CN113658990B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。涉及显示技术领域，用于提高显示装置的生产效率、降低生产成本。所述显示面板包括衬底，第一绝缘层和像素电路层。像素电路层包括依次设置的半导体层、绝缘叠层和源漏导电层，绝缘叠层中设有源漏极过孔。其中，在弯折区的间隙区，第一绝缘层和绝缘叠层中设有相连通的第一开口和第二开口，第二开口在衬底上的正投影位于第一开口在衬底上的正投影范围内，使第一开口和第二开口的侧壁在二者交界处形成第一台阶。第一开口的深度大于源漏极过孔的深度，使第一台阶位于第一绝缘层靠近衬底的表面与远离衬底的表面之间。本公开提供的显示面板及其制备方法、显示装置可应用于图像显示。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前的显示装置主要包括液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)显示装置、和有机发光显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置等多种显示类型的显示装置。其中，OLED显示装置以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点，被业界公认为是继LCD显示装置之后的第三代显示技术，可以广泛用于智能手机、平板电脑和电视。其中，以柔性OLED显示装置的应用范围更广。
柔性OLED显示装置包括柔性OLED显示面板，该显示面板包括显示区和周边区。周边区包括弯折区，弯折区被配置为将周边区远离显示区的部分弯折至显示区的背侧，以降低显示装置的边框宽度，实现显示装置的窄边框化。弯折区设置有多条信号线，多条信号线被配置为将弯折区远离显示区的一侧与显示区电连接，以传输各类电信号。
然而，随着窄边框化显示装置的广泛应用，为了降低弯折区弯折过程中受到的应力，显示面板的弯折区通常设置有开口结构。但是，该开口的制作工艺步骤繁琐，导致显示装置的生产效率较低。
发明内容
本公开一些实施例的目的在于提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，提高显示装置的生产效率、降低生产成本。
为达到上述目的，本公开一些实施例提供了如下技术方案：
第一方面，提供了一种显示面板。所述显示面板具有显示区和位于所述显示区一侧的弯折区，所述弯折区包括多个走线区和至少位于相邻两个走线区之间的间隙区。所述显示面板包括：衬底，第一绝缘层和像素电路层。
所述第一绝缘层设置于所述衬底上。所述像素电路层设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧，所述像素电路层包括依次设置的半导体层、绝缘叠层和源漏导电层，所述绝缘叠层中设有源漏极过孔。其中，在所述弯折区的间隙区，所述第一绝缘层和所述绝缘叠层中设有相连通的第一开口和第二开口，所述第二开口相对于所述第一开口靠近所述衬底，所述第二开口在所述衬底上的正投影位于所述第一开口在所述衬底上的正投影范围内，以使所述第一开口和所述第二开口的侧壁在二者交界处形成第一台阶。所述第一开口的深度大于所述源漏极过孔的深度，以使所述第一台阶位于所述第一绝缘层靠近所述衬底的表面与远离所述衬底的表面之间。
上述在显示面板的弯折区形成相连通的第一开口和第二开口，且第二开口相对于第一开口靠近衬底，第二开口在衬底上的正投影位于第一开口在衬底上的正投影范围内，可见，第二开口的开口口径小于第一开口的开口口径。
由于弯折区在弯折过程中，沿远离衬底方向，弯折区的膜层受到的应力逐渐增大，从而，设置第二开口的开口口径小于第一开口的开口口径，有利于均匀各个膜层受到的应力，降低显示面板折断的风险，且有利于提升多条信号线的稳定性。其中，第一开口和第二开口的侧壁在二者交界处形成第一台阶。第一开口的深度大于源漏极过孔的深度，以使第一台阶位于第一绝缘层靠近衬底的表面与远离衬底的表面之间，因此，第一台阶位于第一绝缘层内，避免了因第一台阶位于相邻膜层的交界面，所导致的弯折区的膜层在弯折过程中产生分层的问题，提高了具备弯折区的显示面板的产品良率。进而降低弯折过程中，第一绝缘层与绝缘叠层之间发生膜层分离的风险。
在一些实施例中，所述第一绝缘层包括依次层叠的第一阻挡层和缓冲层。沿所述衬底的厚度方向，所述第一台阶位于所述缓冲层靠近所述衬底的表面与远离所述衬底的表面之间，或与所述缓冲层和所述第一阻挡层的交界面齐平。
在一些实施例中，所述第二开口包括第一开口段和第二开口段。所述第二开口段相对于所述第一开口段靠近所述衬底，所述第二开口段在所述衬底上的正投影位于所述第一开口段在所述衬底上的正投影范围内，以使所述第一开口段和所述第二开口段的侧壁在二者交界处形成第二台阶。所述第二台阶位于所述第一阻挡层靠近所述衬底的表面与远离所述衬底的表面之间。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：钝化层。所述钝化层设置于所述源漏导电层远离所述衬底的一侧。所述钝化层在所述显示区设有钝化层过孔，所述第一开口段的深度大于所述钝化层过孔的深度。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：触控结构。所述触控结构设置于所述钝化层远离所述衬底的一侧。所述触控结构包括依次层叠设置的第一触控导电层、第二绝缘层和第二触控导电层，所述第二绝缘层在所述显示区设有桥接过孔，所述第二开口段的深度大于所述桥接过孔的深度。
在另一些实施例中，所述第一开口的侧壁平滑过渡。所述显示面板还包括：钝化层。所述钝化层设置于所述源漏导电层远离所述衬底的一侧。所述钝化层在所述显示区设有钝化层过孔，所述第二开口的深度大于所述钝化层过孔的深度；或，
所述显示面板还包括：触控结构。所述触控结构设置于所述源漏导电层远离所述衬底的一侧。所述触控结构包括依次层叠设置的第一触控导电层、第二绝缘层和第二触控导电层，所述第二绝缘层在所述显示区设有桥接过孔，所述第二开口的深度大于所述桥接过孔的深度。
在一些实施例中，所述第一绝缘层包括位于所述弯折区的多个走线区的至少一个垫块。所述源漏导电层包括位于所述弯折区的多条信号线，所述多条信号线设置于所述至少一个垫块上。
在一些实施例中，在第一绝缘层包括第一阻挡层和缓冲层的情况下，所述垫块包括位于第一阻挡层的第一子垫块和位于缓冲层的第二子垫块。所述垫块的侧壁呈台阶状，包括所述第一台阶和/或所述第二台阶。
在一些实施例中，所述多条信号线中的至少一条信号线远离所述衬底的一侧设有保护图案，所述保护图案包覆所述信号线。
在一些实施例中，在所述显示面板还包括钝化层和/或第二绝缘层的情况下，所述保护图案包括位于所述钝化层的第一子保护图案和/或所述第二绝缘层的第二子保护图案。
在一些实施例中，所述保护图案的材料包括无机材料。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：在所述钝化层远离所述源漏导电层一侧，依次层叠设置的平坦层、第一电极层、像素界定层、发光功能层、第二电极层和封装层。其中，在所述弯折区，平坦层、第一电极层、像素界定层、发光功能层、第二电极层和封装层中设有与所述第一开口连通的第三开口，所述第一开口在所述衬底上的正投影位于所述第三开口在所述衬底上的正投影范围内。
在一些实施例中，在所述显示面板还包括触控结构的情况下，所述显示面板还包括：透明保护层。所述透明保护层设置于所述触控结构远离所述衬底的一侧，所述透明保护层还填充所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口。
在一些实施例中，所述第一绝缘层的材料为无机材料。
第二方面，提供一种显示面板的制备方法。所述显示面板具有显示区和位于所述显示区一侧的弯折区，所述弯折区包括多个走线区和至少位于相邻两个走线区之间的间隙区。
所述制备方法包括：
在衬底上形成第一绝缘层。
在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧形成半导体层。
在所述半导体层远离所述衬底的一侧形成绝缘叠层。
