JP2018147770A - 表示装置、および表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置、および表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018147770A JP2018147770A JP2017042560A JP2017042560A JP2018147770A JP 2018147770 A JP2018147770 A JP 2018147770A JP 2017042560 A JP2017042560 A JP 2017042560A JP 2017042560 A JP2017042560 A JP 2017042560A JP 2018147770 A JP2018147770 A JP 2018147770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- pixel electrode
- layer
- display device
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 43
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 16
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 236
- 239000010408 film Substances 0.000 description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 25
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 20
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 19
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 125000000123 silicon containing inorganic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- UDFWUWKGBBKQAF-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;silver Chemical compound [Ag].OC(=O)C(O)=O UDFWUWKGBBKQAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】表示装置は画素を有し、画素は画素電極、画素電極上の電界発光層、および電界発光層上の対向電極を有する。画素電極は、インジウムと亜鉛を含有する導電性酸化物を含む第1の導電層、第1の導電層上に位置し、銀を含む第2の導電層、および第2の導電層上に位置し、インジウムとスズを含有する導電性酸化物を含む第3の導電層を有する。第1の導電層の厚さは、第3の導電層の厚さよりも2倍以上5倍以下である。
【選択図】図4
Description
[1.全体構成]
本発明の一実施形態の表示装置100の模式的斜視図を図1に示す。表示装置100は、発光素子を表示素子として含む有機エレクトロルミネッセンス(EL:Electro−Luminescence)表示装置である。
画素106の断面構造を用いて表示装置100の構造を説明する。図3に示す模式的断面図では、図2に示した画素回路のうち、発光素子150、駆動トランジスタ134、保持容量140、および補助容量142の断面が模式的に示されている。
第1の基板102は、この上に形成される画素回路を支持する機能を有し、ガラスや石英、あるいは高分子を含むことができる。第2の基板104も第1の基板102と同様の材料を含むことができる。第1の基板102や第2の基板104にポリイミドやポリアミド、ポリカーボナートなどの高分子を用いることで、表示装置100に可撓性を付与することができ、いわゆるフレキシブルディスプレイを提供することも可能である。
画素電極152の上には、画素電極152の端部を覆う隔壁190が設けられる。画素電極152は、隔壁190に覆われた部分以外は隔壁190から露出している。換言すると、隔壁190は開口部を有する絶縁膜であり、開口部において画素電極152は隔壁190から露出され、後述する電界発光層154と接する。隔壁190はアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの高分子を含むことができ、隣接する画素106間を電気的に絶縁するとともに、平坦化膜178に設けられた開口や補助容量電極182、画素電極152などに起因する凹凸を吸収する機能を有する。
任意の構成として、発光素子150上に保護膜(以下、パッシベーション膜)200を設けてもよい。パッシベーション膜200の構造は任意に選択することができるが、例えば図3に示すように、無機化合物を含む第1の層202、有機化合物を含む第2の層204、および無機化合物を含む第3の層206を含む積層構造をパッシベーション膜200に適用することができる。この場合、無機化合物としては上述したケイ素を含有する無機化合物を使用することができる。有機化合物としては、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子を使用することができる。
本実施形態では、表示装置100の製造方法に関し、主に画素電極152の作製方法を中心に説明する。第1実施形態と同様の構成については説明を割愛することがある。
平坦化膜178に対してエッチングを行い、ソース/ドレイン電極172を露出するための開口を形成する。その後、この開口を覆い、ソース/ドレイン電極172と接するように、平坦化膜178上に接続電極180を形成する(図6(B))。接続電極180は、ITOやIZOなどの導電性を有する導電性酸化物を用い、スパッタリング法によって形成すればよい。
その後、絶縁膜184上に、画素電極152を形成する。具体的には、第1の導電層152aを絶縁膜184に接するように形成する。この時、第1の導電層152aは接続電極180、およびソース/ドレイン電極172と接するように形成される(図7(B))。例えば第1の導電層152aは、IZOをターゲットとして用いるスパッタリング法を適用し、第1実施形態で述べた厚さで形成すればよい。
次に、画素電極152の端部を覆うように隔壁190を形成する(図10(A))。隔壁190はアクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリシロキサンなどの高分子を用い、スピンコーティング法やインクジェット法、スプレー法などの湿式成膜法によって形成される。
上述した製造方法では、画素電極152は、第3の導電層152cをパターニングした後にレジスト158を除去し、その後第1の導電層152aと第2の導電層152bをパターニングすることで形成される。本実施形態はこの方法に限られず、異なる方法でも画素電極152を形成することができる。
前述のように、第1の導電層152aをIZO、第2の導電層152bを銀、および第3の導電層152cをITOで形成する場合、これら三層を、混酸を用いて一括エッチングによりパターニングすることも可能である。
上述したように、本実施形態で述べた画素電極152の作製方法では、第1の導電層152aと第3の導電層152cにそれぞれIZO、ITOを用い、第3の導電層152cを第1の導電層152aよりも小さな厚さを有するように形成する。その後第3の導電層152cのシュウ酸によるエッチングを行う。引き続き第3の導電層152cをマスクとして用い、混酸によるエッチングを第1の導電層152aと第2の導電層152bの両者に対して同時に行う。
、192:領域、194:法線、196:バイザー、200:パッシベーション膜、202:第1の層、204:第2の層、206:第3の層、210:シール材
Claims (13)
- 画素電極と、
前記画素電極上の電界発光層と、
前記電界発光層上の対向電極とを有する画素を有し、
前記画素電極は、
インジウムと亜鉛を含有する導電性酸化物を含む第1の導電層と、
前記第1の導電層上に位置し、銀を含む第2の導電層と、
前記第2の導電層上に位置し、インジウムとスズを含有する導電性酸化物を含む第3の導電層を有し、
前記第1の導電層の厚さは、前記第3の導電層の厚さの2倍以上5倍以下である表示装置。 - 前記第1の導電層の前記厚さは、50nm以上100nm以下である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第3の導電層の前記厚さは、10nm以上20nm以下である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1の導電層は順テーパー構造を有し、
前記第3の導電層は逆テーパー構造を有する、請求項1に記載の表示装置。 - 前記画素は、前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極を露出する開口部を有する隔壁をさらに有し、
前記第1の導電層と前記第2の導電層は、前記第3の導電層よりも端部が前記開口部に近い、請求項1に記載の表示装置。 - 窒素、酸素、およびケイ素を含有する絶縁膜上に画素電極を形成すること、
前記画素電極上に電界発光層を形成すること、および
前記電界発光層上に対向電極を形成することを含み、
前記画素電極の形成は、
インジウムと亜鉛を含有する導電性酸化物を含む第1の導電層を形成すること、
銀を含む第2の導電層を前記第1の導電層上に形成すること、
インジウムとスズを含有する導電性酸化物を含む第3の導電層を前記第2の導電層上に形成すること、
前記第3の導電層上にレジストを形成すること、
前記レジストをマスクとして用い、前記第3の導電層をシュウ酸によってエッチングすること、
前記レジストを除去すること、および
前記第3の導電層をマスクとして用い、前記第1の導電層と前記第2の導電層を硝酸、酢酸、およびリン酸を含む水溶液によってエッチングすることを含む、表示装置の製造方法。 - 前記画素電極の形成は、
前記第1の導電層の厚さを50nm以上100nm以下とし、
前記第1の導電層と前記第3の導電層の前記エッチング後における前記第3の導電層の厚さが10nm以上20nm以下になるように行う、請求項6に記載の製造方法。 - 前記第1の導電層と前記第2の導電層の前記エッチングは、前記第1の導電層が順テーパー構造を有し、前記第2の導電層が逆テーパー構造を有するように行う、請求項6に記載の製造方法。
- 前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極を露出する開口部を有する隔壁を形成することをさらに含み、
前記第1の導電層と前記第2の導電層の前記エッチングは、前記第1の導電層の端部と前記第2の導電層が、前記第3の導電層よりも端部が前記開口部に近くなるように行う、請求項6に記載の製造方法。 - 窒素、酸素、およびケイ素を含有する絶縁膜上に画素電極を形成すること、
前記画素電極上に電界発光層を形成すること、および
前記電界発光層上に対向電極を形成することを含み、
前記画素電極の形成は、
インジウムと亜鉛を含有する導電性酸化物を含む第1の導電層を形成すること、
銀を含む第2の導電層を前記第1の導電層上に形成すること、
インジウムとスズを含有する導電性酸化物を含む第3の導電層を前記第2の導電層上に形成すること、
前記第3の導電層上にレジストを形成すること、
前記レジストをマスクとして用い、前記第3の導電層をシュウ酸によってエッチングすること、
前記レジストと前記第3の導電層をマスクとして用い、前記第1の導電層と前記第2の導電層を硝酸、酢酸、およびリン酸を含む水溶液によってエッチングすることを含む、表示装置の製造方法。 - 前記画素電極の形成は、
前記第1の導電層の厚さを50nm以上100nm以下とし、
前記第1の導電層と前記第2の導電層の前記エッチング後における前記第3の導電層の厚さが10nm以上20nm以下になるように行う、請求項10に記載の製造方法。 - 前記第1の導電層と前記第2の導電層の前記エッチングは、前記第1の導電層が順テーパー構造を有し、前記第2の導電層が逆テーパー構造を有するように行う、請求項10に記載の製造方法。
- 前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極を露出する開口部を有する隔壁を形成することをさらに含み、
前記第1の導電層と前記第2の導電層の前記エッチングは、前記第1の導電層の端部と前記第2の導電層が、前記第3の導電層よりも端部が前記開口部に近くなるように行う、請求項10に記載の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017042560A JP6871023B2 (ja) | 2017-03-07 | 2017-03-07 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
PCT/JP2017/046005 WO2018163566A1 (ja) | 2017-03-07 | 2017-12-21 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
US16/537,697 US10665813B2 (en) | 2017-03-07 | 2019-08-12 | Display device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017042560A JP6871023B2 (ja) | 2017-03-07 | 2017-03-07 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018147770A true JP2018147770A (ja) | 2018-09-20 |
JP6871023B2 JP6871023B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=63448188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017042560A Active JP6871023B2 (ja) | 2017-03-07 | 2017-03-07 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10665813B2 (ja) |
JP (1) | JP6871023B2 (ja) |
WO (1) | WO2018163566A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190137205A (ko) * | 2018-05-31 | 2019-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2022224073A1 (ja) * | 2021-04-23 | 2022-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020198172A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
KR20220091632A (ko) * | 2020-12-23 | 2022-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269387A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Aitesu:Kk | 有機el素子 |
JP2008135325A (ja) | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置とその製造方法 |
JP5244439B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2013-07-24 | 三菱電機株式会社 | 透明導電膜、表示装置、及びこれらの製造方法 |
JP2012123987A (ja) | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-03-07 JP JP2017042560A patent/JP6871023B2/ja active Active
- 2017-12-21 WO PCT/JP2017/046005 patent/WO2018163566A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-08-12 US US16/537,697 patent/US10665813B2/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190137205A (ko) * | 2018-05-31 | 2019-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102637790B1 (ko) | 2018-05-31 | 2024-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2022224073A1 (ja) * | 2021-04-23 | 2022-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6871023B2 (ja) | 2021-05-12 |
WO2018163566A1 (ja) | 2018-09-13 |
US10665813B2 (en) | 2020-05-26 |
US20190363278A1 (en) | 2019-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9281349B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
JP6456317B2 (ja) | 表示装置、および可撓性表示装置 | |
JP2018200787A (ja) | 表示装置 | |
US10665813B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
JP2009015344A (ja) | 有機電界発光素子とその製造方法 | |
JP2015187928A (ja) | 有機el表示装置および電子機器 | |
JP2007317606A (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
JPWO2012077682A1 (ja) | 半導体装置および表示装置 | |
JP6726973B2 (ja) | 表示装置 | |
US8018143B2 (en) | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same | |
US9911802B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
US20210074792A1 (en) | Display panel, method of manufacturing same, and display device | |
CN108598145B (zh) | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 | |
JP6615001B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
JP5241966B2 (ja) | 半導体装置、tft基板、ならびに半導体装置およびtft基板の製造方法 | |
US9570526B2 (en) | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof | |
US9490447B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
KR102152846B1 (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
US9952460B2 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
JP5257828B2 (ja) | 回路基板及びその接続方法 | |
JP2008010275A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2018077422A (ja) | 表示装置 | |
US20200091258A1 (en) | Display device, display device production method, display device production apparatus, and controller | |
KR100463595B1 (ko) | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 | |
US20240128410A1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6871023 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |