０と、画素電極１２０と、層間絶縁膜１３０と、撥液層１４０と、電荷輸送層である正孔輸送層１５０と、電荷輸送層である発光層１６０と、対向電極１７０と、封止樹脂層１８０と、封止基板１９０と、を備える。なお、図１に示す平面図においては、各表示画素（色画素）上に設けられる封止樹脂層１８０等の表示を省略して、画素電極１２０と、各表示画素の形成領域を画定する層間絶縁膜１３０と、のみを示す。また、画素電極１２０と層間絶縁膜１３０との配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示す。

これらの構成により、パネル基板１１０の一面に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色からなる色画素が形成される。色画素は、図１に示すように、図面縦方向に順次繰り返し複数配列されるとともに、図面横方向に同一色の色画素が複数配列される。ここでは、隣接するＲＧＢの３色の色画素を一組として一の表示画素が構成される。各表示画素は、柵状又は格子状の平面パターンを有して連続的に配設された層間絶縁膜１３０により画定される。パネル基板１１０の端部上等には、図示しない複数のトランジスタから構成された画素駆動回路が形成されており、画素駆動回路は、層間絶縁膜１３０に覆われているとともに画素電極１２０に接続されている。各色画素は、画素駆動回路と共に、該画素駆動回路により制御される発光駆動電流が供給されることにより発光する有機ＥＬ素子を構成する。

次に、具体的な構成について図２を参照して説明する。パネル基板１１０はガラス等の絶縁性基板から構成される。パネル基板１１０の各画素形成領域上には、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）、や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc Oxide）、タングステンドープ酸化インジウム（Indium Tungsten Oxide）、タングステン−亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Tungsten Zinc Oxide）等の透明導電材料からなる画素電極１２０が設けられる。また、画素電極１２０の周辺には、画素電極１２０に接続された画素駆動回路が設けられる。さらに、パネル基板１１０の画素形成領域間には、画素駆動回路及び画素電極１２０の周縁を覆うとともに、画素電極１２０の中央部を露出するように開口されている層間絶縁膜１３０が設けられる。層間絶縁膜１３０は、窒化珪素または酸化珪素等の硅素化合物等の絶縁材料から形成された５０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚の絶縁膜であって、隣り合う画素電極１２０同士を電気的に絶縁する。層間絶縁膜１３０の上には撥液性を備える撥液層１４０が設けられる。なお層間絶縁膜１３０の開口された側壁には、撥液層１４０が被膜されていない。層間絶縁膜１３０により囲まれた開口内の画素電極１２０の上に正孔輸送層１５０、発光層１６０、対向電極１７０がこの順に積層される。さらに、対向電極１７０の上には、封止樹脂層１８０を介して封止基板１９０が接合される。

撥液層１４０は、層間絶縁膜１３０の上に形成され、撥液性を備える一般的なフッ素コーティング剤（例えば、化学式１に示すようなフッ化アルキル鎖をもつシラザンオリゴマ、フッ化アルキルシランカップリング剤、フッ化アルキルシラン化合物）を含有する。なお、化学式１に示されたシラザンオリゴマは、モノマーが二量体以上の構造であればかまわない。

正孔輸送層１５０及び発光層１６０は、連続する液体を所定位置に流し込むノズルプリント法又は個々に分離した液滴を所定位置に滴下するインクジェット法により画素電極１２０上に有機ＥＬ材料（有機ＥＬ材料には、発光材料の他に、キャリアを輸送する性質を持っている材料（正孔注入材料、電子注入材料等）が含まれる。）を含有した含有液を塗布し、加熱乾燥することにより、形成される。正孔輸送材料は、例えば、化学式２に示すように、導電性高分子であるポリエチレンジオキシチオフェンと、ポリスチレンスルホン酸を水系溶媒に分散させた水を主成分とするインク等から構成される。発光材料は、例えば、ポリフェニレンビニレン等の共役二重結合ポリマーから構成される。含有液は、例えば、水溶性又は親油性の溶剤（水、エタノール、エチレングリコール、トルエン、キシレン等）から構成される。また、発光層１６０には、発光光を着色する蛍光体や顔料が添加されている。

