JP6158341B2 - 発光装置、および、発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置、および、発光装置の製造方法 Download PDF

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本発明は、金属材料からなる基体を含む金属基板部上に絶縁層を備えた発光装置用基板、これを用いた発光装置、および、発光装置用基板の製造方法に関するものである。
従来、電子装置としては、電子回路基板を有するものが知られている。電子回路基板は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）に代表される発光素子、熱電素子等の電子素子が配置されるものである。
上記電子回路基板の一例として、金属基板の上に絶縁層が形成されているものが知られている。例えば、特許文献１には、基体にセラミック塗料を塗布し、焼成してこの基体に被膜を形成する技術が開示されている。
日本国公開特許公報「特開昭５９−１４９９５８号公報（１９８４年８月２８日公開）」
大出力の発光装置を実現するためには、発光素子等にて発生する熱に対する放熱性を高める必要がある。ここで、従来使用されているセラミック基板は熱伝導性が良好でない。このため、発光装置では、従来使用されているセラミック基板より熱伝導性の高い金属基板を使用する必要がある。
ここで、金属基板の上に発光素子を搭載するためには、配線パターン形成のため、金属基板の上に絶縁層を設けなくてはならない。また、発光装置において光利用効率を向上させるため、この絶縁層は、高い熱伝導性に加えて、高い光反射性を有している必要がある。
しかしながら、発光装置の電子回路基板において従来絶縁層として使用されている有機レジストでは、十分な熱伝導性、耐熱性、および耐光性が得られない。
また、光利用効率を向上させるためには、絶縁層を介して金属基板側に漏れる光を反射させる必要があるが、従来の有機レジストを絶縁層として用いた構成では十分な光反射性が得られない。
特許文献１には、放熱性および光利用効率に対する言及がない。
本発明は、上記の課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、高い放熱性、および高い光利用効率を実現することを可能とする発光装置用基板、これを用いた発光装置、および、発光装置用基板の製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、金属の基板を少なくとも有している金属基板部と、上記金属基板部の上に形成された、熱伝導性を有する第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層の上に形成された、光反射性を有する第２の絶縁層と、発光素子と、上記第２の絶縁層の内部に埋め込まれ、上記発光素子の電極を電気的に接続する箇所が露出した電極端子部と、該発光素子を駆動するための外部電源と接続するための電極であるアノード電極およびカソード電極とを有する配線パターンとを備え、上記発光素子は、上記第２の絶縁層の上に形成され、フリップチップボンディングにより上記電極端子部と電気的に接続され、上記第１の絶縁層は、上記第２の絶縁層よりも高い熱伝導性を有しており、上記第２の絶縁層は、上記第１の絶縁層よりも高い光反射性を有しており、上記電極端子部の直下にある上記配線パターンの部分の第１の厚み、ならびに上記アノード電極および上記カソード電極の直下にある上記配線パターンの部分の第２の厚みは、上記第２の絶縁層の直下にある上記配線パターンの部分の第３の厚みより大きく、上記アノード電極および上記カソード電極は上記第２の絶縁層から露出し、発光装置の断面視において、上記電極端子部は第１電極端子部と第２電極端子部とを有しており、該第１電極端子部と該第２電極端子部との間に、上記配線パターンがなく上記第２の絶縁層が充填されていることを特徴としている。
また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、金属の基板を少なくとも有している金属基板部と、上記金属基板部の上に形成された、熱伝導性および光反射性を有する絶縁層と、発光素子と、上記絶縁層の内部に埋め込まれ、上記発光素子の電極を電気的に接続する箇所が露出した電極端子部と、該発光素子を駆動するための外部電源と接続するための電極であるアノード電極およびカソード電極とを有する配線パターンとを備え、上記発光素子は、上記絶縁層の上に形成され、フリップチップボンディングにより上記電極端子部と電気的に接続され、上記電極端子部の直下にある上記配線パターンの部分の第１の厚み、ならびに上記アノード電極および上記カソード電極の直下にある上記配線パターンの部分の第２の厚みは、上記絶縁層の直下にある上記配線パターンの部分の第３の厚みより大きく、上記アノード電極および上記カソード電極は上記絶縁層から露出し、発光装置の断面視において、上記電極端子部は第１電極端子部と第２電極端子部とを有しており、該第１電極端子部と該第２電極端子部との間に、上記配線パターンがなく上記絶縁層が充填されていることを特徴としている。
また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、アルミニウムからなる基板に、陽極酸化処理を行うことで、上記基板の表面にアルマイト保護層を形成し、金属基板部を製造する工程と、セラミック粒子を含有させて熱伝導性を高めたエポキシ系樹脂をシート状に加工したものと、銅からなる金属シートと、を貼り合わせて得られる複合シートを、上記金属基板部に貼り合わせて、導電層および第１の絶縁層を形成する工程と、上記導電層から、エッチングにより、配線パターンを形成する工程と、上記第１の絶縁層および上記配線パターンの上に、上記第１の絶縁層よりも低い熱伝導性を有すると共に上記第１の絶縁層よりも高い光反射性を有する第２の絶縁層を塗布により形成し、さらに発光素子の電極と電気的に接続させる上記配線パターンの電極端子部と、該発光素子を駆動するための外部電源と接続するための電極であるアノード電極およびカソード電極とを露出させる工程と、上記電極端子部を金属メッキによって被覆する工程と、上記第２の絶縁層の上に、フリップチップボンディングにより、上記発光素子と上記電極端子部とを電気的に接続する工程と、を含んでおり、上記電極端子部の直下にある上記配線パターンの部分の第１の厚み、ならびに上記アノード電極および上記カソード電極の直下にある上記配線パターンの部分の第２の厚みは、上記第２の絶縁層の直下にある上記配線パターンの部分の第３の厚みより大きく、発光装置の断面視において、上記電極端子部は第１電極端子部と第２電極端子部とを有しており、該第１電極端子部と該第２電極端子部との間に、上記配線パターンがなく上記第２の絶縁層が充填されていることを特徴としている。
本発明の各態様によれば、高い放熱性、および高い光利用効率を実現することが可能となるという効果を奏する。
本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。 図１に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、アルミニウム基板の上に高放熱セラミック層を形成する工程を示している。 図１に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、高放熱セラミック層の上にエッチングフレームを貼り付ける工程を示している。 図１に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、高放熱セラミック層およびエッチングフレームの上に高反射セラミック層を形成する工程を示している。 図１に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、高反射セラミック層の表面を研磨する直前の工程を示している。 図１に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、研磨が完了した様子を示している。 本発明の別の実施の形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。 図７に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、アルミニウム基板の上にＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）シートを設ける工程を示している。 図７に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、エッチングフレームを用意する工程を示している。 図７に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、ＰＦＡシートに対してエッチングフレームを高温プレスする工程を示している。 図７に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、図１０に示す高温プレスの最中の様子を示している。 本発明のさらに別の実施の形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。 図１２に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）シートと銅基板および銅板とを融着する工程を示している。 図１２に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、図１３に示す融着の最中の様子を示している。 図１２に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、銅板をエッチングしてエッチングフレームを形成する工程を示している。 図１２に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、ＰＴＦＥシートおよびエッチングフレームの上に無機レジスト層を形成する工程を示している。 図１２に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、ＬＥＤチップとエッチングフレームとを電気的に接続する工程を示している。 上記発光装置の応用例および別の応用例を示す平面図である。 上記応用例を示す断面図である。 上記別の応用例を示す断面図である。 図１８に示す発光装置の変形例の主要部を示す平面図である。 本発明のコンセプトを説明する図である。 本発明のコンセプトを説明する図である。 本発明のコンセプトを説明する図である。 本発明のさらに別の実施の形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。 図２５に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、アルマイト保護層によって被覆されたアルミニウム基板と銅板とにより、硬化反応進行前のエポキシ系樹脂シートを挟み込む工程を示している。 図２５に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、エポキシ系樹脂シートと銅板およびアルマイト保護層によって被覆されたアルミニウム基板とを接着する工程を示している。 図２５に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、銅板をエッチングしてエッチングフレームを形成する工程を示している。 図２５に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、エポキシ系樹脂シートおよびエッチングフレームの上に無機レジスト層を形成する工程を示している。 図２５に示す発光装置の製造方法を示す断面図であり、ＬＥＤチップとエッチングフレームとを電気的に接続する工程を示している。 本発明に係る発光装置を備えた照明装置の構成を示す図である。 リフレクターの形状を示す正面断面図である。
