KR101152263B1 - 광학 장치용 금속 기재 회로 기판 및 이의 제조방법 - Google Patents
광학 장치용 금속 기재 회로 기판 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract description 26
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012812 general test Methods 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 description 2
- -1 siloxane units Chemical group 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 229960002167 sodium tartrate Drugs 0.000 description 2
- 239000001433 sodium tartrate Substances 0.000 description 2
- 235000011004 sodium tartrates Nutrition 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0162—Silicon containing polymer, e.g. silicone
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
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Abstract
발생된 광을 효율적으로 반사하고 열을 기판으로부터 방열하는, 광학 장치용 금속 기재 회로 기판은, 절연층을 통해 전기 회로를 지지하는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조한 금속 기재 기판을 포함하고, 여기서 절연층은 투명한 가교결합 실리콘체로 형성되어 있고, 전기 회로는 절연층 위에 직접 형성되어 있다. 상술한 기판의 효율적인 제조방법은, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조한 금속 기재 기판의 표면에 가교결합성 실리콘을 도포하는 단계(a), 실리콘을 가교결합시켜 투명한 가교결합 실리콘체로부터 절연층을 형성하는 단계(b) 및 전해 또는 비전해 도금에 의해 전도성 층을 형성한 다음 에칭(i)하거나, 전도성 잉크로 인쇄(ii)함으로써, 전기 회로를 절연층 위에 직접 형성하는 단계(c)를 포함한다.
금속 기재 회로 기판, 절연층, 전기 회로, 알루미늄, 알루미늄 합금, 가교결합 실리콘체, 전해 또는 비전해 도금.
Description
본 발명은, 광학 장치용 금속 기재 회로 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, LED 모듈 등의 광학 장치와 결합하여 사용하기에 적합하고 발생된 광을 효율적으로 반사하며 열을 상술한 기판으로부터 효율적으로 방열하는 금속 기재 회로 기판에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 특성을 보유하는 기판을 효율적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자 부품의 고집적화, 고밀도화 및 고주파수화에 수반하여, 작동 도중에 당해 전자 부품으로부터 발생하는 열을 방열에 의해 효율적으로 제거할 수 있는 회로 기판이 검토되고 있다. 효율적으로 방열하기 위해서는, 회로 기판을 구성하는 기판 재료의 열 저항, 회로 기판 재료와 절연 재료 사이의 열 저항 및 절연 재료와 전극 재료 사이의 열 저항을 감소시키는 것과 같은 몇 가지 문제를 해결할 필요가 있다. 예를 들면, 구리 또는 알루미늄 등의 열전도성이 높은 금속 기재 기판의 표 면에 열전도성이 높은 충전재를 함유하는 열경화성 수지 또는 열가소성 수지의 절연층을 형성하고, 이어서 당해 절연층 위에 금속박을 가열 프레싱으로 형성함으로써 상기 문제를 해결하는 것이 제안되어 있다[참조: 일본 공개특허공보 제(평)7-320538호, 제(평)8-264912호, 제2002-322372호 및 제2003-229508호]. 한편, 회로 기판의 응력 완화성을 향상시키기 위해, 금속 기재 회로 기판 위에 고무 조성물 층과 수지 조성물 층의 다층 구조를 갖는 적층 구조의 절연층을 통해 회로 소자를 갖는 금속 기재 회로 기판을 제조하는 방법이 제안되어 있다[참조: 일본 공개특허공보 제(평)11-150345호].
그러나, 상술한 형태의 금속 기재 회로 기판은, LED 모듈과 같이, 당해 모듈을 지지하는 기판이 LED에 의해 발생된 광을 효율적으로 반사하고 LED에 의해 발생된 열을 방열에 의해 제거할 수 있어야 하기 때문에, 광학 장치와 결합하여 사용하는 것은 여전히 부적합한 것으로 나타났다.
본 발명의 목적은, LED 모듈 등의 광학 장치와 결합하여 사용하기에 적합하고 LED에 의해 발생된 광을 효율적으로 반사하고 LED에 의해 발생된 열을 방열에 의해 제거할 수 있는 금속 기재 회로 기판을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 상술한 금속 기재 회로 기판을 효율적으로 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
발명의 기술
본 발명에 따르는 광학 장치용 금속 기재 회로 기판은, 절연층을 통해 전기 회로를 지지하는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 금속 기재 기판을 포함하고, 당해 절연층은 투명한 가교결합 실리콘체로 형성되어 있고, 당해 전기 회로는 절연층 위에 직접 형성되어 있다.
