JP2011176054A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造された発光装置10それぞれの光出力特性がより均一で、より高出力に発光することが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】LEDチップ1と、該LEDチップ1が熱伝導性のサブマウント部材5を介して配置される配線基板2とを備えた発光装置10であり、配線基板2は、絶縁性基材21と、該絶縁性基材21の一表面2a側に形成されLEDチップ1へ給電する配線パターン23,23と、絶縁性基材21の上記一表面2aと反対の他表面2b側に設けられLEDチップ1で生じた熱を放熱する放熱層22とを備え、絶縁性基材21を貫設し上記一表面2a側から放熱層22が露出する孔部21aの底面22aにサブマウント部材5が位置決めされる凸部3を有している。
【選択図】図1
【解決手段】LEDチップ1と、該LEDチップ1が熱伝導性のサブマウント部材5を介して配置される配線基板2とを備えた発光装置10であり、配線基板2は、絶縁性基材21と、該絶縁性基材21の一表面2a側に形成されLEDチップ1へ給電する配線パターン23,23と、絶縁性基材21の上記一表面2aと反対の他表面2b側に設けられLEDチップ1で生じた熱を放熱する放熱層22とを備え、絶縁性基材21を貫設し上記一表面2a側から放熱層22が露出する孔部21aの底面22aにサブマウント部材5が位置決めされる凸部3を有している。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体発光素子であるLEDチップを備えた発光装置に関するものである。
近年、半導体発光素子たるLEDチップと、該LEDチップを被覆し、該LEDチップからの光の少なくとも一部を吸収し波長変換した蛍光を発する蛍光体を含有した透光性部材からなる波長変換部とを備え、たとえば、LEDチップからの青色光と、波長変換部からの黄色光とを混色した白色光を放射する発光装置が開発されている。この種の発光装置は、LEDチップの光出力の向上にともない照明器具にまで応用されている。
このような発光装置を照明器具に応用する場合、高い光出力を得るためにLEDチップに大電流を流すとLEDチップ自身の発熱により、発光効率が低下する傾向にある。発光装置は、LEDチップの発光効率を維持するため、LEDチップに生じる熱を発光装置の外部に効率よく放熱させる必要がある。
そのため、発光装置10’は、たとえば、図8に示すように、LEDチップ1と、該LEDチップ1が熱伝導性のサブマウント部材5を介して実装された実装基板26とを備え、実装基板26が、LEDチップ1を収納させることが可能な窓孔26bbを備えた絶縁性基材26baと該窓孔26bbの周部の絶縁性基材26ba上にLEDチップ1に給電する配線パターン23,23が形成された配線基板26bと、配線基板26bの配線パターン23,23が形成された一表面側と反対の他表面側に設けられLEDチップ1で生じた熱を放熱する伝熱板26aとを有し、窓孔26bbの底面にLEDチップ1が実装されたサブマウント部材5を配置させたものが知られている(たとえば、特許文献1参照。)。
なお、発光装置10’のLEDチップ1は、導電性基板1b上に発光部1aが形成されたものを用いている。LEDチップ1は、ワイヤ4,4などを用いて配線基板26bの配線パターン23,23と電気的に接続され給電可能に構成されている。LEDチップ1は、筒状の枠体27で周囲が囲まれており、枠体27には、透光性樹脂からなる封止部材28を内部に充填し光学レンズ部29で覆っている。枠体27および光学レンズ部29は、空気層8を介してドーム状の波長変換部材9で覆われている。また、発光装置10’は、樹脂シート32を介して照明器具の器具本体12の底壁12aに固定されている。
LEDチップ1は、外部から配線パターン23,23、ワイヤ4,4やサブマウント部材5の導体パターン31を介して給電されて青色光を発光する。LEDチップ1が発光した青色光は、封止部材28、光学レンズ部29の光入射面29a、光学レンズ部29の光出射面29b、空気層8、波長変換部材9の光入射面9aを通り、波長変換部材9で一部が波長変換され波長変換部材9の光出射面9bから外部に放出される。
発光装置10’は、LEDチップ1からの青色光の一部が波長変換部材9で波長変換された黄色光と、波長変換部9を透過したLEDチップ1からの残りの青色光との混色光からなる白色光を放出させることができる。
このような発光装置10’は、LEDチップ1で生じた熱を、実装基板26の伝熱板26aから器具本体12側の外部に放出することで、LEDチップ1の発光効率が低下することを抑制することができる。
ところで、発光装置10’は、より小型化、薄型化される一方、より高い光出力が求められている。また、製造された発光装置10’それぞれから放出される光の光出力特性(光の出射角や発光強度など)もより均一なものが求められている。
