JP2002202735A - 自己発光表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents
自己発光表示パネルおよびその製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】複雑な製造工程を必要とせずに良好な発光特性
を得る。 【解決手段】有機ＥＬ表示装置は発光層３４がアノード
電極３０およびカソード電極３６間に挟持される有機Ｅ
Ｌ素子ＰＸと、この有機ＥＬ素子ＰＸを画素として配線
する画素スイッチＳＷ’とを備える。特に、画素スイッ
チＳＷ’は、層間絶縁膜２３上にアノード電極３０と共
に配置され発光層３４から横方向に放出される光を反射
するソースおよびドレイン電極２７，２８を含む。
を得る。 【解決手段】有機ＥＬ表示装置は発光層３４がアノード
電極３０およびカソード電極３６間に挟持される有機Ｅ
Ｌ素子ＰＸと、この有機ＥＬ素子ＰＸを画素として配線
する画素スイッチＳＷ’とを備える。特に、画素スイッ
チＳＷ’は、層間絶縁膜２３上にアノード電極３０と共
に配置され発光層３４から横方向に放出される光を反射
するソースおよびドレイン電極２７，２８を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複数の自己発光素子
を用いて画像を表示する自己発光表示パネルおよびその
製造方法に関する。
を用いて画像を表示する自己発光表示パネルおよびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年では、有機ＥＬ表示装置等の自己発
光表示パネルが軽量、薄型、高輝度という特徴を持つこ
とからノート型パーソナルコンピュータや携帯用情報機
器等のモニタディスプレイとして注目されている。典型
的な有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配列される複
数の有機ＥＬ素子をそれぞれ画素として画像を表示する
ように構成される。この有機ＥＬ表示装置では、複数の
走査線がこれら有機ＥＬ素子の行に沿って配置され、複
数の信号線がこれら有機ＥＬ素子の列に沿って配置さ
れ、複数の画素スイッチがこれら走査線および信号線の
交差位置近傍に配置される。各画素スイッチは対応走査
線を介して駆動されたときに対応信号線の信号電圧を対
応有機ＥＬ素子に印加する。
光表示パネルが軽量、薄型、高輝度という特徴を持つこ
とからノート型パーソナルコンピュータや携帯用情報機
器等のモニタディスプレイとして注目されている。典型
的な有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配列される複
数の有機ＥＬ素子をそれぞれ画素として画像を表示する
ように構成される。この有機ＥＬ表示装置では、複数の
走査線がこれら有機ＥＬ素子の行に沿って配置され、複
数の信号線がこれら有機ＥＬ素子の列に沿って配置さ
れ、複数の画素スイッチがこれら走査線および信号線の
交差位置近傍に配置される。各画素スイッチは対応走査
線を介して駆動されたときに対応信号線の信号電圧を対
応有機ＥＬ素子に印加する。
【０００３】図５はこの有機ＥＬ表示装置の画素周辺構
造を示す。有機ＥＬ素子は赤、緑、または青の蛍光性有
機化合物を含む薄膜である発光層１をカソード電極２お
よびアノード電極３間に挟持した構造を有し、発光層１
に電子および正孔を注入しこれらを再結合させることに
より励起子を生成させ、この励起子の失活時に生じる光
放出により発光する。ここで、バッファ層４が励起子を
効率的に生成させるために発光層１およびアノード電極
３間に配置される。アノード電極３はＩＴＯ等で構成さ
れる透明電極であり、カソード電極はアルミニウム等の
金属で構成される反射電極である。この構成により、有
機ＥＬ素子は１０Ｖ以下の印加電圧で１００〜１０００
００ｃｄ／ｍ２程度の輝度を得ることができる。
造を示す。有機ＥＬ素子は赤、緑、または青の蛍光性有
機化合物を含む薄膜である発光層１をカソード電極２お
よびアノード電極３間に挟持した構造を有し、発光層１
に電子および正孔を注入しこれらを再結合させることに
より励起子を生成させ、この励起子の失活時に生じる光
放出により発光する。ここで、バッファ層４が励起子を
効率的に生成させるために発光層１およびアノード電極
３間に配置される。アノード電極３はＩＴＯ等で構成さ
れる透明電極であり、カソード電極はアルミニウム等の
金属で構成される反射電極である。この構成により、有
機ＥＬ素子は１０Ｖ以下の印加電圧で１００〜１０００
００ｃｄ／ｍ２程度の輝度を得ることができる。
【０００４】画素スイッチは例えば薄膜トランジスタで
構成される。この薄膜トランジスタはガラス板５上に形
成される半導体薄膜６、半導体薄膜６を覆うゲート絶縁
膜７、ゲート絶縁膜７を介して半導体薄膜６上に配置さ
れるゲート電極８、およびゲート電極８の両側において
半導体薄膜６内に形成されるソースおよびドレインにそ
れぞれ接続されるソースおよびドレイン電極１０，１１
を含む。半導体薄膜６は例えばアモルファスシリコンま
たはポリシリコンである。ゲート電極８および半導体薄
膜６はソースおよびドレインを露出するコンタクトホー
ルを持つ層間絶縁膜９で覆われる。ソース電極１０およ
びドレイン電極１１はコンタクトホールで半導体薄膜の
ソースおよびドレインにコンタクトして層間絶縁膜９上
に形成され、ソース電極１０を露出するコンタクトホー
ルを持つ層間絶縁膜１２により覆われる。
構成される。この薄膜トランジスタはガラス板５上に形
成される半導体薄膜６、半導体薄膜６を覆うゲート絶縁
膜７、ゲート絶縁膜７を介して半導体薄膜６上に配置さ
れるゲート電極８、およびゲート電極８の両側において
半導体薄膜６内に形成されるソースおよびドレインにそ
れぞれ接続されるソースおよびドレイン電極１０，１１
を含む。半導体薄膜６は例えばアモルファスシリコンま
たはポリシリコンである。ゲート電極８および半導体薄
膜６はソースおよびドレインを露出するコンタクトホー
ルを持つ層間絶縁膜９で覆われる。ソース電極１０およ
びドレイン電極１１はコンタクトホールで半導体薄膜の
ソースおよびドレインにコンタクトして層間絶縁膜９上
に形成され、ソース電極１０を露出するコンタクトホー
ルを持つ層間絶縁膜１２により覆われる。
【０００５】ところで、蛍光性有機化合物の薄膜は水分
を吸収して使用できなくなり易く、フォトリソグラフィ
ー等のパターニングに対して耐性が無い。このため有機
ＥＬ素子の形成工程では、アノード電極３が層間絶縁膜
１２のコンタクトホールを介してソース電極１０にコン
タクトして層間絶縁膜１２上に形成される。アノード電
極３および層間絶縁膜１２は保護膜１３で全体的に覆わ
れ、この保護膜１３は絶縁膜１４で全体的に覆われる。
保護膜１３および絶縁膜１４はアノード電極３を部分的
に露出する開口を形成するようパターニングされる。バ
ッファ層４はこの開口でアノード電極３の露出部を覆う
ようにバッファ材を塗布することにより形成され、発光
層１は蛍光性有機化合物をバッファ層４上に塗布するこ
とにより形成され、カソード電極２は金属蒸着により発
光層１上に形成される。
を吸収して使用できなくなり易く、フォトリソグラフィ
ー等のパターニングに対して耐性が無い。このため有機
ＥＬ素子の形成工程では、アノード電極３が層間絶縁膜
１２のコンタクトホールを介してソース電極１０にコン
タクトして層間絶縁膜１２上に形成される。アノード電
極３および層間絶縁膜１２は保護膜１３で全体的に覆わ
れ、この保護膜１３は絶縁膜１４で全体的に覆われる。
保護膜１３および絶縁膜１４はアノード電極３を部分的
に露出する開口を形成するようパターニングされる。バ
ッファ層４はこの開口でアノード電極３の露出部を覆う
ようにバッファ材を塗布することにより形成され、発光
層１は蛍光性有機化合物をバッファ層４上に塗布するこ
とにより形成され、カソード電極２は金属蒸着により発
光層１上に形成される。
【０００６】しかし、有機ＥＬ素子が上述した工程で形
成された場合、発光層１からの放出光をガラス板５の外
部に照射するために層間絶縁膜９および層間絶縁膜１２
を通過する必要があり、これによって光透過率が低下す
る。
成された場合、発光層１からの放出光をガラス板５の外
部に照射するために層間絶縁膜９および層間絶縁膜１２
を通過する必要があり、これによって光透過率が低下す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、複雑
な製造工程を必要とせずに良好な発光特性を得ることが
できる自己発光表示パネルおよびその製造方法を提供す
ることにある。
な製造工程を必要とせずに良好な発光特性を得ることが
できる自己発光表示パネルおよびその製造方法を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１観点によれ
ば、自己発光層が第１電極および第２電極間に挟持され
る自己発光素子と、自己発光素子を画素として配線する
画素配線とを備え、第１電極は光透過性を有し、かつ画
素配線は、光透過性絶縁基材上に第１電極と同一平面上
に配置され自己発光層から横方向に放出される光を反射
する配線金属部を含む有機ＥＬ表示パネルが提供され
る。
ば、自己発光層が第１電極および第２電極間に挟持され
る自己発光素子と、自己発光素子を画素として配線する
画素配線とを備え、第１電極は光透過性を有し、かつ画
素配線は、光透過性絶縁基材上に第１電極と同一平面上
に配置され自己発光層から横方向に放出される光を反射
する配線金属部を含む有機ＥＬ表示パネルが提供され
る。
【０００９】本発明の第２観点によれば、自己発光層が
透明電極および反射電極間に挟持される自己発光素子
と、自己発光素子を画素として配線する画素配線と、画
素配線および透明電極を覆う層間絶縁膜およびこの層間
絶縁膜を覆う撥水性絶縁膜を含む絶縁体を備え、自己発
光層は透明電極を部分的に露出しこの露出面に向かって
テーパ状となるように絶縁体に形成される開口内だけに
配置される自己発光表示パネルが提供される。
