CN1491526A - 发光体、发光元件和发光显示装置 - Google Patents

发光体、发光元件和发光显示装置 Download PDF

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Abstract

一种发光元件，在基板上形成下电极图形，在下电极图形上形成发光层图形，在发光层图形上形成透明电极，对于具有有机薄膜通过外加电流而发光的结构的发光体，透明电极的图形比下电极的图形大。而且，在下电极图形的全部区域上形成透明电极的图形。透明电极的图形比发光层的图形大。在发光层图形的全部区域上形成透明电极的图形。

Description

发光体、发光元件和发光显示装置
技术领域
本发明涉及发光元件技术，尤其涉及能提供下述发光元件结构的发光体、发光元件和发光显示装置：这种发光元件结构可实现大开口率；可省略发光元件的密封；对于在形成透明电极后破坏真空并移到其他成膜装置中后可形成保护层的膜面发光型发光元件，能确保长时间的元件发光寿命。
背景技术
通常，作为在显示装置中使用的自发光体，有场致发射元件和电致发光(EL)元件。其中，EL元件分为将有机材料作为发光层的有机EL元件和将无机材料作为发光层的无机EL元件。
有机EL元件由阳极、阴极、夹在这些阳极和阴极的2种电极之间的有机发光性化合物所组成的超薄膜有机EL层组成。在阳极-阴极间施加电压时，空穴、电子分别从阳极、阴极注入有机EL层并再次耦合，通过这时产生的能量激发构成有机EL层的有机发光性化合物的分子。这样受到激发的分子在基础状态下失活的过程中产生发光现象。有机EL元件是利用这种发光现象的发光体。
有机EL层具有至少包含一个下述有机层的单层结构或多层结构：空穴和电子再次耦合后发光的称为发光层的有机层，空穴容易注入且电子难以移动的称为空穴传输层的有机层，以及电子容易注入且空穴难以移动的称为电子传输层的有机层。
近年来，有机EL元件得到广泛研究并且进入实用化。有机EL元件是具有以下基本结构的元件：通过在铟锡氧化物(ITO)等透明电极(空穴注入电极即阳极)上蒸镀三苯基二胺(TPD)等空穴注入材料而形成薄膜，而且将喹啉醇铝络合物(Alq3)等荧光物质作为发光层叠积，形成AgMg等功函数小的金属电极(电子注入电极即阴极)，以10V左右的外加电压从数百到数万cd/m2时获得高亮度，因此，作为家电产品和汽车、自行车、飞机等的电装品、显示器等而引起注意。
这种有机EL元件例如具有这样的结构：发光层等的有机层由作为电子注入电极的扫描(公共线)电极、作为空穴注入电极(透明电极)的数据(段线)电极夹持，并且形成在透明(玻璃)基板上。而且，因为是作为显示器来形成的，所以通过配置成矩阵状的扫描电极和数据电极进行点显示，区分为将图像和字符等信息作为这些点(像素)的集合体来显示的矩阵显示和作为预先确定了形状、大小的显示器来显示独立存在的东西的段式显示。
段式显示时，有使各显示器可分别独立显示的静态驱动方式，但在矩阵显示时，通常采用分时驱动各扫描线和数据线的动态驱动方式。
作为构成有机EL元件发光部分的发光体，分为：基板面发光型，用透明基板/透明电极/发光层/金属电极这种构成，在发光层中产生的光透过透明电极和透明基板发出；膜面发光型，用基板/金属电极/发光层/透明电极这种构成，在发光层中产生的光透过透明电极、从和基板表面相反侧的膜表面侧发出。
对于基板面发光型的元件，例如在应用物理杂志第51卷、913-915页(1987)(Appl.Phys.Lett.，51，913-915(1987))中记载。
对于膜面发光型的元件，例如在应用物理杂志第65卷、2636-2638页(1994)(Appl.Phys.Lett.，65，2636-2638(1994))中记载。
但是，上述基板面发光型因为从基板表面侧发光，所以在基板表面和发光面之间插入驱动电路和布线等不透明物质时，产生遮光及开口率和亮度下降的问题。而且，因为易腐蚀的金属电极和发光层涉及到透明电极，因此在金属电极形成后不破坏真空就不能密封元件时，存在发光特性变差这样的问题。关于发光体的密封技术，例如在特开平8-124677号公报中记载。
另一方面，上述膜面发光型即使在基板表面和发光面之间插入驱动电路和布线，开口率也不降低。而且，因为易腐蚀的金属电极和发光层位于透明电极和基板之间，所以通过选择发光层和透明电极图形的大小和位置关系，即使爱透明电极成膜后破坏真空，发光特性也不会立刻变差；要么省略发光元件的密封，可在透明电极形成后一旦破坏真空并移到其他成膜装置中后形成保护层。
为了解决这些问题，本发明的目的是提供一种能提供下述发光元件结构的发光体、发光元件和发光显示装置：这种发光元件结构可实现大开口率；可省略发光元件的密封；对于在形成透明电极后破坏真空并移到其他成膜装置中后可形成保护层的膜面发光型发光元件，能确保长时间的元件发光寿命。
发明内容
例如，本发明的第1发明要点是：发光体，在基板上形成下电极图形，在下电极图形上形成发光层图形，在发光层图形上形成透明电极，其特征在于，透明电极图形比下电极图形大。
本发明的第2发明要点是：发光体，在基板上形成下电极图形，在下电极图形上形成发光层图形，在发光层图形上形成透明电极，其特征在于，在下电极图形的全部区域上形成透明电极图形。
本发明的第3发明要点是：发光体，在基板上形成下电极图形，在下电极图形上形成发光层图形，在发光层图形上形成透明电极，其特征在于，透明电极图形比发光层图形大。
本发明的第4发明要点是：发光体，在基板上形成下电极图形，在下电极图形上形成发光层图形，在发光层图形上形成透明电极，其特征在于，在发光层图形的全部区域上形成透明电极图形。
本发明的第5发明要点是：第1至第4任一项发明中记载的发光体，其特征在于，上述透明电极、上述发光层和上述下电极组成的元件部分是电致发光元件。
本发明的第6发明要点是：第5发明中记载的发光体，其特征在于，上述电致发光元件具有有机薄膜通过外加电流来发光的结构。
本发明的第7发明要点是：第5或第6发明中记载的发光体，其特征在于，在上述透明电极和上述发光层之间形成空穴注入层。
本发明的第8发明要点是：第5至第7任一项发明中记载的发光体，其特征在于，在上述透明电极和上述发光层之间形成电子传输层。
本发明的第9发明要点是：第8发明中记载的发光体，在兼作上述电子传输层的状态下独立地形成多个。
本发明的第10发明要点是：第5或第6发明中记载的发光体，其特征在于，由上述基板上形成的下电极层、下电极层上形成的电子传输层、兼作电子传输层上形成的空穴注入层的发光层、以及发光层上形成的金属电极层组成。
本发明的第11发明要点是：第7或第10发明中记载的发光体，其特征在于，在兼作空穴注入层的状态下独立地形成多个。
本发明的第12发明要点是：第5或第6发明中记载的发光体，其特征在于，由在导光体端面上形成的透明电极层、在透明电极层上形成的、兼作空穴注入层和电子传输层的发光层、以及在发光层上形成的金属电极层组成。
本发明的第13发明要点是：第1至第12任一项发明中记载的发光体，其特征在于，在兼作上述透明电极层的状态下独立地形成多个。
本发明的第14发明要点是：第1至第13任一项发明中记载的发光体，其特征在于，由在平面上并列配置的至少3个独立的发光体组成，第一发光体或发光体群以红色区域的波长发光，第二发光体或发光体群以绿色区域的波长发光，第三发光体或发光体群以蓝色区域的波长发光。
本发明的第15发明要点是：第14发明记载的发光体，其特征在于，具有可使红色区域、绿色区域和蓝色区域的波长同时发光的结构。
本发明的第16发明要点是：第1至第13任一项发明中记载的发光体，其特征在于，多个独立地并列配置在平面上，分别以蓝色区域的光、红色区域的光和绿色区域的光的混合色发光。
本发明的第17发明要点是：发光元件，其特征在于，由具备第6至第16任一项发明中记载的发光体的元件部分和与该元件部分电气连接的用于向该元件部分施加电流的电流施加元件组成。
本发明的第18发明要点是：第17发明中记载的发光元件，其特征在于，上述电流施加元件由栅极、漏极和源极组成的薄膜晶体管构成，上述透明电极或上述下电极中的一个与漏极或源极中的一个连接。
本发明的第19发明要点是：第17或18发明中记载的发光元件，其特征在于，包含开关元件，与上述电流施加元件连接，选择该电流施加元件是否在上述透明电极、上述发光层和上述下电极组成的上述元件部分中流过电流。
本发明的第20发明要点是：第19发明中记载的发光元件，其特征在于，上述开关元件至少包含一个晶体管，该开关元件中所包含的晶体管的漏极连接上述电流施加元件中所包含的晶体管的栅极。
本发明的第21发明要点是：第19或20发明中记载的发光元件，其特征在于，包含开关元件，与上述电流施加元件连接，选择该电流施加元件是否在上述透明电极、上述发光层和上述下电极组成的上述元件部分中流过电流；还包含用于为该电流施加元件提供电流的布线和用于向该开关元件施加开/关电压信息的布线。
本发明的第22发明要点是：发光显示装置，其特征在于，包含多个第21发明中记载的发光元件，将用于向上述电流施加元件提供电流的布线、用于向上述开关元件施加开/关电压信息的布线和用于向该电流施加元件提供电流的布线配置成矩阵状。
本发明的第23发明要点是：第22发明中记载的发光显示装置，其特征在于，配置在一个方向上的布线和配置在另一个方向上的布线的夹角大致垂直。
附图的简单说明
图1A是表示根据本发明一个实施例的发光体的截面结构示意图；
图1B是其俯视图，
图2A是表示根据本发明一个实施例的发光体的截面结构示意图；
图2B是其俯视图，
图3A是表示根据本发明一个实施例的发光体的截面结构示意图；
图3B是其俯视图，
图4A是表示根据本发明一个实施例的发光体的截面结构示意图；
图4B是其俯视图，
图5A是表示根据本发明一个实施例的发光体的截面结构示意图；
图5B是其俯视图，
图6A是表示根据本发明一个实施例的发光体的截面结构示意图；
图6B是其俯视图，
图7A是表示根据本发明一个实施例的发光体的截面结构示意图；
图7B是其俯视图，
图8A是表示根据本发明一个实施例的发光体的截面结构示意图；
图8B是其俯视图，
图9A是表示根据本发明一个实施例的发光体的截面结构示意图；
图9B是其俯视图，
图10A至图10D示出了可适用于本发明的发光体层叠结构的一个实施例，
图11A至图11D示出了可适用于本发明的发光体层叠结构的一个实施例，
图12A至图12D示出了可适用于本发明的发光体层叠结构的一个实施例，
图13A至图13D示出了可适用于本发明的发光体层叠结构的一个实施例，
图14是根据本发明一个实施例的发光元件的示意图；
图15是表示根据本发明一个实施例的发光元件排列的平面示意图；
图16是表示根据本发明一个实施例的发光体和布线关系的平面示意图；
图17是表示根据本发明一个实施例的发光体和布线关系的平面示意图；
图18是表示根据本发明一个实施例的发光体和布线关系的平面示意图；
图19是表示根据本发明一个实施例的发光体、布线和电气连接关系的平面示意图；
图20是表示根据本发明一个实施例的发光体、布线和电气连接关系的平面示意图；
图21是表示根据本发明一个实施例的发光体、布线和电气连接关系的平面示意图；
图22是表示根据本发明一个实施例的发光体、布线和电气连接关系的平面示意图；
图23是表示根据本发明一个实施例的发光体、布线和电气连接关系的平面示意图；
图24是表示根据本发明一个实施例的发光体、布线和电气连接关系的平面示意图；
图25是表示根据本发明一个实施例的发光元件排列的截面示意图；
图26是表示根据本发明一个实施例的发光元件排列的截面示意图；
图27是表示根据本发明一个实施例的发光元件排列的截面示意图；
图28是表示根据本发明一个实施例的发光元件排列的截面示意图；
图29是表示根据本发明一个实施例的发光元件排列的截面示意图；
图30是表示根据本发明一个实施例的发光元件排列的截面示意图；
图31是表示根据本发明一个实施例的发光元件排列的截面示意图；
图32是表示根据本发明一个实施例的发光元件结构的截面示意图；
图33是表示根据本发明一个实施例的发光元件结构的截面示意图；
图34是表示根据本发明一个实施例的发光元件结构的截面示意图；
图35是表示根据本发明一个实施例的发光元件结构的顶面示意图；
图36是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第1制作步骤的截面示意图；
图37是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第2制作步骤的截面示意图；
图38是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第3制作步骤的截面示意图；
图39是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第4制作步骤的截面示意图；
图40是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第5制作步骤的截面示意图；
图41是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第6制作步骤的截面示意图；
图42是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第7制作步骤的截面示意图；
图43是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第8制作步骤的截面示意图；
图44是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第9制作步骤的截面示意图；
图45是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第10制作步骤的截面示意图；
图46是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第11制作步骤的截面示意图；
图47是表示根据本发明一个实施例的发光元件的第12制作步骤的截面示意图；
图48是表示根据本发明一个实施例的一例发光元件的结构的顶面示意图。
发明的最佳实施例
实施例1
以下，根据附图详细说明本发明的实施例1。图1A是本发明发光体14的截面示意图，图1B是俯视示意图。基板1是形成发光体14的物体，包含基板或在基板上形成膜和元件(下同)。在基板1上形成下电极2a的图形。在下电极2a上形成发光材料层3a的图形。发光材料层3a是至少包含发光层(例如，后述的发光层7)的部分，最好在发光层之外还包含电子传输层(后述的电子传输层6)和空穴注入层(后述的空穴注入层8)(下同)。
发光材料层3a的图形比下电极2a的图形大，覆盖下电极2a图形的全部区域。即，发光材料层3a的图形端部3b在全部区域中位于下电极2a的图形端部2b的外侧。在发光材料层3a的图形上部形成透明电极4a。图1A中，透明电极4a示出了未图形化的，这意味着在图示范围内要将图形图形化，图形很大。
在本实施例的元件结构中，在下电极2a和发光材料层3a的全部区域上，形成不易腐蚀且透湿性小的透明电极4a。因此，即使破坏真空而使本实施例元件结构的发光体14暴露在空气中，也能由下电极2a和发光材料层3a遮挡空气中包含的水分和氧气，可防止下电极2a和发光材料层3a的腐蚀。
在本实施例中，在透明电极4a上可设置保护层(后述第10至第13图中所示的保护层16)，用于更强地将下电极2a和发光材料层3a与空气中的水和氧气隔离。
实施例2
以下，基于附图详细说明本发明的实施例2。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。图2A表示本发明发光体14的截面示意图，图2B是俯视示意图。在基板1上形成下电极2a的图形。在下电极2a上形成发光材料层3a的图形。发光材料层3a的图形比下电极2a的图形大，覆盖下电极2a图形的全部区域。图2A中，发光材料层3a示出了未图形化的，这意味着在图示范围内要将图形图形化，图形很大。在发光材料层3a上形成透明电极4a的图形。透明电极4a的图形比发光材料层3a的图形小，但比下电极2a的图形大。而且，下电极2a图形的全部区域由透明电极4a的图形覆盖。即，在全部区域内，下电极2a的图形端部2b位于透明电极4a的图形端部4b的内侧。
在本实施例的元件结构中，在下电极2a的图形和发光材料层3a的全部区域上形成不易腐蚀且透湿性小的透明电极4a。这里，所谓发光材料层3a指发光材料层3a中由下电极2a的图形和透明电极4a夹持、通过在下电极2a和透明电极4a之间施加电压来发光的部分。这时，在发光材料层3a中连接下电极2a的部分中基本一致。本实施例的元件结构的发光体14即使破坏真空而暴露在空气中，也能由下电极2a遮挡包含在空气中的水分和氧气，可防止下电极2a的腐蚀。
本实施例的元件结构是不需要发光材料层3a完全覆盖下电极2a又被透明电极4a的图形所覆盖那样精密地图形化，因此，和图1A及图1B所示结构相比，制造容易，可降低制造成本。但是，发光材料层3a中未被透明电极4a的图形覆盖的部分不能遮挡氧气和水。这个区域远离发光材料层3a，是与发光没有直接关系的区域。但是，该区域被腐蚀变成了引发点而产生发光材料层3a的剥离，给发光特性带来影响。为了使用本实施例的元件结构，最好在发光层中使用不易被水和氧气腐蚀的材料。
在本实施例中，示出了在全部发光材料层3a的图形上形成透明电极4a的图形的情况，但也包含其一部分是形成在发光材料层3a图形之外的情况。
在本实施例的元件结构中，在透明电极4a上可设置强有力地将下电极2a和发光材料层3a与空气中的水和氧气隔开的保护层(后述第10至第13图中所示的保护层16)。
实施例3
以下，基于附图详细说明本发明的实施例3。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。图3A表示本发明发光体14的截面示意图，图3B是俯视示意图。在基板1上形成下电极2a的图形。在下电极2a上形成发光材料层3a的图形。这里，示出了在全部下电极2a的图形上形成发光材料层3a图形的情况。形成绝缘层5a，使得绝缘层5a的图形端部5b接着发光材料层3a的端部3b。形成透明电极4a的图形，使其完全覆盖在发光材料层3a的图形上。
在本实施例的元件结构中，在下电极2a图形的全部区域上形成透明电极4a或绝缘层5a。在发光材料层3a的全部区域上形成透明电极4a。因此，本实施例的元件结构的发光体14即使暴露在空气中，也能利用透明电极4a和绝缘层5a使下电极2a和发光材料层3a与空气中包含的水分和氧气隔离，可防止下电极2a和发光材料层3a的腐蚀。
本实施例的元件结构是在绝缘层5a中嵌入下电极2a和发光材料层3a的结构，因此可使元件上表面比较平坦。而且，可由透明电极4a和绝缘层5a全部覆盖发光材料层3a的图形和下电极2a的图形，对氧气和水的耐腐蚀性好。但是，因为需要使用绝缘层5a，所以需要多出1个工序，这部分会使制造成本上升。
在本实施例的元件结构中，在透明电极4a上可设置强有力地将下电极2a和发光材料层3a与空气中的水和氧气隔开的保护层(后述第10至第13图中所示的保护层16)。
实施例4
以下，基于附图详细说明本发明的实施例4。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。图4A和图4B所示的元件结构是图3A和图3B所示元件结构的变形例，元件结构变成绝缘层5a的图形端部5b搭在发光材料层3a的图形上。通过设置绝缘层5a和发光材料层3a的重叠部分，可减少由于制造误差而在下电极2a的图形和透明电极4a的图形之间产生漏电流。但是，由于绝缘层5a和发光材料层3a的重叠部分的存在，和上述实施例3(图)相比，元件上面的平坦性变差。
在本实施例的元件结构中，在透明电极4a上可设置强有力地将下电极2a和发光材料层3a与空气中的水和氧气隔开的保护层(后述第10至第13图中所示的保护层16)。
实施例5
以下，基于附图详细说明本发明的实施例5。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。图5A表示本发明发光体14的截面示意图，图5B是俯视示意图。在基板1上形成下电极2a的图形。在下电极2a上形成发光材料层3a的图形。发光材料层3a的图形覆盖下电极2a的图形的全部区域。在其上形成为：透明电极4a的图形完全覆盖下电极2a图形的全部区域。在发光材料层3a上形成绝缘层5a，使得绝缘层5a的图形端部5b接着透明电极4a的图形端部4b。尽管本实施例未示出，但绝缘层5a形成为：完全覆盖发光材料层3a中未被透明电极4a覆盖的部分。
在本实施例的元件结构中，在下电极2a图形的全部区域上形成透明电极4a。在发光材料层3a的全部区域上形成透明电极4a。因此，本实施例的元件结构的发光体14即使暴露在空气中，也能利用透明电极4a和绝缘层5a使下电极2a和发光材料层3a与空气中包含的水分和氧气隔离，可防止下电极2a和发光材料层3a的腐蚀。
因为本实施例的元件结构是在绝缘层5a中嵌入透明电极4a的图形，因此可使元件上表面比较平坦。而且，可由透明电极4a和绝缘层5a全部覆盖发光材料层3a的图形和下电极2a的图形，因此，对氧气和水的耐腐蚀性好。但是，因为需要使用绝缘层5a，所以需要多出1个工序，这部分会使制造成本上升。
本实施例的元件结构中，在透明电极4a上可设置强有力地将下电极2a和发光材料层3a与空气中的水和氧气隔开的保护层(后述第10至第13图中所示的保护层16)。
实施例6
以下，基于附图详细说明本发明的实施例6。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。图6A和图6B所示的元件结构是图5A和图5B所示元件结构的变形例，重合形成绝缘层5a的图形端部5b，使其位于透明电极4a的图形端部4b上。通过设置绝缘层5a和透明电极4a的重叠部分，可防止由于制造误差而在绝缘层5a的图形端部5b和透明电极4a的图形端部4b之间产生间隙，可降低腐蚀发光材料层3a的概率。但是，由于绝缘层5a和发光材料图形(发光材料层3a的图形)的重叠部分的存在，和上述实施例5(图5)的情况相比，元件上面的平坦性变差。
在本实施例的元件结构中，在透明电极4a上可设置强有力地将下电极2a和发光材料层3a与空气中的水和氧气隔开的保护层(后述第10至第13图中所示的保护层16)。
实施例7
以下，基于附图详细说明本发明的实施例7。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。图7A和图7B是排列多个发光体14时发光元件65的截面图和平面图。在各个发光体14中，在基板1上形成下电极2a的图形，在下电极2a的图形上形成覆盖其全部区域的发光材料层3a的图形。在发光材料层3a的图形上形成覆盖其全部区域的透明电极4a的图形。这里，在全部区域内，发光材料层3a的图形端部3b位于下电极2a的图形端部2b的外侧，透明电极4a的图形端部4b在全部区域中位于发光材料层3a的图形端部3b的外侧。这样，元件如图所示纵横排列。这里，示出了纵4列、横5行的排列，但也可自由选择排列数。
实施例8
以下，基于附图详细说明本发明的实施例8。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。图8A和图8B是排列多个发光体14时发光元件65的截面图和平面图。在基板1上形成下电极2a的图形，在下电极2a的图形上形成覆盖其全部区域的发光材料层3a的图形。发光材料层3a的图形覆盖多个下电极2a的图形。在发光材料层3a的图形上形成覆盖其全部区域的透明电极4a的图形。透明电极4a的图形以1个图形覆盖多个下电极2a图形和发光材料层3a图形的全部区域。这样，发光体14如图所示纵横排列。这里，示出了纵4列、横5行的排列，但也可自由选择排列数。而且，发光材料层3a和透明电极4a的图形在全部发光体14中是共同的，不一定必须，但可以横跨多个元件。
实施例9
以下，基于附图详细说明本发明的实施例9。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。图9A和图9B是排列多个发光体14时发光元件65的截面图和平面图。在基板1上形成下电极2a的图形，在下电极2a的图形上形成覆盖其全部区域的发光材料层3a的图形。这里，重合形成发光材料层3a的图形端部3b，使其位于下电极2a的图形端部2b上。在发光材料层3a的图形上形成覆盖其全部区域的透明电极4a的图形。透明电极4a的图形以1个图形覆盖多个下电极2a图形和发光材料层3a图形的全部区域。这样，发光体14如图所示纵横排列。这里，示出了纵4列、横5行的排列，但也可自由选择排列数。而且，发光材料层3a和透明电极4a的图形在全部发光体14中是共同的，不一定必须，但可以横跨多个元件。
实施例10
以下，基于附图详细说明本发明的实施例10。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。图10至图13示出了可适用于本发明的发光体14的层结构。
图10A示出了在基板1上顺次形成下电极2a、兼作空穴注入层8和电子传输层6的发光层9、以及透明电极4a的元件结构。这时，发光层9相当于上述发光材料层3a。图10B示出了在兼作空穴注入层8和电子传输层6的发光层9与透明电极4a之间插入阳极缓冲层15的元件结构。如图10C和图10D所示，在图10A、图10B所示的结构最上部可设置保护层16。
图11A示出了在基板1上顺次形成下电极2a、兼作电子传输层6的发光层10、空穴注入层8以及透明电极4a的元件结构。这时，兼作电子传输层6的发光层10和空穴注入层8的部分相当于上述发光材料层3a。图11B示出了在空穴注入层8和透明电极4a之间插入阳极缓冲层15的元件结构。如图11C和图11D所示，在图11A、图11B所示结构的最上部可设置保护层16。
图12A示出了在基板1上顺次形成下电极2a、电子传输层6、兼作空穴注入层8的发光层11和透明电极4a的元件结构。这时，电子传输层6和兼作空穴注入层8的发光层11的部分相当于上述发光材料层3a。图12B示出了在发光层11和透明电极4a之间插入阳极缓冲层15的元件结构。如图12C和图12D所示，在图12A、图12B所示结构的最上部可设置保护层16。
图13A示出了在基板1上顺次形成下电极2a、电子传输层6、发光层7、空穴注入层8和透明电极4a的元件结构。这时，电子传输层6、发光层7、空穴注入层8的部分相当于上述发光材料层3a。图13B示出了在空穴注入层8和透明电极4a之间插入阳极缓冲层15的元件结构。如图13C和图13D所示，可在图13A、13B所示结构的最上部设置保护层16。
实施例11
以下，基于附图详细说明本发明的实施例11。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。
图14是表示本发明发光元件65的截面示意图。发光体14连接电流施加元件13，电流施加元件13连接开关元件12。
这样构成的发光元件65如图15中的发光元件65的俯视图那样，多个并排配置。这里，示出了纵3列、横6行的情况，但可任意选择排列数。
实施例12
以下基于附图详细说明本发明的实施例12。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。参照图16至图18，描述布线和发光体14的平面位置关系。
在图16所示的元件结构中，向着纸面在横(纸面左右)方向上配置接地布线22和第一开关布线20，在纵向上配置第二开关布线21。在纵向布线(第二开关布线21)和横(纸面左右)方向的布线(接地布线22、第一开关布线20)之间配置发光体14。发光体14连接电流施加元件13，电流施加元件13连接开关元件12(参考图14)。发光体14连接电流源(电流源191(后述，参考图19))。接地布线22也有配置在纵向的时候。这里，示出了发光体14纵2列、横2行排列的情况，但可适当选择排列数。
图17所示的元件结构中，向着纸面在横(纸面左右)方向上配置第二开关布线21和接地布线22，在纵向上配置第一开关布线20和电流施加线23。纵向的布线(第一开关布线20和电流施加线23)和横(纸面方向)方向的布线(第二开关布线21和接地布线22)之间，配置发光体14。发光体14连接电流施加元件13，电流施加元件13连接开关元件12(参考图14)。接地布线22也有配置在纵向的时候。这里，示出了发光体14纵2列、横2行排列的情况，但可适当选择排列数。
图18所示的元件结构中，向着纸面在横(纸面左右)方向上配置兼作接地布线22的第二开关布线24和电流施加线23，在纵向上配置第一开关布线20。在纵向布线(第一开关布线20)和横(纸面左右)方向的布线(兼作接地布线22的第二开关布线24和电流施加线23)之间配置发光体14。发光体14连接电流施加元件13，电流施加元件13连接开关元件12(参考图14)。兼作接地布线22的第二开关布线24可配置在纵向上。这里，示出了发光体14纵2列、横2行排列的情况，但可适当选择排列数。
实施例13
以下基于附图详细说明本发明的实施例13。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。参考图19至图25描述发光体14、电流施加元件13、开关元件12、第一开关布线20和第二开关布线21的连接关系。
图19是可适用于本发明的发光元件65的电路示意图。参考图19，在本实施例中，元件结构是分别用开关晶体管作为开关元件12，用电流施加用的晶体管作为电流供给元件。
第一开关布线187(第一开关布线20)和第二开关布线188(第二开关布线21)如图19所示纵横排列。第一开关晶体管183的源极部分193a连接第二开关布线188(第二开关布线21)，栅极部分194a连接第一开关布线187(第一开关布线20)。漏极部分195a连接第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的栅极部分194b和电压保持用的电容器185的一个端子。电压保持用的电容器185的另一个端子连接地190。第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的源极部分193b连接电流源191，漏极部分195b连接发光体182的阳极。发光体182的阴极连接地190。
在第一开关布线187(第一开关布线20)上施加电压时，通过在第一开关晶体管183的栅极部分194a上施加电压，使源极部分193a和漏极部分195a之间导通。在这种状态下，在第二开关布线188(第二开关布线21)上施加电压时，在漏极部分195a上施加电压，电荷存储在电压保持用的电容器185中。从而，即使关断施加在第一开关布线187(第一开关布线20)或第二开关布线188(第二开关布线21)上的电压，在存储在电压保持用的电容器185中的电荷完全用尽之前也可以给第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的栅极部分194b上连续施加电压。通过给第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的栅极部分194b上施加电压，源极部分193b和漏极部分195b之间导通，电流从电流源191通过发光体182流入地190，发光体182发光。
另一方面，没有向第一开关布线187(第一开关布线20)和第二开关布线188(第二开关布线21)施加驱动电压时，因为没有给第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的漏极部分195a施加电压，所以电流不流过发光体182，不能引起发光。
图20示出了在图19所示元件结构中增加接地布线186(接地布线22)和电流供给布线189(电流施加线23)的元件结构。图21示出了在图19所示构成中、共用第一开关布线187(第一开关布线20)和地190的布线作为公共布线192的元件结构。
图22是表示第一开关布线187(第一开关布线20)、第二开关布线188(第二开关布线21)和开关元件12、电流施加元件13和发光元件65的电气连接图。这里，示出了分别用开关晶体管作为开关元件12、用电流施加用的晶体管作为电流供给元件的情况。开关用的布线由第一开关布线187(第一开关布线20)和第二开关布线188(第二开关布线21)组成。第一开关晶体管183的源极部分193a连接第二开关布线188(第二开关布线21)，栅极部分194a连接第一开关布线187(第一开关布线20)。漏极部分195a连接第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的栅极部分194b，同时，连接电压保持用的电容器185的一个端子。电压保持用的电容器185的另一个端子连接地190。第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的源极部分193b连接发光体182的阴极侧，漏极部分195b连接地190。发光体182的阳极部分连接电流源191。此外，这里，省略了接地190用的布线和电流施加用的布线。
在本实施例的元件结构中，在同时给第一开关布线187(第一开关布线20)和第二开关布线188(第二开关布线21)提供驱动电压时，向第一开关晶体管183的漏极部分195a提供电压，通过将电荷存储在电压保持用的电容器185中，可向第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的栅极部分194b施加稳定的电位。从而，电流从电流源191通过发光体182流过，电流还从第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的栅极部分194b通过漏极部分195b流入地190。从而，可使发光体182发光。
另一方面，没有给第一开关布线187(第一开关布线20)和第二开关布线188(第二开关布线21)施加驱动电压时，因为没有向第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的栅极部分194b施加电压，所以电流不流过发光体182，不引起发光。
图23示出了在图22所示结构上增加接地布线186(接地布线22)和电流供给布线189(电流施加线23)的元件结构。图24示出了在图22所示构成中，共用第一开关布线187(第一开关布线20)和接地190用的布线作为公共布线192的元件结构。
实施例14
以下，基于附图详细说明本发明的实施例14。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。以下，描述可适用于本发明的发光体14、182的排列方法、和基板表面的关系、层叠结构等变形例。
图25是表示发光体14、182的排列的截面示意图。图25所示的元件结构中，第一颜色用的发光元件40、第二颜色用的发光元件41和第三颜色用的发光元件42交互排列在基板1上。第一颜色用的发光元件40、第二颜色用的发光元件41和第三颜色用的发光元件42通常从以蓝色为主成分的发光元件(发光元件65)、以绿色为主成分的发光元件(发光元件65)和以红色为主成分的发光元件(发光元件65)中选择。
图26是表示发光体14、182的排列的截面示意图。在图26所示的元件结构中，第一颜色用的发光元件40、第二颜色用的发光元件41和第三颜色用的发光元件42的至少一部分嵌入基板1中并交互排列。第一颜色用的发光元件40、第二颜色用的发光元件41和第三颜色用的发光元件42通常从以蓝色为主成分的发光元件(发光元件65)、以绿色为主成分的发光元件(发光元件65)和以红色为主成分的发光元件(发光元件65)中选择。
图27是表示发光体14、182的排列的截面示意图。在图27所示的元件结构中，第一颜色用的发光元件40、第二颜色用的发光元件41和第三颜色用的发光元件42交互排列在基板1上。在各个元件间形成堤坝52。第一颜色用的发光元件40、第二颜色用的发光元件41和第三颜色用的发光元件42通常从以蓝色为主成分的发光元件(发光元件65)、以绿色为主成分的发光元件(发光元件65)和以红色为主成分的发光元件(发光元件65)中选择。
图28是表示发光体14、182的排列的截面示意图。在图28所示的元件结构中，包含金属电极层43(下电极2a)/第一颜色用的电子传输层62/第一颜色用的发光层53的层叠结构图形(第一颜色用的发光元件40)、包含金属电极层43(下电极2a)/第二颜色用的电子传输层63/第二颜色用的发光层54的层叠结构图形(第二颜色用的发光元件41)、以及包含金属电极层43(下电极2a)/第三颜色用的电子传输层64/第三颜色用的发光层55的层叠结构图形(第三颜色用的发光元件42)交互排列在基板1上。各个元件间形成堤坝52。在这些之上，横跨多个元件形成空穴注入层46(空穴注入层8)和透明电极47(透明电极4a)。第一颜色、第二颜色和第三颜色通常从以蓝色为主成分的光、以绿色为主成分的光和以红色为主成分的光中选择。
图29是表示发光体14、182的排列的截面示意图。在图29所示的元件结构中，包含金属电极层43(下电极2a)/第一颜色用的电子传输层62/第一颜色用的发光层53/第一颜色用的空穴注入层56的层叠结构图形(第一颜色用的发光元件40)、包含金属电极层43(下电极2a)/第二颜色用的电子传输层63/第二颜色用的发光层54/第二颜色用的空穴注入层57的层叠结构图形(第二颜色用的发光元件41)、以及包含金属电极层43(下电极2a)/第三颜色用的电子传输层64/第三颜色用的发光层55/第三颜色用的空穴注入层58的层叠结构图形(第三颜色用的发光元件42)交互排列在基板1上。在这些之上，横跨多个元件形成透明电极47(透明电极4a)。第一颜色、第二颜色和第三颜色通常从以蓝色为主成分的光、以绿色为主成分的光和以红色为主成分的光中选择。
图30是表示发光体14、182的排列的截面示意图。在图30所示的元件结构中，包含金属电极层43(下电极2a)/第一颜色用的电子传输层62/第一颜色用的发光层53的层叠结构图形(第一颜色用的发光元件40)、包含金属电极层43(下电极2a)/第二颜色用的电子传输层63/第二颜色用的发光层54的层叠结构图形(第二颜色用的发光元件41)、以及包含金属电极层43(下电极2a)/第三颜色用的电子传输层64/第三颜色用的发光层55的层叠结构图形(第三颜色用的发光元件42)交互排列在基板1上。在这些之上，横跨多个元件形成空穴注入层46(空穴注入层8)和透明电极47(透明电极4a)。第一颜色、第二颜色和第三颜色通常从以蓝色为主成分的光、以绿色为主成分的光和以红色为主成分的光中选择。
图31是表示发光体14、182的排列的截面示意图。在图31所示的元件结构中，包含下电极43(下电极2a)/电子传输层44(电子传输层6)/发光层45(发光层7)/空穴注入层46(空穴注入层8)/透明电极47(透明电极4a)的层叠结构彼此间留有间隙地交互排列在基板1上。
图32是表示发光体14、182的排列的截面示意图。在图32所示的元件结构中，在基板1中形成凹部，其中，形成包含金属电极层43(下电极2a)/电子传输层44(电子传输层6)/发光层45(发光层7)/空穴注入层46(空穴注入层8)/透明电极47(透明电极4a)的层叠结构。
实施例15
以下，基于附图详细说明本发明的实施例15(适用本发明的发光元件65的更具体的结构)。而且，和上述实施例相同的部分用相同的标号表示，重复说明从略。
图33是适用本发明的发光元件65的更详细的截面图。图33示出了发光元件65和为发光元件65设置的电流施加元件13。图33所示的元件结构中，在基板1上形成缓冲层205。在其上如图所示的那样形成薄膜半导体(TFT＝Thin Film Transistor)的沟道区域(栅极部分194)、源极部分193和漏极部分195。之上形成栅极绝缘膜198。栅极绝缘膜198中，位于TFT的源极部分193和漏极部分195上的部分开孔。在栅极绝缘膜198上且位于TFT的沟道区域(栅极部分194)上的部分中形成栅电极206。之上形成第一层间绝缘膜199，但位于源极部分193和漏极部分195上的部分开孔。在该孔部分中形成源电极200和漏电极201，以便与源极部分193和漏极部分195接触。之上再如图所示的那样除去漏电极201形成第二层间绝缘膜202。这里尽管未示出，但源电极200和开关元件12连接。
在第二层间绝缘膜202上与漏电极201的一方接触地形成金属电极203的图形。之上顺次形成发光材料层204(发光材料层3a)和透明电极197(透明电极4a)。用电子传输层44(电子传输层6)/发光材料层204(发光材料层3a)/空穴注入层46(空穴注入层8)组成的3层膜，兼作电子传输层44(电子传输层6)的发光材料层204(发光材料层3a)/空穴注入层46(空穴注入层8)组成的2层膜，或者兼作电子传输层44(电子传输层6)和空穴注入层46(空穴注入层8)的发光材料层204(发光材料层3a)组成的单层膜，作为发光材料层204(发光材料层3a)。
此外，在本实施例中，尽管展示了发光材料层204(发光材料层3a)和透明电极197(透明电极4a)图形化的情况，但也有横跨多个元件的大图形的情况。
图34是适用本发明的发光体14、182的更详细的截面图。图34所示的元件结构中，和图33所示元件结构的不同点在于：发光材料层204(发光材料层3a)不连接漏电极201，透明电极197(透明电极4a)连接漏电极201。
图35是适用图33和图34所示截面结构的元件时的包含布线部分的发光元件65周边部分的典型平面图。第一开关布线187(第一开关布线20)(栅极线)连接第一开关晶体管183的栅极部分194a。第二开关布线188(第二开关布线21)(数据线)连接第一开关晶体管183的源极部分193a。第一开关晶体管183的漏极部分195b连接第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的栅极部分194b，同时，连接在和接地布线186(接地布线22)之间形成的电压保持用的电容器185的一个端子(图中电压保持用的电容器185的下侧)。电压保持用的电容器185的另一个端子(图中电压保持用的电容器185的上侧)连接接地布线186(接地布线22)。第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的源极部分193b连接金属电极203。
在图35所示元件的整个表面上，形成发光材料层204(发光材料层3a)，并且在发光材料层204上形成透明电极197(透明电极4a)(未示出)，透明电极197(透明电极4a)连接电流源(电流源191)。第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的漏极部分195b连接接地布线186(接地布线22)。
在构成发光元件65的各部件中可用以下提供的内容为代表。
    基板              玻璃，树脂，石英
透明电极层 ITO(铟锡氧化物，In氧化物和Zn氧化物的混合物)
金属电极层 MgAg，Al，LiAl
电子传输层 喹啉醇铝络合物(Alq)，PBD，TAZ，BND，噁二唑衍生物(OXD)，OXD-7，聚对苯撑亚乙烯(PPV)
发光层 喹啉醇铝络合物中添加红色荧光色素后的材料，喹啉醇铝络合物，铍苯并喹啉醇(ベリリウムベンゾキノリノ一ル)络合物，锌的噁唑络合物包含共轭类高分子有机化合物的前体和至少一种荧光物质的材料。作为前体，例如聚亚乙烯基苯撑(ボリビニレンフエニレン)或其衍生物。作为荧光色素，若丹明B，二芪基联苯(ジスチルビフエニル)，香豆素，四苯基丁二烯，喹吖酮以及它们的衍生物
空穴注入层 三苯基二胺衍生物(TPD)，铜酞菁等卟啉化合物，α-NPD
阳极缓冲层 CuPc，聚苯胺，聚噻吩
保护层 Al氧化物，Al氮化物，Si氧化物，Si氮化物或它们的混合物
开关元件 晶体管
电流施加元件 晶体管
开关用的布线，电流施加用的布线，第二开关布线，公共布线，接地布线 Al，Cu，Ta，Ru，WSi
而且，作为构成第一开关晶体管183和第二开关晶体管184(电流施加用的晶体管)的各要素，可用以下的内容。
    源·漏电极，栅电极     Al，Cu，Ta，Ru，Wsi
栅极绝缘膜，第一层间绝缘膜，第二层间绝缘膜，缓冲层 Al氧化物，Ak氮化物，Si氧化物，Si氮化物或它们的混合物
接着，参考图36～图47说明适用本发明的发光元件65的代表性的制造方法(图33所示的元件结构)。
在本实施例中，首先，如图36所示，制备基板1。基板1通常是无碱玻璃。如图37所示，通过溅射法或化学汽相淀积法(CVD，Chemical Vapor Deposition)在基板1上形成缓冲层205。
如图38所示，利用溅射法或CVD法，通常采用施加500℃左右温度的低压(LP，Low Pressure)CVD法，形成硅180，通过激光照射而多结晶化。
接着，如图39所示，通过溅射法或CVD法形成栅极绝缘膜198。通常，通过远距离等离子CVD法成膜SiO2(氧化硅)。如图40所示，在其上形成栅电极206的图形。
栅电极206的图形形成方法为：例如在通过溅射法或蒸镀法形成栅电极206的膜通常是WSi(硅化钨)膜上，通过旋涂法涂敷光致抗蚀剂，通过利用光学掩模的曝光和显影将光致抗蚀剂图形化，用研磨法从其上去除没有光致抗蚀剂图形那部分的栅电极206的膜，最后，通过将光致抗蚀剂溶解在溶剂中等方法去除，从而形成栅电极206的图形。
接着，用抗蚀剂覆盖硅180形成部分以外的部分，然后，掺杂硼或锂离子，如图41所示，形成源极部分193和漏极部分195。为了使源极部分193和漏极部分195活性化，通常在550℃左右的温度进行热处理。
接着，如图42所示，通过溅射法或CVD法形成第一层间绝缘膜199，通常是SiO2，接着，去除在源极部分193和漏极部分195形成的栅极绝缘膜198和第一层间绝缘膜199。这时，可用上述栅电极206图形化时的方法。
接着，如图43所示，形成源电极200和漏电极201通常是Al(铝)的图形。这时，可用上述栅电极206图形化时的方法。如图44所示，在其上形成第二层间绝缘膜202通常是SiO2的图形。这时，也可用上述栅电极206图形化时的方法。
接着，如图45所示形成金属电极203的图形。这时，也可用上述栅电极206图形化时的方法。如图46所示，在其上形成发光材料层204(发光材料层3a)的图形。这时，采用利用金属掩模的蒸镀法或利用喷墨喷射头的形成方法。如图47所示，在其上形成透明电极197(透明电极4a)。
透明电极197(透明电极4a)通过溅射法，CVD法或旋涂法等方法成膜。之后，利用上述栅电极206图形化时所用的方法图形化。
实施例16
用具有图1、图9A、图9B、图11B、图33和图35所示元件结构的发光元件65试作发光显示装置。1个单位元件的大小为30μm×100μm，显示部分的大小为50mm×50mm(毫米)。
为了比较，试作图48中所示截面示意图的结构的元件。如图48所示的元件结构中，下电极2a、发光材料层3a和透明电极4a几乎大小相同地被图形化。
试作这些元件时，在基板1上用无碱玻璃作为金属电极层43(下电极2a)，用AlLi(锂和铝的合金)作为空穴注入层，用喹啉醇铝络合物(Alq3)作为α-NPD、以及兼作电子传输层6的发光层7。在阳极缓冲层15中用聚苯胺。在透明电极4a中用In(铟)氧化物和Zn(锌)氧化物的混合物。第一开关布线20、第二开关布线21和接地布线22中用Al(铝)。
用晶体管作为开关元件12和电流施加元件13。晶体管的源电极200和漏电极201中用Al，栅电极206中用WSi(硅化钨)，栅极绝缘膜198、第一层间绝缘膜199、第二层间绝缘膜202、缓冲层205中用Si氧化物。
给这两种发光显示装置的由透明电极4a组成的阳极部分施加5v电位，而且给全部第一开关布线20(栅极线)和第二开关布线21(数据线)施加5v电位，在室温下测定通过肉眼观测直至元件发出的光完全消失时间。与图48所示的元件结构的元件发光持续时间仅为5分钟相对照，本发明的元件结构的发光元件65发光持续500小时以上。
在图48所示的元件结构中，因为下电极2a、发光层7和透明电极4a的图形大致相同，所以水和氧气从透明电极4a的图形端部4b侵入发光层7的图形和下电极2a的图形，因此，腐蚀发光层7和下电极2a的图形，推测为在短时间内变差。
对此，在适用本发明的发光元件65中，变成是氧化物的透明电极4a的图形来覆盖下电极2a图形和发光材料层3a图形的结构，因此，水和氧气不从透明电极4a的图形端部4b侵入发光层7的图形和下电极2a的图形，不腐蚀发光层7和下电极2a的图形，因此，可长时间发光。
此外，本发明不限于上述实施例，显然可以在本发明的技术思想范围内对上述实施例进行适当修改。而且，上述构成部件的数量、位置、形状等不限于上述实施例，在实施本发明时，可采用适当的数量、位置、形状等。而且，各图中，同一组成要素用同一标号表示。

Claims (23)

1.一种发光体，在基板上形成下电极图形，在该下电极图形上形成发光层图形，在该发光层图形上形成透明电极，其特征在于，所述透明电极图形比所述下电极图形大。
2.一种发光体，在基板上形成下电极图形，在该下电极图形上形成发光层图形，在该发光层图形上形成透明电极，其特征在于，在所述下电极图形的全部区域上形成透明电极图形。
3.一种发光体，在基板上形成下电极图形，在该下电极图形上形成发光层图形，在该发光层图形上形成透明电极，其特征在于，所述透明电极图形比所述发光层图形大。
4.一种发光体，在基板上形成下电极图形，在该下电极图形上形成发光层图形，在该发光层图形上形成透明电极，其特征在于，在所述发光层图形的全部区域上形成透明电极图形。
5.根据权利要求1至4任一项所述的发光体，其特征在于，所述透明电极、所述发光层和所述下电极组成的元件部分是电致发光元件。
6.根据权利要求5所述的发光体，其特征在于，所述电致发光元件具有有机薄膜通过外加电流来发光的结构。
7.根据权利要求5或6所述的发光体，其特征在于，在所述透明电极和所述发光层之间形成空穴注入层。
8.根据权利要求5至7任一项所述的发光体，其特征在于，在所述透明电极和所述发光层之间形成电子传输层。
9.根据权利要求8所述的发光体，在兼作所述电子传输层的状态下独立地形成多个。
10.根据权利要求5或6所述的发光体，其特征在于，由所述基板上形成的下电极层、该下电极层上形成的电子传输层、兼作该电子传输层上形成的空穴注入层的发光层、以及发光层上形成的金属电极层组成。
11.根据权利要求7或10所述的发光体，其特征在于，在兼作空穴注入层的状态下独立地形成多个。
12.根据权利要求5或6所述的发光体，其特征在于，由在导光体端面上形成的透明电极层、在透明电极层上形成的兼作空穴注入层和电子传输层的发光层、以及在发光层上形成的金属电极层组成。
13.根据权利要求1至12任一项所述的发光体，其特征在于，在兼作所述透明电极层的状态下独立地形成多个。
14.根据权利要求1至13任一项所述的发光体，其特征在于，由在平面上并列配置的至少3个独立的发光体组成，第一发光体或发光体群以红色区域的波长发光，第二发光体或发光体群以绿色区域的波长发光，第三发光体或发光体群以蓝色区域的波长发光。
15.根据权利要求14所述的发光体，其特征在于，具有可使红色区域、绿色区域和蓝色区域的波长同时发光的结构。
16.根据权利要求1至13任一项所述的发光体，其特征在于，多个独立地并列配置在平面上，分别以蓝色区域的光、红色区域的光和绿色区域的光的混合色发光。
17.一种发光元件，其特征在于，由具备权利要求6至16任一项所述的发光体的元件部分和与该元件部分电气连接的用于向该元件部分施加电流的电流施加元件组成。
18.根据权利要求17所述的发光元件，其特征在于，所述电流施加元件由栅极、漏极和源极组成的薄膜晶体管构成，所述透明电极或所述下电极中的一个与漏极或源极中的一个连接。
19.根据权利要求17或18所述的发光元件，其特征在于，包含开关元件，与所述电流施加元件连接，选择该电流施加元件是否在所述透明电极、所述发光层和所述下电极组成的所述元件部分中流过电流。
20.根据权利要求19所述的发光元件，其特征在于，所述开关元件至少包含一个晶体管，该开关元件中所包含的晶体管的漏极连接所述电流施加元件中所包含的晶体管的栅极。
21.根据权利要求19或20所述的发光元件，其特征在于，包含开关元件，与所述电流施加元件连接，选择该电流施加元件是否在所述透明电极、所述发光层和所述下电极组成的所述元件部分中流过电流；还包含用于为所述电流施加元件提供电流的布线和用于向该开关元件施加开/关电压信息的布线。
22.一种发光显示装置，其特征在于，包含多个权利要求21所述的发光元件，将用于向所述电流施加元件提供电流的布线、用于向所述开关元件施加开/关电压信息的布线和用于向所述电流施加元件提供电流的布线配置成矩阵状。
23.根据权利要求22所述的发光显示装置，其特征在于，配置在一个方向上的布线和配置在另一个方向上的布线的夹角大致垂直。
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