ここで、発光装置10’に用いられるLEDチップ1は、サブマウント部材5や実装基板26上に実装するLEDチップ1の配置を正確に位置決めできなければ、LEDチップ1が発光する光の出射角などが製造された発光装置10’ごとに不揃いとなり、光出力特性を均一にさせることが難しい傾向にある。LEDチップ1のサブマウント部材5上への実装は、サブマウント部材5の導体パターン31などを利用して比較的位置決めなどしやすいものの、伝熱板26a上にサブマウント部材5を精度よく位置決めして実装させることが難しい傾向にある。特に、熱伝導性に優れた材料を用いる伝熱板26aは、一般に硬質で位置決めのためのマーキング部などを制御性よく加工することが難しく、伝熱板26aへサブマウント部材5を精度よく位置決めして実装させることが難しい。
そのため、発光装置10’が小型化、薄型化されるにつれ、LEDチップ1やLEDチップ1を実装させるサブマウント部材5を、より高い精度で所定の位置に実装させることが求められている現在においては、上述の発光装置10’の構成だけでは十分ではなく更なる改良が求められている。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、製造された発光装置それぞれの光出力特性がより均一で、より高出力に発光することが可能な発光装置を提供することにある。
上記課題を解決するために第1の発明は、LEDチップと、該LEDチップが熱伝導性のサブマウント部材を介して配置される配線基板とを備えた発光装置であって、前記配線基板は、絶縁性基材と、該絶縁性基材の一表面側に形成され前記LEDチップへ給電する配線パターンと、前記絶縁性基材の前記一表面と反対の他表面側に設けられ前記LEDチップで生じた熱を放熱する放熱層とを備え、前記絶縁性基材を貫設し前記一表面側から前記放熱層が露出する孔部の底面に前記サブマウント部材が位置決めされる凸部を有することを特徴とする。
第2の発明は、上記第1の発明において、前記放熱層は、前記サブマウント部材が実装される一方面と対向する他方面側に該他方面側の表面積を大きくする凹凸部を有することを特徴とする。
第3の発明は、上記第1の発明または第2の発明において、前記放熱層は、前記サブマウント部材が実装される部位が、該部位の周部の厚みよりも厚いことを特徴とする。
第4の発明は、上記第1の発明ないし第3の発明のいずれか1つにおいて、前記サブマウント部材は、前記LEDチップが配置される表面側よりも、前記放熱層側となる他面側の面積が大きいことを特徴とする。
第1の発明では、製造された発光装置それぞれの光出力特性がより均一で、より高出力に発光することが可能な発光装置を提供できるという顕著な効果がある。
(実施形態1)
以下、本実施形態の発光装置を図1、図3ないし図5に基づいて説明し、発光装置に用いられる配線基板の製造工程を図2で説明する。なお、同一の部材については、同一の番号を付して説明してある。
以下、本実施形態の発光装置を図1、図3ないし図5に基づいて説明し、発光装置に用いられる配線基板の製造工程を図2で説明する。なお、同一の部材については、同一の番号を付して説明してある。
本実施形態の図1に示す発光装置10は、LEDチップ1と、該LEDチップ1が熱伝導性および絶縁性を有する窒化アルミニウムからなるサブマウント部材5を介して配置される配線基板2とを備えている。配線基板2は、絶縁性基材21と、該絶縁性基材21の一表面2a側に形成されLEDチップ1へ給電する配線パターン23,23と、絶縁性基材2の上記一表面2aと反対の他表面2b側に設けられLEDチップ1で生じた熱を放熱する放熱層22とを備え、絶縁性基材21を貫設し上記一表面2a側から放熱層22が露出する孔部21aの底面22aにサブマウント部材5が位置決めされる凸部3を有している。
より具体的には、本実施形態の発光装置10の配線基板2は、平板状の絶縁性基材21(たとえば、ガラスエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂など)の上記一表面2a上にLEDチップ1に給電するための配線パターン(たとえば、銅パターンやアルミニウムパターン)23,23が形成されている。また、配線基板2は、配線パターン23,23を外部と電気的に接続させる給電接続部以外に、LEDチップ1から放射された光を反射させる白色系の樹脂材料からなる表面反射層24を積層することにより上記一表面2a側を保護している。配線基板2には、絶縁性基材21の配線パターン23が形成されている上記一表面2aと反対の上記他表面2b側に、厚さ約35〜100μmの金属箔(たとえば、銅箔)からなる放熱層22を設けている。放熱層22は、絶縁性基材21の外周縁2c側で露出しないように、外周縁2cより内側で上記他表面2b側の略全面に形成してある。
サブマウント部材5は、表面反射層24、配線パターン23、絶縁性基材21の一部が除去され、放熱層22が露出した部位に実装する。すなわち、配線基板2は、サブマウント部材5が配置できるように、絶縁性基材21を貫設し上記一表面2a側から放熱層22が露出する孔部21aの底面22aを備えている。
孔部21aの底面22aには、該底面22aの周部において、サブマウント部材5の外形と略相似形でサブマウント部材5の外形よりも若干大きい矩形のリング形状に付加型樹脂材料(たとえば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)を滴下し、硬化させている。これにより、孔部21aの底面22aに滴下された上記樹脂材料は、サブマウント部材5が実装される上記部位に対して突出し、サブマウント部材5を位置決めさせることが可能なリング状の凸部3となる。
サブマウント部材5のLEDチップ1が配置される表面と反対の他面側には、たとえば、SnAgCuからなる金属層(図示していない)を予め形成させている。サブマウント部材5は、ダイボンド装置(図示していない)などを用いて、配線基板2の孔部21aで放熱層22が露出している底面22aに設けられた凸部3に沿わして位置決めされ配置している。サブマウント部材5は、サブマウント部材5の上記金属層と、配線基板2の放熱層22とを接合して孔部21aの底面22aに実装している。
また、LEDチップ1は、配線基板2の孔部21aの底面22aにおける凸部3に位置決めされたサブマウント部材5の導体パターン(図示していない)上に、たとえば、AuSnからなる導電性部材(図示していない)を用いて実装している。これにより、LEDチップ1の一方の電極(たとえば、カソード電極)とサブマウント部材5に形成させた上記導体パターンとを電気的に接続させることができる。
サブマウント部材5に実装されたLEDチップ1の他方の電極(たとえば、アノード電極)は、ワイヤ(たとえば、金線やアルミニウム線など)4によって、配線基板2の一対の配線パターン23,23の一方とワイヤボンディングしている。また、LEDチップ1の一方の電極と接続されたサブマウント部材5の上記導体パターンは、ワイヤ(たとえば、金線やアルミニウム線など)4によって、配線基板2の一対の配線パターン23,23の他方とワイヤボンディングしている。
また、発光装置10は、配線基板2上に光学部材7となる別途に成形させておいた内部が空洞で外形が凸状の透光性樹脂(たとえば、シリコーン樹脂)からなる成形品と、該成形品の内部にゲル状のリコーン樹脂を充填させた封止部6とをLEDチップ1上に被せて形成させる。さらに、本実施形態の発光装置10では、青色光を吸収して黄色の蛍光を放射可能な黄色蛍光体(たとえば、(Ba0.05Sr0.93Eu0.02)2SiO4)を透光性樹脂(たとえば、シリコーン樹脂)中に含有させて別途に成形したドーム状の波長変換部材9を備えている。発光装置10は、波長変換部材9を、空気層8を介して光学部材7に被せ、接着剤(図示していない)で配線基板2に接着させることで封止して形成させる。
このように形成された本実施形態の発光装置10は、LEDチップ1が実装されたサブマウント部材5と、配線基板2との位置ずれを抑制して比較的簡単に形成することができる。
すなわち、本実施形態の発光装置10は、配線基板2が、絶縁性基材21と、該絶縁性基材21の上記一表面2a側に形成されLEDチップ1の給電のための配線パターン23,23と、絶縁性基材21の他表面2b側に設けられLEDチップ1から発せられた熱を拡散する放熱層22と、絶縁性基材21を貫設し上記一表面2a側から放熱層22が露出する孔部21aの底面22aにサブマウント部材5の他面側が位置決めできる凸部3を有している。
これにより、LEDチップ1で生じた熱は、サブマウント部材5を介して放熱層22に沿って放熱層22の面方向に拡散することが可能となる。また、発光装置10は、放熱層22が配線基板2の一部を利用して形成することができるから、発光装置10全体を薄型化することも可能となる。そのため、発光装置10は、サブマウント部材5を実装する際における位置決めが容易となり、発光装置10から放出される光学設計を簡便にし、製造された発光装置10それぞれの光出力特性がより均一で、より高出力に発光することが可能となる。
なお、図1に示す発光装置10は、配線基板2の放熱層22側を熱伝導性の高い金属材料(たとえば、Al材料やCu材料)からなる器具本体12に、熱伝導性および絶縁性に優れた接着シート11を用いて接着している。なお、熱伝導性および絶縁性に優れた接着シート11としては、たとえば、シリコーンゴム、アルミナやシリカなどのフィラーを半硬化のエポキシ樹脂中に70wt%から90wt%の高濃度に含有させ、厚みが約5μm〜200μmのシート状のものが挙げられる。このような接着シート11は、エポキシ樹脂の硬化度を調整し、粘着性はないが加熱溶融後には接着性を有する状態まで乾燥硬化させた状態にすることで、流動性の高いシートとして用いることができる。したがって、発光装置10の配線基板2は、接着シート11を介して器具本体12に加熱しながら加圧することで接着することができる。
本実施形態の発光装置10において、LEDチップ1で発生した熱は、サブマウント部材5に伝わり、サブマウント部材5が実装された放熱層22で放熱層22の面方向に広げられた後、接着シート11を介して器具本体12に放熱することが可能となる。なお、配線基板2の放熱層22は、絶縁性基材21の外周縁2c側で露出しないように、外周縁2cより内側で上記他表面2b側の略全面に形成してあるので、発光装置10側と、器具本体12側との絶縁性を高めることが可能となる。
以下、本実施形態の発光装置10に用いられる各構成について詳述する。
本実施形態1の発光装置10に用いられる半導体発光素子たるLEDチップ1は、通電により光を発光可能なものである。LEDチップ1の放射する光は、たとえば、可視光のうちピーク波長が420nmから490nmの範囲内にある青色光とすることができるが、青色光のみに限定するものではなく、他の波長である緑色や赤色の光や紫外線を放射させるものでもよい。
このようなLEDチップ1としては、たとえば、サファイア基板、スピネル基板、窒化ガリウム基板、酸化亜鉛基板や炭化シリコン基板などの結晶成長基板上にn型の窒化ガリウム系化合物半導体層、多重量子井戸構造や単一量子井戸構造の発光層となるインジウムが含有された窒化ガリウム系化合物半導体層、p型の窒化ガリウム系化合物半導体層を順に積層させたものが挙げられる。LEDチップ1は、たとえば、大きさが約1mm角で、厚み約100μmで形成することができるが、これらの寸法は、特に限定するものではない。
なお、結晶成長基板として導電性基板を用いたLEDチップ1は、LEDチップ1の厚み方向の両面側にアノード電極やカソード電極を形成すればよい。また、絶縁性基板を用いたLEDチップ1は、上記p型の窒化ガリウム系化合物半導体層側から上記n型の窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を露出させることにより、同一平面側でアノード電極およびカソード電極をそれぞれ形成することができる。
LEDチップ1に設けられる上記アノード電極や上記カソード電極は、Ni膜とAu膜との積層膜、Al膜、ITO膜など窒化ガリウム系化合物半導体層などと良好なオーミック特性が得られる材料であれば、特に、限定されるものではない。
LEDチップ1として、厚み方向の両面側に上記アノード電極や上記カソード電極が形成されたLEDチップ1は、LEDチップ1が実装されるサブマウント部材5上に形成された導電パターン(図示していない)と、LEDチップ1の上記アノード電極あるいは上記カソード電極とを導電性部材(たとえば、AuSnなど)を介して接合するなどして電気的に接続させることができる。また、LEDチップ1の光取り出し面側の上記カソード電極あるいは上記アノード電極は、ワイヤ(たとえば、金線やアルミニウム線など)4を介して配線基板2の配線パターン23と電気的に接続させている。
また、同一平面側に上記アノード電極および上記カソード電極が設けられたLEDチップ1を用いる場合は、サブマウント部材5の表面側に形成させた一対の導電パターン(図示していない)に、Auバンプなどの金属バンプ13を用いてフリップチップ実装させることができる(図3ないし図5を参照)。
なお、本実施形態の図1に示す発光装置10では、サブマウント部材5に1個のLEDチップ1を実装しているが、LEDチップ1の数は、これに限定されるものでもなく適宜増加させることができる。たとえば、図3ないし図5では、大きさが0.3mm角のLEDチップを複数個実装している。この場合、各LEDチップ1は、サブマウント部材5の上記導電パターンを利用して、適宜に直列、並列や直並列に電気的に接続させればよい。また、LEDチップ1は、同種のものを用いてもよいし、異なる発光波長の光を発光する複数個のLEDチップ1を用いてもよい。
次に、本実施形態の発光装置10に用いられる配線基板2は、サブマウント部材5を介してLEDチップ1を実装可能なものである。配線基板2は、絶縁性基材21と、絶縁性基材21の一表面2a側に形成されLEDチップ1へ給電する一対の配線パターン23,23と、絶縁性基材21の他表面2b側に設けられLEDチップ1で生じた熱を放熱する放熱層22とを備えている。特に、配線基板2は、絶縁性基材21を貫設し、一表面2a側から放熱層22が露出する孔部21aを備えている。
なお、本実施形態の発光装置10の配線基板2に設けられる絶縁性基材21の孔部21aは、LEDチップ1の戻り光を利用するために、外部に向かって広がるテーパ状の側壁(図示していない)に形成しても良い。
さらに、配線基板2の放熱層22は、図3の発光装置10で示すように、サブマウント部材5が実装される一方面と対向する他方面側に該他方面の表面積を大きくする凹凸部22bを有していてもよい。放熱層22は、上記他表面の表面積を大きくする凹凸部22bを有することにより、放熱層22と、接着シート11との接触面積が大きくなり放熱効率をより向上させることができる。また、放熱層22は、他方面側に凹凸部22bを有することにより、放熱層22と接着シート11との接着力が高まるアンカー効果が得られ、放熱層22と接着シート11との接着強度をより向上させることができる。
また、配線基板2の放熱層22は、図4の発光装置10で示すように、サブマウント部材5が実装される部位の厚みを該部位の周部よりも厚くしてもよい。放熱層22は、サブマウント部材5が実装される部位の厚みを該部位の周部よりも厚くする代わりにサブマウント部材5の厚みを薄くすることにより、LEDチップ1の配線基板2に対する位置(高さ)を図3の発光装置10におけるLEDチップ1の配線基板2に対する位置(高さ)と同等にすることができる。すなわち、図4に示す発光装置10は、サブマウント部材5の厚みを図3に示す発光装置10に用いられたサブマウント部材5の厚みよりも相対的に薄くすることが可能となる。そのため、図4に示す発光装置10は、発光装置10の低熱抵抗化を維持しつつ、比較的高価なサブマウント部材5の使用量を低減することによるコストを低減させることが可能となる。なお、このような配線基板2は、サブマウント部材5が実装される部位が該部位の周部の厚みよりも厚い放熱層22を孔部21aを有する絶縁性基材21に貼り合せることで形成させることができる。
本実施形態の発光装置10に用いられる配線基板2は、たとえば、両面に金属層などが形成されたガラスエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、紙フェノールなどの絶縁材料からなる絶縁性基材21を用いることができる。配線基板2は、サブマウント部材5を実装させる部位に孔部21aを設けている。絶縁性基材21の一表面2aに形成される配線パターン23の一部は、給電接続部としてLEDチップ1へ給電するための電極パッドなどとすることができる。配線基板2における配線パターン23,23の厚みは、たとえば、18μm〜140μm程度とすればよい。また、配線基板2の放熱層22は、配線パターン23,23が形成されている絶縁性基材21の一表面2aとは反対の他表面2b側の略全面に、たとえば、銅やアルミニウム箔などによって形成させることができる。放熱層22は、LEDチップ1で生じた熱を放熱層22に沿って放熱層22の面方向に拡散させる役割を有している。このような放熱層22の厚みは、たとえば、18μm〜140μm程度とすることができる。なお、配線基板2のサブマウント部材5が実装される放熱層22の底面22aは、金メッキするなどメッキ処理を施していてもよい。また、配線基板2は、孔部21a内に凸部3が存在することで、LEDチップ1が配置されるサブマウント部材5などを実装するときの位置決めを容易にすることができる。配線基板2に設けられた凸部3は、凸部3の縁の高さを、たとえば30μm程度として形成すればよい。凸部3は、放熱部22と別体に形成させてもよいし、放熱部22の一部を利用して形成させてもよい。
また、発光装置10は、配線基板2の絶縁性基材21における上記一表面2a側に、LEDチップ1から放射された光を反射させる表面反射層24を設けてもよい。表面反射層24は、絶縁性基材21の上記一表面2aにおける配線パターン23,23の上記給電接続部以外に形成してあり、白色系の樹脂材料を積層して形成させることもできる。表面反射層24は、LEDチップ1から放射される光を効率よく反射可能なものであって、たとえば、BaSO4などの白色顔料となる無機材料が含有されたレジスト材料、やAl、Al合金、Ag、Ag合金などの金属材料を用いて構成することもできる。なお、表面反射層24が導電性を有する場合、発光装置10は、LEDチップ1の上記アノード電極と上記カソード電極とが短絡しないように、表面反射層24と一対の配線パターン23,23との間に絶縁層(図示していない)を適宜に形成させればよい。
これにより、LEDチップ1の側面から発せられた光が、配線基板2の表面で吸収されることを防止することができる。なお、表面反射層24には、波長変換部材9の底部9cを固定することができるリング状の溝(図示していない)を形成させることもできる。波長変換部材9の底部9cを、配線基板2に設けられたリング状の上記溝に嵌め合わせることで波長変換部材9の位置決めを行うことが容易となる。
本実施形態の発光装置10の配線基板2における孔部21aの底面22aに設けられる凸部3は、LEDチップ1が配置されるサブマウント部材5を位置合わせてして固定することができるものである。凸部3は、放熱層22と別途に形成させてもよいし、放熱層22の一部を用いて形成してもよい。なお、凸部3の形状は、サブマウント部材5を位置合わせして固定できればよく、必ずしもリング状に形成させる必要もなく、サブマウント部材5の形状に合わせて適宜の形状に形成すればよい。
本実施形態の発光装置10に用いられる凸部3は、配線基板2の孔部21aの底面22aで露出した放熱層22上に設けられたものであって、サブマウント部材5の位置決めをすることが可能なものである。すなわち、配線基板2の孔部21aで露出した放熱層22に設けられている凸部3は、サブマウント部材5が実装されるための位置決めされが可能な形状を備えている。そのため、発光装置10は、サブマウント部材5を実装する際における位置決めが容易となり、発光装置10から放出される光学設計を簡便にでき、製造された発光装置10それぞれの光出力特性がより均一で、より高出力に発光することが可能となる。
なお、本実施形態の発光装置10に用いられる配線基板2の製造工程について、図2(a)〜図2(c)を用いて説明する。
発光装置10の配線基板2は、ガラスエポキシ樹脂を用いた絶縁性基材21の一表面2a側に配線パターン23,23となる金属層(たとえば、銅箔)23’と、他表面2b側に放熱層22となる金属層(たとえば、銅箔)22’とが、予め形成されたガラスエポキシ基板を用いている(図2(a)を参照)。
絶縁性基材21の上記一表面2a側に形成された金属層23’をエッチングなどを利用してパターニングすることにより配線パターン23,23が形成される。また、絶縁性基材21の上記他表面2b側の金属層22’が放熱層22として機能することになる。
次に、絶縁性基材21の上記一表面2a側から上記他表面2b側の放熱層22が露出するまで、スライス盤(図示していない)により、絶縁性基材21を掘り込み孔部21aの形成を行う孔部形成工程を行う(図2(b)を参照)。
続いて、配線基板2の孔部21aの底面22aの周部において、サブマウント部材5の外形と略相似形でサブマウント部材5の外形よりも若干大きい矩形のリング状に付加型樹脂材料であるクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を滴下し、硬化させる。これにより、配線基板2にサブマウント部材5を位置決めするためのリング状の凸部3を形成する凸部形成工程を行う(図2(c)を参照)。
ここで、凸部3は、凸部3の材料となる上記付加型樹脂材料の粘度、滴下位置の管理を行うことで、配線基板2の孔部21aの底面22aにおける位置および形状や精度を適宜に設定して形成することができる。
次に、本実施形態の発光装置10に用いられるサブマウント部材5は、LEDチップ1で生じた熱を放熱層22側へ効率よく放熱させるために用いられるものである。このようなサブマウント部材5の材料としては、熱伝導率が比較的高く、かつ電気絶縁性を有する材料として、窒化アルミニウムを好適に用いることができる。サブマウント部材5は、平面視の外形をLEDチップ1より大きくしてあり、LEDチップ1から発せられた熱を、LEDチップ1のサイズよりも広い範囲に拡散させるヒートスプレッダとしての機能を備えている。また、サブマウント部材5は、配線基板2の放熱層22と、LEDチップ1との線膨張係数差によって発生する応力を緩和する機能を備えている。さらに、サブマウント部材5は、LEDチップ1と、放熱層22との電気絶縁性を確保する機能を合わせ持たせることができる。
また、サブマウント部材5は、図5の発光装置10で示すように、LEDチップ1が配置される表面側よりも、放熱層22側となる他面側の面積を大きくしてもよい。サブマウント部材5は、LEDチップ1が配置される表面側よりも、放熱層22側となる他面側の面積を大きくすることにより、サブマウント部材5と放熱層22との接触面積が大きく放熱効率を向上させることができる。
サブマウント部材5は、表面にLEDチップ1に給電するために電気的に接合する導体パターン(図示していない)と、LEDチップ1から発せられた光の吸収を防止するための反射膜(図示していない)とを好適に形成してもよい。上記導体パターンは、たとえば、Auを主成分とするAuとSnの合金により形成させることができ、上記反射膜は、金により形成させることができる。なお、サブマウント部材5の厚み寸法は、LEDチップ1からの光を効率よく放出させるためには、配線基板2の孔部21aの深さと同等以上とすることがより好ましい。サブマウント部材5の表面が、配線基板2の表面反射層24の表面よりも、放熱層22の一方面に対して高くすることにより、LEDチップ1の側面から発せられた光を配線基板2の上記反射膜で効率よく反射させることができる。
本実施形態の発光装置10に用いられる光学部材7は、シリコーン樹脂などの透光性材料の成形品であって、ドーム状に成形している。また、光学部材7の内部には、LEDチップ1やワイヤ4,4などを被覆するゲル状のシリコーン樹脂である封止部6を充填している。光学部材7は、外形をドーム状に形成することにより、LEDチップ1から発せられた光が光学部材7の光出射面と空気層8の界面とで全反射するのを防止することができる。
本実施形態の発光装置10では、光学部材7と封止部6とを同じシリコーン樹脂を用いて形成しているため、屈折率差、線膨張係数差を小さくすることができ、線膨張係数差によって発生する応力を緩和することができる。また、光学部材7の内部で、ワイヤ4,4やLEDチップ1を絶縁材料となる封止部6により封止することにより、LEDチップ1などを保護することができると共に電気的な短絡を防止することができる。なお、封止部6は、透明なゲル状のシリコーン樹脂だけでなく、エポキシ樹脂などを用いても良い。
ここで、光学部材7は、配線基板2の孔部21a内に実装されたLEDチップ1から放射された光の集光や外部から保護するために好適に設けられている。したがって、波長変換部材9がLEDチップ1を覆って固定できれば、光学部材7や封止部6は、必ずしも設ける必要もなく、光学部材7や封止部6を設ける代わりに空気層8だけとしてもよい。
本実施形態の発光装置10に用いられる波長変換部材9は、LEDチップ1が放射する光の少なくとも一部を吸収して波長変換し、LEDチップ1からの光よりも長波長側に主発光波長となる蛍光を発することが可能なものであり、たとえば、発光装置10から白色光を放出させるために好適に設けている。波長変換部材9は、たとえば、LEDチップ1から放射された光の一部を吸収して、より長波長側に主発光波長となる蛍光を放射する蛍光体をシリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂やガラスなどの透光性材料中に含有して形成すればよい。波長変換部材9の厚みは、それぞれ発光装置10から放射する光の目標とする色温度、LEDチップ1から放射される光の発光強度や蛍光体の発光効率などによって適宜設定すればよい。
本実施形態の発光装置10において、波長変換部材9は、透光性材料(たとえば、シリコーン樹脂)と、LEDチップ1から発せられた青色光を波長変換するための黄色蛍光体を混合した成形品により形成している。また、波長変換部材9の形状は、ドーム状として内部が光学部材7の外形と相似形状に形成させてある。波長変換部材9は、波長変換部材9の形状を膜厚が一定のドーム状に形成することで、光学部材7から発せられたLEDチップ1の光が波長変換部材9の光入射面9aから入射し波長変換部材9を通過して光出射面9bから光が出射する際に、波長変換部材9における光路長差を小さくすることが可能となる。
そのため、発光装置10は、波長変換部材9を透過するLEDチップ1からの光の光路長差が異なることにより生ずる光の色むらを低減させることが可能となる。また、波長変換部材9に混合する蛍光体は、青色光を吸収して黄色光を発する黄色蛍光体に限らず、赤色光を発する赤色蛍光体、緑色光を発する緑色蛍光体などを透光性樹脂中に混合させてもよい。たとえば、波長変換部材9に含まれる蛍光体は、発光装置10から、より演色性の高い白色光を放射させるため、緑色光が発光可能な緑色蛍光体(たとえば、Euで付活された(Sr,Ba)2SiO4など)と、LEDチップ1からの青色光を吸収して赤色光が発光可能な赤色蛍光体(たとえば、Euで付活されたCaAlSiN3など)とを用いることもできる。
したがって、波長変換部材9に用いられる蛍光体としては、Euで付活されたBa2SiO4やEuで付活された(Sr,Ba)2SiO4などの希土類でドープされた珪酸塩系の蛍光体のほか、たとえば、Ceで付活されたY3Al5O12やCeで付活されたTb3Al5O12などの希土類でドープされたアルミネート系の蛍光体、Euで付活されたCaAlSiN3、Euで付活されたSr2Si5N8、Euで付活されたCa2Si5N8、Euで付活されたSrSi7N10やEuで付活されたCaSi7N10などの希土類でドープされた窒化物系の蛍光体を適宜に採用すればよい。
本実施形態の発光装置10を照明器具に利用する場合、発光装置10が実装される照明器具の器具本体12は、熱伝導性の高い金属材料(たとえば、アルミダイカスト)の板材を用いることができる。また、発光装置10は、熱伝導性および絶縁性に優れた接着シート11によって器具本体12に接着固定させればよい。
このような接着シート11としては、アルミナ、シリカや酸化チタンなどの熱伝導性のフィラーをエポキシ樹脂中に充填して半硬化のシート状に形成させたものが挙げられる。接着シート11は、樹脂中に熱伝導性のフィラーを混合させることで、比較的高い熱伝導率(たとえば、約3W/m・K)で、かつ絶縁性を有することができる。本実施形態の発光装置10は、熱伝導性および絶縁性に優れた接着シート11を用いることにより、照明器具全体としての絶縁性を向上させることができる。また、接着シート11は、たとえば、シート厚みを約100μm程度とすることができ、加熱時に低粘度化する。そのため、他の一般的なゴム状の放熱シートを用いる場合より、シート厚を薄くできるため熱抵抗が小さくなり、器具本体12へ効率よく放熱することが可能となる。
なお、発光装置10は、配線基板2に複数個の孔部21aを設け、それぞれにLEDチップ1がサブマウント部材5を介して実装させることにより、複数個のLEDチップ1を備えた発光装置10からなるLEDユニットとして用いることができる。このような発光装置10は、LEDチップ1を1個内蔵した複数個の発光装置10を器具本体12に固着する照明器具と比較して製造工程を簡略化することもできる。
(実施形態2)
図6に示す発光装置10は、図1に示す実施形態の発光装置10と同様の構成であって、LEDチップ1が実装されたサブマウント部材5を配線基板2の放熱層22上に別途に形成させた凸部3を用いる代わりに、放熱層22と一体となった凸部3を用いた点が異なる。また、図1と同様の構成については、同じ番号を付して説明を省略してある。
図6に示す発光装置10は、図1に示す実施形態の発光装置10と同様の構成であって、LEDチップ1が実装されたサブマウント部材5を配線基板2の放熱層22上に別途に形成させた凸部3を用いる代わりに、放熱層22と一体となった凸部3を用いた点が異なる。また、図1と同様の構成については、同じ番号を付して説明を省略してある。
本実施形態の発光装置10は、LEDチップ1と、該LEDチップ1が熱伝導性のサブマウント部材5を介して配置される配線基板2とを備えている。配線基板2は、絶縁性基材21と、該絶縁性基材21の一表面2a側に形成されLEDチップ1へ給電する配線パターン23,23と、絶縁性基材21の他表面2b側に設けられLEDチップ1で生じた熱を放熱する放熱層22とを備えている。特に、配線基板2は、絶縁性基材21を貫設し上記一表面2a側から放熱層22が露出する孔部21aの底面22aにサブマウント部材5が位置決めされる放熱層22と一体となった凸部3を有している。
以下、本実施形態の発光装置10に用いられる配線基板2の凸部3について、図7の配線基板2の製造工程を用いて説明する。
本実施形態の発光装置10に用いられる配線基板2は、実施形態1の発光装置10における配線基板2にスライス盤で孔部21aを形成させるまでは同様にして配線基板2を形成する(図2(b)を参照)。
次に、配線基板2は、放熱層22の孔部21aの底部にサブマウント部材5の他面と相似形で他面側よりも若干大きなリング状のレジストマスク25を形成する(図7(a)を参照)。
また、配線基板2は、放熱層22の上記底部を、レジストマスク25を介してエッチング処理することにより、放熱層22と一体となった凸部3を形成する凸部形成工程を行うことができる(図7(b)を参照)。なお、凸部3を形成後に、レジストマスク25を放熱層22から除去する。
続いて、予めAuSnが形成されたサブマウント部材5の他面側を、配線基板2の放熱層22の凸部3をガイドとして配線基板2の孔部21aの底面22aに配置し、サブマウント部材5の他面側と放熱層22とを金属接合により接合させて実装する。また、サブマウント部材5の導体パターン(図示していない)上にLEDチップ1を実装させると共に、サブマウント部材5の上記導体パターンやLEDチップ1と、配線基板2の配線パターン23,23とをワイヤ4,4でボンディングすることにより、LEDチップ1へ給電可能に構成することができる。
その後は、実施形態1の発光装置10と同様にして図6に示す発光装置10を形成することができる。なお、図6では、表面反射層24を図示していないが、適宜に設ければよい。
ここで、スライス盤を用いて、配線基板2に孔部21aを形成させる場合、孔部21aの形成に伴い放熱層22の表面にバリなどが生ずる恐れもある。放熱層22のバリは、サブマウント部材5を孔部21aの底面22aに実装させることを難しくさせる場合も考えられる。本実施形態の発光装置10では、放熱層22を部分的にエッチング処理して凸部3を形成させている。そのため、本実施形態の発光装置10は、凸部3の形成に伴い放熱層22に生ずる上記バリなどを除去することもでき、サブマウント部材5をエッチング処理されたリング状の凸部3内における平滑な底面22a上に実装させることができる。
このように形成された本実施形態の発光装置10は、サブマウント部材5を実装する際における位置決めが容易となり、発光装置10から放出される光学設計を簡便にし、製造された発光装置10それぞれの光出力特性がより均一で、より高出力に発光することが可能となる。
1 LEDチップ
2 配線基板
2a 一表面
2b 他表面
3 凸部
5 サブマウント部材
10 発光装置
21 絶縁性基材
21a 孔部
22 放熱層
22a 底面
22b 凹凸部
23 配線パターン
2 配線基板
2a 一表面
2b 他表面
3 凸部
5 サブマウント部材
10 発光装置
21 絶縁性基材
21a 孔部
22 放熱層
22a 底面
22b 凹凸部
23 配線パターン
Claims (4)
- LEDチップと、該LEDチップが熱伝導性のサブマウント部材を介して配置される配線基板とを備えた発光装置であって、
前記配線基板は、絶縁性基材と、該絶縁性基材の一表面側に形成され前記LEDチップへ給電する配線パターンと、前記絶縁性基材の前記一表面と反対の他表面側に設けられ前記LEDチップで生じた熱を放熱する放熱層とを備え、前記絶縁性基材を貫設し前記一表面側から前記放熱層が露出する孔部の底面に前記サブマウント部材が位置決めされる凸部を有することを特徴とする発光装置。 - 前記放熱層は、前記サブマウント部材が実装される一方面と対向する他方面側に該他方面側の表面積を大きくする凹凸部を有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記放熱層は、前記サブマウント部材が実装される部位が、該部位の周部の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 前記サブマウント部材は、前記LEDチップが配置される表面側よりも、前記放熱層側となる他面側の面積が大きいことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
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---|---|---|---|---|
JP2013090924A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Nitin Mahajan | Led組立体を備えた内視鏡 |
JP2015505172A (ja) * | 2012-01-25 | 2015-02-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Ledモジュール、ledユニット、及びledモジュールを備える照明器具 |
CN105580498A (zh) * | 2013-11-04 | 2016-05-11 | 飞利浦照明控股有限公司 | 电涌保护装置 |
JP2017069401A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 基板及び発光装置、並びに発光装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-02-23 JP JP2010037909A patent/JP2011176054A/ja not_active Withdrawn
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---|---|---|---|---|
JP2013090924A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Nitin Mahajan | Led組立体を備えた内視鏡 |
JP2015505172A (ja) * | 2012-01-25 | 2015-02-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Ledモジュール、ledユニット、及びledモジュールを備える照明器具 |
CN105580498A (zh) * | 2013-11-04 | 2016-05-11 | 飞利浦照明控股有限公司 | 电涌保护装置 |
JP2016541093A (ja) * | 2013-11-04 | 2016-12-28 | フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ | サージ保護装置 |
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