対向電極１７０は、図２に示すように、パネル基板１１０に配列される各画素電極１２０に対向する単一の電極層として形成される。対向電極１７０は、１ｎｍ〜１０ｎｍ厚のマグネシウム、カルシウム、バリウム、リチウム、インジウム等の仕事関数の低い薄膜と、１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウム、クロム、銀、パラジウム銀系の合金等からなる高仕事関数の薄膜との積層構造からなる光反射性の電極である。

各画素形成領域において、画素電極１２０と正孔輸送層１５０と発光層１６０と対向電極１７０とが積層されている部分が各色画素を形成する。各色画素は、発光層１６０に含まれる蛍光剤等により定まる発光色により、ＲＧＢの何れかに分類される。なお、正孔輸送層１５０と発光層１６０の層厚は８０ｎｍ〜１７０ｎｍであるので、発光層１６０の上面は、層間絶縁膜１３０の上面より低い。

表示画素が配列されたパネル基板１１０は、封止樹脂層１８０を介して封止基板１９０が接合される。封止樹脂層１８０は、例えば、エポキシ系の紫外線硬化樹脂等から構成され、封止基板１９０は、例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等から構成される。

（表示装置の製造方法）
次に、上述した表示装置１００の製造方法について図３を参照して説明する。なお、以下の説明においては、表示装置１００の表示部分、即ち、パネル基板１１０に表示画素が形成された領域の形成方法を主に説明する。正孔輸送層１５０及び発光層１６０に駆動電流を供給する駆動制御素子（薄膜トランジスタ）の製造方法は、従来と同様である。また、画素駆動回路を構成するトランジスタや配線層は、パネル基板１１０の一面に設定された画素ごとに形成される。

まず、絶縁性のパネル基板１１０が用意される。続いて、パネル基板１１０の一面に、例えば、スパッタリング又は蒸着法により、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を堆積することにより、透明導電層を形成する。次に、透明導電層を、エッチング処理（ウエットエッチング処理若しくはドライエッチング処理）等によりパターニングすることにより、図３（ａ）に示すように、マトリクス状に配置された画素形成領域ごとに、画素電極１２０を形成する。

次に、画素電極１２０が形成されたパネル基板１１０の上に絶縁性材料を塗布することにより、図３（ｂ）に示すように、画素電極１２０を覆うように窒化珪素または酸化珪素等の層間絶縁膜１３０を形成する。層間絶縁膜１３０の上面と画素電極１２０の上面との間の距離は２００ｎｍ〜４００ｎｍに設定されている。層間絶縁膜１３０は、各画素電極１２０を隔離する領域にも形成され、画素電極１２０の周縁部を覆うことにより、隣接する画素電極１２０同士の短絡を防止する。

次に、層間絶縁膜１３０が形成されたパネル基板１１０を減圧酸素プラズマ処理又はＵＶオゾン処理により清浄化する。パネル基板１１０を純水で洗浄した後、エアブロにて乾燥する。パネル基板１１０上の層間絶縁膜１３０を、フッ化アルキル鎖をもつシラザンオリゴマ（信越化学工業製：ＫＰ−８０１Ｍ）のｍ−キシレンヘキサフロライド３％溶液に浸す。パネル基板１１０を取りだし、１０分〜３０分間程度、適度な湿度の大気中に放置する。この間に、化学式３に示すように、シラザンオリゴマと層間絶縁膜１３０との加水分解・縮合反応が進行し、膜層が形成される。最後に、溶剤（ｍ−キシレンヘキサフロライド）でパネル基板１１０をすすぐことにより、この段階で化学結合していない余分な分子を層間絶縁膜１３０から洗い流すことにより、図３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜１３０の上面にフッ素を含む官能基を備える撥液層１４０を形成する。撥液層１４０は撥液性を有するため、塗布される正孔輸送層材料となるポリエチレンジオキシチオフェン及びポリスチレンスルホン酸を含む電荷輸送材料含有液１５１や、発光層となるポリフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、水やキシレン等の有機溶媒に溶解した電荷輸送材料含有液１６１等の流動性を抑えることができる。なお、所定の溶液に浸したパネル基板１１０を大気中に放置する時間は１０分以下とすることもできる。