또한, 본 발명의 광학 장치용 금속 기재 회로 기판의 제조방법은,
알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조한 금속 기재 기판의 표면에 가교결합성 실리콘을 도포하는 단계(a),
실리콘을 가교결합시켜, 투명한 가교결합 실리콘체로부터 절연층을 형성하는 단계(b) 및
전해 또는 비전해 도금에 의해 전도성 층을 형성한 다음 에칭(i)하거나, 전도성 잉크로 인쇄(ii)함으로써, 전기 회로를 절연층 위에 직접 형성하는 단계(c)를 포함한다.
발명의 효과
광학 장치를 지지하기 위한 본 발명의 금속 기재 회로 기판은 장치의 작동 도중에 LED 모듈 등의 상술한 광학 장치로부터 발생하는 광을 효율적으로 반사하고 발생하는 열을 방열에 의해 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조방법은 상술한 금속 기재 회로 기판을 효율적으로 제조할 수 있게 한다.
도 1은 본 발명의 광학 장치용 금속 기재 회로 기판의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 양태에 따르는 광학 장치용 금속 기재 회로 기판의 단면도이다.
부호의 설명
1: 금속 기재 기판
2: 절연층 1
3: 회로
4: 절연층 2
먼저, 본 발명의 광학 장치 지지용 금속 기재 회로 기판을 상세하게 설명한다.
본 발명의 회로 기판에서 사용된 금속 기재 기판은, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조한다. 이들 재료는, 가공성이 우수하고 비교적 저렴하며 경량이기 때문에 이동 기기용의 회로 기판으로서 가장 적합하다. 또한, 알루미늄은 자외선 영역으로부터 가시광 영역의 광에 대하여 반사율이 높기 때문에, 요면상의 반사경에서도 높은 반사율에 의해 외부 방사 효율이 높을 수 있다. 따라서, 알루미늄은 렌즈형 LED 모듈 뿐만 아니라, 높은 휘도를 특징으로 하는 반사형 LED 모듈에도 사용하기에 적합하다. 또한, 알루미늄은 스펙트럼 중 자외선 영역의 광에 대하여 반사율이 높다. 따라서, 본 발명의 알루미늄 기재 기판은 자외선 발광 소자를 탑재한 렌즈형 LED 모듈 또는 반사형 자외선 LED 모듈에 사용하기에 적합하다. 이러한 금속 기재 기판의 두께는, 이로써 한정되지는 않지만, 바람직하게는 0.15 내지 5.0mm 범위내이고, 특히 바람직하게는 0.5 내지 3.0mm 범위내이다.
본 발명의 회로 기판에서 절연층은 투명한 가교결합 실리콘체로 형성되어 있다. 이러한 절연층을 형성하기에 적합한 가교결합성 실리콘으로서는, 예를 들면, 부가반응 가교결합성 실리콘, 축합반응 가교결합성 실리콘, 자외선 가교결합성 실리콘이 있다. 이러한 가교결합성 실리콘은 고경도의 가교결합 실리콘체를 형성할 수 있기 때문에, 가교결합성 실리콘 수지를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 가교결합성 수지로서는, 예를 들면, 규소 결합된 수소원자 함유 실세스퀴옥산, 이관능성 실록산 단위와 삼관능성 실록산 단위로 이루어진 DT형 실리콘 수지가 있다. 금속 기재 기판에 대한 접착 특성 및 접착력을 향상시키기 위해, 당해 가교결합성 실록산은 실란 커플링제, 티타늄 커플링제 등의 커플링제와 배합될 수도 있다.