透明電極および反射電極間に挟持される自己発光素子
と、自己発光素子を画素として配線する画素配線と、画
素配線および透明電極を覆う層間絶縁膜およびこの層間
絶縁膜を覆う撥水性絶縁膜を含む絶縁体を備え、自己発
光層は透明電極を部分的に露出しこの露出面に向かって
テーパ状となるように絶縁体に形成される開口内だけに
配置される自己発光表示パネルが提供される。
【００１０】本発明の第３観点によれば、自己発光層が
透明電極および反射電極間に挟持される自己発光素子の
マトリクスアレイを備え、光が透明電極を介して外部に
取り出される自己発光表示パネルの製造方法において、
透明絶縁基板上に島状に半導体層を形成する工程と、半
導体層にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工
程と、ゲート絶縁膜およびゲート電極上に層間絶縁膜を
成膜する工程と、層間絶縁膜上に選択的に透明電極を形
成する工程と、層間絶縁膜およびゲート絶縁膜を貫通
し、半導体層に達する金属電極を形成する工程とを含む
自己発光表示パネルの製造方法が提供される。
透明電極および反射電極間に挟持される自己発光素子の
マトリクスアレイを備え、光が透明電極を介して外部に
取り出される自己発光表示パネルの製造方法において、
透明絶縁基板上に島状に半導体層を形成する工程と、半
導体層にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工
程と、ゲート絶縁膜およびゲート電極上に層間絶縁膜を
成膜する工程と、層間絶縁膜上に選択的に透明電極を形
成する工程と、層間絶縁膜およびゲート絶縁膜を貫通
し、半導体層に達する金属電極を形成する工程とを含む
自己発光表示パネルの製造方法が提供される。
【００１１】第１観点の自己発光表示パネルでは、配線
金属部が光透過性絶縁基材上に第１電極と同一平面上に
配置され自己発光層から横方向に放出される光を反射す
る。これは、光透過性絶縁基材の外部に放出される光の
強度を高める結果となる。また、配線金属部および第１
電極が同一平面上に形成されるため、２つの光透過性絶
縁基材を独立なプロセスで形成する必要が無いうえ、こ
れら光透過性絶縁基材の重なりによる光透過率の低下を
防止できる。
金属部が光透過性絶縁基材上に第１電極と同一平面上に
配置され自己発光層から横方向に放出される光を反射す
る。これは、光透過性絶縁基材の外部に放出される光の
強度を高める結果となる。また、配線金属部および第１
電極が同一平面上に形成されるため、２つの光透過性絶
縁基材を独立なプロセスで形成する必要が無いうえ、こ
れら光透過性絶縁基材の重なりによる光透過率の低下を
防止できる。
【００１２】第２観点の自己発光表示パネルでは、撥水
性絶縁膜が層間絶縁膜を覆うため、この層間絶縁膜より
も透明電極の露出面から離れた開口の内壁を撥水性にで
きる。従って、発光層材料として一定量の液状蛍光性有
機化合物をインクジェット方式で開口内に注入した場合
に、蛍光性有機化合物が撥水性である開口の内壁に付着
せず速やかに流れ落ちるため、均一かつ十分な厚さの自
己発光層を開口により露出された透明電極上に形成でき
る。
性絶縁膜が層間絶縁膜を覆うため、この層間絶縁膜より
も透明電極の露出面から離れた開口の内壁を撥水性にで
きる。従って、発光層材料として一定量の液状蛍光性有
機化合物をインクジェット方式で開口内に注入した場合
に、蛍光性有機化合物が撥水性である開口の内壁に付着
せず速やかに流れ落ちるため、均一かつ十分な厚さの自
己発光層を開口により露出された透明電極上に形成でき
る。
【００１３】第３観点の自己発光表示パネルの製造方法
では、透明電極形成後に、半導体層にコンタクトする金
属電極を収容する開口、金属電極がこの順で形成され
る。したがって、透明電極形成時に半導体層表面がダメ
ージを受けることを抑制し、また透明電極の形成時に用
いられるエッチャントによる金属電極の不所望な加工を
防止することができる。
では、透明電極形成後に、半導体層にコンタクトする金
属電極を収容する開口、金属電極がこの順で形成され
る。したがって、透明電極形成時に半導体層表面がダメ
ージを受けることを抑制し、また透明電極の形成時に用
いられるエッチャントによる金属電極の不所望な加工を
防止することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
自己発光表示パネルとなる有機ＥＬ表示装置について添
付図面を参照して説明する。
自己発光表示パネルとなる有機ＥＬ表示装置について添
付図面を参照して説明する。
【００１５】図１および図２はこの有機ＥＬ表示装置の
画素周辺構造を示す。この有機ＥＬ表示装置は、マトリ
クス状に配列される複数の有機ＥＬ素子ＰＸをそれぞれ
画素として画像を表示するように構成される。この有機
ＥＬ表示装置では、複数の走査線Ｙがこれら有機ＥＬ素
子ＰＸの行に沿って配置され、複数の信号線Ｘがこれら
有機ＥＬ素子の列に沿って配置され、複数の画素スイッ
チＳＷ’がこれら走査線および信号線の交差位置近傍に
配置される。各画素スイッチは対応走査線を介して駆動
されたときに駆動素子ＳＷを介して対応信号線の信号電
圧を対応有機ＥＬ素子に印加する。この駆動素子ＳＷお
よび有機ＥＬ素子は、一対の電源間に直列に配置され
る。
画素周辺構造を示す。この有機ＥＬ表示装置は、マトリ
クス状に配列される複数の有機ＥＬ素子ＰＸをそれぞれ
画素として画像を表示するように構成される。この有機
ＥＬ表示装置では、複数の走査線Ｙがこれら有機ＥＬ素
子ＰＸの行に沿って配置され、複数の信号線Ｘがこれら
有機ＥＬ素子の列に沿って配置され、複数の画素スイッ
チＳＷ’がこれら走査線および信号線の交差位置近傍に
配置される。各画素スイッチは対応走査線を介して駆動
されたときに駆動素子ＳＷを介して対応信号線の信号電
圧を対応有機ＥＬ素子に印加する。この駆動素子ＳＷお
よび有機ＥＬ素子は、一対の電源間に直列に配置され
る。
【００１６】有機ＥＬ素子ＰＸ、駆動素子ＳＷおよび画
素スイッチＳＷ’は光透過性絶縁基板として用いられる
ガラス板２０と一体的に構成される。ガラス板２０はシ
リコンの拡散を阻止するバリアとなる下地層２１で覆わ
れる。この下地層２１はガラス板２０を覆うシリコン窒
化膜２１Ａとこのシリコン窒化膜２１Ａを覆うシリコン
酸化膜２１Ｂとの積層体である。
素スイッチＳＷ’は光透過性絶縁基板として用いられる
ガラス板２０と一体的に構成される。ガラス板２０はシ
リコンの拡散を阻止するバリアとなる下地層２１で覆わ
れる。この下地層２１はガラス板２０を覆うシリコン窒
化膜２１Ａとこのシリコン窒化膜２１Ａを覆うシリコン
酸化膜２１Ｂとの積層体である。
【００１７】画素スイッチＳＷ’および駆動素子ＳＷは
例えば薄膜トランジスタで構成される。この薄膜トラン
ジスタは、下地層２１上に形成される半導体薄膜２４、
半導体薄膜２４を覆う酸化シリコンのゲート絶縁膜２
５、このゲート絶縁膜２５を介して半導体薄膜２４上に
配置されるゲート電極２６、および半導体薄膜２４内に
所定濃度の不純物を含んで形成されるソースおよびドレ
インにそれぞれ接続されるソースおよびドレイン電極２
７，２８を含む。半導体薄膜２４はアモルファスシリコ
ンまたはポリシリコンであり、ゲート電極２６はＭｏＷ
であり、ソースおよびドレイン電極２７，２８はＭｏ／
Ａｌ／Ｍｏのような金属の３層構造である。ゲート電極
２６および半導体薄膜２４はソースおよびドレインを露
出するコンタクトホールを持つ酸化シリコンの層間絶縁
膜２３で覆われる。ソース電極２７およびドレイン電極
２８はコンタクトホールで半導体薄膜２４のソースおよ
びドレインにコンタクトして層間絶縁膜２３上に形成さ
れる。画素スイッチＳＷ’のゲート電極２６は走査線の
一部を構成し、ドレイン電極２８は信号線の一部を構成
する。また、駆動素子ＳＷのゲート電極は画素スイッチ
ＳＷ’のソース電極に接続し、また、駆動スイッチＳＷ
のドレイン電極は電源供給ラインＶＤＤの一部を構成
し、ソース電極は有機ＥＬ素子ＰＸに接続する。
例えば薄膜トランジスタで構成される。この薄膜トラン
ジスタは、下地層２１上に形成される半導体薄膜２４、
半導体薄膜２４を覆う酸化シリコンのゲート絶縁膜２
５、このゲート絶縁膜２５を介して半導体薄膜２４上に
配置されるゲート電極２６、および半導体薄膜２４内に
所定濃度の不純物を含んで形成されるソースおよびドレ
インにそれぞれ接続されるソースおよびドレイン電極２
７，２８を含む。半導体薄膜２４はアモルファスシリコ
ンまたはポリシリコンであり、ゲート電極２６はＭｏＷ
であり、ソースおよびドレイン電極２７，２８はＭｏ／
Ａｌ／Ｍｏのような金属の３層構造である。ゲート電極
２６および半導体薄膜２４はソースおよびドレインを露
出するコンタクトホールを持つ酸化シリコンの層間絶縁
膜２３で覆われる。ソース電極２７およびドレイン電極
２８はコンタクトホールで半導体薄膜２４のソースおよ
びドレインにコンタクトして層間絶縁膜２３上に形成さ
れる。画素スイッチＳＷ’のゲート電極２６は走査線の
一部を構成し、ドレイン電極２８は信号線の一部を構成
する。また、駆動素子ＳＷのゲート電極は画素スイッチ
ＳＷ’のソース電極に接続し、また、駆動スイッチＳＷ
のドレイン電極は電源供給ラインＶＤＤの一部を構成
し、ソース電極は有機ＥＬ素子ＰＸに接続する。
【００１８】有機ＥＬ素子ＰＸは赤、緑、または青の蛍
光性有機化合物を含む薄膜である自己発光層をカソード
電極３６およびアノード電極３０間に挟持した構造を有
し、自己発光層に電子および正孔を注入しこれらを再結
合させることにより励起子を生成させ、この励起子の失
活時に生じる光放出により発光する。ここで、励起子を
効率的に生成させるため、バッファ層３３が発光層３４
およびアノード電極３０間に配置され、電子輸送層３５
が発光層３４およびカソード電極３６間に配置される。
ここでは自己発光層として、発光層３４、バッファ層３
３、電子輸送層３５の積層構造を用いる場合について説
明したが、機能的に複合された２層または単層で構成し
てもよい。アノード電極３０は例えばＩＴＯで構成され
る透明電極であり、カソード電極３６はＢａ／Ａｇのよ
うな金属の２層構造で構成される反射電極である。ここ
では、例えばアノード電極３０を透明電極とし、この透
明電極を介して光を外部に取り出すが、この透明電極を
カソード電極３６、反射電極をアノード電極３０にて構
成してもよい。
光性有機化合物を含む薄膜である自己発光層をカソード
電極３６およびアノード電極３０間に挟持した構造を有
し、自己発光層に電子および正孔を注入しこれらを再結
合させることにより励起子を生成させ、この励起子の失
活時に生じる光放出により発光する。ここで、励起子を
効率的に生成させるため、バッファ層３３が発光層３４
およびアノード電極３０間に配置され、電子輸送層３５
が発光層３４およびカソード電極３６間に配置される。
ここでは自己発光層として、発光層３４、バッファ層３
３、電子輸送層３５の積層構造を用いる場合について説
明したが、機能的に複合された２層または単層で構成し
てもよい。アノード電極３０は例えばＩＴＯで構成され
る透明電極であり、カソード電極３６はＢａ／Ａｇのよ
うな金属の２層構造で構成される反射電極である。ここ
では、例えばアノード電極３０を透明電極とし、この透
明電極を介して光を外部に取り出すが、この透明電極を
カソード電極３６、反射電極をアノード電極３０にて構
成してもよい。
【００１９】有機ＥＬ素子ＰＸの形成工程では、アノー
ド電極３０が薄膜トランジスタのソースおよびドレイン
電極２７，２８と同様に層間絶縁膜２３を下地として形
成される。ちなみに、ソースおよびドレイン電極２７，
２８はアノード電極３０の形成後に形成され、これによ
りソース電極２７がアノード電極３０にコンタクトす
る。この状態で、窒化シリコンの保護絶縁膜２９がアノ
ード電極３０、ソースおよびドレイン電極２７，２８お
よび層間絶縁膜２３を全体的に覆って形成され、アノー
ド電極３０を部分的に露出するようにパターニングされ
る。このように、アノード電極３０を形成した後、コン
タクトホールを形成するため、半導体薄膜２４の表面が
アノード電極３０の形成時にダメージを受けることを防
止できる。また、アノード電極３０の形成後にソースお
よびドレイン電極２７，２８、信号線Ｘを形成するため
ＩＴＯ加工時に用いられるエッチャントによるＭｏ／Ａ
ｌ／Ｍｏの不所望な加工を防止することができる。
ド電極３０が薄膜トランジスタのソースおよびドレイン
電極２７，２８と同様に層間絶縁膜２３を下地として形
成される。ちなみに、ソースおよびドレイン電極２７，
２８はアノード電極３０の形成後に形成され、これによ
りソース電極２７がアノード電極３０にコンタクトす
る。この状態で、窒化シリコンの保護絶縁膜２９がアノ
ード電極３０、ソースおよびドレイン電極２７，２８お
よび層間絶縁膜２３を全体的に覆って形成され、アノー
ド電極３０を部分的に露出するようにパターニングされ
る。このように、アノード電極３０を形成した後、コン
タクトホールを形成するため、半導体薄膜２４の表面が
アノード電極３０の形成時にダメージを受けることを防
止できる。また、アノード電極３０の形成後にソースお
よびドレイン電極２７，２８、信号線Ｘを形成するため
ＩＴＯ加工時に用いられるエッチャントによるＭｏ／Ａ
ｌ／Ｍｏの不所望な加工を防止することができる。
【００２０】続いて、酸化シリコンの親水性絶縁膜３１
が保護絶縁膜２９およびアノード電極３０の露出部を全
体的に覆って形成され、再びアノード電極３０を部分的
に露出するようにパターニングされる。続いて、表面処
理したアクリル樹脂のような撥水性有機絶縁膜３２が親
水性絶縁膜３１およびアノード電極３０の露出部を全体
的に覆って形成され、再びアノード電極３０を部分的に
露出するようにパターニングされる。これらパターニン
グはアノード電極３０を部分的に露出しこの露出面に向
かってテーパ状となる開口ＯＰを保護絶縁膜２９、親水
性絶縁膜３１、および撥水性有機絶縁膜３２の絶縁体に
形成する結果となる。
が保護絶縁膜２９およびアノード電極３０の露出部を全
体的に覆って形成され、再びアノード電極３０を部分的
に露出するようにパターニングされる。続いて、表面処
理したアクリル樹脂のような撥水性有機絶縁膜３２が親
水性絶縁膜３１およびアノード電極３０の露出部を全体
的に覆って形成され、再びアノード電極３０を部分的に
露出するようにパターニングされる。これらパターニン
グはアノード電極３０を部分的に露出しこの露出面に向
かってテーパ状となる開口ＯＰを保護絶縁膜２９、親水
性絶縁膜３１、および撥水性有機絶縁膜３２の絶縁体に
形成する結果となる。
【００２１】開口ＯＰの形成後、一定量の水溶性高分子
溶液がインクジェット方式で開口ＯＰ内に注入され、こ
れによりバッファ層３３を形成する。この後、一定量の
蛍光性有機化合物を含む高分子溶液がインクジェット方
式で開口ＯＰ内に注入され、これにより発光層３４を形
成する。この後、一定量の高分子溶液がインクジェット
方式で開口ＯＰ内に注入され、これにより電子輸送層３
５を形成する。撥水性絶縁膜３２および電子輸送層３５
は金属蒸着により形成されるカソード電極３６で覆わ
れ、このカソード電極３６はＳｉＮ、ＡｌＮ等のパッシ
ベーション層３７で覆われる。尚、電子輸送層３５は省
略可能である。
溶液がインクジェット方式で開口ＯＰ内に注入され、こ
れによりバッファ層３３を形成する。この後、一定量の
蛍光性有機化合物を含む高分子溶液がインクジェット方
式で開口ＯＰ内に注入され、これにより発光層３４を形
成する。この後、一定量の高分子溶液がインクジェット
方式で開口ＯＰ内に注入され、これにより電子輸送層３
５を形成する。撥水性絶縁膜３２および電子輸送層３５
は金属蒸着により形成されるカソード電極３６で覆わ
れ、このカソード電極３６はＳｉＮ、ＡｌＮ等のパッシ
ベーション層３７で覆われる。尚、電子輸送層３５は省
略可能である。
【００２２】こうして得られた構造物はその外周端部付
近に塗布されるシール材によりガラス板、金属板のよう
な支持板３８に窒素雰囲気中で接着され、これにより窒
素がパッシベーション層３７および支持板３８との間に
封止される。
近に塗布されるシール材によりガラス板、金属板のよう
な支持板３８に窒素雰囲気中で接着され、これにより窒
素がパッシベーション層３７および支持板３８との間に
封止される。
【００２３】上述の実施形態では、ソースおよびドレイ
ン電極２７，２８、信号線Ｘが層間絶縁膜２３上にアノ
ード電極３０と共に同一平面上に配置され、発光層３４
から横方向に放出される光を反射する。これは、光透過
性絶縁基板２０の外部に放出される光の強度を高める結
果となる。また、層間絶縁膜２３はソースおよびドレイ
ン電極２７，２８およびアノード電極３０に対して共通
の下地となるため、２つの層間絶縁膜を独立なプロセス
で形成する必要が無いうえ、これら層間絶縁膜の重なり
による光透過率の低下を防止できる。
ン電極２７，２８、信号線Ｘが層間絶縁膜２３上にアノ
ード電極３０と共に同一平面上に配置され、発光層３４
から横方向に放出される光を反射する。これは、光透過
性絶縁基板２０の外部に放出される光の強度を高める結
果となる。また、層間絶縁膜２３はソースおよびドレイ
ン電極２７，２８およびアノード電極３０に対して共通
の下地となるため、２つの層間絶縁膜を独立なプロセス
で形成する必要が無いうえ、これら層間絶縁膜の重なり
による光透過率の低下を防止できる。
【００２４】また、撥水性絶縁膜３２が保護絶縁膜２９
および親水性絶縁膜３１の積層体を覆うため、この積層
体よりもアノード電極３０の露出面から離れた開口ＯＰ
の内壁を撥水性にできる。従って、発光層３４の材料と
して一定量の液状蛍光性有機化合物をインクジェット方
式で開口ＯＰ内に注入した場合に、蛍光性有機化合物が
撥水性である開口ＯＰの内壁に付着せず速やかに流れ落
ちるため、発光層３４の厚さ制御が容易となる。すなわ
ち、均一かつ十分な厚さの発光層３４を開口ＯＰの下方
に形成できる。これは、バッファ層３３および電子輸送
層３５の形成についても同様である。
および親水性絶縁膜３１の積層体を覆うため、この積層
体よりもアノード電極３０の露出面から離れた開口ＯＰ
の内壁を撥水性にできる。従って、発光層３４の材料と
して一定量の液状蛍光性有機化合物をインクジェット方
式で開口ＯＰ内に注入した場合に、蛍光性有機化合物が
撥水性である開口ＯＰの内壁に付着せず速やかに流れ落
ちるため、発光層３４の厚さ制御が容易となる。すなわ
ち、均一かつ十分な厚さの発光層３４を開口ＯＰの下方
に形成できる。これは、バッファ層３３および電子輸送
層３５の形成についても同様である。
【００２５】また、保護絶縁膜２９および親水性絶縁膜
３１の積層体は開口ＯＰの内壁を構成する面において親
水性絶縁膜３１による親水性を持つため、撥水性絶縁膜
３２で弾かれた液状蛍光性有機化合物を撥水性絶縁膜３
２よりもアノード電極３０の露出面に近い側に確実に吸
引することができる。
３１の積層体は開口ＯＰの内壁を構成する面において親
水性絶縁膜３１による親水性を持つため、撥水性絶縁膜
３２で弾かれた液状蛍光性有機化合物を撥水性絶縁膜３
２よりもアノード電極３０の露出面に近い側に確実に吸
引することができる。
【００２６】また、保護絶縁膜２９および親水性絶縁膜
３１の積層体は保護絶縁膜２９を親水性絶縁膜３１で全
体的に覆うことにより形成されるため、開口ＯＰの内壁
を構成する面を容易に親水性にすることができる。
３１の積層体は保護絶縁膜２９を親水性絶縁膜３１で全
体的に覆うことにより形成されるため、開口ＯＰの内壁
を構成する面を容易に親水性にすることができる。
【００２７】上述の実施形態では、アノード電極３０を
層間絶縁膜２３上にソース、ドレイン電極２７，２８、
信号線Ｘと同一平面上に形成する場合について説明した
が、走査線Ｙと同一平面上にアノード電極３０を配置し
てもよい。例えば図３に示すように、ゲート電極２６が
アノード電極３０と共にゲート絶縁膜２５上に配置さ
れ、自己発光層から横方向に放出される光を反射する。
これは、図２に示す構造と同様に光透過性絶縁基板２０
の外部に放出される光の強度を高める結果となる。ま
た、ゲート絶縁膜２５はゲート電極２６およびアノード
電極３０に対して共通の下地となるため、２つの絶縁膜
を独立なプロセスで形成する必要が無いうえ、これら絶
縁膜の重なりによる光透過率の低下を防止できる。
層間絶縁膜２３上にソース、ドレイン電極２７，２８、
信号線Ｘと同一平面上に形成する場合について説明した
が、走査線Ｙと同一平面上にアノード電極３０を配置し
てもよい。例えば図３に示すように、ゲート電極２６が
アノード電極３０と共にゲート絶縁膜２５上に配置さ
れ、自己発光層から横方向に放出される光を反射する。
これは、図２に示す構造と同様に光透過性絶縁基板２０
の外部に放出される光の強度を高める結果となる。ま
た、ゲート絶縁膜２５はゲート電極２６およびアノード
電極３０に対して共通の下地となるため、２つの絶縁膜
を独立なプロセスで形成する必要が無いうえ、これら絶
縁膜の重なりによる光透過率の低下を防止できる。
【００２８】また、図４に示すように、親水性絶縁膜３
１でソースおよびドレイン電極２７，２８およびアノー
ド電極３０を覆い、保護絶縁膜２９でこの親水性絶縁膜
３１の上面だけを覆うようにして、保護絶縁膜２９およ
び親水性絶縁膜３１の積層体を構成するようにしても、
開口ＯＰの内壁を構成する面を容易に親水性にすること
ができる。
１でソースおよびドレイン電極２７，２８およびアノー
ド電極３０を覆い、保護絶縁膜２９でこの親水性絶縁膜
３１の上面だけを覆うようにして、保護絶縁膜２９およ
び親水性絶縁膜３１の積層体を構成するようにしても、
開口ＯＰの内壁を構成する面を容易に親水性にすること
ができる。
【００２９】また、アノード電極３０とは別材料である
光反射性配線電極により、コンタクト部での段切れ、コ
ンタクト抵抗の増大を抑制することができ、ＴＦＴとの
確実な電気的接続が可能となる。
光反射性配線電極により、コンタクト部での段切れ、コ
ンタクト抵抗の増大を抑制することができ、ＴＦＴとの
確実な電気的接続が可能となる。
【００３０】また上述の実施形態においては、自己発光
層材料に高分子材料を用いる場合について説明したが、
これに限定されず低分子材料により構成してもよい。
層材料に高分子材料を用いる場合について説明したが、
これに限定されず低分子材料により構成してもよい。
【００３１】また、上述の実施形態においては、自己発
光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明したが、これに
限定されず、本発明は対向電極間に自己発光層を備えた
自己発光表示パネル全般に適用することが可能である。
光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明したが、これに
限定されず、本発明は対向電極間に自己発光層を備えた
自己発光表示パネル全般に適用することが可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、複雑な製
造工程を必要とせずに良好な発光特性を得ることができ
る自己発光表示パネルおよびその製造方法を提供するこ
とができる。
造工程を必要とせずに良好な発光特性を得ることができ
る自己発光表示パネルおよびその製造方法を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の
画素周辺の構造を示す平面図である。
画素周辺の構造を示す平面図である。
【図２】図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図であ
る。
る。
【図３】図１に示す画素周辺構造の第１変形例を示す断
面図である。
面図である。
【図４】図１に示す画素周辺構造の第２変形例を示す断
面図である。
面図である。
【図５】従来の有機ＥＬ表示装置の画素周辺構造を示す
断面図である。
断面図である。
ＯＰ…開口 ＰＸ…有機ＥＬ素子 ＳＷ…画素スイッチ ２７…ソース電極 ２８…ドレイン電極 ２９…保護絶縁膜 ３０…アノード電極 ３２…撥水性絶縁膜 ３１…親水性絶縁膜 ３４…発光層 ３６…カソード電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ 33/26 (72)発明者 上浦 紀彦 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２ 株式 会社東芝深谷工場内 (72)発明者 青木 良朗 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２ 株式 会社東芝深谷工場内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB17 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EA00 EB00 5C094 AA10 AA25 AA43 BA03 BA27 CA19 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 FA01 FA02 FB01 FB12 FB14 FB15 FB20 GB10 5F110 AA30 BB01 CC02 DD02 DD13 DD14 DD17 EE06 FF02 GG02 GG13 GG15 HL03 HL04 HL07 HL12 HL14 NN02 NN03 NN23 NN24 NN27 NN28 NN80
Claims (8)
- 【請求項１】 自己発光層が第１電極および第２電極間
に挟持される自己発光素子と、前記自己発光素子を画素
として配線する画素配線とを備え、前記第１電極は光透
過性を有し、かつ前記画素配線は、光透過性絶縁基材上
に前記第１電極と同一平面上に配置され前記発光層から
横方向に放出される光を反射する配線金属部を含むこと
を特徴とする自己発光表示パネル。 - 【請求項２】 前記画素配線および前記第１電極を覆う
層間絶縁膜およびこの層間絶縁膜を覆う撥水性絶縁膜を
含む絶縁体をさらに備え、前記発光層は前記第１電極を
部分的に露出しこの露出面に向かってテーパ状となるよ
うに前記絶縁体に形成される開口内だけに配置されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の自己発光表示パネル。 - 【請求項３】 前記層間絶縁膜は前記開口の内壁を構成
する面において親水性であることを特徴とする請求項２
に記載の自己発光表示パネル。 - 【請求項４】 前記層間絶縁膜は保護絶縁膜および親水
性絶縁膜の積層体であることを特徴とする請求項２に記
載の自己発光表示パネル。 - 【請求項５】 発光層が透明電極および反射電極間に挟
持される自己発光素子と、前記自己発光素子を画素とし
て配線する画素配線と、前記画素配線および前記透明電
極を覆う層間絶縁膜およびこの層間絶縁膜を覆う撥水性
絶縁膜を含む絶縁体を備え、前記発光層は前記透明電極
を部分的に露出しこの露出面に向かってテーパ状となる
ように前記絶縁体に形成される開口内だけに配置される
ことを特徴とする自己発光表示パネル。 - 【請求項６】 前記層間絶縁膜は前記開口の内壁を構成
する面において親水性であることを特徴とする請求項５
に記載の自己発光表示パネル。 - 【請求項７】 前記層間絶縁膜は保護絶縁膜および親水
性絶縁膜の積層体であることを特徴とする請求項５に記
載の自己発光表示パネル。 - 【請求項８】 発光層が透明電極および反射電極間に挟
持される自己発光素子をマトリクス状に配置し、前記透
明電極を介して光を外部に取り出す自己発光表示パネル
の製造方法において、 透明絶縁基板上に島状に半導体層を形成する工程と、前
記半導体層にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成す
る工程と、前記ゲート絶縁膜およびゲート電極上に層間
絶縁膜を成膜する工程と、前記層間絶縁膜上に選択的に
前記透明電極を形成する工程と、前記層間絶縁膜および
前記ゲート絶縁膜を貫通し、前記半導体層に達する金属
電極を形成する工程とを備えることを特徴とする自己発
光表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001322556A JP4127608B2 (ja) | 2000-10-20 | 2001-10-19 | 自己発光表示パネル |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000321596 | 2000-10-20 | ||
| JP2000-321596 | 2000-10-20 | ||
| JP2001322556A JP4127608B2 (ja) | 2000-10-20 | 2001-10-19 | 自己発光表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002202735A true JP2002202735A (ja) | 2002-07-19 |
| JP4127608B2 JP4127608B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=26602529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001322556A Expired - Fee Related JP4127608B2 (ja) | 2000-10-20 | 2001-10-19 | 自己発光表示パネル |
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|---|---|
| JP (1) | JP4127608B2 (ja) |
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- 2001-10-19 JP JP2001322556A patent/JP4127608B2/ja not_active Expired - Fee Related
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