JP2002231459A - 発光体、発光素子、及び発光表示装置 - Google Patents
発光体、発光素子、及び発光表示装置Info
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、長時間の素子発光寿命を確保する
ことができる発光素子構造を提供できる発光体、発光素
子、及び発光表示装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 基体上に下電極のパターンが形成され、
下電極のパターン上に発光層のパターンが形成され、発
光層のパターン上に透明電極が形成されている発光素
子、及び有機薄膜が印加電流によって発光する構造を有
する発光体に対して、下電極のパターンよりも透明電極
のパターンの方が大きくなるようにする。また、下電極
のパターンのすべての領域上に透明電極のパターンを形
成する。発光層のパターンよりも透明電極のパターンの
方を大きくする。発光層のパターンのすべての領域上に
透明電極のパターンを形成する。
ことができる発光素子構造を提供できる発光体、発光素
子、及び発光表示装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 基体上に下電極のパターンが形成され、
下電極のパターン上に発光層のパターンが形成され、発
光層のパターン上に透明電極が形成されている発光素
子、及び有機薄膜が印加電流によって発光する構造を有
する発光体に対して、下電極のパターンよりも透明電極
のパターンの方が大きくなるようにする。また、下電極
のパターンのすべての領域上に透明電極のパターンを形
成する。発光層のパターンよりも透明電極のパターンの
方を大きくする。発光層のパターンのすべての領域上に
透明電極のパターンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光デバイス技術
に係り、特に大きな開口率を得ることができ、発光素子
の封止を省略でき、透明電極形成後に真空を破って他の
成膜装置に移した後に保護層を形成することが可能な膜
面発光タイプの発光素子に対して、長時間の素子発光寿
命を確保することができる発光素子構造を提供できる発
光体、発光素子、及び発光表示装置に関する。
に係り、特に大きな開口率を得ることができ、発光素子
の封止を省略でき、透明電極形成後に真空を破って他の
成膜装置に移した後に保護層を形成することが可能な膜
面発光タイプの発光素子に対して、長時間の素子発光寿
命を確保することができる発光素子構造を提供できる発
光体、発光素子、及び発光表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、表示装置に用いられる自発光体
としては、フィールドエミッション素子とエレクトロ・
ルミネッセンス（ＥＬ）素子がある。このうち、ＥＬ素
子は、有機材料を発光層とする有機ＥＬ素子と、無機材
料を発光層にする無機ＥＬ素子とに分けられる。
としては、フィールドエミッション素子とエレクトロ・
ルミネッセンス（ＥＬ）素子がある。このうち、ＥＬ素
子は、有機材料を発光層とする有機ＥＬ素子と、無機材
料を発光層にする無機ＥＬ素子とに分けられる。
【０００３】有機ＥＬ素子は、アノードと、カソード
と、これらアノードとカソードの２種の電極間に挟ま
れ、有機発光性化合物からなる超薄膜の有機ＥＬ層とか
らなる。アノード−カソード間に電圧を印加すると、ア
ノードからは正孔が、カソードからは電子がそれぞれ有
機ＥＬ層に注入されて再結合し、その際に生ずるエネル
ギーにより有機ＥＬ層を構成する有機発光性化合物の分
子が励起される。このようにして励起された分子が基底
状態に失活する過程で発光現象が生じる。有機ＥＬ素子
はこの発光現象を利用した発光体である。
と、これらアノードとカソードの２種の電極間に挟ま
れ、有機発光性化合物からなる超薄膜の有機ＥＬ層とか
らなる。アノード−カソード間に電圧を印加すると、ア
ノードからは正孔が、カソードからは電子がそれぞれ有
機ＥＬ層に注入されて再結合し、その際に生ずるエネル
ギーにより有機ＥＬ層を構成する有機発光性化合物の分
子が励起される。このようにして励起された分子が基底
状態に失活する過程で発光現象が生じる。有機ＥＬ素子
はこの発光現象を利用した発光体である。
【０００４】有機ＥＬ層は、正孔と電子が再結合して発
光する発光層と呼ばれる有機層、正孔が注入されやす
く、かつ、電子を移動させにくい正孔輸送層と呼ばれる
有機層、及び電子が注入されやすく、かつ、正孔を移動
させにくい電子輸送層と呼ばれる有機層のうち少なくと
も１つを含む単層構造または多層積層構造を有してい
る。
光する発光層と呼ばれる有機層、正孔が注入されやす
く、かつ、電子を移動させにくい正孔輸送層と呼ばれる
有機層、及び電子が注入されやすく、かつ、正孔を移動
させにくい電子輸送層と呼ばれる有機層のうち少なくと
も１つを含む単層構造または多層積層構造を有してい
る。
【０００５】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究され、実
用化されつつある。有機ＥＬ素子は、錫ドープ酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）などの透明電極（ホール注入電極すな
わち陽極）上にトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）などの
ホール注入材料を蒸着により薄膜とし、さらにアルミキ
ノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの蛍光物質を発光層と
して積層し、さらにＡｇＭｇなどの仕事関数の小さな金
属電極（電子注入電極すなわち陰極）を形成した基本構
成を有する素子であって、１０Ｖ前後の印加電圧で数１
００から数１００００ｃｄ／ｍ２ときわめて高い輝度が
得られるため、家電製品や自動車、二輪車、航空機等の
電装品、ディスプレイ等として注目されている。
用化されつつある。有機ＥＬ素子は、錫ドープ酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）などの透明電極（ホール注入電極すな
わち陽極）上にトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）などの
ホール注入材料を蒸着により薄膜とし、さらにアルミキ
ノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの蛍光物質を発光層と
して積層し、さらにＡｇＭｇなどの仕事関数の小さな金
属電極（電子注入電極すなわち陰極）を形成した基本構
成を有する素子であって、１０Ｖ前後の印加電圧で数１
００から数１００００ｃｄ／ｍ２ときわめて高い輝度が
得られるため、家電製品や自動車、二輪車、航空機等の
電装品、ディスプレイ等として注目されている。
【０００６】このような有機ＥＬ素子は、例えば、発光
層等の有機層が、電子注入電極となる走査（コモンライ
ン）電極と、ホール注入電極（透明電極）となるデータ
（セグメントライン）電極とで挟まれ、かつ透明（ガラ
ス）基板に形成された構造を有する。また、ディスプレ
イとして形成されたものでは、マトリクス状に配置され
た走査電極とデータ電極とによりドット表示させ、これ
らのドット（画素）の集合体としてイメージやキャラク
タ等の情報を表示するマトリクスディスプレイと、予め
決められた形状、大きさの表示器として独立に存在して
いるものを表示させるセグメントディスプレイとに大別
される。
層等の有機層が、電子注入電極となる走査（コモンライ
ン）電極と、ホール注入電極（透明電極）となるデータ
（セグメントライン）電極とで挟まれ、かつ透明（ガラ
ス）基板に形成された構造を有する。また、ディスプレ
イとして形成されたものでは、マトリクス状に配置され
た走査電極とデータ電極とによりドット表示させ、これ
らのドット（画素）の集合体としてイメージやキャラク
タ等の情報を表示するマトリクスディスプレイと、予め
決められた形状、大きさの表示器として独立に存在して
いるものを表示させるセグメントディスプレイとに大別
される。
【０００７】セグメントディスプレイの場合、各表示器
をそれぞれ別個独立に表示させるスタティック駆動方式
も可能であるが、マトリクスディスプレイの場合、通
常、各走査ライン及びデータラインを時分割駆動するダ
イナミックドライブ方式が採用されている。
をそれぞれ別個独立に表示させるスタティック駆動方式
も可能であるが、マトリクスディスプレイの場合、通
常、各走査ライン及びデータラインを時分割駆動するダ
イナミックドライブ方式が採用されている。
【０００８】有機ＥＬ素子の発光部を構成する発光体と
しては、透明基板／透明電極／発光層／金属電極という
構成を用い、発光層において発生した光が透明電極及び
透明基板を透過して発せられる基板面発光タイプと、基
板／金属電極／発光層／透明電極という構成を用い、発
光層において発生した光が透明電極を透過して基板面と
は逆側の膜面側から発せられる膜面発光タイプとに分け
られる。
しては、透明基板／透明電極／発光層／金属電極という
構成を用い、発光層において発生した光が透明電極及び
透明基板を透過して発せられる基板面発光タイプと、基
板／金属電極／発光層／透明電極という構成を用い、発
光層において発生した光が透明電極を透過して基板面と
は逆側の膜面側から発せられる膜面発光タイプとに分け
られる。
【０００９】基板面発光タイプの素子については、例え
ば、アプライド・フィジカル・レターの第５１巻、９１
３−９１５頁（１９８７）（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．， ５１， ９１３−９１５ （１９８
７））に記載されている。
ば、アプライド・フィジカル・レターの第５１巻、９１
３−９１５頁（１９８７）（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．， ５１， ９１３−９１５ （１９８
７））に記載されている。
【００１０】また、膜面発光タイプの素子については、
例えば、アプライド・フィジカル・レターの第６５巻、
２６３６−２６３８頁（１９９４）（Ａｐｐｌ． Ｐｈ
ｙｓ． Ｌｅｔｔ．， ６５，２６３６−２６３８
（１９９４））に記載されている。
例えば、アプライド・フィジカル・レターの第６５巻、
２６３６−２６３８頁（１９９４）（Ａｐｐｌ． Ｐｈ
ｙｓ． Ｌｅｔｔ．， ６５，２６３６−２６３８
（１９９４））に記載されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記基
板面発光タイプは、基板面側からの発光になるため、基
板面と発光面との間に駆動回路や配線などの不透明物質
が挿入されると、光が遮られ開口率及び輝度が低下する
という問題が生じていた。さらに、腐食されやすい金属
電極及び発光層が透明電極上に来るため、金属電極形成
後に真空を破ることなしに素子の封止を行わないと、発
光特性が劣化してしまうという問題があった。発光体の
封止技術に関しては、例えば、特開平８−１２４６７７
号公報に記載されている。
板面発光タイプは、基板面側からの発光になるため、基
板面と発光面との間に駆動回路や配線などの不透明物質
が挿入されると、光が遮られ開口率及び輝度が低下する
という問題が生じていた。さらに、腐食されやすい金属
電極及び発光層が透明電極上に来るため、金属電極形成
後に真空を破ることなしに素子の封止を行わないと、発
光特性が劣化してしまうという問題があった。発光体の
封止技術に関しては、例えば、特開平８−１２４６７７
号公報に記載されている。
【００１２】一方、上記膜面発光タイプは、基板面と発
光面との間に駆動回路や配線などが挿入されても開口率
は低下しない。また、腐食されやすい金属電極及び発光
層が透明電極と基板との間に位置するため、金属電極、
発光層及び透明電極のパターンの大きさ及び位置関係を
選択することにより、透明電極成膜後に真空を破っても
直ちに発光特性が劣化することはなくなり、発光素子の
封止を省略したり、透明電極形成後に一度真空を破って
他の成膜装置に移した後に保護層を形成することが可能
になる。
光面との間に駆動回路や配線などが挿入されても開口率
は低下しない。また、腐食されやすい金属電極及び発光
層が透明電極と基板との間に位置するため、金属電極、
発光層及び透明電極のパターンの大きさ及び位置関係を
選択することにより、透明電極成膜後に真空を破っても
直ちに発光特性が劣化することはなくなり、発光素子の
封止を省略したり、透明電極形成後に一度真空を破って
他の成膜装置に移した後に保護層を形成することが可能
になる。
【００１３】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、大きな開口率を得
ることができ、発光素子の封止を省略でき、透明電極形
成後に真空を破って他の成膜装置に移した後に保護層を
形成することが可能な膜面発光タイプの発光素子に対し
て、長時間の素子発光寿命を確保することができる発光
素子構造を提供できる発光体、発光素子、及び発光表示
装置を提供する点にある。
のであり、その目的とするところは、大きな開口率を得
ることができ、発光素子の封止を省略でき、透明電極形
成後に真空を破って他の成膜装置に移した後に保護層を
形成することが可能な膜面発光タイプの発光素子に対し
て、長時間の素子発光寿命を確保することができる発光
素子構造を提供できる発光体、発光素子、及び発光表示
装置を提供する点にある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に記
載の発明の要旨は、基体上に下電極のパターンが形成さ
れ、当該下電極のパターン上に発光層のパターンが形成
され、当該発光層のパターン上に透明電極が形成されて
いる発光体であって、当該下電極のパターンよりも透明
電極のパターンの方が大きいことを特徴とする発光体に
存する。また、この発明の請求項２に記載の発明の要旨
は、基体上に下電極のパターンが形成され、当該下電極
のパターン上に発光層のパターンが形成され、当該発光
層のパターン上に透明電極が形成されている発光体であ
って、当該下電極のパターンのすべての領域上に透明電
極のパターンが形成されていることを特徴とする発光体
に存する。また、この発明の請求項３に記載の発明の要
旨は、基体上に下電極のパターンが形成され、当該下電
極のパターン上に発光層のパターンが形成され、当該発
光層のパターン上に透明電極が形成されている発光体で
あって、当該発光層のパターンよりも透明電極のパター
ンの方が大きいことを特徴とする発光体に存する。ま
た、この発明の請求項４に記載の発明の要旨は、基体上
に下電極のパターンが形成され、当該下電極のパターン
上に発光層のパターンが形成され、当該発光層のパター
ン上に透明電極が形成されている発光体であって、当該
発光層のパターンのすべての領域上に透明電極のパター
ンが形成されていることを特徴とする発光体に存する。
また、この発明の請求項５に記載の発明の要旨は、前記
透明電極、前記発光層及び前記下電極からなる素子部が
エレクトロ・ルミネッセンス素子であることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光体に存す
る。また、この発明の請求項６に記載の発明の要旨は、
前記エレクトロ・ルミネッセンス素子は、有機薄膜が印
加電流によって発光する構造を有することを特徴とする
請求項５に記載の発光体に存する。また、この発明の請
求項７に記載の発明の要旨は、前記透明電極と前記発光
層との間にホール注入層が形成されていることを特徴と
する請求項５または６に記載の発光体に存する。また、
この発明の請求項８に記載の発明の要旨は、前記透明電
極と前記発光層との間に電子輸送層を形成することを特
徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の発光体
に存する。また、この発明の請求項９に記載の発明の要
旨は、前記電子輸送層を兼用した状態で複数個だけ独立
して形成されていることを特徴とする請求項８に記載の
発光体に存する。また、この発明の請求項１０に記載の
発明の要旨は、前記基体上に形成された下電極層、当該
下電極層上に形成された電子輸送層、当該電子輸送層上
に形成されホール注入層を兼ねた発光層、及び当該発光
層上に形成された金属電極層からなることを特徴とする
請求項５または６に記載の発光体に存する。また、この
発明の請求項１１に記載の発明の要旨は、ホール注入層
を兼用した状態で複数個だけ独立して形成されているこ
とを特徴とする請求項７または１０に記載の発光体に存
する。また、この発明の請求項１２に記載の発明の要旨
は、導光体端面上に形成された透明電極層、当該透明電
極層上に形成された、ホール注入層及び電子輸送層を兼
ねた発光層、及び当該発光層上に形成された金属電極層
からなることを特徴とする請求項５または６に記載の発
光体に存する。また、この発明の請求項１３に記載の発
明の要旨は、前記透明電極層を兼用した状態で複数個だ
け独立して形成されていることを特徴とする請求項１乃
至１２のいずれか一項に記載の発光体に存する。また、
この発明の請求項１４に記載の発明の要旨は、平面的に
並べて配置された少なくとも３つの独立した発光体から
成り、第１の発光体または発光体群が赤領域の波長で発
光し、第２の発光体または発光体群が緑領域の波長で発
光し、第３の発光体または発光体群が青領域の波長で発
光することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一
項に記載の発光体に存する。また、この発明の請求項１
５に記載の発明の要旨は、赤領域、緑領域、及び青領域
の波長を同時に発光できる構造を有していることを特徴
とする請求項１４に記載の発光体に存する。また、この
発明の請求項１６に記載の発明の要旨は、複数の独立し
て平面的に並べて配置され、そのそれぞれが青色領域の
光、赤色領域の光、及び緑色領域の光の混合色で発光す
ることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に
記載の発光体に存する。また、この発明の請求項１７に
記載の発明の要旨は、請求項６乃至１６のいずれか一項
に記載の発光体を備えた素子部と、当該素子部に電気的
に接続され当該素子部に電流を印加するための電流印加
素子から形成されていることを特徴とする発光素子に存
する。また、この発明の請求項１８に記載の発明の要旨
は、前記電流印加素子がゲート、ドレイン及びソースか
らなる薄膜トランジスタからなり、前記透明電極または
前記下電極のいずれかがドレインあるいはソースのいず
れかに接続されていることを特徴とする請求項１７に記
載の発光素子に存する。また、この発明の請求項１９に
記載の発明の要旨は、前記電流印加素子に接続され、当
該電流印加素子が前記透明電極、前記発光層及び前記下
電極からなる前記素子部に電流を流すか否かを選択する
スイッチング素子を含むことを特徴とする請求項１７ま
たは１８に記載の発光素子に存する。また、この発明の
請求項２０に記載の発明の要旨は、前記スイッチング素
子を少なくとも１個のトランジスタを含む構成とし、当
該スイッチング素子に含まれるトランジスタのドレイン
が、前記電流印加素子に含まれるトランジスタのゲート
に接続されていることを特徴とする請求項１９記載の発
光素子に存する。また、この発明の請求項２１に記載の
発明の要旨は、前記電流印加素子に接続され、当該電流
印加素子が前記透明電極、前記発光層及び前記下電極か
らなる前記素子部に電流を流すか否かを選択するスイッ
チング素子を含み、当該電流印加素子に電流を供給する
ための配線と、当該スイッチング素子にオン／オフの電
圧情報を印加するための配線を含むことを特徴とする請
求項１９または２０に記載の発光素子に存する。また、
この発明の請求項２２に記載の発明の要旨は、請求項２
１に記載の発光素子を複数含み、前記電流印加素子に電
流を供給するための配線と、前記スイッチング素子にオ
ン／オフの電圧情報を印加するための配線及び当該電流
印加素子に電流を供給するための配線をマトリックス状
に配置したことを特徴とする発光表示装置に存する。ま
た、この発明の請求項２３に記載の発明の要旨は、一方
向に配置された配線とそれとは他方向に配置された配線
とのなす角が略垂直であることを特徴とする請求項２２
に記載の発光表示装置に存する。
載の発明の要旨は、基体上に下電極のパターンが形成さ
れ、当該下電極のパターン上に発光層のパターンが形成
され、当該発光層のパターン上に透明電極が形成されて
いる発光体であって、当該下電極のパターンよりも透明
電極のパターンの方が大きいことを特徴とする発光体に
存する。また、この発明の請求項２に記載の発明の要旨
は、基体上に下電極のパターンが形成され、当該下電極
のパターン上に発光層のパターンが形成され、当該発光
層のパターン上に透明電極が形成されている発光体であ
って、当該下電極のパターンのすべての領域上に透明電
極のパターンが形成されていることを特徴とする発光体
に存する。また、この発明の請求項３に記載の発明の要
旨は、基体上に下電極のパターンが形成され、当該下電
極のパターン上に発光層のパターンが形成され、当該発
光層のパターン上に透明電極が形成されている発光体で
あって、当該発光層のパターンよりも透明電極のパター
ンの方が大きいことを特徴とする発光体に存する。ま
た、この発明の請求項４に記載の発明の要旨は、基体上
に下電極のパターンが形成され、当該下電極のパターン
上に発光層のパターンが形成され、当該発光層のパター
ン上に透明電極が形成されている発光体であって、当該
発光層のパターンのすべての領域上に透明電極のパター
ンが形成されていることを特徴とする発光体に存する。
また、この発明の請求項５に記載の発明の要旨は、前記
透明電極、前記発光層及び前記下電極からなる素子部が
エレクトロ・ルミネッセンス素子であることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光体に存す
る。また、この発明の請求項６に記載の発明の要旨は、
前記エレクトロ・ルミネッセンス素子は、有機薄膜が印
加電流によって発光する構造を有することを特徴とする
請求項５に記載の発光体に存する。また、この発明の請
求項７に記載の発明の要旨は、前記透明電極と前記発光
層との間にホール注入層が形成されていることを特徴と
する請求項５または６に記載の発光体に存する。また、
この発明の請求項８に記載の発明の要旨は、前記透明電
極と前記発光層との間に電子輸送層を形成することを特
徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の発光体
に存する。また、この発明の請求項９に記載の発明の要
旨は、前記電子輸送層を兼用した状態で複数個だけ独立
して形成されていることを特徴とする請求項８に記載の
発光体に存する。また、この発明の請求項１０に記載の
発明の要旨は、前記基体上に形成された下電極層、当該
下電極層上に形成された電子輸送層、当該電子輸送層上
に形成されホール注入層を兼ねた発光層、及び当該発光
層上に形成された金属電極層からなることを特徴とする
請求項５または６に記載の発光体に存する。また、この
発明の請求項１１に記載の発明の要旨は、ホール注入層
を兼用した状態で複数個だけ独立して形成されているこ
とを特徴とする請求項７または１０に記載の発光体に存
する。また、この発明の請求項１２に記載の発明の要旨
は、導光体端面上に形成された透明電極層、当該透明電
極層上に形成された、ホール注入層及び電子輸送層を兼
ねた発光層、及び当該発光層上に形成された金属電極層
からなることを特徴とする請求項５または６に記載の発
光体に存する。また、この発明の請求項１３に記載の発
明の要旨は、前記透明電極層を兼用した状態で複数個だ
け独立して形成されていることを特徴とする請求項１乃
至１２のいずれか一項に記載の発光体に存する。また、
この発明の請求項１４に記載の発明の要旨は、平面的に
並べて配置された少なくとも３つの独立した発光体から
成り、第１の発光体または発光体群が赤領域の波長で発
光し、第２の発光体または発光体群が緑領域の波長で発
光し、第３の発光体または発光体群が青領域の波長で発
光することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一
項に記載の発光体に存する。また、この発明の請求項１
５に記載の発明の要旨は、赤領域、緑領域、及び青領域
の波長を同時に発光できる構造を有していることを特徴
とする請求項１４に記載の発光体に存する。また、この
発明の請求項１６に記載の発明の要旨は、複数の独立し
て平面的に並べて配置され、そのそれぞれが青色領域の
光、赤色領域の光、及び緑色領域の光の混合色で発光す
ることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に
記載の発光体に存する。また、この発明の請求項１７に
記載の発明の要旨は、請求項６乃至１６のいずれか一項
に記載の発光体を備えた素子部と、当該素子部に電気的
に接続され当該素子部に電流を印加するための電流印加
素子から形成されていることを特徴とする発光素子に存
する。また、この発明の請求項１８に記載の発明の要旨
は、前記電流印加素子がゲート、ドレイン及びソースか
らなる薄膜トランジスタからなり、前記透明電極または
前記下電極のいずれかがドレインあるいはソースのいず
れかに接続されていることを特徴とする請求項１７に記
載の発光素子に存する。また、この発明の請求項１９に
記載の発明の要旨は、前記電流印加素子に接続され、当
該電流印加素子が前記透明電極、前記発光層及び前記下
電極からなる前記素子部に電流を流すか否かを選択する
スイッチング素子を含むことを特徴とする請求項１７ま
たは１８に記載の発光素子に存する。また、この発明の
請求項２０に記載の発明の要旨は、前記スイッチング素
子を少なくとも１個のトランジスタを含む構成とし、当
該スイッチング素子に含まれるトランジスタのドレイン
が、前記電流印加素子に含まれるトランジスタのゲート
に接続されていることを特徴とする請求項１９記載の発
光素子に存する。また、この発明の請求項２１に記載の
発明の要旨は、前記電流印加素子に接続され、当該電流
印加素子が前記透明電極、前記発光層及び前記下電極か
らなる前記素子部に電流を流すか否かを選択するスイッ
チング素子を含み、当該電流印加素子に電流を供給する
ための配線と、当該スイッチング素子にオン／オフの電
圧情報を印加するための配線を含むことを特徴とする請
求項１９または２０に記載の発光素子に存する。また、
この発明の請求項２２に記載の発明の要旨は、請求項２
１に記載の発光素子を複数含み、前記電流印加素子に電
流を供給するための配線と、前記スイッチング素子にオ
ン／オフの電圧情報を印加するための配線及び当該電流
印加素子に電流を供給するための配線をマトリックス状
に配置したことを特徴とする発光表示装置に存する。ま
た、この発明の請求項２３に記載の発明の要旨は、一方
向に配置された配線とそれとは他方向に配置された配線
とのなす角が略垂直であることを特徴とする請求項２２
に記載の発光表示装置に存する。
【００１５】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１
（ａ）は本発明の発光体１４を表す断面概略図、図１
（ｂ）は上面概略図である。基体１は発光体１４を形成
する物体のことであり、基板または基板上に膜や素子が
形成されたものが含まれる（以降同じ）。基体１上には
下電極２ａのパターンが形成されている。下電極２ａ上
には発光材料層３ａのパターンが形成されている。発光
材料層３ａは少なくとも発光層（例えば、後述する発光
層７）を含む部分であり、発光層以外に電子輸送層（後
述する電子輸送層６）やホール注入層（後述するホール
注入層８）を含んでも良い（以降同じ）。
実施の形態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１
（ａ）は本発明の発光体１４を表す断面概略図、図１
（ｂ）は上面概略図である。基体１は発光体１４を形成
する物体のことであり、基板または基板上に膜や素子が
形成されたものが含まれる（以降同じ）。基体１上には
下電極２ａのパターンが形成されている。下電極２ａ上
には発光材料層３ａのパターンが形成されている。発光
材料層３ａは少なくとも発光層（例えば、後述する発光
層７）を含む部分であり、発光層以外に電子輸送層（後
述する電子輸送層６）やホール注入層（後述するホール
注入層８）を含んでも良い（以降同じ）。
【００１６】発光材料層３ａのパターンは下電極２ａの
パターンより大きく、下電極２ａのパターンのすべての
領域を覆っている。すなわち、発光材料層３ａのパター
ン端部３ｂはすべての領域において下電極２ａのパター
ン端部２ｂの外側に位置する。発光材料層３ａのパター
ンの上部には透明電極４ａが形成されている。図１
（ａ）では、透明電極４ａはパターン化されていないよ
うに示してあるが、これはパターンが図に示したような
範囲ではパターン化されないくらい、パターンが大きい
ことを意味する。
パターンより大きく、下電極２ａのパターンのすべての
領域を覆っている。すなわち、発光材料層３ａのパター
ン端部３ｂはすべての領域において下電極２ａのパター
ン端部２ｂの外側に位置する。発光材料層３ａのパター
ンの上部には透明電極４ａが形成されている。図１
（ａ）では、透明電極４ａはパターン化されていないよ
うに示してあるが、これはパターンが図に示したような
範囲ではパターン化されないくらい、パターンが大きい
ことを意味する。
【００１７】また本実施の形態の素子構造では、下電極
２ａ及び発光材料層３ａのすべての領域上に、腐食しに
くく、しかも透湿性の小さい透明電極４ａが形成されて
いる。このため、本実施の形態の素子構造の発光体１４
を真空を破って大気にさらしても、大気中に含まれる水
分や酸素を下電極２ａや発光材料層３ａから遮断するこ
とができ、下電極２ａ及び発光材料層３ａの腐食を防ぐ
ことができる。
２ａ及び発光材料層３ａのすべての領域上に、腐食しに
くく、しかも透湿性の小さい透明電極４ａが形成されて
いる。このため、本実施の形態の素子構造の発光体１４
を真空を破って大気にさらしても、大気中に含まれる水
分や酸素を下電極２ａや発光材料層３ａから遮断するこ
とができ、下電極２ａ及び発光材料層３ａの腐食を防ぐ
ことができる。
【００１８】また本実施の形態では、透明電極４ａ上に
下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や酸素より強
力に遮断するための保護層（後述する図１０乃至図１３
に示す保護層１６）を設けることもできる。
下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や酸素より強
力に遮断するための保護層（後述する図１０乃至図１３
に示す保護層１６）を設けることもできる。
【００１９】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図２
（ａ）は本発明の発光体１４を表す断面概略図、図２
（ｂ）は上面概略図である。基体１上には下電極２ａの
パターンが形成されている。下電極２ａ上には発光材料
層３ａのパターンが形成されている。発光材料層３ａの
パターンは下電極２ａのパターンより大きく、下電極２
ａのパターンのすべての領域を覆っている。図２（ａ）
では、発光材料層３ａはパターン化されていないように
示してあるが、これはパターンが図に示したような範囲
ではパターン化されないくらい、パターンが大きいこと
を意味する。発光材料層３ａ上には透明電極４ａのパタ
ーンが形成されている。透明電極４ａのパターンは、発
光材料層３ａのパターンよりは小さいが、下電極２ａの
パターンよりは大きい。また、下電極２ａのパターンの
すべての領域は透明電極４ａのパターンにより覆われて
いる。すなわち、下電極２ａのパターン端部２ｂはすべ
ての領域において、透明電極４ａのパターン端部４ｂよ
り内側にある。
態２を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図２
（ａ）は本発明の発光体１４を表す断面概略図、図２
（ｂ）は上面概略図である。基体１上には下電極２ａの
パターンが形成されている。下電極２ａ上には発光材料
層３ａのパターンが形成されている。発光材料層３ａの
