CN1845648A - 发光装置，电子设备和电视装置 - Google Patents

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Abstract

人们不断要求采用发红、绿和蓝颜色光的彩色平面显示器具有更高的清晰度、更大的宽高比和更好的可靠性。本发明的发光装置具有称为隔段的绝缘体，即黑色基质(BM)，所述隔段位于基片侧的像素之间，所述基片侧上设置有发光元件和TFT，并在密封基片侧上具有红、绿和蓝有色层。其能够使像素的右侧和左侧边缘均包括在内，隔段的宽度为30μm或更低，优选为5μm至20μm。

Description

发光装置，电子设备和电视装置
技术领域
本发明涉及具有包括薄膜晶体管(下文称为TFT)的电路的半导体装置及其生产方法。例如，本发明涉及一种具有发光显示装置的电子设备，所述发光显示装置具有作为其一部分的TFT和有机发光元件。
注意，在本说明书中，半导体装置包括可以利用半导体性质而起作用的全部装置。电光学装置，半导体电路以及电子设备均包括在所述半导体装置中。
背景技术
近年来，对EL元件作为自发光发光元件的发光装置进行了研究。所述发光装置还称为有机EL显示器或有机发光二极管。所述发光装置具有以下特征，例如适于电影放映的快响应速度、或者低电压以及低功耗驱动。因此，所述发光装置作为包括新一代手提电话或个人数字辅助设备(PDA)的下一代显示器引起了人们的注意。
在EL元件的结构中，作为发光层的含有有机化合物的层(以下称为EL层)位于阳极和阴极之间。通过在阳极和阴极上施加电场，则EL层产生电发光。
低分子量材料或高分子量材料可以用作EL元件中的EL层。可以采用气相沉积(包括真空气相沉积)、旋涂法、喷墨法、浸渍法、电场聚合法等以形成EL层。
在制备采用红(R)、绿(G)和蓝(B)为发光颜色的彩色平板显示器的情况下，不同像素之间的间隙应设计较宽，或者使称为隔段(bank)(或障碍物)的绝缘体位于像素之间，这是因为通过上述成膜方法形成的膜不是很精确。
在专利文献1中，申请人描述了一种结构，其中将光屏蔽部分放在EL元件的边缘以防止光从透明电极发射至光屏蔽部分，从而提高了光提取效率。注意，在专利文献1中描述了一种具有底部发射结构的发光装置。(专利文献1：日本专利申请公开号No.2002-83689)
在专利文献2中，申请人提出采用吸光多层膜作为隔段的顶层，并采用有机树脂作为基层，防止线路的反射光到达观察者的眼睛。注意，在专利文献2中描述了具有顶部发射结构的发光装置。(专利文献2：日本专利申请公开号No.2004-31201)
另外，在专利文献3中，申请人描述了一种结构，其中屏蔽膜放置于发光元件的阳极或阴极附近，从而防止EL发光装置具有镜面效应而不需采用圆形偏振片。注意，在专利文献3中描述了具有顶部发射结构和底部发射结构的发光装置(专利文献3：日本专利申请公开号No.2002-33185)。
人们不断要求采用红、绿、蓝作为发光颜色的彩色平板显示器具有更高的清晰度、更大的图像宽高比以及更好的可靠性。所述需求是使每个显示像素间距小型化的主要目标，从而使发光装置具有高度的精确性(增加像素数量)以及较小的尺寸。同时，需要提高生产率并降低成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种采用发光元件和有色层的有源矩阵发光装置。本发明发光装置在基片侧上的像素之间具有称为隔段(或障碍物)的绝缘体，即黑色基质(BM)，基片侧上沉积有发光元件和TFT，并且所述发光装置在密封基片侧上具有红、绿和蓝有色层。这使得可以包括像素的右侧和左侧边缘，并且使隔段的宽度为30μm或更低，优选，5μm至20μm。
所谓的滤色器由红、绿和蓝有色层在基片上有规律地排列而形成，与位于所述有色层之间的相邻设置的黑色基质形成一体。当通过印刷法形成滤色器时，所述有色层和黑色基质部分重叠，如果形成黑色基质，则形成作为表面上的凹陷的厚的部分，之后，形成红、绿和蓝有色层，从而没有空白间隙。另外，即使先形成红、绿和蓝有色层，然后形成黑色基质，仍然得到部分重叠的部分以及厚的部分。因此，常规滤色器具有被称为外涂层的透明层，从而使凹陷部分变得平坦。所述外涂层增加了滤色器的总体厚度。
根据本发明，使具有发光元件和TFT的基片与具有有色层的密封基片之间的间隙变窄，以减小有色层和发光元件之间的距离，从而使视角变宽。注意，一个有色层的尺寸优选大于一个发光元件的发光区域(被隔段环绕的区域)的尺寸。
特别地，在本发明中，由于只设置了红、绿、蓝有色层，而没有设置黑色基质，从而简化了密封基片侧的结构及其生产方法。基片之间的间隙可以进一步地变窄，这是因为，不需要如常规滤色器设置外涂层。通过使基片之间的间隙变窄，可以减少用于填充基片之间间隙的材料的量。
另外，优选在减压下将具有发光元件和TFT的基片附着于密封基片上，从而使基片之间的间隙缩小。这样，很难在其中形成气泡，并且易于调整用于填充基片之间间隙的材料的量。
当基片之间的间隙被缩小至极限时，如果填料较差地附着在基片表面上，则有利地是不充填填料。因此，优选完全或选择性地预先形成基层(或预处理基底)，以改善在保护膜上的附着，所述保护膜覆盖发光元件的阴极(或阳极)。注意，所述保护膜使发光元件不受湿气的影响。
本说明书所述的本发明的一个特征为发光元件，其包括：具有多个发白光元件的像素部分，所述发光元件具有位于第一基片上的第一电极；与第一电极相邻的含有有机化合物的层；与含有有机化合物的所述层邻近的透光第二电极；并包括用于密封的第二基片。所述发光装置具有由光屏蔽材料构成的隔段，其位于相邻第一电极之间，所述第一电极位于第一基片上；为第二基片提供的红、绿、蓝有色层；覆盖发光元件的保护膜；位于保护膜上的含有光催化材料的基层；位于有色层和含有光催化材料的基层之间的透明填料。
另外，当发光装置为上述结构中的顶部发射型时，第一电极由光反射材料膜构成，或由透明导电膜和光反射材料膜的层压层构成。在上述结构中，光屏蔽层间绝缘膜位于第一基片和第一电极之间，从而进一步增强对比度。
注意，为了形成基膜，通过喷雾或喷溅在整个表面上滴加光催化材料(钛氧化物(TiOX)、钛酸锶(SrTiO3)、硒化镉(CdSe)、钽酸钾(KTaO3)、硫化镉(CdS)、氧化锆(ZrO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化铁(Fe2O3)或氧化钨(WO3))，或者通过喷墨法或溶胶-凝胶法选择性地形成有机材料(热固性聚酰亚胺或热固性丙烯酰基化合物)以作为单层或层压层。
由于本发明中使用光催化材料的基膜具有吸收或散射日光等性质，因此其可以作为光保护膜，当发光装置在阳光下使用时，防止发光元件受日光的影响。
光催化材料是指具有光催化功能的材料，用紫外区域的光(其波长为400nm或更低，优选380nm或更低)照射从而进行光催化激活。
例如，在用光照射TiOX之前，光催化材料具有亲脂性而没有亲水性，就是说其处于疏水状态。所述光照射产生了光催化活性，从而将所述亲脂性转化为亲水性。注意，根据光照射时间，其可以同时具有亲水性和亲脂性。
另外，在光催化材料中掺杂过渡金属(Pd，Pt，Cr，Ni，V，Mn，Fe，Ce，Mo，W等)，通过可见区域内的光(其波长为400至800nm)可以提高光催化活性或者产生光催化活性。根据所述光催化材料来决定光的波长。本文中，光照射是指用具有一定波长的光进行照射，所述波长使得光催化材料被光催化激活。
在密封基片侧的密封图案内滴加填料，其上附着另一基片(其表面形成有光催化材料的基片)，从而通过填料充填基片之间的窄间隙。
本发明的另一特征为发光装置，其包括，具有多个发白光元件的像素部分，所述发白光元件的第一透光电极位于第一基片上；与第一电极相邻的含有有机化合物的层；邻近所述含有有机化合物层的第二透光电极。所述发光装置具有由光屏蔽材料构成的隔段，所述隔段位于第一基片上的相邻第一电极之间；位于第二基片上的红、绿、蓝有色层；覆盖所述发光元件的保护膜；位于保护膜上的层，该层中含有具有光催化功能的材料；透明填料，其位于有色层和所述含有具有光催化功能的材料的层之间。
根据上述结构，发白光元件所发出的光经第一电极通过第一基片；发白光元件所发出的光经第二电极通过位于第二基片上的有色层并透过第二基片。
根据上述结构，由光屏蔽材料构成的隔段与有色层部分重叠，其中间放置有透明填料。所述有色层的尺寸比被由光屏蔽材料构成的隔段环绕的发光区域大。可以包括右侧和左侧边缘，这是因为作为黑色基质的隔段位于基片上，所述基片上具有发白光元件和TFT。
在上述结构中，所述发光装置采用包括碳和镍的铝合金膜(Al(C+Ni))作为电极或线路。Al(C+Ni)合金膜是在施加电流或热处理之前或之后，对ITO或ITSO的接触电阻值没有大的变化的材料。
