JP2014232568A - 有機el装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】フォトリソグラフィによってパターニングされた有機EL層を備えた有機EL装置において、パターニング工程における有機EL層の割れや剥がれを防止し、発光不良を防止する。
【解決手段】最初に成膜される第1有機EL層23aのパターンを、表示領域内のライン状のパターンが表示領域外において互いにつながった形状とすることにより、剥がれ易いライン端部のないパターン形状とする。
【選択図】図2
【解決手段】最初に成膜される第1有機EL層23aのパターンを、表示領域内のライン状のパターンが表示領域外において互いにつながった形状とすることにより、剥がれ易いライン端部のないパターン形状とする。
【選択図】図2
Description
本発明は表示装置やプリンタの露光装置といった発光装置に用いられる、有機EL装置に関し、特に画素を構成する有機EL素子がフォトリソグラフィを用いてパターニングされた有機EL層を有する有機EL装置に関する。
有機EL装置は、基板上に複数の有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子を配列してなる装置であり、例えば、赤、緑、青それぞれの色を発光する有機EL素子の組を1画素として配置してフルカラーを表示することができる。
有機EL素子は、数十乃至数百nm程度の有機化合物からなる有機EL層を一対の電極間に配置した構造を有しており、有機EL層は少なくとも発光層を含んでいる。有機EL素子の発光色は、発光層材料を適宜選択することによって変えることができる。
有機EL層を形成する方法には、真空蒸着法が広く用いられており、多色表示の有機EL装置において真空蒸着法により発光層を形成する場合には、成膜領域に対応する開口を有するメタルマスクを用い、所定の領域に所定の発光層材料の層を形成している。しかしながら、メタルマスクを用いた真空蒸着法は、成膜位置精度が低いため、高精細な有機EL装置を作製するのには適さない。
そこで、特許文献1、2に開示されているように、メタルマスクを用いずに、フォトリソグラフィを用いて有機EL装置を製造する方法が提案されている。具体的には、基板上に形成した有機EL層の上に中間層とフォトレジスト層とを順次設け、公知の手法によりフォトレジスト層及び中間層をパターニングした後、フォトレジスト層及び中間層をマスクとして有機化合物層をパターニングする。そして有機EL層のパターニング後に中間層及びフォトレジスト層を除去することにより、高精細なパターニングが可能であり、係る工程により、高精細な有機EL装置を製造することができる。
また、有機EL層とフォトレジスト層との間に中間層が設けられているため、有機EL層上にフォトレジスト層を直接設ける場合と比較して、有機EL層上に残渣やダメージがないために良好な発光を得ることができる。
しかしながら、有機EL層上の中間層を除去する工程において、有機EL層の成膜端部、特に基板上に最初に成膜され、ライン状にパターニングされた有機EL層の成膜端部には割れや剥がれが生じ易い。このような有機EL層の割れや剥がれ、さらには剥がれた有機EL層の破片の表示領域内への飛散は有機EL素子の発光不良の原因となる。
本発明は、フォトリソグラフィによってパターニングされた有機EL層を備えた有機EL装置において、パターニング工程における有機EL層の割れや剥がれを防止し、発光不良を防止することにある。
本発明は、基板上に複数の異なる色を発光する複数の有機EL素子を、発光色が同じ有機EL素子がライン状に配置するように、二次元状に配置してなり、
前記有機EL素子が有機EL素子毎に形成された第1電極と、複数の有機EL素子に共通の第2電極と、前記第1電極と第2電極とに挟持された、少なくとも発光層を有する有機EL層とを備えた有機EL装置であって、
前記有機EL層が発光色毎にフォトリソグラフィによってパターニングされ、
前記有機EL層が、前記発光色が同じでライン状に配置した有機EL素子において連続しており、且つ、最初に成膜された有機EL層のパターンが、少なくとも一部のライン同士が表示領域外でつながったパターンであって、表示領域外のパターンの幅が、表示領域内のパターンの幅の0.5倍以上であることを特徴とする。
前記有機EL素子が有機EL素子毎に形成された第1電極と、複数の有機EL素子に共通の第2電極と、前記第1電極と第2電極とに挟持された、少なくとも発光層を有する有機EL層とを備えた有機EL装置であって、
前記有機EL層が発光色毎にフォトリソグラフィによってパターニングされ、
前記有機EL層が、前記発光色が同じでライン状に配置した有機EL素子において連続しており、且つ、最初に成膜された有機EL層のパターンが、少なくとも一部のライン同士が表示領域外でつながったパターンであって、表示領域外のパターンの幅が、表示領域内のパターンの幅の0.5倍以上であることを特徴とする。
