WO2005094134A1

WO2005094134A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置

Info

Publication number: WO2005094134A1
Application number: PCT/JP2004/004415
Authority: WO
Inventors: Hiroyuki Yaegashi
Original assignee: Fuji Photo Film Co., Ltd.
Priority date: 2004-03-29
Filing date: 2004-03-29
Publication date: 2005-10-06
Also published as: TW200532919A; CN1961617B; CN1961617A; JPWO2005094134A1; JP4637831B2; TWI232589B; US7888856B2; EP1742515A1; EP1742515B1; EP1742515A4; US20080036366A1

Abstract

絶縁性基板１０上に形成された光反射膜１２と、光反射膜１２上に光反射膜１２を覆うように形成された透明導電膜１４とを有するアノード電極１６と、アノード電極１６上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層１８と、有機エレクトロルミネッセンス層１８上に形成され、光透過性を有するカソード電極２０とを有する。これにより、素子特性の劣化を伴うことなく、高い発光効率を実現することができる。

Description

有機ェレクト口ルミネッセンス素子及ぴその製造方法並びに表示装置

[技術分野]

本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス素子及ぴその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法に係り、特に、発光効率に優れた有機エレクトロルミネッ明

センス素子及びその製造方法、並びにこのような有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置に関する。

田

[背景技術]

従来の C R T、 L C Dと比較して薄型化、軽量化が可能な表示装置として、近年、有機エレクト口ルミネッセンス素子（E L ) を用いた表示装置が大きな注目を集めている。有機ェレクトロルミネッセンス素子は、自己発光型であるため、視認性が高い、視野角依存性がない、可撓性を有するフィルム基板を用いることができる、液晶表示装置と比較して薄い■軽い、などの様々な利点がある。さらには、高精細度の表示を実現すべく、有機エレクト口ルミネッセンス素子とともに、薄膜トランジスタ等のスィッチング素子を有するアクティブマトリタス型の表示装置の開発が進められている。

従来の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置では、例えば、ガラス基板よりなる絶縁性基板上に、 I T O (スズをドープした酸化インジウム）等の透明導電膜よりなるアノード電極が形成されている。アノード電極上には、電子と正孔との再結合により光が発生する発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層が形成されている。有機エレクト口ルミネッセンス層上には、 A 1 (ァルミ二ゥム）膜や M g (マグネシウム）一A g (銀）合金膜等よりなる力ソード電極が形成されている。こうして、絶縁性基板上に、アノード電極と、有機エレクトロルミネッセンス層と、力ソード電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている。また、アクティブマトリクス型の表示装置においては、有機エレクトロルミネッセンス素子に印加する駆動電圧を制御する薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が、絶縁性基板と有機ェレクトロルミネンセンス素子との間に形成されている。このような構造を有する表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス層の発光層において発生した光が絶縁性基板側から取り出されるいわゆるボトムエミッション型となっている。

上記の表示装置においてフルカラー化を実現する場合には、画素領域に発光波長の異なる発光層がつくり分けられている。例えば、画素となる領域が鬨口された蒸着マスクを基板に密着させ、 .R G Bの各色を形成する発光層を、例えば R G Bの順に蒸着マスクを移動して形成することが行われている。

ボトムェミッション型の表示装置の場合、上述のように、有機エレクト口ルミネッセンス素子において発生した光は絶縁性基板側から取り出される。このため、絶縁性基板と有機ェレクトロルミネッセンス素子との間にスィッチング秦子が形成される場合、 1画素に占める発光面積がスイッチング素子の存在により実質的に小さくなり、高い発光効率を得ることができないという難点がある。

このような発光効率に関する難点については、スィツチング素子が形成される絶縁性基板側とは反対側、すなわち力ソード電極側から発光層において発生した光が取り出されるいわゆるトップエミッション型の構造による解決が試みられている（例えば特許文献 1、 2を参照）。

特許文献 1に開示されたトップエミッシヨン型の表示装置においては、光透過性を有する力ソード電極を用い、アノード電極として光反射性を有する C r (クロム）薄膜を用いることにより、発光層で発生した光を力ソード電極側へ反射し、力ソード電極から光が取り出されている。しかしながら、 C rは光の反射率があまり高くないため、発光層で発生した光を充分に力ソード電極側へ反射することはできない。

また、特許文献 2に開示されたトップエミッシヨン型の表示装置においては、 A 1膜よりなる反射層上に I T O膜よりなる電極層が直に形成されている。しかしながら、 A 1膜と I T O膜とは電気的接続が良好ではないため、反射層を電極として用いることは困難であった。

このため、反射層下にスイッチング素子を設けると、電極層とスイッチング素子との接続が困難であった。本発明の目的は、高い発光効率を実現しうる有機エレクトロルミネッセンス素子及ぴその製造方法、並びにこのような有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置を提供することにある。

特許文献 1

特開 2 0 0 1— 8 5 1 6 3号公報

特許文献 2

特開平 1 1一 3 2 9 7 5 3号公報 [発明の開示]

本発明の一観点によれば、基板上に形成され、光反射性を有する第 1の導電膜と、前記第 1の導電膜上に前記第 1の導電膜を覆うように形成され、光透過性を有する第 2の導電膜とを有するアノード電極と、前記アノード電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、光透過性を有するカソード電極とを有することを特徴とする有機ェレクトロルミネッセンス素子が提供される。

また、本発明の他の観点によれば、基板上に形成され、光反射性を有する第 1 の導電膜と、前記第 1の導電膜上に形成され、光透過性を有する第 2の導電膜と、前記第 1の導電膜と前記第 2の導電膜との間に部分的に形成され、前記第 1の導電膜及び前記第 2の導電膜のそれぞれに電気的に接続する第 3の導電膜とを有するアノード電極と、前記アノード電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクト口ルミネッセンス層上に形成され、光透過性を有するカソード電極とを有することを特徴とする有機ェレクト口ルミネッセンス素子が提供される。

また、本発明の更に他の観点によれば、基板上に形成され、光反射性を有する第 1の導電膜と、前記第 1の導電膜上に形成され、光透過性を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、光透過性を有する第 2の導電膜を有するァノ一ド電極と、前記アノード電極上に形成された有機エレクト口ルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、光透過性を有する力ソード電極とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。また、本発明の更に他の観点によれば、基板上に、光反射' を有する第 1の導電膜と、前記第 1の導電膜上に前記第 1の導電膜を覆うよう ίこ形成され、光透過性を有する第 2の導電膜とを有するァノード電極を形成する H 程と、前記第 1の導電膜上に、有機エレクトロルミネッセンス層を形成するェ禾里と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に、光透過性を有する力ソード電を形成する工程とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素 fの製造方法が提供される。

また、本発明の更に他の観点によれば、基板上に、スイッング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子が形成された前記基板上に、第 1の絶縁層を形成する工程と、前記第 1の絶縁層上に、光反射性を有する第 1 の導電膜を形成する工程と、前記第 1の導電膜が形成された前記第 1の絶縁層に、前記スィッチング素子の電極上に第 1の開口部を有し、光透過性を有する光性樹脂よりなる第 2の絶緣層を形成する工程と、前記第 2の絶縁層をマスクとして前記第 1の絶縁層をエッチングし、前記スィツチング素子の電極に達する^ 2の開口部を形成する工程と、前記第 2の絶縁層上に、前記第 1の開口部及び ffr記第 2の開口部を介して前記スィツチング素子の電極に電気的に接続され、光逾過性を有する第 2 の導電膜を有するアノード電極を形成する工程と、前記アノード電極上に、有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に、光透過性を有する力ソード電極を形成する工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、基板上に形成され、光反射性を有する第 1 の導電膜と、第 1 の導電膜上に第 1の導電膜を覆うように形成され、光透過性を有する第 2の導電膜とによりアノード電極を構成することにより、有機エレクト口ルミネッセンス層において発生した光を力ソード電極側から取り出すので、素子特性の劣化を伴うことなく、高い発光効率を実現することができる。

また、本発明によれば、第 1の導電膜と第 2の導電膜との間に、第 1の導電膜及び第 2の導電膜のそれぞれに電気的に接続する第 3の導電)^を部分的に形成することにより、第 1の導電膜と第 2の導電膜との間の導通を確保するので、第 1 の導電膜から有機エレクト口ルミネッセンス層に正孔を注入することができる。また、本発明によれば、基板上に形成され、光反射性を有する第 1の導電膜上に、光透過性を有する絶縁層を介して、光透過性を有する第 2の導電膜を有するアノード電極を形成し、アノード電極下の第 1の導電膜により、有機エレクト口ルミネッセンス層において発生した光をカソード電極側から取り出すので、有機エレクトロルミネッセンス層において発生した光を力ソード電極側から取り出すので、素子特性の劣化を伴うことなく、高い発光効率を実現することができる。

[図面の簡単な説明] '

図 1は、本発明の第 1実施形態による表示装置の構造を示す概略図である。図 2は、有機エレクト口ノレミネッセンス素子を用いたポトムエミッション型の表示装置の構造の一例を示す概略図である。

図 3は、本発明の第 1実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図

(その 1 ) である。

図 4は、本発明の第 1実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図 (その 2 ) である。

図 5は、本発明の第 2実施形態による表示装置の構造を示す概略図である。図 6は、本発明の第 2実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図 (その 1 ) である。

図 7は、本発明の第 2実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図 (その 2 ) である。

図 8は、本発明の第 3実施形態による表示装置の構造を示す概略図である。図 9は、本発明の第 4実施形態による表示装置の構造を示す断面図である。図 1 0は、本発明の第 5実施形態による表示装置の構造を示す断面図である。図 1 1は、有機エレクト口ルミネッセンス素子とともにスィツチング素子として薄膜トランジスタを用いたボトムエミッション型の表示装置の構造の一例を示す断面図である。

図 1 2は、本発明の第 5実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図 (その 1 ) である。

図 1 3は、本発明の第 5実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図 (その 2 ) である。

図 1 4は、本発明の第 6実施形態による表示装置の構造を示す断面図である図 1 5は、本発明の第 6実施形態による表示装置の特性を示すグラフである。図 1 6は、アノード電極として C r膜を用いた表示装置の構造を示す断面図でめる。

図 1 7は、本発明の第 6実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図 (その 1 ) である。

図 1 8は、本発明の第 6実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図 (その 2 ) である。

図 1 9は、本発明の第 7実施形態による表示装置の構造を示す断面図である。

図 2 0は、本発明の第 7実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図（その 1 ) である。

図 2 1は、本発明の第 7実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図（その 2 ) である。

図 2 2は、本発明の第 7実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図（その 3 ) である。

[発明を実施するための最良の形態]

(第 1実施形態）

本発明の第 1実施形態による表示装置及びその製造方法について図 1乃至図 4 を用いて説明する。図 1は本実施形態による表示装置の構造を示す概略図、図 2 は有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたボトムエミッシヨン型の表示装置の構造を示す概略図、図 3及び図 4は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、本実施形態による表示装置の構造について図 1を用いて説明する。図 1 Aは本実施形態による表示装置の構造を示す平面図、図 1 Bは図 1 Aの X— X' 線断面図である。本実施形態による表示装置は、絶縁性基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子を有するパッシブマトリクス型の表示装置である。なお、図 1は 1画素分の構造を示したものであるが、実際には複数の画素がマトリクス状に配置されている。

図 1 Bに示すように、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上には、光反射性を有する A 1膜よりなる光反射膜 1 2が形成されている。光反射膜 1 2上には、光透過性を有する I T O膜よりなる透明導電膜 1 4が形成されている。なお、本願明細書において、「光反射性を有する」とは、光の反射率が 5 0 %以上、より好ましくは 8 0 %以上であることを意味する。また、「光透過性を有する」とは、光の透過率が 5 0 %以上、より好ましくは 8 0 %以上であることを意味する。こうして、絶縁性基板 1 0上に、光反射膜 1 2と透明導電膜 1 4とを有するァノード電極 1 6が形成されている。アノード電極 1 6上には、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とが順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス層 1 8が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層 1 8上には、光透過性を有する A 1 / I T O積層膜よりなるカソード電極 2 0 が形成されている。こうして、絶縁性基板 1 0上に、アノード電極 1 6と、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8と、カソード電極 2 0とを有する有機エレクト口ルミネッセンス素子が形成されている。

図 1 Aに示すように、ァノード電極 1 6は、絶縁性基板 1 0上に、所定の方向 (図 1 A中上下方向）に延在して形成されている。透明導電膜 1 4は、光反射膜 1 2よりも幅広に形成されている。これにより、光反射膜 1 2は、透明導電膜 1 4により覆われている。力ソード電極 2 0は、アノード電極 1 6が形成された絶縁性基板 1 0上に、アノード電極 1 6に直交する方向（図 1 A中左右方向）に延在して形成されている。これらアノード電極 1 6とカソード電極 2 0とが交差する領域の両者の間に、交差領域よりも幅広の矩形状に有機エレクトロルミネッセンス層 1 8が形成されている。こうして、上記構造を有する有機エレクト口ルミネッセンス素子が形成された画素領域が構成されている。

本実施形態による表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子において、光反射性を有する光反射膜 1 2と、光透過性を有する透明導電膜 1 4とをァノード電極 1 6が有し、光反射膜 1 2が透明導電膜 1 4により覆われていることに主たる特徴がある。本実施形態による表示装置では、力ソード電極 2 0から電子が有機エレクトロルミネッセンス層 1 8に注入され、アノード電極 1 6の透明導電膜 1 4から正孔が有機エレクトロルミネッセンス層 1 8に注入される。注入された電子は電子輸送層により発光層に輸送され、注入された正孔は正孔輸送層により発光層に輸送される。こうして発光層に輸送された電子と正孔とが、発光層において再結合することにより発光が生じる。発光層において発生した光は、光反射膜 1 2により力ソード電極 2 0側に反射され、光透過性を有する力ソード電極 2 0側から取り出される。

このように、本実施形態による表示装置は、光反射膜 1 2の存在により、絶縁性基板 1 0とは反対側のカソード電極 2 0側から光が取り出されるトップエミッシヨン型となっている。したがって、絶縁性基板 1 0と有機エレクト口ルミネッセンス素子との間に他の素子が形成される場合において、他の素子が形成された領域からも光を取り出すことが可能となる。すなわち、有機エレクト口ルミネッセンス素子の発光面積が他の素子により制限されることはなく、高い発光効率を実現することができる。例えば、薄膜トランジスタ等のスィツチング素子が形成された絶縁性基板上に層間絶縁膜を介して有機ェレクト口ルミネッセンス素子を形成する場合において、スィツチング素子により発光面積が制限されることはなく、高い発光効率を実現することができる。

このようなトップエミッシヨン型の本実施形態による表示装置に対して、図 2 に示す表示装置は、有機エレクト口ノレミネッセンス素子を用いたボトムエミッション型の表示装置である。図 2 Aは有機エレクト口ルミネッセンス素子を用いたボトムエミッション型の表示装置の構造を示す平面図、図 2 Bは図 2 Aの X— X ' 線断面図である。なお、図 2は 1画素分の構造を示したものであるが、実際には複数の画素がマトリクス状に配置されている。

図 2に示すように、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0 0上には、 I T O膜よりなる透明なァノード電極 1 0 2が形成されている。アノード電極 1 0 2上には、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とが順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス層 1 0 4が形成されている。有機エレクトロノレミネッセンス層 1 0 4上には、 A 1膜や M g— A g合金膜等よりなる力ソード電極 1 0 6が形成されている。こうして、絶縁性基板 1 0 0上に、アノード電極 1 0 2と、有機エレクトロルミネッセンス層 1 0 4と、力ソード電極 1 0 6とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている。

図 2に示すボトムエミッシヨン型の表示装置では、有機エレクトロルミネッセンス層 1 0 4において発生した光は、絶縁性基板 1 0 0側から取り出される。このため、絶縁性基板 1 0と有機エレクトロルミネッセンス素子との間にスィッチング素子等の他の素子が形成される場合に、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光面積が他の素子により制限され、本実施形態による表示装置のように高い発光効率を実現することは困難である。

また、本実施形態による表示装置は、アノード電極 1 6において、 A 1膜よりなる光反射膜 1 2は、その表面が剥き出しにならないように、 I T O膜よりなる透明導電膜 1 4により覆われている。これにより、製造工程における I T O膜をパターユングする際に、 A 1膜よりなる光反射膜 1 2が腐食されるのを防止することができる。すなわち、 I T〇膜のパターユングにはアルカリ性の現像液が用いられるため、 A 1膜の表面が露出し A 1膜及び I T O膜の両者が現像液に曝されると、電池効果により A 1膜が腐食されることがある。本実施形態による表示装置では、 A 1膜よりなる光反射膜 1 2を覆うように I T O膜よりなる透明導電膜 1 4が形成されているため、かかる電池効果による光反射膜 1 2の腐食が防止されている。

また、 A 1膜よりなる光反射膜 1 2と I T O膜よりなる透明導電膜 1 4との間には、有機エレクトロルミネッセンス素子に対する駆動電圧の印加時の発熱等によりゥイスカーが発生する場合がある。このようなゥイスカーは電極間の短絡の原因の 1つになり得るものである。しかしながら、本実施形態による表示装置では、 A 1膜よりなる光反射膜 1 2を覆うように I T O膜よりなる透明導電膜 1 4 が形成されているため、ゥイスカーによるァノード電極 1 6とカソード電極 2 0 との間の短絡を防止することができる。

なお、 A 1膜は、従来用いられていた C r膜よりも高い反射率を有しており、有機エレクト口ルミネッセンス素子の光反射膜として好適である。その一方、光反射膜として A 1膜を用いる場合、上述のような課題が発生する。本実施形態による表示装置は、 A 1膜を覆うように I T O膜を形成することにより、腐食ゃ電極間の短絡等の不都合を伴うことなく従来よりも高い発光効率を実現するものである。

さらに、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8は、従来の有機エレクト口ルミネッセンス素子と同様に、 I T O膜よりなる透明導電膜 1 4上に形成されている。このため、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8として、従来の有機エレクト口ルミネッセンス素子と同様の材料及び構造の有機エレクトロルミネッセンス層をそのまま用いて高い発光効率を有するトップエミッション型の表示装置を構成することができる。

次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図 3及び図 4を用いて説明する。

まず、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚 1 5 0 n mの A 1膜 2 2を形成する（図 3 Aを参照）。

次いで、フォトリソグラフィー及びエッチングに.より、 A 1膜 2 2を所定の形状にパターユングする。こうして、絶縁性基板 1 0上に、 A 1膜 2 2よりなる光反射膜 1 2を形成する（図 3 Bを参照）。

次いで、光反射膜 1 2が形成された絶縁性基板 1 0上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚 7 0 n mの I T O膜 2 4を形成する（図 3 Cを参照）。

次いで、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、 I T O膜 2 4を所定の形状にパターニングする。このとき、光反射膜 1 2の表面が剥き出しにならないように、光反射膜 1 2を被覆する形状及ぴ大きさに I T O膜 2 4をパターニングする。こうして、 I T O膜 2 4よりなる透明導電膜 1 4を形成する（図 4 Aを参照）。 I T O膜 2 4をパターユングする間、 I T〇膜 2 4下の A 1膜 2 2よりなる光反射膜 1 2の表面が露出することはないので、電池効果による光反射膜 1 2 の腐食を防止することができる。

次いで、光反射膜 1 2と透明導電膜 1 4とを有するアノード電極 1 6が形成された絶縁性基板 1 0上に、例えば真空蒸着法により、所定の大きさに開口された蒸着マスクを介して、例えば膜厚 4 0 n mの 2— T N A T A ( 4 , 4 ' , 4 ' ' —トリス ( 2—ナフチルフエニルァミノ) トリフエニルァミン）膜と、例えば膜厚 1 0 nmのひ一 NPD (N， N， —ジナフチノレー N， N' —ジフエ二ノレ一 [ 1 1 ' ービフエニル] 一 4， 4，一ジァミン）膜と、例えば少量の t (n p a ) p y (1， 3 , 6, 8—テトラ (N—ナフチルー N' —フエニルァミノ）ピレン）をドープした例えば膜厚 30 nmの A 1 q ₃ (トリス（8—ヒドロキシキノリナート）アルミニウム）膜と、例えば膜厚 20 nmの A 1 q₃膜と、例えば 0. 5 nmの L i F膜とを順次形成する。

こうして、 2—TNAT A膜よりなる正孔注入層と、 α— NPD膜よりなる正孔輸送層と、 t (n p a) p yをドープした A 1 q 3膜よりなる発光層と、 A 1 q ₃膜よりなる電子輸送層と、 L i F膜よりなる電子注入層とを有する有機エレタトロルミネッセンス層 1 8を形成する（図 4 Bを参照）。

次いで、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8が形成された絶縁性基板 1 0上に、例えば真空蒸着法及びスパッタ法により、所定の形状に開口されたマスクを介して、例えば膜厚 1 0 nmの A 1膜と、例えば膜厚 30 n mの I T O膜とを順次形成し、 A 1 ZI TO積層膜を形成する。

こうして、 A 1 Z I TO積層膜よりなる力ソード電極 20を形成する（図 4 C を参照）。

こうして、図 1に示す表示装置が製造される。

このように、本実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置において、光反射性を有する光反射膜 1 2と、光透過性を有する透明導電膜 14とをアノード電極 1 6が有するので、高い発光効率を有するトップェミッシヨン型の表示装置を実現することができる。

また、光反射膜 1 2が透明導電膜 14により覆われているので、光反射膜 1 2 の腐食や、光反射膜 1 2と透明導電膜 14との間に生じるウイスカ一等による素子特性の劣化を抑制することができる。

また、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に透明導電膜 14上に形成されるため、有機エレクトロノレミネッセンス層 1 8として、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様の材料及ぴ構造の有機エレクトロルミネッセンス層をそのまま用いることができる。

(第 2実施形態）本発明の第 2実施形態による表示装置について図 5乃至図 7を用いて説明する図 5は本実施形態による表示装置の構造を示す概略図、図 6及び図 7は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図 1、図 3、及び図 4に示す第 1実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。

本実施形態による表示装置は、第 1実施形態による表示装置と同様に、絶縁性基板上に形成された有機ェレクトロノレミネッセンス素子を有するパッシブマトリクス型の表示装置であり、その基本的構成は、第 1実施形態による表示装置と同様である。本実施形態による表示装置は、光反射膜 1 2と、透明導電膜 1 4との間の導通が確保され、光反射膜 1 2からの正孔の注入が可能となっている点で、第 1実施形態による表示装置と異なっている。

まず、本実施形態による表示装置の構造について図 5を用いて説明する。図 5 Aは本実施形態による表示装置の構造を示す平面図、図 5 Bは図 5 Aの Χ— Χ' 線断面図である。なお、図 5は 1画素分の構造を示したものであるが、実際には複数の画素がマトリタス状に配置されている。

図 5 Βに示すように、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上には、光反射性を有する A 1膜よりなる光反射膜 1 2が形成されている。光反射膜 1 2の周縁部上には、光反射性を有する M o (モリブデン）膜よりなる介在膜 3 0が形成されている。周縁部上に介在膜 3 0が形成された光反射膜 1 2上には、光透過性を有する I T O膜よりなる透明導電膜 1 4が形成されている。介在膜 3 0は光反射膜 1 2及び透明導電膜 1 4のそれぞれに電気的に接続するものであり、この介在膜 3 0により、透明導電膜 1 4と光反射膜 1 2との電気的接続が改善され、両者の間の導通が確保されている。こうして、絶縁性基板 1 0上に、光反射膜 1 2と、透明導電膜 1 4と、両者の電気的接続を改善する介在膜 3 0とを有するアノード電極 3 2が形成されている。アノード電極 3 2上には、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とが順次積層されてなる有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層 1 8上には、光透過性を有する A 1 Z I T O積層膜よりなるカソード電極 2 0が形成されている。こうして、絶縁性基板 1 0上に、アノード電極 3 2と、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8と、カソード電極 2 0とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている。

図 5 Aに示すように、ァノード電極 3 2は、絶縁性基板 1 0上に、所定の方向 (図 5 A中上下方向）に延在して形成されている。介在膜 3 0は、光反射膜 1 2 の周縁部上に枠状に形成されている。透明導電膜 1 4は、介在膜 3 0が形成された光反射膜 1 2 よりも幅広に形成されている。これにより、介在膜 3 0が形成された光反射膜 1 2は、透明導電膜 1 4により覆われている。力ソード電極 2 0はァノード電極 1 6が形成された絶縁性基板 1 0上に、ァノード電極 1 6に直交する方向（図 5 A中左右方向）に延在して形成されている。これらアノード電極 3 2と力ソード電極 2 0とが交差する領域の両者の間に、交差領域よりも幅広の矩形状に有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8が形成されている。こうして、上記構造を有する有機ェレクト口ルミネッセンス素子が形成された画素領域が構成されている。

本実施形態による表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子において、光反射性を有する光反射膜 1 2と、光反射膜 1 2の周縁部上に形成され、光反射膜 1 2及び光反射膜 1 2上に形成される透明導電膜 1 4のそれぞれに電気的に接続し、両者の間の導通を確保するための介在膜 3 0と、介在膜 3 0が周縁部上に形成された光反射膜 1 2上に形成された光透過性を有する透明導電膜 1 4とをァノード電極 3 2が有し、光反射膜 1 2が透明導電膜 1 4により覆われていることに主たる特徴がある。

A 1膜と I T O膜とは電気的接続が良好ではないため、第 1実施形態による表示装置では、アノード電極 1 6において、 A 1膜よりなる光反射膜 1 2と I T O 膜よりなる透明導電膜 1 4との間の導通が充分に確保されない場合がある。

本実施形態による表示装置では、アノード電極 3 2の周縁部が A 1 ZM o Z I T O構造となっている。このため、 A 1膜及ぴ I T O膜のそれぞれに電気的に接続する M o膜よりなる介在膜 3 0により、 A 1膜よりなる光反射膜 1 2と I T O 膜よりなる透明導電膜 1 4との間の電気的接続が改善され、両者の間の導通が確保されている。したがって、光反射膜 1 2から正孔を有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8に注入することができる。また、介在膜 3 0は光反射膜 1 2の周縁部上に形成されているため、介在膜 3 0よりも反射率の高い光反射膜 1 2により有機エレクトロルミネッセンス層 1 8の発光層において発生した光を力ソード電極 2 0側に充分に反射することができる。

また、周縁部上に介在膜 3 0が形成された光反射膜 1 2を覆うように透明導電膜 1 4が形成されているため、第 1実施形態による表示装置と同様に、光反射膜 1 2の腐食を防止することができる。また、駆動電圧印加時の発熱等により光反射膜 1 2と透明導電膜 1 4との間に生じるゥイスカーによるアノード電極 3 2と力ソード電極 2 0との間の短絡を防止することができる。また、有機エレクト口ノレミネッセンス層 1 8には従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクト口ルミネッセンス層をそのまま用いることができる。

次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図 6及び図 7を用いて説明する。

まず、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚 1 5 0 n mの A 1膜 2 2を形成する。

次いで、 1膜2 2上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚 l O n mの M o膜 3 4を形成する（図 6 Aを参照）。

次いで、 M o膜 3 4上に、例えばスビンコ一ト法により、レジスト膜 3 6を-形成する。この後、フォトリソグラフィーを用いてレジスト膜 3 6をパターニングすることにより、 A 1膜 2 2を残存させるべき光反射膜 1 2の形成予定領域を覆うように、レジスト膜 3 6を残存させる。このとき、 M o膜 3 4を残存させるベき介在膜 3 0の形成予定領域を覆うレジスト膜 3 6の周縁部の膜厚が厚く、 M o 膜 3 4を除去し A 1膜 2 2を残存させるべき領域を覆うレジスト膜 3 6の周縁部以外の部分の膜厚が薄くなるように、レジスト膜 3 6を残存させる（図 6 Bを参照）。

上記のレジスト膜 3 6の膜厚の厚薄の設定は、例えばフォトリソグラフィ一に用いるマスクで露光量を調整することに行うことができる。具体的には、例えば、フォトリソグラフィ一に用いるマスクにおいて、 M o膜 3 4を残存させるべき介在膜 3 0の形成予定領域を覆うレジスト膜 3 6を露光する部分を通常の開口にする一方、 M o膜 3 4を除去し A 1膜 2 2を残存させるべき領域を覆うレジスト膜 3 6を露光する部分をスリット状にする。このようなマスクを用いてレジスト膜 3 6を現像すると、 M o膜 3 4を除去し A 1膜 2 2を残存させるべき領域を覆うレジスト膜 3 6は、介在膜 3 0の开成予定領域を覆うレジスト膜 3 6と比較して露光が不十分なものとなる。このように、レジスト膜 3 6の露光量を部分的に変えて現像することにより、レジスト膜 3 6の膜厚に厚薄を設けることができる。次いで、膜厚に厚薄が設けられたレジスト膜 3 6をマスクとして、例えばゥェットエッチングにより、アノード電極 3 2の形成領域以外の不要な A 1膜 2 2、 M o膜 3 4を除去する (図 6 Cを参照) 。ウエットエッチングには、例えば、リン酸、硝酸、酢酸、及び水を混合したエッチング液を用いることができる。

次いで、例えばァッシング処理によりレジスト膜 3 6をエッチバックし、 M o 膜 3 4を除去し A 1膜 2 2を残存させるべき領域を覆うレジスト膜 3 6の膜厚の薄い部分を除去して、レジスト膜 3 6に開口部 3 8を形成する。一方、介在膜 3 0の形成予定領域を覆うレジスト膜 3 6の膜厚の厚い部分は残存させる（図 6 D を参照）。

次いで、開口部 3 8が形成されたレジスト膜 3 6をマスクとして、例えばゥェットエッチングにより、開口部 3 8の底部に露出した M o膜 3 4を除去する。ゥェットエッチングには、図 6 Cにおいて不要な M o膜 3 4及び A 1膜 2 2を除去した場合と同様に、例えば、例え ίΐ、リン酸、硝酸、酢酸、及び水を混合したェツチング液を用いることができる。

次いで、マスクとして用いたレジスト膜 3 6を除去する。 .

こうして、 A 1膜 2 2よりなる光反射膜 1 2と、光反射膜 1 2の周縁部上に形成された M o膜 3 4よりなる介在膜 3 0とを形成する（図 7 Aを参照）。

次いで、光反射膜 1 2及び介在膜 3 0が形成された絶縁性基板 1 0上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚 7 0 n mの I T O膜 2 4を形成する（図 7 Bを参照）。

次いで、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、 I T〇膜 2 4を所定の形状にパターニングする。このとき、介在膜 3 0が周縁部上に形成された光反射膜 1 2の表面が剥き出しにならなヽょうに、光反射膜 1 2を被覆する形状及び大きさに I T O膜 2 4をパターニンク'する。こうして、 I T O膜 2 4よりなる诱明導電膜 1 4を形成する（図 7 Cを参照）。 ' 以後、図 4 B及び図 4 Cに示す第 1実施形態による表示装置の製造方法と同様にして有機エレクトロルミネッセンス層 1 8、力ソード電極 2 0をそれぞれ形成することにより、図 5に示す本実施形態による表示装置が製造される。

このように、本実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置において、光反射性を有する光反射膜 1 2と、光透過性を有する透明導電膜 1 4とをアノード電極 3 2が有するので、高い発光効率を有するトップェミッション型の表示装置を実現することができる。

また、光反射膜 1 2が透明導電膜 1 4により覆われているので、光反射膜 1 2 の腐食や、光反射膜 1 2と透明導電膜 1 4との間に生じるウイスカ一等による素子特性の劣化を抑制することができる。

さらに、光反射膜 1 2の周縁部上には、光反射膜 1 2及び光反射膜 1 2上に形成される透明導電膜 1 4のそれぞれに電気的に接続し、両者の間の導通を確保するための介在膜 3 0が形成されているため、光反射膜 1 2から正孔を有機エレクトロルミネッセンス層 1 8に注入することができる。

また、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に透明導電膜 1 4上に开成されるため、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8として、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様の材料及び構造の有機エレクト口ルミネッセンス層をそのまま用いることができる。

(第 3実施形態)

本発明の第 3実施形態による表示装置及びその製造方法について図 8を用いて説明する。図 8は本実施形態による表示装置の構造を示す概略図である。なお、図 1及び図 5にそれぞれ示す第 1及び第 2実施形態による表示装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。

本実施形態による表示装置は、絶縁性基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された 1画素内において、有機エレクトロルミネッセンス層の発光層で発生した光が絶縁性基板とは反対のカソード電極側から取り出される上面発光部と、有機エレクトロルミネッセンス層の発光層で発生した光がカソ一ド電極側及び絶縁性基板側の両側から取り出される両面発光部とを有するパッシブマトリクス型の表示装置である。

以下、本実施形態による表示装置の構造について図 8を用いて説明する。図 8 Aは本実施形態による表示装置の構造を示す平面図、図 8 Bは図 8 Aの Χ _ Χ' 線断面図、図 8 Cは図 8 Αの Υ— Y' 線断面図である。なお、図 8は 1画素分の構造を示したものであるが、実際には複数の画素がマトリクス状に配置されている。

図 8 Αに示すように、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上には、第 1及び第 2実施形態による表示装置と同様に、透明導電膜 1 4と、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8と、力ソード電極 2 0とが形成されている。透明導電膜 1 4と力ソード電極 2 0とが交差した画素領域は、透明導電膜 1 4の延在方向に直交する境界により、ほぼ等面積の 2つの領域に分けられて、る。境界の一方の側の領域には、透明導電膜 1 4の下に光反射膜 1 2が形成され、光反射膜 1 2と透明導電膜 1 4とを有するアノード電極 3 2が形成された上面発光部 4 0が設けられている。境界の他方の側の領域には、光反射膜 1 2が形成されておらず、透明導電膜 1 4よりなるアノード電極 4 2が形成された両面発光部 4 4が設けられている。上面発光部 4 0は、図 8 Βに示す断面構造を有している。図 8 Βに示す断面構造は、第 2実施形態による表示装置と同様の断面構造となっている。すなわち、絶縁性基板 1 0上には、光反射性を有する A 1膜よりなる光反射膜 1 2が形成されている。光反射膜 1 2の周縁部上には、光反射性を有する M o膜よりなる介在膜 3 0が形成されている。周縁部上に介在膜 3 0が成された光反射膜 1 2上には、光透過性を有する I T O膜よりなる透明導電膜 1 4が形成されている。介在膜 3 0は光反射膜 1 2及び透明導電膜 1 4のそれぞれに電気的に接続するものであり、この介在膜 3 0により、透明導電膜 1 4と光反射膜 1 2 との電気的接続が改善され、両者の間の導通が確保されている。こうして、絶縁性基板 1 0上に、光反射膜 1 2と、透明導電膜 1 4と、両者の電気的接続を改善する介在膜 3 0とを有するアノード電極 3 2が形成されている。アノード電極 3 2上には、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、霞子注入層とが順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス層 1 8が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層 1 8上には、光透過性を有する A 1 / I T O積層膜よりなる力ソード電極 2 0が形成されている。こうして、上面発光部 4 Oにおける絶縁性基板 1 0上に、光反射膜 1 2を有するアノード電極 3 2と、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8と、カソード電極 2 0とを有する有機エレクト口ルミネッセンス素子が形成されている。上面発光部 4 0では、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8において発生した光は、光反射膜 1 2により力ソード電極 2 0側へ反射され光透過性を有するカソード電極 2 0側から取り出される。

両面発光部 4 4は、図 8 Cに示す断面構造を有している。すなわち、絶縁性基板 1 0上には、上面発光部 4 0と共通の透明導電膜 1 4よりなるアノード電極 4 2が形成されている。上面発光部 4 0と異なり、両面発光部 4 4では、光反射膜 1 2が形成されておらず、絶縁性基板 1 0上に透明導電膜 1 4が直に形成されている。アノード電極 4 2上には、上面発光部 4 0と共通の有機エレクトロルミネッセンス層 1 8が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層 1 8上には上面発光部 4 0と共通の光透過性を有するカソード電極 2 0が形成されている。こうして、両面発光部 4 4における絶縁性基板 1 0上に、アノード電極 4 2と、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8と、カソード電極 2 0とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている。両面発光部 4 では、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8において発生した光は、光反射膜 1 2が形成されておらず、カソード電極 2 0側及び絶縁性基板 1 0側の両側から取り出される。

このように、同一画素内に光反射膜 1 2が形成された領域と光反射膜 1 2が形成されていない領域とを設ける、すなわちアノード電極 3 2、 4 2に共通の透明導電膜 1 4と力ソード電極 2◦とが重なる発光領域に光反射膜 1 2を部分的に形成することにより、上面発光型の領域と両面発光型の領域とを同一画素内に設けてもよい。

なお、本実施形態では、上面発光部 4 0と両面発光部 4 4とを互いにほぼ同じ形状のものとしたが、両発光部 4 0、 4 4の形状はこれに限定されるものではない。同一画素内において部分的に形成する光反射膜 1 2の形状を適宜変更することにより両発光部 4 0、 4 4の形状を所望の形状とすることができる。これにより、表示装置の用途、機能等に応じて、輝度等の発光特性を所望のものに設定することが可能となる。また、本実施形態では、上面発光部 4 0において、第 2実施形態にる表示装置と同様のアノード電極 3 2を用いたが、介在膜 3 0が形成されていない第 1実施形態による表示装置と同様のアノード電極 1 6を上面発光部 4 0において用いてもよい。

また、本実施形態では、同一画素内において光反射膜 1 2を部分的に形成したが、マトリクス状に配置された複数の画素について、光反射膜 1 2が？！¹成された画素と、光反射膜 1 2が形成されていない画素とを設け、上面発光型の画素と両面発光型の画素とを混在させることもできる。

(第 4実施形態）

本発明の第 4実施形態による表示装置及びその製造方法について図 9を用いて説明する。図 9は本実施形態による表示装置の構造を示す断面図である。なお、図 1、図 3、及び図 4に示す第 1実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。

本実施形態による表示装置は、第 1実施形態による表示装置において、絶縁性基板 1 0の表面に滑らかな凹凸が形成されていることに主たる特徴がある。

すなわち、図 9に示すように、ガラス基板よりなる絶縁基板 1 0の表面には、滑らかな凹凸が形成されている。滑らかな凹凸が表面に形成された絶縁性基板 1 0上には、第 1実施形態による表示装置と同様に、光反射膜 1 2と透明導電膜 1 4とを有するァノード電極 1 6、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8、及び力ソード電極 2 0とが形成されている。

本実施形態による表示装置では、絶縁性基板 1 0の表面に形成された滑らかな凸により、絶縁性基板 1 0上に形成されるアノード電極 1 6、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8、及び力ソード電極 2 0の面積が、凹凸が形成されていない平坦な表面の絶縁性基板 1 0上に形成される場合と比較して大きくなつている。これにより、更に発光効率を向上することができる。

絶縁性基板 1 0の表面に凹凸を形成する方法は、以下に述べるような方法を用いることができる。

例えば、硫酸等の溶液を用いて絶縁性基板 1 0の表面をエッチングすることにより、絶縁性基板 1 0の表面に凹凸を直接形成することができる。或いは、絶縁性基板 1 0を樹脂等でコーティングした後、露光法を用いて樹脂等よりなる所定のパターンを絶縁性基板 1 0上こ形成することにより、絶縁性基板 1 0の表面に、樹脂等の有無による凹凸を形成することができる。

本実施形態による表示装置は、上記のような手法を用いて絶縁性基板 1 0の表面に滑らかな凹凸を形成した後、図 3 A乃至図 3 C及び図 4 A乃至図 4 Cに示す第 1実施形態による表示装置の製造方法と同様こして製造することができる。

このように、本実施形態によれば、有機エレ^ トロルミネッセンス素子が形成される絶縁性基板 1 0の表面に滑らかな凹凸が形成されているので、更に発光効率を向上することができる。

なお、本実施形態では、第 1実施形態による表示装置において、絶縁性基板 1 0の表面に滑らかな凹凸が形成されている場合こついて説明したが、第 2及び第 3実施形態による表示装置についても、上記と同様に絶縁性基板 1 0の表面に滑らかな凹凸を形成することにより、発光効率を更に向上することができる。

(第 5実施形態）

本発明の第 5実施形態による表示装置及びその製造方法について図 1 0乃至図 1 3を用いて説明する。図 1 0は本実施形態による表示装置の構造を示す断面図、図 1 1は有機エレクト口ルミネッセンス素子とともにスィツチング素子として薄膜トランジスタを用いたボトムエミッシヨン型の表示装置の構造の一例を示す断面図、図 1 2及び図 1 3は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図 5乃至図 7に示す第 2実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。

本実施形態による表示装置は、第 2実施形態こよる表示装置と同様の有機ェレクト口ルミネッセンス素子とともに、スィツチング素子として薄膜トランジスタが設けられており、この薄膜トランジスタにより有機エレクトロルミネッセンス素子に印加する駆動電圧を制御するアクティブマトリクス型の表示装置である。以下、本実施形態による表示装置の構造について図 1 0を用いて説明する。なお、図 1 0は 1画素分の構造を示したものであるが、実際には複数の画素がマトリクス状に配置されている。ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上には、シリコン酸化膜よりなるバッファ層 4 6が形成されている。バッファ層 4 6上には、ポリシリコン膜よりなるチヤネル層 4 8が形成されている。チャネル層 4 8上には、シリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜 5 0を介してゲート電極 5 2が形成されている。ゲート電極 5 2の両側のチャネル層 4 8には、ソース領域 5 4及びドレイン領域 5 6が、それぞれ形成されている。こうして、絶縁性基板 1 0上には、ゲート電極 5 2、チャネル層 4 8に形成されたソース領域 5 4及びドレイン領域 5 6を有し、有機エレクト口ルミネッセンス素子に印加する駆動電圧を制御する薄膜トランジスタが形成されている。

薄膜トランジスタが形成された絶縁性基板 1 0上には、層間絶縁膜 5 8が形成されている。層間絶縁膜 5 8上には、コンタクトホール 6 0を介してソース領域 5 4に接続されたソース電極 6 2と、コンタクトホール 6 4を介してドレイン領域 5 6に接続されたドレイン電極 6 6とがそれぞれ形成されている。

ソース電極 6 2及びドレイン電極 6 6が形成された層間絶縁膜 5 8上には、層間絶縁膜 6 8が形成されている。層間絶縁膜 6 8には、ソース電極 6 2に達するコンタクトホール 7 0が形成されている。

コンタクトホール 7 0が形成された層間絶縁膜 6 8上には、コンタクトホール 7 0を含む領域に、光反射性を有する A 1膜よりなる光反射膜 1 2が形成されている。光反射膜 1 2の周縁部上には、光反射性を有する M o膜よりなる介在膜 3 0が形成されている。周縁部上に介在膜 3 0が形成された光反射膜 1 2上には、光透過性を有する I T O膜よりなる透明導電膜 1 4が形成されている。介在膜 3 0は光反射膜 1 2及び透明導電膜 1 4のそれぞれに電気的に接続するものであり、介在膜 3 0により、透明導電膜 1 4と光反射膜 1 2との電気的接続が改善され、両者の間の導通が確保されている。こうして、層間絶縁膜 6 8上に、光反射膜 1 2と、透明導電膜 1 4と、両者の間の導通を確保するための介在膜 3 0とを有するアノード電極 3 2が形成されている。アノード電極 3 2は、層間絶縁膜 6 8に形成されたコンタクトホール 7 0を介して、薄膜トランジスタのソース電極 6 2 に電気的に接続されている。

アノード電極 3 2上には、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とが順次積層されてなる有機エレクトロルミッセンス層 1 8 が形成されている。有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8上に ίま、光透過性を有する A 1 / I T O積層膜よりなるカソード電極 2 0が形成されている。こうして、層間絶縁膜 6 8上に、アノード電極 3 2と、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8と、力ソード電極 2 0とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている。

本実施形態による表示装置は、光反射膜 1 2の存在により、縁性基板 1 0とは反対側のカソード電極 2 0側から光が取り出されるトップエミッシヨン型となつている。したがって、絶縁性基板 1 0上に形成された薄膜トンジスタにより発光面積が制限されることはなく、高い発光効率を実現することができる。

このようなトップエミッシヨン型の本実施形態による表示装置に対して、図 1 1に示す表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子をと ^にスイッチング素子として薄膜トランスタを用いたボトムエミッション型の表^装置である。なお、図 1 1は 1画素分の構造を示したものであるが、実際には複数の画素がマトリクス状に配置されている。

図 1 1に示すように、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0 0 i には、バッファ層 1 0 8が形成されている。バッファ層 1 0 8上には、チヤネノレ層 1 1 0が形成されている。チャネル層 1 1 0上には、ゲート絶縁膜 1 1 2を ^してゲート電極 1 1 4が形成されている。ゲート電極 1 1 4の両側のチヤネノレ層 1 1 0には、ソース領域 1 1 6及びドレイン領域 1 1 8が、それぞれ形成されている。こうして、絶縁性基板 1 0 0上には、ゲート電極 1 1 4、チャネル層 1 1 ひに形成されたソース領域 1 1 6及びドレイン領域 1 1 8を有する薄膜トランジタが形成されている。

薄膜トランジスタが形成された絶縁性基板 1 0 0上には、層絶縁膜 1 2 0が形成されている。層間絶縁膜 1 2 0上には、コンタクトホール L 2 2を介してソース領域 1 1 6に接続されたソース電極 1 2 4と、コンタクトぉール 1 2 6を介してドレイン領域 1 1 8に接続されたドレイン電極 1 2 8とがれぞれ形成されている。

ソース電極 1 2 4及びドレイン電極 1 2 8が形成された層間色縁膜 1 2 0上には、層間絶縁膜 1 3 0が形成されている。層間絶縁膜 1 3 0には、ソース電極 1

2 4に達するコンタク 1、ホール 1 3 2が形成されている。

コンタクトホール 1 3 2が形成された層間絶縁膜 1 3 0上には、コンタクトホール 1 3 2を含む領域に、 I T O膜よりなる透明なアノード電極 1 0 2と、有機エレクトロルミネッセンス層 1 0 4と、 A 1膜や M g— A g合金膜等よりなる力ソード電極 1 0 6とを有する有機エレクト口ルミネッセンス素子が形成されている。アノード電極 1 0 2は、層間絶縁膜 1 3 0に形成されたコンタクトおール 1

3 2を介して、薄膜トランジスタのソース電極 1 2 4に電気的に接続されている。図 1 1に示すボトムエミッション型の表示装置では、有機エレクトロノレミネッセンス層 1 0 4において発生した光は、絶縁性基板 1 0 0側から取り出される。このため、絶縁性基板 1 0と有機エレクトロルミネッセンス素子との間こ形成された薄膜トランジスタにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の発面積が制限され、本実施形態による表示装置のように高い発光効率を実現することは困難である。

また、本実施形態による表示装置は、第 2実施形態による表示装置と同様の構造のアノード電極 3 2を有するため、介在膜 3 0により、 A 1膜よりなる光反射膜 1 2と I T O膜よりなる透明導電膜 1 4との電気的接続が改善され、两者の間の導通が確保されている。これにより、薄膜トランジスタのソース電極 Θ 2に電気的に接続された光反射膜 1 2から正孔を有機エレクトロルミネッセンス層 1 8 に注入することができる。また、周縁部上に介在膜 3 0が形成された光反射膜 1 2を覆うように透明導電膜 1 4が形成されているため、光反射膜 1 2の腐食を防止することができる。また、駆動電圧印加時の発熱等により光反射膜 1 2と透明導電膜 1 4との間に生じるゥイスカーによるアノード電極 3 2と力ソード電極 2 0との間の短絡を防止することができる。また、有機エレクト口ルミネンセンス層 1 8には、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス層と同様の材料及び構造の有機ェレクトロルミネッセンス層をそのまま用いることができる。

次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図 1 2及び図 1 3を用いて説明する。まず、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上に、例えば C V D法により、例えば膜厚 3 0 0 n mのシリコン酸化膜よりなるバッファ層 4 6を形成する。

次いで、バッファ層 4 6上に、例えば C V D法により、例えば膜厚 4 0 n mのポリシリコン膜を形成する。なお、ポリシリコン膜の代わりにアモルファスシリコン膜を形成し、レーザァニール法等によりこれを結晶化してポリシリコン膜としてもよい。

次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、ポリシリコン膜をパターニングし、ポリシリコン膜よりなるチャネル層 4 8を形成する（図 1 2 Aを参照）。

次いで、チャネル層 4 8が形成されたバッファ層 4 6上に、例えば C V D法により、例えば膜厚 1 0 0 n mのシリコン酸化膜を形成する。

次いで、例えばスパッタ法により、例えば膜厚 3 0 0 n mの A 1 N d (アルミ二ゥムーネオジム合金）膜を形成する。

次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、シリコン酸化膜及び A 1 N d膜をパターエングし、チャネル層 4 8上に、シリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜 5 0と、 A 1 N d膜よりなるゲート電極 5 2とを形成する。

次いで、ゲート電極 5 2をマスクとして、例えばイオン注入法によりリンィォンをイオン注入し、ゲート電極 5 2の両側のチャネル層 4 8に、ソース領域 5 4 及びドレイン領域 5 6をそれぞれ形成する。

こうして、絶縁性基板 1 0上に、ゲート電極 5 2、チャネル層 4 8に形成されたソース領域 5 4及びドレイン領域 5 6を有する薄膜トランジスタを形成する (図 1 2 Bを参照）。

次いで、薄膜トランジスタが形成された絶縁性基板 1 0上に、例えば C V D法により、例えば膜厚 3 0 0 n mのシリコン窒化膜よりなる層間絶縁膜 5 8を形成する。

次いで、フォトリソグラフィ一及びドライエツチングにより、層問絶縁膜 5 8 に、ソース領域 5 4に達するコンタクトホーノレ 6 0及びドレイン領域 5 6に達するコンタクトホール 6 4をそれぞれ形成する (図 1 2 Cを参照) 。

次いで、例えばスパッタ法により、コンタクトホール 6 0、 6 4が形成された形成された層間絶縁膜 58上に、例えば膜厚 1 O O nmZl O O nmZl O O n mの T i (チタン） ZA 1 /T i膜を形成する。

次いで、フォトリソグラフィー及ぴドライエツチングにより、 T iZA l/T i膜をパターニングし、 T i /A 1 /T i膜よりなるソース電極 62及びドレイン電極 66をそれぞれ形成する（図 13 Aを参照）。

次いで、例えば CVD法により、ソース電極 62及びドレイン電極 66が形成された層間絶縁膜 58上に、例えば膜厚 3. 0 /1 mの感光性樹脂よりなる層間絶縁膜 68を形成する。

次いで、リソグラフィ一により、層間絶縁膜 68に、ソース電極 62に達するコンタクトホール 70を形成する (図 13 Bを参照) 。

次いで、コンタクトホール 70が形成された層間絶縁膜 68上に、第 2実施形態による表示装置の製造方法と同様にして、コンタクトホール 70を介してソース電極 62に接続するァノード電極 32と、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8と、カソード電極 20とを形成する (図 13 Cを参照) 。

こうして、図 10に示す本実施形態による表示装置が製造される。

このように、本実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子を用レ、たアクティブマトリクス型の表示装置において、光反射性を有する光反射膜 12 と、光透過性を有する透明導電膜 14とをアノード電極 32が有するので、有機エレクトロルミネッセンス素子下に形成された薄膜トランジスタによる制限を受けずに、高い発光効率を有するトップエミッション型の表示装置を実現することができる。

また、光反射膜 1 2が透明導電膜 14により覆われているので、光反射膜 12 の腐食や、光反射膜 12と透明導電膜 14との間に生じるウイスカ一等による素子特性の劣化を抑制することができる。

さらに、光反射膜 12の周縁部上には、光反射膜 12及び光反射膜 1 2上に形成される透明導電膜 14のそれぞれに電気的に接続し、両者の間の導通を確保するための介在膜 30が形成されているため、薄膜トランジスタのソース電極 62 に電気的に接続された光反射膜 12から正孔を有機エレクトロルミネッセンス層 18に注入することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に透明導電膜 1 4上に形成されるため、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8として、従来の有機エレク 1、口ルミネッセンス素子と同様の材料及び構造の有機エレクト口ルミネッセンス層をそのまま用いることができる。なお、本実施形態においては、層間絶縁膜 6 8上に、第 2実施形態による表示装置と同様の有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されていたが、第 1又は第 3実施形態による表示装置と同様の有機エレクト口ルミネッセンス素子が形成されていてもよい。なお、第 1実施形態による表示装置のように光反射膜 1 2と透明導電膜 1 4との間に介在膜 3 0が形成されていない場合については、ソース電極 6 2に達するコンタクトホール 7 0内には光反射膜 1 2を埋め込まない等の手段により、透明導電膜 1 4がソース電極 6 2に直接接続されているようにすることが望ましい。

また、第 4実施形態による表示装置において絶縁性基板 1 0の表面に滑らかな凹凸を形成した場合と同様に、層間絶縁膜 6 8の表面に滑らかな凹凸を形成し、滑らかな凹凸が形成された層間絶縁膜 6 8上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成してもよい。

(第 6実施形態）

本発明の第 6実施形態による表示装置について図 1 4乃至図 1 8を用いて説明する。図 1 4は本実施形態による表示装置の構造を示す断面図、図 1 5は本実施形態による表示装置の特性を示すグラフ、図 1 6はアノード電極として C r膜を用いた表示装置の構造を示す断面図、図 1 7及び図 1 8は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図 1、図 3及び図 4に示す第 1 実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。

本実施形態による表示装置は、第 1実施形態による表示装置と同様に、絶縁性基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子を有するパッシブマトリタス型の表示装置であり、その基本的構成は、第 1実施形態による表示装置と同様である。本実施形態による表示装置は、光反射膜上に光透過性を有する絶縁層を介して透明導電膜よりなるァノード電極が形成されている点で、第 1実施形態による表示装置と異なっている。

まず、本実施形態による表示装置の構造について図 1 4を用いて説明する。なお、図 1 4は 1画素分の構造を示したものであるが、実際には複数の画素がマトリクス状に配置されている。

図 1 4に示すように、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上には、光反射性を有する A 1膜よりなる光反射膜 7 2が形成されている。光反射膜 7 2は、所定の形状を有するものが画素毎に形成されていてもよいし、画素が配列された表示領域の全面に形成されていてもよい。

光反射膜 7 2上には、光透過性を有する感光性樹脂よりなる絶縁層 7 4が形成されている。絶縁層 7 4の材料である感光性樹脂としては、例えばァクリル系樹脂が用いられている。絶縁層 7 4は、光反射膜 7 2の表面が剥き出しにならないように、光反射膜 7 2を覆うように形成されている。

絶縁層 7 4上には、光透過性を有する I T Oの透明導電膜よりなるアノード電極 7 6が形成されている。アノード電極 7 6上には、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とが順次積層されてなる有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層 1 8上には、薄い膜厚で形成され光透過性を有する A 1膜と、薄い膜厚で形成され光透過性を有する A g膜と、光透過性を有する I T O膜よりなる透明導電膜とが順次積層されてなるカソード電極 2 0が形成されている。こうして、絶縁性基板 1 0上に、光反射膜 7 2及び絶縁層 7 4を介して、アノード電極 7 6と、有機ェレクトロノレミネッセンス層 1 8と、カソード電極 2 0とを有する有機エレクト口ルミネッセンス素子が形成されている。

本実施形態による表示装置では、力ソード電極 2 0から電子が有機エレクトロルミネッセンス層 1 8に注入され、アノード電極 7 6から正孔が有機エレクトロルミネッセンス層 1 8に注入される。注入された電子は電子輸送層により発光層に輸送され、注入された正孔は正孔輸送層により発光層に輸送される。こうして発光層に輸送された電子と正孔とが、発光層において再結合することにより発光が生じる。発光層において発生した光は、アノード電極 7 6.側及び力ソード電極 2 0側に放出される。アノード電極 7 6側に放出された光は、光透過性を有する絶縁層 7 4を介して光反射膜 7 2によりカソード電極 2 0側に反射され、絶縁層 7 4、アノード電極 7 6、及び有機エレクトロルミネッセンス層 1 8を介して、光透過性を有するカソード電極 2 0側カゝら取り出される。カソード電極 2 0側に放出された光は、そのまま光透過性を有する力ソード電極 2 0側から取り出される。こうして、発光層において発生した光が、光透過性を有する力ソード電極 2 0側から取り出される。

このように、本実施形態による表示装置は、透明導電膜よりなるアノード電極 7 6下に絶縁層 7 4を介して形成された光反射膜 7 2の存在により、絶縁性基板 1 0とは反対側の力ソード電極 2 0側から光が取り出されるトップエミッション型となっている。したがって、第 1実施形態による表示装置と同様に、絶縁性基板 1 0と有機エレクトロルミネッセンス素子との間に他の素子が形成される場合において、他の素子が形成された領域からも光を取り出すことが可能となる。すなわち、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光面積が他の素子により制限されることはなく、高い発光効率を実現することができる。

また、光反射膜 7 2下に他の素子が形成される場合には、アノード電極 7 6と力ソード電極 2 0とが重なる発光領域よりも幅広に光反射膜 7 2を形成してもよい。このように光反射膜 7 2を幅広に形成することで、有機エレクト口ルミネッセンス素子の発光が他の素子の特性に影響するのを抑制することができる。

なお、アノード電極 7 6と光反射膜 7 2との間に形成する光透過性を有する絶縁層 7 4の膜厚は、 1 μ ΐη以上に設定することが望ましい。これは、絶縁層 7 4 の膜厚を 1 μ πιよりも小さく設定すると、光の干渉の影響による減光が絶縁層 7 4で起きてしまい、充分な発光効率を得ることができない虞があるためである。図 1 5は、本実施形態による表示装置及び図 1 6に示す C r膜よりなるァノード電極を用いた表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス層に注入する電流密度を変えて輝度を測定し、両表示装置の特性を比較した結果を示すグラフである。図 1 5に示すグラフの横軸は有機エレクトロルミネッセンス層に注入した電流密度を示し、縦軸は測定された表示装置の輝度を示している。また、図 1 5に示すグラフにおいて、秦印で示すプロットは本実施形態による表示装置についての測定結果を示し、〇印で示すプロットは図 1 6に示す C r膜よりなるァノ一ド電極を用いた表示装置についての測定結果を示している。

本実施形態による表示装置では、光反射膜 72として膜厚 1 00 nmの A 1膜を、絶縁層 7 4として膜厚 3. 0 / mのアクリル系樹脂層を、アノード電極 76 として膜厚 7 0 nmの I TO膜を用いた。また、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8として、膜厚 140 nmの 2— TN AT A膜よりなる正孔注入層と、膜厚 10 nmのひ一NPD膜よりなる正孔輸送層と、少量の t (n p a ) p yをドープした膜厚 3 0 nmの A 1 q ₃膜よりなる発光層と、膜厚 20 nmの A 1 q ₃膜よりなる電子輸送層と、 0. 5 nmの L i F膜よりなる電子注入層とが順次積層されてなるものを用いた。また、力ソード電極 20として、膜厚 1. 5 111の八 1 膜と、膜厚 1 511111の八 _§膜と、膜厚 3 5 nmの I TO膜とが順次積層されてなるものを用いた。

本実施形態による表示装置と特性を比較した図 1 6に示す表示装置は、ァノード電極に C r膜を用いたトップエミッション型の表示装置である。図示するように、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 00上には、 C r膜よりなるアノード電極 134が形成されている。了ノード電極 1 34上には、有機エレクトロノレミネッセンス層 1 0 4が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層 1 04上には、力ソード電極 1 06が形成されている。絶縁性基板 1 00上にアノード電極 134が直に形成されている点、及びアノード電極 1 34に C r膜を用いた点を除いて、有機エレクトロルミネッセンス層 104、カソード電極 1 06の材料及び構造については、特性を比較した本実施形態による表示装置と同様した。

図 1 5に示すグラフから明らかなように、同一の電流注入密度では、本実施形態による表示装置の方が、図 1 6に示すアノード電極 1 34に C r膜を用いた表示装置の場合の 2倍程度の輝度が得られている。したがって、透明導電膜よりなるアノード電極 76下に光透過性を有する絶縁層 74を介して光反射膜 72が形成された本実施形態による表示装置によれば、単にアノード電極に C r膜を用いる場合と比較して、効果的に発光効率を向上することができるといえる。

また、第 1実施形態による表示装置と同様に、本実施形態による表示装置では、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8は、従来の有機エレクト口ルミネッセンス素子と同様に、透明導電膜よりなるアノード電極 76上に形成されている。このため、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8として、従来の有機エレクトロノレミネッセンス秦子と同様の材料及び構造の有機ェレクトロルミネッセンス層をそのまま用いて高い発光効率を有するトップエミッシヨン型の表示装置を構成することができる。

また、本実施形態による表示装置は、透明導電膜よりなるアノード電極 7 6と A 1膜よりなる光反射膜 7 2との間には絶縁層 7 4が介在し、光反射膜 7 2は、その表面が剥き出しにならないように、絶縁層 7 4により覆われている。したがつて、第 1実施形態による表示装置と同様に、製造工程における I T O膜をパタ一ユングする際に、 A 1膜よりなる光反射膜 7 2の電池効果による腐食を防止することができる。

さらに、 A 1膜よりなる光反射膜 7 2と透明導電膜よりなるアノード電極 7 6 との間には、絶縁層 7 4が形成されている。このため、 A 1膜上に I T O膜が直接形成されたアノード電極を用いた場合のように、有機エレクトロルミネッセンス素子に対する駆動電圧の印加時の発熱等により電極間の短絡の原因となるウイスカーが発生することはない。

次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図 1 7及び図 1 8を用いて説明する。

まず、ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚 1 5 0 n mの A 1膜を形成する。必要に応じて、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、 A 1膜を画素毎に所定の形状にパターユングしてもよい。或いは、画素が配列される表示領域となる絶縁性基板 1 0の全面に、 A 1膜を残存させてもよい。こうして、絶縁性基板 1 0上に、 A 1膜よりなる光反射膜 7 2 を形成する (図 1 7 Aを参照) 。

次いで、光反射膜 7 2上に、例えばスピンコート法により、例えばアクリル系の感光性樹脂を塗布する。続いて、塗布された感光性樹脂を所定のマスクを用いて露光した後、所定の現像液を用いて露光された感光性樹脂を現像する。こうして、フォトリソグラフィ一により、例えば膜厚 3 . 0 /i mの感光性樹脂よりなる絶縁層 7 4を形成する（図 1 7 Bを参照）。ここで、絶縁層 7 4は、光反射膜 7 2の表面が剥き出しにならないように、光反射膜 7 2を覆うように形成する。本実施形態では、感光性構脂により絶縁層 74を形成しているため、平坦性の高い表面を有する絶縁層 7 4を得ることができ、平坦性の高い表面上に、有機ェレクトロルミネッセンス素子を形成することができる。

次いで、絶縁層 74上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚 70 nmの I TO膜 78を形成する（図 1 7 Cを参照）。

次いで、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、 I TO膜 78を所定の形状にパターニングする。こうして、絶縁層 74上に、 I TO膜 78よりなるァノード電極 76を形成する（図 1 8Aを参照）。 I TO膜 78をパターニングする間、 A 1膜よりなる光反射膜 7 2は絶縁層 74により覆われ、その表面が露出することはない。したがって、電池効果による光反射膜 72の腐食を防止することができる。

次いで、アノード電極 7 6が形成された絶縁層 74上に、例えば真空蒸着法により、所定の大きさに開口された蒸着マスクを介して、例えば膜厚 140 nmの 2— TNATA膜と、例えば膜厚 1 0 n mの a _N P D膜と、例えば少量の t (n p a ) p yをドープした例えば膜厚 3 0 nmの A 1 q 3膜と、例えば膜厚 2 0 nmの A 1 q ₃膜と、例えば 0. 5 nmの L i F膜とを順次形成する。

こうして、アノード電極 76上に、 2— TNATA膜よりなる正孔注入層と、 a— NPD膜よりなる正孔輸送層と、 t (n p a) p yをドープした A 1 q ₃膜よりなる発光層と、 A 1 α ₃膜よりなる電子輸送層と、 L i F膜よりなる電子注入層とを有する有機エレクトロルミネッセンス層 1 8を形成する（図 1 8 Bを参照）。

次いで、有機エレクトロノレミネッセンス層 1 8上に、例えば真空蒸着法及びスパッタ法により、所定の形状に開口されたマスクを介して、例えば膜厚 1. 5 n mの A 1膜と、例えば膜厚 1 5 nmの A g膜と、例えば膜厚 3 5 n mの I T O膜とを順次形成し、 A 1 /A gZl TO積層膜を形成する。

こうして、 A 1 /AgZ I TO積層膜よりなるカソード電極 20を形成する (図 1 8 Cを参照）。

こうして、図 14に示す表示装置が製造される。

このように、本実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置において、透明導電膜よりなるアノード電極 7 6下に、光透過性を有する絶縁層 7 4を介して光反射性を有する光反射膜 7 2が形成されているので、高い発光効率を有するトップェミッション型の表示装置を実現することができる。また、光反射膜 7 2が絶縁層 7 4により覆われているので、光反射膜 7 2の腐食等による素子特性の劣化を抑制することができる。

また、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に透明導電膜よりなるアノード電極 7 6上に形成されるため、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8 として、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様の材料及び構造の有機ェレクトロルミネッセンス層をそのまま用いることができる。

なお、本実施形態による表示装置についても、第 3実施形態による表示装置の場合と同様に、同一画素内に光反射膜 7 2が形成された領域と光反射膜 7 2が形成されていない領域とを設ける、すなわちァノード電極 7 6とカソード電極 2 0 とが重なる発光領域に光反射膜 7 2を部分的に形成することにより、上面発光型の領域と両面発光型の領域とを同一面素内に設けてもよい。

また、第 4実施形態による表示装置の場合と同様に、絶縁性基板 1 0の表面に滑らかな凹凸を形成し、滑らかな凹凸が形成された絶縁性基板 1 0上に、光反射膜 7 2、絶縁層 7 4、及び有機エレクトロルミネッセンス素子を形成してもよレ、。または、絶縁層 7 4の表面に滑らかな凹凸を形成し、滑らかな凹凸が形成された絶縁層 7 4上に、有機ェレクトロルミネッセンス素子を形成してもよい。絶縁性基板 1 0又は絶縁層 7 4の表面に形成された滑らかな凹凸により、第 4実施形態による表示装置と同様に、アノード電極 7 6、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8、及び力ソード電極 2 0の面積が、凹凸が形成されていない平坦な表面の絶縁性基板 1 0上に形成される場合と J:匕較して大きくなり、更に発光効率を向上することができる。

(第 7実施形態）

本発明の第 7実施形態による表示装置について図 1 9乃至図 2 2を用いて説明する。図 1 9は本実施形態による表示装置の構造を示す断面図、図 2 0乃至図 2 2は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図 1 0、図 1 2乃至図 1 4、図 1 7、及び図 1 8に示す第 5及ぴ第 6実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。

本実施形態による表示装置は、第 6実施形態による表示装置と同様の有機ェレクトロルミネッセンス素子とともに、第 5実施形態による表示装置と同様にスィツチング素子として薄膜トランジスタが設けられており、この薄膜トランジスタにより有機エレクト口ルミネッセンス素子に印加する駆動電圧を制御するァクテイブマトリクス型の表示装置である。以下、本実施形態による表示装置の構造について図 1 9を用いて説明する。なお、図 1 9は 1画素分の構造を示したものであるが、実際には複数の画素がマトリクス状に配置されている。

ガラス基板よりなる絶縁性基板 1 0上には、第 5実施形態による表示装置と同様に、シリコン酸化膜よりなるバッファ層 4 6を介して、ゲート電極 5 2、チヤネル層 4 8に形成されたソース領域 5 4及びドレイン領域 5 6を有し、有機エレクトロルミネッセンス素子に印加する駆動電圧を制御する薄膜トランジスタが形成されている。

ソース電極 6 2及びドレイン電極 6 6が形成された層間絶縁膜 5 8上には、層間絶縁膜 8 0が形成されている。

層間絶縁膜 8 0上には、光反射性を有する A 1膜よりなる光反射膜 7 2が形成されている。光反射膜 7 2には、層間絶縁膜 8 0の薄膜トランジスタ上の領域を露出する開口部 8 2が形成されている。なお、光反射膜 7 2に形成された開口部 8 2は、必ずしも層間絶縁膜 8 0の薄膜トランジスタが形成された領域を露出するものである必要はなく、少なくとも層間絶縁膜 8 0のソース電極 6 2上の領域を露出するものであればよい。このような開口部 8 2が形成された光反射膜 7 2 は、所定の形状を有するものが画素毎に形成されていてもよいし、画素が配列された表示領域の全面に形成されていてもよい。光反射膜 7 2及び開口部 8 2から露出した層間絶緣膜 8 0上には、光透過性を有する感光性樹脂よりなる絶縁層 7 4が形成されている。絶縁層 7 4の材料である感光性樹脂としては、例えばアクリル系樹脂が用いられている。絶縁層 7 4は、光反射膜 7 2の表面が剥き出しにならないように、光反射膜 7 2を覆うように形成されている。

絶縁層 7 4及び層間絶縁膜 8 0には、ソース電極 6 2に達するコンタクトホール 7 0が形成されている。

コンタクトホール 7 0が形成された絶縁層 7 4上には、コンタクトホール 7 0 を含む領域に、光透過性を有する I T Oの透明導電膜よりなるアノード電極 7 6 が形成されている。ァノード電極 7 6は、絶縁層 7 4及び層間絶縁膜 8 0に形成されたコンタクトホール 7 0を介して、薄膜トランジスタのソース電極 6 2に電気的に接続されている。

アノード電極 7 6上には、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とが順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス層 1 8 が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層 1 8上には、薄い膜厚で形成され光透過性を有する A 1膜と、薄い膜厚で形成され光透過性を有する A g膜と、光透過性を有する I T O膜よりなる透明導電膜とが順次積層されてなるカソード電極 2 0が形成されている。こうして、光反射膜 7 2上に絶縁層 7 4を介して、ァノード電極 7 6と、有機エレクトロノレミネッセンス層 1 8と、力ソード電極 2 0とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている。

本実施形態による表示装置は、透明導電膜よりなるアノード電極 7 6下に光透過性を有する絶縁層 7 4を介して形成された光反射膜 7 2の存在により、絶縁性基板 1 0とは反対側の力ソード電極 2 0側から光が取り出されるトップエミッシヨン型となっている。したがって、絶縁性基板 1 0上に形成された薄膜トランジスタにより発光面積が制限されることはなく、高い発光効率を実現することができる。 '

また、本実施形態による表示装置では、光反射膜 7 2に少なくとも層間絶縁膜 8 0のソース電極 6 2上の領域を露出する開口部 8 2が形成され、透明導電膜よりなるアノード電極 7 6がコンタクトホール 7 0を介してソース電極 6 2に直に電気的に接続されている。これにより、アノード電極 7 6との電気的接続を確保することが困難な導電膜を介さずに、薄膜トランジスタのソース電極 6 2に電気的に接続された光反射膜 7 2から正孔を有機エレクトロノレミネッセンス層 1 8に注入することができる。また、光反射膜 7 2を覆うように絶 f彖層 7 4が形成されているため、光反射膜 7 2の腐食を防止することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8には、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス層と同様の材料及び構造の有機エレクトロルミネッセンス層をそのまま用いることができる。

なお、画素毎に所定の形状を有する光反射膜 7 2を画素毎に形成する場合には、アノード電極 7 6とカソード電極 2 0とが重なる発光領域よりも幅広に光反射膜 7 2を形成することが望ましい。このように光反射膜 7 2を ψ畐広に形成することで、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光が薄膜トランジスタの特性に影響するのを抑制することができる。

次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図 2 0乃至図 2 2を用いて説明する。

まず、図 1 2 A乃至図 1 2 C及び図 1 3 Aに示す第 5実施形態による表示装置の製造方法と同様にして、絶縁性基板 1 0上に、薄膜トランジスタ、ソース電極 6 2及びドレイン電極 6 6までを形成する（図 2 O Aを参照）。

次いで、例えば C V D法により、ソース電極 6 2及びドレイン電極 6 6が形成された層間絶縁膜 5 8上に、例えば膜厚 3 0 0 n mのシリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜 8 0を形成する（図 2 0 Bを参照）。なお、層間絶緣膜 8 0には、シリコン酸化膜のほか、シリコン窒化膜等の無機絶縁膜、樹脂よりなる絶縁膜を用いることができる。

次いで、層間絶縁膜 8 0上に、例えばスパッタ法により、 ijえば膜厚 1 5 0 η mの A 1膜 8 4を形成する。

次いで、リソグラフィ一により、 A 1膜 8 4を所定の形状にパターユングし、 A 1膜 8 4に、少なくとも層間絶縁膜 8 0のソース電極 6 2上の領域を露出する開口部 8 2を形成する。 A 1膜 8 4は、画素毎に所定の形状を有するようにパタ一ユングしてもよいし、画素が配列される表示領域の全面に残存させてもよい。こうして、 A 1膜 8 4よりなる光反射 Jl 7 2を形成する（図 2 1 Aを参照）。なお、図 2 1 Aでは、眉間絶縁膜 8 0の紫膜トランジスタ上の領域を露出する開口部 8 2を光反射膜 7 2に形成した場合について示している。

次いで、光反射膜 7 2及び開口部 8 2 から露出する層間絶縁膜 8 0上に、例えばスピンコート法により感光性樹脂を布し、感光性樹脂層 8 6を形成する（図 2 1 Bを参照）。

感光性樹脂層 8 6を所定のマスクを用いて露光した後、所定の現像液を用、て露光された感光性樹脂層 8 6を現像し、層間絶縁膜 8 0のソース電極 6 2上領域を露出する開口部 8 8を感光性樹脂層 8 6に形成する。こうして、フォトリソグラフィ一により、開口部 8 8が形成さた光透過性を有する感光性樹脂層 8 6よりなる絶縁層 7 4を形成する（図 2 1 C を参照）。ここで、絶縁層 7 4は、光反射膜 7 2の表面が剥き出しにならないように、光反射膜 7 2を覆うように开成する。

次いで、例えばドライエッチングにより、開口部 8 8が形成された絶緣唇 7 4 をマスクとして、層間絶縁膜 8 0に、ゾース電極 6 2に達する開口部 9 0 形成する。

こうして、層間絶縁膜 8 0に形成さた開口部 9 0と、絶縁層 7 4に形虎された開口部 8 8とが接続してなるコンタクトホール 7 0を形成する (図 2 2 を参照）。なお、コンタクトホール 7 0に ί 光反射膜 7 2が露出しないように、光反射膜 7 2の開口部 8 2の大きさ、絶縁曆 7 4の開口部 8 8の大きさ、エッチング条件等を予め適宜設定しておくことが望ましい。これは、次のような理由による。すなわち、コンタクトホール 7 0に光射膜 7 2が露出すると、この後に开成するアノード電極 7 6と光反射膜 7 2とカ接触し、両者の間に寄生容量が形されてしまうので、このような寄生容量による素子特性の劣化を回避するためである。このように、本実施形態による表示装置の製造方法では、絶縁層 7 4を感光性樹脂により形成し、層間絶縁膜 8 0をェツチングする際のマスクとしても色縁層 7 4を用いるので、少ない工程数でコ Ζタクトホール 7 0までを形成することができる。なお、絶縁層 7 4としてシリコン酸化膜等の光透過性を有する無機絶縁膜を用いることもできる。この場合、無機絶縁膜よりなる絶縁層 7 4を形虎する工程に加えて、絶縁層 7 4及び層間絶縁膜 8 0にコンタクトホール 7 0を形成するためのエッチングマスクとして用いるレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を除去する工程も必要となる。このため、感光性樹脂により絶縁層 7 4を形成する場合と比較して工程数が多くなる。

次いで、コンタクトホール 7 0が形成された絶縁膜 7 4上に、第 6実施形態による表示装置の製造方法と同様にして、コンタクトホール 7 0を介してソース電極 6 2に接続するァノード電極 7 6と、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8と、力ソード電極 2 0とを形成する（図 2 2 Bを参照）。

こうして、図 1 9に示す本実施形態による表示装置が製造される。

このように、本実施形態によれば、有機エレクト口ルミネッセンス素子を用いた表示装置において、透明導電膜よりなるアノード電極 7 6下に、光透過性を有する絶縁層 7 4を介して光反射性を有する光反射膜 7 2が形成されているので、有機ェレクトロノレミネッセンス素子下に形成された薄膜トランジスタによる制限を受けずに、高い発光効率を有するトップエミッシヨン型の表示装置を実現することができる。

また、光反射膜 7 2が絶縁層 7 4により覆われているので、光反射膜 7 2の腐食等による素子特性の劣化を抑制することができる。

さらに、有機エレクト口ルミネッセンス層 1 8は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に透明導電膜よりなるアノード電極 7 6上に形成されるため、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8 として、従来の有機エレクトロノレミネッセンス素子と同様の材料及ぴ構造の有機エレクトロルミネッセンス層をそのまま用いることができる。

(変形実施形態）

本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、絶縁性基板 1 0としてガラス基板を用いる場合について説明したが、絶縁性基板 1 0はガラス基板に限定されるものではない。例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムを絶縁性基板 1 0として用いてもよい。樹脂フィルムを絶縁性基板 1 0として用いることにより、可撓性を有するフレキシブルな表示装置を実現することができる。また、トップェミッション型の表示装置のみを構成する場合にあっては、絶縁性基板 1 0は必ずしもガラス基板等のように光透過性を有するものである必要はない。伹し、第 3実施形態による表示装置の場合のように、同一基板上に上面発光部 4 0と両面発光部 4 4とを設ける場合にあっては、光透過性を有する基板を絶縁性基板 1 0として用いる必要がある。

また、上記実施形態では、光反射膜 1 2の周縁部 _bに介在膜 3 0が形成されている場合について説明したが、介在膜 3 0は必ずし ¾光反射膜 1 2の周縁部上に形成されている必要はなく、光反射膜 1 2の所定の領域上に部分的に形成されていればよい。

また、上記実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8の発光層において発生した光を力ソード電極 2 0側へ反射するための光反射膜 1 2、 7 2として A 1膜を用いる場合について説明したが、光反射膜 1 2、 7 2は A 1膜に限定されるものではない。光反射膜 1 2、 7 2としては、 A 1又は A 1を主成分とする合金のほか、例えば、 A g、 N d (ネオジム) 、 S i (シリコン）、 T i、 W (タングステン) ヽ C u (銅）、 N b (ニオブ）、 T a (タンタル）、 C (炭素）、又は少なくともこれらのうちのいずれかを主成分とする合金よりなる光反射性を有する導電膜を用いることができる。

また、上記実施形態では、 A 1膜よりなる光反射膜 1 2と I T〇膜よりなる透明導電膜 1 4との電気的接続を改善し、両者の間の導通を確保するための介在膜 3 0として M o膜を用いる場合について説明したが、介在膜 3 0は M o膜に限定されるものではない。介在膜 3 0としては、 M o又 fま M oを主成分とする合金のほか、例えば、 W、 T a、 T i、 C r、又は少なくもこれらのうちのいずれかを主成分とする合金等の高融点金属よりなる導電膜を用いることができる。

また、上記実施形態では、光反射膜 1 2上に形成寸る透明導電膜 1 4、ァノード電極 7 6として I T〇膜を用いる場合について説したが、透明導電膜 1 4、アノード電極 7 6は I T O膜に限定されるものではい。透明導電膜 1 4としては、 I T O膜のほか、例えば、 I Z O (亜鉛をドープした酸化インジウム）膜、 Z η θ (酸化亜鉛）膜等の光透過性を有する導電膜を用いることができる。

また、上記実施形態では、有機エレクト口ルミネセンス層 1 8として、 2— TNATA膜よりなる正孔注入層と、ひ一 NPD膜よりなる正孔輸送層と、 t (n p a) p yをドープした A 1 q ₃膜よりなる発光層と、 A 1 d ₃膜よりなる電子輸送層と、 L i F膜よりなる電子注入層とが順次積層されてるものを用いる場合について説明したが、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8 の構造及び材料は、これに限定されるものではない。有機エレクト口ルミネッンス層 1 8の構造には、発光層のみの単層構造、正孔輸送層と発光層または発 5fe層と電子輸送層の 2層構造、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との 3層構造を道用することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス層 1 8を構成する IE孔注入層、正孔輸送層、発光層と、電子輸送層、電子注入層の材料には、あらる有機エレクト口ルミネッセンス材料を用いることができる。

また、上記実施形態では、力ソード電極 20として A 1 / I T O積層膜、 A 1 ZAgZl TO積層膜を用いる場合について説明したが、カソード電極 20は A 1 /1 TO積層膜、 A 1 /A g_ I TO積層膜に限定されるもではない。カソ一ド電極 20としては、 A 1 / I T〇積層膜、 A 1 / A g / I IT O積層膜のほか、例えば、 I TO単膜、 I ZO膜、 Z nO膜、 A 1単膜、 A g単膜又はこれらの積層膜等の光透過性を有する導電膜を用いることができる。なお、 A 1膜、 Ag膜等を力ソード電極 20として用いる場合には、光透過性を有すらように、これらの膜を薄く形成する必要がある。

また、上記実施形態では、絶縁層 74として感光性樹脂よりるものを用いる場合について説明したが、絶縁層 74は、光透過性を有するも Oであれば、感光性樹脂よりなるものに限定されるものではない。絶縁層 74としては、感光性樹脂よりなるものほか、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜等の光透過性を有する無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層 74は、光透過性を有するものであれば無色である必要はなく、絶縁層 74=として、ポリイミド等の有色樹脂よりなるものを用いることもできる。

また、上記実施形態では、薄膜トランジスタとしてトップゲート型のものを用いる場合について説明したが、薄膜トランジスタとしてはボトゲート型のものを用いてもよい。また、チャネル層 48にポリシリコン膜を用！/ヽる場合について説明したが、チャネル層 48にはアモルファスシリコン膜を用いてもよレ、。また、上記実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いる場合について説明したが、他のスィツチング素子を用いてもよい。例えば、二端子素子であるダイオードを利用した M I M (金属一絶縁膜一金属）構造のスイツチング素子を用いてもよい。

[産業上の利用の可能性]

本発明による有機エレクト口ルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置は、発光効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、並びにこのような有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置を実現する。したがって、表示特性に優れるとともに、低消費電力な表示装置への応用に有用である。

Claims

請求の範囲

1 . 基板上に形成され、光反射性を有する第 1の導電膜と、前記第 l O導電膜上に前記第 1の導電膜を覆うように形成され、光透過性を有する第 2の導電膜とを有するアノード電極と、

前記アノード電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、光透過性を有するソード電極と

を有することを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子。

2 . 基板上に形成され、光反射性を有する第 1の導電膜と、前記第 l O導電膜上に形成され、光透過性を有する第 2の導電膜と、前記第 1の導電膜と ft記第 2の導電膜との間に部分的に形成され、前記第 1の導電膜及び前記第 2の電膜のそれぞれに電気的に接続する第 3の導電膜とを有するァノ一ド電極と、

前記アノード電極上に形成された有機エレクトロノレミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、光透過性を有するカソ一ド電極と

3 . 請求の範囲第 2項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子にお!/、て、前記第 3の導電膜は、前記第 1の導電膜の周縁部上に形成されている

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

4 . 請求の範囲第 2項又は第 3項記載の有機エレクトロノレミネッセンス素子において、

前記第 2の導電膜は、前記第 1の導電膜を覆うように形成されている

ことを特徴とする有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

5 . 請求の範囲第 2項乃至第 4項のいずれか 1項に記载の有機エレクロルミネッセンス素子において、

前記第 3の導電膜は、高融点金属よりなる

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

6 . 請求の範囲第 5項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子にお V、て、前記第 3の導電膜は、 M o、 W、 T a、 T i、 C r、又は少なくともこれらのうちのいずれかを主成分とする合金よりなる

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

7 . 基板上に形成され、光反射性を有する第 1の導電膜と、

前記第 1の導電膜上に形成され、光透過性を有する絶縁層と、

前記絶縁層上に形成され、光透過性を有する第 2の導電膜を有するアノード電極と、

前記アノード電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、光透過性を有するカソード電極と

8 . 請求の範囲第 7項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記絶縁層は、前記第 1の導電膜を覆うように形成されている

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

9 . 請求の範囲第 7項又は第 8項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、

前記第 1の導電膜は、前記アノード電極と前記カソード電極とが重なる発光領域よりも幅広に形成されている

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 0 . 請求の範囲第 7項乃至第 9項のいずれか 1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、

前記絶縁層の膜厚は、以上である

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 1 . 請求の範囲第 7項乃至第 1 0項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ノレミネッセンス素子において、

前記絶縁層の光の透過率は、 5 0 %以上である

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 2 . 請求の範囲第 1項乃至第 1 1項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ノレミネッセンス素子において、前記第 1の導電膜は、前記ァノ一ド電極と前記カソード電極とが重なる発光領域に部分的に形成されている

ことを特徴とする有機ェレクトロルミネッセンス素子。

1 3. 請求の範囲第 1項乃至第 1 2項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ノレミネッセンス素子において、

前記基板又は前記絶縁層の表面に、凹凸が形成されている

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

14. 請求の範囲第 1項乃至第 1 3項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ノレミネッセンス素子において、

前記第 1の導電膜は、 A l、 Ag、 Nd、 S i、 T i、 W、 Cu、 Nb、 T a、 C、又は少なくともこれらのうちのいずれかを主成分とする合金よりなる

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 5. 請求の範囲第 1項乃至第 1 4項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ノレミネッセンス素子において、

前記第 2の導電膜は、 I TO、 Ι ΖΟ、又は Ζ ηΟよりなる

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 6. 請求の範囲第 1項乃至第 1 5項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を画素領域に有する

ことを特徴とする表示装置。

1 7. 請求の範囲第 1 6項記載の表示装置において、

前記基板上に形成され、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に印加する駆動電圧を制御するスィツチング素子を更に有する

ことを特徴とする表示装置。

1 8. 基板上に、光反射性を有する第 1の導電膜と、前記第 1の導電膜上に前記第 1の導電膜を覆うように形成され、光透過性を有する第 2の導電膜とを有するアノード電極を形成する工程と、

前記第 1の導電膜上に、有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に、光透過性を有する力ソード電極を形成する工程とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

1 9 . 請求の範囲第 1 8項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、

前記アノード電極を形成する工程では、前記第 2の導電膜を形成する前に、前記第 1の導電膜上に、前記第 1の導電膜及び前記第 2の導電膜のそれぞれに電気的に接続する第 3の導電膜を部分的に形成する

ことを特徴とする有機ェレクト口ルミネッセンス素子の製造方法。

2 0 . 請求の範囲第 1 9項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、

前記第ァノ一ド電極を形成する工程は、前記第 1の導電膜上に前記第 3の導電膜を形成する工程と、前記第 3の導電膜上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜の膜厚に厚薄を部分的に設ける工程と、膜厚に厚薄が設けられた前記レジスト膜をマスクとして、前記第 3の導電膜及び前記第 1の導電膜をエッチングするェ程と、前記レジスト膜の膜厚の薄い部分を除去して前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された前記レジスト膜をマスクとして、前記開口部の底部に露出した前記第 3の導電膜をエッチングすることにより、前記第 1 の導電膜上に前記第 3の導電膜を部分的に形成する工程とを有する

ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

2 1 . 請求の範囲第 2 0項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、

前記レジスト膜の膜厚に厚薄を部分的に設ける工程では、前記レジスト膜の露光量を部分的に変えることにより、前記レジスト膜の膜厚に厚薄を設ける

2 2 . 請求の範囲第 1 9項乃至第 2 1項のいずれか 1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、

前記第 3の導電膜を部分的に形成する工程では、前記第 1の導電膜の周縁部上に前記第 3の導電膜を形成する

ことを特徴とする有機ヱレクト口ルミネッセンス素子の製造方法。

2 3 . 基板上に、スィツチング素子を形成する工程と、前記スィッチング素子が形成された前記基板上に、第 1の絶縁層を形成するェ程と、

前記第 1の絶縁層上に、光反射性を有する第 1の導電膜を形成する工程と、前記第 1の導電膜が形成された前記第 1の絶縁層上に、前記スィツチング素子の電極上に第 1の開口部を有し、光透過性を有する感光性榭脂よりなる第 2の絶縁層を形成する工程と、

前記第 2の絶縁層をマスクとして前記第 1の絶縁層をエッチングし、前記スィツチング素子の電極に達する第 2の開口部を形成する工程と、

前記第 2の絶縁層上に、前記第 1の開口部及び前記第 2の開口部を介して前記スィツチング素子の電極に電気的に接続され、光透過性を有する第 2の導電膜を有するァノード電極を形成する工程と、

前記アノード電極上に、有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に、光透過性を有する力ソード電極を形成する工程と

を有することを特徴とする表示装置の製造方法。