JP2009301883A - 有機el素子及び有機el素子の製造方法 - Google Patents

有機el素子及び有機el素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009301883A
JP2009301883A JP2008155422A JP2008155422A JP2009301883A JP 2009301883 A JP2009301883 A JP 2009301883A JP 2008155422 A JP2008155422 A JP 2008155422A JP 2008155422 A JP2008155422 A JP 2008155422A JP 2009301883 A JP2009301883 A JP 2009301883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
emitting layer
electrode
light emitting
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008155422A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5303199B2 (ja
Inventor
Hideyuki Kobayashi
秀幸 小林
Koichi Mori
浩一 森
Norifumi Kawamura
憲史 川村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2008155422A priority Critical patent/JP5303199B2/ja
Publication of JP2009301883A publication Critical patent/JP2009301883A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5303199B2 publication Critical patent/JP5303199B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】有機発光層の劣化を抑制できる有機EL素子を提供する。
【解決手段】有機EL素子1は、基板2と、基板2上に形成された透明電極3と、透明電極3上に形成された有機発光層4と、有機発光層4上に形成された陰極5と、有機発光層4及び陰極5を覆うように、且つ、基板2側に向かって広がるテーパ部8が外周部に形成された樹脂からなる平坦化膜6と、平坦化膜6の上面に形成された無機物からなる封止膜7とを備えている。テーパ部8は、透明電極3または基板2と接する領域まで傾斜している。
【選択図】図1

Description

本発明は、封止膜を備えた有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子及び有機EL素子の製造方法に関する。
現在、有機発光層を備えた有機EL素子が知られている。有機発光層は、水分や酸素に弱い。このため、水分や酸素を遮断して、有機発光層を保護するための封止膜が提案されている。
有機発光層を保護するための封止膜としては、樹脂等の有機物が知られている。しかしながら、樹脂により封止膜を構成した場合、水分や酸素の遮蔽が十分でないといった問題がある。
そこで、特許文献1には、有機発光層をガラスからなる保護基板によって保護された有機EL素子が開示されている。特許文献1の有機EL素子では、保護基板の外周部が樹脂からなる封着材によって基板上に形成された陽極と封着されている。
特開2000−133439号公報
しかしながら、特許文献1の有機EL素子では、水分等が、保護基板の外周部に設けられた封着材を透過して、有機発光層が形成された領域に侵入する。この結果、有機発光層の外周部から劣化が進行し易いといった課題があった。
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、有機発光層の劣化を抑制できる有機EL素子及び有機EL素子の製造方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、基板と、前記基板上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第2電極と、前記有機発光層及び前記第2電極を覆うように、且つ、前記基板側に向かって広がるテーパ部が外周部に形成され、樹脂からなる平坦化膜と、前記平坦化膜の上面に形成された無機物からなる封止膜とを備え、前記テーパ部は、前記第1電極または前記基板と接する領域まで傾斜していることを特徴とする有機EL素子である。
また、請求項2に記載の発明は、前記有機発光層及び前記第2電極上に抵抗加熱蒸着法によって形成された絶縁材料からなるバッファー層を備えたことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子である。
また、請求項3に記載の発明は、前記封止膜上に形成された樹脂製の接着層と、前記接着層に接着された封止板とを備えたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機EL素子である。
また、請求項4に記載の発明は、前記平坦化膜と前記封止膜とが交互に複数積層されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の有機EL素子である。
また、請求項5に記載の発明は、基板上に第1電極を形成する工程と、前記第1電極上に有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上に第2電極を形成する工程と、前記第1電極の一部、前記有機発光層及び前記第2電極を覆うように、硬化剤を含む熱可塑性樹脂によって平坦化膜を成膜する工程と、前記平坦化膜を加熱により軟化させた後、硬化させることにより前記平坦化膜の外周部にテーパ部を形成する工程と、前記平坦化膜上に封止膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする有機EL素子の製造方法である。
また、請求項6に記載の発明は、基板上に第1電極を形成する工程と、前記第1電極上に有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上に第2電極を形成する工程と、収縮性を有する熱硬化性樹脂を加熱した後、冷却することによって外周部にテーパ部が形成された平坦化膜を、前記第1電極の一部、前記有機発光層及び前記第2電極を覆うように成膜する工程と、前記平坦化膜上に封止膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする有機EL素子の製造方法である。
また、請求項7に記載の発明は、前記平坦化膜を成膜する工程は、大気圧よりも減圧された状態で行われることを特徴とする請求項5または請求項6のいずれか1項に記載の有機EL素子の製造方法である。
また、請求項8に記載の発明は、前記平坦化膜を成膜する工程の前に、前記有機発光層及び前記第2電極上に抵抗加熱蒸着法によって、絶縁材料からなるバッファー層を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の有機EL素子の製造方法である。
本発明では、基板側に向かって広がるテーパ部を有する樹脂製の平坦化膜が有機発光層を覆うように形成されている。これにより、平坦化膜により有機発光及び第2電極によって形成された凹凸を低減することができる。また、テーパ部は、第1電極または基板と接する領域まで傾斜している。この結果、平坦化膜の上面に形成される封止膜の不連続を抑制することができるので、有機発光層の劣化を抑制できる。
(第1実施形態)
以下、図面を参照して、本発明をボトムエミッション型の有機EL素子に適用した第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態による有機EL素子の断面図である。図2は、第1実施形態による有機EL素子の平面図である。図3は、平坦化膜のテーパ部の傾斜を説明する図である。
以下の説明において、図1及び図2に示すXYZをXYZ方向とする。また、+Z方向を上方向、−Z方向を下方向とする。尚、図1は、図2におけるI−I線に沿った断面図である。
図1及び図2に示すように、第1実施形態による有機EL素子1は、基板2と、透明電極(請求項の第1電極に相当)3と、有機発光層4と、陰極(請求項の第2電極に相当)5と、平坦化膜6と、封止膜7とを備えている。
基板2は、光を透過可能なガラス基板からなる。基板2は、約0.7mmの厚みを有する。基板2は、平面視にて、長方形状に形成されている。基板2の上面は、各層3〜7が形成される成長主面2aである。基板2の下面は、有機発光層4により発光された光が取り出される光取出面2bである。
透明電極3は、基板2の成長主面2a上に形成されている。透明電極3は、光を透過可能な約150nmの厚みを有するITO(酸化インジウムスズ)からなる。透明電極3は、陽極11と、陰極端子12とを含む。透明電極3には、陽極11と陰極端子12とを分離して、電気的に絶縁するための絶縁溝13が形成されている。絶縁溝13は、基板2のY方向の全長にわたって延びるように形成されている。絶縁溝13は、基板2の成長主面2aが露出するように形成されている。
陽極11は、有機発光層4に正孔を注入するためのものである。陽極11は、絶縁溝13から視て、−X方向側に形成されている。陽極11は、成長主面2aの約2/3の面積を有する長方形状に形成されている。陽極11は、有機発光層4の下面と電気的に接続されている。陽極11の外周部には、陽極端子11aとして機能する。陽極端子11aは、封止膜7から露出している。陽極端子11aには、外部の電源(図示略)が接続される。
陰極端子12は、外部の電源と陰極5とを接続するためのものである。陰極端子12は、絶縁溝13から視て、+X方向側に形成されている。陽極11は、成長主面2aの約1/4の面積を有する長方形状に形成されている。陰極端子12は、陰極5と電気的に接続されている。陰極端子12の外周部は、露出されている。露出された陰極端子12の外周部には、外部の電源が接続される。
有機発光層4は、光を発光するためのものである。有機発光層4は、平面視にて、基板2の外周部よりも小さい、長方形状に形成されている。有機発光層4には、正孔輸送層及び電子輸送層が陽極11側から順に積層されている。正孔輸送層は、約50nmの厚みを有するNPD(ジフェニルナフチルジアミン)膜からななる。電子輸送層は、約50nmの厚みを有し、色素を混入させたキノリノールアルミ錯体(Alq)膜からなる。有機発光層4は、陽極11上に電気的に接続された状態で形成されている。有機発光層4の+X方向側の端部は、絶縁溝13の内部に形成されている。
陰極5は、有機発光層4に電子を注入するためのものである。陰極5は、平面視にて、長方形状に形成されている。陰極5は、有機発光層4及び陰極端子12上に電気的に接続された状態で形成されている。これにより、陰極5は、有機発光層4と陰極端子12とを電気的に接続する。−X方向及び±Y方向において、陰極5は、有機発光層4よりも一回り小さくなるように形成されている。これにより、陰極5が、陽極11と短絡されることを抑制できる。陰極5の一部は、絶縁溝13に形成されているが、絶縁溝13に形成された有機発光層4によって陽極11と絶縁されている。陰極5は、約100nmの厚みを有するAl膜からなる。
平坦化膜6は、基板2上に形成された各層3〜5のうち最表面である陰極5の上に存在する凹凸を減少させて、封止膜7の不連続や欠陥を抑制するためのものである。平坦化膜6は、平面視にて、長方形状に形成されている。平坦化膜6は、基板2、透明電極3、有機発光層4及び陰極5を覆うように形成されている。平坦化膜6の下面の外周は、有機発光層4の外周及び陰極5の外周よりも外側に形成されている。即ち、平坦化膜6の下面は、基板2、または、透明電極3の上面に達するまで形成されている。平坦化膜6は、約20μmの厚みを有する。平坦化膜6は、硬化剤を含むエポキシ系熱可塑性樹脂からなる。硬化剤は、イミダゾール化合物からなる。硬化剤は、一度、硬化した熱可塑性樹脂が、加熱によって軟化することを抑制するためのものである。
図1に示すように、平坦化膜6の外周部には、テーパ部8が形成されている。ここで、図3に示すように、平坦化膜6のテーパ部8の下部の傾斜角度αは、α<90°となるように構成されている。尚、傾斜角度αは、テーパ部8の内面と陽極11の上面、または、基板2の成長主面2aとのなす角度である。平坦化膜6は、上面(+Z側の面)よりも下面(−Z側の面)が大きくなるように構成されている。即ち、テーパ部8は、基板2及び透明電極3側に向かって広がるように形成されている。また、テーパ部8は、基板2及び透明電極3と接する領域まで傾斜している。
封止膜7は、水分や酸素を遮断して、有機発光層4の劣化を抑制するためのものである。封止膜7は、平面視にて、長方形状に形成されている。封止膜7は、テーパ部8を含む平坦化膜6の上面全体を覆うように形成されている。封止膜7の外周は、平面視において、平坦化膜6の外周よりも外側になるように形成されている。即ち、封止膜7は、基板2、または、透明電極3の上面に達するまで形成されている。封止膜7は、約100nmの厚みを有する。封止膜7は、スパッタ法によって成膜された緻密なAl膜からなる。
次に、上述した第1実施形態による有機EL素子1の動作を説明する。
まず、有機EL素子1の陽極端子11aには、外部の電源から正孔が注入される。また、有機EL素子1の陰極端子12には、外部の電源から電子が注入される。陽極端子11aに注入された正孔は、陽極11を介して、有機発光層4に注入される。一方、陰極端子12に注入された電子は、陰極5を介して、有機発光層4に注入される。有機発光層4に注入された正孔と電子は、再結合して光を発光する。発光された光は、陽極11及び基板2を透過して、光取出面2bから外部へと照射される。
次に、上述した第1実施形態による有機EL素子1の製造方法について説明する。図4〜図11は、第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。
まず、図4に示すように、チャンバーに導入された基板2の成長主面2aの全面にITOからなる透明電極3を形成する。
次に、図5に示すように、フォトリソグラフィー法により、絶縁溝13を形成する領域が露出するように、透明電極3上にレジスト膜21を形成する。その後、エッチング法によって、陽極11と陰極端子12との間に絶縁溝13を形成する。この後、レジスト膜21を除去する。
次に、図6に示すように、中央部に開口部22aが形成されたシャドウマスク22を用いて、陽極11の上面及び絶縁溝13の内部の所定の領域に有機発光層4を蒸着する。
次に、図7に示すように、中央部に開口部23aが形成されたシャドウマスク23を用いて、有機発光層4の上面、絶縁溝13の内部及び陰極端子12の上面の所定の領域にAl膜からなる陰極5を蒸着する。
次に、図8に示すように、硬化剤を含むエポキシ系の熱可塑性樹脂シート24を所望の形状に切断した後、保持フィルム25に貼り付ける。各層3〜5が形成された基板2と同じチャンバーに熱可塑性樹脂シート24及び保持フィルム25を導入する。この後、チャンバーを約1kPaに減圧する。
次に、図9に示すように、有機発光層4及び陰極5を覆うように熱可塑性樹脂シート24を載置する。ここで、熱可塑性樹脂シート24の外周が、有機発光層4の外周よりも外側になるように、熱可塑性樹脂シート24を位置決めする。
次に、基板2側から約100℃で5分間加熱することによって、熱可塑性樹脂シート24を流動性のある状態にした後、上面から下方向に向かって1気圧の圧力を加える。次いで、チャンバーを大気圧に戻し、樹脂を密着させる。以上のようにして、透明電極3の一部、有機発光層4及び陰極5を覆うように熱可塑性樹脂からなる平坦化膜6を成膜する。この後、室温まで降温した後、図10に示すように、保持フィルム25を除去する。
次に、チャンバー内を大気圧にした状態で、基板2側から平坦化膜6を約100℃で加熱する。これによって、平坦化膜6が軟化する。更に、約100℃で1時間加熱することによって、硬化剤により平坦化膜6が徐々に硬化し始める。これにより、平坦化膜6に熱収縮が起こって、応力が逃げる。この結果、図11に示すように、平坦化膜6の外周部にテーパ部8が形成される。この後、平坦化膜6を室温まで冷却する。尚、本工程においても、チャンバー内を減圧してもよく、また、窒素雰囲気中で行ってもよい。
次に、スパッタ法により平坦化膜6上に、Alからなる封止膜7を成膜する。ここで、封止膜7を成膜する方法として、対向ターゲット式スパッタ法を採用した。また、スパッタ法における各条件は、
ターゲット:Al(アルミニウム)
成膜ガス :Ar(アルゴン) 100sccm〜200sccm
(酸素) 6sccm〜20sccm
成膜圧力 :0.3Pa〜0.5Pa
投入電力 :1kW〜2.8kW
膜厚 :300nm
成膜レート:0.051nm/s〜0.96nm/s
である。
これにより、図1及び図2に示す有機EL素子1が完成する。
次に、図12〜図15に示すように、陽極11上に異物31が付着した場合について説明する。尚、図12〜図15は、陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。尚、図12、図14及び図15は、製造過程の有機EL素子の断面図である。図13は、製造過程の有機EL素子の平面図である。
まず、図12及び図13に示すように、陽極11上に異物31が付着した状態で、有機発光層4及び陰極5を形成すると、一部の有機発光層4a及び陰極5aが異物31上に形成される。
次に、図14に示すように、上述した平坦化膜形成工程と同様の工程によって、平坦化膜6を形成する。ここで、平坦化膜6は、減圧されたチャンバー内で、加熱によって軟化させた後に、硬化させている。このため、異物31の周りにも略隙間なく平坦化膜6が形成される。
次に、図15に示すように、スパッタ法により封止膜7を形成する。ここで、平坦化膜6によって、異物31による凹凸が低減されているので、封止膜7が不連続になることなく形成される。
上述したように第1実施形態による有機EL素子1は、樹脂製の平坦化膜6によって有機発光層4を覆っている。これにより、有機発光層4や陰極5によって形成された凹凸を抑制することができるので、封止膜7の不連続を抑制することができる。更に、有機EL素子1では、平坦化膜6の外周部を、基板2側に向かって広がるテーパ状に形成することによって、封止膜7の外周部が不連続になることを抑制できる。この結果、封止膜7による水分や酸素等の遮断性を向上させることができ、有機発光層4の劣化を抑制できる。このため、有機発光層4の発光面積の縮小やダークスポットの拡大を抑制できる。
また、有機EL素子1では、樹脂製の平坦化膜6を形成することによって、Al等に比べて短時間で厚膜化することができる。平坦化膜6を厚膜化することにより、大きな異物31に容易に対応することができる。平坦化膜6を厚膜化した場合でも、内部応力等による剥離を抑制できる。
また、有機EL素子1では、熱可塑性樹脂シート24によって平坦化膜6を形成しているので、端子11a、12を露出させるためのパターン形成プロセスとして知られているフォトリソグラフィー工程やエッチング工程を省略することができる。
また、有機EL素子1では、減圧下で平坦化膜6を形成しているので、平坦化膜6の密着性を向上させることができる。これにより、異物31の周りの隙間を低減できるので、異物31の周りの有機発光層4の劣化を抑制できる。
(第2実施形態)
次に、第1実施形態の有機EL素子を部分的に変更した第2実施形態について、図面を参照して説明する。図16は、第2実施形態による有機EL素子の断面図である。尚、上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
図16に示すように、第2実施形態による有機EL素子1Aは、バッファー層9を備えている。
バッファー層9は、平坦化膜6や封止膜7を形成する際に、有機発光層4の破損を抑制するためのものである。バッファー層9は、有機発光層4及び陰極5を覆うように形成されている。バッファー層9は、平坦化膜6の下層に形成されている。バッファー層9は、抵抗加熱蒸着法によって形成されている。バッファー層9は、約100nmの厚みを有するLiFからなる。
第2実施形態による有機EL素子1Aは、バッファー層9を備えているので、有機発光層4の破損を抑制できる。具体的には、平坦化膜6を形成する工程において、加熱及び冷却による平坦化膜6の硬化収縮による破損を抑制できる。また、封止膜7を形成する際のスパッタダメージを抑制できる。
また、バッファー層9を抵抗加熱蒸着法によって形成することにより、スパッタ法等に比べてバッファー層9を形成する際の有機発光層4の破損を抑制できる。
(第3実施形態)
次に、第1実施形態の有機EL素子を部分的に変更した第3実施形態について、図面を参照して説明する。図17は、第3実施形態による有機EL素子の断面図である。尚、上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
図17に示すように、第3実施形態による有機EL素子1Bは、接着層41を介して封止膜7上に封止板42を接着している。
接着層41は、封止板42を封止膜7上に接着するとともに、封止板42を接着する際に、有機発光層4の破損を抑制するためのものである。接着層41は、約40μmの厚みを有する熱硬化性樹脂からなる。
封止板42は、水分や酸素等の遮断性をより向上させるためのものであるとともに、封止膜7の破損を抑制するためのものである。封止板42は、ガラス板からなる。
第3実施形態による有機EL素子1Bは、接着層41及び封止板42を設けることによって、より水分や酸素等の遮断性をより向上させることができる。また、接着層41を熱硬化性樹脂により構成しているので、封止板42を接着する際に、有機発光層4が破損することを抑制できる。
(第4実施形態)
次に、第1実施形態の有機EL素子を部分的に変更した第4実施形態について、図面を参照して説明する。図18は、第4実施形態による有機EL素子の断面図である。尚、上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
図18に示すように、第4実施形態による有機EL素子1Cは、封止膜7上に平坦化膜6Cと封止膜7Cとが順に積層されている。平坦化膜6C及び封止膜7Cは、それぞれ、平坦化膜6及び封止膜7と同じ工程によって形成される。
第4実施形態による有機EL素子1Cは、2層の封止膜7、7Cを形成しているので、水分や酸素の遮断性をより向上させることができる。
また、有機EL素子1Cでは、封止膜7と封止膜7Cとの間に平坦化膜6Cを形成しているので、封止膜7に欠陥が形成されても、封止膜7Cまでその欠陥が続くことを抑制できる。このため、封止膜7Cを緻密に形成することができるので、水分や酸素の遮断性を、更に、向上させることができる。
(第5実施形態)
次に、第1実施形態の有機EL素子を部分的に変更した第5実施形態について、図面を参照して説明する。尚、第5実施形態による有機EL素子は、封止膜を構成する材料以外は第1実施形態と同様の構成を有するため、第1実施形態の図面を参照して説明する。
第5実施形態による有機EL素子1では、収縮性を有する熱硬化性樹脂によって平坦化膜6を構成している。このため、製造工程においては、まず、図9に示すように、熱硬化性樹脂シート24を陰極5上に載置する。その後、熱硬化性樹脂シート24を一度だけ加熱及び冷却によって、図11に示すテーパ部8を有する平坦化膜6を形成することができる。
(実験)
次に、上述した実施形態の効果を証明するために行った実験について説明する。
(第1実験)
次に、バッファー層を有する第2実施形態と同じ構成の第1実施例の実験結果について説明する。本実験では、第1実施例と比較するための試料として、第1比較例及び第2比較例を作製した。第1比較例は、平坦化膜及び封止膜を省略した以外は、第1実施例と同じ構成を有する。第2比較例は、平坦化膜を省略した以外は、第1実施例と同じ構成を有する。尚、第1実施例、第1及び第2比較例の発光面の面積は、一辺が2mmの正方形状に形成した。
これらの各試料を室温中で放置して、所定の時間経過後の発光状態を調べた。尚、第1実施例は、72時間経過後の発光状態を調べた。各比較例は、64時間経過後の発光状態を調べた。
第1実施例は、発光面積の減少及びダークスポットの拡大のいずれも進行することがなかった。一方、第1比較例は、発光面の1辺が約0.12mm縮小するとともに、ダークスポットの直径が約0.12mm拡大した。また、第2比較例では、発光面積の縮小は進行しなかったが、ダークスポットの直径が約0.1mm拡大した。
これらの結果より、本発明による第1実施例では、水分及び酸素の遮断性を向上させて、有機発光層の劣化を抑制できることがわかる。
更に、上述した第1実施例と第1比較例とを、約90%の湿度を含む約60℃の雰囲気中に放置した。
この結果、第1比較例は、上述の雰囲気中では40時間経過すると、有機発光層及び陰極の剥離が発生した。この結果、第1比較例は、発光できない状態となった。一方、第1実施例では、上述の雰囲気中で240時間経過しても、初期の発光状態からの変化がほとんど見られなかった。この結果から、第1実施例は、高湿及び高温の条件下でも有機発光層の劣化を十分に抑制できることがわかった。
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
上述した各構成の材料、形状、数値、製造工程等は適宜変更可能である。
例えば、平坦化膜は、他の樹脂によって構成してもよい。平坦化膜を熱可塑性樹脂によって構成する場合は、室温(約25℃)では硬化し、高温(約90℃)では、流動性を有する樹脂が好ましい。また、平坦化膜の厚みは、数μm〜数十μm(例えば、3μm〜40μm)が好ましい。
また、封止膜は、AlN、SiO、SiN等の無機物により構成してもよい。尚、封止膜は、水分及び酸素等の遮蔽性の観点から緻密性が要求されるので、スパッタ法、CVD法、PVD法等により成膜可能な材料が好ましい。封止膜は、数百nmの厚みが好ましい。
また、バッファー層は、抵抗加熱蒸着法によって成膜可能なMoO等の絶縁材料によって構成してもよい。
また、封止板は、金属板等によって構成してもよい。
上述した各実施形態を組み合わせてもよい。
第1実施形態による有機EL素子の断面図である。 第1実施形態による有機EL素子の平面図である。 平坦化膜のテーパ部の傾斜を説明する図である。 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。 陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。 陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。 陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。 陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。 第2実施形態による有機EL素子の断面図である。 第3実施形態による有機EL素子の断面図である。 第4実施形態による有機EL素子の断面図である。
符号の説明
1、1A、1B、1C 有機EL素子
2 基板
2a 成長主面
2b 光取出面
3 透明電極
4、4a 有機発光層
5、5a 陰極
6、6C 平坦化膜
7、7C 封止膜
8 テーパ部
9 バッファー層
11 陽極
11a 陽極端子
12 陰極端子
13 絶縁溝
21 レジスト膜
22 シャドウマスク
22a 開口部
23 シャドウマスク
23a 開口部
24 熱可塑性樹脂シート
25 保持フィルム
31 異物
41 接着層
42 封止板

Claims (8)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された第1電極と、
    前記第1電極上に形成された有機発光層と、
    前記有機発光層上に形成された第2電極と、
    前記有機発光層及び前記第2電極を覆うように、且つ、前記基板側に向かって広がるテーパ部が外周部に形成され、樹脂からなる平坦化膜と、
    前記平坦化膜の上面に形成された無機物からなる封止膜とを備え、
    前記テーパ部は、前記第1電極または前記基板と接する領域まで傾斜していることを特徴とする有機EL素子。
  2. 前記有機発光層及び前記第2電極上に抵抗加熱蒸着法によって形成された絶縁材料からなるバッファー層を備えたことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
  3. 前記封止膜上に形成された樹脂製の接着層と、
    前記接着層に接着された封止板とを備えたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機EL素子。
  4. 前記平坦化膜と前記封止膜とが交互に複数積層されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の有機EL素子。
  5. 基板上に第1電極を形成する工程と、
    前記第1電極上に有機発光層を形成する工程と、
    前記有機発光層上に第2電極を形成する工程と、
    前記第1電極の一部、前記有機発光層及び前記第2電極を覆うように、硬化剤を含む熱可塑性樹脂によって平坦化膜を成膜する工程と、
    前記平坦化膜を加熱により軟化させた後、硬化させることにより前記平坦化膜の外周部にテーパ部を形成する工程と、
    前記平坦化膜上に封止膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
  6. 基板上に第1電極を形成する工程と、
    前記第1電極上に有機発光層を形成する工程と、
    前記有機発光層上に第2電極を形成する工程と、
    収縮性を有する熱硬化性樹脂を加熱した後、冷却することによって外周部にテーパ部が形成された平坦化膜を、前記第1電極の一部、前記有機発光層及び前記第2電極を覆うように成膜する工程と、
    前記平坦化膜上に封止膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
  7. 前記平坦化膜を成膜する工程は、大気圧よりも減圧された状態で行われることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の有機EL素子の製造方法。
  8. 前記平坦化膜を成膜する工程の前に、
    前記有機発光層及び前記第2電極上に抵抗加熱蒸着法によって、絶縁材料からなるバッファー層を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の有機EL素子の製造方法。
JP2008155422A 2008-06-13 2008-06-13 有機el素子及び有機el素子の製造方法 Expired - Fee Related JP5303199B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008155422A JP5303199B2 (ja) 2008-06-13 2008-06-13 有機el素子及び有機el素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008155422A JP5303199B2 (ja) 2008-06-13 2008-06-13 有機el素子及び有機el素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009301883A true JP2009301883A (ja) 2009-12-24
JP5303199B2 JP5303199B2 (ja) 2013-10-02

Family

ID=41548583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008155422A Expired - Fee Related JP5303199B2 (ja) 2008-06-13 2008-06-13 有機el素子及び有機el素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5303199B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011055686A1 (en) * 2009-11-04 2011-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element and display including same
TWI472077B (zh) * 2011-03-31 2015-02-01 Panasonic Corp 有機電場發光元件及有機電場發光單元以及照明燈具
CN110459570A (zh) * 2019-08-19 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光基板及有机电致发光显示面板
CN110870384A (zh) * 2017-07-13 2020-03-06 堺显示器制品株式会社 有机el设备及其制造方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281080A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Ricoh Co Ltd 有機el素子
JP2006236642A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP2006278139A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネル及びその製造方法
JP2006351307A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネル及びその製造方法
JP2007005189A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Tokki Corp 有機膜形成用マスク,封止膜形成装置並びに封止膜の形成方法
JP2007086667A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp 表示装置および大画面表示装置
JP2007134099A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Ulvac Japan Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2007157606A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP2007220360A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Tokyo Electron Ltd 発光素子、発光素子の製造方法および基板処理装置
JP2007242436A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2007139643A1 (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
JP2008010275A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Kyocera Corp 画像表示装置
JP2008071726A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Hirano Tecseed Co Ltd 有機elシート製造装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281080A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Ricoh Co Ltd 有機el素子
JP2006236642A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP2006278139A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネル及びその製造方法
JP2006351307A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネル及びその製造方法
JP2007005189A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Tokki Corp 有機膜形成用マスク,封止膜形成装置並びに封止膜の形成方法
JP2007086667A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp 表示装置および大画面表示装置
JP2007134099A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Ulvac Japan Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2007157606A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP2007220360A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Tokyo Electron Ltd 発光素子、発光素子の製造方法および基板処理装置