本発明によれば、最初に成膜された有機EL層のパターンを、表示領域内でライン状のパターンが表示領域外でつながった形状とすることにより、有機EL層の割れや剥がれによる発光不良を防止した有機EL装置が提供される。
図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。尚、以下の説明において、特に図示又は記載がない部分に関しては、当該技術分野の周知技術又は公知技術を適用することができる。また、以下に説明する実施形態は、本発明の実施形態の一つにすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。また本発明の趣旨を逸脱しない限り、以下に説明する実施形態を適宜組み合わせてもよい。
図1は、本発明の有機EL装置の一例を示す模式図であり、(a)は斜視図、(b)は(a)中のA−A’断面図である。
本例の有機EL装置は、基板上に、第1副画素20aと第2副画素20bと第3副画素20cとからなる画素20が二次元状に設けられている。そしてこれら三種類の副画素20a,20b,20cを設ける領域には、それぞれ第1有機EL素子21a、第2有機EL素子21b、第3有機EL素子21cが設けられている。
ここで三種類の有機EL素子21a,21b,21cは発光色が互いに異なっており、係る発光色が光の3原色である赤、緑、青(R、G、B)である場合、図1の有機EL装置はフルカラー表示が可能な表示装置となる。
図1の有機EL装置において、各有機EL素子21a,21b,21cはそれぞれ、有機EL素子毎に形成された第1電極22a,22b,22cと第2電極26との間に少なくとも発光層を有する有機EL層23a,23b,23cを挟持してなる。本例では、第1有機EL素子21aは、基板10上に設けられる第1電極22aと、第1有機EL層23aと、電荷注入輸送層24aと、共通有機化合物層25と、第2電極26とがこの順で積層されてなる素子である。また、第2有機EL素子21bは、基板10上に設けられる第1電極22bと、第2有機EL層23bと、電荷注入輸送層24bと、共通有機化合物層25と、第2電極26とがこの順で積層されてなる素子である。また、第3有機EL素子21cは、第1電極22cと、第3有機EL層23cと、電荷注入輸送層24cと、共通有機化合物層25と、第2電極26とがこの順で積層されてなる素子である。
尚、共通有機化合物層25及び第2電極26は、全ての画素(副画素)に共通して形成される層である。
本発明において、発光色が同じ有機EL素子がライン状に配置しており、有機EL層23a,23b,23cがそれぞれ該ラインに沿って連続している。そして、本発明においては、発光色毎に有機EL層23a,23b,23cがフォトリソグラフィによってパターニングされる。そして、本発明は、最初に成膜される有機EL層のパターンが、少なくとも一部のライン同士が表示領域外でつながったパターンであって、表示領域外のパターンの幅が、表示領域内のパターンの幅の0.5倍以上であることを特徴とする。本例においては、第1有機EL層23a、第2有機EL層23b、第3有機EL層23cの順に成膜されるものとする。
図2に有機EL層23a,23b,23cのパターン形状の一例を示す。本例は最初に成膜された第1有機EL層23aのパターンが、前記ラインの全てが表示領域外でつながったパターンである。そして、第1有機EL層23aにおいて、表示領域外のパターンの幅t2は表示領域内のパターンの幅t1の0.5倍以上である。ここで、表示領域外のパターンの幅t1、表示領域内のパターンの幅t2はいずれも、表示領域外、表示領域内でそれぞれ、最も狭い幅とする。
先に説明した、フォトリソグラフィ工程において生じる有機EL層の端部の割れや剥がれは、有機EL層をレジストから保護するために設けた中間層を除去する際のエッチング液による有機EL層の浸食や、中間層や有機EL層の膨張収縮の応力によって生じる。特に有機EL層のパターンがライン状の場合、両端部が特に剥がれ易い。また、最初に成膜される有機EL層は、その後に成膜される有機EL層に比べて、ドライエッチング等による微細な凹凸やカーボン残渣等のない表面に成膜されるために密着力が弱くて剥がれ易い。
本発明では、最も割れや剥がれが生じやすい有機EL層のパターンにおいて、割れや剥がれの起点となる角部が減少し、また、ライン状端部形状がないことで割れや剥がれが抑制される。さらに、ライン同士を端部において繋ぐパターンを形成したことによっても有機EL層の割れや剥がれが抑制される。
本発明において、表示領域外のパターンの幅が表示領域内のパターンの幅の0.5倍未満の場合、割れや剥がれの起点となる角部減少の効果はあるものの、表示領域外のパターンの密着面積が小さいため、表示領域外のパターン自身に割れや剥がれが発生し易い。そのため、表示領域外で生じた割れや剥がれを起点として表示領域内の有機EL層が剥がれたり、表示領域外の剥がれた有機EL層が表示領域内に飛散したりすることによる発光不良を生じるため、好ましくない。
