JP4978298B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4978298B2 JP4978298B2 JP2007115138A JP2007115138A JP4978298B2 JP 4978298 B2 JP4978298 B2 JP 4978298B2 JP 2007115138 A JP2007115138 A JP 2007115138A JP 2007115138 A JP2007115138 A JP 2007115138A JP 4978298 B2 JP4978298 B2 JP 4978298B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- opening
- light emitting
- pixel electrode
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 19
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 49
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N AlO Inorganic materials [Al]=O AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- 239000010408 film Substances 0.000 description 82
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- -1 DCJ Chemical compound 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Chemical class 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 229940058961 hydroxyquinoline derivative for amoebiasis and other protozoal diseases Drugs 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical class C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000005255 pyrrolopyridines Chemical class 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical class C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical class C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
また、有機EL装置は隣接する画素領域間における画素電極の接触、或いは画素電極及び陰極の接触を防止するための隔壁を備えている(例えば、特許文献1参照)。このような隔壁の形成材料としては、上記平坦化層の形成材料と同様のアクリル樹脂やポリイミド等が用いられる。
上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた画素電極と、前記絶縁層上に設けられ、前記画素電極の形成された位置に対応した第1の開口部を画定する第1の隔壁と、前記第1の隔壁上に設けられ、有機材料で形成された第2の隔壁と、前記第2の隔壁を覆うように形成され、無機材料で形成された保護膜と、前記第1の開口部、前記第1の隔壁、前記第2の隔壁および前記保護膜上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた陰極と、を備え、前記第1の隔壁は、無機材料で形成されており、前記第2の隔壁は、前記第1の隔壁に設けられた第2の開口部において前記絶縁層と接し、かつ前記保護膜に設けられた第3の開口部において前記発光層と接していることを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に、有機材料から構成される平坦化層と、該平坦化層上に設けられる画素電極と、該画素電極の上端部を覆うように前記平坦化層上に設けられ、該平坦化層を露出させる第一開口部が形成された無機隔壁と、該無機バンク上に形成され、前記第一開口部を介して前記平坦化層に接触する有機隔壁と、前記画素電極上に設けられる有機発光層と、該有機発光層上に設けられる陰極と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記有機隔壁が無機材料から構成される無機保護膜で覆われており、該無機保護膜には前記有機隔壁を露出させる第二開口部が形成されていることを特徴とする。
また、有機発光層の形成時に平坦化層及びこの平坦化層に第一開口部を介して接触する有機隔壁から発生したアウトガスを、無機保護膜に形成された第二開口部から外部に放出できる。よって、駆動時にアウトガスが発生することがなく、アウトガスに起因する発光不良等の不具合が防止された高信頼性なものとなる。
この構成によれば、有機隔壁の側面に比べ、画素電極面から第二開口部を離間させた状態にすることができるので、画素電極表面の洗浄工程として上記のプラズマ処理を行った際に第二開口部内に露出する有機隔壁にダメージが及ぶのを抑制することができる。
この構成によれば、平坦化層中から第一開口部を介して有機隔壁中に放出されたアウトガスは有機隔壁内で発生したアウトガスとともに、平面視第一開口部に重なる位置に形成された第二開口部から外部に良好に放出されるようになる。よって、アウトガスを効率的に外部に放出することができる。
この構成によれば、上述したようなプラズマ処理を行った際でも、有機隔壁にダメージが及ぶのを良好に防止できる。
この構成によれば、無機保護膜の膜厚が50nm以上となっているので、十分なプラズマ耐性を得ることができる。また、無機保護膜の膜厚が200nm以下となっているので、膜厚が厚すぎることで無機保護膜に割れが生じてしまうのを抑制できる。
このようにすれば、上述したように洗浄処理による汚染が防止された画素電極上に、例えば蒸着法等の気相法により有機発光層を良好に形成できるので、信頼性が高く良好な発光特性を得るものを提供できる。
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置と称す)に係る一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図1は本実施形態の有機EL装置の回路構成図、図2は、同有機EL装置における各画素領域の平面構造を示す図であって陰極や有機発光層を取り除いた状態を示す図である。また図3は、有機EL装置の断面構成を示す概略図である。
また図3に示す画素領域71の断面構造をみると、基板P上に駆動用TFT43が設けられており、駆動用TFT43を覆って形成された第一、及び第二層間絶縁膜23,24上に発光素子200が配設されている。この発光素子200は、基板P上に立設されたバンク構造(隔壁構造)50の内部に臨む画素電極41と、この画素電極41上に配置される有機発光層40と、この有機発光層40を覆う陰極54とを有して構成される。また、前記バンク構造50は各画素領域71を区画した(囲んだ)状態に基板P上に形成されている。
