JP2006351307A - 自発光パネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板上に自発光素子部が形成された自発光パネルにおいて、自発光素子部を直接封止材料の膜（封止膜）で覆う封止構造を採用して、酸素、ガスなどの自発光素子の劣化因子に対し十分な遮断性能を確保する。
【解決手段】 封止膜４０は、自発光素子部３による凹凸を平坦化するバッファ層４０とバッファ層４０上に成膜されて自発光素子の劣化因子に対し十分な遮断機能を有するバリア層４１とを有し、バッファ層４０は、その外縁部４０Ａにバリア層４１が設定された膜厚で成膜可能な緩やかな斜面からなる側端面を有する。この側端面は、バッファ層の付着性が低い材料からなる下地層５上に外縁部４０Ａを形成することで得ることができる。
【選択図】図２
【解決手段】 封止膜４０は、自発光素子部３による凹凸を平坦化するバッファ層４０とバッファ層４０上に成膜されて自発光素子の劣化因子に対し十分な遮断機能を有するバリア層４１とを有し、バッファ層４０は、その外縁部４０Ａにバリア層４１が設定された膜厚で成膜可能な緩やかな斜面からなる側端面を有する。この側端面は、バッファ層の付着性が低い材料からなる下地層５上に外縁部４０Ａを形成することで得ることができる。
【選択図】図２
Description
本発明は、自発光パネル及びその製造方法に関するものである。
有機ＥＬ（Electroluminescence）パネルに代表される自発光パネルは、携帯電話や薄型テレビ、情報端末等のディスプレイは勿論のこと、車載用機能表示、例えばスピードメータ等のインパネや電化製品の機能表示部、フィルム状ディスプレイへの応用、屋外案内表示または照明への応用が期待され、盛んに開発・研究が進められている。
このような自発光パネルは基板上に自発光素子を複数又は単数配置して形成されるものであり、自発光素子としては、有機ＥＬ素子の他に、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＦＥＤ（Field Emission Display）等の発光素子を挙げることができる。
自発光素子の構造は、有機ＥＬ素子を例にすると、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に有機層（発光層を含み、低分子又は高分子有機材料からなる層）を挟み込んだ構造になっており、アノード，カソードの両電極間に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入・輸送された正孔とカソードから有機層内に注入・輸送された電子が再結合して、この有機層（発光層）内での再結合によって所望の発光が得られるものである。
このような自発光パネルにおいては、自発光素子の発光特性を維持するために、自発光素子を外気から遮断する封止構造が一般に採用されている。特に有機ＥＬパネルでは、有機層及び電極が大気中の水分や酸素に曝されると有機ＥＬ素子の発光特性が劣化することから、有機ＥＬ素子を外気から遮断する封止手段を設けることが現状の開発段階では不可欠になっている。
有機ＥＬパネルの封止構造としては、金属製又はガラス製の封止部材と有機ＥＬ素子が形成された基板とを貼り合わせて、有機ＥＬ素子の周囲に乾燥剤を配備できる封止空間を形成する構造が一般に採用されてきたが、パネルの更なる薄型化や基板上の有機ＥＬ素子に対して基板と逆側から光を取り出すトップエミッション方式の採用が検討されるようになり、基板上の有機ＥＬ素子を直接封止材料の膜で覆う構造が開発されている。
下記特許文献１には、図１（ａ）に示すように、基板Ｊ１上に第１電極Ｊ２，有機化合物層Ｊ３，第２電極Ｊ４が積層されて素子領域が形成され、その素子領域を覆うように、アモルファス炭化窒素からなる第１保護層Ｊ５と無機保護膜（ＳｉＮ膜）からなる第２保護膜Ｊ６を形成したものが示されている。
自発光素子を単数又は複数備えた自発光素子部を直接封止材料の膜で覆う構造を採用する場合、従来技術のように、自発光素子部に直接接触する層とその上に形成される層の多層構造を採用することが好ましい。その際、自発光素子部に接触する層（以下、バッファ層という）には、自発光素子部に対して膜形成時に歪み等を与えない応力緩和機能が求められ、また、自発光素子部によって形成される表面の凹凸を平坦化するための機能が求められる。そして、その上に形成される層（以下、バリア層という）には、自発光素子の劣化因子、例えば、水分、酸素、有機材料を含むガス等に対し高い遮断機能と適度の強度が求められる。
このバッファ層とバリア層の形成は、形成パターンに応じた開口を有するマスクを介した成膜によってなされる。この際、バッファ層は自発光素子部全体を覆うようにパターン形成され、バリア層は、バッファ層の全体を覆うように、バッファ層のパターン開口よりやや大きい開口を有するマスクを介して成膜がなされる。