パターンは下電極２ａのパターンより大きく、下電極２
ａのパターンのすべての領域を覆っている。図２（ａ）
では、発光材料層３ａはパターン化されていないように
示してあるが、これはパターンが図に示したような範囲
ではパターン化されないくらい、パターンが大きいこと
を意味する。発光材料層３ａ上には透明電極４ａのパタ
ーンが形成されている。透明電極４ａのパターンは、発
光材料層３ａのパターンよりは小さいが、下電極２ａの
パターンよりは大きい。また、下電極２ａのパターンの
すべての領域は透明電極４ａのパターンにより覆われて
いる。すなわち、下電極２ａのパターン端部２ｂはすべ
ての領域において、透明電極４ａのパターン端部４ｂよ
り内側にある。
【００２０】また本実施の形態の素子構造では、下電極
２ａのパターン及び発光材料層３ａのすべての領域上
に、腐食されにくく、かつ、透湿性も小さい透明電極４
ａが形成されている。ここで発光材料層３ａとは、発光
材料層３ａのうち、下電極２ａのパターンと透明電極４
ａとに挟まれており、下電極２ａと透明電極４ａとの間
に電圧を印加することにより発光が生じる部分である。
この場合は、発光材料層３ａのうち下電極２ａに接して
いる部分にほぼ一致する。本実施の形態の素子構造の発
光体１４は真空を破って大気にさらしても、大気中に含
まれる水分や酸素を下電極２ａから遮断することがで
き、下電極２ａの腐食を防ぐことができる。
２ａのパターン及び発光材料層３ａのすべての領域上
に、腐食されにくく、かつ、透湿性も小さい透明電極４
ａが形成されている。ここで発光材料層３ａとは、発光
材料層３ａのうち、下電極２ａのパターンと透明電極４
ａとに挟まれており、下電極２ａと透明電極４ａとの間
に電圧を印加することにより発光が生じる部分である。
この場合は、発光材料層３ａのうち下電極２ａに接して
いる部分にほぼ一致する。本実施の形態の素子構造の発
光体１４は真空を破って大気にさらしても、大気中に含
まれる水分や酸素を下電極２ａから遮断することがで
き、下電極２ａの腐食を防ぐことができる。
【００２１】また本実施の形態の素子構造は、発光材料
層３ａを下電極２ａのパターンをすべて覆い、透明電極
４ａのパターンに覆われるように精密にパターン化する
必要がないために、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した
構造と比較して製造が容易であり、製造コストの低減を
図ることができる。しかしながら、発光材料層３ａのう
ち透明電極４ａのパターンで覆われていない部分は酸素
及び水から遮断することができない。この領域は、発光
材料層３ａからは離れており、発光に直接は関係ない領
域である。しかしながら、この領域が腐食されることが
引き金になって発光材料層３ａの剥離等が生じ、発光特
性に影響が及ぼされることがある。本実施の形態の素子
構造を用いるためには、発光層に水や酸素により腐食さ
れにくい材料を用いることが望ましい。
層３ａを下電極２ａのパターンをすべて覆い、透明電極
４ａのパターンに覆われるように精密にパターン化する
必要がないために、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した
構造と比較して製造が容易であり、製造コストの低減を
図ることができる。しかしながら、発光材料層３ａのう
ち透明電極４ａのパターンで覆われていない部分は酸素
及び水から遮断することができない。この領域は、発光
材料層３ａからは離れており、発光に直接は関係ない領
域である。しかしながら、この領域が腐食されることが
引き金になって発光材料層３ａの剥離等が生じ、発光特
性に影響が及ぼされることがある。本実施の形態の素子
構造を用いるためには、発光層に水や酸素により腐食さ
れにくい材料を用いることが望ましい。
【００２２】また、本実施の形態では、透明電極４ａの
パターンはすべて発光材料層３ａのパターン上に形成さ
れている場合を示したが、その一部は発光材料層３ａの
パターンから外れて形成されている場合も含まれる。
パターンはすべて発光材料層３ａのパターン上に形成さ
れている場合を示したが、その一部は発光材料層３ａの
パターンから外れて形成されている場合も含まれる。
【００２３】また本実施の形態の素子構造では、透明電
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素より強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素より強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
【００２４】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図３
（ａ）は本発明の発光体１４を表す断面概略図、図３
（ｂ）は上面概略図である。基体１上には下電極２ａの
パターンが形成されている。下電極２ａ上には発光材料
層３ａのパターンが形成されている。ここでは、発光材
料層３ａのパターンがすべて下電極２ａのパターン上に
形成されている場合を示してある。発光材料層３ａの端
部３ｂに絶縁層５ａのパターン端部５ｂが接するように
絶縁層５ａが形成されている。発光材料層３ａのパター
ン上にはそのすべてを覆うように透明電極４ａのパター
ンが形成されている。
態３を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図３
（ａ）は本発明の発光体１４を表す断面概略図、図３
（ｂ）は上面概略図である。基体１上には下電極２ａの
パターンが形成されている。下電極２ａ上には発光材料
層３ａのパターンが形成されている。ここでは、発光材
料層３ａのパターンがすべて下電極２ａのパターン上に
形成されている場合を示してある。発光材料層３ａの端
部３ｂに絶縁層５ａのパターン端部５ｂが接するように
絶縁層５ａが形成されている。発光材料層３ａのパター
ン上にはそのすべてを覆うように透明電極４ａのパター
ンが形成されている。
【００２５】また本実施の形態の素子構造では、下電極
２ａのパターンのすべての領域上に、透明電極４ａまた
は絶縁層５ａが形成されている。また、発光材料層３ａ
のすべての領域上には透明電極４ａが形成されている。
このため、本実施の形態の素子構造の発光体１４は大気
に暴露しても、大気中に含まれる水分や酸素を透明電極
４ａや絶縁層５ａにより下電極２ａ及び発光材料層３ａ
から遮断することができ、下電極２ａ及び発光材料層３
ａの腐食を防ぐことができる。
２ａのパターンのすべての領域上に、透明電極４ａまた
は絶縁層５ａが形成されている。また、発光材料層３ａ
のすべての領域上には透明電極４ａが形成されている。
このため、本実施の形態の素子構造の発光体１４は大気
に暴露しても、大気中に含まれる水分や酸素を透明電極
４ａや絶縁層５ａにより下電極２ａ及び発光材料層３ａ
から遮断することができ、下電極２ａ及び発光材料層３
ａの腐食を防ぐことができる。
【００２６】また本実施の形態の素子構造は、下電極２
ａや発光材料層３ａのパターンを絶縁層５ａで埋め込ん
だ構造であるため、素子上面を比較的平坦にすることが
できる。また、発光材料層３ａのパターン及び下電極２
ａのパターンを透明電極４ａと絶縁層５ａにより堅固に
覆うことができ、酸素や水に対する耐腐食性に優れる。
しかしながら、絶縁層５ａを用いる必要があるので１工
程余分に必要であり、その分製造コストは上昇する。
ａや発光材料層３ａのパターンを絶縁層５ａで埋め込ん
だ構造であるため、素子上面を比較的平坦にすることが
できる。また、発光材料層３ａのパターン及び下電極２
ａのパターンを透明電極４ａと絶縁層５ａにより堅固に
覆うことができ、酸素や水に対する耐腐食性に優れる。
しかしながら、絶縁層５ａを用いる必要があるので１工
程余分に必要であり、その分製造コストは上昇する。
【００２７】また本実施の形態の素子構造では、透明電
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素より強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素より強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
【００２８】（実施の形態４）以下、本発明の実施の形
態４を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図４
（ａ）及び図４（ｂ）に示す素子構造は、図３（ａ）及
び図３（ｂ）に示す素子構造の変形例であり、絶縁層５
ａのパターン端部５ｂが発光材料層３ａのパターン上に
乗り上げている素子構造となっている。絶縁層５ａと発
光材料層３ａとの重なり部分を設けることにより、製造
誤差に伴う下電極２ａのパターンと透明電極４ａのパタ
ーンとの間のリーク電流の発生を低減できる。ただし、
絶縁層５ａと発光材料層３ａとの重なり部分の存在によ
り、素子上面の平坦性は上記実施の形態３（図３）の場
合よりも劣化する。
態４を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図４
（ａ）及び図４（ｂ）に示す素子構造は、図３（ａ）及
び図３（ｂ）に示す素子構造の変形例であり、絶縁層５
ａのパターン端部５ｂが発光材料層３ａのパターン上に
乗り上げている素子構造となっている。絶縁層５ａと発
光材料層３ａとの重なり部分を設けることにより、製造
誤差に伴う下電極２ａのパターンと透明電極４ａのパタ
ーンとの間のリーク電流の発生を低減できる。ただし、
絶縁層５ａと発光材料層３ａとの重なり部分の存在によ
り、素子上面の平坦性は上記実施の形態３（図３）の場
合よりも劣化する。
【００２９】また本実施の形態の素子構造では、透明電
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素より強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素より強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
【００３０】（実施の形態５）以下、本発明の実施の形
態５を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図５
（ａ）は本実施の形態の発光体１４を表す断面概略図、
図５（ｂ）は上面概略図である。基体１上には下電極２
ａのパターンが形成されている。下電極２ａ上には発光
材料層３ａが形成されている。発光材料層３ａのパター
ンは下電極２ａのパターンの全領域を覆っている。その
上に透明電極４ａのパターンが下電極２ａパターンをす
べて覆うように形成されている。透明電極４ａのパター
ン端部４ｂに絶縁層５ａのパターン端部５ｂが接するよ
うに絶縁層５ａが発光材料層３ａ上に形成されている。
本実施の形態では示していないが、絶縁層５ａは発光材
料層３ａのうち透明電極４ａにより覆われていない部分
をすべて覆うように形成されている。
態５を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図５
（ａ）は本実施の形態の発光体１４を表す断面概略図、
図５（ｂ）は上面概略図である。基体１上には下電極２
ａのパターンが形成されている。下電極２ａ上には発光
材料層３ａが形成されている。発光材料層３ａのパター
ンは下電極２ａのパターンの全領域を覆っている。その
上に透明電極４ａのパターンが下電極２ａパターンをす
べて覆うように形成されている。透明電極４ａのパター
ン端部４ｂに絶縁層５ａのパターン端部５ｂが接するよ
うに絶縁層５ａが発光材料層３ａ上に形成されている。
本実施の形態では示していないが、絶縁層５ａは発光材
料層３ａのうち透明電極４ａにより覆われていない部分
をすべて覆うように形成されている。
【００３１】また本実施の形態の素子構造では、下電極
２ａのパターンのすべての領域上に、透明電極４ａが形
成されている。また、発光材料層３ａのすべての領域上
には透明電極４ａが形成されている。このため、本実施
の形態の素子構造の発光体１４は大気に暴露しても、大
気中に含まれる水分や酸素を透明電極４ａや絶縁層５ａ
により下電極２ａ及び発光材料層３ａから遮断すること
ができ、下電極２ａ及び発光材料層３ａの腐食を防ぐこ
とができる。
２ａのパターンのすべての領域上に、透明電極４ａが形
成されている。また、発光材料層３ａのすべての領域上
には透明電極４ａが形成されている。このため、本実施
の形態の素子構造の発光体１４は大気に暴露しても、大
気中に含まれる水分や酸素を透明電極４ａや絶縁層５ａ
により下電極２ａ及び発光材料層３ａから遮断すること
ができ、下電極２ａ及び発光材料層３ａの腐食を防ぐこ
とができる。
【００３２】また本実施の形態の素子構造は、透明電極
４ａのパターンを絶縁層５ａで埋め込んだ構造であるた
め、素子上面を比較的平坦にすることができる。また、
発光材料層３ａのパターン及び下電極２ａのパターンを
透明電極４ａと絶縁層５ａによりすべて覆っているの
で、酸素や水に対する耐腐食性に優れる。しかしなが
ら、絶縁層５ａを用いる必要があるので１工程余分に必
要であり、その分製造コストは上昇する。
４ａのパターンを絶縁層５ａで埋め込んだ構造であるた
め、素子上面を比較的平坦にすることができる。また、
発光材料層３ａのパターン及び下電極２ａのパターンを
透明電極４ａと絶縁層５ａによりすべて覆っているの
で、酸素や水に対する耐腐食性に優れる。しかしなが
ら、絶縁層５ａを用いる必要があるので１工程余分に必
要であり、その分製造コストは上昇する。
【００３３】また本実施の形態の素子構造では、透明電
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素より強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素より強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
【００３４】（実施の形態６）以下、本発明の実施の形
態６を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図６
（ａ）及び図６（ｂ）に示す素子構造は、図５（ａ）及
び図５（ｂ）に示す素子構造の変形例であり、絶縁層５
ａのパターン端部５ｂが透明電極４ａのパターン端部４
ｂ上に位置するように重ね合わせて形成されている。絶
縁層５ａと透明電極４ａとの重なり部分を設けることに
より、製造誤差に伴い絶縁層５ａのパターン端部５ｂと
透明電極４ａのパターン端部４ｂとの間に隙間が発生す
るのを防ぐことができ、発光材料層３ａの腐食の確率を
低減することができる。しかしながら、絶縁層５ａと発
光材料パターン（発光材料層３ａのパターン）との重な
り部分の存在により、素子上面の平坦性は上記実施の形
態５（図５）の場合よりも劣化する。
態６を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図６
（ａ）及び図６（ｂ）に示す素子構造は、図５（ａ）及
び図５（ｂ）に示す素子構造の変形例であり、絶縁層５
ａのパターン端部５ｂが透明電極４ａのパターン端部４
ｂ上に位置するように重ね合わせて形成されている。絶
縁層５ａと透明電極４ａとの重なり部分を設けることに
より、製造誤差に伴い絶縁層５ａのパターン端部５ｂと
透明電極４ａのパターン端部４ｂとの間に隙間が発生す
るのを防ぐことができ、発光材料層３ａの腐食の確率を
低減することができる。しかしながら、絶縁層５ａと発
光材料パターン（発光材料層３ａのパターン）との重な
り部分の存在により、素子上面の平坦性は上記実施の形
態５（図５）の場合よりも劣化する。
【００３５】また本実施の形態の素子構造では、透明電
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素から強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
極４ａ上に下電極２ａや発光材料層３ａを大気中の水や
酸素から強力に遮断するための保護層（後述する図１０
乃至図１３に示す保護層１６）を設けることもできる。
【００３６】（実施の形態７）以下、本発明の実施の形
態７を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図７
（ａ），（ｂ）は、複数の発光体１４を配列した場合の
発光素子６５の断面図及び平面図である。それぞれの発
光体１４においては、基体１上に下電極２ａのパターン
が形成され、下電極２ａのパターン上には、その全領域
を覆うように発光材料層３ａのパターンが形成されてい
る。発光材料層３ａのパターン上には、その全領域を覆
うように透明電極４ａのパターンが形成されている。こ
こで、発光材料層３ａのパターン端部３ｂはすべての領
域において下電極２ａのパターン端部２ｂの外側に位置
しており、透明電極４ａのパターン端部４ｂはすべての
領域において発光材料層３ａのパターン端部３ｂの外側
に位置している。このような素子が縦横に図のように配
列されている。ここでは、縦４列、横５行の配列を示し
たが、配列数は自由に選択できることは言うまでもな
い。
態７を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図７
（ａ），（ｂ）は、複数の発光体１４を配列した場合の
発光素子６５の断面図及び平面図である。それぞれの発
光体１４においては、基体１上に下電極２ａのパターン
が形成され、下電極２ａのパターン上には、その全領域
を覆うように発光材料層３ａのパターンが形成されてい
る。発光材料層３ａのパターン上には、その全領域を覆
うように透明電極４ａのパターンが形成されている。こ
こで、発光材料層３ａのパターン端部３ｂはすべての領
域において下電極２ａのパターン端部２ｂの外側に位置
しており、透明電極４ａのパターン端部４ｂはすべての
領域において発光材料層３ａのパターン端部３ｂの外側
に位置している。このような素子が縦横に図のように配
列されている。ここでは、縦４列、横５行の配列を示し
たが、配列数は自由に選択できることは言うまでもな
い。
【００３７】（実施の形態８）以下、本発明の実施の形
態８を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図８
（ａ），（ｂ）は、複数の発光体１４を配列した場合の
発光素子６５の断面図及び平面図である。基体１上に下
電極２ａのパターンが形成され、下電極２ａのパターン
上には、その全領域を覆うように発光材料層３ａのパタ
ーンが形成されている。発光材料層３ａのパターンは複
数の下電極２ａのパターンをカバーしている。発光材料
層３ａのパターン上には、その全領域を覆うように透明
電極４ａのパターンが形成されている。透明電極４ａの
パターンは１つのパターンで複数の下電極２ａのパター
ン及び発光材料層３ａのパターンの全域をカバーしてい
る。このような発光体１４が縦横に図のように配列され
ている。ここでは、縦４列、横５行の配列を示したが、
配列数は自由に選択できることは言うまでもない。ま
た、ここでは発光材料層３ａ及び透明電極４ａのパター
ンはすべての発光体１４において共通になっているが、
必ずしもその必要はなく、複数の素子にまたがっていれ
ば良い。
態８を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図８
（ａ），（ｂ）は、複数の発光体１４を配列した場合の
発光素子６５の断面図及び平面図である。基体１上に下
電極２ａのパターンが形成され、下電極２ａのパターン
上には、その全領域を覆うように発光材料層３ａのパタ
ーンが形成されている。発光材料層３ａのパターンは複
数の下電極２ａのパターンをカバーしている。発光材料
層３ａのパターン上には、その全領域を覆うように透明
電極４ａのパターンが形成されている。透明電極４ａの
パターンは１つのパターンで複数の下電極２ａのパター
ン及び発光材料層３ａのパターンの全域をカバーしてい
る。このような発光体１４が縦横に図のように配列され
ている。ここでは、縦４列、横５行の配列を示したが、
配列数は自由に選択できることは言うまでもない。ま
た、ここでは発光材料層３ａ及び透明電極４ａのパター
ンはすべての発光体１４において共通になっているが、
必ずしもその必要はなく、複数の素子にまたがっていれ
ば良い。
【００３８】（実施の形態９）以下、本発明の実施の形
態９を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図９
（ａ），（ｂ）は、複数の発光体１４を配列した場合の
発光素子６５の断面図及び平面図である。基体１上に下
電極２ａのパターンが形成され、下電極２ａのパターン
上には、その全領域を覆うように発光材料層３ａのパタ
ーンが形成されている。ここで、発光材料層３ａのパタ
ーン端部３ｂは下電極２ａのパターン端部２ｂ上に位置
するように重ね合わせて形成されている。発光材料層３
ａのパターン上には、その全領域を覆うように透明電極
４ａのパターンが形成されている。透明電極４ａのパタ
ーンは１つのパターンで複数の下電極２ａのパターン及
び発光材料層３ａのパターンをカバーしている。このよ
うな発光体１４が縦横に図のように配列されている。こ
こでは、縦４列、横５行の配列を示したが、配列数は自
由に選択できることは言うまでもない。また、ここで
は、透明電極４ａのパターンはすべての発光体１４にお
いて共通になっているが、必ずしもその必要はなく、複
数の素子にまたがっていれば良い。
態９を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図９
（ａ），（ｂ）は、複数の発光体１４を配列した場合の
発光素子６５の断面図及び平面図である。基体１上に下
電極２ａのパターンが形成され、下電極２ａのパターン
上には、その全領域を覆うように発光材料層３ａのパタ
ーンが形成されている。ここで、発光材料層３ａのパタ
ーン端部３ｂは下電極２ａのパターン端部２ｂ上に位置
するように重ね合わせて形成されている。発光材料層３
ａのパターン上には、その全領域を覆うように透明電極
４ａのパターンが形成されている。透明電極４ａのパタ
ーンは１つのパターンで複数の下電極２ａのパターン及
び発光材料層３ａのパターンをカバーしている。このよ
うな発光体１４が縦横に図のように配列されている。こ
こでは、縦４列、横５行の配列を示したが、配列数は自
由に選択できることは言うまでもない。また、ここで
は、透明電極４ａのパターンはすべての発光体１４にお
いて共通になっているが、必ずしもその必要はなく、複
数の素子にまたがっていれば良い。
【００３９】（実施の形態１０）以下、本発明の実施の
形態１０を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
１０乃至図１３は本実施の形態に適用可能な発光体１４
の層構成を示している。
形態１０を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
１０乃至図１３は本実施の形態に適用可能な発光体１４
の層構成を示している。
【００４０】図１０（ａ）は、基体１上に下電極２ａ、
ホール注入層８及び電子輸送層６を兼ねた発光層９、及
び透明電極４ａが順次形成された素子構造を示してい
る。この場合は、発光層９が前述の発光材料層３ａに相
当する。また図１０（ｂ）は、ホール注入層８及び電子
輸送層６を兼ねた発光層９と透明電極４ａとの間に、陽
極バッファ層１５を挿入した素子構造を示している。ま
た、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示すように、図１
０（ａ），図１０（ｂ）に示す構造の最上部に保護層１
６を設けることもできる。
ホール注入層８及び電子輸送層６を兼ねた発光層９、及
び透明電極４ａが順次形成された素子構造を示してい
る。この場合は、発光層９が前述の発光材料層３ａに相
当する。また図１０（ｂ）は、ホール注入層８及び電子
輸送層６を兼ねた発光層９と透明電極４ａとの間に、陽
極バッファ層１５を挿入した素子構造を示している。ま
た、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示すように、図１
０（ａ），図１０（ｂ）に示す構造の最上部に保護層１
６を設けることもできる。
【００４１】図１１（ａ）は、基体１上に下電極２ａ、
電子輸送層６を兼ねた発光層１０、ホール注入層８及び
透明電極４ａが順次形成された素子構造を示している。
この場合は、電子輸送層６を兼ねた発光層１０とホール
注入層８の部分が前述の発光材料層３ａに相当する。ま
た図１１（ｂ）は、ホール注入層８と透明電極４ａとの
間に、陽極バッファ層１５を挿入した素子構造を示して
いる。また、図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）に示すよう
に、図１１（ａ），図１１（ｂ）に示す構造の最上部に
保護層１６を設けることもできる。
電子輸送層６を兼ねた発光層１０、ホール注入層８及び
透明電極４ａが順次形成された素子構造を示している。
この場合は、電子輸送層６を兼ねた発光層１０とホール
注入層８の部分が前述の発光材料層３ａに相当する。ま
た図１１（ｂ）は、ホール注入層８と透明電極４ａとの
間に、陽極バッファ層１５を挿入した素子構造を示して
いる。また、図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）に示すよう
に、図１１（ａ），図１１（ｂ）に示す構造の最上部に
保護層１６を設けることもできる。
【００４２】図１２（ａ）は、基体１上に下電極２ａ、
電子輸送層６、ホール注入層８を兼ねた発光層１１及び
透明電極４ａが順次形成された素子構造を示している。
この場合は、電子輸送層６及びホール注入層８を兼ねた
発光層１１の部分が前述の発光材料層３ａに相当する。
また図１２（ｂ）は、発光層１１と透明電極４ａとの間
に、陽極バッファ層１５を挿入した素子構造を示してい
る。また、図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に示すよう
に、図１２（ａ），図１２（ｂ）に示す構造の最上部に
保護層１６を設けることもできる。
電子輸送層６、ホール注入層８を兼ねた発光層１１及び
透明電極４ａが順次形成された素子構造を示している。
この場合は、電子輸送層６及びホール注入層８を兼ねた
発光層１１の部分が前述の発光材料層３ａに相当する。
また図１２（ｂ）は、発光層１１と透明電極４ａとの間
に、陽極バッファ層１５を挿入した素子構造を示してい
る。また、図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に示すよう
に、図１２（ａ），図１２（ｂ）に示す構造の最上部に
保護層１６を設けることもできる。
【００４３】図１３（ａ）は、基体１上に下電極２ａ、
電子輸送層６、発光層７、ホール注入層８、及び透明電
極４ａが順次形成された素子構造を示している。この場
合は、電子輸送層６、発光層７、及びホール注入層８の
部分が前述の発光材料層３ａに相当する。また図１３
（ｂ）は、ホール注入層８と透明電極４ａとの間に、陽
極バッファ層１５を挿入した素子構造を示している。ま
た、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）に示すように、図１
３（ａ），図１３（ｂ）に示す構造の最上部に保護層１
６を設けることもできる。
電子輸送層６、発光層７、ホール注入層８、及び透明電
極４ａが順次形成された素子構造を示している。この場
合は、電子輸送層６、発光層７、及びホール注入層８の
部分が前述の発光材料層３ａに相当する。また図１３
（ｂ）は、ホール注入層８と透明電極４ａとの間に、陽
極バッファ層１５を挿入した素子構造を示している。ま
た、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）に示すように、図１
３（ａ），図１３（ｂ）に示す構造の最上部に保護層１
６を設けることもできる。
【００４４】（実施の形態１１）以下、本発明の実施の
形態１１を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。
形態１１を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【００４５】図１４は本発明の発光素子６５を表す断面
概念図である。発光体１４は電流印加素子１３に接続さ
れ、電流印加素子１３はスイッチング素子１２に接続さ
れている。
概念図である。発光体１４は電流印加素子１３に接続さ
れ、電流印加素子１３はスイッチング素子１２に接続さ
れている。
【００４６】このような構成の発光素子６５は、図１５
に発光素子６５の上面概略図を示したように、複数個並
べて配置される。ここでは縦３行、横６列の場合を示し
たが、配列数は任意に選択することができる。
に発光素子６５の上面概略図を示したように、複数個並
べて配置される。ここでは縦３行、横６列の場合を示し
たが、配列数は任意に選択することができる。
【００４７】（実施の形態１２）以下、本発明の実施の
形態１２を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
１６乃至図１８を参照して、配線と発光体１４との平面
的位置関係について述べる。
形態１２を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
１６乃至図１８を参照して、配線と発光体１４との平面
的位置関係について述べる。
【００４８】図１６に示す素子構造では、紙面に向かっ
て横（紙面左右）方向にグランド配線２２と第１スイッ
チング配線２０が配置されており、縦方向に第２スイッ
チング配線２１が配置されている。縦方向の配線（第２
スイッチング配線２１）と横（紙面左右）方向の配線
（グランド配線２２、第１スイッチング配線２０）との
間に、発光体１４が配置されている。発光体１４は電流
印加素子１３に接続されており、電流印加素子１３はス
イッチング素子１２に接続されている（図１４参照）。
発光体１４は電流源（電流源１９１（後述、図１９参
照））に接続されている。グランド配線２２は縦方向に
配置される場合もある。ここでは、発光体１４が縦２
行、横２列配列された場合を示したが、配列数は適宜選
択することができる。
て横（紙面左右）方向にグランド配線２２と第１スイッ
チング配線２０が配置されており、縦方向に第２スイッ
チング配線２１が配置されている。縦方向の配線（第２
スイッチング配線２１）と横（紙面左右）方向の配線
（グランド配線２２、第１スイッチング配線２０）との
間に、発光体１４が配置されている。発光体１４は電流
印加素子１３に接続されており、電流印加素子１３はス
イッチング素子１２に接続されている（図１４参照）。
発光体１４は電流源（電流源１９１（後述、図１９参
照））に接続されている。グランド配線２２は縦方向に
配置される場合もある。ここでは、発光体１４が縦２
行、横２列配列された場合を示したが、配列数は適宜選
択することができる。
【００４９】図１７に示す素子構造では、紙面に向かっ
て横（紙面左右）方向に第２スイッチング配線２１及び
グランド配線２２が配置されており、縦方向に第１スイ
ッチング配線２０及び電流印加線２３が配置されてい
る。縦方向の配線（第１スイッチング配線２０及び電流
印加線２３）と横（紙面左右）方向の配線（第２スイッ
チング配線２１及びグランド配線２２）との間に、発光
体１４が配置されている。発光体１４は電流印加素子１
３に接続されており、電流印加素子１３はスイッチング
素子１２に接続されている（図１４参照）。グランド配
線２２は縦方向に配置する場合もある。電流印加線２３
は横（紙面左右）方向に配置する場合もある。ここで
は、発光体１４が縦２行、横２列配列された場合を示し
たが、配列数は適宜選択することができる。
て横（紙面左右）方向に第２スイッチング配線２１及び
グランド配線２２が配置されており、縦方向に第１スイ
ッチング配線２０及び電流印加線２３が配置されてい
る。縦方向の配線（第１スイッチング配線２０及び電流
印加線２３）と横（紙面左右）方向の配線（第２スイッ
チング配線２１及びグランド配線２２）との間に、発光
体１４が配置されている。発光体１４は電流印加素子１
３に接続されており、電流印加素子１３はスイッチング
素子１２に接続されている（図１４参照）。グランド配
線２２は縦方向に配置する場合もある。電流印加線２３
は横（紙面左右）方向に配置する場合もある。ここで
は、発光体１４が縦２行、横２列配列された場合を示し
たが、配列数は適宜選択することができる。
【００５０】図１８に示す素子構造では、紙面に向かっ
て横（紙面左右）方向にグランド配線２２を兼ねた第２
スイッチング配線２４及び電流印加線２３が配置されて
おり、縦方向に第１スイッチング配線２０が配置されて
いる。縦方向の配線（第１スイッチング配線２０）と横
（紙面左右）方向の配線（グランド配線２２を兼ねた第
２スイッチング配線２４及び電流印加線２３）との間
に、発光体１４が配置されている。発光体１４は電流印
加素子１３に接続されており、電流印加素子１３はスイ
ッチング素子１２に接続されている（図１４参照）。グ
ランド配線２２を兼ねた第２スイッチング配線２４は縦
方向に配置することもできる。ここでは、発光体１４が
縦２行、横２列配列された場合を示したが、配列数は適
宜選択することができる。
て横（紙面左右）方向にグランド配線２２を兼ねた第２
スイッチング配線２４及び電流印加線２３が配置されて
おり、縦方向に第１スイッチング配線２０が配置されて
いる。縦方向の配線（第１スイッチング配線２０）と横
（紙面左右）方向の配線（グランド配線２２を兼ねた第
２スイッチング配線２４及び電流印加線２３）との間
に、発光体１４が配置されている。発光体１４は電流印
加素子１３に接続されており、電流印加素子１３はスイ
ッチング素子１２に接続されている（図１４参照）。グ
ランド配線２２を兼ねた第２スイッチング配線２４は縦
方向に配置することもできる。ここでは、発光体１４が
縦２行、横２列配列された場合を示したが、配列数は適
宜選択することができる。
【００５１】（実施の形態１３）以下、本発明の実施の
形態１３を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
１９乃至図２５を参照して発光体１４、電流印加素子１
３、スイッチング素子１２、第１スイッチング配線２
０、及び第２スイッチング配線２１の接続関係を述べ
る。
形態１３を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
１９乃至図２５を参照して発光体１４、電流印加素子１
３、スイッチング素子１２、第１スイッチング配線２
０、及び第２スイッチング配線２１の接続関係を述べ
る。
【００５２】図１９は、本発明に適用できる発光素子６
５の回路概略図である。図１９を参照すると、本実施の
形態では、スイッチング素子１２としてはスイッチング
用トランジスタを、電流供給素子としては電流印加用ト
ランジスタをそれぞれ用いた素子構造とした。
５の回路概略図である。図１９を参照すると、本実施の
形態では、スイッチング素子１２としてはスイッチング
用トランジスタを、電流供給素子としては電流印加用ト
ランジスタをそれぞれ用いた素子構造とした。
【００５３】第１スイッチング配線１８７（第１スイッ
チング配線２０）と第２スイッチング配線１８８（第２
スイッチング配線２１）とは、図１９に示すように、縦
横に配列されている。第１スイッチングトランジスタ１
８３のソース部１９３ａは、第２スイッチング配線１８
８（第２スイッチング配線２１）に、ゲート部１９４ａ
は第１スイッチング配線１８７（第１スイッチング配線
２０）にそれぞれ接続されている。ドレイン部１９５ａ
は、第２スイッチングトランジスタ１８４（電流印加用
トランジスタ）のゲート部１９４ｂ及び電圧保持用コン
デンサ１８５の一方の端子に接続されている。電圧保持
用コンデンサ１８５の他方の端子は、グランド１９０に
接続されている。第２スイッチングトランジスタ１８４
（電流印加用トランジスタ）のソース部１９３ｂは電流
源１９１に接続され、ドレイン部１９５ｂは発光体１８
２の陽極に接続されている。発光体１８２の陰極はグラ
ンド１９０に接続されている。
チング配線２０）と第２スイッチング配線１８８（第２
スイッチング配線２１）とは、図１９に示すように、縦
横に配列されている。第１スイッチングトランジスタ１
８３のソース部１９３ａは、第２スイッチング配線１８
８（第２スイッチング配線２１）に、ゲート部１９４ａ
は第１スイッチング配線１８７（第１スイッチング配線
２０）にそれぞれ接続されている。ドレイン部１９５ａ
は、第２スイッチングトランジスタ１８４（電流印加用
トランジスタ）のゲート部１９４ｂ及び電圧保持用コン
デンサ１８５の一方の端子に接続されている。電圧保持
用コンデンサ１８５の他方の端子は、グランド１９０に
接続されている。第２スイッチングトランジスタ１８４
（電流印加用トランジスタ）のソース部１９３ｂは電流
源１９１に接続され、ドレイン部１９５ｂは発光体１８
２の陽極に接続されている。発光体１８２の陰極はグラ
ンド１９０に接続されている。
【００５４】第１スイッチング配線１８７（第１スイッ
チング配線２０）に電圧を印加すると、第１スイッチン
グトランジスタ１８３のゲート部１９４ａに電圧が印加
されることにより、ソース部１９３ａとドレイン部１９
５ａとの間に導通が生じる。この状態で第２スイッチン
グ配線１８８（第２スイッチング配線２１）に電圧を印
加すると、ドレイン部１９５ａに電圧が印加され、電圧
保持用コンデンサ１８５に電荷が貯えられる。これによ
り、第１スイッチング配線１８７（第１スイッチング配
線２０）または第２スイッチング配線１８８（第２スイ
ッチング配線２１）に印加する電圧をオフにしても、第
２スイッチングトランジスタ１８４（電流印加用トラン
ジスタ）のゲート部１９４ｂには電圧保持用コンデンサ
１８５に貯えられた電荷が消滅するまで電圧が印加され
続ける。また、第２スイッチングトランジスタ１８４
（電流印加用トランジスタ）のゲート部１９４ｂに電圧
が印加されることにより、ソース部１９３ｂとドレイン
部１９５ｂとの間が導通し、電流源１９１から発光体１
８２を通過してグランド１９０に電流が流れ、発光体１
８２が発光する。
チング配線２０）に電圧を印加すると、第１スイッチン
グトランジスタ１８３のゲート部１９４ａに電圧が印加
されることにより、ソース部１９３ａとドレイン部１９
５ａとの間に導通が生じる。この状態で第２スイッチン
グ配線１８８（第２スイッチング配線２１）に電圧を印
加すると、ドレイン部１９５ａに電圧が印加され、電圧
保持用コンデンサ１８５に電荷が貯えられる。これによ
り、第１スイッチング配線１８７（第１スイッチング配
線２０）または第２スイッチング配線１８８（第２スイ
ッチング配線２１）に印加する電圧をオフにしても、第
２スイッチングトランジスタ１８４（電流印加用トラン
ジスタ）のゲート部１９４ｂには電圧保持用コンデンサ
１８５に貯えられた電荷が消滅するまで電圧が印加され
続ける。また、第２スイッチングトランジスタ１８４
（電流印加用トランジスタ）のゲート部１９４ｂに電圧
が印加されることにより、ソース部１９３ｂとドレイン
部１９５ｂとの間が導通し、電流源１９１から発光体１
８２を通過してグランド１９０に電流が流れ、発光体１
８２が発光する。
【００５５】一方、第１スイッチング配線１８７（第１
スイッチング配線２０）または第２スイッチング配線１
８８（第２スイッチング配線２１）の少なくともどちら
かに駆動電圧が印加されない場合は、第２スイッチング
トランジスタ１８４（電流印加用トランジスタ）のドレ
イン部１９５ａに電圧は印加されないので、発光体１８
２を電流が流れることはなく、発光は起こらない。
スイッチング配線２０）または第２スイッチング配線１
８８（第２スイッチング配線２１）の少なくともどちら
かに駆動電圧が印加されない場合は、第２スイッチング
トランジスタ１８４（電流印加用トランジスタ）のドレ
イン部１９５ａに電圧は印加されないので、発光体１８
２を電流が流れることはなく、発光は起こらない。
【００５６】図２０は、図１９に示した素子構造にグラ
ンド配線１８６（グランド配線２２）及び電流供給配線
１８９（電流印加線２３）を加えた素子構造を示してい
る。また図２１は、図１９に示した構成において、第１
スイッチング配線１８７（第１スイッチング配線２０）
とグランド１９０用の配線を共通にして、共通配線１９
２とした素子構造を示している。
ンド配線１８６（グランド配線２２）及び電流供給配線
１８９（電流印加線２３）を加えた素子構造を示してい
る。また図２１は、図１９に示した構成において、第１
スイッチング配線１８７（第１スイッチング配線２０）
とグランド１９０用の配線を共通にして、共通配線１９
２とした素子構造を示している。
【００５７】図２２は、第１スイッチング配線１８７
（第１スイッチング配線２０）、第２スイッチング配線
１８８（第２スイッチング配線２１）とスイッチング素
子１２、電流印加素子１３、及び発光素子６５の電気的
な接続を表す図である。ここでは、スイッチング素子１
２としてはスイッチング用トランジスタを、電流供給素
子としては電流印加用トランジスタをそれぞれ用いた場
合を示した。スイッチング用の配線は、第１スイッチン
グ配線１８７（第１スイッチング配線２０）及び第２ス
イッチング配線１８８（第２スイッチング配線２１）か
らなる。第１スイッチングトランジスタ１８３のソース
部１９３ａは、第２スイッチング配線１８８（第２スイ
ッチング配線２１）に、ゲート部１９４ａは第１スイッ
チング配線１８７（第１スイッチング配線２０）にそれ
ぞれ接続されている。ドレイン部１９５ａは、第２スイ
ッチングトランジスタ１８４（電流印加用トランジス
タ）のゲート部１９４ｂに接続されると同時に、電圧保
持用コンデンサ１８５の一方の端子に接続されている。
電圧保持用コンデンサ１８５の他方の端子は、グランド
１９０に接続されている。第２スイッチングトランジス
タ１８４（電流印加用トランジスタ）のソース部１９３
ｂは発光体１８２の陰極側に接続され、ドレイン部１９
５ｂはグランド１９０に接続されている。発光体１８２
の陽極部は電流源１９１に接続されている。なお、ここ
ではグランド１９０用の配線及び電流印加用の配線は省
略してある。
（第１スイッチング配線２０）、第２スイッチング配線
１８８（第２スイッチング配線２１）とスイッチング素
子１２、電流印加素子１３、及び発光素子６５の電気的
な接続を表す図である。ここでは、スイッチング素子１
２としてはスイッチング用トランジスタを、電流供給素
子としては電流印加用トランジスタをそれぞれ用いた場
合を示した。スイッチング用の配線は、第１スイッチン
グ配線１８７（第１スイッチング配線２０）及び第２ス
イッチング配線１８８（第２スイッチング配線２１）か
らなる。第１スイッチングトランジスタ１８３のソース
部１９３ａは、第２スイッチング配線１８８（第２スイ
ッチング配線２１）に、ゲート部１９４ａは第１スイッ
チング配線１８７（第１スイッチング配線２０）にそれ
ぞれ接続されている。ドレイン部１９５ａは、第２スイ
ッチングトランジスタ１８４（電流印加用トランジス
タ）のゲート部１９４ｂに接続されると同時に、電圧保
持用コンデンサ１８５の一方の端子に接続されている。
電圧保持用コンデンサ１８５の他方の端子は、グランド
１９０に接続されている。第２スイッチングトランジス
タ１８４（電流印加用トランジスタ）のソース部１９３
ｂは発光体１８２の陰極側に接続され、ドレイン部１９
５ｂはグランド１９０に接続されている。発光体１８２
の陽極部は電流源１９１に接続されている。なお、ここ
ではグランド１９０用の配線及び電流印加用の配線は省
略してある。
【００５８】また本実施の形態の素子構造では、第１ス
イッチング配線１８７（第１スイッチング配線２０）及
び第２スイッチング配線１８８（第２スイッチング配線
２１）に同時に駆動電圧を供給したときに、第１スイッ
チングトランジスタ１８３のドレイン部１９５ａに電圧
が与えられ、電圧保持用コンデンサ１８５に電荷が貯え
られることにより、第２スイッチングトランジスタ１８
４（電流印加用トランジスタ）のゲート部１９４ｂに安
定した電位が加えられる。これにより、電流源１９１か
ら発光体１８２を通過して電流が流れ、さらに第２スイ
ッチングトランジスタ１８４（電流印加用トランジス
タ）のゲート部１９４ｂからドレイン部１９５ｂを通過
してグランド１９０に電流が流れる。これにより、発光
体１８２を発光させることができる。
イッチング配線１８７（第１スイッチング配線２０）及
び第２スイッチング配線１８８（第２スイッチング配線
２１）に同時に駆動電圧を供給したときに、第１スイッ
チングトランジスタ１８３のドレイン部１９５ａに電圧
が与えられ、電圧保持用コンデンサ１８５に電荷が貯え
られることにより、第２スイッチングトランジスタ１８
４（電流印加用トランジスタ）のゲート部１９４ｂに安
定した電位が加えられる。これにより、電流源１９１か
ら発光体１８２を通過して電流が流れ、さらに第２スイ
ッチングトランジスタ１８４（電流印加用トランジス
タ）のゲート部１９４ｂからドレイン部１９５ｂを通過
してグランド１９０に電流が流れる。これにより、発光
体１８２を発光させることができる。
【００５９】一方、第１スイッチング配線１８７（第１
スイッチング配線２０）か第２スイッチング配線１８８
（第２スイッチング配線２１）の少なくともどちらかに
駆動電圧が印加されない場合は、第２スイッチングトラ
ンジスタ１８４（電流印加用トランジスタ）のゲート部
１９４ｂに電圧は印加されないので、発光体１８２を電
流が流れることはなく、発光は起こらない。
スイッチング配線２０）か第２スイッチング配線１８８
（第２スイッチング配線２１）の少なくともどちらかに
駆動電圧が印加されない場合は、第２スイッチングトラ
ンジスタ１８４（電流印加用トランジスタ）のゲート部
１９４ｂに電圧は印加されないので、発光体１８２を電
流が流れることはなく、発光は起こらない。
【００６０】図２３は、図２２に示した構成にグランド
配線１８６（グランド配線２２）及び電流供給配線１８
９（電流印加線２３）を加えた素子構造を示している。
また図２４は、図２２に示した構成において、第１スイ
ッチング配線１８７（第１スイッチング配線２０）とグ
ランド１９０用の配線を共通にして、共通配線１９２と
した素子構造を示している。
配線１８６（グランド配線２２）及び電流供給配線１８
９（電流印加線２３）を加えた素子構造を示している。
また図２４は、図２２に示した構成において、第１スイ
ッチング配線１８７（第１スイッチング配線２０）とグ
ランド１９０用の配線を共通にして、共通配線１９２と
した素子構造を示している。
【００６１】（実施の形態１４）以下、本発明の実施の
形態１４を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。以
下に、本発明に適用できる発光体１４，１８２の配列の
仕方、基板面との関係、積層構造等の変形例について述
べる。
形態１４を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。以
下に、本発明に適用できる発光体１４，１８２の配列の
仕方、基板面との関係、積層構造等の変形例について述
べる。
【００６２】図２５は、発光体１４，１８２の配列を表
す断面概念図である。図２５に示す素子構造では、第１
色用発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３色
用発光素子４２が基体１上に交互に配列されている。第
１色用発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３
色用発光素子４２は、典型的には、青色を主成分とする
発光素子（発光素子６５）、緑色を主成分とする発光素
子（発光素子６５）、及び赤色を主成分とする発光素子
（発光素子６５）から選択される。
す断面概念図である。図２５に示す素子構造では、第１
色用発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３色
用発光素子４２が基体１上に交互に配列されている。第
１色用発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３
色用発光素子４２は、典型的には、青色を主成分とする
発光素子（発光素子６５）、緑色を主成分とする発光素
子（発光素子６５）、及び赤色を主成分とする発光素子