次に、撥液層１４０上にドライフィルムを貼り付け、露光現像を行なうことにより、図３（ｄ）に示すように、所定形状に形成されたレジスト（マスク）１４１を形成する。レジスト１４１は、例えば、アクリル樹脂等から構成される。パネル基板１１０上の画素電極１２０が設けられた以外の領域、つまり、画素電極１２０の周縁領域に残ったレジスト１４１をマスクとして、後述するエッチング処理によって画素電極１２０の中央部が露出する。本工程で液状のレジストを使用すると、撥液性を有する撥液層１４０の表面は液状のレジストをはじくため、レジストパターンの不良が発生する可能性がある。このため、ドライフィルムを用いることにより、パターンの不良無くレジスト１４１を形成することができる。

次に、画素電極１２０を露出させるために、レジスト１４１をマスクとして層間絶縁膜１３０及び撥液層１４０をエッチング処理する。層間絶縁膜１３０にＳｉＮやＳｉＯ_２を用いる場合には、フッ化炭素ガスによるドライエッチング処理又はフッ化水素酸系のエッチャントによるウエットエッチング処理により、図１及び図３（ｅ）に示すように、画素電極１２０上に層間絶縁膜１３０で囲まれた開口部を設け、マトリクス状の層間絶縁膜１３０を形成する。このときエッチングにより露出された層間絶縁膜１３０の側面には撥液層１４０が形成されていない。

エッチング処理により画素電極１２０が露出した後、酸素プラズマ処理又はＵＶオゾン処理等により、開口部である画素電極１２０の表面及び層間絶縁膜１３０の側面を親液化する処理を行なう。親液化処理することにより、後述する所定の含有液を塗布する工程において、含有液が均一に広がり、発光層１６０等の膜厚が均一になる。なお、親液化処理によりレジスト１４１が完全に除去されないよう処理する。このように親液化処理中にレジスト１４１が撥液層１４０を覆っているので、撥液層１４０は親液化処理によって撥液性を著しく損なうといったことは生じない。

次に、露出した画素電極１２０の表面を親液化処理した後、例えば、有機アルカリ系の剥離液を用いてレジスト１４１を剥離する。パネル基板１１０を剥離液に浸漬し、レジスト１４１を除去し、図３（ｆ）に示すように、層間絶縁膜１３０の上面にある撥液層１４０を露出させる。一般のフッ素コーティングはアルカリ系の溶剤に侵されることは少ない。このため、有機アルカリ系の剥離液を用いることにより、撥液層１４０が備えるフッ素を含む官能基は変化することがないため、撥液層１４０は撥液性を維持できる。

次に、レジスト１４１を除去した後、図３（ｇ）に示すように、正孔輸送層材料となるポリエチレンジオキシチオフェン及びポリスチレンスルホン酸を含む電荷輸送材料含有液１５１をインクジェット等の印刷方法で画素電極１２０上の層間絶縁膜１３０の側面に囲まれた領域に塗布する。このとき、電荷輸送材料の溶媒に対する溶解度が低いため、電荷輸送材料含有液１５１の容積は正孔輸送層１５０の容積より数十倍〜百倍程度になるので、画素電極１２０の露出幅を５０μｍと設定すると、電荷輸送材料含有液１５１の頭頂部は、層間絶縁膜１３０の上面より１６μｍ〜２３μｍ程度上方に位置している。画素電極１２０の表面及び層間絶縁膜１３０の側面は親液性を有するため、塗布された電荷輸送材料含有液１５１は、画素電極１２０上に均一に広がり、層間絶縁膜１３０の側面に接触した電荷輸送材料含有液１５１は、毛細管現象により吸上げられる。このため、電荷輸送材料含有液１５１が乾燥して正孔輸送層１５０が堆積する過程において、電荷輸送材料含有液１５１が層間絶縁膜１３０の側面に付着し続けようとするので電荷輸送材料含有液１５１が画素電極１２０の中央に凝集することはない。従って、層間絶縁膜１３０の開口部側面に電荷輸送材料含有液１５１が引っ張られる形で乾燥が進み、正孔輸送層１５０の膜厚は均一になる。また、撥液層１４０が形成されている層間絶縁膜１３０の上面は撥液性を有する。従って、電荷輸送材料含有液１５１が撥液層１４０に付着した場合であっても、電荷輸送材料含有液１５１の流動性が抑えられ、隣接する画素電極１２０への電荷輸送材料含有液１５１の溢れを防止することができる。電荷輸送材料含有液１５１の塗布後、１００℃以上の温度にて加熱乾燥等することにより、図３（ｈ）に示すように、膜厚が比較的均一な正孔輸送層１５０が形成される。

次に、図３（ｉ）に示すように、正孔輸送層１５０を形成した後、赤・緑・青色を発光する発光層となるポリフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、水やキシレン等の有機溶媒に溶解した電荷輸送材料含有液１６１を、インクジェット等の印刷方法を用いて、正孔輸送層１５０上にそれぞれ成膜する。このとき、電荷輸送材料含有液１６１の頭頂部は、層間絶縁膜１３０の上面より１６μｍ〜２３μｍ程度上方に位置している。画素電極１２０の間に形成された層間絶縁膜１３０の上面には、撥液層１４０が形成されているため撥液性を有するため、各画素電極１２０に塗布された発光材料が、隣接する画素電極１２０に混入することによる混色が防止され、赤・緑・青色の塗り分けが可能となる。発光材料を成膜した後、窒素雰囲気中での加熱乾燥又は真空中での乾燥を行ない、残留溶媒を除去することにより、図３（ｊ）に示すように、発光層１６０が形成される。ここで、層間絶縁膜１３０の側面は親液性を有するため、電荷輸送材料含有液１６１は、層間絶縁膜１３０の側面に引っ張られながら乾燥するので、発光層１６０も正孔輸送層１５０と同様に、平坦に形成される。なお、発光材料は酸素や水蒸気等に接触すると特性が変化することがあるため、塗布は窒素ガス雰囲気中で行うことが望ましい。

その後、対向電極１７０は、画素電極１２０に対向する領域のみならず、層間絶縁膜１３０や撥液層１４０の上まで延在する単一の導電層として形成される。対向電極１７０は、１ｎｍ〜１０ｎｍ厚のマグネシウム、カルシウム、バリウム、リチウム、インジウム等の仕事関数の低い薄膜と、１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウム、クロム、銀、パラジウム銀系の合金等からなる高仕事関数の薄膜との積層構造を有する。対向電極１７０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等を用いて形成される。

最後に、対向電極１７０の上に封止樹脂層１８０を設け、さらに封止樹脂層１８０の上に封止基板１９０を形成する。封止基板１９０の一面側に紫外線照射により硬化する封止樹脂を塗布する。そして、封止基板１９０の封止樹脂が塗布された面と対向電極１７０が配置された面とを貼り合わせ、紫外線を照射して封止樹脂を硬化させる。これにより封止樹脂は封止樹脂層１６０となり、図２に示す表示装置１００が形成される。

以上説明したように、本実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、画素電極１２０の露出面及び層間絶縁膜１３０の側面を親液化処理し、さらに、撥液性を有する撥液層１４０を層間絶縁膜１３０の上面に選択的に形成することにより、正孔輸送層１５０及び発光層１６０のような有機ＥＬ層の膜厚が均一に形成される。また、所定の含有液が混色することを防ぐことができる。したがって、本実施形態に係る表示装置１００は、発光層１６０等の厚みの均一性が高く、発光ムラが少なく発色に優れる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。

表示装置１００は、図４に示すように、層間絶縁膜１３０の上に隔壁２００を設けることもできる。絶縁性を備える隔壁２００を形成することにより、画素駆動回路からの漏れ電流が減少し、発光駆動の信頼性を向上させる。隔壁２００を形成する手法は、インクジェット印刷、ノズルプリント印刷、ディスペンサ印刷、フレキソ印刷等いずれを用いてもよい。隔壁２００を形成する工程は、正孔輸送層１５０及び発光層１６０を形成する工程の前後いずれでも可能である。層間絶縁膜１３０の上に撥液性を備える撥液層１４０が形成され、さらに、画素電極１２０の表面は親液性を備えるため、隔壁２００の高さを低く形成することができる。

撥液層１４０は、一般的なフッ素コーティング剤だけでなく、少なくとも１つのフッ素を含む官能基を有する化合物から形成することができる。また、撥液性及び塗布可能性を備えれば、撥液層１４０を形成するためにいかなる材料も用いることができる。

正孔輸送層１５０及び発光層１６０を形成する含有液の塗布方法は、ノズルプリント印刷に限定されず、インクジェット印刷、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、フレキソ印刷等いずれの手法を用いてもよい。

レジスト１４１は、ドライレジストに限定されず、撥液性の少ない液状のレジストを用いて形成することもできる。

画素電極１２０の上に形成される有機ＥＬ層は、正孔輸送層１５０、発光層１６０及び電子輸送層の三層構造であっても良いし、また発光層１６０及び電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、発光層１６０からなる一層構造であっても良い。電荷輸送層である正孔輸送層１５０及び電子輸送層と発光層１６０との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において他の電荷輸送層の電荷輸送を制限する中間層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。

レジスト１４１を剥離する剥離剤については、撥液層１４０の撥液性を損なわないのであれば、有機アルカリ系の剥離液に限定されず、水系剥離液、無機系剥離液等いずれの剥離剤を用いてもよい。また、酸素プラズマ処理により、レジスト１４１を灰化して除去することも可能である。

親液化処理工程においては、酸素プラズマ処理等に限定されず、レーザー光照射処理等いずれの処理を用いてもよい。

上記表示装置１００はボトムエミッション型であったが、トップエミッション型であってもよい。この場合、画素電極１２０は、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料、あるいは、それらのいずれかを含む合金材料からなる光反射特性を有する反射層と、反射層上に形成され且つ錫ドープ酸化インジウム、亜鉛ドープ酸化インジウム、タングステンドープ酸化インジウム、又はタングステン−亜鉛ドープ酸化インジウム等の透明導電層との積層構造のような光反射性電極となる。また、対向電極１７０は、マグネシウムやバリウムといった低仕事関数からなる１ｎｍ程度の極薄い膜厚の光透過性のある電子注入金属層と、電子注入金属層上に形成され、錫ドープ酸化インジウム、亜鉛ドープ酸化インジウム、タングステンドープ酸化インジウム、又はタングステン−亜鉛ドープ酸化インジウム等の透明導電層との積層構造のような光透過性電極となる。

本発明の実施形態に係る表示装置の画素配列状態の一例を示す概略平面図である。図１のＡ−Ａ線での断面図である。表示装置の製造工程を示す断面図である。表示装置の変形例を示す図である。

符号の説明

１００…表示装置、１１０…パネル基板、１２０…画素電極、１３０…層間絶縁膜、１４０…撥液層、１４１…レジスト、１５０…正孔輸送層、１５１…電荷輸送材料含有液、１６０…発光層、１６１…電荷輸送材料含有液、１７０…対向電極、１８０…封止樹脂層、１９０…封止基板、２００…隔壁

Claims

電極が設けられた基板の面上に形成された絶縁膜上に撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記撥液層上に形成されたレジストをマスクとして前記撥液層及び前記絶縁膜をエッチングして前記電極の少なくとも一部を露出するとともに前記絶縁膜の側壁を露出させる絶縁膜側壁形成工程と、
前記絶縁膜側壁形成工程後に、露出された前記電極及び前記絶縁膜の側壁に親液化処理を施す親液化処理工程と、
前記親液化処理工程後に、前記レジストを除去して、前記撥液層を露出させる撥液層露出工程と、
前記絶縁膜の側壁に囲まれた領域に電荷輸送層となる材料を含有する電荷輸送材料含有液を滴下する電荷輸送材料含有液滴下工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
前記レジストは、ドライフィルムレジストであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記撥液層は、少なくとも１つのフッ素を含む官能基を有する化合物を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
前記親液化処理工程は、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとする酸素プラズマ処理、又は、紫外線を照射する紫外線照射処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記撥液層露出工程は、前記基板を有機アルカリ系の剥離剤に浸漬することにより、前記レジストを剥離することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。