刻蚀所述绝缘叠层和所述第一绝缘层；在所述显示区，刻蚀停止于所述半导体层，以在所述绝缘叠层中形成源漏极过孔；在所述弯折区的间隙区，利用过刻效应使刻蚀停止于所述第一绝缘层靠近所述衬底的表面和远离所述衬底的表面之间，以形成第一开口。
在刻蚀后的绝缘叠层远离所述衬底的一侧形成源漏导电层。
在一些实施例中，所述第一绝缘层包括依次层叠的第一阻挡层和缓冲层。
在刻蚀所述绝缘叠层和所述第一绝缘层的过程中，在所述弯折区的间隙区，刻蚀停止在所述缓冲层的靠近所述衬底的表面和远离所述衬底的表面，或停止在所述缓冲层和所述第一阻挡层的交界面。
在一些实施例中，所述制备方法还包括：
在所述源漏导电层远离所述衬底的一侧形成钝化层。
刻蚀所述钝化层；在所述显示区，刻蚀停止于所述源漏导电层，以在所述钝化层中形成钝化层过孔；在所述弯折区的间隙区，利用过刻效应使刻蚀停止于所述第一阻挡层靠近所述衬底的表面和远离所述衬底的表面之间，以在所述第一开口靠近所述衬底的一侧形成第一开口段。
在一些实施例中，所述制备方法还包括：
在刻蚀后的钝化层远离所述衬底的一侧形成第一触控导电层。
在所述第一触控导电层远离所述衬底的一侧形成第二绝缘层。
刻蚀所述第二绝缘层；在所述显示区，刻蚀停止于所述第一触控导电层，以在所述第二绝缘层中形成桥接过孔；在所述弯折区的间隙区，利用过刻效应使刻蚀停止于所述衬底，以在所述第一开口段靠近所述衬底的一侧形成第二开口段；所述第一开口段和所述第二开口段形成第二开口。
在刻蚀后的第二绝缘层远离所述衬底的一侧形成第二触控导电层。
在一些实施例中，在刻蚀所述钝化层之后，且在形成所述第一触控导电层之间，所述制备方法还包括：
在刻蚀后的钝化层远离所述源漏导电层的一侧，依次形成平坦层、第一电极层、像素界定层、发光功能层、第二电极层和封装层。其中，在所述弯折区，第一平坦层、第一电极层、像素界定层、发光功能层、第二电极层和封装层中设有与所述第一开口连通的第三开口，所述第二开口在所述衬底上的正投影位于所述第三开口在所述衬底上的正投影范围内。
在一些实施例中，所述制备方法还包括：
在所述第二触控导电层远离所述衬底的一侧形成透明保护层。所述透明保护层填充所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口。
本公开实施例提供的显示面板的制作方法所能实现的有益效果，与上述任一实施例提供的显示面板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。
第三方面，提供了一种显示装置。所述显示装置包括上述任一实施例提供的显示面板。本公开实施例提供的显示装置所能实现的有益效果，与上述任一实施例提供的显示面板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，构成本公开实施例的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：
图1为本公开实施例提供的一种显示装置的结构图；
图2为本公开实施例提供的一种显示面板的结构图；
图3A为图2所示显示面板沿剖面线A1-A1的一种剖视图；
图3B为图2所示显示面板沿剖面线A1-A1的另一种剖视图；
图4为图2所示显示面板沿剖面线A1-A1的又一种剖视图；
图5为图2所示显示面板沿剖面线A2-A2的一种剖视图；
图6为图2所示显示面板的弯折区沿剖面线A3-A3的一种剖视图；
图7为图2所示显示面板的弯折区沿剖面线A3-A3的另一种剖视图；
图8至图16为本公开实施例提供的一种显示面板的制作步骤图；
图17为本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为便于理解，下面结合说明书附图，对本公开一些实施例提供的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是所提出的技术方案的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开的一些实施例，本领域技术人员所能获得的所有其他实施例，均属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
本公开一些实施例提供的显示装置1000。如图1所示，显示装置1000是用于可视化的显示电子信息的装置或者设备。示例性的，显示装置1000可以是智能手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑以及其他可穿戴电子设备(例如手表)等任何具有显示功能的产品或部件。
以下实施例以柔性有机发光显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置为例进行说明。如图2所示，柔性OLED显示装置1000包括柔性OLED显示面板100，柔性OLED显示面板100包括显示区001和弯折区002。显示区001包括矩阵排列的多个子像素和驱动多个子像素工作的像素电路，显示区001被配置为在像素电路的驱动下进行图像显示。弯折区002设置有多条信号线113。弯折区002被配置为将周边区远离显示区001的部分弯折至显示区001的背面。示例的，弯折区002弯折后，多条信号线113所连接的源极驱动器(SourceDrive)及其他位于弯折区002的部件被弯折至显示面板100背面，实现显示面板100的窄边框化。
然而，随着窄边框化显示装置的广泛应用，目前所采用的弯折区002通常设置有开口结构，该开口的制作工艺步骤繁琐。例如，通常在显示区001制作完成后，再进行弯折区002上的开口制作，大大降低了窄边框化显示装置的生产效率。
示例性地，在显示区001的各个膜层结构制作完成后，通过多次构图工艺，在弯折区002形成多个开口，以减少弯折区002的各膜层的总厚度，降低弯折难度，减小弯折区002在弯折过程中所受应力。其中，多次构图工艺采用了不同的掩膜版进行曝光工艺，增加了生产成本。且，制作弯折区002的开口采用了多次的构图工艺，降低了生产效率。
为解决上述问题，本公开一些实施例提供了一种显示面板100，如图2所示，所述弯折区002包括多个走线区021和至少位于相邻两个走线区021之间的间隙区022。
每个走线区021设置有至少一条信号线113，信号线113被配置为将弯折区002远离显示区001的一侧与显示区001电连接，以传输各类电信号，进而使显示区001进行图像显示。
间隙区022将相邻两个走线区021间隔开，以使信号线113在信号传输过程中，通过间隔区022能够降低相邻两个走线区021内的信号线113产生的信号干扰。并且，间隔区022能够降低弯折区002在弯折过程中的应力，降低显示面板100的折断几率。
如图3A所示，上述显示面板100包括衬底1，第一绝缘层010和像素电路层011。第一绝缘层010设置于衬底1上。像素电路层011设置于第一绝缘层010远离衬底1的一侧。
衬底1可以是柔性的或者刚性的，在衬底1是柔性的情况下，衬底1可以采用的材料包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的任意一种。在衬底1是刚性的情况下，衬底1可以包括采用的材料玻璃。
在一些示例中，如图3A和图3B所示，衬底1可以具有包含上述聚合物树脂的层以及位于上述聚合物树脂层上的阻挡层的堆叠结构。例如，衬底1包括基板1’、第一聚合物树脂层2、中间阻挡层3和第二聚合物树脂层4的堆叠结构。其中，第一聚合物树脂层2可以改善衬底1的柔性；中间阻挡层3可以包括氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和非晶硅(a-Si)中的任意一种或多种。本公开实施例不限于此。示例的，沿远离衬底1的方向，中间阻挡层3包括依次层叠设置的SiOx材料层和a-Si材料层。其中，SiOx材料层的厚度取值范围为5500埃～6500埃，a-Si材料层的厚度取值范围为10埃～20埃。a-Si材料层被配置为提高中间阻挡层3吸收热量和隔电的能力。例如，中间阻挡层3采用SiOx的厚度为5500埃、6000埃或6500埃。采用a-Si的厚度为10埃、15埃或20埃。
需要说明的是，本公开实施例中，衬底1包括的基板1’为刚性材料的情况下，需要进行剥离工艺，以去除该衬底1中的基板1’，保证制作的显示面板100的弯折区002能够进行有效弯折。
在一些实施例中，如图3A和图3B所示，第一绝缘层010包括依次层叠的第一阻挡层5和缓冲层6。
第一绝缘层010采用的材料可以包括诸如氮化硅(SiNx，x>0)、氮氧化硅(SiON)和氧化硅(SiOx，x>0)的无机绝缘材料中的任意一种，也可以包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。第一绝缘层010能够起到在衬底1上制作图案时提供缓冲以及防水氧侵蚀的作用。
示例性地，第一阻挡层5采用的材料包括SiOx，其厚度取值范围为5000埃～6000埃。例如，第一阻挡层5的厚度为5000埃、5500埃或6000埃。缓冲层6采用的材料包括SiOx和SiNx，SiOx厚度取值范围为2500埃～3500埃，SiNx厚度取值范围为500埃～1500埃。例如，缓冲层6采用SiOx材料的厚度为2500埃、3000埃或3500埃，采用SiNx材料的厚度为500埃、1000埃或1500埃。
在一些实施例中，如图3A所示，像素电路层011是指多个像素电路阵列所在的膜层，包括多个图案化导电层和绝缘叠层012。其中，绝缘叠层012是指任意两个图案化导电层之间的绝缘层的集合。示例性的，多个图案化导电层包括半导体层7、栅极层9和源漏导电层11；绝缘叠层012包括设置于半导体层7与栅极层9之间的栅绝缘层8，和设置于栅极层9和源漏导电层11之间的层间绝缘层10。
半导体层7设置在缓冲层6远离衬底1的一侧。半导体层7采用的材料可以包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体和有机半导体中的任意一种。
栅极层9设置在栅绝缘层8远离所述衬底1的一侧。栅极层9包括多条栅扫描线，与多条栅扫描线中的至少一条栅扫描线耦接的多个栅极91。栅极层9采用的材料可以包括低电阻金属材料，例如，可以包括导电材料钼Mo、镁Mg、铝Al、铜Cu和钛Ti中的任意一种；也可以包括包含以上材料的单层或多层结构。
源漏导电层11设置在层间绝缘层10远离衬底1的一侧。源漏导电层11采用的材料可以包括包含钼Mo、镁Mg、铝Al、铜Cu和钛Ti的导电材料中的任意一种；也可以包括包含以上材料的单层或多层结构。源漏导电层11的厚度可以根据实际需求选择设置，例如为6000A±500埃，具体根据其制作工艺进行调整。其中，源漏导电层11包括多个薄膜晶体管的源极111和漏极112。示例的，源极111和漏极112可以包括由Ti/Al/Ti叠层金属形成的多层结构，也可以包括由Mo/Al/Mo叠层金属形成的多层结构。
绝缘叠层012设置在半导体层7远离衬底1的一侧。绝缘叠层012采用的材料可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx，x>0)、氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx，x>0)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)和氧化铪(HfO2)中的任意一种或多种；也可以包括包含以上材料的单层或多层结构。其中，绝缘叠层012中设有源漏极过孔CNT1。源漏导电层11的源极111和漏极112，通过源漏极过孔CNT1与半导体层7的图案电连接。
示例性地，绝缘叠层012包括栅绝缘层8和层间绝缘层10的情况下，栅绝缘层8采用的材料包括SiOx，其厚度取值范围为1000埃～1500埃。例如，栅绝缘层8的厚度为1000埃、1200埃或1500埃。
层间绝缘层10采用的材料包括SiNx和SiOx。其中，SiOx材料层的厚度取值范围为1500埃～2500埃，SiNx材料层的厚度取值范围为2500埃～3500埃。例如，层间绝缘层10采用SiOx的厚度为1500埃、2000埃或2500埃，采用SiNx的厚度为2500埃、3000埃或3500埃。
可以理解的是，上述绝缘材料中，SiOx相较于SiNx的隔绝水氧的效果更好，SiNx相较于SiOx的绝缘效果更好，本公开实施例根据膜层的功能需求设置不同材料的厚度，以达到更好的效果。
在另一些实施例中，如图3B所示，像素电路层011中的多个图案化导电层包括半导体层7，和设置于半导体层7远离衬底1一侧的第一栅极层9’、栅极层9和源漏导电层11，绝缘叠层012包括栅绝缘层8、第一层间绝缘层10’和层间绝缘层10。这样，像素电路层011包括的多个薄膜晶体管为双栅结构，其中，栅极层9包括栅极91。第一栅极层9’包括第一栅极91’。本公开的实施例对此不做限制。
此外，本公开的实施中，薄膜晶体管按照膜层叠构分类，可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管；按照导通关断类型划分，可以为N型晶体管，也可以为P型晶体管；按照有源层材料划分，可以为单晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管，对此本公开不做限定，根据实际需求选择设置。
如图3A所示，本公开实施例的显示面板100，在弯折区002的间隙区022，第一绝缘层010和绝缘叠层012中设有相连通的第一开口EB1和第二开口EB2。所述第二开口EB2相对于所述第一开口EB1靠近衬底1，第二开口EB2在衬底1上的正投影位于第一开口EB1在衬底1上的正投影范围内，即第二开口EB2的开口口径L2小于第一开口EB1的开口口径L1，以使第一开口EB1和第二开口EB2的侧壁在二者交界处形成第一台阶Step1。其中，交界处是指，在第一开口EB1和第二开口EB2相连通的情况下，将第一开口EB1的侧壁和第二开口EB2的侧壁相连接的过渡面，且该过渡面形成第一台阶Step1。
示例性地，第一开口EB1的开口口径L1的取值范围为5μm～10μm。例如，第一开口EB1的口径L1为5μm、6μm或10μm。
第二开口EB2的开口口径L2的取值范围为4μm～9μm；且第二开口EB2的开口口径L2小于第一开口EB1的开口口径L1。例如，第二开口EB2的口径L2为4μm、5μm或9μm。
示例的，在第一开口EB1的开口口径L1为6μm的情况下，第二开口EB2的开口口径L2为5μm。只要保证第二开口EB2在衬底1上的正投影位于第一开口EB1在衬底1上的正投影范围内即可。
需要解释的是，上述第一开口EB1位于弯折区002，也即走线区021和间隙区022均设有第一开口EB1。第二开口EB2位于间隙区022，且与第一开口EB1相连通。其中，位于弯折区002的第一开口EB1开口口径L1和第二开口EB2的开口口径L2与位于该区域的导电线路的类型和数量有关，本公开一些实施例进行示例性说明，对此不做限定。
以及，第一开口EB1的开口口径L1是指，沿位于弯折区002的多条信号线的延伸方向，第一开口EB1的尺寸。第二开口EB2的开口口径L2是指，沿位于弯折区002的多条信号线的延伸方向，第二开口EB2的尺寸。
如图3A和图3B所示，在第一绝缘层010包括依次层叠的第一阻挡层5和缓冲层6的情况下，沿衬底1的厚度方向，第一台阶Step1位于缓冲层6靠近衬底1的表面与远离衬底1的表面之间。或者，沿衬底1的厚度方向，第一台阶Step1位于与缓冲层6和第一阻挡层5的交界面齐平。
上述第一开口EB1的深度H1大于源漏极过孔CNT1的深度h1，以使第一台阶Step1位于第一绝缘层010靠近衬底1的表面与远离衬底1的表面之间，因此，第一台阶Step1位于第一绝缘层010内，避免了因第一台阶Step1位于相邻膜层的交界面，所导致的弯折区002的膜层在弯折过程中产生分层的问题，提高了具备弯折区002的显示面板的产品良率。
由于源漏极过孔CNT1的深度h1与半导体层7上的绝缘叠层012的厚度有关，图案化前的绝缘叠层012的材料也会沉积在弯折区002，因此，为保证位于弯折区002的第一开口EB1的深度H1大于源漏极过孔CNT1的深度h1，通常采用过刻工艺刻蚀第一开口EB1。示例性地，采用干法刻蚀工艺，同时刻蚀源漏极过孔CNT1和第一开口EB1。在源漏极过孔CNT1形成过程中，位于弯折区002的绝缘叠层012的材料被去除，且由于第一开口EB1的开口口径L1大于源漏极过孔CNT1的孔径，因此，刻蚀第一开口EB1的速率大于刻蚀源漏极过孔CNT1的速率，形成的第一开口EB1的深度H1大于源漏极过孔CNT1的深度h1，使得第一台阶Step1位于第一绝缘层010靠近衬底1的表面与远离衬底1的表面之间，进而降低弯折区002的膜层在弯折过程中，从第一台阶Step1处产生分层的问题。
根据实际情况，在设置刻蚀第一开口EB1的开口口径L1的基础上，第一台阶Step1的形成位置与刻蚀源漏极过孔CNT1的时间有关。示例性地，采用干法刻蚀工艺，等离子气体刻蚀第一开口EB1的刻蚀速率大于刻蚀源漏极过孔CNT1的刻蚀速率，使得形成的第一开口EB1的深度H1和口径L1均大于源漏极过孔CNT1，因此，在设置刻蚀第一开口EB1的开口口径L1的基础上，保证源漏极过孔CNT1的有效刻蚀即可。示例的，第一开口EB1的开口口径L1的取值范围为5μm～10μm。例如，第一开口EB1的口径L1为5μm、6μm或10μm。
在一些实施例中，如图3A和图3B所示，显示面板100还包括：钝化层12。钝化层12设置于源漏导电层11远离衬底1的一侧。钝化层12采用的材料可以包括诸如氮化硅(SiNx，x>0)、氮氧化硅(SiON)和氧化硅(SiOx，x>0)的无机绝缘材料中的任意一种，也可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层结构。示例性地，钝化层12采用的材料包括SiNx，其厚度取值范围为2000埃～3000埃。例如，钝化层12的厚度为2000埃、2500埃或3000埃。其中，所述钝化层12在显示区001设有钝化层过孔CNT2。
以及，显示面板100还包括：触控结构20。触控结构20设置于钝化层12远离衬底1的一侧。所述触控结构20包括依次层叠设置的第一触控导电层201、第二绝缘层202和第二触控导电层203，其中，第二绝缘层202在显示区001设有桥接过孔VIA。
上述第一触控导电层201和第二触控导电层203包括多个触控电极和与所述多个触控电极连接的多条触控走线。示例的，第一触控导电层201和第二触控导电层203可以采用透光导电材料制作形成，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)。
第二绝缘层202采用的材料可以包括诸如氮化硅(SiNx，x>0)、氮氧化硅(SiON)和氧化硅(SiOx，x>0)的无机绝缘材料中的任意一种，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层结构。第二绝缘层202能够将第一触控导电层201和第二触控导电层203绝缘，且对位于弯折区002的走线区021内的多条信号线113起到防水氧侵蚀的作用。
在一些实施例中，如图3A所示，上述第二开口EB2包括第一开口段EB21和第二开口段EB22。或者，如图4所示，第二开口EB2的侧壁平滑过渡。
在一些示例中，在第二开口EB2包括第一开口段EB21和第二开口段EB22的情况下，第二开口段EB22相对于第一开口段EB21靠近衬底1，第二开口段EB22在衬底1上的正投影位于第一开口段EB21在衬底1上的正投影范围内，以使第一开口段EB21和第二开口段EB22的侧壁在二者交界处形成第二台阶Step2。由于在弯折区002的弯折过程中，沿远离衬底1的方向，显示面板100的膜层受到的应力逐渐增大，因此，形成具有第一台阶Step1和第二台阶Step2的阶梯状开口，有利于均匀弯折区002各膜层所受应力，降低弯折区002折断的几率，提高具备弯折区002的显示面板的产品良率。
示例性地，在第一开口EB1的开口口径L1为6μm，第一开口段EB21的开口口径L2为5μm的情况下，第二开口段EB22的开口口径L3为4μm。这样，第一开口EB1和第一开口段EB21的侧壁在二者交界处形成第一台阶Step1，第一开口段EB21和第二开口段EB22的侧壁在二者交界处形成第二台阶Step2。
请继续参阅图3A，第一开口段EB21的深度H2大于钝化层过孔CNT2的深度h2，以使第二台阶Step2位于第一阻挡层5靠近衬底1的表面与远离衬底1的表面之间，因此，第二台阶Step2位于第一阻挡层5内，避免了因第二台阶Step2位于相邻膜层的交界面，所导致的弯折区002的膜层在弯折过程中产生分层的问题，提高了具备弯折区002的显示面板的产品良率。
由于钝化层过孔CNT2的深度h2与钝化层12的厚度有关，图案化前的钝化层12材料也会沉积在第一开口EB1内，为保证第一开口段EB21的深度H2大于钝化层过孔CNT2的深度h2，通常采用过刻工艺刻蚀第一开口段EB21。示例的，采用干法刻蚀工艺，同时刻蚀钝化层过孔CNT2和第一开口段EB21，使得钝化层过孔CNT2形成过程中，位于间隙区022的第一开口EB1内的钝化层12材料被去除，且对已去除钝化层12材料的第一开口EB1的底部进一步刻蚀，形成位于第一阻挡层5靠近衬底1的表面与远离衬底1的表面之间的第二台阶Step2。由于第一开口段EB21的开口口径L2大于钝化层过孔CNT2的孔径，因此，刻蚀第一开口段EB21的速率大于刻蚀钝化层过孔CNT2的速率，形成的第一开口段EB21的深度H2大于钝化层过孔CNT2的深度h2，使得第二台阶Step2位于第一阻挡层5靠近衬底1的表面与远离衬底1的表面之间。从而，降低弯折区002的膜层在弯折过程中，从第二台阶Step2处产生分层的问题。
如图3A所示，上述第二开口段EB22的深度H3大于桥接过孔VIA的深度h3，使得第二开口段EB22暴露出衬底1。
示例的，由于桥接过孔VIA的深度与第二绝缘层202的厚度有关，图案化前的第二绝缘层202的材料也沉积在弯折区002，伊霓裳，为保证第二开口段EB22的深度H3大于桥接过孔VIA的深度h3，使得第二开口段EB22暴露出衬底1，通常采用过刻工艺刻蚀第二开口段EB22。示例性地，采用干法刻蚀工艺，同时刻蚀桥接过孔VIA和第二开口段EB22。在桥接过孔VIA形成过程中，位于间隙区022中的第二绝缘层202的材料被去除，且由于第二开口段EB22的开口口径L3大于桥接过孔VIA的孔径，因此，刻蚀第二开口段EB22的速率大于刻蚀桥接过孔VIA的速率，形成的第二开口段EB22的深度H3大于桥接过孔VIA的深度h3，使得第二开口段EB22暴露出衬底1。从而，进一步减少间隙区022的膜层的厚度，有利于减少弯折区002在弯折过程中所受应力，降低弯折区002折断的几率，提高具备弯折区002的显示面板的产品良率。
可以理解的是，第二台阶Step2的具体位置与刻蚀钝化层过孔CNT2的时间有关。第二开口段EB22的深度H3与桥接过孔VIA的刻蚀时间有关。根据实际需求选择设置。
在另一些示例中，如图4所示，在第二开口EB2的侧壁平滑过渡的情况下，第二开口EB2可以与钝化层过孔CNT2同时形成；或者，显示面板100包括钝化层12和触控结构20，第二开口EB2可以与触控结构20中的桥接过孔VIA同时形成。
示例性地，与钝化层过孔CNT2同时形成的第二开口EB2，其深度H2大于钝化层过孔CNT2的深度h2。此时，在弯折区002的间隙区022，第二开口EB2可以暴露出衬底1，也可以不暴露出衬底1。
示例性地，请继续参阅图4，显示面板100包括设置于源漏导电层11远离衬底1一侧的触控结构20。第二开口EB2与触控结构20中的桥接过孔VIA同时形成，第二开口EB2的深度H2大于桥接过孔VIA的深度h3。此时，在间隙区022，第二开口EB2可以暴露出衬底1，也可以不暴露出衬底1。
在又一些示例中，第二开口EB2还可以通过两次刻蚀工艺制作形成，保证两次刻蚀工艺形成的开口侧壁平滑过渡，保证形成的第二开口EB2有利于缓解显示面板100弯折时产生的应力即可。示例的，第二开口EB2的第一次刻蚀过程是与钝化层过孔CNT2的刻蚀同时进行，第二次刻蚀过程是与桥接过孔VIA的刻蚀同时进行，这两次刻蚀的开口为同一个，且形成的第二开口EB2的侧壁平滑过渡。
在一些实施例中，如图5和图6所示，第一绝缘层010包括位于弯折区002的多个走线区021的至少一个垫块0101。需要说明的是，在弯折区002，刻蚀形成第一开口EB1和第二开口EB2后，第一绝缘层010留下的部分形成上述垫块0101。
一个垫块0101形成一个走线区021。源漏导电层11包括位于多个走线区021的多条信号线113。所述多条信号线113设置于至少一个垫块0101上。示例的，一个垫块0101上可以设置一条或多条信号线113，保证相邻两条信号线113上的信号无干扰即可。
在一些实施例中，如图6所示，在第一绝缘层010包括第一阻挡层5和缓冲层6的情况下，所述垫块0101包括位于第一阻挡层5的第一子垫块51和位于缓冲层6的第二子垫块61。
在一些示例中，如图6所示，垫块0101的侧壁呈台阶状，包括第一台阶Step1和第二台阶Step2。在刻蚀停止于第一绝缘层010靠近衬底1的表面和远离衬底1的表面之间，以形成第一开口EB1后，形成第一开口段EB21，使刻蚀停止于第一阻挡层5靠近衬底1的表面和远离衬底1的表面之间，保留在走线区021的部分形成至少一个垫块0101。每个垫块0101的上表面与第一台阶Step1所在平面重叠，第一子垫块51和第二子垫块61的侧壁交界面形成第二台阶Step2。
在另一些示例中，如图7所示，垫块0101的侧壁呈台阶状，包括第一台阶Step1。在刻蚀停止于第一绝缘层010靠近衬底1的表面和远离衬底1的表面之间，以形成第一开口EB1后，形成侧壁平滑过渡的第二开口EB2，此时，形成的垫块0101的上表面与第一台阶Step1所在平面重叠，垫块0101的第一子垫块51和第二子垫块61的侧壁平滑过渡。
本申请公开的实施例对上述垫块0101的侧壁不做限定，保证多条信号线113位于垫块0101上，以使得多条信号线113不与衬底1直接接触，避免空气中的水氧通过有机材料的衬底1渗入，对多条信号线113造成水氧腐蚀的问题，实现对多条信号线113的防水氧保护。
此外，垫块0101也可以只包括位于第一阻挡层5的第一子垫块51。第一阻挡层5采用无机材料，也能够实现多条信号线113不与有机材料的衬底1直接接触，实现对多条信号线113的防水氧保护。垫块0101的子垫块数量和具体结构与对应的第一开口EB1和第二开口EB2的结构有关。
在一些实施例中，如图5～图7所示，多条信号线113中的至少一条信号线113远离衬底1的一侧设有保护图案0102，每个保护图案0102包覆至少一条信号线113。
每个保护图案0102包覆一个垫块0101上的所有信号线113。示例的，每个垫块0101上形成有一条信号线113，每个保护图案0102包覆一条信号线113。
示例的，每个垫块0101上形成有多条信号线113，每个保护图案0102包覆全部信号线113，且该多条信号线113中每相邻两条信号线113之间电绝缘。
上述每个保护图案0102覆盖其所保护的信号线113的表面和侧壁，且与该信号线113下方的垫块0101接触，以将该信号线113包裹在内，保证信号线113不会暴露在空气中。
并且，该保护图案0102的采用的材料包括无机材料。所述垫块0101采用的材料包括无机材料。根据无机材料隔绝水氧的特性，达到对信号线113的防水氧效果。
示例的，在显示面板100包括钝化层12的情况下，所述保护图案0102包括位于钝化层12的第一子保护图案121。
钝化层12覆盖弯折区002。在刻蚀钝化层12形成钝化层过孔CNT2和第二开口EB2的过程中，保留在走线区021的部分，形成覆盖多条信号线113的第一子保护图案121。
示例的，在显示面板100包括第二绝缘层202的情况下，所述保护图案0102包括位于第二绝缘层202的第二子保护图案2021。
第二绝缘层202覆盖弯折区002。在刻蚀第二绝缘层202形成桥接过孔VIA和第二开口EB2的过程中，保留在走线区021的部分，形成覆盖多条信号线113的第二子保护图案2021。
示例的，在显示面板100包括钝化层12和第二绝缘层202的情况下，所述保护图案0102包括位于钝化层12的第一子保护图案121和位于第二绝缘层202的第二子保护图案2021。钝化层12覆盖弯折区002。在刻蚀钝化层12形成钝化层过孔CNT2和第二开口EB2的过程中，保留在走线区021的部分，形成覆盖多条信号线113的第一子保护图案121。之后，第二绝缘层202覆盖弯折区002，形成覆盖多个第一子保护图案121的第二子保护图案2021。
上述一些实施例提供的显示面板100，其弯折区002形成的连通的第一开口EB1和第二开口EB2，第一开口EB1与源漏极过孔CNT1同时形成。第二开口EB2与钝化层过孔CNT2同时形成。相较于现有技术中，在形成显示区001的源漏极过孔CNT1、钝化层过孔CNT2之后，再刻蚀位于弯折区002的两个开口，减少了两道使用掩膜版的构图工艺步骤，降低了生产成本。
并且，本申请在形成第一开口EB1和第二开口EB2的同时，形成多个垫块0101，将后续制作的多条信号线113形成在垫块0101上，避免多条走线113直接接触有机材料的衬底1，有利于对多条信号线113的防水氧保护。以及，多条信号线113上形成的保护图案0102。保护图案0102与钝化层12同时形成，在不增加额外工艺的基础上，进一步对多条信号线113进行防水氧保护。
以及，在显示面板100包括触控结构20的情况下，第二开口EB2包括第一开口段EB21和第二开口段EB22，第一开口段EB21与钝化层过孔CNT2同时形成，第二开口段EB22与桥接过孔VIA同时形成，本申请没有增加额外的构图工艺。并且，本申请中的第一开口EB1和第二开口EB2的侧壁的交界处形成第一台阶Step1。第一开口段EB21和第二开口段EB22的侧壁的交界处形成第二台阶Step2。通过第一台阶Step1和第二台阶Step2的结构，实现弯折区002的开口口径沿靠近衬底1的方向逐步减小，以及实现该开口侧壁的坡度的过渡，从而，降低弯折区002在弯折过程中所受应力，提高显示面板100的生产良率。
在一些实施例中，如图3A和图3B所示，显示面板100还包括：在钝化层12远离源漏导电层11一侧，依次层叠设置的平坦层13、第一电极层14、像素界定层15、发光功能层16、第二电极层18和封装层19。
平坦层13采用的材料可以包括有机绝缘材料，无机绝缘材料或者无机和有机绝缘材料。示例性的，有机绝缘材料包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰基类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物。例如，平坦层13采用的材料包括聚酰亚胺。
平坦层13的厚度取值范围1.5μm～2μm。例如，平坦层13的厚度为1.5μm。
第一电极层14包括多个像素阳极141。第一电极层14采用的材料可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的任意一种或多种。例如，第一电极层14采用的材料包括氧化铟锡(ITO)。
像素界定层15设置在多个像素阳极141和平坦层13远离衬底1的一侧，像素界定层15限定出多个开口；每个开口暴露出多个像素阳极141的至少一部分。像素界定层15采用的材料包括无机绝缘材料和有机绝缘材料中的至少一种，诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)和氧化硅(SiOx)。
发光功能层16设置在多个像素阳极141远离衬底1的一侧，每个发光功能层16位于一个开口内。多个发光功能层16具体可以为单层结构，也可以为多层结构。示例性地，发光功能层16仅包括发光层。或者，发光功能层16包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。发光功能层16采用的材料包括无机发光材料或有机发光材料。示例性地，有机发光材料的类型不同，发出光线的颜色也不同。
第二电极层18为阴极层。第二电极层18设置在发光功能层16远离衬底1的一侧，第二电极层18延伸至像素界定层15远离衬底1的一侧，且覆盖像素界定层15。第二电极层18采用的材料可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银Ag、镁Mg、铝Al、铂Pt、金Au、镍Ni、铬Cr和锂Li中的至少一种或多种。例如，第二电极层18采用的材料包括铝Al。
封装层19设置在第二电极层18远离衬底1的一侧。封装层19为“三明治”结构，包括依次层叠的第一无机材料层191、有机材料层192和第二无机材料层193，以隔绝水氧对发光器件的侵蚀。
其中，如图3A所示，在弯折区002，平坦层13、第一电极层14、像素界定层15、发光功能层16、第二电极层18和封装层19中设有与第一开口EB1连通的第三开口EB3。第一开口EB1在衬底1上的正投影位于第三开口EB3在衬底1上的正投影范围内。该第三开口EB3是通过曝光、显影去除平坦层13对应第一开口EB1的部分后，通过曝光、显影去除像素界定层15对应第一开口EB1的部分。
此外，请继续参阅图3A，位于显示区001的像素界定层15上设置有隔垫物17。该隔垫物17起到支撑作用，被配置为在后续制作第二电极层18的过程中，支撑掩膜版，以进行第二电极层18材料的沉积。
在一些实施例中，如图3A所示，在显示面板100还包括触控结构20的情况下，显示面板100还包括透明保护层21。透明保护层21设置于触控结构20远离衬底1的一侧。所述透明保护层21还填充第一开口EB1、第二开口EB2和第三开口EB3，以平坦化所述显示面板100的表面。
示例的，该透明保护层21的材料包括透明的保护(over coating，简称OC)胶。在采用OC胶保护触控电极的同时，采用OC胶填充位于弯折区002的第一开口EB1、第二开口EB2和第三开口EB3内。相较于现有技术中，需要额外的工艺来填充位于弯折区002的开口，本申请的一些实施例再次减少了一道构图工艺，降低生产成本。
本公开的一些实施例还提供了一种显示面板100的制备方法。该制作方法可以制作上述任一实施例所述的显示面板100。如图3A所示，所述显示面板100具有显示区001和位于显示区001一侧的弯折区002，弯折区002包括多个走线区021和至少位于相邻两个走线区021之间的间隙区022。
如图8～图17所示，所述制备方法包括：S1～S13。
S1、如图8所示，在衬底1上形成第一绝缘层010。
在一些实施例中，如图8所示，第一绝缘层010包括依次层叠设置的第一阻挡层5和缓冲层6。
第一绝缘层010采用的材料可以包括诸如氮化硅(SiNx，x>0)、氮氧化硅(SiON)和氧化硅(SiOx，x>0)的无机绝缘材料中的任意一种或多种，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层结构。第一绝缘层010能够起到在衬底1上制作图案时提供缓冲以及防水氧侵蚀的作用。
示例性的，第一阻挡层5采用SiOx，形成厚度为5500埃的第一阻挡层5。缓冲层6采用SiNx和SiOx，沿远离衬底1的方向，形成依次沉积厚度为1000埃的SiNx和厚度为3000埃的SiOx。
上述膜层的制备例如可以采用常规的沉积工艺、刻蚀工艺等，根据实际需要可采用相应的制备工艺。
S2、如图8所示，在第一绝缘层010远离衬底1的一侧形成半导体层7。示例性地，半导体层7采用的材料可以包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体和有机半导体中任意一种。采用沉积工艺形成半导体层7，半导体层7包括多个薄膜晶体管的有源层。
S3、如图8所示，在半导体层7远离衬底1的一侧形成绝缘叠层012。
在一些示例中，像素电路层011是指多个像素电路阵列所在的膜层，包括多个图案化导电层和绝缘叠层012。其中，绝缘叠层012是指任意两个图案化导电层之间的绝缘层的集合。多个图案化导电层包括，半导体层7、栅极层9和源漏导电层11。绝缘叠层012包括设置于半导体层7与栅极层9之间的栅绝缘层8，和设置于栅极层9和源漏导电层11之间的层间绝缘层10。
采用沉积工艺，在半导体层7远离衬底1的一侧依次形成栅绝缘层8、栅极层9、层间绝缘层10和源漏导电层11。
示例性地，栅绝缘层8采用的材料包括SiOx。采用沉积工艺形成厚度的取值范围为1000埃～1500埃的栅绝缘层8。例如，形成的栅绝缘层8的厚度为1200埃。
栅极层9采用的材料包括钼Mo、镁Mg、铝Al、铜Cu和钛Ti等等导电金属单质、金属氧化物和合金材料中的任意一种或多种；也可以包括包含以上材料的单层或多层结构。采用电镀工艺、蒸镀工艺、移印银胶、溅镀工艺(例如为多弧磁控溅射工艺)等进行金属层的沉积。
层间绝缘层10采用的材料包括SiOx和SiNx。且沿远离衬底1的方向，采用沉积工艺依次形成的SiOx材料层和SiNx材料层。其中，SiOx材料层厚度取值范围为1500埃～2500埃，SiNx材料层厚度取值范围为2500埃～3500埃。例如，形成的层间绝缘层10中SiOx的厚度为2000埃，SiNx的厚度为3000埃。
上述膜层的制备例如可以采用常规的沉积工艺、刻蚀工艺等，根据实际需要可采用相应的制备工艺。
在另一些示例中，如图3B所示，像素电路层011中的多个图案化导电层包括半导体层7，和设置于半导体层7远离衬底1一侧的第一栅极层9’、栅极层9和源漏导电层11；绝缘叠层012包括栅绝缘层8、第一层间绝缘层10’和层间绝缘层10。其中，栅极层9包括栅极91。第一栅极层9’包括第一栅极91’。本公开一些实施例中，对像素电路层011不做具体限定，根据实际需求选择设置。
采用沉积工艺，在半导体层7远离衬底1的一侧依次形成栅绝缘层8、第一栅极层9’、第一层间绝缘层10’、栅极层9、层间绝缘层10和源漏导电层11。
S4、如图9A和图9B所示，刻蚀绝缘叠层011和第一绝缘层010。在显示区001，刻蚀停止于半导体层7，以在绝缘叠层011中形成源漏极过孔CNT1。在弯折区002的间隙区022，利用过刻效应使刻蚀停止于第一绝缘层010靠近衬底1的表面和远离1衬底1的表面之间，以形成第一开口EB1。
可以理解的是，过刻效应可以保证刻蚀的第一开口EB1的深度H1不低于源漏极过孔CNT1的深度好h1。因此，在实际制作过程中，通常采用过刻效应，以达到第一开口EB1的深度H1大于源漏极过孔CNT1的深度h1的目的。其中，过刻效应与刻蚀的时间、能量及第一开口EB1的开口口径L1有关，本申请根据实际需求选择设置。
在一些实施例中，如图9A和图9B所示，在刻蚀绝缘叠层011和第一绝缘层010的过程中，在弯折区002的间隙区022，刻蚀停止在缓冲层6的靠近衬底1的表面和远离衬底1的表面之间，或停止在缓冲层6和第一阻挡层5的交界面。
在一些示例中，如图9A所示，刻蚀绝缘叠层011和第一绝缘层010的过程中，在弯折区002的间隙区022，刻蚀停止在缓冲层6的靠近衬底1的表面和远离衬底1的表面之间。在沿远离衬底1的方向，缓冲层6包括依次层叠的1000埃厚度的SiNx和3000埃厚度的SiOx的情况下，将3000埃厚度的SiOx去除，留下厚度为1000埃的SiNx，保证形成的第一开口EB1的深度H1大于源漏极过孔CNT1的深度h1。
在另一些示例中，如图9B所示，刻蚀绝缘叠层011和第一绝缘层010的过程中，在弯折区002的间隙区022，刻蚀停止在缓冲层6和第一阻挡层5的交界面，将缓冲层6全部去除，保证形成的第一开口EB1的深度H1大于源漏极过孔CNT1的深度h1。
通过涂覆光刻胶，进行曝光、显影、刻蚀后形成源漏极过孔CNT1和第一开口EB1，可采用干刻或湿刻工艺进行刻蚀。该光刻胶可以是正性光刻胶，也可以是负性光刻胶，根据实际刻蚀图像的需求选择设置。
S5、如图10A和图10B所示，在刻蚀后的绝缘叠层011远离衬底1的一侧形成源漏导电层11。
示例性地，如图10A和图10B所示，在层间绝缘层10远离衬底1的一侧沉积形成源漏导电层11，该源漏导电层11包括设置在源漏极过孔CNT1中的源极111和漏极112，以及，位于弯折区002的走线区021的多条信号线113。
如图10B所示，位于弯折区002的走线区021的多条信号线113，形成在第一绝缘层010上，不与衬底1直接接触。多条信号线113被配置为连接显示区001的像素电路与周边区的相关电路部件，为像素电路提供显示信号。
示例的，源漏极导电层11可以包括由Ti/Al/Ti叠层金属形成的多层结构，或由Mo/Al/Mo叠层金属形成的多层结构。源漏导电层11的厚度可以根据实际需求选择设置，例如为6000A±500A，具体根据其制作工艺进行调整。
S6、如图11所示，在源漏导电层11远离衬底1的一侧形成钝化层12。
示例性地，采用沉积工艺形成钝化层12，实现钝化层12两侧金属的绝缘效果，且进一步提高显示面板100表面的平整度。
S7、如图12A和图12B所示，刻蚀钝化层12。在显示区001，刻蚀停止于源漏导电层11，以在钝化层12中形成钝化层过孔CNT2。该钝化层过孔CNT2暴露出漏极112。
如图12A所示，在弯折区002的间隙区022，利用过刻效应使刻蚀停止于第一阻挡层5靠近衬底1的表面和远离衬底1的表面之间，以在第一开口EB1靠近衬底1的一侧形成第一开口段EB21。由于第一开口段EB21的开口口径L2小于第一开口EB1的开口口径L1，在第一开口EB1和第一开口段EB21的侧壁交界处形成第一台阶Step1。
如图12B所示，在弯折区002的走线区021，钝化层12形成在多条信号线113上。在刻蚀钝化层12的过程中，刻蚀工艺不会影响多条信号线113的形成，且保留位于多条信号线113上的钝化层12，形成对应每条信号线113的第一子保护图案121，以对多条信号线113进行防水氧保护。
示例性地，第一阻挡层5采用的材料包括SiOx，其厚度取值范围为5000埃～6000埃。例如，第一阻挡层5的厚度为5500埃。如图13所示，在位于弯折区002的间隙区022，对第一开口EB1的底部进一步刻蚀，形成第一开口段EB21。示例的，形成第一开口EB1后，在弯折区002的间隙区022内，缓冲层6剩余厚度为1000埃的SiNx材料的情况下，去除这1000埃厚度的SiNx；以及去除第一阻挡层5的部分材料，例如去除2500埃的SiOx，形成的第一开口段EB21。这样，第一开口段EB21的深度H2为3500埃，保证第一开口段EB1的深度H1大于钝化层扩孔CNT2。
S8、如图13所示，在刻蚀后的钝化层12远离源漏导电层11的一侧，依次沉积形成平坦层13、第一电极层14、像素界定层15、发光功能层16、第二电极层18和封装层19。S8包括S81～S86。
请继续参阅图13，S81、采用涂覆工艺形成上述平坦层13后，通过曝光、显影和刻蚀工艺去除位于第一开口EB1和第二开口EB2中的部分，以及，形成与钝化层过孔CNT2连通的过孔C1，过孔C1暴露出与其对应的漏极112。
S82、在刻蚀后的平坦层13远离衬底1的一侧形成第一电极层14。第一电极层14包括多个像素阳极141。每个像素阳极141通过连通的过孔C1和钝化层过孔CNT2与一个漏极112连接。
S83、在多个像素阳极141和平坦层13远离衬底1的一侧形成像素界定层15。在显示区001，像素界定层15限定出多个子像素开口；每个子像素开口暴露出一个像素阳极141的至少一部分。
S84、在多个像素阳极141远离衬底1的一侧形成发光功能层16。发光功能层16包括多个发光功能图案。一个发光功能图案位于一个子像素开口内。
S85、在发光功能层16远离衬底1的一侧形成第二电极层18，第二电极层18延伸至像素界定层15远离衬底1的一侧，且覆盖像素界定层15。
S86、在第二电极层18远离衬底1的一侧形成封装层19。封装层19为“三明治”结构，包括依次层叠的第一无机材料层191、有机材料层192和第二无机材料层193，以隔绝水氧对发光器件的侵蚀。采用化学气象沉积工艺形成第一无机材料层191和第二无机材料层193，采用喷墨工艺形成有机材料层192。
其中，在一些实施例中，在弯折区002，平坦层13、第一电极层14、像素界定层15、发光功能层16、第二电极层18和封装层19中设有与所述第一开口EB1连通的第三开口EB3，第二开口EB2在衬底1上的正投影位于第三开口EB3在衬底1上的正投影范围内。
需要说明的是，去除平坦层13、第一电极层14、像素界定层15、发光功能层16、第二电极层18和封装层19位于弯折区002的部分。
如图13所示，上述在形成发光功能层16之后，在形成第二电极层18之前，还包括：形成隔垫物17。该隔垫物17形成在像素界定层15远离衬底1的一侧，且该隔垫物17位于非显示区，能够支撑掩膜版，以进行第二电极层18材料的沉积。此外，该隔垫物17还包括设置在显示区001和弯折区002的交界处的挡墙结构，以阻挡封装层19中流体形式的有机材料的外溢，防止由于封装层中有机材料的外溢对其他电路部件造成不良影响。
上述非显示区是指位于显示区001内的多个子像素之间的非显示区域，也即显示区001内有效发光区之外的区域。
S9、如图14所示，在刻蚀后的钝化层12远离衬底1的一侧形成第一触控导电层201。示例性地，在封装层19远离衬底1的一侧形成第一触控导电层201。
S10、如图15A和图15B所示，在第一触控导电层201远离衬底1的一侧沉积形成第二绝缘层202。
第二绝缘层202采用的材料可以包括诸如氮化硅(SiNx，x>0)、氮氧化硅(SiON)和氧化硅(SiOx，x>0)的无机绝缘材料中的任意一种或多种，也可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层结构。并且，第二绝缘层202能够对位于弯折区002的多个走线区021内的多条信号线113起到防水氧侵蚀的作用。
S11、如图15A和图15B所示，刻蚀第二绝缘层202。在显示区001，刻蚀停止于第一触控导电层201，以在第二绝缘层202中形成桥接过孔VIA。
如图15A所示，在弯折区002的间隙区022，利用过刻效应使刻蚀停止于衬底1，以在第一开口段EB21靠近衬底1的一侧形成第二开口段EB22，第二开口段EB22暴露出衬底1。第一开口段EB21和第二开口段EB22形成第二开口EB2。由于第二开口段EB22的开口口径L3小于第一开口段EB21的开口口径L2，第一开口段EB21和第二开口段EB22的侧壁的交界处形成第二台阶Step2。
如图15B所示，在弯折区002的走线区021，保留位于多条信号线113上面的第二绝缘层202，形成第二子保护图案2021。该第二子保护图案2021形成在第一子保护图案121上，进一步对多条信号线113进行防水氧保护。
S12、如图16所示，在刻蚀后的第二绝缘层202远离衬底1的一侧形成第二触控导电层203。
上述第一触控导电层201和第二触控导电层203位于显示区001的部分形成互容式的触控电极，提高触控的灵敏度。可以理解的是，第一触控导电层201和第二触控导电层203还包括用于传输触控信号的触控电极线，该触控电极线的设置位置和图案本公开不做限定。
S13、如图3A和图17所示，在第二触控导电层203远离衬底1的一侧形成透明保护层21。在弯折区002，透明保护层21填充第一开口EB1、第二开口EB2和第三开口EB3。
在显示区001，该透明导电层21形成与第一触控导电层201、第二触控导电层203中的触控电极图案相对应的透明保护图案，以保护触控电极图案。
示例的，上述透明保护层21采用透明OC(over coating)胶制作形成。可以采用例如喷涂工艺、沉积工艺等方法形成透明保护层21。
本公开实施例提供的显示面板100的制作方法所能实现的有益效果，与上述任一实施例提供的显示面板100所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。
本公开实施例还提供了一种显示装置1000，所述显示装置1000包括上述任一实施例提供的显示面板100。本公开实施例提供的显示装置1000所能实现的有益效果，与上述任一实施例提供的显示面板100所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (21)
1.一种显示面板，具有显示区和位于所述显示区一侧的弯折区，所述弯折区包括多个走线区和至少位于相邻两个走线区之间的间隙区，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底；
设置于所述衬底上的第一绝缘层；
设置于所述第一绝缘层远离所述衬底一侧的像素电路层，所述像素电路层包括依次设置的半导体层、绝缘叠层和源漏导电层，所述绝缘叠层中设有源漏极过孔；
其中，在所述弯折区的间隙区，所述第一绝缘层和所述绝缘叠层中设有相连通的第一开口和第二开口，所述第二开口相对于所述第一开口靠近所述衬底，所述第二开口在所述衬底上的正投影位于所述第一开口在所述衬底上的正投影范围内，以使所述第一开口和所述第二开口的侧壁在二者交界处形成第一台阶；
所述第一开口的深度大于所述源漏极过孔的深度，以使所述第一台阶位于所述第一绝缘层靠近所述衬底的表面与远离所述衬底的表面之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层包括依次层叠的第一阻挡层和缓冲层；
沿所述衬底的厚度方向，所述第一台阶位于所述缓冲层靠近所述衬底的表面与远离所述衬底的表面之间，或与所述缓冲层和所述第一阻挡层的交界面齐平。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二开口包括第一开口段和第二开口段；
所述第二开口段相对于所述第一开口段靠近所述衬底，所述第二开口段在所述衬底上的正投影位于所述第一开口段在所述衬底上的正投影范围内，以使所述第一开口段和所述第二开口段的侧壁在二者交界处形成第二台阶；
所述第二台阶位于所述第一阻挡层靠近所述衬底的表面与远离所述衬底的表面之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
设置于所述源漏导电层远离所述衬底一侧的钝化层；
所述钝化层在所述显示区设有钝化层过孔，所述第一开口段的深度大于所述钝化层过孔的深度。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
设置于所述钝化层远离所述衬底一侧的触控结构；
所述触控结构包括依次层叠设置的第一触控导电层、第二绝缘层和第二触控导电层，所述第二绝缘层在所述显示区设有桥接过孔，所述第二开口段的深度大于所述桥接过孔的深度。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二开口的侧壁平滑过渡；
所述显示面板还包括：设置于所述源漏导电层远离所述衬底一侧的钝化层；所述钝化层在所述显示区设有钝化层过孔，所述第二开口的深度大于所述钝化层过孔的深度；或，
所述显示面板还包括：设置于所述源漏导电层远离所述衬底一侧的触控结构；所述触控结构包括依次层叠设置的第一触控导电层、第二绝缘层和第二触控导电层，所述第二绝缘层在所述显示区设有桥接过孔，所述第二开口的深度大于所述桥接过孔的深度。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层包括位于所述多个走线区的至少一个垫块；
所述源漏导电层包括位于所述弯折区的多条信号线，所述多条信号线设置于所述至少一个垫块上。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，在第一绝缘层包括第一阻挡层和缓冲层的情况下，所述垫块包括位于第一阻挡层的第一子垫块和位于缓冲层的第二子垫块；
所述垫块的侧壁呈台阶状，包括所述第一台阶和/或第二台阶。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述多条信号线中的至少一条信号线远离所述衬底的一侧设有保护图案，所述保护图案包覆所述信号线。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板还包括钝化层和/或第二绝缘层的情况下，所述保护图案包括位于所述钝化层的第一子保护图案和/或所述第二绝缘层的第二子保护图案。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述保护图案的材料包括无机材料。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
在所述钝化层远离所述源漏导电层一侧，依次层叠设置的平坦层、第一电极层、像素界定层、发光功能层、第二电极层和封装层；
其中，在所述弯折区，平坦层、第一电极层、像素界定层、发光功能层、第二电极层和封装层中设有与所述第一开口连通的第三开口，所述第一开口在所述衬底上的正投影位于所述第三开口在所述衬底上的正投影范围内。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板包括触控结构的情况下，所述显示面板还包括：
设置于所述触控结构远离所述衬底一侧的透明保护层，所述透明保护层填充于所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口。
14.根据权利要求1～11中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为无机材料。
15.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板具有显示区和位于所述显示区一侧的弯折区，所述弯折区包括多个走线区和至少位于相邻两个走线区之间的间隙区；
所述制备方法包括：
在衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧形成半导体层；
在所述半导体层远离所述衬底的一侧形成绝缘叠层；
刻蚀所述绝缘叠层和所述第一绝缘层；在所述显示区，刻蚀停止于所述半导体层，以在所述绝缘叠层中形成源漏极过孔；在所述弯折区的间隙区，利用过刻效应使刻蚀停止于所述第一绝缘层靠近所述衬底的表面和远离所述衬底的表面之间，以形成第一开口；
在刻蚀后的绝缘叠层远离所述衬底的一侧形成源漏导电层。
16.根据权利要求15所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括依次层叠的第一阻挡层和缓冲层；
在刻蚀所述绝缘叠层和所述第一绝缘层的过程中，在所述弯折区的间隙区，刻蚀停止在所述缓冲层的靠近所述衬底的表面和远离所述衬底的表面之间，或停止在所述缓冲层和所述第一阻挡层的交界面。
17.根据权利要求16所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述源漏导电层远离所述衬底的一侧形成钝化层；
刻蚀所述钝化层；在所述显示区，刻蚀停止于所述源漏导电层，以在所述钝化层中形成钝化层过孔；在所述弯折区的间隙区，利用过刻效应使刻蚀停止于所述第一阻挡层靠近所述衬底的表面和远离所述衬底的表面之间，以在所述第一开口靠近所述衬底的一侧形成第一开口段。
18.根据权利要求17所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在刻蚀后的钝化层远离所述衬底的一侧形成第一触控导电层；
在所述第一触控导电层远离所述衬底的一侧形成第二绝缘层；
刻蚀所述第二绝缘层；在所述显示区，刻蚀停止于所述第一触控导电层，以在所述第二绝缘层中形成桥接过孔；在所述弯折区的间隙区，利用过刻效应使刻蚀停止于所述衬底，以在所述第一开口段靠近所述衬底的一侧形成第二开口段；所述第一开口段和所述第二开口段形成第二开口；
在刻蚀后的第二绝缘层远离所述衬底的一侧形成第二触控导电层。
19.根据权利要求18所述显示面板的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述钝化层之后，且在形成所述第一触控导电层之间，所述制备方法还包括：
在刻蚀后的钝化层远离所述源漏导电层的一侧，依次形成平坦层、第一电极层、像素界定层、发光功能层、第二电极层和封装层；
其中，在所述弯折区，第一平坦层、第一电极层、像素界定层、发光功能层、第二电极层和封装层中设有与所述第一开口连通的第三开口，所述第二开口在所述衬底上的正投影位于所述第三开口在所述衬底上的正投影范围内。
20.根据权利要求19所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述第二触控导电层远离所述衬底的一侧形成透明保护层；所述透明保护层填充所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口。
21.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～14中任一项所述的显示面板。
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