JP6789196B2 - 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネルとその製造方法に関する。

近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自発光を行うので視認性が高い。
この有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは、絶縁材料からなる絶縁層で仕切られている。カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色の画素を形成し、隣り合うＲＧＢの画素が合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層等の機能膜が配設された素子構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。

近年、デバイスの大型化が進み、効率の良い機能膜の成膜方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等に基づいて塗布するウエットプロセスが提案されている。例えば、特許文献１では、Ｙ方向の隔壁間に同一濃度の有機材料溶液を滴下し、隔壁内容積に応じた溶液量を塗布することによって成膜することができるので、簡単で且つ容易なプロセスで均質な有機発光層の形成が可能となることが記載されている。

特開２００７−２３４２３２号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、列方向に機能層の微小な膜厚バラツキが残存する場合があり、表示画像を視る条件によってスジ状の輝度ムラとして認識され得るという課題があった。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、行方向に共通して生じる列方向における機能層の膜厚の変化に起因する、行方向のスジ状の輝度ムラが目立たない有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配された複数の画素電極と、前記基板上方であって、少なくとも前記画素電極の行方向外縁間に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列絶縁層と、行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに列方向に連続して配されている有機発光層と、前記有機発光層上方に配された対向電極層とを備え、前記列絶縁層間の間隙幅により規定される前記有機発光層の行方向の幅は、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で列方向に変化していることを特徴とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、列状の機能層が並設されたパネル構造において、行方向に共通して生じる列方向における機能層の膜厚の変化に起因する行方向のスジ状の輝度ムラに異なる態様の輝度分布の変調を重畳することにより、行方向のスジ状の輝度ムラを目立たなくすることができる。

実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。 有機ＥＬ表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。 表示パネル１０の模式平面図である。 図３におけるＡ０部の拡大平面図である。 図３におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。 表示パネル１０の基板１００ｘの模式平面図であり、（ａ）列バンク５２２Ｙを設けた状態、（ｂ）接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚＧ内に有機発光層１２３Ｇを設けた状態である。 図３におけるＡ１部の拡大平面図であり、表示パネル１０の列バンク５２２Ｙの一態様を示す模式平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ２−Ａ２と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ２−Ａ２と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ２−Ａ２と同じ位置で切断した模式断面図である。 表示パネル１０の製造方法において、基板上の隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙に発光層形成用のインクを塗布する工程を示す模式平面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ２−Ａ２と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ２−Ａ２と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）（ｂ）は、表示パネル１０の実施例及び比較例の態様を示す模式平面図である。 （ａ）は、表示パネル１０の比較例を垂直方向から見たときの輝度分布を示す測定結果、（ｂ）は比較例を垂直方向から４５°傾いた方向から見たときの輝度分布を示す測定結果、（ｃ）は比較例を垂直方向から４５°傾いた方向から見たときの輝度分布を示す測定結果である。 （ａ）は、インクジェット法により、基板上の隣接する列バンク５２２ＹＸ間の間隙５２２ｚＸに発光層形成用のインクを塗布する工程を示すは側面図、（ｂ）は模式平面図である。 （ａ）は、従来の有機ＥＬ表示パネルを低視野角から視た表示画像を示す写真、（ｂ）は（ａ）に変える断面Ｘ１−Ｘ１からＸ４−Ｘ４における輝度分布の測定結果である。

≪発明を実施するための形態に至った経緯≫
効率の良い機能膜の成膜方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等に基づいて塗布するウエットプロセスが提案されている。ウエットプロセスは機能膜を塗り分ける際の位置精度が基板サイズに依存せず、デバイスの大型化への技術的障壁が比較的低いメリットがある。図１６（ａ）は、代表的なウエットプロセスのインクジェット法により、基板上の隣接する列バンク５２２ＹＸ間の間隙５２２ｚＸに発光層形成用のインクを塗布する工程を示すは側面図、（ｂ）は模式平面図である。同工程では、図１６（ａ）に示すように、基板１００ｘ表面に対してインクヘッドＩを一方向に相対的に走査し、インクジェットヘッドＩの複数のノズルから基板表面の所定領域にインクＤ‘を滴下し、インクの溶媒を蒸発乾燥させて機能膜１２３Ｘを成膜する。その際、図１６（ｂ）に示すように、基板上にインクを滴下して塗布するプロセスにおいて、インクジェットヘッドの複数のノズルから吐出されるインク液滴Ｄサイズのバラツキや等に起因して形成される機能層１２３Ｘの膜厚１１〜１３がノズル列に平行な方向で変動する傾向がある
これに対して、特許文献１では、上述のとおり、Ｙ方向の隔壁間に同一濃度の有機材料溶液を滴下し、隔壁内容積に応じた溶液量を塗布することによって成膜することができるので、簡単で且つ容易なプロセスで均質な有機発光層の形成が可能となることが記載されている。すなわち、塗布されたインクがノズル列に平行な方向に画素間の流動を許容するライン状のバンク間隙からなる列状塗布領域を設けることにより、塗布されたインクがノズル列に平行な方向でレべリングされて機能層の膜厚バラツキが低減し、有機ＥＬ表示パネルにおいてスジ状の輝度ムラを低減されることが可能となるものと考えられる。