（発光素子６５）から選択される。
【００６３】図２６は、発光体１４，１８２の配列を表
す断面概略図である。図２６に示す素子構造では、第１
色用発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３色
用発光素子４２が、少なくともその一部が基体１に埋め
込まれて交互に配列されている。第１色用発光素子４
０、第２色用発光素子４１、及び第３色用発光素子４２
は、典型的には、青色を主成分とする発光素子（発光素
子６５）、緑色を主成分とする発光素子（発光素子６
５）、及び赤色を主成分とする発光素子（発光素子６
５）から選択される。
す断面概略図である。図２６に示す素子構造では、第１
色用発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３色
用発光素子４２が、少なくともその一部が基体１に埋め
込まれて交互に配列されている。第１色用発光素子４
０、第２色用発光素子４１、及び第３色用発光素子４２
は、典型的には、青色を主成分とする発光素子（発光素
子６５）、緑色を主成分とする発光素子（発光素子６
５）、及び赤色を主成分とする発光素子（発光素子６
５）から選択される。
【００６４】図２７は、発光体１４，１８２の配列を表
す断面概念図である。図２７に示す素子構造では、第１
色用発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３色
用発光素子４２が、基体１上に交互に配列されている。
個々の素子間には土手５２が形成されている。第１色用
発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３色用発
光素子４２は、典型的には、青色を主成分とする発光素
子（発光素子６５）、緑色を主成分とする発光素子（発
光素子６５）、及び赤色を主成分とする発光素子（発光
素子６５）から選択される。
す断面概念図である。図２７に示す素子構造では、第１
色用発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３色
用発光素子４２が、基体１上に交互に配列されている。
個々の素子間には土手５２が形成されている。第１色用
発光素子４０、第２色用発光素子４１、及び第３色用発
光素子４２は、典型的には、青色を主成分とする発光素
子（発光素子６５）、緑色を主成分とする発光素子（発
光素子６５）、及び赤色を主成分とする発光素子（発光
素子６５）から選択される。
【００６５】図２８は、発光体１４，１８２の配列を表
す断面概念図である。図２８に示す素子構造では、金属
電極層４３（下電極２ａ）／第１色用電子輸送層６２／
第１色用発光層５３を含む積層構造パターン（第１色用
発光素子４０）、金属電極層４３（下電極２ａ）／第２
色用電子輸送層６３／第２色用発光層５４を含む積層構
造パターン（第２色用発光素子４１）、及び金属電極層
４３（下電極２ａ）／第３色用電子輸送層６４／第３色
用発光層５５を含む積層構造パターン（第３色用発光素
子４２）が、基体１上に交互に配列されている。個々の
素子間には土手５２が形成されている。それらの上に
は、複数の素子にまたがってホール注入層４６（ホール
注入層８）及び透明電極４７（透明電極４ａ）が形成さ
れている。第１色、第２色及び第３色は、典型的には、
青色を主成分とする光、緑色を主成分とする光、及び赤
色を主成分とする光から選択される。
す断面概念図である。図２８に示す素子構造では、金属
電極層４３（下電極２ａ）／第１色用電子輸送層６２／
第１色用発光層５３を含む積層構造パターン（第１色用
発光素子４０）、金属電極層４３（下電極２ａ）／第２
色用電子輸送層６３／第２色用発光層５４を含む積層構
造パターン（第２色用発光素子４１）、及び金属電極層
４３（下電極２ａ）／第３色用電子輸送層６４／第３色
用発光層５５を含む積層構造パターン（第３色用発光素
子４２）が、基体１上に交互に配列されている。個々の
素子間には土手５２が形成されている。それらの上に
は、複数の素子にまたがってホール注入層４６（ホール
注入層８）及び透明電極４７（透明電極４ａ）が形成さ
れている。第１色、第２色及び第３色は、典型的には、
青色を主成分とする光、緑色を主成分とする光、及び赤
色を主成分とする光から選択される。
【００６６】図２９は、発光体１４，１８２の配列を表
す断面概念図である。図２９に示す素子構造では、金属
電極層４３（下電極２ａ）／第１色用電子輸送層６２／
第１色用発光層５３／第１色用ホール注入層５６を含む
積層構造パターン（第１色用発光素子４０）、金属電極
層４３（下電極２ａ）／第２色用電子輸送層６３／第２
色用発光層５４／第２色用ホール注入層５７を含む積層
構造パターン（第２色用発光素子４１）、及び金属電極
層４３（下電極２ａ）／第３色用電子輸送層６４／第３
色用発光層５５／第３色用ホール注入層５８を含む積層
構造パターン（第３色用発光素子４２）が、基体１上に
交互に配列されている。それらの上には、複数の素子に
またがって透明電極４７（透明電極４ａ）が形成されて
いる。第１色、第２色及び第３色は、典型的には、青色
を主成分とする光、緑色を主成分とする光、及び赤色を
主成分とする光から選択される。
す断面概念図である。図２９に示す素子構造では、金属
電極層４３（下電極２ａ）／第１色用電子輸送層６２／
第１色用発光層５３／第１色用ホール注入層５６を含む
積層構造パターン（第１色用発光素子４０）、金属電極
層４３（下電極２ａ）／第２色用電子輸送層６３／第２
色用発光層５４／第２色用ホール注入層５７を含む積層
構造パターン（第２色用発光素子４１）、及び金属電極
層４３（下電極２ａ）／第３色用電子輸送層６４／第３
色用発光層５５／第３色用ホール注入層５８を含む積層
構造パターン（第３色用発光素子４２）が、基体１上に
交互に配列されている。それらの上には、複数の素子に
またがって透明電極４７（透明電極４ａ）が形成されて
いる。第１色、第２色及び第３色は、典型的には、青色
を主成分とする光、緑色を主成分とする光、及び赤色を
主成分とする光から選択される。
【００６７】図３０は、発光体１４，１８２の配列を表
す断面概念図である。図３０に示す素子構造では、金属
電極層４３（下電極２ａ）／第１色用電子輸送層６２／
第１色用発光層５３を含む積層構造パターン（第１色用
発光素子４０）、金属電極層４３（下電極２ａ）／第２
色用電子輸送層６３／第２色用発光層５４を含む積層構
造パターン（第２色用発光素子４１）、及び金属電極層
４３（下電極２ａ）／第３色用電子輸送層６４／第３色
用発光層５５を含む積層構造パターン（第３色用発光素
子４２）が、基体１上に交互に配列されている。それら
の上には、複数の素子にまたがってホール注入層４６
（ホール注入層８）及び透明電極４７（透明電極４ａ）
が形成されている。第１色、第２色及び第３色は、典型
的には、青色を主成分とする光、緑色を主成分とする
光、及び赤色を主成分とする光から選択される。
す断面概念図である。図３０に示す素子構造では、金属
電極層４３（下電極２ａ）／第１色用電子輸送層６２／
第１色用発光層５３を含む積層構造パターン（第１色用
発光素子４０）、金属電極層４３（下電極２ａ）／第２
色用電子輸送層６３／第２色用発光層５４を含む積層構
造パターン（第２色用発光素子４１）、及び金属電極層
４３（下電極２ａ）／第３色用電子輸送層６４／第３色
用発光層５５を含む積層構造パターン（第３色用発光素
子４２）が、基体１上に交互に配列されている。それら
の上には、複数の素子にまたがってホール注入層４６
（ホール注入層８）及び透明電極４７（透明電極４ａ）
が形成されている。第１色、第２色及び第３色は、典型
的には、青色を主成分とする光、緑色を主成分とする
光、及び赤色を主成分とする光から選択される。
【００６８】図３１は、発光体１４，１８２の配列を表
す断面概念図である。図３１に示す素子構造では、下電
極４３（下電極２ａ）／電子輸送層４４（電子輸送層
６）／発光層４５（発光層７）／ホール注入層４６（ホ
ール注入層８）／透明電極４７（透明電極４ａ）を含む
積層構造が、基体１上に交互にお互いに隙間を持って配
列されている。
す断面概念図である。図３１に示す素子構造では、下電
極４３（下電極２ａ）／電子輸送層４４（電子輸送層
６）／発光層４５（発光層７）／ホール注入層４６（ホ
ール注入層８）／透明電極４７（透明電極４ａ）を含む
積層構造が、基体１上に交互にお互いに隙間を持って配
列されている。
【００６９】図３２は、発光体１４，１８２の配列を表
す断面概念図である。図３２に示す素子構造では、基体
１に凹部が形成されていて、その中に、金属電極層４３
（下電極２ａ）／電子輸送層４４（電子輸送層６）／発
光層４５（発光層７）／ホール注入層４６（ホール注入
層８）／透明電極４７（透明電極４ａ）を含む積層構造
パターンが形成されている。
す断面概念図である。図３２に示す素子構造では、基体
１に凹部が形成されていて、その中に、金属電極層４３
（下電極２ａ）／電子輸送層４４（電子輸送層６）／発
光層４５（発光層７）／ホール注入層４６（ホール注入
層８）／透明電極４７（透明電極４ａ）を含む積層構造
パターンが形成されている。
【００７０】（実施の形態１５）以下、本発明の実施の
形態１５（本発明を適用した発光素子６５のより具体的
な構造）を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。
形態１５（本発明を適用した発光素子６５のより具体的
な構造）を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記
実施の形態において既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【００７１】図３３は、本発明を適用した発光素子６５
の、より詳細な断面図である。図３３には発光素子６５
と発光素子６５への電流印加素子１３が示されている。
図３３に示す素子構造では、基体１上にバリア層２０５
が形成されている。その上には薄膜半導体（ＴＦＴ＝Ｔ
ｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のチャンネ
ル領域（ゲート部１９４）、ソース部１９３及びドレイ
ン部１９５が図のように形成されている。その上には、
ゲート絶縁膜１９８が形成されている。ゲート絶縁膜１
９８のうち、ＴＦＴのソース部１９３及びドレイン部１
９５上に位置する部分は穴が開けられている。ゲート絶
縁膜１９８の上で、かつ、ＴＦＴのチャンネル領域（ゲ
ート部１９４）上に位置する部分にはゲート電極２０６
が形成されている。その上には第１層間絶縁膜１９９が
形成されているが、ソース部１９３及びドレイン部１９
５の上に位置する部分は、穴が開けられている。この穴
の部分にはソース部１９３及びドレイン部１９５と接触
するように、ソース電極２００及びドレイン電極２０１
が形成されている。その上にはさらに第２層間絶縁膜２
０２が、ドレイン電極２０１を除いて図のように形成さ
れている。ここでは示していないが、ソース電極２００
はスイッチング素子１２と接続されている。第２層間絶
縁膜２０２の上には、金属電極２０３のパターンがドレ
イン電極２０１の一方に接触するように形成されてい
る。その上に発光材料層２０４（発光材料層３ａ）及び
透明電極１９７（透明電極４ａ）が順次形成されてい
る。発光材料層２０４（発光材料層３ａ）としては、電
子輸送層４４（電子輸送層６）／発光材料層２０４（発
光材料層３ａ）／ホール注入層４６（ホール注入層８）
からなる３層膜、電子輸送層４４（電子輸送層６）を兼
ねる発光材料層２０４（発光材料層３ａ）／ホール注入
層４６（ホール注入層８）からなる２層膜、または電子
輸送層４４（電子輸送層６）とホール注入層４６（ホー
ル注入層８）を兼ねる発光材料層２０４（発光材料層３
ａ）からなる単層膜が用いられる。
の、より詳細な断面図である。図３３には発光素子６５
と発光素子６５への電流印加素子１３が示されている。
図３３に示す素子構造では、基体１上にバリア層２０５
が形成されている。その上には薄膜半導体（ＴＦＴ＝Ｔ
ｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のチャンネ
ル領域（ゲート部１９４）、ソース部１９３及びドレイ
ン部１９５が図のように形成されている。その上には、
ゲート絶縁膜１９８が形成されている。ゲート絶縁膜１
９８のうち、ＴＦＴのソース部１９３及びドレイン部１
９５上に位置する部分は穴が開けられている。ゲート絶
縁膜１９８の上で、かつ、ＴＦＴのチャンネル領域（ゲ
ート部１９４）上に位置する部分にはゲート電極２０６
が形成されている。その上には第１層間絶縁膜１９９が
形成されているが、ソース部１９３及びドレイン部１９
５の上に位置する部分は、穴が開けられている。この穴
の部分にはソース部１９３及びドレイン部１９５と接触
するように、ソース電極２００及びドレイン電極２０１
が形成されている。その上にはさらに第２層間絶縁膜２
０２が、ドレイン電極２０１を除いて図のように形成さ
れている。ここでは示していないが、ソース電極２００
はスイッチング素子１２と接続されている。第２層間絶
縁膜２０２の上には、金属電極２０３のパターンがドレ
イン電極２０１の一方に接触するように形成されてい
る。その上に発光材料層２０４（発光材料層３ａ）及び
透明電極１９７（透明電極４ａ）が順次形成されてい
る。発光材料層２０４（発光材料層３ａ）としては、電
子輸送層４４（電子輸送層６）／発光材料層２０４（発
光材料層３ａ）／ホール注入層４６（ホール注入層８）
からなる３層膜、電子輸送層４４（電子輸送層６）を兼
ねる発光材料層２０４（発光材料層３ａ）／ホール注入
層４６（ホール注入層８）からなる２層膜、または電子
輸送層４４（電子輸送層６）とホール注入層４６（ホー
ル注入層８）を兼ねる発光材料層２０４（発光材料層３
ａ）からなる単層膜が用いられる。
【００７２】なお、本実施の形態では、発光材料層２０
４（発光材料層３ａ）及び透明電極１９７（透明電極４
ａ）はパターン化された場合を示したが、これらは複数
の素子にまたがる大きなパターンである場合もある。
４（発光材料層３ａ）及び透明電極１９７（透明電極４
ａ）はパターン化された場合を示したが、これらは複数
の素子にまたがる大きなパターンである場合もある。
【００７３】図３４は、本発明を適用した発光体１４，
１８２の、より詳細な断面図である。図３４に示す素子
構造では、発光材料層２０４（発光材料層３ａ）はドレ
イン電極２０１に接しておらず、透明電極１９７（透明
電極４ａ）がドレイン電極２０１に接している点が、図
３３に示す素子構造とは異なる。
１８２の、より詳細な断面図である。図３４に示す素子
構造では、発光材料層２０４（発光材料層３ａ）はドレ
イン電極２０１に接しておらず、透明電極１９７（透明
電極４ａ）がドレイン電極２０１に接している点が、図
３３に示す素子構造とは異なる。
【００７４】図３５は、図３３及び図３４に示した断面
構造の素子を適用した場合の、配線部を含む発光素子６
５周辺部の、典型的な平面図である。第１スイッチング
配線１８７（第１スイッチング配線２０）（ゲート線）
は、第１スイッチングトランジスタ１８３のゲート部１
９４ａに接続されている。第２スイッチング配線１８８
（第２スイッチング配線２１）（データ線）は、第１ス
イッチングトランジスタ１８３のソース部１９３ａに接
続されている。第１スイッチングトランジスタ１８３の
ドレイン部１９５ｂは、第２スイッチングトランジスタ
１８４（電流印加用トランジスタ）のゲート部１９４ｂ
に接続されていると同時に、グランド配線１８６（グラ
ンド配線２２）との間に形成された電圧保持用コンデン
サ１８５の片方の端子（図では電圧保持用コンデンサ１
８５の下側）に接続されている。電圧保持用コンデンサ
１８５のもう一方の端子（図では電圧保持用コンデンサ
１８５の上側）はグランド配線１８６（グランド配線２
２）に接続されている。第２スイッチングトランジスタ
１８４（電流印加用トランジスタ）のソース部１９３ｂ
は金属電極２０３に接続されている。
構造の素子を適用した場合の、配線部を含む発光素子６
５周辺部の、典型的な平面図である。第１スイッチング
配線１８７（第１スイッチング配線２０）（ゲート線）
は、第１スイッチングトランジスタ１８３のゲート部１
９４ａに接続されている。第２スイッチング配線１８８
（第２スイッチング配線２１）（データ線）は、第１ス
イッチングトランジスタ１８３のソース部１９３ａに接
続されている。第１スイッチングトランジスタ１８３の
ドレイン部１９５ｂは、第２スイッチングトランジスタ
１８４（電流印加用トランジスタ）のゲート部１９４ｂ
に接続されていると同時に、グランド配線１８６（グラ
ンド配線２２）との間に形成された電圧保持用コンデン
サ１８５の片方の端子（図では電圧保持用コンデンサ１
８５の下側）に接続されている。電圧保持用コンデンサ
１８５のもう一方の端子（図では電圧保持用コンデンサ
１８５の上側）はグランド配線１８６（グランド配線２
２）に接続されている。第２スイッチングトランジスタ
１８４（電流印加用トランジスタ）のソース部１９３ｂ
は金属電極２０３に接続されている。
【００７５】図３５に示す素子の全面には、発光材料層
２０４（発光材料層３ａ）及びその上に透明電極１９７
（透明電極４ａ）が形成されており（図示せず）、透明
電極１９７（透明電極４ａ）は電流源（電流源１９１）
に接続されている。第２スイッチングトランジスタ１８
４（電流印加用トランジスタ）のドレイン部１９５ｂ
は、グランド配線１８６（グランド配線２２）に接続さ
れている。
２０４（発光材料層３ａ）及びその上に透明電極１９７
（透明電極４ａ）が形成されており（図示せず）、透明
電極１９７（透明電極４ａ）は電流源（電流源１９１）
に接続されている。第２スイッチングトランジスタ１８
４（電流印加用トランジスタ）のドレイン部１９５ｂ
は、グランド配線１８６（グランド配線２２）に接続さ
れている。
【００７６】発光素子６５を構成する各部材には代表的
なものとして、以下のものを用いることができる。
なものとして、以下のものを用いることができる。
【００７７】
【表１】
【００７８】また、第１スイッチングトランジスタ１８
３及び第２スイッチングトランジスタ１８４（電流印加
用トランジスタ）を構成する各要素としては、以下のも
のを用いることができる。
３及び第２スイッチングトランジスタ１８４（電流印加
用トランジスタ）を構成する各要素としては、以下のも
のを用いることができる。
【００７９】
【表２】
【００８０】次に、本発明を適用した発光素子６５の代
表的な製造方法（図３３に示した素子構造）を、図３６
〜図４７を参照して説明する。
表的な製造方法（図３３に示した素子構造）を、図３６
〜図４７を参照して説明する。
【００８１】本実施の形態では、まず、図３６に示すよ
うに、基体１を用意する。基体１は典型的には、無アル
カリガラスである．この基体１上に、図３７に示すよう
に、バリア層２０５をスパッタ法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により
形成する。
うに、基体１を用意する。基体１は典型的には、無アル
カリガラスである．この基体１上に、図３７に示すよう
に、バリア層２０５をスパッタ法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により
形成する。
【００８２】その上に、図３８に示すように、スパッタ
法やＣＶＤ法、典型的には、５００℃程度の温度を印加
したＬＰ（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ） ＣＶＤ法によ
りシリコン１８０を形成し、レーザ照射により多結晶化
させる。
法やＣＶＤ法、典型的には、５００℃程度の温度を印加
したＬＰ（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ） ＣＶＤ法によ
りシリコン１８０を形成し、レーザ照射により多結晶化
させる。
【００８３】次にゲート絶縁膜１９８をスパッタ法やＣ
ＶＤ法により図３９のように形成する。典型的には、リ
モートプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２（酸化シリコ
ン）を成膜する。その上にゲート電極２０６のパターン
を図４０に示すように形成する。ゲート電極２０６のパ
ターンは、例えばスパッタ法や蒸着法によりゲート電極
２０６の膜、典型的にはＷＳｉ（タングステンシリサイ
ド）を成膜した上に、フォトレジストをスピンコート法
により塗布し、光学マスクを用いた露光と現像によりフ
ォトレジストをパターン化し、その上からミリング法に
よりフォトレジストパターンのない部分のゲート電極２
０６の膜を取り除き、最後にフォトレジストを溶媒に溶
解させる等の方法で取り除くことにより形成できる。
ＶＤ法により図３９のように形成する。典型的には、リ
モートプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２（酸化シリコ
ン）を成膜する。その上にゲート電極２０６のパターン
を図４０に示すように形成する。ゲート電極２０６のパ
ターンは、例えばスパッタ法や蒸着法によりゲート電極
２０６の膜、典型的にはＷＳｉ（タングステンシリサイ
ド）を成膜した上に、フォトレジストをスピンコート法
により塗布し、光学マスクを用いた露光と現像によりフ
ォトレジストをパターン化し、その上からミリング法に
よりフォトレジストパターンのない部分のゲート電極２
０６の膜を取り除き、最後にフォトレジストを溶媒に溶
解させる等の方法で取り除くことにより形成できる。
【００８４】次に、シリコン１８０形成部以外をレジス
トで覆った後にボロンやリンをイオンドーピングし、図
４１に示すように、ソース部１９３及びドレイン部１９
５を形成する。ソース部１９３及びドレイン部１９５を
活性化させるために典型的には、５５０℃程度の温度で
熱処理をする。
トで覆った後にボロンやリンをイオンドーピングし、図
４１に示すように、ソース部１９３及びドレイン部１９
５を形成する。ソース部１９３及びドレイン部１９５を
活性化させるために典型的には、５５０℃程度の温度で
熱処理をする。
【００８５】次に、図４２に示すように、スパッタ法や
ＣＶＤ法により第１層間絶縁膜１９９、典型的にはＳｉ
Ｏ２を形成し、次にソース部１９３及びドレイン部１９
５に形成されているゲート絶縁膜１９８及び第１層間絶
縁膜１９９を取り除く。この際も、上述したゲート電極
２０６のパターン化の際の手法を用いることができる。
ＣＶＤ法により第１層間絶縁膜１９９、典型的にはＳｉ
Ｏ２を形成し、次にソース部１９３及びドレイン部１９
５に形成されているゲート絶縁膜１９８及び第１層間絶
縁膜１９９を取り除く。この際も、上述したゲート電極
２０６のパターン化の際の手法を用いることができる。
【００８６】次に、図４３に示すように、ソース電極２
００及びドレイン電極２０１、典型的には、Ａｌ（アル
ミニウム）のパターンを形成する。この際も、上述した
ゲート電極２０６のパターン化の際の手法を用いること
ができる。この上に、図４４に示すように、第２層間絶
縁膜２０２、典型的にはＳｉＯ２のパターンを形成す
る。この際も、上述したゲート電極２０６のパターン化
の際の手法を用いることができる。
００及びドレイン電極２０１、典型的には、Ａｌ（アル
ミニウム）のパターンを形成する。この際も、上述した
ゲート電極２０６のパターン化の際の手法を用いること
ができる。この上に、図４４に示すように、第２層間絶
縁膜２０２、典型的にはＳｉＯ２のパターンを形成す
る。この際も、上述したゲート電極２０６のパターン化
の際の手法を用いることができる。
【００８７】次に、金属電極２０３のパターンを図４５
に示すように形成する。この際も、上述したゲート電極
２０６のパターン化の際の手法を用いることができる。
その上に、図４６に示すように、発光材料層２０４（発
光材料層３ａ）のパターンを形成する。この際には、メ
タルマスクを用いた蒸着法やインクジェット噴出ヘッド
を用いた形成手法が用いられる。その上に透明電極１９
７（透明電極４ａ）を図４７に示すように形成する。
に示すように形成する。この際も、上述したゲート電極
２０６のパターン化の際の手法を用いることができる。
その上に、図４６に示すように、発光材料層２０４（発
光材料層３ａ）のパターンを形成する。この際には、メ
タルマスクを用いた蒸着法やインクジェット噴出ヘッド
を用いた形成手法が用いられる。その上に透明電極１９
７（透明電極４ａ）を図４７に示すように形成する。
【００８８】透明電極１９７（透明電極４ａ）は、スパ
ッタ法、ＣＶＤ法、またはスピンコート法の手法により
成膜される。その後に、上述したゲート電極２０６のパ
ターン化の際の手法を用いることによりパターン化され
る。
ッタ法、ＣＶＤ法、またはスピンコート法の手法により
成膜される。その後に、上述したゲート電極２０６のパ
ターン化の際の手法を用いることによりパターン化され
る。
【００８９】（実施の形態１６）図１、図９（ａ）、図
９（ｂ）、図１１（ｂ）、図３３、及び図３５に示した
素子構造を有する発光素子６５を用いて発光表示装置を
試作した。１つの単位素子の大きさは３０μｍ×１００
μｍ、表示部の大きさは５０ｍｍ×５０ｍｍ（ミリメー
トル）である。
９（ｂ）、図１１（ｂ）、図３３、及び図３５に示した
素子構造を有する発光素子６５を用いて発光表示装置を
試作した。１つの単位素子の大きさは３０μｍ×１００
μｍ、表示部の大きさは５０ｍｍ×５０ｍｍ（ミリメー
トル）である。
【００９０】比較のために、図４８に断面概略図を示し
た構造の素子も試作した。図４８に示す素子構造では、
下電極２ａ、発光材料層３ａ、及び透明電極４ａがほぼ
同じ大きさにパターン化されている。
た構造の素子も試作した。図４８に示す素子構造では、
下電極２ａ、発光材料層３ａ、及び透明電極４ａがほぼ
同じ大きさにパターン化されている。
【００９１】これらの素子を試作する際に、基体１には
無アルカリガラスを、金属電極層４３（下電極２ａ）と
してはＡｌＬｉ（リチウムとアルミニウムの合金）を、
正孔注入層としてはα−ＮＰＤ、電子輸送層６を兼ねた
発光層７としてはアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）
を用いた。陽極バッファ層１５には、ポリアニリンを用
いた。透明電極４ａにはＩｎ（インジウム）酸化物とＺ
ｎ（亜鉛）酸化物との混合物を用いた。第１スイッチン
グ配線２０、第２スイッチング配線２１、及びグランド
配線２２にはＡｌ（アルミニウム）を用いた。
無アルカリガラスを、金属電極層４３（下電極２ａ）と
してはＡｌＬｉ（リチウムとアルミニウムの合金）を、
正孔注入層としてはα−ＮＰＤ、電子輸送層６を兼ねた
発光層７としてはアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）
を用いた。陽極バッファ層１５には、ポリアニリンを用
いた。透明電極４ａにはＩｎ（インジウム）酸化物とＺ
ｎ（亜鉛）酸化物との混合物を用いた。第１スイッチン
グ配線２０、第２スイッチング配線２１、及びグランド
配線２２にはＡｌ（アルミニウム）を用いた。
【００９２】スイッチング素子１２及び電流印加素子１
３としてはトランジスタを用いた。トランジスタのソー
ス電極２００及びドレイン電極２０１にはＡｌを用い、
ゲート電極２０６にはＷＳｉ（タングステンシリサイ
ド）を、ゲート絶縁膜１９８、第１層間絶縁膜１９９、
第２層間絶縁膜２０２、バリア層２０５には、Ｓｉ酸化
物を用いた。
３としてはトランジスタを用いた。トランジスタのソー
ス電極２００及びドレイン電極２０１にはＡｌを用い、
ゲート電極２０６にはＷＳｉ（タングステンシリサイ
ド）を、ゲート絶縁膜１９８、第１層間絶縁膜１９９、
第２層間絶縁膜２０２、バリア層２０５には、Ｓｉ酸化
物を用いた。
【００９３】これら２種類の発光表示装置の透明電極４
ａからなる陽極部に５ボルトの電位を印加し、さらにす
べての第１スイッチング配線２０（ゲート線）及び第２
スイッチング配線２１（データ線）に５ボルトの電位を
印加し、肉眼の観測で素子からの発光が完全に消滅する
までの時間を室温において測定した。図４８に示す素子
構造の素子では発光持続時間がわずか５分であったのに
対し、本発明の素子構造の発光素子６５では発光が５０
０時間以上持続している。
ａからなる陽極部に５ボルトの電位を印加し、さらにす
べての第１スイッチング配線２０（ゲート線）及び第２
スイッチング配線２１（データ線）に５ボルトの電位を
印加し、肉眼の観測で素子からの発光が完全に消滅する
までの時間を室温において測定した。図４８に示す素子
構造の素子では発光持続時間がわずか５分であったのに
対し、本発明の素子構造の発光素子６５では発光が５０
０時間以上持続している。
【００９４】また、図４８に示す素子構造では、下電極
２ａ、発光層７、及び透明電極４ａのパターンがほぼ同
じであるために、透明電極４ａのパターン端部４ｂから
発光層７のパターンや下電極２ａのパターンへの水や酸
素の侵入が生じ、そのために発光層７及び下電極２ａの
パターンの腐食が生じ、短時間で劣化したものと推測さ
れる。
２ａ、発光層７、及び透明電極４ａのパターンがほぼ同
じであるために、透明電極４ａのパターン端部４ｂから
発光層７のパターンや下電極２ａのパターンへの水や酸
素の侵入が生じ、そのために発光層７及び下電極２ａの
パターンの腐食が生じ、短時間で劣化したものと推測さ
れる。
【００９５】それに対し、本発明を適用した発光素子６
５では、下電極２ａのパターンや発光材料層３ａのパタ
ーンを酸化物である透明電極４ａのパターンが覆った構
造であるために、透明電極４ａのパターン端部４ｂから
発光層７のパターンや下電極２ａのパターンへの水や酸
素の侵入が生じることがなく、発光層７及び下電極２ａ
のパターンの腐食が生じなかったために、長時間の発光
が可能になったものと考えられる。
５では、下電極２ａのパターンや発光材料層３ａのパタ
ーンを酸化物である透明電極４ａのパターンが覆った構
造であるために、透明電極４ａのパターン端部４ｂから
発光層７のパターンや下電極２ａのパターンへの水や酸
素の侵入が生じることがなく、発光層７及び下電極２ａ
のパターンの腐食が生じなかったために、長時間の発光
が可能になったものと考えられる。
【００９６】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、上記各実施
の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また上
記構成部材の数、位置、形状等は上記各実施の形態に限
定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状
等にすることができる。また、各図において、同一構成
要素には同一符号を付している。
れず、本発明の技術思想の範囲内において、上記各実施
の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また上
記構成部材の数、位置、形状等は上記各実施の形態に限
定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状
等にすることができる。また、各図において、同一構成
要素には同一符号を付している。
【００９７】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、長時間の素子発光寿命を確保することができる膜面
発光タイプの発光素子構造を実現できるといった効果を
奏する。
で、長時間の素子発光寿命を確保することができる膜面
発光タイプの発光素子構造を実現できるといった効果を
奏する。
【図１】同図（ａ）は本発明の一実施の形態に係る発光
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
【図２】同図（ａ）は本発明の一実施の形態に係る発光
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
【図３】同図（ａ）は本発明の一実施の形態に係る発光
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
【図４】同図（ａ）は本発明の一実施の形態に係る発光
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
【図５】同図（ａ）は本発明の一実施の形態に係る発光
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
【図６】同図（ａ）は本発明の一実施の形態に係る発光
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
【図７】同図（ａ）は本発明の一実施の形態に係る発光
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
【図８】同図（ａ）は本発明の一実施の形態に係る発光
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
【図９】同図（ａ）は本発明の一実施の形態に係る発光
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
体を表す断面構造概略図であり、同図（ｂ）はその上面
透視図である。
【図１０】本発明に適用できる発光体の積層構造の一実
施の形態である。
施の形態である。
【図１１】本発明に適用できる発光体の積層構造の一実
施の形態である。
施の形態である。
【図１２】本発明に適用できる発光体の積層構造の一実
施の形態である。
施の形態である。
【図１３】本発明に適用できる発光体の積層構造の一実
施の形態である。
施の形態である。
【図１４】本発明の一実施の形態に係る発光素子の概念
図である。
図である。
【図１５】本発明の一実施の形態に係る発光素子の配列
を表す平面概念図である。
を表す平面概念図である。
【図１６】本発明の一実施の形態に係る発光体と配線と
の関係を表す平面概略図である。
の関係を表す平面概略図である。
【図１７】本発明の一実施の形態に係る発光体と配線と
の関係を表す平面概略図である。
の関係を表す平面概略図である。
【図１８】本発明の一実施の形態に係る発光体と配線と
の関係を表す平面概略図である。
の関係を表す平面概略図である。
【図１９】本発明の一実施の形態に係る発光素子と配線
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
【図２０】本発明の一実施の形態に係る発光素子と配線
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
【図２１】本発明の一実施の形態に係る発光素子と配線
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
【図２２】本発明の一実施の形態に係る発光素子と配線
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
【図２３】本発明の一実施の形態に係る発光素子と配線
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
【図２４】本発明の一実施の形態に係る発光素子と配線
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
と電気的接続関係を表す平面概略図である。
【図２５】本発明の一実施の形態に係る発光素子の配列
を表す断面概念図である。
を表す断面概念図である。
【図２６】本発明の一実施の形態に係る発光素子の配列
を表す断面概念図である。
を表す断面概念図である。
【図２７】本発明の一実施の形態に係る発光素子の配列
を表す断面概念図である。
を表す断面概念図である。
【図２８】本発明の一実施の形態に係る発光素子の配列
を表す断面概念図である。
を表す断面概念図である。
【図２９】本発明の一実施の形態に係る発光素子の配列
を表す断面概念図である。
を表す断面概念図である。
【図３０】本発明の一実施の形態に係る発光素子の配列
を表す断面概念図である。
を表す断面概念図である。
【図３１】本発明の一実施の形態に係る発光素子の配列
を表す断面概念図である。
を表す断面概念図である。
【図３２】本発明の一実施の形態に係る発光素子の構造
を表す断面概念図である。
を表す断面概念図である。
【図３３】本発明の一実施の形態に係る発光素子の構造
を表す断面概略図である。
を表す断面概略図である。
【図３４】本発明の一実施の形態に係る発光素子の構造
を表す断面概略図である。
を表す断面概略図である。
【図３５】本発明の一実施の形態に係る発光素子の構造
を表す上面概略図である。
を表す上面概略図である。
【図３６】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第１
作成手順を表す断面概略図である。
作成手順を表す断面概略図である。
【図３７】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第２
作成手順を表す断面概略図である。
作成手順を表す断面概略図である。
【図３８】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第３
作成手順を表す断面概略図である。
作成手順を表す断面概略図である。
【図３９】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第４
作成手順を表す断面概略図である。
作成手順を表す断面概略図である。
【図４０】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第５
作成手順を表す断面概略図である。
作成手順を表す断面概略図である。
【図４１】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第６
作成手順を表す断面概略図である。
作成手順を表す断面概略図である。
【図４２】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第７
作成手順を表す断面概略図である。
作成手順を表す断面概略図である。
【図４３】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第８
作成手順を表す断面概略図である。
作成手順を表す断面概略図である。
【図４４】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第９
作成手順を表す断面概略図である。
作成手順を表す断面概略図である。
【図４５】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第１
０作成手順を表す断面概略図である。
０作成手順を表す断面概略図である。
【図４６】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第１
１作成手順を表す断面概略図である。
１作成手順を表す断面概略図である。
【図４７】本発明の一実施の形態に係る発光素子の第１
２作成手順を表す断面概略図である。
２作成手順を表す断面概略図である。
【図４８】本発明の一実施の形態に係る一実施例の発光
素子の構造を表す上面概略図である。
素子の構造を表す上面概略図である。
１…基体 ２ａ…下電極 ２ｂ…下電極のパターン端部 ３ａ…発光材料層 ３ｂ…発光材料層のパターン端部 ４ａ…透明電極 ４ｂ…透明電極のパターン端部 ５ａ…絶縁層 ５ｂ…絶縁層パターン端部 ６…電子輸送層 ７…発光層 ８…ホール注入層 ９…発光層 １０…発光層 １１…発光層 １２…スイッチング素子 １３…電流印加素子 １４…発光体 １５…陽極バッファ層 １６…保護層 ２０…第１スイッチング配線 ２１…第２スイッチング配線 ２２…グランド配線 ２３…電流印加線 ２４…グランド配線を兼ねた第２スイッチング配線 ４０…第１色用発光素子 ４１…第２色用発光素子 ４２…第３色用発光素子 ４３…金属電極層 ４４…電子輸送層 ４５…発光層 ４６…ホール注入層 ４７…透明電極 ５２…土手 ５３…第１色用発光層 ５４…第２色用発光層 ５５…第３色用発光層 ５６…第１色用ホール注入層 ５７…第２色用ホール注入層 ５８…第３色用ホール注入層 ６２…第１色用電子輸送層 ６３…第２色用電子輸送層 ６４…第３色用電子輸送層 ６５…発光素子 １８０…シリコン １８２…発光体 １８３…第１スイッチングトランジスタ １８４…第２スイッチングトランジスタ １８５…電圧保持用コンデンサ １８６…グランド配線 １８７…第１スイッチング配線 １８８…第２スイッチング配線 １８９…電流供給配線 １９０…グランド １９１…電流源 １９２…共通配線 １９３，１９３ａ，１９３ｂ…ソース部 １９４，１９４ａ，１９４ｂ…ゲート部 １９５，１９５ａ，１９５ｂ…ドレイン部 １９７…透明電極 １９８…ゲート絶縁膜 １９９…第１層間絶縁膜 ２００…ソース電極 ２０１…ドレイン電極 ２０２…第２層間絶縁膜 ２０３…金属電極 ２０４…発光材料層 ２０５…バリア層 ２０６…ゲート電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｂ Ｄ (72)発明者 坪井 眞三 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 藤枝 一郎 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB11 AB13 AB18 BA06 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EB00 5C094 AA31 AA38 AA43 AA48 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 DA07 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA10 FA01 FA02 FB01 FB02 GB10
Claims (23)
- 【請求項１】 基体上に下電極のパターンが形成され、
当該下電極のパターン上に発光層のパターンが形成さ
れ、当該発光層のパターン上に透明電極が形成されてい
る発光体であって、当該下電極のパターンよりも透明電
極のパターンの方が大きいことを特徴とする発光体。 - 【請求項２】 基体上に下電極のパターンが形成され、
当該下電極のパターン上に発光層のパターンが形成さ
れ、当該発光層のパターン上に透明電極が形成されてい
る発光体であって、当該下電極のパターンのすべての領
域上に透明電極のパターンが形成されていることを特徴
とする発光体。 - 【請求項３】 基体上に下電極のパターンが形成され、
当該下電極のパターン上に発光層のパターンが形成さ
れ、当該発光層のパターン上に透明電極が形成されてい
る発光体であって、当該発光層のパターンよりも透明電
極のパターンの方が大きいことを特徴とする発光体。 - 【請求項４】 基体上に下電極のパターンが形成され、
当該下電極のパターン上に発光層のパターンが形成さ
れ、当該発光層のパターン上に透明電極が形成されてい
る発光体であって、当該発光層のパターンのすべての領
域上に透明電極のパターンが形成されていることを特徴
とする発光体。 - 【請求項５】 前記透明電極、前記発光層及び前記下電
極からなる素子部がエレクトロ・ルミネッセンス素子で
あることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に
記載の発光体。 - 【請求項６】 前記エレクトロ・ルミネッセンス素子
は、有機薄膜が印加電流によって発光する構造を有する
ことを特徴とする請求項５に記載の発光体。 - 【請求項７】 前記透明電極と前記発光層との間にホー
ル注入層が形成されていることを特徴とする請求項５ま
たは６に記載の発光体。 - 【請求項８】 前記透明電極と前記発光層との間に電子
輸送層を形成することを特徴とする請求項５乃至７のい
ずれか一項に記載の発光体。 - 【請求項９】 前記電子輸送層を兼用した状態で複数個
だけ独立して形成されていることを特徴とする請求項８
に記載の発光体。 - 【請求項１０】 前記基体上に形成された下電極層、当
該下電極層上に形成された電子輸送層、当該電子輸送層
上に形成されホール注入層を兼ねた発光層、及び当該発
光層上に形成された金属電極層からなることを特徴とす
る請求項５または６に記載の発光体。 - 【請求項１１】 ホール注入層を兼用した状態で複数個
だけ独立して形成されていることを特徴とする請求項７
または１０に記載の発光体。 - 【請求項１２】 導光体端面上に形成された透明電極
層、当該透明電極層上に形成された、ホール注入層及び
電子輸送層を兼ねた発光層、及び当該発光層上に形成さ
れた金属電極層からなることを特徴とする請求項５また
は６に記載の発光体。 - 【請求項１３】 前記透明電極層を兼用した状態で複数
個だけ独立して形成されていることを特徴とする請求項
１乃至１２のいずれか一項に記載の発光体。 - 【請求項１４】 平面的に並べて配置された少なくとも
３つの独立した発光体から成り、第１の発光体または発
光体群が赤領域の波長で発光し、第２の発光体または発
光体群が緑領域の波長で発光し、第３の発光体または発
光体群が青領域の波長で発光することを特徴とする請求
項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光体。 - 【請求項１５】 赤領域、緑領域、及び青領域の波長を
同時に発光できる構造を有していることを特徴とする請
求項１４に記載の発光体。 - 【請求項１６】 複数の独立して平面的に並べて配置さ
れ、そのそれぞれが青色領域の光、赤色領域の光、及び
緑色領域の光の混合色で発光することを特徴とする請求
項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光体。 - 【請求項１７】 請求項６乃至１６のいずれか一項に記
載の発光体を備えた素子部と、当該素子部に電気的に接
続され当該素子部に電流を印加するための電流印加素子
から形成されていることを特徴とする発光素子。 - 【請求項１８】 前記電流印加素子がゲート、ドレイン
及びソースからなる薄膜トランジスタからなり、前記透
明電極または前記下電極のいずれかがドレインあるいは
ソースのいずれかに接続されていることを特徴とする請
求項１７に記載の発光素子。 - 【請求項１９】 前記電流印加素子に接続され、当該電
流印加素子が前記透明電極、前記発光層及び前記下電極
からなる前記素子部に電流を流すか否かを選択するスイ
ッチング素子を含むことを特徴とする請求項１７または
１８に記載の発光素子。 - 【請求項２０】 前記スイッチング素子を少なくとも１
個のトランジスタを含む構成とし、当該スイッチング素
子に含まれるトランジスタのドレインが、前記電流印加
素子に含まれるトランジスタのゲートに接続されている
ことを特徴とする請求項１９記載の発光素子。 - 【請求項２１】 前記電流印加素子に接続され、当該電
流印加素子が前記透明電極、前記発光層及び前記下電極
からなる前記素子部に電流を流すか否かを選択するスイ
ッチング素子を含み、当該電流印加素子に電流を供給す
るための配線と、当該スイッチング素子にオン／オフの
電圧情報を印加するための配線を含むことを特徴とする
請求項１９または２０に記載の発光素子。 - 【請求項２２】 請求項２１に記載の発光素子を複数含
み、前記電流印加素子に電流を供給するための配線と、
前記スイッチング素子にオン／オフの電圧情報を印加す
るための配線及び当該電流印加素子に電流を供給するた
めの配線をマトリックス状に配置したことを特徴とする
発光表示装置。 - 【請求項２３】 一方向に配置された配線とそれとは他
方向に配置された配線とのなす角が略垂直であることを
特徴とする請求項２２に記載の発光表示装置。
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| JP2001028721A JP4292245B2 (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 発光体、発光素子、及び発光表示装置 |
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| WO (1) | WO2002063928A1 (ja) |
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