JP2023531333A - 表示基板及びその製造方法、表示装置 - Google Patents

Abstract

表示基板及びその製造方法、表示装置であって、表示基板は表示領域（１００）と、表示領域（１００）の片側に位置するボンディング領域（２００）とを備える。表示領域（１００）は駆動構造層と、駆動構造層に設置される有機絶縁層（１５）と、有機絶縁層（１５）に設置される発光素子とを備える。駆動構造層は画素駆動回路を備え、発光素子は画素駆動回路に接続される。ボンディング領域（２００）はボンディング構造層と、ボンディング構造層に設置される有機絶縁層（１５）及びアイソレーションダム（４１０、４２０）と、有機絶縁層（１５）及びアイソレーションダム（４１０、４２０）に設置される無機パッケージ層（２５、２７）とを備える。ボンディング構造層は画素駆動回路に接続される電源コード（２１０、２２０）を備える。ボンディング領域（２００）の有機絶縁層（１５）に少なくとも１つのアイソレーション溝（５００）が設置され、無機パッケージ層（２５、２７）はアイソレーション溝（５００）を被覆し、アイソレーションダム（４１０、４２０）を包む。アイソレーション溝（５００）と表示領域の縁部（１１０）との距離は、アイソレーションダム（４１０、４２０）と表示領域の縁部（１１０）との距離より小さい。

Description

本開示は表示技術分野に関するが、それに限らず、特に表示基板及びその製造方法、表示装置を指す。

有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤと略称）は能動的に発光する表示デバイスであり、能動的に発光し、視角が広く、コントラストが高く、電力消費が少なく、反応速度が極めて高いという利点を有する。表示技術の継続的な発展に伴い、ＯＬＥＤを発光デバイスとし、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴと略称）により信号制御を行うフレキシブルディスプレイ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）は表示分野の現在の主流製品となっている。

以下は本明細書に詳しく説明される主題の概説である。本概説は特許請求の範囲を制限するためのものではない。

一態様では、本開示は表示基板を提供し、表示領域と、表示領域の片側に位置するボンディング領域とを備え、前記表示領域は駆動構造層と、前記駆動構造層に設置される有機絶縁層と、前記有機絶縁層に設置される発光素子と、前記発光素子に設置される複合パッケージ層とを備え、前記駆動構造層は画素駆動回路を備え、前記発光素子は前記画素駆動回路に接続され、前記ボンディング領域はボンディング構造層と、前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層及びアイソレーションダムと、前記有機絶縁層及びアイソレーションダムに設置される無機パッケージ層とを備え、前記ボンディング構造層は前記画素駆動回路に接続される電源コードを備え、前記ボンディング領域の有機絶縁層に少なくとも１つのアイソレーション溝が設置され、前記無機パッケージ層は前記アイソレーション溝を被覆し、前記アイソレーションダムを包み、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離は前記アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さい。

いくつかの可能な実現方式では、前記アイソレーションダムは第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムを含み、前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離は前記第２アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さく、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離は前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さい。

いくつかの可能な実現方式では、前記発光素子は陽極、画素定義層、有機発光層及び陰極を備え、前記画素定義層及び陰極は前記ボンディング領域まで延在し、前記表示領域を離れる方向に沿って、前記ボンディング領域において陰極の縁部と表示領域の縁部との距離は前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離より小さい。

いくつかの可能な実現方式では、前記表示領域を離れる方向に沿って、前記アイソレーション溝の幅は２０μｍ～７０μｍである。

いくつかの可能な実現方式では、前記電源コードは第１電源コード及び第２電源コードを含み、前記アイソレーション溝は前記第１電源コードに設置され、又は前記第２電源コードに設置され、又は前記第１電源コードと第２電源コードとの間に設置される。

いくつかの可能な実現方式では、前記表示領域の縁部方向に沿って、前記アイソレーション溝の基板での正投影は前記第１電源コードの基板での正投影を含む。

いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板は更に縁部領域を備え、前記縁部領域は回路構造層と、前記回路構造層に設置される有機絶縁層とを備え、前記有機絶縁層に隙間が設置され、前記ボンディング領域のアイソレーション溝と縁部領域の隙間とは連通する。

いくつかの可能な実現方式では、前記第１電源コードは第１棒状ブロック及び第２棒状ブロックを備え、前記第１棒状ブロックは前記表示領域の縁部方向に沿って延在し、前記第２棒状ブロックは前記表示領域を離れる方向に沿って延在し、前記第２棒状ブロックの前記表示領域に近接する端は前記第１棒状ブロックに接続されてＴ型構造を形成し、前記第２電圧線は前記第１棒状ブロックの前記表示領域から離れる側に位置し、前記アイソレーションダムは前記第２棒状ブロック及び第２電源コードに設置され、前記アイソレーション溝は前記第１棒状ブロックに設置される。

いくつかの可能な実現方式では、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層とを備える。前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層は第１平坦層を備え、前記複合絶縁層は基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を備える。

いくつかの可能な実現方式では、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層とを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第２接続電極及び第３接続電極と、前記第２接続電極及び第３接続電極を被覆する第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、前記第１電源コードはビアによって第２接続電極に接続され、前記第２電源コードはビアによって第３接続電極に接続される。前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層は第２平坦層を備え、前記複合絶縁層は基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を備える。

いくつかの可能な実現方式では、前記電源コードの縁部に波状構造が設置され、前記波状構造は前記アイソレーション溝の前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記アイソレーションダムの前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記電源コードと前記アイソレーションダムとの重複領域の電源コードの縁部に設置される。

いくつかの可能な実現方式では、前記波状構造は間隔を置いて設置される複数の突起を備え、前記突起の突起高さは３０μｍ～６０μｍである。

他の態様では、本開示は更に表示基板の製造方法を提供し、表示基板は表示領域と、表示領域の片側に位置するボンディング領域とを備え、前記製造方法は、
前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ駆動構造層及びボンディング構造層を形成し、前記駆動構造層が画素駆動回路を備え、前記ボンディング構造層が前記画素駆動回路に接続される電源コードを備えることと、
前記駆動構造層及びボンディング構造層に有機絶縁層を形成し、前記ボンディング構造層での有機絶縁層に少なくとも１つのアイソレーション溝が形成されることと、
前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ発光素子及びアイソレーションダムを形成し、前記発光素子が前記画素駆動回路に接続され、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離が前記アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さいことと、
前記ボンディング領域に無機パッケージ層を形成し、前記無機パッケージ層が前記アイソレーション溝を被覆し、前記アイソレーションダムを包むことと、を含む。

いくつかの可能な実現方式では、前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ発光素子及びアイソレーションダムを形成することは、前記表示領域に発光素子を形成し、前記発光素子が前記画素駆動回路に接続されることと、前記ボンディング領域に第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムを形成し、前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離が前記第２アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さく、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離が前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さいことと、を含む。

いくつかの可能な実現方式では、前記表示領域に発光素子を形成することは、前記有機絶縁層に陽極、画素定義層、有機発光層及び陰極を順次形成し、前記陽極が前記画素駆動回路に接続され、前記画素定義層及び陰極が前記ボンディング領域まで延在することと、前記表示領域を離れる方向に沿って、前記ボンディング領域において陰極の縁部と表示領域の縁部との距離が前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離より小さいことと、を含む。

いくつかの可能な実現方式では、前記電源コードは第１電源コード及び第２電源コードを含み、前記アイソレーション溝は前記第１電源コードに設置され、又は前記第２電源コードに設置され、又は前記第１電源コードと第２電源コードとの間に設置され、前記表示領域を離れる方向に沿って、前記アイソレーション溝の幅は２０μｍ～７０μｍである。

いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板は更に縁部領域を備える。前記製造方法は、前記縁部領域に回路構造層を形成し、前記回路構造層に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層に少なくとも１つの隙間が形成され、前記ボンディング領域のアイソレーション溝と縁部領域の隙間とが連通し、且つ同一プロセスにより形成されることを更に含む。

いくつかの可能な実現方式では、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層とを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層とを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第２接続電極及び第３接続電極と、前記第２接続電極及び第３接続電極を被覆する第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、前記第１電源コードはビアによって第２接続電極に接続され、前記第２電源コードはビアによって第３接続電極に接続される。前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層は第１平坦層又は第２平坦層を備え、前記複合絶縁層は基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を備える。

いくつかの可能な実現方式では、前記電源コードの縁部に波状構造が設置され、前記波状構造は前記アイソレーション溝の前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記アイソレーションダムの前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記電源コードとアイソレーションダムとの重複領域の電源コードの縁部に設置され、前記波状構造は間隔を置いて設置される複数の突起を備え、前記突起の突起高さは３０μｍ～６０μｍである。

他の態様では、本開示は上記表示基板を備える表示装置を更に提供する。

図面及び詳細な説明を閲読して理解した後、他の態様を分かることができる。

図面は本開示の技術案に対する更なる理解を提供するためのものであって、明細書の一部となり、本開示の実施例とともに本開示の技術案を解釈することに用いられ、本開示の技術案を制限するものではない。図面における各部材の形状及びサイズは実際の比率を反映せず、本開示の内容を模式的に説明するように意図される。
図１は本開示の表示基板の構造模式図である。 図２は本開示の表示基板のボンディング領域の構造模式図である。 図３は本開示の第１ファンアウト領域の構造模式図である。 図４は図３におけるＡ－Ａ方向の断面図である。 図５は本開示の表示基板の構造模式図である。 図６は本開示のフレキシブル基板のパターンを形成した後の模式図である。 図７は本開示の駆動構造層及びボンディング構造層のパターンを形成した後の模式図である。 図８は本開示のアイソレーション溝のパターンを形成した後の模式図である。 図９は本開示の陽極のパターンを形成した後の模式図である。 図１０は本開示の画素定義層のパターンを形成した後の模式図である。 図１１は本開示のスペーサコラムのパターンを形成した後の模式図である。 図１２は本開示の有機発光層及び陰極のパターンを形成した後の模式図である。 図１３は本開示のパッケージ層のパターンを形成した後の模式図である。 図１４は本開示のボンディング領域の縁部の構造模式図である。 図１５は本開示の表示基板の他の構造模式図である。 図１６は本開示の表示基板の更なる構造模式図である。 図１７は本開示の表示基板の更なる構造模式図である。 図１８は本開示の表示基板の更なる構造模式図である。 図１９は本開示の表示基板の更なる構造模式図である。 図２０は本開示の表示基板の更なる構造模式図である。 図２１は本開示の表示基板の更なる構造模式図である。 図２２は本開示の第１ファンアウト領域の他の構造模式図である。 図２３は本開示の２ＳＤ構造の表示領域及び縁部領域の断面構造模式図である。 図２４は本開示の１ＳＤ構造の表示領域及び縁部領域の断面構造模式図である。 図２５は本開示の第１ファンアウト領域の他の構造模式図である。 図２６は図２５におけるＥ領域の拡大図である。

本開示の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下に図面を参照しながら本開示の実施例を詳しく説明する。なお、実施形態は複数の異なる形式で実施されてもよい。当業者が容易に理解し得る事実は、本開示の趣旨及びその範囲を逸脱せずに方式及び内容を様々な形式に変換することができることである。従って、本開示は下記実施形態に記載される内容のみに限定されると解釈されるべきではない。衝突しない限り、本開示の実施例及び実施例の特徴は互いに任意に組み合わせられることができる。

図面では、明確にするために、各構成要素のサイズ、層の厚さ又は領域を拡大して示す場合がある。従って、本開示の一態様は該サイズに限定されるとは限らず、図面における各部材の形状及びサイズは実際の比率を反映しない。また、図面に理想的な例を模式的に示すが、本開示の一態様は図面に示される形状又は数値等に限らない。

本明細書における「第１」、「第２」、「第３」等の序数用語は構成要素の混同を回避するために設定されたものであり、数の方面で限定するものではない。

本明細書において、便宜上、図面を参照して構成要素の位置関係を説明するように「中央部」、「上」、「下」、「前」、「後」、「鉛直」、「水平」、「頂部」、「底部」、「内」、「外」等を使用して方位又は位置関係を示す言葉は、本明細書を説明しやすく及び説明を簡素化するためのものに過ぎず、指す装置又は素子が必ず特定の方位を有し、特定の方位で構成及び操作しなければならないことを指示又は暗示するものではなく、従って、本開示を制限するものであると理解されるべきではない。構成要素の位置関係は各構成要素を説明する方向に基づいて適切に変化する。従って、明細書に説明される言葉に限らず、状況に応じて適切に置換することができる。

本明細書において、特に明確に規定及び限定しない限り、用語の「取り付け」、「連結」、「接続」は広義的に理解されるべきである。例えば、固定接続、又は取り外し可能接続、又は一体接続であってもよく、機械的接続又は電気的接続であってもよく、直接接続、又は中間部材による間接的接続、又は２つの素子の内部の連通であってもよい。当業者であれば、具体的な状況に応じて上記用語の本開示での具体的な意味を理解することができる。

本明細書において、トランジスタとは少なくともゲート電極、ドレイン電極及びソース電極の３つの端子を備える素子を指す。トランジスタはドレイン電極（ドレイン電極端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース電極（ソース電極端子、ソース領域又はソース電極）との間にチャネル領域を有し、且つ電流はドレイン電極、チャネル領域及びソース電極を流れることができる。なお、本明細書において、チャネル領域とは電流が主に流れる領域を指す。

本明細書において、第１極はドレイン電極であってもよく、第２極はソース電極であってもよく、又は、第１極はソース電極であってもよく、第２極はドレイン電極であってもよい。極性が反対であるトランジスタを使用する場合又は回路動作中の電流方向が変化する場合等に、「ソース電極」及び「ドレイン電極」の機能は互いに交換される場合がある。従って、本明細書において、「ソース電極」及び「ドレイン電極」は互いに交換されることができる。

本明細書において、「電気的接続」は構成要素が、ある電気的作用を有する素子により一体に接続される状況を含む。「ある電気的作用を有する素子」は接続される構成要素間の電気信号の授受を行うことができる限り、特に制限しない。「ある電気的作用を有する素子」の例は電極及び配線のほか、更にトランジスタ等のスイッチング素子、抵抗器、インダクタ、コンデンサ、様々な機能を持つ他の素子等を含む。

本明細書において、「平行」とは２つの直線がなす角度が－１０°以上且つ１０°以下である状態を指し、従って、該角度が－５°以上且つ５°以下である状態も含む。また、「垂直」とは２つの直線がなす角度が８０°以上且つ１００°以下である状態を指し、従って、８５°以上且つ９５°以下の角度の状態も含む。

本明細書において、「フィルム」及び「層」は互いに交換されることができる。例えば、「導電層」を「導電フィルム」に置換できる場合がある。それと同様に、「絶縁フィルム」を「絶縁層」に置換できる場合がある。

本開示の「約」とは、限界を厳しく限定せず、プロセス及び測定誤差範囲内の数値が許容されることを意味する。

フレキシブルディスプレイであって、フレキシブル基板に設置される駆動回路層と、駆動回路層に設置される発光デバイスと、発光デバイスに設置されるパッケージ層とを備え、パッケージ層は発光デバイスを保護することに用いられる。研究によると、パッケージ層のパッケージ効果のフレキシブルディスプレイの表示性能への影響が大きい。パッケージ層にパッケージが故障し、例えばパッケージ層に隙間又は断裂が発生すると、大気中の水蒸気は隙間に沿って発光デバイスに入って、発光デバイスにおける有機材料を酸化して失効させ、発光できない失効領域を形成してしまう。水蒸気が隙間に沿って絶えずに発光デバイスに侵入するにつれて、失効領域は徐々に広がって、フレキシブルディスプレイには絶えずに広がるダークスポット（Ｇｒｏｗｉｎｇ Ｄａｒｋ Ｓｐｏｔ、ＧＤＳと略称）と称される表示不良が発生することをもたらしてしまう。

本開示は表示基板を提供し、表示領域と、表示領域の片側に位置するボンディング領域とを備え、前記表示領域は駆動構造層と、前記駆動構造層に設置される有機絶縁層と、前記有機絶縁層に設置される発光素子と、前記発光素子に設置される複合パッケージ層とを備え、前記駆動構造層は画素駆動回路を備え、前記発光素子は前記画素駆動回路に接続され、前記ボンディング領域はボンディング構造層と、前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層及びアイソレーションダムと、前記有機絶縁層及びアイソレーションダムに設置される無機パッケージ層とを備え、前記ボンディング構造層は前記画素駆動回路に接続される電源コードを備え、前記ボンディング領域の有機絶縁層に少なくとも１つのアイソレーション溝が設置され、前記無機パッケージ層は前記アイソレーション溝を被覆し、前記アイソレーションダムを包み、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離は前記アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さい。

例示的な実施形態では、前記アイソレーションダムは第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムを含み、前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離は前記第２アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さく、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離は前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さい。

例示的な実施形態では、前記発光素子は陽極、画素定義層、有機発光層及び陰極を備え、前記画素定義層及び陰極は前記ボンディング領域まで延在し、前記表示領域を離れる方向に沿って、陰極の縁部と表示領域の縁部との距離は前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離より小さい。

例示的な実施形態では、前記電源コードは第１電源コード及び第２電源コードを含み、前記アイソレーション溝は前記第１電源コードに設置され、又は前記第２電源コードに設置され、又は前記第１電源コードと第２電源コードとの間に設置される。前記表示領域を離れる方向に沿って、前記アイソレーション溝の幅は２０μｍ～７０μｍである。前記表示領域の縁部方向に沿って、前記アイソレーション溝の基板での正投影は前記第１電源コードの基板での正投影を含む。

例示的な実施形態では、前記表示基板は更に縁部領域を備え、前記縁部領域は回路構造層と、前記回路構造層に設置される有機絶縁層とを備え、前記有機絶縁層に隙間が設置され、前記ボンディング領域のアイソレーション溝と縁部領域の隙間とは連通し、且つ同一プロセスにより形成される。

例示的な実施形態では、前記第１電源コードは第１棒状ブロック及び第２棒状ブロックを備え、前記第１棒状ブロックは前記表示領域の縁部方向に沿って延在し、前記第２棒状ブロックは前記表示領域を離れる方向に沿って延在し、前記第２棒状ブロックの前記表示領域に近接する端は前記第１棒状ブロックに接続されてＴ型構造を形成し、前記第２電圧線は前記第１棒状ブロックの前記表示領域から離れる側に位置し、前記アイソレーションダムは前記第２棒状ブロック及び第２電源コードに設置され、前記アイソレーション溝は前記第１棒状ブロックに設置される。

例示的な実施形態では、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層とを備える。前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層は第１平坦層を備え、前記複合絶縁層は基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を備える。

例示的な実施形態では、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層とを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第２接続電極及び第３接続電極と、前記第２接続電極及び第３接続電極を被覆する第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、前記第１電源コードはビアによって第２接続電極に接続され、前記第２電源コードはビアによって第３接続電極に接続される。前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層は第２平坦層を備え、前記複合絶縁層は基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を備える。

例示的な実施形態では、前記電源コードの縁部に波状構造が設置され、前記波状構造は前記アイソレーション溝の前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記アイソレーションダムの前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記電源コードと前記アイソレーションダムとの重複領域の電源コードの縁部に設置される。

図１は本開示の表示基板の構造模式図である。図１に示すように、本開示の表示基板は表示領域１００と、表示領域１００の周囲に位置する非表示領域とを備える。非表示領域は表示領域１００の片側に位置するボンディング領域２００と、表示領域１００の他の側に位置する縁部領域３００とを備える。表示領域１００は少なくとも規則的に配列される複数の表示ユニットを備える。ボンディング領域２００は少なくともアイソレーションダムと、複数の表示ユニットの信号線を外部駆動装置に接続するボンディング回路とを備える。縁部領域３００は少なくともアイソレーションダムと、複数の表示ユニットに電圧信号を伝送する電源コードとを備える。ボンディング領域２００及び縁部領域３００のアイソレーションダムは表示領域１００を取り囲む環状構造を形成する。

図２は本開示の表示基板のボンディング領域の構造模式図である。図２に示すように、表示基板に平行する平面内に、本開示のボンディング領域２００は表示領域１００の片側に位置する。ボンディング領域２００は表示領域１００を離れる方向に沿って順次設置される第１ファンアウト領域２０１、曲げ領域２０２、第２ファンアウト領域２０３、帯電防止領域２０４、駆動チップ領域２０５及びボンディング電極領域２０６を備える。第１ファンアウト領域２０１はデータファンアウトライン、第１電源コード及び第２電源コードを備える。データファンアウトラインは第１ファンアウト領域２０１の中央部に位置し、複数のデータ接続線を備える。複数のデータ接続線はファンアウト（Ｆａｎｏｕｔ）配線方式で表示領域１００のデータ線（Ｄａｔａ Ｌｉｎｅ）に接続するように構成される。第１電源コードはデータファンアウトラインの両側に位置し、表示領域１００の高電圧電源コード（ＶＤＤ）に接続するように構成される。第２電源コードもデータファンアウトラインの両側に位置し、縁部領域３００の低電圧電源コード（ＶＳＳ）に接続するように構成される。曲げ領域２０２は凹溝が設置される複合絶縁層を備え、ボンディング領域２００を表示領域１００の裏面に曲げさせるように構成される。第２ファンアウト領域２０３はファンアウト配線方式で引き出された複数のデータ接続線を備える。帯電防止領域２０４は帯電防止回路を備え、静電気を除去することにより表示基板の静電損傷を防止するように構成される。駆動チップ領域２０５は集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＩＣと略称）を備え、複数のデータ接続線に接続するように構成される。ボンディング電極領域２０６は複数のボンディングパッド（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｐａｄ）を備え、外部のフレキシブルプリント基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＦＰＣと略称）にボンディング接続するように構成される。

図３は本開示の第１ファンアウト領域の構造模式図であって、図２におけるＣ領域の拡大図であり、図４は図３におけるＡ－Ａ方向の断面図である。図３に示すように、表示基板に平行する平面内に、ボンディング領域２００は表示領域１００の片側に位置し、ボンディング領域２００の第１ファンアウト領域は表示領域の縁部１１０に近接する。第１ファンアウト領域は第１電源コード２１０、第２電源コード２２０及びデータファンアウトライン（図示せず）を備える。第１電源コード２１０は表示領域１００の高電圧電源コードに接続され、表示領域１００の複数の表示ユニットに高電圧信号を伝送するように構成される。第２電源コード２２０は縁部領域３００の低電圧電源コードに接続され、表示領域１００の複数の表示ユニットに低電圧信号を伝送するように構成される。第１ファンアウト領域は更に第１アイソレーションダム４１０、第２アイソレーションダム４２０及びアイソレーション溝５００を備え、水蒸気が表示領域１００に入ることを阻止するように構成される。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は、ボンディング領域２００及び縁部領域３００に設置され、ボンディング領域２００及び縁部領域３００で表示領域１００を取り囲む環状構造を形成する。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は、表示領域１００の外周から表示領域１００に入る水蒸気を阻止するように構成される。ボンディング領域２００において、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は、表示領域の縁部１１０に平行する方向に沿って延在し、第１アイソレーションダム４１０と表示領域の縁部１１０との距離は第２アイソレーションダム４２０と表示領域の縁部１１０との距離より小さく、即ち第２アイソレーションダム４２０は、第１アイソレーションダム４１０の表示領域１００から離れる側に設置される。アイソレーション溝５００はボンディング領域２００に設置され、第１電源コード２１０の縁部及び第２電源コード２２０の縁部に沿って表示領域１００に入る水蒸気を阻止するように構成される。アイソレーション溝５００は表示領域の縁部１１０に平行する方向に沿って延在し、アイソレーション溝５００と表示領域の縁部１１０との距離は第１アイソレーションダム４１０と表示領域の縁部１１０との距離より小さく、即ちアイソレーション溝５００は表示領域の縁部１１０と第１アイソレーションダム４１０との間に設置される。

図４に示すように、表示基板に垂直する平面において、ボンディング領域２００の第１ファンアウト領域は基板１０に設置される複合絶縁層と、複合絶縁層に設置される第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０と、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０に設置される第１平坦層１５、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０と、第１平坦層１５に設置される画素定義層２２と、画素定義層２２に設置される陰極２４と、上記構造を被覆する第１パッケージ層２５とを備える。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は第２電源コード２２０に設置され、且つ第１パッケージ層２５により包まれる。第１アイソレーションダム４１０は第１ダムベースとスペーサコラムにより構成され、第２アイソレーションダム４２０は平坦ダムベース、第２ダムベース及びスペーサコラムにより構成される。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０の近傍の領域の第１平坦層１５が除去されて、第２電源コード２２０を露出させ、パッケージ層２５は該領域で露出する第２電源コード２２０を被覆する。第１電源コード２１０の縁部及び第２電源コード２２０の縁部から侵入する水蒸気を阻止するために、第１電源コード２１０上の第１平坦層１５にアイソレーション溝５００が設置され、アイソレーション溝５００における第１平坦層１５が除去されて、第１電源コード２１０の表面を露出させ、パッケージ層２５にアイソレーション溝５００内に露出する第１電源コード２１０の表面を被覆させる。アイソレーション溝５００に露出する第１電源コード２１０が陰極２４に接触することを回避するよう、アイソレーション溝５００を陰極２４の表示領域から離れる縁部と第１アイソレーションダム４１０との間に設置する。いくつかの実施例では、アイソレーション溝５００の位置はボンディング領域のサイズ、第１電源コード２１０のコード幅及び第２電源コード２２０のコード幅に基づいて設計されてもよい。アイソレーション溝５００が陰極２４を離れるように確保する上で、アイソレーション溝５００を第１平坦層１５及び画素定義層２２に設置してもよく、本開示はここで具体的に制限しない。

図２及び図３に示すように、第１電源コード２１０は第１棒状ブロック２１０１及び第２棒状ブロック２１０２を備える。第１棒状ブロック２１０１は表示領域の縁部１１０に平行する方向に沿って延在し、第２棒状ブロック２１０２は表示領域１００を離れる方向に沿って延在し、第２棒状ブロック２１０２の表示領域１００に近接する端は第１棒状ブロック２１０１に接続されてＴ型構造を形成する。第２電源コード２２０は第３棒状ブロック２２０１及び第４棒状ブロック２２０２を備える。第３棒状ブロック２２０１は表示領域の縁部１１０に平行する方向に沿って延在し、第４棒状ブロック２２０２は表示領域１００を離れる方向に沿って延在し、第４棒状ブロック２２０２の表示領域１００に近接する端は第３棒状ブロック２２０１に接続されてコーナー構造を形成する。第２電源コード２２０は、第１棒状ブロック２１０１の表示領域１００から離れる側に位置し、第２棒状ブロック２１０２のデータファンアウトラインから離れる側に位置する。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は、第１電源コード２１０の第２棒状ブロック２１０２及び第２電源コード２２０の第３棒状ブロック２２０１に設置され、アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０の第１棒状ブロック２１０１に設置される。

図５は本開示の表示基板の構造模式図であって、図３におけるＢ－Ｂ方向の断面図であり、単層のソースドレイン金属層（１ＳＤ）構造の表示領域及びボンディング領域の断面構造を模式的に示す。表示基板に平行する平面方向において、表示基板は表示領域１００及びボンディング領域２００を備え、ボンディング領域２００は表示領域１００の片側に位置する。表示基板に垂直する平面方向において、表示領域１００はフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置される駆動構造層と、駆動構造層に設置される発光素子と、発光素子を被覆する複合パッケージ層とを備える。ボンディング領域２００はフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置されるボンディング構造層と、ボンディング構造層に設置されるアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００とを備える。アイソレーション領域６００内には、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０と、アイソレーション溝５００、第１アイソレーションダム４１０、第２アイソレーションダム４２０及びアイソレーション領域６００を被覆する無機パッケージ層とが設置される。

例示的な実施形態では、表示領域１００の駆動構造層は、画素駆動回路を形成する複数のトランジスタ及び蓄電コンデンサを備える。図５には１つの第１トランジスタ１０１及び１つの第１蓄電コンデンサ１０２を例として模式的に示し、第１トランジスタ１０１は駆動トランジスタであってもよい。表示領域１００の駆動構造層は、フレキシブル基板１０に設置される第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に設置される活性層と、活性層を被覆する第２絶縁層１２と、第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層と、第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層と、第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置されるソースドレイン金属層とを備える。活性層は少なくとも第１活性層を備える。第１ゲート金属層は少なくとも第１ゲート電極及び第１コンデンサ電極を備える。第２ゲート金属層は少なくとも第２コンデンサ電極を備える。ソースドレイン金属層は少なくとも第１ソース電極及び第１ドレイン電極を備える。第１活性層、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極により第１トランジスタ１０１が構成される。第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極により第１蓄電コンデンサ１０２が構成される。ソースドレイン金属層は第１ソースドレイン金属層（ＳＤ１）とも称される。表示領域１００の駆動構造層に第１平坦層１５が設置され、発光素子は第１平坦層１５に設置される。発光素子は陽極２１、画素定義層２２、有機発光層２３及び陰極２４を備える。陽極２１は、第１平坦層１５に開設された第１ビアによって第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極に接続される。複合パッケージ層は、積層設置される第１パッケージ層２５、第２パッケージ層２６及び第３パッケージ層２７を備える。有機材料の第２パッケージ層２６は、無機材料の第１パッケージ層２５と第３パッケージ層２７との間に設置される。

ボンディング領域２００のボンディング構造層は、複数の無機絶縁層からなる複合絶縁層と、複合絶縁層に設置される第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０とを備える。複合絶縁層は、フレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３及び第４絶縁層１４を備える。上記絶縁層はいずれも無機絶縁層である。第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０は、第４絶縁層１４に設置され、表示領域の第１ソース電極及び第１ドレイン電極と同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。ボンディング領域２００のボンディング構造層に第１平坦層１５が設置され、第１平坦層１５にアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００が設置される。アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０の位置する領域に設置され、アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０の表面を露出させる。アイソレーション領域６００は第２電源コード２２０の表示領域１００から離れる側に設置され、アイソレーション領域６００内に第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０が設置される。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は第２電源コード２２０に設置される。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０の位置する箇所を除き、アイソレーション領域６００の他の位置に第２電源コード２２０及び複合絶縁層の表面が露出する。無機パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７を備える。無機材料の第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７は、アイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００を被覆し、且つ第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を包む。また、表示領域１００に近接する第１平坦層１５に画素定義層２２が設置され、画素定義層２２には間隔を置いて設置される複数のスペーサコラム３３が設置され、陰極２４は複数のスペーサコラム３３を包む。

例示的な実施形態では、アイソレーション溝５００は１つ又は複数であってもよい。アイソレーション溝５００の幅は約２０μｍ～約５０μｍである。アイソレーション溝５００と表示領域の縁部１１０との距離は第１アイソレーションダム４１０と表示領域の縁部１１０との距離より小さく、アイソレーション溝５００と表示領域の縁部１１０との距離は陰極２４の縁部と表示領域の縁部１１０との距離より大きい。

以下、表示基板の製造過程の例によって本開示の表示基板の構造を説明する。本開示に言及した「パターニングプロセス」はフィルム層の堆積、フォトレジストのコーティング、マスクの露出、現像、エッチング及びフォトレジストの剥離等の処理を含む。堆積はスパッタリング、蒸着及び化学気相堆積から選ばれるいずれか１つ又は複数を用いてもよい。コーティングはスプレー及びスピンコートから選ばれるいずれか１つ又は複数を用いてもよい。エッチングはドライエッチング及びウェットエッチングから選ばれるいずれか１つ又は複数を用いてもよい。「薄膜」とはある材料を基板で堆積又はコーティングプロセスにより製造した１層の薄膜を指す。製造過程全体において該「薄膜」がパターニングプロセスを実行する必要がない場合、該「薄膜」は更に「層」と称されてもよい。製造過程全体において該「薄膜」がパターニングプロセスを実行する必要がある場合、パターニングプロセスの前に「薄膜」と称され、パターニングプロセスの後で「層」と称される。パターニングプロセスを実行した後の「層」に少なくとも１つの「パターン」が含まれる。本開示に言及した「ＡとＢが同一層に設置される」とは、ＡとＢが同一パターニングプロセスにより同時に形成されることを意味する。「Ａの正投影がＢの正投影を含む」とは、Ｂの正投影がＡの正投影の範囲内に位置し、又はＡの正投影がＢの正投影を被覆することを意味する。

（１）ガラス基板１にフレキシブル基板１０を製造する。本開示では、フレキシブル基板１０はガラス基板１に積層設置される第１可撓性材料層、第１無機材料層、半導体層、第２可撓性材料層及び第２無機材料層を備える。第１、第２可撓性材料層の材料はポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又は表面処理後の軟質ポリマーフィルム等の材料を用いてもよく、第１、第２無機材料層の材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等を用いてもよく、基板の耐水性・耐酸素性を向上させることに用いられる。第１、第２無機材料層はバリア（Ｂａｒｒｉｅｒ）層とも称され、半導体層の材料はアモルファスシリコン（ａ－ｓｉ）を用いてもよい。１つの例示的な実施形態では、積層構造ＰＩ１／Ｂａｒｒｉｅｒ１／ａ－ｓｉ／ＰＩ２／Ｂａｒｒｉｅｒ２を例とし、図６に示されるように、その製造過程は、まず、ガラス基板１に１層のポリイミドを塗布し、硬化成膜後に第１可撓性（ＰＩ１）層を形成することと、その後、第１可撓性層に１層のバリア薄膜を堆積して、第１可撓性層を被覆する第１バリア（Ｂａｒｒｉｅｒ１）層を形成することと、次に、第１バリア層に１層のアモルファスシリコン薄膜を堆積して、第１バリア層を被覆するアモルファスシリコン（ａ－ｓｉ）層を形成することと、次に、アモルファスシリコン層に１層のポリイミドを塗布し、硬化成膜後に第２可撓性（ＰＩ２）層を形成することと、次に、第２可撓性層に１層のバリア薄膜を堆積して、第２可撓性層を被覆する第２バリア（Ｂａｒｒｉｅｒ２）層を形成し、フレキシブル基板１０の製造を完了することと、を含んでもよい。今回のプロセスの後で、表示領域１００及びボンディング領域２００はいずれもフレキシブル基板１０を備える。

（２）フレキシブル基板１０において駆動構造層及びボンディング構造層パターンを製造する。表示領域１００の駆動構造層は画素駆動回路を構成する第１トランジスタ１０１及び第１蓄電コンデンサ１０２を備え、ボンディング領域２００のボンディング構造層は第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０を備える。例示的な実施形態では、駆動構造層の製造過程は以下を含んでもよい。

フレキシブル基板１０に第１絶縁薄膜及び活性層薄膜を順次堆積し、パターニングプロセスにより活性層薄膜をパターニングして、フレキシブル基板１０全体を被覆する第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に設置される活性層パターンとを形成し、活性層パターンは少なくとも第１活性層を備える。今回のパターニングプロセスの後で、ボンディング領域２００はフレキシブル基板１０に設置される第１絶縁層１１を備える。

その後、第２絶縁薄膜及び第１金属薄膜を順次堆積し、パターニングプロセスにより第１金属薄膜をパターニングして、活性層パターンを被覆する第２絶縁層１２と、第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層パターンとを形成し、第１ゲート金属層パターンは少なくとも第１ゲート電極及び第１コンデンサ電極を備える。今回のパターニングプロセスの後で、ボンディング領域２００はフレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１及び第２絶縁層１２を備える。

その後、第３絶縁薄膜及び第２金属薄膜を順次堆積し、パターニングプロセスにより第２金属薄膜をパターニングして、第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層パターンとを形成し、第２ゲート金属層パターンは少なくとも第２コンデンサ電極を備え、第２コンデンサ電極の位置は第１コンデンサ電極の位置に対応する。今回のパターニングプロセスの後で、ボンディング領域２００はフレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１２及び第３絶縁層１３を備える。

その後、第４絶縁薄膜を堆積し、パターニングプロセスにより第４絶縁薄膜をパターニングして、第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４のパターンを形成し、第４絶縁層１４に少なくとも２つの第１ビアが開設され、２つの第１ビア内の第４絶縁層１４、第３絶縁層１３及び第２絶縁層１２がエッチングされて、第１活性層の表面を露出させる。今回のパターニングプロセスの後で、ボンディング領域２００はフレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３及び第４絶縁層１４を備える。

その後、第３金属薄膜を堆積し、パターニングプロセスにより第３金属薄膜をパターニングして、第４絶縁層１４にソースドレイン金属層のパターンを形成し、ソースドレイン金属層は少なくとも表示領域１００に位置する第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、ボンディング領域２００に位置する第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０とを備え、第１ソース電極及び第１ドレイン電極はそれぞれ第１ビアによって第１活性層に接続される。

これにより、図７に示されるように、フレキシブル基板１０に表示領域１００の駆動構造層及びボンディング領域２００のボンディング構造層のパターンが製造された。表示領域１００の駆動構造層において、第１活性層、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極により第１トランジスタ１０１が構成され、第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極により第１蓄電コンデンサ１０２が構成される。ボンディング領域２００のボンディング構造層はフレキシブル基板１０に設置される複合絶縁層と、複合絶縁層に設置される第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０とを備える。複合絶縁層は積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３及び第４絶縁層１４を備える。例示的な実施形態では、第１電源コード２１０と第２電源コード２２０との距離は約５０μｍ～約１００μｍである。

例示的な実施形態では、第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）のうちのいずれか１つ又は複数を用いてもよく、単層、多層又は複合層であってもよい。第１絶縁層はバッファ（Ｂｕｆｆｅｒ）層とも称され、基板の耐水性・耐酸素性を向上させることに用いられ、第２絶縁層及び第３絶縁層はゲート絶縁（ＧＩ）層とも称され、第４絶縁層は層間絶縁（ＩＬＤ）層とも称される。第１金属薄膜、第２金属薄膜及び第３金属薄膜は金属材料、例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）及びモリブデン（Ｍｏ）のうちのいずれか１つ又は複数のもの、又は上記金属の合金材料、例えばアルミニウムネオジム合金（ＡｌＮｄ）又はモリブデンニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いてもよく、単層構造、又は多層複合構造例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等であってもよい。活性層薄膜はアモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛材料（ａ－ＩＧＺＯ）、酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）、酸化インジウム亜鉛スズ（ＩＺＴＯ）、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐ－Ｓｉ）、セキシチオフェン、ポリチオフェン等の様々な材料を用いてもよい。即ち本開示は酸化物（Ｏｘｉｄｅ）技術、シリコン技術及び有機物技術により製造されたトランジスタに適用される。

（３）図８に示されるように、上記パターンを形成したフレキシブル基板に有機材料の平坦薄膜をコーティングして、フレキシブル基板１０全体を被覆する第１平坦（ＰＬＮ）層１５を形成し、マスク、露出、現像プロセスにより第１平坦層１５に第２ビアＫ２、アイソレーション溝５００、アイソレーション領域６００及び平坦ダムベース３０のパターンを形成し、第１平坦層１５は本開示の有機絶縁層とされる。第２ビアＫ２は表示領域１００に形成され、第２ビア内の第１平坦層１５が現像されて、第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極の表面を露出させる。アイソレーション溝５００はボンディング領域２００における第１電源コード２１０の位置する箇所に形成され、アイソレーション溝５００における第１平坦層１５が現像されて、第１電源コード２１０の表面を露出させる。アイソレーション領域６００はボンディング領域２００における第２電源コード２２０の表示領域１００から離れる側に形成され、アイソレーション領域６００における第２電源コード２２０に平坦ダムベース３０が設置される。平坦ダムベース３０を除き、アイソレーション領域６００の他の箇所での第１平坦層１５が現像されて、第２電源コード２２０の表面及び第４絶縁層１４の表面を露出させる。例示的な実施形態では、ボンディング領域２００のアイソレーション溝５００は、第１電源コード２１０の縁部及び第２電源コード２２０の縁部に沿って表示領域１００に入る水蒸気を阻止することに用いられる。アイソレーション領域６００は第２電源コード２２０に２つのアイソレーションダムを形成することに用いられ、平坦ダムベース３０は第２アイソレーションダムのダムベースである。いくつかの実施例では、アイソレーション溝５００の幅は約２０μｍ～約５０μｍであり、１つであってもよく、２つであってもよく、３つ以上であってもよく、平坦ダムベース３０の幅は約２０μｍ～約６０μｍである。

いくつかの実施例では、アイソレーション溝５００とアイソレーション領域６００との間の領域の第１平坦層１５が落ちるリスクを低減するよう、アイソレーション溝５００のアイソレーション領域６００に近接する側の縁部とアイソレーション領域６００のアイソレーション溝５００に近接する側の縁部との距離Ｌ０を約４０μｍ～約１００μｍにする。例示的な実施形態では、表示領域の縁部に平行する方向において、アイソレーション溝５００の長さは、アイソレーション溝５００の位置する箇所での第１電源コード２１０の長さに等しく、即ちアイソレーション溝５００のフレキシブル基板１０での正投影の長さは、第１電源コード２１０のフレキシブル基板１０での正投影の長さに等しく、アイソレーション溝５００において、第１電源コード２１０の表面が露出する。いくつかの実施例では、表示領域の縁部に平行する方向において、アイソレーション溝５００の長さは、アイソレーション溝５００の位置する箇所での第１電源コード２１０の長さより大きくてもよい。アイソレーション溝５００のフレキシブル基板１０での正投影の長さは、第１電源コード２１０のフレキシブル基板１０での正投影の長さを含む。第１電源コード２１０の位置する領域において、アイソレーション溝５００において、第１電源コード２１０の表面が露出し、第１電源コード２１０以外の領域において、アイソレーション溝５００において、複合絶縁層の表面が露出する。複合絶縁層の表面が露出するアイソレーション溝５００については、アイソレーション溝５００は連続するものであってもよく、間隔を置いて設置されるものであってもよい。

今回のパターニングプロセスの後で、ボンディング領域２００は、フレキシブル基板１０に設置される複合絶縁層と、複合絶縁層に設置される第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０と、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０に設置される第１平坦層１５とを備え、第１平坦層１５にアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００が形成され、アイソレーション領域６００内に平坦ダムベース３０が形成される。本開示では、「長さ」とは表示領域の縁部方向に沿う特徴サイズを指し、「幅」とは表示領域を離れる方向に沿う特徴サイズを指す。

（４）図９に示されるように、上記パターンを形成したフレキシブル基板に透明導電薄膜を堆積し、パターニングプロセスにより透明導電薄膜をパターニングして、陽極２１のパターンを形成し、陽極２１は表示領域１００の第１平坦層１５に形成され、第２ビアＫ２によって第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極に接続される。

今回のパターニングプロセスの後で、ボンディング領域２００のフィルム層構造は変化しない。例示的な実施形態では、透明導電薄膜は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いてもよい。

（５）上記パターンを形成した基板に画素定義薄膜をコーティングし、マスク、露出、現像プロセスにより画素定義（ＰＤＬ）層２２、第１ダムベース３１及び第２ダムベース３２のパターンを形成し、画素定義層２２は表示領域１００及びボンディング領域２００の表示領域１００に近接する部分領域に形成され、表示領域１００の画素定義層２２に画素開口が開設され、画素開口内の画素定義層２２が現像されて、陽極２１の表面を露出させる。図１０に示されるように、第１ダムベース３１及び第２ダムベース３２はボンディング領域２００のアイソレーション領域６００に形成され、第１ダムベース３１はアイソレーション領域６００における第２電源コード２２０に形成され、第２ダムベース３２は平坦ダムベース３０に形成され、第１ダムベース３１と表示領域１００との距離は、第２ダムベース３２と表示領域１００との距離より小さい。本開示では、第１ダムベース３１は第１アイソレーションダムを形成することに用いられ、平坦ダムベース３０及び第２ダムベース３２は第２アイソレーションダムを形成することに用いられる。例示的な実施形態では、画素定義層はポリイミド、アクリル又はポリエチレンテレフタレート等を用いてもよい。

（６）図１１に示されるように、上記パターンを形成したフレキシブル基板に有機材料薄膜をコーティングし、マスク、露出、現像プロセスにより複数のスペーサコラム（ＰＳ）３３のパターンを形成し、複数のスペーサコラム３３はそれぞれボンディング領域２００の画素定義層２２、第１ダムベース３１及び第２ダムベース３２に形成される。例示的な実施形態では、フレキシブル基板１０に垂直する方向において、平坦ダムベース３０、第１ダムベース３１、第２ダムベース３２及びスペーサコラム３３の断面形状は台形であり、第１ダムベース３１とその上のスペーサコラム３３により第１支持ダム４１０が構成され、平坦ダムベース３０、第２ダムベース３２及びその上のスペーサコラム３３により第２支持ダム４２０が構成され、第１支持ダム４１０の上端面とフレキシブル基板１０との距離は、第２支持ダム４２０の上端面とフレキシブル基板１０との距離より小さく、第１支持ダム４１０と表示領域１００との距離は、第２支持ダム４２０と表示領域１００との距離より小さい。例示的な実施形態では、第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０のフレキシブル基板１０での正投影の幅は約２０μｍ～約６０μｍであり、第１支持ダム４１０と第２支持ダム４２０との距離は約２０μｍ～約６０μｍである。いくつかの実施例では、第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０のフレキシブル基板１０での正投影の幅は約４０μｍであり、第１支持ダム４１０と第２支持ダム４２０との距離は約４０μｍである。

（７）図１２に示されるように、上記パターンを形成したフレキシブル基板に有機発光層２３及び陰極２４を順次形成する。有機発光層２３は積層設置される正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を備え、表示領域１００の画素開口内に形成され、有機発光層２３と陽極２１との接続を実現し、陰極２４は画素定義層２２に形成され、有機発光層２３に接続され、画素定義層２２における複数のスペーサコラム３３を包む。今回のパターニングプロセスにおいて、アイソレーション溝５００において第１電源コード２１０が露出するため、陰極２４のボンディング領域２００での幅（陰極２４の縁部と表示領域の縁部との距離）Ｌ１をアイソレーション溝５００と表示領域１００との距離Ｌ２より小さくすることにより、アイソレーション溝５００における第１電源コード２１０が陰極２４にオーバーラップされることを回避する。いくつかの実施例では、陰極２４の縁部とアイソレーション溝５００との距離（Ｌ２－Ｌ１）は約５０μｍ～約１５０μｍとして設定されてもよく、オープンマスク（Ｏｐｅｎ Ｍａｓｋ、ＯＰＭと略称）を用いて、陰極の開口縁部とアイソレーション溝との距離を陰極のシャドウマスク（Ｓｈａｄｏｗ）の距離より大きく設定することにより実現されてもよい。例示的な実施形態では、陰極はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びリチウム（Ｌｉ）のうちのいずれか１つ又は複数を用いてもよく、又は上記金属のうちのいずれか１つ又は複数により製造された合金を用いる。

（８）図１３に示されるように、上記パターンを形成した上でパッケージ層を形成し、パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５、第２パッケージ層２６及び第３パッケージ層２７を備える。第１パッケージ層２５は無機材料を用い、表示領域１００において陰極２４を被覆し、ボンディング領域２００においてそれぞれ複数のスペーサコラム３３を包み、アイソレーション溝５００を被覆し、アイソレーション領域６００を被覆し、アイソレーション領域６００における第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０を包む。第２パッケージ層２６は有機材料を用い、表示領域１００及びボンディング領域２００のスペーサコラム３３の位置する領域に設置される。第３パッケージ層２７は無機材料を用い、第１パッケージ層２５及び第２パッケージ層２６を被覆する。本開示では、アイソレーション溝５００には第１電源コード２１０を露出させる表面が形成されるため、無機材料の第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７は直接に第１電源コード２１０を被覆し、有機材料の第１平坦層１５において無機材料の隔離構造を形成し、水蒸気の有機材料層に沿う伝送経路を阻止する。アイソレーション領域６００には第２電源コード２２０及び第４絶縁層１４を露出させる表面が形成されるため、無機材料の第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７は直接に第２電源コード２２０及び第４絶縁層１４を被覆し、外部の水蒸気が表示領域１００に入ることを不能にするように確保することができ、パッケージ効果及びプロセス品質を向上させる。

図１４は本開示のボンディング領域の縁部の構造模式図であって、図１３におけるＤ領域の拡大図である。図１４に示すように、ボンディング領域２００に第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムを形成するために、第１平坦層の形成プロセスにおいて、第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムの位置する領域及びその近傍の領域（アイソレーション領域６００）の第１平坦層を除去する。従って、第１平坦層の形成プロセスの後で、該領域の第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部が露出する。Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ多層複合構造を用いる第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０については、後続の陽極のエッチングプロセスにおいて、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部が陽極エッチング液で浸食される。エッチング液でＡｌをエッチングする速度はＴｉをエッチングする速度より大きいため、浸食された第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部に側面凹みが形成され、Ａｌ層の上方のＴｉ層はＡｌ層よりある高さ突起し、１つの「軒」構造が形成される。後続の化学気相堆積（ＣＶＤ）により第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７を形成するプロセスにおいて、該「軒」構造は気相堆積された粒子を遮って、側面凹み内にパッケージ材料を充填できないようにして、空洞５０１を形成する。そうすると、第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７にクラック５０２が生じる場合、外部の水蒸気はクラック５０２から空洞５０１に入ることができ、水蒸気が第１電源コード２１０の縁部及び第２電源コード２２０の縁部を流れることをもたらしてしまう。第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部の空洞５０１は、第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムの位置する領域及びその近傍の領域のみに存在するが、他の領域の第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部が第１平坦層で被覆され、このような空洞を形成することがない。しかしながら、有機材料の第１平坦層自体が水蒸気を伝導するため、水蒸気は表示領域に拡散するまで、空洞５０１からの放散から第１平坦層からの放散になることができ、水蒸気・酸素の浸食により表示領域にダークスポット不良が生じることをもたらしてしまう。

単層のソースドレイン金属層（１ＳＤ）構造の表示基板については、本開示は第１平坦層にアイソレーション溝を設置することにより、アイソレーションダムを通る電源コードの縁部に出現する水蒸気侵入経路を隔離する。水蒸気が電源コードの縁部に沿って第１平坦層まで流れた後、水蒸気は第１平坦層において表示領域へ伝導拡散する。第１平坦層にアイソレーション溝が設置されるため、水蒸気はアイソレーション溝により阻止され、水蒸気はアイソレーション溝を迂回しなければ表示領域に入ることができず、侵入経路が大幅に延長され、ＧＤＳが発生するリスクを低減し、表示基板に表示不良が生じることを回避し、表示品質を向上させる。本開示の製造プロセスは従来の成熟している製造装置を利用して実現されることができ、従来のプロセスに対する改良が比較的少なく、従来の製造プロセスと良く両立でき、プロセスを容易に実現でき、実施しやすく、生産効率が高く、生産コストが低く、歩留まりが高い。電源コードがアイソレーションダムを通る構造及びプロセス経路は比較的普通であり、電源コードの縁部に水蒸気侵入経路が出現する可能性は高いため、本開示の解決案は広い利用可能性を有する。

図３～図１４に示すように、本開示に係る表示基板は、
フレキシブル基板１０と、
フレキシブル基板１０に設置される第１絶縁層１１と、
第１絶縁層１１に設置される第１活性層と、
第１活性層を被覆する第２絶縁層１２と、
第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層（第１ゲート金属層は表示領域１００に設置され、第１ゲート金属層は少なくとも第１ゲート電極及び第１コンデンサ電極を備える）と、
第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、
第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層（第２ゲート金属層は表示領域１００に設置され、第２ゲート金属層は少なくとも第２コンデンサ電極を備える）と、
第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４（表示領域１００の第４絶縁層１４に第１ビアが開設され、第１ビアに第１活性層が露出する）と、
第４絶縁層１４に設置されるソースドレイン金属層（ソースドレイン金属層は少なくとも表示領域１００の第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、ボンディング領域２００の第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０とを備え、第１ソース電極及び第１ドレイン電極はそれぞれ第１ビアによって第１活性層に接続される）と、
上記構造を被覆する第１平坦層１５（表示領域１００において、第１平坦層１５には第１ドレイン電極を露出させる第２ビアＫ２が設置され、ボンディング領域２００において、第１平坦層１５にアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００が設置され、アイソレーション溝５００に第１電源コード２１０の表面が露出し、アイソレーション領域６００における第２電源コード２２０に平坦ダムベース３０が設置され、平坦ダムベース３０以外の位置に第２電源コード２２０及び第４絶縁層１４が露出する）と、
表示領域１００に形成される陽極２１（陽極２１は第２ビアによって第１ドレイン電極に接続される）と、
画素定義層２２、第１ダムベース３１及び第２ダムベース３２（画素定義層２２に画素開口が設置され、画素開口に陽極２１が露出し、第１ダムベース３１はアイソレーション領域６００における第２電源コード２２０に設置され、第２ダムベース３２は平坦ダムベース３０に設置される）と、
画素定義層２２、第１ダムベース３１及び第２ダムベース３２に設置される複数のスペーサコラム３３と、
陽極２１に接続される有機発光層２３と、
有機発光層２３に接続される陰極２４（ボンディング領域２００において陰極の縁部と表示領域１００との距離は、アイソレーション溝５００と表示領域１００との距離より小さい）と、
上記構造を被覆するパッケージ層と、を備える。

本開示の表示基板の構造及びその製造過程は例示的な説明に過ぎない。例示的な実施形態では、実際の必要に応じて対応の構造を変更し、及びパターニングプロセスを追加又は削除することができる。例えば、表示基板に平行する平面において、アイソレーション溝は円弧形又は折れ線形であってもよい。更に例えば、表示基板に垂直する平面において、アイソレーション溝の断面形状は矩形又は台形であってもよく、本開示はここで具体的に制限しない。

図１５は本開示の表示基板の他の構造模式図であって、図３におけるＢ－Ｂ方向の断面図である。図１５に示すように、表示基板は表示領域１００及びボンディング領域２００を備え、ボンディング領域２００は表示領域１００の片側に位置し、表示領域１００はフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置される駆動構造層と、駆動構造層に設置される発光素子と、発光素子を被覆する複合パッケージ層とを備える。ボンディング領域２００はフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置されるボンディング構造層と、ボンディング構造層に設置されるアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００とを備える。アイソレーション領域６００には第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０と、アイソレーション溝５００、第１アイソレーションダム４１０、第２アイソレーションダム４２０及びアイソレーション領域６００を被覆する無機パッケージ層とが設置される。例示的な実施形態では、表示領域１００及びボンディング領域２００のボンディング構造層の構造は上記実施例に説明される対応構造と類似し、ボンディング領域２００のボンディング構造層に第１平坦層１５が設置され、第１平坦層１５にアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００が設置され、アイソレーション溝５００は第２電源コード２２０の位置する領域に設置され、アイソレーション溝５００に第２電源コード２２０の表面が露出し、アイソレーション領域６００の第２電源コード２２０に第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０が設置され、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０以外の領域に第２電源コード２２０及び複合絶縁層の表面が露出する。無機パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７を備え、無機材料の第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７はアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００を被覆し、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を包む。いくつかの実施例では、アイソレーション溝５００の第１アイソレーションダム４１０に近接する側の縁部と第１アイソレーションダム４１０のアイソレーション溝５００に近接する側の縁部との距離は約４０μｍ～約６０μｍである。

図１６は本開示の表示基板の更なる構造模式図であって、図３におけるＢ－Ｂ方向の断面図である。図１６に示すように、表示基板は表示領域１００及びボンディング領域２００を備え、ボンディング領域２００は表示領域１００の片側に位置し、表示領域１００はフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置される駆動構造層と、駆動構造層に設置される発光素子と、発光素子を被覆する複合パッケージ層とを備える。ボンディング領域２００はフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置されるボンディング構造層と、ボンディング構造層に設置されるアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００とを備える。アイソレーション領域６００には第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０と、アイソレーション溝５００、第１アイソレーションダム４１０、第２アイソレーションダム４２０及びアイソレーション領域６００を被覆する無機パッケージ層とが設置される。例示的な実施形態では、表示領域１００及びボンディング領域２００のボンディング構造層の構造は上記実施例に説明される対応構造と類似し、ボンディング領域２００のボンディング構造層に第１平坦層１５が設置され、第１平坦層１５にアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００が設置され、アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０と第２電源コード２２０との間の領域に設置され、アイソレーション溝５００に第１電源コード２１０と第２電源コード２２０との間の領域の第４絶縁層１４の表面が露出し、アイソレーション領域６００の第２電源コード２２０に第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０が設置され、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０以外の領域に第２電源コード２２０及び複合絶縁層の表面が露出する。無機パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７を備え、無機材料の第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７はアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００を被覆し、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を包む。いくつかの実施例では、アイソレーション溝５００の第１アイソレーションダム４１０に近接する側の縁部と第１アイソレーションダム４１０のアイソレーション溝５００に近接する側の縁部との距離は約４０μｍ～約６０μｍである。

図１７は本開示の表示基板の更なる構造模式図であって、図３におけるＢ－Ｂ方向の断面図である。表示領域１００における発光素子及び複合パッケージ層、ボンディング領域２００におけるアイソレーション溝、アイソレーション領域、第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムの構造は上記実施例に説明される対応構造と類似する。上記実施例に説明される構造との相違点は、表示基板が更に第５絶縁層１６を備えることである。図１７に示すように、表示領域１００の駆動構造層は、フレキシブル基板１０に設置される第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に設置される活性層と、第１活性層を被覆する第２絶縁層１２と、第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層と、第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層と、第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置されるソースドレイン金属層と、ソースドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１６とを備える。第１平坦層１５は駆動構造層に設置され、発光素子は第１平坦層１５に設置され、発光素子の陽極２１は第５絶縁層１６と第１平坦層１５とを貫通するビアによって、第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極に接続される。ボンディング領域２００のボンディング構造層は、フレキシブル基板１０に積層設置される無機材料の第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３及び第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置される第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０と、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０に設置される第５絶縁層１６とを備える。第１平坦層１５はボンディング構造層に設置され、第１平坦層１５にアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００が設置される。アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０の位置する領域に設置され、アイソレーション溝５００に第５絶縁層１６の表面が露出する。アイソレーション領域６００において第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０が設置される。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０の位置する領域の第５絶縁層１６が除去されて、第２電源コード２２０の表面を露出させる。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は第２電源コード２２０に設置される。無機パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７を備える。無機材料の第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７は、アイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００を被覆し、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を包む。

例示的な実施形態では、第１電源コード２１０が第５絶縁層１６で被覆されるため、アイソレーション溝５００に第５絶縁層１６の表面が露出し、後続に形成された陰極が第１電源コード２１０にオーバーラップされる可能性がない。従って、アイソレーション溝５００と表示領域１００との距離Ｌ２は大幅に短縮されることができ、後続に形成された陰極の縁部とアイソレーション溝５００との距離は５０μｍより小さくてもよい。これは、アイソレーション溝５００の位置分布に役立ち、アイソレーション溝５００が表示領域１００に近接することができ、水蒸気侵入経路の距離を延長させ、水蒸気隔離効果を向上させるだけではなく、アイソレーション溝及び陰極の製造プロセスを簡素化し、生産効率を向上させることにも役立つ。例示的な実施形態では、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部が第５絶縁層１６で被覆されるため、後続の陽極のエッチングプロセスにおいて、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部がエッチング液で浸食されず、側面凹みを形成することがない。従って、第１電源コード２１０の縁部及び第２電源コード２２０の縁部に水蒸気流通経路を形成することを回避し、水蒸気侵入経路の数を減少させる。

いくつかの可能な実現方式では、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０の位置する領域の第５絶縁層１６が保持されることができ、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は第５絶縁層１６の表面に設置されてもよい。いくつかの可能な実現方式では、アイソレーション溝５００は第２電源コード２２０の位置する領域に設置されてもよく、又は、アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０と第２電源コード２２０との間の領域に設置されてもよく、本開示はここで具体的に制限しない。

図１８は本開示の表示基板の更なる構造模式図であって、図３におけるＢ－Ｂ方向の断面図であり、二層のソースドレイン金属層（２ＳＤ）構造の表示領域及びボンディング領域の断面構造を模式的に示す。表示基板に平行する平面方向において、表示基板は表示領域１００及びボンディング領域２００を備え、ボンディング領域２００は表示領域１００の片側に位置する。表示基板に垂直する平面方向において、表示領域１００はフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置される駆動構造層と、駆動構造層に設置される発光素子と、発光素子を被覆する複合パッケージ層とを備える。ボンディング領域２００はフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置されるボンディング構造層と、ボンディング構造層に設置されるアイソレーション溝５００と、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０が設置されるアイソレーション領域６００と、アイソレーション溝５００、第１アイソレーションダム４１０、第２アイソレーションダム４２０及びアイソレーション領域６００を被覆する無機パッケージ層とを備える。

例示的な実施形態では、表示領域１００の駆動構造層は画素駆動回路を形成する複数のトランジスタ及び蓄電コンデンサを備え、図１８には１つの第１トランジスタ１０１及び１つの第１蓄電コンデンサ１０２を例として模式的に示す。表示領域１００の駆動構造層は、フレキシブル基板１０に設置される第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に設置される活性層と、第１活性層を被覆する第２絶縁層１２と、第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層と、第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層と、第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置されるソースドレイン金属層と、ソースドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１６と、第５絶縁層１６に設置される第１平坦層１５と、第１平坦層１５に設置される金属導電層とを備える。活性層は少なくとも第１活性層を備え、第１ゲート金属層は少なくとも第１ゲート電極及び第１コンデンサ電極を備え、第２ゲート金属層は少なくとも第２コンデンサ電極を備え、ソースドレイン金属層は少なくとも第１ソース電極及び第１ドレイン電極を備え、金属導電層は少なくとも第１接続電極８０１を備え、第１接続電極８０１はビアによって第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極に接続され、第１活性層、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極により第１トランジスタ１０１が構成され、第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極により第１蓄電コンデンサ１０２が構成される。いくつかの実施例では、ソースドレイン金属層は第１ソースドレイン金属層（ＳＤ１）とも称され、金属導電層は第２ソースドレイン金属層（ＳＤ２）とも称される。表示領域１００の駆動構造層に第２平坦層１７が設置され、第２平坦層１７は金属導電層を被覆し、発光素子は第２平坦層１７に設置され、発光素子は陽極２１、画素定義層２２、有機発光層２３及び陰極２４を備え、陽極２１は第２平坦層１７に開設されたビアによって接続電極８０１に接続され、これにより、陽極２１と第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極との接続を実現する。複合パッケージ層は、積層設置される第１パッケージ層２５、第２パッケージ層２６及び第３パッケージ層２７を備え、有機材料の第２パッケージ層２６は無機材料の第１パッケージ層２５と第３パッケージ層２７との間に設置される。

ボンディング領域２００のボンディング構造層はフレキシブル基板１０に積層設置される無機材料の第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３、第４絶縁層１４及び第５絶縁層１６と、第５絶縁層１６に設置される有機材料の第１平坦層１５と、第１平坦層１５に設置される第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０とを備え、第２電源コード２２０の表示領域１００から離れる縁部は、第１平坦層１５の表示領域１００から離れる縁部を被覆する。第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０は表示領域１００の金属導電層と同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。ボンディング領域２００のボンディング構造層に第２平坦層１７が設置され、第２平坦層１７は本開示の有機絶縁層とされ、第２平坦層１７にアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００が設置される。アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０の位置する領域に設置され、アイソレーション溝５００に第１電源コード２１０の表面が露出する。アイソレーション領域６００は第２電源コード２２０の表示領域１００から離れる側に設置され、アイソレーション領域６００に第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０が設置される。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は第２電源コード２２０に設置される。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０の位置する箇所を除き、アイソレーション領域６００の他の位置に第２電源コード２２０及び第５絶縁層１６の表面が露出する。無機パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７を備え、無機材料の第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７は、アイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００を被覆し、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を包む。また、表示領域１００に近接する第２平坦層１７に画素定義層２２が設置され、画素定義層２２には間隔を置いて設置される複数のスペーサコラム３３が設置され、陰極２４は複数のスペーサコラム３３を包む。

例示的な実施形態では、アイソレーション溝５００は１つ又は複数であってもよい。アイソレーション溝５００の幅は約２０μｍ～約５０μｍであり、アイソレーション溝５００と表示領域の縁部１１０との距離は第１アイソレーションダム４１０と表示領域の縁部１１０との距離より小さく、アイソレーション溝５００と表示領域の縁部１１０との距離は陰極２４の縁部と表示領域の縁部１１０との距離より大きい。アイソレーション溝５００は第２電源コード２２０の位置する領域に設置されてもよく、アイソレーション溝５００に第２電源コード２２０の表面が露出する。又は、アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０と第２電源コード２２０との間の領域に設置されてもよく、アイソレーション溝５００における第１平坦層１５及び第２平坦層１７が除去されて、第１電源コード２１０と第２電源コード２２０との間の領域の第５絶縁層１６の表面を露出させる。

いくつかの可能な実現方式では、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０は第４絶縁層１４に形成されてもよく、表示領域１００のソースドレイン金属層と同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。第５絶縁層１６、第１平坦層１５及び第２平坦層１７を形成した後、アイソレーション溝５００における第１平坦層１５及び第２平坦層１７が除去されて、アイソレーション溝５００に第５絶縁層１６の表面を露出させる。第２電源コード２２０の位置する箇所で、一部の領域の第５絶縁層１６、第１平坦層１５及び第２平坦層１７を除去することにより、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を第２電源コード２２０に設置する。いくつかの可能な実現方式では、アイソレーション溝５００は第２電源コード２２０の位置する箇所に設置されてもよく、又は第１電源コード２１０と第２電源コード２２０との間の領域に設置され、本開示はここで具体的に制限しない。

二層のソースドレイン金属層（２ＳＤ）構造の表示基板については、本開示は第２平坦層にアイソレーション溝を設置することにより、第１電源コード２１０の縁部及び第２電源コード２２０の縁部に出現する水蒸気侵入経路を隔離する。水蒸気が第１電源コード２１０の縁部及び第２電源コード２２０の縁部に沿って第２平坦層まで流れた後、水蒸気は第２平坦層において表示領域へ伝導拡散する。第２平坦層にアイソレーション溝が設置されるため、水蒸気はアイソレーション溝により阻止され、水蒸気はアイソレーション溝を迂回しなければ表示領域に入ることができず、侵入経路が大幅に延長され、ＧＤＳが発生するリスクを低減し、表示基板に表示不良が生じることを回避し、表示品質を向上させる。

図１９は本開示の表示基板の更なる構造模式図であって、図３におけるＢ－Ｂ方向の断面図である。表示領域１００における構造、ボンディング領域２００におけるアイソレーション溝、アイソレーション領域、第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムの構造は図１８に示される実施例に説明される対応構造と類似し、図１８に示される実施例に説明される構造との相違点は、ボンディング領域２００のボンディング構造層が更に第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３を備えることである。図１９に示すように、ボンディング領域２００のボンディング構造層は、フレキシブル基板１０に積層設置される無機材料の第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３及び第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置される第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３と、第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３に設置される第５絶縁層１６と、第５絶縁層１６に設置される第１平坦層１５と、第１平坦層１５に設置される第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０とを備える。第１電源コード２１０は第１平坦層１５と第５絶縁層１６とを貫通するビアによって、第２接続電極８０２に接続される。第２電源コード２２０は第１平坦層１５と第５絶縁層１６とを貫通するビアによって、第３接続電極８０３に接続される。第２電源コード２２０の表示領域１００から離れる縁部は第１平坦層１５の表示領域１００から離れる縁部を被覆する。第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３は、表示領域１００のソースドレイン金属層と同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０は、表示領域１００の金属導電層と同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。

例示的な実施形態では、ボンディング領域２００において第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３を製造することにより、第１電源コード２１０と第２接続電極８０２とをビアにより接続し、第２電源コード２２０と第３接続電極８０３とをビアにより接続し、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の分布柔軟性を向上させ、ボンディング領域２００のフィルム層構造を最適化することに役立つ。

図２０は本開示の表示基板の更なる構造模式図であって、図３におけるＢ－Ｂ方向の断面図である。表示領域１００における構造、ボンディング領域２００におけるアイソレーション溝、アイソレーション領域、第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムの構造は図１９に示される実施例に説明される対応構造と類似し、図１９に示される実施例に説明される構造との相違点は、ボンディング領域２００のボンディング構造層に第５絶縁層が設置されていないことである。図２０に示すように、ボンディング領域２００のボンディング構造層は、フレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３及び第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置される第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３と、第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３に設置される第１平坦層１５と、第１平坦層１５に設置される第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０とを備える。第１電源コード２１０はビアによって第２接続電極８０２に接続され、第２電源コード２２０はビアによって第３接続電極８０３に接続される。例示的な実施形態では、第５絶縁層１６を形成しないため、製造プロセスの回数を減少させ、プロセスの複雑度を低減する。

図２１は本開示の表示基板の更なる構造模式図であって、図３におけるＢ－Ｂ方向の断面図である。表示領域１００における構造、ボンディング領域２００におけるアイソレーション溝、アイソレーション領域、第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムの構造は図２０に示される実施例に説明される対応構造と類似し、図２０に示される実施例に説明される構造との相違点は、ボンディング領域２００の第１平坦層１５が除去されることである。図２１に示すように、ボンディング領域２００のボンディング構造層は、フレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３及び第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置される第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３と、第２接続電極８０２に設置される第１電源コード２１０と、第３接続電極８０３に設置される第２電源コード２２０とを備える。例示的な実施形態では、ボンディング領域２００の第１平坦層１５が除去されるため、第１電源コード２１０を第２接続電極８０２に直接接続し、第２電源コード２２０を第３接続電極８０３に直接接続し、接触面積を増加させ、接続信頼性を向上させるだけではなく、第１平坦層１５の製造過程に発生したガスを減少させ、プロセス品質を向上させる。

いくつかの可能な実現方式では、ボンディング領域２００の一部の第１平坦層１５を除去してもよく、例えば第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の位置する箇所での第１平坦層１５のみを除去し、他の領域に第１平坦層１５を保持すれば、第１電源コード２１０を第２接続電極８０２に直接接続し、第２電源コード２２０を第３接続電極８０３に直接接続する。いくつかの可能な実現方式では、表示基板に第５絶縁層が設置される場合、ボンディング領域２００の第１平坦層及び第５絶縁層を一緒に除去してもよく、ボンディング領域２００の一部の第１平坦層及び第５絶縁層を除去してもよく、ボンディング領域２００の一部の第５絶縁層及びボンディング領域２００の全部の第１平坦層を除去してもよく、本開示はここで具体的に制限しない。

図２２は本開示の第１ファンアウト領域の他の構造模式図である。図２２に示すように、表示基板は表示領域１００、ボンディング領域２００及び縁部領域３００を備え、ボンディング領域２００は表示領域１００の片側に位置し、縁部領域３００は表示領域１００の他の側に位置する。ボンディング領域２００は、少なくとも第１ファンアウト領域と、第１ファンアウト領域に位置する第１アイソレーションダム４１０、第２アイソレーションダム４２０及びアイソレーション溝５００とを備える。縁部領域３００は、少なくとも第１アイソレーションダム４１０、第２アイソレーションダム４２０及び隙間７００を備える。ボンディング領域２００の第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０と縁部領域３００の第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は、同一層に設置され且つ同一パターニングプロセスにより同時に製造された一体構造であり、表示領域１００を取り囲む環状構造を形成する。例示的な実施形態では、ボンディング領域２００のアイソレーション溝５００と縁部領域３００の隙間７００は、同一パターニングプロセスにより同時に製造され、ボンディング領域２００と縁部領域３００との境界で互いに連通する。

図２３は本開示の二層のソースドレイン金属層（２ＳＤ）構造の表示領域及び縁部領域の断面構造模式図であって、図２２におけるＣ－Ｃ方向の断面図である。図２３に示すように、表示基板に垂直する平面において、表示領域１００は、フレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置される駆動構造層と、駆動構造層に設置される発光素子と、発光素子を被覆する複合パッケージ層とを備える。縁部領域３００は、フレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置される回路構造層と、回路構造層に設置される隙間７００、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０と、隙間７００を被覆する複合パッケージ層と、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を包む無機パッケージ層とを備える。

例示的な実施形態では、表示領域１００の駆動構造層は画素駆動回路を形成する複数のトランジスタ及び蓄電コンデンサを備え、図２３には１つの第１トランジスタ１０１及び１つの第１蓄電コンデンサ１０２を例として模式的に示す。表示領域１００の駆動構造層は、フレキシブル基板１０に設置される第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に設置される活性層と、活性層を被覆する第２絶縁層１２と、第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層と、第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層と、第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置されるソースドレイン金属層と、ソースドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１６及び第１平坦層１５と、第１平坦層１５に設置される金属導電層とを備える。活性層は少なくとも第１活性層を備える。第１ゲート金属層は少なくとも第１ゲート電極及び第１コンデンサ電極を備える。第２ゲート金属層は少なくとも第２コンデンサ電極を備える。ソースドレイン金属層は少なくとも第１ソース電極及び第１ドレイン電極を備える。金属導電層は少なくとも第１接続電極８０１を備え、第１接続電極８０１はビアによって第１ドレイン電極に接続される。第１活性層、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極により第１トランジスタ１０１が構成される。第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極により第１蓄電コンデンサ１０２が構成される。いくつかの実施例では、ソースドレイン金属層は第１ソースドレイン金属層（ＳＤ１）と称され、金属導電層は第２ソースドレイン金属層（ＳＤ２）と称される。表示領域１００の駆動構造層に第２平坦層１７が設置され、第２平坦層１７は金属導電層を被覆する。発光素子は第２平坦層１７に設置され、発光素子は陽極２１、画素定義層２２、有機発光層２３及び陰極２４を備える。陽極２１は第２平坦層１７に開設されたビアによって接続電極８０１に接続され、これにより、陽極２１と第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極との接続を実現する。複合パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５、第２パッケージ層２６及び第３パッケージ層２７を備える。有機材料の第２パッケージ層２６は無機材料の第１パッケージ層２５と第３パッケージ層２７との間に設置される。

例示的な実施形態では、縁部領域３００の回路構造層はＧＯＡ回路を形成する複数のトランジスタ及び蓄電コンデンサを備え、図２３には２つのトランジスタ及び２つの蓄電コンデンサを例として模式的に示す。縁部領域３００の回路構造層は、フレキシブル基板１０に設置される第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に設置される活性層と、活性層を被覆する第２絶縁層１２と、第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層と、第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層と、第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置されるソースドレイン金属層と、ソースドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１６及び第１平坦層１５と、第１平坦層１５に設置される金属導電層とを備える。活性層は少なくとも第２活性層及び第３活性層を備える。第１ゲート金属層は少なくとも第２ゲート電極、第３ゲート電極、第３コンデンサ電極及び第４コンデンサ電極を備える。第２ゲート金属層は少なくとも第５コンデンサ電極及び第６コンデンサ電極を備える。ソースドレイン金属層は少なくとも第２ソース電極、第２ドレイン電極、第３ソース電極、第３ドレイン電極及び第３接続電極８０３を備える。金属導電層は少なくとも第２電源コード２２０を備える。第２活性層、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレイン電極により第２トランジスタ１０３が構成される。第３活性層、第３ゲート電極、第３ソース電極及び第３ドレイン電極により第３トランジスタ１０４が構成される。第３コンデンサ電極と第５コンデンサ電極により第２蓄電コンデンサ１０５が構成される。第４コンデンサ電極と第６コンデンサ電極により第３蓄電コンデンサ１０６が構成される。いくつかの実施例では、第１トランジスタ１０１は駆動トランジスタであってもよく、第２トランジスタ１０３はＧＯＡにおける走査（ＳＣＡＮ）信号を出力する走査トランジスタであってもよく、第３トランジスタ１０４はＧＯＡにおけるイネーブル（ＥＭ）信号を出力するイネーブルトランジスタであってもよい。いくつかの実施例では、駆動トランジスタ、走査トランジスタ及びイネーブルトランジスタは薄膜トランジスタであってもよい。

縁部領域３００の回路構造層に第２平坦層１７が設置され、第２平坦層１７に隙間７００、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０が設置される。隙間７００は第２電源コード２２０と表示領域１００との間に設置される。隙間７００における第１平坦層１５及び第２平坦層１７が除去されて、第５絶縁層１６の表面を露出させる。第１アイソレーションダム４１０は第２電源コード２２０の位置する箇所に設置され、第２アイソレーションダム４２０は第１アイソレーションダム４１０の表示領域１００から離れる側に設置される。複合パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５、第２パッケージ層２６及び第３パッケージ層２７を備え、複合パッケージ層は隙間７００を被覆する。無機パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７を備え、無機パッケージ層は第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を包む。例示的な実施形態では、縁部領域３００の表示領域１００に近接する第２平坦層１７に複数のスペーサコラム３３が設置される。

例示的な実施形態では、表示領域１００の駆動構造層、ボンディング領域２００のボンディング構造層と縁部領域３００の回路構造層は、同一プロセスにより同時に形成される。駆動構造層における第１活性層と回路構造層における第２活性層及び第３活性層とは、同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。駆動構造層における第１ゲート電極及び第１コンデンサ電極と回路構造層における第２ゲート電極、第３ゲート電極、第３コンデンサ電極及び第４コンデンサ電極とは、同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。駆動構造層における第２コンデンサ電極と回路構造層における第５コンデンサ電極及び第６コンデンサ電極は同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。駆動構造層における第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、ボンディング構造層における第２接続電極及び第３接続電極と、回路構造層における第２ソース電極、第２ドレイン電極、第３ソース電極、第３ドレイン電極及び第３接続電極とは、同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。駆動構造層における第１接続電極と、ボンディング構造層における第１電源コード及び第２電源コードと、回路構造層における第２電源コードとは、同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。

縁部領域３００における第２平坦層１７及び第２平坦層１７に設置される隙間７００とボンディング領域２００における第２平坦層１７及び第２平坦層１７に設置されるアイソレーション溝５００とは、同一プロセスにより形成される。縁部領域３００における第１アイソレーションダム、第２アイソレーションダム、第１パッケージ層及び第３パッケージ層とボンディング領域２００における第１アイソレーションダム、第２アイソレーションダム、第１パッケージ層及び第３パッケージ層とは、同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。そうすると、第２平坦層１７の形成プロセスにおいて、ボンディング領域２００のアイソレーション溝５００と縁部領域３００の隙間７００とは同時に形成され、それらはボンディング領域２００と縁部領域３００との境界で連通して一体構造に形成される。連通するアイソレーション溝５００及び隙間７００は水蒸気分離範囲を広げ、水蒸気侵入経路を延長させ、ＧＤＳが発生するリスクを低減し、表示基板に表示不良が生じることを回避し、表示品質を向上させる。

図１９及び図２３を参照して、表示基板の製造過程は以下を含む。

（１１）ガラス基板１においてフレキシブル基板１０を製造する。

（１２）表示領域１００、ボンディング領域２００及び縁部領域３００にそれぞれ駆動構造層、ボンディング構造層及び回路構造層のパターンを形成する。表示領域１００の駆動構造層は第１トランジスタ１０１、第１コンデンサ電極１０２及び第１接続電極８０１を備える。ボンディング領域２００のボンディング構造層は第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３を備える。縁部領域３００の回路構造層は第２トランジスタ１０３、第３トランジスタ１０４、第２蓄電コンデンサ１０５、第３蓄電コンデンサ１０６及び第３接続電極８０３を備える。例示的な実施形態では、駆動構造層、ボンディング構造層及び回路構造層の製造過程は以下を含んでもよい。

フレキシブル基板１０には第１絶縁層１１及び第１絶縁層１１に設置される活性層のパターンを形成し、活性層は少なくとも第１活性層、第２活性層及び第３活性層を備える。

活性層パターンを被覆する第２絶縁層１２と、第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層のパターンを形成し、第１ゲート金属層は少なくとも第１ゲート電極、第２ゲート電極、第３ゲート電極、第１コンデンサ電極、第３コンデンサ電極及び第４コンデンサ電極を備える。

第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層のパターンを形成し、第２ゲート金属層のパターンは少なくとも第２コンデンサ電極、第５コンデンサ電極及び第６コンデンサ電極を備える。

第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４のパターンを形成し、第４絶縁層１４に複数の第１ビアが開設される。第４絶縁層１４にソースドレイン金属層のパターンを形成し、ソースドレイン金属層は少なくとも第１ソース電極、第１ドレイン電極、第２ソース電極、第２ドレイン電極、第３ソース電極、第３ドレイン電極、第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３を備え、第１ソース電極及び第１ドレイン電極はそれぞれ第１ビアによって第１活性層に接続され、第２ソース電極及び第２ドレイン電極はそれぞれ第１ビアによって第２活性層に接続され、第３ソース電極及び第３ドレイン電極はそれぞれ第１ビアによって第３活性層に接続される。

ソースドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１６及び第１平坦層１５のパターンを形成し、第１平坦層１５に複数の第２ビアを形成し、表示領域１００の第２ビアに第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極の表面が露出し、ボンディング領域２００の第２ビアに第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３の表面がそれぞれ露出し、縁部領域の第２ビアに第３接続電極８０３の表面が露出する。

第１平坦層１５に金属導電層のパターンを形成する。金属導電層は少なくとも第１接続電極８０１、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０を備える。表示領域１００の第１接続電極８０１は第２ビアによって第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極に接続される。ボンディング領域２００の第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０はそれぞれ第２ビアによって第２接続電極８０２及び第３接続電極８０３に接続される。縁部領域の第２電源コード２２０は第２ビアによって第３接続電極８０３に接続され、第２電源コード２２０の表示領域１００から離れる縁部は第１平坦層１５の表示領域１００から離れる縁部を被覆する。

（１３）第２平坦層１７のパターンを形成し、表示領域１００の第２平坦層１７に第３ビアが開設され、第３ビアに第１接続電極８０１の表面が露出する。ボンディング領域２００の第２平坦層１７にアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００が設置され、アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０の位置する領域に設置され、アイソレーション溝５００に第１電源コード２１０の表面が露出し、アイソレーション領域６００は第２電源コード２２０の表示領域１００から離れる側に設置され、アイソレーション領域６００における第２電源コード２２０に平坦ダムベースが設置される。平坦ダムベースを除き、アイソレーション領域６００の他の位置での第２平坦層１７が現像されて、第２電源コード２２０の表面及び第５絶縁層１６の表面を露出させる。縁部領域３００の第２平坦層１７に第４ビア及び隙間７００が開設され、第４ビア内に平坦ダムベースが設置される。平坦ダムベースを除き、第４ビアにおける第２平坦層１７が現像されて、第２電源コード２２０の表面を露出させる。隙間７００は第２電源コード２２０と表示領域１００との間に設置され、隙間７００における第１平坦層１５及び第２平坦層１７が現像されて、第５絶縁層１６の表面を露出させる。隙間７００の位置する領域において、第２平坦層１７の開口のフレキシブル基板１０での正投影は第１平坦層１５の開口を含み、即ち第２平坦層１７の開口幅は第１平坦層１５の開口幅より大きい。第１平坦層１５の開口に第５絶縁層１６が露出し、第２平坦層１７の開口に第１平坦層１５の開口が露出し、隙間７００の側壁に階段状を形成し、これにより後続に形成された陰極も階段状を有する。これにより、陰極と第４接続電極との確実な接続を確保する。

（１４）上記パターンを形成した基板に陽極２１及び第４接続電極８０４のパターンを形成する。陽極２１は表示領域１００の第２平坦層１７に形成され、第３ビアによって第１接続電極８０１に接続される。第４接続電極８０４は縁部領域３００の第２平坦層１７に形成される。第４接続電極８０４の一部は第４ビアによって第２電源コード２２０に接続され、残りは隙間７００内に設置される。第４ビアと隙間７００との間の第４接続電極８０４に複数のビアが開設される。隙間７００の側壁が階段状であるため、隙間７００に設置される第４接続電極８０４も階段状である。

（１５）上記パターンを形成した基板に画素定義層２２、第１ダムベース及び第２ダムベースのパターンを形成し、表示領域１００の画素定義層２２に画素開口が開設され、画素開口に陽極２１の表面が露出する。第１ダムベース及び第２ダムベースはボンディング領域２００及び縁部領域３００に形成され、ボンディング領域２００の第１ダムベースは第２電源コード２２０に形成され、第２ダムベースは平坦ダムベースに形成される。縁部領域３００の第１ダムベースは第４ビア内に設置され、第２ダムベースは第１ダムベースの表示領域１００から離れる側の第２平坦層１７に設置される。

（１６）ボンディング領域２００及び縁部領域３００に複数のスペーサコラム３３のパターンを形成し、複数のスペーサコラム３３はそれぞれ画素定義層２２、第１ダムベース、第２ダムベース及び隙間７００の両側の位置に設置される。ボンディング領域２００及び縁部領域３００に第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０を同時に形成する。ボンディング領域２００及び縁部領域３００の第１支持ダム４１０は一体構造であり、ボンディング領域２００及び縁部領域３００の第２支持ダム４２０は一体構造である。

（１７）上記パターンを形成した基板に有機発光層２３及び陰極２４を順次形成する。有機発光層２３は画素開口内に形成される。陽極２１は第１接続電極８０１に接続され、第１接続電極８０１は第１トランジスタ１０１のドレイン電極に接続されるため、有機発光層２３の発光制御を実現する。陰極２４の一部は表示領域１００の有機発光層２３に形成され、残りはボンディング領域２００及び縁部領域３００に形成される。ボンディング領域２００の陰極２４は画素定義層２２における複数のスペーサコラム３３を包み、縁部領域３００の陰極２４は隙間７００及び第４ビアによって第４接続電極８０４に接続される。第４接続電極８０４は第２電源コード２２０に接続されるため、陰極２４と第２電源コード２２０との接続が実現される。隙間７００の位置での第４接続電極８０４は階段状であるため、形成された陰極２４も階段状を有し、異なる階段で第４接続電極８０４に接触し、陰極と第４接続電極８０４との確実な接続を確保する。

（１８）上記パターンを形成した上でパッケージ層を形成する。パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５、第２パッケージ層２６及び第３パッケージ層２７を備える。第１パッケージ層２５は無機材料を用い、表示領域１００において陰極２４を被覆し、ボンディング領域２００においてそれぞれ複数のスペーサコラム３３を包み、アイソレーション溝５００を被覆し、アイソレーション領域６００を被覆し、第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０を包み、縁部領域３００において複数のスペーサコラム３３を包み、隙間７００を被覆し、第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０を包む。第２パッケージ層２６は有機材料を用い、表示領域１００、ボンディング領域２００のスペーサコラム３３の位置する領域及び縁部領域３００のスペーサコラム３３の位置する領域に設置される。第３パッケージ層２７は無機材料を用い、第１パッケージ層２５及び第２パッケージ層２６を被覆する。

図２４は本開示の単層のソースドレイン金属層（１ＳＤ）構造の表示領域及び縁部領域の断面構造模式図であって、図２２におけるＣ－Ｃ方向の断面図である。図２４に示すように、表示基板に垂直する平面において、表示領域１００は、フレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置される駆動構造層と、駆動構造層に設置される発光素子と、発光素子を被覆する複合パッケージ層とを備える。縁部領域３００は、フレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設置される回路構造層と、回路構造層に設置される隙間７００、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０と、隙間７００を被覆する複合パッケージ層と、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を包む無機パッケージ層とを備える。

例示的な実施形態では、表示領域１００の駆動構造層は画素駆動回路を形成する複数のトランジスタ及び蓄電コンデンサを備える。縁部領域３００の回路構造層はＧＯＡ回路を形成する複数のトランジスタ及び蓄電コンデンサを備える。図２４には３つのトランジスタ及び３つの蓄電コンデンサを例として模式的に示す。駆動構造層及び回路構造層は、フレキシブル基板１０に設置される第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に設置される活性層と、活性層を被覆する第２絶縁層１２と、第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層と、第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層と、第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４と、第４絶縁層１４に設置されるソースドレイン金属層と、ソースドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１６とを備える。活性層は少なくとも第１活性層、第２活性層及び第３活性層を備える。第１ゲート金属層は少なくとも第１ゲート電極、第２ゲート電極、第３ゲート電極、第１コンデンサ電極、第３コンデンサ電極及び第４コンデンサ電極を備える。第２ゲート金属層は少なくとも第２コンデンサ電極、第５コンデンサ電極及び第６コンデンサ電極を備える。ソースドレイン金属層は少なくとも第１ソース電極、第１ドレイン電極、第２ソース電極、第２ドレイン電極、第３ソース電極、第３ドレイン電極及び第２電源コード２２０を備える。第１活性層、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極により第１トランジスタ１０１が構成される。第２活性層、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレイン電極により第２トランジスタ１０３が構成される。第３活性層、第３ゲート電極、第３ソース電極及び第３ドレイン電極により第３トランジスタ１０４が構成される。第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極により第１蓄電コンデンサ１０２が構成される。第３コンデンサ電極と第５コンデンサ電極により第２蓄電コンデンサ１０５が構成される。第４コンデンサ電極と第６コンデンサ電極により第３蓄電コンデンサ１０６が構成される。

駆動構造層及び回路構造層に第１平坦層１５が設置され、表示領域１００の発光素子は第１平坦層１５に設置される。発光素子は陽極２１、画素定義層２２、有機発光層２３及び陰極２４を備える。陽極２１は第１平坦層１５に開設されたビアによって第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極に接続される。縁部領域３００の第１平坦層１５に隙間７００、スペーサコラム３３、第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０が設置される。隙間７００は第２電源コード２２０と表示領域１００との間に設置される。隙間７００における第１平坦層１５が除去されて、第５絶縁層１６の表面を露出させる。複数のスペーサコラム３３は縁部領域３００の表示領域１００に近接する第１平坦層１５に位置する。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２は第２電源コード２２０の位置する箇所に設置され、第２アイソレーションダム４２０は第１アイソレーションダム４１０の表示領域１００から離れる側に設置される。複合パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５、第２パッケージ層２６及び第３パッケージ層２７を備え、複合パッケージ層は表示領域１００及び縁部領域３００の隙間７００と、複数のスペーサコラム３３とを被覆する。無機パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５及び第３パッケージ層２７を備え、無機パッケージ層は第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０を包む。

例示的な実施形態では、表示領域１００の駆動構造層、ボンディング領域２００のボンディング構造層及び縁部領域３００の回路構造層は同一プロセスにより同時に形成される。縁部領域３００における第１平坦層１５及び第１平坦層１５に設置される隙間７００とボンディング領域２００における第１平坦層１５及び第１平坦層１５に設置されるアイソレーション溝５００とは、同一プロセスにより形成される。縁部領域３００における第１アイソレーションダム、第２アイソレーションダム、第１パッケージ層及び第３パッケージ層とボンディング領域２００における第１アイソレーションダム、第２アイソレーションダム、第１パッケージ層及び第３パッケージ層とは、同一層に設置され、且つ同一パターニングプロセスにより形成される。そうすると、第１平坦層１５の形成プロセスにおいて、ボンディング領域２００のアイソレーション溝５００と縁部領域３００の隙間７００とは同時に形成され、それらはボンディング領域２００と縁部領域３００との境界で連通して一体構造に形成される。連通するアイソレーション溝５００及び隙間７００は水蒸気分離範囲を広げ、水蒸気侵入経路を延長させ、ＧＤＳが発生するリスクを低減し、表示基板に表示不良が生じることを回避し、表示品質を向上させる。

図１７及び図２４を参照して、表示基板の製造過程は以下を含む。

（２１）ガラス基板１においてフレキシブル基板１０を製造する。

（２２）表示領域１００、ボンディング領域２００及び縁部領域３００にそれぞれ駆動構造層、ボンディング構造層及び回路構造層のパターンを形成する。例示的な実施形態では、駆動構造層、ボンディング構造層及び回路構造層の製造過程は以下を含んでもよい。

フレキシブル基板１０には第１絶縁層１１及び第１絶縁層１１に設置される活性層のパターンを形成し、活性層は少なくとも第１活性層、第２活性層及び第３活性層を備える。

活性層のパターンを被覆する第２絶縁層１２と、第２絶縁層１２に設置される第１ゲート金属層のパターンを形成し、第１ゲート金属層は少なくとも第１ゲート電極、第２ゲート電極、第３ゲート電極、第１コンデンサ電極、第３コンデンサ電極及び第４コンデンサ電極を備える。

第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３に設置される第２ゲート金属層のパターンを形成し、第２ゲート金属層パターンは少なくとも第２コンデンサ電極、第５コンデンサ電極及び第６コンデンサ電極を備える。

第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１４のパターンを形成し、第４絶縁層１４に複数の第１ビアが開設される。第４絶縁層１４にソースドレイン金属層のパターンを形成し、ソースドレイン金属層は少なくとも第１ソース電極、第１ドレイン電極、第２ソース電極、第２ドレイン電極、第３ソース電極、第３ドレイン電極及び第２電源コード２２０を備える。第１ソース電極及び第１ドレイン電極はそれぞれ第１ビアによって第１活性層に接続され、第２ソース電極及び第２ドレイン電極はそれぞれ第１ビアによって第２活性層に接続され、第３ソース電極及び第３ドレイン電極はそれぞれ第１ビアによって第３活性層に接続される。

ソースドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１６を形成する。

（２３）第１平坦層１５のパターンを形成し、表示領域１００の第１平坦層１５にビアが開設し、ビアに第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極が露出する。ボンディング領域２００の第１平坦層１５にアイソレーション溝５００及びアイソレーション領域６００が形成される。アイソレーション溝５００は第１電源コード２１０の位置する領域に設置され、アイソレーション溝５００に第１電源コード２１０の表面が露出する。アイソレーション領域６００は第２電源コード２２０の表示領域１００から離れる側に設置され、アイソレーション領域６００における第２電源コード２２０に平坦ダムベースが設置される。縁部領域３００の第１平坦層１５に第４ビア及び隙間７００が開設され、第４ビアに第２電源コード２２０の表面が露出し、隙間７００は第２電源コード２２０と表示領域１００との間に設置され、隙間７００に第５絶縁層１６の表面が露出し、平坦ダムベースは第４ビアの表示領域１００から離れる側に設置される。

（２４）上記パターンを形成した基板に陽極２１及び第４接続電極８０４のパターンを形成する。陽極２１は表示領域１００の第１平坦層１５に形成され、ビアによって第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極に接続される。第４接続電極８０４は縁部領域３００の第１平坦層１５に形成され、第４接続電極８０４の一部は第４ビアによって第２電源コード２２０に接続され、残りは隙間７００内に設置され、第４ビアと隙間７００との間の第４接続電極８０４に複数のビアが開設される。

（２５）上記パターンを形成した基板に画素定義層２２、第１ダムベース及び第２ダムベースのパターンを形成し、表示領域１００の画素定義層２２に画素開口が開設され、画素開口に陽極２１の表面が露出する。第１ダムベース及び第２ダムベースはボンディング領域２００及び縁部領域３００に形成され、ボンディング領域２００の第１ダムベースは第２電源コード２２０に形成され、第２ダムベースは平坦ダムベースに形成され、縁部領域３００の第１ダムベースは第４ビア内に設置され、第２ダムベースは平坦ダムベースに設置される。

（２６）ボンディング領域２００及び縁部領域３００に複数のスペーサコラム３３のパターンを形成し、複数のスペーサコラム３３はそれぞれ画素定義層２２、第１ダムベース、第２ダムベース及び隙間７００の両側の位置に設置される。ボンディング領域２００及び縁部領域３００に第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０を同時に形成する。ボンディング領域２００及び縁部領域３００の第１支持ダム４１０は一体構造であり、ボンディング領域２００及び縁部領域３００の第２支持ダム４２０は一体構造である。

（２７）上記パターンを形成した基板に有機発光層２３及び陰極２４を順次形成する。有機発光層２３は画素開口内に形成され、陰極２４の一部は表示領域１００の有機発光層２３に形成され、残りはボンディング領域２００及び縁部領域３００に形成される。ボンディング領域２００の陰極２４は画素定義層２２における複数のスペーサコラム３３を包み、縁部領域３００の陰極２４は隙間７００及び第４ビアによって第４接続電極８０４に接続される。第４接続電極８０４は第２電源コード２２０に接続されるため、陰極２４と第２電源コード２２０との接続が実現される。

（２８）上記パターンを形成した上でパッケージ層を形成し、パッケージ層は積層設置される第１パッケージ層２５、第２パッケージ層２６及び第３パッケージ層２７を備える。第１パッケージ層２５は無機材料を用い、表示領域１００に陰極２４を被覆し、ボンディング領域２００にそれぞれ複数のスペーサコラム３３を包み、アイソレーション溝５００を被覆し、アイソレーション領域６００を被覆し、第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０を包み、縁部領域３００に複数のスペーサコラム３３を包み、隙間７００を被覆し、第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０を包む。第２パッケージ層２６は有機材料を用い、表示領域１００、ボンディング領域２００のスペーサコラム３３の位置する領域及び縁部領域３００のスペーサコラム３３の位置する領域に設置される。第３パッケージ層２７は無機材料を用い、第１パッケージ層２５及び第２パッケージ層２６を被覆する。

図２３及び図２４に示される縁部領域の構造は例示的な説明に過ぎない。例示的な実施形態では、実際の必要に応じて第２電源コード２２０、第１支持ダム４１０及び第２支持ダム４２０等の縁部構造を変更することができる。例えば、駆動構造層、ボンディング構造層及び回路構造層に第５絶縁層１６を設置しなくてもよい。更に例えば、第２電源コード２２０は表示領域１００を離れる側へ延在してもよい。更に例えば、複数の隙間７００を設置してもよく、本開示はここで具体的に制限しない。

図２５及び図２６は本開示の第１ファンアウト領域の他の構造模式図であり、図２６は図２５におけるＥ領域の拡大図である。図２５に示すように、表示基板に平行する平面内に、ボンディング領域２００は表示領域１００の片側に位置し、ボンディング領域２００の第１ファンアウト領域は表示領域の縁部１１０に近接する。第１ファンアウト領域は第１電源コード２１０、第２電源コード２２０、第１アイソレーションダム４１０、第２アイソレーションダム４２０及び少なくとも１つのアイソレーション溝５００を備える。第１電源コード２１０は表示領域１００の高電圧電源コードＶＤＤに接続され、第２電源コード２２０は縁部領域３００の低電圧電源コードＶＳＳに接続される。第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０は表示領域の縁部１１０に平行する方向に沿って延在し、少なくとも１つのアイソレーション溝５００は表示領域の縁部１１０に平行する方向に沿って延在し、アイソレーション溝５００と表示領域の縁部１１０との距離は第１アイソレーションダム４１０と表示領域の縁部１１０との距離より小さい。第１電源コード２１０は、表示領域の縁部１１０に平行する方向に沿って延在する第１棒状ブロック２１０１と、表示領域１００を離れる方向に沿って延在する第２棒状ブロック２１０２とを備える。第２棒状ブロック２１０２の表示領域１００に近接する端は、第１棒状ブロック２１０１に接続されてＴ型構造を形成する。第２電源コード２２０は、表示領域の縁部１１０に平行する方向に沿って延在する第３棒状ブロック２２０１と、表示領域１００を離れる方向に沿って延在する第４棒状ブロック２２０２とを備える。第４棒状ブロック２２０２の表示領域１００に近接する端は、第３棒状ブロック２２０１に接続されてコーナー構造を形成する。例示的な実施形態では、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部に波状構造２３０が設置される。表示領域１００を離れる方向に沿って、波状構造２３０は第１電源コード２１０における第２棒状ブロック２１０２の両側の縁部に設置されてもよく、第２電源コード２２０の両側の縁部に設置されてもよい。いくつかの実施例では、波状構造２３０はアイソレーション溝５００の表示領域１００から離れる側の第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部に設置されてもよく、又は、波状構造２３０は第１アイソレーションダム４１０の表示領域１００から離れる側の第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部に設置されてもよく、又は、波状構造２３０は第２アイソレーションダム４２０の表示領域１００から離れる側の第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部に設置されてもよく、又は、波状構造２３０は第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０と第１アイソレーションダム４１０及び第２アイソレーションダム４２０との重複領域の第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部に設置されてもよい。

図２６に示すように、波状構造２３０は間隔を置いて設置される複数の突起と、複数の突起の間の凹みとを備え、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の波状縁部を形成する。第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部に出現する水蒸気伝送経路については、第１電源コード２１０及び第２電源コード２２０の縁部を波状に設置することにより、水蒸気伝送経路の長さを増加させ、水蒸気の拡散を遅延して緩和することができる。例示的な実施形態では、波状構造２３０における外側最高点と内側最低点との間の突起高さＴ１は約３０μｍ～約６０μｍであり、隣接する突起の間の距離Ｔ２は約２０μｍ～約５０μｍである。

図２５及び図２６に示される波状構造は例示的な説明に過ぎない。例示的な実施形態では、実際の必要に応じて波状構造２３０の設置位置及び形状を変更することができる。例えば、表示領域１００を離れる方向に沿って、波状構造２３０は第１アイソレーションダム４１０と第２アイソレーションダム４２０との間の領域の電源コードの両側の縁部のみに設置されてもよい。更に例えば、表示領域１００を離れる方向に沿って、波状構造２３０は第２アイソレーションダム４２０の表示領域１００から離れる側の領域の電源コードの両側の縁部のみに設置されてもよい。更に例えば、波状構造２３０は、第２電源コード２２０の第２棒状ブロック２１０２に向かう側の縁部、及び第２棒状ブロック２１０２の第２電源コード２２０に向かう側の縁部のみに設置されてもよい。更に例えば、波状構造２３０は、第２電源コード２２０の第２棒状ブロック２１０２から離れる側の縁部、及び第２棒状ブロック２１０２の第２電源コード２２０から離れる側の縁部のみに設置されてもよい。更に例えば、波状構造における突起及び凹みは、複数の円弧線により構成されてもよく、複数の直線により構成されてもよく、複数の円弧線と複数の直線により構成されてもよく、本開示はここで具体的に制限しない。

本開示は更に表示基板の製造方法を提供し、表示基板は表示領域と、表示領域の片側に位置するボンディング領域とを備え、前記製造方法は、
前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ駆動構造層及びボンディング構造層を形成し、前記駆動構造層が画素駆動回路を備え、前記ボンディング構造層が前記画素駆動回路に接続される電源コードを備えるステップＳ１と、
前記駆動構造層及びボンディング構造層に有機絶縁層を形成し、前記ボンディング構造層での有機絶縁層に少なくとも１つのアイソレーション溝が形成されるステップＳ２と、
前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ発光素子及びアイソレーションダムを形成し、前記発光素子が前記画素駆動回路に接続され、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離が前記アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さいステップＳ３と、
前記ボンディング領域に無機パッケージ層を形成し、前記無機パッケージ層が前記アイソレーション溝を被覆し、前記アイソレーションダムを包むステップＳ４と、を含む。

例示的な実施形態では、前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ発光素子及びアイソレーションダムを形成することは、前記表示領域に発光素子を形成し、前記発光素子が前記画素駆動回路に接続されることと、前記ボンディング領域に第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムを形成し、前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離が前記第２アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さく、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離が前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さいことと、を含む。

例示的な実施形態では、前記表示領域に発光素子を形成することは、前記有機絶縁層に陽極、画素定義層、有機発光層及び陰極を順次形成し、前記陽極が前記画素駆動回路に接続され、前記画素定義層及び陰極が前記ボンディング領域まで延在することと、前記表示領域を離れる方向に沿って、前記ボンディング領域において陰極の幅が前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離より小さいことと、を含む。

例示的な実施形態では、前記電源コードは第１電源コード及び第２電源コードを含み、前記アイソレーション溝は前記第１電源コードに設置され、又は前記第２電源コードに設置され、又は前記第１電源コードと第２電源コードとの間に設置される。前記表示領域を離れる方向に沿って、前記アイソレーション溝の幅は約２０μｍ～約７０μｍである。

例示的な実施形態では、前記表示基板は更に縁部領域を備える。前記製造方法は、前記縁部領域に回路構造層を形成し、前記回路構造層に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層に少なくとも１つの隙間が形成され、前記ボンディング領域のアイソレーション溝と縁部領域の隙間とが連通し、且つ同一プロセスにより形成されることを更に含む。

例示的な実施形態では、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備える。又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層とを備える。又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備える。又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層とを備える。又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第２接続電極及び第３接続電極と、前記第２接続電極及び第３接続電極を被覆する第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備える。前記第１電源コードはビアによって第２接続電極に接続され、前記第２電源コードはビアによって第３接続電極に接続される。前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層は第１平坦層又は第２平坦層を備える。前記複合絶縁層は基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を備える。

例示的な実施形態では、前記電源コードの縁部に波状構造が設置される。前記波状構造は前記アイソレーション溝の前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記アイソレーションダムの前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記電源コードとアイソレーションダムとの重複領域の電源コードの縁部に設置される。前記波状構造は間隔を置いて設置される複数の突起を備え、前記突起の突起高さは約３０μｍ～約６０μｍである。

本開示は上記実施例の表示基板を備える表示装置を更に提供する。表示装置は携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、カーナビゲーション等のいかなる表示機能を持つ製品又は部材であってもよい。

本願の図面は本開示に関わる構造のみに関し、他の構造については通常の設計を参照してもよい。衝突しない限り、本開示の実施例即ち実施例の特徴は互いに組み合わせられることにより新しい実施例を取得することができる。

当業者であれば理解するように、本開示の技術案の趣旨及び範囲を逸脱せずに、本開示の技術案に対して修正や等価置換を行うことができ、これらの修正や等価置換はいずれも本願の特許請求の範囲に含まれるべきである。

１ ガラス基板
１０ フレキシブル基板
１１ 第１絶縁層
１２ 第２絶縁層
１３ 第３絶縁層
１４ 第４絶縁層
１５ 第１平坦層
１６ 第５絶縁層
１７ 第２平坦層
２１ 陽極
２２ 画素定義層
２３ 有機発光層
２４ 陰極
２５ 第１パッケージ層
２６ 第２パッケージ層
２７ 第３パッケージ層
３０ 平坦ダムベース
３１ 第１ダムベース
３２ 第２ダムベース
３３ スペーサコラム
１００ 表示領域
１０１ 第１トランジスタ
１０２ 第１蓄電コンデンサ
１０３ 第２トランジスタ
１０４ 第３トランジスタ
１０５ 第２蓄電コンデンサ
１０６ 第３蓄電コンデンサ
１１０ 表示領域の縁部
２００ ボンディング領域
２０１ 第１ファンアウト領域
２０２ 曲げ領域
２０３ 第２ファンアウト領域
２０４ 帯電防止領域
２０５ 駆動チップ領域
２０６ ボンディング電極領域
２１０ 第１電源コード
２２０ 第２電源コード
２３０ 波状構造
３００ 縁部領域
４１０ 第１アイソレーションダム
４２０ 第２アイソレーションダム
５００ アイソレーション溝
６００ アイソレーション領域
７００ 隙間
８０１ 第１接続電極
８０２ 第２接続電極
８０３ 第３接続電極
８０４ 第４接続電極
２１０１ 第１棒状ブロック
２１０２ 第２棒状ブロック
２２０１ 第３棒状ブロック
２２０２ 第４棒状ブロック

Claims (20)

1. 表示基板であって、
   表示領域と、表示領域の片側に位置するボンディング領域とを備え、前記表示領域は駆動構造層と、前記駆動構造層に設置される有機絶縁層と、前記有機絶縁層に設置される発光素子とを備え、前記駆動構造層は画素駆動回路を備え、前記発光素子は前記画素駆動回路に接続され、前記ボンディング領域はボンディング構造層と、前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層及びアイソレーションダムと、前記有機絶縁層及びアイソレーションダムに設置される無機パッケージ層とを備え、前記ボンディング構造層は前記画素駆動回路に接続される電源コードを備え、前記ボンディング領域の有機絶縁層に少なくとも１つのアイソレーション溝が設置され、前記無機パッケージ層は前記アイソレーション溝を被覆し、前記アイソレーションダムを包み、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離は前記アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さい、表示基板。
2. 前記アイソレーションダムは第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムを含み、前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離は前記第２アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さく、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離は前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さい、請求項１に記載の表示基板。
3. 前記発光素子は陽極、画素定義層、有機発光層及び陰極を備え、前記画素定義層及び陰極は前記ボンディング領域まで延在し、前記表示領域を離れる方向に沿って、前記ボンディング領域において陰極の縁部と表示領域の縁部との距離は前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離より小さい、請求項２に記載の表示基板。
4. 前記表示領域を離れる方向に沿って、前記アイソレーション溝の幅は２０μｍ～７０μｍである、請求項１に記載の表示基板。
5. 前記電源コードは第１電源コード及び第２電源コードを含み、前記アイソレーション溝は前記第１電源コードに設置され、又は前記第２電源コードに設置され、又は前記第１電源コードと第２電源コードとの間に設置される、請求項１に記載の表示基板。
6. 前記表示領域の縁部方向に沿って、前記アイソレーション溝の基板での正投影は前記第１電源コードの基板での正投影を含む、請求項５に記載の表示基板。
7. 前記表示基板は更に縁部領域を備え、前記縁部領域は回路構造層と、前記回路構造層に設置される有機絶縁層とを備え、前記有機絶縁層に隙間が設置され、前記ボンディング領域のアイソレーション溝と縁部領域の隙間とは連通する、請求項５に記載の表示基板。
8. 前記第１電源コードは第１棒状ブロック及び第２棒状ブロックを備え、前記第１棒状ブロックは前記表示領域の縁部方向に沿って延在し、前記第２棒状ブロックは前記表示領域を離れる方向に沿って延在し、前記第２棒状ブロックの前記表示領域に近接する端は前記第１棒状ブロックに接続されてＴ型構造を形成し、前記第２電圧線は前記第１棒状ブロックの前記表示領域から離れる側に位置し、前記アイソレーションダムは前記第２棒状ブロック及び第２電源コードに設置され、前記アイソレーション溝は前記第１棒状ブロックに設置される、請求項５に記載の表示基板。
9. 前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層とを備え、
   前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層は第１平坦層を備え、前記複合絶縁層は基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を備える、請求項５に記載の表示基板。
10. 前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層とを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第２接続電極及び第３接続電極と、前記第２接続電極及び第３接続電極を被覆する第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、前記第１電源コードはビアによって第２接続電極に接続され、前記第２電源コードはビアによって第３接続電極に接続され、
    前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層は第２平坦層を備え、前記複合絶縁層は基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を備える、請求項５に記載の表示基板。
11. 前記電源コードの縁部に波状構造が設置され、前記波状構造は前記アイソレーション溝の前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記アイソレーションダムの前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記電源コードと前記アイソレーションダムとの重複領域の電源コードの縁部に設置される、請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示基板。
12. 前記波状構造は間隔を置いて設置される複数の突起を備え、前記突起の突起高さは３０μｍ～６０μｍである、請求項１１に記載の表示基板。
13. 表示領域と、表示領域の片側に位置するボンディング領域とを備える表示基板の製造方法であって、
    前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ駆動構造層及びボンディング構造層を形成し、前記駆動構造層は画素駆動回路を備え、前記ボンディング構造層は前記画素駆動回路に接続される電源コードを備えることと、
    前記駆動構造層及びボンディング構造層に有機絶縁層を形成し、前記ボンディング構造層での有機絶縁層に少なくとも１つのアイソレーション溝が形成されることと、
    前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ発光素子及びアイソレーションダムを形成し、前記発光素子は前記画素駆動回路に接続され、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離は前記アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さいことと、
    前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ複合パッケージ層及び無機パッケージ層を形成し、前記無機パッケージ層は前記アイソレーション溝を被覆し、前記アイソレーションダムを包むことと、を含む表示基板の製造方法。
14. 前記表示領域及びボンディング領域にそれぞれ発光素子及びアイソレーションダムを形成することは、前記表示領域に発光素子を形成し、前記発光素子が前記画素駆動回路に接続されることと、前記ボンディング領域に第１アイソレーションダム及び第２アイソレーションダムを形成し、前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離が前記第２アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さく、前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離が前記第１アイソレーションダムと表示領域の縁部との距離より小さいことと、を含む請求項１３に記載の製造方法。
15. 前記表示領域に発光素子を形成することは、前記有機絶縁層に陽極、画素定義層、有機発光層及び陰極を順次形成し、前記陽極が前記画素駆動回路に接続され、前記画素定義層及び陰極が前記ボンディング領域まで延在することと、前記表示領域を離れる方向に沿って、前記ボンディング領域において陰極の縁部と表示領域の縁部との距離が前記アイソレーション溝と表示領域の縁部との距離より小さいことと、を含む請求項１４に記載の製造方法。
16. 前記電源コードは第１電源コード及び第２電源コードを含み、前記アイソレーション溝は前記第１電源コードに設置され、又は前記第２電源コードに設置され、又は前記第１電源コードと第２電源コードとの間に設置され、前記表示領域を離れる方向に沿って、前記アイソレーション溝の幅は２０μｍ～７０μｍである、請求項１３に記載の製造方法。
17. 前記表示基板は更に縁部領域を備え、前記製造方法は、前記縁部領域に回路構造層を形成し、前記回路構造層に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層に少なくとも１つの隙間が形成され、前記ボンディング領域のアイソレーション溝と縁部領域の隙間とが連通し、且つ同一プロセスにより形成されることを更に含む、請求項１３に記載の製造方法。
18. 前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層とを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第１電源コード及び第２電源コードと、前記第１電源コード及び第２電源コードに設置される第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層とを備え、又は、前記ボンディング領域のボンディング構造層は基板に設置される複合絶縁層と、前記複合絶縁層に設置される第２接続電極及び第３接続電極と、前記第２接続電極及び第３接続電極を被覆する第５絶縁層と、前記第５絶縁層に設置される第１平坦層と、前記第１平坦層に設置される第１電源コード及び第２電源コードとを備え、前記第１電源コードはビアによって第２接続電極に接続され、前記第２電源コードはビアによって第３接続電極に接続され、
    前記ボンディング構造層に設置される有機絶縁層は第１平坦層又は第２平坦層を備え、前記複合絶縁層は基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を備える、請求項１３に記載の製造方法。
19. 前記電源コードの縁部に波状構造が設置され、前記波状構造は前記アイソレーション溝の前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記アイソレーションダムの前記表示領域から離れる側の電源コードの縁部に設置され、又は、前記波状構造は前記電源コードとアイソレーションダムとの重複領域の電源コードの縁部に設置され、前記波状構造は間隔を置いて設置される複数の突起を備え、前記突起の突起高さは３０μｍ～６０μｍである、請求項１３～１８のいずれか１項に記載の製造方法。
20. 請求項１～１２のいずれか１項に記載の表示基板を備える表示装置。

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