JP2007242436A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2007139643A1 (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
JP2008010275A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Kyocera Corp 画像表示装置
JP2008071726A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Hirano Tecseed Co Ltd 有機elシート製造装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011055686A1 (en) * 2009-11-04 2011-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element and display including same
TWI472077B (zh) * 2011-03-31 2015-02-01 Panasonic Corp 有機電場發光元件及有機電場發光單元以及照明燈具
CN110870384A (zh) * 2017-07-13 2020-03-06 堺显示器制品株式会社 有机el设备及其制造方法
CN110459570A (zh) * 2019-08-19 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光基板及有机电致发光显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
JP5303199B2 (ja) 2013-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7470610B2 (en) Method of fabricating organic electroluminescent devices
JP4458379B2 (ja) 有機el表示装置
JP4905783B2 (ja) 有機半導体素子
US7990055B2 (en) Electroluminescent arrangement having detached electrode and method of fabricating the same
JP2012504304A (ja) 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法
TWI578588B (zh) 有機發光二極體裝置及其製造方法
KR100771464B1 (ko) 유기 el 디스플레이 및 그 제조 방법
JP2010027561A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2010257957A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2015145533A1 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2007281159A (ja) 赤色有機発光素子およびこれを備えた表示装置、ドナー基板およびこれを用いた転写方法、表示装置の製造方法、並びに表示装置の製造システム
JP5303199B2 (ja) 有機el素子及び有機el素子の製造方法
KR100428447B1 (ko) 산소 및 수분의 침투를 방지할 수 있는 유기 이엘 패널 및그의 제조방법
US20060022593A1 (en) Organic electroluminescent device
KR101332269B1 (ko) 가요성 기판 및 이를 이용하는 전기 광학 표시 장치
JP4754387B2 (ja) El装置
WO2013150713A1 (ja) 有機el表示装置およびその製造方法
JP2007294413A (ja) 有機elパネル及びその製造方法
JPWO2007032515A1 (ja) 有機エレクトロルミネセンス表示パネルおよび防湿基板
JP5416913B2 (ja) 有機el素子
JP2007335105A (ja) 発光素子とその製造方法
KR20140087435A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2009266590A (ja) 有機elパネルの製造方法
JP2018200843A (ja) 有機el装置の製造方法
JP2003109753A (ja) エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120925

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130604

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130624

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees