JP2005268405A - 光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法 - Google Patents
光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005268405A JP2005268405A JP2004076313A JP2004076313A JP2005268405A JP 2005268405 A JP2005268405 A JP 2005268405A JP 2004076313 A JP2004076313 A JP 2004076313A JP 2004076313 A JP2004076313 A JP 2004076313A JP 2005268405 A JP2005268405 A JP 2005268405A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal base
- circuit board
- insulating layer
- optical device
- base circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 37
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 239000011243 crosslinked material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000012812 general test Methods 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 229940074439 potassium sodium tartrate Drugs 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 2
- -1 siloxane unit Chemical group 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0162—Silicon containing polymer, e.g. silicone
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
【課題】 ＬＥＤモジュール等の光学装置に好適である、発光した光を効率良く反射し、かつ発生する熱を効率良く放熱できる金属ベース回路基板、およびこのような回路基板を効率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース基板上に絶縁層を介して回路を有する金属ベース回路基板であって、前記絶縁層が透明シリコーン架橋物により形成されており、前記回路が前記絶縁層上に直接形成されていることを特徴とする光学装置用金属ベース回路基板、および前記金属ベース基板の表面に、架橋性シリコーンを塗布した後、架橋して、透明シリコーン架橋物からなる絶縁層を形成し、次いで、該絶縁層上に、ｉ）電解もしくは無電解メッキにより導電層を形成した後、エッチングするか、あるいはii）導電インクで印刷することにより、回路を直接形成することを特徴とする光学装置用金属ベース回路基板の製造方法。
【選択図】 図１
【解決手段】 アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース基板上に絶縁層を介して回路を有する金属ベース回路基板であって、前記絶縁層が透明シリコーン架橋物により形成されており、前記回路が前記絶縁層上に直接形成されていることを特徴とする光学装置用金属ベース回路基板、および前記金属ベース基板の表面に、架橋性シリコーンを塗布した後、架橋して、透明シリコーン架橋物からなる絶縁層を形成し、次いで、該絶縁層上に、ｉ）電解もしくは無電解メッキにより導電層を形成した後、エッチングするか、あるいはii）導電インクで印刷することにより、回路を直接形成することを特徴とする光学装置用金属ベース回路基板の製造方法。
【選択図】 図１
Description
本発明は、光学装置用金属ベース回路基板、およびその製造方法に関し、詳しくは、ＬＥＤモジュール等の光学装置に好適である、発光した光を効率良く反射し、かつ発生する熱を効率良く放熱できる金属ベース回路基板、およびこのような回路基板を効率良く製造する方法に関する。
電子部品の高集積化、高密度化、および高周波数化に伴い、該電子部品から発生する熱を効率良く放熱するための回路基板が検討されている。効率良く放熱するためには、回路基板を構成する基板材料の熱抵抗、基板材料と絶縁材料との間の熱抵抗、および絶縁材料と電極材料との間の熱抵抗をいかに小さくするかが課題である。例えば、銅やアルミニウム等の高熱伝導性の金属ベース基板を用い、該基板の表面に、高熱伝導性フィラーを含有した熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂により絶縁層を形成し、次いで、該絶縁層上に金属箔を加熱プレスした金属ベース回路基板が提案されている（特許文献１〜４参照）。一方、回路基板の応力緩和性を向上させるため、金属ベース基板上に、ゴム組成物層と樹脂組成物層の多層構造を有する絶縁層を介して回路を有する金属ベース回路基板が提案されている（特許文献５参照）。
しかし、これらの金属ベース回路基板は、ＬＥＤモジュールのような、発光した光を効率良く反射し、かつ発生する熱を効率良く放熱しなければならない光学装置用金属ベース回路基板には好適でないという問題があった。
特開平７−３２０５３８号公報
特開平８−２６４９１２号公報
特開２００２−３２２３７２号公報
特開２００３−２２９５０８号公報
特開平１１−１５０３４５号公報
本発明の目的は、ＬＥＤモジュール等の光学装置に好適である、発光した光を効率良く反射し、かつ発生する熱を効率良く放熱できる金属ベース回路基板、およびこのような回路基板を効率良く製造する方法を提供することにある。
本発明の光学装置用金属ベース回路基板は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース基板上に絶縁層を介して回路を有する金属ベース回路基板であって、前記絶縁層が透明シリコーン架橋物により形成されており、前記回路が前記絶縁層上に直接形成されていることを特徴とする。
また、本発明の光学装置用金属ベース回路基板の製造方法は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース基板の表面に、架橋性シリコーンを塗布した後、架橋して、透明シリコーン架橋物からなる絶縁層を形成し、次いで、該絶縁層上に、ｉ）電解もしくは無電解メッキにより導電層を形成した後、エッチングするか、あるいはii）導電インクで印刷することにより、回路を直接形成することを特徴とする。
本発明の光学装置用金属ベース回路基板は、ＬＥＤモジュール等の光学装置から発光される光を効率良く反射し、かつ発生する熱を効率良く放熱できるという特徴があり、また、本発明の製造方法は、このような回路基板を効率良く製造することができるという特徴がある。
はじめに、本発明の光学装置用金属ベース回路基板を詳細に説明する。
本回路基板における金属ベース基板は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。これは、加工性が優れ、比較的安価で、しかも軽量であるため移動機器用の回路基板として好適であるからである。また、アルミニウムは紫外線領域から可視光領域の光に対して高い反射率を有しているため、凹面状の反射鏡においても高い反射率により外部放射効率が高くなるので、レンズ型ＬＥＤモジュールのみならず、高い輝度を実現できる反射型ＬＥＤモジュールに適用することができる。さらに、アルミニウムは紫外線領域の光に対して反射率が高いので、本回路基板を、紫外線発光素子を搭載したレンズ型ＬＥＤモジュールあるいは反射型紫外線ＬＥＤモジュールに適用することができる。この金属ベース基板の厚みは限定されないが、好ましくは、０.１５ｍｍ〜５.０ｍｍの範囲内であり、特に好ましくは、０.５ｍｍ〜３.０ｍｍの範囲内である。
本回路基板における金属ベース基板は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。これは、加工性が優れ、比較的安価で、しかも軽量であるため移動機器用の回路基板として好適であるからである。また、アルミニウムは紫外線領域から可視光領域の光に対して高い反射率を有しているため、凹面状の反射鏡においても高い反射率により外部放射効率が高くなるので、レンズ型ＬＥＤモジュールのみならず、高い輝度を実現できる反射型ＬＥＤモジュールに適用することができる。さらに、アルミニウムは紫外線領域の光に対して反射率が高いので、本回路基板を、紫外線発光素子を搭載したレンズ型ＬＥＤモジュールあるいは反射型紫外線ＬＥＤモジュールに適用することができる。この金属ベース基板の厚みは限定されないが、好ましくは、０.１５ｍｍ〜５.０ｍｍの範囲内であり、特に好ましくは、０.５ｍｍ〜３.０ｍｍの範囲内である。
本回路基板における絶縁層は、透明シリコーン架橋物により形成されている。この絶縁層を形成するための架橋性シリコーンとしては、例えば、付加反応架橋性シリコーン、縮合反応架橋性シリコーン、紫外線架橋性シリコーンが挙げられる。この架橋性シリコーンは、高硬度のシリコーン架橋物を得ることができることから、架橋性シリコーンレジンであることが好ましい。この架橋性シリコーンレジンとしては、例えば、水素シルセスキオキサン、二官能性シロキサン単位と三官能性シロキサン単位からなるＤＴ型シリコーンレジンが挙げられる。この架橋性シリコーンは、金属ベース基板に対して接着性を有するが、さらに十分な接着性を得るため、この架橋性シリコーンにシランカップリング剤、チタンカップリング剤等のカップリング剤を添加しても良い。
この絶縁層を形成するシリコーン架橋物は、その絶縁層の厚さにおいて透明であれば、その光透過率は限定されないが、紫外線領域から可視光領域、例えば、３８０ｎｍにおける光透過率が８０％以上であることが好ましく、特に、９０％以上であることが好ましい。これにより、本回路基板は、ＬＥＤモジュール用として好適であり、ＬＥＤから発光される光を金属ベース基板により効率良く反射することが可能である。また、このシリコーン架橋物の比誘電率は限定されないが、電子部品の高周波数化に伴う信号の遅延が生じ難いことから、４.０以下であることが好ましく、さらには、３.５以下であることが好ましく、特には、３.０以下であることが好ましい。また、このシリコーン架橋物の硬度は限定されないが、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−４：１９９９「塗料一般試験方法 引っかき硬度（鉛筆法）」に規定の鉛筆硬度が２Ｈ以上であることが好ましい。
本回路基板において、絶縁層の厚さは限定されないが、電気絶縁性と放熱性の両方を満足することができることから、１０μｍ以下であることが好ましく、さらには、１〜５μｍの範囲内であることが好ましい。これは、絶縁層の厚さが薄くなると、回路との密着性を向上させることが難しくなるからであり、一方、この厚さが厚くなると、回路基板の放熱性が低下する傾向があるからである。
また、本回路基板では、回路が絶縁層上に直接形成されていることを特徴とする。このため回路と絶縁層との間の熱抵抗が小さくなるという効果がある。回路を絶縁層上に直接形成する方法としては、例えば、絶縁層上に電解もしくは無電解メッキにより導電層を形成した後、該導電層をエッチングして回路を形成する方法、あるいは絶縁層上に導電インクで回路を印刷する方法が挙げられる。
なお、本回路基板では、回路上にさらに透明性を有する絶縁層を形成してもよい。この絶縁層は、回路の腐食防止や耐湿性の向上のために施されるものである。このような絶縁層は限定されず、架橋したもの、あるいは非架橋のものであってもよく、さらに、エラストマー状のものであっても、またリジッドなものであってもよい。このような絶縁層を形成する材料は限定されず、例えば、前記と同様の架橋性シリコーンを用いてもよい。さらに、本回路基板では、絶縁層を形成しない面に、金属ベース基板の腐食防止や傷つき防止のための保護フィルムを密着させてもよい。この保護フィルムは、使用の際に必要に応じて除去することができる。
次に、本発明の光学装置用金属ベース回路基板の製造方法を詳細に説明する。
本方法では、はじめに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース基板の表面に架橋性シリコーンを塗布する。この架橋性シリコーンは前記の通りである。この架橋性シリコーンを金属ベース基板の表面に塗布する方法は限定されず、公知の方法を用いることができるが、均一な膜厚に塗布するため、例えば、スピンコーター等を用いることができる。
本方法では、はじめに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース基板の表面に架橋性シリコーンを塗布する。この架橋性シリコーンは前記の通りである。この架橋性シリコーンを金属ベース基板の表面に塗布する方法は限定されず、公知の方法を用いることができるが、均一な膜厚に塗布するため、例えば、スピンコーター等を用いることができる。
次いで、本方法では、架橋性シリコーンを架橋することにより、透明シリコーン架橋物からなる絶縁層を形成する。架橋性シリコーンを架橋する方法は限定されず、熱により架橋する場合には、これを１５０℃〜２５０℃に加熱することが好ましい。
本方法において、絶縁層上に回路を直接形成する方法としては、絶縁層上に、ｉ）電解もしくは無電解メッキにより導電層を形成した後、該導電層をエッチングする方法、あるいはii）導電インクで印刷する方法が挙げられる。
方法ｉ）としては、電解、無電解、真空、溶融等のメッキ法が挙げられ、特に、無電解メッキ法が好ましい。この無電解メッキ法では、銀、銅等の導電層を直接形成する方法、あるいは、無電解メッキによって導電層の下地を形成し、その上に電解メッキにより、銀や銅の導電層を形成する方法が挙げられる。その後、エッチング等により、回路を形成することができる。エッチングの方法としては、公知の方法を適用することができる。
また、方法ii）としては、ステンシル、メッシュ、スクリーン等による印刷法、あるいは転写法、インクジェット法が例示される。この方法によれば、絶縁層上に直接回路を形成することができる。
本方法では、回路上にさらに透明性を有する絶縁層を形成したり、絶縁層を形成しない面に、金属ベース基板の腐食防止や傷つき防止のための保護フィルムを密着させてもよい。このような絶縁層を形成する材料は限定されず、例えば、前記と同様の架橋性シリコーンを用いてもよい。
本発明の光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法を実施例・比較例により詳細に説明する。なお、光学装置用金属ベース回路基板の評価は次の通りである。
［鉛筆硬度］
架橋性シリコーンを実施例と同様の方法でアルミニウム基板上にコートし、所定の条件で架橋させ透明シリコーン架橋物を形成した。このシリコーン架橋物の鉛筆硬度をＪＩＳ Ｋ ５６００−５−４：１９９９「塗料一般試験方法 引っかき硬度（鉛筆法）」に従って求めた。
［熱伝導率］
実施例・比較例で作製した金属ベース回路基板を１０ｍｍ角の大きさに切り出し、放熱グリース（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳＣ１０２）を介して樹脂材料熱抵抗測定装置（株式会社日立製作所製）により熱抵抗を測定した。次に、その放熱グリースの熱抵抗値を補正した値からこの金属ベース回路基板の熱伝導率を求めた。
［誘電率、絶縁破壊強さ］
架橋性シリコーンを実施例と同様の方法でアルミニウム基板上にコートし、所定の条件で架橋させ透明シリコーン架橋物を形成した。このシリコーン架橋物の１ＭＨｚにおける誘電率を測定した。また、このシリコーン架橋物の絶縁破壊電圧を測定し、絶縁破壊強さを求めた。
［光透過率］
架橋性シリコーンを実施例と同様の方法で透明ガラス板上にコートし、所定の条件で架橋させ透明シリコーン架橋物を形成した。このシリコーン架橋物の光透過率（波長：３８０ｎｍ）を分光光度計で測定した。
［反射率］
金属ベース回路基板に光（波長：２８０〜８００ｎｍ）を当て、分光反射率計で初期の反射率を測定した。次に、金属ベース回路基板を１５０℃で１０００時間加熱処理した後、金属ベース回路基板に光を当て、高温エージング後の反射率を測定した。
［発光効率］
擬似白色ＬＥＤを金属ベース回路基板上に搭載し、波長２７０〜８００ｎｍにおける初期の発光効率を測定した。次に、ＬＥＤを搭載した金属ベース回路基板を１５０℃で１０００時間加熱処理した後、波長２７０〜８００ｎｍにおける高温エージング後の発光効率を測定した。
［鉛筆硬度］
架橋性シリコーンを実施例と同様の方法でアルミニウム基板上にコートし、所定の条件で架橋させ透明シリコーン架橋物を形成した。このシリコーン架橋物の鉛筆硬度をＪＩＳ Ｋ ５６００−５−４：１９９９「塗料一般試験方法 引っかき硬度（鉛筆法）」に従って求めた。
［熱伝導率］
実施例・比較例で作製した金属ベース回路基板を１０ｍｍ角の大きさに切り出し、放熱グリース（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳＣ１０２）を介して樹脂材料熱抵抗測定装置（株式会社日立製作所製）により熱抵抗を測定した。次に、その放熱グリースの熱抵抗値を補正した値からこの金属ベース回路基板の熱伝導率を求めた。
［誘電率、絶縁破壊強さ］
架橋性シリコーンを実施例と同様の方法でアルミニウム基板上にコートし、所定の条件で架橋させ透明シリコーン架橋物を形成した。このシリコーン架橋物の１ＭＨｚにおける誘電率を測定した。また、このシリコーン架橋物の絶縁破壊電圧を測定し、絶縁破壊強さを求めた。
［光透過率］
架橋性シリコーンを実施例と同様の方法で透明ガラス板上にコートし、所定の条件で架橋させ透明シリコーン架橋物を形成した。このシリコーン架橋物の光透過率（波長：３８０ｎｍ）を分光光度計で測定した。
［反射率］
金属ベース回路基板に光（波長：２８０〜８００ｎｍ）を当て、分光反射率計で初期の反射率を測定した。次に、金属ベース回路基板を１５０℃で１０００時間加熱処理した後、金属ベース回路基板に光を当て、高温エージング後の反射率を測定した。
［発光効率］
擬似白色ＬＥＤを金属ベース回路基板上に搭載し、波長２７０〜８００ｎｍにおける初期の発光効率を測定した。次に、ＬＥＤを搭載した金属ベース回路基板を１５０℃で１０００時間加熱処理した後、波長２７０〜８００ｎｍにおける高温エージング後の発光効率を測定した。
［実施例１］
以下の手順で図１に示される金属ベース回路基板を作製した。
架橋性シリコーンレジン溶液（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＡＹ４２−１７０）を、厚さ３ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミニウム基板に滴下した後、スピンコーター（前回転：５００ｒｐｍ／本回転：２,０００ｒｐｍ）でスピンコーティングした。次いで、１５０℃の熱風循環式オーブンで３０分加熱することにより、アルミニウム基板上に透明シリコーン架橋物からなる絶縁層１を形成した。
以下の手順で図１に示される金属ベース回路基板を作製した。
架橋性シリコーンレジン溶液（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＡＹ４２−１７０）を、厚さ３ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミニウム基板に滴下した後、スピンコーター（前回転：５００ｒｐｍ／本回転：２,０００ｒｐｍ）でスピンコーティングした。次いで、１５０℃の熱風循環式オーブンで３０分加熱することにより、アルミニウム基板上に透明シリコーン架橋物からなる絶縁層１を形成した。
次に、硝酸銀のアンモニア水溶液中で銀錯体を作り、酒石酸カリウムナトリウムの１０％溶液を還元液として上記のアルミニウム基板を無電解銀メッキした。その後、アルミニウム基板の銀メッキ層を塩化第二鉄水溶液でエッチングして、厚さ５μｍの銀製回路を形成した。
このようにして作製したアルミニウムベース回路基板の特性を測定し、その結果を表１に示した。
このようにして作製したアルミニウムベース回路基板の特性を測定し、その結果を表１に示した。
［実施例２］
以下の手順で図１に示される金属ベース回路基板を作製した。
架橋性水素シルセスキオキサン樹脂溶液（ダウコーニング社製のＦＯｘ）を、厚さ３ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミニウム基板に滴下した後、スピンコーター（２,０００ｒｐｍ）でスピンコーティングした。次いで、２５０℃の熱風循環式オーブンで３０分加熱することにより、アルミニウム基板上に透明シリコーン架橋物からなる絶縁層１を形成した。
以下の手順で図１に示される金属ベース回路基板を作製した。
架橋性水素シルセスキオキサン樹脂溶液（ダウコーニング社製のＦＯｘ）を、厚さ３ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミニウム基板に滴下した後、スピンコーター（２,０００ｒｐｍ）でスピンコーティングした。次いで、２５０℃の熱風循環式オーブンで３０分加熱することにより、アルミニウム基板上に透明シリコーン架橋物からなる絶縁層１を形成した。
次に、アルミニウム基板の絶縁層１上に熱架橋性のシリコーン系導電性接着剤（銀フィラー含有）をステンシル印刷法により、所望の回路パターンに印刷した後、１５０℃の熱風循環式オーブンで３０分間加熱することにより硬化させ、厚さ１０μｍの回路を形成した。
このようにして作製したアルミニウムベース回路基板の特性を測定し、その結果を表１に示した。
このようにして作製したアルミニウムベース回路基板の特性を測定し、その結果を表１に示した。
［実施例３］
以下の手順で図２に示される金属ベース回路基板を作製した。
架橋性シリコーンレジン溶液（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳＲ２５１０）を、厚さ３ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミニウム基板に滴下した後、スピンコーター（１,５００ｒｐｍ）でスピンコーティングした。次いで、１５０℃の熱風循環式オーブンで３０分加熱することにより、アルミニウム基板上に透明シリコーン架橋物からなる絶縁層１を形成した。
以下の手順で図２に示される金属ベース回路基板を作製した。
架橋性シリコーンレジン溶液（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳＲ２５１０）を、厚さ３ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミニウム基板に滴下した後、スピンコーター（１,５００ｒｐｍ）でスピンコーティングした。次いで、１５０℃の熱風循環式オーブンで３０分加熱することにより、アルミニウム基板上に透明シリコーン架橋物からなる絶縁層１を形成した。
次に、硝酸銀のアンモニア水溶液中で銀錯体を作り、酒石酸カリウムナトリウムの１０％溶液を還元液として上記のアルミニウム基板を無電解銀メッキした。その後、アルミニウム基板の銀メッキ層を塩化第二鉄水溶液でエッチングして、厚さ５μｍの銀製回路を形成した。続いて、絶縁層１および銀製回路上に、架橋性シリコーンレジン溶液（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＡＹ４２−１７０）をコーティングし、１５０℃の熱風循環式オーブンで３０分加熱することにより透明シリコーン架橋物からなる絶縁層２を形成した。
このようにして作製したアルミニウムベース回路基板の特性を測定し、その結果を表１に示した。
このようにして作製したアルミニウムベース回路基板の特性を測定し、その結果を表１に示した。
［比較例１］
以下の手順で従来の金属ベース回路基板を作製した。
厚さ３ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミニウム基板に、アルミナ含有の絶縁放熱性シリコーン系接着剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳＥ４４５０）を塗布した後、厚さ３５μｍの銅箔を貼り合わせ、１５０℃のオーブン中で１時間加熱して、アルミニウム基板に銅箔を接着した。
以下の手順で従来の金属ベース回路基板を作製した。
厚さ３ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミニウム基板に、アルミナ含有の絶縁放熱性シリコーン系接着剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳＥ４４５０）を塗布した後、厚さ３５μｍの銅箔を貼り合わせ、１５０℃のオーブン中で１時間加熱して、アルミニウム基板に銅箔を接着した。
次に、アルミニウム基板の銅箔を塩化第二鉄水溶液でエッチングして、厚さ３５μｍの銅製回路を形成した。このようにして作製したアルミニウムベース回路基板の特性を測定し、その結果を表１に示した。なお、絶縁性放熱性シリコーン系接着剤は灰色であり、反射効率が極端に低かった。
［比較例２］
以下の手順で比較の金属ベース回路基板を作製した。
１００重量部のエピコート８２８（ジャパンエポキシレジン株式会社製）、３０重量部のエピキュア１１３（ジャパンエポキシレジン株式会社製）、および微量のシリカを混合してビスフェノールＡ型エポキシ樹脂組成物を調製した。
以下の手順で比較の金属ベース回路基板を作製した。
１００重量部のエピコート８２８（ジャパンエポキシレジン株式会社製）、３０重量部のエピキュア１１３（ジャパンエポキシレジン株式会社製）、および微量のシリカを混合してビスフェノールＡ型エポキシ樹脂組成物を調製した。
このエポキシ樹脂組成物を、厚さ３ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミニウム基板に塗布した後、厚さ３５μｍの銅箔を貼り合わせ、１８０℃のオーブン中で１時間加熱して、アルミニウム基板に銅箔を接着した。
次に、アルミニウム基板の銅箔を塩化第二鉄水溶液でエッチングして、厚さ３５μｍの銅製回路を形成した。このようにして作製したアルミニウムベース回路基板の特性を測定し、その結果を表１に示した。なお、このアルミニウムベース回路基板は、高温エージングにより、絶縁性および回路の導電性が著しく低下した。
本発明の光学装置用金属ベース回路基板は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース基板および透明シリコーン架橋物からなる絶縁層を有するので、放熱性に優れ、発光素子の発光効率を向上させることができるので、ＬＥＤモジュール用の金属ベース回路基板として好適である。
１ 金属ベース基板
２ 絶縁層１
３ 回路
４ 絶縁層２
２ 絶縁層１
３ 回路
４ 絶縁層２
Claims (5)
- アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース基板上に絶縁層を介して回路を有する金属ベース回路基板であって、前記絶縁層が透明シリコーン架橋物により形成されており、前記回路が前記絶縁層上に直接形成されていることを特徴とする光学装置用金属ベース回路基板。
- 絶縁層の厚さが１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１記載の光学装置用金属ベース回路基板。
- シリコーン架橋物の比誘電率が４.０以下であることを特徴とする、請求項１記載の光学装置用金属ベース回路基板。
- 回路が、絶縁層上に電解もしくは無電解メッキにより形成された導電層をエッチングしたもの、あるいは絶縁層上に導電インクで印刷したものであることを特徴とする、請求項１記載の光学装置用金属ベース回路基板。
- アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース基板の表面に、架橋性シリコーンを塗布した後、架橋して、透明シリコーン架橋物からなる絶縁層を形成し、次いで、該絶縁層上に、ｉ）電解もしくは無電解メッキにより導電層を形成した後、エッチングするか、あるいはii）導電インクで印刷することにより、回路を直接形成することを特徴とする光学装置用金属ベース回路基板の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004076313A JP2005268405A (ja) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法 |
| TW094106812A TWI404469B (zh) | 2004-03-17 | 2005-03-07 | 用於光學裝置之金屬基電路基板及該基板之製法 |
| CNB2005800083427A CN100438102C (zh) | 2004-03-17 | 2005-03-08 | 用于光学装置的金属基电路衬底及制造前述衬底的方法 |
| KR1020067018893A KR101152263B1 (ko) | 2004-03-17 | 2005-03-08 | 광학 장치용 금속 기재 회로 기판 및 이의 제조방법 |
| EP05720684A EP1738418A1 (en) | 2004-03-17 | 2005-03-08 | Metal base circuit substrate for an optical device and method manufacturing the aforementioned substrate |
| US10/598,967 US20070292697A1 (en) | 2004-03-17 | 2005-03-08 | Metal Base Circuit Substrate For An Optical Device And Method Manufacturing The Aforementioned Substrate |
| PCT/JP2005/004413 WO2005088737A1 (en) | 2004-03-17 | 2005-03-08 | Metal base circuit substrate for an optical device and method manufacturing the aforementioned substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004076313A JP2005268405A (ja) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005268405A true JP2005268405A (ja) | 2005-09-29 |
Family
ID=34961505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004076313A Pending JP2005268405A (ja) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070292697A1 (ja) |
| EP (1) | EP1738418A1 (ja) |
| JP (1) | JP2005268405A (ja) |
| KR (1) | KR101152263B1 (ja) |
| CN (1) | CN100438102C (ja) |
| TW (1) | TWI404469B (ja) |
| WO (1) | WO2005088737A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2451168A (en) * | 2007-07-18 | 2009-01-21 | Ko Hsin Lee | Method of manufacture of a light emitting diode |
| JP2009510216A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-12 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 金属基材からの高温用フィルムおよび／またはデバイスの剥離方法 |
| JP2009152536A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-07-09 | Shinshu Univ | 高効率放熱電子機器基板およびそれを含んだ電子制御機器、コンピュータシステム、家庭電化製品および産業機器製品 |
| JP2009302196A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 絶縁金属ベース回路基板及びそれを用いた混成集積回路モジュール |
| KR100959164B1 (ko) | 2008-01-21 | 2010-05-24 | 한국광기술원 | 발광 다이오드 모듈용 피시비(ｐｃｂ) 기판 형성방법 |
| WO2011142198A1 (ja) | 2010-05-10 | 2011-11-17 | 電気化学工業株式会社 | 金属ベース基板の製造方法及び回路基板の製造方法 |
| CN103987211A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-08-13 | 景旺电子科技(龙川)有限公司 | 一种基于增大铝基面的高效散热铝基板及其制作方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200429400Y1 (ko) * | 2006-07-28 | 2006-10-23 | 지아 쭁 엔터프라이즈 컴퍼니 리미티드 | 액정디스플레이의 이극체 기판구조 |
| CN101364627B (zh) * | 2007-08-07 | 2010-04-07 | 阿尔发光子科技股份有限公司 | 一种发光二极管的制造方法 |
| EP2278631A1 (de) * | 2009-07-20 | 2011-01-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Solarzellenbaugruppe sowie Solarzellenanordnung |
| CN102220005B (zh) * | 2011-04-22 | 2014-05-07 | 深圳市博恩实业有限公司 | 多功能导热复合材料 |
| CN103148409B (zh) * | 2013-01-31 | 2015-01-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 背光源及制造该背光源的方法 |
| CN104425696A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 郭剑 | Led基板及其制造方法 |
| DE102015107657A1 (de) * | 2015-05-15 | 2016-12-01 | Alanod Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers, Anschlussträger sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem Anschlussträger |
| JP7143659B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-09-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属ベース基板 |
| CN111065203B (zh) * | 2020-01-06 | 2022-04-26 | 东莞市五株电子科技有限公司 | 一种散热性能好的高端led线路板及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0288683A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-03-28 | Fraunhofer Ges | 基板に絶縁塗料を塗装する方法 |
| JPH03230586A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Ｌｅｄモジュール |
| JP2001189515A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光伝送モジュール |
| JP2001332768A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオード照明具 |