しかしながら、発明者の検討によると、インクジェット装置のノズル列に平行な列状塗布領域を設けて塗布されたインクのレべリングした場合でも、機能層の微小な膜厚バラツキが残る場合があり、例えば、低視野角の方向から表示画像を視る条件では、スジ状の輝度ムラが認識され得るという課題があることが判明した。
図１７（ａ）は、従来の有機ＥＬ表示パネルを低視野角から視た表示画像を示す写真であり、Ｘ、Ｙ方向とも、基板上の１５０副画素の領域を示した写真である。このように、機能層１２３の膜厚が異なると各機能層の発光特性が異なるため、有機ＥＬ表示パネルとしてノズル走査方向に平行な約１０．７個の副画素ピッチのスジ状の輝度ムラ発生の原因となっていた。図１７（ｂ）は（ａ）における、断面Ｘ１−Ｘ１からＸ４−Ｘ４におけるＹ方向に１５０副画素に相当する領域の輝度分布の測定結果である。図１７（ｂ）によると、インクヘッドＩの走査方向の異なる位置における断面Ｘ１−Ｘ１からＸ４−Ｘ４での輝度分布は、列方向に類似した分布形状をなし、行方向にスジ状の輝度ムラとして認識されることがわかる。トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、画素電極の表面部が高い光反射性を有する材料を用いるとともに、光路の厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高める構成を採る。しかしながら、低視野角の方向から表示画像を視る条件では、微小な膜厚バラツキに起因して生じる光路差の影響が高視野角の場合に比べて相対的に大きくなり、高低視野角の方向から表示画像を視る条件に比べて輝度ムラがより顕著に認識されるものと考えられる。

そこで、発明者らは、上記課題に鑑み、列状の機能層が並設されたパネル構造において、列方向における機能層の膜厚の変化に起因する行方向のスジ状の輝度ムラが目立たなくする構成について鋭意検討を行い、以下の実施の形態に至ったものである。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配された複数の画素電極と、前記基板上方であって、少なくとも前記画素電極の行方向外縁間に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列絶縁層と、行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに列方向に連続して配されている有機発光層と、前記有機発光層上方に配された対向電極層とを備え、前記列絶縁層間の間隙幅により規定される前記有機発光層の行方向の幅は、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で列方向に変化していることを特徴とする。

係る構成により、列状の機能層が並設されたパネル構造において、行方向に共通して生じる列方向における機能層の膜厚の変化に起因する行方向のスジ状の輝度ムラに異なる態様の輝度分布の変調を重畳することにより、行方向のスジ状の輝度ムラを目立たなくすることができる。
また、別の態様では、上記態様において、前記複数の列絶縁層のそれぞれの厚みは、それぞれの前記列絶縁層毎に異なる態様で、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に不規則又は非周期的に変化している構成としてもよい。

係る構成により、前記列絶縁層間の間隙幅により規定される前記有機発光層の行方向の幅は、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で列方向に変化している構成を実現することができる。
また、別の態様では、上記態様において、前記最小間隔は、前記画素電極の列方向のピッチの１／６以下である構成としてもよい。

係る構成により、インクジェットヘッドから吐出されるインク液滴Ｄサイズのバラツキや等に起因してノズル列に平行な列方向に生じる輝度ムラであって、行方向に共通して生じる列方向における機能層の膜厚の変化に起因する行方向のスジ状の輝度ムラに異なる態様の輝度分布の変調を重畳することにより、行方向のスジ状の輝度ムラを目立たなくすることができる。

また、別の態様では、上記態様において、前記有機発光層の行方向の幅の変化の範囲は、前記有機発光層が発する光の波長が短いほど大きい構成としてもよい。
係る構成により、一定の朴圧変動に対し光路差の影響が相対的に大きくなり輝度ムラがより顕著に認識される光の波長が短い発光層に対して、より大きな輝度変化を重畳させることができ、異なる色の光を発する発光層に対して効果的にムラを目だたなくすることができる。

また、別の態様では、上記態様において、前記複数の列絶縁層から選択される２組の隣接する列絶縁層間の列方向の複数の位置における有機発光層の行方向の幅から構成される２組の数列間の相互相関係数の絶対値は０．２以下である構成としてもよい。
係る構成により、有機発光層の行方向の幅の列方向における変化が、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で列方向に変化するので、行方向におけるスジ状の輝度ムラとして認識されることを抑制することができる。

また、別の態様では、上記態様において、前記複数の列絶縁層から選択される行方向に隣接する３本の列絶縁層を、それぞれ第１の列絶縁層、第２の列絶縁層、第３の列絶縁層とし、前記第１の列絶縁層及び前記第２の列絶縁層間の、列方向の複数の位置における有機発光層の行方向の幅から構成される数列と、前記第２の列絶縁層及び前記第３の列絶縁層間の、前記列方向の複数の位置における有機発光層の行方向の幅から構成される数列との相互相関係数の絶対値を隣接相間値としたとき、前記複数の列絶縁層すべてから前記３本の列絶縁層を選択して算出した前記隣接相間値の平均は０．２以下である構成としてもよい。

係る構成により、有機発光層の行方向の幅の列方向における変化が、行方向におけるスジ状の輝度ムラとして認識されることをより一層抑制することができる。
また、別の態様では、上記態様において、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配された複数の画素電極と、前記基板上方であって、少なくとも前記画素電極の行方向外縁間に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列絶縁層と、行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに列方向に連続して配されている有機発光層と、前記有機発光層上方に配された対向電極層とを備え、行列方向に少なくとも行及び列方向に所定の個数以上の画素が配された前記基板上の矩形領域において、前記列絶縁層間の間隙幅により規定される前記有機発光層の行方向の幅は、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で列方向に変化しており、前記基板には、前記矩形領域が列方向に繰り返し複数配されている構成としてもよい。

係る構成により、乱数を発生して有機発光層１２３の行方向の幅を規定する範囲を矩形領域に限定することができるので、基板の設計を容易にすることができる。
また、別の態様では、上記態様において、前記矩形領域は、行方向に少なくとも５個以上の画素を含み、列方向に少なくとも１０個以上の画素を含む構成としてもよい。
係る構成により、矩形領域を行及び列方向に繰り返し複数配した場合でも周期性のあるムラとして認識され難くすることができる。

また、本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板上方であって、少なくとも前記画素電極の行方向外縁間に列方向に延伸して行方向に複数の列絶縁層を並設する工程と、行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布した後乾燥させて有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上方に対向電極層を形成する工程とを備え、前記列絶縁層を並設する工程では、前記複数の列絶縁層のそれぞれの厚みは、それぞれの前記列絶縁層毎に異なる態様で、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に不規則又は非周期的に変化するように形成されることを特徴とする。

係る構成により、列状の機能層が並設されたパネル構造において、行方向に共通して生じる列方向における機能層の膜厚の変化に起因する行方向のスジ状の輝度ムラを目立たない有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
また、別の態様では、上記態様において、前記有機発光層を形成する工程では、前記有機発光層の行方向の幅は、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に変化するように形成される構成としてもよい。

係る構成により、前記列絶縁層間の間隙幅により規定される前記有機発光層の行方向の幅は、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で列方向に変化している有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
≪実施の形態１≫
１．構 成
１．１ 表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１を用い説明する。

図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。

１．２ 表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。

図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ₁は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ₂は、スイッチングトランジスタである。

スイッチングトランジスタＴｒ₂のゲートＧ₂は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ₂ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ₂ のドレインＤ₂は、駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ₁のドレインＤ₁は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ₁ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。

なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂及び駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ₂からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ₂からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
１．３ 表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。

１．３．１ 表示パネル１０の概要
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
図３は、表示パネル１０の模式平面図である。表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、Ｙ方向、厚み方向とする。

図３に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙ（列絶縁層）と行バンク１２２Ｘ（行絶縁層）とが配された区画領域１０ａ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘａ、１０Ｙａ、区別を要しない場合は１０ａとする）と、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成されている。区画領域１０ａの列方向の外周縁は列バンク５２２Ｙの列方向の端部に相当する。非区画領域１０ｂには、区画領域１０ａを取り囲む矩形状の封止部材（不図示）が形成されている。

１．３．２ 有機ＥＬ素子１００の概要
図４は、図３におけるＡ０部の拡大平面図である。
表示パネル１０の区画領域１０ａには、複数の有機ＥＬ素子１００から構成される単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。

表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。複数の画素電極１１９は、平面視において例えば、概矩形形状であり、画素電極１１９は光反射材料からなる。行方向に順に３つ並んだ画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。

画素電極１１９とこれに隣接する画素電極１１９とは、互いに絶縁されている。隣接する画素電極１１９間には、絶縁層形式のライン状に延伸する絶縁層が設けられている。
１つの画素電極１１９と、これに行方向に隣接する画素電極１１９との間（１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ３と、この画素電極１１９に行方向に隣接する画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ４との間）に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数列並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク５２２Ｙの行方向外縁により規定される。

一方、１つの画素電極１１９と、これに列方向に隣接する画素電極１１９との間（１つの画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ２と、この画素電極１１９に列方向に隣接する画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ１との間）に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数行並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」と称する）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。

表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ₁ とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）があり、画素電極１１９に対して電気接続するための画素電極１１９上のコンタクト領域（コンタクトウインドウ、不図示）が設けられている。

１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは、列方向において行バンク１２２Ｘと、この行バンク１２２Ｘに隣接する行バンク１２２Ｘの間に位置している。
１．４ 表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、図４を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。

本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
１．４．１ 有機ＥＬ素子１００の各部構成
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層（不図示）とを有する。

基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線（ＴＦＴのソースＳ１ と、対応する画素電極１１９を接続する）を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

（２）平坦化層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するものである。また、平坦化層１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。

平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１ に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔（不図示）が開設されている。
１．４．２ 有機ＥＬ素子部
（１）画素電極１１９
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８上には、図４に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。

画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極１１９は光反射性を有する。画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。平坦化層１１８のコンタクト孔（不図示）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部（コンタクト孔；不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１ に接続される配線とが接続される。

（２）ホール注入層１２０
画素電極１１９上には、図４に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上に形成された金属酸化物からなるホール注入層１２０Ａと、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内のホール注入層１２０Ａ上それぞれに積層された有機物からなるホール注入層１２０Ｂとを含む。

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、ホール注入層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール注入層１２０Ｂは、画素電極１１９上に形成されたホール注入層１２０Ａ上にのみ形成され、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。

（３）バンク１２２
図４に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある。図３に示すように、列バンク５２２Ｙは、行バンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。

行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。

行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘは、インクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、副画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行バンク１２２Ｘにより画素電極１１９は、露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では発光せず、輝度には寄与しない。

行バンク１２２Ｘは、画素電極１１９の列方向における外縁の上方に存在することにより、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止する。行バンク１２２Ｘは、列方向の基部により列方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。

列バンク５２２Ｙは、画素電極１１９の行方向における外縁上方に存在することにより、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止する。列バンク５２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
また、列バンク５２２Ｙを平面視したとき、複数の列バンク５２２Ｙのそれぞれの厚みは、画素電極１１９の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に不規則又は非周期的に変化しており、その列方向における変化の態様は、それぞれの列バンク５２２Ｙ毎に異なる態様をなしている。列バンク５２２Ｙの詳細については後述する。

列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。
（４）ホール輸送層１２１
図４に示すように、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される（不図示）。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂと同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。
（５）発光層１２３
図４に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。

発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面の上方にある部分は発光せず、この部分は非自己発光領域となる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいては、ホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する（不図示）。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、列方向に隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。

また、発光層１２３を平面視したとき、列絶縁層間５２２Ｙの間隙幅５２２ｚにより規定される有機発光層１２３の行方向の幅は、画素電極１１９の列方向のピッチ以下の最小間隔Ｐｉで不規則又は非周期的に変化しており、当該幅の列方向における変化の態様も、それぞれの有機発光層１２３毎に異なる態様をなしている。発光層１２３の詳細については後述する。

（６）電子輸送層１２４
図３、図４に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。

電子輸送層１２４は、図４に示すように、発光層１２３上に形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極層１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。
（７）共通電極層１２５（対向電極層）
図４に示すように、電子輸送層１２４上に、共通電極層１２５が形成されている。共通電極層１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。共通電極層１２５は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物からなる共通電極層１２５Ａと、共通電極層１２５Ａ上に積層された金属を主成分とする共通電極層１２５Ｂとを含む（以後において、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂを総称する場合は「共通電極層１２５」と表記する）。

共通電極層１２５は、図４に示すように、電子輸送層１２４上の画素電極１１９上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
他方、共通電極層１２５Ｂは、図４及び図５に示すように、主として共通電極層１２５Ａの上面にのみ形成される。

（８）封止層１２６
共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極層１２５の上面を覆うように設けられている。
（９）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。

１．４．２ ＣＦ基板の各部構成
（１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。

（２）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。

（３）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。

１．４．３ 各部の構成材料
図３、図４に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。

ＴＦＴ層は、基材１００ｐに形成されたＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成された無機絶縁層（不図示）、平坦化層１１８とを有する。ＴＦＴ回路は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、有機ＥＬ素子１００の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。

（２）画素電極１１９
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）合金では、反射率が８０〜９５％と高く、電気抵抗率が、２．８２×１０^-8（１０ ｎΩｍ）小さく、画素電極１１９の材料として好適である。

アルミニウム合金などの金属層の他、高反射率の観点から、例えば、銀や銀を含む合金等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。ホール注入層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。

ホール注入層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。

又は、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。

また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。

（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４Ａは、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４Ｂに用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。

また、電子輸送層１２４Ｂは、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。
（８）共通電極層１２５
共通電極層１２５Ａは、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。

共通電極層１２５Ｂは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。
（９）封止層１２６
封止層１２６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

封止層１２６は、トップエミッション型の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。

（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。

（１３）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。

２ 列バンク５２２Ｙ、発光層１２３の詳細
列バンク５２２Ｙの構成について、さらに、詳しく説明する。
図６（ａ）は、列バンク５２２Ｙを設けた状態での表示パネル１０の基板１００ｘの模式平面図である。図６（ａ）に示すように、複数の列バンク５２２Ｙは、列方向に延伸して行方向に並設されており、複数の列バンク５２２Ｙのそれぞれの厚みは、画素電極１１９の列方向のピッチ以下の最小間隔Ｐｉ（ｉ＝１〜ｍａｘ）で列方向に不規則又は非周期的に変化しており、その列方向における変化の態様は、それぞれの列バンク５２２Ｙ毎に異なる態様をなしている。そのため、列絶縁層間５２２Ｙの間隙５２２ｚ幅により規定される有機発光層１２３の行方向の幅Ｗｉ（ｉ＝１〜ｍａｘ）は、画素電極１１９の列方向のピッチ以下の最小間隔Ｐｉで不規則又は非周期的に変化しており、幅Ｗｉの列方向における変化の態様も、それぞれの有機発光層１２３毎に異なる態様をなしている。

図６（ｂ）は隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚＧ内に有機発光層１２３Ｇを設けた状態における、表示パネル１０の基板１００ｘの模式平面図である。各画素の有機発光層１２３Ｇから出射される光の輝度ｌの大きさは、各画素における有機発光層１２３の面積に比例し、有機発光層１２３の行方向の幅Ｗｉの大きさに応じて昇順に変化する。図６（ｂ）では、各画素の有機発光層１２３Ｇから出射される光の輝度ｌの大きさを幅Ｗｉに応じてｌ１〜ｌ５の５段階で図中に付記している。

表示パネル１０では、有機発光層１２３の行方向の幅Ｗｉを画素電極１１９の列方向のピッチ以下の最小間隔Ｐｉで不規則又は非周期的に変化させることにより、図１６（ｂ）に示したインクジェットヘッドから吐出されるインク液滴Ｄサイズのバラツキや等に起因するノズル列に平行な方向での機能層１２３の膜厚変動とは異なる態様において、各画素の有機発光層１２３Ｇから出射される光の輝度ｌの大きさを列方向に不規則又は非周期的に変化させる。そして、幅Ｗｉの列方向における変化に基づく輝度ｌの変化の態様は、それぞれの有機発光層１２３毎に異なる態様をなしている。

そのため、行方向に共通して生じる列方向における機能層の膜厚の変化に起因する行方向のスジ状の輝度ムラに異なる態様の輝度分布の変調を重畳することにより、行方向のスジ状の輝度ムラを目立たなくすることができる。
図７は、表示パネル１０の列バンク５２２Ｙの一態様を示す模式平面図であり、図３における矩形領域Ａ１部の拡大平面図である。矩形領域Ａ１部は、行方向に少なくとも５個以上の画素を含み、列方向に少なくとも１０個以上の画素を含み、行方向に少なくとも１５個以上の副画素を含み、列方向に少なくとも１０個以上の副画素を含む。図７では、Ｘ，Ｙ方向の副画素を指数ｉ，ｊにより表している。Ｘ，Ｙ方向に（ｉ，ｊ）番目（ｉ＝１〜１５、ｊ＝１〜１０）の副画素に対応して列バンク５２２Ｙの厚みをｔ（ｉ，ｊ）（ｉ＝１〜１６、ｊ＝１〜１０）、列絶縁層間５２２Ｙの間隙５２２ｚ幅により規定される有機発光層１２３の行方向の幅Ｗ（ｉ，ｊ）（ｉ＝１〜１６、ｊ＝１〜１０）と定義し、Ｗ（ｉ，ｊ）の最大値（設計最大値）、最小値（設計最大値）をＷ_max、Ｗ_min、ｔ（ｉ，ｊ）の中心値（設計標準値）をｔ_typとしたとき、有機発光層１２３の行方向の幅Ｗ（ｉ，ｊ）及び列バンク５２２Ｙの厚みをｔ（ｉ，ｊ）は、それぞれ、式１及び式２により規定される。

ここで、式１において、乱数発生法としては、例えば、モンテカルロ法を用いることができる。
また、Ｗ_max、Ｗ_minとの差は１μｍ以上２μｍ以下とすることが好ましい。

また、上記態様では、列バンク５２２Ｙの厚みを、列方向における画素（副画素）ピッチで変調する構成としているが、列方向の画素ピッチ以下の最小間隔で変調させてもよく、例えば、変調の最小間隔は、有機発光層１２３を形成するために用いるインクジェットヘッドのノズルピッチ、例えば、２２μｍ以下としてもよい。あるいは、画素電極１１９の列方向のピッチの１／６以下としてもよい。

また、式１により規定される幅Ｗ（ｉ，ｊ）の列方向における変化の態様は、それぞれの有機発光層１２３毎に、すなわち、行方向において異なる態様を示すことを特徴とする。具体的には、複数の列バンク５２２Ｙから選択される２組の隣接する列絶縁層間の列方向の複数の位置ｊにおける有機発光層の行方向の幅Ｗ（ｉ，ｊ）から構成される２組の数列間の相互度は所定値以下であることが好ましい。例えば、列絶縁層間の列方向の複数の位置ｙにおける有機発光層の行方向の幅から構成される２組の数列をＷ₁、Ｗ₂としたとき、式３により規定される当該数列間の相互相関係数Ｒ₁₂の絶対値は０．４以下であることが好ましく、０．２以下であることがさらに好ましい。

これにより、幅Ｗ（ｉ，ｊ）の列方向における変化が、行方向におけるスジ状の輝度ムラとして認識されることを抑制できる。
あるいは、複数の列絶縁層から選択される行方向に隣接する３本の列バンク５２２Ｙを、それぞれ第１の列絶縁層、第２の列絶縁層、第３の列絶縁層とし、第１の列絶縁層及び第２の列絶縁層間の列方向の複数の位置における有機発光層の行方向の幅から構成される数列と、第２の列絶縁層及び第３の列絶縁層間の列方向の複数の位置における有機発光層の行方向の幅から構成される数列との相互相関係数の絶対値を隣接相間値としたとき、複数の列絶縁層すべてから３本の列絶縁層を選択して算出した隣接相間値の平均は０．２以下である構成としてもよい。係る構成により、幅Ｗ（ｉ，ｊ）の列方向における変化が、行方向におけるスジ状の輝度ムラとして認識されることを抑制できる。

また、上記態様において、有機発光層１２３の行方向の幅の変化の範囲、すなわち、Ｗ_max、Ｗ_minとの差は、有機発光層１２３が発する光の波長が短いほど大きい構成としてもよい。微小な膜厚バラツキに起因して生じる光路差の影響が光の波長が短いほど相対的に大きくなり輝度ムラがより顕著に認識され、ムラを目だたなくするためにより大きな輝度変化を重畳させる必要があるからである。

また、上記態様では、着目する矩形領域Ａ１部は、行方向に少なくとも５個以上の画素を含み、列方向に少なくとも１０個以上の画素を含む構成、すなわち、行方向に少なくとも１５個以上の副画素を含み、列方向に少なくとも１０個以上の副画素を含む構成としたが、さらに大きな矩形領域を対象としてもよい。
また、基板１００ｘには、矩形領域Ａ１が行及び列方向に繰り返し複数配されている構成としてもよい。矩形領域Ａ１部を、行方向に少なくとも５個以上の画素を含み、列方向に少なくとも１０個以上の画素を含む範囲とすることにより、矩形領域Ａ１を行及び列方向に繰り返し複数配した場合でも周期性のあるムラとして認識されにくい。また、乱数を発生して有機発光層１２３の行方向の幅Ｗ（ｉ，ｊ）を規定する範囲を矩形領域Ａ１に限定することができるので、基板１００ｘの設計を容易にすることができるからである。

３ 表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図８〜１３を用いて説明する。図８〜図１３における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
（１）基板１００ｘの準備
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図８（ａ））。

（２）平坦化層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図８（ｂ））。
（３）、画素電極１１９、ホール注入層１２０Ａの形成
スパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法を用い金属膜を積層して形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。

具体的には、先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い製膜前洗浄を行う。
次に、平坦化層１１８の表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極１１９を形成するための第２金属層１１９Ｘを気相成長法により平坦化層１１８の表面に製膜する（図８（ｃ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。

さらに、第２金属層１１９Ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、ホール注入層１２０Ａを形成するための第３金属層１２０ＡＸを気相成長法により第２金属層１１９Ｘの表面に製膜する（図８（ｃ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図８（ｄ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。

その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、第３金属層１２０ＡＸ、第２金属層１１９Ｘにエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０Ａ、画素電極１１９を形成する。
最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０Ａの積層体を形成する（図９（ａ））。

（４）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａを形成した後、ホール注入層１２０Ａを覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する（図９（ｂ））。

先ず、行バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する。
行バンク１２２Ｘのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。

次に、列バンク５２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０Ａ上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。

具体的には、列バンク５２２Ｙの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。

フォトマスクには、転写される複数の列バンク５２２Ｙのそれぞれの厚みが、画素電極１１９の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に不規則又は非周期的に変化し、その列方向における変化の態様はそれぞれの列バンク５２２Ｙ毎に異なる態様をなすような形状の開口が開設されている。あるいは、フォトマスクは、行列方向にそれぞれ所定個数以上の画素を含み、転写される列バンク５２２Ｙのそれぞれの厚みが列方向に不規則又は非周期的に変化し、その変化の態様が列バンク５２２Ｙ毎に異なるような開口を有する矩形領域が、行及び列方向に繰り返し複数配されている構成としてもよい。係るフォトマスクを用いることにより、図７に示すような形状の列バンク５２２Ｙの形状をパターニングすることができる。

次に、感光性樹脂を現像、によって列バンク５２２Ｙをパターニングした絶縁層を、焼成（約２３０℃、約６０分）することにより形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。
ここで、ホール注入層１２０Ａは、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０Ａとして完成する。

列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。
（５）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図９（ｃ））。

ホール注入層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。

ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図１０（ａ））。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。

発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図１０（ａ））。具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。

（列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する方法）
次に、インクジェット法を用いて、発光層１２３のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法の詳細について説明する。図１６は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、隣接する列バンク５２２Ｙ間の堀状の間隙５２２ｚに一様に発光層形成用のインクを塗布する工程を示す模式平面図である。

次に、１色の間隙中にインク（例えば、赤色間隙用のインク）を塗布する方法について説明する。発光層１２３は、発光領域だけでなく、隣接する非自己発光領域まで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、発光領域に塗布されたインクが、非自己発光領域に塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、後述する本実施の形態に係るインク乾燥工程を実施することにより列方向の画素間でその発光層１２３の膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域では、Ｘ方向に延伸した低い行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらや寿命低下が改善される。

本塗布方法では、図１６に示すように、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹＸがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク５２２ＹＸ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。

なお、同一の塗布量にて発光層１２３のインクを塗布する領域は、ｘ方向に隣接して並ぶ３つの領域の中の１つである。
ＲＧＢ３色の発光層１２３の形成する場合に、例えば、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して基板上の複数の第１色目の間隙にインクを塗布し、次に、ノズルから吐出するインクの量を第２の条件に設定してその基板上の複数の第２色目の間隙にインクを塗布し、次にノズルから吐出するインクの量を第３の条件に設定してその基板上の複数の第３色目の間隙にインクを塗布する方法で、３色全部の間隙にインクを順次塗布する。

また、上記において、複数の基板に対して第１色目の間隙へのインクの塗布が終わると、次に、その複数の基板に第２色目の間隙にインクを塗布し、次にその複数の基板の第３色目の間隙にインクを塗布する工程を繰り返し行って、３色の間隙用のインクを順次塗布してもよい。
なお、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。

上述のおおり、複数の列バンク５２２Ｙのそれぞれの厚みが、画素電極１１９の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に不規則又は非周期的に変化し、その列方向における変化の態様はそれぞれの列バンク５２２Ｙ毎に異なる態様をなすような形状に形成されている。そのため、隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに、インクジェット法等、湿式成膜法を用いて発光層１２３を形成することにより、形成された発光層１２３は平面視したとき、発光層１２３の行方向の幅は、列バンク５２２Ｙ同様、画素電極１１９の列方向のピッチ以下の最小間隔Ｐｉで不規則又は非周期的に変化しており、当該幅の列方向における変化の態様が、それぞれの有機発光層１２３毎に異なる構成となる。有機発光層１２３行方向の幅は、列バンク間５２２Ｙの間隙５２２ｚ幅により規定されるからである。

（６）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図１０（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層１２４Ａは、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。電子輸送層１２４Ａの上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、電子輸送層１２４Ｂを、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。なお、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂの膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。

（７）共通電極層１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極層１２５を形成する。共通電極層１２５は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物からなる共通電極層１２５Ａと、共通電極層１２５Ａ上に積層された金属を主成分とする共通電極層１２５Ｂとを含む。

このうち、先ず、共通電極層１２５Ａは、電子輸送層１２４を被覆するように、スパッタリング法などにより形成する（図１０（ｃ））。本例では、共通電極層１２５Ａはスパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としている。
次に、共通電極層１２５Ｂは、共通電極層１２５Ａ上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する（図１０（ｃ））。本例では、共通電極層１２５Ｂを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。

（８）封止層１２６の形成
共通電極層１２５を形成した後、共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図１０（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（９）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。

透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図１１（ａ））。
塗布した遮光層１２９の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図１１（ｂ））。

その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１２９を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図１１（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料１２８Ｇを塗布し（図１１（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１１（ｅ））。

その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１２８Ｒを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図１１（ｆ））。
この図１１（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する（図１１（ｇ））。なお、ペースト１２８Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。

（１０）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１２（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１２（ｂ））。

４．効果確認試験
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。
発明者は、スジ状の輝度ムラの視認性について評価を行った。図１４（ａ）（ｂ）は、評価に用いた表示パネル１０用の基板１００ｘの実施例及び比較例の態様を示す模式平面図である。図１４（ａ）に示す実施例は、図７に示したものと同じ仕様である。図１４（ｂ）に示す比較例は、列絶縁層間５２２Ｙの間隙５２２ｚ幅により規定される有機発光層１２３の行方向の幅Ｗｉ（ｉ＝１〜ｍａｘ）が列方向に一定とした仕様である。実施例と比較例の基板を用いて、インクヘッドＩのノズル列をＹ方向に平行にした状態でインクヘッドＩを基板１００ｘに対し相対的にＸ方向に移動させて発光層１２３を形成して表示パネルを完成し、実施例及び比較例のパネルに対して列方向の各画素には輝度補正を施した画像信号を付与して駆動し、垂直方向（高視野角）、及び垂直方向から４５°傾いた方向（低視野角）から見たときの輝度分布を測定した。

図１５（ａ）は、表示パネル１０の比較例を垂直方向から見たときの輝度分布を示す測定結果、（ｂ）は比較例を垂直方向から４５°傾いた方向から見たときの輝度分布を示す測定結果、（ｃ）は比較例を垂直方向から４５°傾いた方向から見たときの輝度分布を示す測定結果である。それぞれ、実施例及び比較例のパネルにおけるＸ方向の異なる位置で、間隙５２２ｚＧ１から５２２ｚＧ５Ｙを列方向に切断した断面（図中Ｇ１〜Ｇ５）でのＹ方向に１０副画素に相当する領域の輝度分布である。

先ず、図１５（ａ）に示すように、垂直方向から見たときの比較例における輝度分布（Ｇ１〜Ｇ５）では、列方向の各画素には輝度補正を施した画像信号が付与されており、列方向に３％を超える輝度変動は観測されない。そのため、行方向に平行なスジ状の輝度ムラは全く認識されない。また、実施例においても比較例と同様の結果が確認された。
一方、図１５（ｂ）に示すように、垂直方向から４５°傾いた方向から見たときの比較例における輝度分布（Ｇ１〜Ｇ５）では、列方向の各画素に対する輝度補正を施した条件において、列方向に約１０％程度の輝度変動が生じている。さらに、輝度変動は列方向に類似した分布形状をなしており、特に、列方向において平均値よりも輝度が高い部分が行方向に連続している。そのため、行方向に平行な高輝度帯がスジ状の輝度ムラとして認識され易いことがわかる。

これに対し、図１５（ｃ）に示すように、垂直方向から４５°傾いた方向から見たときの実施例における輝度分布（Ｇ１〜Ｇ５）では、列方向の各画素に対する輝度補正を施した条件において、列方向に約５％程度、変動幅として比較例の半分程度の輝度変動が生じている。しかしながら、輝度変動は列方向に異なる分布形状をなしており、特に、列方向において平均値よりも輝度が高い部分が不規則に発生し行方向に連続していない。そのため、間隙５２２ｚＧ１から５２２ｚＧ５Ｙにおける列方向の輝度変動は行方向に平行な高輝度帯を形成することはなく、実施例では、行方向に平行なスジ状の輝度ムラとしては認識され難いことがわかる。

５．小 括
以上、説明したように、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０は、基板１００ｘ上に行列状に配された複数の画素電極１１９と、基板上方であって、少なくとも画素電極１１９の行方向外縁間に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンク５２２Ｙと、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚそれぞれに列方向に連続して配されている有機発光層１２３と、有機機能層上方に配された対向電極層１２５とを備え、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ幅により規定される有機発光層１２３の行方向の幅は、画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で、それぞれの有機発光層１２３毎に異なる態様で列方向に変化していることを特徴とする。また、別の態様では、複数の列バンク５２２Ｙのそれぞれの厚みは、それぞれの列バンク毎に異なる態様で、画素電極１１９の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に不規則又は非周期的に変化している構成としてもよい。

係る構成により、列状の機能層が並設されたパネル構造において、行方向に共通して生じる列方向における機能層の膜厚の変化に起因する行方向のスジ状の輝度ムラに異なる態様の輝度分布の変調を重畳することにより、行方向のスジ状の輝度ムラを目立たなくすることができる。
６． 変形例
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。

表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
また、表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。

実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、白色などに発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。

また、上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。

また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。

また、上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。

また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。

本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。

１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ 副画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１１８ 層間絶縁層
１１９ 画素電極
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ バンク
１２２Ｘ 行バンク（行絶縁層）
５２２Ｙ 列バンク（列絶縁層）
５２２ｚ 間隙
１２３ 発光層
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ 電子輸送層
１２５、１２５Ａ、１２５Ｂ 共通電極層（対向電極層）
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１３０ 上部基板
１３１ カラーフィルタ基板

Claims (10)

1. 複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
   基板と、
   前記基板上に行列状に配された複数の画素電極と、
   前記基板上方であって、少なくとも前記画素電極の行方向外縁間に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列絶縁層と、
   行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに列方向に連続して配されている有機発光層と、
   前記有機発光層上方に配された対向電極層とを備え、
   前記列絶縁層間の間隙幅により規定される前記有機発光層の行方向の幅は、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で列方向に変化している
   有機ＥＬ表示パネル。
2. 前記複数の列絶縁層のそれぞれの厚みは、それぞれの前記列絶縁層毎に異なる態様で、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に不規則又は非周期的に変化している
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
3. 前記最小間隔は、前記画素電極の列方向のピッチの１／６以下である
   請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
4. 前記有機発光層の行方向の幅の変化の範囲は、前記有機発光層が発する光の波長が短いほど大きい
   請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
5. 前記複数の列絶縁層から選択される２組の隣接する列絶縁層間の列方向の複数の位置における有機発光層の行方向の幅から構成される２組の数列間の相互相関係数の絶対値は０．２以下である
   請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
6. 前記複数の列絶縁層から選択される行方向に隣接する３本の列絶縁層を、それぞれ第１の列絶縁層、第２の列絶縁層、第３の列絶縁層とし、前記第１の列絶縁層及び前記第２の列絶縁層間の、列方向の複数の位置における有機発光層の行方向の幅から構成される数列
   と、前記第２の列絶縁層及び前記第３の列絶縁層間の、前記列方向の複数の位置における有機発光層の行方向の幅から構成される数列との相互相関係数の絶対値を隣接相間値としたとき、
   前記複数の列絶縁層すべてから前記３本の列絶縁層を選択して算出した前記隣接相間値の平均は０．２以下である
   請求項１から５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
7. 複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
   基板と、
   前記基板上に行列状に配された複数の画素電極と、
   前記基板上方であって、少なくとも前記画素電極の行方向外縁間に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列絶縁層と、
   行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに列方向に連続して配されている有機発光層と、
   前記有機発光層上方に配された対向電極層とを備え、
   行列方向に少なくとも行及び列方向に所定の個数以上の画素が配された前記基板上の矩形領域において、前記列絶縁層間の間隙幅により規定される前記有機発光層の行方向の幅は、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で列方向に変化しており、
   前記基板には、前記矩形領域が列方向に繰り返し複数配されている
   有機ＥＬ表示パネル。
8. 前記矩形領域は、行方向に少なくとも５個以上の画素を含み、列方向に少なくとも１０個以上の画素を含む
   請求項７に記載の有機ＥＬ表示パネル。
9. 複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
   基板を準備する工程と、
   前記基板上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
   前記基板上方であって、少なくとも前記画素電極の行方向外縁間に列方向に延伸して行方向に複数の列絶縁層を並設する工程と、
   行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布した後乾燥させて有機発光層を形成する工程と、
   前記有機発光層上方に対向電極層を形成する工程とを備え、
   前記列絶縁層を並設する工程では、前記複数の列絶縁層のそれぞれの厚みは、それぞれの前記列絶縁層毎に異なる態様で、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に不規則又は非周期的に変化するように形成される
   有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
10. 前記有機発光層を形成する工程では、前記有機発光層の行方向の幅は、それぞれの前記有機発光層毎に異なる態様で、前記画素電極の列方向のピッチ以下の最小間隔で列方向に変化するように形成される
    請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。