JP2003017272A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置および表示装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素間での外光反射を防止しコントラストの
良好な表示装置を提供する。 【解決手段】 基板１上にパターン形成された第１電極
７と、第１電極７を画素毎に露出させる開口部８ａを備
えて基板１上に設けられた絶縁膜８と、絶縁膜８の開口
部８ａから露出している第１電極７上に設けられた有機
ＥＬ層１１、有機ＥＬ層１１の上方に設けられた光透過
性材料からなる第２電極１２とを備えた表示装置におい
て、絶縁膜８上には、光吸収層１０が設けられているこ
とを特徴とする。光吸収層１０によって、発光部となる
開口部８ａ間の絶縁膜８上を覆い、発光部間での外光反
射によるコントラストの低下を防止する。
良好な表示装置を提供する。 【解決手段】 基板１上にパターン形成された第１電極
７と、第１電極７を画素毎に露出させる開口部８ａを備
えて基板１上に設けられた絶縁膜８と、絶縁膜８の開口
部８ａから露出している第１電極７上に設けられた有機
ＥＬ層１１、有機ＥＬ層１１の上方に設けられた光透過
性材料からなる第２電極１２とを備えた表示装置におい
て、絶縁膜８上には、光吸収層１０が設けられているこ
とを特徴とする。光吸収層１０によって、発光部となる
開口部８ａ間の絶縁膜８上を覆い、発光部間での外光反
射によるコントラストの低下を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し、特
には画素間に補助電極を設けてなる表示装置に関する。
には画素間に補助電極を設けてなる表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】自発光型の素子（以下、発光素子と記
す）である有機エレクトロルミネッセンス(electrolumi
nescence：以下ＥＬと記す）素子は、カソード電極また
はアノード電極となる第１電極と第２電極との間に、有
機発光層を含む有機ＥＬ膜を挟持してなり、低電圧直流
駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目され
ている。
す）である有機エレクトロルミネッセンス(electrolumi
nescence：以下ＥＬと記す）素子は、カソード電極また
はアノード電極となる第１電極と第２電極との間に、有
機発光層を含む有機ＥＬ膜を挟持してなり、低電圧直流
駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目され
ている。
【０００３】このような発光素子を用いた表示装置（す
なわち有機ＥＬディスプレイ）において、例えば各画素
に薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下ＴＦ
Ｔと記す）が設けられたアクティブマトリックス型の表
示装置では、基板上に形成された薄膜トランジスタを覆
う状態で層間絶縁膜が設けられ、この層間絶縁膜上の各
画素部に発光素子が設けられている。ところで、このア
クティブマトリックス型の表示装置において発光素子の
開口率を確保するためには、発光素子で発生させた発光
光を基板と反対側の第２電極側から取り出す、いわゆる
上面光取り出し構造（以下、上面発光型と記す）として
構成することが有効になる。
なわち有機ＥＬディスプレイ）において、例えば各画素
に薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下ＴＦ
Ｔと記す）が設けられたアクティブマトリックス型の表
示装置では、基板上に形成された薄膜トランジスタを覆
う状態で層間絶縁膜が設けられ、この層間絶縁膜上の各
画素部に発光素子が設けられている。ところで、このア
クティブマトリックス型の表示装置において発光素子の
開口率を確保するためには、発光素子で発生させた発光
光を基板と反対側の第２電極側から取り出す、いわゆる
上面光取り出し構造（以下、上面発光型と記す）として
構成することが有効になる。
【０００４】図７には、このような上面発光型の表示装
置の概略断面図を示す。上面発光型の表示装置は、基板
１０１上に金属などの反射性材料からなる第１電極１０
２を、陽極として設けてなる。また、第１電極１０２が
形成された基板１０１上には、ポリイミド膜や酸化シリ
コン膜からなる絶縁膜１０３が形成されている。この絶
縁膜１０３には、第１電極１０２を画素毎に露出させる
開口部１０３ａがパターン形成されている。この開口部
３ａから露出している第１電極１０２上には、有機ＥＬ
層１０４が設けられている。有機ＥＬ層１０４は、端縁
を絶縁膜１０３の開口縁部分上に重ねた状態にして設け
ることで、絶縁膜１０３の開口部１０３ａから露出する
第１電極１０２を完全に覆う様に設けられる。そして、
この有機ＥＬ層１０４上に、透明材料からなる第２電極
１０５が陰極として設けられ、第１電極２と第５電極１
０５との間に有機ＥＬ層１０４を挟持してなる発光素子
１０６が構成されている。尚、第２電極１０２上には、
第２電極１０２の導電性を補強するための透明電極１０
７が設けられる場合もある。
置の概略断面図を示す。上面発光型の表示装置は、基板
１０１上に金属などの反射性材料からなる第１電極１０
２を、陽極として設けてなる。また、第１電極１０２が
形成された基板１０１上には、ポリイミド膜や酸化シリ
コン膜からなる絶縁膜１０３が形成されている。この絶
縁膜１０３には、第１電極１０２を画素毎に露出させる
開口部１０３ａがパターン形成されている。この開口部
３ａから露出している第１電極１０２上には、有機ＥＬ
層１０４が設けられている。有機ＥＬ層１０４は、端縁
を絶縁膜１０３の開口縁部分上に重ねた状態にして設け
ることで、絶縁膜１０３の開口部１０３ａから露出する
第１電極１０２を完全に覆う様に設けられる。そして、
この有機ＥＬ層１０４上に、透明材料からなる第２電極
１０５が陰極として設けられ、第１電極２と第５電極１
０５との間に有機ＥＬ層１０４を挟持してなる発光素子
１０６が構成されている。尚、第２電極１０２上には、
第２電極１０２の導電性を補強するための透明電極１０
７が設けられる場合もある。
【０００５】このような構成の表示装置では、第１電極
１０２に電圧を印加し、さらに第２電極１０５に電圧を
印加することによって、選択された各画素の有機ＥＬ層
１０４で発光光ｈが生じ、この発光光ｈが光透過性材料
からなる第２電極１０５側から取り出されることにな
る。この際、絶縁膜１０３に形成された開口部１０３ａ
が、各画素に設けられた発光素子１０６の発光部とな
る。
１０２に電圧を印加し、さらに第２電極１０５に電圧を
印加することによって、選択された各画素の有機ＥＬ層
１０４で発光光ｈが生じ、この発光光ｈが光透過性材料
からなる第２電極１０５側から取り出されることにな
る。この際、絶縁膜１０３に形成された開口部１０３ａ
が、各画素に設けられた発光素子１０６の発光部とな
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した構
成の表示装置においては、各発光素子１０６の発光部間
を分離するための絶縁膜１０３が、酸化シリコンやポリ
イミド膜のように十分な光吸収特性を持たない光透過性
材料からなる。このため、各画素間においても、発光素
子１０６の発光部を分離する絶縁膜１０３下の第１電極
１０２部分やその他の配線材料部分に外光Ｈが入射し、
これらの配線材料でこの外光Ｈが反射される。
成の表示装置においては、各発光素子１０６の発光部間
を分離するための絶縁膜１０３が、酸化シリコンやポリ
イミド膜のように十分な光吸収特性を持たない光透過性
材料からなる。このため、各画素間においても、発光素
子１０６の発光部を分離する絶縁膜１０３下の第１電極
１０２部分やその他の配線材料部分に外光Ｈが入射し、
これらの配線材料でこの外光Ｈが反射される。
【０００７】特に、アクティブマトリックス型の表示装
置においては、画素毎にＴＦＴが形成された基板上に、
平坦化絶縁膜を介して発光素子１０６が配置される。こ
のため、発光素子１０６間下方のＴＦＴ回路が、発光素
子１０６の発光部間から見えることになる。通常、これ
らの配線材料は、アルミニウムのような低抵抗材料で形
成されており、外光反射が大きい。したがって、第２電
極１０５側からの外光が、絶縁膜を透過して発光素子１
０６間に位置する配線材料や回路部分で反射し、第２電
極１０５側から取り出されることになり、表示装置のコ
ントラストを低下させる要因になっている。
置においては、画素毎にＴＦＴが形成された基板上に、
平坦化絶縁膜を介して発光素子１０６が配置される。こ
のため、発光素子１０６間下方のＴＦＴ回路が、発光素
子１０６の発光部間から見えることになる。通常、これ
らの配線材料は、アルミニウムのような低抵抗材料で形
成されており、外光反射が大きい。したがって、第２電
極１０５側からの外光が、絶縁膜を透過して発光素子１
０６間に位置する配線材料や回路部分で反射し、第２電
極１０５側から取り出されることになり、表示装置のコ
ントラストを低下させる要因になっている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述したような課題を解
決すべくなされた本発明は、基板上にパターン形成され
た第１電極と、当該第１電極を画素毎に露出させる開口
部を備えて基板上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の開口
部から露出している第１電極上に設けられた発光層と、
当該発光層の上方に設けられた光透過性材料からなる第
２電極とを備えた表示装置において、第１の表示装置は
絶縁膜上に光吸収層を設けたことを特徴としている。ま
た、第２の表示装置は絶縁膜が光吸収材料からなること
を特徴としている。
決すべくなされた本発明は、基板上にパターン形成され
た第１電極と、当該第１電極を画素毎に露出させる開口
部を備えて基板上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の開口
部から露出している第１電極上に設けられた発光層と、
当該発光層の上方に設けられた光透過性材料からなる第
２電極とを備えた表示装置において、第１の表示装置は
絶縁膜上に光吸収層を設けたことを特徴としている。ま
た、第２の表示装置は絶縁膜が光吸収材料からなること
を特徴としている。
【０００９】このような構成の表示装置においては、絶
縁膜の開口部において第１電極、発光層および第２電極
が積層され、この開口部が発光部となり、絶縁膜は発光
部を分離する部分となる。このような構成の表示装置に
おいて、特に第１の表示装置では、発光部（開口部）を
分離する絶縁膜上に光吸収層を設けた構成としたこと
で、光透過性材料からなる第２電極側から入射される外
光のうち、この発光部間に入射される外光は、絶縁膜上
に設けた光吸収層によって吸収されることになる。した
がって、発光層で生じた発光光を光透過性材料からなる
第２電極側から取り出して表示する際に、発光部間で外
光反射が生じることによるコントラストの低下が防止さ
れる。
縁膜の開口部において第１電極、発光層および第２電極
が積層され、この開口部が発光部となり、絶縁膜は発光
部を分離する部分となる。このような構成の表示装置に
おいて、特に第１の表示装置では、発光部（開口部）を
分離する絶縁膜上に光吸収層を設けた構成としたこと
で、光透過性材料からなる第２電極側から入射される外
光のうち、この発光部間に入射される外光は、絶縁膜上
に設けた光吸収層によって吸収されることになる。した
がって、発光層で生じた発光光を光透過性材料からなる
第２電極側から取り出して表示する際に、発光部間で外
光反射が生じることによるコントラストの低下が防止さ
れる。
【００１０】また、第２の表示装置においては、発光部
（開口部）を分離する絶縁膜を光吸収材料で構成したこ
とで、光透過性材料からなる第２電極側から入射される
外光のうち、発光部間に入射される外光は、この発光部
を分離する絶縁膜によって吸収される。したがって、発
光層で生じた発光光を光透過性材料からなる第２電極側
から取り出して表示する際に、発光部間で外光反射が生
じることによるコントラストの低下が防止される。
（開口部）を分離する絶縁膜を光吸収材料で構成したこ
とで、光透過性材料からなる第２電極側から入射される
外光のうち、発光部間に入射される外光は、この発光部
を分離する絶縁膜によって吸収される。したがって、発
光層で生じた発光光を光透過性材料からなる第２電極側
から取り出して表示する際に、発光部間で外光反射が生
じることによるコントラストの低下が防止される。
【００１１】さらに本発明における表示装置の製造方法
は、上述した表示装置の製造方法でもあり、第１の方法
は、基板上にパターン形成された第１電極を覆う状態
で、当該基板上に絶縁膜および光吸収層を順次積層形成
し、次いでこれらの光吸収層および絶縁膜に、第１電極
に達する開口部を形成する。その後、開口部から露出し
た第１電極上を覆う状態で発光層を形成し、次いで発光
層の上方に第２電極を形成する。
は、上述した表示装置の製造方法でもあり、第１の方法
は、基板上にパターン形成された第１電極を覆う状態
で、当該基板上に絶縁膜および光吸収層を順次積層形成
し、次いでこれらの光吸収層および絶縁膜に、第１電極
に達する開口部を形成する。その後、開口部から露出し
た第１電極上を覆う状態で発光層を形成し、次いで発光
層の上方に第２電極を形成する。
【００１２】このような第１の製造方法では、絶縁膜上
に光吸収層を形成した後、光吸収層と絶縁膜とに開口部
を形成する手順としたことで、光吸収層と絶縁膜とに
は、同一のマスクを用いたエッチングによって開口部が
形成されることになる。このため、開口部を分離する絶
縁膜上に、当該絶縁膜に対して位置ズレを生じさせるこ
となく光吸収層が形成される。したがって、絶縁膜への
開口部の形成に対してセルフアラインで、この開口部を
分離する絶縁膜の上部を覆う光吸収層が形成され、絶縁
膜上をズレなく確実に光吸収層で覆った表示装置が得ら
れる。
に光吸収層を形成した後、光吸収層と絶縁膜とに開口部
を形成する手順としたことで、光吸収層と絶縁膜とに
は、同一のマスクを用いたエッチングによって開口部が
形成されることになる。このため、開口部を分離する絶
縁膜上に、当該絶縁膜に対して位置ズレを生じさせるこ
となく光吸収層が形成される。したがって、絶縁膜への
開口部の形成に対してセルフアラインで、この開口部を
分離する絶縁膜の上部を覆う光吸収層が形成され、絶縁
膜上をズレなく確実に光吸収層で覆った表示装置が得ら
れる。
【００１３】また第２の製造方法は、基板上にパターン
形成された第１電極を覆う状態で、当該基板上に光吸収
材料からなる絶縁膜を形成し、次いでこの絶縁膜に第１
電極に達する開口部を形成する。その後、開口部から露
出した第１電極上を覆う状態で発光層を形成し、次いで
発光層の上方に第２電極を形成する。
形成された第１電極を覆う状態で、当該基板上に光吸収
材料からなる絶縁膜を形成し、次いでこの絶縁膜に第１
電極に達する開口部を形成する。その後、開口部から露
出した第１電極上を覆う状態で発光層を形成し、次いで
発光層の上方に第２電極を形成する。
【００１４】このような第２の製造方法では、光吸収材
料からなる絶縁膜に対して開口部を形成する手順とした
ことで、形成された開口部は吸収材料からなる絶縁膜に
よって分離されることになる。したがって、この開口部
に形成される発光部間を、ずれなく確実に光吸収材料で
覆った表示装置が得られる。
料からなる絶縁膜に対して開口部を形成する手順とした
ことで、形成された開口部は吸収材料からなる絶縁膜に
よって分離されることになる。したがって、この開口部
に形成される発光部間を、ずれなく確実に光吸収材料で
覆った表示装置が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の表示装置の実施の
形態を図面に基づいて説明する。尚ここでは、発光素子
として有機ＥＬ素子を配列形成してなるアクティブマト
リックス方式の上面発光型表示装置を例示して実施形態
の説明を行う。しかし、本発明は、発光素子として有機
ＥＬ素子を用いたものに限定されることはなく、例えば
無機電界発光素子のような自発光型の発光素子を用いた
表示装置に広く適用可能である。また、アクティブマト
リックス方式に限定されることもなく、単純マトリック
ス方式の表示装置にも適用可能である。
形態を図面に基づいて説明する。尚ここでは、発光素子
として有機ＥＬ素子を配列形成してなるアクティブマト
リックス方式の上面発光型表示装置を例示して実施形態
の説明を行う。しかし、本発明は、発光素子として有機
ＥＬ素子を用いたものに限定されることはなく、例えば
無機電界発光素子のような自発光型の発光素子を用いた
表示装置に広く適用可能である。また、アクティブマト
リックス方式に限定されることもなく、単純マトリック
ス方式の表示装置にも適用可能である。
【００１６】（第1実施形態）図１は、本実施形態にお
ける表示装置の構成を説明するための断面図である。こ
の図に示す表示装置は、例えばガラス基板からなる基板
１上の各画素に対応させて、薄膜トランジスタ（thin f
ilm transistor：以下ＴＦＴと記す）２が配列形成され
ている。尚、ここで例示した表示装置は上面発光型であ
るため、基板１は光透過性を有する材料である必要はな
く、ガラス基板以外の他の基板（例えばシリコン基板
等）を用いても良く、この基板の表面層に駆動用のトラ
ンジスタを配列形成しても良い。
ける表示装置の構成を説明するための断面図である。こ
の図に示す表示装置は、例えばガラス基板からなる基板
１上の各画素に対応させて、薄膜トランジスタ（thin f
ilm transistor：以下ＴＦＴと記す）２が配列形成され
ている。尚、ここで例示した表示装置は上面発光型であ
るため、基板１は光透過性を有する材料である必要はな
く、ガラス基板以外の他の基板（例えばシリコン基板
等）を用いても良く、この基板の表面層に駆動用のトラ
ンジスタを配列形成しても良い。
【００１７】また基板１上には、ＴＦＴ２を覆う状態で
絶縁膜３が設けられ、この絶縁膜３に形成した接続孔
（図示省略）を介してＴＦＴ２に接続させた配線４が、
絶縁膜３上に設けられている。
絶縁膜３が設けられ、この絶縁膜３に形成した接続孔
（図示省略）を介してＴＦＴ２に接続させた配線４が、
絶縁膜３上に設けられている。
【００１８】この絶縁膜３上には、配線４を覆う状態で
層間絶縁膜５が表面平坦に形成されている。この層間絶
縁膜５には、配線４に達する接続孔６が設けられてい
る。そして、この接続孔６を介して配線４に接続された
第１電極７が、層間絶縁膜５上に各画素に対応させてパ
ターン形成されている。この第１電極７は、例えば発光
素子の陽極として用いられるもので、Ａｕ（金）、Ｐｔ
（プラチナ）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、
ニッケル（Ｎｉ）に代表されるような仕事関数の高い材
料を用いて構成されていることとする。尚、この第１電
極７は、陰極として用いられても良く、この場合にはこ
の第１電極７は、仕事関数の低い導電性材料を用いて構
成されることとする。
層間絶縁膜５が表面平坦に形成されている。この層間絶
縁膜５には、配線４に達する接続孔６が設けられてい
る。そして、この接続孔６を介して配線４に接続された
第１電極７が、層間絶縁膜５上に各画素に対応させてパ
ターン形成されている。この第１電極７は、例えば発光
素子の陽極として用いられるもので、Ａｕ（金）、Ｐｔ
（プラチナ）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、
ニッケル（Ｎｉ）に代表されるような仕事関数の高い材
料を用いて構成されていることとする。尚、この第１電
極７は、陰極として用いられても良く、この場合にはこ
の第１電極７は、仕事関数の低い導電性材料を用いて構
成されることとする。
【００１９】また、層間絶縁膜５上には、第１電極７の
周縁を覆う状態で絶縁膜８が設けられている。この絶縁
膜８は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）やその他の絶
縁性材料からなり、第１電極７の表面のみを露出させる
ようにパターニングされた開口部８ａを備えている。
尚、この開口部８ａがこの表示装置における各画素の実
質的な発光部分となる。
周縁を覆う状態で絶縁膜８が設けられている。この絶縁
膜８は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）やその他の絶
縁性材料からなり、第１電極７の表面のみを露出させる
ようにパターニングされた開口部８ａを備えている。
尚、この開口部８ａがこの表示装置における各画素の実
質的な発光部分となる。
【００２０】この絶縁膜８上には、絶縁膜８の開口部８
ａを狭めることのないように、光吸収層１０が設けられ
ている。この光吸収層１０は、絶縁膜８の上部表面を覆
う状態で設けられていることとする。
ａを狭めることのないように、光吸収層１０が設けられ
ている。この光吸収層１０は、絶縁膜８の上部表面を覆
う状態で設けられていることとする。
【００２１】このような光吸収層１０は、酸化クロム
（ＣｒＯ2）膜を用いた構成を例示することができる。
この場合、酸化クロム膜を単層で用いても良く、さらに
好ましくは酸化クロム膜の下地としてクロム膜を配置
し、クロム膜と酸化クロム膜との２層構造としても良
い。この場合の一例として、クロム膜５０ｎｍ、酸化ク
ロム膜１５０ｎｍに設定される。このように、光吸収層
１０の構成をクロム膜とその上部の酸化クロム膜との２
層構造にした場合には、酸化クロム単層の場合よりもさ
らに高い光吸収効果を得ることができる。
（ＣｒＯ2）膜を用いた構成を例示することができる。
この場合、酸化クロム膜を単層で用いても良く、さらに
好ましくは酸化クロム膜の下地としてクロム膜を配置
し、クロム膜と酸化クロム膜との２層構造としても良
い。この場合の一例として、クロム膜５０ｎｍ、酸化ク
ロム膜１５０ｎｍに設定される。このように、光吸収層
１０の構成をクロム膜とその上部の酸化クロム膜との２
層構造にした場合には、酸化クロム単層の場合よりもさ
らに高い光吸収効果を得ることができる。
【００２２】また、光吸収層１０は、樹脂材料を用いて
構成されたものであっても良い。このような光吸収層１
０としては、例えば黒色顔料を分散させた感光性樹から
なる樹脂材料層を単層で用いても良く、さらに好ましく
はこのような樹脂材料層の下地としてクロム膜を配置
し、クロム膜と樹脂材料層との２層構造としても良い。
この場合の一例として、クロム膜５０ｎｍ、樹脂材料層
２．０μｍに設定される。このように、光吸収層１０の
構成をクロム膜とその上部の樹脂材料層との２層構造に
した場合には、樹脂材料層単層の場合よりもさらに高い
光吸収効果を得ることができる。
構成されたものであっても良い。このような光吸収層１
０としては、例えば黒色顔料を分散させた感光性樹から
なる樹脂材料層を単層で用いても良く、さらに好ましく
はこのような樹脂材料層の下地としてクロム膜を配置
し、クロム膜と樹脂材料層との２層構造としても良い。
この場合の一例として、クロム膜５０ｎｍ、樹脂材料層
２．０μｍに設定される。このように、光吸収層１０の
構成をクロム膜とその上部の樹脂材料層との２層構造に
した場合には、樹脂材料層単層の場合よりもさらに高い
光吸収効果を得ることができる。
【００２３】一方、絶縁膜８の各開口部８ａ内の第１電
極７上には、第１電極７を隙間なく覆う状態で有機ＥＬ
層１１がパターン形成されている。この有機ＥＬ層１１
は、少なくとも有機発光層を有するものであり、必要に
応じて正孔注入層や正孔輸送層などの単層または積層膜
と、電子輸送層や電子注入層などの単層または積層膜間
に、有機発光層を挟持させた層であることとする。一例
としては、陽極として設けられた第１電極７上に、正孔
注入層、正孔輸送層を順次積層し、この上部に電子輸送
層を兼ねた有機発光層を積層させた構成を示すことがで
きる。
極７上には、第１電極７を隙間なく覆う状態で有機ＥＬ
層１１がパターン形成されている。この有機ＥＬ層１１
は、少なくとも有機発光層を有するものであり、必要に
応じて正孔注入層や正孔輸送層などの単層または積層膜
と、電子輸送層や電子注入層などの単層または積層膜間
に、有機発光層を挟持させた層であることとする。一例
としては、陽極として設けられた第１電極７上に、正孔
注入層、正孔輸送層を順次積層し、この上部に電子輸送
層を兼ねた有機発光層を積層させた構成を示すことがで
きる。
【００２４】そして、以上のように設けられた絶縁膜
８、光吸収層１０および有機ＥＬ層１１を覆う状態で、
第２電極１２が設けられている。この第２電極１２は、
各画素に共通の電極として、基板１上に一枚の層として
設けられていることとする。この第２電極は、第１電極
７が陽極である場合には陰極として設けられ、第１電極
７が陰極である場合には陽極として設けられる。ただ
し、この第２電極１２は、光透過性を備えていることと
する。ここでは、第２電極１２は、例えばＭｇ−Ａｇ薄
膜からなる陰極として設けられていることとする。そし
て、第１電極７と有機ＥＬ層１１と、この第２電極１２
とが順次積層された各部分が、それぞれ発光素子１３と
なる。これらの各発光素子１３には、配線４を介してそ
れぞれＴＦＴ２が接続されている。
８、光吸収層１０および有機ＥＬ層１１を覆う状態で、
第２電極１２が設けられている。この第２電極１２は、
各画素に共通の電極として、基板１上に一枚の層として
設けられていることとする。この第２電極は、第１電極
７が陽極である場合には陰極として設けられ、第１電極
７が陰極である場合には陽極として設けられる。ただ
し、この第２電極１２は、光透過性を備えていることと
する。ここでは、第２電極１２は、例えばＭｇ−Ａｇ薄
膜からなる陰極として設けられていることとする。そし
て、第１電極７と有機ＥＬ層１１と、この第２電極１２
とが順次積層された各部分が、それぞれ発光素子１３と
なる。これらの各発光素子１３には、配線４を介してそ
れぞれＴＦＴ２が接続されている。
【００２５】また、この第２電極１２上には、この薄膜
状の第２電極１２を保護すると共にその導電性を確保す
るための透明導電膜１４を設けても良い。この透明導電
膜１４としては、室温成膜においても良好な導電性を示
すＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電性材料を好適に用いるこ
とができる。
状の第２電極１２を保護すると共にその導電性を確保す
るための透明導電膜１４を設けても良い。この透明導電
膜１４としては、室温成膜においても良好な導電性を示
すＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電性材料を好適に用いるこ
とができる。
【００２６】以上のような構成の表示装置においては、
各有機ＥＬ層１１で生じた発光光ｈが、光透過性材料か
らなる第２電極１２側から取り出される上面発光型とな
る。また、各画素においては、絶縁膜８の開口部８ａに
おいて第１電極７、有機ＥＬ層１１および第２電極１２
が積層されていることから、この開口部８ａが発光素子
１３における発光部となり、絶縁膜８は発光部を分離す
る部分となる。そして特にこの表示装置においては、絶
縁膜８の上部に光吸収層１０が設けられていることか
ら、透明導電膜１４を介して第２電極１２側から入射し
た外光Ｈは、この絶縁膜８の表面を覆う光吸収層１０に
よって吸収され、この絶縁膜８の下方に配置される配線
４やＴＦＴ２の回路部分などに外光Ｈが達することを防
止できる。つまり、この光吸収層１０は、発光部間に設
けられたブラックマトリックスとして作用することにな
る。したがって、有機ＥＬ層１１で生じた発光光ｈを第
２電極１２側から取り出して表示する際に、発光素子１
３間の下方に設けられた配線４での外光Ｈの反射が抑え
られ、コントラストの良好な表示を行うことが可能にな
る。
各有機ＥＬ層１１で生じた発光光ｈが、光透過性材料か
らなる第２電極１２側から取り出される上面発光型とな
る。また、各画素においては、絶縁膜８の開口部８ａに
おいて第１電極７、有機ＥＬ層１１および第２電極１２
が積層されていることから、この開口部８ａが発光素子
１３における発光部となり、絶縁膜８は発光部を分離す
る部分となる。そして特にこの表示装置においては、絶
縁膜８の上部に光吸収層１０が設けられていることか
ら、透明導電膜１４を介して第２電極１２側から入射し
た外光Ｈは、この絶縁膜８の表面を覆う光吸収層１０に
よって吸収され、この絶縁膜８の下方に配置される配線
４やＴＦＴ２の回路部分などに外光Ｈが達することを防
止できる。つまり、この光吸収層１０は、発光部間に設
けられたブラックマトリックスとして作用することにな
る。したがって、有機ＥＬ層１１で生じた発光光ｈを第
２電極１２側から取り出して表示する際に、発光素子１
３間の下方に設けられた配線４での外光Ｈの反射が抑え
られ、コントラストの良好な表示を行うことが可能にな
る。
【００２７】また、この表示装置においては、光吸収層
１０が直接、絶縁膜８を覆う状態で設けられており、有
機ＥＬ層１１と光吸収層１０とが極めて近い位置にな
る。このため例えば、透明導電膜１４の上方に、さらに
偏向板や波長板を配置する場合と比較して、有機ＥＬ層
１１で生じた発光光ｈが光吸収層１０で蹴られることを
最小限に抑えることができ、発光光ｈを有効に取りだす
ことが可能になる。さらに、絶縁膜８の下方に外光Ｈが
漏れ込むことを確実に防止することができる。この結
果、表示装置における輝度の向上とこれによる消費電力
の低下を達成することが可能になる。
１０が直接、絶縁膜８を覆う状態で設けられており、有
機ＥＬ層１１と光吸収層１０とが極めて近い位置にな
る。このため例えば、透明導電膜１４の上方に、さらに
偏向板や波長板を配置する場合と比較して、有機ＥＬ層
１１で生じた発光光ｈが光吸収層１０で蹴られることを
最小限に抑えることができ、発光光ｈを有効に取りだす
ことが可能になる。さらに、絶縁膜８の下方に外光Ｈが
漏れ込むことを確実に防止することができる。この結
果、表示装置における輝度の向上とこれによる消費電力
の低下を達成することが可能になる。
【００２８】次に、上述した第1実施形態の表示装置の
製造方法の一例を、図２，図３および図４の断面工程図
を用いて説明する。尚ここで説明する製造方法はあくま
でも一例であり、この製造方法によって本発明の表示装
置が限定されることはない。
製造方法の一例を、図２，図３および図４の断面工程図
を用いて説明する。尚ここで説明する製造方法はあくま
でも一例であり、この製造方法によって本発明の表示装
置が限定されることはない。
【００２９】まず、図２（１）に示すように、基板１上
の各画素に、ＴＦＴ２を配列形成する。そして、このＴ
ＦＴ２を覆う状態で絶縁膜３を形成し、この絶縁膜３に
形成した接続孔（図示省略）を介してＴＦＴ２に接続さ
せた配線４を、絶縁膜３上に形成する。
の各画素に、ＴＦＴ２を配列形成する。そして、このＴ
ＦＴ２を覆う状態で絶縁膜３を形成し、この絶縁膜３に
形成した接続孔（図示省略）を介してＴＦＴ２に接続さ
せた配線４を、絶縁膜３上に形成する。
【００３０】次いで、図２（２）に示すように、この配
線４を覆う状態で、絶縁膜３上に層間絶縁膜５を表面平
坦に形成する。そして、この層間絶縁膜５に、配線４に
達する接続孔６を形成する。
線４を覆う状態で、絶縁膜３上に層間絶縁膜５を表面平
坦に形成する。そして、この層間絶縁膜５に、配線４に
達する接続孔６を形成する。
【００３１】次に、図２（３）に示すように、層間絶縁
膜５上に第１電極７を形成する。この場合、上述したよ
うな仕事関数の高い材料のうち、例えばＣｒからなる陽
極膜を、例えばＤＣスパッタリング法によって２００ｎ
ｍの膜厚で成膜する。成膜条件の一例としては、例えば
スパッタガスとしてＡｒ（アルゴン）を用い、成膜圧力
を０．２Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗに設定する。その
後、リソグラフィ技術を用いてこの陽極膜上にレジスト
パターンを形成し、これをマスクに用いて陽極膜をエッ
チング加工することで、陽極膜を高精度にパターニング
してなる第１電極７を得る。このエッチング加工は、ウ
ェットエッチングやドライエッチングによって行われ
る。ウェットエッチングを行う場合には、例えばエッチ
ング液として三洋化成工業（株）製「ＥＴＣＨ−１」
（商品名）を用いる。
膜５上に第１電極７を形成する。この場合、上述したよ
うな仕事関数の高い材料のうち、例えばＣｒからなる陽
極膜を、例えばＤＣスパッタリング法によって２００ｎ
ｍの膜厚で成膜する。成膜条件の一例としては、例えば
スパッタガスとしてＡｒ（アルゴン）を用い、成膜圧力
を０．２Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗに設定する。その
後、リソグラフィ技術を用いてこの陽極膜上にレジスト
パターンを形成し、これをマスクに用いて陽極膜をエッ
チング加工することで、陽極膜を高精度にパターニング
してなる第１電極７を得る。このエッチング加工は、ウ
ェットエッチングやドライエッチングによって行われ
る。ウェットエッチングを行う場合には、例えばエッチ
ング液として三洋化成工業（株）製「ＥＴＣＨ−１」
（商品名）を用いる。
【００３２】次に、図３（１）に示すように、第１電極
７を覆う状態で、絶縁膜８を形成する。ここでは、例え
ばＳｉＯ2のような絶縁性材料を、スパッタリングによ
って６００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
７を覆う状態で、絶縁膜８を形成する。ここでは、例え
ばＳｉＯ2のような絶縁性材料を、スパッタリングによ
って６００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００３３】その後、この絶縁膜８上に光吸収層１０を
形成する。ここで、例えばクロム膜と酸化クロム膜との
２層構造からなる光吸収層１０を形成する場合、先ず、
クロム膜をＤＣスパッタリング法によって５０ｎｍの膜
厚で成膜する。成膜条件の一例としては、例えばスパッ
タガスとしてＡｒを用い、成膜圧力を０．２Ｐａ、ＤＣ
出力を３００Ｗに設定する。その後、このクロム膜上
に、酸化クロム膜をＤＣスパッタリング法によって１５
０ｎｍの膜厚で成膜する。成膜条件の一例としては、例
えばスパッタガスにＡｒ：Ｏ2＝１：１分圧としたガス
を用い、成膜圧力を０．３Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗに
設定する。これにより、ＣｒＯ2を主成分とする酸化ク
ロム膜を成膜する。
形成する。ここで、例えばクロム膜と酸化クロム膜との
２層構造からなる光吸収層１０を形成する場合、先ず、
クロム膜をＤＣスパッタリング法によって５０ｎｍの膜
厚で成膜する。成膜条件の一例としては、例えばスパッ
タガスとしてＡｒを用い、成膜圧力を０．２Ｐａ、ＤＣ
出力を３００Ｗに設定する。その後、このクロム膜上
に、酸化クロム膜をＤＣスパッタリング法によって１５
０ｎｍの膜厚で成膜する。成膜条件の一例としては、例
えばスパッタガスにＡｒ：Ｏ2＝１：１分圧としたガス
を用い、成膜圧力を０．３Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗに
設定する。これにより、ＣｒＯ2を主成分とする酸化ク
ロム膜を成膜する。
【００３４】次に、図３（２）に示すように、光吸収層
１０および絶縁膜８をパターニングし、各画素に形成さ
れた第１電極７の周縁が絶縁膜８で覆った状態で、第１
電極７の表面のみを露出させる開口部８ａを、光吸収層
１０および絶縁膜８に形成する。この際、先ず、リソグ
ラフィ技術を用いてこの膜上にレジストパターンを形成
し、これをマスクに用いて光吸収層１０および絶縁膜８
をエッチングする。光吸収層１０のエッチングは、例え
ばエッチング液として三洋化成工業（株）製「ＥＴＣＨ
−１」（商品名）を用いたウェットエッチングや、ドラ
イエッチングによって行われる。また、次の絶縁膜８の
エッチングは、例えばフッ酸とフッ化アンモニウムとの
混合水溶液を用いたウェットエッチングや、ドライエッ
チングによって行われる。
１０および絶縁膜８をパターニングし、各画素に形成さ
れた第１電極７の周縁が絶縁膜８で覆った状態で、第１
電極７の表面のみを露出させる開口部８ａを、光吸収層
１０および絶縁膜８に形成する。この際、先ず、リソグ
ラフィ技術を用いてこの膜上にレジストパターンを形成
し、これをマスクに用いて光吸収層１０および絶縁膜８
をエッチングする。光吸収層１０のエッチングは、例え
ばエッチング液として三洋化成工業（株）製「ＥＴＣＨ
−１」（商品名）を用いたウェットエッチングや、ドラ
イエッチングによって行われる。また、次の絶縁膜８の
エッチングは、例えばフッ酸とフッ化アンモニウムとの
混合水溶液を用いたウェットエッチングや、ドライエッ
チングによって行われる。
【００３５】次に、図４（１）に示すように、第１電極
７上に、発光層を有する有機ＥＬ層１１を形成する。こ
こでは、真空蒸着装置を用いた成膜を行う。この場合、
基板１上に蒸着マスクＡを載置し、この蒸着マスクＡ上
からの真空蒸着により、次のような手順で有機ＥＬ層１
１を形成する。この際、第１電極７の露出表面のみに正
確に有機ＥＬ層１１をパターン形成することは困難であ
る。このため、絶縁膜８の縁に有機ＥＬ層１１が重な
り、第１電極７の露出表面が確実に有機ＥＬ層１１で覆
われるように、蒸着マスクＡを設計することとする。
７上に、発光層を有する有機ＥＬ層１１を形成する。こ
こでは、真空蒸着装置を用いた成膜を行う。この場合、
基板１上に蒸着マスクＡを載置し、この蒸着マスクＡ上
からの真空蒸着により、次のような手順で有機ＥＬ層１
１を形成する。この際、第１電極７の露出表面のみに正
確に有機ＥＬ層１１をパターン形成することは困難であ
る。このため、絶縁膜８の縁に有機ＥＬ層１１が重な
り、第１電極７の露出表面が確実に有機ＥＬ層１１で覆
われるように、蒸着マスクＡを設計することとする。
【００３６】そしてまず、第１電極７上に、正孔注入層
として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフ
ェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）を
３０ｎｍの膜厚で形成し、次いで正孔輸送層としてビス
（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルベンジジン（α−ＮＰ
Ｄ）を２０ｎｍの膜厚で形成し、さらに電子輸送性発光
層として８キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）
を５０ｎｍの膜厚で形成する。この際、真空蒸着装置の
各抵抗加熱用のボートに、例えば各層材料０．２ｇづつ
を充填する。そして、真空処理室内を１．０×１０-4
Ｐａまで減圧した後、各ボートに順次電圧を印加して加
熱し、連続成膜を行う。
として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフ
ェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）を
３０ｎｍの膜厚で形成し、次いで正孔輸送層としてビス
（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルベンジジン（α−ＮＰ
Ｄ）を２０ｎｍの膜厚で形成し、さらに電子輸送性発光
層として８キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）
を５０ｎｍの膜厚で形成する。この際、真空蒸着装置の
各抵抗加熱用のボートに、例えば各層材料０．２ｇづつ
を充填する。そして、真空処理室内を１．０×１０-4
Ｐａまで減圧した後、各ボートに順次電圧を印加して加
熱し、連続成膜を行う。
【００３７】次いで、図４（２）に示すように、基板１
上から蒸着マスク（Ａ）を取り除き、有機ＥＬ層１１や
光吸収層１０などを覆う状態で、基板１上の全面に第２
電極１２を形成する。ここでは、マグネシウム−銀から
なる第２電極１２を１０ｎｍの膜厚で形成することとす
る。この際、真空蒸着装置を用い、各抵抗加熱用のボー
トにマグネシウムを０．１ｇ、銀を０．４ｇ充填し、真
空処理室内を１．０×１０-4 Ｐａまで減圧した後、各
ボートに電圧を印加して加熱して成膜を行う。これによ
り、マグネシウムと銀との成膜速度比を９：１とした共
蒸着による成膜を行う。
上から蒸着マスク（Ａ）を取り除き、有機ＥＬ層１１や
光吸収層１０などを覆う状態で、基板１上の全面に第２
電極１２を形成する。ここでは、マグネシウム−銀から
なる第２電極１２を１０ｎｍの膜厚で形成することとす
る。この際、真空蒸着装置を用い、各抵抗加熱用のボー
トにマグネシウムを０．１ｇ、銀を０．４ｇ充填し、真
空処理室内を１．０×１０-4 Ｐａまで減圧した後、各
ボートに電圧を印加して加熱して成膜を行う。これによ
り、マグネシウムと銀との成膜速度比を９：１とした共
蒸着による成膜を行う。
【００３８】以上の後、図１に示したように、第２電極
１２上の全面に、透明導電膜１４を形成する。この場
合、例えばＤＣスパッタリングによって、室温成膜にお