| JP2003273278A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Nec Corp | パッケージ型半導体装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0078541B1 (en) * | 1981-11-04 | 1991-01-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Flexible photovoltaic device |
| EP0647682B1 (en) * | 1993-10-06 | 1997-12-03 | Dow Corning Toray Silicone Company, Limited | Silver-filled electrically conductive organosiloxane compositions |
| EP0860462A3 (en) * | 1997-02-24 | 1999-04-21 | Dow Corning Toray Silicone Company Limited | Composition and method for the formation of silica thin films |
| JP3415741B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2003-06-09 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法 |
| US6551676B1 (en) * | 1998-09-04 | 2003-04-22 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Silicone-based adhesive sheet method for manufacturing same and semiconductor device |
| US6281135B1 (en) * | 1999-08-05 | 2001-08-28 | Axcelis Technologies, Inc. | Oxygen free plasma stripping process |
| JP2001291427A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 電気絶縁性薄膜形成性樹脂組成物、および電気絶縁性薄膜の形成方法 |
| EP1453107A4 (en) * | 2001-11-16 | 2008-12-03 | Toyoda Gosei Kk | LED, LED LAMP AND LAMP |
| TWI367686B (en) * | 2004-04-07 | 2012-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device, electronic device, and television device |
-
2004
- 2004-03-17 JP JP2004076313A patent/JP2005268405A/ja active Pending
-
2005
- 2005-03-07 TW TW094106812A patent/TWI404469B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-08 WO PCT/JP2005/004413 patent/WO2005088737A1/en active Application Filing
- 2005-03-08 CN CNB2005800083427A patent/CN100438102C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-08 KR KR1020067018893A patent/KR101152263B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-03-08 US US10/598,967 patent/US20070292697A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-08 EP EP05720684A patent/EP1738418A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0288683A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-03-28 | Fraunhofer Ges | 基板に絶縁塗料を塗装する方法 |
| JPH03230586A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Ｌｅｄモジュール |
| JP2001189515A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光伝送モジュール |
| JP2001332768A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオード照明具 |
| JP2003273278A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Nec Corp | パッケージ型半導体装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009510216A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-12 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 金属基材からの高温用フィルムおよび／またはデバイスの剥離方法 |
| GB2451168A (en) * | 2007-07-18 | 2009-01-21 | Ko Hsin Lee | Method of manufacture of a light emitting diode |
| GB2451168B (en) * | 2007-07-18 | 2011-01-05 | Ko Hsin Lee | Manufacturing method of a light emitting diode |
| JP2009152536A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-07-09 | Shinshu Univ | 高効率放熱電子機器基板およびそれを含んだ電子制御機器、コンピュータシステム、家庭電化製品および産業機器製品 |
| KR100959164B1 (ko) | 2008-01-21 | 2010-05-24 | 한국광기술원 | 발광 다이오드 모듈용 피시비(ｐｃｂ) 기판 형성방법 |
| JP2009302196A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 絶縁金属ベース回路基板及びそれを用いた混成集積回路モジュール |
| WO2011142198A1 (ja) | 2010-05-10 | 2011-11-17 | 電気化学工業株式会社 | 金属ベース基板の製造方法及び回路基板の製造方法 |
| US8796145B2 (en) | 2010-05-10 | 2014-08-05 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing metal-base substrate and method of manufacturing circuit board |
| CN103987211A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-08-13 | 景旺电子科技(龙川)有限公司 | 一种基于增大铝基面的高效散热铝基板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070292697A1 (en) | 2007-12-20 |
| TW200533252A (en) | 2005-10-01 |
| KR101152263B1 (ko) | 2012-06-08 |
| CN100438102C (zh) | 2008-11-26 |
| WO2005088737A1 (en) | 2005-09-22 |
| TWI404469B (zh) | 2013-08-01 |
| KR20070007099A (ko) | 2007-01-12 |
| EP1738418A1 (en) | 2007-01-03 |
| CN1934718A (zh) | 2007-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101152263B1 (ko) | 광학 장치용 금속 기재 회로 기판 및 이의 제조방법 | |
| TWI294672B (en) | Flexible interconnect structures for electrical devices and light sources incorporating the same | |
| KR101503446B1 (ko) | 배선판의 제조법 및 배선판 | |
| JP2020013142A (ja) | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 | |
| CN110291848B (zh) | 电路基板用树脂组合物及使用其的金属基底电路基板 | |
| WO2010021089A1 (ja) | 照明用光源 | |
| JP2003277479A (ja) | Ｌｅｄベアチップ搭載用基板の製造方法及び樹脂組成物 | |
| JPWO2008023605A1 (ja) | 光反射体、およびそれを含む光源 | |
| TWI526301B (zh) | A metal foil laminate, an LED mounting substrate, and a light source device | |
| WO2006132147A1 (ja) | 発光素子実装用ホーロー基板とその製造方法、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 | |
| JP2008042120A (ja) | 熱伝導基板とその製造方法及びこれを用いた電子機器 | |
| KR101534232B1 (ko) | 고방열 방사 유,무기 복합 코팅박막이 형성된 히트싱크, 이의 제조방법 및 히트싱크 일체형 메탈-피씨비 | |
| JP6158341B2 (ja) | 発光装置、および、発光装置の製造方法 | |
| JP2009130234A (ja) | 回路基板及び回路基板を有するｌｅｄモジュール | |
| US20120211268A1 (en) | Light and heat resistant circuit board apparatus and method | |
| TWI777939B (zh) | 覆銅層合板及其製造方法 | |
| TWI509194B (zh) | 照明裝置 | |
| JP6918452B2 (ja) | 発光素子用基板及びモジュール | |
| CN100556242C (zh) | 分离式发光二极管电路板的制造方法 | |
| JP2011253859A (ja) | 接着層付き基板、放熱性実装基板、接着層付き基板の製造方法、および放熱性実装基板の製造方法 | |
| WO2022209840A1 (ja) | 紫外線反射材、その製造方法、及びそれの原材料組成物 | |
| KR20110117928A (ko) | 회로기판용 커버 필름 및 이를 구비하는 회로기판 어셈블리 | |
| KR101804262B1 (ko) | 통공형 방열 구조를 갖는 조명 장치 | |
| JP2008042121A (ja) | 熱伝導基板とその製造方法及びこれを用いた電子機器 | |
| JP2020021923A (ja) | プリント回路板及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100624 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101026 |