図3乃至図5は、本発明において適用される有機EL層の他のパターン形状を示す。図3は、最初に成膜される第1有機EL層23aのパターンが、有機EL層23aのラインの2本ずつが表示領域外でつながったパターンである。図4は、最初に成膜される第1有機EL層23aのパターンが、有機EL層23aのラインの2本ずつがラインの両端において互い違いにつながったパターンである。図5は、最初に成膜される第1有機EL層23aのパターンが、有機EL層23aのラインの2本ずつが表示領域外でつながったパターンであり、その外側を、最後に成膜される第3有機EL層23cが取り囲んでいる。
次に、本発明の有機EL装置の各部材について説明する。
本発明において、第1電極22a,22b,22cは第1有機EL素子21a、第2有機EL素子21b、第3有機EL素子21cに対応して形成される。そして、副画素20a,20b,20cは第1電極22a,22b,22cによって規定される。
基板10としては、ガラス、高分子材料で作られたフィルム、Siウェハ等からなる基材そのものを用いてもよいが、係る基板上に駆動回路や該駆動回路から第1電極22a,22b,22cへのコンタクト部を設けた回路付基板も好適に使用できる。尚、基材上に駆動回路やコンタクト部を設ける際には、駆動回路等を設ける際に生じた凹凸を埋めるための平坦化層を設けるのが望ましい。
第1電極22a,22b,22cの構成材料としては、光の取り出し方向に応じて適宜選択することができる。具体的には、基板10上にトップエミッション型の有機EL素子を設ける場合では、有機EL層23a,23b,23cから発せられる発光について波長帯を制限することなく効率よく反射するAl、Ag等が好ましいが、これらに限定されない。また、基板10上にボトムエミッション型の有機EL素子を設ける場合では、有機EL層23a,23b,23cから発せられる発光について波長帯を限定することなく効率よく透過するITO等が好ましいが、これに限定されない。
有機EL層23a,23b,23cは、少なくとも発光層を有する単層或いは複数の有機化合物層からなる積層体である。有機EL層23a,23b,23cが複数の層からなる積層体である場合、発光層以外の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。
尚、有機EL層23a,23b,23cが発光層以外の有機化合物層を有する場合、該有機化合物層としては、第1電極22a,22b,22cの特性を考慮して適宜選択される。ここで第1電極22a,22b,22cが陽極である場合、有機EL層23a,23b,23cが有する層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられ、主に第1電極22a,22b,22cと発光層との間に設けられる層として存在する。一方、第1電極22a,22b,22cが陰極である場合、有機EL層23a,23b,23cが有する層として、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられ、主に第1電極22a,22b,22cと発光層との間に設けられる層として存在する。
有機EL層23a,23b,23cに含まれる発光層の構成材料としては、縮合多環芳香族炭化水素からなる芳香環を複数単結合した化合物、イリジウム、白金、銅錯体などの金属錯体からなる発光材料を用いることができる。但し、これらの材料に限定されない。
有機EL層23a,23b,23cに含まれる正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等の正孔を注入・輸送する層の構成材料としては、フタロシアニン系材料、トリフェニルジアミン系材料などを用いる事ができる。但し、これらの材料に限定されない。有機EL層23a,23b,23cに含まれる電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等の電子を注入・輸送する層の構成材料としては、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体などを用いることができる。但し、これらの材料に限定されない。
電荷注入輸送層24a,24b,24cは、エッチストップ層を兼ねており、第2電極26の特性に依存する。即ち、第2電極26が陽極である場合、電荷注入輸送層24a,24b,24cは、正孔輸送層、正孔注入層、電子ブロック層等の正孔を発光層へ輸送・注入する層となる。一方、第2電極26が陰極である場合、電荷注入輸送層24a,24b,24cは、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層等の電子を発光層へ輸送・注入する層となる。
本発明において、電荷注入輸送層24a,24b,24cは、次の工程で形成される第1中間層31を除去する際に用いる溶媒に不溶な材料からなる層である。このため、電荷注入輸送層24a,24b,24cは、第1中間層31を除去する際に用いる溶媒から有機EL層23a,23b,23cを保護する層として機能する。
共通有機化合物層25は、有機EL層23a,23b,23cに効率よく電荷を注入できる有機化合物からなる層であれば、その構成材料は特に限定されない。具体的には、光の取り出し方式がトップエミッション型であるかボトムエミッション型であるか、また、有機EL層23a,23b,23cに注入乃至輸送する電荷が正孔であるか電子であるか、等を考慮して構成材料を適宜選択できる。
第2電極26は、光の取り出し方向を考慮して適宜選択することができる。トップエミッション型の有機EL素子を作製する場合、第2電極26の構成材料としては、有機EL層23a,23b,23cから発せられる発光を阻害しない材料であれば特に限定されない。例えば、ITO、インジウム亜鉛酸化物、IWZO等の透明酸化物材料が挙げられる。ボトムエミッション型の有機EL素子を作製する場合、第2電極26の構成材料としては、有機EL層23a,23b,23cから発せられる発光を反射する材料であれば特に限定されない。例えば、Al、Ag等の金属材料が挙げられる。第2電極26の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等を用いることができるが、これらに限定されない。
本発明の有機EL装置の製造方法について、図1に例示した有機EL装置の製造工程を図6乃至図9を参照して説明する。
先ず、基板10上に第1電極22a,22b,22cを形成する(図6(a))。
次いで、真空蒸着法により、基板10全面に、第1有機EL層23aを、次いで電荷注入輸送層24aを形成する(図6(b))。第1有機EL層23a、電荷注入輸送層24aの形成方法としては、成膜時における材料の直進性が高い真空蒸着法が好適に用いられる。これらの蒸着材料の直進性が高いと、パターニング部材となる第1中間層31a、第2中間層32、保護層33、レジスト34の側壁への着膜量が減少し、有機化合物層23a,23b,23c等のパターニングが容易になる。
次に、電荷注入輸送層24a上に、第1中間層31、第2中間層32、保護層33を順次積層する(図6(c))。
電荷注入輸送層24aは真空蒸着法で積層される。
第1中間層31は第2中間層32を除去する際に用いる溶媒に不溶な材料であれば、特に限定されるものではなく、例えば、第2中間層32として水溶性の材料を用いた場合、第1中間層31として水に不溶な材料を用いればよい。具体的には下記化合物1が好ましく用いられる。
第2中間層32としては、後の工程で形成する保護層33、及びこの保護層33上に形成される有機EL層23b,23c、電荷注入輸送層24b,24c、第1中間層31をリフトオフを利用して除去することを目的として形成される層である。
第2中間層32の構成材料は、水を含む溶媒に溶解される材料が好ましく、例えば、LiF、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール等がよい。但し、特定の極性溶媒に溶解し、第2中間層32の上に形成された層を効率的にリフトオフできるのであれば、上述した材料に限定されない。第2中間層32は、後述するリフトオフ工程で、基板10と共に溶媒の中に浸漬することで、第2中間層32上の膜を選択的に除去することが可能となる。第2中間層32の形成方法としては、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法等が挙げられるが、これに限定されない。
保護層33は、第2中間層32が、レジスト34を溶解する溶媒によって溶解する等のダメージを受け得る場合に設ける層である。即ち、保護層33は、後述するレジスト34の形成工程において第2中間層32にダメージを与えないようにする目的で形成される。
保護層33の構成材料としては、溶媒等の液体が浸透しないよう防湿性が高くドライエッチングにより除去が可能な窒化ケイ素、酸化ケイ素等の無機材料が好ましい。保護層33を形成する方法としては、プラズマCVD法等が挙げられるが、これに限定されない。
次に、保護層33上に開口部35を有するレジスト34を形成する。開口部35は第2有機EL素子20bに対応する領域に設ける。
レジスト34は、露光時の下層への影響を考えた場合、ポジ型のフォトレジストが好ましいが、これに限定されない。レジスト34は、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法、印刷法等により構成材料を塗布し、所定のマスクを用いて露光、現像して形成することができる。
次に、レジスト34をマスクとして、開口部35内の保護層33、第2中間層32、第1中間層31、電荷注入輸送層24a、第1有機EL層23aをドライエッチングで除去し、第1電極22bを露出させる(図7(a))。
ドライエッチングによる保護層33の加工を行う際には、保護層33の構成材料を考慮して、保護層33の構成材料を効率的にエッチングできる反応ガスを選択すればよい。例えば、保護層33の構成材料がSiNの場合は、CF4ガス、CHF3等のフッ素系ガス(フッ化炭素系ガス)を用いればよい。また、上述した露光・現像工程を終えた段階で残留しているレジスト材料を除去する目的で、反応ガス中に酸素を一定の濃度で混合させてもよい。
ドライエッチングによる第2中間層32の加工を行う際には、第2中間層32の構成材料を考慮して、第2中間層32の構成材料を効率的にエッチングできる反応ガスを選択すればよい。例えば、第2中間層32の構成材料が有機化合物の場合は、O2ガス等を用いればよい。尚、保護層33の加工工程において開口部35にレジスト材料が残存している場合であっても、この第2中間層32の加工工程において完全に除去される。
次に、露出した第1電極22bを含めた基板10の全面に、第2有機EL層23b、電荷注入輸送層24b、第1中間層31を成膜する(図7(b))。係る工程において、電荷注入輸送層24b、第1中間層31については、先に説明した、電荷注入輸送層24a、第1中間層31と同様である。また、第2有機EL層23bについては、発光層の発光色に応じて構成材料や厚さが選択され、必要に応じて発光層以外の有機化合物層の構成材料や厚さについても適宜選択される。
次に、第2中間層32が溶解する溶媒中に基板10を浸漬し、第2中間層32を溶解して第2中間層32上に形成された保護層33、レジスト34、第2有機EL層23b、電荷注入輸送層24b、第1中間層31をリフトオフする(図7(c))。この時、第1中間層31自体は第2中間層32を溶解する溶媒に対しては不要であるため、第2中間層32と第1電極22a,22b,22cとの間に形成されている第1中間層31は除去されることはない。また、第1中間層31が被覆する電荷注入輸送層24a,24b及び第1有機EL層23a、第2有機EL層23bは除去されずに残存する。従って、第1中間層31は、電荷注入輸送層24a,24bや有機EL層23a,23bを保護する層として機能する。
次に、第1中間層31上に、第2中間層32、保護層33を成膜し、第3有機EL素子20cに対応する領域に開口部35を有するレジスト34を保護層33上に形成する(図8(a))。第2中間層32、保護層33、レジスト34については、先に説明した第2中間層32、保護層33、レジスト34と同様である。
次いで、図7(a)の工程と同様に、レジスト34をマスクとして保護層33、第2中間層32、第1中間層31、電荷注入輸送層24a、第1有機EL層23aをドライエッチングにて除去し、第1電極22cを露出させる(図8(b))。
さらに、図7(b)の工程と同様に、露出した第1電極22cを含めた基板10の全面に、第3有機EL層23c、電荷注入輸送層24c、第1中間層31を成膜する(図8(c))。係る工程において、電荷注入輸送層24c、第1中間層31については、先に説明した、電荷注入輸送層24b、第1中間層31と同様である。また、第3有機EL層23cについては、発光層の発光色に応じて構成材料や厚さが選択され、必要に応じて発光層以外の有機化合物層の構成材料や厚さについても適宜選択される。
図7(c)の工程と同様に、第2中間層32が溶解する液中に基板10を浸漬する。そして係る工程により、第2中間層32を溶解して第2中間層32上に形成された保護層33、レジスト34、第3有機EL層23c、電荷注入輸送層24c、第1中間層31をリフトオフする(図9(a))。
次に、第1中間層31が溶解する溶媒中に基板10を浸漬し、第2中間層32と第1電極22a,22b,22cとの間に形成されていた第1中間層31を除去する(図9(b))。この時、電荷注入輸送層24a,24b,24cは第1中間層31が溶解する溶媒には不溶であるため、本工程において除去されることなく残存する。従って、電荷注入輸送層24a,24b,24cは、有機EL層23a,23b,23cを保護する層として機能する。
次に、真空蒸着法により、電荷注入輸送層24a,24b,24c上に、各副画素20a、20b、20cに共通して設けられる共通有機化合物層25を形成する。そしてさらにその上に、各副画素20a,20b,20cに共通して第2電極26を形成する(図9(c))。
共通有機化合物層25を形成する際には、真空蒸着法を用いることができるが、これに限定されない。また、第2電極26は、光の取り出し方向に応じて適宜選択することができる。具体的には、基板10上にボトムエミッション型の有機EL素子を設ける場合では、有機EL層23a,23b,23cから発せられる発光について波長帯を制限することなく効率よく反射するAl、Ag等が好ましいが、これらに限定されない。また、基板10上にトップエミッション型の有機EL素子を設ける場合では、有機EL層23a,23b,23cから発せられる発光について波長帯を限定することなく効率よく透過するITO等が好ましいが、これに限定されない。
最後に、基板10を窒素雰囲気下に移し、適当な接着剤を用いて、基板10と乾燥剤を備えた封止ガラス板とを貼り合わせ、窒素封止構造を形成し、有機EL装置が外気に曝されないよう保護し、有機EL装置が完成する。
(実施例1)
図6乃至図9に示した製造工程に従って、図2の有機EL層のパターンを有する有機EL装置を製造した。第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅t2は表示領域内のパターンの幅t1の0.5倍とした。
図6乃至図9に示した製造工程に従って、図2の有機EL層のパターンを有する有機EL装置を製造した。第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅t2は表示領域内のパターンの幅t1の0.5倍とした。
画素の駆動回路(不図示)とコンタクト部(不図示)を有するSiウェハよりなる基板10に、Agよりなる厚さ100nmの第1電極22a、22b、22cを形成した(図6(a))。
次に、真空蒸着法により、基板10全面に、下記化合物2を用いて厚さ120nmの正孔輸送層を形成し、さらに下記化合物3と下記化合物4からなる真空蒸着法により厚さ20nmの青色発光層を形成し、第1有機EL層23aとした。
次いで、真空蒸着法により、第1有機EL層23a上に、下記化合物5からなる厚さ10nmの電荷注入輸送層24a(ホールブロック層)を形成した(図6(b))。
次に、真空蒸着法により、電荷注入輸送層24a上に、上記化合物1からなる電子輸送性材料を成膜して厚さ20nmの第1中間層31を形成した。
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して塗布液を第1中間層31上に滴下した後、スピンコート法により、ポリビニルピロリドンを成膜して厚さ500nmの第2中間層32を形成した。
次に、プラズマCVD法により、第2中間層32上に、厚さ1000nmのSiN膜を成膜して保護層33を形成した(図6(c))。
次に、保護層33上に、ポジ型フォトレジスト(AZエレクトロニックマテリアルズ社製、AZ1500)を塗布した後、スピンコート法により薄膜を成膜して厚さ1000nmのレジスト層を形成した。露光装置を用いて、第2副画素20bを設ける領域に開口を有するフォトマスクを用いて40秒間、上記レジスト層の露光を行った。次いで、現像液(AZエレクトロニックマテリアルズ社製、312MIFを水で希釈し、濃度50質量%とした物)を用いて60秒間の現像処理を行った。これにより、第2副画素20bを設ける領域に設けられているレジスト層を除去し、開口部35を有するレジスト34を形成した(図6(d))。
次に、CF4ガスを用いたドライエッチング法により、レジスト34に覆われていない領域の保護層33を除去した。この時、CF4ガスの流量を30sccmとし、エッチング装置内の圧力を10Paとし、エッチング装置の出力を150Wとし、エッチング時間を420秒とした。
次に、O2ガスを用いたドライエッチング法により、保護層33に覆われていない第2中間層32、第1中間層31、電荷注入輸送層24a及び第1有機EL層23aを順次除去し、第2電極22bを露出させた(図7(a))。この時、O2ガスの流量を20sccmとし、エッチング装置内の圧力を8Paとし、エッチング装置の出力を150Wとし、エッチング時間を300秒とした。
次に、真空蒸着法により、表出した第2電極22bを含めた基板10の全面において、厚さ160nmの正孔輸送層と有機材料を緑に最適な材料とした上で厚さ30nmの緑色発光層を形成し、第2有機EL層23bとした。正孔輸送層の構成材料は先の正孔輸送層と同じである。
次に、真空蒸着法により、第2有機EL層23b上に、先の電荷注入輸送層24aと同じ構成材料で同じ厚さの電荷注入輸送層24bを形成した。
次に、真空蒸着法により、先の第1中間層31と同じ電子輸送性材料を同じ厚さで成膜して第1中間層31を形成した(図7(b))。
次に、基板10を水中に浸漬した。第2中間層32が水溶性のポリビニルピロリドンで形成されている層であるため、第2中間層32が溶解され、第2中間層32上に形成された保護層33とレジスト34とが第2中間層32が溶解する過程で基板10からリフトオフされた(図7(c))。
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して塗布液を第1中間層31上に滴下した後、スピンコート法により、ポリビニルピロリドンを成膜して厚さ500nmの第2中間層32を形成した。
次に、プラズマCVD法により、第2中間層32上に、厚さ1000nmのSiN膜を成膜して保護層33を形成した。
