JP2000172198A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 陽極の厚みによる発光素子層の断線に起因し
て陰極が陽極と短絡することを防止するとともに、発光
素子層からの光がＴＦＴに到達しないようして安定した
表示を得ることができるＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 陽極６１、陰極６３及び該両電極の間に
挟まれた発光素子層６２から成るＥＬ素子６０と、その
陽極６１とソース電極１８が接続されたＴＦＴとから成
っており、その陽極６１の周囲とＴＦＴの全面を黒色に
着色した平坦化絶縁膜１７にて覆い、露出した陽極６１
の一部は発光素子層６５と接続されている。よって、陽
極６１の厚みに起因する発光素子層６２の断線による陰
極６３との短絡や、発光素子層６２からの発光光が陰極
６３に反射して回り込んでくることを防止できる。
て陰極が陽極と短絡することを防止するとともに、発光
素子層からの光がＴＦＴに到達しないようして安定した
表示を得ることができるＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 陽極６１、陰極６３及び該両電極の間に
挟まれた発光素子層６２から成るＥＬ素子６０と、その
陽極６１とソース電極１８が接続されたＴＦＴとから成
っており、その陽極６１の周囲とＴＦＴの全面を黒色に
着色した平坦化絶縁膜１７にて覆い、露出した陽極６１
の一部は発光素子層６５と接続されている。よって、陽
極６１の厚みに起因する発光素子層６２の断線による陰
極６３との短絡や、発光素子層６２からの発光光が陰極
６３に反射して回り込んでくることを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にエレクト
ロルミネッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエ
レクトロルミネッセンス表示装置に関する。
ロルミネッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエ
レクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置が、ＣＲＴ
やＬＣＤに代わる表示装置として注目されており、例え
ば、そのＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として
薄膜トランジスタ（Thin Film Tr ansistor：以下、
「ＴＦＴ」と称する。）を備えたエレクトロルミネッセ
ンス表示装置の研究開発も進められている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置が、ＣＲＴ
やＬＣＤに代わる表示装置として注目されており、例え
ば、そのＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として
薄膜トランジスタ（Thin Film Tr ansistor：以下、
「ＴＦＴ」と称する。）を備えたエレクトロルミネッセ
ンス表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図４に従来のエレクトロルミネッセンス表
示装置の平面図を示し、図５に図４中のＢ−Ｂ線に沿っ
た断面図を示す。
示装置の平面図を示し、図５に図４中のＢ−Ｂ線に沿っ
た断面図を示す。
【０００４】図４に示すように、ゲート電極１１を備え
たゲート信号線５１と、ドレイン信号線５２との交点付
近にＴＦＴを備えている。そのＴＦＴのドレインはドレ
イン信号線５２に接続されており、またゲートはゲート
信号線５１に接続されており、更にソースはＥＬ素子の
陽極６１に接続されている。
たゲート信号線５１と、ドレイン信号線５２との交点付
近にＴＦＴを備えている。そのＴＦＴのドレインはドレ
イン信号線５２に接続されており、またゲートはゲート
信号線５１に接続されており、更にソースはＥＬ素子の
陽極６１に接続されている。
【０００５】図５に示すように、表示画素１は、ガラス
や合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あ
るいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０とし
て導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合に
は、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁
膜を形成した上にＴＦＴを形成する。
や合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あ
るいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０とし
て導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合に
は、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁
膜を形成した上にＴＦＴを形成する。
【０００６】まず、絶縁性基板１０上にクロム（Ｃｒ）
等の高融点金属から成るゲート電極１１を形成し、その
上にゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層
１３を順に形成する。
等の高融点金属から成るゲート電極１１を形成し、その
上にゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層
１３を順に形成する。
【０００７】その能動層１３には、ゲート電極１１上方
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、いわゆ
るＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、いわゆ
るＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。
【０００８】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７のソース１３ｓに対応した位置にコンタクトホ
ールを形成し、このコンタクトホールを介してソース１
３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から
成るソース電極１８を兼ねた、ＥＬ素子の陽極６１を平
坦化絶縁膜１７上に形成する。
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７のソース１３ｓに対応した位置にコンタクトホ
ールを形成し、このコンタクトホールを介してソース１
３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から
成るソース電極１８を兼ねた、ＥＬ素子の陽極６１を平
坦化絶縁膜１７上に形成する。
【０００９】そして、この陽極６１の上にＥＬ素子６０
を形成する。
を形成する。
【００１０】有機ＥＬ素子６０は、一般的な構造であ
り、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極から成
る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylph
enylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層、ＴＰ
Ｄ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenyl
anine）からなる第２ホール輸送層、キナクリドン（Qui
nacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層及びＢ
ｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子層６２、
マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６３がこの
順番で積層形成された構造である。
り、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極から成
る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylph
enylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層、ＴＰ
Ｄ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenyl
anine）からなる第２ホール輸送層、キナクリドン（Qui
nacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層及びＢ
ｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子層６２、
マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６３がこの
順番で積層形成された構造である。
【００１１】また有機ＥＬ素子６０は、陽極から注入さ
れたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内
部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励
起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層
から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板
を介して外部へ放出されて発光する。
れたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内
部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励
起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層
から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板
を介して外部へ放出されて発光する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
ＥＬ素子６０を形成する際に、陽極６１の上に形成する
発光素子層６２はその厚みが一般に約２０００Å以下と
非常に薄いため、陽極６１の端部の平坦化絶縁膜１７と
の段差及びＴＦＴの凹凸例えばＡｌ配線の厚みによって
カバレッジが悪くなり、発光素子層６２が断線してしま
い、その断線箇所において、上層に設けた陰極６３が陽
極６１と短絡してしまうことになり、そうなるとこの表
示画素は表示欠陥となってしまうという欠点があった。
ＥＬ素子６０を形成する際に、陽極６１の上に形成する
発光素子層６２はその厚みが一般に約２０００Å以下と
非常に薄いため、陽極６１の端部の平坦化絶縁膜１７と
の段差及びＴＦＴの凹凸例えばＡｌ配線の厚みによって
カバレッジが悪くなり、発光素子層６２が断線してしま
い、その断線箇所において、上層に設けた陰極６３が陽
極６１と短絡してしまうことになり、そうなるとこの表
示画素は表示欠陥となってしまうという欠点があった。
【００１３】また、発光素子層から発光される光は、図
５の矢印で示すようにその一部がＴＦＴに到達するた
め、その光によりＴＦＴのリーク電流が増加してしまい
安定したＴＦＴ特性及び表示を得ることができないとい
う欠点があった。
５の矢印で示すようにその一部がＴＦＴに到達するた
め、その光によりＴＦＴのリーク電流が増加してしまい
安定したＴＦＴ特性及び表示を得ることができないとい
う欠点があった。
【００１４】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、陽極の厚みによる発光素子層の
断線に起因して陰極が陽極と短絡することを防止すると
ともに、発光素子層からの光がＴＦＴに到達しないよう
して安定した表示を得ることができるＥＬ表示装置を提
供することを目的とする。
て為されたものであり、陽極の厚みによる発光素子層の
断線に起因して陰極が陽極と短絡することを防止すると
ともに、発光素子層からの光がＴＦＴに到達しないよう
して安定した表示を得ることができるＥＬ表示装置を提
供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置
は、基板上に非単結晶半導体膜からなる能動層を備えた
薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのソース電極
に接続された透明電極、発光素子層及び陰極を有するエ
レクトロルミネッセンス素子とを備えたエレクトロルミ
ネッセンス表示装置であって、前記透明電極の一部が露
出するように基板全面を着色平坦化絶縁膜にて覆い、前
記透明電極の露出部にて前記発光素子層とコンタクト
し、該発光素子層上に金属からなる陰極が形成されてい
るものである。
は、基板上に非単結晶半導体膜からなる能動層を備えた
薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのソース電極
に接続された透明電極、発光素子層及び陰極を有するエ
レクトロルミネッセンス素子とを備えたエレクトロルミ
ネッセンス表示装置であって、前記透明電極の一部が露
出するように基板全面を着色平坦化絶縁膜にて覆い、前
記透明電極の露出部にて前記発光素子層とコンタクト
し、該発光素子層上に金属からなる陰極が形成されてい
るものである。
【００１６】また、上述のＥＬ表示装置の前記透明電極
は、絶縁膜を介して前記ソース電極の上層に形成したも
のである。
は、絶縁膜を介して前記ソース電極の上層に形成したも
のである。
【００１７】更に、上述のＥＬ表示装置の前記着色平坦
化絶縁膜は黒色に着色されているものである。
化絶縁膜は黒色に着色されているものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明のエレクトロルミネッセン
ス表示装置について以下に説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１に本発明の実施の形態の有機
ＥＬ素子及びＴＦＴを備えたＥＬ表示装置の１つの画素
を示す平面図を示し、図２に図１中のＡ−Ａ線に沿った
断面図を示す。
ス表示装置について以下に説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１に本発明の実施の形態の有機
ＥＬ素子及びＴＦＴを備えたＥＬ表示装置の１つの画素
を示す平面図を示し、図２に図１中のＡ−Ａ線に沿った
断面図を示す。
【００１９】図１に示すように、ゲート信号線５１とド
レイン信号線５２との交点付近にＴＦＴ３０を形成し、
そのＴＦＴ３０のソースは有機ＥＬ素子６０の陽極６１
に接続されている。
レイン信号線５２との交点付近にＴＦＴ３０を形成し、
そのＴＦＴ３０のソースは有機ＥＬ素子６０の陽極６１
に接続されている。
【００２０】図２に示すように、表示画素１は、ガラス
や合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あ
るいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０とし
て導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合に
は、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁
膜を形成した上にＴＦＴを形成する。
や合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あ
るいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０とし
て導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合に
は、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁
膜を形成した上にＴＦＴを形成する。
【００２１】図２に示すように、石英ガラス、無アルカ
リガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム（Ｃ
ｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲ
ート電極１１及びゲート電極１１を備えたゲート信号線
５１を形成する。
リガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム（Ｃ
ｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲ
ート電極１１及びゲート電極１１を備えたゲート信号線
５１を形成する。
【００２２】そして、ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ
膜からなる能動層１３を順に形成する。
膜からなる能動層１３を順に形成する。
【００２３】その能動層１３には、ゲート電極１１上方
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、いわゆ
るＬＤＤ構造である。そして、ゲート絶縁膜１２、能動
層１３及びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ
2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁
膜１５を形成する。
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、いわゆ
るＬＤＤ構造である。そして、ゲート絶縁膜１２、能動
層１３及びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ
2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁
膜１５を形成する。
【００２４】この層間絶縁膜１５上にＩＴＯ等の透明導
電性材料から成る透明電極である陽極６１を形成する。
そしてドレイン１３ｄ及びソース１３ｓに対応して設け
たコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン
電極１６及びソース電極１８を形成する。このときソー
ス電極１８は透明電極である陽極６１とコンタクトして
いる。
電性材料から成る透明電極である陽極６１を形成する。
そしてドレイン１３ｄ及びソース１３ｓに対応して設け
たコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン
電極１６及びソース電極１８を形成する。このときソー
ス電極１８は透明電極である陽極６１とコンタクトして
いる。
【００２５】そして、これらの陽極６１、ソース電極１
８、ドレイン電極１６及び層間絶縁膜１５の全面を覆う
ように樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
を形成する。
８、ドレイン電極１６及び層間絶縁膜１５の全面を覆う
ように樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
を形成する。
【００２６】このとき、平坦化絶縁膜１７は、透明では
なく着色されている。例えば、カラーレジスト等の樹脂
を塗布することにより形成できる。また、着色する色は
発光する光を遮ることができる色であればよいが、好ま
しくは黒色である。黒色とすることにより、発光素子層
６２から発光した光が、金属から成る陰極６３に向かっ
て進み反射してくる光を吸収することができる。例えば
高精細のＥＬ表示装置の場合には、隣接する表示画素が
非常に近接することになるが、その場合でも隣接する表
示画素の発光素子層からの光が陰極からの反射光として
回り込んでくることを防止できる。
なく着色されている。例えば、カラーレジスト等の樹脂
を塗布することにより形成できる。また、着色する色は
発光する光を遮ることができる色であればよいが、好ま
しくは黒色である。黒色とすることにより、発光素子層
６２から発光した光が、金属から成る陰極６３に向かっ
て進み反射してくる光を吸収することができる。例えば
高精細のＥＬ表示装置の場合には、隣接する表示画素が
非常に近接することになるが、その場合でも隣接する表
示画素の発光素子層からの光が陰極からの反射光として
回り込んでくることを防止できる。
【００２７】平坦化絶縁膜への着色は、粘性を有する樹
脂であるレジストに、例えば黒色の顔料を混入して塗布
することにより着色が実現できる。
脂であるレジストに、例えば黒色の顔料を混入して塗布
することにより着色が実現できる。
【００２８】即ち、平坦化絶縁膜１７のコンタクトホー
ルである開口部は、図１中の斜線部以外の白い部分であ
る。平坦化絶縁膜１７はその開口部よりもやや大きくし
てあり、陽極６１と平坦化絶縁膜１７とは、陽極６１の
周辺部にて重畳している形状である。
ルである開口部は、図１中の斜線部以外の白い部分であ
る。平坦化絶縁膜１７はその開口部よりもやや大きくし
てあり、陽極６１と平坦化絶縁膜１７とは、陽極６１の
周辺部にて重畳している形状である。
【００２９】このように、着色した平坦化絶縁膜１７
を、透明電極である陽極の周辺部、及びＴＦＴを含む全
面に設けることにより、図２に示すように、発光素子層
６２から発光される光はＴＦＴに到達することがないの
で、ＴＦＴのリーク電流が増大することが防止できる。
また、ＥＬ素子の陽極である透明電極６１の厚みによる
発光素子層６２の断線に起因する、陰極６３と陽極６１
との短絡が防止できる。
を、透明電極である陽極の周辺部、及びＴＦＴを含む全
面に設けることにより、図２に示すように、発光素子層
６２から発光される光はＴＦＴに到達することがないの
で、ＴＦＴのリーク電流が増大することが防止できる。
また、ＥＬ素子の陽極である透明電極６１の厚みによる
発光素子層６２の断線に起因する、陰極６３と陽極６１
との短絡が防止できる。
【００３０】また、有機ＥＬ素子６０は、平坦化絶縁膜
１７の下層に形成したＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等
の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis
(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１
ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphe
nylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送
層、キナクリドン（Q uinacridone）誘導体を含むＢｅ
ｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯
体）から成る発光層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層
からなり平坦化絶縁膜１７に設けたコンタクトホールを
介して陽極６１に接続される発光素子層６２、マグネシ
ウム・インジウム合金から成る陰極６３がこの順番で積
層形成された構造である。
１７の下層に形成したＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等
の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis
(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１
ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphe
nylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送
層、キナクリドン（Q uinacridone）誘導体を含むＢｅ
ｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯
体）から成る発光層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層
からなり平坦化絶縁膜１７に設けたコンタクトホールを
介して陽極６１に接続される発光素子層６２、マグネシ
ウム・インジウム合金から成る陰極６３がこの順番で積
層形成された構造である。
【００３１】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。本実施形態の場合、Ｅ
Ｌ素子の発光光は図面の下方向に出射する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。本実施形態の場合、Ｅ
Ｌ素子の発光光は図面の下方向に出射する。
【００３２】以上のように、透明電極の周辺部を含む全
面に着色した平坦化絶縁膜を設けるので、発光素子層か
らの光によるＴＦＴのリーク電流の抑制、透明電極の厚
みによるカバレッジの向上、陰極による反射光の回り込
みの防止が可能である。 ＜第２の実施の形態＞図３に、本発明の第２の実施の形
態であるＥＬ表示装置の断面図を示す。なお、この断面
図は図１中のＡ−Ａ線に沿ったものである。
面に着色した平坦化絶縁膜を設けるので、発光素子層か
らの光によるＴＦＴのリーク電流の抑制、透明電極の厚
みによるカバレッジの向上、陰極による反射光の回り込
みの防止が可能である。 ＜第２の実施の形態＞図３に、本発明の第２の実施の形
態であるＥＬ表示装置の断面図を示す。なお、この断面
図は図１中のＡ−Ａ線に沿ったものである。
【００３３】同図において、第１の実施の形態と異なる
点は、層間絶縁膜１７に設けたコンタクトホールにＡｌ
等の金属を充填して、ドレイン電極１６及びソース電極
１８を形成した後に、表面を平坦にする平坦化絶縁膜１
７を形成し、ソース電極に対応した位置の平坦化絶縁膜
１７にコンタクトホールを設けてＩＴＯ等の透明導電材
料から成る透明電極６１を形成し、更に透明電極の周辺
部をに重畳して全面に着色した平坦化絶縁膜１９を設け
た点である。
点は、層間絶縁膜１７に設けたコンタクトホールにＡｌ
等の金属を充填して、ドレイン電極１６及びソース電極
１８を形成した後に、表面を平坦にする平坦化絶縁膜１
７を形成し、ソース電極に対応した位置の平坦化絶縁膜
１７にコンタクトホールを設けてＩＴＯ等の透明導電材
料から成る透明電極６１を形成し、更に透明電極の周辺
部をに重畳して全面に着色した平坦化絶縁膜１９を設け
た点である。
【００３４】即ち、平坦化絶縁膜１７を介してドレイン
電極１６及びソース電極１８と異なる上層に透明電極６
１を設けた点が第１の実施の形態と異なる点である。
電極１６及びソース電極１８と異なる上層に透明電極６
１を設けた点が第１の実施の形態と異なる点である。
【００３５】本実施の形態においても、第１の実施の形
態と同様に、図３の矢印で示すように発光素子層６２か
ら発光される光はＴＦＴに到達しないため、光によるＴ
ＦＴ特性の変化、即ちリーク電流の増大を防止すること
ができる。また、ＥＬ素子の陽極である透明電極６１の
厚みによる発光素子層６２の断線に起因する、陰極６３
と陽極６１との短絡が防止できる。また、第１の実施の
形態と同様に、着色する平坦化絶縁膜１７の色は、陰極
からの反射光を吸収することができ、光の回り込みが防
止できる。黒色が好ましい。また、本実施の形態によれ
ば、ＴＦＴ上も平坦にすることができるため、透明電極
６１をＴＦＴ上にも形成することが可能となる。
態と同様に、図３の矢印で示すように発光素子層６２か
ら発光される光はＴＦＴに到達しないため、光によるＴ
ＦＴ特性の変化、即ちリーク電流の増大を防止すること
ができる。また、ＥＬ素子の陽極である透明電極６１の
厚みによる発光素子層６２の断線に起因する、陰極６３
と陽極６１との短絡が防止できる。また、第１の実施の
形態と同様に、着色する平坦化絶縁膜１７の色は、陰極
からの反射光を吸収することができ、光の回り込みが防
止できる。黒色が好ましい。また、本実施の形態によれ
ば、ＴＦＴ上も平坦にすることができるため、透明電極
６１をＴＦＴ上にも形成することが可能となる。
【００３６】なお、上述の各実施の形態においては、Ｔ
ＦＴは、ゲート電極を能動層の下に設けたいわゆるボト
ムゲート型のＴＦＴについて説明したが、ゲート電極が
能動層の上にあるいわゆるトップゲート型ＴＦＴでも良
い。また、能動層としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶
シリコン膜又は非晶質シリコンを用いても良い。
ＦＴは、ゲート電極を能動層の下に設けたいわゆるボト
ムゲート型のＴＦＴについて説明したが、ゲート電極が
能動層の上にあるいわゆるトップゲート型ＴＦＴでも良
い。また、能動層としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶
シリコン膜又は非晶質シリコンを用いても良い。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、発光素子層からの光に
よってＴＦＴのリーク電流が増大することを防止するこ
とができるとともに、発光素子層からの光が陰極に反射
して隣接する表示画素に回り込んで入射されることがな
いＥＬ表示装置を得ることができる。
よってＴＦＴのリーク電流が増大することを防止するこ
とができるとともに、発光素子層からの光が陰極に反射
して隣接する表示画素に回り込んで入射されることがな
いＥＬ表示装置を得ることができる。
【図１】本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の
平面図である。
平面図である。
【図２】本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の
断面図である。
断面図である。
【図４】従来のエレクトロルミネッセンス表示装置の平
面図である。
面図である。
【図５】従来のエレクトロルミネッセンス表示装置の断
面図である。
面図である。
１ 表示画素 １１，４１ ゲート １３ｓ ソース １３ｄ ドレイン １３ｃ チャネル １７ 平坦化絶縁膜 １８ 平坦化絶縁膜 ３０ 第１のＴＦＴ ４０ 第２のＴＦＴ ５０ 駆動電源 ６０ 有機ＥＬ素子 ６１ 陽極（透明電極） ６２ 発光素子層 ６３ 陰極 ６７ 遮光材料
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に非単結晶半導体膜からなる能動
層を備えた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの
ソース電極に接続された透明電極、発光素子層及び陰極
を有するエレクトロルミネッセンス素子とを備えたエレ
クトロルミネッセンス表示装置であって、前記透明電極
の一部が露出するように基板全面を着色平坦化絶縁膜に
て覆い、前記透明電極の露出部にて前記発光素子層とコ
ンタクトし、該発光素子層上に金属からなる陰極が形成
されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス
表示装置。 - 【請求項２】 前記透明電極は、絶縁膜を介して前記ソ
ース電極の上層に形成したことを特徴とする請求項１に
記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】 前記着色平坦化絶縁膜は黒色に着色され
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載のエレク
トロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10341857A JP2000172198A (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| TW088120396A TW439387B (en) | 1998-12-01 | 1999-11-23 | Display device |
| US09/451,457 US6246179B1 (en) | 1998-12-01 | 1999-11-30 | Emissive element and display device using such element |
| KR1019990053716A KR20000047776A (ko) | 1998-12-01 | 1999-11-30 | 표시 장치 |
| EP14183841.7A EP2816605A3 (en) | 1998-12-01 | 1999-12-01 | Emissive element and display device using such element |
| EP19990309643 EP1006587A3 (en) | 1998-12-01 | 1999-12-01 | Emissive element and display device using such element |
| KR1020080067477A KR100919094B1 (ko) | 1998-12-01 | 2008-07-11 | 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10341857A JP2000172198A (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000172198A true JP2000172198A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18349293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10341857A Pending JP2000172198A (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000172198A (ja) |
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| JP2002202735A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | 自己発光表示パネルおよびその製造方法 |
| JP2002289356A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
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| US9214504B2 (en) | 2001-03-28 | 2015-12-15 | Japan Display Inc. | Display module |
-
1998
- 1998-12-01 JP JP10341857A patent/JP2000172198A/ja active Pending
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