CN110870384A - 有机el设备及其制造方法 - Google Patents

Abstract

实施方式所涉及的有机EL设备(100)具备：元件基板(20)，其具有基板(1)和被基板支撑的多个有机EL元件(3)；薄膜封装结构(10)，所述薄膜封装结构(10)是形成于所述多个有机EL元件上的薄膜封装结构，其具有由第一无机阻挡层(12)、有机阻挡层(14)、第二无机阻挡层(16)构成的至少一个的复合层叠体(10S)，所述有机阻挡层(14)具有与所述第一无机阻挡层的上表面接触且分散分布的多个实心部，所述第二无机阻挡层(16)与所述第一无机阻挡层的上表面及所述有机阻挡层的多个实心部的上表面接触；有机平坦化层(42)，其设置在所述薄膜封装结构之上由光敏树脂形成；触摸传感层(50)，其被配置在有机平坦化层之上。

Description

有机EL设备及其制造方法

技术领域

本发明关于有机EL设备(例如，有机EL显示装置及有机EL照明装置)及其制造方法。

背景技术

有机EL(Electro Luminescence)显示装置开始实用化。机EL显示装置的特征之一列举有能够得到柔性显示装置这一点。有机EL显示装置具有用于每个像素的至少一个有机EL元件(Organic Light Emitting Diode：OLED)以及控制提供至每个OLED的电流的至少一个的TFT(Thin Film Transistor)。以下，将有机EL显示装置称为OLED显示装置。这种每个OLED具有TFT等开关元件的OLED显示装置称为有源矩阵型OLED显示装置。另外，将形成TFT及OLED的基板称为元件基板。

OLED(特别是有机发光层及阴极电极材料)容易受到水分的影响而劣化，也容易产生显示不均。作为保护OLED不受潮并提供不会损坏柔软性的封装结构的技术，开发了一种薄膜封装技术(Thin Film Encapsulation：TFE)。薄膜封装技术是通过无机阻挡层和有机阻挡层相互层叠，通过薄膜以获得具有充分的蒸汽阻挡性的技术。从OLED显示装置的耐湿性的观点而言，作为薄膜封装结构的WVTR(Water Vapor Transmission Rate：WVTR)，通常要求小于1×10^-4g/m²/day。

目前市面上贩卖的使用在OLED显示装置上的薄膜封装结构具有厚度大约为5μm～20μm的有机阻挡层(高分子阻隔层)。这种较厚的有机阻挡层承担了将元件基板的表面平坦化的作用。但是，存在当有机阻挡层较厚时，OLED显示装置的弯曲性会被限制的问题。

另外，还存在量产性较低的问题。所述较厚的有机阻挡层是使用喷墨法、微喷法等印刷技术来形成的。另一方面，无机阻挡层是在真空(例如，小于1Pa)的环境下使用薄膜成膜技术形成的。由于使用印刷技术的有机阻挡层的形成是在空气中或者氮气的环境下进行，而无机阻挡层的形成是在真空中进行的，所以在形成薄膜封装结构的过程中，将元件基板从真空容器中进出而量产性低。

在此，例如，如专利文献1所公开的，开发了一种可以连续制造无机阻挡层和有机阻挡层的成膜装置。

另外，专利文献2中公开了一种薄膜封装结构，其从元件基板侧以依序形成第一无机阻挡层、第一树脂材及第二无机材料层时，使第一树脂材在第一无机材料层的凸部(覆盖凸部的第一无机材料层)的周围不均匀。根据专利文献2，使第一树脂材在可能未被第一无机材料层充分覆盖的某个凸部周围不均匀地分布，从而抑制了水分或氧气从该部分侵入。另外，通过将第一树脂材作为第二无机材料层的基底层发挥作用，由此第二无机材料层适当地成膜，并可以以期望的薄膜厚度适当地覆盖第一无机材料层的侧面。第一树脂材形成为如下。使加热气化的雾气状的有机材料提供至维持在室温以下的温度的元件基板，有机材料在基板上凝结、滴状化。滴状化的有机材料通过毛细管现象或表面张力在基板上移动，并在第一无机材料层的凸部的侧面和基板表面的边界部不均匀分布。之后，通过使有机材料固化，在边界部形成第一树脂材。专利文献3也公开了具有同样的薄膜封装结构的OLED显示装置。另外，专利文献4公开了用于OLED显示装置的制造的成膜装置。

专利文献2或3中记载的，具有由不均匀分布的树脂构成的有机阻挡层的薄膜封装结构被认为由于不具有较厚的有机阻挡层，所以改善了OLED显示装置的弯曲性。另外，因为可以连续形成无机阻挡层和有机阻挡层，所以也改善了量产性。

但是，根据本发明人的研究，若通过专利文献2或3所记载的方法形成有机阻挡层，则会产生无法获得充分的耐湿可靠性的问题。已经发现该问题是因大气中的水蒸气经由有机阻挡层而到达元件基板上的有源区域(也称为“元件形成区域”或“显示区域”)内导致的。

当使用喷墨法等印刷方法形成有机阻挡层时，有机阻挡层能够仅形成于元件基板上的有源区域(也称为“元件形成区域”或“显示区域”)，而不形成于除了有源区域以外的区域。因此，在有源区域的周边(外侧)存在有第一无机材料层和第二无机材料层直接接触的区域，并且有机阻挡层被第一无机材料层和第二无机材料层完全包围，从周围隔绝。

对此，在专利文献2或3中记载的有机阻挡层的形成方法中，对整个元件基板提供树脂(有机材料)，利用液状的树脂的表面张力，使树脂在元件基板的表面的凸部的侧面和基板表面的边界部不均匀分布。因此，除了有源区域之外的区域(也被称为“周边区域”)，即，配置有多个端子的端子区域、以及从有源区域到端子区域形成有引出配线的引出配线区域也形成有有机阻挡层。具体而言，例如，树脂在引出配线及端子的侧面和基板表面的边界部不均匀分布。这样一来，沿着引出配线而形成的有机阻挡层的部分端部不被第一无机阻挡层和第二无机阻挡层包围，而暴露在空气(周边环境)中。

由于有机阻挡层与无机阻挡层相比水蒸气阻挡性较低，所以沿着引出配线形成的有机阻挡层变成将空气中的水蒸气引导至有源区域内的路径。

另外，具有以现有的不均匀的树脂构成的有机阻挡层的薄膜封装结构也存在下述的问题。

例如，具有使用在智能手机、平板终端的触摸面板功能的OLED显示装置中，如专利文献5所记载的，薄膜封装结构的有机阻挡层较厚并作为平坦化层发挥作用，在薄膜封装结构的平坦的表面上经由连接层设置有触摸传感层(也称为“触摸屏层”)。在这种于薄膜封装结构上设置触摸传感层的结构中，所述专利文献2或3所记载的，若使用具有较薄的有机阻挡层的薄膜封装结构，薄膜封装结构内存在粒子(异物)时，因为薄膜封装结构的上面变得不平坦，所以会在触摸传感层产生应变，其结果，有可能会发生触摸面板功能降低的问题。例如，在一对电极间具有细微的间隙的电阻膜式的触摸传感器及检测电极间的电容变化的投影型静电电容方式的触摸传感器中，有可能将存在粒子的地方误识别成被触摸的位置。

在此，说明了适用于柔性OLED显示装置的薄膜封装结构的问题，但是薄膜封装结构不限于OLED显示装置，也可以使用在有机EL照明装置等其他有机EL设备。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2013-186971号公报

专利文献2：国际公开公报2014/196137号

专利文献3：特开2016-39120号公报

专利文献4：特开2013-64187号公报

专利文献5：美国专利申请公开第2016/226021号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述问题而成，其目的在于提供一种有机EL设备及其制造方法，在具备具有改善了量产性和耐湿可靠性，且较薄的有机阻挡层的薄膜封装结构的同时，抑制了触摸面板功能降低。

解决问题的方法

本发明的某个实施方式所涉及的有机EL设备中，所述有机EL设备包括：元件基板，其具有基板和被基板支撑的多个有机EL元件；薄膜封装结构，所述薄膜封装结构是形成于所述多个有机EL元件上的薄膜封装结构，其具备由第一无机阻挡层、有机阻挡层及第二无机阻挡层构成的至少一个的复合层叠体，所述有机阻挡层具有与所述第一无机阻挡层的上表面接触且分散分布的多个实心部，所述第二无机阻挡层与所述第一无机阻挡层的所述上表面及所述有机阻挡层的所述多个实心部的上表面接触；有机平坦化层，其设置在所述薄膜封装结构上，由光敏树脂构成；触摸传感层，其被配置在所述有机平坦化层上。“实心部”是指在有机阻挡层内，实际存在有有机膜(例如，光固化树脂膜)的部分。反之，将不存在有机膜的部分称为非实心部。存在将包围实心部的非实心部称为开口部的情况。

在某个实施方式中，具有所述有机阻挡层的所述多个实心部包括多个实心部，所述多个实心部具有凹状的表面。

在某个实施方式中，所述有机阻挡层由光固化树脂(将光固化性树脂固化的材料)形成。所述光固化性树脂优选为紫外线固化性树脂，例如适用于丙烯酸树脂(丙烯酸单体(包含低聚物)。

在某个实施方式中，所述第一及第二无机阻挡层分别独立为厚度是大于200nm小于1000nm的SiN_x层。

在某个实施方式中，所述光敏树脂为负性。

在某个实施方式中，有机平坦化层的厚度不超过15μm。所述有机平坦化层的厚度例如大于3μm。

在某个实施方式中，所述光敏树脂包含硅树脂。所述光敏树脂也可以是丙烯酸树脂。

在某个实施方式中，所述有机平坦化层的对350nm的光的透射率大于80％。

在某个实施方式中，所述光敏树脂在0℃的弹性率不超过400MPa。

在某个实施方式中，还具有覆盖所述有机平坦化层的无机绝缘层，所述触摸传感层形成于所述无机绝缘层上。所述无缘绝缘层例如是SiN_x层。所述SiN_x层的厚度例如大于200nm小于1000nm。

在某个实施方式中，所述有机平坦化层至少覆盖配置有所述多个有机EL元件的整个有源区域，并在比所述触摸传感层更大的范围内形成。

在某个实施方式中，所述有机平坦化层覆盖整个所述元件基板。

在某个实施方式中，还具备被所述基板支撑的驱动电路、配置在周边区域的多个端子以及与所述驱动电路和所述多个端子连接的多条引出配线，所述薄膜封装结构被设置在所述多条引出配线的所述驱动电路侧的部分之上，所述多条引出配线的各部分上不存在所述有机阻挡层，而具有所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层直接接触的无机阻挡层接合部。平行于所述多条引出配线的宽度方向的截面的形状的侧面的锥角优选为小于90°，所述第一无机阻挡层的所述侧面的所述锥角优选为小于70°。所述无机阻挡层的接合部的长度优选为至少有0.01nm。

本发明的某个实施方式所涉及的有机EL的制造方法是制造所述任意一个有机EL设备的方法，所述有机平坦化层的形成工序包括：工序A，准备形成有所述薄膜封装结构的所述元件基板；工序B，将包含负性的光敏树脂的液体以至少覆盖所述薄膜封装结构的方式赋予至所述元件基板上；工序C，对所述元件基板上的整个所述感光树脂照射光。

在某个实施方式中，所述工序B仅将所述液体赋予至所述元件基板上的规定区域。所述工序B例如可以通过公知的印刷法(例如，喷墨法及丝网印刷法)来进行的。

本发明的另一个实施方式所涉及的有机EL的制造方法是制造所述任意一个有机EL设备的制造方法，形成所述有机平坦化层的工序包括：工序A，准备形成有所述薄膜封装结构的所述元件基板；工序B，将包含负性的光敏树脂的液体以至少覆盖所述薄膜封装结构的方式赋予至所述元件基板上；工序C，对存在于所述元件基板上的规定区域、或除了所述规定区域以外的区域的所述感光树脂选择性地照射光；工序D，在所述工序C之后使所述光敏树脂接触显影液。所述工序B也可以是将包含所述光敏树脂的液体赋予至整个所述元件基板的工序。此时，也可以包括在所述工序B之前，连接外部基板至所述元件基板的多个端子的工序。

在本发明是某个实施方式中，形成所述至少一个的复合层叠体的工序包括准备形成有所述第一无机阻挡层的所述元件基板至容器内的工序、将蒸气或雾状的光固化性树脂提供至所述容器内的工序、在所述第一无机阻挡层上使所述光固化性树脂凝结来形成液膜的工序、通过对所述光固化性树脂的所述液膜照射光来形成光固化树脂层的工序、通过部分灰化所述光固化树脂层来形成所述有机阻挡层的工序。通过调整所述液膜的厚度及/或灰化的条件，能够调整残留有所述光固化树脂的区域及厚度。

在某个实施方式中，所述灰化装置通过使用N₂O、O₂以及O₃中的至少一种气体的等离子体灰化法进行。

在某个实施方式中，形成所述至少一个的复合层叠体的工序以专利文献2或3所记载的方法，也可以包含形成所述有机阻挡层的工序。根据该方法，能够使光固化树脂在第一无机阻挡层的凸部的侧面(锥角大于90°)和平坦部的边界部不均匀。平行于所述多条引出配线的宽度方向的截面的形状的侧面的锥角优选为小于90°，所述第一无机阻挡层的所述侧面的所述锥角优选为小于70°。

有益效果

根据本发明的实施方式，提供一种有机EL设备奇迹制造方法，在具备具有改善了量产性和耐湿可靠性，且较薄的有机阻挡层的薄膜封装结构的同时，抑制了触摸面板功能降低。

附图说明

图1的(a)是本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置100的有源区域的示意性的部分截面图，(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的部分截面图。

图2是示意性地示出本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置100的结构(在TFE结构10下)的俯视图。

图3的(a)及(b)是分别示意性地示出本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置100A以及100B的结构(在TFE结构10上)的俯视图。

图4的(a)～(c)是图3的(a)所示的OLED显示装置100A的示意性的截面图，(a)是沿着图3中的4A-4A’线的截面图，(b)是沿着图3中的4B-4B’线的截面图，(c)是沿着图3中的4C-4C’线的截面图，(d)是比较例的OLED显示装置100C的截面图，与沿着图3中的4B-4B’线的截面图对应。

图5的(a)及(b)是示意性地示出可具有本发明的实施方式所涉及OLED显示装置的触摸传感层50A的结构的图。

图6的(a)及(b)是示意性地示出可具有本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置1的另一触摸传感层50B的结构的图。

图7的(a)及(b)是分别示出可具有本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置的TFT的例子的模式截面图。

图8的(a)及(b)是实施方式所涉及的另一OLED显示装置的模式截面，分别与图4的(a)及(c)对应。

图9的(a)及(b)是示意性地示出成膜装置200的构成的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式涉及的OLED显示装置及其制造方法。此外，本发明的实施方式不限于以下示例的实施方式。

参照图1的(a)及(b)说明本发明的实施方式涉及的OLED显示装置100的基本构成。图1的(a)是本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置100的有源区域的示意性的部分截面图，图1的(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的部分截面图。

OLED显示装置100具有多个像素，每个像素至少具有一个有机EL元件(OLED)。在此，为了简单起见，针对与一个OELD对应的结构进行说明。

如图1的(a)所示，OLED显示装置100具有：柔性基板(以下，有时简称为“基板”)1、包含在基板1上形成的TFT的电路(背板)2、在电路2上形成的OLED3以及在OLED3上形成的TFE结构10。OLED3例如是顶部发射型。OLED3的最上部例如是上部电极或罩层(折射率调整层)。OLED显示装置100还具有设置在薄膜封装结构10上的、由光敏树脂形成的有机平坦化层42、覆盖有机平坦化层42的无机绝缘层44以及配置在无机绝缘层44上的触摸传感层50。也可以省略无机绝缘层44。在触摸传感层50上配置有可选的偏光板4。偏光板4也可以配置在TFE结构10及触摸传感层50之间(例如，有机平坦化层42及触摸传感层50之间)。偏光板4是圆偏光板(线性偏光板和λ/4板的层叠体)，如公众所知，达到防止反射的效果。从防止反射的观点而言，如图所示，优选为将偏光板4配置在触摸传感层50之上。

例如，基板1是厚度为15μm的聚酰亚胺薄膜。例如，包含TFT的电路2的厚度为4μm，OLED3的厚度为1μm，TFE结构10的厚度为小于1.5μm。例如，有机平坦化层42的厚度为大于3μm小于15μm。例如，无缘绝缘层44是SiN_x层。例如，SiN_x层的厚度大于200nm小于1000nm。

图1的(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的部分截面图。在OLED3的正上方形成有第一无机阻挡层(例如SiN_x层)12，在第一无机阻挡层12上形成有有机阻挡层(例如，丙烯酸树脂层)14，在有机阻挡层14上形成有第二无机阻挡层(例如SiN_x层)16。

有机阻挡层14具有接触第一无机阻挡层12的上面且分散的分布的多个实心部。“实心部”是指在有机阻挡层14内，实际存在有有机膜(例如，光固化树脂膜)的部分。反之，将不存在有机膜的部分称为非实心部。也有将包围实心部的非实心部称为开口部的情况。第二无机阻挡层16与第一无机阻挡层的上面及有机阻挡层14的多个实心部的上部接触。即，第二无机阻挡层16在有机阻挡层14的非实心部中直接接触第一无机阻挡层12。

TFE结构10以保护OLED显示装置100的有源区域(参考图2中的有源区域R1)的方式形成。另外，有机阻挡层14具有的非实心部至少包含以包围有源区域R1的方式连续的部分，有源区域R1是被第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16直接接触的部分(以下，称为“无机阻挡层接合部”)完全包围。因此，有机阻挡层14的实心部分不会变成水分的路径。

将层叠结构称为复合层叠体(10S)，所述层叠结构包括该TFE结构10具有的第一无机阻挡层12以及第二无机阻挡层16，所述第二无机阻挡层16与第一无机阻挡层12的上面及有机阻挡层14的多个实心部的上面接触。虽然TFE结构10由一个复合层叠体10S构成，但不限于此，可以具有两个以上的复合层叠体10S，也可以进一步具有有机绝缘层及/或无机绝缘层。若使TFE结构在最上层具有复合层叠体10S，则能够实现可靠性高的封装。

例如，第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16例如是厚度为400nm的SiN_x层，有机阻挡层14例如是厚度小于100nm的丙烯酸树脂层。

第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16的厚度优选为分别独立，例如大于200nm小于1500nm，优选为小于1000nm。例如有机阻挡层14的厚度为大于10nm小于500nm，优选为大于50nm小于300nm。当小于50nm时，则存在有机阻挡层14的效果不会被充分发挥，反之，当大于500nm时，有机阻挡层14产生的效果饱和，会增加制造成本。复合层叠体10S的厚度优选为大于500nm小于2000nm。

在此，有机阻挡层14的厚度称为平坦部的厚度。用于形成有机阻挡层14的光固化性树脂的液膜由于形成平坦的(水平的)表面，当基底具有凹部时，该部分的液膜的厚度变大。另外，由于液膜由表面张力(包括毛细管现象)形成曲面，所以凸部的周边的液膜的厚度变大。这种局部的厚度变大的部分也可以超过500nm。

复合层叠体10S的厚度优选为大于400nm小于2μm，更优选为大于400nm小于1.5μm。

TFE结构10也可以在复合层叠体10S之下，或复合层叠体10S之上，或在两个复合层叠体10S之间形成无机绝缘层及/或有机绝缘层。此时，无机绝缘层的厚度，例如优选为大于400nm小于1500nm。当无机绝缘层的厚度小于400nm时，例如，会存在直径小于0.5μm左右的较小的粒子，所以有可能阻挡性降低。当无机绝缘层的厚度大于1500nm时，则阻挡性饱和，与此相对膜应力增加，其结果，基板会产生翘曲。

有机绝缘层的厚度，例如当使用一般的喷墨法来形成时，优选为大于5μm小于20μm。在喷墨法中，难以形成厚度小于5μm的均匀的有机绝缘层。另一方面，当有机绝缘层的厚度超过20μm时，由于昂贵材料的消耗量增加，制造成本也变高。或者，用于将通过喷墨法赋予的有机材料阻挡在规定的位置的结构(坝)需要做得较高，所以制造过程也变得复杂。

接下来，参照图2～图4，进一步详细地说明本发明的实施方式涉及的OLED显示装置的结构。在以下中，以由一个复合层叠体10S构成TFE结构10为例进行说明。

首先，参照图2。图2是示意性地示出本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置100的结构(在TFE结构10下)的俯视图。

形成在基板1上的电路2具有多个TFT(未图示)、分别与多个TFT(未图示)中的任意一个连接的多条栅极总线(未图示)以及多条源极总线(未图示)。电路2也可以是用于驱动多个OLED3的公知的电路。多个OLED3与电路2具有的多个TFT的任意一个连接。OLED3也可以是公知的OLED。

电路2还具有多个端子34和多条引出配线32，所述多个端子34在配置有多个OLED3的有源区域(被图2的虚线所包围的区域)R1的外侧的周边区域R2配置，所述多条引出配线32与多个端子34和多条栅极总线或多条源极总线的任意一条连接。将包含多个TFT、多条栅极总线、多条源极总线、多条引出配线32及多个端子34的电路2整体称为驱动电路层2。另外，在驱动电路层2内，将形成于有源区域R1内的部分标记为驱动电路层2A。

此外，在图2中，作为驱动电路层2的构成要素，存在仅图示引出配线32及/或端子34的情况，但是驱动电路层2不仅具有包含引出配线32及端子34的导电层，还具有一个以上的导电层、一个以上的绝缘层及一个以上的半导体层。驱动电路层2所包含的导电层、绝缘层、半导体层的构成，例如，可通过之后的图7(a)及(b)例示的TFT结构来改变。另外，在基板1上，也可以形成绝缘膜(基膜)来作为驱动电路层2的基底膜。

TFE结构10(复合层叠体10S)以保护有源区域R1的方式形成。例如，第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16是SiN_x层，通过使用掩膜的等离子体CVD法，以覆盖有源区域R1的方式选择性地形成于规定区域。在此，第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16分别独立地、在有源区域R1上及多条引出配线32的有源区域R1侧的部分之上选择性地形成。此外，从可靠性的观点而言，第二无机阻挡层16和第一无机阻挡层12相同(外缘一致)，优选为以覆盖整个第一无机阻挡层12的方式形成。有源区域R1的周边被与第一无机阻挡层12和第二无机阻挡层16直接接触的无机阻挡层接合部包围。

有机阻挡层14例如，可以是通过所述专利文献2或3记载的方法来形成。例如，在容器内，将蒸气或雾状的有机材料(例如，丙烯酸单体)提供至维持在室温以下的温度的元件基板，并使其在元件基板上凝结，通过变成液状的有机材料的毛细管现象或表面张力，在第一无机阻挡层12的凸部的侧面和平坦部之间的边界部不均匀。之后，例如通过对有机材料照射紫外线，在凸部的周边的边界部形成有机阻挡层(例如丙烯酸树脂层)14的实心部。由该方法形成的有机阻挡层14实际上在平坦部不存在实心部。关于有机阻挡层的形成方法，将专利文献2及3的公开内容引用至本说明书中以供参考。

有机阻挡层14另外，如后述，也能够通过调整使用成膜装置200形成的树脂层的最初厚度(例如，设为小于100nm)，及/或将暂且形成的树脂层进行灰化处理来形成。例如，灰化装置是通过进行使用N₂O、O₂以及O₃中的至少一种气体的等离子体灰化来获得。

接下来，参照图3的(a)和图3的(b)。图3的(a)是示意性地示出本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置100A的结构(在TFE结构10之上)的俯视图。图3的(b)是示意性地示出本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置100B的结构(在TFE结构10之上)的俯视图。

图3的(a)所示的OLED显示装置100A在TFE结构10上具有有机平坦化层42A和触摸传感层50，所述有机平坦化层42A是由光敏树脂形成的，所述触摸传感层50配置在有机平坦化层42A上。进一步地也可以在有机平坦化层42A和触摸传感层50之间具有无机绝缘层(图1的无机绝缘层44)。有机平坦化层42A仅在元件基板上的规定区域形成，并且以端子34及端子34附近的引出配线32露出的方式形成。有机平坦化层42A也可以以至少覆盖TFE结构10的方式形成。有机平坦化层42A优选为至少覆盖整个有源区域R1，并形成在比触摸传感层50更宽的范围内。

例如，有机平坦化层42A可以以如下方式形成。

将包含负性光敏树脂的液体仅赋予在形成TFE结构10的元件基板上的规定区域，之后，对元件基板上的整个光敏树脂照射光。根据需要，通过在光照射前进行加热(预烘干)来去除溶剂。另外，光照射后，也可以通过加热进一步进行光敏树脂的固化。例如可以通过公知的印刷法(例如，喷墨法及丝网印刷法)来进行赋予包含有光敏树脂的液体的工序。若采用该方法，则不需要光掩膜，另外，也不需要将曝光后的光敏树脂进行显影。

或者，将包含负性光敏树脂的液体赋予在形成TFE结构10的元件基板上的整个表面，对存在于元件基板上的规定区域的光敏树脂进行选择性地照射光。另外，将包含正性光敏树脂的液体赋予在形成TFE结构10的元件基板上的整个表面，并对存在于元件基板上的除了规定区域以外的区域的光敏树脂选择性地照射光。之后，通过使光敏树脂接触显影液，并通过显影而仅在规定的区域内能够形成有机平坦化层42A。

图3的(b)所述的OLED显示装置100B在TFE结构10上具有有机平坦化层42B和触摸传感层50，所述有机平坦化层42B是由光敏树脂形成，所述触摸传感层50配置在有机平坦化层42B上。在有机平坦化层42B覆盖整个元件基板这一点上，OLED显示装置100B与OLED显示装置100A不同。进一步地也可以在有机平坦化层42B和触摸传感层50之间具有无机绝缘层(图1的无机绝缘层44)。

例如，有机平坦化层42B可以以如下方式形成。

将包含负性或正性光敏树脂的液体赋予在形成TFE结构10的元件基板上的整个表面，使用光掩膜曝光，并通过显影可以获得具有露出端子34的开口部42a的有机平坦化层42B。此外，若外部基板先连接端子34，则不需要形成开口部42a，所以也不需要使用光掩膜。

有机平坦化层42A、42B的厚度优选为不超过15μm。当超过15μm时，则弯曲性可能会降低。对存在有粒子时的平坦化的功能的观点而言，有机平坦化层42A、42B的厚度优选为，例如，大于3μm。

光敏树脂优选为，例如包含硅树脂(在此，广泛使用的包含硅橡胶或硅弹性体)。当使用硅树脂形成有机平坦化层时，能够成为对350nm的光的透射率大于80％。也可以使用丙烯酸树脂来代替硅树脂。丙烯酸树脂也能够获得对可见光的高透射率的有机平坦化层。但是，为了成为对350nm的光的透射率大于80％，优选为使用硅树脂。例如，能够使用信越化学工业株式会社制的KER-2500作为硅树脂。

从OLED显示装置的柔软性(弯曲性)的观点而言，优选为0℃的光敏树脂的弹性率不超过400MPa。例如，在使用汤浅系统机器株式会社制的面状体U字型弯折试验器的评价中，能够承受1万次的弯折动作。具体而言，在25℃，以弯折部分的半径变成5mm的方式弯折成U字型，以1Hz的动作频率，在进行一万次弯折动作后，用目视及光学显微镜观察也没有看到产生裂缝，另外，使用Ca(钙)的WVTR评价也能够获得10^-5g/m²·day台的值。另外，也具有缓和施加到OLED显示装置的外力施加至OLED层的效果。

如上述，由于TFE10的阻挡性优，所以针对形成有TFE10的元件基板，能够使用光敏树脂来进行曝光、显影工序。由于OLED层与化学药品接触容易劣化，所以当TFE10的阻挡性降低时，在显影工序中，OLED层会劣化。

接下来，参照图4的(a)～(b)。图4的(a)～(c)是图3所示的OLED显示装置100A的示意性的截面图，图4的(a)是沿着图3中的4A-4A’线的截面图，图4的(b)是沿着图3中的4B-4B’线的截面图，图4的(c)是沿着图3中的4C-4C’线的截面图。图4的(d)是比较例的OLED显示装置100C的截面图，与沿着图3中的4B-4B’线的截面图对应。

图4的(a)是沿着图3中的4A-4A’线的截面图，表示包含粒子P的部分。粒子P是在OLED显示装置的制造流程中产生的微小垃圾，例如，是玻璃的微小碎片、金属粒子或有机物粒子。当使用掩膜蒸镀法时，特别容易产生粒子。

如图4的(a)所示，有机阻挡层(实心部)14可以仅在粒子P的周边形成。这是因为形成第一无机阻挡层12后被赋予的丙烯酸单体在粒子P上的第一无机阻挡层12a的表面(锥角θ大于90°)的周边凝结而分布不均。第一无机阻挡层12的平坦部上成为有机阻挡层14的开口部(非实心部)。

当存在粒子(例如直径大于大约1μm)P时，则在第一无机阻挡层12上有可能形成裂缝(缺陷)12c。可以想到这是因为从粒子P的表面生长的SiN_x层12a与从OLED3的表面的平坦部分生长的SiN_x层12b冲突而产生的。当存在这种裂缝12c时，TFE结构10的阻挡性降低。

在OLED显示装置100的TFE结构10中，如图4的(a)所示，有机阻挡层14以填充第一无机阻挡层12的裂缝12c的方式形成，且有机阻挡层14的表面(凹状)连续地平滑地与粒子P上的第一无机阻挡层12a的表面和OLED3的平坦部上的第一无机阻挡层12b的表面连结。有机阻挡层14如后述，由于是通过将液状的光固化性树脂固化而形成，所以由表面张力而形成凹状的表面。此时，光固化性树脂是对第一无机阻挡层12呈现良好的湿润性。若对光固化性树脂的第一无机阻挡层12呈现较差的湿润性，则反而变成凸状。

通过具有凹状的表面的有机阻挡层(实心部)14，不会在粒子P上的第一无机阻挡层12a及有机阻挡层14上所形成的第二无机阻挡层16上形成有缺陷，而形成细密的膜。如此，通过有机阻挡层14，即便存在粒子P，也能够保持TFE结构10(复合层叠体10S)的阻挡性。

复合层叠体10S在粒子P的周围存在有较柔软的有机阻挡层(实心部)14，且由于粒子P上存在有连续的第二无机阻挡层16，即便弯曲也抑制了以粒子P为起点发生裂缝的情况，所以抑制了由弯曲带来的阻挡性降低，从而耐弯曲性优。

如图4的(b)所示，在靠近有源区域R1的区域(图3的(a)中沿着4B-B’线的截面中，引出配线32上形成有TFE结构10及有机平坦化层42A。

如图4的(c)所示，端子34被露出，并用于与外部的电路(FPC(Flexible printedcircuits：柔性印刷电路板))电连接。

包含如图4的(b)所示的部分的区域在形成TFE结构10的有机阻挡层14的过程中，可形成有机阻挡层(实心部)。例如，如图4的(d)所示的比较例的OLED显示装置100C具有的TFE结构10C，当在平行于引出配线32的线宽度方向的截面形状的侧面具有大于90°的锥角θ时，则沿着引出配线32的侧面可形成有机阻挡层14C。对此，在实施方式所涉及的OLED显示装置100A中，将引出配线32及端子34的截面形状的侧面的锥角θ设为小于90°，光固化性树脂不会不均匀。因此，不会沿着引出配线32及端子34的侧面形成有机阻挡层(实心部)。

当侧面的锥角θ大于90°时，在专利文献2或3所记载的有机阻挡层的形成方法中，变成蒸气或雾状有机材料(例如丙烯酸单体)沿着侧面与平坦的表面的边界(成为小于90°的角)凝结，从而形成有机阻挡层(实心部)。如此一来，例如，沿着引出配线所形成的有机阻挡层(实心部)变成将空气中的水蒸气引导至有源区域内的路径。

如图4的(b)所示的本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置100A的引出配线32、第一无机阻挡层12的侧面的锥角中的任意一个均小于90°，不会沿着这些侧面形成有机阻挡层14。因此，空气中的水分不会经由有机阻挡层(实心部)14到达在有源区域R1内，可获得较优的耐湿可靠性。在此，虽然例示了引出配线的锥角小于90°的情况，但是也可以至少是构成有机阻挡层14的正下方的表面的第一无机阻挡层12的侧面的锥角小于90°。

此外，存在侧面的锥角在大于70°小于90°的范围内，沿着侧面形成有有机阻挡层(实心部)14的情况。当然，若进行灰化处理，则能够沿着倾斜的侧面去除不均匀的树脂，但是灰化处理所需的时间变长。例如，将在平坦的表面上所形成的树脂去除之后也需要进行长时间的灰化处理。或者，将在粒子P的周边形成的有机阻挡层(实心部)进行过多地灰化(去除)会导致无法充分地发挥形成有机阻挡层的效果的问题产生。为了将其抑制和防止，优选为将第一无机阻挡层12的锥角θ设成小于70°，更优选为设定成小于60°。

具有本发明的实施方式所涉及的OLED显示装置100的触摸传感层50也可以是公知的触摸传感层。例如，也可以是电阻膜式、投影型静电电容式的触摸传感层。参照图5及图6，将适用于OLED显示装置100的触摸传感层50A及触摸传感层50B的结构进行说明。

图5的(a)是触摸传感层50A的模式俯视图，图5的(b)是触摸传感层50A的俯视图。触摸传感层50A形成于有机平坦化层42上所形成的无机绝缘层44上。

触摸传感层50A具有多个X电极52A和多个Y电极54A，所述多个X电极52A沿着X方向延伸，所述多个Y电极54A沿着与X方向垂直的Y方向延伸。X电极52A及Y电极54A中的任意一个均由金属网格形成。金属网格的最小单位，例如是35μm×35μm的正方形，将它们聚集多个，例如，构成3mm×3mm的正方形的单位电极，单位电极通过配线分别与X方向或Y方向连接。配线交叉的部分例如在无机绝缘层(SiN_x层)相互绝缘(未图示)。金属网格例如具有Ti层和AI层的层叠结构，或者，具有Ti层/AI层/Ti层的层叠结构。

图6的(a)是触摸传感层50B的模式俯视图，图6的(b)是触摸传感层50B的俯视图。触摸传感层50B形成于有机平坦化层42上所形成的无机绝缘层44上。具有触摸传感层50B的X电极52B及Y电极54B的任意一个均由透明导电层(例如ITO层)形成，由无机绝缘层(例如SiN_x层)相互绝缘。从光的透射率的观点而言，触摸传感层50A更有利。

此外，柔性OLED显示装置，在支撑基板(例如玻璃基板)上例如形成聚酰亚胺膜，并且将支撑基板上的聚酰亚胺膜作为基板1而形成。在此例示了具有触摸传感层50A或50B的OLED显示装置，在形成触摸传感层50A或50B后，能够将聚酰亚胺膜从支撑基板脱离而获得。

接着，参照图7及图8，说明将用于OLED显示装置的TFT的例子，以及制作TFT时使用栅极金属层及源极金属层而形成引出配线及端子的例子。

高精细的中小型用OLED显示装置适合使用迁移率高、低温的多晶硅(简称为“TPS”)适用于TFT或氧化物TFT(例如，包括In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)、O(氧)的4元系(In-Ga-Zn-O系)氧化物)。由于LTPS-TFT及In-Ga-Zn-O系的TFT结构及制造方法是公知的，所以以下为简要的说明。

图7的(a)是LTPS-TFT2_PT的示意截面图，TFT2_PT可包含OLED显示装置100的电路2。LTPS-TFT2_PT是顶栅型的TFT。

TFT2_PT是在基板(例如聚酰亚胺薄膜)1上的基底膜2_PP上形成。虽然上述说明省略了，但是优选为在基板1上形成由无机绝缘体形成的基底膜。

TFT2_PT具有形成于基底膜2_Pp上的多晶硅层2_Pse、形成于多晶硅层2_Pse上的栅极绝缘层2_Pgi、形成于栅极绝缘层2_Pgi上的栅极电极2_Pg、形成于栅极电极2_Pg上的层间绝缘层2_Pi、形成于层间绝缘层2Pi上的源极电极2_Pss以及漏极电极2_Psd。源极电极2_Pss及漏极电极2_Psd在形成于层间绝缘层2_Pi及栅极绝缘层2_Pgi上的接触孔内，分别与多晶硅层2_Pse的源极区域及漏极区域接触。

栅极电极2_Pg和栅极总线相同包含有栅极金属层，源极电极2_Pss及漏极电极2_Psd与源极总线相同包含有源极金属层。使用栅极金属层及源极金属层，形成有引出配线及端子(参照图8并在稍后描述)。

TFT2_PT例如，以如下方式制成。

例如，准备厚度为15μm的聚酰亚胺薄膜作为基板1。

使用等离子体CVD法使基底膜2_Pp(SiO₂膜：250nm/SiN_x膜：

50nm/SiO₂膜：500nm(上层/中层/下层))及a-Si膜(40nm)成膜。

进行a-Si膜的脱氢处理(例如，在450℃下退火180分钟)。

使用准分子激光退火(ELA)法将a-Si膜多晶硅化。

在波长装换工序中通过将a-Si膜图形化来形成活性层(半导体岛)。

使用等离子体CVD法使栅极绝缘膜(SiO₂膜：50nm)成膜。

在活性层的沟道区域进行掺杂(B+)。

使用溅射法使栅极金属(Mo：250nm)成膜，在波长装换工序(包括干蚀刻工序)图形化(形成栅极电极2_Pg及栅极总线等)。

在活性层的源极区域及漏极区域进行掺杂(P+)。

进行活性化退火(例如，在450℃下退火45分钟)。如此获得多晶硅层2_Pse。

使用等离子体CVD法使层间绝缘膜(例如，SiO₂膜：300nm/SiN_x膜：300nm(上层/下侧))成膜。

通过干蚀刻法在栅极绝缘膜及层间绝缘膜形成接触孔。由此，获得层间绝缘层2_Pi及栅极绝缘层2_Pgi。

使用溅射法使源极金属(Ti膜：100nm/Al膜：300nm/Ti膜：30nm)成膜，并在波长装换工序(包括干蚀刻工序)中图形化(形成源极电极2_Pss、漏极电极2_Psd及栅极总线等)。

图7的(b)是In-Ga-Zn-O系TFT2_OT的示意截面图，TFT2_OT可包含OLED显示装置100的电路2。TFT2_OT是顶栅型的TFT。

TFT2_OT是在基板(例如聚酰亚胺薄膜)1上的基底膜2_Op上形成。TFT2_OT具有形成于基底膜2_Op上的栅极电极2_Og、形成于栅极电极2_Og上的栅极绝缘层2_Ogi、形成于栅极绝缘层2_Ogi上的氧化物半导体层2_Ose、在氧化物半导体层2_Ose的源极区域上及漏极区域上分别连接的源极电极2_Oss及漏极电极2_Osd。源极电极2_Oss及漏极电极2_Osd被层间绝缘层2Oi覆盖。

栅极电极2_Og和栅极总线相同而包含有栅极金属层，源极电极2_Oss及漏极电极2_Osd与源极总线相同而包含有源极金属层。使用栅极金属层及源极金属层，形成有引出配线及端子，可具有参照图8并在稍后描述的结构。

TFT2_OT例如，以如下方式制成。

例如准备厚度为15μm的聚酰亚胺薄膜作为基板1。

使用等离子体CVD法使基底膜2Op(SiO₂膜：250nm/SiN_x膜：50nm/SiO₂膜：500nm(上层/中层/下层))成膜。

使用溅射法使栅极金属(Cu膜：300nm/Ti膜：30nm(上层/下层))成膜，在波长装换工序(包括干蚀刻工序)图形化(形成栅极电极2Og及栅极总线等)。

使用等离子体CVD法使栅极绝缘膜(SiO₂膜：300nm/SiN_x膜：300nm(上层/下层))成膜。

使用溅射法使氧化物半导体膜(In-Ga-Zn-O系半导体膜：100nm)成膜，在波长装换工序(包括湿蚀刻法)中通过图形化来形成活性层(半导体岛)。

使用溅射法使源极金属(Ti膜：100nm/Al膜：300nm/Ti膜：30nm(上层/中层/下层))成膜，并在波长装换工序(包括干蚀刻工序)中图形化(形成源极电极2_Oss、漏极电极2_Osd及栅极总线等)。

进行活性化退火(例如，在300℃下退火120分钟)。如此获得氧化物半导体层2_Ose。

之后，使用等离子体CVD法使层间绝缘膜2Oi(例如，SiO₂膜：300nm/SiN_x膜：300nm(上层/下层))成膜来作为保护膜。

接下来，参照图8的(a)及(b)说明本发明的实施方式涉及的其它OLED显示装置的结构。该OLED显示装置的电路(背板)2具有图7的(a)所示的TFT2_PT或图7的(b)所示TFT2_OT，使用制造TFT2_PT或TFT2_OT时的栅极金属层及源极金属层来形成引出配线32A及端子34A。图8的(a)及(b)分别与图4的(b)及(c)对应，设定对对应的构成要素的附图标记赋予为“A”。此外，图8的(a)的TFE结构10A被有机平坦化层(未图示)所覆盖。另外，图8中的基底膜2p与图7的(a)中的基底膜2Pp及图7的(b)中的基底膜2_Op对应，图8中的栅极绝缘层2gi与图7的(a)中的栅极绝缘层2_Pgi及图7的(b)中的栅极绝缘层2_Ogi对应，图8中的层间绝缘层2i分别与图7的(a)中的层间绝缘层2Pi及图7的(b)中的层间绝缘层2_Oi对应。

如图8的(a)及(b)所示，栅极金属层2g及源极金属层2s形成于基板1上所形成的基底膜2p。虽然在图4中省略了，但是优选为在基板1上形成由无机绝缘体形成的基底膜2p。

如图8的(a)及(b)所示，引出配线32A及端子34A是作为栅极金属层2g和源极金属层2s之间的层叠体而形成。引出配线32及端子34A的形成于栅极金属层2g的部分例如，具有和栅极总线相同的截面形状，引出配线32及端子34A的形成于源极金属层2s的部分例如，具有和源极总线相同的截面形状。例如，在500pii的5.7型的显示装置的情况下，形成于栅极金属层2g的部分的线宽度例如是10μm，邻接间距为16μm(L/S＝10/16)，形成于源极金属层2s的部分的线的宽度例如是16μm，邻接间距为10μm(L/S＝16/10)。锥角θ中的任意一个均小于90°，优选为小于70°，更优选为小于60°。

接下来，参照图9的(a)及(b)，说明用于形成有机阻挡层的成膜装置200及其成膜方法。图9的(a)及(b)是示意性的示出成膜装置200的构成的图，图9的(a)表示在包含蒸气或雾状的光固化性树脂的容器内，使光固化性树脂在第一无机阻挡层上凝结的工序的成膜装置200的状态，图9的(b)是表示照射时光固化性树脂具有光敏性的光，使光固化性树脂固化的工序的成膜装置200的状态。

成膜装置200具有容器210及间隔壁234，所述间隔壁234将容器210的内部分割成两个空间。

在容器210的内部中被间隔壁分隔的一方的空间配置有载置台212和喷淋板220。在被间隔壁234分隔的另外一方的空间配置有紫外线照射装置230。容器210将该内部空间控制在规定的压力(真空度)及温度下。载置台212包括收容具有多个形成第一无机阻挡层的OLED3的元件基板20的上表面，例如能够将上表面冷却至-20℃。

喷淋板220以在与分隔壁之间形成间隙部224的方式配置，并具有多个贯通孔222。间隙部224的垂直方向的尺寸例如可以是大于100nm小于100nm。提供至间隙部224的丙烯酸单体(蒸气或雾状)，从喷淋板220的多个贯通孔222提供至容器210内的载置台212侧的空间。根据需要加热丙烯酸单体。蒸气或雾状的丙烯酸单体26p附着或接触元件基板20的第一无机阻挡层。丙烯酸单体26以规定的流量从容器202提供至容器210内。容器202经由配管206提供丙烯酸单体26的同时，从配管204提供氮气。朝容器202的丙烯酸单体的流量被质量流量控制器208控制。由喷淋板220、容器202、配管204、206及质量流量控制器208等构成原料供给装置。

紫外线照射装置230具有紫外线光源和可选的光学元件。紫外线光源例如可以是紫外线灯(例如汞灯等(含高压、超高压)、汞氙气灯或金属卤化物灯)，也可以是紫外线LED、紫外线半导体传感器等紫外线发光半导体元件。光学元件例如是反射镜、棱镜、光纤、衍射元件、空间光调制元件及全息元件。也可以根据紫外线光源的种类、大小使用多个紫外线光源。

当紫外线照射装置230被配置在规定位置时，将具有规定波长和强度的光朝向载置台212的上面出射。间隔壁234及喷淋板220优选为使用紫外线透射路高的材料，例如由石英形成。

能够使用成膜装置200，将有机阻挡层14形成为如下。在此，说明使用丙烯酸单体作为光固化性树脂的例子。

提供丙烯酸26p至容器210内。元件基板20在容器212上例如被冷却成-15℃。丙烯酸单体26p在元件基板20的第一无机阻挡层12上凝结。通过控制此时的条件，能够使液状的丙烯酸单体在具有第一无机阻挡层12的凸部周围不均匀。或者，控制条件，以使在第一无机阻挡层12上凝结的丙烯酸形成液膜。

通过调整液状的光固化性树脂的粘度及/或表面张力，能够控制与液膜的厚度、第一无机阻挡层12的凸部连接的部分的形状(凹形)。例如，由于粘度及表面张力取决于温度，所以能够通过调节元件基板的温度进行控制。例如，存在于平坦部上的实心部的大小可通过与液膜的第一无机阻挡层12D的凸部接触的部分的形状(凹形)及之后进行灰化处理的条件来进行控制。

接着使用紫外线照射装置230，典型为通过在整个元件基板20的上面照射紫外线232，使第一无机阻挡层12上的丙烯酸单体固化。作为紫外线光源，例如，使用具有主波峰为365nm的高压汞灯，作为紫外线强度例如，在12mW/cm2大约照射10秒。

由丙烯酸树脂构成的有机阻挡层14以如下方式形成。该有机阻挡层14的形成工序的节拍时间例如大约小于30秒，量产性非常高。

也可以使液膜状的光固化性树脂固化之后，经过灰化处理，从而在凸部的周围形成有机阻挡层14。此外，通过使不均匀的光谷化学树脂固化而形成有机阻挡层14时，也可以进行灰化处理。通过灰化处理，能够使有机阻挡层14和第二无机阻挡层16的连接性提高。即，灰化处理不仅是用于将暂且形成的有机阻挡层的多余的部分去除，也可以用于有机阻挡层14的表面改性(亲水化)。

灰化处理可使用公知的等离子体灰化装置、光激发灰化装置、以及UV臭氧灰化装置来进行。例如，可用N₂O、O₂以及O₃中的至少一种气体的等离子体灰化或者再进一步加上紫外线照射进行组合来进行。使用CVD法使作为第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16的SiN_x膜成膜的情况下，由于使用了N₂O作为原料气体，所以当使用N₂O进行灰化时具有能够简化装置结构的优点。

当进行灰化时，有机阻挡层14的表面氧化，被改性成亲水性。另外，有机阻挡层14的表面被切削成大致一样的同时，形成极为细微的凹凸，表面积增加。进行灰化时的表面积增加效果是与相对于无机材料即第一无机阻挡层12相比较，相对于有机阻挡层14的表面更大。因此，从有机阻挡层14的表面的亲水性被改性和表面积增加，使和第二无机阻挡层16的紧密接触性提高。

之后，运送至用于形成第二无机阻挡层16的CVD容器，例如，在与第一无机阻挡层12相同的条件下形成第二无机阻挡层16。由于第二无机阻挡层16形成于第一无机阻挡层12所形成的区域，所以有机阻挡层14的非实心部形成有直接与第一无机阻挡层12和第二无机阻挡层16直接接触的无机阻挡层接合部。因此，如上述，经由有机阻挡层能够控制、防止空气中的水蒸气到达有源区域内。

此外，第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16例如以如下方式形成。在使用SiH₄及N₂O气体的等离子体CVD法中，例如，将成膜对象的基板(OLED3)的温度控制在80℃以下状态下，以400nm/min的成膜速度能够形成厚度为400nm的无机阻挡层。如此一来获得的无机阻挡层的弯曲率为1.84，400nm的可见光的透射率为90％(厚度为400nm)。另外，膜应力的绝对值为20MPa。

此外，除了SiN_x层以外，也能够使用SiO₂、SiO_xN_y(x>y)层、SiN_xO_y(x>y)层、Al₂O₃层等作为无机阻挡层。光固化性树脂例如，包括含乙烯基的单体。其中，适合使用于丙烯酸单体。根据需要可对丙烯酸单体混合光聚合引发剂。也能够使用公知的各种丙烯酸单体。也可以混合多种丙烯酸单体。例如，也可以混合双官能单体和三官能单体以上的多官能单体。另外，也可以混合低聚物。也可以使用紫外线硬化型的硅树脂作为光固化性树脂。硅树脂(包含硅胶)的可见光透射性及耐候性优，具有即便长时间使用也不会发黄的特征。也可以使用通过可见光的照射而固化的光固化性树脂。光固化性树脂在固化前的室温的粘度(例如20℃)优选为不超过10PA·S，更优选为1～100mPA·S。当粘度变高时，存在难以形成厚度小于50nm的较薄的液膜的情况。

在上述中，说明了具有柔性基板的OLED显示装置及其制造方法的实施方式，但是本发明的实施方式仅为示例性的而非限制性的，能够广泛适用于具有形成有不具有柔软性的基板(例如玻璃基板)所形成的有机EL元件以及形成于有机EL元件上的薄膜封装结构的有机EL设备(例如，有机EL照明装置)。

产业上的可利用性

本发明的实施方式使用于有机EL设备及其制造方法。本发明的实施方式特别适用于柔性有机EL显示装置及其制造方法。

附图标记说明

1 基板(柔性基板)

2 电路(驱动电路或背板电路)

3 有机EL元件

4 偏光板

10 薄膜封装结构(TFE结构)

12 第一无机阻挡层(SiN_x层)

14 有机阻挡层(丙烯酸树脂层)

16 第二无机阻挡层(SiN_x层)

20 元件基板

26 丙烯酸单体

26P 丙烯酸单体的蒸气或雾状的丙烯酸单体

100、100A 有机EL显示装置。

Claims (15)

1.一种有机EL设备，其特征在于，所述有机EL设备包括：

元件基板，其具有基板以及被所述基板支撑的多个有机EL元件；

薄膜封装结构，所述薄膜封装结构是形成于所述多个有机EL元件上的薄膜封装结构，其具有由第一无机阻挡层、有机阻挡层及第二无机阻挡层构成的，至少一个的复合层叠体，所述有机阻挡层具有与所述第一无机阻挡层的上表面接触且分散分布的多个实心部，所述第二无机阻挡层与所述第一无机阻挡层的所述上表面及所述有机阻挡层的所述多个实心部的上表面接触；

有机平坦化层，其设置在所述薄膜封装结构上，由光敏树脂构成；

触摸传感层，其被配置在所述有机平坦化层上。

2.如权利要求1所述的有机EL设备，其特征在于，所述光敏树脂为负性。

3.如权利要求1或2所述的有机EL设备，其特征在于，所述有机平坦化层的厚度不超过15μm。

4.如权利要求1～3中的任意一项所述的有机EL设备，其特征在于，所述光敏树脂包含硅树脂。

5.如权利要求1～4中的任意一项所述的有机EL设备，其特征在于，所述有机平坦化层的对350nm的光的透射率大于80％。

6.如权利要求1～4中的任意一项所述的有机EL设备，其特征在于，所述光敏树脂在0℃的弹性率不超过400MPa。

7.如权利要求1～5中的任意一项所述的有机EL设备，其特征在于，还具有覆盖所述有机平坦化层的无机绝缘层，所述触摸传感层形成于所述无机绝缘层上。

8.如权利要求1～7中的任意一项所述的有机EL设备，其特征在于，所述有机平坦化层至少覆盖配置有所述多个有机EL元件的整个有源区域，并在比所述触摸传感层更大的范围内形成。

9.如权利要求1～8中的任意一项所述的有机EL设备，其特征在于，所述有机平坦化层覆盖整个所述元件基板。

10.如权利要求1～9中的任意一项所述的有机EL设备，其特征在于，所述多个实心部包括具有凹状表面的多个实心部。

11.如权利要求1～10中的任意一项所述的有机EL设备，其特征在于，还具备被所述基板支撑的驱动电路、配置在周边区域的多个端子以及与所述驱动电路和所述多个端子连接的多条引出配线，

所述薄膜封装结构被设置在所述多条引出配线的所述驱动电路侧的部分之上，所述多条引出配线的各部分上不存在所述有机阻挡层，而具有所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层直接接触的无机阻挡层接合部。

12.一种制造方法，其是权利要求1～11中的任意一项所述的有机EL设备的制造方法，其特征在于，

形成所述有机平坦化层的工序包括：

工序A，准备形成有所述薄膜封装结构的所述元件基板；

工序B，将包含负性的光敏树脂的液体以至少覆盖所述薄膜封装结构的方式赋予至所述元件基板上；

工序C，对所述元件基板上的整个所述感光树脂照射光。

13.如权利要求12所述的一种制造方法，其特征在于，所述工序B仅将所述液体赋予至所述元件基板上的规定区域。

14.一种制造方法，其是权利要求1～11中的任意一项所述的有机EL设备的制造方法，其特征在于，

形成所述有机平坦化层的工序包括：

工序A，准备形成有所述薄膜封装结构的所述元件基板；

工序B，将包含光敏树脂的液体以至少覆盖所述薄膜封装结构的方式赋予至所述元件基板上；

工序C，对存在于所述元件基板上的规定区域、或除了所述规定区域以外的区域的所述感光树脂选择性地照射光；

工序D，在所述工序C之后使所述光敏树脂接触显影液。

15.如权利要求12～14中的任意一项所述的制造方法，其特征在于，形成所述至少一个的复合层叠体的工序包括

准备形成有所述第一无机阻挡层的所述元件基板至容器内的工序、

将蒸气或雾状的光固化性树脂提供至所述容器内的工序、

在所述第一无机阻挡层上使所述光固化性树脂凝结来形成液膜的工序、

通过对所述光固化性树脂的所述液膜照射光来形成光固化树脂层的工序、

通过部分灰化所述光固化树脂层来形成所述有机阻挡层的工序。

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