CN110137186A - 柔性显示基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种柔性显示基板及其制造方法。所述柔性显示基板的制造方法包括：在柔性衬底基板上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层；在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成覆盖所述刻蚀阻挡层的第二绝缘层；以及通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口，使得所述第一开口在所述柔性衬底基板上的正投影落入所述第二开口在所述柔性衬底基板上的正投影内，以在所述第一开口与所述第二开口的连接位置形成台阶部。

Description

柔性显示基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示基板以及柔性显示基板的制造方法。
背景技术
随着技术的不断发展，全面屏技术越来越广泛地被使用。为了实现全面屏，需要对显示装置的一部分进行弯折处理，例如，对柔性显示基板上的焊盘区(bonding pad)进行弯折。或者，为了实现柔性显示，也需要显示装置的一部分可以被弯折。所以，耐弯折的连接结构的制作工艺是本领域关注的课题。
发明内容
为了解决上述问题的至少一个方面，本公开实施例提供一种柔性显示基板以及柔性显示基板的制造方法。
根据一个方面，提供一种柔性显示基板的制造方法，包括：
在柔性衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层至少覆盖所述柔性显示基板的弯折区；
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层位于所述弯折区中；
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成覆盖所述刻蚀阻挡层的第二绝缘层；以及
通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口，使得所述第一开口和所述第二开口均位于所述弯折区中，并且所述第一开口在所述柔性衬底基板上的正投影落入所述第二开口在所述柔性衬底基板上的正投影内，以在所述第一开口与所述第二开口的连接位置形成台阶部。
可选地，所述通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口包括：
使用刻蚀气体刻蚀所述第二绝缘层，以在所述第二绝缘层中形成所述第二开口，使得所述第二开口暴露所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层；以及
使用所述刻蚀气体刻蚀被所述第二开口暴露的所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层，以在所述第一绝缘层中形成第一开口，
其中，所述刻蚀气体对所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率小于所述刻蚀气体对所述第一绝缘层的刻蚀速率。
可选地，所述刻蚀气体对所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率为零。
可选地，使用所述刻蚀气体刻蚀被所述第二开口暴露的所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层以在所述第一绝缘层中形成第一开口具体包括：
使用所述刻蚀气体刻蚀掉被所述第二开口暴露且未被所述刻蚀阻挡层覆盖的第一绝缘层的一部分；
使用所述刻蚀气体刻蚀掉所述刻蚀阻挡层；以及
使用所述刻蚀气体刻蚀掉被所述刻蚀阻挡层覆盖的第一绝缘层的一部分。
可选地，使用所述刻蚀气体刻蚀被所述第二开口暴露的所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层以在所述第一绝缘层中形成第一开口具体包括：
使用所述刻蚀气体刻蚀掉被所述第二开口暴露且未被所述刻蚀阻挡层覆盖的所述第一绝缘层的一部分；以及
保留所述刻蚀阻挡层以及被所述刻蚀阻挡层覆盖的第一绝缘层。
可选地，在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层具体包括：
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成至少2条间隔设置的刻蚀阻挡线。
可选地，在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层具体包括：
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成多个间隔设置的岛状的刻蚀阻挡部。
可选地，在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层具体包括：
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成栅极材料层；以及
在所述栅极材料层上执行一次构图工艺，以形成薄膜晶体管的栅极和所述刻蚀阻挡层。
可选地，所述刻蚀气体包括六氟化硫和氧气。
可选地，所述刻蚀气体包括四氟化碳和氧气。
可选地，所述制造方法还包括：在所述第一开口和所述第二开口中分别形成导电走线。
可选地，在通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口的同时，还在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成多个过孔。
可选地，在所述第一开口和所述第二开口中分别形成导电走线具体包括：
在所述第二绝缘层远离所述柔性衬底基板的表面、在所述多个过孔中以及在所述第一开口和所述第二开口中分别沉积导电材料层；以及
通过一次构图工艺，形成薄膜晶体管的源极和漏极以及所述导电走线。
在另一方面，还提供一种柔性显示基板，包括：
柔性衬底基板；
设置于所述柔性衬底基板的第一绝缘层，所述第一绝缘层至少覆盖所述柔性显示基板的弯折区，所述第一绝缘层具有第一开口；
设置于所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板一侧的刻蚀阻挡层；和
设置于所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板一侧的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第二开口，
其中，所述第一开口在所述柔性衬底基板上的正投影落入所述第二开口在所述柔性衬底基板上的正投影内，所述柔性显示基板还包括位于所述第一开口与所述第二开口的连接位置的台阶部，所述刻蚀阻挡层位于所述台阶部，并且所述第一开口、所述第二开口以及所述台阶部都位于所述弯折区。
可选地，所述刻蚀阻挡层包括多个间隔设置的岛状的刻蚀阻挡部。
可选地，所述柔性显示基板还包括设置于所述柔性衬底基板的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极、源极和漏极，
其中，所述栅极与所述刻蚀阻挡层位于同一层。
可选地，所述柔性显示基板还包括位于所述第二开口的侧壁、所述台阶部以及所述第一开口的侧壁和底面的走线，所述走线从所述柔性显示基板的显示区延伸至所述柔性显示基板的非显示区。
可选地，每一个所述岛状的刻蚀阻挡部具有平行于所述柔性衬底基板的表面且垂直于所述导电走线的延伸方向的第一尺寸，每一条所述导电走线具有平行于所述柔性衬底基板的表面且垂直于所述导电走线的延伸方向的第二尺寸，所述第一尺寸等于所述第二尺寸。
在本公开的实施例中，可以将通过一次构图工艺形成台阶结构，能够减少掩模板的使用，从而能够简化柔性显示基板的制造工艺，节约制造成本。
附图说明
通过下文中参照附图对本发明所作的描述，本发明的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本发明有全面的理解。
图1是根据本公开实施例的柔性显示基板处于折叠状态的示意图；
图2是根据本公开实施例的柔性显示基板处于展开状态的示意图；
图3是根据本公开实施例的柔性显示基板沿X方向的剖视示意图；
图4是根据本公开一些示例性实施例的柔性显示基板的弯折区的放大剖视图；
图5A-5D示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的步骤的示意图；
图6是根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的流程图；
图7A-7E示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的步骤的示意图；
图8示出了根据本公开的一些示例性实施例的柔性显示基板的弯折区中的刻蚀阻挡层的平面示意图；
图9A-9D示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法中的形成刻蚀阻挡层的步骤的示意图；
图10A-10D示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法中的形成台阶结构的步骤的示意图；
图11是根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的流程图；
图12A-12E示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的步骤的示意图；
图13示出了根据本公开的一些示例性实施例的柔性显示基板的弯折区中的刻蚀阻挡层的平面示意图；
图14A-14D示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法中的形成刻蚀阻挡层的步骤的示意图；
图15A-15D示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法中的形成台阶结构的步骤的示意图；以及
图16示出了根据本公开的一些示例性实施例的柔性显示基板的显示区和弯折区的平面示意图。
需要注意的是，为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层、结构或区域的尺寸可能被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本领域普通技术人员所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本文中，除非另有说明，“A和B位于同一层”意指A和B由相同的材料构成，且通过同一构图工艺形成。例如，可以包括A和B位于柔性衬底基板的不同高度位置处的情况。
在本文中，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
图1为根据本公开的示例性实施例的柔性显示基板处于折叠状态的示意图，图2为图1中的柔性显示基板处于展开状态的示意图，图3示出了图1中的柔性显示基板处沿X方向的剖视图。请一并参阅图1、图2和图3，该柔性显示基板100包括显示区(AA)、焊盘区130以及位于该显示区和该焊盘区130之间的弯折区140，焊盘区130和弯折区140均位于该显示区以外的非显示区(NA)。柔性显示基板100可以包括柔性衬底基板110、以及位于柔性衬底基板110上的显示单元120和焊盘电极(Bonding Pad)180。
例如，柔性显示基板100可以是全面屏手机的阵列基板。柔性衬底基板110可以为例如聚酰亚胺(PI)、聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜等形成的有机柔性衬底。
显示单元120设置于显示区AA，该显示单元120包括沿X方向延伸的多条数据线141和沿Y方向延伸的多条栅线142，该多条栅线和多条数据线彼此交叉定义出多个像素区，每个像素区设置有一个像素单元123。为清楚起见，图2中仅示意性地画出几条栅线和几条数据线。本公开的实施例将在下文详细描述像素单元123的具体结构。
如图3和图1所示，图1中的弯折区140可以围绕弯曲轴(BX)弯曲。需要说明的是，在本文中，表述“弯曲轴”是一条虚拟轴线，弯折区140可以围绕该虚拟轴线弯曲，而不是指所述柔性显示基板中设置有一条实体的弯曲轴线。
例如，为了方便布线，弯折区140设置于该柔性显示基板沿X方向的非显示区侧，即沿数据线141的延伸方向的一侧，且该弯曲轴与Y方向平行。这样可以在柔性显示基板沿Y方向的非显示区侧绑定栅极驱动电路，或者在柔性衬底基板上直接形成GOA电路(GateDriver On Array)。在弯折区140中设置有走线105，用于电连接驱动电路至像素单元123，以将驱动电路输出的信号传输给各个像素单元123。具体地，如图1所示，焊盘区130设置于弯折区140远离显示区的一侧，也即柔性显示基板沿X方向的边缘，如图2和图3所示，焊盘电极180设置于焊盘区130内，用于与驱动电路的输出布线部分161进行绑定(Bonding)。驱动电路输出的各种信号(如显示数据信号、电源电压信号(如VDD、VSS)等)输出到焊盘电极180，从而通过走线105传输至显示区以实现图像显示。例如，焊盘电极180通过走线105与数据线141电连接以为数据线141提供显示数据信号，或者，焊盘电极180通过走线105与VDD或VSS电源端电连接以为像素单元123提供VDD或VSS电压。也就是说，在本公开的实施例中，走线105可以是从显示区AA延伸至非显示区NA且用于传输电信号的各种导电走线，例如数据线、VSS电源线、VDD电源线等。
在本公开的实施例中，通过设置弯折区，可以将焊盘区130弯折至显示区的背面与显示区重叠，从而使显示单元120的外部空间减小，从而实现窄边框甚至无边框显示装置。
发明人经研究发现，无机绝缘材料通常柔韧性较差，在外力作用下容易断裂，从而影响其上附着的导电材料的导电特性，所以，需要将弯折区中的无机绝缘材料去除从而形成开口，并且在该开口处形成台阶结构，使导电走线形成在该台阶结构上，以防止形成的导电材料的段差过大而容易断裂。例如，图4为根据本公开实施例的柔性显示基板的弯折区的放大剖视图，如图4所示，柔性显示基板100可以包括柔性衬底基板110以及设置于柔性衬底基板110上的第一绝缘层101和第二绝缘层103，位于弯折区140中的第一绝缘层101和第二绝缘层103被部分去除，在第一绝缘层101中形成第一开口1012，在第二绝缘层103中形成第二开口1032，并且第二开口1032的尺寸大于第一开口1012的尺寸，即第二开口1032暴露第一开口1012，从而形成了如图4所示的台阶结构300。例如，该台阶结构300可以包括台阶部302，位于台阶部302远离柔性衬底基板一侧且与台阶部302的第一侧连接的第一延伸部301，以及位于台阶部302靠近柔性衬底基板一侧且与台阶部302的第二侧连接的第二延伸部303。可选地，在图示的实施例中，台阶部302沿大致水平的方向延伸，第一延伸部301和第二延伸部303基本平行地延伸，且其延伸方向基本上平行于竖直方向。台阶部302具有宽度d。走线105形成在第一绝缘层101和第二绝缘层103上，例如，走线105可以包括电连接显示区中的像素单元123和焊盘区130的各种走线，走线105可以形成于第二绝缘层103远离柔性衬底基板110的表面、第二开口1032的侧壁、第一开口1012的侧壁以及第一开口1012的底面。由于台阶结构的存在，所以形成在绝缘层上的走线105的段差不会过大，从而可以避免走线105发生断裂，特别是，可以有效避免走线105在弯折时发生断裂。
需要说明的是，图4中示出的第一绝缘层和第二绝缘层仅为示意性的，第一绝缘层和第二绝缘层中的每一个可以包括单个绝缘层或多个绝缘层。
图5A-5D示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的步骤的示意图。参照图5A，在柔性衬底基板110上依次形成有第一绝缘材料层11及第二绝缘材料层13。
参照图5B，采用第一构图工艺在第二绝缘材料层13中形成第二开口1032，第二开口1032暴露出第一绝缘材料层11，从而形成具有第二开口1032的第二绝缘层103。
参照图5C，采用第二构图工艺在第一绝缘材料层11中形成第一开口1012，第一开口1012的尺寸小于第二开口1032，即，第一开口1012在柔性衬底基板110上的正投影落入第二开口1032在柔性衬底基板110上的正投影内，从而形成如图4和图5C所示的台阶结构300。
参照图5D，在第一绝缘层101和第二绝缘层103远离柔性衬底基板110的表面上形成走线105，例如，走线105可以形成于第二绝缘层103远离柔性衬底基板110的表面、第二开口1032的侧壁、第一开口1012的侧壁以及第一开口1012的底面。
在该实施例中，需要通过两次构图工艺分别形成具有第二开口1032的第二绝缘层103和具有第一开口1012的第一绝缘层101，需要使用2块掩模板，制造工艺较为复杂，制造成本高，并且导致柔性显示基板的产能难以提高。
图6为根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的流程图，图7A-7E示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的步骤的示意图。请一并参阅图6以及图7A-7E，该制造方法可以包括如下步骤S601-S607。
在步骤S601中，如图7A所示，可以在柔性衬底基板110上依次形成阻挡层113和缓冲层114。
例如，柔性衬底基板110可以为有机柔性衬底，例如包括聚酰亚胺(PI)、聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜等。
例如，阻挡层113和缓冲层114任意之一可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，或者氧化铝、氮化钛等包括金属元素的绝缘材料。
例如，形成该阻挡层113和缓冲层114可以采用化学气相淀积工艺等工艺。
需要说明的是，第一绝缘层101可以包括该阻挡层113和缓冲层114，但是，本公开的实施例并不局限于此，在其他实施例中，第一绝缘层101还可以包括其它的绝缘层。
在步骤S602中，如图7A所示，在缓冲层114上形成半导体材料层，并对该半导体材料层进行构图工艺以在显示区中形成薄膜晶体管的有源层121。
例如，该半导体材料层可以包括单质半导体材料或化合物半导体材料，例如可以包括非晶硅、多晶硅(低温多晶硅或高温多晶硅)、金属氧化物半导体(如IGZO、AZO)等。
例如，该构图工艺可以采用常规的光刻工艺，包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤，这里不再赘述。
在步骤S603中，如图7B所示，可以在有源层121上依次形成栅极绝缘层133及栅极材料层，并对该栅极材料层进行构图工艺，以在显示区AA中形成薄膜晶体管的栅极122，以及在弯折区140中形成刻蚀阻挡层150。
例如，该栅极绝缘层133可以为氮化硅或氧化硅的单层结构或者由氮化硅和氧化硅堆叠形成的多层结构。
例如，该栅极材料层可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)以及以上金属组合而成的合金材料，或者导电金属氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。
图8示出了具有刻蚀阻挡层的弯折区的平面示意图。如图8所示，刻蚀阻挡层150包括2条刻蚀阻挡线151、152。该2条刻蚀阻挡线151、152与薄膜晶体管的栅极122由相同的材料且通过同一构图工艺形成。也就是说，该2条刻蚀阻挡线151、152的材料也可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)以及以上金属组合而成的合金材料，或者导电金属氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。
结合参照图4、图7B和图8，刻蚀阻挡层150形成在弯折区140中待形成的台阶部的位置处。例如，2条刻蚀阻挡线151、152中每一条的宽度(即图8中的沿X方向的宽度d1)基本等于待形成的台阶部的宽度(即图4中的宽度d)。此处的“基本等于”包括2条刻蚀阻挡线151、152中每一条的宽度与待形成的台阶部的宽度的差值小于等于±5μm，即，当2条刻蚀阻挡线151、152中每一条的宽度与待形成的台阶部的宽度的差值小于等于±5μm时，可以认为二者基本相等。例如，台阶部302的宽度可以为15μm左右，那么，每一条刻蚀阻挡线的宽度d1可以在10μm-20μm的范围内，可选地，每一条刻蚀阻挡线的宽度d1可以等于15μm。
具体地，步骤S603可以参照图9A-9D进一步描述。
如图9A所示，例如，可以通过化学气相淀积在显示区AA和弯折区140中均形成栅极绝缘层133，可以通过溅射、物理气相淀积、化学气相淀积等工艺在显示区AA和弯折区140中且在栅极绝缘层133上形成栅极材料层122’。
如图9B所示，可以在栅极材料层122’上涂布光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，以形成光刻胶图案1221。光刻胶图案1221与待形成的栅极122和刻蚀阻挡层150的位置相对应，即，光刻胶图案1221在柔性衬底基板110上的正投影覆盖待形成的栅极122和刻蚀阻挡层150在柔性衬底基板110上的正投影。
如图9C所示，例如，可以通过湿法刻蚀工艺刻蚀掉未被光刻胶图案1221覆盖的栅极材料层122’，以形成栅极122和刻蚀阻挡层150。
如图9D所示，剥离光刻胶图案1221。通过这样的方式，在显示区AA中形成薄膜晶体管的栅极122，以及在弯折区140中形成刻蚀阻挡层150。
需要说明的是，在步骤S603中，除了形成栅极122和刻蚀阻挡层150之外，还可以通过该同一构图工艺形成栅线142，在此不再赘述。
在步骤S604中，返回参照图7C，在显示区AA和弯折区140中依次形成第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135。
例如，第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，或者氧化铝、氮化钛等包括金属元素的绝缘材料。
例如，形成该第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135可以采用化学气相淀积工艺等工艺。
需要说明的是，第二绝缘层103可以包括栅极绝缘层133、第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135，但是，本公开的实施例不局限于此，在其他实施例中，第二绝缘层103还可以包括其他的绝缘层。
在步骤S605中，如图7D所示，通过一次构图工艺在弯折区140中形成台阶结构300。例如，通过一次构图工艺在第一绝缘层101(例如包括阻挡层113和缓冲层114)中形成第一开口1012，以及在第二绝缘层103(例如包括栅极绝缘层133、第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135)中形成第二开口1032。
具体地，步骤S605可以参照图10A-10D进一步描述。
如图10A所示，可以在第二层间绝缘层135上涂布光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，以形成光刻胶图案1052。例如，光刻胶图案1052可以暴露位于弯折区140中的绝缘层。
如图10B和图10C所示，可以通过干法刻蚀工艺刻蚀未被光刻胶图案1052覆盖的绝缘层。例如，可以采用“SF6+O2”等离子体刻蚀气体，刻蚀第一绝缘层101和第二绝缘层103。在弯折区140中形成刻蚀阻挡层150，并且刻蚀阻挡层150由钼等金属材料形成，例如“5F6+O2”的刻蚀气体对刻蚀阻挡层150的刻蚀速率较慢，换句话说，刻蚀气体对金属材料(形成刻蚀阻挡层150的材料)的刻蚀速率小于该刻蚀气体对绝缘材料(形成第一绝缘层101或第二绝缘层103的材料)的刻蚀速率。所以，在刻蚀第一绝缘层101和第二绝缘层103的过程中，刻蚀气体可以先刻蚀第二绝缘层103，以在第二绝缘层103中形成第二开口1032，如图10B所示。然后，刻蚀气体进一步向下刻蚀第一绝缘层101。对于被刻蚀阻挡层150遮盖的第一绝缘层101，刻蚀气体需要先刻蚀掉刻蚀阻挡层150，然后再刻蚀被刻蚀阻挡层150遮盖的第一绝缘层101。对于未被刻蚀阻挡层150遮盖的第一绝缘层101，刻蚀气体可以直接刻蚀第一绝缘层101。由于刻蚀气体对刻蚀阻挡层150的刻蚀速率小于该刻蚀气体对第一绝缘层101的刻蚀速率，所以，在相同的刻蚀时间内，被刻蚀阻挡层150遮盖的第一绝缘层101中被刻蚀的深度小于未被刻蚀阻挡层150遮盖的第一绝缘层101中被刻蚀的深度。以此方式，在第一绝缘层101中形成第一开口1012，并且第一开口1012的尺寸小于第二开口1032的尺寸，即，在弯折区140中形成台阶结构300，如图10C所示。
例如，栅极材料可以为钼，即，刻蚀阻挡层150由钼形成。第一绝缘层101可以由氮化硅形成。“SF6+O2”刻蚀气体对钼和氮化硅的刻蚀速率之比为5∶8，也就是说，当“SF6+O2”刻蚀气体刻蚀厚的第一绝缘层101时，在相同的刻蚀时间内，“SF6+O2”刻蚀气体只能刻蚀厚的刻蚀阻挡层150。例如，在一些示例性的实施例中，第一绝缘层101的总体厚度可以为刻蚀阻挡层150的厚度可以为这样，当“SF6+O2”刻蚀气体刻蚀掉未被刻蚀阻挡层150覆盖的厚的第一绝缘层101时，在相同的刻蚀时间内，厚的刻蚀阻挡层150被全部刻蚀掉，以及被刻蚀阻挡层150遮盖的第一绝缘层101中的厚的第一绝缘层101被刻蚀掉。所以，在被刻蚀阻挡层150遮盖的第一绝缘层101中，还剩厚的第一绝缘层101被保留。
如图10D所示，步骤S605还包括剥离光刻胶图案1052。
所以，在本公开的实施例中，通过设置刻蚀阻挡层150，可以通过一次构图工艺在弯折区140中形成台阶结构300，将两次构图工艺减少为一次构图工艺，能够减少掩模板的使用，从而能够简化柔性显示基板的制造工艺，节约制造成本。
另外，在步骤S605中，如图7D所示，还可以通过所述同一构图工艺在显示区AA的绝缘层中形成多个过孔1036。即，该多个过孔1036、第一开口1012、第二开口1032可以通过同一构图工艺形成。
进一步地，在步骤S606中，如图7E所示，在显示区AA中形成源极123和漏极124，并且在弯折区140中形成走线105。
例如，可以通过溅射、物理气相淀积、化学气相淀积等工艺在显示区AA以及弯折区140中形成导电材料层，例如，该导电材料层可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)以及以上金属组合而成的合金材料，或者导电金属氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。可以理解，在显示区AA中，该导电材料层可以沉积于多个过孔中；在弯折区140中，该导电材料层可以沉积于台阶结构300上。
再例如，可以在该导电材料层上执行构图工艺，以形成图案化的导电材料层，该图案化的导电材料层包括源极123、漏极124以及走线105。该构图工艺可以采用常规的光刻工艺，包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤，这里不再赘述。
这样，源极123可以通过形成在过孔中的导电材料与有源层的源极区电连接，漏极124可以通过形成在过孔中的导电材料与有源层的漏极区电连接，走线105可以将漏极124电连接至焊盘区130。由于走线105在弯折区140中形成在台阶结构300上，所以，可以避免走线105在弯折时发生断裂。
图11为根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的流程图，图12A-12E示意性示出了根据本公开的一些实施例的柔性显示基板的制造方法的步骤的示意图。请一并参阅图11以及图12A-12E，该制造方法可以包括如下步骤S1101-S1106。
在步骤S1101中，如图12A所示，可以在柔性衬底基板110上依次形成阻挡层113和缓冲层114。
例如，柔性衬底基板110可以为有机柔性衬底，例如包括聚酰亚胺(PI)、聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜等。
例如，阻挡层113和缓冲层114可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，或者氧化铝、氮化钛等包括金属元素的绝缘材料。
例如，形成该阻挡层113和缓冲层114可以采用化学气相淀积工艺等工艺。
需要说明的是，第一绝缘层101可以包括该阻挡层113和缓冲层114，但是，本公开的实施例并不局限于此，在其他实施例中，第一绝缘层101还可以包括其它的绝缘层。
在步骤S1102中，如图12A所示，在缓冲层114上形成半导体材料层，并对该半导体材料层进行构图工艺以在显示区中形成薄膜晶体管的有源层121。
例如，该半导体材料层可以包括单质半导体材料或化合物半导体材料，例如可以包括非晶硅、多晶硅(低温多晶硅或高温多晶硅)、金属氧化物半导体(如IGZO、AZO)等。
例如，该构图工艺可以采用常规的光刻工艺，包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤，这里不再赘述。
在步骤S1103中，如图12B所示，可以在有源层121上依次形成栅极绝缘层133及栅极材料层，并对该栅极材料层进行构图工艺，以在显示区AA中形成薄膜晶体管的栅极122，以及在弯折区140中形成刻蚀阻挡层250。
例如，该栅极绝缘层133可以为氮化硅或氧化硅的单层结构或者由氮化硅和氧化硅堆叠形成的多层结构。
例如，该栅极材料层可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)以及以上金属组合而成的合金材料，或者导电金属氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。
图13示出了具有刻蚀阻挡层的弯折区的平面示意图。如图13所示，刻蚀阻挡层250包括多个岛状的刻蚀阻挡部252。该多个岛状的刻蚀阻挡部252与薄膜晶体管的栅极122由相同的材料且通过同一构图工艺形成。也就是说，该多个岛状的刻蚀阻挡部252的材料也可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)以及以上金属组合而成的合金材料，或者导电金属氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。
结合参照图4、图12B和图13，刻蚀阻挡层250形成在弯折区140中待形成的台阶部的位置处。例如，每一个岛状的刻蚀阻挡部252的宽度(即图13中的宽度d2)基本等于待形成的台阶部的宽度(即图4中的宽度d)。此处的“基本等于”包括每一个岛状的刻蚀阻挡部252的宽度与待形成的台阶部的宽度的差值小于等于±5μm，即，当每一个岛状的刻蚀阻挡部252的宽度与待形成的台阶部的宽度的差值小于等于±5μm时，可以认为二者基本相等。类似地，每一条刻蚀阻挡线的宽度d1可以在10μm-20μm的范围内，可选地，每一条刻蚀阻挡线的宽度d1可以等于15μm。
具体地，步骤S1103可以参照图14A-14D进一步描述。
如图14A所示，例如，可以通过化学气相淀积在显示区AA和弯折区140中均形成栅极绝缘层133，可以通过溅射、物理气相淀积、化学气相淀积等工艺在显示区AA和弯折区140中且在栅极绝缘层133上形成栅极材料层122’。
如图14B所示，可以在栅极材料层122’上涂布光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，以形成光刻胶图案1221。光刻胶图案1221与待形成的栅极122和刻蚀阻挡层250的位置相对应，即，光刻胶图案1221在柔性衬底基板110上的正投影覆盖待形成的栅极122和刻蚀阻挡层250在柔性衬底基板110上的正投影。
如图14C所示，例如，可以通过湿法刻蚀工艺刻蚀掉未被光刻胶图案1221覆盖的栅极材料层122’，以形成栅极122和刻蚀阻挡层250。
如图14D所示，剥离光刻胶图案1221。通过这样的方式，在显示区AA中形成薄膜晶体管的栅极122，以及在弯折区140中形成刻蚀阻挡层250。
需要说明的是，在步骤S1103中，除了形成栅极122和刻蚀阻挡层250之外，还可以通过该同一构图工艺形成柔性显示基板的栅线142，在此不再赘述。
在步骤S1104中，返回参照图12C，在显示区AA和弯折区140中依次形成第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135。
例如，第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，或者氧化铝、氮化钛等包括金属元素的绝缘材料。
例如，形成该第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135可以采用化学气相淀积工艺等工艺。
需要说明的是，第二绝缘层103可以包括栅极绝缘层133、第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135，但是，本公开的实施例不局限于此，在其他实施例中，第二绝缘层103还可以包括其他的绝缘层。
在步骤S1105中，如图12D所示，通过一次构图工艺在弯折区140中形成台阶结构300。例如，通过一次构图工艺在第一绝缘层101(例如包括阻挡层113和缓冲层114)中形成第一开口1012，以及在第二绝缘层103(例如包括栅极绝缘层133、第一层间绝缘层134和第二层间绝缘层135)中形成第二开口1032。
具体地，步骤S1105可以参照图15A-15D进一步描述。
如图15A所示，可以在第二层间绝缘层135上涂布光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，以形成光刻胶图案2052。例如，光刻胶图案2052可以暴露位于弯折区140中的绝缘层。
如图15B和图15C所示，可以通过干法刻蚀工艺刻蚀未被光刻胶图案2052覆盖的绝缘层。例如，可以采用“CF4+O2”等离子体刻蚀气体，刻蚀第一绝缘层101和第二绝缘层103。在弯折区140中形成刻蚀阻挡层250，并且刻蚀阻挡层250由钼等金属材料形成，例如“CF4+O2”的刻蚀气体基本不刻蚀阻挡层250，换句话说，刻蚀阻挡层250对例如“CF4+O2”的刻蚀气体起刻蚀阻挡的作用。在该实施例中，刻蚀气体对刻蚀阻挡层250的刻蚀速率基本等于零，小于该刻蚀气体对第一绝缘层101的刻蚀速率。所以，在刻蚀第一绝缘层101和第二绝缘层103的过程中，刻蚀气体可以先刻蚀第二绝缘层103，以在第二绝缘层103中形成第二开口1032，如图15B所示。然后，刻蚀气体进一步向下刻蚀第一绝缘层101。对于被刻蚀阻挡层250遮盖的第一绝缘层101，其不会被刻蚀掉。对于未被刻蚀阻挡层250遮盖的第一绝缘层101，其可以被刻蚀气体直接刻蚀掉。以此方式，在第一绝缘层101中形成第一开口1012，并且第一开口1012的尺寸小于第二开口1032的尺寸，即，在弯折区140中形成台阶结构300，如图15C所示。
所以，在本公开的实施例中，通过设置刻蚀阻挡层250，可以通过一次构图工艺在弯折区140中形成台阶结构300，将两次构图工艺减少为一次构图工艺，能够减少掩模板的使用，从而能够简化柔性显示基板的制造工艺，节约制造成本。
如图15D所示，步骤S1105还包括剥离光刻胶图案2052。
另外，在步骤S1105中，如图12D所示，还可以通过所述同一构图工艺在显示区AA的绝缘层中形成多个过孔1036。即，该多个过孔1036、第一开口1012、第二开口1032可以通过同一构图工艺形成。
进一步地，在步骤S1106中，如图12E所示，在显示区AA中形成源极123和漏极124，并且在弯折区140中走线105。
例如，可以通过溅射、物理气相淀积、化学气相淀积等工艺在显示区AA以及弯折区140中形成导电材料层，例如，该导电材料层可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)以及以上金属组合而成的合金材料，或者导电金属氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。可以理解，在显示区AA中，该导电材料层可以沉积于多个过孔中；在弯折区140中，该导电材料层可以沉积于台阶结构300上。
再例如，可以在该导电材料层上执行构图工艺，以形成图案化的导电材料层，该图案化的导电材料层包括源极123、漏极124以及走线105。该构图工艺可以采用常规的光刻工艺，包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤，这里不再赘述。
这样，源极123可以通过形成在过孔中的导电材料与有源层的源极区电连接，漏极124可以通过形成在过孔中的导电材料与有源层的漏极区电连接，走线105可以将漏极124电连接至焊盘区130。由于走线105在弯折区140中形成在台阶结构300上，所以，可以避免走线105在弯折时发生断裂。
另外，发明人经过多次实验发现，在上述导电材料层上执行构图工艺，以形成源极123、漏极124以及走线105的过程中，容易在台阶结构300的拐弯位置残留的导电材料，如图16中的导电材料残留部1058所示。结合参照图12E和图16，由于在台阶部302处形成有岛状的刻蚀阻挡部252，走线105形成在刻蚀阻挡部252上，所以，导电材料残留部1058与走线105位于不同的高度，即，导电材料残留部1058与走线105之间存在段差，该段差使得导电材料残留部1058不能使与其相邻的两条走线105电导通。也就是说，即使存在残留的导电材料，也可以保证相邻的走线105之间相互不会电导通，从而可以避免形成暗线的问题。
在另一方面，本公开的示例性实施例还提供一种柔性显示基板，如图12E所示，该柔性显示基板可以包括：柔性衬底基板110；设置于柔性衬底基板110的第一绝缘层101，第一绝缘层101具有第一开口1012；设置于第一绝缘层101远离所述柔性衬底基板一侧的刻蚀阻挡层250；设置于第一绝缘层101远离所述柔性衬底基板一侧的第二绝缘层103，第二绝缘层103具有第二开口1032。第一开口1012在柔性衬底基板110上的正投影落入第二开口1032在柔性衬底基板101上的正投影内，所述柔性显示基板还可以包括位于第一开口1012与第二开口1032的连接位置的台阶部302，刻蚀阻挡层250位于台阶部302上。
如图13所示，刻蚀阻挡层250可以包括多个间隔设置的岛状的刻蚀阻挡部252。例如，结合图13和图16所示，每一个岛状的刻蚀阻挡部252具有平行于柔性衬底基板110的表面且垂直于走线105的延伸方向的第一尺寸，即沿图13中的Y方向的尺寸d3，每一条走线105具有平行于柔性衬底基板110的表面且垂直于走线105的延伸方向的第二尺寸，即沿图16中的Y方向的尺寸d4，第一尺寸d3等于第二尺寸d4。例如，每一条走线105的尺寸d4可以为5μm左右，那么，每一个岛状的刻蚀阻挡部252的第一尺寸d3也可以在5μm左右。
另外，如图13所示，每一个岛状的刻蚀阻挡部252具有平行于柔性衬底基板110的表面且平行于走线105的延伸方向的第三尺寸，即沿图13中的X方向的尺寸d2，第三尺寸d2基本等于台阶结构300的台阶部302的宽度。
返回参照图12E，该柔性显示基板还可以包括位于显示区AA中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管可以包括有源层121、栅极122、源极123和漏极124，栅极122和刻蚀阻挡层250可以位于同一层，即，栅极122和刻蚀阻挡层250可以由相同的材料且通过同一构图工艺形成。
该柔性显示基板还可以包括位于第二开口1032的侧壁、台阶部302以及第一开口1012的侧壁和底面的走线105。走线105可以将漏极124电连接至焊盘区130。
根据上述实施例的柔性显示基板可以根据上述制造方法制成，所以，它可以具有上述实施例中描述的制造方法的所有特点和优点，在此不再赘述。
虽然本发明总体构思的一些实施例已被显示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本总体发明构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本发明的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (18)

1.一种柔性显示基板的制造方法，包括：
在柔性衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层至少覆盖所述柔性显示基板的弯折区；
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层位于所述弯折区中；
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成覆盖所述刻蚀阻挡层的第二绝缘层；以及
通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口，使得所述第一开口和所述第二开口均位于所述弯折区中，并且所述第一开口在所述柔性衬底基板上的正投影落入所述第二开口在所述柔性衬底基板上的正投影内，以在所述第一开口与所述第二开口的连接位置形成台阶部。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口包括：
使用刻蚀气体刻蚀所述第二绝缘层，以在所述第二绝缘层中形成所述第二开口，使得所述第二开口暴露所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层；以及
使用所述刻蚀气体刻蚀被所述第二开口暴露的所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层，以在所述第一绝缘层中形成第一开口，
其中，所述刻蚀气体对所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率小于所述刻蚀气体对所述第一绝缘层的刻蚀速率。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述刻蚀气体对所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率为零。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，使用所述刻蚀气体刻蚀被所述第二开口暴露的所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层以在所述第一绝缘层中形成第一开口具体包括：
使用所述刻蚀气体刻蚀掉被所述第二开口暴露且未被所述刻蚀阻挡层覆盖的第一绝缘层的一部分；
使用所述刻蚀气体刻蚀掉所述刻蚀阻挡层；以及
使用所述刻蚀气体刻蚀掉被所述刻蚀阻挡层覆盖的第一绝缘层的一部分。
5.根据权利要求3所述的制造方法，其中，使用所述刻蚀气体刻蚀被所述第二开口暴露的所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层以在所述第一绝缘层中形成第一开口具体包括：
使用所述刻蚀气体刻蚀掉被所述第二开口暴露且未被所述刻蚀阻挡层覆盖的所述第一绝缘层的一部分；以及
保留所述刻蚀阻挡层以及被所述刻蚀阻挡层覆盖的第一绝缘层。
6.根据权利要求2或4所述的制造方法，其中，在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层具体包括：
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成至少2条间隔设置的刻蚀阻挡线。
7.根据权利要求3或5所述的制造方法，其中，在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层具体包括：
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成多个间隔设置的岛状的刻蚀阻挡部。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的制造方法，其中，在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层具体包括：
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成栅极材料层；以及
在所述栅极材料层上执行一次构图工艺，以形成薄膜晶体管的栅极和所述刻蚀阻挡层。
9.根据权利要求2或4所述的制造方法，其中，所述刻蚀气体包括六氟化硫和氧气。
10.根据权利要求3或5所述的制造方法，其中，所述刻蚀气体包括四氟化碳和氧气。
11.根据权利要求1-5中任一项所述的制造方法，还包括：在所述第一开口和所述第二开口中分别形成导电走线。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，在通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口的同时，还在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成多个过孔。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，在所述第一开口和所述第二开口中分别形成导电走线具体包括：
在所述第二绝缘层远离所述柔性衬底基板的表面、在所述多个过孔中以及在所述第一开口和所述第二开口中分别沉积导电材料层；以及
通过一次构图工艺，形成薄膜晶体管的源极和漏极以及所述导电走线。
14.一种柔性显示基板，包括：
柔性衬底基板；
设置于所述柔性衬底基板的第一绝缘层，所述第一绝缘层至少覆盖所述柔性显示基板的弯折区，所述第一绝缘层具有第一开口；
设置于所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板一侧的刻蚀阻挡层；和
设置于所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板一侧的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第二开口，
其中，所述第一开口在所述柔性衬底基板上的正投影落入所述第二开口在所述柔性衬底基板上的正投影内，所述柔性显示基板还包括位于所述第一开口与所述第二开口的连接位置的台阶部，所述刻蚀阻挡层位于所述台阶部，并且所述第一开口、所述第二开口以及所述台阶部都位于所述弯折区。
15.根据权利要求14所述的柔性显示基板，其中，所述刻蚀阻挡层包括多个间隔设置的岛状的刻蚀阻挡部。
16.根据权利要求14或15所述的柔性显示基板，还包括设置于所述柔性衬底基板的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极、源极和漏极，
其中，所述栅极与所述刻蚀阻挡层位于同一层。
17.根据权利要求15所述的柔性显示基板，还包括位于所述第二开口的侧壁、所述台阶部以及所述第一开口的侧壁和底面的走线，所述走线从所述柔性显示基板的显示区延伸至所述柔性显示基板的非显示区。
18.根据权利要求17所述的柔性显示基板，其中，每一个所述岛状的刻蚀阻挡部具有平行于所述柔性衬底基板的表面且垂直于所述导电走线的延伸方向的第一尺寸，每一条所述导电走线具有平行于所述柔性衬底基板的表面且垂直于所述导电走线的延伸方向的第二尺寸，所述第一尺寸等于所述第二尺寸。
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