절연층을 형성하는 가교결합 실리콘체는, 절연층의 전체 두께에서 투명하기만 하면, 광 투과율은 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 자외선 영역으로부터 가시광 영역, 예를 들면, 파장 380nm의 광 스펙트럼 범위에서 가교결합 실리콘체의 광 투과율은 80% 이상인 것이 바람직하고, 특히 90% 이상인 것이 바람직하다. 이러한 조건에서, 본 발명의 회로 기판은, LED로부터의 발광이 금속 기재 회로 기판에 의해 효율적으로 반사될 수 있기 때문에, LED 모듈용으로서 적합하다. 또한, 당해 가교결합 실리콘체의 유전율은, 특별히 한정되지는 않지만, 전자 장치의 고주파수화에 수반되는 신호의 지연이 발생하기 어렵게 된다는 점에서, 4.0 이하인 것이 바람직하고, 3.5 이하인 것이 보다 바람직하며, 3.0 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 이러한 가교결합 실리콘체의 경도는, 특별히 한정되지 않지만, JIS K 5600-5-4: 1999 "도료 일반 시험 방법 - 스크래칭 경도(연필 경도법)"에 규정된 연필 경도가 2H 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 회로 기판에 있어서, 절연층의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 전기 절연성과 방열성 모두를 만족시키기 위해, 절연층의 두께는 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1 내지 5㎛ 범위인 것이 보다 바람직하다. 이것은, 절연층의 두께가 너무 얇게 되면, 회로 소자와의 접착성을 향상시키는 것이 곤란하게 된다. 한편, 당해 두께가 과도하게 두꺼워지면, 회로 기판의 방열성이 저하되는 경향이 있다.
또한, 본 발명의 회로 기판의 한 가지 특징은, 전기 회로가 절연층 위에 직접 형성되어 있다는 것이다. 이 때문에 회로 소자와 절연층 사이의 열 저항이 작아지게 되는 효과가 있다. 전기 회로를 절연층 위에 직접 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 절연층 표면 위에 전해 또는 비전해 도금에 의해 전도성 층을 형성한 다음, 당해 전도성 층을 에칭하여 회로를 형성하는 방법, 또는 전도성 잉크를 사용하여 절연층 위에 전도성 소자를 인쇄하는 방법이 있다.
경우에 따라, 회로 기판의 부식 방지와 내습성을 향상시키기 위해, 본 발명의 회로 소자는 또 다른 투명한 절연층으로 피복할 수 있다. 이러한 절연층의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 이러한 절연층은 가교결합된 것, 비가교결합된 것, 탄성중합체 또는 강성일 수도 있다. 이러한 절연층을 형성하는 재료는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 이러한 층은 상술한 절연층과 동일한 가교결합성 실리콘으로부터 제조할 수 있다. 추가로, 금속 기재 기판의 부식 방지 및 손상 방지를 위해, 절연층을 형성하지 않는 회로 기판의 면을 보호 필름으로 피복할 수도 있다. 필요에 따라, 이러한 보호 필름은 사용할 때에 제거할 수 있다.
이어서, 광학 장치를 지지하기 위한 본 발명의 금속 기재 회로 기판의 제조방법을 다음에 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 방법에 따르면, 먼저 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조한 금속 기재 기판의 표면을 가교결합성 실리콘으로 피복한다. 이러한 가교결합성 실리콘은 위에서 언급된 것들 중 하나일 수 있다. 실리콘 도포 방법에는 특별한 제한이 없고, 당해 기술분야에 공지된 적합한 방법을 당해 작업에 사용할 수 있다. 예를 들면, 균일한 두께를 갖는 피복 필름을 수득하기 위해서는 스핀 피복을 사용할 수 있다.
후속 단계에서, 도포된 층을 가교결합시켜 투명한 가교결합 실리콘체로 이루어진 절연층을 형성한다. 가교결합 방법에는 특별한 제한은 없지만, 열에 의해 가교결합시키는 경우에는 150 내지 250℃로 가열하는 것이 바람직하다.
위에서 언급한 바와 같이, 회로 소자는, 후속적인 에칭과 함께 전해 또는 비전해 도금에 의해(i) 또는 전도성 잉크를 사용하여 절연층 위에 전도성 소자를 인쇄(ii)함으로써 절연층 위에 직접 형성할 수 있다.
방법(i)은 전해, 비전해, 진공 또는 용융 등의 도금법으로 수행할 수 있다. 비전해 도금법이 보다 바람직하고, 은, 구리 또는 다른 전도성 재료 층을 직접 절연층 위에 형성하는 방법, 또는 비전해 도금에 의해 전도성 층의 하부층을 먼저 형성하고, 상술한 하부층 위에 전해 도금에 의해 은 또는 구리 등의 전도성 층을 형성한 다음, 에칭 등의 공지된 방법으로 패턴을 형성하는 방법으로 수행할 수 있다.
방법(ii)은 스텐실, 메쉬, 또는 스크린 인쇄법, 또는 전사법 또는 잉크젯법으로 전도성 소자를 형성하는 것이다. 이러한 방법은 또한 절연층 위에 직접 인쇄 소자를 형성한다.
위에 언급한 바와 같이, 부식 방지 및 손상 방지를 위해, 상술한 절연층을 형성하지 않은 금속 기재 기판의 표면 뿐만 아니라 회로 소자를 보호 필름으로 피복할 수 있다. 이러한 보호 필름을 형성하는 재료에는 특별한 제한은 없다. 예를 들면, 이는 위에 기재되어 있는 것과 동일한 가교결합성 실리콘으로부터 제조할 수 있다.
광학 소자를 지지하기 위한 본 발명의 금속 기재 회로 기판 및 이러한 기판의 제조방법을 실시예 및 비교 실시예를 참조로 하여 보다 상세하게 설명한다. 또한, 광학 소자를 지지하기 위한 본 발명의 기재 회로 기판을 평가하는 데 사용된 기준은 다음에 기재되어 있다.
[연필 경도]
가교결합성 실리콘을 다음의 실시예에 기재된 방법으로 알루미늄 기판 위에 도포하고, 도포된 층을 소정 조건에서 가교결합시켜 투명한 가교결합 실리콘체를 형성한 다음, 수득된 가교결합 층의 연필 경도를 JIS K 5600-5-4:1999 "도료 일반 시험 방법 - 스크래칭 경도(연필 경도법)"에 따라 측정한다.
[열 전도율]
실시예 및 비교예에서 제조한 금속 기재 회로 기판으로부터 10mm ×10mm 크기의 샘플을 절단한 다음, 수지 방열 시험기[참조: 히타치 세이사쿠쇼 캄파니 리미티드(Hitachi Seisakusho Co., Ltd.) 제품]에 의해 전도성 그리스[SC102, 다우 코닝 도레이 실리콘 캄파니 리미티드(Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.)의 상표명]를 사용하여 열 저항을 측정한다. 이어서, 상술한 전도성 그리스에 대해 상술한 시험기로 측정한 열 저항의 보정된 값을 기초로 하여 금속 기재 회로 기판의 열 전도율을 측정한다.
[유전율, 절연 파괴 강도]
가교결합성 실리콘을 실시예와 동일한 방법으로 알루미늄 기판 위에 피복하고, 피복 재료를 소정 조건에서 가교결합시켜 투명한 가교결합 실리콘체를 형성한다. 가교결합된 피복물의 유전율을 1MHz에서 측정한다. 또한, 절연 파괴 전압을 측정하여 가교결합된 피복물의 절연 파괴 강도를 구한다.
[광 투과율]
투명한 유리 판을 실시예에서 제조한 가교결합성 실리콘으로 피복한 다음, 피복 재료를 소정 조건에서 가교결합시켜 투명한 가교결합 실리콘체를 형성한다. 가교결합된 실리콘 피복물의 광 투과율을 분광광도계(파장 380nm에서)로 측정한다.
[반사율]
금속 기재 회로 기판에 광(파장: 280 내지 800nm)을 조사하고, 분광 반사율계로 초기의 반사율을 측정한다. 이어서, 금속 기재 회로 기판을 150℃에서 1000시간 동안 열 처리하여 시효처리한 후, 동일한 측정을 실시한다.
[발광 효율]
의사 백색 LED를 금속 기재 회로 기판 위에 탑재하고, 파장 270 내지 800nm에서 초기의 발광 효율을 측정한다. 이어서, LED를 지지하는 금속 기재 회로 기판을 150℃에서 1000시간 동안 열 처리하여 시효처리한 후, 파장 270 내지 800nm에서 동일한 측정을 실시한다.
[실시예 1]
도 1에 나타낸 금속 기재 회로 기판을 다음에 기재한 바와 같이 제조한다.
가교결합성 실리콘 수지 용액[다우 코닝 토레이 실리콘 캄파니 리미티드의 상표명 AY42-170]을 두께 3mm, 길이 100mm 및 폭 100mm의 알루미늄 기판에 적하 도포한 다음, 도포된 용액을 스피닝(전회전 500rpm; 본회전 2000rpm)하여 피복물을 제조한다. 이어서, 피복된 단위를 150℃의 열풍 순환식 오븐에서 30분 동안 열 처 리한다. 그 결과, 알루미늄 기판 위에 투명한 가교결합 실리콘체 형태의 절연층 1이 형성된다.
이어서, 질산은의 암모니아 수용액 중의 은 착물을 제조하고, 타르트산칼륨나트륨의 10% 용액을 환원 용액으로 사용하여 알루미늄 기판을 비전해 도금 처리한다. 이어서, 알루미늄 기판 위의 수득된 은 도금층을 염화제2철 수용액으로 에칭하여 두께 5㎛의 은 회로 소자를 형성한다. 수득된 알루미늄 기재 회로 기판의 특징을 측정한다. 측정 결과는 표 1에 제시되어 있다.
[실시예 2]
도 1에 나타낸 금속 기재 회로 기판을 다음에 기재한 바와 같이 제조한다.
가교결합성 규소 결합된 수소원자 함유 실세스퀴옥산 수지 용액[다우 코닝 코포레이션의 상표명 FOx]을 두께 3mm, 길이 100mm 및 폭 100mm의 알루미늄 기판에 적하 도포한 다음, 도포된 용액을 스피닝(회전수 2000rpm)하여 피복물을 제조한다. 이어서, 피복된 단위를 250℃의 열풍 순환식 오븐에서 30분 동안 열 처리한다. 그 결과, 알루미늄 기판 위에 투명한 가교결합 실리콘체 형태의 절연층 1이 형성된다.
이어서, 알루미늄 기판의 절연층 1 위에 열 가교결합성 실리콘계 전도성 접착제(은 충전제 함유)를 스텐실 인쇄법으로 도포하여 목적하는 회로 패턴을 형성한다. 이어서, 150℃의 열풍 순환식 오븐에서 30분 동안 열 처리함으로써 도포된 층을 경화시킨다. 회로 소자는 두께가 10㎛이다.
수득된 알루미늄 기재 회로 기판의 특징을 측정한다. 측정 결과는 표 1에 제시되어 있다.
[실시예 3]
도 2에 나타낸 금속 기재 회로 기판을 다음에 기재한 바와 같이 제조한다.
가교결합성 실리콘 수지 용액[다우 코닝 토레이 실리콘 캄파니 리미티드의 상표명 SR2510]을 두께 3mm, 길이 100mm 및 폭 100mm의 알루미늄 기판에 적하 도포한 다음, 도포된 용액을 스피닝(회전수 1500rpm)하여 피복물을 제조한다. 이어서, 피복된 단위를 150℃의 열풍 순환식 오븐에서 30분 동안 열 처리한다. 그 결과, 알루미늄 기판 위에 투명한 가교결합 실리콘체 형태의 절연층 1이 형성된다.
이어서, 질산은의 암모니아 수용액 중의 은 착물을 제조하고, 타르트산칼륨나트륨의 10% 용액을 환원 용액으로 사용하여 알루미늄 기판을 비전해 도금 처리한다. 이어서, 알루미늄 기판 위의 수득된 은 도금층을 염화제2철 수용액으로 에칭하여 두께 5㎛의 은 회로 소자를 형성한다. 이어서, 절연층 1 및 은 회로 소자를 가교결합성 실리콘 수지 용액(다우 코닝 도레이 실리콘 캄파니 리미티드의 상표명 AY42-170]으로 피복하고, 피복된 단위를 150℃의 열풍 순환식 오븐에서 30분 동안 열 처리한다. 그 결과, 알루미늄 기판 위에 투명한 가교결합 실리콘체 형태의 절연층 2가 형성된다.
[비교예 1]
금속 기재 회로 기판을 다음에 기재된 바와 같이 제조한다.
알루미나 함유 절연 방열성 실리콘계 접착제(다우 코닝 도레이 실리콘 캄파니 리미티드의 상표명 SE4450)를 두께 3mm, 길이 100mm 및 폭 100mm의 알루미늄 기판에 도포한다. 두께 35㎛의 구리박을 접착층에 도포하고, 당해 단위를 150℃의 오븐에서 1시간 동안 열 처리하여 알루미늄 기판에 구리박을 접착시킨다.
이어서, 구리박을 염화제2철 수용액으로 에칭하여 두께 35㎛의 구리 회로 소자를 형성한다. 수득된 알루미늄 기재 회로 기판의 특성을 측정한다. 측정 결과는 표 1에 제시되어 있다. 알루미나 함유 절연 방열성 실리콘계 접착제는 회색을 갖고, 반사 효율이 극단적으로 낮다.
[비교예 2]
금속 기재 회로 기판을 다음에 기재된 바와 같이 제조한다.
에피코트(Epikote) 828[제팬 에폭시 레진 캄파니 리미티드(Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)의 제품] 100중량부, 에피쿠레(Epikure) 113(제팬 에폭시 레진 캄파니 리미티드의 제품) 30중량부 및 미량의 실리카를 혼합하여 비스페놀 A형 수지 조성물을 제조한다.
제조된 에폭시 수지 조성물을 알루미늄 기판 위에 도포한 다음, 두께 35㎛의 구리박을 피복물 위에 도포한다. 당해 단위를 180℃에서 1시간 동안 가열하여 알루미늄 기판에 구리박을 접착시킨다.
알루미늄 기판 위의 구리박을 염화제2철 수용액으로 에칭 처리하여 두께 35㎛의 구리 회로 소자를 형성한다. 수득된 알루미늄 기재 회로 기판의 특성을 측정 한다. 측정 결과는 표 1에 제시되어 있다. 수득된 알루미늄 기재 회로 기판은, 고온 시효처리에 의해, 기판의 절연성 및 회로 소자의 전도성이 현저히 손상된다.
| 실시예 특성 |
본 발명 | 비교예 | |||
| 실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
| 절연층 1의 두께(㎛) | 2 | 8 | 8 | 50 | 80 |
| 절연층 1의 연필 경도(-) | 3H | 4H | 3H | - | - |
| 유전율(-) | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 4.7 | 3.7 |
| 열 전도율(W/mK) | 4 | 3 | 3 | 3.5 | 3 |
| 절연 파괴 강도(V/㎛) | 700 | 800 | 800 | 24* | 40* |
| 절연층 1의 광 투과율(%) | 100 | 98 | 98 | 0 | 65 |
| 기판의 반사율(%) 초기 고온 시효처리 후 |
95 |
95 |
95 |
0 |
60 |
| 95 | 95 | 85 | 0 | 20 | |
| 발광 효율(Im/W) 초기 고온 시효처리 후 |
30 |
30 |
30 |
10 |
25 |
| 29 | 28 | 28 | 5 | 15 | |
*) 단위 kV/mm
광학 장치와 결합하여 사용하기 위한 본 발명의 금속 기재 회로 기판은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조한 금속 기재 기판 및 투명한 가교결합 실리콘체로 이루어진 절연층을 포함하기 때문에, 당해 기판은 방열성이 우수하다는 특징이 있고, 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 비추어, 본 발명의 기판은 LED 모듈용의 금속 기재 회로 기판으로서 사용하기에 적합하다.
Claims (5)
- 절연층을 통해 전기 회로를 지지하는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조한 금속 기재 기판을 포함하는 광학 장치용 금속 기재 회로 기판에 있어서,상기 절연층의 두께가 10㎛ 이하이고,상기 절연층은, 파장 380nm에서 80% 이상의 광 투과율을 갖는 투명한 가교결합 실리콘체로 형성되어 있고,상기 전기 회로가 절연층 위에 직접 형성되어 있는,알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조한 금속 기재 기판을 포함하는 광학 장치용 금속 기재 회로 기판.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 가교결합 실리콘체의 유전율이 4.0 이하인, 광학 장치용 금속 기재 회로 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 회로가, 전해 또는 비전해 도금에 의해 절연층에서 형성된 전도성 층을 에칭하거나, 전도성 잉크를 사용하여 절연층 위의 회로를 인쇄함으로써 형성되는, 광학 장치용 금속 기재 회로 기판.
- 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조한 금속 기재 기판의 표면에 가교결합성 실리콘을 도포하는 단계(a),상기 실리콘을 가교결합시켜, 파장 380nm에서 80% 이상의 광 투과율을 갖는 투명한 가교결합 실리콘체로부터 두께가 10㎛ 이하인 절연층을 형성하는 단계(b), 및전해 또는 비전해 도금에 의해 전도성 층을 형성한 다음 에칭(i)하거나, 전도성 잉크로 인쇄(ii)함으로써, 전기 회로를 절연층 위에 직접 형성하는 단계(c)를 포함하는, 광학 장치용 금속 기재 회로 기판의 제조방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2004-00076313 | 2004-03-17 | ||
| JP2004076313A JP2005268405A (ja) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法 |
| PCT/JP2005/004413 WO2005088737A1 (en) | 2004-03-17 | 2005-03-08 | Metal base circuit substrate for an optical device and method manufacturing the aforementioned substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070007099A KR20070007099A (ko) | 2007-01-12 |
| KR101152263B1 true KR101152263B1 (ko) | 2012-06-08 |
Family
ID=34961505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020067018893A KR101152263B1 (ko) | 2004-03-17 | 2005-03-08 | 광학 장치용 금속 기재 회로 기판 및 이의 제조방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070292697A1 (ko) |
| EP (1) | EP1738418A1 (ko) |
| JP (1) | JP2005268405A (ko) |
| KR (1) | KR101152263B1 (ko) |
| CN (1) | CN100438102C (ko) |
| TW (1) | TWI404469B (ko) |
| WO (1) | WO2005088737A1 (ko) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1940989B1 (en) * | 2005-09-29 | 2010-12-15 | Dow Corning Corporation | Method of releasing high temperature films and/or devices from metallic substrates |
| KR200429400Y1 (ko) * | 2006-07-28 | 2006-10-23 | 지아 쭁 엔터프라이즈 컴퍼니 리미티드 | 액정디스플레이의 이극체 기판구조 |
| TW200905905A (en) * | 2007-07-18 | 2009-02-01 | Lee Ko Hsin | Method of manufacture of light emitting diode |
| CN101364627B (zh) * | 2007-08-07 | 2010-04-07 | 阿尔发光子科技股份有限公司 | 一种发光二极管的制造方法 |
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| CN103148409B (zh) * | 2013-01-31 | 2015-01-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 背光源及制造该背光源的方法 |
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| CN103987211B (zh) * | 2014-05-23 | 2017-12-01 | 景旺电子科技(龙川)有限公司 | 一种基于增大铝基面的高效散热铝基板及其制作方法 |
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| EP1453107A4 (en) * | 2001-11-16 | 2008-12-03 | Toyoda Gosei Kk | LED, LED LAMP AND LAMP |
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| TWI367686B (en) * | 2004-04-07 | 2012-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device, electronic device, and television device |
-
2004
- 2004-03-17 JP JP2004076313A patent/JP2005268405A/ja active Pending
-
2005
- 2005-03-07 TW TW094106812A patent/TWI404469B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-08 KR KR1020067018893A patent/KR101152263B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-03-08 EP EP05720684A patent/EP1738418A1/en not_active Withdrawn
- 2005-03-08 CN CNB2005800083427A patent/CN100438102C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-08 US US10/598,967 patent/US20070292697A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-08 WO PCT/JP2005/004413 patent/WO2005088737A1/en active Application Filing
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070007099A (ko) | 2007-01-12 |
| US20070292697A1 (en) | 2007-12-20 |
| WO2005088737A1 (en) | 2005-09-22 |
| TW200533252A (en) | 2005-10-01 |
| EP1738418A1 (en) | 2007-01-03 |
| JP2005268405A (ja) | 2005-09-29 |
| TWI404469B (zh) | 2013-08-01 |
| CN100438102C (zh) | 2008-11-26 |
| CN1934718A (zh) | 2007-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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