发白光元件的发光层由电荷注入传输材料和包括有机化合物或无机化合物的发光材料构成。而且，其包括选自以下的单层或多层，低分子量有机化合物；中等分子量有机化合物(分子数为20或更小，或者分子链的长度为10μm或更低的有机化合物，不具备升华特性)；以及高分子量有机化合物，所述有机化合物根据分子数进行分类。其可以结合具有电子注入传输性或空穴注入传输性的无机化合物。
除了单重态激发发光材料之外，发白光元件的发光层还可以采用包括金属络合物等的三重态激发发光材料。三重态激发发光材料的一个例子为用作掺杂剂的金属络合物；将第三过渡系元素铂作为中心金属的金属络合物，铱作为中心金属的金属络合物等均是公知的。此外，作为三重态激发发光材料，可以采用具有上述结构并采用元素周期表第8至第10族的任一元素作为中心金属的化合物，而不局限于上述化合物。
发出的光的颜色由发光层的材料决定。因此，可以选择材料，以形成具有所需要的发射的发光元件。基于聚对亚苯基亚乙烯基的材料、基于聚亚苯基的材料、基于聚噻吩的材料以及基于聚芴的材料可以作为高分子量发光材料以形成发光层。
通过设置包括蓝色发光层的两层或三层发光层以发出白光，可以形成上述发出白光的发光元件。尤其是，所述白光发射可以通过以下得到，将发光元件制备成具有以下层的层压层，在空穴传输层上共同蒸发形成第一混合层发光层，从而NPB和苯蒽衍生物的体积比为1∶3，并包括并四苯衍生物；共同蒸发形成第二混合层蓝色发光层，从而NPB和苯蒽衍生物的体积比为1∶3，并包括苯乙烯胺衍生物。
在另一发白光元件中，可以采用蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层的层压层作为发光层，蓝色发光层采用了锌的唑络合物；绿色发光层采用了三(8-喹啉酸合)铝(Alq3)；红色发光层为掺杂有红色荧光染料(P-660，DCM-1)的Alq3。
作为采用两层发射的白光发光层，可以采用绿色发光层和黄色发光层的层压层，所述绿色发光层为掺有香豆素6的Alq3，所述黄色发光层为掺有红荧烯的TPD。
上述形成含有有机化合物的层的材料仅仅作为举例。将空穴注入传输层、空穴传输层、电子注入传输层、电子传输层、发光层、电子阻断层、空穴阻断层等叠加在一起可以形成发白光元件。另外，可以形成上述的混合层或混合接合。
不局限于发白光元件，将光屏蔽隔段设置于第一基片上作为发蓝光元件，并将颜色转换层而不是发白光元件放置于第二基片上，可以形成彩色显示器。
通过以下方法可以在第一基片上形成发红光元件、发蓝光元件和发绿光元件：对含有有机化合物的层内的每个像素进行颜色编码；在其间放置光屏蔽隔段；在第二基片上放置增强颜色纯度的有色层。例如，亮度减少一半所需时间相对较短的发红光的像素由三重态激发发光材料构成；发绿光的像素和发蓝光的像素由单重态激发发光材料构成。所述三重态激发发光材料具有良好的发光效率，因此在得到相同亮度时其能耗较低。换言之，适合采用红色像素以提高可靠性，这是因为流过发光元件的电流量较低。为了减少能耗，发红光的像素和发绿光的像素可以由三重态激发发光材料构成，发蓝光的像素可以由单重态激发发光材料构成。将人类可视性较高的发绿光元件由三重态激发发光材料构成，可以进一步减少能耗。
本发明使得相邻发光区域之间的隔段和间隙宽度更窄。也就是说，提高了宽高比。
根据本发明，可以改善显示对比度，这是因为，黑色隔段吸收或屏蔽了来自发光元件的散射光。将具有黑色隔段和TFT的基片和具有有色层的第二基片之间的间隙变窄，可以使视角更开阔。
此外，如果基片之间的间隙变窄，可以减少位于一对基片之间的填料的量。通过形成改善附着性的基层，即使基片之间的间隙变窄，一对基片之间的间隙也可以用填料进行良好填充。用于改善附着性的基层增强了一对基片之间的固定强度，并改善了发光装置的可靠性。
附图说明
图1为本发明发光装置的横截面图；
图2A至2D为每个状态的透视图，其中基片仍然没有粘附；
图3A和3B为每个层压层装置的横截面图；
图4为滴加填料的透视图；
图5A和5B为每个发光装置(实施方案1，实施方案2)的横截面图；
图6的横截面图显示了实施方案3；
图7A至7I为横截面工艺过程图(实施方案4)；
图8A至8F为电路图，显示了适用于本发明EL显示面板的每个像素的结构(实施方案5)；
图9A和9B为每个EL显示面板(实施方案6)的顶视图；
图10A至10D显示了电子设备的每个例子(实施方案7)；以及
图11A至11B显示了电子设备的每个例子(实施方案7)。
具体实施方式
以下参照图1至4对本发明的一个实施模式进行描述。
图1为部分显示有源矩阵发光装置的横截面图；
三个TFT 103R，103G和103B位于第一基片101上。TFT为p沟道TFT，其中每个均包括作为活性层的沟道形成区域120、源区和漏区121和122；栅绝缘层105；栅电极123a和123b。所述栅电极由两层构成，包括逐渐减小的底层123a和顶层123b。
红色层115R、绿色层115G、蓝色层115B位于第二基片116上。图2C的例子显示了位于第二基片上的有色层的顶视图。注意，有色层115R、115G和115B面对每个发光元件放置，从而对与TFT连接的发白光元件所发出的白光进行着色。
图2C显示了采用条带状有色层的例子，但是所述有色层可以设置为矩阵形式。像素可以三角形排列或者镶嵌式排列。将三种颜色的图像数据转化为四种颜色的图像数据，则彩色显示器上可以采用四种类型的像素，即红、绿、蓝和白，从而不需要将彩色显示器局限于三种颜色的像素，即红、绿和蓝。所述四种颜色的像素可以增强亮度，从而显示鲜艳的视频。注意，当采用四种像素时，不设置面向像素W的有色层。
由黑色树脂构成的隔段109起到黑色基质(BM)的作用，与位于不同有色层之间的边缘(或空白间隙)重叠。所述隔段109为格子形，从而环绕发光区域。如果相邻有色层之间具有空白间隙，则所述空白间隙应比隔段109的宽度窄。
图2D的例子显示了位于第一基片上的隔段的顶视图。被黑色隔段环绕的区域的大小与发光区域相同。有色层的大小比发光区域大，从而使视角较宽。从透明电极至TFT并没有全部接收有机化合物层产生的所有光。例如，光还横向发射(平行于基片表面)；然而，横向发出的光并不被提取，从而产生损失。此外，所述散射光影响了TFT的电特性，这是因为，TFT的活性层被散射光照射，从而发生损耗。因此，本发明的结构中由黑色树脂构成的隔段109吸收或屏蔽了来自发光元件的散射光。
发白光元件包括第一电极108a和108b，含有有机化合物的层110，由透明导电材料构成的第二电极111。图1中，完全设置含有有机化合物的层110；但是，由于发白光元件，可以采用掩膜以选择性地形成所述层。
对于第一电极108a和108b以及第二电极111，需要根据功函选择它们的材料。注意，根据像素结构，第一电极和第二电极可以为阳极或阴极。优选地，当驱动TFT为p沟道型时，第一电极为阳极，第二电极为阴极。优选地，当驱动TFT为n沟道型时，第一电极为阴极，第二电极为阳极。
作为一个例子，叠加由金属材料(Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)、Al(铝)等)构成的底层108a和由透明导电材料(铟锡氧化物(ITO)，包括二氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等)构成的顶层108b，从而形成第一电极。当采用反射层作为底层108a时，形成顶部发射型发光装置，其中发出的光通过第二基片；当采用透光层作为底层108a时，形成双向发射型发光装置，其中发出的光通过第一和第二基片。注意，当采用顶部发射型时，可以控制具有不同反射率的材料层之间的散射光，这是因为与底部发射型相比，可以减少含有有机化合物的层发出的光所通过的材料层。
最优选采用Al(C+Ni)合金膜作为底层108a，同时采用含有二氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)作为顶层108b。在该实施方案中，采用了这样的Al(C+Ni)合金膜，其中Al中含有0.3原子％的C和3原子％的Ni。Al(C+Ni)合金膜是在施加电流或热处理之前或之后，对ITO或ITSO的接触电阻值没有大的变化的材料。通过施加电流或进行热处理很难使ITSO晶体化，其是一种表面为平的并具有高度精确性的材料。
通过顺序在第一电极(阳极)侧叠加HIL(空穴注入层)、HTL(空穴传输层)、EML(发光层)、ETL(电子传输层)和EIL(电子注入层)从而形成含有有机化合物的层110。注意，含有有机化合物的层可以具有单层结构或者混合结构，以及层压层结构。
优选将保护膜112覆盖于第二电极111上，以防止发光元件由于湿气或脱气而发生损坏。较理想的是采用通过PCVD方法得到的致密无机绝缘膜(SiN膜，SiNO膜等)、通过喷溅方法得到的致密无机绝缘膜(SiN膜，SiNO膜等)、基于碳的薄膜(DLC膜、CN膜、无定形碳膜)、金属氧化物膜(WO2、CaF2、Al2O3等)等作为保护膜112。可以通过等离子体CVD法(通常，RF等离子体CVD法、微波CVD法、电子回旋加速器(ECR)CVD法、热丝CVD法)、燃烧火焰法、喷溅法、离子束气相沉积、激光气相沉积等形成钻石状碳膜(也称为DLC膜)。氢气和烃类气体(例如，CH4、C2H2、C2H6等)用作成膜的反应气体。所述气体通过辉光放电而离子化，加速的离子与具有负的自偏压的阴极碰撞，从而形成膜。用C2H4气体和N2气体作为反应气体可以生成CN膜。注意，DLC膜或CN膜对于可见光是透明或半透明的绝缘层，但是其依赖于膜的厚度。当可见光的透射率为80至100％，其对可见光是透明的；当可见光的透射率为50至80％，其对可见光是半透明的。
含有光催化材料的基层113(也称为缓冲层)位于保护膜112上。通过喷溅方法或喷雾法得到的钛氧化物(TiOX)、钛酸锶(SrTiO3)、硒化镉(CdSe)、钽酸钾(KtaO3)、硫化镉(CdS)、氧化锆(ZrO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化铁(Fe2O3)以及氧化钨(WO3)，作为具有光催化功能的材料。基层113优选具有透光特性。注意，基层113还作为保护膜。
第一基片101和第二基片(或相对基片)116之间的间隙充满填料114。设置含有光催化材料的基层113，其目的是提高填料与用于密封第一基片和第二基片的密封元件之间的粘附性，或者提供保护膜和填料114之间的粘附性。注意，在将基片相互粘附之前，用一定波长的光事先照射基层113以激活光催化作用。包含具有光催化功能的材料的层可以作为外涂层以覆盖位于第二基片116侧的有色层。
描述了将有色层设置在第二基片116上靠近第一基片101的一侧的例子。然而，有色层可以位于第二基片116的外侧，然后采用第二基片116和填料114相互接触的结构。
图2A和2B为每个基片在相互粘附之前的透视图。本文，一个基片上具有四个板块。包括BM209和发白光元件的像素部分202；覆盖像素202的光催化材料形成区203位于第一基片201上，如图2A所示。注意，图2D显示了一部分BM209。设置密封件205以环绕有色层204，从而与位于第二基片216上的像素部分重叠，如图2B所示。通过逐滴加入法将填料206加入被密封件205环绕的区域。注意，图2C显示了部分的有色层204。
第一基片粘附于第二基片上，以防止气泡产生，从而光催化材料形成区域203与填料206接触，密封件205与层压装置接触。
图3A和3B显示了层压装置的例子。在减压条件下，在图3A和3B的层压装置中，基片可以相互粘附。
在图3A和3B中，附图标记40为第一基片支架；附图标记41b为真空腔室的上部；附图标记41a为真空腔室的下部；附图标记42为第二基片支架；附图标记48为下部板。图3A显示的为基片仍没有粘附在一起的状态。
以下描述粘附方法。将真空腔室41b的上部降低从而与真空腔室41a的下部接触之后，使真空腔室内部的压力下降。降低面对第一基片支架40的第二基片支架42的位置。之后，通过加压并加热使其硬化，从而使第一基片35粘附于第二基片31上。第二基片支架42和下部板48中均具有一加热器，以便使密封件32和填料33硬化。图3B显示了基片已经粘附在一起的状态。另外，可以在减压的条件下将密封元件抽出。
图4显示了逐滴加入法的一个例子。在图4中，附图标记300为第二基片；附图标记304为成像单元；附图标记307为工作台；附图标记311为标记物；附图标记303为环绕像素的密封件。移动工作台，例如Z形移动或者前后移动，扫描宽度与像素部分相同的头部305a和305b，从而适当地滴加填料。头部的宽度可以等于基片的宽度。然而，当头部的宽度等于板块的宽度，如图4所示，则所述操作更加简单。另外，优选地，移动工作台的同时滴加填料，以提高通量。
可以将粘附在一起的基片切割成需要的大小。
将由PCVD法制成的无机绝缘膜(SiN膜、SiNO膜等)的单层或层压层作为基部绝缘膜102，位于第一基片101上。采用由PCVD法制成的无机绝缘膜(SiN膜、SiNO膜等)构成层间绝缘膜106。
位于所述层间绝缘膜106上的具有高度热稳定性的平面膜107为通过采用液体的涂覆方法而形成的平的层间绝缘膜。通过采用液体的涂覆方法而形成的所述平的层间绝缘膜由液体化合物涂覆而成。对于通过采用液体的涂覆方法而形成的平的层间绝缘膜，可以采用有机树脂，例如丙烯酰基化合物或聚酰亚胺；涂覆的氧化硅膜(旋涂于玻璃上，也称为SOG)，其为在用溶于有机溶剂的层间绝缘材料涂覆后通过热处理形成的膜；通过焙烧硅氧烷聚合物等形成硅氧烷键的材料。所述具有高度热稳定性的平面膜107可以采用无机绝缘膜，例如通过气相生长或喷溅法形成的氧化硅膜，而不局限于采用液体的涂覆法。另外，在通过PCVD法或喷溅法形成作为保护膜的氮化硅膜之后，可以通过采用液体的涂覆方法叠加平的绝缘膜。
使第一电极平坦地位于发白光元件中是非常重要的。当所述具有高度热稳定性的平面膜107不是平的时候，而且其表面具有凹陷时，第一电极有可能不是平的。因此，所述具有高度热稳定性的平面膜107的平面形是非常重要的。
TFT的漏极布线或电源线124a、124b和124c具有三层结构。本文中采用了Ti膜、Al(C+N)合金膜和Ti膜的层压膜。考虑到层间绝缘膜的覆盖，TFT的漏极布线或电源线优选逐渐变小。
作为例子，描述了顶栅型TFT；然而，不论TFT的结构，均可以采用本发明，其可以适用于底栅型(反向交错的)TFT和顺序交错的TFT。
用以下实施方案对具有上述结构的本发明进行进一步地描述。
实施方案1
本实施方案描述了参照图5A制作顶部发射型发光装置的实施方案。
首先，在第一基片401上形成底部绝缘膜。可以采用具有平面形和热稳定性的任一基片作为第一基片401，对其没有特别限制。作为底部绝缘膜，形成由绝缘膜构成的基膜，例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜。
接下来，在所述底部绝缘膜上形成半导体膜。所述半导体层的形成描述如下。通过公知的方法(喷溅法、LPCVD法、等离子体CVD法等)形成具有无定形结构的半导体膜。之后，实施公知的晶体化处理过程(激光晶体化法、热晶体化法、采用例如镍等催化剂的热晶体化法等)，从而得到晶体半导体膜，其通过第一光掩膜以形成图案，从而具有所需形状。半导体层的厚度为25至80nm(优选，30至70nm)。晶体半导体膜的材料没有特别限制；然而，可以采用硅、硅锗(SiGe)合金等。
另外，可以采用连续波激光对具有无定形结构的半导体膜进行晶体化加工处理。优选采用能够发出连续波的固体激光器施加基波的第二谐波至第四谐波，从而在无定形半导体膜的晶体化过程中形成具有大粒径的晶体。典型地，可以采用Nd:YVO4激光器的(基波为1064nm)第二谐波(532nm)或第三谐波(355nm)。当采用连续波激光器时，将具有10W输出的连续波YVO4激光器所发出的激光通过非线性光元件转化为谐波。另外，将YVO4晶体和非线性光元件放入谐振器中，从而也可以发出谐波。优选采用通过光学系统在照射面上形成矩形或椭圆形的激光照射物体。此时，能量密度应为大约0.01至100MW/cm2(优选，0.1至10MW/cm2)。以大约10至2000cm/s的速率相对于激光移动半导体膜，以进行照射。
在除去抗蚀剂掩膜之后，形成覆盖半导体层的栅绝缘膜。通过等离子体CVD法、喷溅法或热氧化法形成厚度为1至200nm的栅绝缘膜。
在栅绝缘膜上形成膜厚度为100至600nm的导电膜。通过喷溅法形成所述导电膜，其包括TaN膜和W膜的层压层。所述导电膜可以为单层或层压层，其由选自Ta、W、Ti、Mo、Al或Cu中的一种元素构成，或由含有前述元素作为其主要组分的合金材料或化合物材料构成，而不局限于TaN膜或W膜的层压层。另外，可以采用掺杂有杂质元素例如磷的通常为多晶体硅膜的半导体膜。
采用第二光掩膜形成抗蚀剂掩膜，通过干刻蚀法或湿刻蚀法进行蚀刻。通过该蚀刻步骤对导电膜进行蚀刻从而形成TFT104的栅电极。
接下来，除去抗蚀剂掩膜之后，采用第三光掩膜以形成新的抗蚀剂掩膜。进行第一掺杂步骤从而使半导体掺杂杂质元素(通常为磷或As)，得到低浓度的n型，以形成附图中未显示的n沟道TFT。所述抗蚀剂掩膜覆盖将成为p沟道TFT的区域以及所述导电层的附近区域。通过第一掺杂步骤进行穿过绝缘膜的穿透掺杂以形成n型掺有少量杂质的区域。采用多个TFT驱动发光元件；然而，在仅仅用一个p沟道TFT进行驱动时，不需要上述掺杂步骤。
接下来，去除抗蚀剂掩膜之后，采用第四光掩膜以形成新的抗蚀剂掩膜。进行第二掺杂步骤从而使半导体掺杂杂质元素(通常为硼)，得到高浓度的p型半导体。通过第二掺杂步骤进行穿过栅绝缘膜的穿透掺杂以形成p型掺有大量杂质的区域。
采用第五光掩膜以形成新的抗蚀剂掩膜。进行第三掺杂步骤从而使半导体掺杂杂质元素(通常为磷或As)，得到高浓度的n型半导体，从而形成附图中未示出的n沟道TFT。所述抗蚀剂掩膜覆盖将成为p沟道TFT的区域以及所述导电层的附近区域。通过第三掺杂步骤进行穿过栅绝缘膜的穿透掺杂以形成n型掺有大量杂质的区域。
接下来，除去抗蚀剂掩膜，形成包括氢的绝缘膜。之后，对加入半导体层中的杂质元素进行活化和加氢。通过PCVD法制成的氧氮化硅膜(SiNO膜)用作包括氢的绝缘膜。
形成作为第二层层间绝缘膜的平面膜410。作为平面膜410，采用无机材料(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等)；光敏性或非光敏有机材料(聚酰亚胺、丙烯酰基化合物、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯)；以及它们的层压层等。用作平面膜的另一种膜可以采用由包括烷基的SiOX膜构成的绝缘膜，其由采用液体的涂覆方法制成；例如，由石英玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基倍半硅氧烷聚合物、加氢的倍半硅氧烷聚合物、加氢的烷基倍半硅氧烷聚合物等构成的绝缘膜。作为硅氧烷类聚合物的例子，包括由Toray生产的作为涂覆绝缘膜材料的PSB-K1或PSB-K31；或者由Catalysts & Chemicals有限公司生产的作为涂覆绝缘膜材料的ZRS-5PH。
通过第六掩膜在层间绝缘膜上形成接触孔。接下来，除去第六掩膜。然后，形成导电膜(TiN膜、Al(C+N)膜和TiN膜的顺序层压层)，采用第七掩膜进行蚀刻，以形成线路(TFT的电源线和漏极布线、电流供应线等)。
接下来，除去第七掩膜之后，形成作为第三层的层间绝缘膜411。采用光敏或非光敏有机材料作为第三层间绝缘膜411，所述材料通过散布由采用液体的涂覆方法而获得的黑色颜料形成。在该实施方案中，采用光屏蔽层间绝缘膜以提高对比度和吸收散射光。另外，可以叠加作为第四层间绝缘膜的由PCVD法制成的氧氮化硅膜(SiNO膜)，以保护第三层间绝缘膜。当设置第四层间绝缘膜时，在以后步骤中将第一电极形成图案作为掩膜之后，较为理想的是选择性地除去第四层间绝缘膜。
采用第八掩膜在所述层间绝缘膜上形成接触孔。
形成反射导电膜和透明导电膜。之后，通过用第九掩膜形成图案从而得到反射电极412和透明电极413的层压层。采用Ag、Al或Al(C+Ni)合金膜作为反射电极412。铟锡氧化物(ITO)用作透明电极413；作为另一例子，透明导电膜可以为例如含有Si的铟锡氧化物(ITSO)，或是在铟氧化物中混合2至20％的氧化锌(ZnO)而制备得到的铟锌氧化物(IZO)。
形成用作隔段的光屏蔽绝缘体419，其为黑色基质(BM)，从而通过第十掩膜覆盖反射电极412和透明电极413的每个边缘。作为光屏蔽绝缘体，采用膜厚度为0.8至1μm的通过散布黑色颜料而得到的光敏或非光敏有机材料(聚酰亚胺、丙烯酰基化合物、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯)或SOG膜(例如，包括烷基的SiOx膜)。采用类似于Fuji Film Olin Corp.生产的COLOR MOSAIC CK(商品名)的材料。在该实施方案中，通过光屏蔽绝缘体形成层间绝缘膜411，从而绝缘体419的厚度可以更小，或者可以采用低遮光性的材料。
通过气相沉积或者采用液体的涂覆方法形成含有有机化合物的层414。有许多方法用于获得白光。在该实施方案中，描述了采用由高分子量材料构成的发光层的情况，其可以通过采用液体的涂覆方法形成。在该情况中，发光层可以通过溶液调整用高分子量材料进行染料掺杂。所述染料掺杂比气相沉积方法更加易于进行，其采用多个染料进行共同蒸发。尤其是，在阳极上，在整个表面上涂覆作为空穴注入层的聚亚乙基二氧基噻吩/聚对苯乙烯磺酸水溶液(PEDOT/PSS)并焙烧。之后，在整个表面上涂覆作为发光层的掺杂有发光中心染料(1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(TPB)、4-二氰基亚甲基-2-甲醇基-6-(对二甲氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM 1)、尼罗红、香豆素6等)的聚乙烯基咔唑(PVK)溶液并焙烧。注意，水作为PEDOT/PSS的溶剂，其不溶于有机溶剂。因此，PEDOT/PSS不熔化，即使其上涂覆有PVK。另外，优选采用不同的成膜室，这是因为，PEDOT/PSS的溶剂不同于PVK的溶剂。
该实施方案显示了叠加由高分子量材料构成的有机化合物膜的例子；然而，可以采用含有有机化合物的单层。例如，可以将具有电子传输性能的1，3，4-二唑衍生物(PBD)散布在具有空穴传输性能的聚乙烯基咔唑(PVK)中。另外，散布30重量％的PBD作为电子传输剂，以及散布适当量的四种染料(TPB，香豆素6，DCM 1，尼罗红)，从而发出白光。适当地选择发出红光的有机化合物膜、发出绿光的有机化合物膜和发出蓝光的有机化合物膜并相互混合，从而可以得到白光。
在形成含有有机化合物的层414之前优选通过真空加热进行排气，从而提高发光元件的可靠性。例如，在沉积有机化合物材料之前，优选在减压或惰性条件下在200至300℃时进行热处理，以除去包括在基片中的气体。
在含有有机化合物的层414上形成膜厚度为10至800nm的透明电极415，即有机发光元件的阴极。铟锡氧化物(ITO)用作透明电极415；另一例子是含有Si的铟锡氧化物(ITSO)或将2至20％的氧化锌混合入铟氧化物中而得到的铟锌氧化物(IZO)。
如上所述形成发白光元件。适当选择构成发出白光的元件的阳极、含有有机化合物的层以及阴极的材料，调整每个膜的厚度。阳极和阴极采用相同的材料，较为理想的是膜厚度也相同，优选薄膜厚度为大约100nm。
形成透明保护膜416从而通过覆盖发光元件以防止湿气进入。通过喷溅法或CVD方法得到的氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜(SiNO膜(组成比例N＞O))和SiON膜(组成比例N＜O))、含碳作为其主要部分的薄膜(例如DLC膜、CN膜)等可以用作透明保护膜416。
形成含有光催化材料的基层405以提高润湿性。通过喷溅法形成具有预定晶体结构的TiO2晶体，作为光催化材料。金属钛管作为钯，采用氩气和氧气进行喷溅。进一步地，可以引入He气体。形成富含氧气的气氛，增加形成过程的压力，从而得到具有高光催化活性的TiO2。另外，优选在加热具有经加工的产品的成膜室或基片时形成TiO2。如上所述形成的TiO2为超薄膜(大约1μm)，并具有光催化功能。之后，采用光学系统聚光，这是因为通过选择性的光照射形成照射区域。照射区域内的TiO2具有亲水性能。注意，根据光照射时间，TiO2可以同时具有亲水性和亲脂性。
具有有色层402G和402R的第二基片403通过密封元件附着于基片401上，所述密封元件包括间隙组件(例如填料(纤维棒)或颗粒(球形氧化硅微粒)等)，从而保持基片之间的间隙。一对基片之间的间隙充满填料417，通常为紫外固化或热硬化的环氧树脂。具有光透过性的玻璃基片、石英基片或塑料基片可以用作第二基片403。与一对基片之间为空白的情况(惰性气体)相比，将一对基片之间的空间充填透明填料(折射率大约为1.50)时，其总透光率将显著增加。
对于该实施方案中的发光元件，透明电极415、透明保护层416、含有光催化材料的基层405和填料417均由透光材料构成，如图5A的箭头所示，可以使光从顶部表面侧进入。
另外，该实施方案可以与实施模式自由组合。
实施方案2
在该实施方案中参照图5B描述生产双向发射型发光装置的例子。
首先，在透光第一基片501上形成基部绝缘膜。可以采用具有透光性能的任意基片作为第一基片501。作为基部绝缘膜，形成由绝缘膜构成的基膜，例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜。
如实施方案1，在基部绝缘膜上形成半导体层。形成覆盖半导体层的栅绝缘膜，并如实施方案1在其上形成栅电极。
如实施方案1所述通过掺杂形成n型掺杂少量杂质的区域，p型掺杂大量杂质的区域、n型掺杂大量杂质的区域等。然后，去除掩膜，形成包括氢的绝缘膜(透光层间绝缘膜)。之后，对半导体层中掺杂的杂质元素进行活化和加氢。
形成作为第二层层间绝缘膜的透光平面膜510。作为透光平面膜510，采用无机材料(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等)；光敏或非光敏材料(聚酰亚胺、丙烯酰基化合物、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯)；及其层压层等。
如实施方案1所述在层间绝缘膜中形成接触孔。然后，如实施方案1所述形成导电膜(TiN膜、Al(C+Ni)膜和TiN膜的顺序层压层)，之后选择性地进行蚀刻从而形成线路(TFT504的电源线路和漏极布线、电流供应线等)。
形成第三层间绝缘膜511。采用由包括烷基的SiOX膜构成的绝缘膜作为第三层间绝缘膜511，其由采用液体的涂覆法得到。另外，可以叠加由PCVD法制成的氧氮化硅膜(SiNO膜)作为第四层间绝缘膜，以保护第三层间绝缘膜。在设置第四层间绝缘膜的情况下，在以后步骤中将第一电极形成图案作为掩膜之后，较好的是选择性地去除第四层间绝缘膜。
接下来，在层间绝缘膜中形成接触孔。
在形成透明导电膜之后，通过形成图案得到透明电极513。采用铟锡氧化物(ITO)作为透明电极513；另一个例子是含有Si的铟锡氧化物(ITSO)或将2至20％的氧化锌(ZnO)混合入铟氧化物中而得到的铟锌氧化物(IZO)。
形成作为黑色基质(BM)的光屏蔽绝缘体519，从而采用掩膜覆盖透明电极513的边缘。作为光屏蔽绝缘体，采用膜厚度为0.8至1μm的通过分布黑色颜料而制得的光敏或非光敏有机材料(聚酰亚胺、丙烯酰基化合物、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯)，或SOG膜(例如，包括烷基的SiOX膜)。
如实施方案1所述，通过气相沉积或采用液体的涂覆方法形成含有有机化合物的层514。
在含有有机化合物的层514上形成膜厚度为10至800nm的透明电极515，即有机发光元件的阴极。采用铟锡氧化物(ITO)作为透明电极515；以及另一个例子是含有Si的铟锡氧化物(ITSO)或将2至20％的氧化锌(ZnO)混合入铟氧化物中而得到的铟锌氧化物(IZO)。
如上所述，形成发白光元件。
如实施方案1所述，形成透明保护膜516以便通过覆盖发光元件，从而防止湿气进入。通过喷溅法或CVD方法得到的氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜(SiNO膜(组成比例N＞O))或SiON膜(组成比例N＜O))、含碳作为其主要部分的薄膜(例如DLC膜、CN膜)等可以用作透明保护膜516。
如实施方案1所述，形成含有光催化材料的基层505以提高润湿性。
具有有色层502G和502R的第二基片503通过密封元件附着于基片501上，所述密封元件包括间隙组件(例如填料(纤维棒)或颗粒(球形硅微粒)等)，从而保持基片之间的间隙。一对基片之间的间隙充满填料517，其通常为紫外固化或热硬化的环氧树脂。具有光透过性的玻璃基片、石英基片或塑料基片可以用作第二基片503。
对于该实施方案中的发光元件，透明电极515和填料517均由发光材料构成，如图5B的箭头所示，可以使光从顶部表面侧和底部表面侧进入。
之后，形成光学膜(起偏振片或圆形起偏振片)506和507以提高对比度。
例如，在基片501上设置光学膜507(在基片501侧上设置λ/4片和起偏振片)；在第二基片503上设置光学膜506(在基片503侧上设置λ/4片和起偏振片)。
作为另一例子，在基片501上设置光学膜507(在基片501侧上设置λ/4片、λ/2片和起偏振片)；在第二基片503上设置光学膜506(在基片503侧上设置λ/4片、λ/2片和起偏振片)。
在本发明中，根据双向发射型显示装置的结构设置起偏振片、圆形起偏振片或其组合。因此，可以进行清楚的黑色显示，并提高了对比度。进一步地，圆形起偏振片可以防止反射光。
另外，该实施方案可以与实施模式和实施方案1自由组合。
实施方案3
在该实施方案中参照图6描述生产采用底栅型(反向交错的)TFT的发光装置的例子。
首先，在基片601上形成基部绝缘膜602。优选采用例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)的绝缘膜作为基部绝缘膜602。注意，除了非碱性玻璃基片之外，基片601可以采用具有热稳定性的塑料基片等，其可以经受该加工过程的加工温度。
在所述基部绝缘膜602上形成膜厚度为100至600nm的导电膜。选自钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、硅(Si)、钪(Sc)、Nd、Al或Cu的元素，或者其中含有所述元素的合金膜(通常为Mo-W合金和Mo-Ta合金)可以作为导电膜。
采用光掩膜形成抗蚀剂掩膜，通过干蚀刻法或湿蚀刻法进行蚀刻。在该蚀刻过程中对导电膜进行蚀刻从而得到导电层623。注意，导电层623用作TFT603R、603G或603B的栅电极。通过蚀刻优选将导电层的边缘逐渐缩小，从而不产生覆盖缺陷，从而在以后步骤中形成薄的半导体膜。
除去掩膜之后形成覆盖导电层的绝缘膜605。通过采用绝缘膜的单层或层压膜，例如氧化硅膜、氮化硅膜或硅氧氮化物膜(SiOxNy)，使所述绝缘膜605的膜厚度为50至200nm，所述绝缘膜由等离子体CVD法或喷溅法获得。例如，采用氮化硅膜作为基层、氧化硅膜作为顶层，从而形成层压结构。注意，绝缘膜605作为TFT的栅绝缘膜。另外，可以采用另一绝缘膜例如氧化钽膜作为栅绝缘膜，而不局限于上述材料。然而，导电层605的膜形成温度不能损害导电层623。
在绝缘膜的整个表面上通过等离子体CVD法形成膜厚度为50至200nm(优选，100至150nm)的具有无定形结构的半导体膜或具有晶体结构的半导体膜。在该实施方案中，采用SiH4气体和F2气体作为原料气体形成半无定形硅膜。另外，通过PCVD法由SiH4气体和F2气体的混合气体制成的半无定形硅膜可以用激光进行照射，以进一步改善结晶度。
采用SiH4被H2稀释至三倍至1000倍的混合气体、气体流量比为20至40∶9(Si2H6∶GeF4)的Si2H6被GeF4稀释的混合气体、Si2H6气体和F2气体的混合气体、或SiH4和SiF4的混合气体，PCVD法可以作为半无定形硅膜的另一种成膜方法。注意，优选半无定形硅膜，这是因为其在与基底的交界处具有非常高的结晶度。
半无定形半导体膜在至少部分膜区域内具有0.5至20nm的晶粒。拉曼光谱发生偏移，其低于半无定形半导体膜中单晶所特有的520cm-1。在半无定形半导体膜中，通过X线衍射观察到来自Si晶格的衍射峰(111)或(220)。半无定形半导体膜包括至少1原子％或更多的氢或卤素，从而使悬空键封端。通过硅气体的辉光放电分解(等离子体CVD)形成半无定形半导体膜。压力范围为0.1至133Pa，电源频率为1至120MHz，优选为13至60MHz。基片的加热温度可以为300℃或更低，优选为100至250℃。
所得到的半无定形硅膜中的碳、氮或氧浓度为3×1021/cm3或更低，优选3×1020/cm3或更低。所得到的半无定形硅膜中的氢浓度为1×1021/cm3，其与无定形硅膜的相同。
在具有晶体结构的半导体膜的整个表面上形成导电膜之后，通过形成图案从而得到沟道保护膜606。为了形成图案，可以采用通常的光刻技术，或者可以采用导电层作为掩膜的背面曝光法，以自对齐的方式形成抗蚀剂掩膜。优选采用致密膜形成沟道保护膜606，以确保边缘整洁，并防止所述半导体层被杂质，例如有机物、金属或蒸汽污染。
用光掩膜构成抗蚀剂掩膜，从而使半导体层形成图案。这样，通过蚀刻形成了作为TFT活性层的半导体层620。
去除抗蚀剂掩膜，然后，通过公知的方法例如等离子体CVD法或喷溅法，完整地形成膜厚度为20至80nm的无定形半导体膜，所述膜包括一种导电型(n型或p型)的杂质元素。注意，可以采用包括一种导电型(n型或p型)杂质元素的半无定形半导体膜，而不是包括一种导电型(n型或p型)杂质元素的无定形半导体膜。在该实施方案中，采用了包括n型杂质元素(磷)的无定形半导体膜，其也称为n+层(电阻接触层)。在该实施方案中，采用SiH4气体、氢气和PH3(0.2％稀释)气体作为原料气体，通过CVD法获得包括一种导电型(n型或p型)杂质元素的无定形半导体膜。
通过喷溅法或真空气相沉积形成由金属材料构成的第一导电膜。可以采用与无定形半导体膜电阻接触的任意金属材料作为第一导电层的材料，所述无定形半导体膜包括一种导电型(n型或p型)杂质元素；例如，选自Al，Cr，Ta或Ti的元素；含有上述元素的合金；其中含有所述元素的合金膜等。在该实施方案中，通过叠加膜厚度为50至150nm的Ti膜；厚度为300至400nm的铝合金(Al(C+Ni))；厚度为100至150nm的Ti膜，从而形成第一导电层。
通过光蚀刻步骤形成抗蚀剂掩膜。之后，通过蚀刻将不需要的部分除去从而形成在以后步骤中作为电源线路或漏极布线的线路624a、624b和624c。
采用所述抗蚀剂掩膜对包括杂质元素的无定形半导体膜进行蚀刻，得到一种导电类型，从而形成源区或漏区621，622。在该实施方案中，n+层是指源区或漏区。之后，去除所述抗蚀剂掩膜。
形成层间绝缘膜607。作为层间绝缘膜607，采用透光无机材料(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等)；光敏材料或非光敏有机材料(聚酰亚胺、丙烯酰基化合物、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯)；它们的层压层等。
采用光掩膜形成抗蚀剂掩膜，通过蚀刻除去一部分层间绝缘膜从而形成开口(接触孔)。注意，开口的底部直达线路324c。
去除抗蚀剂掩膜之后，在整个表面上形成第二导电膜。采用光掩膜使第二导电膜形成图案，从而形成第一电极608a和608b。在该实施方案中，第一电极为底层608a与顶层608b的层压层，其中底层608a由反射金属材料(Ag，Al等)构成，顶层608b由透明导电材料(ITO，ITSO，ZnO，SnO2等)构成。
另外，除了层压层之外第一电极还可以是单层。例如，第一电极可以是Al(C+Ni)合金膜单层。
根据上述步骤，在第一基片601上形成了底栅型(反向交错)TFT和第一电极，从而得到了用于发光显示面板的TFT基片。在该实施方案中，TFT603R，603G和603B为n沟道型。因此，第一电极优选作为阴极。
形成隔段609从而覆盖第一电极608a和608b的每个边缘。作为隔段609，采用膜厚度为0.8至1μm的通过分散黑色颜料得到的光敏或非光敏有机材料(聚酰亚胺、丙烯酰基化合物、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯)或SOG膜(例如，含有烷基的SiOX膜)。
通过气相沉积或采用液体的涂覆方法形成含有有机化合物的层610。在该实施方案中，适当选择含有有机化合物的层610的材料，从而发出白光，同时调整每个膜的厚度。通过在第一电极(阴极)侧顺序叠加EIL(电子注入层)、ETL(电子传输层)、EML(发射层)、HTL(空穴传输层)和HIL(空穴注入层)，形成含有有机化合物的层610。注意，除了层压结构之外，含有有机化合物的层可以具有单层结构或混合结构。
在含有有机化合物的层610上形成膜厚度为10至800nm的透明电极611，即有机发光元件的阳极。可以采用ITO、ITSO、IZO等作为透明电极611。
形成透明保护膜612以便通过覆盖发光元件，从而防止湿气进入。氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜(SiNO膜(组成比例N＞O)或SiON膜(组成比例N＜O))、含碳作为其主要部分的薄膜(例如DLC膜、CN膜)等可以用作透明保护膜612。
形成含有光催化材料的基层613(也称为缓冲层)以改善润湿性。通过喷溅法形成作为光催化材料的TiO2晶体，其具有预定的晶体结构。
将具有有色层615R、615G和615B的第二基片616通过密封元件附着于第二基片601上，所述密封元件包括间隙组件(例如填料(纤维棒)或颗粒(球形硅微粒等))以保持基片之间的间隙。一对基片之间的间隙充满填料614，通常为紫外固化或热硬化的环氧树脂。可以采用具有光透过性的玻璃基片、石英基片或塑料基片作为第二基片616。
对于该实施方案中的发光元件，采用透光材料形成透明电极611、透明保护层612、含有光催化材料的基层613以及填料614，使光从顶部表面侧进入。
另外，该实施方案的活性层为半无定形硅膜，这样存在一个问题，即相比于无定形硅膜，TFT的断态电流增加了。可以采用双栅结构以解决上述问题。注意，在该实施方案中，可以采用多栅结构例如三栅结构，以减少断态电流的变化，而不仅仅局限于单栅结构。
另外，该实施方案可以与实施模式或实施方案1自由组合。
实施方案4
在该实施方案中，图7A至7I显示了采用金属元素进行晶体化，用包括臭氧的水溶液进行氧化处理、进行热处理以减少变形、吸气以得到半导体层的步骤的例子。
在图7A中，附图标记710为具有绝缘表面的基片；附图标记711为将作为阻断层的层；附图标记712为具有无定形结构的第一半导体膜。
如图7A所示，在基片710上形成底部绝缘膜711，其由绝缘膜构成，例如氧化硅膜、氮化硅膜或硅氧氮化物膜(SiOxNy)。
之后，在底部绝缘膜上形成具有无定形结构的第一半导体膜712。采用含硅为其主要组分的半导体材料作为第一半导体膜712。通常，采用无定形硅膜、元定形硅锗膜等。通过等离子体CVD法、低压CVD法或喷溅法形成厚度为10至100nm的第一半导体膜712。为了在以后的晶体化过程中得到具有高质量晶体结构的半导体层，具有无定形结构的第一半导体膜712中所含有的杂质例如氧化物或氮化物的浓度可以减少至5×1018/cm3或更少(由Second Ion Mass Spectometry(SIMS)测量的原子浓度)。所述杂质对以后的晶体化过程造成障碍，甚至在晶体化之后使俘获中心或复合中心的密度增加。因此，除了首先采用高纯度的原料气体外，优选采用的CVD装置具有镜面处理(电解抛光处理)的反应室以及不含有油的真空泵系统，以达到超高真空。
采用日本专利申请公开号No.8-78329中描述的方法对具有元定形结构的第一半导体膜172进行晶体化。对于上述公开中描述的方法，无定形硅膜选择性地与金属元素掺杂，以促进晶体化，并进行热处理，从而形成晶体结构从掺杂区扩展的半导体膜。所述方法降低了晶体化所需的加热温度，并能够增加晶体的单向取向。采用具有所述晶体结构的半导体膜形成TFT能够显著改善电特性，这是因为提高了电子场效应迁移率，降低了亚阈值系数(S值)。
具有无定形结构的第一半导体膜712的表面通过旋涂器涂覆醋酸镍溶液，所述溶液中含有重量为1至100ppm的金属元素(此处为镍)，所述金属元素具有光催化功能从而促进晶体化，由此形成含有镍的层713(图7B)。除了通过采用液体的涂覆方法形成含镍层713外，还可以采用喷溅法、气相沉积或等离子体处理以形成超薄膜。另外，本文描述了用液体涂覆整个表面的例子；然而，可以采用掩膜选择性地形成含镍层。
接下来，进行热处理以实施晶体化。在该情况下，在与促进半导体晶体化的金属元素接触的半导体膜部分形成硅化物，以便采用硅化物作为核心进行晶体化。这样，形成了图7C所示的具有晶体结构的第一半导体膜714a。注意，晶体化后，第一半导体膜714a中含有的氧浓度理想地为5×1018/cm3或更低。在热处理(450℃，1小时)以脱氢之后进行热处理(550至650℃，4至24小时)，以进行晶体化。当用强光照射进行晶体化时可以采用红外线、可见光或紫外线中的一种或者组合。如果需要，在用强光照射之前，可以进行热处理将具有无定形结构的第一半导体膜714a中含有的氢驱逐出去。另外，可以同时进行热处理和用强光照射，以进行晶体化。就生产率而言，优选用强光照射进行晶体化。
在通过所述方法获得的半导体膜714a中，留有金属元素(本文为镍)。所剩余的金属元素在膜中并不均匀分布；然而，其平均残余浓度超过1×1019/cm3。甚至在上述状态下，也可以形成半导体元件，例如TFT；然而，通过以下描述的吸气方法去除所述元素。
在激光照射之前，去除在晶体化步骤中形成的天然氧化膜。希望除去所述天然氧化膜，这是因为该天然氧化膜中含有高浓度的镍。
用激光照射具有晶体结构的第一半导体膜，以增加结晶度(膜的总体积中晶体组分所占的比例)，并修复晶粒中存在的缺陷(图7D)。当用激光照射时，在半导体膜714b中形成变形和脊状隆起，在表面上形成薄的表面氧化膜(未示出)。从具有脉冲振荡的激光源发出的波长为400nm或更低的准分子激光、来自YAG激光器的第二谐波或第三谐波可以作为所述激光。基波的第二谐波至第四谐波可以作为激光与能够发出连续波的固体激光器一起使用。通常，可以采用Nd:YVO4激光器(基波为1064nm)的第二谐波(532nm)或第三谐波(355nm)。
由激光照射形成的表面氧化膜在作为蚀刻制动器的氧化膜(阻断层)方面是优异的，这是因为其比由含有臭氧的水溶液构成的膜更硬。因此，不需要特别地除去由激光形成的表面氧化膜，这是因为可以减少步骤。
在半导体层714a的表面上，形成氧化膜(也称为阻断层)715，其通过含有臭氧的水溶液形成并作为蚀刻制动器，其膜厚度为1至10nm(图7E)。
在氮气气氛下进行热处理以减少半导体层的变形(通过快速加温退火，将半导体膜加热至大约400至1000℃)，从而得到半导体膜714b(图7F)。
在上述氧化膜715上形成含有稀有气体元素的第二半导体膜716a(图7G)。注意，所述稀有气体元素为选自He，Ne，Ar，Kr或Xe中的一种或几种。在生产率方面，氩(Ar)作为非常便宜的气体是最优选的。采用喷溅法、等离子体CVD法等作为形成第二基片膜的方法；然而，在大规模生产中，等离子体CVD法是优选的，这是因为可以通过气体对成膜室(也称为腔室)进行清理，从而与喷溅法相比，其减少了维护的次数。在该实施方案中，在将氧化膜(阻断膜)形成更硬氧化膜之前/之后，加热氧化膜(立即将其加热至大约400至1000℃)，从而阻断等离子体引起的损害。在成膜过程中通过等离子体有意识地仅仅损坏氧化膜(阻断层)，同时阻断第一半导体膜，在氧化膜(阻断层)中形成变形或悬空键。由此，移至残余变形挠曲的金属元素可以有效通过，从而移至并被吸气位点俘获。当在成膜过程中通过等离子体有意识地仅仅损坏氧化膜(阻断层)时，优选增加RF功率密度。例如，RF功率可以为300W(0.052W/cm2)，或400W(0.069W/cm2)或更高。
接下来，进行热处理以吸气，从而减少金属元素(镍)的浓度，或将其从第一半导体膜中除去(图7H)。通过强光照射进行用于吸气的热处理；用炉子进行加热处理；或将加热的气体引入基片中并保持几分钟来进行加热。所述吸气使金属元素沿着图7H所示的箭头方向移动(即从基片侧向第二半导体膜表面移动)，从而除去被氧化膜715覆盖的第一半导体膜714c中包含的金属元素，或者减少金属元素的浓度。
接下来，采用氧化膜715作为蚀刻制动器选择性地仅仅除去第二半导体膜716b。接下来，除去氧化膜715。
采用公知的图案形成技术从第一半导体膜714c形成具有所需形状的半导体层717(图7I)。注意，除去氧化膜之后，在形成由抗蚀剂构成的掩膜之前，优选采用含有臭氧的水在表面上形成薄的氧化膜。
如果需要，在形成图案之前，在上述氧化膜中掺杂少量的杂质元素(硼或磷)，从而控制TFT的阈值。当在整个氧化膜上进行掺杂时，除去氧化膜，这样通过含有臭氧的水溶液形成新的氧化膜。
在形成所需形状的半导体层的步骤完成之后，采用含有氟化氢的蚀刻剂清理半导体层的表面，形成含硅作为其主要组分的绝缘膜以构成栅绝缘膜。表面清理以及栅绝缘膜的形成理想的是顺序进行，而不暴露于外界环境。
当实施采用金属元素进行晶体化的方法时，该实施方案中描述的步骤是非常有意义的，这是因为，没有在基片上进行充分地吸气，由于所述吸气没有均匀进行，则产生了某些差别，即每个TFT特性发生变化。在实现有源矩阵驱动方法中，TFT为发光装置(具有EL元件的发光装置)的主要元件，所述发光装置采用含有有机化合物的层作为发光层。因此，至少在采用EL元件的发光装置的每个像素上设置作为开关元件的TFT，以及向EL元件提供电流的TFT。像素的亮度由与EL元件电连接并向EL元件提供电流的TFT的接通状态电流(Ion)决定，而与电路结构和像素的驱动方法无关。因此当整个表面上显示白色时，如果接通状态电流不恒定，则将导致以下问题，即亮度发生变化。
例如，激光照射之后，进行加热处理以减少半导体膜的变形，由此，可以采用含有臭氧的水溶液形成总厚度为1至10nm的氧化膜，而不局限于图7A至7I所示的步骤顺序。在除去氧化膜之前，再次进行加热处理以减少半导体膜的变形，从而可以除去新近形成的氧化膜。
另一选择，激光照射之后，可以顺序实施以下步骤：半导体膜形成图案的步骤；减少半导体膜变形的加热处理步骤；采用含有臭氧的水溶液形成总体厚度为1至10nm的氧化膜的步骤；除去氧化膜的步骤。注意，可以不将氧化膜除去而形成栅绝缘膜，从而减少步骤数目。
另一选择，激光照射之后，可以顺序实施以下步骤：半导体膜形成图案的步骤；采用含有臭氧的水溶液形成总体厚度为1至10nm的氧化膜的步骤；减少半导体膜变形的加热处理步骤；除去氧化膜的步骤。注意，可以不将氧化膜除去而形成栅绝缘膜，从而减少步骤数目。
另外，该实施方案可以和实施模式或实施方案1至3中的任意一个自由组合。
实施方案5
在该实施方案中，参照图8A至8F所示的等效电路示意图，描述了EL显示面板的像素结构。
图8A所示的像素具有按列设置的信号线1410和电源线1411至1413，以及按行设置的扫描线1414。其还具有开关TFT1401、驱动TFT1403、电流控制TFT1404、电容元件1402和发光元件1405。
图8C所示的像素不同于图8A，其中TFT1403的栅电极与按行设置的电源线1413相连；然而，它们在所述结构的其它点上是相同的。换言之，图8A和8C所示的像素显示了相同的等效电路示意图。将电源线1412按列设置(图8C)，或者将电源线1412按行设置(图8A)时，在绝缘膜上形成电源线。该实施方案着重于连接至驱动TFT1403的栅电极的线路，图8A和8C分别显示的像素表明了其中形成有各自电源线的层的区别。
作为图8A和8C所示的每个像素的特征，TFT1403顺序连接于TFT1404；设置TFT1403的沟道长度L3和沟道宽度W3，沟道长度L4和沟道宽度W4使L3/W3∶L4/W4＝5至6000∶1。满足上述特征的例子为6000∶1，L3为500μm；W3为3μm；L4为3μm；W4为100μm。
注意，TFT1403在饱和区运行，起到对通向发光元件1406的电流值进行控制的作用；TFT1404在线性区运行，起到对供应给发光元件1406的电流进行控制的作用。从生产工艺方面考虑，优选每个TFT具有相同的导电型。TFT1403不仅可以采用增强型也可以采用耗尽型。TFT1404的Vgs的细小变化对发光元件1406的电流值没有影响。换言之，发光元件1406的电流值由在饱和区运行的TFT1403决定。具有上述结构的本发明可以提供这样的显示装置，其中由于TFT性能的变化，提高了发光元件的不均匀亮度，从而提高了图象质量。
在图8A至8D所示的每个像素中，TFT1401控制视频信号向像素的输入。接通TFT1401，视频信号输入像素中，从而使视频信号存储在电容元件1402中。注意，在图8A和8C中均显示了电容元件1402；然而，对其没有特别限制，当栅电容等可以用作存储视频信号的电容器时，不需要特别显示电容元件1402。
图8B显示的像素不同于图8A，其中增加了TFT1406及扫描线1415；然而，它们在所述结构的其它点上是相同的。同样，图8D所示的像素不同于图8C，其中增加了TFT1406及扫描线1415；然而，它们在所述结构的其它点上是相同的。
由扫描线1415控制TFT1406的接通/关闭。接通TFT1406，然后将存储于电容元件1402上的电荷放电，并关闭TFT1406。换言之，通过设置TFT1406可以强制性地阻止电流向发光元件1405流动。在图8B和8D的每个结构中，可以在写入周期启动的同时或者在其开始后立即启动发光周期，而不需要等待将每个信号写入所有像素中，从而可以改善占空因数。
图8E所示的像素具有按列设置的信号线1450以及电源线1451和1452，以及具有按行设置的扫描线1453。其还具有开关TFT1441、驱动TFT1443、电容元件1442以及发光元件1444。图8F所示的像素不同于图8E，其中增加了TFT1445及扫描线1454；然而，它们在所述结构的其它点上是相同的。在图8F的结构中，还可以通过设置TFT1445以提高占空因数。
该实施方案可以与实施模式以及实施方案1至4中任意一个自由组合。
实施方案6
在该实施方案中，描述了将FPC或驱动IC安装在通过上述实施方案而制作的EL显示器上的实施方案。
图9A的例子显示了发光装置的顶视图，其中每个FPC1209连接四个终端部分1208。在基片1210上，形成有包括发光元件和TFT的像素部分1202、包括TFT的栅极侧的驱动电路1203以及包括TFT的电源侧的驱动电路1201。当TFT的活性层由具有晶体结构的半导体层构成时，这些电路可以位于相同基片上。因此，可以生产实现了系统位于面板上的EL显示面板。
注意，除了接触部分之外，基片1210被保护膜覆盖，在所述保护膜上设置含有光催化材料的基层。
设置两个连接区域1207以夹住像素部分，从而使发光元件的第二电极与底部线路相接触。注意，发光元件的第一电极与设置在像素部分中的TFT电连接。
将密封基片1204通过环绕像素部分和驱动电路的密封元件1205以及被密封元件环绕的填料固定于基片1210上。另外，可以充填包括透明干燥剂的填料。干燥剂可以位于与像素部分不重叠的区域。
图9A所示的结构适合于具有相对较大尺寸的XGA类发光装置(例如，对角：4.3英寸)。图9B中采用了适合于具有较小尺寸(例如，对角：1.5英寸)的发光装置的COG模式。
在图9B中，驱动IC 1301安装在基片1310上，FPC 1309安装于设置在驱动IC一端的终端部分1308上。从提高生产力方面考虑，待安装的多个驱动IC 1301优选位于矩形基片上，其一侧为300mm至1000mm或更高。换言之，具有驱动电路部分和输入/输出终端的多个电路图案作为一个单元形成于基片上，最后，其可以被分割而取出。驱动IC可以为矩形，较长的边为15至80mm，较短的边为1至6mm，或其较长边的长度为像素部分一个边的长度，或者像素部分一个边和每个驱动电路的一个边的长度之和。
驱动IC在外形尺寸上是有利的，这是因为其较长的边可以制成IC芯片。当驱动IC的较长边为15至80mm时，与采用IC芯片的情况相比，需要安装于像素部分的驱动IC的数量减少了，从而提高了产量。当在玻璃基片上形成驱动IC时，并不降低生产力，这是因为对作为母体的基片的形状并没有限制。与将IC芯片从圆形硅片中取出的情况相比，其是一个巨大的优势。
另外，可以采用TAB模式，在该情况下，附有多个带子，可以将驱动IC安装于这些带子上。在COG模式中，驱动电路可以安装于带子上；在这种情况下，优选共同地粘附金属片等以固定驱动IC，从而提高强度。
除了接触部分之外，用保护膜覆盖基片，将含有光催化材料的基层设置于保护膜上。
设置位于像素部分1302和驱动IC1301之间的连接部分1307以使发光元件的第二电极与底部线路连接。注意，发光元件的第一电极与位于像素部分中的TFT电连接。
将密封基片1304通过环绕像素部分1302的密封元件1305和被密封元件环绕的填料固定于基片1310上。
当采用无定形半导体膜作为TFT的活性层时，采用甚至具有较大尺寸的图9B所示的结构，这是因为很难在同一基片上形成驱动电路。
密封元件、FPC、驱动IC之间的附着性得到了改善，这是因为在保护膜上形成了含有光催化材料的基层。
另外，该实施方案可以与实施模式以及实施方案1至5的任意一个自由组合。
实施方案7
作为显示装置和电子设备，其例子有摄影机、数码相机、目镜型显示器(头戴式显示器)、导航系统、放音器(汽车音响、声频合成器等)、膝上型电脑、游戏机、个人数字辅助设备(掌上电脑、手机、掌上游戏机、电子图书等)，或具有记录介质的图像再现装置(尤其是，包括显示器的装置，其可以通过还原记录基质例如DigitalVersatile Disc(数字化视频光盘，DVD)从而显示图像)。所述电子设备的特殊例子参见图10A至10D以及11A至11E。
图10A和10B显示了数码相机，其包括主体2101、显示部分2102、成像部分2103、操作键2104、快门2106等。本发明能够实现具有彩色显示器部分2102的数码相机，其能够进行具有良好对比度的显示。
图10C为掌上电脑的透视图，图10D为显示掌上电脑的背面的透视图。所述掌上电脑包括主体2301、显示部分2302a和2302b、开关2303、操作键2304。红外辐射端2305等。所述显示部分2302a和2302b为双向发光面板。显示部分2302a主要在一个面板的一面上显示彩色图像和高清晰度图像，显示部分2302b主要在面板的另一面单色显示字符和符号。本发明能够实现具有彩色显示部分2302a的掌上电脑，其能够进行具有良好对比度的显示。注意，可以采用实施方案2生产双向发光的面板。图10D显示了以单色显示的一面，其中有色层仅仅设置于另一面；然而，如果设置有色滤波器，两面均可以彩色显示。
图11A为包括22至50英寸大屏幕的大尺寸的显示装置，其包括机壳2001、支架2002、显示器部分2003、扬声器2004、成像部分2005、视频输入终端2006等。注意，所述显示装置包括用于信息显示的每个显示装置，例如用于个人电脑、TV广播接收器等。本发明能够实现大尺寸的彩色显示装置，其能够进行具有良好对比度的显示。
图11B显示了膝上式电脑，其包括主体2201、机壳2202、显示器部分2203、键盘2204、外部连接端口2205、鼠标2206等。本发明能够实现彩色显示的膝上式电脑，其能够进行具有良好对比度的显示。
图11C显示了具有记录介质的移动式图像再现装置(尤其是，DVD再现装置)，其包括主体2401、机壳2402、显示器部分A2403、显示器部分B2404、记录介质(DVD等)、读数部分2405、操作键2406、扬声器部分2407等。所述显示器部分A2403主要显示图象信息，显示器部分B2404主要显示字符信息。注意，所述视频再现装置包括家庭用的游戏机等。本发明能够实现彩色显示的图像再现装置，其能够进行具有良好对比度的显示。
图11D为个人数字辅助设备的透视图，图11E显示将其作为折叠式手机的透视图。图11D中，用户用右手手指操作作为键盘的操作键2706a，用左手手指操作作为键盘的操作键2706b。本发明能够实现彩色显示的个人数字辅助设备，其能够进行具有良好对比度的显示。
如图11E所示，在折叠手机时，用户的一个手上具有主体2701和机壳2702，使用声音输入部分2704、操作键2706c、天线2708等。
图11D和11E所示的个人数字辅助设备每个均包括高清晰度地主要横向显示图像和字符的显示部分2703a，以及垂直显示的显示部分2703b。
如上所述，采用实施模式或实施方案1至6任一项所述的制备方法或结构可以得到不同的电子设备。
本发明简化了能够进行彩色显示的发光装置的密封基片侧的结构及其制作方法。另外，通过缩小基片之间的间隙，可以减少一对基片之间的填料的量。
该申请基于于2004年4月7日向日本专利局提交的日本专利申请序列号No.2004-112801，所述申请的全文在本文中引入作为参考。

Claims (23)

1.一种发光装置，包括：
位于基片上的多个像素，所述多个像素的每一个均包括发光元件，所述发光元件包括第一电极、第二电极以及位于第一和第二电极之间的有机化合物层；
位于发光元件上的含有光催化材料的层；以及
位于含有光催化材料的所述层上的含有树脂的层。
2.一种发光装置，包括：
位于基片上的多个像素，所述多个像素的每一个均包括发光元件，所述发光元件包括第一透明电极、第二透明电极以及位于第一和第二透明电极之间的有机化合物层；
位于发光元件上的含有光催化材料的层；以及
位于含有光催化材料的所述层上的含有树脂的层。
3.一种发光装置，包括：
位于基片上的多个像素，所述多个像素的每一个均包括发光元件，所述发光元件包括第一电极、第二电极以及位于第一和第二电极之间的有机化合物层；
含有光屏蔽材料并覆盖所述第一电极端部的隔段；
位于发光元件上的含有光催化材料的层；以及
位于含有光催化材料的所述层上的含有树脂的层。
4.一种发光装置，包括：
位于基片上的多个像素，所述多个像素的每一个均包括发光元件，所述发光元件包括第一透明电极、第二透明电极以及位于第一和第二透明电极之间的有机化合物层；
含有光屏蔽材料并覆盖所述第一透明电极端部的隔段；
位于发光元件上的含有光催化材料的层；以及
位于含有光催化材料的所述层上的含有树脂的层。
5.一种发光装置，包括：
位于基片上的多个像素，所述多个像素的每一个均包括发光元件，所述发光元件包括第一电极、第二电极以及位于第一和第二电极之间的有机化合物层；
含有光屏蔽材料并覆盖所述第一电极端部的隔段；
位于发光元件上的含有光催化材料的层；
与含有光催化材料的所述层接触的填料；以及
与第一基片相对的第二基片，其中第二基片具有至少一个有色层。
6.一种发光装置，包括：
位于基片上的多个像素，所述多个像素的每一个均包括发光元件，所述发光元件包括第一透明电极、第二透明电极以及位于第一和第二透明电极之间的有机化合物层；
含有光屏蔽材料并覆盖所述第一透明电极端部的隔段；
位于发光元件上的含有光催化材料的层；
与含有光催化材料的所述层接触的填料；以及
与第一基片相对的第二基片，其中第二基片具有至少一个有色层。
7.如权利要求1，3和5任一项所述的发光装置，其中第一电极包括光反射材料。
8.如权利要求1，3和5任一项所述的发光装置，其中第一电极包括透明导电材料和光反射材料的层压层。
9.如权利要求1，3和5任一项所述的发光装置，进一步包括位于第一基片和第一电极之间的光屏蔽层间绝缘膜。
10.如权利要求5或6所述的发光装置，其中所述隔段部分地与至少一个有色层重叠。
11.如权利要求5或6所述的发光装置，其中至少一个有色层的尺寸大于被所述隔段环绕的发光区域的尺寸。
12.如权利要求5或6所述的发光装置，其中至少一个有色层为红色、绿色或蓝色的。
13.如权利要求1至6任一项所述的发光装置，进一步包括位于发光元件和含有光催化材料的所述层之间的保护膜。
14.如权利要求13所述的发光装置，其中所述保护膜包括至少一种选自以下的膜：SiN膜、SiNO膜、DLC膜、CN膜、无定形碳膜以及金属氧化物膜。
15.如权利要求1至6任一项所述的发光装置，其中所述光催化材料包括至少一种选自以下的物质：钛氧化物(TiOX)、钛酸锶(SrTiO3)、硒化镉(CdSe)、钽酸钾(KTaO3)、硫化镉(CdS)、氧化锆(ZrO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化铁(Fe2O3)以及氧化钨(WO3)。
16.如权利要求1至6任一项所述的发光装置，其中第一电极与薄膜晶体管电连接。
17.如权利要求1至4任一项所述的发光装置，其中所述树脂包括紫外硬化或热固化的环氧树脂。
18.如权利要求1至4任一项所述的发光装置，进一步包括与第一基片相对的相对基片。
19.如权利要求5或6所述的发光装置，其中所述填料包括紫外硬化或热固化的环氧树脂。
20.如权利要求1至6任一项所述的发光装置，其中发光装置包括含有铝合金的电极或线路，所述铝合金含有碳和镍。
21.如权利要求1至6任一项所述的发光装置，其中发光装置发出白光。
22.如权利要求1至6任一项所述的发光装置，其中发光装置结合在以下的至少一个内：摄影机、数码相机、个人电脑、掌上电脑、手机以及个人数字辅助设备。
23.如权利要求1至6任一项所述的发光装置，其中发光装置结合在电视装置的屏幕中。
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