そのため、陰極54は透明材料によって構成される。この陰極54を形成する透明導電材料としてはインジウム・スズ酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いることができる。具体的に本実施形態では、ITOを用いた。
以下、有機EL装置1の製造方法について図5,6を参照しつつ説明する。なお、以下の説明では、駆動用TFT43、及び画素電極41等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について詳しく説明する。
次に、図5(c)に示すように有機バンク50Aの表面を覆う無機保護膜44を形成する。具体的には、有機バンク50Aの形成領域及び後述する第二開口部52の形成領域が開口されたマスクを用いて、CVD法、スパッタ法、蒸着法等によりSiNからなる無機膜を選択的に成膜することで前記無機保護膜44を形成できる。この無機保護膜44には、前記有機バンク50Aの上面に対応する位置(図3参照)に第二開口部52を形成する。なお、上述したようにSiO、SiO2、SiON、SiN、AlO、AlN、Al2O3のいずれかを主体とする他の無機材料を用いて無機保護膜44を形成してもよい。
次に、図6(a)に示すように、画素電極41、バンク構造50の全面に有機発光層40を例えば真空蒸着法により形成する。このとき、上記プラズマ処理による表面洗浄が良好に行われているため、画素電極41上に有機機能層40を平坦性が高い状態に形成することができる。また、バンク構造50を構成する有機バンク50Aの内側面は、図2に示したように断面視テーパ形状の傾斜面となっているため、有機発光層40の形成材料を有機バンク50Aの内側面に沿って良好に付着させることができる。本実施形態では、正孔注入/輸送層、発光層、電子注入/輸送層を積層することで有機発光層40を形成した。なお、正孔注入/輸送層、発光層及び電子注入/輸送層は、上述したような各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することで形成される。
この陰極保護層45の形成方法としては、CVD法、スパッタ法、蒸着法等を例示することができる。
したがって、画素電極41上に有機発光層40が良好に形成されたものとなり、長期に亘り良好な発光特性を得る有機EL装置1を提供できる。
この場合、図4に示した構成に比べて、第二開口部52が画素電極41から離間した状態となるので、上述したプラズマ処理時に第二開口部52内に露出している有機バンク50Aにプラズマダメージが及ぶ可能性を低減できる。
次に、本発明の有機EL装置に係る他の応用例として、有機EL装置を備えた電子機器について説明する。
図8は、携帯電話の表示部に本発明の有機EL装置を適用した例についての概略構成図である。同図に示す携帯電話300は、上記実施形態の有機EL装置を小サイズの表示部301として備え、複数の操作ボタン302、受話口303、及び送話口304を備えて構成されている。
この携帯電話300によれば、上述したようにプラズマ処理に起因する画素電極の汚染が防止されるとともに、アウトガスに起因する発光不良の発生が防止されることで、長期間に亘って信頼性の高い表示を得ることができる有機EL装置1を表示部301として備えているので、高品質なものを提供できる。
なお、上記各実施の形態の有機EL装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。
Claims (6)
- 基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた画素電極と、
前記絶縁層上に設けられ、前記画素電極の形成された位置に対応した第1の開口部を画定する第1の隔壁と、
前記第1の隔壁上に設けられ、有機材料で形成された第2の隔壁と、
前記第2の隔壁を覆うように形成され、無機材料で形成された保護膜と、
前記第1の開口部における前記画素電極、前記第1の隔壁、前記第2の隔壁および前記保護膜上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた陰極と、を備え、
無機材料で形成された前記第1の隔壁は、前記保護膜と接しており、
前記第2の隔壁は、前記第1の隔壁に設けられた第2の開口部において前記絶縁層と接し、かつ前記保護膜に設けられた第3の開口部において前記発光層と接していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記第3の開口部は前記第2の隔壁の上面に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記第3の開口部は平面視した状態で、前記第2の開口部に対して少なくとも一部が重なるように形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記保護膜は、SiO2、SiO2、SiON、SiN、AlO、AlN、及びAl2O3のいずれかを主体として構成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記保護膜の膜厚が、50nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記発光層は気相法によって形成されたものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007115138A JP4978298B2 (ja) | 2007-04-25 | 2007-04-25 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
KR1020080035524A KR101452370B1 (ko) | 2007-04-25 | 2008-04-17 | 유기 el 장치 |
US12/106,000 US7863814B2 (en) | 2007-04-25 | 2008-04-18 | Organic electroluminescent device comprising a stack partition structure |
CN200810092343XA CN101296539B (zh) | 2007-04-25 | 2008-04-22 | 有机场致发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007115138A JP4978298B2 (ja) | 2007-04-25 | 2007-04-25 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008270118A JP2008270118A (ja) | 2008-11-06 |
JP4978298B2 true JP4978298B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=40049343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007115138A Active JP4978298B2 (ja) | 2007-04-25 | 2007-04-25 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4978298B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101146991B1 (ko) | 2010-05-07 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR101839930B1 (ko) | 2010-12-29 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR20130025717A (ko) | 2011-09-02 | 2013-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
WO2015079519A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 株式会社 東芝 | 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム |
KR102533387B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2023-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 |
KR102642198B1 (ko) * | 2016-04-04 | 2024-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
JPWO2022172115A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | ||
WO2022201487A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
JPWO2022259077A1 (ja) * | 2021-06-08 | 2022-12-15 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI241148B (en) * | 2003-05-21 | 2005-10-01 | Pioneer Corp | Organic electroluminescence display panel |
JP2007101713A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
-
2007
- 2007-04-25 JP JP2007115138A patent/JP4978298B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008270118A (ja) | 2008-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4978298B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
KR101452370B1 (ko) | 유기 el 장치 | |
JP4905237B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
KR100427883B1 (ko) | 자기발광 표시패널 및 그 제조방법 | |
JP5330541B2 (ja) | 有機elデバイス | |
US7982389B2 (en) | Light-emitting device incorporating an inorganic insulating layer between a reflective layer and corresponding pixel electrode | |
JP5167932B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2005327674A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法 | |
JP2011154797A (ja) | 有機el装置及び電子機器 | |
JP2007227129A (ja) | 有機el装置及び有機el装置の製造方法 | |
US7233020B2 (en) | Design for an organic light-emitting display that eliminates deterioration of the emission layer due to outgassing from an underlying layer | |
JP2007213999A (ja) | 有機el装置の製造方法及び有機el装置 | |
JP5063294B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US7839073B2 (en) | Light-emitting display apparatus incorporating combined first and second auxiliary electrodes arranged at intervals and method of producing the same | |
JP2002202735A (ja) | 自己発光表示パネルおよびその製造方法 | |
JP2004152563A (ja) | 表示装置 | |
CN110785868A (zh) | 显示基板、显示装置和制造显示基板的方法 | |
US8178867B2 (en) | Organic light emitting display and fabricating method thereof | |
JP2008153043A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
JP2006172940A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP2011154798A (ja) | 有機el装置及び電子機器 | |
WO2020065837A1 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP6818590B2 (ja) | 有機el表示装置、及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP4978543B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 | |
CN118019397A (zh) | 显示面板、显示设备及显示面板的检测方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120321 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120403 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4978298 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |