JP2008010275A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】封止膜による封止状態が良好な、長寿命化が図られた画像表示装置を提供する。
【解決手段】素子基板上に間隔を空けて配置される第１及び第２の発光素子を取り囲むように形成される絶縁膜は、その上面に第１及び第２の発光素子を取り囲むように形成される凹部を有し、第１及び第２の補助電極は、その端部同士が凹部上で互いに間隔を空けて対向するように配置され、且つ端部が凹部の外周よりも内側まで延在されており、絶縁膜の凹部と第１及び第２の補助電極の端部とで凹部上に第１及び第２の補助電極の端部が張り出したオーバーハング構造を形成し、第１及び第２の補助電極にそれぞれ電気的に接続される第１及び第２の上部電極は、オーバーハング構造上において互いに物理的に分離されており、封止膜は、その厚みが凹部の底面から第１及び第２の上部電極の上面までの高さよりも大きい。
【選択図】 図１

Description

本発明は、画像表示装置に関するものであり、良好な封止状態が実現され、長寿命化が図られた画像表示装置に関する。

有機ＥＬ表示装置として、トップエミッション、アノードコモンの構造を有し、カソード電位は発光時に画素ごとに異なる電位を供給する形態の有機ＥＬ表示装置が広く用いられている。

従来、このような有機ＥＬ表示装置を製造する際には、カソード電極を画素毎にパレートして形成する方法として、ネガレジスト（ＮＲ）と呼ばれる逆台形の構造物を、各画素を囲うように配置する方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

図１８に、従来の有機ＥＬ表示装置の構成を示す。図１５に示すように従来の有機ＥＬ表示装置は、素子基板５０１上に形成された回路層５０２と、回路層５０２上に形成された平坦化膜５０３と、平坦化膜５０３上に形成されたアノード電極５０４と、アノード電極５０４上に形成された有機層５０５と、有機層５０５上に形成されたカソード電極５０６と、カソード電極５０６と回路層５０２とを電気的に接続するカソードコンタクト５０７と、層間絶縁膜５０８と、層間絶縁膜５０８上にネガレジスト（ＮＲ）により形成された隔壁５０９と、パネル全体を覆って設けられた封止膜５１０と、を備えて構成されている。

このような逆台形の構造を有する隔壁５０９がオーバーハング部を有することによって、カソード電極５０６となる材料をパネルの表面に蒸着した際に、成膜されたカソード電極膜が隔壁５０９によって段切れし、画素ごとに電気的に独立したカソード電極５０６を作製することができる。

特開２０００−２１５９８９号公報

ところで、有機ＥＬ表示装置の有機層、カソード電極およびアノード電極は、水分や酸素の影響によりその機能を失う。そこで、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の封止膜でパネル全体を覆うことで、外部からの水分や酸素の浸入を防ぐ手法が取られている。

しかしながら、上記従来の技術によれば、隔壁５０９は突出してオーバーハング部を形成するため、隔壁５０９の側面部分や根元部分で封止膜５１０の膜厚が薄くなりカバレッジが低下し、有機ＥＬ表示装置の寿命が短くなるおそれがある。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、封止膜による封止状態が良好な、長寿命化が図られた画像表示装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる画像表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に間隔を空けて配置される第１及び第２の発光素子と、前記第１及び第２の発光素子を取り囲むように形成される絶縁膜と、前記第１及び第２の発光素子がそれぞれ有する第１及び第２の上部電極に対して電気的に接続され、前記絶縁膜上に形成される第１及び第２の補助電極と、前記第１の発光素子の配置領域から前記第２の発光素子の配置領域にかけて連続的に被覆する封止膜と、を備えた画像形成装置において、前記絶縁膜は、その上面に前記第１及び第２の発光素子を取り囲むように形成される凹部を有し、前記第１及び第２の補助電極は、その端部同士が前記凹部上で互いに間隔を空けて対向するように配置され、且つ前記端部が前記凹部の外周よりも内側まで延在されており、前記絶縁膜の前記凹部と前記第１及び第２の補助電極の前記端部とで前記凹部上に前記第１及び第２の補助電極の端部が張り出したオーバーハング構造を形成し、前記第１及び第２の補助電極にそれぞれ電気的に接続される前記第１及び第２の上部電極は、前記オーバーハング構造上において互いに物理的に分離されており、前記封止膜は、その厚みが前記凹部の底面から前記第１及び第２の上部電極の上面までの高さよりも大きいことを特徴とする。

この発明によれば、膜厚の薄い封止膜により、パネル全体をカバレッジ良く封止することにより、外部からの水分や酸素の浸入を良好に防ぐことができ、水分や酸素の影響を受けやすい発光素子を良好に水分や酸素から保護することができる。したがって、この発明によれば、封止膜による封止状態が良好な、長寿命化が図られた画像表示装置を提供できる、という効果を奏する。

以下に、本発明にかかる画像表示装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

実施の形態
図１および図２−１〜図２−３は、本発明の実施の形態にかかる画像表示装置であり、たとえば携帯情報端末などの表示部に用いられる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。図１は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図２−１は、実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における特徴を説明するための平面図である。図２−２は、図２−１における線分ＡーＡ’における断面図である。図２−３は、図２−１における線分ＢーＢ’における断面図である。

本実施の形態にかかる有機ＥＬ素子は、基板側から光を取り出す構造ではなく、上面側（有機電界発光素子部側）から光を取り出すトップエミッション型構造を採用している。

図１および図２−１〜図２−３に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、素子基板１０１上に画素をマトリクス状に配列してなるものであり、素子基板１０１上に形成された回路層１０２と、回路層１０２上に形成された平坦化膜１０３と、平坦化膜１０３上に形成された下部電極１０４と、下部電極１０４上に形成された有機層１０５と、有機層１０５上に形成された上部電極１０６と、平坦化膜１０３上に形成され、上部電極１０６と回路層１０２とを電気的に接続するコンタクト１０７と、層間絶縁膜１０８と、コンタクト１０７上および層間絶縁膜１０８上に形成された補助電極１０９と、パネル全体を覆って設けられた封止膜１１０と、を備えて構成されている。なお、封止膜１１０上に封止基板を設けても良い。

素子基板１０１は、たとえばプラスチックやガラスを用いることができるが、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であるため、素子基板は透光性の基板でなくても良い。

回路層１０２には、有機ＥＬ素子の駆動制御等を行うためのTFTやコンデンサ等の各種回路（図示せず）が形成されている。そして、回路層１０２上の平坦化を行うために回路層１０２を覆って平坦化膜１０３が形成され、該平坦化膜１０３の上に有機ＥＬ素子が形成されている。

有機ＥＬ素子の基本構造は、有機層１０５が下部電極１０４と上部電極１０６とに挟まれた構造である。上部電極１０６は、隣接する画素の上部電極１０６と電気的に絶縁されている。一方、この有機ＥＬ表示装置では、下部電極１０４は隣接する画素の下部電極と電気的に接続されているため、下部電極１０４はコモン電極とされている。一般的には素子基板１０１上に形成される下部電極１０４が陽極（アノード）であり、有機層１０５を挟んで下部電極１０４と相対して形成される上部電極１０６が陰極（カソード）である。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であるため、上部電極１０６は光を透過する電極材料を使用する。光透過性の電極材料としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明金属材料があるが、本来、透明ではないＣａやＭｇ、Ａｇ等の金属材料であっても極めて薄く被着させることにより、光を透過させることができる。有機層１０５はホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数層で構成する場合が多い。下部電極１０４は、光を反射させることが可能な金属材料、例えばアルミニウム等により形成される。なお、本発明においては、カソードとアノードの位置関係が上記と逆であっても構わない。

以上のように構成された本実施の形態にかかる画像表示装置である有機ＥＬ表示装置においては、コンタクト１０７上および層間絶縁膜１０８上に補助電極１０９を有するため、コンタクトの形状によらず容易に上部電極（カソード）電位を上部電極（カソード）１０６に供給することができる。このような補助電極１０９は、たとえばＩＴＯやＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等のインジウムの酸化物等が好ましい。

また、この有機ＥＬ表示装置においては、図１、図２−１および図２−２に示すように、層間絶縁膜１０８上に凹部１０８ａが形成されており、該凹部によって上部電極１０６及び補助電極１０９は隣接する画素の上部電極１０６及び補助電極１０９と離間している。そして、層間絶縁膜１０８の凹部１０８ａ内に封止膜１１０が被着されることにより、隣接する画素の上部電極１０６同士、補助電極１０９同士の電気的絶縁性をより高めている。なお、図２−１および図２−２では、本発明において特徴的な該凹部と補助電極１０９について示しており、他の部材については省略している部分がある。

従来の有機ＥＬ表示装置のように、ネガレジスト構造体で上部電極のセパレータの役目を果たす場合は、ネガレジストにオーバーハング部を持たせ、且つ構造物としての強度を持たせるため、５μｍ程度の幅と３μｍ程度の高さを確保する必要がある。また、ネガレジスト構造体の根元付近における封止膜のカバレージを良くするためには、分厚い封止膜を成膜する必要がある。

それに対して、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、補助電極１０９を上部電極のセパレータとして機能させるために、上述した凹部１０８ａの深さと幅は１μｍ以上に設定すればよく、その溝を埋めるのに必要な封止膜の膜厚は薄くできる。本発明においては、封止膜の膜厚が、凹部１０８ａの深さと補助電極１０９の厚みと上部電極１０６の厚みの合計よりも厚く形成される。

これにより、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、膜厚の薄い封止膜１１０により、パネル全体をカバレッジ良く封止することができる。その結果、外部からの水分や酸素の浸入を良好に防ぐことができ、有機層１０５や上部電極１０６など、水分や酸素の影響を受けやすい部材を良好に水分や酸素から保護することができる。したがって、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置によれば、封止膜による封止状態が良好な、長寿命化が図られた有機ＥＬ表示装置が実現できる。

つぎに上記のような本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法について図３−１〜図１４を参照ながら説明する。

まず、素子基板１０１としては、たとえばプラスチックやガラスなどの基板を準備する。そして、図３−１に示すように各種回路（図示せず）が形成された回路層１０２を素子基板１０１上に形成する。つぎに、図３−１に示すように該回路層１０２上に平坦化膜１０３を形成する。

つぎに、平坦化膜１０３上に導電性膜を形成し、パターニングすることにより、図３−１に示すように平坦化膜１０３上に所定の形状の下部電極１０４およびコンタクト１０７を形成する。

ついで、図３−１、図３−２および図３−３に示すように、コンタクト１０７上、平坦化膜１０３上および下部電極１０４上に絶縁膜を形成し、所定の形状にパターニングすることにより、隣接する画素を絶縁し、またコンタクト１０７と下部電極１０４とを絶縁する層間絶縁膜１０８を得る。なお、図ｎ−２は図ｎ−１の平面図であり、図ｎ−３は図ｎ−２の線分Ａ−Ａ’における断面図である（ｎは３〜７の自然数）。

つづいて、図４−１、図４−２および図４−３に示すように、下部電極１０４上、コンタクト１０７上および層間絶縁膜１０８上にたとえばＩＴＯ膜１０９ａを形成する。

そして、このＩＴＯ膜１０９ａをパターニングすることにより、図５−１、図５−２および図５−３に示すように、画素間境界部に対応するこのＩＴＯ膜１０９ａを除去し、コンタクト１０７上および層間絶縁膜１０８上に所定の形状の複数の補助電極１０９を形成する。ここで、複数の補助電極１０９は画素間を絶縁するための層間絶縁膜１０８上で互いに離間して形成される。

つぎに、図６−１、図６−２および図６−３に示すように、下部電極１０４上、層間絶縁膜１０８上および補助電極１０９上に、後の層間絶縁膜１０８のドライエッチングにおいてマスクとなる、たとえばレジストマスク２０１を形成する。ここで、画素間を絶縁するための層間絶縁膜１０８上において補助電極１０９を離間させた部分にはレジストマスク２０１は形成しない。

また、ここでは、下部電極１０４上、層間絶縁膜１０８上および補助電極１０９上にレジストを形成しているが、後のドライエッチングによりダメージを与えたくない部分に限定してレジストを形成しても良い。

そして、このレジストマスク２０１をマスクとして用いて、画素間境界部に対応する層間絶縁膜１０８に対してドライエッチングを施すことにより、図７−１、図７−２および図７−３に示すように、補助電極１０９が張り出す（オーバーハング部となるように）層間絶縁膜１０８の画素間境界部に対応する部分に凹部を形成する。これにより、補助電極１０９が内方向に突出するように層間絶縁膜１０８に凹部１０８ａが形成される。ここで、凹部は、たとえば１μｍの深さと幅とを有する大きさとされる。

ここでは凹部の内側面は順テーパー形状となるが、凹部１０８ａの内側面は順テーパー形状でも逆テーパー形状でも良い。また、ドライエッチングが進むにつれて画素間境界部のレジストマスク２０１が無くなった場合には、補助電極１０９がマスクとして機能させる。この場合には、補助電極１０９が層間絶縁膜１０８よりも硬い材料により構成される。

つづいて、レジストマスク２０１の除去後、上部電極１０６の形成領域を覆うシャドウマスク２１１を用いて有機材料を蒸着することにより、図８に示すように有機層１０５を形成し、さらに図９−１に示すように有機層１０５上および補助電極１０９上に導電材料を蒸着することにより上部電極１０６を形成し、有機ＥＬ素子を形成する。なお、上述した有機ＥＬ素子の各層は、たとえば周知の真空蒸着によって形成することができる。

ここで、本実施の形態においては、補助電極１０９がオーバーハング部となっているため、上部電極１０６となる導電材料を蒸着した際に図９−２に示すように補助電極１０９の端部において上部電極１０６（導電膜）が段切れする。これにより、上部電極１０６（導電膜）が画素毎に分離される。すなわち、本実施の形態においては、補助電極１０９は補助電極としての機能と、上部電極１０６の切断部材としての機能と、の２つの機能を有する。

また、上部電極１０６（導電膜）が段切れのし易さは図９−２に示すように補助電極１０９の下面と層間絶縁膜１０８の上面との距離Ｙに影響される。距離Ｙが長いほど上部電極１０６（導電膜）が段切れし易くなる。また、補助電極１０９の下面と層間絶縁膜１０８の上面との交点から補助電極１０９の端部までの距離Ｘが長いほど距離Ｙは長くなるが、距離Ｘが長すぎると、上部電極１０６の重さにより補助電極１０９が折れてしまう虞がある。したがって、距離Ｘが短く、距離Ｙが長い構造が好ましい。例えばＸは０．０５μｍ〜０．５μｍ、Ｙは０．１μｍ〜１μｍが好ましい。

その後、図１０に示すように、素子基板１０１の全面に封止膜１１０を形成する。このとき、層間絶縁膜１０８の画素間境界部に対応する部分に形成され、上部電極１０６（導電膜）の切断に用いられた凹部１０８ａの大きさはたとえば１μｍの深さと幅とを有する大きさとされているため、該凹部１０８ａを埋めるのに必要な封止膜１１０の膜厚を薄くすることができる。これにより、膜厚の薄い封止膜１１０により、パネル全体をカバレッジ良く封止することができる。

以上の工程を経ることにより、図１に示す本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置を作成することができる。

上述したように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、コンタクト１０７上および層間絶縁膜１０８上に補助電極１０９を形成するため、コンタクトの形状によらず容易に上部電極（カソード）電位を上部電極（カソード）１０６に供給することが可能な有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

また、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、補助電極１０９を、上部電極１０６を形成する際の切断部材として使用する。すなわち、補助電極１０９と、層間絶縁膜１０８の画素間境界部に対応する領域に設けられた凹部と、を用いて上部電極１０６を画素毎に切断することができる。また、凹部１０８ａの深さはたとえば５００ｎｍ以上の浅い深さで良い（層間絶縁膜１０８の小型化の観点から、凹部の深さ及び幅は、５００ｎｍ〜１μｍが好ましい）。これにより、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、膜厚の薄い封止膜１１０により、パネル全体をカバレッジ良く封止することができる。

その結果、外部からの水分や酸素の浸入を良好に防ぐことができ、有機層１０５や上部電極１０６など、水分や酸素の影響を受けやすい部材を良好に水分や酸素から保護することができる。したがって、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、封止膜による封止状態が良好な、長寿命化が図られた有機ＥＬ表示装置を作製することができる。

また、上記においては、図６−１、図６−２および図６−３に示すように、下部電極１０４上、層間絶縁膜１０８上および補助電極１０９上にレジストマスク２０１を形成する場合について説明したが、図１１−１に示すように補助電極１０９上にレジストマスク２０１を形成せずに、図１１−２に示すように補助電極１０９をマスクとして用いて、画素間境界部に対応する層間絶縁膜１０８に対してドライエッチングを施して図１１−３に示すように、層間絶縁膜１０８に凹部１０８ａを形成しても良い。この場合には、補助電極１０９は層間絶縁膜１０８よりも硬い材料により構成することが必須である。

また、層間絶縁膜１０８の下部がエッチングされすぎて、補助電極１０９の張り出し（オーバーハング）が大きくなりすぎてしまうと、補助電極１０９が折れてしまう虞がある。この場合には、図１２−１に示すように、レジストマスク２０１の離間距離を狭める。これにより、まず、レジストマスク２０１の間の層間絶縁膜１０８がエッチングにより掘りこまれ、レジストマスク２０１がエッチングにより無くなるにつれて、図１２−２に示すように層間絶縁膜１０８の掘れ幅が広がり、さらにエッチングを進めることで図１２−３に示すように補助電極１０９が張り出した（オーバーハング部とされた）状態で凹部を形成することができる。

また、従来の有機ＥＬ表示装置のようにネガレジストからなる隔壁５０９のような画素を囲う高さの高い構造物がある場合は、面状シール材を用いて封止基板を素子基板に対して接着する場合、面シールの中に気泡が入りやすいという問題がある。

これに対して、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、図１３−１〜図１３−４に示すように、封止膜１１０上に封止基板２２１を接着して封止を行う場合でも、画素を囲う構造物の高さが低いため、図１３−３に示すように面状シール材２２２の中の気泡２２３はパネルの側面方向から外部に排出され、気泡２２３の発生、残留を図１３−４に示すように抑制できる。また、ネガレジストからなる隔壁５０９のような画素を囲う高さの高い構造物が存在しないため、面状シール材２２２の厚みが薄くなり、セルギャップが小さくなり、パネル周辺のシール部からも侵入する水分を低減させることができる。これにより、信頼性にすぐれた有機ＥＬ表示装置を作製することができる。

また、画素領域を取り囲む枠状シール材２２４を用いて封止基板２２１を素子基板１０１に接着する場合、従来の有機ＥＬ表示装置のように、ネガレジストからなる隔壁のような画素を囲う高さの高い構造物があると、外周部等における枠状シールの厚みは厚くなる。

ここで、有機ＥＬ表示装置の信頼性に大きく影響する水分は、パネル周辺のシール部から侵入する。そして、水分の透過率は断面積に比例するので、枠状シールの厚みが厚くなり、セルギャップが大きくなると、侵入する水分も増加してしまう。

これに対して、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、図１４に示すように、ネガレジストからなる隔壁５０９のような画素を囲う高さの高い構造物が存在しないため、枠状シール材２２４の厚みＨ１が薄くなり、セルギャップが小さくなり、パネル周辺のシール部からも侵入する水分を低減させることができる。これにより、信頼性にすぐれた有機ＥＬ表示装置を作製することができる。

また、従来の有機ＥＬ表示装置のように、ネガレジストからなる隔壁５０９のような画素を囲う格子状の高さの高い構造物がある場合は、デバイス作成前の洗浄で完全に異物を除去できず、点灯欠陥の原因となる。これに対して、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、ネガレジストからなる隔壁５０９のような画素を囲う格子状の高さの高い構造物が存在しないため、洗浄の際に異物が残りにくく、洗浄精度を高めることできる。これにより、異物の洗浄に起因した点灯欠陥の発生を抑制することができる。

以上のように、本発明にかかる画像表示装置は、耐久性の要求される利用用途に有用である。

本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における特徴を説明するための平面図である。 図２−１における線分ＡーＡ’における断面図である。 図２−１における線分ＢーＢ’における断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図３−２の線分Ａ−Ａ’における断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図４−２の線分Ａ−Ａ’における断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図５−２の線分Ａ−Ａ’における断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図６−２の線分Ａ−Ａ’における断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図７−２の線分Ａ−Ａ’における断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。

符号の説明

１０１ 素子基板
１０２ 回路層
１０３ 平坦化膜
１０４ 下部電極
１０５ 有機層
１０６ 上部電極
１０７ コンタクト
１０８ 層間絶縁膜
１０８ａ 凹部
１０９ 補助電極
１１０ 封止膜
２０１ レジストマスク
２２１ 封止基板
２２２ 面状シール材
２２３ 気泡
２２４ 枠状シール材
５０１ 素子基板
５０２ 回路層
５０３ 平坦化膜
５０４ アノード電極
５０５ 有機層
５０６ カソード電極
５０７ カソードコンタクト
５０８ 層間絶縁膜
５０９ ネガレジスト
５０９ 隔壁
５１０ 封止膜
５２１ 封止基板

Claims (3)

1. 素子基板と、
   前記素子基板上に間隔を空けて配置される第１及び第２の発光素子と、
   前記第１及び第２の発光素子を取り囲むように形成される絶縁膜と、
   前記第１及び第２の発光素子がそれぞれ有する第１及び第２の上部電極に対して電気的に接続され、前記絶縁膜上に形成される第１及び第２の補助電極と、
   前記第１の発光素子の配置領域から前記第２の発光素子の配置領域にかけて連続的に被覆する封止膜と、を備えた画像形成装置において、
   前記絶縁膜は、その上面に前記第１及び第２の発光素子を取り囲むように形成される凹部を有し、
   前記第１及び第２の補助電極は、その端部同士が前記凹部上で互いに間隔を空けて対向するように配置され、且つ前記端部が前記凹部の外周よりも内側まで延在されており、前記絶縁膜の前記凹部と前記第１及び第２の補助電極の前記端部とで前記凹部上に前記第１及び第２の補助電極の端部が張り出したオーバーハング構造を形成し、
   前記第１及び第２の補助電極にそれぞれ電気的に接続される前記第１及び第２の上部電極は、前記オーバーハング構造上において互いに物理的に分離されており、
   前記封止膜は、その厚みが前記凹部の底面から前記第１及び第２の上部電極の上面までの高さよりも大きいことを特徴とする画像表示装置。
2. 前記補助電極が、ＩＴＯまたはＩＺＯにより形成されていること、
   を特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記素子基板に対向して設けられる封止基板と、
   前記封止基板と前記素子基板とを接着する封止材と、
   を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置。

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