JP2001189515A - 光伝送モジュール - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波伝送を行なう際、配線はなるべく短く
し、更にコプレーナもしくはマイクロストリップライン
構造を用いる必要がある。 【解決手段】 リード端子１を持つフレームは銅材を使
用し、これを樹脂を用いてインジェクション成型により
挟み、底辺部３を形成する。これに、フレームを挟むよ
うに樹脂表面に金属メッキ４を施し、再度インジェクシ
ョン成型を行ない、プラスチックパッケージ５の壁部６
を形成する。リードフレーム２上には、半導体レーザ７
がダイスボンドされ、更にフレームワイヤボンドエリア
に金線８にてワイヤボンド配線を施す。
し、更にコプレーナもしくはマイクロストリップライン
構造を用いる必要がある。 【解決手段】 リード端子１を持つフレームは銅材を使
用し、これを樹脂を用いてインジェクション成型により
挟み、底辺部３を形成する。これに、フレームを挟むよ
うに樹脂表面に金属メッキ４を施し、再度インジェクシ
ョン成型を行ない、プラスチックパッケージ５の壁部６
を形成する。リードフレーム２上には、半導体レーザ７
がダイスボンドされ、更にフレームワイヤボンドエリア
に金線８にてワイヤボンド配線を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光伝送モジュール
に関する物であり特に光伝送モジュールのパッケージに
関する物である。
に関する物であり特に光伝送モジュールのパッケージに
関する物である。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザモジュールとして、例え
ば、特開平４−３３２１８６号や、谷他”１Ｇｂ／ｓ−
１０チャンネル光並列インターコネクションモジュール
の特性”、信学技報ＬＱＥ９６−１５１（１９９７−０
２）に記載されるものがある。最近では、多チャンネル
の伝送を行なうため、モジュールではセラミックパッケ
ージを用い、更にレーザチップ、光学系を実装してい
る。また、この半導体モジュールでは各部品をセラミッ
ク又は、メタルのパッケージを用いてろう付け又は半田
によって固定していた。
ば、特開平４−３３２１８６号や、谷他”１Ｇｂ／ｓ−
１０チャンネル光並列インターコネクションモジュール
の特性”、信学技報ＬＱＥ９６−１５１（１９９７−０
２）に記載されるものがある。最近では、多チャンネル
の伝送を行なうため、モジュールではセラミックパッケ
ージを用い、更にレーザチップ、光学系を実装してい
る。また、この半導体モジュールでは各部品をセラミッ
ク又は、メタルのパッケージを用いてろう付け又は半田
によって固定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ックパッケージを用いる場合、パッケージの製作は、多
層のセラミックにメッキを施し、伝送ラインを形成する
ため、実装性の自由度が制限され、更にコスト高な物と
なっていた。成形性の自由度が低いため、リード部のイ
ンピーダンスマッチング等は、設計段階で行なわれシュ
ミレーションを行なう割に、完成品に所望の性能が現れ
ないことが多かった。また、高周波伝送を行なう際、配
線はなるべく短くし、更にコプレーナ又はマイクロスト
リップライン構造を用いる必要があり、これを実現する
には、パッケージ自体にこれらの構造を持たせる必要が
ある。
ックパッケージを用いる場合、パッケージの製作は、多
層のセラミックにメッキを施し、伝送ラインを形成する
ため、実装性の自由度が制限され、更にコスト高な物と
なっていた。成形性の自由度が低いため、リード部のイ
ンピーダンスマッチング等は、設計段階で行なわれシュ
ミレーションを行なう割に、完成品に所望の性能が現れ
ないことが多かった。また、高周波伝送を行なう際、配
線はなるべく短くし、更にコプレーナ又はマイクロスト
リップライン構造を用いる必要があり、これを実現する
には、パッケージ自体にこれらの構造を持たせる必要が
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、パッケージに
プラスチックパッケージを用い、更にセラミックと同様
にメッキを施し、成形性、設計の余裕度の拡大、低コス
ト化を同時に実現する。
プラスチックパッケージを用い、更にセラミックと同様
にメッキを施し、成形性、設計の余裕度の拡大、低コス
ト化を同時に実現する。
【０００５】また、リードフレームは、銅材を使用し、
これを樹脂によってインジェクション成型により挟み、
底辺部を形成する。これにフレームを挟むように樹脂表
面に金属メッキを施し、再度インジェクション成型を行
ないプラスチックパッケージの壁部を形成する。フレー
ム上には、半導体レーザ素子がダイスボンドされ、更に
リードフレームのリード電極とリードフレームのアイラ
ンド上にマウントされた半導体光素子の電極パッドを金
線にてワイヤーボンディングを施す。また、プラスチッ
クパッケージ自体にコプレーナ又は、マイクロストリッ
プライン構造による高周波伝送路を有する。以上を組み
合わせ使用した光伝送モジュールを提供する。
これを樹脂によってインジェクション成型により挟み、
底辺部を形成する。これにフレームを挟むように樹脂表
面に金属メッキを施し、再度インジェクション成型を行
ないプラスチックパッケージの壁部を形成する。フレー
ム上には、半導体レーザ素子がダイスボンドされ、更に
リードフレームのリード電極とリードフレームのアイラ
ンド上にマウントされた半導体光素子の電極パッドを金
線にてワイヤーボンディングを施す。また、プラスチッ
クパッケージ自体にコプレーナ又は、マイクロストリッ
プライン構造による高周波伝送路を有する。以上を組み
合わせ使用した光伝送モジュールを提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図を用いて説明す
る。本発明でメッキ前処理とは、公知の方法である。た
とえば、メッキを施す面を薬品で荒らし、メッキのため
の触媒を付加する工程を意味するものとする。
る。本発明でメッキ前処理とは、公知の方法である。た
とえば、メッキを施す面を薬品で荒らし、メッキのため
の触媒を付加する工程を意味するものとする。
【０００７】また、以下の実施形態でのメッキ可能樹脂
は、メッキ前処理をしてメッキが施せる樹脂であれば、
どのような樹脂でも利用可能である。本発明で低誘電率
樹脂とは、メッキ可能樹脂より誘電率の低い樹脂を意味
するものとする。 以下の実施形態では、メッキ可能樹
脂と、低誘電率樹脂にポリスチレン系の樹脂を用いてい
る。
は、メッキ前処理をしてメッキが施せる樹脂であれば、
どのような樹脂でも利用可能である。本発明で低誘電率
樹脂とは、メッキ可能樹脂より誘電率の低い樹脂を意味
するものとする。 以下の実施形態では、メッキ可能樹
脂と、低誘電率樹脂にポリスチレン系の樹脂を用いてい
る。
【０００８】図１は、本発明の第１の実施形態を示す図
である。図１（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
第１の実施形態は、図１に示すようにリード端子１を持
つリードフレーム２は、コバルト４０％含有の４２アロ
イもしくは、銅材を使用する。次に、リードフレーム２
にメッキ可能樹脂５によりインジェクション成形を行な
い、プラスチックパッケージ５の底辺にあたる底辺部３
を形成する。リードフレーム２の先端のプラスチックパ
ッケージ５外に出る部分は通常のＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉ
ｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型のリードのようにリー
ド加工を施してある。
である。図１（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
第１の実施形態は、図１に示すようにリード端子１を持
つリードフレーム２は、コバルト４０％含有の４２アロ
イもしくは、銅材を使用する。次に、リードフレーム２
にメッキ可能樹脂５によりインジェクション成形を行な
い、プラスチックパッケージ５の底辺にあたる底辺部３
を形成する。リードフレーム２の先端のプラスチックパ
ッケージ５外に出る部分は通常のＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉ
ｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型のリードのようにリー
ド加工を施してある。
【０００９】リードフレーム２上には、半導体光素子、
たとえば半導体レーザ素子７がダイスボンドし、半導体
レーザ素子７の周辺部にあるボンディングパッドとリー
ドフレームのリード電極とを金線８を使用してワイヤー
ボンディングを行う。次に、インジェクション成型によ
り、プラスチックパッケージ５の壁部6を形成する。
たとえば半導体レーザ素子７がダイスボンドし、半導体
レーザ素子７の周辺部にあるボンディングパッドとリー
ドフレームのリード電極とを金線８を使用してワイヤー
ボンディングを行う。次に、インジェクション成型によ
り、プラスチックパッケージ５の壁部6を形成する。
【００１０】リードフレーム２とメッキ可能樹脂１９表
面の金属メッキ４までの距離はメッキ可能樹脂の誘電率
により所望の使用周波数領域において、インピーダンス
が５０Ωになるような厚みにしてある。
面の金属メッキ４までの距離はメッキ可能樹脂の誘電率
により所望の使用周波数領域において、インピーダンス
が５０Ωになるような厚みにしてある。
【００１１】尚、プラスチックパッケージ５の金属メッ
キ４はグランド端子にショートされている。
キ４はグランド端子にショートされている。
【００１２】以上のように、信号ラインとなるリードフ
レーム２と金属メッキ４とがコプレーナライン状の導体
パーターンとなり、インピーダンスマッチングさせるこ
とができ、高周波信号が効率よく通せるようにできる。
図２は、本発明の第２の実施形態を示す図である。図２
（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。第２の実施形
態は、図２に示すように前述の第１の実施形態でのリー
ドフレーム２の上面とプラスチックパッケージ５の底辺
部３の樹脂上面とを一致させ平坦化し、金属メッキ４を
施し、金属メッキ４にて配線を行なう構成にしたもので
ある。以下、第２の実施形態の作用について、図２にし
たがって説明する。
レーム２と金属メッキ４とがコプレーナライン状の導体
パーターンとなり、インピーダンスマッチングさせるこ
とができ、高周波信号が効率よく通せるようにできる。
図２は、本発明の第２の実施形態を示す図である。図２
（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。第２の実施形
態は、図２に示すように前述の第１の実施形態でのリー
ドフレーム２の上面とプラスチックパッケージ５の底辺
部３の樹脂上面とを一致させ平坦化し、金属メッキ４を
施し、金属メッキ４にて配線を行なう構成にしたもので
ある。以下、第２の実施形態の作用について、図２にし
たがって説明する。
【００１３】リードフレーム２に厚さ０．２ｍｍの銅材
を使用した場合、リードフレーム２の最小幅は、０．４
ｍｍでリード同士の最小間隔も０．４ｍｍである。一
方、金属メッキ４のメッキパターンは、最小幅が０．２
ｍｍでメッキパターン同士の最小間隔も０．２ｍｍであ
る。半導体レーザ素子７で示したチップ周辺のワイヤボ
ンド位置からリードフレーム２に向かい、放射線状に広
がったようなパターンとなる。
を使用した場合、リードフレーム２の最小幅は、０．４
ｍｍでリード同士の最小間隔も０．４ｍｍである。一
方、金属メッキ４のメッキパターンは、最小幅が０．２
ｍｍでメッキパターン同士の最小間隔も０．２ｍｍであ
る。半導体レーザ素子７で示したチップ周辺のワイヤボ
ンド位置からリードフレーム２に向かい、放射線状に広
がったようなパターンとなる。
【００１４】半導体レーザ素子７で示したチップから配
線パターンにワイヤーボンディングし、リードフレーム
２とパターンは金属メッキ４によりショートしているた
め、外部のリードピンと導通が取れる。
線パターンにワイヤーボンディングし、リードフレーム
２とパターンは金属メッキ４によりショートしているた
め、外部のリードピンと導通が取れる。
【００１５】図２（ａ）の金属メッキ４のメッキパター
ンは、第１の実施形態のようにプラスチックパッケージ
５の壁部６で挟み、グランドの金属メッキ４を施しても
よい。
ンは、第１の実施形態のようにプラスチックパッケージ
５の壁部６で挟み、グランドの金属メッキ４を施しても
よい。
【００１６】以上のように、半導体光素子のチップに半
導体レーザアレイ素子を用いるとチップのワイヤボンド
パッド間隔は狭く、リードフレーム2のリード間隔の方
が広くなる。インピーダンスマッチングした構造にすれ
ば、ワイヤーボンディングしたときの金線８の長さを短
くできるので高周波信号を通しやすくなる。
導体レーザアレイ素子を用いるとチップのワイヤボンド
パッド間隔は狭く、リードフレーム2のリード間隔の方
が広くなる。インピーダンスマッチングした構造にすれ
ば、ワイヤーボンディングしたときの金線８の長さを短
くできるので高周波信号を通しやすくなる。
【００１７】図３は、本発明の第３の実施形態を示す図
である。図３（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）
は部分拡大図である。第３の実施形態は、リードフレー
ムを使わず、樹脂でパッケージ筐体を構成するものであ
る。まず、メッキ可能樹脂を用いてインジェクション成
型し底辺部３を成型する。底辺部３のパッケージ内側に
当たる部分に、配線パターンと半導体レーザ素子をマウ
ントするダイスボンドパッド部を金属メッキで形成す
る。次に、半導体レーザ素子７を配置する部分の金属メ
ッキ４上にダイスボンドパッド９を介して半導体レーザ
素子７を設置する。次に金属メッキ４で形成された配線
パターン部とダイスボンドパッド９を金線８でワイヤー
ボンディングを行う。次に、プラスチックパッケージ５
にするために、メッキ可能樹脂で壁部６をインジェクシ
ョン成型する。次に、半導体レーザ素子７を覆う壁部６
は、前記半導体光素子部分と金属メッキで施された前記
配線部分とワイヤボンデングされた部分以外をすべて使
って接着される。詳しくは、プラスチックパッケージ５
の壁部６はプラスチックパッケージ５が完成した時に、
底辺部３よりも覆い部分が外にはみ出す様に形成する。
底辺部３から外にはみ出した壁部６には、底辺部３のプ
ラスチックパッケージ６の内部に当たる部分に金属メッ
キ４で形成した配線パターンと、外部との接続のために
リード電極のような配線パターンが施されている。ま
た、図３（ｂ）に示す様に、底辺部３のプラスチックパ
ッッケージ５の外側に当たる部分へ金属メッキ４を施
す。また、壁部６のプラスチックパッケージ５の内側に
当たる部分の底辺部と接着する面以外にもメッキを施
す。又、ダイスボンドパターンもメッキ可能樹脂上に金
属メッキ４を施した構造とした物である。
である。図３（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）
は部分拡大図である。第３の実施形態は、リードフレー
ムを使わず、樹脂でパッケージ筐体を構成するものであ
る。まず、メッキ可能樹脂を用いてインジェクション成
型し底辺部３を成型する。底辺部３のパッケージ内側に
当たる部分に、配線パターンと半導体レーザ素子をマウ
ントするダイスボンドパッド部を金属メッキで形成す
る。次に、半導体レーザ素子７を配置する部分の金属メ
ッキ４上にダイスボンドパッド９を介して半導体レーザ
素子７を設置する。次に金属メッキ４で形成された配線
パターン部とダイスボンドパッド９を金線８でワイヤー
ボンディングを行う。次に、プラスチックパッケージ５
にするために、メッキ可能樹脂で壁部６をインジェクシ
ョン成型する。次に、半導体レーザ素子７を覆う壁部６
は、前記半導体光素子部分と金属メッキで施された前記
配線部分とワイヤボンデングされた部分以外をすべて使
って接着される。詳しくは、プラスチックパッケージ５
の壁部６はプラスチックパッケージ５が完成した時に、
底辺部３よりも覆い部分が外にはみ出す様に形成する。
底辺部３から外にはみ出した壁部６には、底辺部３のプ
ラスチックパッケージ６の内部に当たる部分に金属メッ
キ４で形成した配線パターンと、外部との接続のために
リード電極のような配線パターンが施されている。ま
た、図３（ｂ）に示す様に、底辺部３のプラスチックパ
ッッケージ５の外側に当たる部分へ金属メッキ４を施
す。また、壁部６のプラスチックパッケージ５の内側に
当たる部分の底辺部と接着する面以外にもメッキを施
す。又、ダイスボンドパターンもメッキ可能樹脂上に金
属メッキ４を施した構造とした物である。
【００１８】配線パターンは図３（ａ）に示すように外
部に出ていて、外部に出ている部分を通じて内部素子と
導通を行なう。又、図３（ｂ）、（ｃ）に示すようにワ
イヤボンド長を短くするため、ダイスボンドパッド９と
配線部の金属メッキ４部分の幅Ｌを狭くする。
部に出ていて、外部に出ている部分を通じて内部素子と
導通を行なう。又、図３（ｂ）、（ｃ）に示すようにワ
イヤボンド長を短くするため、ダイスボンドパッド９と
配線部の金属メッキ４部分の幅Ｌを狭くする。
【００１９】以上のように、プラスチックパッケージに
配線まで施されているため、リードフレーム2を使う必
要がなくなる。そのため気密性が高く、また、第１及び
第２の実施形態と同様にインピーダンスマッチングが取
られているため高周波信号が通りやすくなる。本実施形
態の場合、プラスチックパッケージの外部に全面メッキ
を施す場合、メッキの配線パターン部以外に全面メッキ
を施す。
配線まで施されているため、リードフレーム2を使う必
要がなくなる。そのため気密性が高く、また、第１及び
第２の実施形態と同様にインピーダンスマッチングが取
られているため高周波信号が通りやすくなる。本実施形
態の場合、プラスチックパッケージの外部に全面メッキ
を施す場合、メッキの配線パターン部以外に全面メッキ
を施す。
【００２０】図４は、本発明の第４の実施形態を示す図
である。図４の（ａ）は、斜視図（ｂ）、（ｃ）は、側
面図である。第４の実施形態は、前述の第２の実施形態
にある、プラスチックパッケージ５のリードフレーム２
部分のメッキ可能樹脂に、インピーダンスマッチング用
の金属メッキ４が施してあるのは同じ構成であるが、リ
ード端子１間の中間に当たる部分の樹脂部にＶ形状の溝
（以下Ｖ溝１０）を形成した物である。金属メッキ４は
接地端子にショートされている。リード端子１と金属メ
ッキ４間の樹脂厚が一様になるように形成し、更にイン
ピーダンスが５０Ωとなるように形成する。本実施形態
では、Ｖ溝１０を入れ、八角形の断面の連続になるが、
図４の（ｃ）のように角がない長円形状の連続になるよ
うに溝１１を入れてもよい。以上のように、リード端子
間にＶ溝１０を入れる事により、リード間の信号のクロ
ストークを押さえることができる。そのため、高周波信
号が通りやすくなる。
である。図４の（ａ）は、斜視図（ｂ）、（ｃ）は、側
面図である。第４の実施形態は、前述の第２の実施形態
にある、プラスチックパッケージ５のリードフレーム２
部分のメッキ可能樹脂に、インピーダンスマッチング用
の金属メッキ４が施してあるのは同じ構成であるが、リ
ード端子１間の中間に当たる部分の樹脂部にＶ形状の溝
（以下Ｖ溝１０）を形成した物である。金属メッキ４は
接地端子にショートされている。リード端子１と金属メ
ッキ４間の樹脂厚が一様になるように形成し、更にイン
ピーダンスが５０Ωとなるように形成する。本実施形態
では、Ｖ溝１０を入れ、八角形の断面の連続になるが、
図４の（ｃ）のように角がない長円形状の連続になるよ
うに溝１１を入れてもよい。以上のように、リード端子
間にＶ溝１０を入れる事により、リード間の信号のクロ
ストークを押さえることができる。そのため、高周波信
号が通りやすくなる。
【００２１】図５は、本発明の第５の実施形態を示す図
である。図５の（ａ）は、斜視図（ｂ）は断面図であ
る。
である。図５の（ａ）は、斜視図（ｂ）は断面図であ
る。
【００２２】第５の実施形態は図５（ａ）に示すように
シリコン、ガラス又は、セラミックの基板１２上にポリ
イミド１３層を形成し，ポリイミド１３層中に光伝送路
及び配線パターンを形成する。
シリコン、ガラス又は、セラミックの基板１２上にポリ
イミド１３層を形成し，ポリイミド１３層中に光伝送路
及び配線パターンを形成する。
【００２３】まず、図５（ｂ）に示すように基板１２上
に全面グランドとなる金属メッキ４を施す。次に、クラ
ッド部１４となるポリイミド１３を形成する。次に、ポ
リイミド１３上に配線パターン１５と光伝送路コア部１
６を形成する。詳しくは、光伝送路コア部１６もポリイ
ミド１３にて形成し、この時このポリイミド１３の屈折
率は、クラッド部１４のポリイミド１３より大きい。
に全面グランドとなる金属メッキ４を施す。次に、クラ
ッド部１４となるポリイミド１３を形成する。次に、ポ
リイミド１３上に配線パターン１５と光伝送路コア部１
６を形成する。詳しくは、光伝送路コア部１６もポリイ
ミド１３にて形成し、この時このポリイミド１３の屈折
率は、クラッド部１４のポリイミド１３より大きい。
【００２４】次に、配線パターン１５と光伝送コア部１
６とを、先ほどのポリイミド１３と挟み込む様にクラッ
ド用ポリイミド１３を形成する。最後に、クラッド部１
４の上面のポリイミド１３全面に、グランドとなる金属
メッキ４を施すものである。このポリイミド１３の厚み
は、クラッド部１４となるポリイミド１３の誘電率と配
線パターン幅Ｌより、インピーダンスが５０Ωになるよ
うにする。又、金属メッキ４はグランドに設置されてい
る。基板１２には半導体レーザ素子７をダイスボンディ
ングする。半導体レーザ素子７から出た光は、ポリイミ
ド１３内の光伝送コア部１６を通り伝送される。又、配
線パターン１５もポリイミド１３内を通す。
６とを、先ほどのポリイミド１３と挟み込む様にクラッ
ド用ポリイミド１３を形成する。最後に、クラッド部１
４の上面のポリイミド１３全面に、グランドとなる金属
メッキ４を施すものである。このポリイミド１３の厚み
は、クラッド部１４となるポリイミド１３の誘電率と配
線パターン幅Ｌより、インピーダンスが５０Ωになるよ
うにする。又、金属メッキ４はグランドに設置されてい
る。基板１２には半導体レーザ素子７をダイスボンディ
ングする。半導体レーザ素子７から出た光は、ポリイミ
ド１３内の光伝送コア部１６を通り伝送される。又、配
線パターン１５もポリイミド１３内を通す。
【００２５】以上のような形状にすることにより、配線
を半導体レーザ素子の後ろからのみではなく、半導体レ
ーザ素子前面のポリイミド１３を通すことによって、前
面方向から電気信号を取り出すことができるためパッケ
ージの小型化が可能となる。
を半導体レーザ素子の後ろからのみではなく、半導体レ
ーザ素子前面のポリイミド１３を通すことによって、前
面方向から電気信号を取り出すことができるためパッケ
ージの小型化が可能となる。
【００２６】図６は、本発明の第６の実施形態を示す断
面図である。第６の実施形態では、壁部６に外部との光
伝送用窓が開いたプラスチックパッケージ５の底辺部３
に第５の実施形態の基板１２をダイスボンドする。前述
の第５の実施形態のポリイミド１３のコア部をパッケー
ジの壁部６に外部と内部をつなぐ窓として使用してい
る。更に、リードフレーム２及び伝送配線が施されてい
る。また、金属メッキ４は、前述の第５の実施形態と同
様に施す。
面図である。第６の実施形態では、壁部６に外部との光
伝送用窓が開いたプラスチックパッケージ５の底辺部３
に第５の実施形態の基板１２をダイスボンドする。前述
の第５の実施形態のポリイミド１３のコア部をパッケー
ジの壁部６に外部と内部をつなぐ窓として使用してい
る。更に、リードフレーム２及び伝送配線が施されてい
る。また、金属メッキ４は、前述の第５の実施形態と同
様に施す。
【００２７】このとき、ポリイミド１３のコア部は、プ
ラスチックパッケージ５の窓部に挿入され、プラスチッ
クパッケージ５との間隔はシリコンゴム系接着剤１７で
埋め、気密性を高めたものである。配線は金線８でワイ
ヤボンドによりリードフレーム２に配線される。半導体
レーザ素子７から出た光は、ポリイミド１３で形成され
たコア部を通り、外部に取り出される。プラスチックパ
ッケージ５完成時には、この部分にファイバーアレイを
結合させ光伝送する。リードフレーム２、ポリイミド１
３の配線部はすべてインピーダンスマッチングが施され
ている。
ラスチックパッケージ５の窓部に挿入され、プラスチッ
クパッケージ５との間隔はシリコンゴム系接着剤１７で
埋め、気密性を高めたものである。配線は金線８でワイ
ヤボンドによりリードフレーム２に配線される。半導体
レーザ素子７から出た光は、ポリイミド１３で形成され
たコア部を通り、外部に取り出される。プラスチックパ
ッケージ５完成時には、この部分にファイバーアレイを
結合させ光伝送する。リードフレーム２、ポリイミド１
３の配線部はすべてインピーダンスマッチングが施され
ている。
【００２８】ポリイミド部を気密窓として使用するた
め、光伝送用の窓、ファイバなどを特別に設ける必要が
ない。そのため、パッケージの小型化が可能となる。
又、全ての配線がインピーダンスマッチングされている
ため、小型で高周波伝送が行なえる光モジュールを実現
できる。
め、光伝送用の窓、ファイバなどを特別に設ける必要が
ない。そのため、パッケージの小型化が可能となる。
又、全ての配線がインピーダンスマッチングされている
ため、小型で高周波伝送が行なえる光モジュールを実現
できる。
【００２９】図７は、本発明の第７の実施形態を示す図
である。図７（ａ）はプラスチックパッケージ５の断面
図、図７（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。第７の実施形態
は、基板１２上にメッキ可能樹脂をインジェクション成
型により形成する。次に、メッキ可能樹脂上に配線パタ
ーン１５を金属メッキ４により形成する。その後、更に
インジェクション形成を行ない、配線パターン１５の上
にメッキ可能樹脂をインジェクション成型により形成す
る。次に、メッキ可能樹脂の上面に金属メッキ４を施す
ものである。配線パターン１５は、金属メッキ４と、基
板１２とでコプレーナラインとなるように樹脂厚、配線
幅をインピーダンスマッチングするように設計する。
である。図７（ａ）はプラスチックパッケージ５の断面
図、図７（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。第７の実施形態
は、基板１２上にメッキ可能樹脂をインジェクション成
型により形成する。次に、メッキ可能樹脂上に配線パタ
ーン１５を金属メッキ４により形成する。その後、更に
インジェクション形成を行ない、配線パターン１５の上
にメッキ可能樹脂をインジェクション成型により形成す
る。次に、メッキ可能樹脂の上面に金属メッキ４を施す
ものである。配線パターン１５は、金属メッキ４と、基
板１２とでコプレーナラインとなるように樹脂厚、配線
幅をインピーダンスマッチングするように設計する。
【００３０】また、基板１２は、グランドにショートさ
れている。半導体レーザ素子７は、下面がカソード面に
なるようにダイスボンドし、金線８によって金属メッキ
４とワイヤーボンディングする。また、半導体レーザ素
子は、温度により特性が変動する。しかも、半導体レー
ザ素子自体が発光時に発熱するため、熱を効率よくパッ
ケージの外に逃すことが要求される。
れている。半導体レーザ素子７は、下面がカソード面に
なるようにダイスボンドし、金線８によって金属メッキ
４とワイヤーボンディングする。また、半導体レーザ素
子は、温度により特性が変動する。しかも、半導体レー
ザ素子自体が発光時に発熱するため、熱を効率よくパッ
ケージの外に逃すことが要求される。
【００３１】第７の実施形態では、半導体レーザ素子７
が基板１２にボンディングされ、基板１２裏面に樹脂が
ないため基板１２がヒートスプレッダーの役目をし、効
率よく熱が逃げる。第７の実施形態で基板１２は、例え
ば金属板を使用するものとする。一方、配線部分は、イ
ンピーダンスマッチングを施した金属メッキによって形
成されているため、高周波信号の伝送が可能となる。
が基板１２にボンディングされ、基板１２裏面に樹脂が
ないため基板１２がヒートスプレッダーの役目をし、効
率よく熱が逃げる。第７の実施形態で基板１２は、例え
ば金属板を使用するものとする。一方、配線部分は、イ
ンピーダンスマッチングを施した金属メッキによって形
成されているため、高周波信号の伝送が可能となる。
【００３２】図８は、本発明の第８の実施形態を示す図
である。図８は斜視図である。リードフレーム２は、銅
または、４２アロイでできており表面に金メッキを施し
てある。リードフレーム２の側面及び下面は、低誘電率
樹脂１８が半円柱状に形成されている。更に低誘電率樹
脂１８の曲面上の表面にメッキ可能樹脂２０で覆うよう
に形成する。メッキ可能樹脂２０の表面には、金属メッ
キを施す。低誘電率樹脂１８用いるのは、リードフレー
ム２に高周波の電気信号を伝搬させた時、信号伝送路が
コプレーナ伝送ライン構造となっている必要がある。そ
のため、リードフレーム２自体を誘電率の低い樹脂で囲
み、更に誘電率の高い樹脂で囲む必要がある。
である。図８は斜視図である。リードフレーム２は、銅
または、４２アロイでできており表面に金メッキを施し
てある。リードフレーム２の側面及び下面は、低誘電率
樹脂１８が半円柱状に形成されている。更に低誘電率樹
脂１８の曲面上の表面にメッキ可能樹脂２０で覆うよう
に形成する。メッキ可能樹脂２０の表面には、金属メッ
キを施す。低誘電率樹脂１８用いるのは、リードフレー
ム２に高周波の電気信号を伝搬させた時、信号伝送路が
コプレーナ伝送ライン構造となっている必要がある。そ
のため、リードフレーム２自体を誘電率の低い樹脂で囲
み、更に誘電率の高い樹脂で囲む必要がある。
【００３３】図９の断面図を用いて、低誘電率樹脂１８
の形状について説明する。リードフレーム２には高周波
の電気信号を伝搬させる。メッキ可能樹脂２０の金属メ
ッキ４部分は接地されている。リードフレーム２と接地
されたメッキ可能樹脂２０のメッキ部分との間で、メッ
キ可能樹脂２０の誘電率に応じたインピーダンスが得ら
れる。リードフレーム２上面側もしくは、低誘電率樹脂
１８の上面側では、インピーダンスは、リードフレーム
２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ1で決まるコプレーナ
伝送ラインとなる。一方、リードフレーム２の側面では
側面の接地も信号伝送路への影響に関るようになるの
で、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ２
をリードフレーム２の面から常に一定になるように半円
形状もしくは、それに近い形に形成する。リードフレー
ム2は、幅を持つため幅に応じて低誘電率樹脂１８の形
状は、図９に示すように底面が平坦で、側面が弧を描く
ような形状になる。
の形状について説明する。リードフレーム２には高周波
の電気信号を伝搬させる。メッキ可能樹脂２０の金属メ
ッキ４部分は接地されている。リードフレーム２と接地
されたメッキ可能樹脂２０のメッキ部分との間で、メッ
キ可能樹脂２０の誘電率に応じたインピーダンスが得ら
れる。リードフレーム２上面側もしくは、低誘電率樹脂
１８の上面側では、インピーダンスは、リードフレーム
２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ1で決まるコプレーナ
伝送ラインとなる。一方、リードフレーム２の側面では
側面の接地も信号伝送路への影響に関るようになるの
で、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ２
をリードフレーム２の面から常に一定になるように半円
形状もしくは、それに近い形に形成する。リードフレー
ム2は、幅を持つため幅に応じて低誘電率樹脂１８の形
状は、図９に示すように底面が平坦で、側面が弧を描く
ような形状になる。
【００３４】次に、図１０を使ってこの伝送路の形成方
法を示す。まず、一次成型として、図１０（ａ）のよう
にメッキ可能樹脂２０のみをインジェクション成型によ
り形成する。次に、図１０（ｂ）のように、メッキ可能
樹脂２０の表面に、メッキするためのメッキ前処理を施
す。次に、二次成型として、図１０（ｃ）のように、リ
ードフレーム２をメッキ可能樹脂２０に設置し、低誘電
率樹脂１８を用いてインジェクション成型を施す。次
に、図１０（ｄ）のように成型したものに、メッキ処理
を行なう。メッキ処理は、電界メッキでも無電界メッキ
でも良い。メッキはメッキ前処理された一次形成の樹脂
と金属部分であるリードフレーム２にしか施されない。
法を示す。まず、一次成型として、図１０（ａ）のよう
にメッキ可能樹脂２０のみをインジェクション成型によ
り形成する。次に、図１０（ｂ）のように、メッキ可能
樹脂２０の表面に、メッキするためのメッキ前処理を施
す。次に、二次成型として、図１０（ｃ）のように、リ
ードフレーム２をメッキ可能樹脂２０に設置し、低誘電
率樹脂１８を用いてインジェクション成型を施す。次
に、図１０（ｄ）のように成型したものに、メッキ処理
を行なう。メッキ処理は、電界メッキでも無電界メッキ
でも良い。メッキはメッキ前処理された一次形成の樹脂
と金属部分であるリードフレーム２にしか施されない。
【００３５】この様に、インピーダンスマッチングを取
るために、リードフレーム２上面のメッキ部とメッキ可
能樹脂２０のメッキ部とでコプレーナラインに構成され
ている。しかし、プラスチックパッケージ側面にもメッ
キを施すため側面ではコプレーナラインではなくなる。
つまり、インピーダンスが側面とでは異なってしまう。
そこでメッキ可能樹脂２０を半円状、もしくはそれに近
い形にくぼませて形成し、リードフレーム２端面とメッ
キの距離を一定にすることでインピーダンスのずれを小
さくすることができる。
るために、リードフレーム２上面のメッキ部とメッキ可
能樹脂２０のメッキ部とでコプレーナラインに構成され
ている。しかし、プラスチックパッケージ側面にもメッ
キを施すため側面ではコプレーナラインではなくなる。
つまり、インピーダンスが側面とでは異なってしまう。
そこでメッキ可能樹脂２０を半円状、もしくはそれに近
い形にくぼませて形成し、リードフレーム２端面とメッ
キの距離を一定にすることでインピーダンスのずれを小
さくすることができる。
【００３６】図１１は、本発明の第９の実施形態を示す
斜視図である。図１２は、本発明の第９の実施形態を示
す斜視図である。第８の実施形態と形状は同じである
が、メッキ可能樹脂２０の中に、カーボンの粉末もしく
は導電性のフィラが混入されている。
斜視図である。図１２は、本発明の第９の実施形態を示
す斜視図である。第８の実施形態と形状は同じである
が、メッキ可能樹脂２０の中に、カーボンの粉末もしく
は導電性のフィラが混入されている。
【００３７】つまり、メッキ可能樹脂２０の中にカーボ
ンの粉末もしくは導電性のフィラが混入されていること
によって、樹脂にメッキを施し接地をするとカーボンの
粉末もしくは、導電性のフィラを介して、メッキ可能樹
脂２０全体が接地されていることと同様な効果を持つ。
つまり、どの断面についても図１２に示すような、形状
の伝送路が形成される。この時、インピーダンスが最適
となる様に、リードフレーム2とメッキ可能樹脂２０の
距離Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を、低誘電率樹脂１８の誘電率
と、使用する周波数領域において所望の値になるよう設
計する。
ンの粉末もしくは導電性のフィラが混入されていること
によって、樹脂にメッキを施し接地をするとカーボンの
粉末もしくは、導電性のフィラを介して、メッキ可能樹
脂２０全体が接地されていることと同様な効果を持つ。
つまり、どの断面についても図１２に示すような、形状
の伝送路が形成される。この時、インピーダンスが最適
となる様に、リードフレーム2とメッキ可能樹脂２０の
距離Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を、低誘電率樹脂１８の誘電率
と、使用する周波数領域において所望の値になるよう設
計する。
【００３８】第８の実施形態では、グランドラインは、
金属メッキ４のみによって構成されている。そのため、
メッキ可能樹脂２０の端面以外の部分では、インピーダ
ンスマッチングは、リードフレーム２上面のメッキされ
た面とメッキ可能樹脂２０上に施されたメッキの間での
み生じる。つまりリードフレーム２下面のメッキされて
いない部分は、グランドが形成さていないことになる。
このリードフレーム２下面を通じて隣接する信号ライン
との間にクロストークを生じることになる。
金属メッキ４のみによって構成されている。そのため、
メッキ可能樹脂２０の端面以外の部分では、インピーダ
ンスマッチングは、リードフレーム２上面のメッキされ
た面とメッキ可能樹脂２０上に施されたメッキの間での
み生じる。つまりリードフレーム２下面のメッキされて
いない部分は、グランドが形成さていないことになる。
このリードフレーム２下面を通じて隣接する信号ライン
との間にクロストークを生じることになる。
【００３９】しかし、第9の実施形態ではメッキ可能樹
脂２０の中に、カーボンの粉末もしくは、導電性のフィ
ラが混入されていることによって、プラスチックパッケ
ージ５の、どの部分でもグランドとなり、隣接する信号
ラインにノイズが伝わることがなく、クロストークを著
しく低減させることができる。
脂２０の中に、カーボンの粉末もしくは、導電性のフィ
ラが混入されていることによって、プラスチックパッケ
ージ５の、どの部分でもグランドとなり、隣接する信号
ラインにノイズが伝わることがなく、クロストークを著
しく低減させることができる。
【００４０】図１３は、本発明の第１０の実施形態を示
す。第８および第９の実施形態では、低誘電率樹脂１８
で形成されている部分は、メッキ可能樹脂２０とは、樹
脂の濡れ性だけで接着しているため、力が加わった場合
簡単に抜けとれることが想定される。そこで、低誘電率
樹脂１８の形状を少なくとも一部がリードフレーム下面
に向かって末広形状にし、抜け防止を行うものである。
す。第８および第９の実施形態では、低誘電率樹脂１８
で形成されている部分は、メッキ可能樹脂２０とは、樹
脂の濡れ性だけで接着しているため、力が加わった場合
簡単に抜けとれることが想定される。そこで、低誘電率
樹脂１８の形状を少なくとも一部がリードフレーム下面
に向かって末広形状にし、抜け防止を行うものである。
【００４１】一般に、インジェクション成形では樹脂の
種類にも依るが、樹脂充填をするための幅と同じ分の深
さだけ樹脂を充填することになる。今回の溝の深さに充
填するための幅は０．４ｍｍ以上が要求される。しか
し、溝の深さに対して充填のための深さを変化させるリ
ードフレーム２の厚さは、tのみである。つまり溝のｔ
より深い部分は、充填幅よりも広い溝の部分になる。よ
って、本実施形態では図１３に示すように、リードフレ
ーム２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ１が０．３ｍｍ程
度であるが樹脂は十分に充填することができる。つま
り、充填するための幅は狭いが、狭い区間はリードフレ
ーム２の厚みｔ分だけなので樹脂は充填される。
種類にも依るが、樹脂充填をするための幅と同じ分の深
さだけ樹脂を充填することになる。今回の溝の深さに充
填するための幅は０．４ｍｍ以上が要求される。しか
し、溝の深さに対して充填のための深さを変化させるリ
ードフレーム２の厚さは、tのみである。つまり溝のｔ
より深い部分は、充填幅よりも広い溝の部分になる。よ
って、本実施形態では図１３に示すように、リードフレ
ーム２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ１が０．３ｍｍ程
度であるが樹脂は十分に充填することができる。つま
り、充填するための幅は狭いが、狭い区間はリードフレ
ーム２の厚みｔ分だけなので樹脂は充填される。
【００４２】そこで、一次成型として、メッキ可能樹脂
２０でパッケージ形状を成型する。次に、メッキ前処理
を表面に施す。次に、リードフレーム２をセットし低誘
電率樹脂１８を２次形成で充填する。その後、メッキ処
理を無電解メッキで施す。一般に、インピーダンスは、
リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ１で決
まる。リードフレーム２の厚み分のリードフレーム２側
面に依る影響もあるが、リードフレーム２の厚みｔで
は、プラスチックパッケージのメッキ面との距離は大き
く変わらないので設計値に対してインピーダンスが大き
くずれることは考えにくい。グランドコプレーナ伝送ラ
インでは裏面のグランド配線とインピーダンスを調節す
るため、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０の距離
Ｌ１を大きくとることができる。しかし、コプレーナラ
インでは、この距離が短くなり樹脂充填をすることが難
しくなる。しかし、第１０の実施形態では、表面の配線
から離れるほど樹脂充填のための幅が広がり問題はなく
なる。樹脂充填のための幅が問題となるのは、リードフ
レーム２の厚みである。例えば、リードフレーム２の厚
さが０．３ｍｍ以下であり、リードフレーム２とメッキ
可能樹脂２０の距離Ｌ１が０．２ｍｍ以上であれば問題
なく樹脂を充填することができる。また、成形後金属メ
ッキ４されない樹脂は、逆メサ構造になっているためメ
ッキ可能樹脂２０との濡れ性が悪くても抜けることがな
い。また、この形状は、逆メサ構造を一部に持ち、抜け
防止を目的とするものであるから、図１３（ｂ）のよう
な形状でも良い。
２０でパッケージ形状を成型する。次に、メッキ前処理
を表面に施す。次に、リードフレーム２をセットし低誘
電率樹脂１８を２次形成で充填する。その後、メッキ処
理を無電解メッキで施す。一般に、インピーダンスは、
リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ１で決
まる。リードフレーム２の厚み分のリードフレーム２側
面に依る影響もあるが、リードフレーム２の厚みｔで
は、プラスチックパッケージのメッキ面との距離は大き
く変わらないので設計値に対してインピーダンスが大き
くずれることは考えにくい。グランドコプレーナ伝送ラ
インでは裏面のグランド配線とインピーダンスを調節す
るため、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０の距離
Ｌ１を大きくとることができる。しかし、コプレーナラ
インでは、この距離が短くなり樹脂充填をすることが難
しくなる。しかし、第１０の実施形態では、表面の配線
から離れるほど樹脂充填のための幅が広がり問題はなく
なる。樹脂充填のための幅が問題となるのは、リードフ
レーム２の厚みである。例えば、リードフレーム２の厚
さが０．３ｍｍ以下であり、リードフレーム２とメッキ
可能樹脂２０の距離Ｌ１が０．２ｍｍ以上であれば問題
なく樹脂を充填することができる。また、成形後金属メ
ッキ４されない樹脂は、逆メサ構造になっているためメ
ッキ可能樹脂２０との濡れ性が悪くても抜けることがな
い。また、この形状は、逆メサ構造を一部に持ち、抜け
防止を目的とするものであるから、図１３（ｂ）のよう
な形状でも良い。
【００４３】図１４は、本発明の第１１の実施形態を示
す図である。プラスチックパッケージ５は、リード端子
１部分を外部に出しながら、外部との遮断をする壁部６
が重要になる。この壁部６を、第１０の実施形態に示す
様に低誘電率樹脂１８部分を逆メサ形状にすると、壁部
６では信号ラインとグランド部分の距離が異なるため、
インピーダンスマッチングが崩れてしまう。そのため、
第１１の実施形態では、壁部６でのインピーダンスマッ
チングの崩れを、小さくするものである。
す図である。プラスチックパッケージ５は、リード端子
１部分を外部に出しながら、外部との遮断をする壁部６
が重要になる。この壁部６を、第１０の実施形態に示す
様に低誘電率樹脂１８部分を逆メサ形状にすると、壁部
６では信号ラインとグランド部分の距離が異なるため、
インピーダンスマッチングが崩れてしまう。そのため、
第１１の実施形態では、壁部６でのインピーダンスマッ
チングの崩れを、小さくするものである。
【００４４】プラスチックパッケージ５の壁部６では、
壁部６のメッキ可能樹脂２０部分とリード端子１部分を
十分に離すように行う。詳しくは、図１４の（ｂ）に示
すように、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０の距
離Ｌ１よりも、リードフレーム２に対して、逆メサ形状
になっていない側のメッキ可能樹脂２０との距離Ｌ４を
十分に大きくとる。樹脂の充填方法や、形成方法は、第
１０の実施形態と同様に行う。リードフレーム２に対し
て、逆メサ形状になっていない側のメッキ可能樹脂２０