次に、保護層33上に、ポジ型フォトレジスト(AZエレクトロニックマテリアルズ社製、AZ1500)を塗布した後、スピンコート法により薄膜を成膜して厚さ1000nmのレジスト層を形成した。露光装置を用いて、第3副画素20cを設ける領域に開口を有するフォトマスクを用いて40秒間、上記レジスト層の露光を行った。次いで、現像液(AZエレクトロニックマテリアルズ社製、312MIFを水で希釈し、濃度50質量%とした物)を用いて60秒間の現像処理を行った。これにより、第3副画素20cを設ける領域に設けられているレジスト層を除去し、開口部35を有するレジスト34を形成した(図8(a))。
次に、CF4ガスを用いたドライエッチング法により、レジスト34に覆われていない領域の保護層33を除去した。この時、CF4ガスの流量を30sccmとし、エッチング装置内の圧力を10Paとし、エッチング装置の出力を150Wとし、エッチング時間を420秒とした。
次に、O2ガスを用いたドライエッチング法により、保護層33に覆われていない第2中間層32、第1中間層31、電荷注入輸送層24a及び第1有機EL層23aを順次除去し、第3電極22cを露出させた(図8(b))。この時、O2ガスの流量を20sccmとし、エッチング装置内の圧力を8Paとし、エッチング装置の出力を150Wとし、エッチング時間を300秒とした。
次に、真空蒸着法により、露出した第3電極22cを含めた基板10の全面において、厚さ200nmの正孔輸送層と厚さ30nmの有機材料を赤に最適な材料とした上で赤色発光層を形成し、第3有機EL層23cとした。正孔輸送層の構成材料は先の正孔輸送層と同じである。
次に、真空蒸着法により、第3有機EL層23c上に、先の電荷注入輸送層24a,24bと同じ電荷注入輸送層24cを形成した。
次に、真空蒸着法により、先の第1中間層31と同じ電子輸送性材料を同じ厚さで成膜して第1中間層31を形成した(図8(c))。
次に、基板10を水中に浸漬した。第2中間層32が水溶性のポリビニルピロリドンで形成されている層であるため、第2中間層32が溶解され、第2中間層32上に形成された保護層33とレジスト34とが第2中間層32が溶解する過程で基板10からリフトオフされた(図9(a))。
次に、60質量%イソプロピルアルコール水溶液中に基板10を浸漬することで第1中間層31を除去した。この時、電荷注入輸送層24a、24b、24cは60質量%イソプロピルアルコール水溶液に対しては不溶であるため、本工程において除去されることなく残存した(図9(b))。
次に、真空蒸着法により、電荷注入輸送層24c上に、厚さ20nmの電子注入層(共通有機化合物層25)を形成した。
次に、スパッタリング法により、上記電子注入層上に厚さ16nmのAgを成膜して、各副画素20a、20b、20cに共通して第2電極26を形成した(図9(c))。
次に、基板10を窒素雰囲気下に移し、紫外線硬化樹脂を用いて、基板10と乾燥剤を備えた封止ガラス板(不図示)とを貼り合わせ、窒素封止構造を形成し、有機EL装置が外気に曝されないよう保護した。以上により有機EL装置を得た。
得られた有機EL装置について発光の様子を評価したところ、発光不良のない良好な発光を得ることができた。
(実施例2)
有機EL層23a,23b,23cのパターンを図3に示す形状とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅t2は表示領域内のパターンの幅t1の0.5倍とした。
有機EL層23a,23b,23cのパターンを図3に示す形状とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅t2は表示領域内のパターンの幅t1の0.5倍とした。
得られた有機EL装置について発光の様子を評価したところ、実施例1と同様に、発光不良のない良好な発光を得ることができた。
(実施例3)
有機EL層23a,23b,23cのパターンを図4に示す形状とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅t2は表示領域内のパターンの幅t1の0.5倍とした。
有機EL層23a,23b,23cのパターンを図4に示す形状とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅t2は表示領域内のパターンの幅t1の0.5倍とした。
得られた有機EL装置について発光の様子を評価したところ、実施例1と同様に、発光不良のない良好な発光を得ることができた。
(実施例4)
有機EL層23a,23b,23cのパターンを図5に示す形状とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅は表示領域内のパターンの幅の0.5倍とした。
有機EL層23a,23b,23cのパターンを図5に示す形状とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅は表示領域内のパターンの幅の0.5倍とした。
得られた有機EL装置について発光の様子を評価したところ、実施例1と同様に、発光不良のない良好な発光を得ることができた。
(比較例1)
有機EL層23a,23b,23cのパターンを図10に示す形状とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。第3有機EL層23cの表示領域外のパターンの幅t2は表示領域内のパターンの幅t1の0.5倍とした。
有機EL層23a,23b,23cのパターンを図10に示す形状とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。第3有機EL層23cの表示領域外のパターンの幅t2は表示領域内のパターンの幅t1の0.5倍とした。
得られた有機EL装置について発光の様子を評価したところ、第1有機EL層23aの端部や端部を起点とした割れや剥がれが発生しており、一部の剥がれた膜は飛散して表示部上に存在し、良好な発光を得ることができなかった。
(比較例2)
第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅t2を表示領域内のパターンの幅t1の0.4倍とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。
第1有機EL層23aの表示領域外のパターンの幅t2を表示領域内のパターンの幅t1の0.4倍とした以外は実施例1と同様にして有機EL装置を作製した。
得られた有機EL装置について発光の様子を評価したところ、第1有機EL層23aの端部や端部を起点とした割れや剥がれが発生しており、一部の剥がれた膜が飛散して表示部上に存在し、良好な発光を得ることができなかった。
10:基板、21a,21b,21c:有機EL素子、22a,22b,22c:第1電極、23a,23b,23c:有機EL層、26:第2電極
Claims (5)
- 基板上に複数の異なる色を発光する複数の有機EL素子を、発光色が同じ有機EL素子がライン状に配置するように、二次元状に配置してなり、
前記有機EL素子が有機EL素子毎に形成された第1電極と、複数の有機EL素子に共通の第2電極と、前記第1電極と第2電極とに挟持された、少なくとも発光層を有する有機EL層とを備えた有機EL装置であって、
前記有機EL層が発光色毎にフォトリソグラフィによってパターニングされ、
前記有機EL層が、前記発光色が同じでライン状に配置した有機EL素子において連続しており、且つ、最初に成膜された有機EL層のパターンが、少なくとも一部のライン同士が表示領域外でつながったパターンであって、表示領域外のパターンの幅が、表示領域内のパターンの幅の0.5倍以上であることを特徴とする有機EL装置。 - 最初に成膜された有機EL層のパターンが、前記ラインの全てが表示領域外でつながったパターンである請求項1に記載の有機EL装置。
- 最初に成膜された有機EL層のパターンが、前記ラインの2本ずつが表示領域外でつながったパターンである請求項1に記載の有機EL装置。
- 最初に成膜された有機EL層のパターンが、前記ラインの2本ずつがラインの両端において互い違いにつながったパターンである請求項1に記載の有機EL装置。
- 最初に成膜された有機EL層のパターンが、前記ラインの2本ずつが表示領域外でつながったパターンであり、その外側を、最後に成膜される有機EL層が取り囲んでいる請求項1に記載の有機EL装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013111431A JP2014232568A (ja) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | 有機el装置 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107768540A (zh) * | 2016-08-18 | 2018-03-06 | 三星显示有限公司 | 具有减少的缺陷的显示设备 |
US10236328B2 (en) | 2017-03-23 | 2019-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light-emitting display device |
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-
2013
- 2013-05-28 JP JP2013111431A patent/JP2014232568A/ja active Pending
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