〔実施の形態１〕
本発明の一実施の形態について説明する。
図１は、本実施の形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。
図１に示す発光装置１００は、アルミニウム基板１、高放熱セラミック層２、エッチングフレーム３、高反射セラミック層４、およびＬＥＤチップ５を備えている。アルミニウム基板１、高放熱セラミック層２、エッチングフレーム３、および高反射セラミック層４が、発光装置用基板に対応する。
アルミニウム基板（金属基板部）１は、熱伝導性が高い基板である。アルミニウム基板１のかわりに、同じく熱伝導性が高い銅基板が用いられてもよい。なお、アルミニウム基板１は、安価であり、加工が容易であり、かつ雰囲気湿度に強いという利点がある。アルミニウム基板１の外形形状は、特に限定されない。
高放熱セラミック層（第１の絶縁層）２は、アルミニウム基板１の上に形成されている。高放熱セラミック層２は、アルミニウム基板１における一方の面の側に設けられているとも言える。高放熱セラミック層２は、アルミニウム基板１に対して印刷法により塗布された高放熱セラミック塗料１２（図２参照）が、乾燥および焼成を経ることにより形成されている。高放熱セラミック層２は、電気絶縁性および高い熱伝導性を有しており、高い光反射性を有していてもよい。高放熱セラミック塗料１２の具体例としては、窒化アルミニウム系セラミック塗料、アルミナ系セラミック塗料、ジルコニア系セラミック塗料が挙げられるがこれに限定されず、電気絶縁性および高い熱伝導性を有していればよい。また、これらの塗料に混ぜるバインダの原料として、ゾルゲル法等によりガラスを合成するシロキサン結合を含むガラス系の原料を使用したり、樹脂の原料を使用したりする。
エッチングフレーム（配線パターン）３（図３参照）は、例えば銅からなる薄板をエッチングしてなる配線パターンである。エッチングフレーム３は、高放熱セラミック層２の上に形成されている。
高反射セラミック層（第２の絶縁層）４は、高放熱セラミック層２およびエッチングフレーム３の上に形成されている。高反射セラミック層４は、高放熱セラミック層２およびエッチングフレーム３に対して印刷法により塗布された高反射セラミック塗料１４（図４参照）が、乾燥および焼成を経ることにより形成されている（図５参照）。高反射セラミック層４は、電気絶縁性および高い光反射性を有している。高反射セラミック塗料１４の具体例としては、ジルコニア系セラミック塗料が挙げられるがこれに限定されず、電気絶縁性および高い光反射性を有していればよい。
高反射セラミック層４のバインダは、ゾルゲル法によって合成されるシロキサン結合を含むガラス系のバインダであったり、樹脂であったりしてもよい。高反射セラミック層４の乾燥および焼成温度は、高放熱セラミック層２の乾燥および焼成温度より低いことが好ましい。
特に、注意が必要なのは、高放熱セラミック層２に樹脂バインダを用い、高反射セラミック層４にゾルゲル法によって合成されるガラス系バインダを用いる場合である。ゾルゲル法によって合成されるガラス系バインダの乾燥および焼成は、通常２５０℃〜５００℃の高温で行われる。これに対し、熱硬化性樹脂の硬化温度および耐熱温度は通常２００℃以下であることから、高放熱セラミック層２に樹脂バインダを用いる場合には、その耐熱性に注意する必要がある。
このため、高放熱セラミック層２に樹脂バインダを用いる場合、高反射セラミック層４に焼成温度が高いガラス系バインダを用いることは回避し、高反射セラミック層４に樹脂バインダを用いるのが好ましい。
ＬＥＤチップ（発光素子）５は、パッケージ化されており、フリップチップボンディングにより、エッチングフレーム３と電気的に接続されている。図１には２個のＬＥＤチップ５を図示しているが、ＬＥＤチップ５の個数はこれに限定されない。
図２〜図６は、発光装置１００の製造方法を示す断面図である。
第１の工程として、図２に示すように、アルミニウム基板１の上に高放熱セラミック塗料１２を印刷し、乾燥させ、焼成し、高放熱セラミック層２を形成する。
ここで、高放熱セラミック層２の厚みは、２５μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましい。これにより、高放熱セラミック層２においてクラックの発生を抑制しつつ、アルミニウム基板１とエッチングフレーム３とを確実に絶縁することができる。
第２の工程として、図３に示すように、高放熱セラミック層２の上にエッチングフレーム３を貼り付ける。
第３の工程として、図４に示すように、高放熱セラミック層２およびエッチングフレーム３の上に高反射セラミック塗料１４を印刷し、乾燥させ、焼成し、高反射セラミック層４を形成する。
第４の工程として、図５に示す高反射セラミック層４の表面を研磨する。研磨が完了した様子を図６に示している。研磨が完了した時点では、エッチングフレーム３におけるＬＥＤチップ５との接続部分（電極端子部）は露出している。さらには、電極端子部が分割されている。
ここで、高反射セラミック層４の厚みは、２０μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましい。これにより、十分良好な電気絶縁性および光反射性を実現することができる。
最後の工程として、図１に示すように、フリップチップボンディングにより、ＬＥＤチップ５とエッチングフレーム３とを電気的に接続する。
これにより、発光装置１００において、発光部分の面積を小さくすることができる。そして、該発光部分とリフレクターとを近接させて設けることができる。この結果、リフレクターとの光結合効率を向上させることができる。また、ＬＥＤチップ５の集積化が可能であり、該集積化により、発光部分の直径を（例えば、４７ｍｍから２７ｍｍに）小さくすることができる。この結果、高出力化かつ光スポットの小径化が可能であり、スポットライトに最適な発光装置１００を実現することができる。
発光装置１００では、高放熱セラミック層２の上にエッチングフレーム３が直接形成されている。これにより、ＬＥＤチップ５等にて発生した熱を、エッチングフレーム３および高放熱セラミック層２を介してアルミニウム基板１に効率的に放熱することが可能である。
エッチングフレーム３の底面積（エッチングフレーム３が高放熱セラミック層２と接している部分の面積：図１参照）をＬＥＤチップ５の総数で除した値を、ＬＥＤチップ５の電極の底面積に対して十分広くするのが好ましい。これにより、ＬＥＤチップ５が発生した熱を、エッチングフレーム３および高放熱セラミック層２を介してアルミニウム基板１に放熱することが、より効率的に行えるようになる。これは、本実施の形態に係るエッチングフレーム３は、例えば銅によって形成されており、高放熱セラミック層２よりもさらに熱伝導率が高くなっていることによる。ＬＥＤチップ５の電極と接するエッチングフレーム３で十分に熱を拡散させた上で、高放熱セラミック層２を介してアルミニウム基板１に熱が流れることで、高放熱セラミック層２を通過する熱が受ける熱抵抗を下げることができる。
より具体的には、エッチングフレーム３の底面積をＬＥＤチップ５の総数で除した値が、１個のＬＥＤチップ５の電極の底面積に対して５倍以上である場合、高効率の放熱効果が顕著に確認されている。換言すれば、エッチングフレーム３からなる配線パターンの底面積の総和が、フリップチップボンディングにより発光装置１００に搭載されている全てのＬＥＤチップ５の裏面電極の底面積の総和に対し、少なくとも５倍（５倍以上）になるようにするとよい。これにより、高放熱セラミック層２を介してアルミニウム基板１へ効率的に放熱させることが可能であると言える。
さらに、発光装置１００では、高放熱セラミック層２およびエッチングフレーム３の上に高反射セラミック層４が形成されている。これにより、光利用効率を向上させることが可能である。
本実施の形態では、高放熱セラミック層２および高反射セラミック層４を印刷法により形成する例を示したが、印刷法のかわりにスプレー法により高放熱セラミック層２および高反射セラミック層４を塗布し、乾燥および焼成して形成してもよい。
〔実施の形態２〕
本発明の別の実施の形態について説明する。
図７は、本実施の形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。
図７に示す発光装置２００は、アルミニウム基板１、ＰＦＡシート１０２、エッチングフレーム３、およびＬＥＤチップ５を備えている。つまり、発光装置１００に対して、発光装置２００は、高放熱セラミック層２および高反射セラミック層４のかわりに、ＰＦＡシート１０２を備えている。アルミニウム基板１、ＰＦＡシート１０２、およびエッチングフレーム３が、発光装置用基板に対応する。
アルミニウム基板１、エッチングフレーム３、およびＬＥＤチップ５については、それぞれ、図１に示す発光装置１００のそれらと同じものである。
ただし、高放熱セラミック層２および高反射セラミック層４のかわりにＰＦＡシート１０２を備えていることに伴い、発光装置２００では、エッチングフレーム３がＰＦＡシート１０２の内部に埋め込まれている。
ＰＦＡシート（絶縁層）１０２は、アルミニウム基板１の上に形成されている。ＰＦＡシート１０２は、アルミニウム基板１における一方の面の側に設けられているとも言える。ＰＦＡシート１０２は、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体と呼ばれる４フッ化エチレン樹脂（ＰＦＡ）からなるシートである。ＰＦＡシート１０２は、耐熱性、耐薬品性、非粘着性、および自己潤滑性等を有している。また、ＰＦＡシート１０２は、電気絶縁性、ならびに高い熱伝導性および光反射性を有している。
図８〜図１１は、発光装置２００の製造方法を示す断面図である。
第１の工程として、図８に示すように、別々に準備したアルミニウム基板１とＰＦＡシート１０２とを高温で圧縮（高温プレス）することで、アルミニウム基板１の上にＰＦＡシート１０２を設ける。アルミニウム基板１にＰＦＡシート１０２を高温で融着させるには、３００℃以上の高温が必要である。
ここで用いるＰＦＡは、そのままでは、熱伝導率も光反射率も低いため、熱伝導性および光反射性に優れた絶縁体であるセラミック粒子を混ぜることで熱伝導率および光反射率を改善することができる。このような目的で用いられるセラミック材料として代表的なものは、アルミナ、酸化チタン、ジルコニア、窒化アルミニウム等である。光反射率の高い代表的なセラミックとしては、アルミナ、酸化チタン、ジルコニア等が挙げられ、熱伝導率の高い代表的なセラミックとしては、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。ＰＦＡシート１０２に熱伝導性と光反射性とを同時に付与するために、セラミック粒子として、例えばアルミナと酸化チタンとを同時にＰＦＡに混ぜてもよい。セラミック粒子の組み合わせはこれに限定されるものではなく、目的に応じた任意の組み合わせが可能である。
第２の工程として、図９に示すように、エッチングフレーム３を用意する。この時点では、ＰＦＡシート１０２にエッチングフレーム３を設けてはいない。
第３の工程として、図１０に示すように、ＰＦＡシート１０２の上から、ＰＦＡシート１０２に対してエッチングフレーム３を高温プレスする。高温プレスの最中の様子を図１１に示している。この高温プレスは、例えば３５０℃の温度にて行われる。高温プレスが完了すると、エッチングフレーム３はＰＦＡシート１０２の内部に埋め込まれる。高温プレスが完了した時点では、エッチングフレーム３におけるＬＥＤチップ５との接続部分は露出している。但し、この時点で該接続部分の各々は繋がっているので、例えばＰＦＡシート１０２の上層部分と各接続部分とを同時に研磨することで、各接続部分を電気的に分離して配線パターンとすることができる。
ここで、ＰＦＡシート１０２の厚みは、７０μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましい。これにより、十分良好な電気絶縁性、熱伝導性、および光反射性を実現することができる。
最後の工程として、図７に示すように、フリップチップボンディングにより、ＬＥＤチップ５とエッチングフレーム３とを電気的に接続する。
目的に応じ、エッチングフレーム３におけるＬＥＤチップ５との接続部分は、メッキで覆ってもよい。例えば、ＡｕＳｎ共晶ハンダを使用してフリップチップボンディングを行う場合、該接続部分は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ等のメッキによって被覆されているのが好ましい。エッチングフレーム３を覆うＰＦＡシート１０２は、耐薬品性が高いため、メッキ液によって浸食されることは無く、該接続部分以外のエッチングフレーム３の部分にもメッキが析出することが無いため、工数の削減が可能となる。
発光装置２００では、ＰＦＡシート１０２の内部にエッチングフレーム３が埋め込まれている。これにより、ＬＥＤチップ５等にて発生した熱を、エッチングフレーム３およびＰＦＡシート１０２を介してアルミニウム基板１に効率的に放熱することが可能である。
さらに、発光装置２００では、ＰＦＡシート１０２の内部にエッチングフレーム３が埋め込まれている。これにより、光利用効率を向上させることが可能である。
なお、上記の各実施の形態に係るアルミニウム基板１は、アルミニウムからなっていてもよいし、アルミニウムを主成分として他の材質を含んでいてもよい。すなわち、アルミニウム基板１は、アルミニウム基板１を構成する材料の主成分が、アルミニウムであれば十分である。
また、発光装置２００は、絶縁層がＰＦＡシート１０２の１層だけとなるので、絶縁層を設けるための工数の削減が可能となる。
〔実施の形態３〕
本発明のさらに別の実施の形態について説明する。
図１２は、本実施の形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。
図１２に示す発光装置３００は、銅基板２０１、ＰＴＦＥシート２０２、エッチングフレーム２０３、無機レジスト層２０４、ＬＥＤチップ５、接着剤２０６、およびヒートシンク２０７を備えている。銅基板２０１、ＰＴＦＥシート２０２、エッチングフレーム２０３、および無機レジスト層２０４が、発光装置用基板に対応する。
銅基板（金属基板部）２０１は、熱伝導性が高いフレキシブル基板である。銅基板２０１のかわりに、同じく熱伝導性が高いアルミニウム基板が用いられてもよい。銅基板２０１の外形形状は、特に限定されない。
ＰＴＦＥシート（第１の絶縁層）２０２は、銅基板２０１の上に形成されている。ＰＴＦＥシート２０２は、銅基板２０１における一方の面の側に設けられているとも言える。ＰＴＦＥシート２０２は、ポリテトラフルオロエチレンというフッ素樹脂原料の結合によって得られるフッ素樹脂（ＰＴＦＥ）からなるシートである。ＰＴＦＥシート２０２は、電気絶縁性および高い熱伝導性を有するセラミック粒子が適宜添加されていることにより、電気絶縁性および高い熱伝導性を有している。
エッチングフレーム（配線パターン）２０３は、例えば銅からなる薄板（後述する銅板２１３を参照）をエッチングしてなる配線パターンである。エッチングフレーム２０３は、ＰＴＦＥシート２０２の上に形成されている。
無機レジスト層（第２の絶縁層）２０４は、ＰＴＦＥシート２０２およびエッチングフレーム２０３の上に形成されている。無機レジスト層２０４は、ＰＴＦＥシート２０２およびエッチングフレーム２０３に対して塗布された無機レジスト塗料（無機物をバインダとする塗料）から形成されている。無機レジスト層２０４は、電気絶縁性および高い光反射性を有している。一例として、無機レジスト層２０４として、シリコーン樹脂をバインダとして、アルミナまたは酸化チタンのセラミック粒子を混ぜた光反射層を形成することができる。当然のことではあるが、アルミナおよび酸化チタン等の異なる種類のセラミック粒子を複数種類同時にシリコーン樹脂に混ぜたうえで光反射層を形成してもよい。
ＬＥＤチップ５は、エッチングフレーム２０３と電気的に接続されており、発光装置１００または２００のそれと同じものである。
接着剤２０６は、銅基板２０１とヒートシンク２０７とを接着するものである。接着剤２０６として、高い放熱性を有している接着剤を用いている。接着剤２０６の替わりに、放熱グリースを使用してもよい。
ヒートシンク２０７は、発光装置３００において発生した熱を吸収し、発光装置３００の外部に放出する放熱手段である。ヒートシンク２０７は、銅基板２０１における他方の面の側に設けられているとも言える。
なお、上述した発光装置１００および２００においても、発光装置３００と同様に、アルミニウム基板１とヒートシンク２０７とを接着剤２０６または放熱グリースにより接着してもよい。
図１３〜図１７は、発光装置３００の製造方法を示す断面図である。
第１の工程として、図１３に示すように、銅基板２０１と銅板２１３とによりＰＴＦＥシート２０２を挟み込み、ＰＴＦＥシート２０２と銅基板２０１および銅板２１３とを融着する。銅基板２０１および銅板２１３にＰＴＦＥシート２０２を融着させるためには、３００℃以上の高温が必要である。融着の最中の様子を図１４に示している。
ＰＴＦＥシート２０２と銅基板２０１および銅板２１３との密着強度を高めるためには、銅基板２０１および銅板２１３におけるＰＴＦＥシート２０２と接する面を、ブラスト処理等により、融着前に粗面化するのが好ましい。
ここで、ＰＴＦＥシート２０２の厚みは、２５μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましい。
ここで用いるＰＴＦＥは、そのままでは熱伝導率が低いため、熱伝導性に優れた絶縁体であるセラミック粒子を混ぜることで熱伝導率を高めてもよい。このような目的で、例えば、ＰＴＦＥに窒化アルミニウムまたはアルミナを混ぜてシート状に加工することで、熱伝導率の高いＰＴＦＥシート２０２を得ている。
第２の工程として、図１５に示すように、銅板２１３をエッチングしてエッチングフレーム２０３を形成する。これにより、エッチングフレーム２０３は、ＰＴＦＥシート２０２の上に形成されることとなる。ＰＴＦＥシート２０２は耐薬品性が高いため、銅板２１３のエッチングに際しては、銅基板２０１のみを耐薬品性の保護シート２０５で覆えばよい。
第３の工程として、図１６に示すように、ＰＴＦＥシート２０２およびエッチングフレーム２０３の上に無機レジスト塗料を塗布し、乾燥させ、焼成し、無機レジスト層２０４を形成する。この時点では、エッチングフレーム２０３のうち、ＬＥＤチップ５との接続部分（電極端子部）も無機レジスト層２０４によって被覆されたままである。この電極端子部を覆う無機レジスト層２０４を研磨で除去し、電極端子部を露出させる。
ここで、無機レジスト層２０４の厚みは、２０μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましい。これにより、十分良好な電気絶縁性および光反射性を実現することができる。
第４の工程として、図１７に示すように、フリップチップボンディングにより、ＬＥＤチップ５とエッチングフレーム２０３とを電気的に接続する。
このとき、実施の形態２と同様の目的に応じ、エッチングフレーム２０３におけるＬＥＤチップ５との接続部分は、メッキで覆ってもよい。ＰＴＦＥシート２０２、およびエッチングフレーム２０３を覆う無機レジスト層２０４は、耐薬品性に優れている。このため、第１の絶縁層（ＰＴＦＥシート２０２）および第２の絶縁層（無機レジスト層２０４）はメッキ液によって浸食されることは無く、該接続部分以外のエッチングフレーム２０３の部分にもメッキが析出することが無いため、工数の削減が可能となる。
最後の工程として、図１２に示すように、接着剤２０６により、銅基板２０１とヒートシンク２０７とを接着する。ヒートシンク２０７は、銅基板２０１における、ＰＴＦＥシート２０２等が設けられる面の反対側の面に設けられる。
発光装置３００では、ＰＴＦＥシート２０２の上にエッチングフレーム２０３が直接形成されている。これにより、ＬＥＤチップ５等にて発生した熱を、エッチングフレーム２０３、ＰＴＦＥシート２０２、銅基板２０１、および接着剤２０６を介して、ヒートシンク２０７に効率的に放熱することが可能である。
実施の形態１でも既に言及したとおり、エッチングフレーム２０３の底面積（エッチングフレーム２０３がＰＴＦＥシート２０２と接している部分の面積：図１２参照）を、ＬＥＤチップ５の電極の底面積に対して十分広くすることで、効率的な放熱が可能となる。このような構造によれば、ＬＥＤチップ５で発生した熱を、ＬＥＤチップ５の電極と接する熱伝導率の高いエッチングフレーム２０３で十分に拡散させた上で、ＰＴＦＥシート２０２を介して銅基板２０１に流すことができる。このため、ＰＴＦＥシート２０２の熱伝導率がエッチングフレーム２０３の熱伝導率に対して低い場合であっても、ＰＴＦＥシート２０２を通過する熱が受ける熱抵抗を下げることができ、効率的な放熱が可能となる。実際、本実施の形態では、エッチングフレーム２０３は銅で形成されていることから、ＰＴＦＥシート２０２の熱伝導率は、エッチングフレーム２０３の熱伝導率よりも低くなっている。
実施の形態１と同様の理由により、エッチングフレーム２０３からなる配線パターンの底面積の総和が、フリップチップボンディングにより発光装置３００に搭載されている全てのＬＥＤチップ５の裏面電極の底面積の総和に対し、少なくとも５倍（５倍以上）になるようにするとよい。これにより、ＰＴＦＥシート２０２を介して銅基板２０１へ効率的に放熱させることが可能であると言える。
さらに、発光装置３００では、ＰＴＦＥシート２０２およびエッチングフレーム２０３の上に無機レジスト層２０４が形成されている。これにより、光利用効率を向上させることが可能である。
なお、上記の実施の形態に係る銅基板２０１は、銅からなっていてもよいし、銅を主成分として他の材質を含んでいてもよい。すなわち、銅基板２０１は、銅基板２０１を構成する材料の主成分が、銅であれば十分である。
無機レジスト層２０４として、例えば、シリコーン樹脂に酸化チタンまたはアルミナといった白色系のセラミックを混入させたものを使用してもよい。当然のことではあるが、アルミナおよび酸化チタン等の異なる種類のセラミック粒子を複数種類同時にシリコーン樹脂に混ぜたうえで光反射層を形成してもよい。
また、無機レジスト層２０４のかわりに高反射セラミック層４を用いてもよい。
〔実施の形態４〕
本発明のさらに別の実施の形態について説明する。
図２５は、本実施の形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。
図２５に示す発光装置８００は、アルミニウム基板３０１、アルマイト保護層３１１、エポキシ系樹脂シート３０２、エッチングフレーム３０３、無機レジスト層３０４、ＬＥＤチップ５、放熱グリース３０６、およびヒートシンク３０７を備えている。アルミニウム基板３０１、アルマイト保護層３１１、エポキシ系樹脂シート３０２、エッチングフレーム３０３、および無機レジスト層３０４が、発光装置用基板に対応する。
発光装置８００は、アルミニウム基板３０１の周囲がアルマイト保護層３１１によって全面被覆されたものである。封孔処理が施されたアルマイト保護層３１１は、耐候性、耐環境性だけでなく、耐薬品性にも優れている。このため、アルマイト保護層３１１は、完成品に対する保護膜として機能するばかりではなく、発光装置８００の製造工程にあっては、酸性またはアルカリ性を示すエッチング液またはメッキ液によるアルミニウム基板３０１の浸食を防ぐ。
アルミニウム基板３０１の外形形状は特に限定されない。
エポキシ系樹脂シート（第１の絶縁層）３０２は、アルミニウム基板３０１の上に直接形成してもよい。しかしながら、アルミニウム基板３０１に陽極酸化処理を行い、アルミニウム基板３０１の全面をアルマイト保護層３１１によって被覆した上で、エポキシ系樹脂シート３０２をアルマイト保護層３１１に貼り合わせることが、製造プロセスの簡便性の観点から好ましい。
エポキシ系樹脂シート３０２は、アルミニウム基板３０１における一方の面の側に設けられているとも言える。
エポキシ系樹脂は、本来、電気絶縁性は高いものの熱伝導性が低いため、このままでは放熱性は低い。これに対して、エポキシ系樹脂に高い電気絶縁性および熱伝導性を有するセラミック粒子を適宜添加した上でシート状に加工することで、電気絶縁性および高い熱伝導性を有するエポキシ系樹脂シート３０２を実現している。
エッチングフレーム（配線パターン）３０３は、例えば銅からなる薄板（後述する銅板３１３を参照）をエッチングしてなる配線パターンである。エッチングフレーム３０３は、電気絶縁性および高い熱伝導性を備えたエポキシ系樹脂シート３０２の上に形成されている。
無機レジスト層（第２の絶縁層）３０４は、エポキシ系樹脂シート３０２およびエッチングフレーム３０３の上に形成されている。無機レジスト層３０４は、エポキシ系樹脂シート３０２およびエッチングフレーム３０３に対して塗布された無機レジスト塗料（無機物をバインダとする塗料）から形成されている。無機レジスト層３０４は、電気絶縁性および高い光反射性を有している。一例として、無機レジスト層３０４として、シリコーン樹脂をバインダとして、アルミナまたは酸化チタンのセラミック粒子を混ぜた光反射層を形成することができる。当然のことではあるが、アルミナおよび酸化チタン等の異なる種類のセラミック粒子を複数種類同時にシリコーン樹脂に混ぜたうえで光反射層を形成してもよい。
ＬＥＤチップ５は、エッチングフレーム３０３と電気的に接続されており、発光装置１００、２００、または３００のＬＥＤチップ５と同じものである。
放熱グリース３０６は、アルミニウム基板３０１を被覆するアルマイト保護層３１１とヒートシンク３０７とを熱的に接続するものである。
ヒートシンク３０７は、発光装置８００において発生した熱を吸収し、発光装置８００の外部に放出する放熱部材である。図面では省略しているが、ヒートシンク３０７は、通常、放熱フィンで表面積を広げることで放熱性を高めている。ヒートシンク３０７は、アルミニウム基板３０１における他方の面の側に設けられていると言える。
図２６〜図３０は、発光装置８００の製造方法を示す断面図である。
第１の工程として、図２６に示すように、アルマイト保護層３１１によって被覆されたアルミニウム基板３０１（金属基板部）と銅板３１３とにより、硬化反応進行前のエポキシ系樹脂シート３０２を挟み込み、圧力を加えながら高温で樹脂の硬化反応を進行させる。すると、エポキシ系樹脂シート３０２が硬化することで、エポキシ系樹脂シート３０２と銅板３１３およびアルマイト保護層３１１によって被覆されたアルミニウム基板３０１とが接着する。接着させる最中の様子を図２７に示している。
エポキシ系樹脂シート３０２と銅板３１３との密着強度を高めるためには、エポキシ系樹脂シート３０２と接する銅板３１３の面を、ブラスト処理等により、接着前に粗面化するのが好ましい。
ここで、エポキシ系樹脂シート３０２の厚みは、２５μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましい。
なお、アルミニウム基板３０１と銅板３１３との密着強度を高めるため、エポキシ系樹脂シート３０２と接するアルミニウム基板３０１の面を、ブラスト処理、あるいは、酸やアルカリによる薬品処理等により、接着前に粗面化することも好ましい。この方法は、アルミニウム基板３０１の表面がアルマイト保護層３１１によって被覆されている、被覆されていないに関係なく、密着強度を高める手法として有効である。
エポキシ系樹脂シート３０２で用いるエポキシ系樹脂は、そのままでは熱伝導率が低いため、熱伝導性に優れた絶縁体であるセラミック粒子を混ぜることで熱伝導率を改善することができる。このような目的で、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ等のセラミック粒子をエポキシ系樹脂に混ぜてシート状に加工することで、熱伝導率の高い硬化反応進行前のエポキシ系樹脂シート３０２が得られる。これを、アルミニウム基板３０１を被覆するアルマイト保護層３１１に押しつけながら、例えば１８０℃程度の高温で樹脂硬化反応を促進させることにより、熱伝導率の高い硬化したエポキシ系樹脂シート３０２が、アルマイト保護層３１１上に形成される。
本工程では、エポキシ系樹脂シート３０２とアルマイト保護層３１１および銅板３１３とを同時に接着しているが、貼り合わせる方法はこれに限定されない。例えば、エポキシ系樹脂シート３０２と銅板３１３とを予め圧着した複合シートを準備した上で、高温プレス機を用いてこの複合シートをアルマイト保護層３１１に貼り合わせてもよい。最終的に図２７に示す層構造を形成することができればよい。
第２の工程として、図２８に示すように、銅板（導電体）３１３をエッチングしてエッチングフレーム３０３を形成する。これにより、エッチングフレーム３０３は、熱伝導率の高いエポキシ系樹脂シート３０２の上に形成されることとなる。エポキシ系樹脂シート３０２は耐薬品性が高く、銅板３１３のエッチングに際しては、エポキシ系樹脂シート３０２がエッチング液に浸食されることは無い。
アルマイト保護層３１１によって被覆されたアルミニウム基板３０１は、耐薬品性が高いため、むき出しの（アルマイト保護層３１１の無い）アルミニウム基板１または銅基板２０１のように、新たに耐薬品性の保護シートで覆う必要が無い。
アルミニウムは、陽極酸化処理および封孔処理を施すことによって、その表面にアルマイトの保護膜を安価かつ容易に形成することができる。アルマイトからなる保護膜は、上記のとおり耐薬品性に優れているため、発光装置の製造工程にあっては、エッチング液およびメッキ液に対する保護膜として機能する。一方、アルマイトからなる保護膜は、耐環境性および耐候性にも優れているため、完成品の発光装置における保護膜としても機能する。このため、金属基板部の材料として、アルミニウムの表面をアルマイトによって被覆したものを用いるのが好ましい。
第３の工程として、図２９に示すように、エポキシ系樹脂シート３０２およびエッチングフレーム３０３の上に無機レジスト塗料を塗布し、乾燥させ、焼成し、無機レジスト層３０４を形成する。この時点では、エッチングフレーム３０３におけるＬＥＤチップ５との接続部分（電極端子部）も無機レジスト層３０４によって被覆されたままである。この電極端子部を覆う無機レジスト層３０４を研磨で除去し、電極端子部を露出させる。
ここで、無機レジスト層３０４の厚みは、２０μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましい。これにより、十分良好な電気絶縁性および光反射性を実現することができる。
第４の工程として、図３０に示すように、フリップチップボンディングにより、ＬＥＤチップ５とエッチングフレーム３０３とを電気的に接続する。
このとき、実施の形態２および３と同様の目的に応じ、エッチングフレーム３０３におけるＬＥＤチップ５との接続部分は、メッキで覆ってもよい。エポキシ系樹脂シート３０２、およびエッチングフレーム３０３を覆う無機レジスト層３０４は、耐薬品性に優れており、さらにアルミニウム基板３０１もアルマイト保護層３１１によって被覆されている。このため、金属基板部ならびに第１および第２の絶縁層はいずれもメッキ液によって浸食されることは無く、ＬＥＤチップ５との接続部分以外のエッチングフレーム３０３の部分にもメッキが析出されることが無い（該接続部分のみに効率的にメッキを析出させることができる）ため、工数の削減が可能となる。
最後の工程として、図２５に示すように、放熱グリース３０６により、アルミニウム基板３０１の表面に形成されたアルマイト保護層３１１とヒートシンク３０７とを接着する。ヒートシンク３０７は、アルミニウム基板３０１における、エポキシ系樹脂シート３０２等が設けられる面の反対側の面に設けられる。
発光装置８００では、エポキシ系樹脂シート３０２の上にエッチングフレーム３０３が直接形成されている。これにより、ＬＥＤチップ５等にて発生した熱を、エッチングフレーム３０３、エポキシ系樹脂シート３０２、アルマイト保護層３１１、アルミニウム基板３０１、アルマイト保護層３１１、および放熱グリース３０６を介して、ヒートシンク３０７に効率的に放熱することが可能となる。
さらに、発光装置８００では、エポキシ系樹脂シート３０２およびエッチングフレーム３０３の上に無機レジスト層３０４が形成されている。これにより、光利用効率を向上させることが可能である。
なお、アルミニウム基板３０１は、アルミニウムからなっていてもよいし、アルミニウムを主成分として他の材質を含んでいてもよい。要するに、その表面にアルマイト保護層３１１を形成するのに十分なアルミニウムが、アルミニウム基板３０１を構成する材料の成分として含有されていれば十分である。
無機レジスト層３０４としては例えば、シリコーン樹脂に酸化チタンまたはアルミナといった白色系のセラミックを混入させたものを使用してもよい。当然のことではあるが、アルミナおよび酸化チタン等の異なる種類のセラミック粒子を複数種類同時にシリコーン樹脂に混ぜたうえで光反射層を形成してもよい。
また、無機レジスト層３０４の替わりに高反射セラミック層４（図１参照）を用いてもよい。
（補足：セラミックおよび樹脂について）
本実施の形態（実施の形態４）の説明では、第１の絶縁層に相当するエポキシ系樹脂シート３０２にエポキシ系樹脂を用いている。このため、無機レジスト層３０４に高反射セラミックを使用する場合、焼成温度が高いガラス系バインダを使用することは回避し、樹脂系バインダを使用することが好ましい。樹脂系バインダとしては、光源の発熱や青色光等による強い光照射に起因する経時劣化または変色を防止すると共に、メッキ処理液等に用いられる酸およびアルカリにも耐性がある、高耐熱性および耐薬品性を有する熱硬化性樹脂が用いられる。但し、このような特性を備えるのであれば、樹脂系バインダは、熱硬化性樹脂に限定されることは無く、熱可塑性樹脂等であってもよい。具体的な樹脂材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
無機レジスト層３０４または高反射セラミック層４（図１参照）に使用する熱硬化性樹脂によるバインダは、ガラス系バインダに比して長期信頼性が低下する恐れがあるが、２００℃以下の比較的低い温度で硬化するため硬化が容易である。これにより、アルミニウム基板３０１、アルマイト保護層３１１、およびエポキシ系樹脂シート３０２（第１の絶縁層）に対する熱によるダメージを防止すると共に、製造コストの低減を図ることができる。
また、このように第２の絶縁層である無機レジスト層３０４または高反射セラミック層４に熱硬化性樹脂を用いる場合、２００℃以下と比較的低い温度で第２の絶縁層が形成されるため、アルマイト保護層３１１へのクラックの発生を懸念する必要が無くなる。このため、アルマイト保護層３１１の形成は、該第２の絶縁層の形成前、同形成後のいずれであってもよい。この結果、アルミニウム基板３０１の全面を最初にアルマイト保護層３１１によって被覆するという、最も簡便な製造工程を実現することができる。
また、エポキシ系樹脂シート３０２および高反射セラミック層４の熱伝導率および光反射率を高めるために使用する、セラミックまたはセラミック粒子として使用される代表的な物質として、アルミナ、ジルコニア、酸化チタン、窒化アルミニウム等が挙げられる。ここで言うセラミックは、金属酸化物に限定されるものではなく、窒化アルミニウム等をも含む広義のセラミック、すなわち、無機固形体材料全般を含む。
無機レジスト層３０４または高反射セラミック層４に使用されるセラミック粒子としては、これら無機固形体材料のうち、アルミナ、ジルコニア、酸化チタンのように、耐熱性および耐光性に優れた安定な物質であり、かつ光の拡散および反射特性に優れた物質であれば、任意の物質であっても構わない。光反射性の高いセラミック材料としては、これ以外にも、代表的な無機白色材料である酸化マグネシウム、酸化亜鉛、硫酸バリウム、硫酸亜鉛、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、および珪灰石等が挙げられる。以上のセラミック材料からなる粒子を適宜選択して組み合わせて用いてもよい。
エポキシ系樹脂シート３０２を使用することの利点として、製造工程が簡素になることが挙げられる。アルミニウム基板３０１の全面をアルマイト保護層３１１によって被覆した後、エポキシ系樹脂シート３０２の貼り付けを行うことができるためである。これは、エポキシ系樹脂の硬化促進温度が１８０℃と低いため、アルマイト保護層３１１にひび割れが生じにくいことによる。
アルミニウム基板３０１の表面にアルマイト保護層３１１を形成したものを、２５０℃以上の高温にすると、アルミニウム基板３０１とアルマイト保護層３１１との膨張率の差に起因して、アルマイト保護層３１１にひびが生じる恐れがある。一旦ひびが生じてしまうと、以降の製造プロセスにおいて、ひびからアルミニウム基板３０１に浸透したエッチング液およびメッキ液によって、アルミニウム基板３０１が浸食される。
実施の形態１〜３に示した各第１の絶縁層の形成温度は２５０℃以上と高く、アルミニウム基板１（実施の形態３にあっては、銅基板２０１の代わりにアルミニウム基板１）を用いた場合に、最初にアルマイト保護層によって被覆するプロセスを行うと、エッチング液またはメッキ液によって、アルミニウム基板１が浸食される恐れがある。例えば、ゾルゲル法により合成されるガラス系バインダを用いる場合の乾燥および焼成温度は、通常、２５０℃〜５００℃と高い。また、ＰＦＡシート１０２またはＰＴＦＥシート２０２をアルミニウム基板１に融着させる温度は、３００℃以上となる。従って、アルマイト保護層にひびが生じ、保護機能が低下することが懸念される。
実施の形態１〜３において、アルミニウム基板１（実施の形態３にあっては、銅基板２０１の代わりにアルミニウム基板１）を用いた場合に、アルマイト保護層によって被覆するためには、ガラス系バインダ、ＰＦＡシート、またはＰＴＦＥシートを適宜用いて絶縁層を形成した後、この絶縁層とアルミニウム基板１とを一緒に、陽極酸化処理、封孔処理、および水洗等の工程を行うことになる。この結果、作業に特別の注意を払う必要が生じる。
他方、本実施の形態では、最初にアルミニウム基板３０１を一括してアルマイト処理した上で、エポキシ系樹脂シート３０２を貼り合わせるため、製造が簡素である。
〔応用例〕
上記の各実施の形態に係る発光装置の各種応用例について説明する。
（応用例１）
図１８は、上記応用例を示す平面図である。
図１９は、上記応用例を示す断面図である。
図１８および図１９に示す発光装置４００は、金属基板（金属基板部）４０１、第１の絶縁層４０２、配線パターン４０３、第２の絶縁層４０４、およびＬＥＤチップ４０５を備えている。
金属基板４０１は、アルミニウム基板１または銅基板２０１である。
第１の絶縁層４０２は、金属基板４０１の上に形成された、熱伝導性を有する絶縁層であり、高放熱セラミック層２またはＰＴＦＥシート２０２である。
配線パターン４０３は、第１の絶縁層４０２の上に形成されており、エッチングフレーム３またはエッチングフレーム２０３である。なお、配線パターン４０３は、金属基板４０１における、第１の絶縁層４０２が設けられた面の側（１つの面の側）のほぼ全てを覆っている。実際、図１８によれば、配線パターン４０３の電気的に分離された部分を除き、配線パターン４０３は、第１の絶縁層４０２が設けられた面の側（１つの面の側）のほぼ全てを覆っている。これにより、放熱性が良好となる。
第２の絶縁層４０４は、第１の絶縁層４０２および配線パターン４０３の上に形成された、光反射性を有する絶縁層であり、高反射セラミック層４または無機レジスト層２０４である。
ＬＥＤチップ４０５は、配線パターン４０３と電気的に接続されており、ＬＥＤチップ５である。なお、図１８には、３行３列に配置された９個のＬＥＤチップ４０５を図示している。９個のＬＥＤチップ４０５は、配線パターン４０３によって、３列に並列接続されており該３列の各々に３個のＬＥＤチップ４０５の直列回路を有する接続構成（すなわち、３直列・３並列）となっている。もちろん、ＬＥＤチップ４０５の個数は９個に限定されないし、３直列・３並列の接続構成を有していなくてもよい。
さらに、発光装置４００は、光反射樹脂枠４０６、蛍光体含有封止樹脂４０７、アノード電極４０８、カソード電極４０９、アノードマーク４１０、カソードマーク４１１、およびネジ部４１２を備えている。
光反射樹脂枠４０６は、配線パターン４０３および第２の絶縁層４０４の上に設けられた、アルミナフィラー含有シリコーン樹脂からなる円環状（円弧状）の枠である。光反射樹脂枠４０６の材質はこれに限定されず、光反射性を有する絶縁性樹脂であればよい。ここではフィラーとしてアルミナを用いているが、これ以外に、酸化チタンに代表される白色材料、ジルコニア、シリカ等をフィラーとして使用してもよく、これら無機材料を適宜組み合わせて使用してもよい。また、光反射樹脂枠４０６の形状は、円環状（円弧状）に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。
蛍光体含有封止樹脂４０７は、透光性樹脂からなる封止樹脂層である。蛍光体含有封止樹脂４０７は、光反射樹脂枠４０６によって囲まれた領域に充填されており、配線パターン４０３、第２の絶縁層４０４、およびＬＥＤチップ４０５を封止している。また、蛍光体含有封止樹脂４０７は、蛍光体を含有している。蛍光体としては、ＬＥＤチップ４０５から放出された１次光によって励起され、１次光よりも長い波長の光を放出する蛍光体が用いられる。蛍光体の構成は特に限定されるものではなく、所望の白色の色度等に応じて適宜選択することが可能である。例えば、昼白色や電球色の組み合わせとして、ＹＡＧ黄色蛍光体と（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ赤色蛍光体との組み合わせや、ＹＡＧ黄色蛍光体とＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ赤色蛍光体との組み合わせ等を用いることができる。また、高演色の組み合わせとして、（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ赤色蛍光体とＣａ３（Ｓｃ、Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ緑色蛍光体との組み合わせ等を用いることができる。また、他の蛍光体の組み合わせを用いてもよいし、擬似白色としてＹＡＧ黄色蛍光体のみを含む構成を用いてもよい。
ＬＥＤチップ４０５から放出された１次光のみを使用する場合であっても、配線パターン４０３、第２の絶縁層４０４、およびＬＥＤチップ４０５を封止して保護する目的で、蛍光体を含有しない状態で、透光性樹脂からなる封止樹脂層を形成してもよい。
アノード電極４０８およびカソード電極４０９は、ＬＥＤチップ４０５を駆動するための電流をＬＥＤチップ４０５に供給する電極であり、ランドの形態で設けられている。アノード電極４０８およびカソード電極４０９は、発光装置４００の図示しない外部電源と接続可能な電極である。アノード電極４０８およびカソード電極４０９は、配線パターン４０３を介して、ＬＥＤチップ４０５と接続されている。
アノードマーク４１０およびカソードマーク４１１は、それぞれ、アノード電極４０８およびカソード電極４０９に対する位置決めを行うための基準となるアラインメントマークである。また、アノードマーク４１０およびカソードマーク４１１は、それぞれ、アノード電極４０８およびカソード電極４０９の極性を示す機能を有している。
ネジ部４１２は、金属基板４０１に設けられた突起である。ＬＥＤチップ４０５が設けられている側を、金属基板４０１を基準として配線パターン４０３が形成されている面の側とすると、ネジ部４１２は、金属基板４０１を基準として配線パターン４０３が形成されている面の反対側に形成されている。つまり、金属基板４０１を基準とした場合、ネジ部４１２は、第１の絶縁層４０２等と反対側に設けられている。また、ネジ部４１２は、発光装置４００を他の部品に取り付けるために設けられている。例えば、雄ネジであるネジ部４１２を構成し、該他の部品にネジ部４１２に螺合する雌ねじを設ける。これにより、ネジ部４１２と該雌ねじとにより、発光装置４００への部品取り付けが可能となる。該他の部品としては、例えばヒートシンク２０７（図１２参照）が挙げられる。
ここで、図１９から明らかであるとおり、アノード電極４０８およびカソード電極４０９の直下にある配線パターン４０３の部分の厚みは、該直下以外にある配線パターン４０３の部分の厚みより大きくなっている。
詳細には、配線パターン４０３の厚みは、アノード電極４０８およびカソード電極４０９の直下において、７０μｍ以上１５０μｍ以下であり、該直下以外の部分において、３５μｍ以上７５μｍ以下であるのが好ましい。配線パターン４０３が厚い方が、発光装置４００の放熱機能が高くなるが、配線パターン４０３の厚みが１５０μｍを超えると、それ以上配線パターン４０３を厚くしても放熱機能の飛躍的な向上は見込めない。
配線パターン４０３の底面積、すなわち、図１９に示す配線パターン４０３が第１の絶縁層４０２と接している部分の総面積は、ＬＥＤチップ４０５の裏面電極４１５の総面積の５倍以上１０倍以下であるのが好ましい。ここで言う、ＬＥＤチップ４０５の裏面電極４１５の総面積とは、発光装置４００に搭載される全てのＬＥＤチップ４０５の、裏面電極４１５の面積の総和を意味する。換言すれば、ＬＥＤチップ４０５一個あたりの配線パターン４０３の底面積が、ＬＥＤチップ４０５一個分の裏面電極４１５の面積の５倍以上１０倍以下であるのが好ましい。
なお、配線パターン４０３の底面積は、発光装置４００に搭載される全てのＬＥＤチップ４０５の裏面電極４１５の総面積の５倍以上１０倍以下であるのが好ましいとしたが、それに限定されず、大きければ大きいほど発光装置４００の放熱性は向上する。詳しくは、後述する〔付記事項：本発明のコンセプト〕および図２２〜図２４を参照されたい。
しかしながら、実施の形態１の発光装置１００において、発光部分の面積を小さくすることで、リフレクターとの光結合効率が向上可能であることを言及している。配線パターン４０３の底面積を大きくすることは、放熱性を高めるには有効である一方、発光部分の面積は大きくなる。この結果、リフレクターとの光結合効率が低下し、スポットライト等には不向きな発光装置となってしまう。
これらを勘案し、やはり、配線パターン４０３の底面積は、発光装置４００に搭載される全てのＬＥＤチップ４０５の裏面電極４１５の総面積の５倍以上１０倍以下であるのが好ましいということが結論付けられる。これにより、フリップチップ型のＬＥＤチップをＬＥＤチップ４０５として用いた場合の集積可能性により発光部分の直径を小さくすること（例えば、直径を４７ｍｍから２７ｍｍに）と、配線パターン４０３の底面積を大きくした場合の効率的な放熱とを両立することが可能である。ここでは、図１９を参照して発光装置４００を例に説明を行ったが、後述する発光装置５００（図２０参照）においても同様のことが成り立つ。
発光装置４００は、発光装置１００または３００の応用例であると言える。
（応用例２）
図２０は、別の応用例を示す断面図である。なお、別の応用例を示す平面図は、図１８と同じになる。
図１８および図２０に示す発光装置５００は、金属基板４０１、絶縁層５０２、配線パターン４０３、およびＬＥＤチップ４０５を備えている。つまり、発光装置４００に対して、発光装置５００は、第１の絶縁層４０２および第２の絶縁層４０４のかわりに、絶縁層５０２を備えている。
金属基板４０１、配線パターン４０３、およびＬＥＤチップ４０５については、それぞれ、発光装置４００のそれらと同じものである。
ただし、第１の絶縁層４０２および第２の絶縁層４０４のかわりに、絶縁層５０２を備えていることに伴い、発光装置５００では、配線パターン４０３が絶縁層５０２の内部に埋め込まれている。
絶縁層５０２は、金属基板４０１の上に形成された、熱伝導性および光反射性を有する絶縁層であり、ＰＦＡシート１０２である。
さらに、発光装置５００は、光反射樹脂枠４０６、蛍光体含有封止樹脂４０７、アノード電極４０８、カソード電極４０９、アノードマーク４１０、カソードマーク４１１、およびネジ部４１２を備えている。これらの構成は、発光装置４００と発光装置５００とで同じである。
発光装置５００は、発光装置２００の応用例であると言える。
〔変形例〕
図１８に示す発光装置４００および５００の変形例について説明する。
図２１は、上記変形例の主要部を示す平面図である。
図２１には、配線パターン４０３の変形例である、配線パターン６０３を示している。配線パターン６０３は、アノード側がアノード電極４０８の直下に位置しており、カソード側がカソード電極４０９の直下に位置している。
すなわち、９個のＬＥＤチップ４０５は、３行３列に配置されており、これは配線パターン４０３を用いる場合（すなわち、発光素子４００および５００）と、配線パターン６０３を用いる場合（すなわち、上記変形例）とで同じである。
一方、図２１において、９個のＬＥＤチップ４０５は、配線パターン６０３によって、９個のＬＥＤチップ４０５の並列回路を１つ有する接続構成となっている。このように、ＬＥＤチップ４０５の接続構成は、発光装置における所望の特性に応じて、適宜変更が可能である。
〔付記事項：本発明のコンセプト〕
図２２〜図２４は、本発明のコンセプトを説明する図である。
図２２には、図示しないＬＥＤチップとの接続部分（図２２中「フリップチップ実装」の表記を参照）、アノード電極７０８、およびカソード電極７０９が配線として形成された電子回路基板７０１を示している。ここで、電子回路基板７０１は、金属基板の上に絶縁層が形成されているものである。また、図２２には、蛍光体含有封止樹脂を塗布すべき領域７０７を図示している。
ここで、実装する配線の面積が大きい程、放熱性が良好となる。
そこで、電子回路基板７０１に図２３に示す構成を適用することが考えられる。図２３には、電子回路基板７０１における一方の面の側のほぼ全てが配線パターン７０３によって覆われている様子を示している。
しかしながら、配線パターン７０３が大きい場合、配線パターン７０３は光反射率が低い。このため、ＬＥＤチップの実装に必要な配線パターン７０３の部分以外については、光反射性に優れた材料によって覆うことが有効である。
そこで、配線パターン７０３が形成された電子回路基板７０１に図２４に示す構成を適用することが考えられる。図２４には、ＬＥＤチップとの接続部分、アノード電極７０８、およびカソード電極７０９を除き、配線パターン７０３を絶縁層７０４によって覆った様子を示している。
なお、〔応用例〕に、「配線パターン４０３の底面積は、発光装置４００に搭載される全てのＬＥＤチップ４０５の裏面電極４１５の総面積の５倍以上１０倍以下であるのが好ましい」という記載がある。これは、本項目の説明内容、特に図２３に示す内容に基づいて、試作検討を進めた結果得られた経験則である。
〔補足：発光部分の面積とリフレクターとの関係〕
以上に述べた各発光装置は、例えば、図３１に示す照明装置８０１の発光装置８０４に適用することができる。図３１の（ａ）は照明装置８０１の斜視図、図３１の（ｂ）は照明装置８０１の断面図である。照明装置８０１は、高品質かつ安価な発光装置８０４を用いて製造されている。このため、ユーザに安価で高品質の照明装置８０１を提供することができる。図３１中、８０２はヒートシンク、８２３はリフレクターである。
図３２は、リフレクター８２３の形状を示す正面断面図である。リフレクター８２３の内周面は、放物線を回転した放物面により形成される。放物面の一般式は、焦点位置を（０、ａ）としたとき、下記数式（１）で表される。ここで、ｚ軸は、発光装置８０４が発する光の光軸に一致した放物面の対称軸であり、ｒ軸は、放物面の焦点位置を通り該光軸と垂直に交わる軸である。
４ａｚ＝ｒ２ ・・・（１）
図３２には、発光部分（リフレクター８２３の内壁底面に相当）の直径が４７ｍｍのときと２７ｍｍのときとのそれぞれの、リフレクター８２３の内周面の座標を、上記数式（１）に基づいて示している。発光部分の直径が４７ｍｍのときの該内周面は実線１３ａで示されており、発光部分の直径が２７ｍｍのときの該内周面は破線１３ｂで示されている。該発光部分は、リフレクター８２３を構成する放物面の焦点位置近傍に位置する。
上記発光部分の面積を小さくすることができると、上記数式（１）の数「ａ」を小さくすることができる。該発光部分の直径をΦ０とすると、Φ０＝４ａで表すことができる。該発光部分の直径Φ０が４７ｍｍから２７ｍｍへと小さくなると、リフレクター８２３の内周面は、実線１３ａから破線１３ｂへと変更することになる。
このため、リフレクター８２３の深さが同じであるならば、数「ａ」が小さい方が集光性を高めることができる。また、同じリフレクター８２３の形状を使用した場合であっても、上記発光部分が小さいとより点光源に近い性能を呈することになるため、集光性を高めることができる。
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る発光装置用基板は、金属の基板を少なくとも有している金属基板部（アルミニウム基板１他）と、上記金属基板部の上に形成された、熱伝導性を有する第１の絶縁層（高放熱セラミック層２他）と、上記第１の絶縁層の上に形成された配線パターン（エッチングフレーム３他）と、上記第１の絶縁層および上記配線パターンの上に形成された、光反射性を有する第２の絶縁層（高反射セラミック層４他）とを備えている。
上記の構成によれば、第１の絶縁層の上に配線パターンが直接形成されている。これにより、発光素子等にて発生した熱を、配線パターンおよび第１の絶縁層を介して金属基板部に効率的に放熱することが可能である。
さらに、上記の構成によれば、第１の絶縁層および配線パターンの上に第２の絶縁層が形成されている。これにより、光利用効率を向上させることが可能である。
本発明の態様２に係る発光装置用基板は、上記態様１において、上記第１の絶縁層は、上記第２の絶縁層よりも高い熱伝導性を有しており、上記第２の絶縁層は、上記第１の絶縁層よりも高い光反射性を有している。
本発明の態様３に係る発光装置用基板は、金属の基板を少なくとも有している金属基板部と、上記金属基板部の上に形成された、熱伝導性および光反射性を有する絶縁層（ＰＦＡシート１０２）と、上記絶縁層の内部に埋め込まれた配線パターンとを備えている。
上記の構成によれば、絶縁層の内部に配線パターンが埋め込まれている。これにより、発光素子等にて発生した熱を、配線パターンおよび絶縁層を介して金属基板部に効率的に放熱することが可能である。
さらに、上記の構成によれば、絶縁層の内部に配線パターンが埋め込まれている。これにより、光利用効率を向上させることが可能である。
また、上記の構成によれば、絶縁層が１層だけとなるので、絶縁層を設けるための工数の削減が可能となる。
本発明の態様４に係る発光装置用基板は、上記態様３において、上記絶縁層は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかの樹脂によって構成されている。
本発明の態様５に係る発光装置用基板は、上記態様４において、上記絶縁層は、シート状樹脂によって構成されている。
本発明の態様６に係る発光装置用基板は、上記態様５において、上記絶縁層は、ＰＦＡシートによって構成されている。
本発明の態様７に係る発光装置用基板は、上記態様３から６のいずれかにおいて、上記絶縁層は、セラミック粒子を含有する。
本発明の態様８に係る発光装置用基板は、上記態様１において、上記第１の絶縁層は、上記金属基板部に対して塗布されたセラミック塗料から構成されている。
本発明の態様９に係る発光装置用基板は、上記態様１において、上記第１の絶縁層は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかの樹脂によって構成されている。
本発明の態様１０に係る発光装置用基板は、上記態様９において、上記第１の絶縁層は、シート状樹脂によって構成されている。
本発明の態様１１に係る発光装置用基板は、上記態様１０において、上記第１の絶縁層は、ＰＴＦＥシートによって構成されている。
本発明の態様１２に係る発光装置用基板は、上記態様１、９、１０、１１のいずれかにおいて、上記第１の絶縁層は、セラミック粒子を含有する。
本発明の態様１３に係る発光装置用基板は、上記態様１において、上記第２の絶縁層は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかの樹脂にセラミック粒子が含有されてなる。
本発明の態様１４に係る発光装置用基板は、上記態様１において、上記第２の絶縁層は、ガラス系バインダにセラミック粒子が含有されてなる。
本発明の態様１５に係る発光装置用基板は、上記態様１から１４のいずれかにおいて、上記金属基板部は、アルミニウムの表面が陽極酸化処理により、アルマイト保護層によって被覆されてなる。
本発明の態様１６に係る発光装置は、上記態様１、２、８から１４のいずれかの発光装置用基板と、上記発光装置用基板の上記第２の絶縁層の上に形成され、上記配線パターンと電気的に接続された発光素子（ＬＥＤチップ５他）とを備えている。
本発明の態様１７に係る発光装置は、上記態様３から７のいずれかの発光装置用基板と、上記発光装置用基板の上記絶縁層の上に形成され、上記配線パターンと電気的に接続された発光素子とを備えている。
本発明の態様１８に係る発光装置は、上記態様１６または１７において、上記発光素子は、フリップチップボンディングにより、上記配線パターンと電気的に接続されている。
本発明の態様１９に係る発光装置は、上記態様１８において、上記発光素子に電流を供給する上記配線パターンの底面積の総和が、この配線パターンに接続されたこの発光素子の裏面電極の底面積の総和に対し、少なくとも５倍である。
本発明の態様２０に係る発光装置用基板の製造方法は、アルミニウムからなる基板に、陽極酸化処理を行うことで、アルマイト保護層を形成し、金属基板部を製造する工程と、セラミック粒子を含有させて熱伝導性を高めたエポキシ系樹脂をシート状に加工したものと、銅からなる金属シートと、を貼り合わせて得られる複合シートを、上記金属基板部に貼り合わせて、導電層および第１の絶縁層を形成する工程と、上記導電層から、エッチングにより、配線パターンを形成する工程と、上記第１の絶縁層および上記配線パターンの上に、上記第１の絶縁層よりも低い熱伝導性を有すると共に上記第１の絶縁層よりも高い光反射性を有する第２の絶縁層を塗布により形成し、さらに発光素子の電極と電気的に接続させる上記配線パターンの電極端子部を露出させる工程と、上記電極端子部を金属メッキによって被覆する工程と、を含んでいる。
さらに、本発明は、下記のように解釈することもできる。
本発明の一態様に係る発光装置は、金属基板（アルミニウム基板１他）と、上記金属基板の上に形成された、熱伝導性を有する第１の絶縁層（高放熱セラミック層２他）と、上記第１の絶縁層の上に形成された配線パターン（エッチングフレーム３他）と、上記第１の絶縁層および上記配線パターンの上に形成された、光反射性を有する第２の絶縁層（高反射セラミック層４他）と、上記第２の絶縁層の上に形成され、上記配線パターンと電気的に接続された発光素子（ＬＥＤチップ５他）とを備えている。
上記の構成によれば、第１の絶縁層の上に配線パターンが直接形成されている。これにより、発光素子等にて発生した熱を、配線パターンおよび第１の絶縁層を介して金属基板に効率的に放熱することが可能である。
さらに、上記の構成によれば、第１の絶縁層および配線パターンの上に第２の絶縁層が形成されている。これにより、光利用効率を向上させることが可能である。
本発明の別の態様に係る発光装置は、金属基板と、上記金属基板の上に形成された、熱伝導性および光反射性を有する絶縁層（ＰＦＡシート１０２）と、上記絶縁層の内部に埋め込まれた配線パターンと、上記絶縁層の上に形成され、上記配線パターンと電気的に接続された発光素子とを備えている。
上記の構成によれば、絶縁層の内部に配線パターンが埋め込まれている。これにより、発光素子等にて発生した熱を、配線パターンおよび絶縁層を介して金属基板に効率的に放熱することが可能である。
さらに、上記の構成によれば、絶縁層の内部に配線パターンが埋め込まれている。これにより、光利用効率を向上させることが可能である。
また、上記の構成によれば、絶縁層が１層だけとなるので、絶縁層を設けるための工数の削減が可能となる。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記絶縁層は、ＰＦＡシートによって構成されていてもよい。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記発光素子は、フリップチップボンディングにより、上記配線パターンと電気的に接続されていてもよい。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記第１の絶縁層は、上記金属基板に対して塗布されたセラミック塗料から構成されていてもよい。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記第１の絶縁層は、ＰＴＦＥシートによって構成されていてもよい。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記第２の絶縁層は、上記第１の絶縁層および上記配線パターンに対して塗布されたセラミック塗料から構成されていてもよい。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記金属基板を構成する材料に、アルミニウムが含まれていてもよい。
上記の構成によれば、安価であり、加工が容易であり、かつ雰囲気湿度に強い金属基板を実現することができる。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記金属基板を構成する材料に、銅が含まれていてもよい。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記第１の絶縁層の厚みは、２５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。
上記の構成によれば、第１の絶縁層においてクラックの発生を抑制しつつ、金属基板と配線パターンとを確実に絶縁することができる。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記第２の絶縁層の厚みは、２０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。
上記の構成によれば、十分良好な電気絶縁性および光反射性を実現することができる。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記ＰＦＡシートの厚みは、７０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。
上記の構成によれば、十分良好な電気絶縁性、熱伝導性、および光反射性を実現することができる。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記ＰＴＦＥシートの厚みは、２５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記金属基板を基準として上記配線パターンが形成されている面の側に、上記発光素子が設けられており、上記金属基板を基準として上記配線パターンが形成されている面の反対側に、上記発光装置を他の部品に取り付けるためのネジ部が形成されていてもよい。
上記の構成によれば、ネジ部は、発光装置を他の部品に取り付けるために設けられている。例えば、雄ネジであるネジ部を構成し、他の部品にネジ部に螺合する雌ねじを設ける。これにより、ネジ部と雌ねじとにより、発光装置への部品取り付けが可能となる。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記配線パターンの厚みは、上記発光素子を駆動するための電流を上記発光素子に供給する電極の直下において、７０μｍ以上１５０μｍ以下であり、上記電極の直下以外の部分において、３５μｍ以上７５μｍ以下であってもよい。
配線パターンが厚い方が、発光装置の放熱機能が高くなるが、配線パターンの厚みが１５０μｍを超えると、それ以上配線パターンを厚くしても放熱機能の飛躍的な向上は見込めない。このことを考慮して、配線パターンの厚みを決定するのが好適である。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記発光素子を駆動するための電流を上記発光素子に供給する電極の面積が、上記発光素子の裏面電極の面積の少なくとも５倍であってもよい。
上記の構成によれば、電極への外部電源の接続を容易にしつつ、発光装置の大型化を抑制することができる。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記配線パターンが、上記金属基板における１つの面の側の全てを覆っていてもよい。
なお、上記「面の側の全てを覆っている」なる表現は、面の側の略全てを覆っている（すなわち、面の側のごく僅かな一部が覆われていない）場合も含まれる。
上記の構成によれば、放熱性が良好となる。
〔付記事項〕
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、金属基板と、上記金属基板の上に形成された、熱伝導性を有する第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層の上に形成された配線パターンと、上記第１の絶縁層および上記配線パターンの上に形成された、光反射性を有する第２の絶縁層と、上記第２の絶縁層の上に形成され、上記配線パターンと電気的に接続された発光素子とを備えていることを特徴としていてもよい。
また、上記の課題を解決するために、本発明の別の態様に係る発光装置は、金属基板と、上記金属基板の上に形成された、熱伝導性および光反射性を有する絶縁層と、上記絶縁層の内部に埋め込まれた配線パターンと、上記絶縁層の上に形成され、上記配線パターンと電気的に接続された発光素子とを備えていることを特徴としていてもよい。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
本発明は、金属基板の上に絶縁層が形成されている発光装置に利用することができる。
１ アルミニウム基板（金属基板部）
２ 高放熱セラミック層（第１の絶縁層）
３ エッチングフレーム（配線パターン）
４ 高反射セラミック層（第２の絶縁層）
５ ＬＥＤチップ（発光素子）
１００、２００、３００、４００、および５００ 発光装置
１０２ ＰＦＡシート（絶縁層）
２０１ 銅基板（金属基板部）
２０２ ＰＴＦＥシート（第１の絶縁層）
２０３ エッチングフレーム（配線パターン）
２０４ 無機レジスト層（第２の絶縁層）
３０１ アルミニウム基板（金属基板部）
３０２ エポキシ系樹脂シート（第１の絶縁層）
３０３ エッチングフレーム（配線パターン）
３０４ 無機レジスト層（第２の絶縁層）
３１１ アルマイト保護層（金属基板部）
３１３ 銅板（導電体）
４０１ 金属基板（金属基板部）
４０２ 第１の絶縁層
４０３ 配線パターン
４０４ 第２の絶縁層
４０５ ＬＥＤチップ
４０８ アノード電極（電極）
４０９ カソード電極（電極）
４１２ ネジ部
４１５ 裏面電極
５０２ 絶縁層
６０３ 配線パターン

Claims (16)

  1. 金属の基板を少なくとも有している金属基板部と、
    上記金属基板部の上に形成された、熱伝導性を有する第１の絶縁層と、
    上記第１の絶縁層の上に形成された、光反射性を有する第２の絶縁層と、
    発光素子と、
    上記第２の絶縁層の内部に埋め込まれ、上記発光素子の電極を電気的に接続する箇所が露出した電極端子部と、該発光素子を駆動するための外部電源と接続するための電極であるアノード電極およびカソード電極とを有する配線パターンとを備え、
    上記発光素子は、上記第２の絶縁層の上に形成され、フリップチップボンディングにより上記電極端子部と電気的に接続され、
    上記第１の絶縁層は、上記第２の絶縁層よりも高い熱伝導性を有しており、
    上記第２の絶縁層は、上記第１の絶縁層よりも高い光反射性を有しており、
    上記電極端子部の直下にある上記配線パターンの部分の第１の厚み、ならびに上記アノード電極および上記カソード電極の直下にある上記配線パターンの部分の第２の厚みは、上記第２の絶縁層の直下にある上記配線パターンの部分の第３の厚みより大きく、
    上記アノード電極および上記カソード電極は上記第２の絶縁層から露出し、
    発光装置の断面視において、上記電極端子部は第１電極端子部と第２電極端子部とを有しており、該第１電極端子部と該第２電極端子部との間に、上記配線パターンがなく上記第２の絶縁層が充填されていることを特徴とする発光装置。
  2. 金属の基板を少なくとも有している金属基板部と、
    上記金属基板部の上に形成された、熱伝導性および光反射性を有する絶縁層と、
    発光素子と、
    上記絶縁層の内部に埋め込まれ、上記発光素子の電極を電気的に接続する箇所が露出した電極端子部と、該発光素子を駆動するための外部電源と接続するための電極であるアノード電極およびカソード電極とを有する配線パターンとを備え、
    上記発光素子は、上記絶縁層の上に形成され、フリップチップボンディングにより上記電極端子部と電気的に接続され、
    上記電極端子部の直下にある上記配線パターンの部分の第１の厚み、ならびに上記アノード電極および上記カソード電極の直下にある上記配線パターンの部分の第２の厚みは、上記絶縁層の直下にある上記配線パターンの部分の第３の厚みより大きく、
    上記アノード電極および上記カソード電極は上記絶縁層から露出し、
    発光装置の断面視において、上記電極端子部は第１電極端子部と第２電極端子部とを有しており、該第１電極端子部と該第２電極端子部との間に、上記配線パターンがなく上記絶縁層が充填されていることを特徴とする発光装置。
  3. 上記絶縁層は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかの樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
  4. 上記絶縁層は、シート状樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
  5. 上記絶縁層は、ＰＦＡシートによって構成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
  6. 上記絶縁層は、セラミック粒子を含有することを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 上記第１の絶縁層は、上記金属基板部に対して塗布されたセラミック塗料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  8. 上記第１の絶縁層は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかの樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  9. 上記第１の絶縁層は、シート状樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
  10. 上記第１の絶縁層は、ＰＴＦＥシートによって構成されていることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
  11. 上記第１の絶縁層は、セラミック粒子を含有することを特徴とする請求項１、８、９、１０のいずれか１項に記載の発光装置。
  12. 上記第２の絶縁層は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかの樹脂にセラミック粒子が含有されてなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  13. 上記第２の絶縁層は、ガラス系バインダにセラミック粒子が含有されてなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  14. 上記金属基板部は、アルミニウムを含み、上記アルミニウムの表面が陽極酸化処理により、アルマイト保護層によって被覆されてなることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の発光装置。
  15. 上記発光素子に電流を供給する上記配線パターンの底面積の総和が、この配線パターンに接続されたこの発光素子の裏面電極の底面積の総和に対し、少なくとも５倍であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の発光装置。
  16. アルミニウムからなる基板に、陽極酸化処理を行うことで、上記基板の表面にアルマイト保護層を形成し、金属基板部を製造する工程と、
    セラミック粒子を含有させて熱伝導性を高めたエポキシ系樹脂をシート状に加工したものと、銅からなる金属シートと、を貼り合わせて得られる複合シートを、上記金属基板部に貼り合わせて、導電層および第１の絶縁層を形成する工程と、
    上記導電層から、エッチングにより、配線パターンを形成する工程と、
    上記第１の絶縁層および上記配線パターンの上に、上記第１の絶縁層よりも低い熱伝導性を有すると共に上記第１の絶縁層よりも高い光反射性を有する第２の絶縁層を塗布により形成し、さらに発光素子の電極と電気的に接続させる上記配線パターンの電極端子部と、該発光素子を駆動するための外部電源と接続するための電極であるアノード電極およびカソード電極とを露出させる工程と、
    上記電極端子部を金属メッキによって被覆する工程と、
    上記第２の絶縁層の上に、フリップチップボンディングにより、上記発光素子と上記電極端子部とを電気的に接続する工程と、を含んでおり、
    上記電極端子部の直下にある上記配線パターンの部分の第１の厚み、ならびに上記アノード電極および上記カソード電極の直下にある上記配線パターンの部分の第２の厚みは、上記第２の絶縁層の直下にある上記配線パターンの部分の第３の厚みより大きく、
    発光装置の断面視において、上記電極端子部は第１電極端子部と第２電極端子部とを有しており、該第１電極端子部と該第２電極端子部との間に、上記配線パターンがなく上記第２の絶縁層が充填されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101738980B1 (ko) * 2015-02-05 2017-05-24 주식회사 루멘스 발광 모듈 및 조명 장치
US20200313049A1 (en) * 2016-06-21 2020-10-01 Soraa, Inc. Light emitting diode package
CN109863835B (zh) * 2016-09-27 2022-04-05 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 部件承载件及其组成件的制造方法
KR101794918B1 (ko) 2017-06-26 2017-11-07 주식회사 이에스테크 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법
TWI672711B (zh) * 2019-01-10 2019-09-21 健策精密工業股份有限公司 絕緣金屬基板及其製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59149958A (ja) 1983-02-01 1984-08-28 Toshiba Corp 絶縁被覆形成方法
JP3424526B2 (ja) * 1997-10-23 2003-07-07 松下電器産業株式会社 電子部品の実装方法
JP4562475B2 (ja) * 2004-09-27 2010-10-13 イビデン株式会社 パッケージ基板および光通信用デバイス
JP2007194401A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Showa Denko Kk 化合物半導体発光素子を用いたｌｅｄパッケージ
JP5080295B2 (ja) * 2007-01-26 2012-11-21 帝人株式会社 放熱性実装基板およびその製造方法
MY154125A (en) * 2008-05-29 2015-05-15 Denki Kagaku Kogyo Kk Metal base circuit board
JP2011071242A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
JP5623062B2 (ja) * 2009-11-13 2014-11-12 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
US8985818B2 (en) * 2009-11-26 2015-03-24 Nitto Denko Corporation LED mounting substrate
JP4980455B2 (ja) * 2010-02-08 2012-07-18 富士フイルム株式会社 絶縁層付金属基板の製造方法、半導体装置の製造方法、太陽電池の製造方法、電子回路の製造方法、および発光素子の製造方法
JP5640632B2 (ja) * 2010-03-12 2014-12-17 旭硝子株式会社 発光装置
JP5901141B2 (ja) * 2010-05-17 2016-04-06 昭和電工株式会社 発光素子用実装基板、発光素子用実装基板の製造方法、発光装置及び発光装置の製造方法並びに白色樹脂組成物
JP2012033855A (ja) 2010-07-01 2012-02-16 Hitachi Cable Ltd Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄパッケージ、並びに配線基板およびその製造方法
JP2012089357A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Sumitomo Light Metal Ind Ltd Ｌｅｄ照明基板用積層体及びそれを用いたｌｅｄ照明
JP2012243846A (ja) 2011-05-17 2012-12-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 金属ベース回路基板および発光素子
JP5848976B2 (ja) * 2012-01-25 2016-01-27 新光電気工業株式会社 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
JP2013187269A (ja) * 2012-03-06 2013-09-19 Sanken Electric Co Ltd 光半導体装置及びその製造方法
EP2919287B1 (en) * 2012-11-06 2019-12-25 NGK Insulators, Ltd. Substrate for light emitting diodes

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