部分との距離Ｌ４をリードフレーム２とメッキ可能樹脂
２０の距離Ｌ１の距離の３倍以上にとるとリードフレー
ム２に対して、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０
の距離Ｌ４が短いことに対してのインピーダンスの影響
はなくなる。
壁部６のメッキ可能樹脂２０部分とリード端子１部分を
十分に離すように行う。詳しくは、図１４の（ｂ）に示
すように、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０の距
離Ｌ１よりも、リードフレーム２に対して、逆メサ形状
になっていない側のメッキ可能樹脂２０との距離Ｌ４を
十分に大きくとる。樹脂の充填方法や、形成方法は、第
１０の実施形態と同様に行う。リードフレーム２に対し
て、逆メサ形状になっていない側のメッキ可能樹脂２０
部分との距離Ｌ４をリードフレーム２とメッキ可能樹脂
２０の距離Ｌ１の距離の３倍以上にとるとリードフレー
ム２に対して、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２０
の距離Ｌ４が短いことに対してのインピーダンスの影響
はなくなる。
【００４５】よって、メッキ可能樹脂２０にメッキを施
した場合。プラスチックパッケージ２の壁部６では、リ
ードフレーム２に対しグランドに当たる壁部６のメッキ
が、インピーダンスに影響しやすくなり、その部分でイ
ンピーダンスマッチングが崩れる。インピーダンスマッ
チングが崩れると、リードフレーム２の入力伝送信号に
反射を生じさせ、入力電気信号の反射特性も悪化する。
しかし本実施形態では、影響するグランド部分を伝送路
から十分離すため、インピーダンスの不整合が小さくす
み、信号の反射等が生じた場合でも反射を小さく押さえ
ることができる。
した場合。プラスチックパッケージ２の壁部６では、リ
ードフレーム２に対しグランドに当たる壁部６のメッキ
が、インピーダンスに影響しやすくなり、その部分でイ
ンピーダンスマッチングが崩れる。インピーダンスマッ
チングが崩れると、リードフレーム２の入力伝送信号に
反射を生じさせ、入力電気信号の反射特性も悪化する。
しかし本実施形態では、影響するグランド部分を伝送路
から十分離すため、インピーダンスの不整合が小さくす
み、信号の反射等が生じた場合でも反射を小さく押さえ
ることができる。
【００４６】図１５は、本発明の第１２の実施形態を示
す図である。プラスチックパッケージ５の壁部６のリー
ドフレーム２周辺に形成される、低誘電率樹脂１８の形
状を断面で小判型にしたものである。低誘電率樹脂１８
の充填方法や、形成方法は、第１０の実施形態と同様に
行う。ただし、本実施形態では、メッキ可能樹脂２０は
カーボンの粉末もしくは、導電性のフィラが混入されて
いる。よってメッキを施した場合パッケージの側壁部分
でも、インピーダンスマッチングさせることができる。
す図である。プラスチックパッケージ５の壁部６のリー
ドフレーム２周辺に形成される、低誘電率樹脂１８の形
状を断面で小判型にしたものである。低誘電率樹脂１８
の充填方法や、形成方法は、第１０の実施形態と同様に
行う。ただし、本実施形態では、メッキ可能樹脂２０は
カーボンの粉末もしくは、導電性のフィラが混入されて
いる。よってメッキを施した場合パッケージの側壁部分
でも、インピーダンスマッチングさせることができる。
【００４７】図１５（ｂ）に示すように、リードフレー
ム２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ５、Ｌ６は低誘電率
樹脂１８の誘電率と、誘電正接から所望の値になるよう
に設計する。ここで、メッキ可能樹脂２０は、カーボン
の粉末もしくは、導電性のフィラが混入されて、更にグ
ランドショート端子にショートされている。
ム２とメッキ可能樹脂２０の距離Ｌ５、Ｌ６は低誘電率
樹脂１８の誘電率と、誘電正接から所望の値になるよう
に設計する。ここで、メッキ可能樹脂２０は、カーボン
の粉末もしくは、導電性のフィラが混入されて、更にグ
ランドショート端子にショートされている。
【００４８】リードフレーム２の周囲に一定の距離を誘
電体が囲み、更にその周囲をグランドレベルの配線で囲
まれ、いわゆる同軸ケーブルと同様な形状および構成と
なっているため、インピーダンスを精度良く得ることが
できる。また、側壁部分以外のリードフレーム２とのイ
ンピーダンスマッチングも良く、側壁部での入力信号の
反射を低減することができる。
電体が囲み、更にその周囲をグランドレベルの配線で囲
まれ、いわゆる同軸ケーブルと同様な形状および構成と
なっているため、インピーダンスを精度良く得ることが
できる。また、側壁部分以外のリードフレーム２とのイ
ンピーダンスマッチングも良く、側壁部での入力信号の
反射を低減することができる。
【００４９】図１６は、本発明の第１３の実施形態を示
すプラスチックパッケージの壁部６の断面図である。こ
こで、Ｔｐは、パッケージ壁部６の厚さである。また、
図１７は、プラスチックパッケージの壁部６の図１６で
のＡ-Ａ’に当たる断面図である。
すプラスチックパッケージの壁部６の断面図である。こ
こで、Ｔｐは、パッケージ壁部６の厚さである。また、
図１７は、プラスチックパッケージの壁部６の図１６で
のＡ-Ａ’に当たる断面図である。
【００５０】プラスチックパッケージの壁部６内のリー
ドフレーム２を、一旦２本に分けその間にできた隙間
に、低誘電率樹脂１８が充填されるようにした。詳しく
は、リードフレーム２の周辺は低誘電率樹脂１８で囲ま
れており、更にその周りは、メッキ可能樹脂２０で囲ま
れている。
ドフレーム２を、一旦２本に分けその間にできた隙間
に、低誘電率樹脂１８が充填されるようにした。詳しく
は、リードフレーム２の周辺は低誘電率樹脂１８で囲ま
れており、更にその周りは、メッキ可能樹脂２０で囲ま
れている。
【００５１】ここで、メッキ可能樹脂２０が、カーボン
の粉末もしくは導電性のフィラが混入されていて、導電
性を持つ場合には、インピーダンスマッチングが取れる
ようにリードフレーム２とメッキ可能樹脂２０との間隔
は、一定に形成する。メッキ可能樹脂２０に導電性を持
たせない場合は、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２
０との距離は特に規定しない。
の粉末もしくは導電性のフィラが混入されていて、導電
性を持つ場合には、インピーダンスマッチングが取れる
ようにリードフレーム２とメッキ可能樹脂２０との間隔
は、一定に形成する。メッキ可能樹脂２０に導電性を持
たせない場合は、リードフレーム２とメッキ可能樹脂２
０との距離は特に規定しない。
【００５２】図１７（ａ）のように、リードフレーム２
は壁部内で２本に分けられている。２本に分れている部
分と１本のリードフレーム２になっている部分とでは、
低誘電率樹脂１８の充填量が異なることになる。リード
フレーム２が２本になっている部分は１本になっている
部分に比べ低誘電率樹脂１８の断面積が広くなるため、
充填スピードが変化する。インジェクション成形では断
面積をなるべく一定にすることにより、充填スピードを
安定させることができる。
は壁部内で２本に分けられている。２本に分れている部
分と１本のリードフレーム２になっている部分とでは、
低誘電率樹脂１８の充填量が異なることになる。リード
フレーム２が２本になっている部分は１本になっている
部分に比べ低誘電率樹脂１８の断面積が広くなるため、
充填スピードが変化する。インジェクション成形では断
面積をなるべく一定にすることにより、充填スピードを
安定させることができる。
【００５３】そこで図１７（ｂ）のようにリードフレー
ム２間の樹脂の形状に凸部５１を設けた形状とする。凸
部５１を設けることによって、リードフレーム２の２本
に分れている部分の低誘電率樹脂１８の断面積が狭くな
るため成形性が安定する。したがって、壁部６内でのリ
ードフレーム２の１本の部分と２本に分れている部分と
の成形性のばらつきを低減できる。
ム２間の樹脂の形状に凸部５１を設けた形状とする。凸
部５１を設けることによって、リードフレーム２の２本
に分れている部分の低誘電率樹脂１８の断面積が狭くな
るため成形性が安定する。したがって、壁部６内でのリ
ードフレーム２の１本の部分と２本に分れている部分と
の成形性のばらつきを低減できる。
【００５４】この様に、リードフレーム２が壁部６内で
２本に分れていることによって、外部からリードフレー
ム２に引っ張る力が掛かっても簡単に抜けることがな
い。更に、メッキ可能樹脂２０に、カーボンの粉末もし
くは、導電性のフィラが混入されていて導電性を持つと
きは、リードフレーム２との間でインピーダンスマッチ
ングがなされる。よって、壁部６のリードフレーム２で
は信号の反射は生じない。よって、壁部６での入力信号
の反射をなくすことができる。
２本に分れていることによって、外部からリードフレー
ム２に引っ張る力が掛かっても簡単に抜けることがな
い。更に、メッキ可能樹脂２０に、カーボンの粉末もし
くは、導電性のフィラが混入されていて導電性を持つと
きは、リードフレーム２との間でインピーダンスマッチ
ングがなされる。よって、壁部６のリードフレーム２で
は信号の反射は生じない。よって、壁部６での入力信号
の反射をなくすことができる。
【００５５】図１８は、本発明の第１４の実施形態を示
すプラズチックパッケージの壁部６の断面図である。プ
ラスチックパッケージの壁部６に当たる部分のリードフ
レーム２の幅Ｗ２を、もとのリードフレーム２幅Ｗ１の
半分程度の幅とする。リードフレーム２の周辺は低誘電
率樹脂１８で囲まれており、更にその周りは、メッキ可
能樹脂２０で囲まれている。ここで、メッキ可能樹脂２
０がカーボンの粉末もしくは導電性のフィラが混入され
ていて、導電性を持つ場合には、インピーダンスマッチ
ングが取れるようにリードフレーム２とメッキ可能樹脂
２０との距離は、一定になる様に形成する。
すプラズチックパッケージの壁部６の断面図である。プ
ラスチックパッケージの壁部６に当たる部分のリードフ
レーム２の幅Ｗ２を、もとのリードフレーム２幅Ｗ１の
半分程度の幅とする。リードフレーム２の周辺は低誘電
率樹脂１８で囲まれており、更にその周りは、メッキ可
能樹脂２０で囲まれている。ここで、メッキ可能樹脂２
０がカーボンの粉末もしくは導電性のフィラが混入され
ていて、導電性を持つ場合には、インピーダンスマッチ
ングが取れるようにリードフレーム２とメッキ可能樹脂
２０との距離は、一定になる様に形成する。
【００５６】壁部６内で２本にする場合、隣接したリー
ドのとの距離が近くなる。そのため、隣接するリード間
隔を拡げる必要がある。しかし、壁部６内で細くした場
合、壁部６内で２本にする場合に比べて実装上のリード
フレーム２のピッチを左右しないため、パッケージを小
型化することができる。特に、多チャンネル時の配線ラ
インでは有効である。
ドのとの距離が近くなる。そのため、隣接するリード間
隔を拡げる必要がある。しかし、壁部６内で細くした場
合、壁部６内で２本にする場合に比べて実装上のリード
フレーム２のピッチを左右しないため、パッケージを小
型化することができる。特に、多チャンネル時の配線ラ
インでは有効である。
【００５７】この様に、壁部６内でリードフレーム２が
細くなっていることによって、外部からリードフレーム
２に引っ張る力が掛かっても抜けることがない。また、
壁部６内ではリードフレーム２が２本に分岐されず１本
だけになる。よって、同軸ケーブルのような構造にな
り、外周の導電性樹脂によるインピーダンスによる影響
が計算しやすい。つまり、形成時にインピーダンスの設
計値の再現性が良くなる。
細くなっていることによって、外部からリードフレーム
２に引っ張る力が掛かっても抜けることがない。また、
壁部６内ではリードフレーム２が２本に分岐されず１本
だけになる。よって、同軸ケーブルのような構造にな
り、外周の導電性樹脂によるインピーダンスによる影響
が計算しやすい。つまり、形成時にインピーダンスの設
計値の再現性が良くなる。
【００５８】図１９は、本発明の第１５の実施形態を示
すパッケージ内部の図である。第８の実施形態でパッケ
ージ内部のリードフレーム２は、リードフレーム２上面
にメッキが施されており、カーボンの粉末もしくは、導
電性のフィラが混入されていて導電性を持つパッケージ
との間でインピーダンスマッチングが取られていた。
すパッケージ内部の図である。第８の実施形態でパッケ
ージ内部のリードフレーム２は、リードフレーム２上面
にメッキが施されており、カーボンの粉末もしくは、導
電性のフィラが混入されていて導電性を持つパッケージ
との間でインピーダンスマッチングが取られていた。
【００５９】第１５の実施形態では、まず、パッケージ
内部のリードフレーム２は、上面に限らずメッキを施さ
ない。リードフレーム２下部と、カーボンの粉末もしく
は導電性のフィラが混入されていて導電性を持つメッキ
可能樹脂２０で出来たパッケージの部分で、リードフレ
ーム２は接地がとられている。次に、リードフレーム２
上面を低誘電率樹脂１８でリードフレーム２から一定の
距離になるように形成する。詳しくは、リードフレーム
２を低誘電率樹脂１８で断面が小判型になるように形成
する。次に、パッケージ内部の低誘電率樹脂１８に金属
メッキ４を施す。つまり、外周部分のメッキ可能樹脂２
０部分と金属メッキ４によって接地がとられている。
よって、リードフレーム２は同軸ケーブルのような形状
となり、形成時のインピーダンスの設計値の再現性も良
くなる。また、隣接した伝送路とは、完全に接地された
メッキによって分離されているため、伝送される信号の
クロストークの発生をなくすことが出来る。
内部のリードフレーム２は、上面に限らずメッキを施さ
ない。リードフレーム２下部と、カーボンの粉末もしく
は導電性のフィラが混入されていて導電性を持つメッキ
可能樹脂２０で出来たパッケージの部分で、リードフレ
ーム２は接地がとられている。次に、リードフレーム２
上面を低誘電率樹脂１８でリードフレーム２から一定の
距離になるように形成する。詳しくは、リードフレーム
２を低誘電率樹脂１８で断面が小判型になるように形成
する。次に、パッケージ内部の低誘電率樹脂１８に金属
メッキ４を施す。つまり、外周部分のメッキ可能樹脂２
０部分と金属メッキ４によって接地がとられている。
よって、リードフレーム２は同軸ケーブルのような形状
となり、形成時のインピーダンスの設計値の再現性も良
くなる。また、隣接した伝送路とは、完全に接地された
メッキによって分離されているため、伝送される信号の
クロストークの発生をなくすことが出来る。
【００６０】図２０は、本発明の第１６の実施形態を示
す斜視図である。まず、一次成型として、リードフレー
ム２を通す部分にくぼみ５２を設けたプラスチックパッ
ケージ５をメッキ可能樹脂２０でインジェクション成型
する。次に、成型したプラスチックパッケージ５に、メ
ッキを施すための前処理を行う。次に、二次成型のため
の型に、リードフレーム２と一次成型部分とを組み込
む。次に、リードフレーム２とプラスチックパッケージ
５の間に、二次成型部分として、低誘電率樹脂１８をイ
ンジェクション成型する。次に、二次成型後に無電解メ
ッキで一次成型部の表面に現れているメッキ前処理を施
した部分に金属メッキ４を施す。
す斜視図である。まず、一次成型として、リードフレー
ム２を通す部分にくぼみ５２を設けたプラスチックパッ
ケージ５をメッキ可能樹脂２０でインジェクション成型
する。次に、成型したプラスチックパッケージ５に、メ
ッキを施すための前処理を行う。次に、二次成型のため
の型に、リードフレーム２と一次成型部分とを組み込
む。次に、リードフレーム２とプラスチックパッケージ
５の間に、二次成型部分として、低誘電率樹脂１８をイ
ンジェクション成型する。次に、二次成型後に無電解メ
ッキで一次成型部の表面に現れているメッキ前処理を施
した部分に金属メッキ４を施す。
【００６１】二次成型部の上面は、一次成型部の上面よ
り少し下がって形成される。一次成型部に施した、金属
メッキ４はグランドラインに用いる。リードフレーム２
部分は信号ラインとなる。信号ラインとグランドライン
との間隔は、利用する信号の周波数と二次成型時の低誘
電率樹脂の誘電率を基にインピーダンスマッチングする
ように設計する。
り少し下がって形成される。一次成型部に施した、金属
メッキ４はグランドラインに用いる。リードフレーム２
部分は信号ラインとなる。信号ラインとグランドライン
との間隔は、利用する信号の周波数と二次成型時の低誘
電率樹脂の誘電率を基にインピーダンスマッチングする
ように設計する。
【００６２】一次成型後、メッキ前処理を施すと成型部
品は、メッキ前処理液により多少エッチングされ、成型
時よりやせてしまう。このエッチング量は、多少ばらつ
きがある。しかし、第１６の実施形態では、一次成型部
と二次成型部の上面に段差があるため、多少エッチング
されても一次成型部の上面に、二次成型部の低誘電率樹
脂が流れ込むことがない。このため、リードフレーム２
とメッキされている部分までの距離は一定に保たれる。
つまり信号ラインとグランドライン部分との間隔を一定
に保てるためインピーダンスを一定に保つことが出来
る。
品は、メッキ前処理液により多少エッチングされ、成型
時よりやせてしまう。このエッチング量は、多少ばらつ
きがある。しかし、第１６の実施形態では、一次成型部
と二次成型部の上面に段差があるため、多少エッチング
されても一次成型部の上面に、二次成型部の低誘電率樹
脂が流れ込むことがない。このため、リードフレーム２
とメッキされている部分までの距離は一定に保たれる。
つまり信号ラインとグランドライン部分との間隔を一定
に保てるためインピーダンスを一定に保つことが出来
る。
【００６３】図２１は、本発明の第１７の実施形態を示
す斜視図である。本実施形態では、プラスチックパッケ
ージ５に金属メッキ４で信号ラインとグランドラインを
形成する。まず、一次成型として、信号ラインとなる凸
部５３を形成するために、一対の溝５８を形成したプラ
スチックパッケージ５をメッキ可能樹脂２０でインジェ
クション成型する。次に、成型したプラスチックパッケ
ージ５に、メッキを施すための前処理を行う。
す斜視図である。本実施形態では、プラスチックパッケ
ージ５に金属メッキ４で信号ラインとグランドラインを
形成する。まず、一次成型として、信号ラインとなる凸
部５３を形成するために、一対の溝５８を形成したプラ
スチックパッケージ５をメッキ可能樹脂２０でインジェ
クション成型する。次に、成型したプラスチックパッケ
ージ５に、メッキを施すための前処理を行う。
【００６４】次に、二次成型として、プラスチックパッ
ケージ５の溝部に、低誘電率樹脂１８をインジェクショ
ン成型する。詳しくは、溝５８に充填する樹脂の上面は
一次成型時の上面より低く成型する。次に、メッキ前処
理を施した部分に、無電解メッキによってメッキを施
す。二本の溝５８に挟まれた凸部５３に施された金属メ
ッキ４が信号ラインとなる。信号ライン以外の金属メッ
キ４を施された一次成型部分は、グランドライン部分と
なる。また、信号ラインとグランドライン部分との間の
溝は、利用する信号の周波数と二次成型時の低誘電率樹
脂１８の誘電率を基にインピーダンスマッチングするよ
うに設計する。
ケージ５の溝部に、低誘電率樹脂１８をインジェクショ
ン成型する。詳しくは、溝５８に充填する樹脂の上面は
一次成型時の上面より低く成型する。次に、メッキ前処
理を施した部分に、無電解メッキによってメッキを施
す。二本の溝５８に挟まれた凸部５３に施された金属メ
ッキ４が信号ラインとなる。信号ライン以外の金属メッ
キ４を施された一次成型部分は、グランドライン部分と
なる。また、信号ラインとグランドライン部分との間の
溝は、利用する信号の周波数と二次成型時の低誘電率樹
脂１８の誘電率を基にインピーダンスマッチングするよ
うに設計する。
【００６５】本実施形態によって、二次成型が溝の中へ
の成型になるため、一次成形部の上面に二次成型時の樹
脂が及ぶことを少なくできる。よって、二次形成時の低
誘電率樹脂１８による信号ラインとグランドラインの間
隔を一定に保つことが出来る。また、信号ラインとグラ
ンドライン部分が一次成型で同時に成型できるため信号
ラインの両側の溝の間隔を一定に保つことができ、イン
ピーダンスの成型によるばらつきを小さく押さえること
ができる。
の成型になるため、一次成形部の上面に二次成型時の樹
脂が及ぶことを少なくできる。よって、二次形成時の低
誘電率樹脂１８による信号ラインとグランドラインの間
隔を一定に保つことが出来る。また、信号ラインとグラ
ンドライン部分が一次成型で同時に成型できるため信号
ラインの両側の溝の間隔を一定に保つことができ、イン
ピーダンスの成型によるばらつきを小さく押さえること
ができる。
【００６６】図２２は、本発明の第１８の実施形態を示
す斜視図である。まず、一次成型として、図２２に示す
ようにリードフレーム２を通す部分にくぼみ５２を設け
たプラスチックパッケージ５をメッキ可能樹脂２０でイ
ンジェクション成型する。この時、リードフレーム２を
通すくぼみ５２以外の部分にプラスチックパッケージ５
を貫通する穴を形成する。これをスルーホール２２と呼
ぶ。この時スルーホール２２の直径は０．５ｍｍ程度と
する。
す斜視図である。まず、一次成型として、図２２に示す
ようにリードフレーム２を通す部分にくぼみ５２を設け
たプラスチックパッケージ５をメッキ可能樹脂２０でイ
ンジェクション成型する。この時、リードフレーム２を
通すくぼみ５２以外の部分にプラスチックパッケージ５
を貫通する穴を形成する。これをスルーホール２２と呼
ぶ。この時スルーホール２２の直径は０．５ｍｍ程度と
する。
【００６７】次に、成型したプラスチックパッケージ５
に、メッキを施すための前処理を行う。次に、二次成型
のための型に、リードフレーム２と一次成型部分とを組
み込む。次に、リードフレーム２とプラスチックパッケ
ージ５の間に、二次成型部分として低誘電率樹脂１８を
インジェクション成型する。次に、二次成型後に一次成
型部のメッキ前処理を施した部分に無電解メッキによっ
て金属メッキ４を施す。ここで、リードフレーム２が信
号ラインとなり、金属メッキ４部分がグランドラインと
なる。信号ラインとグランドラインとの間隔は、利用す
る信号の周波数と二次成型時の低誘電率樹脂１８の誘電
率を基にインピーダンスマッチングするように設計す
る。
に、メッキを施すための前処理を行う。次に、二次成型
のための型に、リードフレーム２と一次成型部分とを組
み込む。次に、リードフレーム２とプラスチックパッケ
ージ５の間に、二次成型部分として低誘電率樹脂１８を
インジェクション成型する。次に、二次成型後に一次成
型部のメッキ前処理を施した部分に無電解メッキによっ
て金属メッキ４を施す。ここで、リードフレーム２が信
号ラインとなり、金属メッキ４部分がグランドラインと
なる。信号ラインとグランドラインとの間隔は、利用す
る信号の周波数と二次成型時の低誘電率樹脂１８の誘電
率を基にインピーダンスマッチングするように設計す
る。
【００６８】本実施形態のように、スルーホール２２を
施すことによりパッケージ全面のグランドを共通するこ
とができる。よって、パッケージの下面にグランドの接
地面を持ってきてもパッケージ内部でグランドを取るこ
とが容易にできる。つまり、通常パッケージ内部でグラ
ンドを取る場合のグランド用リード配線を施さなくても
良い。また、リードフレーム２自体は、一次形成のメッ
キ前処理後に挿入するため、メッキ前処理によるエッチ
ングの影響を受けない。
施すことによりパッケージ全面のグランドを共通するこ
とができる。よって、パッケージの下面にグランドの接
地面を持ってきてもパッケージ内部でグランドを取るこ
とが容易にできる。つまり、通常パッケージ内部でグラ
ンドを取る場合のグランド用リード配線を施さなくても
良い。また、リードフレーム２自体は、一次形成のメッ
キ前処理後に挿入するため、メッキ前処理によるエッチ
ングの影響を受けない。
【００６９】図２３（ａ）は、本発明の第１９の実施形
態を示す斜視図である。図２３（ｂ）は本発明の第１９
の実施形態を示す断面図である。本発明の第１７の実施
形態ではパッケージ内部の配線を形成した。つまり、プ
ラスチックパッケージ５自体に信号ラインとグランドラ
インを形成した。
態を示す斜視図である。図２３（ｂ）は本発明の第１９
の実施形態を示す断面図である。本発明の第１７の実施
形態ではパッケージ内部の配線を形成した。つまり、プ
ラスチックパッケージ５自体に信号ラインとグランドラ
インを形成した。
【００７０】本実施形態では、一次成型として、プラス
チック内部の信号ラインとなる凸部５３と、外部への信
号ラインとなるリードフレーム２を通すための溝５４を
形成する。リードフレーム２を通すための溝５４は、プ
ラスチックパッケージ５内部の信号ライン下部に当たる
部分に形成する。凸部５３を形成するための一対の溝と
凸部５３の裏側に当たる部分に溝５４を形成したプラス
チックパッケージ５をインジェクション成型する。
チック内部の信号ラインとなる凸部５３と、外部への信
号ラインとなるリードフレーム２を通すための溝５４を
形成する。リードフレーム２を通すための溝５４は、プ
ラスチックパッケージ５内部の信号ライン下部に当たる
部分に形成する。凸部５３を形成するための一対の溝と
凸部５３の裏側に当たる部分に溝５４を形成したプラス
チックパッケージ５をインジェクション成型する。
【００７１】次に、プラスチックパッケージ５内部の信
号ラインとなる凸部５３にプラスチックパッケージ５を
貫通する穴を形成する。詳しくは、凸部５３とリードフ
レーム２を通すための溝５４との間を貫通させる。これ
をスルーホール２２と呼ぶ。この時、スルーホール２２
の直径は０．５ｍｍ程度とする。
号ラインとなる凸部５３にプラスチックパッケージ５を
貫通する穴を形成する。詳しくは、凸部５３とリードフ
レーム２を通すための溝５４との間を貫通させる。これ
をスルーホール２２と呼ぶ。この時、スルーホール２２
の直径は０．５ｍｍ程度とする。
【００７２】次に、成型したプラスチックパッケージ５
に、メッキを施すための前処理を行う。次に、二次成型
のための型に、リードフレーム２と一次成型部分とを組
み込む。詳しくは、凸部５３の裏側に当たる部分の溝５
４にリードフレーム２を組み込む。次に、プラスチック
パッケージ５の溝５４部へ、メッキを施さない低誘電率
の樹脂をインジェクション成型する。詳しくは、凸部５
３の両側の溝に充填する樹脂の上面は一次成型時の上面
より低く成型する。また、リードフレーム２を組み込ん
だ溝５４は、溝５４を埋め込み更に低誘電率樹脂１８で
一次成型部を覆うように形成する。
に、メッキを施すための前処理を行う。次に、二次成型
のための型に、リードフレーム２と一次成型部分とを組
み込む。詳しくは、凸部５３の裏側に当たる部分の溝５
４にリードフレーム２を組み込む。次に、プラスチック
パッケージ５の溝５４部へ、メッキを施さない低誘電率
の樹脂をインジェクション成型する。詳しくは、凸部５
３の両側の溝に充填する樹脂の上面は一次成型時の上面
より低く成型する。また、リードフレーム２を組み込ん
だ溝５４は、溝５４を埋め込み更に低誘電率樹脂１８で
一次成型部を覆うように形成する。
【００７３】次に、メッキ前処理を施した部分に、無電
解メッキによって金属メッキ４を施す。二本の溝に挟ま
れた凸部５４に施した金属メッキ４がプラスチックパッ
ケージ５内部の信号ラインとなる。プラスチックパッケ
ージ５内部の信号ライン以外のメッキを施された一次成
型部分は、グランドライン部となる。
解メッキによって金属メッキ４を施す。二本の溝に挟ま
れた凸部５４に施した金属メッキ４がプラスチックパッ
ケージ５内部の信号ラインとなる。プラスチックパッケ
ージ５内部の信号ライン以外のメッキを施された一次成
型部分は、グランドライン部となる。
【００７４】また、プラスチックパッケージ５内部の信
号ラインとグランド部との間の溝は、利用する信号の周
波数と二次成型時の樹脂の誘電率を基にインピーダンス
マッチングするように設計する。
号ラインとグランド部との間の溝は、利用する信号の周
波数と二次成型時の樹脂の誘電率を基にインピーダンス
マッチングするように設計する。
【００７５】本実施形態によって、二次成型で凸部５３
の両側の溝への成型は、一次成形部の上面に二次成型時
の樹脂が及ぶことを少なくできる。よって、二次形成時
の樹脂によるプラスチックパッケージ内部の信号ライン
とグランドラインの間隔を一定に保つことが出来る。ま
た、信号ラインとグランド部が一次成型で同時に成型で
きるためプラスチックパッケージ５内部の信号ラインの
両側の溝の間隔を一定に保つことができ、インピーダン
スの成型によるばらつきを小さく押さえることができ
る。また、リードフレーム２自体は、一次成型のメッキ
前処理後に挿入するため、メッキ前処理によるエッチン
グの影響を受けない。
の両側の溝への成型は、一次成形部の上面に二次成型時
の樹脂が及ぶことを少なくできる。よって、二次形成時
の樹脂によるプラスチックパッケージ内部の信号ライン
とグランドラインの間隔を一定に保つことが出来る。ま
た、信号ラインとグランド部が一次成型で同時に成型で
きるためプラスチックパッケージ５内部の信号ラインの
両側の溝の間隔を一定に保つことができ、インピーダン
スの成型によるばらつきを小さく押さえることができ
る。また、リードフレーム２自体は、一次成型のメッキ
前処理後に挿入するため、メッキ前処理によるエッチン
グの影響を受けない。
【００７６】図２４（ａ）は、本発明の第２０の実施形
態を示す斜視図である。図２４（ｂ）は図２４（ａ）の
ａ−ａでの断面を示す図である。図２４（ｃ）は図２４
（ａ）のｂ−ｂでの断面を示す図である。図２４（ｄ）
は、一次成型後のプラスチックパッケージを示す斜視図
である。
態を示す斜視図である。図２４（ｂ）は図２４（ａ）の
ａ−ａでの断面を示す図である。図２４（ｃ）は図２４
（ａ）のｂ−ｂでの断面を示す図である。図２４（ｄ）
は、一次成型後のプラスチックパッケージを示す斜視図
である。
【００７７】本実施形態は、プラスチックパッケージ内
部でのリードフレーム２と、メッキによる信号伝送路の
結合部に関するものである。図２４（ａ）のＡ部５５は
プラスチックパッケージ自体へのメッキによって、信号
伝送路を形成している部分である。図２４（ａ）のＢ部
５６は、リードフレーム２を信号伝送路として利用して
いる部分である。図２４（ａ）のＢ部のリードフレーム
２部分は、パッケージ外部の配線のための端子となる。
部でのリードフレーム２と、メッキによる信号伝送路の
結合部に関するものである。図２４（ａ）のＡ部５５は
プラスチックパッケージ自体へのメッキによって、信号
伝送路を形成している部分である。図２４（ａ）のＢ部
５６は、リードフレーム２を信号伝送路として利用して
いる部分である。図２４（ａ）のＢ部のリードフレーム
２部分は、パッケージ外部の配線のための端子となる。
【００７８】図２４（ｂ）のＡ部５５は、本発明の第１
７の実施形態と同様の構造である。図２４（ｃ）のＢ部
５６は、本発明の第１６の実施形態と同様の構造であ
る。まず、一次成型として、リードフレーム２を通す部
分にくぼみ５２を設けた部分と、信号ラインとなる凸部
５３を形成するために、一対の溝５８を形成したプラス
チックパッケージをインジェクション成型する。次に、
一次成型したプラスチックパッケージに、メッキを施す
ための前処理を行う。
７の実施形態と同様の構造である。図２４（ｃ）のＢ部
５６は、本発明の第１６の実施形態と同様の構造であ
る。まず、一次成型として、リードフレーム２を通す部
分にくぼみ５２を設けた部分と、信号ラインとなる凸部
５３を形成するために、一対の溝５８を形成したプラス
チックパッケージをインジェクション成型する。次に、
一次成型したプラスチックパッケージに、メッキを施す
ための前処理を行う。
【００７９】次に、図２４（ｄ）のように、Ａ部５５の
プラスチックパッケージ自体がメッキによって信号伝送
路になっている位置と、Ｂ部５６を形成した時のリード
フレーム２の位置が同じになるようにメッキ可能樹脂２
０でインジェクション成型する。詳しくは、二本の溝に
挟まれた凸部５３とリードフレーム２が一本のラインと
なるように設計する。ただし、プラスチックパッケージ
内部の信号ラインとグランド部との間の溝５８と、リー
ドフレーム２の信号ラインとグランド配線との間隔は、
利用する信号の周波数と二次成型時の樹脂の誘電率を基
にインピーダンスマッチングするように設計する次に、
二次成型用の型にリードフレーム２を設計した位置で合
わせる。次に、二次成型としてプラスチックパッケージ
の溝５８部とくぼみ５２とに、メッキを施さない低誘電
率樹脂１８をインジェクション成型する。詳しくは、溝
５８とくぼみ５２とに充填する樹脂の上面は一次成型時
の上面より低く成型する。この時、図２４（ａ）のＢ部
５６のリードフレーム２は、低誘電率樹脂１８で固定さ
れる。また、図２４（ａ）のＢ部５６には、プラスチッ
クパッケージの壁部になる部分も同時に成型しても良
い。次に、メッキ前処理を施した部分に、無電解メッキ
によって金属メッキ４を施す。
プラスチックパッケージ自体がメッキによって信号伝送
路になっている位置と、Ｂ部５６を形成した時のリード
フレーム２の位置が同じになるようにメッキ可能樹脂２
０でインジェクション成型する。詳しくは、二本の溝に
挟まれた凸部５３とリードフレーム２が一本のラインと
なるように設計する。ただし、プラスチックパッケージ
内部の信号ラインとグランド部との間の溝５８と、リー
ドフレーム２の信号ラインとグランド配線との間隔は、
利用する信号の周波数と二次成型時の樹脂の誘電率を基
にインピーダンスマッチングするように設計する次に、
二次成型用の型にリードフレーム２を設計した位置で合
わせる。次に、二次成型としてプラスチックパッケージ
の溝５８部とくぼみ５２とに、メッキを施さない低誘電
率樹脂１８をインジェクション成型する。詳しくは、溝
５８とくぼみ５２とに充填する樹脂の上面は一次成型時
の上面より低く成型する。この時、図２４（ａ）のＢ部
５６のリードフレーム２は、低誘電率樹脂１８で固定さ
れる。また、図２４（ａ）のＢ部５６には、プラスチッ
クパッケージの壁部になる部分も同時に成型しても良
い。次に、メッキ前処理を施した部分に、無電解メッキ
によって金属メッキ４を施す。
【００８０】次に、図２４（ａ）のＡ部５５のプラスチ
ックパッケージ自体が金属メッキ４によって信号伝送路
になっている部分と、図２４（ａ）のＢ部５６のリード
フレーム２を金線８でワイヤボンディングにより結線す
る。
ックパッケージ自体が金属メッキ４によって信号伝送路
になっている部分と、図２４（ａ）のＢ部５６のリード
フレーム２を金線８でワイヤボンディングにより結線す
る。
【００８１】図２４（ａ）のＡ部５５は、二本の溝に挟
まれ、メッキを施された凸部５３が信号ラインとなる。
信号ライン以外のメッキを施された一次成型部分は、グ
ランドライン部となる。Ｂ部５６は、リードフレーム２
部分が信号ラインとなり、一次成型部に施した、金属メ
ッキ４はグランドライン部となる。
まれ、メッキを施された凸部５３が信号ラインとなる。
信号ライン以外のメッキを施された一次成型部分は、グ
ランドライン部となる。Ｂ部５６は、リードフレーム２
部分が信号ラインとなり、一次成型部に施した、金属メ
ッキ４はグランドライン部となる。
【００８２】一次成型後、メッキ前処理を施すと成型部
品は、メッキ前処理液により多少エッチングされ、成型
時よりやせてしまう。このエッチング量は、多少ばらつ
きがある。しかし、リードフレーム２自体は一次形成の
メッキ前処理後に挿入するため、メッキ前処理によるエ
ッチングの影響を受けない。また、一次成型部と二次成
型部の上面に段差があるため、多少エッチングされても
一次成型部の上面に、二次成型部の樹脂が流れ込むこと
がない。このため、リードフレーム２とメッキ部までの
距離は一定に保たれる。つまり、信号ラインとグランド
ライン部との間隔を一定に保てるためインピーダンスも
一定に保つことが出来る。
品は、メッキ前処理液により多少エッチングされ、成型
時よりやせてしまう。このエッチング量は、多少ばらつ
きがある。しかし、リードフレーム２自体は一次形成の
メッキ前処理後に挿入するため、メッキ前処理によるエ
ッチングの影響を受けない。また、一次成型部と二次成
型部の上面に段差があるため、多少エッチングされても
一次成型部の上面に、二次成型部の樹脂が流れ込むこと
がない。このため、リードフレーム２とメッキ部までの
距離は一定に保たれる。つまり、信号ラインとグランド
ライン部との間隔を一定に保てるためインピーダンスも
一定に保つことが出来る。
【００８３】また、プラスチックパッケージ自体が金属
メッキ４によって信号伝送路になっている部分と、リー
ドフレーム２の信号伝送路が一本のラインとなるように
設計されているためＡ部５５とＢ部５６でのインピーダ
ンスのばらつきがなくなり、電気信号の反射を押さえる
ことができる。
メッキ４によって信号伝送路になっている部分と、リー
ドフレーム２の信号伝送路が一本のラインとなるように
設計されているためＡ部５５とＢ部５６でのインピーダ
ンスのばらつきがなくなり、電気信号の反射を押さえる
ことができる。
【００８４】図２５（ａ）は、本発明の第２１の実施形
態を示す図である。図２５（ｂ）は図２５（ａ）のｂ−
ｂでの断面を示す図である。図２５（ｃ）は、一次成型
後のプラスチックパッケージを示す斜視図である。
態を示す図である。図２５（ｂ）は図２５（ａ）のｂ−
ｂでの断面を示す図である。図２５（ｃ）は、一次成型
後のプラスチックパッケージを示す斜視図である。
【００８５】本実施形態は、プラスチックパッケージ内
部でのリードフレーム２と、金属メッキ４による信号伝
送路の結合部に関するものである。
部でのリードフレーム２と、金属メッキ４による信号伝
送路の結合部に関するものである。
【００８６】図２５（ａ）のＡ部５５はプラスチックパ
ッケージ自体が、金属メッキ４によって信号伝送路にな
っている部分である。図２５（ａ）のＢ部５６は、リー
ドフレーム２を信号伝送路として利用している部分であ
る。図２５（ａ）のＢ部のリードフレーム２部分は、パ
ッケージ外部の配線のための端子となる。本実施形態
は、図２５（ｂ）に示すように、Ａ部５５とＢ部５６の
結合部で、Ａ部５５にまでＢ部５６のリードフレーム２
を張り出させるものである。結合部の結合にワイヤボン
ディングが不要となる。
ッケージ自体が、金属メッキ４によって信号伝送路にな
っている部分である。図２５（ａ）のＢ部５６は、リー
ドフレーム２を信号伝送路として利用している部分であ
る。図２５（ａ）のＢ部のリードフレーム２部分は、パ
ッケージ外部の配線のための端子となる。本実施形態
は、図２５（ｂ）に示すように、Ａ部５５とＢ部５６の
結合部で、Ａ部５５にまでＢ部５６のリードフレーム２
を張り出させるものである。結合部の結合にワイヤボン
ディングが不要となる。
【００８７】まず、一次成型として、図２５（ｃ）に示
す様に、リードフレーム２を通す部分に段差部５７を設
けた部分と信号ラインとなる凸部５３を形成した、プラ
スチックパッケージをメッキ可能樹脂２０でインジェク
ション成型する。詳しくは、信号ラインとなる凸部５３
を形成するために一対の溝を形成し、図２５（ａ）のＡ
部と図２５（ａ）のＢ部との境にある凸部５３の形状
を、図２５（ａ）のＢ部から張り出したリードフレーム
２が収まる様にリードフレーム２の厚さの分だけ段差を
設けた段差部５７を形成する。つまり、二本の溝に挟ま
れた凸部５３とリードフレーム２が、組み込んだ時に一
本のラインとなるように設計する。詳しくは、プラスチ
ックパッケージ内部の信号ラインとグランドライン部と
の間の溝と、リードフレーム２の信号ラインとグランド
ライン部との間隔は、利用する信号の周波数と二次成型
時の樹脂の誘電率を基にインピーダンスマッチングする
ように設計する。
す様に、リードフレーム２を通す部分に段差部５７を設
けた部分と信号ラインとなる凸部５３を形成した、プラ
スチックパッケージをメッキ可能樹脂２０でインジェク
ション成型する。詳しくは、信号ラインとなる凸部５３
を形成するために一対の溝を形成し、図２５（ａ）のＡ
部と図２５（ａ）のＢ部との境にある凸部５３の形状
を、図２５（ａ）のＢ部から張り出したリードフレーム
２が収まる様にリードフレーム２の厚さの分だけ段差を
設けた段差部５７を形成する。つまり、二本の溝に挟ま
れた凸部５３とリードフレーム２が、組み込んだ時に一
本のラインとなるように設計する。詳しくは、プラスチ
ックパッケージ内部の信号ラインとグランドライン部と
の間の溝と、リードフレーム２の信号ラインとグランド
ライン部との間隔は、利用する信号の周波数と二次成型
時の樹脂の誘電率を基にインピーダンスマッチングする
ように設計する。
【００８８】次に、一次成型したプラスチックパッケー
ジに、メッキを施すための前処理を行う。次に、二次成
型用の型にリードフレーム２をＡ部５５の凸部５３の段
差部５７の位置に組み合わせる。次に、二次成型として
プラスチックパッケージの溝部に、メッキを施さない低
誘電率樹脂１８をインジェクション成型する。詳しく
は、溝に充填する樹脂の上面は一次成型時の上面より低
く成型する。この時、図２５（ａ）のＢ部のリードフレ
ーム２は、低誘電率の樹脂で固定される。また、図２５
（ａ）のＢ部には、プラスチックパッケージの壁部にな
る部分も同時に成型しても良い。次に、メッキ前処理を
施した部分に、無電解メッキによって金属メッキ４を施
す。よって、図２５（ａ）のＡ部５５は、二本の溝に挟
まれ、メッキを施された凸部５７が信号ラインとなる。
信号ライン以外のメッキを施された一次成型部分は、グ
ランドライン部となる。図２５（ａ）のＢ部５６は、リ
ードフレーム２部分が信号ラインとなり、一次成型部に
施した、金属メッキ４はグランドライン部となる。
ジに、メッキを施すための前処理を行う。次に、二次成
型用の型にリードフレーム２をＡ部５５の凸部５３の段
差部５７の位置に組み合わせる。次に、二次成型として
プラスチックパッケージの溝部に、メッキを施さない低
誘電率樹脂１８をインジェクション成型する。詳しく
は、溝に充填する樹脂の上面は一次成型時の上面より低
く成型する。この時、図２５（ａ）のＢ部のリードフレ
ーム２は、低誘電率の樹脂で固定される。また、図２５
（ａ）のＢ部には、プラスチックパッケージの壁部にな
る部分も同時に成型しても良い。次に、メッキ前処理を
施した部分に、無電解メッキによって金属メッキ４を施
す。よって、図２５（ａ）のＡ部５５は、二本の溝に挟
まれ、メッキを施された凸部５７が信号ラインとなる。
信号ライン以外のメッキを施された一次成型部分は、グ
ランドライン部となる。図２５（ａ）のＢ部５６は、リ
ードフレーム２部分が信号ラインとなり、一次成型部に
施した、金属メッキ４はグランドライン部となる。
【００８９】次に、図２５（ａ）のＡ部のプラスチック
パッケージ自体がメッキによって信号伝送路になってい
る部分と図２５（ａ）のＢ部のリードフレーム２は、金
属メッキ４によって結線される。つまり、ワイヤレスボ
ンディングとなる。そのため、ワイヤボンディングの金
線やＡｌ線によるインピーダンスの乱れがなくなる。ま
た、二次成型後のメッキ処理によって伝送路が結線、形
成されるため作製工程の削減もはかれる。一次成型後、
メッキ前処理を施すと成型部品は、メッキ前処理液によ
り多少エッチングされ、成型時よりやせてしまう。この
エッチング量は、多少ばらつきがある。しかし、リード
フレーム２自体は、一次形成のメッキ前処理後に挿入す
るため、メッキ前処理によるエッチングの影響を受けな
い。また、一次成型部と二次成型部の上面に段差がある
ため、多少エッチングされても、一次成型部の上面に、
二次成型部の樹脂が流れ込むことがない。このため、リ
ードフレーム２とメッキ部までの距離は、一定に保たれ
る。したがって信号ラインとグランド部との間隔を一定
に保てるためインピーダンスを一定に保つことが出来
る。
パッケージ自体がメッキによって信号伝送路になってい
る部分と図２５（ａ）のＢ部のリードフレーム２は、金
属メッキ４によって結線される。つまり、ワイヤレスボ
ンディングとなる。そのため、ワイヤボンディングの金
線やＡｌ線によるインピーダンスの乱れがなくなる。ま
た、二次成型後のメッキ処理によって伝送路が結線、形
成されるため作製工程の削減もはかれる。一次成型後、
メッキ前処理を施すと成型部品は、メッキ前処理液によ
り多少エッチングされ、成型時よりやせてしまう。この
エッチング量は、多少ばらつきがある。しかし、リード
フレーム２自体は、一次形成のメッキ前処理後に挿入す
るため、メッキ前処理によるエッチングの影響を受けな
い。また、一次成型部と二次成型部の上面に段差がある
ため、多少エッチングされても、一次成型部の上面に、
二次成型部の樹脂が流れ込むことがない。このため、リ
ードフレーム２とメッキ部までの距離は、一定に保たれ
る。したがって信号ラインとグランド部との間隔を一定
に保てるためインピーダンスを一定に保つことが出来
る。
【００９０】また、プラスチックパッケージ自体がメッ
キによって信号伝送路になっている部分と、リードフレ
ーム２の信号伝送路が一本のラインとなるように設計さ
れているためＡ部５５とＢ部５６でのインピーダンスの
ばらつきがなくなり、電気信号の反射を押さえることが
できる。
キによって信号伝送路になっている部分と、リードフレ
ーム２の信号伝送路が一本のラインとなるように設計さ
れているためＡ部５５とＢ部５６でのインピーダンスの
ばらつきがなくなり、電気信号の反射を押さえることが
できる。
【００９１】図２６（ａ）は、本発明の第２２の実施形
態を示す図である。図２６（ｂ）は金属製の蓋２４で封
入後を示す断面図である。本実施形態は、本発明でのプ
ラスチックパッケージ５を封入するための金属製の蓋２
４との結合部に関するものである。プラスチックパッケ
ージ５の封入時に抵抗溶接である、シーム溶接を用い
る。
態を示す図である。図２６（ｂ）は金属製の蓋２４で封
入後を示す断面図である。本実施形態は、本発明でのプ
ラスチックパッケージ５を封入するための金属製の蓋２
４との結合部に関するものである。プラスチックパッケ
ージ５の封入時に抵抗溶接である、シーム溶接を用い
る。
【００９２】まず、図２６（ａ）の様に、プラスチック
パッケージ５の側壁の上面部にシーム溶接用の金具をイ
ンサート成型で設ける。詳しくは、プラスチックパッケ
ージ５の側壁の上面部分に、プラズチックパッケージの
側壁部の上面部分と同じ大きさの、断面がＬ字型の金具
をインサート成形する。この断面がＬ字型の金属をシー
ム溶接用金具２３と呼ぶ。詳しくは、プラスチックパッ
ケージ５の側壁の上面部分の、厚さ０．８ｍｍの部分に
シーム溶接用金具２３をインサート成形する。シーム溶
接用金具２３の断面の厚さは０．５ｍｍ程度である。プ
ラスチックパッケージ５の外周部分と、インサート後の
シーム溶接用金具２３のプラスチックパッケージ５の外
周に当たる部分は、段差のない面となる。
パッケージ５の側壁の上面部にシーム溶接用の金具をイ
ンサート成型で設ける。詳しくは、プラスチックパッケ
ージ５の側壁の上面部分に、プラズチックパッケージの
側壁部の上面部分と同じ大きさの、断面がＬ字型の金具
をインサート成形する。この断面がＬ字型の金属をシー
ム溶接用金具２３と呼ぶ。詳しくは、プラスチックパッ
ケージ５の側壁の上面部分の、厚さ０．８ｍｍの部分に
シーム溶接用金具２３をインサート成形する。シーム溶
接用金具２３の断面の厚さは０．５ｍｍ程度である。プ
ラスチックパッケージ５の外周部分と、インサート後の
シーム溶接用金具２３のプラスチックパッケージ５の外
周に当たる部分は、段差のない面となる。
【００９３】次に、シーム溶接用金具２３の露出部して
いる部分に金属メッキ４を施す。この時、シーム溶接用
金具２３にもメッキを施す。次に、シーム溶接用金具２
３の上に金属製のプラスチックパッケージ５の蓋２４を
セットする。次に、金属製の蓋２４とシーム溶接用金具
２３をシーム溶接する。
いる部分に金属メッキ４を施す。この時、シーム溶接用
金具２３にもメッキを施す。次に、シーム溶接用金具２
３の上に金属製のプラスチックパッケージ５の蓋２４を
セットする。次に、金属製の蓋２４とシーム溶接用金具
２３をシーム溶接する。
【００９４】通常、パッケージ内部に半導体レーザ素子
等を実装した時は、一般のトランスファーモールド法で
成型する。しかし、樹脂の周りに高温の液状化した樹脂
が直接素子の周りを覆うことになる。この場合、樹脂の
線膨張係数と素子の線膨張係数の違いが大きいため、素
子に応力がかかり続け素子の劣化を招く。また、パッケ
ージの蓋２４を接着剤等で固定すると、水分がパッケー
ジ内部に入り込んでしまう。一般に、気密性を保持する
ために利用されるシーム溶接は、信頼性が高い。現在、
最高品質を謳うセラミックパッケージの多くの物に用い
られている。
等を実装した時は、一般のトランスファーモールド法で
成型する。しかし、樹脂の周りに高温の液状化した樹脂
が直接素子の周りを覆うことになる。この場合、樹脂の
線膨張係数と素子の線膨張係数の違いが大きいため、素
子に応力がかかり続け素子の劣化を招く。また、パッケ
ージの蓋２４を接着剤等で固定すると、水分がパッケー
ジ内部に入り込んでしまう。一般に、気密性を保持する
ために利用されるシーム溶接は、信頼性が高い。現在、
最高品質を謳うセラミックパッケージの多くの物に用い
られている。
【００９５】本実施形態では、パッケージを樹脂で構成
する際、インサート成型により、シーム溶接用金具２３
を同時に成型することができる。プラスチックパッケー
ジ５にメッキを施す際にシーム溶接用金具２３も同時に
メッキを施すことによって、シーム溶接時の通電が良く
なりシーム溶接時の発熱量を小さくすることができる。
この様に、発熱量を小さくすることによってプラスチッ
クパッケージ５でもシーム溶接が可能となる。更に、プ
ラスチックパッケージ５をシーム溶接によって封入する
ことによって、セラミックパッケージと同等の高気密性
を保つことができる。
する際、インサート成型により、シーム溶接用金具２３
を同時に成型することができる。プラスチックパッケー
ジ５にメッキを施す際にシーム溶接用金具２３も同時に
メッキを施すことによって、シーム溶接時の通電が良く
なりシーム溶接時の発熱量を小さくすることができる。
この様に、発熱量を小さくすることによってプラスチッ
クパッケージ５でもシーム溶接が可能となる。更に、プ
ラスチックパッケージ５をシーム溶接によって封入する
ことによって、セラミックパッケージと同等の高気密性
を保つことができる。
【００９６】図２７（ａ）は、本発明の第２３の実施形
態を示す断面図である。図２７（ｂ）は、本実施形態に
おける蓋２４の加工後を示す斜視図である。本実施形態
は、本発明におけるプラスチックパッケージの金属製の
蓋２４部分に関するものである。
態を示す断面図である。図２７（ｂ）は、本実施形態に
おける蓋２４の加工後を示す斜視図である。本実施形態
は、本発明におけるプラスチックパッケージの金属製の
蓋２４部分に関するものである。
【００９７】金属製の蓋２４は図２７（ｂ）に示すよう
に、厚さは０．５ｍｍ程度である。また、蓋２４の両面
に形成する樹脂部分の、樹脂の厚さは０．５ｍｍ程度と
する。詳しくは、金属製の蓋２４が、シーム溶接に使用
される部分以外に、メッキ可能樹脂１９を用いて、樹脂
部分ををインサート成型する。
に、厚さは０．５ｍｍ程度である。また、蓋２４の両面
に形成する樹脂部分の、樹脂の厚さは０．５ｍｍ程度と
する。詳しくは、金属製の蓋２４が、シーム溶接に使用
される部分以外に、メッキ可能樹脂１９を用いて、樹脂
部分ををインサート成型する。
【００９８】次に、成型した蓋２４全面に金メッキを施
す。次に、メッキを施した蓋２４を、本発明の第２２の
実施形態と同様に、プラスチックパッケージのシーム溶
接用金具２３へシーム溶接する。シーム溶接される部分
は樹脂部がないので、シーム溶接は、問題なく行える。
図２７（ａ）に示す様に完全に密閉される。また、樹脂
部の厚みがあるため、外部の熱がパッケージ内部に及ぶ
のを遮断できる。更に、メッキが施されているため外部
からの熱を反射させる。そのため、温度特性が良く、外
部の温度変化に対し安定した特性を保つことができる。
す。次に、メッキを施した蓋２４を、本発明の第２２の
実施形態と同様に、プラスチックパッケージのシーム溶
接用金具２３へシーム溶接する。シーム溶接される部分
は樹脂部がないので、シーム溶接は、問題なく行える。
図２７（ａ）に示す様に完全に密閉される。また、樹脂
部の厚みがあるため、外部の熱がパッケージ内部に及ぶ
のを遮断できる。更に、メッキが施されているため外部
からの熱を反射させる。そのため、温度特性が良く、外
部の温度変化に対し安定した特性を保つことができる。
【００９９】図２８は、本発明の第２４の実施形態を示
す断面図である。本実施形態は、本発明におけるプラス
チックパッケージの金属製の蓋２４部分に関するもので
ある。本発明の第２３の実施形態で、金属製の蓋２４部
分に形成する樹脂部分に関するものである。
す断面図である。本実施形態は、本発明におけるプラス
チックパッケージの金属製の蓋２４部分に関するもので
ある。本発明の第２３の実施形態で、金属製の蓋２４部
分に形成する樹脂部分に関するものである。
【０１００】まず、金属製の蓋２４の縁部分以外の両面
に、樹脂部分を設ける。詳しくは、金属製の蓋２４のう
ちプラスチックパッケージの外側になる部分には、厚さ
０．５ｍｍ程度となる様に低誘電率樹脂１９でインジェ
クション成型する。また、パッケージの内側になる部分
の樹脂部は、パッケージ内のキャビティー部分を埋める
ように低誘電率樹脂１９でインジェクション成型する。
詳しくは、プラスチックパッケージ内の素子等の上面と
の隙間が、０．２ｍｍ程度となる様な樹脂部分を形成す
る。
に、樹脂部分を設ける。詳しくは、金属製の蓋２４のう
ちプラスチックパッケージの外側になる部分には、厚さ
０．５ｍｍ程度となる様に低誘電率樹脂１９でインジェ
クション成型する。また、パッケージの内側になる部分
の樹脂部は、パッケージ内のキャビティー部分を埋める
ように低誘電率樹脂１９でインジェクション成型する。
詳しくは、プラスチックパッケージ内の素子等の上面と
の隙間が、０．２ｍｍ程度となる様な樹脂部分を形成す
る。
【０１０１】次に、成型した蓋２４全面に金属メッキ４
を施す。次に、金属メッキ４を施した蓋２４を、本発明
の第２２の実施形態と同様に、プラスチックパッケージ
のシーム溶接用金具２３へシーム溶接する。シーム溶接
される部分は樹脂部分がないのでシーム溶接は、問題な
く行える。図２８に示す様に完全に密閉される。
を施す。次に、金属メッキ４を施した蓋２４を、本発明
の第２２の実施形態と同様に、プラスチックパッケージ
のシーム溶接用金具２３へシーム溶接する。シーム溶接
される部分は樹脂部分がないのでシーム溶接は、問題な
く行える。図２８に示す様に完全に密閉される。
【０１０２】この様に、シーム溶接を施した後のプラス
チックパッケージの内部は、素子等の近傍までメッキを
施した樹脂で囲むことになる。メッキを施した樹脂は、
シーム溶接によってパッケージ外部のメッキ部および配
線を通して接地される。そのため、パッケージ内部の素
子に対してグランドラインを近づけることになる。高周
波を伝送するような、パッケージでは、内部キャビティ
ーを少量にすることで、信号反射を抑制して波形歪みに
よる誤作動を抑制することができる。また、従来は金属
を切削しキャビティー部を埋める切片を挿入していた
が、本実施形態を用いれば樹脂で、一体成型でき更に切
削では、成型しにくい複雑な形状も成型できる。また、
蓋２４に形成する樹脂部分を、カーボンの粉末もしくは
導電性のフィラが混入されていて、導電性を持つメッキ
可能樹脂で形成しても良い。以上のように本発明では、
光伝送モジュールへの適用における実施形態を示してい
るが、受光モジュール、電界吸収型光モジュールについ
ても適用可能である。
チックパッケージの内部は、素子等の近傍までメッキを
施した樹脂で囲むことになる。メッキを施した樹脂は、
シーム溶接によってパッケージ外部のメッキ部および配
線を通して接地される。そのため、パッケージ内部の素
子に対してグランドラインを近づけることになる。高周
波を伝送するような、パッケージでは、内部キャビティ
ーを少量にすることで、信号反射を抑制して波形歪みに
よる誤作動を抑制することができる。また、従来は金属
を切削しキャビティー部を埋める切片を挿入していた
が、本実施形態を用いれば樹脂で、一体成型でき更に切
削では、成型しにくい複雑な形状も成型できる。また、
蓋２４に形成する樹脂部分を、カーボンの粉末もしくは
導電性のフィラが混入されていて、導電性を持つメッキ
可能樹脂で形成しても良い。以上のように本発明では、
光伝送モジュールへの適用における実施形態を示してい
るが、受光モジュール、電界吸収型光モジュールについ
ても適用可能である。
【０１０３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、信号ラインのリードフレーム２端子がインピーダ
ンスマッチングした構造であるので、高周波信号が効率
よく通せるようになり、また、パッケージの小型化が可
能となる効果がある。
れば、信号ラインのリードフレーム２端子がインピーダ
ンスマッチングした構造であるので、高周波信号が効率
よく通せるようになり、また、パッケージの小型化が可
能となる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施形態を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施形態を示す図である。
【図５】本発明の第５の実施形態を示す図である。
【図６】本発明の第６の実施形態を示す図である。
【図７】本発明の第７の実施形態を示す図である。
【図８】本発明の第８の実施形態を示す図である。
【図９】本発明の第８の実施形態を示す図である。
【図１０】本発明の第８の実施形態を示す図である。
【図１１】本発明の第９の実施形態を示す図である。
【図１２】本発明の第９の実施形態を示す図である。
【図１３】本発明の第１０の実施形態を示す図である。
【図１４】本発明の第１１の実施形態を示す図である。
【図１５】本発明の第１２の実施形態を示す図である。
【図１６】本発明の第１３の実施形態を示す図である。
【図１７】本発明の第１３の実施形態を示す図である。
【図１８】本発明の第１４の実施形態を示す図である。
【図１９】本発明の第１５の実施形態を示す図である。
【図２０】本発明の第１６の実施形態を示す図である。
【図２１】本発明の第１７の実施形態を示す図である。
【図２２】本発明の第１８の実施形態を示す図である。
【図２３】本発明の第１９の実施形態を示す図である。
【図２４】本発明の第２０の実施形態を示す図である。
【図２５】本発明の第２１の実施形態を示す図である。
【図２６】本発明の第２２の実施形態を示す図である。
【図２７】本発明の第２３の実施形態を示す図である。
【図２８】本発明の第２４の実施形態を示す図である。
１、リード端子 ２、リードフレーム ３、底辺部 ４、金属メッキ ５、プラスチックパッケージ ６、壁部 ７、半導体レーザ ８、金線 ９、ダイスボンド １０、Ｖ溝 １１、溝 １２、基板 １３、ポリイミド １４、クラッド部 １５、配線パターン １６、光伝送コア部 １７、接着剤 １８、低誘電率樹脂 １９、メッキ可能樹脂 ２０、メッキ可能樹脂（カーボン・フィラ入り） ２１、メッキを施さない樹脂 ２２、スルーホール ２３、シーム溶接用金具 ２４、蓋 ５１、凸部 ５２、くぼみ ５３、凸部 ５４、溝 ５５、Ａ部 ５６、Ｂ部 ５７、段差部
Claims (31)
- 【請求項１】 リードフレーム上に半導体光素子がダイ
スボンドされ、半導体光素子の周辺部にあるボンディン
グパッドと前記リードフレームのリード端子とをワイヤ
ボンディングし、前記リードフレームの下面に樹脂で底
辺部を形成し、外部との配線のためのリード部分と半導
体光素子部分とリード電極とを除き樹脂で前記底辺部に
形成した樹脂とで封入したプラスチックパッケージを用
いたことを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項２】 リードフレーム上に半導体光素子がダイ
スボンドされ、半導体光素子の周辺部にあるボンディン
グパッドと前記リードフレームのリード端子とをワイヤ
ボンディングし、前記リードフレームの下面に樹脂で底
辺部を形成し、外部との配線のためのリード部分と半導
体光素子部分とリード電極とを除き樹脂で前記底辺部に
形成した樹脂とで封入し、表面のリード端子以外の部分
へ金属メッキを施したプラスチックパッケージを用いた
ことを特徴とする光伝送モジュール - 【請求項３】 前記リードフレームに４２アロイ又は銅
材を用いたことを特徴とする請求項1記載の光伝送モジ
ュール。 - 【請求項４】 前記プラスチックパッケージの外部との
配線のための前記リードフレームと挟み込む様に形成し
た前記樹脂と前記樹脂上に施した金属メッキとで、コプ
レーナライン状の導体パターンとなっていることを特徴
とする、請求項1、２又は３記載の光伝送モジュール。 - 【請求項５】 前記リードフレームと前記樹脂表面の金
属メッキまでの距離で、インピーダンスが５０Ωになる
ような厚みにしたことを特徴とする請求項１、２、３又
は４記載の光伝送モジュール。 - 【請求項６】 前記リードフレームの上面と前記底辺部
の樹脂の上面を一致させ平坦化して金属メッキを施し、
前記金属メッキにて配線パターンを形成していることを
特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の光伝送モ
ジュール。 - 【請求項７】 前記リード端子間の樹脂の中間に溝を設
け、金属メッキを施したことを特徴とする請求項１から
６のいずれかに記載の光伝送モジュール。 - 【請求項８】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチッ
クパッケージであって、前記プラスチックパッケージの
内側となる部分に、配線パターンと半導体レーザ素子を
配置する部分を金属メッキで形成し、前記配置する部分
の金属メッキ上に半導体レーザ素子をダイスボンドし、
前記半導体レーザ素子と前記金属メッキで形成された配
線パターンとをワイヤボンデングし、前記プラスチック
パッケージは、外部との接続のために、前記配線パター
ンに連続した金属メッキが施されている前記プラスチッ
クパッケージを用いることを特徴とする光伝送モジュー
ル。 - 【請求項９】 基板表面に金属メッキを施し、前記金属
メッキ上に半導体レーザ素子をダイスボンドし、前記半
導体レーザ部分以外の前記金属メッキ上面にポリイミド
でクラッド部を形成し、前記クラッド部上に金属メッキ
で配線パターン部とポリイミドで光伝送路コア部を形成
し、前記配線パターン部と、前記光伝送路コア部とを、
更にポリイミドで挟み込むように形成し、前記ポリイミ
ド上に金属メッキを施した部分を備えたプラスチックパ
ッケージを用いることを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項１０】 前記基板に、シリコン、セラミック又
は、ガラス材を用いたことを特徴とする請求項７記載の
光伝送モジュール。 - 【請求項１１】 前記ポリイミドで形成された光伝送路
コア部の端面をパケージの光入出力窓として使用したこ
とを特徴とする請求項９又は１０記載の光伝送モジュー
ル。 - 【請求項１２】 光伝送モジュール用のプラスチックパ
ッケージであって、基板上にメッキ可能樹脂で底辺部が
形成され、前記底辺部に金属メッキによって形成された
配線と、ダイスボンドした半導体レーザ素子とを備え、
前記金属メッキの配線を前記メッキ可能樹脂で上下から
挟み込むように形成し、前記メッキ可能樹脂下面に前記
基板を位置させ、前記メッキ可能樹脂上面にはメッキ処
理を施した部分を有する前記プラスチックパッケージを
用いたことを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項１３】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージであって、リードフレームの側面および
下部のみメッキ可能樹脂より誘電率が低い低誘電率樹脂
で形成し、前記低誘電率樹脂の周りを前記メッキ可能樹
脂で形成し、前記メッキ可能樹脂にメッキ処理を施した
信号伝送路を有する前記プラスチックパッケージを用い
たことを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項１４】 前記低誘電率樹脂が前記リードフレー
ム上面からリードフレーム下面方向に向かって少なくと
も一部が末広形状をしていることを特徴とする請求項１
３記載の光伝送モジュール。 - 【請求項１５】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの壁部で、リードフレームの周辺をメッ
キ可能樹脂より誘電率が低い低誘電率樹脂で形成し、前
記リードフレームを外部との信号の配線として備え、前
記メッキ可能樹脂の少なくとも前記低誘電率樹脂の周り
にメッキ処理を施した前記プラスチックパッケージを用
いたことを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項１６】 前記プラスチックパッケージの壁部に
形成された外部との信号の配線のリードフレームと低誘
電率樹脂とメッキ可能樹脂とでコプレーナライン状の導
体パターンになっていることを特徴とする，請求項１３
から１５のいずれかに記載の光伝送モジュール。 - 【請求項１７】 前記メッキ可能樹脂に導電性の粉末を
混入させたものを用いたことを特徴とする、請求項１３
から１６のいずれかに記載の光伝送モジュール。 - 【請求項１８】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの壁部内のリードフレームを、外部のリ
ードフレームより幅広にし、前記壁部内のリードフレー
ムの幅広部分の中央部に穴を形成し、前記中央部の穴に
低誘電率の樹脂を流し込み、前記壁部内へ固定したこと
を特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項１９】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの壁部内のリードフレームを、壁部外の
リードフレームの幅より細くし、前記壁部内のリードフ
レームを低誘電率樹脂で囲むように形成し、前記リード
フレームを前記壁部内へ固定したことを特徴とする光伝
送モジュール。 - 【請求項２０】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの壁部内に形成された信号伝送路が、信
号配線用のリードフレームと低誘電率樹脂とメッキ可能
樹脂とでコプレーナライン状の導体パターンになってい
ることを特徴とする、前記請求項１８から１９のいずれ
かに記載の光伝送モジュール。 - 【請求項２１】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージにおいて前記メッキ可能樹脂にリードフ
レームを通すための溝を形成し、前記リードフレームを
低誘電率樹脂で前記溝に固定した信号伝送路が形成され
ているプラスチックを用いることを特徴とする光伝送モ
ジュール。 - 【請求項２２】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの前記メッキ可能樹脂に前記リードフレ
ームを通すための溝を形成し、前記リードフレームの側
面と下面を低誘電率樹脂で前記溝の内部へ固定し、前記
メッキ可能樹脂がメッキされ、前記リードフレームと前
記低誘電率樹脂と前記メッキ可能樹脂とでコプレーナラ
イン状の導体パターンになっていることを特徴とする光
伝送モジュール。 - 【請求項２３】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの内部に信号伝送路用の凸部のために一
対の溝を形成し、溝部分へ低誘電率樹脂を充填し、前記
メッキ可能樹脂にメッキを施し、前記メッキ可能樹脂上
のメッキと前記低誘電率樹脂と信号伝送路のメッキを施
した凸部とがコプレーナライン状の導体パターンになっ
ている前記プラスチックパッケージを用いることを特徴
とする光伝送モジュール。 - 【請求項２４】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージのメッキを施した面同士を通電させるた
めに、前記プラスチックパッケージの前記メッキを施し
た面同士を貫通させた、スルーホールのメッキを介して
通電させることを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項２５】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの片面に施したメッキと反対側の面に形
成したリードフレームとの通電を、前記リードフレーム
の背面から前記プラスチックパッケージを貫通したスル
ーホールのメッキを介して行うことを特徴とする光伝送
モジュール。 - 【請求項２６】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの前記メッキ可能樹脂に信号伝送路用の
凸部を一対の溝によって形成され、前記溝部に低誘電率
樹脂を充填し、前記メッキ可能樹脂にメッキを施した信
号伝送路部分と、前記メッキ可能樹脂に信号伝送路のリ
ードフレームを通すための溝を形成し、前記リードフレ
ームを低誘電率樹脂で前記溝部へ固定した部分が形成さ
れ、前記メッキ可能樹脂にメッキ部分が形成され、前記
リードフレームと前記メッキ可能樹脂にメッキを施した
信号伝送路部分と、前記低誘電率樹脂とメッキを施した
前記メッキ可能樹脂とで形成されたコプレーナライン状
の導体パターンとを備え、信号伝送路の前記リードフレ
ームと前記メッキ可能樹脂にメッキを施した信号伝送路
部分がワイヤーボンディングによって接続されているこ
とを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項２７】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの前記メッキ可能樹脂に信号伝送路用の
凸部を一対の溝よって形成し、前記溝部の縁の下まで低
誘電率樹脂を充填し、前記メッキ可能樹脂にメッキを施
した信号伝送路部分と、前記メッキ可能樹脂に信号伝送
路のリードフレームを通すための溝を形成し、前記リー
ドフレームを低誘電率樹脂で前記溝部へ固定し、前記メ
ッキ可能樹脂にメッキを形成し、前記メッキ可能樹脂に
メッキを施した信号伝送路部分にリードフレームが挿入
されるためのくぼみがあり、前記リードフレームをくぼ
み部分に挿入し、前記リードフレームと前記メッキ可能
樹脂にメッキを施した信号伝送路部分とがメッキによっ
て接続するよう形成されていること、前記リードフレー
ムと前記メッキ可能樹脂にメッキを施した信号伝送路部
分と前記低誘電率樹脂とメッキを施した前記メッキ可能
樹脂とで形成されたコプレーナライン状の導体パターン
になっていることを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項２８】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの壁部の上面にシーム溶接用の金具を一
体成型し、前記シーム溶接用の金具にメッキが施され、
金属製の蓋がシーム溶接されていることを特徴とする光
伝送モジュール。 - 【請求項２９】 メッキ可能樹脂で形成されたプラスチ
ックパッケージの壁部の上面にシーム溶接用の金具を一
体成型し、前記プラスチックパッケージの壁部と上面と
前記シーム溶接用の金具とにメッキが施され、金属製の
蓋がシーム溶接されていることを特徴とする光伝送モジ
ュール。 - 【請求項３０】 請求項２９記載の光伝送モジュールに
おいて、金属製の蓋の上下面にメッキ可能樹脂で凸部を
形成したことを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項３１】 請求項３０記載の光伝送モジュールに
おいて、金属製の蓋の外側になる部分へ、メッキ可能樹
脂で凸部を形成し、金属製の蓋の内側になる部分へ、実
装される内部構造に応じ前記内部構造を回避する凹部
を、メッキ可能樹脂で形成されていることを特徴とする
光伝送モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37350299A JP3910774B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 光伝送モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37350299A JP3910774B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 光伝送モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001189515A true JP2001189515A (ja) | 2001-07-10 |
| JP3910774B2 JP3910774B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=18502273
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37350299A Expired - Fee Related JP3910774B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 光伝送モジュール |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268405A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Dow Corning Toray Co Ltd | 光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法 |
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| US7352052B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| JP2009051512A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 梱包ケース |
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| JP2016111240A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | 株式会社フジクラ | 半導体素子収容筐体、半導体モジュール、及び半導体素子収容筐体の製造方法 |
| WO2021059805A1 (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37350299A patent/JP3910774B2/ja not_active Expired - Fee Related
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