ここで、バッファ層は被成膜面の凹凸を平坦化させる機能を有するものであるから、自発光素子部の凹凸に拘わらずマスクの開口部分には所定厚さの層が形成され、層の端部にはマスクの開口縁に沿って急峻な立ち上がりを有する側端面Ｊｅ（図１（ａ）参照）が形成されることになる。これに対して、そのバッファ層の上に成膜されるバリア層は、平坦化されたバッファ層の上面に対しては所望の厚さｔｓで成膜がなされるが、前述した側端面Ｊｅには所望の厚さに達しない極薄い厚さｔｄの層が形成されるか、或いは十分な膜形成がなされない部分が生じてしまい、この側端面Ｊｅにおいては十分な水分遮断性能が得られないという問題があった（図１（ｂ）参照、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ部拡大図）。
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、基板上に自発光素子部が形成された自発光パネルにおいて、自発光素子部を直接封止材料の膜（封止膜）で覆う封止構造を採用して、自発光素子の劣化因子に対して十分な遮断性能を確保すること、また、自発光素子部をバッファ層で覆い、その上に自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層を形成する封止構造において、バッファ層の側端面に対しても十分な厚さのバリア層を形成して、自発光素子に対する劣化因子を十分に遮断する性能を確保すること、等が本発明の目的である。
このような目的を達成するために、本発明の自発光パネル及びその製造方法は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
［請求項１］基板上に自発光素子部が形成され、該自発光素子部を直接覆う封止膜が形成された自発光パネルであって、前記封止膜は、前記自発光素子部による凹凸を平坦化するバッファ層と該バッファ層上に成膜されて自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層とを有し、前記バッファ層は、その外縁部に前記バリア層が設定された膜厚で成膜可能な緩やかな斜面からなる側端面を有し、前記バリア層は、前記バッファ層上の全表面上で設定膜厚を有することを特徴とする自発光パネル。
［請求項２］基板上に自発光素子部が形成され、該自発光素子部を直接覆う封止膜が形成された自発光パネルであって、前記封止膜は、前記自発光素子部による凹凸を平坦化するバッファ層と該バッファ層上に成膜されて自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層とを有し、前記自発光素子部の外縁の外側に、前記バッファ層の付着性が低い材料からなる下地層が形成され、該下地層の上に前記バッファ層の外縁部が形成されることを特徴とする自発光パネル。
［請求項５］基板上に自発光素子部が形成され、該自発光素子部を直接覆う封止膜が形成された自発光パネルの製造方法であって、前記封止膜を形成する工程は、前記自発光素子部による凹凸を平坦化するバッファ層を形成する工程と該バッファ層上に成膜されて自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層を形成する工程とを含む工程であり、前記封止膜を形成する工程に先立って、前記自発光素子部の外縁の外側に、前記バッファ層の付着性が低い材料からなる下地層を形成する工程を有し、該下地層の上に前記バッファ層の外縁部が形成されることを特徴とする自発光パネルの製造方法。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図２は本発明の一実施形態に係る自発光パネルの構造を示す説明図である。自発光パネル１は、基板２上に自発光素子部３が形成され、自発光素子部３を直接覆う封止膜４（バッファ層４０、バリア層４１）が形成された構造を有している。封止膜４を構成するバッファ層４０は、自発光素子部３による凹凸を平坦化する機能を少なくとも有しており、必要に応じて自発光素子部３に成膜時の歪みを生じさせない応力緩和機能を有している。また、バリア層４１はバッファ層４０上に成膜されて自発光素子の劣化因子に対して十分な遮断機能、或いは必要な強度を有するものである。
そして、本発明の実施形態における自発光パネル１では、バッファ層４０は、その外縁部４０Ａにバリア層４１が設定された膜厚で成膜可能な緩やかな斜面からなる側端面を有しており、バリア層４１が、バッファ層４０上の全表面上で設定膜厚ｔｓを有している。
つまり、本発明の実施形態における自発光パネル１では、バッファ層４０の外縁部４０Ａに緩やかな斜面からなる側端面が形成されているので、その上に成膜されるバリア層４１は、平坦化されたバッファ層４０の上面及び緩やかな斜面で形成された側端面の何れにおいても十分な膜厚の層を形成することができる。したがって、自発光素子部３は、自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層４１の適正な膜厚で全面が覆われていることになり、良好な封止性能を確保することができる。ここでいう緩やかな斜面とは、バッファ層の傾斜面の傾きが５°〜６０°の範囲、好ましくは１０°〜４５°のものをいう。
また、本発明の実施形態に係る自発光パネル１は、基板２上に自発光素子部３が形成され、自発光素子部３を直接覆う封止膜４が形成され、封止膜４は、自発光素子部３による凹凸を平坦化するバッファ層４０とバッファ層４０上に成膜されて自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層４１とを有し、自発光素子部３の外縁の外側に、バッファ層４０の付着性が低い材料からなる下地層５が形成され、下地層５の上にバッファ層４０の外縁部４０Ａが形成されている。
これによると、下地層５の影響を受けて、その上に形成されるバッファ層４０の外縁部４０Ａは層厚が確保できなくなるが、その外縁部４０Ａに隣接するバッファ層４０からの連続性によって、外縁部４０Ａには緩やかな斜面からなる側端面が形成されることになる。したがって、その側端面上には、適正な厚さのバリア層４１を形成することができることになり、バッファ層４０上の全面が適正な厚さのバリア層４１で覆われ、自発光素子部３は十分な封止性能を得ることができる。
この際、下地層５は、バッファ層４０の付着性が低い材料が選択されるが、バッファ層としてアクリル系モノマーを重合させた成膜材料を採用する場合には、下地層５として、フェノール系樹脂とメラミン系化合物とを含む成膜材料を採用することができる。また下地層の材料に、クレゾール系樹脂とメラミン系化合物、ポリシロキサン系樹脂とメラミン系樹脂とを含むような成膜材料やこれら材料に感光剤や光酸発生剤を添加した感光性材料を採用してもよく、バッファ層の材料にエポキシ系モノマーを重合させた成膜材料を採用してもよい。図３は本発明の実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明する説明図である。先ず、同図（ａ）に示すように、基板２上に、既知の工程で形成される自発光素子部３の形成に先立って、自発光素子部３の外周部の外側に当たる箇所に下地層５を形成する。下地層５の形成には、印刷やフォトリソグラフィ等の各種パターン形成方法を採用することができる。一例としては、下地層５の形成材料として感光性樹脂を採用して、絶縁膜等で自発光素子部３の区画がなされた後に、その外縁の外側にフォトリソグラフィ工程で下地層５のパターンを形成する。
自発光素子部３が形成された後に、同図（ｂ）に示すように、下地層５を含む領域よりやや広めの開口領域Ｈ１を有するマスクＭ１を介して、バッファ層４０を形成する。この際、下地層５の影響を受けて外縁部４０Ａに緩やかな斜面からなる側端面が形成されることになる。
次に、同図（ｃ）に示すように、バッファ層４０の形成領域を含む開口領域Ｈ２（Ｈ２≧Ｈ１）を有するマスクＭ２を介して、バリア層４１を形成する。前述したように、バッファ層４０上に形成されるバリア層４１は全ての形成範囲で設定された厚さに形成することができる。
以下、本発明のより具体的な実施形態として、有機ＥＬ素子からなる自発光素子部３を備えた自発光パネルの製造方法及び構造を、図４及び図５によって説明する。
基板準備工程Ｓ１は、基板２に対して、必要に応じて、洗浄、表面処理、表面被覆を行う工程を含み、アクディブ駆動の自発光パネル１を形成する際には、基板２上に駆動素子２１（ＴＦＴ等）を形成する工程、駆動素子２１が形成された基板２上に平坦化膜２２を形成する工程を含む。
下部電極形成工程Ｓ２では、基板準備工程Ｓ１を経た基板２上に下部電極３０のパターンを形成する。下部電極３０は、アクディブ駆動の場合には画素電極として区画されたパターンに形成され、平坦化膜２２の接続孔２２Ａを介して駆動素子２１に接続される。また、パッシブ駆動の場合には、下部電極３０はストライプ状のパターンとして形成され、同時に引出電極部が形成される。
絶縁膜パターン形成工程Ｓ３では、下部電極３０上の発光領域を区画し、隣接する下部電極３０間を絶縁するように、絶縁膜３１のパターンが形成される。絶縁膜３１のパターン形成が成されると、発光領域が個々に区画されると共に、自発光素子部３の外縁が区画されることになる。絶縁膜３１としては、バッファ層４０が付着し易い材料が選択される。またパッシブ駆動の場合や必要に応じて、絶縁膜３１のパターン形成後に上部電極を分断する隔壁の形成工程も含める。
下地層形成工程Ｓ４では、絶縁膜３１によって区画された自発光素子部３の外縁に対して、その外側に下地層５を形成する。下地層５は、前述したようにバッファ層３１が付着し難い（付着性の低い）材料が用いられ、バッファ層４０の外縁部４０Ａの形成領域に応じて所望の厚さで形成される。
有機層成膜工程Ｓ５では、例えば、正孔輸送層３２Ａ，発光層３２Ｂ，電子輸送層３２Ｃなどからなる有機層３２が、絶縁膜３１で区画された下部電極３０上の発光領域に成膜される。
上部電極形成工程Ｓ６では、成膜された有機層３２上に上部電極３３を成膜する。
上部電極形成工程Ｓ６では、成膜された有機層３２上に上部電極３３を成膜する。
バッファ層形成工程Ｓ７では、前述したように、マスクＭ１を介してバッファ層４０の成膜がなされ、自発光素子部３による凹凸の平坦化がなされると共に、バッファ層４０の外縁部４０Ａに緩やかな斜面からなる側端面が形成される。また、その後の、バリア層形成工程Ｓ８では、前述したように、マスクＭ２を介してバリア層４１の成膜がなされ、バッファ層４０上の全域に設定厚さのバリア層４１が形成される。
自発光素子部を構成する有機ＥＬ素子について更に説明すると、有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極；下部電極３０又は上部電極３３）とカソード（陰極、電子注入電極；上部電極３３又は下部電極３０）との間に有機ＥＬ機能を有する有機層３２を挟み込んだ構造を有しており、両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機層３０内に注入・輸送された正孔とカソードから有機層内に注入・輸送された電子がこの層内の発光部分（発光層３２Ｂ）で再結合することで発光を得るものである。
基板２については、基板２側から光を取り出すボトムエミッション構造を採用する場合には、透明性を有する平板状、フィルム状のものが採用され、材質としてはガラス又はプラスチックを用いることができる。封止膜４０側から光を取り出すトップエミッション構造を採用する場合には、基板２の透明性は特に要求されない。
下部電極３０，上部電極３３については、一方が陰極、他方が陽極に設定されることになる。この場合、陽極は仕事関数の高い材料で構成されるのがよく、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜、或いはＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等による透明導電膜が用いられる。そして、陰極は仕事関数の低い材料で構成されるのがよく、特に、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ），アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ），希土類金属といった仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金を用いることができる。また、下部電極３０、上部電極３３ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成とすることもできる。
また、下部電極３０又は上部電極３３から引き出される引出電極は、自発光表示パネル１とそれを駆動するＩＣ，ドライバ等の駆動手段とを接続するために設けられる配線電極であって、好ましくはＡｇ，Ｃｒ，Ａｌ等の低抵抗金属材料やそれらの合金を用いるのがよい。
一般に、下部電極３０と引出電極の形成は、ＩＴＯ，ＩＺＯ等の電極材料を蒸着或いはスパッタリング等の方法で成膜し、フォトリソグラフィ法などによってパターン形成がなされる。下部電極３０と引出電極（特に低抵抗化の必要な引出電極）に関しては、前述のＩＴＯ，ＩＺＯ等の下地にＡｇ，Ａｇ合金，Ａｌ，Ｃｒ等の低抵抗金属を積層した２層構造にしたもの、或いは、Ａｇ等の保護層としてＣｕ，Ｃｒ，Ｔａ等の耐酸化性の高い材料を更に積層した３層構造にしたものを採用することができる。
下部電極３０と上部電極３３の間に成膜される有機層３２としては、下部電極３０を陽極、上部電極３３を陰極とした場合には、前述したように、正孔輸送層３２Ａ／発光層３２Ｂ／電子輸送層３２Ｃの積層構成が一般的であるが（下部電極３０を陰極、上部電極３３を陽極とした場合にはその逆の積層順になる）、発光層３２Ｂ，正孔輸送層３２Ａ，電子輸送層３２Ｃはそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けてもよく、正孔輸送層３２Ａ，電子輸送層３２Ｃについてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略して発光層３２Ｂのみにしても構わない。また、有機層３２としては、正孔注入層，電子注入層，正孔障壁層，電子障壁層等の有機機能層を用途に応じて挿入することができる。
有機層の材料は、有機ＥＬ素子の用途に合わせて適宜選択可能である。以下に例を示すがこれらに限定されるものではない。
正孔輸送層３２Ａとしては、正孔移動度が高い機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポルフィリン化合物、４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ]−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−[４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル]スチルベンゼン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた、高分子分散系の材料も使用できる。好ましくは、ガラス転移温度が封止用樹脂を加熱硬化させる温度より高い材料が好ましく、例えば４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ]−ビフェニル（ＮＰＢ）が挙げられる。
発光層３２Ｂは、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料（特表２００１−５２０４５０）を使用できる。上述したような発光材料のみから構成したものでもよいし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）または発光性ドーパント等が含有されてもよい。また、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されてもよい。
電子輸送層３２Ｃは、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。
上記の正孔輸送層３２Ａ、発光層３２Ｂ、電子輸送層３２Ｃは、スピンコーティング法、ディッピング法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等の印刷法等のウェットプロセス、又は、蒸着法、後述するレーザ転写法等のドライプロセスで形成することができる。
そして、自発光素子部３は、単一の有機ＥＬ素子を形成するものであってもよいし、所望のパターン構造を有して複数の画素を構成するものであってもよい。後者の場合には、その表示方式は、単色発光でも２色以上の複数色発光でもよく、特に複数色発光の有機ＥＬパネルを実現するためには、ＲＧＢに対応した３種類の発光機能層を形成する方式を含む２色以上の発光機能層を形成する方式（塗り分け方式）、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）、異なる発光色の低分子有機材料を予め異なるフィルム上に成膜してレーザによる熱転写で一つの基板上に転写するレーザ転写方式等によって行うことができる。
自発光素子部３を区画する絶縁膜３１については、下部電極３０と上部電極３３との導通を生じさせない程度の高い絶縁性を有する公知の材料を用いることができ、特に限定されない。
パッシブ駆動の場合で必要となる上部電極３３を分断する隔壁については、公知の材料を用いることができ、特に限定されない。
以下に、本発明の実施例を説明する。
以下に、本発明の実施例を説明する。
［実施例１］ガラス製の基板上に、１１０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜した。次に、フォトレジストＡＺ６１１２（東京応化工業製）を用いてフォトリソグラフィ法によりストライプ状にＩＴＯ電極（下部電極）をパターン形成した。
このＩＴＯ電極（下部電極）が形成された基板１上に、電気絶縁性が高いポジ型レジスト材料（ポリイミド等）を塗布しスピンコート法にて成膜した後、基板を１００℃で８０秒加熱して溶媒を揮発させ、露光装置でフォトマスクを介して５０ｍＪ／ｃｍ２の照射条件で露光した後、アルカリ水溶液にて現像を行い、処理槽にて３００℃で加熱処理し、パターン化された絶縁膜を形成した。
この絶縁膜が形成された基板上に、フェノール系樹脂とメラミン系樹脂を混合したレジスト材料を塗布し、スピンコート法にて成膜し、その後１００℃のホットプレート上に基板を置き、９０秒間加熱処理して溶媒を揮発させた後、フォトマスクを介して照度１００ｍＪ／ｃｍ２で露光した後、アルカリ性水溶液で現像を行い、自発光素子部の外縁の外側に配置されるように下地層を形成した。
その後、基板を真空槽に投入し、抵抗加熱蒸着で、正孔注入層としてＣｕＰｃを２５ｎｍ、正孔輸送層としてα−ＮＰＤを４５ｎｍ、発光層としてＡｌｑ３を６０ｎｍ、電子注入層としてＬｉＦを０．５ｎｍの厚さで、それぞれ抵抗加熱真空成膜した。
その後、真空中にて陰極用のシャドーマスクを施し、ＩＴＯ電極（下部電極）のストライプ状パターンと直交するように、Ａｌ電極（上部電極）を毎秒１ｎｍの速度で１００ｎｍの厚さに抵抗加熱真空成膜した。
このようにして基板上に形成された自発光素子部に対して、この自発光素子部を覆うようにマスクを介して光硬化性を有するアクリル系モノマーからなる成膜材料をフラッシュ蒸着し、その後これを光重合させてバッファ層を形成した。バッファ層は自発光素子部の凹凸を平坦化するのに必要な所望の厚さに形成した。その際、前述した下地層上に形成されたバッファ層の外縁部には、緩やかな斜面を有する側端面が形成された。
その後、基板をＣＶＤ法成膜用チャンバに移し、ＰＥ−ＣＶＤ法によって、バッファ層上にＳｉＯＮを１μｍ成膜してバリア層を形成した。
この実施例では、バリア層はバッファ層上の全領域でほぼ１μｍの設定膜厚が得られた。
この実施例では、バリア層はバッファ層上の全領域でほぼ１μｍの設定膜厚が得られた。
下地層の上に形成されたバッファ層の外縁部の形状を観察するため、白金とパラジウムからなる断面観察用の保護膜をスパッタ成膜した後、ＳＥＭ（FILIPS社製）を用い５０００倍の倍率で下地層および下地層上にバッファ層を形成した後の外縁部断面写真を撮影した。その写真を図６、図７に示すが、下地層を配置することでバッファ層は緩やかな傾斜からなる側端面を有することを確認できる。
［比較例］これに対して、前述した下地層の材料として、ポリイミド系樹脂を採用して、その他の工程を実施例と同様にして自発光パネルを形成した。実施例１と同様の方法により下地層上にバッファ層を形成した後の外縁部断面写真を撮影した。その写真を図８に示すが、下地層の上に自発光素子部上と同様にバッファ層が形成され、緩やかな斜面を有する側端面を形成することはできないことが確認できる。
以上説明したように、本発明の実施形態及び実施例によると、基板上に自発光素子部が形成された自発光パネルにおいて、自発光素子部を直接封止材料の膜（封止膜）で覆う封止構造を採用して、自発光素子の劣化因子に対して十分な遮断性能を確保することができる。また、自発光素子部をバッファ層で覆い、その上に自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層を形成する封止構造において、バッファ層の側端面に対しても十分な厚さのバリア層を形成して、自発光素子に対する劣化因子を十分に遮断する性能を確保することができる。
１ 自発光パネル
２ 基板
３ 自発光素子部
４ 封止膜
４０ バッファ層
４０Ａ 外縁部
４１ バリア層
５ 下地層
２ 基板
３ 自発光素子部
４ 封止膜
４０ バッファ層
４０Ａ 外縁部
４１ バリア層
５ 下地層
Claims (6)
- 基板上に自発光素子部が形成され、該自発光素子部を直接覆う封止膜が形成された自発光パネルであって、
前記封止膜は、前記自発光素子部による凹凸を平坦化するバッファ層と該バッファ層上に成膜されて自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層とを有し、
前記バッファ層は、その外縁部に前記バリア層が設定された膜厚で成膜可能な緩やかな斜面からなる側端面を有し、
前記バリア層は、前記バッファ層上の全表面上で設定膜厚を有することを特徴とする自発光パネル。 - 基板上に自発光素子部が形成され、該自発光素子部を直接覆う封止膜が形成された自発光パネルであって、
前記封止膜は、前記自発光素子部による凹凸を平坦化するバッファ層と該バッファ層上に成膜されて自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層とを有し、
前記自発光素子部の外縁の外側に、前記バッファ層の付着性が低い材料からなる下地層が形成され、
該下地層の上に前記バッファ層の外縁部が形成されることを特徴とする自発光パネル。 - 前記バッファ層の外縁部は緩やかな斜面からなる側端面を有し、該側端面上に設定膜厚の前記バリア層が形成されることを特徴とする請求項２に記載された自発光パネル。
- 前記バッファ層はアクリル系モノマーを重合させた成膜材料であり、前記下地層はフェノール系樹脂とメラミン系化合物とを含む成膜材料であることを特徴とする自発光パネル。
- 基板上に自発光素子部が形成され、該自発光素子部を直接覆う封止膜が形成された自発光パネルの製造方法であって、
前記封止膜を形成する工程は、前記自発光素子部による凹凸を平坦化するバッファ層を形成する工程と該バッファ層上に成膜されて自発光素子の劣化因子を遮断する機能を有するバリア層を形成する工程とを含む工程であり、
前記封止膜を形成する工程に先立って、前記自発光素子部の外縁の外側に、前記バッファ層の付着性が低い材料からなる下地層を形成する工程を有し、
該下地層の上に前記バッファ層の外縁部が形成されることを特徴とする自発光パネルの製造方法。 - 前記バッファ層はアクリル系モノマーを重合させた成膜材料によって形成され、前記下地層はフェノール系樹脂とメラミン系化合物とを含む成膜材料によって形成されることを特徴とする請求項５に記載された自発光パネルの製造方法。
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