JP7331016B2 - 表示基板及びその製造方法、表示装置 - Google Patents
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Description
前記第2のバリア壁は、前記開孔領域を囲み、前記第1のバリア壁と同じ構造を有し、前記第1のバリア壁の前記開孔領域から離れる側に設けられる。
200 表示基板
300 表示基板
301 表示領域
400 表示基板
401 表示領域
2011 開孔領域
2012 第1のバリア壁
2012A 凹部
3011 開孔領域
3012 第1のバリア壁
3012A 凹部
4011 開孔領域
4012 第1のバリア壁
4012A 凹部
Claims (25)
- 開孔領域と、前記開孔領域を囲む表示領域とを有する表示基板であって、前記表示領域と前記開孔領域との間には、前記開孔領域を囲む第1のバリア壁を含み、
前記第1のバリア壁は、前記開孔領域を囲む少なくとも1つの側面に凹部を有する第1の金属層構造を含み、
前記表示基板は、ベース基板をさらに含み、
前記第1の金属層構造は、
前記ベース基板の第1の側にある第1の金属サブ層と、
前記第1の金属サブ層の前記ベース基板から離れる側にある第2の金属サブ層と、を含み、
前記第1の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第2の金属サブ層の前記ベース基板上への正射影内に位置することにより、前記凹部が形成される、表示基板。 - 前記表示領域は、第2の金属層構造を含む電極パターンを含み、
前記第1の金属層構造と前記第2の金属層構造とは、同じ構造を有するとともに、同じ材料を含む、請求項1に記載の表示基板。 - 前記第1の金属層構造は、前記ベース基板の前記第1の側に位置する第3の金属サブ層をさらに含み、
前記第1の金属サブ層は、前記第3の金属サブ層の前記ベース基板から離れる側にあり、前記第1の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第3の金属サブ層の前記ベース基板への正射影内に位置する、請求項1に記載の表示基板。 - 前記第2の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第3の金属サブ層の前記ベース基板への正射影内に位置する、請求項3に記載の表示基板。
- 前記第1の金属サブ層の厚さは、前記第2の金属サブ層の厚さ及び前記第3の金属サブ層の厚さよりも大きい、請求項3に記載の表示基板。
- 前記第1の金属サブ層の厚さは150nm-900nmであり、前記第2の金属サブ層の厚さは30nm-300nmであり、前記第3の金属サブ層の厚さは30nm-300nmである、請求項5に記載の表示基板。
- 前記凹部の開口方向は、前記ベース基板に平行となる、請求項1から請求項6の何れかに記載の表示基板。
- 前記表示領域と前記開孔領域との間には第2のバリア壁をさらに含み、
前記第2のバリア壁は、前記開孔領域を囲み、前記第1のバリア壁と同じ構造を有し、前記第1のバリア壁の前記開孔領域から離れる側に設けられる、請求項1に記載の表示基板。 - 前記表示領域は、発光素子を形成するための第1の電極層と、第2の電極層と、第1の電極層と第2の電極層との間にある有機機能層とをさらに含み、前記有機機能層は、前記第1のバリア壁の前記凹部を有する側面で分断されている、請求項1に記載の表示基板。
- 前記第2の電極層は陰極層であり、前記陰極層は、前記第1のバリア壁の前記凹部を有する側面で分断されている、請求項9に記載の表示基板。
- イメージセンサおよび/または赤外線センサをさらに含み、
前記イメージセンサおよび/または赤外線センサは、前記ベース基板に接合されるとともに、前記ベース基板への正射影が前記開孔領域と少なくとも部分的に重なる、請求項1に記載の表示基板。 - 前記第1の金属層構造をエッチングして形成するためのエッチング液の作用により、前記第1の金属サブ層の材料がエッチングされる速度は、前記第2の金属サブ層の材料がエッチングされる速度よりも大きい、請求項1に記載の表示基板。
- 前記第1の金属サブ層の材料はアルミニウム又は銅を含み、
前記第2の金属サブ層の材料はチタン又はモリブデンを含む、請求項12に記載の表示基板。 - 前記第1のバリア壁は、前記ベース基板の前記第1の側に位置する絶縁層構造をさらに含み、前記第1の金属層構造は、前記絶縁層構造の前記ベース基板から離れる側にある、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の表示基板。
- 前記絶縁層構造は、複数のサブ絶縁層を含む、請求項14に記載の表示基板。
- 開孔領域と、前記開孔領域を囲む表示領域とを形成するステップと、
前記表示領域と前記開孔領域との間に第1のバリア壁を形成するステップであって、前記第1のバリア壁は、前記開孔領域を囲み、前記開孔領域を囲む少なくとも1つの側面に凹部を有する第1の金属層構造を含むステップと、を含む、表示基板の製造方法であって、
前記製造方法が、ベース基板を提供するステップをさらに含み、
前記第1の金属層構造は、
前記ベース基板の第1の側にある第1の金属サブ層と、
前記第1の金属サブ層の前記ベース基板から離れる側にある第2の金属サブ層と、を含み、
前記第1の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第2の金属サブ層の前記ベース基板上への正射影内に位置することにより、前記凹部が形成される、表示基板の製造方法。 - 前記開孔領域は、レーザー切断または機械的打抜きにより形成される、請求項16に記載の製造方法。
- 前記表示領域を形成するステップは、第1の金属層構造の形成と同時に電極パターンを形成するステップを含み、
前記電極パターンは、第2の金属層構造を含み、前記第1の金属層構造と前記第2の金属層構造とは、同じ膜層で形成する、請求項16に記載の製造方法。 - 前記第1のバリア壁を形成するステップは、
前記ベース基板の第1の側に第1の金属材料層を形成し、前記第1の金属材料層の前記ベース基板から離れる側に第2の金属材料層を形成するステップと、
前記電極パターン及び初期バリア壁を形成するように、前記第1の金属材料層と前記第2の金属材料層に対して第1のエッチングを行うステップと、
前記第1のバリア壁を形成するように、前記バリア壁に対して第2のエッチングを行うステップであって、前記第2のエッチングはウェットエッチングであり、且つ使用されるエッチング液により前記第1の金属材料層がエッチングされる速度は、前記第2の金属材料層がエッチングされる速度よりも大きくすることにより、前記凹部が形成されるステップと、を含む、請求項18に記載の製造方法。 - 前記第1のバリア壁を形成するステップは、
前記ベース基板の第1の側に第3の金属材料層、第1の金属材料層および第2の金属材料層を順に形成するステップと、
前記電極パターン及び初期バリア壁を形成するように、前記第3の金属材料層、第1の金属材料層および第2の金属材料層に対して第1のエッチングを行うステップと、
前記第1のバリア壁を形成するように、前記初期バリア壁に対して第2のエッチングを行うステップであって、前記第2のエッチングはウェットエッチングであり、且つ使用されるエッチング液により前記第1の金属材料層がエッチングされる速度は、前記第2の金属材料層および前記第3の金属材料層がエッチングされる速度よりも大きくすることにより、前記凹部が形成されるステップと、を含む、請求項18に記載の製造方法。 - 前記第1のエッチングは、ドライエッチングである、請求項19または請求項20に記載の製造方法。
- 前記表示領域を形成するステップは、発光素子に用いられる第1の電極層と、第2の電極層と、第1の電極層と第2の電極層との間にある有機機能層とを形成するステップをさらに含み、
前記第2のエッチングに用いられるエッチング液は、前記第1の電極層をエッチングして形成するのに用いられるエッチング液と同じであり、前記有機機能層は、前記第1のバリア壁の前記凹部を有する側面で分断されている、請求項19または請求項20に記載の製造方法。 - 前記第1のバリア壁を形成するステップは、
前記ベース基板の第1の側に第1の金属材料層を形成するステップと、
前記第1の金属材料層の前記ベース基板から離れる側に第2の金属材料層を形成するステップと、
前記第1の金属材料層と前記第2の金属材料層に対してウェットエッチングを1回行い、前記ウェットエッチングに用いられるエッチング液により、前記第1の金属材料層をエッチングする速度は、前記第2の金属材料層をエッチングする速度よりも大きいステップと、を含む、請求項18に記載の製造方法。 - 前記表示領域と前記開孔領域との間には第2のバリア壁をさらに形成し、前記第2のバリア壁は前記開孔領域を囲むとともに前記第1のバリア壁の前記開孔領域から離れる側に形成され、前記第2のバリア壁と前記第1のバリア壁とが同じ膜層で形成される、請求項16に記載の製造方法。
- 請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の表示基板を含む、表示装置。
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