いて良好な導電性を示すＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜
１４を２００ｎｍの膜厚で形成する。成膜条件の一例と
しては、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の混合ガス
（体積比Ａｒ：Ｏ2＝１０００：５）を用い、成膜雰囲
気圧力０．３Ｐａ、ＤＣ出力４０Ｗに設定される。
１２上の全面に、透明導電膜１４を形成する。この場
合、例えばＤＣスパッタリングによって、室温成膜にお
いて良好な導電性を示すＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜
１４を２００ｎｍの膜厚で形成する。成膜条件の一例と
しては、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の混合ガス
（体積比Ａｒ：Ｏ2＝１０００：５）を用い、成膜雰囲
気圧力０．３Ｐａ、ＤＣ出力４０Ｗに設定される。
【００３９】以上のようにして、図１を用いて説明した
表示装置１ａが得られる。また、この透明導電膜１４上
には、必要に応じて光透過性材料からなる封止膜を設け
たり、さらに光透過性材料からなる対向基板が貼り合わ
せられることとする。
表示装置１ａが得られる。また、この透明導電膜１４上
には、必要に応じて光透過性材料からなる封止膜を設け
たり、さらに光透過性材料からなる対向基板が貼り合わ
せられることとする。
【００４０】このような製造方法では、図３（１）に示
したように、絶縁膜８上に光吸収層１０を形成した後、
光吸収層１０と絶縁膜８とに開口部８ａを形成する手順
としたことで、開口部ａを有する絶縁膜８上に、絶縁膜
８に対して位置ズレを生じさせることなく光吸収層１０
が形成される。つまり、発光部となる開口部８ａを分離
する絶縁膜８上への光吸収層１０の形成が、開口部８ａ
の形成に対してセルフアラインで行われることになる。
したがって、各画素に設けられた開口部８ａが発光部と
なる表示装置において、発光部間を分離する絶縁膜８ａ
の上部を、光吸収層１０によってズレなく確実に覆った
表示装置を得ることができる。しがたって、確実に発光
部間における外光反射を防止し、これによりより効果的
にコントラストの向上を図ることが可能な表示装置を得
ることが可能になる。
したように、絶縁膜８上に光吸収層１０を形成した後、
光吸収層１０と絶縁膜８とに開口部８ａを形成する手順
としたことで、開口部ａを有する絶縁膜８上に、絶縁膜
８に対して位置ズレを生じさせることなく光吸収層１０
が形成される。つまり、発光部となる開口部８ａを分離
する絶縁膜８上への光吸収層１０の形成が、開口部８ａ
の形成に対してセルフアラインで行われることになる。
したがって、各画素に設けられた開口部８ａが発光部と
なる表示装置において、発光部間を分離する絶縁膜８ａ
の上部を、光吸収層１０によってズレなく確実に覆った
表示装置を得ることができる。しがたって、確実に発光
部間における外光反射を防止し、これによりより効果的
にコントラストの向上を図ることが可能な表示装置を得
ることが可能になる。
【００４１】次に、図１を用いて説明した表示装置の製
造方法についての他の例として、光吸収層１０に樹脂材
料膜を用いた場合の製造方法を説明する。尚、ここで
は、光吸収層１０の成膜工程のみを、図３（１）および
図３（２）を用いて説明するが、その他の手順は上述し
た製造方法と同様であることとする。
造方法についての他の例として、光吸収層１０に樹脂材
料膜を用いた場合の製造方法を説明する。尚、ここで
は、光吸収層１０の成膜工程のみを、図３（１）および
図３（２）を用いて説明するが、その他の手順は上述し
た製造方法と同様であることとする。
【００４２】すなわち、図３（１）に示すように、第１
電極７が形成された基板１上に、先に説明した手順と同
様に絶縁膜８を形成した後、この絶縁膜８上にポジ型の
感光性ポリイミド膜を成膜する。この感光性ポリイミド
膜は、例えば黒色顔料が分散されており、これが光吸収
層１０となる。この際、例えば、基板１の回転数を３２
００ｒｐｍ程度に設定したスピンコート法による塗布成
膜を行う。そして、成膜後直ちにホットプレート上にて
９０℃、１０分間のプリベーク（露光前ベーク）を行
う。尚、露光前ベーク後における膜厚が、例えば２．４
μｍ程度になるように塗布膜厚が設定されることとす
る。
電極７が形成された基板１上に、先に説明した手順と同
様に絶縁膜８を形成した後、この絶縁膜８上にポジ型の
感光性ポリイミド膜を成膜する。この感光性ポリイミド
膜は、例えば黒色顔料が分散されており、これが光吸収
層１０となる。この際、例えば、基板１の回転数を３２
００ｒｐｍ程度に設定したスピンコート法による塗布成
膜を行う。そして、成膜後直ちにホットプレート上にて
９０℃、１０分間のプリベーク（露光前ベーク）を行
う。尚、露光前ベーク後における膜厚が、例えば２．４
μｍ程度になるように塗布膜厚が設定されることとす
る。
【００４３】次に、図３（２）に示すように、光吸収層
１０および絶縁膜８をパターニングし、各画素に形成さ
れた第１電極７の周縁を覆い、第１電極７の表面のみを
露出させる開口部８ａを、光吸収層１０および絶縁膜８
に形成する。この際、先ず、リソグラフィ技術を用いて
感光性ポリイミドからなる光吸収層１０をパターニング
し、これをマスクに用いて絶縁膜８をエッチングする。
１０および絶縁膜８をパターニングし、各画素に形成さ
れた第１電極７の周縁を覆い、第１電極７の表面のみを
露出させる開口部８ａを、光吸収層１０および絶縁膜８
に形成する。この際、先ず、リソグラフィ技術を用いて
感光性ポリイミドからなる光吸収層１０をパターニング
し、これをマスクに用いて絶縁膜８をエッチングする。
【００４４】尚、感光性ポリイミド膜の下地としてクロ
ム膜を設けた光吸収層１０を形成する場合、絶縁膜８を
形成した後、クロム膜を形成してこの上部に感光性ポリ
イミド膜を形成する。そして、リソグラフィ技術によっ
て感光性ポリイミド膜をパターン形成した後、この感光
性ポリイミド膜をマスクに用いてクロム膜をパターン形
成した後、さらに絶縁膜８をエッチングする。
ム膜を設けた光吸収層１０を形成する場合、絶縁膜８を
形成した後、クロム膜を形成してこの上部に感光性ポリ
イミド膜を形成する。そして、リソグラフィ技術によっ
て感光性ポリイミド膜をパターン形成した後、この感光
性ポリイミド膜をマスクに用いてクロム膜をパターン形
成した後、さらに絶縁膜８をエッチングする。
【００４５】以上のような手順では、パターニングされ
た光吸収層１０をマスクにして絶縁膜８に開口部８ａを
形成するためのエッチングが行われる。このため、この
ような手順であっても、発光部を分離する絶縁膜８ａの
上部を、光吸収層１０によってズレなく確実に覆った表
示装置を得ることができる。
た光吸収層１０をマスクにして絶縁膜８に開口部８ａを
形成するためのエッチングが行われる。このため、この
ような手順であっても、発光部を分離する絶縁膜８ａの
上部を、光吸収層１０によってズレなく確実に覆った表
示装置を得ることができる。
【００４６】（第２実施形態）図５は、本発明の表示装
置の他の構成を示す概略断面図である。この図に示す表
示装置１ｂと、第１実施形態において図１を用いて説明
した表示装置１ａとの異なるところは、絶縁膜８’を構
成する材料にあり、その他の構成は同様である。このた
め、同様の構成部材についての重複する説明は省略す
る。
置の他の構成を示す概略断面図である。この図に示す表
示装置１ｂと、第１実施形態において図１を用いて説明
した表示装置１ａとの異なるところは、絶縁膜８’を構
成する材料にあり、その他の構成は同様である。このた
め、同様の構成部材についての重複する説明は省略す
る。
【００４７】すなわち、図５に示す表示装置１ｂは、Ｔ
ＦＴ２が形成された基板１上の第１電極７の周縁を覆う
絶縁膜８’が光吸収性材料で構成されていることを特徴
としている。このような絶縁膜８’としては、黒色顔料
を分散させた樹脂を用いることができる。
ＦＴ２が形成された基板１上の第１電極７の周縁を覆う
絶縁膜８’が光吸収性材料で構成されていることを特徴
としている。このような絶縁膜８’としては、黒色顔料
を分散させた樹脂を用いることができる。
【００４８】このような絶縁膜８’を備えた表示装置１
ｂにおいては、図１に示した表示装置１ａの絶縁膜８上
に設けられた光吸収層１０を、必ずしも絶縁膜８’上に
設ける必要はない。しかし、絶縁膜８’のみでは外光Ｈ
の吸収が十分でない場合には、光吸収材料で構成された
絶縁膜８’上にさらに光吸収層を設けた構成としても良
い。尚、図５には、光吸収層１０を設けていない例を図
示した。また、この絶縁膜８’には、第１電極７の表面
のみを露出させるようにパターニングされた開口部８
ａ’を備えている。
ｂにおいては、図１に示した表示装置１ａの絶縁膜８上
に設けられた光吸収層１０を、必ずしも絶縁膜８’上に
設ける必要はない。しかし、絶縁膜８’のみでは外光Ｈ
の吸収が十分でない場合には、光吸収材料で構成された
絶縁膜８’上にさらに光吸収層を設けた構成としても良
い。尚、図５には、光吸収層１０を設けていない例を図
示した。また、この絶縁膜８’には、第１電極７の表面
のみを露出させるようにパターニングされた開口部８
ａ’を備えている。
【００４９】そして、この開口部８ａ’がこの表示装置
における各画素の発光部となる。そして、この開口部
８’から露出している第１電極７上に有機ＥＬ層１１が
設けられ、さらにこれらを覆う状態で第２電極１０が設
けられて、発光素子１３’が構成されている。
における各画素の発光部となる。そして、この開口部
８’から露出している第１電極７上に有機ＥＬ層１１が
設けられ、さらにこれらを覆う状態で第２電極１０が設
けられて、発光素子１３’が構成されている。
【００５０】このような構成の上面発光型の表示装置１
ｂでは、絶縁膜８’が光吸収材料で構成されていること
から、透明導電膜１４を介して第２電極１２側から入射
した外光Ｈは、この絶縁膜８’によって吸収され、この
絶縁膜８’の下方に配置される配線４やＴＦＴ２の回路
部分などに外光Ｈが達することを防止できる。つまり、
この絶縁膜８’自体が、発光部間に設けられたブラック
マトリックスとして作用することになる。したがって、
有機ＥＬ層１１で生じた発光光ｈを第２電極１２側から
取り出して表示する際に、発光部間の下方に設けられた
配線４での外光Ｈの反射が抑えられ、コントラストの良
好な表示を行うことが可能になる。
ｂでは、絶縁膜８’が光吸収材料で構成されていること
から、透明導電膜１４を介して第２電極１２側から入射
した外光Ｈは、この絶縁膜８’によって吸収され、この
絶縁膜８’の下方に配置される配線４やＴＦＴ２の回路
部分などに外光Ｈが達することを防止できる。つまり、
この絶縁膜８’自体が、発光部間に設けられたブラック
マトリックスとして作用することになる。したがって、
有機ＥＬ層１１で生じた発光光ｈを第２電極１２側から
取り出して表示する際に、発光部間の下方に設けられた
配線４での外光Ｈの反射が抑えられ、コントラストの良
好な表示を行うことが可能になる。
【００５１】また、この様な構成の表示装置１ｂでは、
より有機ＥＬ層１１に近い絶縁膜８’自体がブラックマ
トリクスとして作用するため、図１で示した表示装置１
ａと比較して、さらに有機ＥＬ層１１で生じた発光光ｈ
を有効に取りだすことが可能になると共に、絶縁膜８’
の下方に外光Ｈが漏れ込むことを確実に防止することが
できる。この結果、さらに、表示装置における輝度の向
上とこれによる消費電力の低下を図ることが可能にな
る。
より有機ＥＬ層１１に近い絶縁膜８’自体がブラックマ
トリクスとして作用するため、図１で示した表示装置１
ａと比較して、さらに有機ＥＬ層１１で生じた発光光ｈ
を有効に取りだすことが可能になると共に、絶縁膜８’
の下方に外光Ｈが漏れ込むことを確実に防止することが
できる。この結果、さらに、表示装置における輝度の向
上とこれによる消費電力の低下を図ることが可能にな
る。
【００５２】次に、図５を用いて説明した第２実施形態
の表示装置の製造方法の一例を説明する。尚、ここで
は、光吸収材料からなる絶縁膜８’の形成工程のみを、
図６（１）および図６（２）を用いて説明するが、その
他の手順は第１実施形態の製造方法と同様に行われるこ
ととする。
の表示装置の製造方法の一例を説明する。尚、ここで
は、光吸収材料からなる絶縁膜８’の形成工程のみを、
図６（１）および図６（２）を用いて説明するが、その
他の手順は第１実施形態の製造方法と同様に行われるこ
ととする。
【００５３】すなわち先ず、図６（１）に示すように、
第１電極７が形成された基板１上に、光吸収材料からな
る絶縁膜８’を成膜する。このような絶縁膜８’とし
て、例えば黒色顔料を分散させたポジ型の感光性ポリイ
ミド膜を成膜する。この際、例えば、基板１の回転数を
３２００ｒｐｍ程度に設定したスピンコート法による塗
布成膜を行い、層間絶縁膜５に形成された接続孔６内を
十分に埋め込むように成膜を行う。そして、成膜後直ち
にホットプレート上にて９０℃、１０分間のプリベーク
（露光前ベーク）を行う。
第１電極７が形成された基板１上に、光吸収材料からな
る絶縁膜８’を成膜する。このような絶縁膜８’とし
て、例えば黒色顔料を分散させたポジ型の感光性ポリイ
ミド膜を成膜する。この際、例えば、基板１の回転数を
３２００ｒｐｍ程度に設定したスピンコート法による塗
布成膜を行い、層間絶縁膜５に形成された接続孔６内を
十分に埋め込むように成膜を行う。そして、成膜後直ち
にホットプレート上にて９０℃、１０分間のプリベーク
（露光前ベーク）を行う。
【００５４】次に、図６（２）に示すように、リソグラ
フィ技術を用いて絶縁膜８’をパターニングし、各画素
に形成された第１電極７の周縁を覆い、第１電極７の表
面のみを露出させる開口部８ａ’を、絶縁膜８’に形成
する。
フィ技術を用いて絶縁膜８’をパターニングし、各画素
に形成された第１電極７の周縁を覆い、第１電極７の表
面のみを露出させる開口部８ａ’を、絶縁膜８’に形成
する。
【００５５】以上の後、第１実施形態で説明したと同様
にして、有機ＥＬ層１１、第２電極１２および透明電極
１４を形成し、図５に示した表示装置１ｂを完成させ
る。また、この透明導電膜１４上には、必要に応じて光
透過性材料からなる封止膜を設けたり、さらに光透過性
材料からなる対向基板が貼り合わせられることとする。
にして、有機ＥＬ層１１、第２電極１２および透明電極
１４を形成し、図５に示した表示装置１ｂを完成させ
る。また、この透明導電膜１４上には、必要に応じて光
透過性材料からなる封止膜を設けたり、さらに光透過性
材料からなる対向基板が貼り合わせられることとする。
【００５６】このような製造方法では、図６（１）に示
したように、光吸収材料からなる絶縁膜８’に対して開
口部８ａ’を形成する手順としたことで、光吸収材料か
らなる絶縁膜８’自体によって発光部となる開口部８
ａ’が分離される。つまり、発光部間にセルフアライン
でブラックマトリックスとなる絶縁膜８’を形成するこ
とが可能になる。このため、この開口部８ａ’に形成さ
れる発光部間を確実に光吸収材料で分離した表示装置を
得ることができる。しがたって、確実に発光部間での外
光反射を防止し、これによりより効果的にコントラスト
の向上を図ることが可能な表示装置を得ることが可能に
なる。また、従来の表示装置の製造に対しいて工程数を
増加させることもない。
したように、光吸収材料からなる絶縁膜８’に対して開
口部８ａ’を形成する手順としたことで、光吸収材料か
らなる絶縁膜８’自体によって発光部となる開口部８
ａ’が分離される。つまり、発光部間にセルフアライン
でブラックマトリックスとなる絶縁膜８’を形成するこ
とが可能になる。このため、この開口部８ａ’に形成さ
れる発光部間を確実に光吸収材料で分離した表示装置を
得ることができる。しがたって、確実に発光部間での外
光反射を防止し、これによりより効果的にコントラスト
の向上を図ることが可能な表示装置を得ることが可能に
なる。また、従来の表示装置の製造に対しいて工程数を
増加させることもない。
【００５７】尚、以上の説明においては、本発明をアク
ティブマトリックス型の表示装置に適用した場合を説明
した。しかし本発明の表示装置は、光透過性材料からな
る第２電極に補助電極が接続された表示装置であれば、
単純マトリックス型の表示装置にも適用可能である。こ
の場合であっても、第２電極によって構成される発光素
子間の補助電極の表面に、上述したと同様の光吸収層を
設けることで同様の効果を得ることができる。
ティブマトリックス型の表示装置に適用した場合を説明
した。しかし本発明の表示装置は、光透過性材料からな
る第２電極に補助電極が接続された表示装置であれば、
単純マトリックス型の表示装置にも適用可能である。こ
の場合であっても、第２電極によって構成される発光素
子間の補助電極の表面に、上述したと同様の光吸収層を
設けることで同様の効果を得ることができる。
【００５８】また、本発明を適用した単純マトリックス
型の表示装置の製造は、従来の単純マトリックス型の表
示装置の製造工程に、図３（１）を用いて説明した光吸
収層１０の形成工程を加えるか、または図６を用いて説
明したように絶縁膜として光吸収材料を用いるように材
料変更を行うようにすれば良い。
型の表示装置の製造は、従来の単純マトリックス型の表
示装置の製造工程に、図３（１）を用いて説明した光吸
収層１０の形成工程を加えるか、または図６を用いて説
明したように絶縁膜として光吸収材料を用いるように材
料変更を行うようにすれば良い。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の表示装置に
よれば、第１電極を露出する開口部を有する絶縁膜上に
光吸収層を設けた構成、またはこの絶縁膜自体を光吸収
性材料で構成したことで、第１電極上方の第２電極側か
ら入射した外光が、開口部間の下方で反射して第２電極
側から取り出されることを防止することができる。した
がって、開口部に形成される発光部分での発光光が、発
光部間での外光反射によって妨げられることはなく、表
示装置におけるコントラスト向上を図ることが可能にな
る。
よれば、第１電極を露出する開口部を有する絶縁膜上に
光吸収層を設けた構成、またはこの絶縁膜自体を光吸収
性材料で構成したことで、第１電極上方の第２電極側か
ら入射した外光が、開口部間の下方で反射して第２電極
側から取り出されることを防止することができる。した
がって、開口部に形成される発光部分での発光光が、発
光部間での外光反射によって妨げられることはなく、表
示装置におけるコントラスト向上を図ることが可能にな
る。
【００６０】また、本発明の表示装置の製造方法によれ
ば、第１電極上の絶縁膜に対する開口部の形成と、開口
部間への光吸収層の形成とが１つのマスクを用いたエッ
チングによって行われるため、これらの開口部間を、ず
れなく確実に光吸収材料（光吸収層）で覆った表示装置
を得ることができる。しがたって、確実に発光部間での
外光反射を防止でき、これによりより効果的にコントラ
ストの向上を図ることが可能な表示装置を得ることが可
能になる。
ば、第１電極上の絶縁膜に対する開口部の形成と、開口
部間への光吸収層の形成とが１つのマスクを用いたエッ
チングによって行われるため、これらの開口部間を、ず
れなく確実に光吸収材料（光吸収層）で覆った表示装置
を得ることができる。しがたって、確実に発光部間での
外光反射を防止でき、これによりより効果的にコントラ
ストの向上を図ることが可能な表示装置を得ることが可
能になる。
【図１】第１実施形態の表示装置の一構成例を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の表示装置の製造手順の一例を示す断面工
程図（その１）である。
程図（その１）である。
【図３】図１の表示装置の製造手順の一例を示す断面工
程図（その２）である。
程図（その２）である。
【図４】図１の表示装置の製造手順の一例を示す断面工
程図（その３）である。
程図（その３）である。
【図５】第２実施形態の表示装置の一構成例を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図６】図５の表示装置の製造手順を説明するための断
面工程図である。
面工程図である。
【図７】従来の表示装置の構成を示す概略断面図であ
る。
る。
１…基板、２…ＴＦＴ、５…層間絶縁膜、７…第１電
極、８，８’…絶縁膜、８，８ａ…開口部、１０…光吸
収層、１１…有機ＥＬ層（発光層）、１２…第２電極
極、８，８’…絶縁膜、８，８ａ…開口部、１０…光吸
収層、１１…有機ＥＬ層（発光層）、１２…第２電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
33/12 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ
33/14 ６１９Ｂ
Ｆターム(参考） 3K007 AB01 BA06 CA03 CB01 DA02
EB00 FA01 GA00
5C094 AA06 AA11 BA03 BA27 CA19
DA15 EA04 EA05 EA07 EB05
ED12 ED15
5F110 AA09 AA30 BB02 DD02 DD05
HL02 HL04 HL23 NN03 NN23
NN34 NN43 NN45 NN46 NN49
NN54 NN72 QQ11
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上にパターン形成された第１電極
と、当該第１電極を画素毎に露出させる開口部を備えて
前記基板上に設けられた絶縁膜と、当該絶縁膜の開口部
から露出している前記第１電極上に設けられた発光層
と、当該発光層の上方に設けられた光透過性材料からな
る第２電極とを備えた表示装置において、 前記絶縁膜上には、光吸収層が設けられていることを特
徴とする表示装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の表示装置において、 前記光吸収層として、酸化クロム膜を用いたことを特徴
とする表示装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の表示装置において、 前記光吸収層は、前記酸化クロム膜の下地層としてクロ
ム膜を用いたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の表示装置において、 前記光吸収層として、樹脂材料膜を用いたことを特徴と
する表示装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の表示装置において、 前記光吸収層は、前記樹脂材料膜の下地層としてクロム
膜を用いたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項６】 請求項１記載の表示装置において、 前記第１電極は、前記基板上に形成されたトランジスタ
に接続する状態で設けられていることを特徴とする表示
装置。 - 【請求項７】 基板上にパターン形成された第１電極
と、当該第１電極を画素毎に露出させる開口部を備えて
前記基板上に設けられた絶縁膜と、当該絶縁膜の開口部
から露出している前記第１電極上に設けられた発光層
と、当該発光層の上方に設けられた光透過性材料からな
る第２電極とを備えた表示装置において、前記絶縁膜
は、光吸収材料からなることを特徴とする表示装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の表示装置において、 前記第１電極は、前記基板上に形成されたトランジスタ
に接続する状態で設けられていることを特徴とする表示
装置。 - 【請求項９】 基板上にパターン形成された第１電極を
覆う状態で当該基板上に絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上
に光吸収層を形成する工程と、 前記光吸収層および前記絶縁膜に前記第１電極に達する
開口部を形成する工程と、 前記開口部から露出している前記第１電極上を覆う状態
で発光層を形成する工程と、 前記発光層の上方に第２電極を形成する工程とを行うこ
とを特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 基板上にパターン形成された第１電極
を覆う状態で、当該基板上に光吸収材料からなる絶縁膜
を形成する工程と、 前記絶縁膜に前記第１電極に達する開口部を形成する工
程と、 前記開口部から露出している前記第１電極上を覆う状態
で発光層を形成する工程と、 前記発光層の上方に第２電極を形成する工程とを行うこ
とを特徴とする表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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