CN109904342B - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开是关于一种阵列基板及其制作方法、显示装置,所述阵列基板包括:背板、发光层、像素定义层和校正层;背板包括平面部和弯曲部;发光层设于所述背板的第一面;像素定义层设于所述背板的第一面,并且将所述发光层至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;校正层设于第一像素定义区远离所述背板的一侧,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层。解决了从显示面板正面看时,用于长波光的衰减缓慢导致的柔性显示面板弯曲部颜色异常的问题,提升了柔性显示面板的显示品质。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着技术的发展和进步,柔性显示装置的应用越来越广泛,比如,在曲面屏手机中所使用的就是柔性显示面板,通常柔性显示面板具有弯曲区域。
目前,柔性显示面板从显示面板正面看时,由于不同波长的光的衰减程度不同,导致显示面板颜色异常。比如,红、绿、蓝三色光在一定角度下亮度衰减程度不同,并且红色光的衰减较慢,从而导致显示面板弯曲区域会出现发红的现象。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,进而至少在一定程度上克服相关技术中由于不同波长的光的衰减程度不同,导致显示面板颜色异常的问题。
根据本公开的一个方面,提供一种阵列基板,
所述阵列基板包括:
背板,包括平面部和弯曲部;
发光层,设于所述背板的第一面;
像素定义层,设于所述背板的第一面,并且将所述发光层至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;
校正层,用于对所述第一发光单元所发出的光进行吸收和反射,所述校正层设于所述第一像素定义区远离所述背板的一侧,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层。
根据本公开的一实施方式,所述第一发光单元为红光单元。
根据本公开的一实施方式,所述阵列基板包括:
第一保护层,设于所述发光层远离所述背板的一侧,所述校正层设于所述发光层远离所述背板的一侧。
根据本公开的一实施方式,所述阵列基板还包括:第二保护层,设于所述校正层远离所述第一保护层的一侧。
根据本公开的一实施方式,所述校正层的材料包括镁银中至少一种。
根据本公开的一实施方式,所述校正层的厚度为3~8纳米。
根据本公开的一实施方式,所述第一保护层厚度为10~300纳米。
根据本公开的一实施方式,所述第二保护层厚度为300~1500纳米。
根据本公开的第二方面,提供一种阵列基板的制作方法,所述方法包括:
提供一背板,所述背板包括包括平面部和弯曲部;
在所述背板上形成发光层和像素定义层,所述像素定义层将所述发光层至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;
在所述第一像素定义区远离所述背板的一侧形成校正层,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层。
根据本公开的一实施方式,所述方法还包括:
在所述发光层远离所述背板的一侧形成第一保护层。
根据本公开的一实施方式,所述方法还包括:
在所述校正层远离所述第一保护层的一侧形成第二保护层。
根据本公开的一实施方式,在所述第一像素定义区远离所述背板的一侧形成校正层,包括:
在所述第一像素定义区远离所述背板的一侧进行镁/银蒸镀,形成所述校正层。
根据本公开的第三方面,提供一种显示装置,包括上述的阵列基板。
本公开提供的阵列基板,通过在在和第一发光单元相邻且靠近平面部一侧的像素定义层上设置校正层,校正层吸收和反射长波光,以加快长波衰减,解决了从显示面板正面看时,用于长波光的衰减缓慢导致的柔性显示面板弯曲部颜色异常的现象,提升了柔性显示面板的显示品质。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例提供的一种亮度-视角变化曲线。
图2为本公开实施例提供的一种柔性显示面板的示意图。
图3为本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
图4为本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
图5为本公开实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图。
图6为本公开实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程图。
图中:100、背板;200、发光层;210、第一电极;220、发光材料层;230、第二电极;300、像素定义层;400、第一保护层;500、校正层;600、第二保护层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
柔性显示面板,往往具有弯曲部,其弯曲部在正视角情况下,处于大视角条件显示,此时在正视角情况下波长不同的光的衰减速度不同,进而导致显示异常。比如,目前所使用的像素包括红色子像素、绿色子像素和和蓝色子像素,红光、绿光、蓝光和白光在大视角条件下的亮度-视角变化曲线如图1所示,图中横坐标为显示角度,纵坐标为亮度,由图1可得,红光衰减速度最慢、其次为白光绿光和蓝光,由于红光衰减速度最慢,因此在柔性显示面板弯曲部往往会出现发红的现象。
本示例实施方式中首先提供了一种阵列基板,如图3所示,该阵列基板包括:背板100、发光层200、像素定义层300和校正层500;
背板100包括平面部和弯曲部;发光层200设于所述背板100的第一面;像素定义层300设于所述背板100的第一面,并且将所述发光层200至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;校正层500用于对所述第一发光单元所发出的光进行吸收和反射,设于第一像素定义区远离所述背板的一侧,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层300。
本公开实施例提供的阵列基板,通过在在和第一发光单元相邻且靠近平面部一侧的像素定义层300上设置校正层500,校正层500吸收和反射长波光,以加快长波衰减,解决了从显示面板正面看时,用于长波光的衰减缓慢导致的柔性显示面板弯曲部颜色异常的现象,提升了柔性显示面板的显示品质。
下面将对本公开实施例提供的阵列基板的各部分进行详细说明:
背板100可以包括柔性基板、半导体层、TFT层和平坦化层等。半导体层设于柔性基板、TFT层设于半导体层远离柔性基板的一侧,平坦化层设于TFT层远离柔性基板的一侧。制作时在玻璃基板上形成半导体层并图案化,然后在半导体层上依次形成栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏金属层和平坦化层。当然在实际应用中,背板100还可以包括其它层,本公开实施例并不以此为限。
发光层200包括第一电极210、发光材料层220和第二电极230,第一电极210设于背板100,发光材料层220设于第一电极210远离背板100的一侧,第二电极230设于发光材料层220远离第一电极210的一侧。其中,第一电极210可以是阳极,发光材料层220可以是有机电致发光层200,第二电极230可以是阴极。
像素定义层设于所述背板100的第一面,并且将所述发光层200至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长。比如,在实际应用中,像素定义层300通常将一个像素分为红光单元、绿光单元和蓝光单元三个像素单元,红光的波长大于绿光和蓝光,第一发光单元可以是红光红光单元。第二电极230为公共电极,其可以覆盖发光材料层220和像素定义层300。
进一步的,所述阵列基板还包括第一保护层400,设于所述发光层200远离所述背板的一侧,所述校正层500设于所述发光层200远离所述背板100的一侧。
为了加快长波光的衰减速度,可以在第一保护层400上第一投影区远离所述像素定义层300的一侧设置校正层500,所述第一投影区为第一像素定义区在所述第一保护层400上的投影,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层300。通过校正层500吸收和反射长波光,加快长波光的衰减,解决显示颜色异常的问题。
其中,校正层500的材料可以是阴极金属层,比如,校正层500的材料可以包括镁和银中至少一种,通过蒸镀形成于第一保护层400上,校正层500的蒸镀厚度为3~8纳米。校正层500可以涂覆整个第一投影区或者涂覆部分第一投影区,本公开实施例对此不做具体限定。
示例的,在图2所述的柔性显示面板,如图3所示,在位于左侧弯曲部001的红光单元的右侧像素定义层300在第一保护层400上的投影区域的上侧设置有校正层500。如图4所示,在位于右侧侧弯曲部002的红光单元的左侧像素定义层300在第一保护层400上的投影区域的上侧设置有校正层500。
需要说明的是,显示面板的弯曲部具有多个像素,多个像素呈阵列式分布,每个像素中均包括红绿蓝三个颜色的发光单元,可以在每个红光单元靠近平面部的一侧的像素定义层300上方设置校正层500。
通过图1可得,绿光的衰减速度小于蓝光的衰减速度,因此可以在第一保护层400上第二投影区远离所述像素定义层300的一侧设置校正层500,所述第二投影区为第二像素定义区在所述第一保护层400上的投影,所述第二像素定义区为所述弯曲部上和所述绿光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层300。
进一步的,所述阵列基板还包括:第二保护层600,设于所述校正层500远离所述第一保护层400的一侧。其中,第一保护层400材料可以是氧化硅或者氮氧化硅,第二保护层600的材料可以是氧化硅或者氮氧化硅,第一保护层400和第二保护层600的材料可以相同,也可以不同。在实际应用中,为了在制作方便,可以选择第一保护层400和第二保护层600的材料相同,比如,第一保护层400和第二保护层600的材料均为氮氧化硅。
第一保护层400和第二保护层600可以通过气相沉积的方式形成,其中,所述第一保护层400厚度可以是10~300纳米,所述第二保护层600厚度可以是300~1500纳米。
本公开实施例还提供一种阵列基板制作方法,如图5所示,所述方法包括:
步骤S410,提供一背板,所述背板包括包括平面部和弯曲部;
步骤S420,在所述背板上形成发光层和像素定义层,所述将发光层200至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;
步骤S430,在所述第一像素定义区远离所述背板的一侧形成校正层,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层。
本公开实施例提供的阵列基板制作方法,通过在在和第一发光单元相邻且靠近平面部一侧的像素定义层300上设置校正层500,校正层500吸收和反射长波光,以加快长波衰减,解决了从显示面板正面看时,用于长波光的衰减缓慢导致的柔性显示面板弯曲部颜色异常的现象,提升了柔性显示面板的显示品质。
进一步的,如图6所示,所述阵列基板的制作方法还包括:
步骤S440,在所述发光层和所述像素定义层远离所述背板的一侧形成第一保护层。
步骤S450,在所述校正层远离所述第一保护层的一侧形成第二保护层。
其中,步骤S430可以在步骤S440和步骤S450之间执行。
下面将对本公开实施例提供的阵列基板的制作方法进行详细说明:
在步骤S410中,提供一背板100,所述背板100包括包括平面部和弯曲部。其中,背板100可以包括柔性基板、半导体层、TFT层和平坦化层等。半导体层设于柔性基板、TFT层设于半导体层远离柔性基板的一侧,平坦化层设于TFT层远离柔性基板的一侧。制作时在玻璃基板上形成半导体层并图案化,然后在半导体层上依次形成栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏金属层和平坦化层。当然在实际应用中,背板100还可以包括其它层,本公开实施例并不以此为限。
在步骤S420中,在所述背板100上形成发光层200和像素定义层300,所述像素定义层300将发光层200至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长。
其中,发光层200包括发光层200包括第一电极210、发光材料层220和第二电极230,第一电极210设于背板100,发光材料层220设于第一电极210远离背板100的一侧,第二电极230设于发光材料层220远离第一电极210的一侧。其中,第一电极210可以是阳极,发光材料层220可以是有机电致发光层200,第二电极230可以是阴极。在实际应用中可以是:首先在背板100上形成第一电极210和发光材料层220,然后在背板100上设置像素定义层300,像素定义层300环绕发光材料层220,最后在发光材料层220和像素定义层300远离背板100的一侧形成第二电极230。
素定义层设于所述背板100的第一面,并且将所述发光层200至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长。比如,在实际应用中,像素定义层300通常将一个像素分为红光单元、绿光单元和蓝光单元三个像素单元,红光的波长大于绿光和蓝光,第一发光单元可以是红光红光单元。
在步骤S440中,在所述发光层200和所述像素定义层300远离所述背板100的一侧形成第一保护层400。
其中,第一保护层400材料可以是氧化硅或者氮氧化硅,采用气相沉积的方式形成,厚度可以是10~300纳米。
在步骤S430中,在所述弯曲部上的所述第一保护层400上第一投影区远离像素定义层300的一侧形成校正层500,所述第一投影区为第一像素定义区在第一保护层400上的投影,所述第一像素定义区为和第一发光单元相邻且靠近平面部一侧的像素定义层300。
其中,在所述弯曲部上的所述第一保护层400上第一投影区远离像素定义层300的一侧形成校正层500可以包括:
在所述第一保护层400的第一投影区远离像素定义层300的一侧进行镁/银蒸镀,形成所述校正层500。
其中,校正层500的材料可以是阴极金属层,比如,校正层500的材料可以包括镁和银中至少一种,通过蒸镀形成于第一保护层400上,校正层500的蒸镀厚度为3~8纳米。校正层500可以涂覆整个第一投影区或者涂覆部分第一投影区,本公开实施例对此不做具体限定。
示例的,在图2所述的柔性显示面板,如图3所示,在位于左侧弯曲部的红光单元的右侧像素定义层300在第一保护层400上的投影区域的上侧设置有校正层500。如图4所示,在位于右侧侧弯曲部的红光单元的左侧像素定义层300在第一保护层400上的投影区域的上侧设置有校正层500。
需要说明的是,显示面板的弯曲部具有多个像素,多个像素呈阵列式分布,每个像素中均包括红绿蓝三个颜色的发光单元,可以在每个红光单元靠近平面部的一侧的像素定义层300上方设置校正层500。
绿光的衰减速度小于蓝光的衰减速度,因此可以在第一保护层400上第二投影区远离所述像素定义层300的一侧设置校正层500,所述第二投影区为第二像素定义区在所述第一保护层400上的投影,所述第二像素定义区为所述弯曲部上和所述绿光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层300。
在步骤S450中,在所述校正层500远离所述第一保护层400的一侧形成第二保护层600。
其中,第二保护层600材料可以是氧化硅或者氮氧化硅,采用气相沉积的方式形成,厚度可以是300~1500纳米。
需要说明的是,尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤,但是,这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤,或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的,可以省略某些步骤,将多个步骤合并为一个步骤执行,以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开实施例还提供一种显示装置,包括上述的阵列基板。当然在实际应用中该显示装置还可以包括驱动电路、PCB板和盖板玻璃等组件,因其均为现有技术,本公开实施例在此不复赘述。所述显示装置例如可以包括手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明,而不是限制目的。易于理解,上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (13)
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
背板,包括平面部和弯曲部;
发光层,设于所述背板的第一面;
像素定义层,设于所述背板的第一面,并且将所述发光层至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;
校正层,用于对所述第一发光单元所发出的光进行吸收和反射,所述校正层设于第一像素定义区远离所述背板的一侧,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层,所述校正层的材料为阴极金属层材料。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一发光单元为红光单元。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第一保护层,设于所述发光层远离所述背板的一侧,所述校正层设于所述发光层远离所述背板的一侧。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:第二保护层,设于所述校正层远离所述第一保护层的一侧。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述校正层的材料包括镁和银中至少一种。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述校正层的厚度为3~8纳米。
7.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一保护层厚度为10~300纳米。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二保护层厚度为300~1500纳米。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一背板,所述背板包括平面部和弯曲部;
在所述背板上形成发光层和像素定义层,所述像素定义层将所述发光层至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;
在第一像素定义区远离所述背板的一侧形成校正层,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层,所述校正层用于对所述第一发光单元所发出的光进行吸收和反射,所述校正层的材料为阴极金属层材料。
10.如权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述发光层远离所述背板的一侧形成第一保护层。
11.如权利要求10所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述校正层远离所述第一保护层的一侧形成第二保护层。
12.如权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述第一像素定义区远离所述背板的一侧形成校正层,包括:
在所述第一像素定义区远离所述背板的一侧进行蒸镀,形成所述校正层,所述校正层的材料包括镁和银中至少一种。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~8任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910121362.9A CN109904342B (zh) | 2019-02-19 | 2019-02-19 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
US16/561,448 US11011584B2 (en) | 2019-02-19 | 2019-09-05 | Array substrate and fabricating method thereof, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910121362.9A CN109904342B (zh) | 2019-02-19 | 2019-02-19 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109904342A CN109904342A (zh) | 2019-06-18 |
CN109904342B true CN109904342B (zh) | 2021-04-09 |
Family
ID=66944937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910121362.9A Active CN109904342B (zh) | 2019-02-19 | 2019-02-19 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11011584B2 (zh) |
CN (1) | CN109904342B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110675749A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-01-10 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示装置及终端设备 |
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- 2019-02-19 CN CN201910121362.9A patent/CN109904342B/zh active Active
- 2019-09-05 US US16/561,448 patent/US11011584B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109904342A (zh) | 2019-06-18 |
US11011584B2 (en) | 2021-05-18 |
US20200266248A1 (en) | 2020-08-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |